JP2001036175A5

JP2001036175A5 -

Info

Publication number: JP2001036175A5
Application number: JP1999206573A
Authority: JP
Filing date: 1999-07-21
Publication date: 2005-06-09

Description

レーザーダイオード11としては、ＩｎＧａＮ活性層を有し、波長 450ｎｍで発振するブロードエリア型のものが用いられている。またＰｒ：ＹＬＦ結晶14の光入射面である後方端面14ａには、波長 450ｎｍの光は80％以上の透過率で良好に透過させる一方、Ｐｒ³⁺の１つの発振線である波長 720ｎｍに対して高反射率（反射率99％以上さらに好ましくは99.9％以上）で、 720ｎｍ以外のＰｒ³⁺の発振線 490〜650ｎｍおよび800ｎｍ以上に対しては低反射率（反射率60％以下さらに好ましくは30％以下）のコーティングが施されている。またＰｒ：ＹＬＦ結晶14の前方端面14ｂには、波長 720ｎｍに対して低反射率（反射率0.2％以下）で、その第２高調波波長 360ｎｍに対しては高反射率（反射率95％以上）のコーティングが施されている。一方共振器ミラー15のミラー面15ａには、波長 720ｎｍの光に対して高反射率（99％以上さらに好ましくは99.9％以上）で、波長 360ｎｍの光を95％以上透過させ、上記 490〜650ｎｍおよび800ｎｍ以上の光に対しては低反射率（60％以下さらに好ましくは30％以下）のコーティングが施されている。
As the laser diode 11, a broad area type laser having an InGaN active layer and oscillating at a wavelength of 450 nm is used. In addition, light of wavelength 450 nm is favorably transmitted to the rear end face 14a which is a light incident surface of Pr: YLF crystal 14 with a transmittance of 80% or more, while wavelength 720 nm which is one oscillation line of Pr ³⁺ High reflectivity (reflectance 99% or more, more preferably 99.9% or more), and a low reflectivity (reflectance 60% or less, more preferably) for Pr ³⁺ oscillation lines other than 720 nm 490 to 650 nm and 800 nm or more 30% or less) is applied. Also, the front end face 14b of the Pr: YLF crystal 14 has a low reflectance (reflectance of 0.2% or less) for a wavelength of 720 nm, and a high reflectance (reflectance of 95% or more for a second harmonic wavelength of 360 nm). Coating is applied. The mirror surface 15a of the resonator mirror 15, with high reflectance for light of wavelength 720 nm (or more preferably 99.9% or more 99%), is transmitted through the wavelength 360nm light of 95% or more, the 490～ A low reflectance (60% or less, more preferably 30% or less) coating is applied to light of 650 nm and 800 nm or more.

一方光波長変換素子の周期ドメイン反転構造には、１次の周期に限らず、３次の周期を適用してもよい。720ｎｍ発振の時の３次周期は、 4.95μｍとなる。また光波長変換素子としては、周期ドメイン反転構造を有するものに限らず、Ｂ−ＢａＢＯ₃、ＬＢＯ、ＣＬＢＯ、ＧｄＹＣＯＢ、ＹＣＯＢ等からなるものを用いることもできる。さらに励起用レーザーダイオードとしては、ブロードエリア型のものだけでなく、ＭＯＰＡ、α−ＤＦＢ構造を有するもの等も同様に適用可能である。
On the other hand, the periodic domain inversion structure of the optical wavelength conversion element may be applied not only to the first-order cycle but also to the third- order cycle. The third order period at the time of 720 nm oscillation is 4.95 μm. The light wavelength conversion element is not limited to one having a periodic domain inversion structure, and may be one made of B-BaBO ₃ , LBO, CLBO, GdYCOB, YCOB, or the like. Furthermore, as a laser diode for excitation, not only a broad area type laser diode, but also one having a MOPA, an α-DFB structure, and the like are applicable.