JP2001052868A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JP2001052868A
JP2001052868A JP11223056A JP22305699A JP2001052868A JP 2001052868 A JP2001052868 A JP 2001052868A JP 11223056 A JP11223056 A JP 11223056A JP 22305699 A JP22305699 A JP 22305699A JP 2001052868 A JP2001052868 A JP 2001052868A
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general formula
substituted
compound
carbon atoms
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Chishio Hosokawa
地潮 細川
Masakazu Funahashi
正和 舟橋
Hiromasa Arai
宏昌 新井
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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    • C09B23/00Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/14Styryl dyes
    • C09B23/148Stilbene dyes containing the moiety -C6H5-CH=CH-C6H5
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the light emitting efficiency and lifetime by including a specified quantity of the organic EL element material composed of a special compound as the center of the emission in a light emitting layer. SOLUTION: A light emitting layer includes 0.1-20 wt.% of an element material made of a compound expressed by formula I as the emission center. In formula I, A means a substituent or non-substituent allylene group having 6-21 carbon atoms, X1-X4 mean each a separate substituent or non-substituent allylene group having 6-30 carbon atoms (X1 and X2, X3 and X4 can be connected to each other), Y1-Y4 respectively means a group expressed with formula II, (a)-(d) is an integer 0-2, and (a)+(b)+(c)+(d)>0. In formula II, R1-R4 separately means a hydrogen atom, a substituent or non-substituent alkyl group and cyano group having 1-20 carbon atoms, or triple bond of R1 and R2, R3 and R4, and Z means a substituent or non-substituent aryl group having 6-20 carbon atoms, and (n) is 0 or 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は壁掛テレビの平面発
光体やディスプレイのバックライト等の光源として使用
され、発光効率が高く、寿命が長い有機エレクトロルミ
ネッセンス素子、有機素子用材料の製造方法及び新規化
合物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used as a light source for a flat light-emitting body of a wall-mounted television or a backlight of a display, and has a high luminous efficiency and a long life. It concerns compounds.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機物質を使用した有機エレクトロルミ
ネッセンス(EL)素子は、固体発光型の安価な大面積
フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの
開発が行われている。一般にEL素子は、発光層および
該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発
光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子
が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、こ
の電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生
成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光と
して放出する現象である。従来の有機EL素子は、無機
発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発
光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には
至っていなかった。最近の有機EL素子は徐々に改良さ
れているものの、未だ充分な発光効率、耐熱性、寿命を
有していなかった。例えば、特開平8-12600 号公報には
EL素子に使用できるフェニルアントラセン誘導体が開
示されているが、この化合物を利用した有機EL素子は
発光効率が2〜4cd/A程度しかなく、より高い効率
が求められていた。特開平8-199162号公報には、発光層
にアミンまたはジアミン誘導体からなる蛍光性ドーパン
トを含有するEL素子が開示されている。しかしなが
ら、このEL素子は発光効率が4〜6cd/Aであるも
のの、寿命が初期輝度300cd/m2 で700時間し
かなく、より長寿命が求められていた。特開平9-268284
号公報にはフェニルアントラセン基を有するEL素子用
材料が開示されているが、この材料をホスト材料とし、
他の化合物をドーピング材料として使用すると長寿命が
得られなかった。実用的には初期輝度10000cd/
2 以上が求められているが得られていない。特開平11
-152253 号公報には、ビナフタレン構造を有する有機E
L素子用材料を、Al錯体等の電子輸送性の発光層に添
加した例が開示されている。しかしながら、この例で
は、Al錯体等の発光層のエネルギーギャップが有機E
L素子用材料のエネルギーギャップより小さいため、A
l錯体等が発光して該有機EL素子用材料は発光中心と
して機能しなかった。一方、有機EL素子用材料となる
アリールアミン類の合成は、従来、アミンとヨウ化ベン
ゼン類を用いウルマン(Ullmann)反応により行
われてきた。例えば、Chem.Lett.,pp.1
145〜1148,1989、米国特許第4,764,
625号明細書、特開平8-48974 号公報等には、1当量
以上の銅粉及び水酸化カリウムに代表される塩基の存在
下でデカリン等の不活性炭化水素溶媒中150℃以上で
対応するヨウ化ベンゼン類とジアリールアミンとを反応
させトリアリールアミンを製造することが記載されてい
る。しかしながら、ウルマン反応による方法では、反応
剤として高価なヨウ化物を用いなければならず、応用性
も乏しく、反応収率も充分ではなかった。また150℃
以上の高温と長い反応時間を要し、銅粉を大量に使用す
るため、大量の銅を含む廃液が生じ、環境上の問題もあ
った。
2. Description of the Related Art Organic electroluminescence (EL) devices using organic substances are expected to be used as inexpensive, large-area, full-color display devices of the solid-state emission type, and many developments have been made. Generally, an EL element includes a light-emitting layer and a pair of opposed electrodes sandwiching the light-emitting layer. In light emission, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side and holes are injected from the anode side. Further, the electrons recombine with holes in the light emitting layer to generate an excited state, and emit energy as light when the excited state returns to the ground state. Conventional organic EL elements have a higher driving voltage and lower light emission luminance and light emission efficiency than inorganic light emitting diodes. In addition, the characteristic deterioration was remarkable, and it had not been put to practical use. Although recent organic EL devices have been gradually improved, they have not yet had sufficient luminous efficiency, heat resistance, and life. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-12600 discloses a phenylanthracene derivative that can be used in an EL device. An organic EL device using this compound has a luminous efficiency of only about 2 to 4 cd / A, and a higher efficiency is obtained. Was required. JP-A-8-199162 discloses an EL device in which a light emitting layer contains a fluorescent dopant composed of an amine or diamine derivative. However, this EL element has a luminous efficiency of 4 to 6 cd / A, but has a lifetime of only 700 hours at an initial luminance of 300 cd / m 2 , and a longer lifetime is required. JP-A-9-268284
Discloses a material for an EL device having a phenylanthracene group, and this material is used as a host material,
When other compounds were used as doping materials, a long life was not obtained. Practically, the initial luminance is 10,000 cd /
Although m 2 or more is demanded not been obtained. JP 11
JP-152253 discloses an organic E having a binaphthalene structure.
An example is disclosed in which an L element material is added to an electron transporting light emitting layer such as an Al complex. However, in this example, the energy gap of the light emitting layer such as an Al complex is
Since it is smaller than the energy gap of the material for L element, A
The complex 1 and the like emitted light, and the material for an organic EL device did not function as a luminescent center. On the other hand, synthesis of arylamines used as materials for organic EL devices has been conventionally carried out by Ullmann reaction using amines and benzene iodides. For example, Chem. Lett. Pp. 1
145-1148, 1989, U.S. Pat. No. 4,764,
No. 625, JP-A-8-48974 and the like correspond to an inert hydrocarbon solvent such as decalin at 150 ° C. or higher in the presence of one equivalent or more of copper powder and a base typified by potassium hydroxide. It is described that a triarylamine is produced by reacting an iodobenzene with a diarylamine. However, in the method based on the Ullmann reaction, an expensive iodide had to be used as a reactant, and the applicability was poor and the reaction yield was not sufficient. 150 ° C
Since the above-mentioned high temperature and long reaction time are required and a large amount of copper powder is used, a waste liquid containing a large amount of copper is generated, and there is also an environmental problem.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の課題
を解決するためになされたもので、発光効率が高く、寿
命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレ
クトロルミネッセンス素子用材料に使用可能な新規化合
物及び有機素子用材料を高活性で製造する方法を提供す
ることを目的とするものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has been developed to provide an organic electroluminescent device having a high luminous efficiency and a long life, and a novel material which can be used for a material for an organic electroluminescent device. An object of the present invention is to provide a method for producing a compound and a material for an organic device with high activity.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
(以下、有機EL素子)及び有機エレクトロルミネッセ
ンス素子用材料(以下、有機EL素子用材料)を開発す
べく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式〔1〕又は
〔1’〕で示される化合物をドーピング材料又は発光中
心として利用することによりその目的を達成し得ること
を見出した。さらに、本発明者らは、ホスフィン化合物
とパラジウム化合物からなる触媒及び塩基の存在下で、
アミンとアリールハライドを反応させることにより、3
級アリールアミン類の有機EL素子用材料を高活性に合
成できることを見出した。本発明は、かかる知見に基づ
いて完成したものである。
Means for Solving the Problems The present inventors have developed an organic electroluminescent element (hereinafter, referred to as an organic EL element) and a material for an organic electroluminescent element (hereinafter, referred to as an organic EL element) having the above-mentioned preferable properties. As a result of intensive studies, it has been found that the object can be achieved by using a compound represented by the following general formula [1] or [1 '] as a doping material or a luminescent center. In addition, the present inventors, in the presence of a catalyst and a base consisting of a phosphine compound and a palladium compound,
By reacting an amine with an aryl halide, 3
It has been found that a material for an organic EL device of a class arylamine can be synthesized with high activity. The present invention has been completed based on such findings.

【0005】すなわち、本発明の有機EL素子は、一対
の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合
物薄膜を形成してなる有機EL素子において、該発光層
が下記一般式〔1〕で示される化合物からなる有機EL
素子用材料を発光中心として0.1〜20重量%含有す
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 一般式〔1〕
That is, an organic EL device according to the present invention is an organic EL device in which a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer is formed between a pair of electrodes. Organic EL comprising a compound represented by the formula:
An organic electroluminescent device comprising 0.1 to 20% by weight of a material for the device as a luminescent center. General formula [1]

【化11】 〔式中、Aは置換もしくは未置換の炭素原子数6〜21
のアリーレン基を表す。X1 〜X4 は、それぞれ独立
に、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜30のアリー
レン基を表し、X1 とX2 、X3 とX4 は互いに連結し
ていてもよい。Y1〜Y4 は、それぞれ独立に、下記一
般式〔2〕で示される有機基を表す。a〜dは0〜2の
整数を表す。ただし、a+b+c+d>0である。 一般式〔2〕
Embedded image [In the formula, A is a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 21 carbon atoms.
Represents an arylene group. X 1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 , and X 3 and X 4 may be connected to each other. Y 1 to Y 4 each independently represent an organic group represented by the following general formula [2]. a to d represent an integer of 0 to 2. However, a + b + c + d> 0. General formula [2]

【化12】 (式中、R1 〜R4 は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール
基、シアノ基を表すか、R1 とR2 またはR3 とR4
結合した三重結合を表す。Zは置換もしくは未置換の炭
素原子数6〜20のアリール基を表す。nは0もしくは
1を表す。)〕
Embedded image (Wherein, R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
It represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a cyano group, or a triple bond in which R 1 and R 2 or R 3 and R 4 are bonded. Z represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. )]

【0006】本発明の有機EL素子は、一対の電極間に
発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形
成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、正孔注入材料、正孔輸送材料又は電子輸送材料の中
から選ばれる少なくとも一種類の材料に、上記一般式
〔1〕で示される有機EL素子用材料を、それぞれ独立
に0.1〜20重量%含有する有機EL素子であっても
良く、該発光層がスチルベン誘導体及び上記一般式
〔1〕で示される有機EL素子用材料を含有する層であ
る有機EL素子であっても良い。
The organic EL device of the present invention is an organic electroluminescent device comprising a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer formed between a pair of electrodes. Even if the organic EL device contains 0.1 to 20% by weight of the material for the organic EL device represented by the general formula [1] independently of at least one material selected from the electron transporting materials. Alternatively, the light emitting layer may be an organic EL device that is a layer containing a stilbene derivative and the material for an organic EL device represented by the general formula [1].

【0007】本発明の有機EL素子は、芳香族三級アミ
ン誘導体および/またはフタロシアニン誘導体を含有す
る層を、発光層と陽極との間に形成してなる有機EL素
子であっても良い。
The organic EL device of the present invention may be an organic EL device in which a layer containing an aromatic tertiary amine derivative and / or a phthalocyanine derivative is formed between a light emitting layer and an anode.

【0008】前記一般式〔1〕の式中Aは、下記一般式
〔3〕、〔4〕又は〔5〕で示される基であることが好
ましい。
A in the general formula [1] is preferably a group represented by the following general formula [3], [4] or [5].

【0009】一般式〔3〕The general formula [3]

【化13】 Embedded image

【0010】一般式〔4〕The general formula [4]

【化14】 Embedded image

【0011】一般式〔5〕The general formula [5]

【化15】 (式中、R5 〜R34は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール基
又はシアノ基を表し、隣接するものが互いに結合し、飽
和又は不飽和の炭素環を形成していても良い。)
Embedded image (Wherein, R 5 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
Represents a substituted or unsubstituted aryl group or cyano group having 6 to 20 carbon atoms, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon ring. )

【0012】前記一般式〔1〕で示される有機EL素子
用材料のエネルギーギャップが、ホスト材料のエネルギ
ーギャップより0.07eV以上小さいことが好まし
く、0.15eV以上小さいとさらに好ましい。
The energy gap of the material for an organic EL device represented by the general formula [1] is preferably smaller than the energy gap of the host material by 0.07 eV or more, and more preferably 0.15 eV or more.

【0013】また、本発明は下記一般式〔1’〕の式中
Aが、上記一般式〔5〕である新規化合物を提供するも
のである。 一般式〔1’〕
The present invention also provides a novel compound wherein A in the following general formula [1 '] is the above general formula [5]. General formula [1 ']

【化16】 〔式中、Aは上記一般式〔5〕で示される基を表す。X
1 〜X4 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の炭
素原子数6〜30のアリーレン基を表し、X1 とX2
3 とX4 は互いに連結していてもよい。Y1 〜Y
4 は、それぞれ独立に、上記一般式〔2〕で示される有
機基を表す。a〜dは0〜2の整数を表す。ただし、a
+b+c+d>0である。〕
Embedded image [In the formula, A represents a group represented by the general formula [5]. X
1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 ,
X 3 and X 4 may be linked to each other. Y 1 to Y
4 independently represents an organic group represented by the general formula [2]. a to d represent an integer of 0 to 2. Where a
+ B + c + d> 0. ]

【0014】さらに、本発明の有機EL素子用材料の製
造方法は、ホスフィン化合物とパラジウム化合物からな
る触媒及び塩基の存在下で、下記一般式〔6〕 R(NR’H)k 〔6〕 (式中、kは1〜3の整数を表し、kが1のときR及び
R’は水素原子、アルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基を表し、kが2以上のときRはアルキレン基又
は置換もしくは無置換のアリーレン基、R’は水素原
子、アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表
す。)で示される1級又は2級アミンと、下記一般式
〔7〕 Ar(X)m 〔7〕 (式中、Arは置換又は無置換のアリール基を表し、X
はF、Cl、Br又はIを表し、mは1〜3の整数を表
す。ただし、R、R’及びArのうち少なくとも一種類
はスチリル基を含有し、kが2のときはNに置換する
R’は異なっていても良い。)で示されるアリールハラ
イドとを反応させ、アリールアミン化合物からなる有機
素子用材料を製造する方法である。
Further, the method for producing a material for an organic EL device according to the present invention comprises the following formula [6] R (NR′H) k [6] (6) in the presence of a catalyst comprising a phosphine compound and a palladium compound and a base. In the formula, k represents an integer of 1 to 3, and when k is 1, R and R ′ represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, and when k is 2 or more, R represents an alkylene group or A substituted or unsubstituted arylene group, R ′ represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.) And a primary or secondary amine represented by the following general formula [7] Ar (X) m [7] (wherein, Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group;
Represents F, Cl, Br or I, and m represents an integer of 1 to 3. However, at least one of R, R 'and Ar contains a styryl group, and when k is 2, the R' substituted with N may be different. This is a method for producing a material for an organic device comprising an arylamine compound by reacting with an aryl halide represented by the formula (1).

【0015】前記アリールアミン化合物は、下記式
〔8〕で示される化合物であることが好ましい。 一般式〔8〕
The arylamine compound is preferably a compound represented by the following formula [8]. General formula [8]

【化17】 〔式中、Aは置換もしくは未置換の炭素原子数6〜60
のアリーレン基を表す。X1 〜X4 は、それぞれ独立
に、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜30のアリー
レン基を表し、X1 とX2 、X3 とX4 は互いに連結し
ていてもよい。Y1〜Y4 は、それぞれ独立に、上記一
般式〔2〕で示される有機基を表す。a〜dは0〜2の
整数を表す。ただし、a+b+c+d>0である。〕 前記ホスフィン化合物が、トリアルキルホスフィン化合
物、トリアリルホスフィン化合物又はジホスフィン化合
物であることが好ましい。
Embedded image [Wherein A is a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 60 carbon atoms.
Represents an arylene group. X 1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 , and X 3 and X 4 may be connected to each other. Y 1 to Y 4 each independently represent an organic group represented by the general formula [2]. a to d represent an integer of 0 to 2. However, a + b + c + d> 0. It is preferable that the phosphine compound is a trialkyl phosphine compound, a triallyl phosphine compound, or a diphosphine compound.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子で使用する
材料及び新規化合物における一般式〔1〕及び〔1’〕
で示される化合物のAは、置換もしくは未置換の炭素原
子数6〜21のアリーレン基を表し、具体例としてビフ
ェニル、ターフェニル、ナフタレン、アントラセン、フ
ェナントレン、ピレン、フルオレン、チオフェン、フル
オランテンなどから形成されるか又は2価の基などが挙
げられる。また一般式〔1〕で示される化合物のX1
4 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の炭素原
子数6〜30のアリーレン基を表し、具体例としてフェ
ニレン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、アン
トラセン、フェナントレン、ピレン、フルオレン、チオ
フェン、コロネン、クリセン骨格を含有する1価又は2
価の基が挙げられる。また、X1 とX2 、X3 とX4
互いに連結していてもよい。一般式〔1〕及び〔1’〕
において、a〜dは0〜2の整数を表す。ただし、a+
b+c+d>0である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The general formulas [1] and [1 '] for materials and novel compounds used in the organic EL device of the present invention
A in the compound represented by represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 21 carbon atoms, and is formed from biphenyl, terphenyl, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, fluorene, thiophene, fluoranthene, or the like as a specific example. Or a divalent group. X 1 to X 1 of the compound represented by the general formula [1]
X 4 independently represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and specific examples thereof include phenylene, biphenyl, terphenyl, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, fluorene, thiophene, coronene, and chrysene. Monovalent or 2 containing skeleton
Valence groups. X 1 and X 2 , and X 3 and X 4 may be connected to each other. General formulas [1] and [1 ']
In the formula, ad represents an integer of 0 to 2. However, a +
b + c + d> 0.

【0017】本発明における一般式〔2〕で示される有
機基のR1 〜R4 は、それぞれ独立に、水素原子、置換
もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、置
換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール基も
しくはシアノ基を表す。R1〜R4 の具体例は、置換も
しくは未置換のアルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、ter
t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ステアリル基、2−フェニルイソプロピル
基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベン
ジル基、α−フェノキシベンジル基、α,α−ジメチル
ベンジル基、α,α−メチルフェニルベンジル基、α,
α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメ
チル基、α−ベンジルオキシベンジル基等がある。置換
もしくは未置換のアリール基としては、フェニル基、2
−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチ
ルフェニル基、4−エチルフェニル基、ビフェニル基、
4−メチルビフェニル基、4−エチルビフェニル基、4
−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、3,
5−ジクロロフェニル基、ナフチル基、5−メチルナフ
チル基、アントリル基、ピレニル基等が挙げられる。
In the present invention, R 1 to R 4 of the organic group represented by the general formula [2] each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group. Represents an aryl group or a cyano group having 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of R 1 to R 4 include, as a substituted or unsubstituted alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a sec-butyl group,
t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group,
Octyl group, stearyl group, 2-phenylisopropyl group, trichloromethyl group, trifluoromethyl group, benzyl group, α-phenoxybenzyl group, α, α-dimethylbenzyl group, α, α-methylphenylbenzyl group, α,
α-ditrifluoromethylbenzyl group, triphenylmethyl group, α-benzyloxybenzyl group and the like. Examples of the substituted or unsubstituted aryl group include a phenyl group, 2
-Methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, biphenyl group,
4-methylbiphenyl group, 4-ethylbiphenyl group, 4
-Cyclohexylbiphenyl group, terphenyl group, 3,
Examples include a 5-dichlorophenyl group, a naphthyl group, a 5-methylnaphthyl group, an anthryl group, and a pyrenyl group.

【0018】本発明における一般式〔2〕で示される有
機基のZは、それぞれ独立に置換もしくは未置換の炭素
原子数6〜20のアリール基を表す。Zの具体例は、フ
ェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル
基、ピレニル基、チオフェン基、フェニルエテニル基、
ジフェニルエテニル基、トリフェニルエテニル基等のア
リール基であり、上記アリール基は置換基を有していて
も良い。置換基の具体例は、R1 〜R4 で記述したアル
キル基およびアリール基に加えて、アルコキシ基、アミ
ノ基、シアノ基、水酸基、カルボン酸基、エーテル基、
エステル基等がある。一般式〔2〕のnは0もしくは1
を表す。このように、本発明における一般式〔1〕及び
〔1’〕で示される化合物は、中心にジアミン構造を有
し末端にスチリルアミン構造を有することにより、イオ
ン化エネルギーが5.6eV以下となり、発光層中に添
加されることにより発光層への正孔注入性を向上させる
と共に、正孔捕捉することによで発光層での電子と正孔
のバランス(量比)を改善し、発光効率及び寿命が改善
される。単一の有機EL素子用材料として上記化合物
〔1〕又は〔1’〕を単独で発光層として用いた場合に
比べ、発光効率及び寿命が改善される。尚、X1
2 、X3 とX4 が単結合又は炭素環結合などで連結し
た化合物は、ガラス転移温度が向上し耐熱性が優れる。
In the present invention, Z of the organic group represented by the general formula [2] independently represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of Z include phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, anthryl, phenanthryl, fluorenyl, pyrenyl, thiophene, phenylethenyl,
An aryl group such as a diphenylethenyl group and a triphenylethenyl group, and the aryl group may have a substituent. Specific examples of the substituent include an alkoxy group, an amino group, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxylic acid group, an ether group, in addition to the alkyl group and the aryl group described in R 1 to R 4 .
There are ester groups and the like. N in the general formula [2] is 0 or 1
Represents As described above, the compounds represented by the general formulas [1] and [1 '] in the present invention have a diamine structure at the center and a styrylamine structure at the terminal, so that the ionization energy is 5.6 eV or less, and the light emission is reduced. When added to the layer, the hole injection property to the light emitting layer is improved, and by capturing holes, the balance (quantity ratio) of electrons and holes in the light emitting layer is improved. Service life is improved. The luminous efficiency and the lifetime are improved as compared with the case where the compound [1] or [1 ′] is used alone as a light emitting layer as a single material for an organic EL device. A compound in which X 1 and X 2 and X 3 and X 4 are linked by a single bond or a carbon ring bond has an improved glass transition temperature and excellent heat resistance.

【0019】本発明における一般式〔3〕〜〔5〕で示
される基におけるR5 〜R34は、それぞれ独立に、水素
原子、置換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアル
キル基、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のア
リール基又はシアノ基を表し、隣接するものが互いに結
合し、飽和又は不飽和の炭素環を形成していても良い。
5 〜R34の具体例は、置換もしくは未置換のアルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル
基、2−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル
基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキ
シベンジル基、α,α−ジメチルベンジル基、α,α−
メチルフェニルベンジル基、α,α−ジトリフルオロメ
チルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジル
オキシベンジル基等がある。置換もしくは未置換のアリ
ール基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、
3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エ
チルフェニル基、ビフェニル基、4−メチルビフェニル
基、4−エチルビフェニル基、4−シクロヘキシルビフ
ェニル基、ターフェニル基、3,5−ジクロロフェニル
基、ナフチル基、5−メチルナフチル基、アントリル
基、ピレニル基等が挙げられる。
In the present invention, R 5 to R 34 in the groups represented by the general formulas [3] to [5] each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Alternatively, it represents an unsubstituted aryl group or cyano group having 6 to 20 carbon atoms, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon ring.
Specific examples of R 5 to R 34 include, as a substituted or unsubstituted alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group Octyl group, stearyl group, 2-phenylisopropyl group, trichloromethyl group, trifluoromethyl group, benzyl group, α-phenoxybenzyl group, α, α-dimethylbenzyl group, α, α-
Examples include a methylphenylbenzyl group, an α, α-ditrifluoromethylbenzyl group, a triphenylmethyl group, and an α-benzyloxybenzyl group. As a substituted or unsubstituted aryl group, a phenyl group, a 2-methylphenyl group,
3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, biphenyl group, 4-methylbiphenyl group, 4-ethylbiphenyl group, 4-cyclohexylbiphenyl group, terphenyl group, 3,5-dichlorophenyl group, Examples include a naphthyl group, a 5-methylnaphthyl group, an anthryl group, and a pyrenyl group.

【0020】以下に、本発明の一般式〔1〕及び
〔1’〕の化合物の代表例(1)〜(15)を例示する
が、本発明はこの代表例に限定されるものではない。
The typical examples (1) to (15) of the compounds of the general formulas [1] and [1 '] of the present invention are shown below, but the present invention is not limited to these typical examples.

【0021】[0021]

【化18】 Embedded image

【0022】[0022]

【化19】 Embedded image

【0023】[0023]

【化20】 Embedded image

【0024】[0024]

【化21】 Embedded image

【0025】本発明の有機EL素子は、陽極と陰極間に
一層もしくは多層の有機薄膜を形成した素子である。一
層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。
発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注
入した正孔、もしくは陰極から注入した電子を発光材料
まで輸送させるために、正孔注入材料もしくは電子注入
材料を含有しても良い。しかしながら、発光材料は、極
めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力および電子輸
送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することが好まし
い。多層型の有機EL素子は、(陽極/正孔注入層/発
光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、
(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多
層構成で積層したものがある。一般式〔1〕、〔1’〕
及び〔8〕の化合物は、高い発光特性を持ち、優れた正
孔注入性、正孔捕捉性を有しているので、発光中心とし
て0.1〜20重量%添加して発光層に使用することが
できる。
The organic EL device of the present invention is a device in which one or more organic thin films are formed between an anode and a cathode. In the case of a single layer type, a light emitting layer is provided between an anode and a cathode.
The light-emitting layer contains a light-emitting material and may further contain a hole-injection material or an electron-injection material for transporting holes injected from an anode or electrons injected from a cathode to the light-emitting material. However, it is preferable that the light emitting material has extremely high fluorescence quantum efficiency, high hole transport ability and electron transport ability, and forms a uniform thin film. The multilayer organic EL device includes (anode / hole injection layer / light-emitting layer / cathode), (anode / light-emitting layer / electron injection layer / cathode),
Some of them are stacked in a multilayer structure of (anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode). General formula [1], [1 ']
And the compound of [8] have high light-emitting properties and excellent hole-injecting and hole-trapping properties, and are added to the light-emitting layer by adding 0.1 to 20% by weight as a light-emitting center. be able to.

【0026】発光層には、必要に応じて、本発明の一般
式〔1〕又は〔1’〕の化合物に加えてさらなる公知の
発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材
料を使用することもできる。有機EL素子は、多層構造
にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低
下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、他の
ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合
わせて使用することができる。また、他のドーピング材
料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や白色の発
光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電
子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成され
ても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正
孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受
け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼
ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入す
る層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光
層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの
各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層もしく
は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用
される。
In the light emitting layer, if necessary, in addition to the compound of the general formula [1] or [1 '] of the present invention, a further known light emitting material, doping material, hole injection material or electron injection material is used. You can also. When the organic EL element has a multilayer structure, it is possible to prevent a decrease in luminance and life due to quenching. If necessary, a combination of a light emitting material, another doping material, a hole injection material and an electron injection material can be used. Further, with other doping materials, emission luminance and emission efficiency can be improved, and red and white light can be obtained. Further, each of the hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer may be formed in a layer structure of two or more layers. In this case, in the case of a hole injection layer, a layer for injecting holes from the electrode is a hole injection layer, and a layer for receiving holes from the hole injection layer and transporting holes to the light emitting layer is a hole transport layer. Call. Similarly, in the case of an electron injection layer, a layer that injects electrons from the electrode is called an electron injection layer, and a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer is called an electron transport layer. Each of these layers is selected and used depending on factors such as the energy level of the material, heat resistance, and adhesion to the organic layer or the metal electrode.

【0027】一般式〔1〕又は〔1’〕の化合物と共に
発光層に使用できる発光材料またはホスト材料として
は、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレ
ン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイ
ン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペ
リノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニ
ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、
オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリ
ン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キ
ノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノ
リン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルア
ントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラ
ン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート
化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン、スチ
ルベン系誘導体及び蛍光色素等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。尚、発光層におけるホスト
材料の含有量は、一般式〔1〕又は〔1’〕の化合物よ
り多いことが必須であり、好ましくは80〜99.9重
量%である。
The light-emitting material or host material which can be used in the light-emitting layer together with the compound of the general formula [1] or [1 '] includes anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetracene, coronene, chrysene, fluorescein, perylene, phthaloperylene, and naphthaloperylene. , Perinone, phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin,
Oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine , Imidazole chelated oxinoid compounds, quinacridone, rubrene, stilbene derivatives, fluorescent dyes, and the like, but are not limited thereto. The content of the host material in the light emitting layer is essential to be larger than the compound of the general formula [1] or [1 '], and is preferably 80 to 99.9% by weight.

【0028】正孔注入材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を
防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。
具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン
誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジ
アゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロ
ン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テ
トラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾ
ール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールア
ルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフ
ェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、
ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、
およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高
分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定され
るものではない。
The hole injecting material has the ability to transport holes, has the effect of injecting holes from the anode, and has an excellent hole injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material. A compound that prevents excitons from migrating to the electron injection layer or the electron injection material and has excellent thin film forming ability is preferable.
Specifically, phthalocyanine derivatives, naphthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolethione, pyrazoline, pyrazolone, tetrahydroimidazole, oxazole, oxadiazole, hydrazone, acylhydrazone, polyaryl Alkanes, stilbene, butadiene, benzidine-type triphenylamine, styrylamine-type triphenylamine,
Diamine-type triphenylamine and the like, derivatives thereof,
And polymer materials such as polyvinyl carbazole, polysilane, and conductive polymers, but are not limited thereto.

【0029】本発明の有機EL素子において使用できる
正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、
芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体
である。芳香族三級アミン誘導体の具体例は、トリフェ
ニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミ
ン、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−
1,1’−フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,
N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフ
ェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ジナフチル−1,1’−ビフェニル−4,
4’−ジアミン、N,N’−(メチルフェニル)−N,
N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−
9,10−ジアミン、N,N−ビス(4−ジ−4−トリ
ルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサン
等、もしくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオ
リゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定され
るものではない。フタロシアニン(Pc)誘導体の具体
例は、H2 Pc、CuPc、CoPc、NiPc、Zn
Pc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、
ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2
iPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOP
c、TiOPc、MoOPc、GaPc−O−GaPc
等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導
体でがあるが、これらに限定されるものではない。
Among the hole injecting materials that can be used in the organic EL device of the present invention, more effective hole injecting materials are
It is an aromatic tertiary amine derivative or a phthalocyanine derivative. Specific examples of the aromatic tertiary amine derivative include triphenylamine, tolylamine, tolylphenylamine, N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4 '-Diamine, N, N, N', N '-(4-methylphenyl)-
1,1′-phenyl-4,4′-diamine, N, N,
N ', N'-(4-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-diphenyl-
N, N'-dinaphthyl-1,1'-biphenyl-4,
4'-diamine, N, N '-(methylphenyl) -N,
N '-(4-n-butylphenyl) -phenanthrene-
9,10-diamine, N, N-bis (4-di-4-tolylaminophenyl) -4-phenyl-cyclohexane, and the like, or oligomers or polymers having an aromatic tertiary amine skeleton. However, the present invention is not limited to this. Specific examples of the phthalocyanine (Pc) derivative include H 2 Pc, CuPc, CoPc, NiPc, Zn
Pc, PdPc, FePc, MnPc, ClAlPc,
ClGaPc, ClInPc, ClSnPc, Cl 2 S
iPc, (HO) AlPc, (HO) GaPc, VOP
c, TiOPc, MoOPc, GaPc-O-GaPc
Phthalocyanine derivatives and naphthalocyanine derivatives, but are not limited thereto.

【0030】電子注入材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形
成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオ
レノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオ
ピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、
トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子
受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加する
ことにより電子注入性を向上させることもできる。
The electron injecting material has the ability to transport electrons, has the effect of injecting electrons from the cathode, has an excellent electron injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material, and has the positive effect of excitons generated in the light emitting layer. Compounds that prevent migration to the hole injection layer and have excellent thin film forming ability are preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole,
Triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane,
Examples include, but are not limited to, anthrones and their derivatives. The electron injecting property can be improved by adding an electron accepting substance to the hole injecting material and an electron donating substance to the electron injecting material.

【0031】本発明の有機EL素子において、さらに効
果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素
五員環誘導体である。金属錯体化合物の具体例は、8−
ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキ
シキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナ
ート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガ
ン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウ
ム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナー
ト)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナー
ト)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キ
ノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベン
ゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−
キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8
−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス
(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラー
ト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナー
ト)(2−ナフトラート)ガリウム等が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
In the organic EL device of the present invention, a more effective electron injection material is a metal complex compound or a nitrogen-containing five-membered ring derivative. A specific example of the metal complex compound is 8-
Lithium hydroxyquinolinato, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc , Bis (2-methyl-8-
Quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8)
-Quinolinato) (o-cresolate) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholate) gallium, and the like,
It is not limited to these.

【0032】また、含窒素五員誘導体は、オキサゾー
ル、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールも
しくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、
2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾ
ール、ジメチルPOPOP、2,5−ビス(1−フェニ
ル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’
−tert−ブチルフェニル)−5−( 4”−ビフェニ
ル) 1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1
−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4
−ビス[2−( 5−フェニルオキサジアゾリル) ]ベン
ゼン、1,4−ビス[2−( 5−フェニルオキサジアゾ
リル) −4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4’
−tert−ブチルフェニル)−5−( 4”−ビフェニ
ル) −1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1
−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−
ビス[2−( 5−フェニルチアジアゾリル) ]ベンゼ
ン、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(
4”−ビフェニル) −1,3,4−トリアゾール、2,
5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾー
ル、1,4−ビス[2−( 5−フェニルトリアゾリル)
]ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。
The nitrogen-containing five-membered derivative is preferably an oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole or triazole derivative. In particular,
2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-oxazole, dimethyl POPOP, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-thiazole, 2,5-bis (1-phenyl) ) -1,3,4-oxadiazole, 2- (4 ′
-Tert-butylphenyl) -5- (4 "-biphenyl) 1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1
-Naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4
-Bis [2- (5-phenyloxadiazolyl)] benzene, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl) -4-tert-butylbenzene], 2- (4 '
-Tert-butylphenyl) -5- (4 "-biphenyl) -1,3,4-thiadiazole, 2,5-bis (1
-Naphthyl) -1,3,4-thiadiazole, 1,4-
Bis [2- (5-phenylthiadiazolyl)] benzene, 2- (4'-tert-butylphenyl) -5- (
4 "-biphenyl) -1,3,4-triazole, 2,
5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-triazole, 1,4-bis [2- (5-phenyltriazolyl)
], But not limited thereto.

【0033】本発明の有機EL素子においては、発光層
中に、一般式〔1〕又は〔1’〕の化合物の他に、発光
材料、ドーピング材料、正孔注入材料および電子注入材
料の少なくとも1種が同一層に含有されてもよい。ま
た、本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿
度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表
面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により
素子全体を保護することも可能である。
In the organic EL device of the present invention, in addition to the compound of the general formula [1] or [1 '], at least one of a light emitting material, a doping material, a hole injection material and an electron injection material is contained in the light emitting layer. Species may be contained in the same layer. In order to improve the stability of the organic EL device obtained according to the present invention with respect to temperature, humidity, atmosphere, and the like, a protective layer may be provided on the surface of the device, or the entire device may be protected with silicon oil, resin, or the like. Is also possible.

【0034】有機EL素子の陽極に使用される導電性材
料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適
しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板
に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、
さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性
樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質として
は、4eVより小さな仕事関数を持つものが適してお
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アル
ミニウム等およびそれらの合金が用いられるが、これら
に限定されるものではない。合金としては、マグネシウ
ム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミ
ニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲
気、真空度等により制御され、適切な比率に選択され
る。陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成
により形成されていても良い。
As the conductive material used for the anode of the organic EL device, those having a work function of more than 4 eV are suitable, and include carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, gold, and platinum. , Palladium and their alloys, tin oxide used for ITO substrate, NESA substrate, metal oxide such as indium oxide,
Further, an organic conductive resin such as polythiophene or polypyrrole is used. As the conductive material used for the cathode, those having a work function smaller than 4 eV are suitable, and magnesium, calcium, tin, lead, titanium,
Yttrium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum and the like and alloys thereof are used, but not limited thereto. Representative examples of the alloy include magnesium / silver, magnesium / indium, and lithium / aluminum, but are not limited thereto. The ratio of the alloy is controlled by the temperature, atmosphere, degree of vacuum, and the like of the evaporation source, and is selected to be an appropriate ratio. The anode and the cathode may be formed by two or more layers if necessary.

【0035】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域におい
て充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明で
あることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を
使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光
性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過
率を10%以上にすることが望ましい。基板は、機械
的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定
されるものではないが、ガラス基板および透明性樹脂フ
ィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニ
ルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリ
エーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフ
ルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフ
ルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合
体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレ
ン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビ
ニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、
ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
In the organic EL device, it is desirable that at least one surface is sufficiently transparent in the emission wavelength region of the device in order to emit light efficiently. Further, it is desirable that the substrate is also transparent. The transparent electrode is set using the above-described conductive material so as to secure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering. The electrode on the light emitting surface desirably has a light transmittance of 10% or more. The substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strengths and is transparent, and includes a glass substrate and a transparent resin film. Transparent resin films include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polypropylene, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, nylon, and polyetheretherketone. , Polysulfone, polyethersulfone, tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinyl ether copolymer, polyvinyl fluoride, tetrafluoroethylene-ethylene copolymer, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, polychlorotrifluoroethylene, Polyvinylidene fluoride, polyester, polycarbonate, polyurethane, polyimide, polyetherimide,
Examples include polyimide and polypropylene.

【0036】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレ
ーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディ
ッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれ
の方法を適用することができる。膜厚は特に限定される
ものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜
厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加
電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピ
ンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝
度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μmの範
囲が適しているが、10nmから0.2μmの範囲がさ
らに好ましい。
Each layer of the organic EL device according to the present invention can be formed by any of dry film forming methods such as vacuum deposition, sputtering, plasma, and ion plating, and wet film forming methods such as spin coating, dipping and flow coating. Can be applied. The film thickness is not particularly limited, but needs to be set to an appropriate film thickness. If the film thickness is too large, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. If the film thickness is too small, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied. The normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 μm, but is more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.

【0037】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散させて薄膜
を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜の
ピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用して
も良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポ
リカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等
の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチ
オフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。
また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可
塑剤等を挙げられる。
In the case of the wet film forming method, the material forming each layer is made of ethanol, chloroform, tetrahydrofuran,
The thin film is formed by dissolving or dispersing in a suitable solvent such as dioxane, and any solvent may be used. In any of the organic thin film layers, a suitable resin or additive may be used for improving film forming properties, preventing pinholes in the film, and the like. Examples of usable resins include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and cellulose, and copolymers thereof, and poly-N-vinyl. Examples thereof include photoconductive resins such as carbazole and polysilane, and conductive resins such as polythiophene and polypyrrole.
In addition, examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.

【0038】以上のように、有機EL素子の発光層に本
発明の化合物を用いることにより、低い印加電圧で実用
上充分な発光輝度が得られるため、発光効率が高く、劣
化しずらいため寿命も長く、さらには耐熱性にも優れた
有機EL素子を得ることができる。
As described above, by using the compound of the present invention in the light-emitting layer of the organic EL device, a practically sufficient light-emitting luminance can be obtained at a low applied voltage, the light-emitting efficiency is high, and the life is hardly caused by deterioration. It is possible to obtain an organic EL element which is long and has excellent heat resistance.

【0039】本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビの
フラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、
プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器
類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。本発明の
材料は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光
電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野にお
いても使用できる。
The organic EL device of the present invention can be used for a flat illuminator such as a flat panel display of a wall-mounted television, a copying machine,
It can be used for a light source such as a printer, a backlight of a liquid crystal display or instruments, a display board, a sign lamp, and the like. The material of the present invention can be used not only in organic EL devices but also in the fields of electrophotographic photoreceptors, photoelectric conversion devices, solar cells, image sensors and the like.

【0040】本発明の有機素子用材料の製造方法で使用
する一般式〔6〕で示される1級アミンとしては、メチ
ルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、イソプ
ロピルアミン、n−ブチルアミン、イソブチルアミン、
sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、n−
アミルアミン、イソアミルアミン、tert−アミルア
ミン、シクロヘキシルアミン、n−ヘキシルアミン、ヘ
プチルアミン、2−アミノヘプタン、3−アミノヘプタ
ン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウ
ンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、
1−テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、1−ヘ
キサデシルアミン、オクタデシルアミン等の1級アルキ
ルアミン類;エチレンジアミン、1,2−ジアミノプロ
パン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブ
タン等の1級アルキルジアミン類;アニリン、o−フル
オロアニリン、m−フルオロアニリン、p−フルオロア
ニリン、o−トルイジン、m−トルイジン、p−トルイ
ジン、o−アニシジン、m−アニシジン、p−アニシジ
ン、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、1−ア
ミノアントラセン、2−アミノアントラセン、2−アミ
ノビフェニル、4−アミノビフェニル、9−アミノフェ
ナントレン、2−トリフルオロメチルトルイジン、3−
トリフルオロメチルトルイジン、4−トリフルオロメチ
ルトルイジン等のアリールアミン類;o−フェニレンジ
アミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジア
ミン、フルオレンジアミン、1,8−ナフタレンジアミ
ン等のアリールジアミン類;
The primary amine represented by the general formula [6] used in the method for producing a material for an organic device of the present invention includes methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, and the like.
sec-butylamine, tert-butylamine, n-
Amylamine, isoamylamine, tert-amylamine, cyclohexylamine, n-hexylamine, heptylamine, 2-aminoheptane, 3-aminoheptane, octylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, tridecylamine,
Primary alkylamines such as 1-tetradecylamine, pentadecylamine, 1-hexadecylamine and octadecylamine; ethylenediamine, 1,2-diaminopropane, 1,3-diaminopropane and 1,4-diaminobutane Primary alkyl diamines; aniline, o-fluoroaniline, m-fluoroaniline, p-fluoroaniline, o-toluidine, m-toluidine, p-toluidine, o-anisidine, m-anisidine, p-anisidine, 1-naphthylamine , 2-naphthylamine, 1-aminoanthracene, 2-aminoanthracene, 2-aminobiphenyl, 4-aminobiphenyl, 9-aminophenanthrene, 2-trifluoromethyltoluidine, 3-
Arylamines such as trifluoromethyltoluidine and 4-trifluoromethyltoluidine; aryldiamines such as o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, fluorenediamine and 1,8-naphthalenediamine;

【0041】[0041]

【化22】 等が挙げられる。Embedded image And the like.

【0042】一般式〔6〕で示される2級アミンとして
は、
The secondary amine represented by the general formula [6] includes

【化23】 等が挙げられる。Embedded image And the like.

【0043】一般式〔7〕で示されるアリールハライド
としては特に限定するものではないが、Arとしては、
通常炭素数1〜18のアルキル基又は炭素数6〜22の
置換もしくは無置換のアリール基が用いられ、芳香族環
に置換基を有していてもよい。また本発明においてアリ
ール基とは、縮合環式炭化水素を含有するものである。
The aryl halide represented by the general formula [7] is not particularly limited.
Usually, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 22 carbon atoms is used, and the aromatic ring may have a substituent. In the present invention, the aryl group includes a condensed cyclic hydrocarbon.

【0044】アリールハライドの具体例としては、ブロ
モベンゼン、o−ブロモアニソール、m−ブロモアニソ
ール、p−ブロモアニソール、o−ブロモトルエン、m
−ブロモトルエン、p−ブロモトルエン、o−ブロモフ
ェノール、m−ブロモフェノール、p−ブロモフェノー
ル、2−ブロモベンゾトリフロリド、3−ブロモベンゾ
トリロオリド、4−ブロモベンゾトリフロリド、1−ブ
ロモ−2,4−ジメトキシベンゼン、1−ブロモ−2,
5−ジメトキシベンゼン、2−ブロモフェネチルアルコ
ール、3−ブロモフェネチルアルコール、4−ブロモフ
ェネチルアルコール、5−ブロモ−1,2,4−トリメ
チルベンゼン、2−ブロモ−m−キシレン、2−ブロモ
−p−キシレン、3−ブロモ−o−キシレン、4−ブロ
モ−o−キシレン、4−ブロモ−m−キシレン、5−ブ
ロモ−m−キシレン、1−ブロモ−3−(トリフルオロ
メトキシ)ベンゼン、1−ブロモ−4−(トリフルオロ
メトキシ)ベンゼン、2−ブロモビフェニル、3−ブロ
モビフェニル、4−ブロモビフェニル、4−ブロモ−
1,2−(メチレンジオキシ)ベンゼン、1−ブロモナ
フタレン、2−ブロモナフタレン、1−ブロモ−2−メ
チルナフタレン、1−ブロモ−4−メチルナフタレン等
のアリールブロミド類;クロロベンゼン、o−クロロア
ニソール、m−クロロアニソール、p−クロロアニソー
ル、o−クロロトルエン、m−クロロトルエン、p−ク
ロロトルエン、o−クロロフェノール、m−クロロフェ
ノール、p−クロロフェノール、2−クロロベンゾトリ
フロリド、3−クロロベンゾトリフロリド、4−クロロ
ベンゾトリフロリド、1−クロロ−2,4−ジメトキシ
ベンゼン、1−クロロ−2,5−ジメトキシベンゼン、
2−クロロフェネチルアルコール、3−クロロフェネチ
ルアルコール、4−クロロフェネチルアルコール、5−
クロロ−1,2,4−トリメチルベンゼン、2−クロロ
−m−キシレン、2−クロロ−p−キシレン、3−クロ
ロ−o−キシレン、4−クロロ−o−キシレン、4−ク
ロロ−m−キシレン、5−クロロ−m−キシレン、1−
クロロ−3−(トリフルオロメトキシ)ベンゼン、1−
クロロ−4−(トリフルオロメトキシ)ベンゼン、2−
クロロビフェニル、3−クロロビフェニル、4−クロロ
ビフェニル、1−クロロナフタレン、2−クロロナフタ
レン、1−クロロ−2−メチルナフタレン、1−クロロ
−4−メチルナフタレン等のアリールクロリド類;ヨー
ドベンゼン、o−ヨードアニソール、m−ヨードアニソ
ール、p−ヨードアニソール、o−ヨードトルエン、m
−ヨードトルエン、p−ヨードトルエン、o−ヨードフ
ェノール、m−ヨードフェノール、p−ヨードフェノー
ル、2−ヨードベンゾトリフロリド、3−ヨードベンゾ
トリフロリド、4−ヨードベンゾトリフロリド、1−ヨ
ード−2,4−ジメトキシベンゼン、1−ヨード−2,
5−ジメトキシベンゼン、2−ヨードフェネチルアルコ
ール、3−ヨードフェネチルアルコール、4−ヨードフ
ェネチルアルコール、5−ヨード−1,2,4−トリメ
チルベンゼン、2−ヨード−m−キシレン、2−ヨード
−p−キシレン、3−ヨード−o−キシレン、4−ヨー
ド−o−キシレン、4−ヨード−m−キシレン、5−ヨ
ード−m−キシレン、1−ヨード−3−(トリフルオロ
メトキシ)ベンゼン、1−ヨード−4−(トリフルオロ
メトキシ)ベンゼン、2−ヨードビフェニル、3−ヨー
ドビフェニル、4−ヨードビフェニル、1−ヨードナフ
タレン、2−ヨードナフタレン、1−ヨード−2−メチ
ルナフタレン、1−ヨード−4−メチルナフタレン等の
アリールアイオダイド類;フルオロベンゼン、o−フル
オロアニソール、m−フルオロアニソール、p−フルオ
ロアニソール、o−フルオロトルエン、m−フルオロト
ルエン、p−フルオロトルエン、o−フルオロフェノー
ル、m−フルオロフェノール、p−フルオロフェノー
ル、2−フルオロベンゾトリフロリド、3−フルオロベ
ンゾトリフロリド、4−フルオロベンゾトリフロリド、
1−フルオロ−2,4−ジメトキシベンゼン、1−フル
オロ−2,5−ジメトキシベンゼン、2−フルオロフェ
ネチルアルコール、3−フルオロフェネチルアルコー
ル、4−フルオロフェネチルアルコール、5−フルオロ
−1,2,4−トリメチルベンゼン、2−フルオロ−m
−キシレン、2−フルオロ−p−キシレン、3−フルオ
ロ−o−キシレン、4−フルオロ−o−キシレン、4−
フルオロ−m−キシレン、5−フルオロ−m−キシレ
ン、1−フルオロ−3−(トリフルオロメトキシ)ベン
ゼン、1−フルオロ−4−(トリフルオロメトキシ)ベ
ンゼン、2−フルオロビフェニル、3−フルオロビフェ
ニル、4−フルオロビフェニル、4−フルオロ−1,2
−(メチレンジオキシ)ベンゼン、1−フルオロナフタ
レン、2−フルオロナフタレン、1−フルオロ−2−メ
チルナフタレン、1−フルオロ−4−メチルナフタレン
等のアリールフロリド類等;
Specific examples of the aryl halide include bromobenzene, o-bromoanisole, m-bromoanisole, p-bromoanisole, o-bromotoluene and m-bromoanisole.
-Bromotoluene, p-bromotoluene, o-bromophenol, m-bromophenol, p-bromophenol, 2-bromobenzotrifluoride, 3-bromobenzotrilolide, 4-bromobenzotrifluoride, 1-bromo -2,4-dimethoxybenzene, 1-bromo-2,
5-dimethoxybenzene, 2-bromophenethyl alcohol, 3-bromophenethyl alcohol, 4-bromophenethyl alcohol, 5-bromo-1,2,4-trimethylbenzene, 2-bromo-m-xylene, 2-bromo-p- Xylene, 3-bromo-o-xylene, 4-bromo-o-xylene, 4-bromo-m-xylene, 5-bromo-m-xylene, 1-bromo-3- (trifluoromethoxy) benzene, 1-bromo -4- (trifluoromethoxy) benzene, 2-bromobiphenyl, 3-bromobiphenyl, 4-bromobiphenyl, 4-bromo-
Aryl bromides such as 1,2- (methylenedioxy) benzene, 1-bromonaphthalene, 2-bromonaphthalene, 1-bromo-2-methylnaphthalene, 1-bromo-4-methylnaphthalene; chlorobenzene, o-chloroanisole M-chloroanisole, p-chloroanisole, o-chlorotoluene, m-chlorotoluene, p-chlorotoluene, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol, 2-chlorobenzotrifluoride, 3 -Chlorobenzotrifluoride, 4-chlorobenzotrifluoride, 1-chloro-2,4-dimethoxybenzene, 1-chloro-2,5-dimethoxybenzene,
2-chlorophenethyl alcohol, 3-chlorophenethyl alcohol, 4-chlorophenethyl alcohol, 5-chlorophenethyl alcohol
Chloro-1,2,4-trimethylbenzene, 2-chloro-m-xylene, 2-chloro-p-xylene, 3-chloro-o-xylene, 4-chloro-o-xylene, 4-chloro-m-xylene , 5-chloro-m-xylene, 1-
Chloro-3- (trifluoromethoxy) benzene, 1-
Chloro-4- (trifluoromethoxy) benzene, 2-
Aryl chlorides such as chlorobiphenyl, 3-chlorobiphenyl, 4-chlorobiphenyl, 1-chloronaphthalene, 2-chloronaphthalene, 1-chloro-2-methylnaphthalene, 1-chloro-4-methylnaphthalene; iodobenzene, o -Iodoanisole, m-iodoanisole, p-iodoanisole, o-iodotoluene, m
-Iodotoluene, p-iodotoluene, o-iodophenol, m-iodophenol, p-iodophenol, 2-iodobenzotrifluoride, 3-iodobenzotrifluoride, 4-iodobenzotrifluoride, 1- Iodo-2,4-dimethoxybenzene, 1-iodo-2,
5-dimethoxybenzene, 2-iodophenethyl alcohol, 3-iodophenethyl alcohol, 4-iodophenethyl alcohol, 5-iodo-1,2,4-trimethylbenzene, 2-iodo-m-xylene, 2-iodo-p- Xylene, 3-iodo-o-xylene, 4-iodo-o-xylene, 4-iodo-m-xylene, 5-iodo-m-xylene, 1-iodo-3- (trifluoromethoxy) benzene, 1-iodo -4- (trifluoromethoxy) benzene, 2-iodobiphenyl, 3-iodobiphenyl, 4-iodobiphenyl, 1-iodonaphthalene, 2-iodonaphthalene, 1-iodo-2-methylnaphthalene, 1-iodo-4- Aryl iodides such as methylnaphthalene; fluorobenzene, o-fluoroanisole, -Fluoroanisole, p-fluoroanisole, o-fluorotoluene, m-fluorotoluene, p-fluorotoluene, o-fluorophenol, m-fluorophenol, p-fluorophenol, 2-fluorobenzotrifluoride, 3-fluoro Benzotrifluoride, 4-fluorobenzotrifluoride,
1-fluoro-2,4-dimethoxybenzene, 1-fluoro-2,5-dimethoxybenzene, 2-fluorophenethyl alcohol, 3-fluorophenethyl alcohol, 4-fluorophenethyl alcohol, 5-fluoro-1,2,4- Trimethylbenzene, 2-fluoro-m
-Xylene, 2-fluoro-p-xylene, 3-fluoro-o-xylene, 4-fluoro-o-xylene, 4-
Fluoro-m-xylene, 5-fluoro-m-xylene, 1-fluoro-3- (trifluoromethoxy) benzene, 1-fluoro-4- (trifluoromethoxy) benzene, 2-fluorobiphenyl, 3-fluorobiphenyl, 4-fluorobiphenyl, 4-fluoro-1,2
Aryl fluorides such as-(methylenedioxy) benzene, 1-fluoronaphthalene, 2-fluoronaphthalene, 1-fluoro-2-methylnaphthalene, 1-fluoro-4-methylnaphthalene, and the like;

【0045】[0045]

【化24】 が挙げられる。Embedded image Is mentioned.

【0046】また、本発明の目的を逸脱しない限りにお
いて、1,2−ジブロモベンゼン、1,3−ジブロモベ
ンゼン、1,4−ジブロモベンゼン、9,10−ジブロ
モアントラセン、9,10−ジクロロアントラセン、
4,4’−ジブロモビフェニル、4,4’−ジクロロジ
フェニル、4,4’−ジヨードビフェニル、1−ブロモ
−2−フルオロベンゼン、1−ブロモ−3−フルオロベ
ンゼン、1−ブロモ−4−フルオロベンゼン、2−ブロ
モクロロベンゼン、3−ブロモクロロベンゼン、4−ブ
ロモクロロベンゼン、2−ブロモ−5−クロロトルエ
ン、3−ブロモ−4−クロロベンゾトリフロリド、5−
ブロモ−2−クロロベンゾトリフロリド、1−ブロモ−
2,3−ジクロロベンゼン、1−ブロモ−2,6−ジク
ロロベンゼン、1−ブロモ−3,5−ジクロロベンゼ
ン、2−ブロモ−4−フルオロトルエン、2−ブロモ−
5−フルオロトルエン、3−ブロモ−4−フルオロトル
エン、4−ブロモ−2−フルオロトルエン、4−ブロモ
−3−フルオロトルエン、トリス(4−ブロモフェニ
ル)アミン、1,3,5−トリブロモベンゼン、
In addition, unless departing from the object of the present invention, 1,2-dibromobenzene, 1,3-dibromobenzene, 1,4-dibromobenzene, 9,10-dibromoanthracene, 9,10-dichloroanthracene,
4,4'-dibromobiphenyl, 4,4'-dichlorodiphenyl, 4,4'-diiodobiphenyl, 1-bromo-2-fluorobenzene, 1-bromo-3-fluorobenzene, 1-bromo-4-fluoro Benzene, 2-bromochlorobenzene, 3-bromochlorobenzene, 4-bromochlorobenzene, 2-bromo-5-chlorotoluene, 3-bromo-4-chlorobenzotrifluoride, 5-
Bromo-2-chlorobenzotrifluoride, 1-bromo-
2,3-dichlorobenzene, 1-bromo-2,6-dichlorobenzene, 1-bromo-3,5-dichlorobenzene, 2-bromo-4-fluorotoluene, 2-bromo-
5-fluorotoluene, 3-bromo-4-fluorotoluene, 4-bromo-2-fluorotoluene, 4-bromo-3-fluorotoluene, tris (4-bromophenyl) amine, 1,3,5-tribromobenzene ,

【0047】[0047]

【化25】 等のハロゲン原子を2つ以上、好ましくは2〜3個有す
るアリールハライドも使用することができる。
Embedded image And the like. An aryl halide having two or more, preferably two to three halogen atoms can also be used.

【0048】本発明の有機素子用材料の製造方法におい
てアリールハライドの添加方法は、特に限定するもので
はなく、例えば、反応開始前に1級アミンと同時に2種
類の異なるアリールハライドを添加しこれらを反応させ
てもよいし、まず1級アミンと一方のアリールハライド
を反応させた後、生成した2級アミンに他方のアリール
ハライドを添加しこれらを反応させてもよい。3級アリ
ールアミンをより高選択的に製造できることから、後者
の逐次的に異なるアリールハライドを添加する方法が好
ましい。
The method for adding an aryl halide in the method for producing a material for an organic device of the present invention is not particularly limited. For example, before starting the reaction, two different aryl halides are added simultaneously with the primary amine, and these are added. The primary amine may be reacted with one of the aryl halides, and then the other secondary halide may be added to the secondary amine to react. Since the tertiary arylamine can be produced more selectively, the latter method of sequentially adding different aryl halides is preferable.

【0049】アリールハライドの添加量は特に制限され
るものではないが、1級アミンと同時に2種類の異なる
アリールハライドを添加する場合には、1級アミン1モ
ルに対して、それぞれ0.5モル倍〜10モル倍の範囲
が適当であり、経済性及び未反応のアリールハライドの
分離等、後処理を簡便とするため、好ましくは1級アミ
ン1モルに対してそれぞれ0.7モル倍〜5モル倍であ
る。また逐次的に異なるアリールハライドを添加する場
合は、最初に添加するアリールハライドは、1級アミン
のアミノ基1つに対して、0.5〜1.5倍モルの範囲
で反応系に添加すればよいが、目的とする3級アリール
アミンの選択率を向上させるという観点から、より好ま
しくは、該1級アミンのアミノ基1つに対して0.9モ
ル〜1.1倍モルの範囲で反応系に添加すればよい。
The amount of the aryl halide to be added is not particularly limited. However, when two different aryl halides are added simultaneously with the primary amine, 0.5 mol is added to 1 mol of the primary amine. In order to facilitate post-treatment such as economical efficiency and separation of unreacted aryl halide, it is preferably 0.7 to 5 moles per 1 mole of primary amine. It is molar times. When different aryl halides are successively added, the aryl halide to be added first is added to the reaction system in a range of 0.5 to 1.5 times the mole of one amino group of the primary amine. From the viewpoint of improving the selectivity of the target tertiary arylamine, it is more preferable that the molar ratio be in the range of 0.9 mol to 1.1 mol per one amino group of the primary amine. What is necessary is just to add to a reaction system.

【0050】また、2級アミン製造後に添加されるアリ
ールハライドは、原料とした1級アミンのアミノ基1つ
に対して0.1〜10モル倍添加すればよいが、反応終
了後の未反応のアリールハライド及び未反応の2級アミ
ンの分離操作が煩雑となることから好ましくは、1級ア
ミンのアミノ基1つに対して0.9〜5倍モル添加すれ
ばよい。
The aryl halide to be added after the production of the secondary amine may be added in an amount of 0.1 to 10 times the molar amount of one amino group of the primary amine used as a raw material. Since the operation of separating the aryl halide and the unreacted secondary amine becomes complicated, it is preferable to add 0.9 to 5 moles per one amino group of the primary amine.

【0051】本発明で触媒成分として使用するパラジウ
ム化合物としては、パラジウム化合物であれば特に制限
するものではなく、例えば、ヘキサクロロパラジウム
(IV)酸ナトリウム四水和物、ヘキサクロロパラジウム
(IV)酸カリウム等の4価のパラジウム化合物類;塩化
パラジウム(II)、臭化パラジウム(II)、酢酸パラジ
ウム(II)、パラジウムアセチルアセトナート(II)、
ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム(II)、ジ
クロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)、ジク
ロロ(ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン)パラジウ
ム(II)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム(II)、ジクロロテトラアンミンパラジウム
(II)、ジクロロ(シクロオクタ−1,5−ジエン)パ
ラジウム(II)、パラジウムトリフルオロアセテート
(II)等の2価パラジウム化合物類;トリス(ジベンジ
リデンアセトン)二パラジウム(0)(Pd2(db
a)3)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウ
ムクロロホルム錯体(0)、テトラキス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(0)、ビス(ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)エタン)パラジウム(0)等の0価パラ
ジウム化合物等が挙げられる。
The palladium compound used as a catalyst component in the present invention is not particularly limited as long as it is a palladium compound. For example, sodium hexachloropalladium (IV) tetrahydrate, potassium hexachloropalladium (IV), etc. Tetravalent palladium compounds; palladium (II) chloride, palladium (II) bromide, palladium (II) acetate, palladium acetylacetonate (II),
Dichlorobis (benzonitrile) palladium (II), dichlorobis (acetonitrile) palladium (II), dichloro (bis (diphenylphosphino) ethane) palladium (II), dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (II), dichlorotetraamminepalladium (II) ), Dichloro (cycloocta-1,5-diene) palladium (II), palladium trifluoroacetate (II) and other divalent palladium compounds; tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (Pd 2 (db
a) 3 ), zero-valent palladium compounds such as tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0), bis (bis (diphenylphosphino) ethane) palladium (0) And the like.

【0052】本発明の製造方法において、パラジウム化
合物の使用量は、特に限定するものではないが、1級ア
ミン1モルに対し、パラジウム換算で0.00001〜
20.0モル%である。パラジウムが上記範囲内であれ
ば、高い選択率で3級アリールアミンが合成できるが、
高価なパラジウム化合物を使用することから、より好ま
しくは、該1級アミン1モルに対し、パラジウム換算で
0.001〜5.0モル%である。
In the production method of the present invention, the amount of the palladium compound to be used is not particularly limited, but is 0.00001 to 0.1 mol in terms of palladium per mol of primary amine.
20.0 mol%. If palladium is within the above range, a tertiary arylamine can be synthesized with high selectivity,
Since an expensive palladium compound is used, it is more preferably 0.001 to 5.0 mol% in terms of palladium based on 1 mol of the primary amine.

【0053】本発明の製造方法において、触媒成分とし
て使用されるトリアルキルホスフィン化合物としては、
特に限定するものではなく、例えばトリエチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピル
ホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィン、トリイソブ
チルホスフィン、トリ−sec−ブチルホスフィン、ト
リ−tert−ブチルホスフィン等が挙げられ、高い反
応活性を有することから好ましくはトリ−tert−ブ
チルホスフィンである。トリアリールホスフィン化合物
としては、特に限定するものではなく、例えばトリフェ
ニルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィン、トリ
トリルホスフィン(P(Tol)3)、トリ−o−トリイ
ルホスフィン、トリ−m−トリイルホスフィン、トリ−
p−トリイルホスフィンが挙げられ、好ましくはトリフ
ェニルホスフィン、トリ−o−トリイルホスフィンであ
る。ジホスフィン化合物としては、特に限定するもので
はなく、例えばビス(ジメチルホスフィノ)メタン、ビ
ス(ジメチルホスフィノ)エタン、ビス(ジシクロヘキ
シルホスフィノ)メタン、ビス(ジシクロヘキシルホス
フィノ)エタン、ビス(ジフェニルホスフィノ)エタ
ン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、
1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、ビス
(ジフェニルホスフィノ)フェロセン、(R)−2,
2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナ
フチル((R)−BINAP)、(S)−2,2’−ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル
((S)−BINAP)、2,2’−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)−1,1’−ビナフチル((±)−BIN
AP)、2S,3S−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン((S,S)−CHIRAPHOS)、2R,3R
−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン((R,R)−
CHIRAPHOS)、2,3−ビス(ジフェニルホス
フィノ)ブタン((±)−CHIRAPHOS)、
(R)−2,2’−ビス(ジ−p−トリイルホスフィ
ノ)−1,1’−ビナフチル((R)−Tol−BIN
AP)、(S)−2,2’−ビス(ジ−p−トリイルホ
スフィノ)−1,1’−ビナフチル((S)−Tol−
BINAP)、2,2’−ビス(ジ−p−トリイルホス
フィノ)−1,1’−ビナフチル((±)−Tol−B
INAP)、4R,5R−ビス(ジフェニルホスフィノ
メチル)−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン
((R,R)−DIOP)、4S,5S−ビス(ジフェ
ニルホスフィノメチル)−2,2−ジメチル−1,3−
ジオキソラン((S,S)−DIOP)、4,5−ビス
(ジフェニルホスフィノメチル)−2,2−ジメチル−
1,3−ジオキソラン((±)−DIOP)、N,N’
−ジメチル−(S)−1−〔(R)−1’、2−ビス
(ジフェニルホスフィノ)フェロセニル〕エチルアミン
((S),(R)−BPPFA)、N,N’−ジメチル
−(R)−1−〔(S)−1’、2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)フェロセニル〕エチルアミン((R),
(S)−BPPFA)、N,N’−ジメチル−1−
〔1’、2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニ
ル〕エチルアミン((±)−BPPFA)が挙げられ、
好ましくはビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,
3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、ビス(ジ
フェニルホスフィノ)フェロセン、BINAPであり、
BINAPは光学活性体でもラセミ体でも良い。
In the production method of the present invention, the trialkylphosphine compound used as a catalyst component includes
There is no particular limitation, for example, triethylphosphine, tricyclohexylphosphine, triisopropylphosphine, tri-n-butylphosphine, triisobutylphosphine, tri-sec-butylphosphine, tri-tert-butylphosphine, and the like. Tri-tert-butylphosphine is preferred because of its activity. The triarylphosphine compound is not particularly limited, and examples thereof include triphenylphosphine, benzyldiphenylphosphine, tolylphosphine (P (Tol) 3 ), tri-o-triylphosphine, tri-m-triylphosphine, Bird
Examples include p-triylphosphine, preferably triphenylphosphine and tri-o-triylphosphine. The diphosphine compound is not particularly limited. For example, bis (dimethylphosphino) methane, bis (dimethylphosphino) ethane, bis (dicyclohexylphosphino) methane, bis (dicyclohexylphosphino) ethane, bis (diphenylphosphino) ) Ethane, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane,
1,4-bis (diphenylphosphino) butane, bis (diphenylphosphino) ferrocene, (R) -2,
2'-bis (diphenylphosphino) -1,1'-binaphthyl ((R) -BINAP), (S) -2,2'-bis (diphenylphosphino) -1,1'-binaphthyl ((S) -BINAP), 2,2'-bis (diphenylphosphino) -1,1'-binaphthyl ((±) -BIN
AP), 2S, 3S-bis (diphenylphosphino) butane ((S, S) -CHIRAPHOS), 2R, 3R
-Bis (diphenylphosphino) butane ((R, R)-
CHIRAPHOS), 2,3-bis (diphenylphosphino) butane ((±) -CHIRAPHOS),
(R) -2,2'-bis (di-p-triylphosphino) -1,1'-binaphthyl ((R) -Tol-BIN
AP), (S) -2,2'-bis (di-p-triylphosphino) -1,1'-binaphthyl ((S) -Tol-
BINAP), 2,2′-bis (di-p-triylphosphino) -1,1′-binaphthyl ((±) -Tol-B
INAP), 4R, 5R-bis (diphenylphosphinomethyl) -2,2-dimethyl-1,3-dioxolane ((R, R) -DIOP), 4S, 5S-bis (diphenylphosphinomethyl) -2, 2-dimethyl-1,3-
Dioxolane ((S, S) -DIOP), 4,5-bis (diphenylphosphinomethyl) -2,2-dimethyl-
1,3-dioxolane ((±) -DIOP), N, N ′
-Dimethyl- (S) -1-[(R) -1 ', 2-bis (diphenylphosphino) ferrocenyl] ethylamine ((S), (R) -BPPFA), N, N'-dimethyl- (R) -1-[(S) -1 ′, 2-bis (diphenylphosphino) ferrocenyl] ethylamine ((R),
(S) -BPPFA), N, N'-dimethyl-1-
[1 ′, 2-bis (diphenylphosphino) ferrocenyl] ethylamine ((±) -BPPFA);
Preferably bis (diphenylphosphino) ethane, 1,
3-bis (diphenylphosphino) propane, bis (diphenylphosphino) ferrocene, BINAP,
BINAP may be optically active or racemic.

【0054】トリアルキルホスフィン化合物、トリフェ
ニルホスフィン化合物又はジホスフィン化合物の使用量
は、パラジウム化合物に対して0.01〜10000倍
モル使用すればよい。使用量がこの範囲であればアリー
ルアミンの選択率に変化はないが、高価なホスフィン化
合物を使用することから、より好ましくはパラジウム化
合物に対して0.1〜10倍モルである。
The amount of the trialkylphosphine compound, triphenylphosphine compound or diphosphine compound used may be 0.01 to 10000 times the molar amount of the palladium compound. If the amount used is in this range, the selectivity of the arylamine does not change, but since an expensive phosphine compound is used, it is more preferably 0.1 to 10 times the mol of the palladium compound.

【0055】本発明の製造方法では、触媒成分としてパ
ラジウム化合物とホスフィン化合物が必須であり、両者
を組み合わせて触媒として反応系に加える。添加方法
は、反応系にそれぞれ単独に加えても、予め錯体の形に
調製して添加してもよい。
In the production method of the present invention, a palladium compound and a phosphine compound are essential as catalyst components, and both are combined and added to the reaction system as a catalyst. Regarding the method of addition, they may be added individually to the reaction system, or may be prepared in advance and added in the form of a complex.

【0056】本反応で使用できる塩基は、ナトリウム、
カリウムの炭酸塩やアルカリ金属アルコキシド等の無機
塩基及び3級アミン等の有機塩基から選択すればよく、
特に制限するものではないが、好ましくは、例えばナト
リウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメ
トキシド、カリウムエトキシド、リチウム−tert−
ブトキシド、ナトリウム−tert−ブトキシド、カリ
ウム−tert−ブトキシド、セシウムカードネート
(Cs2 CO3 )等のようなアルカリ金属アルコキシド
であって、それらは反応場にそのまま加えても、またア
ルカリ金属、水素化アルカリ金属及び水酸化アルカリ金
属とアルコールからその場で調製して反応場に供しても
よい。
The base that can be used in this reaction is sodium,
What is necessary is just to select from inorganic bases, such as potassium carbonate and alkali metal alkoxide, and organic bases, such as a tertiary amine,
Although not particularly limited, preferably, for example, sodium methoxide, sodium ethoxide, potassium methoxide, potassium ethoxide, lithium-tert-
Alkali metal alkoxides such as butoxide, sodium-tert-butoxide, potassium-tert-butoxide, and cesium cardinate (Cs 2 CO 3 ); It may be prepared in situ from an alkali metal and an alkali metal hydroxide and an alcohol and supplied to a reaction field.

【0057】使用する塩基の量は、特に制限されるもの
ではないが、反応に添加する2種類の異なるアリールハ
ライドのハロゲン原子に対して、0.5倍モル以上使用
することが好ましい。塩基の量が、0.5倍モル未満で
は、反応活性が低下しアリールアミンの収率の低下を招
くため好ましくない。塩基の量は大過剰に加えてもアリ
ールアミンの収率に変化はないが、反応終了後の後処理
操作が煩雑になることから、より好ましくは1.0〜5
倍モル以下である。
The amount of the base to be used is not particularly limited, but it is preferable to use 0.5 times or more moles of the halogen atom of the two different aryl halides to be added to the reaction. If the amount of the base is less than 0.5 mol, the reaction activity is decreased, and the yield of the arylamine is decreased, which is not preferable. Even if the amount of the base is added in a large excess, the yield of the arylamine does not change, but the post-treatment operation after the completion of the reaction becomes complicated, so it is more preferably from 1.0 to 5%.
It is less than twice the molar.

【0058】本発明の製造方法における反応は、通常は
不活性溶媒下に実施され、そのような不活性溶媒として
は、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、例え
ばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶
媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル溶媒;アセトニトリル、ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホト
リアミド等を例示することができる。より好ましくは、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒
である。
The reaction in the production method of the present invention is usually carried out in an inert solvent, and any inert solvent may be used as long as it does not significantly inhibit the reaction, such as benzene, toluene, xylene and the like. Aromatic hydrocarbon solvents; ether solvents such as diethyl ether, tetrahydrofuran and dioxane; acetonitrile, dimethylformamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphotriamide and the like. More preferably,
It is an aromatic hydrocarbon solvent such as benzene, toluene and xylene.

【0059】本発明の製造方法は、常圧下、窒素、アル
ゴン等の不活性ガス雰囲気下で実施することが好ましい
が、たとえ加圧条件であっても実施することができる。
本発明の製造方法は、反応温度20℃〜300℃、より
好ましくは50℃〜200℃の範囲、反応時間は、数分
〜72時間の範囲から選択すればよい。
The production method of the present invention is preferably carried out under normal pressure and in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon, but can be carried out even under pressurized conditions.
In the production method of the present invention, the reaction temperature may be selected from the range of 20C to 300C, more preferably 50C to 200C, and the reaction time may be selected from the range of several minutes to 72 hours.

【0060】[0060]

【実施例】以下、本発明を合成例及び実施例に基づいて
さらに詳細に説明する。 合成例1(化合物a) 中間体Aの合成 アルゴン気流下500ミリリットル三口フラスコ中に、
p−ブロモベンズアルデヒド 50g(0.27mo
l)、ベンジルホスホン酸ジエチルエステル 50g
(0.22mmol)、ジメチルスルホキシド(DMS
O) 200ミリリットルを仕込んだ。次にt−ブトキ
シカリウム 30g(0.27mol)を少しずつ添加
し、室温で一晩攪拌し反応させた。反応終了後、反応液
を、水500ミリリットル中に注入し、酢酸エチルで抽
出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポ
レーターで減圧濃縮した。得られた粗結晶を酢酸エチル
100ミミリリットルで再結晶させ、中間体A 46
g(収率81%)を得た。
The present invention will be described below in more detail with reference to Synthesis Examples and Examples. Synthesis Example 1 (Compound a) Synthesis of Intermediate A In a 500 ml three-necked flask under a stream of argon,
50 g of p-bromobenzaldehyde (0.27 mo
l), benzylphosphonic acid diethyl ester 50 g
(0.22 mmol), dimethyl sulfoxide (DMS
O) 200 milliliters were charged. Next, 30 g (0.27 mol) of potassium t-butoxide was added little by little, and the mixture was stirred and reacted at room temperature overnight. After the completion of the reaction, the reaction solution was poured into 500 ml of water and extracted with ethyl acetate. After drying over magnesium sulfate, the mixture was concentrated under reduced pressure using a rotary evaporator. The obtained crude crystals were recrystallized from 100 ml of ethyl acetate to give Intermediate A 46
g (81% yield).

【0061】中間体Bの合成 アルゴン気流下、冷却管付き300ミリリットル三口フ
ラスコ中に、中間体A10g(38mmol)、アニリ
ン 14g(150mmol)、トリス(ジベンジリデ
ンアセトン)ジパラジウム 0.53g(1.5mol
%)、トリ−o−トルイルホスフィン 0.35g(3
mol%)、t−ブトキシナトリウム7.4g(77m
ol)及び乾燥トルエン 100ミミリリットルを加え
た後、100℃で一晩加熱攪拌し反応させた。反応終了
後、析出した結晶を濾取し、メタノール 100ミミリ
リットルで洗浄した。得られた粗結晶を酢酸エチル50
ミミリリットルで再結晶させ、中間体B 7.7g(収
率73%)を得た。
Synthesis of Intermediate B Under a stream of argon, 10 g (38 mmol) of Intermediate A, 14 g (150 mmol) of aniline, 0.53 g (1.5 mol) of dipalladium tris (dibenzylideneacetone) were placed in a 300 ml three-necked flask equipped with a condenser.
%), 0.35 g of tri-o-toluylphosphine (3%
mol%), 7.4 g of sodium t-butoxide (77 m
ol) and 100 ml of dry toluene were added, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. overnight to react. After completion of the reaction, the precipitated crystals were collected by filtration and washed with 100 ml of methanol. The obtained crude crystals were extracted with ethyl acetate 50.
The crystals were recrystallized in milliliters to obtain 7.7 g of intermediate B (73% yield).

【0062】中間体Cの合成 冷却管付き100ミリリットルナスフラスコ中に、4−
ブロモベンジルブロミド 12.5g(50mmo
l)、亜リン酸トリエチル12.5(75mmol)を
加え、100℃で7時間加熱攪拌し反応させた。反応終
了後、過剰な亜リン酸トリエチルを減圧蒸留で留去し、
中間体C 15.4gを得た。中間体Cは、これ以上精
製せずに次の反応に用いた。
Synthesis of Intermediate C In a 100 ml eggplant flask equipped with a cooling tube,
Bromobenzyl bromide 12.5 g (50 mmo
1) and 12.5 (75 mmol) of triethyl phosphite were added, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 7 hours to be reacted. After completion of the reaction, excess triethyl phosphite is distilled off under reduced pressure,
15.4 g of intermediate C were obtained. Intermediate C was used for the next reaction without further purification.

【0063】中間体Dの合成 アルゴン気流下、300ミリリットル三口フラスコ中
に、p−ブロモベンズアルデヒド 9.2g(50mm
ol)、中間体C 15.4g(50mmol)、DM
SO 100ミリリットルを仕込んだ。次にt−ブトキ
シカリウム 6.7g(60mmol)を少しずつ添加
し、室温で一晩攪拌し反応させた。反応終了後、反応液
を、水200ミリリットル中に注入し、酢酸エチルで抽
出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポ
レーターで減圧濃縮した。得られた粗結晶をメタノール
100ミミリリットルで洗浄し、中間体D 13g
(収率77%)を得た。
Synthesis of Intermediate D 9.2 g (50 mm) of p-bromobenzaldehyde was placed in a 300 ml three-necked flask under a stream of argon.
ol), 15.4 g (50 mmol) of intermediate C, DM
100 ml of SO was charged. Next, 6.7 g (60 mmol) of potassium t-butoxide was added little by little, and the mixture was stirred and reacted at room temperature overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 200 ml of water and extracted with ethyl acetate. After drying over magnesium sulfate, the mixture was concentrated under reduced pressure using a rotary evaporator. The obtained crude crystals were washed with 100 ml of methanol, and 13 g of intermediate D was obtained.
(77% yield).

【0064】化合物aの合成 アルゴン気流下、冷却管付き200ミリリットル三口フ
ラスコ中に、中間体B4g(15mmol)、中間体D
2g(6mmol)、トリス(ジベンジリデンアセト
ン)ジパラジウム 0.16g(3mol%)、(S)
−BINAP0.22g(6mol%)、t−ブトキシ
ナトリウム 1.4g(15mmol)及び乾燥トルエ
ン 50ミミリリットルを加えた後、100℃で一晩加
熱攪拌し反応させた。反応終了後、析出した結晶を濾取
してメタノールで洗浄し、60℃で一晩加熱乾燥した。
得られた粗結晶をカラムクロマトグラフ(シリカゲル、
ヘキサン/トルエン=8/2)で精製し、黄色粉末
1.4gを得た。この粉末は、NMR、IR及びFD−
MS(フィールドディソプーションマススペクトル)の
測定により、化合物aと同定された(収率32%:1
NMR (90MHz)でのδ 7.0〜7.4ppm(4
2H、m)))。化合物aのNMRチャートを図1に示
す。化合物aの反応式を以下に示す。
Synthesis of Compound a In a 200 ml three-necked flask equipped with a condenser under an argon stream, 4 g (15 mmol) of Intermediate B and Intermediate D
2 g (6 mmol), 0.16 g (3 mol%) of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, (S)
After adding 0.22 g (6 mol%) of BINAP, 1.4 g (15 mmol) of sodium t-butoxide and 50 ml of dry toluene, the mixture was heated and stirred at 100 ° C. overnight to react. After completion of the reaction, the precipitated crystals were collected by filtration, washed with methanol, and dried by heating at 60 ° C. overnight.
The obtained crude crystals are subjected to column chromatography (silica gel,
Hexane / toluene = 8/2), yellow powder
1.4 g were obtained. This powder has NMR, IR and FD-
The powder was identified as Compound a by the measurement of MS (field desorption mass spectrum) (yield 32%: 1 H).
Δ at NMR (90 MHz) 7.0-7.4 ppm (4
2H, m))). FIG. 1 shows an NMR chart of the compound a. The reaction formula of compound a is shown below.

【0065】[0065]

【化26】 Embedded image

【0066】合成例2(化合物b) 中間体Eの合成 アルゴン気流下、300ミリリットル三口フラスコ中
に、p−トルアルデヒド6g(50mmol)、中間体
C 15.4g(50mmol)、DMSO100ミリ
リットルを仕込んだ。次にt−ブトキシカリウム 6.
7g(60mmol)を少しずつ添加し、室温で一晩攪
拌し反応させた。反応終了後、反応液を水200ミリリ
ットル中に注入し、酢酸エチルで抽出した。硫酸マグネ
シウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮
した。得られた粗結晶をメタノール 100ミミリリッ
トルで洗浄し、中間体E 9.2g(収率67%)を得
た。
Synthesis Example 2 (Compound b) Synthesis of Intermediate E In a 300 ml three-necked flask, 6 g (50 mmol) of p-tolualdehyde, 15.4 g (50 mmol) of intermediate C, and 100 ml of DMSO were charged under a stream of argon. . Next, potassium t-butoxy6.
7 g (60 mmol) was added little by little, and the mixture was stirred and reacted at room temperature overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 200 ml of water and extracted with ethyl acetate. After drying over magnesium sulfate, the mixture was concentrated under reduced pressure using a rotary evaporator. The obtained crude crystals were washed with 100 ml of methanol to obtain 9.2 g of intermediate E (yield 67%).

【0067】化合物bの合成 アルゴン気流下、冷却管付き200ミリリットル三口フ
ラスコ中に、中間体E4g(15mmol)、N,N’
−ジフェニルベンジジン 2g(6mmol)、トリス
(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム 0.16g
(3mol%)、(S)−BINAP 0.22g(6
mol%)、t−ブトキシナトリウム1.4g(15m
mol)及び乾燥トルエン 50ミミリリットルを加え
た後、100℃で一晩加熱攪拌し反応させた。反応終了
後、析出した結晶を濾取してメタノールで洗浄し、60
℃で一晩加熱乾燥した。得られた粗結晶をカラムクロマ
トグラフ(シリカゲル、ヘキサン/トルエン=8/2)
で精製し、黄色粉末2.5gを得た。この粉末は、NM
R、IR及びFD−MSの測定により、化合物bと同定
された(収率58%:1 NMR (90MHz)でのδ
7.0〜7.4ppm(40H、m)、δ 2.34p
pm(6H、s)))。化合物bのNMRチャートを図
2に示す。化合物bの反応式を以下に示す。
Synthesis of Compound b Under a stream of argon, in a 200 ml three-necked flask equipped with a condenser, 4 g (15 mmol) of intermediate E, N, N '
-Diphenylbenzidine 2 g (6 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium 0.16 g
(3 mol%), 0.22 g of (S) -BINAP (6
mol%), 1.4 g of sodium t-butoxide (15 m
mol) and 50 ml of dry toluene, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. overnight to react. After completion of the reaction, the precipitated crystals were collected by filtration and washed with methanol,
It was dried by heating at ℃ overnight. The obtained crude crystals are subjected to column chromatography (silica gel, hexane / toluene = 8/2).
And 2.5 g of a yellow powder was obtained. This powder is NM
It was identified as Compound b by measurement of R, IR and FD-MS (yield 58%: δ by 1 H NMR (90 MHz)).
7.0-7.4 ppm (40H, m), δ 2.34p
pm (6H, s))). FIG. 2 shows an NMR chart of the compound b. The reaction formula of compound b is shown below.

【0068】[0068]

【化27】 Embedded image

【0069】合成例3(化合物c) 化合物cの合成 アルゴン気流下、冷却管付き200ミリリットル三口フ
ラスコ中に、中間体B4g(15mmol)、1,4−
ジプロモナフタレン 1.7g(6mmol)、トリス
(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム 0.16g
(3mol%)、(S)−BINAP 0.22g(6
mol%)、t−ブトキシナトリウム1.4g(15m
mol)及び乾燥トルエン 50ミミリリットルを加え
た後、100℃で一晩加熱攪拌し反応させた。反応終了
後、析出した結晶を濾取してメタノールで洗浄し、60
℃で一晩加熱乾燥した。得られた粗結晶をカラムクロマ
トグラフ(シリカゲル、ヘキサン/トルエン=8/2)
で精製し、黄色粉末2.0gを得た。この粉末は、NM
R、IR及びFD−MSの測定により、化合物cと同定
された(収率50%:1 NMR (90MHz)でのδ
7.0〜7.4ppm(68H、m))。化合物cの反
応式を以下に示す。
Synthesis Example 3 (Compound c) Synthesis of Compound c In a 200 ml three-necked flask equipped with a condenser under an argon stream, 4 g (15 mmol) of Intermediate B and 1,4-
1.7 g (6 mmol) of dipromonaphthalene, 0.16 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium
(3 mol%), 0.22 g of (S) -BINAP (6
mol%), 1.4 g of sodium t-butoxide (15 m
mol) and 50 ml of dry toluene, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. overnight to react. After completion of the reaction, the precipitated crystals were collected by filtration and washed with methanol,
It was dried by heating at ℃ overnight. The obtained crude crystals are subjected to column chromatography (silica gel, hexane / toluene = 8/2).
Then, 2.0 g of a yellow powder was obtained. This powder is NM
It was identified as compound c by the measurement of R, IR and FD-MS (yield 50%: δ by 1 H NMR (90 MHz)).
7.0-7.4 ppm (68H, m)). The reaction formula of compound c is shown below.

【0070】[0070]

【化28】 Embedded image

【0071】合成例4(化合物d) 化合物dの合成 アルゴン気流下、冷却管付き200ミリリットル三口フ
ラスコ中に、中間体B4g(15mmol)、9,10
−ジプロモアントラセン 2g(6mmol)、トリス
(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム 0.16g
(3mol%)、トリ−t−ブチルホスフィン 0.0
7g(6mol%)、t−ブトキシナトリウム 1.4
g(15mmol)及び乾燥トルエン 50ミミリリッ
トルを加えた後、100℃で一晩加熱攪拌し反応させ
た。反応終了後、析出した結晶を濾取してメタノールで
洗浄し、60℃で一晩加熱乾燥した。得られた粗結晶を
カラムクロマトグラフ(シリカゲル、ヘキサン/トルエ
ン=8/2)で精製し、黄色粉末 1.9gを得た。こ
の粉末は、NMR、IR及びFD−MSの測定により、
化合物dと同定された(収率44%:1 NMR (90M
Hz)でのδ 7.0〜7.4ppm(40H、
m)))。化合物dの反応式を以下に示す。
Synthesis Example 4 (Compound d) Synthesis of Compound d In a 200 ml three-necked flask equipped with a condenser under an argon stream, 4 g (15 mmol) of Intermediate B, 9,10
-2 g (6 mmol) of dipromoanthracene, 0.16 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium
(3 mol%), tri-t-butylphosphine 0.0
7 g (6 mol%), sodium t-butoxide 1.4
g (15 mmol) and 50 ml of dry toluene were added, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. overnight to react. After completion of the reaction, the precipitated crystals were collected by filtration, washed with methanol, and dried by heating at 60 ° C. overnight. The obtained crude crystals were purified by column chromatography (silica gel, hexane / toluene = 8/2) to obtain 1.9 g of a yellow powder. This powder was measured by NMR, IR and FD-MS,
It was identified as Compound d (44% yield: 1 H NMR (90 M
Hz) δ 7.0-7.4 ppm (40H,
m))). The reaction formula of compound d is shown below.

【0072】[0072]

【化29】 Embedded image

【0073】合成例5(化合物e) 中間体Eの合成 アルゴン気流下、300ミリリットル三口フラスコ中
に、trans−4−スチルベンアルデヒド 10.4
g(50mmol)、中間体C 15.4g(50mm
ol)、DMSO 100ミリリットルを仕込んだ。次
にt−ブトキシカリウム 6.7g(60mmol)を
少しずつ添加し、室温で一晩攪拌し反応させた。反応終
了後、反応液を水200ミリリットル中に注入し、酢酸
エチルで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータ
リーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗結晶を
メタノール 100ミミリリットルで洗浄し、中間体F
12.5g(収率69%)を得た。
Synthesis Example 5 (Compound e) Synthesis of Intermediate E Trans-4-stilbenaldehyde 10.4 was placed in a 300 ml three-necked flask under a stream of argon.
g (50 mmol), 15.4 g of intermediate C (50 mm
ol) and 100 ml of DMSO. Next, 6.7 g (60 mmol) of potassium t-butoxide was added little by little, and the mixture was stirred and reacted at room temperature overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 200 ml of water and extracted with ethyl acetate. After drying over magnesium sulfate, the mixture was concentrated under reduced pressure using a rotary evaporator. The obtained crude crystals were washed with 100 ml of methanol to obtain an intermediate F
12.5 g (69% yield) was obtained.

【0074】化合物eの合成 アルゴン気流下、冷却管付き200ミリリットル三口フ
ラスコ中に、中間体F5.4g(15mmol)、N,
N’−ジフェニルベンジジン 2g(6mmol)、ト
リス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム 0.1
6g(3mol%)、トリ−o−トルイルホスフィン
0.11g(6mol%)、t−ブトキシナトリウム
1.4g(15mmol)及び乾燥トルエン 50ミミ
リリットルを加えた後、100℃で一晩加熱攪拌し反応
させた。反応終了後、析出した結晶を濾取してメタノー
ルで洗浄し、60℃で一晩加熱乾燥した。得られた粗結
晶をカラムクロマトグラフ(シリカゲル、ヘキサン/ト
ルエン=6/4)で精製し、黄色粉末 1.0gを得
た。この粉末は、NMR、IR及びFD−MSの測定に
より、化合物eと同定された(収率19%:1
NMR (90MHz)でのδ7.0〜7.5ppm(52
H、m))。化合物eのNMRチャートを図3に示す。
化合物eの反応式を以下に示す。
Synthesis of Compound e In a 200 ml three-necked flask equipped with a condenser under an argon stream, 5.4 g (15 mmol) of intermediate F, N,
N′-diphenylbenzidine 2 g (6 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium 0.1
6 g (3 mol%), tri-o-toluylphosphine
0.11 g (6 mol%), sodium t-butoxide
After adding 1.4 g (15 mmol) and 50 ml of dry toluene, the mixture was heated and stirred at 100 ° C. overnight to react. After completion of the reaction, the precipitated crystals were collected by filtration, washed with methanol, and dried by heating at 60 ° C. overnight. The obtained crude crystals were purified by column chromatography (silica gel, hexane / toluene = 6/4) to obtain 1.0 g of a yellow powder. This powder was identified as Compound e by NMR, IR and FD-MS measurements (yield 19%: 1 H).
Δ 7.0-7.5 ppm (52 at NMR (90 MHz)).
H, m)). FIG. 3 shows an NMR chart of the compound e.
The reaction formula of compound e is shown below.

【0075】[0075]

【化30】 Embedded image

【0076】化合物fの合成 アルゴン気流下、冷却管付き200ミリリットル三口フ
ラスコ中に、中間体A7.8g(30mmol)、4,
4’−ジアミノスチルベン 二酸化炭素 1.7g(6
mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラ
ジウム 0.16g(3mol%)、(S)−BINA
P 0.22g(6mol%)、t−ブトキシナトリウ
ム 9.6g(0.1mol)及び乾燥トルエン 50
ミミリリットルを加えた後、100℃で一晩加熱攪拌し
反応させた。反応終了後、析出した結晶を濾取してメタ
ノールで洗浄し、60℃で一晩加熱乾燥した。得られた
粗結晶をカラムクロマトグラフ(シリカゲル、ヘキサン
/トルエン=6/4)で精製し、黄色粉末 2.0gを
得た。この粉末は、NMR、IR及びFD−MSの測定
により、化合物fと同定された(収率36%:1 NMR
(90MHz)でのδ 7.0〜7.5ppm(54
H、m))。化合物fの反応式を以下に示す。
Synthesis of Compound f Under a stream of argon, 7.8 g (30 mmol) of intermediate A was placed in a 200 ml three-necked flask equipped with a condenser.
1.7 g of 4'-diaminostilbene carbon dioxide (6
mmol), 0.16 g (3 mol%) of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, (S) -BINA
0.22 g (6 mol%) of P, 9.6 g (0.1 mol) of sodium t-butoxide and 50 parts of dry toluene
After adding milliliter, the mixture was heated and stirred at 100 ° C. overnight to react. After completion of the reaction, the precipitated crystals were collected by filtration, washed with methanol, and dried by heating at 60 ° C. overnight. The obtained crude crystals were purified by column chromatography (silica gel, hexane / toluene = 6/4) to obtain 2.0 g of a yellow powder. This powder was identified as compound f by NMR, IR and FD-MS measurements (36% yield: 1 H NMR).
(90 MHz) δ 7.0 to 7.5 ppm (54
H, m)). The reaction formula of compound f is shown below.

【0077】[0077]

【化31】 Embedded image

【0078】実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、正孔注入材とし
て下記化合物(TPD74)を膜厚60nmに真空蒸着
した。
Example 1 The following compound (TPD74) as a hole injection material was vacuum-deposited to a thickness of 60 nm on a washed glass plate with an ITO electrode.

【化32】 次に、正孔輸送材として下記化合物(NPD)を膜厚2
0nmに真空蒸着した。
Embedded image Next, the following compound (NPD) was used as a hole transport material to a thickness of 2
Vacuum deposited to 0 nm.

【化33】 次に、発光材料としてスチルベン誘導体の4,4’−ビ
ス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVB
i)及び上記化合物(a)を、化合物(a)の割合が2
重量%、膜厚40nmとなるように同時蒸着した。尚、
化合物(a)は蛍光性のドーパント又は発光中心として
機能する。次に、電子注入材として下記化合物(Al
q)
Embedded image Next, a stilbene derivative 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (DPVB) was used as a light emitting material.
i) and the above compound (a), when the ratio of the compound (a) is 2
Co-evaporation was performed so that the weight% and the film thickness became 40 nm. still,
Compound (a) functions as a fluorescent dopant or luminescent center. Next, the following compound (Al
q)

【化34】 を膜厚20nmで蒸着し、さらにLiFを膜厚0.5n
mで蒸着後アルミニウムを膜厚100nm蒸着し電極を
形成して有機EL素子を得た。各層は10-6Torrの
真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
の発光特性は、直流電圧6Vの印加電圧で発光輝度10
0(cd/m2)、発光効率は2.1(lm/W)であっ
た。色度座標は(0.146,0.140)と純度の高
い青色発光が可能となった。また、初期発光輝度200
(cd/m2)で、定電流駆動したところ半減寿命は20
00時間と長寿命であった。これらの発光特性を表1に
示す。尚、化合物aのエネルギーギャップは2.78e
V、DPVBiは3.0eVであった。
Embedded image Is deposited in a thickness of 20 nm, and LiF is further deposited in a thickness of 0.5 n.
After depositing with m, aluminum was deposited to a thickness of 100 nm to form an electrode to obtain an organic EL device. Each layer was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. The luminous characteristics of this device are such that a luminous luminance of 10 at a DC voltage of 6 V is applied.
0 (cd / m 2 ), and the luminous efficiency was 2.1 (lm / W). The chromaticity coordinates were (0.146, 0.140), and blue light emission with high purity was possible. In addition, initial light emission luminance 200
(Cd / m 2 ), the half life was 20 when driven at a constant current.
The life was as long as 00 hours. Table 1 shows these light emission characteristics. The energy gap of compound a is 2.78 e.
V and DPVBi were 3.0 eV.

【0079】実施例2 ドーパント又は発光中心として、上記化合物bを使用し
た以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製し
た。この素子の発光特性は、直流電圧6Vの印加電圧で
発光輝度110(cd/m2)、発光効率は1.3(lm
/W)であった。色度座標は(0.152,0.16
3)と純度の高い青色発光が可能となった。また、初期
発光輝度200(cd/m2)で、定電流駆動したところ
半減寿命は1500時間と長寿命であった。これらの発
光特性を表1に示す。尚、化合物bのエネルギーギャッ
プは2.90eV、DPVBiは3.0eVであった。
Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the above compound b was used as a dopant or a luminescent center. The light-emitting characteristics of this device were such that a light-emitting luminance of 110 (cd / m 2 ) and a light-emitting efficiency of 1.3 (lm) were obtained by applying a DC voltage of 6 V.
/ W). The chromaticity coordinates are (0.152, 0.16
3) and high-purity blue light emission became possible. In addition, the half-life was 1500 hours when the device was driven at a constant current at an initial luminance of 200 (cd / m 2 ). Table 1 shows these light emission characteristics. In addition, the energy gap of compound b was 2.90 eV, and DPVBi was 3.0 eV.

【0080】実施例3 ドーパント又は発光中心として、上記化合物cを使用し
た以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製し
た。この素子の発光特性は、直流電圧6Vの印加電圧で
発光輝度130(cd/m2)、発光効率は2.1(lm
/W)であった。色度座標は(0.162,0.18
1)と純度の高い青色発光が可能となった。また、初期
発光輝度200(cd/m2)で、定電流駆動したところ
半減寿命は2800時間と長寿命であった。これらの発
光特性を表1に示す。尚、化合物cのエネルギーギャッ
プは2.83eV、DPVBiは3.0eVであった。
Example 3 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the above compound c was used as a dopant or a luminescent center. The light-emitting characteristics of this device are such that a light-emitting luminance is 130 (cd / m 2 ) and a light-emitting efficiency is 2.1 (lm) when a DC voltage of 6 V is applied.
/ W). The chromaticity coordinates are (0.162, 0.18
1) Blue light emission with high purity was made possible. In addition, when the device was driven at a constant current at an initial luminance of 200 (cd / m 2 ), the half-life was 2800 hours, which was a long life. Table 1 shows these light emission characteristics. In addition, the energy gap of compound c was 2.83 eV, and DPVBi was 3.0 eV.

【0081】実施例4 ドーパント又は発光中心として、上記化合物dを使用し
た以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製し
た。この素子の発光特性は、直流電圧6Vの印加電圧で
発光輝度300(cd/m2)、発光効率は4.6(lm
/W)で、高効率な緑色発光が可能となった。また、初
期発光輝度200(cd/m2)で、定電流駆動したとこ
ろ半減寿命は3400時間と長寿命であった。これらの
発光特性を表1に示す。尚、化合物dのエネルギーギャ
ップは2.78eV、DPVBiは3.0eVであっ
た。
Example 4 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the above compound d was used as a dopant or a luminescent center. The light-emitting characteristics of this device are such that a light-emitting luminance is 300 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 6 V and a light-emitting efficiency is 4.6 (lm).
/ W), high-efficiency green light emission became possible. In addition, when driven at a constant current at an initial luminance of 200 (cd / m 2 ), the half life was 3400 hours, which was a long life. Table 1 shows these light emission characteristics. In addition, the energy gap of compound d was 2.78 eV, and DPVBi was 3.0 eV.

【0082】比較例1 ドーパント又は発光中心として下記化合物(TPD)を
使用したことを除き、実施例1と同様にして有機EL素
子を作製した。
Comparative Example 1 An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the following compound (TPD) was used as a dopant or a luminescent center.

【化35】 この素子の発光特性は、直流電圧5Vの印加電圧で発光
輝度60(cd/m2)、発光効率0.7(lm/W)と
充分な性能が得られなかった。TPDは発光中心として
機能せず、このためDPVTPからの発光が得られた。
また、初期発光輝度200(cd/m2)で、定電流駆動
したところ半減寿命は100時間と短かった。これらの
発光特性を表1に示す。尚、TPDのエネルギーギャッ
プは3.10eV、DPVBiは3.0eVであった。
Embedded image Regarding the light emission characteristics of this element, sufficient performance such as a light emission luminance of 60 (cd / m 2 ) and a light emission efficiency of 0.7 (lm / W) at an applied voltage of DC voltage of 5 V could not be obtained. TPD did not function as a light emission center, and thus light emission from DPVTP was obtained.
When driven at a constant current with an initial light emission luminance of 200 (cd / m 2 ), the half-life was as short as 100 hours. Table 1 shows these light emission characteristics. The energy gap of TPD was 3.10 eV, and DPVBi was 3.0 eV.

【0083】比較例2 ドーパント又は発光材料として上記化合物aを、発光材
料として上記化合物(Alq)を使用したことを除き、
実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。この素
子の発光特性は、直流電圧6Vの印加電圧で発光輝度2
10(cd/m 2)、発光効率1.3(lm/W)であっ
たが、Alqの桃色発光しか得られなかった。また、初
期発光輝度200(cd/m2)で定電流駆動したところ
半減寿命は200時間と寿命が短かった。これらの発光
特性を表1に示す。化合物aは発光中心として機能して
いなかった。尚、化合物aのエネルギーギャップは2.
95eV、Alqは2.7eVであった。
Comparative Example 2 The above compound a was used as a dopant or a luminescent material.
Except that the above compound (Alq) was used as a material,
An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 1. This element
The light emission characteristics of the element are as follows.
10 (cd / m Two) And luminous efficiency of 1.3 (lm / W).
However, only pink emission of Alq was obtained. Also, the first
Initial luminance 200 (cd / mTwo) With constant current drive
The half life was short, 200 hours. These luminescence
Table 1 shows the characteristics. Compound a functions as a luminescent center
did not exist. The energy gap of the compound a is 2.
95 eV and Alq were 2.7 eV.

【0084】比較例3 ドーパント又は発光材料を使用せず、単独の発光材料と
して上記化合物cを使用したことを除き、実施例1と同
様にして有機EL素子を作製した。この素子の発光特性
は、直流電圧6Vの印加電圧で発光輝度40(cd/m
2)、発光効率0.9(lm/W)と充分な性能が得られ
なかった。また、初期発光輝度200(cd/m2)で定
電流駆動したところ半減寿命は180時間と寿命が短か
った。これらの発光特性を表1に示す。
Comparative Example 3 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the above compound c was used as a single light emitting material without using a dopant or a light emitting material. The light emission characteristics of this element were such that a light emission luminance of 40 (cd / m
2 ) Sufficient performance with a luminous efficiency of 0.9 (lm / W) was not obtained. When the device was driven at a constant current with an initial light emission luminance of 200 (cd / m 2 ), the half life was short, that is, 180 hours. Table 1 shows these light emission characteristics.

【0085】[0085]

【表1】 [Table 1]

【0086】表1に示したように、ホスト材料に微量
(1〜20重量%)の上記一般式〔1〕で示される化合
物をドーパント又は発光中心として添加した実施例1〜
3の有機EL素子は、比較例1〜3に比べ発光効率が高
く、寿命も大幅に長かった。
As shown in Table 1, Examples 1 to 5 in which a very small amount (1 to 20% by weight) of the compound represented by the above general formula [1] was added to the host material as a dopant or an emission center.
The organic EL device of No. 3 had higher luminous efficiency and a longer life than Comparative Examples 1 to 3.

【0087】[0087]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
上記一般式〔1〕で表される化合物からなる有機エレク
トロルミネッセンス素子用材料又は〔1’〕で表される
新規化合物をドーパント又は発光中心として使用した有
機エレクトロルミネッセンス素子は、低い印加電圧で実
用上充分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間
使用しても性能が劣化しずらく寿命が長い。また、本発
明の方法により有機素子用材料を製造すると、発光効率
が高く、寿命が長く、高活性な有機エレクトロルミネッ
センス素子用材料を、不純物が少なく高収率で製造する
ことができる。
As described in detail above, a material for an organic electroluminescent device comprising the compound represented by the above general formula [1] of the present invention or a novel compound represented by the above [1 '] is used as a dopant or The organic electroluminescent element used as the luminescent center can obtain practically sufficient luminous brightness at a low applied voltage, has high luminous efficiency, has a long life, and its performance is not easily deteriorated even when used for a long time. In addition, when an organic element material is produced by the method of the present invention, a highly active organic electroluminescent element material having high luminous efficiency, long life, and high activity can be produced with a small amount of impurities and a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の製造方法で合成した化合物aの1
NMR チャートである。
FIG. 1 shows 1 H of compound a synthesized by the production method of the present invention.
It is an NMR chart.

【図2】 本発明の製造方法で合成した化合物bの1
NMR チャートである。
FIG. 2 shows 1 H of compound b synthesized by the production method of the present invention.
It is an NMR chart.

【図3】 本発明の製造方法で合成した化合物eの1
NMR チャートである。
FIG. 3 shows 1 H of compound e synthesized by the production method of the present invention.
It is an NMR chart.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の電極間に発光層または発光層を含
む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、該発光層が下記一般式
〔1〕で示される化合物からなる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子用材料を発光中心として0.1〜20重量
%含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 一般式〔1〕 【化1】 〔式中、Aは置換もしくは未置換の炭素原子数6〜21
のアリーレン基を表す。X1 〜X4 は、それぞれ独立
に、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜30のアリー
レン基を表し、X1 とX2 、X3 とX4 は互いに連結し
ていてもよい。Y1〜Y4 は、それぞれ独立に、下記一
般式〔2〕で示される有機基を表す。a〜dは0〜2の
整数を表す。ただし、a+b+c+d>0である。 一般式〔2〕 【化2】 (式中、R1 〜R4 は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール
基、シアノ基を表すか、R1 とR2 またはR3 とR4
結合した三重結合を表す。Zは置換もしくは未置換の炭
素原子数6〜20のアリール基を表す。nは0もしくは
1を表す。)〕
1. An organic electroluminescent device comprising a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein the light emitting layer is made of a compound represented by the following general formula [1]. An organic electroluminescence device comprising 0.1 to 20% by weight of a material for an organic electroluminescence device based on a light emission center. General formula [1] [In the formula, A is a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 21 carbon atoms.
Represents an arylene group. X 1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 , and X 3 and X 4 may be connected to each other. Y 1 to Y 4 each independently represent an organic group represented by the following general formula [2]. a to d represent an integer of 0 to 2. However, a + b + c + d> 0. General formula [2] (Wherein, R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
It represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a cyano group, or a triple bond in which R 1 and R 2 or R 3 and R 4 are bonded. Z represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. )]
【請求項2】 一対の電極間に発光層または発光層を含
む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、正孔注入材料、正孔輸
送材料又は電子輸送材料の中から選ばれる少なくとも一
種類の材料に、請求項1に記載の一般式〔1〕で示され
る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を、それぞ
れ独立に0.1〜20重量%含有することを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. An organic electroluminescence device comprising a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light-emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein the material is selected from a hole injection material, a hole transport material, and an electron transport material. An organic electroluminescent device characterized in that each of the at least one selected material independently contains 0.1 to 20% by weight of the material for an organic electroluminescent device represented by the general formula [1] according to claim 1. Luminescent element.
【請求項3】 一対の電極間に発光層または発光層を含
む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、該発光層がスチルベン
誘導体及び請求項1に記載の一般式〔1〕で示される有
機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する層で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
3. An organic electroluminescence device comprising a light-emitting layer or a plurality of organic compound thin films including the light-emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein the light-emitting layer is a stilbene derivative and a compound represented by the general formula [1] 1) An organic electroluminescence device comprising a layer containing the material for an organic electroluminescence device shown in 1).
【請求項4】 芳香族三級アミン誘導体および/または
フタロシアニン誘導体を含有する層を、発光層と陽極と
の間に形成してなることを特徴とする請求項1〜3のい
ずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. The method according to claim 1, wherein a layer containing an aromatic tertiary amine derivative and / or a phthalocyanine derivative is formed between the light emitting layer and the anode. Organic electroluminescent element.
【請求項5】 前記一般式〔1〕の式中Aが、下記一般
式〔3〕又は〔4〕で示される基であることを特徴とす
る請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。 一般式〔3〕 【化3】 一般式〔4〕 【化4】 (式中、R5 〜R24は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール基
又はシアノ基を表し、隣接するものが互いに結合し、飽
和又は不飽和の炭素環を形成していても良い。)
5. The organic compound according to claim 1, wherein A in the general formula [1] is a group represented by the following general formula [3] or [4]. Electroluminescence element. General formula [3] General formula [4] (Wherein, R 5 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
Represents a substituted or unsubstituted aryl group or cyano group having 6 to 20 carbon atoms, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon ring. )
【請求項6】 前記一般式〔1〕の式中Aが、下記一般
式〔5〕で示される基であることを特徴とする請求項1
〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。 一般式〔5〕 【化5】 (式中、R25〜R34は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール
基、シアノ基を表し、隣接するものが互いに結合し、飽
和又は不飽和の炭素環を形成していても良い。)
6. The compound according to claim 1, wherein A in the general formula [1] is a group represented by the following general formula [5].
6. The organic electroluminescence device according to any one of items 1 to 5, General formula [5] (Wherein, R 25 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
Represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a cyano group, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon ring. )
【請求項7】 前記一般式〔1〕で示される有機エレク
トロルミネッセンス素子用材料のエネルギーギャップ
が、ホスト材料のエネルギーギャップより0.07eV
以上小さいことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. The energy gap of the material for an organic electroluminescence device represented by the general formula [1] is 0.07 eV higher than the energy gap of the host material.
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic electroluminescent device is small.
【請求項8】 下記一般式〔1’〕で示される新規化合
物。 一般式〔1’〕 【化6】 〔式中、Aは下記一般式〔5〕で示される基を表す。X
1 〜X4 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の炭
素原子数6〜30のアリーレン基を表し、X1 とX2
3 とX4 は互いに連結していてもよい。Y1 〜Y
4 は、それぞれ独立に、下記一般式〔2〕で示される有
機基を表す。a〜dは0〜2の整数を表す。ただし、a
+b+c+d>0である。 一般式〔5〕 【化7】 (式中、R25〜R34は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール
基、シアノ基を表し、隣接するものが互いに結合し、飽
和又は不飽和の炭素環を形成していても良い。) 一般式〔2〕 【化8】 (式中、R1 〜R4 は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール
基、シアノ基を表すか、R1 とR2 またはR3 とR4
結合した三重結合を表す。Zは置換もしくは未置換の炭
素原子数6〜20のアリール基を表す。nは0もしくは
1を表す。)〕
8. A novel compound represented by the following general formula [1 ′]. General formula [1 '] [In the formula, A represents a group represented by the following general formula [5]. X
1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 ,
X 3 and X 4 may be linked to each other. Y 1 to Y
4 each independently represents an organic group represented by the following general formula [2]. a to d represent an integer of 0 to 2. Where a
+ B + c + d> 0. General formula [5] (Wherein, R 25 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
Represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a cyano group, and adjacent groups may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbon ring. ) General formula [2] (Wherein, R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
It represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a cyano group, or a triple bond in which R 1 and R 2 or R 3 and R 4 are bonded. Z represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. )]
【請求項9】 ホスフィン化合物とパラジウム化合物か
らなる触媒及び塩基の存在下で、下記一般式〔6〕 R(NR’H)k 〔6〕 (式中、kは1〜3の整数を表し、kが1のときR及び
R’は水素原子、アルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基を表し、kが2以上のときRはアルキレン基又
は置換もしくは無置換のアリーレン基、R’は水素原
子、アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表
す。)で示される1級又は2級アミンと、下記一般式
〔7〕 Ar(X)m 〔7〕 (式中、Arは置換又は無置換のアリール基を表し、X
はF、Cl、Br又はIを表し、mは1〜3の整数を表
す。ただし、R、R’及びArのうち少なくとも一種類
はスチリル基を含有し、kが2のときはNに置換する
R’は異なっていても良い。)で示されるアリールハラ
イドとを反応させ、アリールアミン化合物からなる有機
素子用材料を製造することを特徴とする有機素子用材料
の製造方法。
9. In the presence of a catalyst comprising a phosphine compound and a palladium compound and a base, the following general formula [6] R (NR′H) k [6] (where k represents an integer of 1 to 3, When k is 1, R and R ′ represent a hydrogen atom, an alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, and when k is 2 or more, R is an alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and R ′ is a hydrogen atom , An alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group) and a primary or secondary amine represented by the following general formula [7] Ar (X) m [7] (where Ar is substituted or unsubstituted) X represents an aryl group
Represents F, Cl, Br or I, and m represents an integer of 1 to 3. However, at least one of R, R 'and Ar contains a styryl group, and when k is 2, the R' substituted with N may be different. A) producing an organic device material comprising an arylamine compound by reacting the compound with an aryl halide represented by the formula (1).
【請求項10】 前記アリールアミン化合物が、下記式
〔8〕で示される化合物であることを特徴とする請求項
9に記載の有機素子用材料の製造方法。一般式〔8〕 【化9】 〔式中、Aは置換もしくは未置換の炭素原子数6〜60
のアリーレン基を表す。X1 〜X4 は、それぞれ独立
に、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜30のアリー
レン基を表し、X1 とX2 、X3 とX4 は互いに連結し
ていてもよい。Y1〜Y4 は、それぞれ独立に、下記一
般式〔2〕で示される有機基を表す。a〜dは0〜2の
整数を表す。ただし、a+b+c+d>0である。 一般式〔2〕 【化10】 (式中、R1 〜R4 は、それぞれ独立に、水素原子、置
換もしくは未置換の炭素原子数1〜20のアルキル基、
置換もしくは未置換の炭素原子数6〜20のアリール
基、シアノ基を表すか、R1 とR2 またはR3 とR4
結合した三重結合を表す。Zは置換もしくは未置換の炭
素原子数6〜20のアリール基を表す。nは0もしくは
1を表す。)〕
10. The method for producing a material for an organic device according to claim 9, wherein the arylamine compound is a compound represented by the following formula [8]. General formula [8] [Wherein A is a substituted or unsubstituted carbon atom having 6 to 60 carbon atoms.
Represents an arylene group. X 1 to X 4 each independently represent a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and X 1 and X 2 , and X 3 and X 4 may be connected to each other. Y 1 to Y 4 each independently represent an organic group represented by the following general formula [2]. a to d represent an integer of 0 to 2. However, a + b + c + d> 0. General formula [2] (Wherein, R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
It represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a cyano group, or a triple bond in which R 1 and R 2 or R 3 and R 4 are bonded. Z represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. )]
【請求項11】 前記ホスフィン化合物が、トリアルキ
ルホスフィン化合物、トリアリールホスフィン化合物又
はジホスフィン化合物であることを特徴とする請求項9
に記載の有機素子用材料の製造方法。
11. The phosphine compound according to claim 9, wherein the compound is a trialkylphosphine compound, a triarylphosphine compound or a diphosphine compound.
3. The method for producing a material for an organic element according to item 1.
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