JP2001060491A - Organic el element - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機ＥＬ素子に関し、さらに詳細には、発光層に電子
を供給する電子注入電極上に封止膜を設けた有機ＥＬ素
子に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an organic EL device using an organic compound, and more particularly, to an organic EL device having a sealing film provided on an electron injection electrode for supplying electrons to a light emitting layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、ホール注入電極上にト
リフェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を
蒸着により薄膜とし、その上にアルミキノリノール錯体
（Ａｌｑ3 ）などの蛍光物質を発光層として積層し、さ
らにＭｇなどの仕事関数の小さな金属電極（電子注入電
極）を形成した基本構成を有する素子で、１０Ｖ前後の
電圧で数１００から数１００００cd/m2ときわめて高い
輝度が得られることで注目されている。2. Description of the Related Art In an organic EL device, a hole transporting material such as triphenyldiamine (TPD) is deposited on a hole injection electrode to form a thin film, and a fluorescent material such as an aluminum quinolinol complex (Alq3) is laminated thereon as a light emitting layer. In addition, it is an element that has a basic structure in which a metal electrode (electron injection electrode) with a small work function, such as Mg, is formed, and can obtain extremely high luminance of several hundred to several 10,000 cd / m 2 at a voltage of about 10 V. Have been.
【０００３】ところで、有機ＥＬ素子は水分や、腐食性
ガス等により劣化することが知られている。例えば、水
分の影響により、発光層と電極層との間で剥離が生じた
り、構成材料が変質してしまったりして、ダークスポッ
トと称する非発光領域が生じたり、発光面積が縮小した
りして所定の品位の発光が維持できなくなってしまう。Incidentally, it is known that the organic EL element is deteriorated by moisture, corrosive gas or the like. For example, due to the influence of moisture, separation occurs between the light-emitting layer and the electrode layer, or a constituent material is altered, a non-light-emitting region called a dark spot is generated, or a light-emitting area is reduced. As a result, light emission of a predetermined quality cannot be maintained.
【０００４】また、有機ＥＬ素子の電子注入電極として
用いられる材料は、発光層や電子注入輸送層等へ電子を
多く注入するものが有効であると考えられている。換言
すれば、仕事関数の小さい材料ほど電子注入電極として
適していると言える。仕事関数の小さい材料としては種
々のものがあるが、有機ＥＬ素子の電子注入電極として
用いられるものとしては、例えば特開平２−１５５９５
号公報には、アルカリ金属以外の複数の金属からなり、
かつこれらの金属の少なくとも１種の金属の仕事関数
が、４eV未満である電子注入電極として、例えばＭｇＡ
ｇが開示されている。It is considered that a material used as an electron injecting electrode of an organic EL device is effective in injecting a large amount of electrons into a light emitting layer, an electron injecting and transporting layer, and the like. In other words, it can be said that a material having a smaller work function is more suitable as an electron injection electrode. There are various materials having a small work function, and as a material used as an electron injection electrode of an organic EL element, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-15595
The publication consists of a plurality of metals other than alkali metals,
And an electron injection electrode in which at least one of these metals has a work function of less than 4 eV, such as MgA
g is disclosed.
【０００５】また、仕事関数の小さいものとしてはアル
カリ金属が好ましく、米国特許第３１７３０５０号、同
３３８２３９４号明細書には、アルカリ金属として、例
えばＮａＫが記載されている。しかし、アルカリ金属を
用いたものは、活性が高く、化学的に不安定であり、安
全性、信頼性の点でＭｇＡｇ等を用いた電子注入電極に
比べ劣っている。Further, alkali metals having a small work function are preferable, and US Pat. Nos. 3,173,050 and 3,382,394 describe, for example, NaK as an alkali metal. However, an electrode using an alkali metal has high activity and is chemically unstable, and is inferior to an electron injection electrode using MgAg or the like in terms of safety and reliability.
【０００６】上記のような低仕事関数の金属、合金等を
安定に用いるため、膜封止を行う検討もされている。し
かし、十分な封止を行うためには、ガラス封止等では不
十分なため、高価で手間のかかるテフロンやＳｉＯ2
等の封止膜を用いなければならなかった。また、このよ
うな膜封止を行う場合、電子注入電極が酸化により腐食
されるのを防止するため、電子注入電極形成後速やかに
行う必要がある。このため、膜封止専用の装置を用意し
なければ対応できないという問題があった。[0006] In order to stably use metals, alloys and the like having a low work function as described above, studies have been made on film sealing. However, in order to perform sufficient sealing, glass sealing or the like is insufficient, so that expensive and troublesome Teflon or SiO 2 is required.
And the like. Further, when performing such film sealing, it is necessary to perform the film sealing immediately after the formation of the electron injection electrode in order to prevent the electron injection electrode from being corroded by oxidation. For this reason, there is a problem that it is impossible to cope with the problem unless an apparatus dedicated to film sealing is prepared.
【０００７】この問題を解決するための方法として、例
えば、特開平５−３６４７５号公報、同５−８９９５９
号公報、同７−１６９５６７号公報等に記載されている
ように、有機ＥＬ積層構造体部分を被う気密ケース、封
止層等を基板上に密着固定して外部と遮断する技術が知
られている。As a method for solving this problem, for example, JP-A-5-36475 and JP-A-5-89959
As described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-169567 and 7-169567, a technique for tightly fixing an airtight case, a sealing layer, and the like covering an organic EL layered structure portion on a substrate and shutting off the outside is known. ing.
【０００８】酸化を防止するための検討としては、例え
ば特開平４−２３３１９４号公報に記載されているよう
なＭｇ・ＡｌにＡｌのキャップ層を設けたものや、電子
注入電極物質よりもさらに仕事関数の低いアルカリ土
類、希土類金属等によるキャップ層を設ける試み等もな
されている。しかし、このキャップ層はダークスポット
の出現を防止することを目的とするもので、主に陰極
（電子注入電極）と有機エレクトロルミネッセンス媒体
界面等での湿分の吸収を行うものであり、有機ＥＬ素子
全体を保護する封止膜としては不十分である。As a study for preventing oxidation, for example, a method in which an Al cap layer is provided on Mg.Al as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-233194, or a work more intense than an electron injection electrode material is described. Attempts have been made to provide a cap layer made of a low-function alkaline earth or rare earth metal. However, this cap layer is intended to prevent the appearance of dark spots, and mainly absorbs moisture at the interface between the cathode (electron injection electrode) and the organic electroluminescence medium, and the like. It is not sufficient as a sealing film for protecting the entire device.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、封止
用の特別な構造体を用いることなく比較的容易に成膜で
き、電子注入電極から連続的に形成することも可能で、
しかも封止効果の高い封止膜を有する有機ＥＬ素子を提
供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to form a film relatively easily without using a special structure for sealing, and to form a film continuously from an electron injection electrode.
Moreover, it is an object of the present invention to provide an organic EL device having a sealing film having a high sealing effect.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明により達成される。 （１） 基板と、少なくともこの基板上に形成されたホ
ール注入電極と、発光機能に関与する有機層と、電子注
入電極とを有し、前記電子注入電極は基板と反対側に封
止膜を有し、かつこの封止膜はケイ素、酸素、および窒
素を含有する有機ＥＬ素子。 （２） 前記封止膜は、その組成をＳｉＯxＮy と表し
たときに、ｘ＝０．１〜１、ｙ＝０．１〜１である上記
（１）の有機ＥＬ素子。 （３） さらに水素を３０at％以下含有する上記（１）
または（２）の有機ＥＬ素子。 （４） 前記封止膜は、プラズマＣＶＤ法により形成さ
れている上記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素
子。 （５） さらに樹脂封止構造体を有する上記（１）〜
（４）のいずれかの有機ＥＬ素子。This and other objects are achieved by the present invention which is defined below as (1) to (5). (1) A substrate, at least a hole injection electrode formed on the substrate, an organic layer involved in a light emitting function, and an electron injection electrode, wherein the electron injection electrode has a sealing film on the side opposite to the substrate. An organic EL device comprising: a sealing film containing silicon, oxygen, and nitrogen. (2) The organic EL device according to (1) above, wherein the composition of the sealing film is x = 0.1 to 1, y = 0.1 to 1 when the composition is represented by SiO x N y . (3) The above (1) further containing 30 at% or less of hydrogen.
Or the organic EL device of (2). (4) The organic EL device according to any one of (1) to (3), wherein the sealing film is formed by a plasma CVD method. (5) The above (1) to (1) to further having a resin sealing structure.
The organic EL device according to any one of (4).
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子は、基板
と、少なくともこの基板上に形成されたホール注入電極
と、発光機能に関与する有機層と、電子注入電極とを有
し、前記電子注入電極は基板と反対側に封止膜を有し、
かつこの封止膜はケイ素、酸素、および窒素を含有する
ものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An organic EL device according to the present invention has a substrate, at least a hole injection electrode formed on the substrate, an organic layer involved in a light emitting function, and an electron injection electrode. The injection electrode has a sealing film on the side opposite to the substrate,
And this sealing film contains silicon, oxygen and nitrogen.
【００１２】このように、ケイ素、酸素、窒素を含有す
る封止膜を電子注入電極上に形成することにより、高い
封止効果が得られるとともに、内部応力の増大も抑制さ
れて、剥離等の不良が生じ難くなる。そして、ガラス封
止板を用いなくても高い封止効果が得られるため、樹脂
等の封止剤を用いることができ、応用範囲が広がる。By forming a sealing film containing silicon, oxygen and nitrogen on the electron injection electrode, a high sealing effect can be obtained, and an increase in internal stress can be suppressed, and peeling or the like can be prevented. Defects are less likely to occur. Since a high sealing effect can be obtained without using a glass sealing plate, a sealing agent such as a resin can be used, and the range of application is widened.
【００１３】すなわち、窒化ケイ素は緻密な膜を形成す
ることから封止膜としては優れているが、膜内の応力が
大きく、封止膜自身や、封止膜が形成されている電極と
有機層界面との間などで剥離現象を生じやすい。特に、
時間の経過とともに剥離現象が進行し、シュリンク率が
増大する。そこで、窒化ケイ素膜中に酸素を導入するこ
とで、緻密で封止効果に優れた膜特性を維持しつつ、内
部応力を緩和して、剥離、シュリンクを抑制する。[0013] That is, silicon nitride is excellent as a sealing film because it forms a dense film, but the stress in the film is large, and the sealing film itself and the electrode on which the sealing film is formed are in contact with the organic film. Separation phenomena tend to occur between layers and the like. In particular,
The peeling phenomenon progresses with the passage of time, and the shrinkage rate increases. Therefore, by introducing oxygen into the silicon nitride film, the internal stress is alleviated and peeling and shrinkage are suppressed while maintaining dense and excellent film properties.
【００１４】封止膜は、ケイ素、酸素、窒素を含有す
る。封止膜中におけるそれぞれの元素の含有率は特に規
制されるものではなく、窒化ケイ素膜形成時に酸素源と
なるガスを導入して形成されたものであればよい。[0014] The sealing film contains silicon, oxygen and nitrogen. The content of each element in the sealing film is not particularly limited, and may be any one formed by introducing a gas serving as an oxygen source during the formation of the silicon nitride film.
【００１５】具体的には、ケイ素源として、ターゲット
であればＳｉを用い、原料ガスとしてはシラン、ジシラ
ンなどを用いる。窒素源としては、Ｎ2、ＮＨ3等を用い
る。そして、この窒化ケイ素膜の成膜原料導入時に、さ
らに酸素源としてＯ2等を、酸素炭素源としてＣＯ2 ，
ＣＯ等を、酸素窒素源として、ＮＯ、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ等を
導入する。More specifically, Si is used as a silicon source as a silicon source, and silane, disilane or the like is used as a source gas. As a nitrogen source, N 2 , NH 3 or the like is used. Then, at the time of introducing the film forming raw material of the silicon nitride film, O 2 or the like is further added as an oxygen source, and CO 2 ,
NO, NO 2 , N 2 O, etc. are introduced using CO or the like as an oxygen-nitrogen source.
【００１６】封止膜の具体的な組成としては、 ＳｉＯxＮy と表したとき、ｘ＝０．１〜１、特に０．４〜０．８、
ｙ＝０．１〜１、特に０．４〜０．８である。これらの
酸化物の存在は、ＳＩＭＳ等により確認することができ
る。As a specific composition of the sealing film, when expressed as SiO x N y , x = 0.1 to 1, particularly 0.4 to 0.8,
y = 0.1 to 1, especially 0.4 to 0.8. The presence of these oxides can be confirmed by SIMS or the like.
【００１７】封止膜にはさらに水素を好ましくは３０at
％以下、より好ましくは５〜１５at％含有していてもよ
い。水素を含有することにより封止膜中の応力が緩和さ
れる。水素は、下記のＣＶＤ方を用いる際に不可避的に
膜中に混入されるが、スパッタ法においても水素ガス、
あるいは水素を含有するガスを用いることで膜中に混入
させることができる。The sealing film further contains hydrogen, preferably at 30 at.
%, More preferably 5 to 15 at%. By containing hydrogen, the stress in the sealing film is reduced. Hydrogen is inevitably mixed into the film when using the following CVD method.
Alternatively, a gas containing hydrogen can be mixed into the film.
【００１８】封止膜中の酸素の含有量は、膜内の応力を
低下させる限度において、少ない程良い。The smaller the oxygen content in the sealing film, the better the stress in the film can be reduced.
【００１９】成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法、ス
パッタ法等を用いることができるが、特にプラズマＣＶ
Ｄ法が好ましい。ＣＶＤ法を用いることにより、ステッ
プカバレッジがさらに良好となり、封止効果をより高め
ることができる。As a film forming method, a plasma CVD method, a sputtering method or the like can be used.
Method D is preferred. By using the CVD method, the step coverage is further improved, and the sealing effect can be further improved.
【００２０】プラズマＣＶＤ法を用いた場合に成膜条件
としては、 成膜時の圧力：１０〜１００Pa、 投入電力（ＲＦ：１３．５６MHz）：５０〜５００Ｗ、 成膜時の温度：８０〜１５０℃ 程度である。When the plasma CVD method is used, the film forming conditions are as follows: pressure during film formation: 10 to 100 Pa, input power (RF: 13.56 MHz): 50 to 500 W, temperature during film formation: 80 to 150 About ℃.
【００２１】成膜される封止膜の膜厚としては、１００
nm〜１μm 、特に２００nm〜５００nm程度が好ましい。
封止膜内の内部応力は、通常引張応力であり、好ましく
は５×１０9 dyn／cm2 以下、特に５×１０8 dyn／cm2
以下が好ましい。なお、その下限は、引張と圧縮応力の
均衡点の０である。The thickness of the formed sealing film is 100
nm to 1 μm, particularly preferably about 200 nm to 500 nm.
The internal stress in the sealing film is usually a tensile stress, preferably 5 × 10 9 dyn / cm 2 or less, particularly 5 × 10 8 dyn / cm 2.
The following is preferred. The lower limit is 0, which is the equilibrium point between the tensile and compressive stresses.
【００２２】本発明における電子注入電極は、仕事関数
が４eV以下の金属、合金または金属間化合物から構成さ
れる。材料の仕事関数が４eVを超えると、電子の注入効
率が低下し、ひいては発光効率も低下する。仕事関数が
４eV以下の電子注入電極膜の構成金属としては、例え
ば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属、Ｌａ、Ｃｅ等の希土類
金属や、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等が挙げ
られる。仕事関数が４eV以下の金属を含有する電子注入
電極の構成合金としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１
〜２０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．５〜１２at
％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、Ａｌ・Ｃ
ａ（Ｃａ：５〜２０at％）等が挙げられる。これらは単
独で、あるいは２種以上の組み合わせとして存在しても
よく、これらを２種以上組み合わせた場合の混合比は任
意である。The electron injection electrode according to the present invention is made of a metal, alloy or intermetallic compound having a work function of 4 eV or less. If the work function of the material exceeds 4 eV, the electron injection efficiency decreases, and the luminous efficiency also decreases. Examples of the constituent metal of the electron injection electrode film having a work function of 4 eV or less include alkali metals such as Li, Na, and K, Mg, Ca, and S.
Examples thereof include alkaline earth metals such as r and Ba, rare earth metals such as La and Ce, Al, In, Ag, Sn, Zn, and Zr. As a constituent alloy of the electron injection electrode containing a metal having a work function of 4 eV or less, for example, Ag.Mg (Ag: 1
２０20 at%), Al.Li (Li: 0.5 to 12 at%)
%), In.Mg (Mg: 50-80 at%), Al.C
a (Ca: 5 to 20 at%). These may be present alone or as a combination of two or more, and the mixing ratio when two or more of these are combined is arbitrary.
【００２３】この電子注入電極は蒸着法等によっても形
成できるが、好ましくはスパッタ法、さらにはＤＣスパ
ッタ法により形成することが好ましい。ＤＣスパッタ装
置の電力としては、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm2 、
特に０．５〜７Ｗ／cm2 の範囲が好ましい。成膜レート
としては、好ましくは０．１〜１００nm／min 、特に１
〜３０nm／min が好ましい。This electron injection electrode can be formed by a vapor deposition method or the like, but is preferably formed by a sputtering method, more preferably a DC sputtering method. The power of the DC sputtering apparatus is preferably 0.1 to 10 W / cm 2 ,
Particularly, a range of 0.5 to 7 W / cm 2 is preferable. The film forming rate is preferably 0.1 to 100 nm / min, particularly 1 to 100 nm / min.
-30 nm / min is preferred.
【００２４】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常０．１〜２０Pa程度でよい。The sputtering gas is not particularly limited, and an inert gas such as Ar, He, Ne, Kr, and Xe, or a mixed gas thereof may be used. As the pressure at the time of sputtering such a sputtering gas,
Usually, it may be about 0.1 to 20 Pa.
【００２５】このような電子注入電極の厚さは、電子注
入を十分行える一定以上の厚さとすればよく、１nm以
上、好ましくは３nm以上とすればよい。また、その上限
値には特に制限はないが、通常膜厚は３〜５００nm程度
とすればよい。The thickness of such an electron injection electrode may be a certain thickness or more for sufficiently injecting electrons, and may be 1 nm or more, preferably 3 nm or more. The upper limit is not particularly limited, but the thickness may be generally about 3 to 500 nm.
【００２６】本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入電極
上、つまり有機層と反対側に補助電極層を設けてもよ
い。この補助電極は、電子注入電極の膜抵抗が高い場
合、あるいは最低限電子注入機能を有する程度の膜厚と
した場合等にはこれを補うため、また、単純マトリクス
の配線電極として用いた場合、電圧降下が少なく、輝度
ムラが防止でき、さらに、ＴＦＴ等を用いたアクティブ
マトリクスタイプのディスプレイに応用した場合、高速
化が可能である。In the organic EL device of the present invention, an auxiliary electrode layer may be provided on the electron injection electrode, that is, on the side opposite to the organic layer. This auxiliary electrode compensates for the case where the film resistance of the electron injection electrode is high, or when the film thickness is such that it has a minimum electron injection function, and when used as a simple matrix wiring electrode, Voltage drop is small, luminance unevenness can be prevented, and when applied to an active matrix type display using a TFT or the like, high-speed operation is possible.
【００２７】補助電極が必要な電子注入電極の膜抵抗
は、ディスプレイの大きさや補助電極の材質にもよる
が、通常０．２Ω／□以上、特に０．５Ω／□以上とな
った場合であり、その上限は特に規制されるものではな
いが通常数１００Ω／□程度である。また、そのような
電子注入電極の厚みとしては、ディスプレイの大きさや
補助電極の材質にもよるが、通常３００nm以下、特に２
００nm以下となった場合に必要になってくる。The film resistance of the electron injection electrode requiring an auxiliary electrode is usually 0.2 Ω / □ or more, especially 0.5 Ω / □ or more, although it depends on the size of the display and the material of the auxiliary electrode. The upper limit is not particularly limited, but is usually several hundreds Ω / □. Although the thickness of such an electron injection electrode depends on the size of the display and the material of the auxiliary electrode, it is usually 300 nm or less, especially 2 nm.
It becomes necessary when the thickness becomes smaller than 00 nm.
【００２８】補助電極を配線電極として機能させる場
合、好ましい比抵抗としては５００μΩ・cm以下、より
好ましくは５０μΩ・cm、特に３０μΩ・cm以下、さら
には１０μΩ・cm以下である。その下限値としては特に
制限されるものではないが、Ａｌの比抵抗である３〜４
μΩ・cm程度が挙げられる。このような比抵抗を有する
補助電極としては、ＡｌまたはＡｌおよび遷移金属の合
金が好ましく挙げられる。この場合、Ａｌ・遷移金属合
金の遷移金属の含有量は、好ましくは５at％、より好ま
しくは２at％、特に１at％以下が好ましく、Ａｌ単体を
用いたものが最も好ましい。また、Ａｌ補助電極と組み
合わせる電子注入電極としては、特に限定されるもので
はないが、Ａｌ・Ｌｉ合金が好ましい。When the auxiliary electrode functions as a wiring electrode, the specific resistance is preferably 500 μΩ · cm or less, more preferably 50 μΩ · cm, particularly 30 μΩ · cm or less, and further preferably 10 μΩ · cm or less. The lower limit is not particularly limited, but is 3 to 4 which is the specific resistance of Al.
About μΩ · cm. As the auxiliary electrode having such specific resistance, Al or an alloy of Al and a transition metal is preferably cited. In this case, the content of the transition metal in the Al. Transition metal alloy is preferably 5 at%, more preferably 2 at%, and particularly preferably 1 at% or less, and the use of Al alone is most preferable. The electron injecting electrode combined with the Al auxiliary electrode is not particularly limited, but is preferably an Al.Li alloy.
【００２９】補助電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらに１００nm以上、特に１００〜１０００nmの範
囲が好ましい。補助電極層が薄すぎると、所望の効果が
得られず、また、補助電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
補助電極層が厚すぎると、補助電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が高くなってしま
う。なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、電
子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを補
う場合には、通常１００〜５００nm 程度、その他の配
線電極として機能される場合には１００〜３００nm程度
である。The thickness of the auxiliary electrode may be a certain thickness or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, particularly 100 nm, in order to secure electron injection efficiency and prevent entry of moisture, oxygen or an organic solvent. A range of ~ 1000 nm is preferred. If the auxiliary electrode layer is too thin, the desired effect cannot be obtained, and the step coverage of the auxiliary electrode layer will be low, and the connection with the terminal electrode will not be sufficient. on the other hand,
If the auxiliary electrode layer is too thick, the stress of the auxiliary electrode layer increases, so that the growth rate of dark spots increases. The thickness when functioning as a wiring electrode is generally about 100 to 500 nm when the electron injection electrode is thin and the film resistance is high because the film thickness is small. Is about 100 to 300 nm.
【００３０】このような封止膜の厚さは、水分や酸素あ
るいは有機溶媒の進入を防止するため、一定以上の厚さ
とすればよく、好ましくは５nm以上、さらに５〜２００
nm、特に１０〜１００nmの範囲が好ましい。The thickness of such a sealing film may be a certain thickness or more, preferably 5 nm or more, and more preferably 5 to 200 mm, in order to prevent entry of moisture, oxygen or an organic solvent.
nm, especially in the range of 10 to 100 nm.
【００３１】電子注入電極、および必要により補助電極
とを併せた全体の厚さとしては、特に制限はないが、通
常１００〜１０００nm程度とすればよい。The total thickness of the electron injection electrode and, if necessary, the auxiliary electrode is not particularly limited, but may be generally about 100 to 1000 nm.
【００３２】スパッタ装置は、ＤＣスパッタ装置が好ま
しい。また、スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガス、反応性ガスのスパッタ時における流
量は、好ましくは１〜２０sccm、より好ましくは１〜１
０sccm、特に２〜５sccmが好ましい。その他のスパッタ
条件は、上記の電子注入電極の場合と同様である。The sputtering device is preferably a DC sputtering device. The sputtering gas is not particularly limited, and an inert gas such as Ar, He, Ne, Kr, and Xe, or a mixed gas thereof may be used. The flow rate of such a sputtering gas or reactive gas during sputtering is preferably 1 to 20 sccm, more preferably 1 to 1 sccm.
0 sccm, especially 2-5 sccm, is preferred. Other sputtering conditions are the same as in the case of the electron injection electrode described above.
【００３３】本発明で製造される有機ＥＬ素子は、基板
上にホール注入電極と、その上に電子注入電極を有する
これらの電極に挟まれて、それぞれ少なくとも１層の電
荷注入輸送層および発光層を有し、さらに最上層として
封止膜を有する。なお、電荷注入輸送層は省略可能であ
る。The organic EL device manufactured by the present invention has at least one charge injection transport layer and at least one light emitting layer sandwiched between a hole injection electrode on a substrate and an electron injection electrode thereon. And a sealing film as the uppermost layer. Note that the charge injection transport layer can be omitted.
【００３４】本発明により製造される有機ＥＬ発光素子
の構成例を第１図に示す。第１図に示されるＥＬ素子
は、基板２１上に、ホール注入電極２２、ホール注入輸
送層２３、発光および電子注入輸送層２４、電子注入電
極２５、封止膜２６を順次有する。また、必要により電
子注入電極２５上に補助電極を有していてもよいし、電
子注入輸送層を別途設けてもよい。FIG. 1 shows an example of the structure of an organic EL device manufactured according to the present invention. The EL device shown in FIG. 1 has a hole injection electrode 22, a hole injection / transport layer 23, a light emission and electron injection / transport layer 24, an electron injection electrode 25, and a sealing film 26 in this order on a substrate 21. If necessary, an auxiliary electrode may be provided on the electron injection electrode 25, or an electron injection transport layer may be separately provided.
【００３５】本発明の有機ＥＬ素子は、図示例に限ら
ず、種々の構成とすることができ、例えば発光層を単独
で設け、この発光層と電子注入電極との間に電子注入輸
送層を介在させた構造とすることもできる。また、必要
に応じ、ホール注入・輸送層と発光層とを混合しても良
い。The organic EL device of the present invention is not limited to the illustrated example, but can be of various configurations. For example, a light emitting layer is provided alone, and an electron injection transport layer is provided between the light emitting layer and the electron injection electrode. An interposed structure may be used. If necessary, the hole injecting / transporting layer and the light emitting layer may be mixed.
【００３６】電子注入電極や封止膜は前述のように成膜
し、発光層等の有機物層は真空蒸着等により、ホール注
入電極は蒸着やスパッタ等により成膜することができる
が、これらの膜のそれぞれは、必要に応じてマスク蒸着
または膜形成後にエッチングなどの方法によってパター
ニングでき、これによって、所望の発光パターンを得る
ことができる。さらには、基板が薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）であって、そのパターンに応じて各膜を形成し、
そのまま表示および駆動パターンとすることもできる。The electron injection electrode and the sealing film can be formed as described above, the organic layer such as the light emitting layer can be formed by vacuum evaporation or the like, and the hole injection electrode can be formed by evaporation or sputtering. Each of the films can be patterned by a method such as etching after mask evaporation or film formation, if necessary, whereby a desired light emitting pattern can be obtained. Further, when the substrate is a thin film transistor (T
FT), wherein each film is formed according to the pattern,
The display and drive patterns can be used as they are.
【００３７】ホール注入電極としては、好ましくは発光
した光の透過率が８０％以上となるような材料および厚
さを決定することが好ましい。具体的には、酸化物透明
導電薄膜が好ましく、例えば、錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸
化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）およ
び酸化亜鉛（ＺｎＯ）のいずれかを主組成としたものが
好ましい。これらの酸化物はその化学量論組成から多少
偏倚していてもよい。ＩＴＯでは、通常Ｉｎ2Ｏ3とＳｎ
Ｏ2とを化学量論組成で含有するが、酸素量は多少これ
から偏倚していてもよい。Ｉｎ2Ｏ3に対しＳｎＯ2の混
合比は、１〜２０wt％が好ましく、さらには５〜１２wt
％が好ましい。Ｉｎ2Ｏ3に対しＺｎＯの混合比は、１２
〜３２wt％が好ましい。It is preferable to determine the material and thickness of the hole injection electrode so that the transmittance of emitted light is 80% or more. Specifically, an oxide transparent conductive thin film is preferable. For example, tin-doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide (IZO), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide ( ZnO) is preferable. These oxides may deviate somewhat from their stoichiometric composition. In ITO, In 2 O 3 and Sn
O 2 is contained in a stoichiometric composition, but the oxygen content may be slightly deviated from this. The mixing ratio of SnO 2 to In 2 O 3 is preferably 1 to 20 wt%, more preferably 5 to 12 wt%.
% Is preferred. The mixing ratio of ZnO to In 2 O 3 is 12
~ 32 wt% is preferred.
【００３８】ホール注入電極を成膜するにはスパッタ法
が好ましい。スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜するホール注入電
極の膜物性の制御のし易さや、成膜面の平滑度等を考慮
するとＤＣスパッタ法を用いることが好ましい。For forming a hole injection electrode, a sputtering method is preferable. As a sputtering method, a high frequency sputtering method using an RF power supply or the like is also possible, but a DC sputtering method is used in consideration of easy control of film physical properties of a hole injection electrode to be formed and smoothness of a film formation surface. Is preferred.
【００３９】ＤＣスパッタ装置の電力としては、好まし
くは０．１〜１０Ｗ／cm2、特に０．５〜７Ｗ／cm2の範
囲である。また、成膜レートはマグネットなどの装置の
条件にもよるが、好ましくは５〜１００nm／min 、特に
１０〜５０nm／min の範囲が好ましい。スパッタ時の成
膜条件としては、電極形成で通常使用されているガス
圧、例えば、０．１〜０．５Pa、基板−ターゲット間距
離４〜１０cmの範囲とすればよい。The power of the DC sputtering device is preferably in the range of 0.1 to 10 W / cm 2 , particularly 0.5 to 7 W / cm 2 . The deposition rate depends on the conditions of the apparatus such as a magnet, but is preferably in the range of 5 to 100 nm / min, particularly preferably in the range of 10 to 50 nm / min. The film forming conditions at the time of sputtering may be a gas pressure generally used for forming an electrode, for example, a range of 0.1 to 0.5 Pa and a distance between the substrate and the target of 4 to 10 cm.
【００４０】スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使
用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加え
てＮ2，Ｈ2，Ｏ2，Ｃ2Ｈ4，ＮＨ3等の反応性ガスが使用
可能であるが、好ましくはＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅのいずれ
か、あるいはこれらの少なくとも１種以上のガスを含む
混合ガスを用いることが好ましい。これらのガスは不活
性ガスであり、かつ、比較的原子量が大きいため好まし
く、特にＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ単体が好ましい。Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅガスを用いることにより、スパッタされた原子
が基板まで到達する途中、上記ガスと衝突を繰り返し、
運動エネルギーを減少させて、基板に到着する。この事
からスパッタされた原子の持つ運動エネルギーが有機Ｅ
Ｌ構造体に与える物理的ダメージが少なくなる。また、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも１種以上のガスを含む混
合ガスを用いても良く、この様な混合ガスを用いる場
合、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの分圧の合計は５０％以上として
主スパッタガスとして用いる。このようにＡｒ、Ｋｒ、
Ｘｅの少なくとも１種と任意のガスを組み合わせた混合
ガスを用いることにより、本発明の効果を維持したま
ま、反応性スパッタを行うこともできる。The sputtering gas may be an inert gas used in a normal sputtering apparatus, or a reactive gas such as N 2 , H 2 , O 2 , C 2 H 4 , NH 3 in the case of reactive sputtering. Although it can be used, it is preferable to use any of Ar, Kr, and Xe, or a mixed gas containing at least one or more of these gases. These gases are preferred because they are inert gases and have a relatively large atomic weight. Particularly, Ar, Kr, and Xe alone are preferred. Ar, K
By using the r and Xe gas, while the sputtered atoms reach the substrate, the collision with the gas is repeated,
The kinetic energy is reduced and reaches the substrate. From this, the kinetic energy of the sputtered atoms is
Physical damage to the L structure is reduced. Also,
A mixed gas containing at least one gas of Ar, Kr, and Xe may be used. When such a mixed gas is used, the total partial pressure of Ar, Kr, and Xe is set to 50% or more and used as a main sputtering gas. Used. Thus, Ar, Kr,
By using a mixed gas obtained by combining at least one kind of Xe and an arbitrary gas, reactive sputtering can be performed while maintaining the effects of the present invention.
【００４１】本発明の封止膜により十分な保護、封止効
果が得られるが、さらに封止膜上に必要に応じて保護膜
を形成してもよい。保護膜はＳｉＯｘ等の無機材料、テ
フロン等の有機材料等を用いて形成することができる。
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さ
は５０〜１２００nm程度とする。保護膜は前記した反応
性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法等に
より形成すればよい。Although a sufficient protection and sealing effect can be obtained by the sealing film of the present invention, a protective film may be formed on the sealing film if necessary. Protective film may be formed using an inorganic material such as SiO x, an organic material such as Teflon or the like.
The protective film may be transparent or opaque, and the thickness of the protective film is about 50 to 1200 nm. The protective film may be formed by a general sputtering method, a vapor deposition method, or the like, in addition to the reactive sputtering method described above.
【００４２】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐ
ために素子上に封止層を設けることが好ましい。封止層
は、湿気の侵入を防ぐために市販の低吸湿性の光硬化性
接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、架橋
エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シート等の接着性
樹脂層を用いて、アクリル、塩化ビニール等の樹脂板、
ガラス板等の封止板を接着し密封する。特に、本発明の
封止膜を有する有機ＥＬ素子は、ガラス板以外に、樹脂
封止構造体として上記のような樹脂板を用いることが可
能であり、さらには塩化ビニール、ＰＥＴ（ポリエチレ
ンテレフタレート）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ポリイ
ミド等の樹脂フィルムも用いることができる。このよう
な薄膜フィルムを用いることで、有機ＥＬ素子を屈曲さ
せて配置したり、素子を応用した表示装置をさらに薄型
にすることができ、有機ＥＬ素子の応用範囲が広がる。Further, it is preferable to provide a sealing layer on the element in order to prevent oxidation of the organic layer and the electrode of the element. The sealing layer is made of an adhesive resin layer such as a commercially available low-moisture-absorbing light-curing adhesive, an epoxy-based adhesive, a silicone-based adhesive, and a cross-linked ethylene-vinyl acetate copolymer adhesive sheet to prevent moisture from entering. Using acrylic, vinyl chloride, etc. resin plate,
A sealing plate such as a glass plate is bonded and sealed. In particular, in the organic EL device having the sealing film of the present invention, it is possible to use the above-mentioned resin plate as a resin sealing structure other than the glass plate, and further, vinyl chloride, PET (polyethylene terephthalate) , PP (polypropylene), polyimide and other resin films can also be used. By using such a thin film, the organic EL element can be bent and arranged, and a display device using the element can be further thinned, and the application range of the organic EL element is widened.
【００４３】次に、本発明のＥＬ素子に設けられる有機
物層について述べる。この有機層には発光層が含まれ
る。発光層は、少なくとも発光機能に関与する１種類、
または２種類以上の有機化合物薄膜の積層膜からなる。Next, the organic layer provided in the EL device of the present invention will be described. The organic layer includes a light emitting layer. The light emitting layer is at least one kind involved in the light emitting function,
Alternatively, it is composed of a laminated film of two or more kinds of organic compound thin films.
【００４４】発光層は、ホール（正孔）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることで、電子
とホールを容易かつバランスよく注入・輸送することが
できる。The light emitting layer has a function of injecting holes (holes) and electrons, a function of transporting them, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. By using a relatively electronically neutral compound for the light emitting layer, electrons and holes can be easily injected and transported in a well-balanced manner.
【００４５】発光層は、必要により、狭義の発光層の
他、さらにホール注入輸送層、電子注入輸送層等を有し
ていても良い。The light emitting layer may have a hole injecting and transporting layer, an electron injecting and transporting layer, etc. in addition to the light emitting layer in a narrow sense, if necessary.
【００４６】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。The hole injecting and transporting layer has a function of facilitating the injection of holes from the hole injecting electrode, a function of stably transporting holes, and a function of preventing electrons.
The electron injection transport layer has a function of facilitating injection of electrons from the electron injection electrode, a function of stably transporting electrons, and a function of preventing holes. These layers increase and confine holes and electrons injected into the light emitting layer, optimize the recombination region, and improve luminous efficiency.
【００４７】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer, and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the forming method.
It is preferable that the thickness be in the range of 10 to 300 nm.
【００４８】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホール／電子の注入層と輸送層とを分ける場合
は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とするのが好
ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通
常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm程度であ
る。このような膜厚については、注入輸送層を２層設け
るときも同じである。The thickness of the hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer depend on the design of the recombination / light emitting region, but may be about the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times. When the hole / electron injection layer and the transport layer are separated, the thickness of the injection layer is preferably 1 nm or more, and the thickness of the transport layer is preferably 1 nm or more. At this time, the upper limit of the thickness of the injection layer and the transport layer is usually about 500 nm for the injection layer and about 500 nm for the transport layer. Such a film thickness is the same when two injection / transport layers are provided.
【００４９】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平８−１２６００号公
報（特願平６−１１０５６９号）に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平８−１２９６９号公報（特願平
６−１１４４５６号）に記載のテトラアリールエテン誘
導体等を用いることができる。The light emitting layer of the organic EL device contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function. Examples of such a fluorescent substance include, for example, JP-A-63-26469.
No. 2 discloses at least one compound selected from compounds such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes. Also, Tris (8
Quinolinol derivatives such as metal complex dyes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, such as (quinolinolato) aluminum; tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. Further, phenylanthracene derivatives described in JP-A-8-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569), tetraarylethene derivatives described in JP-A-8-12969 (Japanese Patent Application No. 6-114456), and the like are described. Can be used.
【００５０】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することも好ましく、ドーパントと
しての使用も好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．
１〜５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。Further, it is preferable to use in combination with a host substance capable of emitting light by itself, and it is also preferable to use it as a dopant. In such a case, the content of the compound in the light emitting layer is 0.01 to 10% by weight, and more preferably 0.1 to 10% by weight.
It is preferably 1 to 5% by weight. When used in combination with a host substance, the emission wavelength characteristics of the host substance can be changed, light emission shifted to a longer wavelength becomes possible, and the luminous efficiency and stability of the device are improved.
【００５１】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。As the host substance, a quinolinolato complex is preferable, and an aluminum complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand is preferable. Such an aluminum complex is disclosed in JP-A-63-26469.
No. 2, JP-A-3-255190, JP-A-5-7073
3, JP-A-5-258859, JP-A-6-2158
No. 74 and the like.
【００５２】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum Oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-
8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-
Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolatoaluminum, tris (5,7-dibromo-
8-hydroxyquinolinolato) aluminum and poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane].
【００５３】また、８−キノリノールまたはその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。In addition to 8-quinolinol or a derivative thereof, an aluminum complex having another ligand may be used, such as bis (2-methyl-
8-quinolinolato) (phenolato) aluminum (III)
, Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-
Cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl-
8-quinolinolato) (meth-cresolate) aluminum
(III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para-cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-phenylphenolate)
Aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (meth-phenylphenolato) aluminum (II
I), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para-
Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-
Methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl- 8-quinolinolato)
(3,4-dimethylphenolato) aluminum (III),
Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum (III) ), Bis (2-methyl-8)
-Quinolinolato) (2,6-diphenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-triphenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl- 8-quinolinolato)
(2,3,6-trimethylphenolato) aluminum (I
II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,
3,5,6-tetramethylphenolato) aluminum (I
II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphthrat) aluminum (III), bis (2-methyl-8
-Quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum (II
I), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato)
(Ortho-phenylphenolato) aluminum (III),
Bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (para-
Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,
4-dimethyl-8-quinolinolato) (meta-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2 4-dimethyl-8
-Quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) (para-cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl) -4-methoxy-8-quinolinolato) (para-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) (ortho-cresolato) aluminum (III),
Bis (2-methyl-6-trifluoromethyl-8-quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum (III);
【００５４】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。In addition, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-bis (2-
Methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum
(III) -μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (4-ethyl-
2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III)-
μ-oxo-bis (4-ethyl-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4
-Methoxyquinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-bis (2-methyl-4-methoxyquinolinolato)
Aluminum (III), bis (5-cyano-2-methyl-
8-quinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-
Bis (5-cyano-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -μ
-Oxo-bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum (III) and the like.
【００５５】このほかのホスト物質としては、特開平８
−１２６００号公報（特願平６−１１０５６９号）に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１２９６
９号公報（特願平６−１１４４５６号）に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。Other host materials are disclosed in
Phenylanthracene derivative described in JP-A-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569) and JP-A-8-1296
No. 9 (Japanese Patent Application No. 6-114456) is also preferable.
【００５６】発光層は電子輸送層を兼ねたものであって
もよく、このような場合はトリス（８−キノリノラト）
アルミニウム等を使用することが好ましい。これらの蛍
光性物質を蒸着すればよい。The light emitting layer may also serve as an electron transporting layer. In such a case, tris (8-quinolinolato)
It is preferable to use aluminum or the like. These fluorescent substances may be deposited.
【００５７】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% と
することが好ましい。The light emitting layer is preferably a mixed layer of at least one kind of hole injecting and transporting compound and at least one kind of electron injecting and transporting compound, if necessary.
Further, it is preferable that a dopant is contained in the mixed layer. The content of the compound in such a mixed layer is preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 15% by weight.
【００５８】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。In the mixed layer, a carrier hopping conduction path is formed, so that each carrier moves in a substance having a polar advantage, and carrier injection of the opposite polarity is less likely to occur, so that the organic compound is less likely to be damaged. This has the advantage that the element life is extended. Further, by including the above-described dopant in such a mixed layer, the emission wavelength characteristics of the mixed layer itself can be changed, the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength, and the emission intensity is increased, The stability of the device can be improved.
【００５９】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物の中から
選択すればよい。The hole injecting and transporting compound and the electron injecting and transporting compound used in the mixed layer may be selected from the hole injecting and transporting compound and the electron injecting and transporting compound described below, respectively.
【００６０】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。As the compound capable of injecting and transporting electrons, it is preferable to use a quinoline derivative, furthermore a metal complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, particularly tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3). It is also preferable to use the above-mentioned phenylanthracene derivatives and tetraarylethene derivatives.
【００６１】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジア
ミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮
合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。As the compound for the hole injecting and transporting layer, it is preferable to use an amine derivative having strong fluorescence, for example, a triphenyldiamine derivative, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring.
【００６２】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物／電子注入輸送性化合物の重量比が、１
／９９〜９９／１、さらに好ましくは１０／９０〜９０
／１０、特に好ましくは２０／８０〜８０／２０程度と
なるようにすることが好ましい。The mixing ratio in this case depends on the respective carrier mobility and carrier concentration. In general, the weight ratio of the hole injection / transport compound / electron injection / transport compound is 1
/ 99-99 / 1, more preferably 10 / 90-90
/ 10, particularly preferably about 20/80 to 80/20.
【００６３】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜１００nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。The thickness of the mixed layer is preferably not less than the thickness corresponding to one molecular layer and less than the thickness of the organic compound layer. Specifically, the thickness is preferably 1 to 100 nm, more preferably 5 to 60 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.
【００６４】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。As a method for forming a mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable. However, when the vapor pressures (evaporation temperatures) are approximately the same or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. Alternatively, it can be deposited. In the mixed layer, it is preferable that the compounds are uniformly mixed, but in some cases, the compounds may exist in an island shape. The light-emitting layer is generally formed to a predetermined thickness by vapor-depositing an organic fluorescent substance or by dispersing and coating the resin in a resin binder.
【００６５】ホール注入輸送性化合物としては、例え
ば、特開昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９
１６９４号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−
２３４６８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、
特開平５−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２
５号公報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−
１００１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載
されている各種有機化合物を用いることができる。例え
ば、テトラアリールベンジシン化合物（トリアリールジ
アミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族
三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、
トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を
有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等であ
る。これらの化合物は、１種のみを用いても、２種以上
を併用してもよい。２種以上を併用するときは、別層に
して積層したり、混合したりすればよい。Examples of the hole injecting / transporting compound include, for example, JP-A-63-29569 and JP-A-2-19.
1694, JP-A-3-792, JP-A5-
JP-A-234681, JP-A-5-239455,
JP-A-5-299174, JP-A-7-12622
No. 5, JP-A-7-126226, JP-A-8-
Various organic compounds described in, for example, Japanese Patent No. 100172 and EP0650955A1 can be used. For example, a tetraarylbendicine compound (triaryldiamine or triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine, a hydrazone derivative, a carbazole derivative,
Triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group, polythiophene and the like. These compounds may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, they may be stacked as separate layers or mixed.
【００６６】電子注入輸送性化合物は、トリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）等の８−キノリ
ノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体な
どのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレ
ン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオレン誘導体等を用いることができる。The electron injecting and transporting compound includes quinoline derivatives such as organometallic complexes having 8-quinolinol such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) or derivatives thereof as ligands, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, and the like. A pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, a nitro-substituted fluorene derivative, or the like can be used.
【００６７】発光層およびホール注入輸送層、電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．２μm
、特に０．１μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶
粒径が０．２μm 、特に０．１μm を超えていると、不
均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければな
らなくなり、電荷の注入効率も著しく低下する。The light emitting layer, the hole injection / transport layer, and the electron injection / transport layer can be formed from a uniform thin film.
It is preferable to use a vacuum deposition method. When vacuum deposition is used, the amorphous state or the crystal grain size is 0.2 μm
In particular, a homogeneous thin film of 0.1 μm or less can be obtained. If the crystal grain size exceeds 0.2 μm, especially 0.1 μm, the light emission becomes non-uniform, the driving voltage of the device must be increased, and the charge injection efficiency is significantly reduced.
【００６８】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。The conditions for vacuum deposition are not particularly limited.
The degree of vacuum is 0 -4 Pa or less, and the deposition rate is 0.01 to 1 nm /
It is preferable to set it to about sec. Further, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are formed continuously in a vacuum, impurities can be prevented from adsorbing at the interface between the layers, so that high characteristics can be obtained. Further, the driving voltage of the element can be reduced, and the occurrence and growth of dark spots can be suppressed.
【００６９】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。When a plurality of compounds are contained in one layer when a vacuum evaporation method is used to form each of these layers, it is preferable to co-deposit each boat containing the compounds by individually controlling the temperature.
【００７０】基板材料としては、基板側から発光した光
を取り出す構成の場合、ガラスや石英、樹脂等の透明な
いし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルター膜
や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を
用いて発光色をコントロールしてもよい。また、前記逆
積層の場合には、基板は透明でも不透明であってもよ
く、不透明である場合にはセラミックス等を使用しても
よい。カラーフィルター膜には、液晶ディスプレイ等で
用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、有
機ＥＬの発光する光に合わせてカラーフィルターの特性
を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよい。In the case of a structure in which light emitted from the substrate side is extracted, a transparent or translucent material such as glass, quartz, or resin is used as the substrate material. Further, the emission color may be controlled by using a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film on the substrate. In the case of the reverse lamination, the substrate may be transparent or opaque, and when opaque, ceramics or the like may be used. As the color filter film, a color filter used in a liquid crystal display or the like may be used, but the characteristics of the color filter may be adjusted according to the light emitted by the organic EL, and the extraction efficiency and color purity may be optimized. .
【００７１】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。When a color filter capable of cutting off short-wavelength external light that is absorbed by the EL element material or the fluorescence conversion layer is used, the light resistance of the element and the contrast of display are improved.
【００７２】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。Further, an optical thin film such as a dielectric multilayer film may be used instead of the color filter.
【００７３】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。The fluorescence conversion filter film absorbs EL light and emits light from the phosphor in the fluorescence conversion film, thereby performing color conversion of the emission color. It is formed from a fluorescent material and a light absorbing material.
【００７４】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロ等も含
む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物
・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系
化合物等を用いればよい。As the fluorescent material, basically, a material having a high fluorescence quantum yield may be used, and it is desirable that the fluorescent material has strong absorption in the EL emission wavelength region. Actually, laser dyes are suitable, and rhodamine compounds, perylene compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds (including subphthalo, etc.) naphthaloimide compounds, condensed ring hydrocarbon compounds, condensed heterocyclic compounds, A styryl compound, a coumarin compound, or the like may be used.
【００７５】バインダーは基本的に蛍光を消光しないよ
うな材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等
で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。
また、ＩＴＯの成膜時にダメージを受けないような材料
が好ましい。光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。Basically, a material that does not extinguish the fluorescence may be selected as the binder, and a material that can be finely patterned by photolithography, printing, or the like is preferable.
Further, a material that does not suffer damage during the deposition of ITO is preferable. The light absorbing material is used when the light absorption of the fluorescent material is insufficient, but may not be used when unnecessary. As the light absorbing material, a material that does not quench the fluorescence of the fluorescent material may be selected.
【００７６】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜２
０V程度とされる。The organic EL device of the present invention is usually used as a DC drive type EL device, but it can be AC drive or pulse drive. The applied voltage is usually 2 to 2
It is about 0V.
【００７７】[0077]
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the present invention together with comparative examples.
【００７８】＜実施例１＞ガラス基板としてコーニング
社製商品名７０５９基板を中性洗剤を用いてスクラブ洗
浄した。Example 1 As a glass substrate, a 7059 substrate (trade name, manufactured by Corning Incorporated) was scrub-cleaned using a neutral detergent.
【００７９】この基板上をスパッタ装置の基板ホルダー
に固定して、槽内を減圧した。次いで、ＩＴＯターゲッ
トを用いＤＣマグネトロンスパッタリング法により、膜
厚１００nmのＩＴＯホール注入電極を形成した。The substrate was fixed on a substrate holder of a sputtering apparatus, and the pressure in the tank was reduced. Next, an ITO hole injection electrode having a thickness of 100 nm was formed by a DC magnetron sputtering method using an ITO target.
【００８０】所望にパターニングされたＩＴＯ基板を、
中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄
し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。次い
で、表面をＵＶ／Ｏ3 洗浄した後、真空蒸着装置の基板
ホルダーに固定して、槽内を１×１０-4Pa以下まで減圧
した。The ITO substrate patterned as desired is
Ultrasonic cleaning was performed using a neutral detergent, acetone, and ethanol, and the resultant was pulled out of boiling ethanol and dried. Next, after the surface was washed with UV / O 3, it was fixed to a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus, and the pressure in the tank was reduced to 1 × 10 −4 Pa or less.
【００８１】次いで、蒸着法により、４，４’，４”−
トリス（−Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を蒸
着速度０．１nm／secで５５nmの厚さに蒸着してホール
注入層を形成し、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ
−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル
（ＴＰＤ）を蒸着速度０．１nm／secで２０nmの厚さに
蒸着してホール輸送層を形成した。Next, 4,4 ′, 4 ″-
Tris (-N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / sec to a thickness of 55 nm to form a hole injection layer. , N'-diphenyl-N, N'-m
-Tolyl-4,4'-diamino-1,1'-biphenyl (TPD) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / sec to a thickness of 20 nm to form a hole transport layer.
【００８２】減圧を保ったまま、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を、蒸着速度０．１nm
/secとして５０nmの厚さに蒸着し、発光層とした。While maintaining the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm.
The film was vapor-deposited at a thickness of 50 nm as / sec to form a light emitting layer.
【００８３】さらに、減圧を保ったまま、スパッタ装置
に移し、スパッタ法にてＡｌＬｉ（Ｌｉ：６at％）を１
nmの厚さに成膜し、続けてＡｌを２００nmの厚さに成膜
して電子注入電極とした。Further, while maintaining the reduced pressure, the wafer was transferred to a sputtering apparatus, and AlLi (Li: 6 at%) was reduced to 1 by a sputtering method.
A film was formed to a thickness of 200 nm, and subsequently Al was formed to a thickness of 200 nm to form an electron injection electrode.
【００８４】次いで、減圧状態を保ったまま、プラズマ
ＣＶＤ装置に移し、ＳｉＯＮ封止膜を、１００nmの膜厚
に成膜した。このときの成膜条件としては、 ＳｉＨ4 ：２０SCCM Ｎ2Ｏ ：１０SCCM Ｎ2 ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗ とした。成膜された封止膜の組成は、ＳｉＯ0.5Ｎ0.5
であった。また、この封止膜中には水素が１０at％混入
されていた。Next, while maintaining the reduced pressure, the wafer was transferred to a plasma CVD apparatus, and a SiON sealing film was formed to a thickness of 100 nm. The film forming conditions at this time were SiH 4 : 20 SCCM N 2 O: 10 SCCM N 2 : 100 SCCM Film forming temperature: 100 ° C. Film forming pressure: 50 Pa Input power: RF100 W The composition of the formed sealing film is SiO 0.5 N 0.5
Met. Further, 10 at% of hydrogen was mixed in this sealing film.
【００８５】最後にガラス封止板を配置することなく有
機ＥＬ素子を得た。また、比較例として、封止膜形成時
に、Ｎ2Ｏ に代えてＮＨ4 を導入した以外は上記と同様
にして封止膜を形成した素子（比較サンプル）も作製し
た。Finally, an organic EL device was obtained without disposing a glass sealing plate. As a comparative example, an element (comparative sample) in which a sealing film was formed in the same manner as described above except that NH 4 was introduced instead of N 2 O when forming the sealing film was also manufactured.
【００８６】得られた有機ＥＬ素子を、大気中８５℃の
条件下、１００時間保存した後、１０mA／cm2 の一定電
流密度で駆動し、ダークスポットの発生、およびシュリ
ンクについて評価した。The obtained organic EL device was stored in the atmosphere at 85 ° C. for 100 hours, and then driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 to evaluate generation of dark spots and shrinkage.
【００８７】その結果、本発明サンプルは、ダークスポ
ットの発生、シュリンクのいずれも発見できなかった
が、比較サンプルは、直径換算で５０μm 以上のダーク
スポットが多数発見されるとともに、６０μm 以上のシ
ュリンクが確認された。As a result, in the sample of the present invention, neither generation of a dark spot nor shrinkage was found, but in the comparative sample, many dark spots having a diameter of 50 μm or more were found, and shrinkage of 60 μm or more was found. confirmed.
【００８８】[0088]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、封止用の
特別な構造体を用いることなく比較的容易に成膜でき、
電子注入電極から連続的に形成することも可能で、しか
も封止効果の高い封止膜を有する有機ＥＬ素子を提供す
ることができる。As described above, according to the present invention, a film can be formed relatively easily without using a special structure for sealing.
An organic EL element which can be formed continuously from an electron injection electrode and has a sealing film having a high sealing effect can be provided.
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の基本構成を示した概略
断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a basic configuration of an organic EL device of the present invention.
２１ 基板 ２２ ホール注入電極 ２３ ホール注入輸送層 ２４ 電子注入発光層 ２５ 電子注入電極 ２６ 封止膜 21 Substrate 22 Hole Injection Electrode 23 Hole Injection / Transport Layer 24 Electron Injection / Emission Layer 25 Electron Injection Electrode 26 Sealing Film
Claims (5)
れたホール注入電極と、発光機能に関与する有機層と、
電子注入電極とを有し、 前記電子注入電極は基板と反対側に封止膜を有し、かつ
この封止膜はケイ素、酸素、および窒素を含有する有機
ＥＬ素子。1. A substrate, at least a hole injection electrode formed on the substrate, and an organic layer involved in a light emitting function.
An organic EL device comprising: an electron injection electrode; wherein the electron injection electrode has a sealing film on a side opposite to the substrate, and the sealing film contains silicon, oxygen, and nitrogen.
と表したときに、 ｘ＝０．１〜１、 ｙ＝０．１〜１である請求項１の有機ＥＬ素子。2. The sealing film has a composition of SiO x N y.
The organic EL device according to claim 1, wherein x = 0.1 to 1, and y = 0.1 to 1.
項１または２の有機ＥＬ素子。3. The organic EL device according to claim 1, further comprising 30 at% or less of hydrogen.
形成されている請求項１〜３のいずれかの有機ＥＬ素
子。4. The organic EL device according to claim 1, wherein said sealing film is formed by a plasma CVD method.
〜４のいずれかの有機ＥＬ素子。5. The method according to claim 1, further comprising a resin sealing structure.
4. The organic EL device according to any one of items 1 to 4,
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