JP2001035010A - Optical disk and manufacture of the same - Google Patents

Optical disk and manufacture of the same

Info

Publication number
JP2001035010A
JP2001035010A JP11210731A JP21073199A JP2001035010A JP 2001035010 A JP2001035010 A JP 2001035010A JP 11210731 A JP11210731 A JP 11210731A JP 21073199 A JP21073199 A JP 21073199A JP 2001035010 A JP2001035010 A JP 2001035010A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
optical disk
thickness
dielectric
heat sink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11210731A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideki Tanabe
秀樹 田名部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP11210731A priority Critical patent/JP2001035010A/en
Publication of JP2001035010A publication Critical patent/JP2001035010A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical disk having a board use linear velocity region and high repeated durability. SOLUTION: This optical disk has a heat sink layer 5 consisting of a metallic film having an about several tens nm film thickness and a dielectric multi- layered reflection film 6 provided with dielectric alternatively-layered films of two or more layers having a central thickness of 1/4 of used wavelength laminated on a recording film of a disk base material, thereby, obtains a broad use linear velocity region and high repeated durability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク及び光
ディスクの製造方法に関するものであり、更に詳しく
は、本発明は誘電体多層膜を用いた光ディスクに関し、
特に詳しくは、反射膜に誘電体多層膜を用い、且つヒー
トシンク層備えた光ディスクに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical disk and a method of manufacturing the optical disk, and more particularly, the present invention relates to an optical disk using a dielectric multilayer film.
More particularly, the present invention relates to an optical disk using a dielectric multilayer film as a reflection film and having a heat sink layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、光記録用のディスクは追記型
と、書き換え型のふた通りに分けることが出来る。追記
型とは、情報を1度記録すると永久的な記録になる光デ
ィスクであり、一方、書き換え型とは情報の消去と書き
込みが繰り返し可能な光ディスクである。従って、追記
型の光ディスクと書き換え型の光ディスクでは一般には
ディスク構成が異なるものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, optical recording disks can be classified into two types: write-once type and rewritable type. The write-once type is an optical disk that is permanently recorded when information is recorded once, while the rewritable type is an optical disk on which information can be repeatedly erased and written. Therefore, the write-once optical disk and the rewritable optical disk generally have different disk configurations.

【0003】図2に、従来に於ける典型的な書き換え型
光ディスクの構成を示す。即ち、基板基材1の上にスパ
ッタリングや真空蒸着などの何らかの成膜手段を用い
て、記録膜の保護をになう下部保護膜2、情報を保持す
る記録膜3、記録膜3の保護や記録膜3の熱特性をにな
う上部保護膜4、そして、反射膜5を形成する。当該反
射膜5の材料はAl、Au、Cuなどの金属が一般的に
使われる。この反射膜はヒートシンクとしての役目も兼
ね備えている。
FIG. 2 shows the configuration of a typical conventional rewritable optical disk. That is, the lower protective film 2 for protecting the recording film, the recording film 3 for retaining information, the protection of the recording film 3, and the like, by using some film forming means such as sputtering or vacuum deposition on the substrate 1. An upper protective film 4 corresponding to the thermal characteristics of the recording film 3 and a reflective film 5 are formed. As a material of the reflection film 5, a metal such as Al, Au, or Cu is generally used. This reflection film also has a role as a heat sink.

【0004】此処で、当該相変化光ディスクの書き込み
原理について説明する。今、図2に於ける光ディスクに
使用されている記録膜3が光相変化を利用して情報の記
録、再生を行うものとする。当該光ディスクの結晶化し
た記録膜3にレーザー光をレンズなどで絞り込んで当て
ると、当該レーザー光が照射された当該結晶化部の温度
が昇温しはじめる。その状況が図3のグラフの1で示す
領域に示されている。
Here, the principle of writing on the phase change optical disk will be described. Now, it is assumed that the recording film 3 used in the optical disk shown in FIG. 2 records and reproduces information by utilizing a change in optical phase. When a laser beam is focused on the crystallized recording film 3 of the optical disc by a lens or the like, the temperature of the crystallized portion irradiated with the laser beam starts to rise. The situation is shown in the area indicated by 1 in the graph of FIG.

【0005】次に、図3のグラフに於ける2の領域で示
す様に、当該記録膜3の融点Tmを超えたところまで温
度を上げた後、レーザーパワーを低くすると、図3のグ
ラフに於ける3で示す領域に示す様に、当該結晶化部の
温度は、降温し始める。そこでガラス転移温度Tgと呼
ばれるある温度以下まで十分急速に降温させることで、
記録膜をアモルファス状態にすることが出来る。こうし
て得られたアモルファス状態を記録マークとみなすこと
になる。逆に十分緩慢に降温した場合には、アモルファ
ス状態にならずに元の結晶状態をとることになる。記録
動作の際、線速が遅い場合にはレーザー光が一つの領域
に当たっている時間が長いため、緩慢な冷却が起こりや
すく、アモルファス状態が実現しにくくなる。
Next, as shown by a region 2 in the graph of FIG. 3, after the temperature is raised to a point exceeding the melting point Tm of the recording film 3 and then the laser power is lowered, the graph of FIG. As shown in a region indicated by 3 in the figure, the temperature of the crystallized portion starts to decrease. Therefore, by lowering the temperature sufficiently quickly to a certain temperature or less called the glass transition temperature Tg,
The recording film can be made amorphous. The amorphous state thus obtained is regarded as a recording mark. On the other hand, if the temperature is lowered sufficiently slowly, the crystal will not be in the amorphous state but will be in the original crystalline state. During the recording operation, when the linear velocity is low, the time during which the laser beam hits one area is long, so that slow cooling is likely to occur, and it is difficult to realize an amorphous state.

【0006】一方、光ディスクの線速度が速い場合に
は、後述する様に、記録膜の温度が相対的に高いところ
まで上昇するため、記録特性が悪化するという問題が有
る。
On the other hand, when the linear velocity of the optical disk is high, as described later, the temperature of the recording film rises to a relatively high temperature, causing a problem that the recording characteristics deteriorate.

【0007】次に、当該マーク長を制御する原理につい
て述べる。回転する光ディスク上に強度変調したレーザ
ー光を照射しながら書き込み動作を行う場合、高いレー
ザーパワーが照射された部分に対してマークが形成され
るわけであるが、詳しくは以下に述べるようになる。
Next, the principle of controlling the mark length will be described. When a writing operation is performed while irradiating an intensity-modulated laser beam onto a rotating optical disk, a mark is formed on a portion irradiated with a high laser power. The details will be described below.

【0008】図4はレーザー光が掃引した方向に最高温
度分布を示したものである。レーザー光が照射された部
分は温度が上昇するが、掃引方向に熱が溜まっていくた
めに温度上昇量はこの方向に増加する。最高温度が融点
Tmを超えた部位のみマークとなる。処で、当該光ディ
スクにヒートシンクがない場合、図4のグラフAに示す
様に、熱が溜まりやすいために同じマーク長を書き込む
際に相対的に高い温度まで記録膜が上昇してしまう。そ
のため、記録膜や基板の劣化を生じ易く、ディスクの繰
り返し耐性が悪くなる。
FIG. 4 shows the maximum temperature distribution in the direction swept by the laser beam. Although the temperature of the portion irradiated with the laser beam rises, the amount of temperature rise increases in this direction because heat accumulates in the sweep direction. Only the part whose maximum temperature exceeds the melting point Tm is marked. If the optical disk has no heat sink, the recording film rises to a relatively high temperature when writing the same mark length because the heat easily accumulates, as shown in graph A of FIG. Therefore, the recording film and the substrate are easily deteriorated, and the repetition resistance of the disk is deteriorated.

【0009】次に、一般的な相変化光ディスクの光学設
計について説明を行う。即ち、レーザー光がディスクに
入射した場合、光は波動であるという性質から記録膜や
金属膜などで吸収されずにいる光については光学干渉の
結果を反映した反射率を観測することになる。つまり、
反射率は各々の膜の屈折率や吸収率、膜厚、光源の波長
によって決まる反射光の干渉結果として決まる。しか
も、一般に物質の屈折率、吸収率には波長分散が存在す
るため、用いる光源の波長に対して、所望の反射率を持
つ光ディスクを得ることが出来ない場合が生まれてく
る。
Next, an optical design of a general phase change optical disk will be described. That is, when the laser light is incident on the disk, the light is not absorbed by the recording film, the metal film, or the like due to the nature of the light wave, and the reflectance reflecting the result of the optical interference is observed. That is,
The reflectance is determined as a result of interference of reflected light determined by the refractive index and absorptance of each film, the film thickness, and the wavelength of the light source. In addition, since the refractive index and the absorptivity of a substance generally have wavelength dispersion, an optical disc having a desired reflectance cannot be obtained with respect to the wavelength of the light source used.

【0010】例えば、図5に示したようにスパッターで
作成したアルミニウムAlの反射率は、製造方法の相違
によっても、光の波長と反射率との関係を示すグラフか
ら明らかな様に、大きく異なっており、又同一の製造方
法によって製造されたアルミニウムAlで有っても、光
の波長によってその反射率が異なっている。
For example, as shown in FIG. 5, the reflectivity of aluminum Al formed by sputtering differs greatly depending on the manufacturing method, as is clear from the graph showing the relationship between the wavelength of light and the reflectivity. Even if it is aluminum Al manufactured by the same manufacturing method, its reflectivity differs depending on the wavelength of light.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上記した様に、反射膜
として金属膜を用いた場合に、用いるレーザーの波長が
変わると反射率や吸収率は変化する。その為、第1の問
題点は、用いるレーザーの波長を変えた際の所望の反射
率が得られない可能性があることがあげられる。その理
由は、金属の屈折率や吸収係数の大きな波長分散に由来
している。例として、図5に示すAlの反射率の波長依
存関係から明らかな様に、スパッターから得たアルミニ
ウムAlの反射率は640nm近傍では80%程度の高
い反射率を示しているが、より短波長側では反射率が落
ちていくために、光ディスクの反射膜として用いること
ができない。通常、75%程度の反射率を下回ると反射
膜として用いることが出来ないので、400nmより短
波長では何らかの別の方策を講じることが必要になる。
As described above, when a metal film is used as the reflection film, the reflectance and the absorptance change when the wavelength of the laser used changes. Therefore, the first problem is that a desired reflectance may not be obtained when the wavelength of the laser used is changed. The reason is derived from the large wavelength dispersion of the metal's refractive index and absorption coefficient. As an example, as is clear from the wavelength dependence of the reflectance of Al shown in FIG. 5, the reflectance of aluminum Al obtained by sputtering shows a high reflectance of about 80% near 640 nm, but the shorter wavelength has a shorter wavelength. On the side, the reflectivity decreases, so that it cannot be used as a reflective film of an optical disk. Normally, if the reflectance is lower than about 75%, the film cannot be used as a reflection film. Therefore, for a wavelength shorter than 400 nm, some other measure must be taken.

【0012】処で、特開平4−137234号公報で
は、これらの課題を解決するために、誘電体多層膜を反
射膜に用いた光ディスクを提案している。しかし、この
構成のディスクを用いた場合、先にあげた図2の中で示
したような、ヒートシンクの役目をになっていた金属反
射膜がないために、低線速下では、温度が上昇しすぎる
ので、使用することができず、また、くり返し耐性が低
いという点を第2の問題点としてあげることができる。
In order to solve these problems, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 4-137234 proposes an optical disk using a dielectric multilayer film as a reflection film. However, when a disk having this configuration is used, the temperature rises at low linear speed because there is no metal reflective film serving as a heat sink as shown in FIG. 2 described above. The second problem is that it cannot be used because it is too hard and that it has low repetition resistance.

【0013】又、特開平8−21176号公報には、相
変化光記録媒体に関して開示されているが、その構成
は、基板上から、記録膜、誘電体膜、反射膜及び保護膜
からなる積層体で構成されているものであり、当該記録
膜にヒートシンク層が形成されていない事から、上記の
公知例と同様の問題を含むものである。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-21176 discloses a phase-change optical recording medium. The structure of the medium is such that a recording film, a dielectric film, a reflective film, and a protective film are laminated on a substrate. Since the heat sink layer is not formed on the recording film, it has the same problems as those in the above-mentioned known example.

【0014】更に、特開平4−177625号公報に
は、基板側から熱拡散層、保護膜、記録膜、保護膜、金
属反射膜を積層した光記録媒体の構成が開示されている
が、金属反射膜を使用する事から、前記した問題が存在
すると共に、記録膜に於ける表裏両面での温度むらを解
消する為に、熱拡散層を基板と記録膜との間に設けるも
のであるので、当該記録層に入射する光のエネルギーが
制約を受ける事になる為、その設計が難しいとい問題が
ある。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-177625 discloses a configuration of an optical recording medium in which a heat diffusion layer, a protective film, a recording film, a protective film, and a metal reflective film are laminated from the substrate side. Since a reflective film is used, the above-described problem exists, and a thermal diffusion layer is provided between the substrate and the recording film in order to eliminate temperature unevenness on both the front and back surfaces of the recording film. However, since the energy of light incident on the recording layer is restricted, there is a problem that its design is difficult.

【0015】一方、特開平5−120728号公報に
は、記録層と反射層とからなる光記録媒体に於て、当該
反射層の当該記録層とは反対の面に誘電体からなる反射
層変形防止層が設けられている構造が開示されている
が、ヒートシンク層がなく、反射層を記録層に積層させ
る点で上記したと同様の問題を含むものである。
On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 5-120728 discloses that in an optical recording medium comprising a recording layer and a reflective layer, a reflective layer made of a dielectric is formed on a surface of the reflective layer opposite to the recording layer. Although a structure in which a prevention layer is provided is disclosed, it has the same problem as described above in that the heat sink layer is not provided and the reflection layer is laminated on the recording layer.

【0016】又、特開平8−96413号公報にも、記
録膜に誘電体保護層を介して複数層の構成された金属反
射膜が設けられている光相変化型情報記録媒体に関して
開示されているが、前記したと同様に、ヒートシンク層
がなく、反射層を記録層に積層させる点で上記したと同
様の問題を含むものである。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-96413 also discloses an optical phase change type information recording medium in which a recording film is provided with a metal reflective film having a plurality of layers via a dielectric protection layer. However, as described above, there is no heat sink layer, and the same problem as described above is involved in that the reflective layer is laminated on the recording layer.

【0017】従って、本発明の目的は、上記した従来技
術の欠点を改良し、光学設計が容易であり、くり返し耐
性がよく、低線速下でも情報の記録再生を実行できる光
ディスクを提供することが目的である。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical disk which improves the above-mentioned drawbacks of the prior art, is easy in optical design, has good repetition resistance, and can execute information recording / reproduction even at a low linear velocity. Is the purpose.

【0018】[0018]

【課題を解決する手段】本発明は上記した目的を達成す
るため、以下に記載されたような技術構成を採用するも
のである。即ち、本発明に係る第1の態様としては、基
板基材上に少なくとも記録膜、保護膜、ヒートシンク
層、誘電反射膜がこの順に積層されている光ディスクで
あり、又、本発明に係る第2の態様としては、基板基材
上に、少なくとも保護膜、記録膜、保護膜、ヒートシン
ク層、誘電反射膜がこの順に積層された構成を有する光
ディスクである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above-mentioned object, the present invention employs the following technical configuration. That is, a first aspect according to the present invention is an optical disc in which at least a recording film, a protective film, a heat sink layer, and a dielectric reflection film are laminated in this order on a substrate substrate. Is an optical disc having a configuration in which at least a protective film, a recording film, a protective film, a heat sink layer, and a dielectric reflection film are laminated in this order on a substrate substrate.

【0019】一方、本発明に係る第3の態様としては、
少なくとも、基板基材上に記録膜を形成する第1の工
程、当該記録膜上に保護膜を形成する第2の工程、当該
保護膜上にヒートシンク層を形成する第3の工程とから
構成されていることを光ディスクの製造方法である。
On the other hand, as a third aspect according to the present invention,
It comprises at least a first step of forming a recording film on a substrate substrate, a second step of forming a protective film on the recording film, and a third step of forming a heat sink layer on the protective film. That is the manufacturing method of the optical disk.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明に係る当該光ディスク及び
光ディスクの製造方法は、上記した様な技術構成を採用
していることから、ディスク基材の記録膜上に、数十n
m程度の膜厚をもった金属膜と、使用波長を中心膜厚と
して2層、好ましくは3層以上の誘電体層を交互に積層
した多層膜を備えることで、金属製の反射膜を使用せ
ず、誘電体層で構成された反射膜を使用すると共に薄膜
状のヒートシンク層を併用する事によって、光学設計が
容易で、広い使用線速領域と高いくり返し耐性を確保す
ることが出来ると言う効果が得られるものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The optical disk and the method for manufacturing the optical disk according to the present invention employ the above-mentioned technical configuration.
A metal reflective film is used by providing a metal film having a thickness of about m and a multilayer film in which two or more, preferably three or more dielectric layers are alternately laminated with a center wavelength at the wavelength used. Instead of using a reflective film composed of a dielectric layer and using a thin-film heat sink layer together, the optical design is easy, and a wide operating linear velocity region and high repetition resistance can be secured. An effect can be obtained.

【0021】[0021]

【実施例】以下に、本発明に係る光ディスク及び光ディ
スクの製造方法の具体例の構成を図面を参照しながら詳
細に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of an optical disk and a method of manufacturing the optical disk according to the present invention.

【0022】即ち、図1は、本発明に係る光ディスクの
第1の具体例の構成を示す断面図であり、図中、基板基
材1上に少なくとも記録膜3、保護膜4、ヒートシンク
層5、誘電反射膜6がこの順に積層されて構成されてい
る光ディスク10が示されている。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a first specific example of an optical disk according to the present invention. In FIG. 1, at least a recording film 3, a protective film 4, and a heat sink layer 5 are formed on a substrate 1. The optical disk 10 is formed by laminating dielectric reflection films 6 in this order.

【0023】又、図1から明らかな様に、本発明に係る
光ディスクの第2の具体例としては、基板基材1上に少
なくとも保護膜(下部保護膜)2、記録膜3、保護膜
(上部保護膜)4、ヒートシンク層5、誘電反射膜6が
この順に積層されて構成されている光ディスク10が示
されている。
As is apparent from FIG. 1, as a second specific example of the optical disk according to the present invention, at least a protective film (lower protective film) 2, a recording film 3, and a protective film ( An optical disk 10 is shown in which an upper protective film 4, a heat sink layer 5, and a dielectric reflection film 6 are laminated in this order.

【0024】即ち、本発明者は、光ディスク基材1上の
記録膜3に、種々の目的に応えうる光学膜を形成させて
反射膜6とすることを目的として鋭意研究の結果、ディ
スク基材1の記録膜3上に、数十nm程度の膜厚をもっ
たヒートシンク膜層5に後述する様に、使用波長を中心
膜厚として例えば、3層以上の誘電体層交互膜を備える
ことで、光学設計が容易で、広い使用線速領域と高いく
り返し耐性を確保することが出来ることを見出したもの
である。
That is, the inventor of the present invention has made intensive studies to form an optical film that can meet various purposes on the recording film 3 on the optical disk substrate 1 to form a reflective film 6. As described later, for example, the heat sink film layer 5 having a thickness of about several tens of nm on the recording film 3 is provided with, for example, three or more dielectric layer alternating films with the center wavelength being the wavelength used. It has been found that the optical design is easy and a wide linear velocity region and high repetition resistance can be secured.

【0025】本発明に係る当該光ディスク10の構成に
付いてより詳細に説明するならば、本発明に於ける当該
ヒートシンク層5は、金属膜で構成される事が望まし
く、特にその厚みは薄い事が必要であって、従って極薄
の膜厚をもつ金属膜で構成されている事が望ましい。
If the structure of the optical disk 10 according to the present invention is described in more detail, it is desirable that the heat sink layer 5 according to the present invention is formed of a metal film, and that the thickness thereof is particularly small. Therefore, it is preferable that the metal film is formed of a metal film having an extremely thin film thickness.

【0026】本発明に於ける当該光ディスク10に於て
使用される当該ヒートシンク層5の膜厚としては、例え
ば、当該ヒートシンク層5に印加された熱が迅速に熱拡
散しうる様な熱拡散性を維持しながら、然も光の透過性
が維持されるに十分な厚みを有している事が好ましい。
The thickness of the heat sink layer 5 used in the optical disk 10 according to the present invention is, for example, a thermal diffusivity such that the heat applied to the heat sink layer 5 can quickly diffuse. It is preferable that the layer has a thickness sufficient to maintain light transmittance while maintaining the above.

【0027】つまり、本発明に於ける当該ヒートシンク
層5は、当該記録層3に蓄積される熱を有効に外部に拡
散せしめる機能と記録層を透過した光が反射膜を兼ねる
誘電体膜に入射する様な機能を有している事が望まし
い。
In other words, the heat sink layer 5 according to the present invention has a function of effectively diffusing the heat accumulated in the recording layer 3 to the outside, and the light transmitted through the recording layer is incident on the dielectric film which also serves as a reflection film. It is desirable to have such a function.

【0028】より具体的には、当該ヒートシンク層5の
膜厚は、10nm以上50nm以下が好適である。その
理由は、当該ヒートシンク層5の膜厚が厚すぎると光の
吸収が無視できなくなるからであり、又、薄すぎると膜
厚の制御が困難になるからである。
More specifically, the thickness of the heat sink layer 5 is preferably 10 nm or more and 50 nm or less. The reason is that if the thickness of the heat sink layer 5 is too thick, light absorption cannot be ignored, and if it is too thin, it becomes difficult to control the film thickness.

【0029】又、本発明に於て使用されるヒートシンク
層の材料としては、例えば、熱伝導性の高いCu、A
u、Ag、Al及びこれらを主とした合金が好適であ
る。
The material of the heat sink layer used in the present invention is, for example, Cu, A having high thermal conductivity.
u, Ag, Al and alloys mainly composed of these are preferred.

【0030】Cuは安価である点を考えるともっとも好
適といえる。係るヒートシンク層の材料は用途に応じ
て、これら以外の金属、あるいは合金を用いることが出
来るため、特に限定するものではない事は言うまでもな
い。
Considering that Cu is inexpensive, it is most preferable. It is needless to say that the material of the heat sink layer is not particularly limited because other metals or alloys can be used depending on the application.

【0031】また、ヒートシンク層5の動作は以下の通
りである。
The operation of the heat sink layer 5 is as follows.

【0032】レーザー光により記録膜3が昇温すると上
部保護膜4を経由してヒートシンク層5に熱が伝播して
いく。
When the temperature of the recording film 3 is increased by the laser light, heat propagates to the heat sink layer 5 via the upper protective film 4.

【0033】当該ヒートシンク層5を構成する金属膜は
熱伝導度が高いために、速やかに熱はヒートシンク層5
内を拡散して冷却されていく。
Since the metal film constituting the heat sink layer 5 has a high thermal conductivity, heat is quickly transferred to the heat sink layer 5.
It diffuses inside and cools down.

【0034】よって、記録膜3の緩慢な昇温のために低
線速下で用いることができ、また、くり返し耐性も確保
できる。光はヒートシンク層5を透過して誘電多層膜6
で反射されて再生系に入ることになる。
Therefore, the recording film 3 can be used at a low linear velocity for slowly raising the temperature, and the repetition resistance can be secured. Light passes through the heat sink layer 5 and passes through the dielectric multilayer film 6.
The light is reflected by and enters the reproduction system.

【0035】一方、本発明に於て使用される当該誘電反
射膜6は、誘電多層反射膜で構成されている事が好まし
く、又、当該誘電多層反射膜6は、少なくとも2種の互
いに異なる誘電材料で構成された誘電体層が積層されて
構成されているものである事も望ましい。
On the other hand, the dielectric reflection film 6 used in the present invention is preferably composed of a dielectric multilayer reflection film, and the dielectric multilayer reflection film 6 is composed of at least two kinds of different dielectric films. It is also desirable that the dielectric layer is formed by laminating dielectric layers made of a material.

【0036】即ち、本発明に於いては、当該誘電体多層
反射膜6は、少なくとも2種類、好ましくは3種以上の
誘電体を積層して構成された多層形状の膜体である事が
望ましい。
That is, in the present invention, it is desirable that the dielectric multilayer reflective film 6 is a multilayered film formed by laminating at least two types, preferably three or more types of dielectrics. .

【0037】当該誘電多層反射膜6を構成する互いに異
なる誘電材料としては、例えば、高屈折率誘電体と低屈
折率誘電体の組み合わせである事が好ましい。
The different dielectric materials constituting the dielectric multilayer reflective film 6 are preferably, for example, a combination of a high refractive index dielectric and a low refractive index dielectric.

【0038】より具体的には、当該誘電体多層反射膜6
を構成するそれぞれの誘電体膜の物理的膜厚(d)を、
レーザー光波長(λ0 )、屈折率(n)に対して、 nd= 1/4λ0 ・・・・・・・・・・ 〔I〕 上記の式〔I〕を満たすように定め、多層膜とすること
で実現する。
More specifically, the dielectric multilayer reflective film 6
The physical thickness (d) of each dielectric film constituting
With respect to the laser light wavelength (λ 0 ) and the refractive index (n), nd = 1 / 4λ 0 ... [I] It is realized by doing.

【0039】つまり、本発明に於いては、当該誘電多層
反射膜6の膜厚は、使用するレーザー光波長の1/4
が、膜厚と屈折率の積に等しくなるような膜厚値、若し
くは当該膜厚の近傍の膜厚値を有する事がのぞましい。
That is, in the present invention, the thickness of the dielectric multilayer reflective film 6 is set to 1 / of the wavelength of the laser beam used.
Preferably has a film thickness value equal to the product of the film thickness and the refractive index, or a film thickness value near the film thickness.

【0040】この方法を用いれば、光の波長に依存せ
ず、したがって、容易に高い反射率を持つ誘電体多層反
射膜6を得ることが出来る。
By using this method, the dielectric multilayer reflective film 6 having a high reflectance can be easily obtained without depending on the wavelength of light.

【0041】本発明に於て使用される当該誘電体多層膜
で用いる誘電体のうち、相対的に高い屈折率を持つ高屈
折率誘電体としては、例えばCeO2(n=2.4)、
TiO2(n=2.3)が好適である。
Among the dielectrics used in the dielectric multilayer film used in the present invention, high refractive index dielectrics having a relatively high refractive index include, for example, CeO 2 (n = 2.4),
TiO 2 (n = 2.3) is preferred.

【0042】また、低屈折率誘電体としては、例えば、
MgF2(n=1.4)、SiO2(n=1. 5)が好適
である。
As the low refractive index dielectric, for example,
MgF 2 (n = 1.4) and SiO 2 (n = 1.5) are preferred.

【0043】係る誘電体多層の選択理由は、耐光、耐熱
性に優れているからである。
The reason for selecting such a dielectric multilayer is that it is excellent in light resistance and heat resistance.

【0044】又、当該誘電体多層反射膜6に於ける当該
誘電体膜層は、少なくとも2層で構成されている必要が
あり、好ましくは、3層若しくは3層以上の積層体で構
成されている事が望ましい。
The dielectric film layer in the dielectric multilayer reflection film 6 must be composed of at least two layers, and is preferably composed of three layers or a laminate of three or more layers. It is desirable to have.

【0045】当該誘電体多層反射膜6を構成する各誘電
体層の層数は、3層以上ならよい。
The number of the dielectric layers constituting the dielectric multilayer reflective film 6 may be three or more.

【0046】更に、当該誘電体多層反射膜6を構成する
各誘電体の層数は、必要な反射率に応じて層数を増やし
てよいが、3〜6層程度が好適である。
Further, the number of layers of each dielectric constituting the dielectric multilayer reflective film 6 may be increased according to the required reflectance, but is preferably about 3 to 6 layers.

【0047】その理由は以下の通りである。即ち、結晶
部反射率が20パーセント以上、アモルファス部反射率
が5パーセント以下程度の値を取れば、反射率は実用的
であるが、3層とはそのための最小な層の数である。ま
た、6層以上の多層膜を形成しても反射率はほとんど上
がっていかないため、工数を考慮に入れると3乃至6層
が適当である。
The reason is as follows. That is, if the reflectivity of the crystal part is about 20% or more and the reflectivity of the amorphous part is about 5% or less, the reflectivity is practical, but three layers are the minimum number of layers for that purpose. Further, even if a multilayer film having six or more layers is formed, the reflectivity hardly increases. Therefore, considering man-hours, three to six layers are appropriate.

【0048】尚、本発明に於いては、図1からも明らか
な様に、当該誘電反射膜6は、更にUV保護膜等からな
る保護膜7で被覆されている事も望ましい。
In the present invention, as is apparent from FIG. 1, it is preferable that the dielectric reflection film 6 is further covered with a protection film 7 made of a UV protection film or the like.

【0049】従って、本発明に係る当該光ディスク10
に於いては、先ず、当該光ディスク10にレーザーが照
射されたときに記録膜3に発生する熱は保護膜4を伝播
してヒートシンク層5で拡散される。そして当該保護膜
4の厚さを調整することで記録膜3の冷却速度をコント
ロールすることが出来る。
Therefore, the optical disk 10 according to the present invention
First, when the optical disk 10 is irradiated with a laser, heat generated in the recording film 3 propagates through the protective film 4 and is diffused in the heat sink layer 5. The cooling rate of the recording film 3 can be controlled by adjusting the thickness of the protective film 4.

【0050】更に、本発明に於いては、光学的にはヒー
トシンク層5の膜厚が10〜50nmの範囲である場
合、ヒートシンク層5を透過したレーザー光は誘電多層
反射膜6で反射されて再生系に入ることになる。
Further, according to the present invention, when the thickness of the heat sink layer 5 is optically in the range of 10 to 50 nm, the laser light transmitted through the heat sink layer 5 is reflected by the dielectric multilayer reflective film 6. You will enter the playback system.

【0051】次に、本発明の光ディスク10のより詳細
な具体的を実施例の形で図6乃至図8を参照しながら詳
細に説明する。
Next, a more specific example of the optical disk 10 of the present invention will be described in detail in the form of an embodiment with reference to FIGS.

【0052】先ず、本具体例に於て使用される光ディス
ク10は、図6に示す様に、成形されたポリカーボネー
ト(PC)製ディスク基板1に、図示のような層構成で
成膜した。係る成膜方法は、いずれも真空度まで排気し
た後にスパッタリング法を使用して形成したものであ
る。
First, as shown in FIG. 6, an optical disk 10 used in this example was formed on a molded polycarbonate (PC) disk substrate 1 with a layer configuration as shown. In any of such film forming methods, the film is formed using a sputtering method after evacuation to a degree of vacuum.

【0053】図6に示す具体例の層構成を以下のように
表記する(括弧内はnm単位の膜厚である)。
The layer structure of the specific example shown in FIG. 6 is described as follows (the thickness in parentheses is a film thickness in nm).

【0054】1.PC基板/2.ZnS−SiO2(1
40)/3.Ge2Sb2Te5(20)/4.ZnS−Si
2(80)/5.Cu(20)/6.CeO2(40)/Mg
2(68) / CeO2(40)/MgF2(68) の交互
多層膜。
1. PC board / 2. ZnS-SiO 2 (1
40) / 3. Ge 2 Sb 2 Te 5 (20) / 4. ZnS-Si
O 2 (80) / 5. Cu (20) / 6. CeO 2 (40) / Mg
An alternating multilayer film of F 2 (68) / CeO 2 (40) / MgF 2 (68).

【0055】次に、成膜装置から取り出し、UV保護膜
7を上記誘電体多層反射膜6にコートした。
Next, the film was taken out of the film forming apparatus, and the UV protective film 7 was coated on the dielectric multilayer reflective film 6.

【0056】これらの実施例ではCuの膜がヒートシン
ク層に、さらに当該Cu膜の上側の膜が誘電体多層反射
膜に相当する。
In these embodiments, the Cu film corresponds to the heat sink layer, and the film above the Cu film corresponds to the dielectric multilayer reflective film.

【0057】なお、比較例として、以下の層構成で、C
u膜のない以下の構成からなる光ディスク10を同じ成
膜装置を用いて同様の真空度まで排気した後、スパッタ
リング法により成膜を行ったものを用意した。
In addition, as a comparative example, C:
An optical disk 10 having the following configuration without a u film was evacuated to the same degree of vacuum using the same film forming apparatus, and then a film formed by sputtering was prepared.

【0058】1.PC基板/2.ZnS−SiO2(1
40)/3.Ge2Sb2Te5(12)/4.ZnS−Si
2(20)/6.CeO2(40)/MgF2(68) / C
eO2(40)/MgF2(68) の交互多層膜。
1. PC board / 2. ZnS-SiO 2 (1
40) / 3. Ge 2 Sb 2 Te 5 (12) / 4. ZnS-Si
O 2 (20) / 6. CeO 2 (40) / MgF 2 (68) / C
An alternate multilayer film of eO 2 (40) / MgF 2 (68).

【0059】尚、上記二つの具体例の誘電体多層膜6の
各膜厚はレーザー波長380nm用に調整されている。
The thickness of each of the dielectric multilayer films 6 in the above two specific examples is adjusted for a laser wavelength of 380 nm.

【0060】この380nmでは図5に挙げたグラフの
ように、反射率が下がっているため金属反射膜にAlを
用いることができない。
At 380 nm, as shown in the graph of FIG. 5, since the reflectance is lowered, Al cannot be used for the metal reflection film.

【0061】一方、図6の具体例に示した光ディスク1
0の反射率は結晶部で25. 7%、アモルファス部で
3. 4%であり、実用的な値を示している。したがっ
て、この設計方法を用いることで波長によらず、金属反
射膜を用いることが出来ない場合でも、反射膜6を設計
することが出来ることが分かる。
On the other hand, the optical disk 1 shown in the specific example of FIG.
The reflectance of 0 is 25.7% in the crystal part and 3.4% in the amorphous part, indicating practical values. Therefore, it can be seen that by using this design method, the reflection film 6 can be designed regardless of the wavelength, even when the metal reflection film cannot be used.

【0062】又、図7には、上記具体例とヒートシンク
層のない比較例に対して測定した信号振幅の線速依存を
示す。
FIG. 7 shows the linear velocity dependence of the signal amplitude measured for the above specific example and the comparative example having no heat sink layer.

【0063】つまり、当該測定に際しては、線速測定を
線速6m/sから9m/sの範囲で書き込みを行った
後、信号波形用テスターを用いて測定を行った。
That is, at the time of the measurement, the linear velocity measurement was performed at a linear velocity of 6 m / s to 9 m / s, and then the measurement was performed using a signal waveform tester.

【0064】図7に於て、縦軸は線速9m/sのときの
振幅をもとに規格化している。図7に示したように、本
発明に係る光ディスク10に於いては、黒丸グラフに示
す様に、線速が低くなっても高い信号振幅を示してお
り、低線速側に使用可能線速が広がっている様子が分か
る。
In FIG. 7, the vertical axis is normalized based on the amplitude at a linear velocity of 9 m / s. As shown in FIG. 7, in the optical disk 10 according to the present invention, as shown by the black circle graph, the signal amplitude is high even when the linear velocity is low, and the usable linear velocity is lower on the lower linear velocity side. Can be seen spreading.

【0065】これに対し、ヒートシンク層5を設けてい
ない比較例に於いては、白丸グラフに示す様に、線速が
低くなると、信号振幅も大きく低下する事を示してお
り、低線速では、実用性に欠ける事が分かる。
On the other hand, in the comparative example in which the heat sink layer 5 was not provided, as shown by the white circle graph, it was shown that as the linear velocity was lowered, the signal amplitude was greatly reduced. It turns out that it lacks practicality.

【0066】一方、図8には、レーザー光が、線速6m/
s で光ディスク10を掃引した方向に最高温度分布がど
うなるかをシュミレーションで計算した結果を示す。
On the other hand, FIG. 8 shows that the laser beam has a linear velocity of 6 m /
A result obtained by calculating the maximum temperature distribution in the direction in which the optical disk 10 is swept by s by simulation is shown.

【0067】図8から理解される様に、本発明に係る光
ディスク10の測定結果を示す実線のグラフは、マーク
長領域内の最高温度が低く抑えられているのに対し、ヒ
ートシンク層5を有していない比較例の測定結果を示す
点線のグラフでは、当該マーク長領域内の最高温度が、
かなり高くなる事が理解される。
As can be understood from FIG. 8, the solid line graph showing the measurement results of the optical disk 10 according to the present invention shows that the maximum temperature in the mark length region is kept low while the heat sink layer 5 is provided. In the dotted line graph showing the measurement result of the comparative example that does not have, the maximum temperature in the mark length region,
It is understood that it becomes considerably high.

【0068】係る結果から明らかな様に、本発明の光デ
ィスクの方の最高温度がより低いことから本発明に係る
光ディスク10の繰り返し耐性がよくなっていることが
分かる。
As is apparent from the above results, the optical disk 10 of the present invention has a lower maximum temperature, indicating that the optical disk 10 of the present invention has improved repetition resistance.

【0069】尚、本発明における誘電多層反射膜6の材
料は上記記載のものに限らない。
The material of the dielectric multilayer reflective film 6 in the present invention is not limited to the above.

【0070】つまり、本発明に於いては、高屈折率誘電
体と低屈折率誘電体の屈折率差が大きいほど、誘電多層
膜はバンド幅の広いバンドストップフィルターとして機
能するため、特に使用波長幅が狭い場合には高屈折率誘
電体としてZnS- SiO2を、低屈折率誘電体として
AlNを用いることも可能である。
That is, in the present invention, the larger the refractive index difference between the high refractive index dielectric and the low refractive index dielectric, the more the dielectric multilayer film functions as a band stop filter having a wider band width. the if narrow ZnS-SiO 2 as a high refractive index dielectric, it is possible to use AlN as a low refractive index dielectric.

【0071】一方、本発明に係る光ディスクの製造方法
としては、上記した説明から明らかな通り、当該光ディ
スクの製造方法の一具体的としては、例えば、少なくと
も、基板基材上に記録膜を形成する第1の工程、当該記
録膜上に保護膜を形成する第2の工程、当該保護膜上に
ヒートシンク層を形成する第3の工程、及び当該ヒート
シンク層上に誘電反射膜を形成する第4の工程、から構
成されている光ディスクの製造方法である。
On the other hand, as is clear from the above description, the method for manufacturing an optical disk according to the present invention is, as a specific method for manufacturing the optical disk, for example, at least forming a recording film on a substrate substrate. A first step, a second step of forming a protective film on the recording film, a third step of forming a heat sink layer on the protective film, and a fourth step of forming a dielectric reflection film on the heat sink layer This is a method for manufacturing an optical disk comprising the steps of:

【0072】更に、本発明に於ける当該光ディスクの製
造方法に於いては、当該第1の工程の前に、当該基板基
材に予め保護膜を形成する第0の工程が付加される事も
望ましい。
Further, in the method of manufacturing an optical disk according to the present invention, a step of forming a protective film on the substrate in advance may be added before the first step. desirable.

【0073】又、本発明に係る当該光ディスクの製造方
法に於て、当該第3の工程に於ける当該ヒートシンク層
5の成膜に際し、当該ヒートシンク層5の膜厚を、熱拡
散性を維持しながら光の透過性が維持されるに十分な厚
みとなる様に成膜する事も好ましい。
In the method for manufacturing an optical disk according to the present invention, when the heat sink layer 5 is formed in the third step, the thickness of the heat sink layer 5 is maintained while maintaining the heat diffusion property. However, it is also preferable to form the film so as to have a thickness sufficient to maintain the light transmittance.

【0074】一方、本発明に係る当該光ディスクの製造
方法に於いては、当該ヒートシンク層5の膜厚を、10
〜50nmに設定して成膜する事も望ましい。
On the other hand, in the method for manufacturing an optical disk according to the present invention, the thickness of the heat sink layer 5 is set to 10
It is also desirable to form a film by setting the thickness to 50 nm.

【0075】更に、本発明に係る当該光ディスクの製造
方法に於いては、当該第4の工程に於ける誘電反射膜
は、少なくとも2種の互いに異なる誘電材料で構成され
た誘電体層を積層して形成する事も望ましく、又、当該
誘電多層反射膜は、その膜厚が、使用するレーザー光波
長の1/4が、膜厚と屈折率の積に等しくなるような膜
厚値、若しくは当該膜厚の近傍の膜厚値となる様に制御
しながら成膜する事も好ましい。
Further, in the method for manufacturing an optical disk according to the present invention, the dielectric reflection film in the fourth step is obtained by laminating at least two dielectric layers made of different dielectric materials. It is also desirable that the dielectric multilayer reflective film has a film thickness such that 1/4 of the wavelength of the laser beam used is equal to the product of the film thickness and the refractive index. It is also preferable to form a film while controlling the film thickness to a value near the film thickness.

【0076】又、本発明に係る当該光ディスクの製造方
法に於いては、当該第4の工程の後で、更に当該誘電反
射膜を保護膜で被覆する第5の工程が設けられている事
好ましい。
In the method of manufacturing an optical disk according to the present invention, preferably, after the fourth step, a fifth step of further covering the dielectric reflection film with a protective film is provided. .

【0077】[0077]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、光学設計
の容易な、繰り返し耐性のよい、かつ、低線速下で用い
ることができる光ディスクを作成することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to produce an optical disk which is easy in optical design, has good repetition resistance, and can be used at a low linear velocity.

【0078】従って、本発明の目的は、上記した従来技
術の欠点を改良し、光学設計が容易であり、くり返し耐
性がよく、低線速下でも情報の記録再生を実行できる光
ディスクを提供することが目的である。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide an optical disk which improves the above-mentioned drawbacks of the prior art, is easy in optical design, has good repetition resistance, and can execute information recording / reproduction even at a low linear velocity. Is the purpose.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明に係る光ディスクの一具体的の
構成を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a specific configuration of an optical disk according to the present invention.

【図2】図2は、従来の光ディスクの構成の一例を示す
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a conventional optical disc.

【図3】図3は、光ディスクに於ける書き込み動作時の
加熱曲線の例を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing an example of a heating curve during a writing operation on an optical disc.

【図4】図4は、光ディスクに於ける書き込みに際し
て、レーザーの線方向に沿った記録層に於ける温度分布
の一例を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing an example of a temperature distribution in a recording layer along a line direction of a laser at the time of writing on an optical disk.

【図5】図5は、アルミニウムAlの反射率スペクトラ
ムの例を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing an example of a reflectance spectrum of aluminum Al.

【図6】図6は、本発明に係る光ディスクの一具体的に
於けるより詳細な構成を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a more detailed configuration of one specific example of the optical disc according to the present invention.

【図7】図7は、本発明に係る光ディスクの具体的と比
較例の光ディスクとに於ける信号振幅の線速依存特性を
示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the linear velocity dependence of the signal amplitude of the optical disk according to the present invention and the optical disk of the comparative example.

【図8】図8は、本発明に係る光ディスクの具体的と比
較例とに於けるシュミレーションから得た線方向最高温
度分布を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the maximum linear temperature distribution obtained from simulations of the specific example of the optical disk according to the present invention and a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板基材 2…保護膜(下部保護膜) 3…記録膜 4…保護膜 5…ヒートシンク層 6…誘電反射膜 7…UV保護膜 10…光ディスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate base material 2 ... Protective film (lower protective film) 3 ... Recording film 4 ... Protective film 5 ... Heat sink layer 6 ... Dielectric reflective film 7 ... UV protective film 10 ... Optical disk

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板基材上に少なくとも記録膜、保護
膜、ヒートシンク層、誘電反射膜がこの順に積層されて
いることを特徴とする光ディスク。
1. An optical disk, wherein at least a recording film, a protective film, a heat sink layer, and a dielectric reflection film are laminated on a substrate in this order.
【請求項2】 基板基材上に、少なくとも保護膜、記録
膜、保護膜、ヒートシンク層、誘電反射膜がこの順に積
層されていることを特徴とする光ディスク。
2. An optical disk characterized in that at least a protective film, a recording film, a protective film, a heat sink layer, and a dielectric reflection film are laminated in this order on a substrate.
【請求項3】 当該ヒートシンク層は、極薄の膜厚をも
つ金属膜で構成されている事を特徴とする請求項1又は
2に記載の光ディスク。
3. The optical disc according to claim 1, wherein the heat sink layer is made of a metal film having an extremely thin film thickness.
【請求項4】 当該ヒートシンク層の膜厚は、熱拡散性
を維持しながら光の透過性が維持されるに十分な厚みで
ある事を特徴とする請求項3記載の光ディスク。
4. The optical disc according to claim 3, wherein the thickness of the heat sink layer is sufficient to maintain light diffusivity while maintaining thermal diffusivity.
【請求項5】 当該ヒートシンク層の膜厚は、10〜5
0nmである事を特徴とする請求項1乃至4の何れかに
記載の光ディスク。
5. The heat sink layer has a thickness of 10-5.
The optical disc according to any one of claims 1 to 4, wherein the optical disc has a thickness of 0 nm.
【請求項6】 当該誘電反射膜は、誘電多層反射膜であ
る事を特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の光デ
ィスク。
6. The optical disk according to claim 1, wherein the dielectric reflection film is a dielectric multilayer reflection film.
【請求項7】 当該誘電多層反射膜は、少なくとも2種
の互いに異なる誘電材料で構成された誘電体層が積層さ
れて構成されているものである事を特徴とする請求項1
乃至6の何れかに記載の光ディスク。
7. The dielectric multilayer reflective film according to claim 1, wherein at least two types of dielectric layers composed of different dielectric materials are laminated.
7. The optical disk according to any one of claims 1 to 6,
【請求項8】 当該互いに異なる誘電材料としては、高
屈折率誘電体と低屈折率誘電体の組み合わせである事を
特徴とする請求項7記載の光ディスク。
8. The optical disk according to claim 7, wherein the different dielectric materials are a combination of a high refractive index dielectric and a low refractive index dielectric.
【請求項9】 当該誘電多層反射膜の膜厚は、使用する
レーザー光波長の1/4が、膜厚と屈折率の積に等しく
なるような膜厚値、若しくは当該膜厚の近傍の膜厚値を
有する事を特徴とする請求項1乃至8の何れかに記載の
光ディスク。
9. The film thickness of the dielectric multilayer reflective film is such that 1/4 of the wavelength of the laser beam used is equal to the product of the film thickness and the refractive index, or a film near the film thickness. 9. The optical disc according to claim 1, wherein the optical disc has a thickness.
【請求項10】 少なくとも、基板基材上に記録膜を形
成する第1の工程、当該記録膜上に保護膜を形成する第
2の工程、当該保護膜上にヒートシンク層を形成する第
3の工程とから構成されていることを特徴とする光ディ
スクの製造方法。
10. At least a first step of forming a recording film on a substrate substrate, a second step of forming a protective film on the recording film, and a third step of forming a heat sink layer on the protective film. And a method for manufacturing an optical disk.
【請求項11】 当該第1の工程の前に、当該基板基材
に予め保護膜を形成する第0の工程が付加される事を特
徴とする請求項10記載の光ディスクの製造方法。。
11. The method for manufacturing an optical disk according to claim 10, wherein a first step of forming a protective film on the substrate in advance is added before the first step. .
【請求項12】 当該第3の工程に於ける当該ヒートシ
ンク層の成膜に際し、当該ヒートシンク層の膜厚を、熱
拡散性を維持しながら光の透過性が維持されるに十分な
厚みとなる様に成膜する事を特徴とする請求項10又は
11記載の光ディスクの製造方法。
12. When forming the heat sink layer in the third step, the thickness of the heat sink layer is set to a thickness sufficient to maintain light transmission while maintaining heat diffusion. 12. The method for manufacturing an optical disk according to claim 10, wherein the film is formed in a manner as described above.
【請求項13】 当該ヒートシンク層の膜厚を、10〜
50nmに設定して成膜する事を特徴とする請求項12
記載の光ディスクの製造方法。
13. The heat sink layer may have a thickness of 10 to 10.
13. The film is formed by setting the thickness to 50 nm.
The manufacturing method of the optical disc according to the above.
【請求項14】 当該第3の工程の後に当該ヒートシン
ク層上に誘電反射膜を形成する第4の工程が設けられて
いる事を特徴とする請求項10乃至13の何れかに記載
の光ディスクの製造方法。
14. The optical disk according to claim 10, further comprising a fourth step of forming a dielectric reflection film on the heat sink layer after the third step. Production method.
【請求項15】 当該第4の工程に於ける誘電反射膜
は、少なくとも2種の互いに異なる誘電材料で構成され
た誘電体層を積層して形成する事を特徴とする請求項1
4に記載の光ディスクの製造方法。
15. The method according to claim 1, wherein the dielectric reflection film in the fourth step is formed by laminating at least two dielectric layers made of different dielectric materials.
5. The method for manufacturing an optical disk according to item 4.
【請求項16】 当該誘電多層反射膜は、その膜厚が、
使用するレーザー光波長の1/4が、膜厚と屈折率の積
に等しくなるような膜厚値、若しくは当該膜厚の近傍の
膜厚値となる様に制御しながら成膜する事を特徴とする
請求項15に記載の光ディスクの製造方法。
16. The dielectric multilayer reflective film having a thickness of:
It is characterized in that the film is formed while controlling so that a quarter of the wavelength of the laser beam used is equal to the product of the film thickness and the refractive index or a film thickness value near the film thickness. The method for manufacturing an optical disk according to claim 15, wherein
【請求項17】 当該第4の工程の後で、更に当該誘電
反射膜を保護膜で被覆する第5の工程が設けられている
事を特徴とする請求項14乃至16の何れかに記載の光
ディスクの製造方法。
17. The method according to claim 14, further comprising, after the fourth step, a fifth step of covering the dielectric reflection film with a protective film. An optical disc manufacturing method.
JP11210731A 1999-07-26 1999-07-26 Optical disk and manufacture of the same Pending JP2001035010A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11210731A JP2001035010A (en) 1999-07-26 1999-07-26 Optical disk and manufacture of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11210731A JP2001035010A (en) 1999-07-26 1999-07-26 Optical disk and manufacture of the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001035010A true JP2001035010A (en) 2001-02-09

Family

ID=16594184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11210731A Pending JP2001035010A (en) 1999-07-26 1999-07-26 Optical disk and manufacture of the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001035010A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6221557B1 (en) Optical information recording medium
JP2000298875A (en) Optical recording medium
KR20010020233A (en) Optical recording medium
JP2000322770A (en) Optical information recording medium
JP4018340B2 (en) Rewritable optical information medium
JP3180813B2 (en) Optical information recording medium
US5449589A (en) Method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information
JPH06282876A (en) Optical recording medium
JPH07105574A (en) Optical information recording medium
JPH05298747A (en) Optical information recording medium and designing method for structure thereof
WO2001013370A1 (en) Rewritable optical information recording medium
JP3639218B2 (en) Phase change optical recording medium
JP2000285509A (en) Draw type optical recording medium
JP2000187882A (en) Optical recording medium
TW200305150A (en) Method for reproducing information from optical recording medium, information reproducer, and optical recording medium
JP3313246B2 (en) Optical information recording medium
JP4227278B2 (en) Information recording medium, manufacturing method thereof, and recording / reproducing method thereof
JP2001035010A (en) Optical disk and manufacture of the same
JP3087454B2 (en) Optical information recording medium and structure design method thereof
JP2800431B2 (en) Optical information recording medium
WO2004034390A1 (en) Optical information recording medium and manufacturing method thereof
KR0161910B1 (en) Structure of phase transition type optical disk
JP3653254B2 (en) Optical information recording medium
JPH07147025A (en) Optical disk
JP4152497B2 (en) Optical recording medium