JP2001052587A - Microrelay - Google Patents

Microrelay

Info

Publication number
JP2001052587A
JP2001052587A JP11219832A JP21983299A JP2001052587A JP 2001052587 A JP2001052587 A JP 2001052587A JP 11219832 A JP11219832 A JP 11219832A JP 21983299 A JP21983299 A JP 21983299A JP 2001052587 A JP2001052587 A JP 2001052587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
movable
contact
fixed
cap member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11219832A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takuya Nakajima
卓哉 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP11219832A priority Critical patent/JP2001052587A/en
Publication of JP2001052587A publication Critical patent/JP2001052587A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H01H2059/0027Movable electrode connected to ground in the open position, for improving isolation

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a substrate from a silicon wafer, realize a desired isolation characteristic and insertion loss characteristic even when processing a high-frequency signal, and prevent generation of unnecessary radiation. SOLUTION: This microrelay has an upper contact part 15a electrically conducted to a moving contact 15, exposed on the upper surface of a moving substrate 2; and a cap member 3 covering the moving substrate 2, provided to a fixed substrate 1. The cap member 3 is formed with a conductive part 19 connected to the upper contact part 15a when the moving substrate 2 is not driven, while the conductive part 19 is grounded.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロリレーに
関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a micro relay.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、マイクロリレーとして、例えば、
固定電極である固定基板に、可動電極である可動基板を
対向配設し、両電極間に電圧を印加して静電引力を発生
させることにより、可動基板を駆動し、前記可動基板の
下面に形成した可動接点を、前記固定基板の上面に形成
した両固定接点に接離することにより、各固定接点から
延びる信号配線間を導通・遮断するものがある。一般
に、前記各基板には、加工が容易なシリコンウェハが使
用されている。そして、信号配線や接点は、シリコンウ
ェハ上に絶縁膜を介して形成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a micro relay, for example,
A movable substrate, which is a movable electrode, is disposed opposite to a fixed substrate, which is a fixed electrode, and a voltage is applied between the two electrodes to generate an electrostatic attraction, thereby driving the movable substrate, and the lower surface of the movable substrate is driven. In some cases, the formed movable contact is brought into contact with and separated from both fixed contacts formed on the upper surface of the fixed substrate, thereby conducting / cutting off the signal wiring extending from each fixed contact. Generally, a silicon wafer that is easy to process is used for each of the substrates. The signal wires and contacts are formed on the silicon wafer via an insulating film.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ンウェハの表面に形成される絶縁膜は、千ないし数千オ
ングストローム程度の非常に薄いものである。このた
め、接点と電極との間に大きな容量結合が生じることが
ある。また、信号配線間の寄生容量が大きくなる。した
がって、高周波信号を取り扱う場合、所望のアイソレー
ション特性(通過損失特性)やインサーション・ロス特
性(逆方向減衰特性)を確保できない。
However, the insulating film formed on the surface of the silicon wafer is very thin, on the order of one thousand to several thousand angstroms. For this reason, large capacitive coupling may occur between the contact and the electrode. In addition, the parasitic capacitance between the signal lines increases. Therefore, when handling a high-frequency signal, desired isolation characteristics (pass loss characteristics) and insertion loss characteristics (reverse attenuation characteristics) cannot be secured.

【0004】また、接点や信号配線を構成する導体は、
非常に薄い絶縁膜を介してシリコンウェハに形成されて
いるため、電力の大きさによっては不要輻射を発生す
る。
[0004] The conductors that make up the contacts and signal wiring are:
Since it is formed on a silicon wafer via a very thin insulating film, unnecessary radiation is generated depending on the magnitude of the power.

【0005】一方、ガラスウェハやGaAsを使用すれ
ば、前記問題も解決されるが、これらの材料はシリコン
ウェハに比べて高価である。このため、安価で加工も容
易なシリコンウェハの使用が望まれている。
On the other hand, if a glass wafer or GaAs is used, the above problem can be solved, but these materials are more expensive than a silicon wafer. Therefore, it is desired to use a silicon wafer which is inexpensive and easy to process.

【0006】そこで、本発明は、基板をシリコンウェハ
により形成し、高周波信号を取り扱う場合であっても、
所望のアイソレーション特性およびインサーション・ロ
ス特定を得ると共に、不要輻射の発生を防止できるマイ
クロリレーを提供することを課題とする。
Accordingly, the present invention is directed to a case where a substrate is formed of a silicon wafer and a high-frequency signal is handled.
It is an object of the present invention to provide a micro relay capable of obtaining desired isolation characteristics and identification of insertion loss and preventing generation of unnecessary radiation.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するための手段として、固定基板に可動基板を対向配
設し、両基板間に電圧を印加して静電引力を発生させる
ことにより、可動基板を駆動し、前記可動基板の下面に
形成した可動接点を、前記固定基板の上面に並設した両
固定接点に接離することにより、各固定接点から延びる
信号配線間を導通・遮断するマイクロリレーにおいて、
前記可動接点に導通し、かつ、可動基板の上面に露出す
る上方接点部を設け、前記固定基板に、前記可動基板を
覆うキャップ部材を設け、該キャップ部材に、前記可動
基板の非駆動時に、前記上方接点部に接続される導電部
を形成すると共に、該導電部を接地したものである。
According to the present invention, as a means for solving the above-mentioned problems, a movable substrate is disposed to face a fixed substrate, and a voltage is applied between the two substrates to generate an electrostatic attraction. By driving the movable substrate, the movable contact formed on the lower surface of the movable substrate is brought into contact with and separated from the two fixed contacts arranged side by side on the upper surface of the fixed substrate, so that the signal wiring extending from each fixed contact is electrically connected. In the micro relay to shut off,
Conducting the movable contact, and providing an upper contact portion exposed on the upper surface of the movable substrate, providing a cap member on the fixed substrate, covering the movable substrate, the cap member, when the movable substrate is not driven, A conductive portion connected to the upper contact portion is formed, and the conductive portion is grounded.

【0008】この構成により、接点開離時、可動接点
は、スルーホールから上方接点部、さらにはキャップ部
材に形成した導電部を介して接地され、可動電極である
可動基板と容量結合することがない。
With this configuration, when the contacts are separated, the movable contact is grounded from the through-hole through the upper contact portion and the conductive portion formed on the cap member, and is capacitively coupled to the movable substrate as the movable electrode. Absent.

【0009】前記導電部は、前記キャップ部材の下面に
形成されて可動接点に接離する下面側導電部と、該下面
側導電部に、前記キャップ部材の上下面を連通するスル
ーホールを介して接続され、かつ、接地される上面側導
電部とから構成したり、前記キャップ部材の下面に形成
されて上方接点部に接離する下面側導電部と、該下面側
導電部と前記固定基板に設けた接地用パッドとを接続す
る接続部とから構成することができる。
The conductive portion is formed on a lower surface of the cap member and is in contact with and separated from the movable contact, and a through-hole communicating the upper and lower surfaces of the cap member with the lower conductive portion. A lower surface-side conductive portion that is connected and grounded and that is formed on the lower surface of the cap member and that comes into contact with and separates from the upper contact portion; and a lower surface-side conductive portion and the fixed substrate. And a connection portion for connecting the provided grounding pad.

【0010】この構成により、接地された下面側導電部
を基板とし、信号配線をストリップ導体とするマイクロ
ストリップラインを形成でき、高周波信号を適切に伝播
することが可能となる。
[0010] With this configuration, a microstrip line can be formed in which the grounded lower surface side conductive portion is used as a substrate and the signal wiring is used as a strip conductor, and a high-frequency signal can be appropriately propagated.

【0011】また、本発明は、前記課題を解決するため
の手段として、固定基板に可動基板を対向配設し、両基
板間に電圧を印加して静電引力を発生させることによ
り、可動基板を駆動し、前記可動基板の下面に形成した
可動接点を、前記固定基板の上面に並設した両固定接点
に接離することにより、各固定接点から延びる信号配線
間を導通・遮断するマイクロリレーにおいて、前記固定
基板の上面に凹部を形成し、上面全体を絶縁膜で覆い、
前記凹部にさらに絶縁部を設け、該絶縁部の上面に前記
信号配線を形成したものである。
Further, the present invention provides a means for solving the above-mentioned problems, in which a movable substrate is disposed to face a fixed substrate, and a voltage is applied between the two substrates to generate an electrostatic attraction. A micro-relay that drives and disconnects a movable contact formed on the lower surface of the movable substrate to and from two fixed contacts arranged side by side on the upper surface of the fixed substrate, thereby conducting / interrupting between signal wires extending from each fixed contact. Forming a recess on the upper surface of the fixed substrate, covering the entire upper surface with an insulating film,
An insulating portion is further provided in the concave portion, and the signal wiring is formed on an upper surface of the insulating portion.

【0012】この構成により、凹部に配設した絶縁部が
信号配線間の寄生容量を低減し、所望のアイソレーショ
ン特性が得られる。
With this configuration, the insulating portion provided in the concave portion reduces the parasitic capacitance between the signal wirings, and a desired isolation characteristic can be obtained.

【0013】特に、前記絶縁部を低融点ガラスで構成す
ると、所定厚の絶縁層を容易に形成できる点で好まし
い。
In particular, it is preferable that the insulating portion is made of low melting point glass since an insulating layer having a predetermined thickness can be easily formed.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態を添
付図面に従って説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1(a)は、本実施形態に係るマイクロ
リレーの斜視図である。このマイクロリレーは、固定基
板1、可動基板2、および、キャップ部材3で構成され
ている。
FIG. 1A is a perspective view of a micro relay according to the present embodiment. The micro relay includes a fixed substrate 1, a movable substrate 2, and a cap member 3.

【0016】固定基板1は、図2(e)に示すように、
シート状で、それ自身で固定電極を構成する。固定基板
1の上面には凹部4が形成され、上面全体は絶縁酸化膜
9で覆われている。さらに、凹部4には絶縁部5が設け
られている。絶縁部5は、低融点ガラス(ガラスフリッ
ト)からなるため、熱処理を容易に行うことができる
上、酸化膜に比べて厚みを十分に大きくすることが可能
である。なお、この絶縁部5は、CVD(Chemical Vap
or Deposition)によっても形成することができる。ま
た、固定基板1の上面には、スパッタリング、蒸着、メ
ッキ、スクリーン印刷等により、信号配線6a,6b、
および、パッド7a,7b,7c,7dが形成されてい
る。信号配線6a,6bの大部分は、前記絶縁部5の上
面に直接形成され、その一端部は所定間隔で並設される
固定接点8a,8bとなっている。また、信号配線6
a,6bの一部およびパッド7a,7b,7c,7d
は、絶縁酸化膜9の上面に形成され、信号配線6a,6
bの他端部はパッド7a,7bに接続されている。な
お、パッド7c,7dは、固定基板1と可動基板2とに
それぞれ電気接続され、両者の間に電圧を印加可能とす
る。また、各パッド7a,7b,7c,7dには図示し
ない引出線がそれぞれ接続されている。
The fixed substrate 1 is, as shown in FIG.
It forms a fixed electrode by itself in the form of a sheet. A concave portion 4 is formed on the upper surface of the fixed substrate 1, and the entire upper surface is covered with an insulating oxide film 9. Further, an insulating portion 5 is provided in the concave portion 4. Since the insulating portion 5 is made of low-melting glass (glass frit), heat treatment can be easily performed, and the insulating portion 5 can be made sufficiently thicker than an oxide film. The insulating portion 5 is made of a CVD (Chemical Vap).
or Deposition). On the upper surface of the fixed substrate 1, the signal wirings 6a, 6b,
Also, pads 7a, 7b, 7c, 7d are formed. Most of the signal wirings 6a and 6b are formed directly on the upper surface of the insulating section 5, and one ends of the signal wirings 6a and 6b are fixed contacts 8a and 8b arranged at predetermined intervals. Also, the signal wiring 6
a, 6b and pads 7a, 7b, 7c, 7d
Are formed on the upper surface of the insulating oxide film 9, and the signal wires 6 a and 6
The other end of b is connected to pads 7a and 7b. The pads 7c and 7d are electrically connected to the fixed substrate 1 and the movable substrate 2, respectively, so that a voltage can be applied between the two. Lead lines (not shown) are connected to the pads 7a, 7b, 7c, 7d, respectively.

【0017】可動基板2は、図2(c)に示すように、
シート状で、周縁のガイド部10と、その内側の可動電
極部11とからなる。可動基板2の上下面は、前記パッ
ド7cに電気接続される下面の接続部2aを除き、絶縁
酸化膜12で覆われている。前記可動電極部11は、両
側に第1スリット13が形成されて下方に湾曲可能とな
っている。また、可動電極部11の中央部には、図2
(d)に示すように、矩形状のスルーホール14が穿設
され、メッキ等により下面側の可動接点15と、上面側
の上方接点部15aとが連通している。可動接点15の
両側には、第2スリット16が形成され、可動接点15
を両固定接点8a,8bに確実に閉成可能としている。
The movable substrate 2 is, as shown in FIG.
It has a sheet-like shape and includes a peripheral guide portion 10 and a movable electrode portion 11 inside the guide portion 10. The upper and lower surfaces of the movable substrate 2 are covered with an insulating oxide film 12 except for a connection portion 2a on the lower surface electrically connected to the pad 7c. The movable electrode portion 11 has first slits 13 formed on both sides and can be bent downward. In addition, the central part of the movable electrode part 11 is shown in FIG.
As shown in (d), a rectangular through hole 14 is formed, and the movable contact 15 on the lower surface side and the upper contact portion 15a on the upper surface side communicate with each other by plating or the like. On both sides of the movable contact 15, second slits 16 are formed.
Can be reliably closed to both fixed contacts 8a and 8b.

【0018】キャップ部材3は、図2(a)に示すよう
に、シート状で、上下面を絶縁酸化膜3aによって覆わ
れ、その上面には上面側導電層18が、下面に設けた凹
所17には下面側導電層19がそれぞれメッキ等によっ
て形成されている。両導電層18,19は、図2(b)
に示すように、2箇所に設けたスルーホール20を介し
て電気接続されている。また、上面側導電層18は、図
示しない引出線を介して接地され、下面側導電層19に
は、前記可動電極部11の非駆動時、可動接点15に導
通する上方接点部15aが当接する。
As shown in FIG. 2A, the upper and lower surfaces of the cap member 3 are covered with an insulating oxide film 3a, and an upper conductive layer 18 is provided on the upper surface thereof. The lower surface-side conductive layer 19 is formed on each of the layers 17 by plating or the like. Both conductive layers 18 and 19 are shown in FIG.
As shown in (2), they are electrically connected via through holes 20 provided at two places. The upper conductive layer 18 is grounded via a lead (not shown), and the lower conductive layer 19 is in contact with an upper contact portion 15a that is electrically connected to the movable contact 15 when the movable electrode portion 11 is not driven. .

【0019】次に、前記構成のマイクロリレーの製造方
法を説明する。
Next, a method of manufacturing the micro relay having the above-described configuration will be described.

【0020】まず、図3(a)に示すように、固定基板
用シリコンウェハ(固定用ウェハ)100の上面に凹部
4を形成し、上面を絶縁酸化膜9で被覆する。そして、
凹部4に低融点ガラスからなる絶縁部5を設ける。続い
て、図3(b)に示すように、スパッタリング、蒸着、
メッキ、スクリーン印刷等により信号配線6a,6b、
および、パッド7a,7b,7c,7dを形成すること
により固定基板1を完成する。
First, as shown in FIG. 3A, a concave portion 4 is formed on the upper surface of a fixed substrate silicon wafer (fixing wafer) 100, and the upper surface is covered with an insulating oxide film 9. And
An insulating portion made of low-melting glass is provided in the concave portion. Subsequently, as shown in FIG.
The signal wirings 6a and 6b are formed by plating, screen printing, or the like.
The fixed substrate 1 is completed by forming the pads 7a, 7b, 7c, 7d.

【0021】また、図3(c)に示すように、可動基板
用シリコンウェハ(可動用ウェハ)101の中央部にス
ル-ホール14を形成し、上下面を絶縁酸化膜12で被
覆する。そして、図3(d)に示すように、前記可動用
ウェハ101の中央部上下面に、スパッタリング、蒸
着、メッキ、スクリーン印刷等によりAu/Crからな
る上方接点部15aと可動接点15とを形成し、両者を
前記スルーホール14を介して電気接続する。
As shown in FIG. 3C, a through hole 14 is formed in the center of a silicon wafer for movable substrate (movable wafer) 101, and the upper and lower surfaces are covered with an insulating oxide film 12. Then, as shown in FIG. 3D, an upper contact portion 15a made of Au / Cr and a movable contact 15 are formed on the upper and lower surfaces of the central portion of the movable wafer 101 by sputtering, vapor deposition, plating, screen printing, or the like. Then, both are electrically connected via the through hole 14.

【0022】次いで、図4(a)に示すように、固定基
板1に可動用ウェハ101を接合一体化する。そして、
ドライエッチングにより、可動用ウェハ101に、第1
スリット13(図2参照)を設けると共に、前記可動接
点15の両側に第2スリット16(図2参照)を形成す
ることにより可動基板2を完成する。このように、可動
基板2の形成を固定基板1に接合一体化した状態で行う
ため、製造途中に変形することはない。
Next, as shown in FIG. 4A, the movable wafer 101 is joined and integrated with the fixed substrate 1. And
By dry etching, the first wafer is
The movable substrate 2 is completed by providing slits 13 (see FIG. 2) and forming second slits 16 (see FIG. 2) on both sides of the movable contact 15. As described above, since the movable substrate 2 is formed in a state where the movable substrate 2 is joined to and integrated with the fixed substrate 1, the movable substrate 2 is not deformed during manufacturing.

【0023】一方、図4(b)に示すように、キャップ
部材用シリコンウェハ(キャップ用ウェハ)103の下
面に凹所17を設け、上面から凹所17に貫通するスル
ーホール20を形成する。そして、図4(c)に示すよ
うに、上下面を絶縁酸化膜3aで被覆した後、メッキ等
により、上面に上面側導電層18、凹所17に下面側導
電層19をそれぞれ形成し、前記スルーホール20を介
して両導電層18,19を電気接続することによりキャ
ップ部材3を完成する。
On the other hand, as shown in FIG. 4B, a recess 17 is provided on the lower surface of the cap member silicon wafer (cap wafer) 103, and a through hole 20 penetrating from the upper surface to the recess 17 is formed. Then, as shown in FIG. 4C, after the upper and lower surfaces are covered with the insulating oxide film 3a, the upper surface side conductive layer 18 is formed on the upper surface and the lower surface side conductive layer 19 is formed on the recess 17 by plating or the like, respectively. The cap member 3 is completed by electrically connecting the conductive layers 18 and 19 via the through hole 20.

【0024】続いて、図4(d)に示すように、キャッ
プ部材3を、固定基板1の上面に一体化した可動基板2
に直接接合する。この状態では、可動基板2に形成した
可動接点は、上方接点部15aがキャップ部材3の下面
側導電層19に当接することにより接地される。
Subsequently, as shown in FIG. 4D, the movable substrate 2 in which the cap member 3 is integrated on the upper surface of the fixed substrate 1 is formed.
Join directly to In this state, the movable contact formed on the movable substrate 2 is grounded when the upper contact portion 15 a contacts the lower conductive layer 19 of the cap member 3.

【0025】このようにして完成したマイクロリレーの
動作は次の通りである。
The operation of the micro relay completed as described above is as follows.

【0026】すなわち、両電極1,2間に電圧を印加し
ていなければ、静電引力は発生せず、従って可動電極部
11はそれ自身の弾性力によって水平状態に維持され
る。これにより、可動接点15の上方接点部15aが、
キャップ部材3の下面側導電層19に当接する。可動接
点15は、この下面側導電層19からスルーホール2
0、上方接点部15aおよび上面側導電層18を介して
接地される。したがって、可動接点15と、これに対向
する固定接点8a,8bとの間の容量結合がなくなり、
所望のアイソレーション特性およびインサーション・ロ
ス特性を得ることが可能となる。また、信号配線6a,
6bは、厚みの大きな絶縁部5の上面に形成されている
ので、寄生容量を低減することができ、又、不要輻射は
発生しない。
That is, if no voltage is applied between the electrodes 1 and 2, no electrostatic attraction is generated, and the movable electrode section 11 is maintained in a horizontal state by its own elastic force. Thereby, the upper contact portion 15a of the movable contact 15 is
It contacts the lower conductive layer 19 of the cap member 3. The movable contact 15 is formed from the lower conductive layer 19 through the through hole 2.
0, grounded via the upper contact portion 15a and the upper surface side conductive layer 18. Therefore, there is no capacitive coupling between the movable contact 15 and the fixed contacts 8a and 8b opposed thereto,
Desired isolation characteristics and insertion loss characteristics can be obtained. Also, the signal wiring 6a,
Since 6b is formed on the upper surface of the insulating portion 5 having a large thickness, the parasitic capacitance can be reduced, and unnecessary radiation does not occur.

【0027】ここで、両電極1,2間に電圧を印加して
静電引力を発生させると、可動電極部11が固定基板1
側に吸引され、可動接点15が両固定接点8a,8bに
閉成する。これにより、両信号配線6a,6b間で信号
が伝播する。この場合、キャップ部材3に設けた下面側
導電層19は接地されているので、信号配線6a,6b
との間でマイクロストリップラインが形成される。した
がって、伝播させる信号が高周波であっても、インサー
ション・ロス特性やアイソレーション特性を所望の状態
に維持することが可能である。また、可動電極部11の
駆動時、スルーホール20によって空気抵抗が減少して
いるので、スムーズに動作する。
Here, when a voltage is applied between the two electrodes 1 and 2 to generate an electrostatic attraction, the movable electrode portion 11
The movable contact 15 is closed to both fixed contacts 8a and 8b. Thereby, a signal propagates between both signal wirings 6a and 6b. In this case, since the lower surface side conductive layer 19 provided on the cap member 3 is grounded, the signal wires 6a, 6b
And a microstrip line is formed. Therefore, even if the signal to be propagated has a high frequency, the insertion loss characteristic and the isolation characteristic can be maintained in desired states. Further, when the movable electrode portion 11 is driven, the air resistance is reduced by the through holes 20, so that the movable electrode portion 11 operates smoothly.

【0028】なお、前記実施形態では、キャップ部材3
に下面側導電層19をスルーホール20、上面側導電層
18を介して接地したが、図5に示すように、下面側導
電層19を接続部30から可動基板2に設けたパッド3
1を介して接地してもよい。これによれば、内部を高気
密状態とすることが可能となる。
In the above embodiment, the cap member 3
5, the lower conductive layer 19 is grounded via the through hole 20 and the upper conductive layer 18, but as shown in FIG.
1 may be grounded. According to this, it is possible to make the inside highly airtight.

【0029】また、前記実施形態では、可動基板2の上
下面に上方接点部15aおよび可動接点15を形成し、
両者をスルーホール20を介して導通したが、上方接点
部15aおよび可動接点15を、単に、可動用ウェハ1
01の中央部に不純物をドーピングすることによって導
通してもよい。
In the above embodiment, the upper contact part 15a and the movable contact 15 are formed on the upper and lower surfaces of the movable substrate 2, respectively.
Although both were electrically connected through the through hole 20, the upper contact portion 15a and the movable contact 15 were simply
Alternatively, conduction may be achieved by doping the center portion of the semiconductor device 01 with an impurity.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るマイクロリレーによれば、可動基板の非駆動時、
可動接点をキャップ部材の導電部を介して接地したの
で、可動接点と可動電極との間の容量結合がなくなり、
所望のアイソレーション特性およびインサーション・ロ
ス特性を得ることができると共に不要輻射を阻止可能と
なる。
As is apparent from the above description, according to the micro relay of the present invention, when the movable substrate is not driven,
Since the movable contact is grounded via the conductive part of the cap member, there is no capacitive coupling between the movable contact and the movable electrode,
Desired isolation characteristics and insertion loss characteristics can be obtained, and unnecessary radiation can be prevented.

【0031】特に、キャップ部材に下方側導電部を形成
したので、信号配線とでマイクロストリップラインを形
成することができ、高周波信号の伝播を適切に行なわせ
ることが可能となる。
In particular, since the lower conductive portion is formed on the cap member, it is possible to form a microstrip line with the signal wiring, and to appropriately propagate a high-frequency signal.

【0032】また、固定基板の上面全体を絶縁膜で覆
い、上面に形成した凹部にさらに絶縁部を設け、該絶縁
部の上面に前記信号配線を形成したので、信号配線間の
寄生容量を抑えて所望のアイソレーション特性を得るこ
とが可能となる。
Further, since the entire upper surface of the fixed substrate is covered with an insulating film, an insulating portion is further provided in a concave portion formed on the upper surface, and the signal wiring is formed on the upper surface of the insulating portion, thereby suppressing the parasitic capacitance between the signal wirings. Thus, a desired isolation characteristic can be obtained.

【0033】そして、前記絶縁板を低融点ガラスとした
ので、その加工が容易となり、加工効率を向上させるこ
とができる。
Since the insulating plate is made of low-melting glass, the processing is facilitated and the processing efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本実施形態に係るマイクロリレーの斜視図
(a)およびその平面図(b)である。
FIG. 1 is a perspective view (a) of a microrelay according to the present embodiment and a plan view (b) thereof.

【図2】 図1の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of FIG.

【図3】 本実施形態に係るマイクロリレーの製造工程
を示す図1(b)のA─A線断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1 (b) illustrating a manufacturing process of the micro relay according to the embodiment.

【図4】 本実施形態に係るマイクロリレーの製造工程
を示す図1(b)のA─A線断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1 (b) showing a manufacturing process of the micro relay according to the embodiment.

【図5】 他の実施形態に係るマイクロリレーのキャッ
プ部材を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a cap member of a micro relay according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…固定基板 2…可動基板 3…キャップ部材 4…凹部 5…絶縁部 6a,6b…信号配線 11…可動電極部 15…可動接点 15a…上方接点部 18…上面側導電層 19…下面側導電層 20…スルーホール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Fixed board 2 ... Movable board 3 ... Cap member 4 ... Concave part 5 ... Insulation part 6a, 6b ... Signal wiring 11 ... Movable electrode part 15 ... Movable contact 15a ... Upper contact part 18 ... Upper surface side conductive layer 19 ... Lower surface side conductive Layer 20: Through hole

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 固定基板に可動基板を対向配設し、両基
板間に電圧を印加して静電引力を発生させることによ
り、可動基板を駆動し、前記可動基板の下面に形成した
可動接点を、前記固定基板の上面に並設した両固定接点
に接離することにより、各固定接点から延びる信号配線
間を導通・遮断するマイクロリレーにおいて、 前記可動接点に導通し、かつ、可動基板の上面に露出す
る上方接点部を設け、 前記固定基板に、前記可動基板を覆うキャップ部材を設
け、 該キャップ部材に、前記可動基板の非駆動時に、前記上
方接点部に接続される導電部を形成すると共に、該導電
部を接地したことを特徴とするマイクロリレー。
A movable contact formed on a lower surface of the movable substrate by driving the movable substrate by disposing a movable substrate facing a fixed substrate and applying a voltage between the two substrates to generate an electrostatic attraction. Is connected to and separated from both fixed contacts arranged side by side on the upper surface of the fixed substrate, thereby conducting / cutting off signal wiring extending from each fixed contact. An upper contact portion that is exposed on the upper surface; a cap member that covers the movable substrate is provided on the fixed substrate; and a conductive portion that is connected to the upper contact portion when the movable substrate is not driven is formed on the cap member. A microrelay, wherein the conductive portion is grounded.
【請求項2】 前記導電部は、 前記キャップ部材の下面に形成されて可動接点に接離す
る下面側導電部と、 該下面側導電部に、前記キャップ部材の上下面を連通す
るスルーホールを介して接続され、かつ、接地される上
面側導電部とからなることを特徴とする請求項1に記載
のマイクロリレー。
2. The conductive portion includes: a lower surface-side conductive portion formed on a lower surface of the cap member and in contact with and separated from a movable contact; and a through hole communicating with the upper and lower surfaces of the cap member to the lower surface-side conductive portion. 2. The microrelay according to claim 1, wherein the microrelay comprises a top-side conductive portion that is connected via a ground and is grounded.
【請求項3】 前記導電部は、 前記キャップ部材の下面に形成されて上方接点部に接離
する下面側導電部と、 該下面側導電部と前記固定基板に設けた接地用パッドと
を接続する接続部とからなることを特徴とする請求項1
に記載のマイクロリレー。
3. The lower conductive part, which is formed on the lower surface of the cap member and comes into contact with and separates from the upper contact part, connects the lower conductive part to a ground pad provided on the fixed substrate. 2. A connection part comprising:
Micro relay according to the above.
【請求項4】 固定基板に可動基板を対向配設し、両基
板間に電圧を印加して静電引力を発生させることによ
り、可動基板を駆動し、前記可動基板の下面に形成した
可動接点を、前記固定基板の上面に並設した両固定接点
に接離することにより、各固定接点から延びる信号配線
間を導通・遮断するマイクロリレーにおいて、 前記固定基板の上面に凹部を形成し、上面全体を絶縁膜
で覆い、前記凹部にさらに絶縁部を設け、該絶縁部の上
面に前記信号配線を形成したことを特徴とするマイクロ
リレー。
4. A movable contact formed on a lower surface of the movable substrate by disposing a movable substrate on the fixed substrate so as to apply a voltage between the two substrates to generate an electrostatic attraction, thereby driving the movable substrate. Is connected to and separated from both fixed contacts arranged side by side on the upper surface of the fixed substrate, thereby conducting / interrupting between signal wirings extending from the respective fixed contacts. A microrelay, wherein the whole is covered with an insulating film, an insulating portion is further provided in the concave portion, and the signal wiring is formed on an upper surface of the insulating portion.
【請求項5】 前記絶縁部は、低融点ガラスからなるこ
とを特徴とする請求項4に記載のマイクロリレー。
5. The micro relay according to claim 4, wherein the insulating portion is made of a low melting point glass.
JP11219832A 1999-08-03 1999-08-03 Microrelay Pending JP2001052587A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11219832A JP2001052587A (en) 1999-08-03 1999-08-03 Microrelay

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11219832A JP2001052587A (en) 1999-08-03 1999-08-03 Microrelay

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001052587A true JP2001052587A (en) 2001-02-23

Family

ID=16741756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11219832A Pending JP2001052587A (en) 1999-08-03 1999-08-03 Microrelay

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001052587A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828888B2 (en) 2002-02-19 2004-12-07 Fujitsu Component Limited Micro relay of which movable contact remains separated from ground contact in non-operating state
US7551048B2 (en) 2002-08-08 2009-06-23 Fujitsu Component Limited Micro-relay and method of fabricating the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828888B2 (en) 2002-02-19 2004-12-07 Fujitsu Component Limited Micro relay of which movable contact remains separated from ground contact in non-operating state
US6970060B2 (en) 2002-02-19 2005-11-29 Fujitsu Component Limited Micro relay of which movable contact remains separated from ground contact in non-operating state
US7551048B2 (en) 2002-08-08 2009-06-23 Fujitsu Component Limited Micro-relay and method of fabricating the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7242066B2 (en) Manufacturing method of a microelectromechanical switch
JP3119255B2 (en) Micromachine switch and method of manufacturing the same
JP3918559B2 (en) Electrostatic relay and communication equipment using the relay
US20070120445A1 (en) Piezoelectric RF MEMS device and method of fabricating the same
US20020005341A1 (en) Radio device and measuring device utilizing electrostatic microrelay and electrostatic microrelay
JP2007535797A (en) Beam for micromachine technology (MEMS) switches
JP2000208018A (en) Electrostatic moving contact element and its manufacture
KR101192412B1 (en) Rf mems switch device and menufacturing method thereof
US20080061922A1 (en) High frequency circuit apparatus
JP4182861B2 (en) Contact switch and device with contact switch
KR100668614B1 (en) Piezoelectric driven resistance?type RF MEMS switch and manufacturing method thereof
JP3669207B2 (en) Micro relay
JP2001052587A (en) Microrelay
CN109155221A (en) A kind of MEMS film with integrated transmission-line
JP3852224B2 (en) Electrostatic micro relay
JP3651404B2 (en) Electrostatic micro relay, and radio apparatus and measuring apparatus using the electrostatic micro relay
KR970017840A (en) Field emission array (FEA) incorporating MOSFET and its manufacturing method
JPH10154456A (en) Micro-relay, manufacture and control method therefor
US7300813B2 (en) Method for manufacturing micro-machined switch using pull-up type contact pad
JP3852479B2 (en) Electrostatic micro relay
KR20050065885A (en) Self-sustaining center-anchor microelectromechanical switch and method of fabricating the same
JP2001023497A (en) Electrostatic microrelay
JP3368304B2 (en) Electrostatic micro relay
JP2004281412A (en) Electrostatic micro-relay
JP2003181799A (en) Contact supporting mechanism, contact switch, measuring device and radio