JP2001057323A - Dummy wafer and heat-treating method to perform using the same - Google Patents
Dummy wafer and heat-treating method to perform using the sameInfo
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- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダミーウェハおよ
びダミーウェハを使った熱処理方法に係り、特に、半導
体基板の熱処理工程で使用されるダミーウェハ、および
そのダミーウェハを使った半導体ウェハの熱処理方法に
関する。The present invention relates to a dummy wafer and a heat treatment method using the dummy wafer, and more particularly, to a dummy wafer used in a heat treatment process of a semiconductor substrate and a heat treatment method for a semiconductor wafer using the dummy wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体ウェ
ハの表面に酸化膜を形成するための熱処理が行われるこ
とがある。このような熱処理の手法としては、複数の半
導体ウェハを、石英やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で
構成されたウェハボートに搭載して拡散炉に搬入する手
法が知られている。2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor device, a heat treatment for forming an oxide film on the surface of a semiconductor wafer is sometimes performed. As a method of such a heat treatment, a method of mounting a plurality of semiconductor wafers on a wafer boat made of quartz or silicon carbide (SiC) and carrying the semiconductor wafer into a diffusion furnace is known.
【０００３】上記従来の手法において、複数の半導体ウ
ェハは、所定間隔を空けて上下に積層された状態でウェ
ハボートの中に保持される。半導体ウェハは、その状態
で拡散炉の中に搬入されて熱処理に付される。この際、
ウェハボートの上端付近や下端付近における酸化条件
は、その中央付近における酸化条件と相違し易い。この
ため、ウェハボートの上端または下端付近に保持される
半導体ウェハに形成される酸化膜の膜厚を、ウェハボー
トの中央付近に保持される半導体ウェハに形成される酸
化膜の膜厚に一致させることは必ずしも容易ではない。[0003] In the above-mentioned conventional technique, a plurality of semiconductor wafers are held in a wafer boat in a state of being vertically stacked at predetermined intervals. The semiconductor wafer is carried in that state into a diffusion furnace and subjected to a heat treatment. On this occasion,
Oxidation conditions near the upper end and lower end of the wafer boat tend to be different from those near the center. Therefore, the thickness of the oxide film formed on the semiconductor wafer held near the upper or lower end of the wafer boat is made to match the thickness of the oxide film formed on the semiconductor wafer held near the center of the wafer boat. It is not always easy.
【０００４】このような問題を解決する手法の一つとし
て、ウェハボートの上端付近、および下端付近に、製品
化を目的としないダミーウェハを搭載する手法が知られ
ている。ダミーウェハを用いる手法によれば、製品化を
目的としてウェハボートに搭載される全ての半導体ウェ
ハに対して、ほぼ均一に酸化膜を形成することが可能で
ある。従って、このような手法によれば、酸化処理に関
する歩留まりを高めることができる。As one of the methods for solving such a problem, a method is known in which a dummy wafer not intended for commercialization is mounted near the upper end and the lower end of a wafer boat. According to the method using a dummy wafer, it is possible to form an oxide film almost uniformly on all semiconductor wafers mounted on a wafer boat for the purpose of commercialization. Therefore, according to such a method, the yield related to the oxidation treatment can be increased.
【０００５】図５（Ａ）は従来のダミーウェハ１０の平
面図を、また、図５（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図を示
す。製品化を目的としない従来のダミーウェハ１０はシ
リコンウェハで構成する必要がない。このため、ダミー
ウェハ１０は、経済的な観点より、シリコンウェハ以外
の材質、例えば石英などで製造されることがある。FIG. 5A is a plan view of a conventional dummy wafer 10, and FIG. 5B is a sectional view taken along line AA 'of FIG. The conventional dummy wafer 10 not intended for commercialization does not need to be constituted by a silicon wafer. For this reason, the dummy wafer 10 may be manufactured from materials other than a silicon wafer, for example, quartz, etc. from an economic viewpoint.
【０００６】ダミーウェハ１０は、製品化を目的とする
半導体ウェハと共にウェハボートに搭載され、その半導
体ウェハと同等に空間を占有する必要がある。このた
め、従来のダミーウェハ１０は、ウェハボートに搭載さ
れる他の半導体ウェハと同じ直径を有し、かつ、同等の
厚さを有するように形成されていた。[0006] The dummy wafer 10 is mounted on a wafer boat together with a semiconductor wafer intended for commercialization, and needs to occupy the same space as the semiconductor wafer. For this reason, the conventional dummy wafer 10 is formed to have the same diameter as other semiconductor wafers mounted on the wafer boat and to have the same thickness.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年では、半
導体製造技術の進歩に伴って半導体ウェハの大径化が進
み、直径３００mmの半導体ウェハが実用化されつつあ
り、直径４００mmの半導体ウェハも研究の対象とされて
いる。ダミーウェハの径をこのように大径化した場合、
相対的にその機械的強度が低下してダミーウェハの耐久
性が劣化するという問題が生ずる。特に、そのように径
の大きなダミーウェハを石英で製造した場合、熱処理の
過程でダミーウェハに自重による変形が生ずるという問
題も発生する。However, in recent years, the diameter of semiconductor wafers has been increasing with the progress of semiconductor manufacturing technology, and semiconductor wafers having a diameter of 300 mm have been put into practical use. Semiconductor wafers having a diameter of 400 mm have also been studied. It has been targeted. When the diameter of the dummy wafer is increased as described above,
There is a problem that the mechanical strength is relatively reduced and the durability of the dummy wafer is deteriorated. In particular, when such a large-diameter dummy wafer is manufactured from quartz, there is also a problem that the dummy wafer is deformed by its own weight during the heat treatment.
【０００８】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、直径が３００mm以上とされる場合
でも十分な機械的強度を確保できる構造を有するダミー
ウェハを提供することを第１の目的とする。また、本発
明は、上記のダミーウェハを使った半導体ウェハの熱処
理方法を提供することを第２の目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is a first object of the present invention to provide a dummy wafer having a structure capable of securing sufficient mechanical strength even when the diameter is 300 mm or more. The purpose of. A second object of the present invention is to provide a heat treatment method for a semiconductor wafer using the above-described dummy wafer.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るため、請求項１記載の発明は、半導体ウェハの熱処理
装置において用いられるウェハボートに半導体ウェハと
共に搭載されるダミーウェハであって、半導体ウェハと
同じ形状を有する本体と、前記本体の少なくとも一方の
面に形成された補強部と、を備えることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a dummy wafer mounted together with a semiconductor wafer on a wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus. A main body having the same shape as the wafer, and a reinforcing portion formed on at least one surface of the main body are provided.
【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のダミーウェハであって、前記補強部は前記本体と同
じ材質であり、前記本体と一体成形されたものであるこ
とを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided the dummy wafer according to the first aspect, wherein the reinforcing portion is made of the same material as the main body, and is integrally formed with the main body. .
【００１１】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載のダミーウェハであって、前記補強部は前記
本体の中央部から等角度毎に径方向へ延在する放射状部
分を含むことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the dummy wafer according to the first or second aspect, the reinforcing portion includes a radial portion extending radially from the central portion of the main body at equal angles. It is characterized by.
【００１２】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至４の何れか１項記載のダミーウェハであって、前記補
強部は、前記本体の周縁側の端部に切り込み部を備える
と共に、前記切り込み部が設けられている部分の板厚
は、前記本体の板厚と同じであることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the dummy wafer according to any one of the first to fourth aspects, wherein the reinforcing portion includes a cut portion at an end on a peripheral edge side of the main body. The plate thickness of the portion where the cut portion is provided is the same as the plate thickness of the main body.
【００１３】また、上記第２の目的を達成するため、請
求項５記載の発明は、ダミーウェハを使った半導体ウェ
ハの熱処理方法であって、半導体ウェハの熱処理装置に
おいて用いられるウェハボートに、半導体ウェハと共に
ダミーウェハを搭載するステップと、半導体ウェハおよ
びダミーウェハを搭載したウェハボートを拡散炉に搬入
するステップと、前記拡散炉の中で前記半導体ウェハを
加熱するステップとを含み、前記ダミーウェハは少なく
とも一方の面にその中央部から放射状に延在する補強部
を備え、前記補強部の位置で支持されるように前記ウェ
ハボートに搭載されることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for heat-treating a semiconductor wafer using a dummy wafer, the method comprising: Mounting a dummy wafer, loading a semiconductor wafer and a wafer boat mounting the dummy wafer into a diffusion furnace, and heating the semiconductor wafer in the diffusion furnace, wherein the dummy wafer has at least one surface. A reinforcing portion extending radially from a central portion thereof, and mounted on the wafer boat so as to be supported at the position of the reinforcing portion.
【００１４】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の熱処理方法であって、前記補強部は、前記ダミーウ
ェハの周縁側の端部に切り込み部を備え、前記ダミーウ
ェハは、前記ウェハボートの支持部が前記切り込み部と
係合するように前記ウェハボートに搭載されることを特
徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the heat treatment method according to the fifth aspect, wherein the reinforcing portion includes a notch at a peripheral edge of the dummy wafer, and the dummy wafer is mounted on the wafer boat. Is mounted on the wafer boat so that the support portion of the wafer boat engages with the cut portion.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Elements common to the drawings are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
【００１６】実施の形態１．図１（Ａ）は本発明の実施
の形態１のダミーウェハ１２の平面図を、また、図１
（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図を示す。本実施形態のダミ
ーウェハ１２は例えば石英などの材質で製造されてお
り、３００mmの直径を有している。ダミーウェハ１２に
は、その一方の面に、補強部１４が設けられている。補
強部１４は、ダミーウェハ１２の中心から径方向に延在
するように、等角度（１２０°）毎に３つ設けられてい
る。Embodiment 1 FIG. 1A is a plan view of a dummy wafer 12 according to the first embodiment of the present invention.
(B) shows the AA 'sectional view. The dummy wafer 12 of the present embodiment is manufactured from a material such as quartz, for example, and has a diameter of 300 mm. The reinforcing portion 14 is provided on one surface of the dummy wafer 12. The three reinforcing portions 14 are provided at equal angles (120 °) so as to extend in the radial direction from the center of the dummy wafer 12.
【００１７】ダミーウェハ１２の板厚は、製品化を目的
とする半導体ウェハの板厚と同等（例えば０．７７５m
m）に設定されている。補強部１４には、その板厚に比
して大きな板厚、例えば１mm程度の板厚が与えられてい
る。補強部１４の端部には、その部分の板厚をダミーウ
ェハ１２の通常の板厚（０．７７５mm）とするための切
り込み部１６が設けられている。The thickness of the dummy wafer 12 is equal to the thickness of the semiconductor wafer to be commercialized (for example, 0.775 m).
m) is set. The reinforcing portion 14 is provided with a plate thickness larger than the plate thickness, for example, a plate thickness of about 1 mm. A notch 16 is provided at the end of the reinforcing portion 14 so that the thickness of that portion is made the normal thickness (0.775 mm) of the dummy wafer 12.
【００１８】図２は、ダミーウェハ１２を保持するウェ
ハボート１８の斜視図を示す。ウェハボート１８は石英
或いはＳｉＣで製造されており、複数の半導体ウェハを
支持するための支持柱１９および支持部２０を備えてい
る。ウェハボート１８には、製品化を目的とする複数の
半導体ウェハ２２と共にダミーウェハ１２が搭載され
る。ダミーウェハ１２は、半導体ウェハ２２を上下から
挟み込むようにウェハボート１８の上部および下部に所
定枚数だけ搭載される。FIG. 2 is a perspective view of a wafer boat 18 for holding the dummy wafer 12. The wafer boat 18 is made of quartz or SiC, and has a supporting column 19 and a supporting portion 20 for supporting a plurality of semiconductor wafers. The dummy boat 12 is mounted on the wafer boat 18 together with a plurality of semiconductor wafers 22 for commercialization. A predetermined number of dummy wafers 12 are mounted above and below the wafer boat 18 so as to sandwich the semiconductor wafer 22 from above and below.
【００１９】半導体ウェハ２２の酸化工程では、先ず、
ウェハボート１８に搭載された半導体ウェハ２２が図示
しない拡散炉に搬入される。拡散炉の内部で、半導体ウ
ェハ２２は、所定の酸化温度に昇温された状態で酸化ガ
ス雰囲気に晒される。所望の膜厚を有する酸化膜が形成
された後、半導体ウェハ２２はウェハボート１８に搭載
された状態で拡散炉から搬出される。In the oxidation step of the semiconductor wafer 22, first,
The semiconductor wafer 22 mounted on the wafer boat 18 is carried into a diffusion furnace (not shown). Inside the diffusion furnace, the semiconductor wafer 22 is exposed to an oxidizing gas atmosphere while being heated to a predetermined oxidation temperature. After an oxide film having a desired film thickness is formed, the semiconductor wafer 22 is carried out of the diffusion furnace while being mounted on the wafer boat 18.
【００２０】ウェハボート１８が拡散炉の中に搬入され
る際に、その上端部はその中央部に先行して拡散炉に進
入する。また、ウェハボート１８の下端部はその中央部
に遅れて拡散炉の中に進入する。このような進入時間の
差に起因して、ウェハボート１８の上端部付近または下
端部付近とその中央部付近とでは、酸化条件に差異が生
ずる。When the wafer boat 18 is carried into the diffusion furnace, its upper end enters the diffusion furnace prior to its center. The lower end of the wafer boat 18 enters the diffusion furnace with a delay from the center. Due to such a difference in the entry time, a difference occurs in the oxidation conditions between the vicinity of the upper end or lower end of the wafer boat 18 and the vicinity of the center thereof.
【００２１】半導体ウェハ２２は、ウェハボート１８の
全領域のうち、実質的に酸化条件が均一となる領域に、
すなわち、上述した酸化工程を行うことで均一な膜厚の
酸化膜が形成できる領域（中央部付近の領域）に搭載さ
れる。一方、ダミーウェハ１２は、その中央部付近の領
域とは酸化条件が相違する領域（上端部付近または下端
部付近の領域）に搭載される。半導体ウェハ２２および
ダミーウェハ１２をこのようにウェハボート１８に搭載
することによれば、ウェハボート１８に搭載される全て
の半導体ウェハ２２に均一な膜厚の酸化膜を形成するこ
とができ、高い歩留まりを得ることができる。The semiconductor wafer 22 is located in a region where oxidation conditions are substantially uniform among all regions of the wafer boat 18.
That is, it is mounted in a region (a region near the center) where an oxide film having a uniform thickness can be formed by performing the above-described oxidation process. On the other hand, the dummy wafer 12 is mounted in an area (an area near the upper end or near the lower end) where the oxidation conditions are different from the area near the center. By mounting the semiconductor wafer 22 and the dummy wafer 12 on the wafer boat 18 in this manner, an oxide film having a uniform film thickness can be formed on all the semiconductor wafers 22 mounted on the wafer boat 18, and a high yield can be achieved. Can be obtained.
【００２２】本実施形態のダミーウェハ１２は、図２に
示すように補強部１６を有する面が下側となるように、
かつ、切り込み部１６が支持部２０と重なるようにウェ
ハボート１８に搭載される。切り込み部１６の膜厚はダ
ミーウェハ１２の通常の膜厚、すなわち、半導体ウェハ
２２の膜厚と同じであるため、補強部１６の面を下側と
してもダミーウェハ１２と他のウェハとの間隔は半導体
ウェハ２２同士の間隔と同じにすることができる。ま
た、切り込み部１６を支持部２０に重ねることによれ
ば、補強部１４の位置と支持部２０の位置とを常に一致
させることができ、ダミーウェハ１２に作用する応力の
ピークを確実に補強部１４に担わせることができる。As shown in FIG. 2, the dummy wafer 12 of the present embodiment has the reinforcing portion 16 facing downward.
Further, the cut portion 16 is mounted on the wafer boat 18 so as to overlap the support portion 20. Since the film thickness of the cut portion 16 is the same as the normal film thickness of the dummy wafer 12, that is, the film thickness of the semiconductor wafer 22, even if the surface of the reinforcing portion 16 is on the lower side, the distance between the dummy wafer 12 and the other wafer is the same. The distance between the wafers 22 can be the same. Further, by overlapping the cut portion 16 with the support portion 20, the position of the reinforcing portion 14 and the position of the support portion 20 can always be matched, and the peak of the stress acting on the dummy wafer 12 can be reliably reduced. Can be carried.
【００２３】このため、本実施形態のダミーウェハ１２
によれば、半導体ウェハ２２の大径化に関わらず十分な
機械的強度を確保することができると共に、熱処理の際
に自重により生ずる変形量を十分に小さく抑制すること
ができる。本実施形態のダミーウェハ１２（材質：石
英）を最高温度１１５０℃、常用温度９５０℃の熱処理
で実際に使用したところ（拡散炉：光洋リンドバーグ社
製VF-5700）４ヶ月の使用の後に目視で認められる変形
等は発生しなかった。For this reason, the dummy wafer 12 of this embodiment is
Accordingly, sufficient mechanical strength can be ensured irrespective of the increase in the diameter of the semiconductor wafer 22, and the amount of deformation caused by its own weight during the heat treatment can be suppressed to a sufficiently small value. When the dummy wafer 12 (material: quartz) of this embodiment was actually used in a heat treatment at a maximum temperature of 1150 ° C. and a normal temperature of 950 ° C. (diffusion furnace: VF-5700 manufactured by Koyo Lindberg Co.), it was visually observed after 4 months of use. No deformation or the like occurred.
【００２４】実施の形態２．図３は本発明の実施の形態
２のダミーウェハ２４の平面図および断面図を示す。本
実施形態のダミーウェハ２４は、補強部１４の端部に切
り込み部を備えていない点を除き実施の形態１のダミー
ウェハ１２と同じ構造を有している。ダミーウェハ２４
は、補強部１４が上側となるように、かつ、補強部１４
の位置がウェハボート１８（図２参照）の支持部２０と
重なるように搭載される。Embodiment 2 FIG. FIG. 3 shows a plan view and a sectional view of a dummy wafer 24 according to the second embodiment of the present invention. The dummy wafer 24 according to the present embodiment has the same structure as the dummy wafer 12 according to the first embodiment, except that a notch is not provided at the end of the reinforcing portion 14. Dummy wafer 24
Is set so that the reinforcing portion 14 is on the upper side and the reinforcing portion 14
Is mounted so as to overlap the support portion 20 of the wafer boat 18 (see FIG. 2).
【００２５】補強部１４の面が上側とされる場合、補強
部と支持部２０との干渉は生じない。このため、本実施
形態のダミーウェハ２４によれば、切り込み部１６の形
成を省略しつつ実施の形態１のダミーウェハ１２と同等
の効果を得ることができる。When the surface of the reinforcing portion 14 is on the upper side, no interference occurs between the reinforcing portion and the support portion 20. Therefore, according to the dummy wafer 24 of the present embodiment, the same effect as that of the dummy wafer 12 of the first embodiment can be obtained while omitting the formation of the cut portions 16.
【００２６】実施の形態３．図４は本発明の実施の形態
３のダミーウェハ２６の平面図および断面図を示す。本
実施形態のダミーウェハ２６は、実施の形態１または２
のダミーウェハ１２，２４の直径に比して大きな４００
mmの直径を有している。ダミーウェハ２６の一方の面に
は、大きな補強強度を得るために十字状に形成された補
強部２８が設けられている。Embodiment 3 FIG. FIG. 4 shows a plan view and a sectional view of a dummy wafer 26 according to the third embodiment of the present invention. The dummy wafer 26 of the present embodiment is the same as that of the first or second embodiment.
400, which is larger than the diameter of the dummy wafers 12 and 24 of FIG.
It has a diameter of mm. On one surface of the dummy wafer 26, a reinforcing portion 28 formed in a cross shape to obtain a large reinforcing strength is provided.
【００２７】ダミーウェハ２６は、４本の支持柱を有す
るウェハボートに、すなわち、個々のウェハに対して４
つの支持部を有するウェハボート（図示せず）に、補強
部２８が上側となるように、かつ、補強部２８の位置が
ウェハボートの支持部と重なるように搭載される。The dummy wafer 26 is provided in a wafer boat having four support columns, ie, four wafers for each wafer.
It is mounted on a wafer boat (not shown) having two support parts such that the reinforcement part 28 is on the upper side and the position of the reinforcement part 28 overlaps with the support part of the wafer boat.
【００２８】本実施形態のダミーウェハ２６は、補強部
２８が大きな補強強度を有するため、４００mmの直径に
関わらず、常温時および高温時の双方において十分な機
械的強度を有している。このため、ダミーウェハ２６に
よれば、半導体ウェハの直径が４００mmである場合に
も、実施の形態１または２のダミーウェハ１２、２４と
同等の効果を得ることができる。Since the reinforcing portion 28 has a large reinforcing strength, the dummy wafer 26 of this embodiment has sufficient mechanical strength both at room temperature and at high temperature regardless of the diameter of 400 mm. Therefore, according to the dummy wafer 26, even when the diameter of the semiconductor wafer is 400 mm, the same effect as the dummy wafers 12 and 24 of the first or second embodiment can be obtained.
【００２９】ところで、実施の形態３では補強部２８に
切り込み部を設けないこととしているが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、補強部２８に切り込み部を
設けて、補強部２８の面が下側となるようにダミーウェ
ハ２６をウェハボートに搭載することとしてもよい。In the third embodiment, the cut portion is not provided in the reinforcing portion 28. However, the present invention is not limited to this, and the cut portion is provided in the The dummy wafer 26 may be mounted on the wafer boat such that the surface is on the lower side.
【００３０】また、実施の形態１乃至３では、ダミーウ
ェハの一方の面にのみ補強部を形成することとしている
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ダミーウ
ェハの両面に補強部を設けることとしてもよい。In the first to third embodiments, the reinforcing portion is formed only on one surface of the dummy wafer. However, the present invention is not limited to this, and the reinforcing portions are provided on both surfaces of the dummy wafer. It may be that.
【００３１】[0031]
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に示すような効果を奏する。請求項１
記載の発明によれば、本体に補強部が設けられているた
め、高い機械的強度が確保できると共に、加熱下におけ
る自重による変形を十分に小さく抑制することができ
る。従って、本発明のダミーウェハによれば、半導体ウ
ェハの径が大きい場合でも安定した熱処理を実現するこ
とができる。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. Claim 1
According to the invention described above, since the reinforcing portion is provided on the main body, high mechanical strength can be ensured, and deformation due to its own weight under heating can be sufficiently suppressed. Therefore, according to the dummy wafer of the present invention, stable heat treatment can be realized even when the diameter of the semiconductor wafer is large.
【００３２】請求項２記載の発明によれば、補強部が本
体と一体であるため、ダミーウェハを容易に製造するこ
とができる。また、本発明によれば、本体と補強部の熱
変形量が同じであるため、加熱時におけるダミーウェハ
を変形を防止することができる。According to the second aspect of the present invention, since the reinforcing portion is integral with the main body, the dummy wafer can be easily manufactured. Further, according to the present invention, since the thermal deformation amount of the main body and the reinforcing portion is the same, the deformation of the dummy wafer during heating can be prevented.
【００３３】請求項３記載の発明によれば、補強部の放
射状部分をウェハボートによって支持することで、ダミ
ーウェハに作用する応力を補強部に担わせると共に、そ
の応力をダミーウェハの全面に均等に分散させることが
できる。According to the third aspect of the present invention, the radial portion of the reinforcing portion is supported by the wafer boat, so that the stress acting on the dummy wafer is carried by the reinforcing portion and the stress is evenly distributed over the entire surface of the dummy wafer. Can be done.
【００３４】請求項４記載の発明によれば、補強部が備
える切り込み部にウェハボートの支持部を係合させるこ
とにより、ウェハボートの支持部と補強部の位置とを容
易に一致させることができる。According to the fourth aspect of the present invention, the position of the supporting portion of the wafer boat and the position of the reinforcing portion can be easily matched by engaging the supporting portion of the wafer boat with the notch provided in the reinforcing portion. it can.
【００３５】請求項５記載の発明によれば、ウェハボー
トの中に、半導体ウェハと共に補強付きのダミーウェハ
をセットして熱処理を行うことができる。ダミーウェハ
は十分な機械的強度を有しており、加熱時における自重
による変形も抑制できるため、安定した熱処理の実行が
可能となる。According to the fifth aspect of the present invention, a heat treatment can be performed by setting a reinforced dummy wafer together with a semiconductor wafer in a wafer boat. The dummy wafer has sufficient mechanical strength and can suppress deformation due to its own weight during heating, so that stable heat treatment can be performed.
【００３６】請求項６記載の発明によれば、補強部の切
り込みにウェハボートの支持部を合わせることで、ウェ
ハボートの支持部と補強部の位置とを容易に一致させる
ことができる。According to the sixth aspect of the invention, by aligning the support of the wafer boat with the cut of the reinforcement, the support of the wafer boat and the position of the reinforcement can be easily matched.
【図１】 本発明の実施の形態１のダミーウェハの平面
図および断面図である。FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view of a dummy wafer according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示すダミーウェハを半導体ウェハと共
に保持するウェハボートの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a wafer boat holding the dummy wafer shown in FIG. 1 together with a semiconductor wafer.
【図３】 本発明の実施の形態２のダミーウェハの平面
図および断面図である。FIG. 3 is a plan view and a sectional view of a dummy wafer according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の実施の形態３のダミーウェハの平面
図および断面図である。FIG. 4 is a plan view and a sectional view of a dummy wafer according to a third embodiment of the present invention.
【図５】 従来のダミーウェハの平面図および断面図で
ある。FIG. 5 is a plan view and a sectional view of a conventional dummy wafer.
１０；１２；２４；２６ ダミーウェハ、 １４；２
８ 補強部、 １６切り込み部、 １８ ウェハボ
ート、 ２０ 支持部、 ２２ 半導体ウェハ、10; 12; 24; 26 Dummy wafer, 14; 2
8 Reinforcement section, 16 cut section, 18 wafer boat, 20 support section, 22 semiconductor wafer,
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年９月２１日（１９９９．９．２
１）[Submission date] September 21, 1999 (September 9, 1999
1)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【請求項６】 前記補強部は、前記ダミーウェハの周縁
側の端部に切り込み部を備え、 前記ダミーウェハは、前記ウェハボートの支持部が前記
切り込み部と係合するように前記ウェハボートに搭載さ
れることを特徴とする請求項５記載の熱処理方法。6. The reinforcing portion includes a notch at a peripheral edge of the dummy wafer, and the dummy wafer is mounted on the wafer boat such that a support portion of the wafer boat engages with the notch. The heat treatment method according to claim 5, wherein the heat treatment is performed.
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１２年４月７日（２０００．４．７）[Submission Date] April 7, 2000 (200.4.7)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００９[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】 [Means for Solving the Problems ]
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１０[Correction target item name] 0010
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１０】上記第１の目的を達成するため、請求項１
記載の発明は、半導体ウェハの熱処理装置において用い
られるウェハボートに半導体ウェハと共に搭載されるダ
ミーウェハであって、半導体ウェハと同じ形状を有する
本体と、前記本体の少なくとも一方の面に形成された補
強部と、を備え、前記補強部は前記本体と同じ材質であ
り、前記本体と一体成形されたものであることを特徴と
する。[0010] In order to achieve the first object, a first aspect is provided.
The described invention is used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus.
To be mounted together with semiconductor wafers on a wafer boat
Mee wafer, having the same shape as semiconductor wafer
A main body; and a supplementary member formed on at least one surface of the main body.
And a reinforcing portion , wherein the reinforcing portion is made of the same material as the main body, and is integrally formed with the main body.
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１１[Correction target item name] 0011
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１１】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のダミーウェハであって、前記補強部は前記本体の中
央部から等角度毎に径方向へ延在する放射状部分を含む
ことを特徴とする。[0011] According to a second aspect of the invention, characterized in that a dummy wafer according to claim 1, wherein the reinforcing portion including a radial portion extending in the radial direction for each equal angular from the central portion of the body And
【手続補正５】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１２[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１２】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載のダミーウェハであって、前記補強部は、前
記本体の周縁側の端部に切り込み部を備えると共に、前
記切り込み部が設けられている部分の板厚は、前記本体
の板厚と同じであることを特徴とする。[0012] The invention described in claim 3 is the same as in claim 1.
3. The dummy wafer according to claim 2 , wherein the reinforcing portion includes a cut portion at an end on a peripheral side of the main body, and a plate thickness of a portion where the cut portion is provided is a plate thickness of the main body. It is the same.
【手続補正６】[Procedure amendment 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１３[Correction target item name] 0013
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１３】また、上記第２の目的を達成するため、請
求項４記載の発明は、ダミーウェハを使った半導体ウェ
ハの熱処理方法であって、半導体ウェハの熱処理装置に
おいて用いられるウェハボートに、半導体ウェハと共に
ダミーウェハを搭載するステップと、半導体ウェハおよ
びダミーウェハを搭載したウェハボートを拡散炉に搬入
するステップと、前記拡散炉の中で前記半導体ウェハを
加熱するステップとを含み、前記ダミーウェハは少なく
とも一方の面にその中央部から放射状に延在する補強部
を備え、前記補強部の位置で支持されるように前記ウェ
ハボートに搭載されることを特徴とする熱処理方法。In order to achieve the second object, a contract
The invention according to claim 4 is a method for heat-treating a semiconductor wafer using a dummy wafer, comprising the steps of: mounting a dummy wafer together with a semiconductor wafer on a wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus; and mounting the semiconductor wafer and the dummy wafer. Loading the wafer boat into the diffusion furnace, and heating the semiconductor wafer in the diffusion furnace, the dummy wafer includes a reinforcing portion radially extending from a central portion on at least one surface thereof, A heat treatment method, wherein the wafer is mounted on the wafer boat so as to be supported at the position of the reinforcing portion.
【手続補正７】[Procedure amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１４[Correction target item name] 0014
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１４】また、請求項５記載の発明は、請求項４記
載の熱処理方法であって、前記補強部は、前記ダミーウ
ェハの周縁側の端部に切り込み部を備え、前記ダミーウ
ェハは、前記ウェハボートの支持部が前記切り込み部と
係合するように前記ウェハボートに搭載されることを特
徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the heat treatment method according to the fourth aspect , wherein the reinforcing portion includes a cut portion at a peripheral edge of the dummy wafer, and the dummy wafer is mounted on the wafer boat. Is mounted on the wafer boat so that the support portion of the wafer boat engages with the cut portion.
【手続補正８】[Procedure amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３１[Correction target item name] 0031
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３１】この発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に示すような効果を奏する。 Since the present invention is configured as described above, it has the following effects .
【手続補正９】[Procedure amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３２[Correction target item name] 0032
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３２】請求項１記載の発明によれば、本体に補強
部が設けられているため、高い機械的強度が確保できる
と共に、加熱下における自重による変形を十分に小さく
抑制することができる。また、補強部が本体と一体であ
るため、ダミーウェハを容易に製造することができる。
また、本発明によれば、本体と補強部の熱変形量が同じ
であるため、加熱時におけるダミーウェハの変形を防止
することができる。 According to the first aspect of the present invention, the main body is reinforced.
High mechanical strength can be ensured due to the provision of the part
At the same time, the deformation due to its own weight under heating is sufficiently small
Can be suppressed. Further, since the reinforcing portion is integrated with the main body, the dummy wafer can be easily manufactured.
Further, according to the present invention, since the thermal deformation of the main body and the reinforcing portion are the same, it is possible to prevent deformation of the dummy wafer at the time of heating.
【手続補正１０】[Procedure amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３３[Correction target item name] 0033
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３３】請求項２記載の発明によれば、補強部の放
射状部分をウェハボートによって支持することで、ダミ
ーウェハに作用する応力を補強部に担わせると共に、そ
の応力をダミーウェハの全面に均等に分散させることが
できる。According to the second aspect of the present invention, by supporting the radial portion of the reinforcing portion by the wafer boat, the stress acting on the dummy wafer is carried by the reinforcing portion, and the stress is evenly distributed over the entire surface of the dummy wafer. Can be done.
【手続補正１１】[Procedure amendment 11]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３４[Correction target item name] 0034
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３４】請求項３記載の発明によれば、補強部が備
える切り込み部にウェハボートの支持部を係合させるこ
とにより、ウェハボートの支持部と補強部の位置とを容
易に一致させることができる。According to the third aspect of the present invention, the position of the supporting portion of the wafer boat and the position of the reinforcing portion can be easily matched by engaging the supporting portion of the wafer boat with the notch provided in the reinforcing portion. it can.
【手続補正１２】[Procedure amendment 12]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３５[Correction target item name] 0035
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３５】請求項４記載の発明によれば、ウェハボー
トの中に、半導体ウェハと共に補強付きのダミーウェハ
をセットして熱処理を行うことができる。ダミーウェハ
は十分な機械的強度を有しており、加熱時における自重
による変形も抑制できるため、安定した熱処理の実行が
可能となる。According to the fourth aspect of the present invention, a heat treatment can be performed by setting a reinforced dummy wafer together with a semiconductor wafer in a wafer boat. The dummy wafer has sufficient mechanical strength and can suppress deformation due to its own weight during heating, so that stable heat treatment can be performed.
【手続補正１３】[Procedure amendment 13]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３６[Correction target item name] 0036
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３６】請求項５記載の発明によれば、補強部の切
り込みにウェハボートの支持部を合わせることで、ウェ
ハボートの支持部と補強部の位置とを容易に一致させる
ことができる。According to the fifth aspect of the invention, by aligning the support of the wafer boat with the cut of the reinforcement, the support of the wafer boat and the position of the reinforcement can be easily matched.
Claims (6)
り、前記本体と一体成形されたものであることを特徴と
する請求項１記載のダミーウェハ。2. The dummy wafer according to claim 1, wherein the reinforcing portion is made of the same material as the main body, and is formed integrally with the main body.
度毎に径方向へ延在する放射状部分を含むことを特徴と
する請求項１または２記載のダミーウェハ。3. The dummy wafer according to claim 1, wherein the reinforcing portion includes a radial portion extending radially from the center of the main body at equal angles.
に切り込み部を備えると共に、 前記切り込み部が設けられている部分の板厚は、前記本
体の板厚と同じであることを特徴とする請求項１乃至４
の何れか１項記載のダミーウェハ。4. The reinforcing portion includes a notch at a peripheral edge of the main body, and a thickness of a portion where the notch is provided is the same as a thickness of the main body. 5. The method according to claim 1, wherein:
The dummy wafer according to any one of the above items.
処理方法であって、 半導体ウェハの熱処理装置において用いられるウェハボ
ートに、半導体ウェハと共にダミーウェハを搭載するス
テップと、 半導体ウェハおよびダミーウェハを搭載したウェハボー
トを拡散炉に搬入するステップと、 前記拡散炉の中で前記半導体ウェハを加熱するステップ
とを含み、 前記ダミーウェハは少なくとも一方の面にその中央部か
ら放射状に延在する補強部を備え、前記補強部の位置で
支持されるように前記ウェハボートに搭載されることを
特徴とする熱処理方法。5. A method for heat treating a semiconductor wafer using a dummy wafer, comprising: mounting a dummy wafer together with a semiconductor wafer on a wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus; Loading the semiconductor wafer into the diffusion furnace; and heating the semiconductor wafer in the diffusion furnace, wherein the dummy wafer includes a reinforcing portion radially extending from a central portion of at least one surface thereof, and the reinforcing portion A heat treatment method characterized by being mounted on the wafer boat so as to be supported at a position.
側の端部に切り込み部を備え、 前記ダミーウェハは、前記ウェハボートの支持部が前記
切り込み部と係合するように前記ウェハボートに搭載さ
れることを特徴とする請求項５記載の熱処理方法。6. The reinforcing portion includes a notch at a peripheral edge of the dummy wafer, and the dummy wafer is mounted on the wafer boat such that a support portion of the wafer boat engages with the notch. The heat treatment method according to claim 5, wherein the heat treatment is performed.
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP11230904A JP3069350B1 (en) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | Dummy wafer and heat treatment method using the dummy wafer |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10338504A1 (en) * | 2003-08-21 | 2004-10-07 | Infineon Technologies Ag | Dummy-wafer for an oven process especially an oven process for layer separation where the front or rear side has an enhanced profile useful for layer separation in semiconductor technology |
| TWI583823B (en) * | 2014-03-11 | 2017-05-21 | 東京威力科創股份有限公司 | Vertical heat treatment apparatus, method of operating vertical heat treatment apparatus, and storage medium |
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|---|---|---|---|---|
| JPH04318955A (en) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Asahi Glass Co Ltd | Glass board for dummy wafer |
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2000
- 2000-08-09 KR KR10-2000-0046040A patent/KR100462732B1/en not_active IP Right Cessation
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| TWI583823B (en) * | 2014-03-11 | 2017-05-21 | 東京威力科創股份有限公司 | Vertical heat treatment apparatus, method of operating vertical heat treatment apparatus, and storage medium |
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| Publication number | Publication date |
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| KR100462732B1 (en) | 2004-12-20 |
| JP3069350B1 (en) | 2000-07-24 |
| KR20010021246A (en) | 2001-03-15 |
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