JP2001053583A - Rf信号利得制御回路 - Google Patents

Rf信号利得制御回路

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JP2001053583A
JP2001053583A JP11224999A JP22499999A JP2001053583A JP 2001053583 A JP2001053583 A JP 2001053583A JP 11224999 A JP11224999 A JP 11224999A JP 22499999 A JP22499999 A JP 22499999A JP 2001053583 A JP2001053583 A JP 2001053583A
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JP
Japan
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voltage
attenuation
fine adjustment
circuit
control voltage
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JP11224999A
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English (en)
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Osamu Chiba
修 千葉
Ikuo Taniguchi
郁夫 谷口
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 PINダイオードを用いたRF信号減衰器で
減衰量の微調整を行いやすくする。 【解決手段】 微調整を行う電圧として、主制御電圧に
微調整電圧を乗算した電圧を生成してこれを主制御電圧
に加算する。RF信号減衰器はその制御電圧が小さいと
きほど制御電圧に対する減衰量の変化率が大きくなるの
で、上記のような構成にすると、微調整電圧の変化に対
する減衰量の変化割合がなだらかになり、微調整操作が
容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、RF信号(無線周
波数信号)の減衰量を可変する信号利得制御回路に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】RF信号の増幅器や減衰器において、そ
の信号量を可変する必要がある場合に、PINダイオー
ドを用い、これに与えるバイアス電圧を変えることによ
って減衰量を変える方法が使われている。その代表回路
例を図2に示す。この回路では、4個のPINダイオー
ドによってπ型の回路網を構成し、PINダイオードの
抵抗成分を変えてRF信号を減衰させるものである。図
の回路では、PINダイオード23と24には、抵抗2
6を通して一定値をとるバイアス電圧Vbが加えられて
おり、PINダイオード21、22には抵抗25を通し
て、制御電圧Vcontが可変バイアス電圧として加えられ
ている。制御電圧Vcontを可変することによって、PI
Nダイオード21、22の抵抗値を変え、これにより入
力端子から入力されたRF信号の減衰量を変え出力端子
から取り出している。
【0003】図2の回路の、制御端子に加える制御電圧
VcontとRF信号減衰量の関係を図3に示す。制御電圧
を横軸、減衰量を縦軸にとると、図のように制御電圧を
低くしていくと減衰量が急増する左上がりの曲線傾向を
示す。図2の回路をモデル的に示したものが図4であ
る。図4のRF信号減衰器(RF ATT)41の入力
端子、出力端子、制御端子は図2の入力端子、出力端
子、制御端子に相当する。RF信号減衰器(RF AT
T)41は制御端子に加える制御電圧Vcontを可変する
ことによって、入力端子に入力されるRF信号の減衰量
を変えることが出来る。このモデルにおいて、減衰量の
微調整を図る場合、図5に示すような回路が考えられて
いる。この回路では、制御電圧Vcontの他に微調整電圧
Vadjを設け、加算回路52でその制御電圧Vcontと微
調整電圧Vadjを加算した電圧を、RF信号減衰器51
の制御端子に加える。大きく減衰量を変化させる場合は
制御電圧Vcontで調整し、微調整する場合は、微調整電
圧Vadjを変化させることでRF信号の減衰量の調整を
行なう。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3に
示したように、制御電圧に対する減衰量の関係は反比例
に近い曲線傾向を示すので、微調整電圧Vadjとそれに
対する微調整減衰量の関係は、微調整を行なうときの制
御電圧Vcontの値によって大きく変化するという問題が
あった。すなわち図3で、制御電圧Vcontが大きな値で
あるA点で微調整電圧VadjをΔV変化させたときの減
衰量の変化と、制御電圧Vcontが小さな値であるB点
で、微調整電圧Vadjを同じΔV変化させたときの減衰
量の変化とは大きくことなり、RF信号の減衰量を微調
節する場合にきわめて不便であった。
【0005】本発明の目的は、このような、制御電圧V
contがかわると微調整電圧Vadjによる減衰量調整感度
が大きく変化しないようにしたRF信号利得制御回路を
提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、PINダイオードに与えるバイアス電
圧を変化させてRF信号の減衰量を変える利得制御回路
において、制御電圧1と制御電圧2を設け、制御電圧1
と制御電圧2を乗算した電圧を制御電圧1に加算し、こ
の加算電圧を前記バイアス電圧とすることを特徴とする
RF信号利得制御回路を提供する。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。図1は、本発明になるRF信号利得制御回
路の構成例を示すブロック図で、RF減衰器11は図2
のRF信号減衰器の回路をモデル化したもので、入力端
子、出力端子、制御端子はそれぞれ、図2の回路の入力
端子、出力端子、制御端子に相当する。制御端子に加え
られる電圧は、図5と同様に加算回路12の出力である
が、図1では、新たに乗算回路13を設け、その出力を
加算回路12の一方の入力としている。乗算回路13で
は、一方の入力はVcontであり他方の入力はVadjで、
Vcont×Vadjの電圧が出力される。このVcont×Vadj
の出力が、加算回路12の一方の入力に加えられる。加
算回路12の他方の入力はVcontであるので、加算回路
13の出力は(Vcont×Vadj+Vcont)で、この電圧
がRF信号減衰器11の制御端子に加えられている。す
なわち、微調整電圧VadjはVcont倍されて減衰量を変
化させるので、Vcontが小さいほど微調整電圧Vadjの
変化ΔVに対する制御電圧の変化割合は小さくなり、従
って、微調整電圧Vadjによる減衰量調整感度の大幅な
変化を緩和することができる。以下、このことをより詳
しく説明する。
【0008】制御を行なうには、図5の回路でも図1の
回路でも、大きく減衰量を変化させたい場合には制御電
圧Vcontを変え、微調整を行なう場合には微調整電圧V
adjを調整する。VcontやVadjを可変にするには、可変
抵抗器などでその電圧を変化させるのであるが、例えば
Vcontを変化させる可変抵抗器は、そのつまみを45度
まわすと1V電圧が変化し、Vadjを変化させる可変抵
抗器は、そのつまみを45度まわすと0.05V電圧が
変化するというようになっているものとする。もちろ
ん、この可変抵抗器は連続的に電圧が変化するのでな
く、離散的に変化するものであってもよい。制御は最初
に制御電圧Vcontを変化させてRF信号減衰回路の減衰
量を希望の値の近傍にセットし、次に微調整電圧Vadj
を調整し希望の減衰量にすることになる。図3に示した
制御電圧と減衰量の関係は、その傾向を示したもので図
の値そのものは、実際の値ではない。しかし、本発明の
具体的な効果を説明するために、仮に制御電圧が1Vの
近傍で、ΔVとして0.05V変化させると減衰量は1dB
変化し、制御電圧が4Vの近傍で、ΔVとして0.05V変
化させると減衰量は0.1dB変化するものとして以下量
的に説明する。このような関係のときに、本発明の乗算
回路がない場合、すなわち図5の回路では、Vcontが4
Vのときも、1Vのときも、Vadjを0.05V変化させる
と、その電圧変化がそのままRF信号減衰器51の制御
端子に加わる。そのため、Vcontが1Vのときには、1
dB減衰量が変化し、Vcontが4Vのときには、0.1d
Bしか減衰量が変化しないことになり、微調整のための
操作性が悪いことになる。しかし、本発明の乗算回路1
3を付加した図1の回路では、Vcontが1VでVadjを
0.05V変化させたときは、加算回路12の入力はVcont
×Vadjで、1×0.05=0.05Vであるが、Vcontが4Vで
Vadjを0.05V変化させたときは、加算回路12の入力は
Vcont×Vadjで、4×0.05=0.2Vとなり、4倍の電圧変
化がRF信号減衰器11の制御端子に加わる。これによ
り得られる減衰量変化もほぼ4倍が得られるので、0.4
dBと図5の乗算回路のない場合に比較し大幅に改善さ
れる。すなわち、同じ微調整電圧の変化0.05Vを与えた
とき、Vcont=1Vと4Vに対して、乗算回路がない場
合には1dBと0.1dBで減衰量変化がdB値で10倍
の差があったのが、乗算回路を設けると1dBと0.4dB
でほぼ2倍のdB差に縮少され、RF信号減衰器の操作
性は著しく向上することになる。
【0009】
【発明の効果】本RF信号利得制御回路を用いることに
より、同じ微調整電圧を加えたときに得られる微調整減
衰量が、そのときの減衰量が大きいときと小さいときで
大きく変動するのが防げるので、微調整を行う操作性が
著しく向上する。これは、本来制御すべき減衰量に加
え、温度特性による減衰量の変動を微調整する場合など
に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のRF信号利得制御回路のブロック図で
ある。
【図2】PINダイオードを用いたRF信号減衰器の回
路図である。
【図3】PINダイオードを用いたRF信号減衰器の制
御電圧と減衰量の関係図である。
【図4】PINダイオードを用いたRF信号減衰器のブ
ロック図である。
【図5】従来のRF信号利得制御回路のブロック図であ
る。
【符号の説明】
11、41、51 RF信号減衰器 12、 52 加算回路 13、 乗算回路 21、22、23、24 PINダイオード 25、26 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J098 AA04 AA11 AA14 AC05 AC09 AC15 AC21 AC27 AD16 EA02 EA09 5J100 AA09 BA10 BB05 BB07 BB11 BC06 CA00 EA02 FA02

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 PINダイオードに与えるバイアス電圧
    を変化させて、RF信号の減衰量を変える利得制御回路
    において、 制御電圧1と制御電圧2を設け、制御電圧1と制御電圧
    2を乗算した電圧を制御電圧1に加算し、この加算電圧
    を前記バイアス電圧とすることを特徴とするRF信号利
    得制御回路。
JP11224999A 1999-08-09 1999-08-09 Rf信号利得制御回路 Pending JP2001053583A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117300A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 無線機

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117300A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 無線機

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