JP2001059704A - Positioning stage device, semiconductor aligner and manufacture of device - Google Patents

Positioning stage device, semiconductor aligner and manufacture of device

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JP2001059704A JP11237491A JP23749199A JP2001059704A JP 2001059704 A JP2001059704 A JP 2001059704A JP 11237491 A JP11237491 A JP 11237491A JP 23749199 A JP23749199 A JP 23749199A JP 2001059704 A JP2001059704 A JP 2001059704A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To measure the location of a stage highly accurately by a compact and lightweight location measuring mechanism by reflecting the plurality of measuring light of a first laser interferometer and second interferometer with parallel optical axes to each other at a reflecting mirror provided on a stage movable in first and second direction. SOLUTION: An XY stage 1 is movably supported in an XY plane and driven in XY directions and a direction of rotation (θ) in the plane. A Y interferometer 2a is used in combination with a reflecting mirror 3 provided on the XY stage 1 for measuring the Y-direction location of the XY stage 1. A Y interferometer 2b is provided at a predetermined distance from the Y interferometer 2a in such a way as to form an optical axis 4b in parallel with the measuring optical axis 4a of the Y interferometer 2a. Displacements in the θdirection are computed from the difference between the location measurement values of the Y interferometers 2a and 2b and the interval between their measuring optical axes 4a and 4b. An interferometer control system 7 outputs a stage displacement signal to be used in a stage control system 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置や
検査装置等に使用され、露光原版や被露光物、被検査物
を所定の位置に位置決めするステージ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stage device which is used in a semiconductor exposure apparatus, an inspection apparatus or the like, and positions an exposure master, an object to be exposed and an object to be inspected at predetermined positions.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子製造に用いられる露光
装置として、ステッパと呼ばれる装置とスキャナと呼ば
れる装置が知られている。ステッパは、ステージ装置上
の半導体ウエハを投影レンズ下でステップ移動させなが
ら、レチクル上に形成されているパターン像を投影レン
ズでウエハ上に縮小投影し、1枚のウエハ上の複数箇所
に順次露光していくものである。スキャナは、ウエハス
テージ上の半導体ウエハとレチクルステージ上のレチク
ルとを投影レンズに対して相対移動(走査移動)させ、
走査移動中にスリット上の露光光を照射し、レチクルパ
ターンをウエハに投影するものである。ステッパおよび
スキャナは、解像度および重ね合わせ精度の性能面から
露光装置の主流と見られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor device, an apparatus called a stepper and an apparatus called a scanner are known. A stepper reduces and projects a pattern image formed on a reticle onto a wafer by a projection lens while step-moving a semiconductor wafer on a stage device under a projection lens, and sequentially exposes a plurality of locations on one wafer. It is something to do. The scanner moves (scans) the semiconductor wafer on the wafer stage and the reticle on the reticle stage relative to the projection lens,
During the scanning movement, the exposure light on the slit is irradiated to project a reticle pattern onto the wafer. Steppers and scanners are considered to be the mainstream of exposure apparatuses in terms of resolution and overlay accuracy.

【0003】図8に、このような露光装置に用いられる
ウエハステージの上面概略図を示す。露光されるウエハ
102は、不図示のウエハチャックを介してウエハステ
ージ101に搭載される。露光光学系を基準とすると、
同図において露光光軸103の位置を不動と考えること
ができる。よってウエハステージ101は、ウエハ全面
を露光するために、露光光軸103に対してXY方向に
移動する必要がある。結像焦点の調整のため、ウエハ1
02はZ方向およびチルト方向にも移動する必要がある
が、ここでは説明を省略する。ウエハステージ101の
XY方向の位置計測には、高精度の位置決めを実現する
ために高分解能のレーザ干渉計が使用される。レーザ干
渉計を用いるためには、ウエハステージ101上にレー
ザ光を反射するための反射ミラー107を設ける必要が
ある。しかし、この反射鏡107は、ウエハステージ1
01の移動範囲全域においてレーザ光を反射するため
に、ウエハステージ101の移動距離と同じかそれ以上
の長さが必要とされる。すなわち、Y方向のステージ移
動距離をLyとすると、X計測用の反射鏡の長さはLy
以上が必要となる。
FIG. 8 is a schematic top view of a wafer stage used in such an exposure apparatus. The wafer 102 to be exposed is mounted on the wafer stage 101 via a wafer chuck (not shown). Based on the exposure optical system,
In the figure, the position of the exposure optical axis 103 can be considered to be immobile. Therefore, the wafer stage 101 needs to move in the X and Y directions with respect to the exposure optical axis 103 in order to expose the entire surface of the wafer. Wafer 1 for adjusting the imaging focus
02 needs to move also in the Z direction and the tilt direction, but the description is omitted here. For the position measurement of the wafer stage 101 in the XY directions, a high-resolution laser interferometer is used to realize high-precision positioning. In order to use a laser interferometer, it is necessary to provide a reflection mirror 107 on the wafer stage 101 for reflecting laser light. However, this reflecting mirror 107 is
In order to reflect the laser light in the entire movement range of 01, a length equal to or longer than the movement distance of the wafer stage 101 is required. That is, assuming that the stage movement distance in the Y direction is Ly, the length of the reflecting mirror for X measurement is Ly.
The above is required.

【0004】近年は生産性の向上のためウエハ径は例え
ば300mmと大型化の傾向にある。ウエハ全面を露光
するためには、移動ステージは少なくともウエハ径以上
の移動範囲が要求される。また、ウエハアライメントを
行なう位置が露光位置と異なる場合や、ウエハ交換を考
慮すると移動範囲はさらに大きくなければならない。必
然的に反射鏡も長くしなければならない。
In recent years, the wafer diameter tends to be large, for example, 300 mm in order to improve productivity. In order to expose the entire surface of the wafer, the moving stage is required to have a moving range at least equal to the diameter of the wafer. In addition, when the position where wafer alignment is performed is different from the exposure position, or when wafer exchange is taken into consideration, the movement range must be further increased. Inevitably, the reflector must be long.

【0005】例えば、図8において、X干渉計光軸10
5は露光光軸中心103を通り、Y干渉計光軸106は
露光光軸中心103およびアライメント光軸中心104
を通るものとし、Y方向のステージ移動距離(ウエハス
テージ101をY+方向に最大移動した位置(実線)と
Y−方向に最大移動した位置(破線)との距離)をL
y、露光光軸中心103とアライメント光軸中心104
との距離をL2とすると、反射鏡107の必要最小の長
さLy2は、Ly2=Ly+L2となる。
[0005] For example, in FIG.
5 passes through the exposure optical axis center 103, and the Y interferometer optical axis 106 has the exposure optical axis center 103 and the alignment optical axis center 104.
And the stage movement distance in the Y direction (the distance between the position (solid line) at which the wafer stage 101 has moved the maximum in the Y + direction and the position (dashed line) the maximum movement in the Y- direction) is L.
y, exposure optical axis center 103 and alignment optical axis center 104
Is L2, the required minimum length Ly2 of the reflecting mirror 107 is Ly2 = Ly + L2.

【0006】しかし、反射鏡107を長くすることは、
(1)高精度な鏡面を持つ長い反射鏡を作成するのは困
難であり、(2)長い反射鏡の鏡面の作成にコストがか
かり、(3)反射鏡自体の重量がかさんでステージ全体
の重量が大きくなり、(4)ステージ重量の増加により
ステージ駆動装置の発熱が増大し、(5)ステージの機
械系の固有振動数が低下して制御系の特性を下げてしま
うことから、望ましくない。
However, making the reflecting mirror 107 longer requires
(1) It is difficult to make a long reflecting mirror having a high-precision mirror surface, (2) it is costly to make a long reflecting mirror surface, and (3) the weight of the reflecting mirror itself increases the entire stage. (4) heat generation of the stage driving device increases due to an increase in the stage weight, and (5) the natural frequency of the mechanical system of the stage decreases, thereby deteriorating the characteristics of the control system. Absent.

【0007】この問題の解決策として特開平7−253
304号公報に示すような構成が示されている。この装
置は、レーザ干渉計測長装置、移動鏡、XY移動ステー
ジおよび演算装置から構成されている。移動鏡はY方向
のステージ移動距離より短くなっており、X干渉計は複
数個が設けられている。X干渉計の間隔は移動鏡の長さ
よりも短くなっており、ステージがどの位置にあっても
いずれかのX干渉計の計測光は移動鏡に照射されてお
り、また同時に2本の計測光が照射される場合もある。
いずれのX干渉計が計測可能になっているかは、Y干渉
計の値から演算装置により判定され、X方向の測長結果
が得られる。Y方向にステージが移動する際は、新たに
計測が可能になったX干渉計は、これまで計測されてい
た干渉計の値を用いて所定の位置において復帰動作が行
なわれる。この値の受け渡しを順次用いて、長範囲の移
動を短い移動鏡により測定を行なう構成となっている。
As a solution to this problem, Japanese Patent Laid-Open No. 7-253
No. 304 discloses a configuration as shown. This apparatus includes a laser interferometer, a moving mirror, an XY moving stage, and an arithmetic unit. The moving mirror is shorter than the stage moving distance in the Y direction, and a plurality of X interferometers are provided. The distance between the X interferometers is shorter than the length of the moving mirror, so that the measuring light of one of the X interferometers is irradiated on the moving mirror regardless of the position of the stage, and two measuring lights are simultaneously May be irradiated.
Which of the X interferometers can be measured is determined by the arithmetic unit from the value of the Y interferometer, and the length measurement result in the X direction is obtained. When the stage moves in the Y direction, the X interferometer, which can newly measure, performs a return operation at a predetermined position using the value of the interferometer that has been measured so far. The transfer of the value is sequentially used to measure the movement in the long range with the short movable mirror.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】特開平7−25330
4号公報に示す構成によれば、ステージに搭載する位置
計測機構(反射鏡)を小型軽量化することができる。し
かし、測定精度は、必ずしも十分なものとはいえない。
Problems to be Solved by the Invention Japanese Patent Laid-Open No. 7-25330
According to the configuration disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4 (Kokai) No. 4 (1999) -1995, the position measuring mechanism (reflector) mounted on the stage can be reduced in size and weight. However, the measurement accuracy is not always sufficient.

【0009】本発明者の知見によると、それは以下の理
由による。すなわち、XYステージは高精度に位置決め
が必要であり、ステージ位置の計測値の帰還を用いた制
御系により位置決め動作が行なわれる。ステージ制御系
は高周波数のサンプリングによるデジタル制御系で構成
されており、高いゲインの帰還が用いられている。位置
計測系の観測ノイズは制御系への外乱であり、この影響
が大きいと制御系の閉ループ特性を高くすることができ
ない。
According to the findings of the present inventors, it is based on the following reasons. In other words, the XY stage needs to be positioned with high precision, and the positioning operation is performed by a control system using feedback of the measured value of the stage position. The stage control system is composed of a digital control system using high-frequency sampling, and uses high-gain feedback. The observation noise of the position measurement system is a disturbance to the control system, and if this influence is large, the closed loop characteristics of the control system cannot be improved.

【0010】干渉計の復帰動作にはある程度の時間を要
し、ステージ制御系の1サンプル時間内に収めることは
不可能である。したがって、従来のような干渉計の復帰
動作を行なっても、制御系へは連続的な計測値の受け渡
しは不可能である。
The return operation of the interferometer requires a certain amount of time, and it is impossible to keep it within one sample time of the stage control system. Therefore, it is impossible to continuously transfer measured values to the control system even if the interferometer is reset as in the related art.

【0011】また、レーザ干渉計の計測値には振動的な
ノイズが必ず現れる。これは測定系での電気的ノイズ
や、反射鏡やレーザ干渉計自体の機械的振動のためであ
る。したがって、干渉計の値の受け渡し時にも、このノ
イズがのった値を受け渡すことになる。例えば、レーザ
干渉計の切り換え位置近傍でステージを静止位置決めす
る場合、わずかなステージの振動や、切り換え位置計測
系のノイズのため、レーザ干渉計の切り換えおよび値の
受け渡しが短時間に多数行なわれるチャタリングの現象
が起きる可能性がある。ノイズののった値を多数回受け
渡しを行なうと、誤差が蓄積されてステージの真の位置
と計測値との間の測定誤差が大きくなってしまう危険性
がある。
In addition, vibrational noise always appears in the measured value of the laser interferometer. This is due to electrical noise in the measurement system and mechanical vibration of the reflecting mirror and the laser interferometer itself. Therefore, when the values of the interferometer are transferred, the values on which the noise is superimposed are transferred. For example, when the stage is stationary positioned near the switching position of the laser interferometer, chattering in which the laser interferometer is switched and many values are exchanged in a short time due to slight stage vibration and noise of the switching position measurement system. Phenomenon may occur. If a value with noise is transferred many times, errors may be accumulated and the measurement error between the true position of the stage and the measured value may increase.

【0012】そこで本発明は、ステージの移動範囲が大
きくなっても、ステージに搭載する位置計測機構を小型
軽量化し、かつ高精度のステージ位置計測が行なえる構
成を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a configuration in which a position measuring mechanism mounted on a stage can be reduced in size and weight and high-precision stage position measurement can be performed even when the moving range of the stage is increased.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の位置決めステージ装置は、第1方向と第2方
向に移動可能なステージと、該第1方向の該ステージの
変位を計測する第1のレーザ干渉計と、該第1のレーザ
干渉計の計測光を反射する、該ステージ上に構成された
第1の反射鏡と、該第2方向の該ステージの変位を計測
する互いにほぼ平行な光軸を有する複数の第2のレーザ
干渉計と、該第2のレーザ干渉計の計測光を反射する、
該ステージ上に構成された第2の反射鏡と、該第1のレ
ーザ干渉計の計測値から該ステージの該第1方向の変位
を出力し、該複数の第2のレーザ干渉計のうち選択され
た第2の干渉計の計測値から該ステージの該第2方向の
変位を出力する干渉計制御器とを有し、選択する第2の
レーザ干渉計を隣接する他の第2のレーザ干渉計に切り
換える際の該ステージの該第1方向の変位が、該ステー
ジの該第1方向の移動方向により異なるように構成され
ている。
To achieve the above object, a positioning stage apparatus according to the present invention measures a stage movable in a first direction and a second direction, and measures a displacement of the stage in the first direction. A first laser interferometer, a first reflecting mirror configured on the stage that reflects measurement light of the first laser interferometer, and a first mirror that measures displacement of the stage in the second direction; A plurality of second laser interferometers having parallel optical axes, and reflecting measurement light of the second laser interferometer;
A second reflecting mirror configured on the stage, and a displacement of the stage in the first direction based on a measurement value of the first laser interferometer, and selecting from the plurality of second laser interferometers And an interferometer controller for outputting the displacement of the stage in the second direction from the measured value of the second interferometer. The displacement of the stage in the first direction at the time of switching to the total is different depending on the moving direction of the stage in the first direction.

【0014】[0014]

【作用】本発明によれば、ステージ移動距離が比較的長
い第1の軸方向に直交する第2の軸方向のステージ位置
を計測する第2のレーザ干渉計を複数設けることによっ
て移動鏡の長さを短くし、これにより、移動鏡を搭載し
たステージを小型軽量化することができる。また、複数
の第2のレーザ干渉計の計測値を第1のレーザ干渉計の
計測値に応じて切り換えるのであるが、これを第1の軸
方向への移動方向により異ならせている。これにより、
切り換え位置にヒステリシス特性を持たせることがで
き、計測値の切り換えを頻繁に行なうチャタリングを防
止し、高精度のステージ位置計測を行なうことができ
る。
According to the present invention, the length of the movable mirror can be increased by providing a plurality of second laser interferometers for measuring the stage position in the second axis direction orthogonal to the first axis direction in which the stage movement distance is relatively long. Therefore, the stage on which the movable mirror is mounted can be reduced in size and weight. Further, the measurement values of the plurality of second laser interferometers are switched in accordance with the measurement values of the first laser interferometer, and are changed depending on the moving direction in the first axial direction. This allows
A hysteresis characteristic can be provided at the switching position, chattering in which the measurement value is frequently switched can be prevented, and highly accurate stage position measurement can be performed.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例に係る位
置決めステージ装置の構成を示す。同図において、XY
ステージ1は不図示の定盤上に不図示の案内機構を用い
てXY平面内に移動自由に支持されている。また、XY
ステージ1は不図示のアクチュエータによりXY方向お
よび平面内の回転方向(θ)に駆動される。XYステー
ジ1のY方向位置を計測するために第1Y干渉計2aが
不図示の投影光学系を支持する不図示の鏡筒定盤と一体
に設けられ、XYステージ1上に設けられた反射鏡3と
組み合わせて用いられる。第1Y干渉計2aと所定の距
離を離し、かつ第1Y干渉計2aの計測光軸4aと平行
な光軸4bになるように第2Y干渉計2bが鏡筒定盤
(不図示)と一体に設けられている。第1Y干渉計2a
と第2Y干渉計2bの位置計測値の差分と、各々の計測
光軸4a、4bの間隔からθ方向の変位が算出される。
また、XYステージ1のX方向変位を計測するために、
第1X干渉計5aおよび第2X干渉計5bが鏡筒定盤
(不図示)と一体に設けられている。6aおよび6bは
それぞれ第1X干渉計5aおよび第2X干渉計5bの計
測光軸である。
FIG. 1 shows the configuration of a positioning stage device according to one embodiment of the present invention. In the figure, XY
The stage 1 is movably supported on an XY plane on a surface plate (not shown) using a guide mechanism (not shown). Also, XY
The stage 1 is driven in an XY direction and a rotational direction (θ) in a plane by an actuator (not shown). A first Y interferometer 2a is provided integrally with a lens barrel base (not shown) for supporting a projection optical system (not shown) for measuring the position of the XY stage 1 in the Y direction, and a reflecting mirror provided on the XY stage 1 Used in combination with 3. The second Y interferometer 2b is integrated with a lens barrel base (not shown) so as to be separated from the first Y interferometer 2a by a predetermined distance and to have an optical axis 4b parallel to the measurement optical axis 4a of the first Y interferometer 2a. Is provided. First Y interferometer 2a
The displacement in the θ direction is calculated from the difference between the measured position of the second Y interferometer 2b and the distance between the measurement optical axes 4a and 4b.
In order to measure the displacement of the XY stage 1 in the X direction,
A first X interferometer 5a and a second X interferometer 5b are provided integrally with a lens barrel base (not shown). Reference numerals 6a and 6b denote measurement optical axes of the first X interferometer 5a and the second X interferometer 5b, respectively.

【0016】干渉計制御系7はステージ制御系8で用い
るステージ変位信号を出力する。具体的には、Y方向お
よび前述したθ方向変位の算出と出力、ならびに2つの
X干渉計5a,5bから制御演算に用いるX方向ステー
ジ変位の出力を行なう。また、全干渉計の初期化および
復帰動作も行なう。ステージ制御系は干渉計制御系から
出力されたステージ変位信号と不図示の本体制御装置か
ら出力されたステージ駆動プロファイルとに基づいて、
XYステージの位置決め制御を行ない、制御指令をアク
チュエータに出力する。
The interferometer control system 7 outputs a stage displacement signal used in the stage control system 8. Specifically, calculation and output of the Y direction and the above-described θ direction displacement, and output of the X direction stage displacement used for control calculation from the two X interferometers 5a and 5b are performed. In addition, initialization and return operations of all interferometers are also performed. The stage control system is based on the stage displacement signal output from the interferometer control system and the stage drive profile output from the main body controller (not shown),
It performs positioning control of the XY stage and outputs a control command to the actuator.

【0017】図2を用いてX方向変位の第1X干渉計5
aと第2X干渉計5bの切り換え動作について説明す
る。図中において、Aは第1X干渉計5aをBは第2X
干渉計5bを示す。また、横方向にY方向変位をとり、
各X干渉計5a,5bの計測光軸6a,6bとステージ
位置との状況をイからへで示す。
Referring to FIG. 2, a first X interferometer 5 for displacement in the X direction will be described.
The switching operation between the “a” and the second X interferometer 5b will be described. In the figure, A is the first X interferometer 5a and B is the second X interferometer 5a.
5 shows an interferometer 5b. Also, take the Y-direction displacement in the lateral direction,
The state of the measurement optical axes 6a and 6b of each of the X interferometers 5a and 5b and the position of the stage is indicated by a to b.

【0018】まずXYステージ1の状況がイであるとす
る。この時はBの計測光軸は反射鏡から外れておりBは
計測不能である。Aは計測可能となっており、XYステ
ージ1のX方向変位の測定はAの計測値を用いる。XY
ステージがY+方向(紙面右方向)に移動し、ロの状況
になったとする。ロの具体的な位置はBの計測光軸が反
射鏡に照射され、BによるXYステージ1のX方向変位
の計測が可能になった時点である。干渉計は干渉計測定
系のカウンタのある初期値を基に被計測物の相対的な移
動を計測するものであるので、一度でも計測光が反射鏡
から外れると被計測物の位置測定は不可能になる。よっ
て、再び計測光が反射鏡に照射された時点で復帰動作
(リセット)を行なう必要がある。具体的には干渉計測
定系でのエラークリア等が行なわれるがここでは省略
し、カウンタを0とするということだけを記す。なお、
復帰動作時にカウンタを零リセットするのではなく、A
の値を初期値としてBに与えてもよい。図2において干
渉計制御系動作のロでの上向きの矢印は、この動作がイ
からロヘ移動した際のみに行なうことを示す。したがっ
て、XYステージがハからロに移動してもBリセットは
行なわない。この時点では、A,BともにXYステージ
1のX方向変位が測定可能であるがステージ制御系はA
の計測値を用いてステージの制御を行なう。
First, it is assumed that the situation of the XY stage 1 is a. At this time, the measurement optical axis of B is off the reflecting mirror, and B cannot be measured. A can be measured, and the measured value of A is used for measuring the displacement of the XY stage 1 in the X direction. XY
It is assumed that the stage has moved in the Y + direction (rightward on the paper surface) and the situation shown in FIG. The specific position of (b) is the time when the measurement optical axis of B is irradiated on the reflecting mirror, and the measurement of the displacement of the XY stage 1 in the X direction by B becomes possible. The interferometer measures the relative movement of the object to be measured based on a certain initial value of the counter of the interferometer measurement system. Will be possible. Therefore, it is necessary to perform a reset operation (reset) when the measuring light is again irradiated on the reflecting mirror. More specifically, error clearing or the like is performed in the interferometer measurement system, but is omitted here and only the counter is set to 0. In addition,
Instead of resetting the counter to zero during the return operation, A
May be given to B as an initial value. In FIG. 2, the upward arrow in the operation B of the interferometer control system indicates that this operation is performed only when the operation moves from the position A to the position B. Therefore, even if the XY stage moves from C to B, B reset is not performed. At this time, the displacement of the XY stage 1 in the X direction can be measured for both A and B, but the stage control system is A
The stage is controlled by using the measured values of.

【0019】さらにXYステージがY+方向に移動しハ
を通り越しニの状況になったとする。この時点でXYス
テージの制御に用いるX方向変位の測定値をAの計測値
からBの計測値へ切り換える。この切り換えにおける値
の受け渡し方法の詳細は後述する。図2において干渉計
制御系動作のニでの上向きの矢印は、先と同様に、この
動作がハからニへの移動のみに行なわれ、ホからニへの
移動時には切り換えの動作は行なわないことを示す。さ
らにXYステージがY+方向に移動し、ホを過ぎるとA
の計測光軸は反射鏡から外れ、Aは計測不能となる。こ
こまでをまとめると、XYステージがイからヘへ移動す
るときはイからニではAの計測値を、ニからへではBの
計測値をX方向変位として用いる。
Further, it is assumed that the XY stage moves in the Y + direction, passes through C, and enters the situation of d. At this point, the measured value of the displacement in the X direction used for controlling the XY stage is switched from the measured value of A to the measured value of B. Details of the method of transferring values in this switching will be described later. In FIG. 2, the upward arrow at d in the interferometer control system operation indicates that this operation is performed only for the movement from c to d and no switching operation is performed when the movement is from e to d. Is shown. Further, the XY stage moves in the Y + direction,
A of the measurement optical axis deviates from the reflecting mirror, and A cannot be measured. In summary, when the XY stage moves from A to F, the measured value of A from A to D and the measured value of B from D to D are used as the displacement in the X direction.

【0020】XYステージがヘからイへY−方向に移動
するときも先と同様な動作を行なう。即ち、ホの状況に
なった時点でAのリセットを行なう。図2の干渉計制御
系動作のホでの下向きの矢印は、この動作がへからホヘ
移動した際のみに行なうことを示す。この時点ではA,
BともにXYステージ1のX方向変位が測定可能である
がステージ制御系はBの計測値を用いてステージの制御
を行なう。
When the XY stage moves in the Y-direction from F to A, the same operation as above is performed. That is, A is reset when the situation of E is reached. The downward arrow in the operation e of the interferometer control system operation of FIG. 2 indicates that this operation is performed only when the operation is moved from the operation to the operation. At this point, A,
Both B can measure the displacement of the XY stage 1 in the X direction, but the stage control system controls the stage using the measured value of B.

【0021】XYステージがさらにY−方向に移動し、
ハの状況になった時点でX方向変位の測定をBの計測値
からAの計測値へ切り換える。図2の干渉計制御系動作
のハの下向きの矢印は、この動作がニからハへ移動した
際のみに行なうことを示す。したがって、XYステージ
がイからヘへ移動するときはヘからハまではBの計測値
を、ハからイではAの計測値をX方向変位として用い
る。
The XY stage moves further in the Y-direction,
At the point of time C, the measurement of the displacement in the X direction is switched from the measured value of B to the measured value of A. The downward arrow of c in the operation of the interferometer control system in FIG. 2 indicates that this operation is performed only when moving from d to c. Therefore, when the XY stage moves from A to F, the measured value of B is used as the displacement in the X direction from F to C, and the measured value of A is used from H to A.

【0022】ハとニの位置間隔の設定は次のように行な
うのが望ましい。二つの干渉計の間の測定値の受け渡し
(詳しくは後述)では、少なからずとも誤差が受け渡し
値にのってしまう。受け渡し動作を多数回数行なうと誤
差の累積により、測定値の信頼性が低くなり、最終的な
露光精度にも悪影響を及ぼすことになる。したがって、
受け渡しは少ないほど望ましい。XYステージをハとニ
の間で静止位置決めする状況を考える。この際、XYス
テージへの外乱によるサーボ誤差や測定系での観測ノイ
ズなどにより、干渉計の計測値には位置決め指令位置を
中心にこれらの誤差の振動成分が重なることになる。ハ
とニの位置が両者ともこの振動の範囲に入ってしまって
いると、極短い時間間隔において多数回の受け渡しが行
なわれるチャタリングが起きてしまい好ましくない。よ
って、ハとニの少なくともどちらかはこの振動領域から
外れるような位置間隔に設定する。
It is desirable to set the position interval between c and d as follows. In the transfer of measured values between the two interferometers (described in detail later), at least an error is added to the transferred value. If the transfer operation is performed a large number of times, the accumulation of errors will lower the reliability of the measured values and adversely affect the final exposure accuracy. Therefore,
The smaller the delivery, the better. Consider a situation in which the XY stage is stationary positioned between C and D. At this time, due to a servo error due to a disturbance to the XY stage or an observation noise in the measurement system, a vibration component of these errors overlaps the measurement value of the interferometer centering on the positioning command position. If the positions C and D are both within the range of the vibration, chattering in which a large number of transfers are performed at an extremely short time interval occurs, which is not preferable. Therefore, at least one of C and D is set at a position interval that deviates from this vibration region.

【0023】次に干渉計間の測定値の受け渡し方法につ
いて述べる。まず単純な場合として、Y方向のみステー
ジが移動し、かつθ方向変位が常に零、反射鏡が真に平
であるとする。この場合、測定値の受け渡しは第1X干
渉計の値を第2X干渉計へ、またはその逆を行なえばよ
い。しかし、前述したようにX方向にステージを静止さ
せた場合でも実際には両干渉計の差分値には図3のよう
に中心値が0bitである信号において振動的な誤差成
分がある(1bitは干渉計の計測分解能)。この図の
場合では1サンプル値のみを用いると10bit以上の
誤差をもって受け渡される可能性がある(例えば76サ
ンプル目を受け渡すと14bitの誤差を生じる)。
Next, a method of transferring measured values between interferometers will be described. First, as a simple case, it is assumed that the stage moves only in the Y direction, the displacement in the θ direction is always zero, and the reflecting mirror is truly flat. In this case, the transfer of the measured value may be performed by transferring the value of the first X interferometer to the second X interferometer or vice versa. However, even when the stage is stationary in the X direction as described above, the difference value between the two interferometers actually has an oscillating error component in the signal whose center value is 0 bit as shown in FIG. Interferometer measurement resolution). In this case, if only one sample value is used, there is a possibility that an error of 10 bits or more is delivered (for example, if the 76th sample is delivered, an error of 14 bits occurs).

【0024】この状況を避けるために次のような処理を
干渉計制御系で行なう。図3においてサンプル時刻10
0において受け渡しを行なうとする。この時、サンプル
100以前の複数回のサンプル値を用いて平均値を求め
る。一例としてサンプル91から100までの平均をと
ると−1となり、実用において十分な精度で受け渡し値
が得られる。平均を取る手法は最も簡単なものであり、
他にも一般的なデータ処理に用いられる各種のフィルタ
を用いて平滑処理を行ない、差分値からノイズ成分を取
り除いてもよい。つまり、受け渡し前の複数回のサンプ
ル値を用いることで受け渡す値の信頼度を高めて、誤差
を軽減している。
In order to avoid this situation, the following processing is performed by the interferometer control system. In FIG. 3, the sample time 10
Suppose that delivery is performed at 0. At this time, an average value is obtained using a plurality of sample values before the sample 100. As an example, when the average of the samples 91 to 100 is taken, it becomes −1, and the transfer value can be obtained with sufficient accuracy in practical use. The averaging technique is the simplest,
In addition, a smoothing process may be performed using various filters used for general data processing, and a noise component may be removed from the difference value. That is, by using a plurality of sample values before the transfer, the reliability of the transferred value is increased, and the error is reduced.

【0025】今、ステージ原点出しからステージ位置を
計測している第1X干渉計から、復帰動作を行なった後
の第2X干渉計へ値を受け渡すものとする。第1X干渉
計はステージのX方向変位を計測しているのに対し、第
2X干渉計は復帰動作においてカウンタを0としてい
る。したがって、両者の計測値はX方向変位に相当する
値だけ差分が生じている。干渉計制御系では第2X干渉
計の測定値に平滑化した差分値αをオフセットとして加
えた値をX方向干渉計位置信号として出力する。
Now, it is assumed that the value is transferred from the first X interferometer that measures the stage position from the stage origin to the second X interferometer after performing the return operation. The first X interferometer measures the displacement of the stage in the X direction, while the second X interferometer sets the counter to 0 in the return operation. Therefore, a difference is generated between the two measured values by a value corresponding to the displacement in the X direction. The interferometer control system outputs a value obtained by adding the smoothed difference value α as an offset to the measurement value of the second X interferometer as an X-direction interferometer position signal.

【0026】受け渡しの概念を図4に示す。ステージが
Y方向に移動して第1X干渉計が一度計測領域から外
れ、再び計測領域に戻り復帰動作を終えた後、第2X干
渉計から第1X干渉計へ計測値を受け渡すときも同様に
行なう。この際、第2X干渉計の計測値(オフセットα
を含む)と第1X干渉計の差分値を平滑化したオフセッ
トをβとして、第1X干渉計の計測値にβを加えたもの
をX方向計測値として干渉計制御系は出力する。干渉計
を切り換えるごとに同様な作業を行なう。
FIG. 4 shows the concept of delivery. Similarly, when the stage moves in the Y direction, the first X interferometer once comes out of the measurement area, returns to the measurement area and completes the return operation, and then passes the measured value from the second X interferometer to the first X interferometer. Do. At this time, the measurement value (offset α) of the second X interferometer
) And the offset obtained by smoothing the difference value of the first X interferometer as β, and the interferometer control system outputs a value obtained by adding β to the measurement value of the first X interferometer as an X-direction measurement value. The same operation is performed each time the interferometer is switched.

【0027】XYステージにθ方向変位が生じている場
合を考える。図5のように第1X干渉計の光軸6aと第
2X干渉計6bの光軸がdだけ離れているため、θ方向
変位により各々のX方向計測値にはδ=dθだけ差が生
じる。よって、前述したオフセットα、βの計算におい
てδの値を補正する必要がある。
Consider a case where the XY stage is displaced in the θ direction. As shown in FIG. 5, since the optical axis 6a of the first X interferometer and the optical axis of the second X interferometer 6b are separated by d, a difference occurs in each X direction measurement value by δ = dθ due to displacement in the θ direction. Therefore, it is necessary to correct the value of δ in the calculation of the offsets α and β described above.

【0028】また、反射鏡は完全な平面ではなく、幾何
学的な形誤差を生じている(図6)。そこで、別途算出
した反射鏡の変形値の関数f1(y)、f2(y)を用
いて補正する。関数f1、f2としては、それぞれ第1
X干渉計および第2X干渉計のY方向ステージ位置yを
引数とし、反射鏡の理想平面からのずれを出力する。f
1とf2の間にはf1(y)=f2(y+d)なる関係
がある。同様にして、第1Y干渉計および第2Y干渉計
についても反射鏡の幾何学的誤差を補正関数fy1
(x),fy2(x)を用いて補正する。
Further, the reflecting mirror is not a perfect plane but has a geometrical shape error (FIG. 6). Therefore, the correction is performed using the functions f1 (y) and f2 (y) of the deformation values of the reflecting mirror calculated separately. The functions f1 and f2 are respectively the first
Using the Y-direction stage positions y of the X interferometer and the second X interferometer as arguments, the deviation of the reflecting mirror from the ideal plane is output. f
There is a relationship between f1 (y) = f2 (y + d) between 1 and f2. Similarly, for the first Y interferometer and the second Y interferometer, the geometric error of the reflecting mirror is corrected by the correction function fy1.
Correction is made using (x) and fy2 (x).

【0029】全ての補正を用いた際の受け渡し時のオフ
セット値の算出動作は図7のようになる。この例では、
第1X干渉計から第2X干渉計へ受け渡す際のオフセッ
トαの算出方法を示している。X方向変位は第1干渉計
の値とオフセットβの値の和となっている。X方向変位
とY方向変位を用いて前述した補正関数により反射鏡の
幾何学的誤差を補正する。第1Y干渉計と第2Y干渉計
と、両者の光軸の間隔からXYステージのθ方向変位が
求まる。このθ方向変位と第1X干渉計と第2X干渉計
の光軸の間隔dから算出したδの補正を行ない差分値を
算出し、その差分値の平滑化を行なってオフセット値α
が算出される。第2X干渉計から、第1X干渉計へ受け
渡すときは同様な手順によりオフセット値βが算出され
る。
FIG. 7 shows the operation of calculating the offset value at the time of transfer when all the corrections are used. In this example,
The calculation method of the offset α at the time of transfer from the first X interferometer to the second X interferometer is shown. The displacement in the X direction is the sum of the value of the first interferometer and the value of the offset β. The geometric error of the reflecting mirror is corrected by the above-described correction function using the X-direction displacement and the Y-direction displacement. The θ-direction displacement of the XY stage is determined from the first Y interferometer, the second Y interferometer, and the distance between the optical axes of the two. Correction of δ calculated from the displacement in the θ direction and the distance d between the optical axes of the first and second X interferometers is performed to calculate a difference value, and the difference value is smoothed to obtain an offset value α.
Is calculated. When transferring from the second X interferometer to the first X interferometer, the offset value β is calculated by the same procedure.

【0030】[0030]

【デバイス製造方法の実施例】次に上記説明した露光装
置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明
する。図9は半導体デバイス(ICやLSI等の半導体
チップ、あるいは液晶パネルやCCD等)の製造フロー
を示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの
回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステッ
プ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。ステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステッ
プ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボン
ディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工
程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製さ
れた半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等
の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷(ステップ7)される。
Next, an embodiment of a method of manufacturing a semiconductor device using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 9 shows a manufacturing flow of a semiconductor device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, or a liquid crystal panel or a CCD). In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. Step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). . In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0031】図10は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
FIG. 10 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been conventionally difficult to manufacture.

【0032】なお、本実施形態では、ステージのX方向
変位を測定する干渉計が2つであったが、本発明はこれ
に限られるものではなく、2つ以上あってもよい。この
場合、隣接する干渉計の光軸の間隔は反射鏡の長さより
も小さいことは言うまでもない。
In this embodiment, the number of interferometers for measuring the displacement of the stage in the X direction is two, but the present invention is not limited to this, and two or more interferometers may be provided. In this case, it goes without saying that the distance between the optical axes of adjacent interferometers is smaller than the length of the reflecting mirror.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の位置決めステージ装置によれ
ば、反射鏡の大きさを小さくすることができ、ステージ
の小型化・軽量化を図ることができ、かつチャタリング
を防止し高精度のステージ位置計測を行なうことができ
る。
According to the positioning stage apparatus of the present invention, the size of the reflecting mirror can be reduced, the size and weight of the stage can be reduced, and chattering can be prevented to achieve a high-precision stage position. Measurement can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係るXYステージの上面
図である。
FIG. 1 is a top view of an XY stage according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置における干渉計切り換え動作とス
テージ位置の関係を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an interferometer switching operation and a stage position in the apparatus of FIG.

【図3】 図1の装置における干渉計測定値の例を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of interferometer measurement values in the apparatus of FIG. 1;

【図4】 図1の装置における計測値受け渡しの概念図
である。
FIG. 4 is a conceptual diagram of the transfer of measured values in the apparatus of FIG.

【図5】 図1の装置におけるθ方向変位によるX方向
変位の誤差の概念図である。
FIG. 5 is a conceptual diagram of an error in displacement in the X direction due to displacement in the θ direction in the apparatus of FIG. 1;

【図6】 図1の装置における反射鏡の幾何学的誤差の
概念図である。
FIG. 6 is a conceptual diagram of a geometric error of a reflecting mirror in the apparatus of FIG.

【図7】 図1の装置における全ての補正を用いた計測
値受け渡しの動作を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an operation of transferring measured values using all corrections in the apparatus of FIG. 1;

【図8】 従来のXYステージの上面図である。FIG. 8 is a top view of a conventional XY stage.

【図9】 微小デバイスの製造のフローを示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.

【図10】 図9におけるウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:XYステージ、2a,2b:Y干渉計、3:反射
鏡、4a,4b,6a,6b:計測光軸、5a,5b:
X干渉計、7:干渉計制御系、8:ステージ制御系。
1: XY stage, 2a, 2b: Y interferometer, 3: reflective mirror, 4a, 4b, 6a, 6b: measurement optical axis, 5a, 5b:
X interferometer, 7: interferometer control system, 8: stage control system.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F064 AA02 AA06 BB01 CC10 DD05 DD08 GG12 KK04 2F065 AA03 AA06 AA09 AA37 CC00 DD02 DD14 EE00 EE05 FF51 GG04 GG13 JJ05 LL12 PP12 PP13 PP22 QQ13 QQ25 QQ32 QQ33 QQ34 QQ51 3C029 AA40 5F046 BA03 CC01 CC03 CC16 DA07 DB05 DB11 DC12  ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 2F064 AA02 AA06 BB01 CC10 DD05 DD08 GG12 KK04 2F065 AA03 AA06 AA09 AA37 CC00 DD02 DD14 EE00 EE05 FF51 GG04 GG13 JJ05 LL12 PP12 PP13 PP22 QQ13 QQ25 QQ32 QQ33 QQ34 QQ51 3C029 AA40 5F046 BA03 CC01 CC03 CC16 DA07 DB05 DB11 DC12

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1方向と第2方向に移動可能なステー
ジと、 該第1方向の該ステージの変位を計測する第1のレーザ
干渉計と、 該第1のレーザ干渉計の計測光を反射する、該ステージ
上に構成された第1の反射鏡と、 該第2方向の該ステージの変位を計測する互いにほぼ平
行な光軸を有する複数の第2のレーザ干渉計と、 該第2のレーザ干渉計の計測光を反射する、該ステージ
上に構成された第2の反射鏡と、 該第1のレーザ干渉計の計測値から該ステージの該第1
方向の変位を出力し、該複数の第2のレーザ干渉計のう
ち選択された第2の干渉計の計測値から該ステージの該
第2方向の変位を出力する干渉計制御器とを有し、 選択する第2のレーザ干渉計を隣接する他の第2のレー
ザ干渉計に切り換える際の該ステージの該第1方向の変
位が、該ステージの該第1方向の移動方向により異なる
ことを特徴とする位置決めステージ装置。
1. A stage movable in a first direction and a second direction, a first laser interferometer for measuring a displacement of the stage in the first direction, and a measuring light of the first laser interferometer. A first reflecting mirror configured on the stage to reflect; a plurality of second laser interferometers having optical axes substantially parallel to each other for measuring the displacement of the stage in the second direction; A second reflecting mirror configured on the stage, which reflects measurement light of the laser interferometer, and a first reflecting mirror of the stage based on a measurement value of the first laser interferometer.
And an interferometer controller for outputting a displacement in the direction and outputting the displacement of the stage in the second direction from the measurement value of the second interferometer selected from the plurality of second laser interferometers. Wherein the displacement of the stage in the first direction when the selected second laser interferometer is switched to another adjacent second laser interferometer is different depending on the moving direction of the stage in the first direction. Positioning stage device.
【請求項2】 前記干渉計制御器が選択する第2のレー
ザ干渉計を切り換える際に、切り換え前の複数の計測値
に基づいて切り換え後の計測値を補正することを特徴と
する請求項1記載の位置決めステージ装置。
2. The method according to claim 1, wherein when switching the second laser interferometer selected by the interferometer controller, the measured value after switching is corrected based on a plurality of measured values before switching. The positioning stage device according to the above.
【請求項3】 前記干渉計制御器が選択する第2のレー
ザ干渉計を切り換える際に、切り換え前のレーザ干渉計
の計測値の差分に基づいて切り換え後の計測値を補正す
ることを特徴とする請求項1または2記載の位置決めス
テージ装置。
3. When switching the second laser interferometer selected by the interferometer controller, the measured value after the switching is corrected based on the difference between the measured values of the laser interferometer before the switching. 3. The positioning stage device according to claim 1, wherein
【請求項4】 前記干渉計制御器が選択する第2のレー
ザ干渉計を切り換える際に、切り換える前のレーザ干渉
計の計測値の差分値を平滑化して補正値の算出を行なう
ことを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の位置決
めステージ装置。
4. When switching the second laser interferometer selected by the interferometer controller, a correction value is calculated by smoothing a difference value of a measurement value of the laser interferometer before the switching. The positioning stage device according to claim 1.
【請求項5】 前記第1のレーザ干渉計の光軸と平行な
光軸を持つ第3のレーザ干渉計と、該第1のレーザ干渉
計と第3のレーザ干渉計との計測値から前記位置決めス
テージの水平面内の回転方向変位を算出する手段とをさ
らに有し、 前記干渉計制御器が選択する第2のレーザ干渉計を切り
換える際に、該回転方向変位に基づいて切り換え後のレ
ーザ干渉計の計測値の補正を行なうことを特徴とする請
求項1〜4いずれかに記載の位置決めステージ装置。
5. A third laser interferometer having an optical axis parallel to an optical axis of the first laser interferometer, and the third laser interferometer and the third laser interferometer are used to determine Means for calculating a rotational direction displacement in a horizontal plane of the positioning stage, wherein when switching the second laser interferometer selected by the interferometer controller, the laser interference after switching based on the rotational direction displacement The positioning stage device according to any one of claims 1 to 4, wherein the measurement value of the meter is corrected.
【請求項6】 前記干渉計制御器が選択する第2のレー
ザ干渉計を切り換える際に、前記第2の反射鏡の幾何学
的形状誤差に基づいてレーザ干渉計の計測値の補正を行
なうことを特徴とする請求項1〜5いずれかに記載の位
置決めステージ装置。
6. When switching the second laser interferometer selected by the interferometer controller, correcting a measurement value of the laser interferometer based on a geometrical shape error of the second reflecting mirror. The positioning stage device according to claim 1, wherein:
【請求項7】 請求項1〜6いずれかに記載の位置決め
ステージ装置を備えたことを特徴とする半導体露光装
置。
7. A semiconductor exposure apparatus comprising the positioning stage device according to claim 1.
【請求項8】 ウエハに感光剤を塗布する工程と、 請求項7記載の半導体露光装置を用いてウエハに露光を
行なう工程と、 露光したウエハを現像する工程とを有することを特徴と
するデバイス製造方法。
8. A device comprising: a step of applying a photosensitive agent to a wafer; a step of exposing the wafer using the semiconductor exposure apparatus according to claim 7; and a step of developing the exposed wafer. Production method.
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