JP2001028250A - High voltage introducing mechanism - Google Patents

High voltage introducing mechanism

Info

Publication number
JP2001028250A
JP2001028250A JP9719299A JP9719299A JP2001028250A JP 2001028250 A JP2001028250 A JP 2001028250A JP 9719299 A JP9719299 A JP 9719299A JP 9719299 A JP9719299 A JP 9719299A JP 2001028250 A JP2001028250 A JP 2001028250A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rail
stage
sample
high voltage
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9719299A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3814095B2 (en
Inventor
Hidenori Okazaki
秀則 岡崎
Sadao Matsumoto
貞夫 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP9719299A priority Critical patent/JP3814095B2/en
Publication of JP2001028250A publication Critical patent/JP2001028250A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3814095B2 publication Critical patent/JP3814095B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent damages to a high voltage cable for applying high voltage to a target and to prevent lowering of target movement accuracy. SOLUTION: An X-axis rail 24A, whereon a projecting part is formed along a longitudinal direction, is fixed on a stage base 21, another rail 24B whereon a recessed groove is formed along a longitudinal direction is fixed on an X- direction stage 22, the projecting part of the rail 24A is fitted into the recessed groove of the rail 24B, and the rail 24A is constituted so as to slide relative to the rail 24B by movement of the X-direction stage 22. One Y-rail 25A whereon a projecting part is formed along a longitudinal direction is fixed on the X-direction stage 22, another rail 25B whereon a recessed groove is formed along a longitudinal direction is fixed on a Y-direction stage 23, the projecting part of the rail 25A is fitted into the recessed groove of the rail 25B, and the rail 25A is constituted, so as to slide relative to the rail 25B by movement of the Y-direction stage 23.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】 本発明は、ターゲットに高
電圧を印加する様に成した高電圧導入機構に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high voltage introducing mechanism configured to apply a high voltage to a target.

【0002】[0002]

【従来の技術】ターゲットに高電圧を印加する場合が多
々あるが、例えば、走査電子顕微鏡を例に上げて説明す
る。
2. Description of the Related Art In many cases, a high voltage is applied to a target. For example, a scanning electron microscope will be described as an example.

【0003】図1は走査電子顕微鏡の概略を示したもの
で、図中1は高真空に保たれた走査電子顕微鏡の鏡筒、
2は電子ビームを発生させるための電子銃、3および4
は電子ビームを集束して細く絞るための集束レンズと対
物レンズである。5はターゲット(走査電子顕微鏡の場
合、試料)6上を電子ビームで2次元的に走査させるた
めの走査コイルである。7は高真空に保たれた試料室
で、該試料室には試料ステージ8が設置されている。該
試料ステージ8はステージ駆動機構(図示せず)により
自在にX方向移動及びY方向移動が出来る様に成ってお
り、その結果、試料ステージ8上に載置された試料6上
の所望の位置の顕微鏡観察が出来る。尚、試料6は、エ
アロック室(図示せず)を経由して試料室外から試料室
内に装填され、試料ステージ8上に載置される様に成っ
ている。9は電子ビームの照射によって試料から発生し
た二次電子を検出する検出器である。
FIG. 1 schematically shows a scanning electron microscope. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a scanning electron microscope column maintained at a high vacuum.
2 is an electron gun for generating an electron beam, 3 and 4
A focusing lens and an objective lens for focusing and narrowing the electron beam. Reference numeral 5 denotes a scanning coil for two-dimensionally scanning a target (a sample in the case of a scanning electron microscope) 6 with an electron beam. Reference numeral 7 denotes a sample chamber kept in a high vacuum, and a sample stage 8 is installed in the sample chamber. The sample stage 8 can be freely moved in the X and Y directions by a stage driving mechanism (not shown). As a result, a desired position on the sample 6 placed on the sample stage 8 is obtained. Can be observed with a microscope. The sample 6 is loaded from outside the sample chamber into the sample chamber via an air lock chamber (not shown), and is mounted on the sample stage 8. Reference numeral 9 denotes a detector for detecting secondary electrons generated from the sample by the irradiation of the electron beam.

【0004】尚、特に図示しないが、走査電子顕微鏡に
は、更に、前記電子銃2、各レンズ3、4、走査コイル
5、試料ステージ8等をそれぞれ制御するための電気回
路、検出器9からの信号を増幅等する電気回路、その信
号を用いて電子顕微鏡像を表示するためのCRT等が設
けられている。このような走査電子顕微鏡において、電
子銃2で発生した電子ビームは、集束レンズ3と対物レ
ンズ4で細く絞られて試料6上に照射され、走査コイル
5により試料6上を2次元的に走査する。該走査によっ
て発生した二次電子は検出器9で検出され、CRT(図
示せず)上に走査顕微鏡像として表示される。ところで
このような走査電子顕微鏡において、例えば、半導体試
料(例えばシリコンウエハ)に穿たれた狭い穴の底の様
子を観察しようとすると、底で発生した二次電子は、狭
い穴の周りの壁に再吸収されてしまい検出するのは困難
となってしまう。この様な場合、試料に負の電位をかけ
れば、二次電子の穴からの放出を容易にすることができ
る。図2は、この様な特殊な目的のために、試料に高電
圧を印加する様に成した走査電子顕微鏡の概略を示して
いる。図中前記図1で使用された番号と同一番号の付さ
れたものは同一の構成要素を示す。
Although not shown, the scanning electron microscope further includes an electric circuit for controlling the electron gun 2, the lenses 3, 4, the scanning coil 5, the sample stage 8, etc., and a detector 9. There is provided an electric circuit for amplifying the above signal, a CRT for displaying an electron microscope image using the signal, and the like. In such a scanning electron microscope, the electron beam generated by the electron gun 2 is narrowed down by the converging lens 3 and the objective lens 4 and irradiated onto the sample 6, and the scanning coil 5 scans the sample 6 two-dimensionally. I do. Secondary electrons generated by the scanning are detected by the detector 9 and displayed on a CRT (not shown) as a scanning microscope image. By the way, in such a scanning electron microscope, for example, when an attempt is made to observe the state of the bottom of a narrow hole formed in a semiconductor sample (for example, a silicon wafer), secondary electrons generated at the bottom are generated on a wall around the narrow hole. It is re-absorbed and difficult to detect. In such a case, if a negative potential is applied to the sample, secondary electrons can be easily emitted from the hole. FIG. 2 schematically shows a scanning electron microscope in which a high voltage is applied to a sample for such a special purpose. In the figure, the same reference numerals as those used in FIG. 1 indicate the same components.

【0005】図中10は試料6を載置する導電性の試料
載置台、11は試料載置10と試料ステージ8とを電気
的に絶縁するための絶縁体である。12は試料室7の壁
面を貫通するように取り付けられ、試料室外からの高電
圧を試料室内内に導く為の高電圧導入端子で、試料室内
の真空を保つために前記壁面の貫通孔との間はロー付け
されている。13は試料載置10と高電圧導入端子12
とを繋いで試料6に高電位を与えるための高電圧ケーブ
ルである。更に、特に図示しないが、試料室外側には、
高電圧電源(図示せず)からの高電圧を前記高電圧導入
端子12に供給するための別の高電圧ケーブルが設けら
れている。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a conductive sample mounting table on which the sample 6 is mounted, and 11 denotes an insulator for electrically insulating the sample mounting 10 from the sample stage 8. Reference numeral 12 denotes a high voltage introduction terminal which is mounted so as to penetrate the wall surface of the sample chamber 7 and guides a high voltage from outside the sample chamber into the sample chamber. The space is brazed. Reference numeral 13 denotes the sample mounting 10 and the high voltage introduction terminal 12
And a high-voltage cable for applying a high potential to the sample 6 by connecting to Further, although not particularly shown, outside the sample chamber,
Another high voltage cable is provided for supplying a high voltage from a high voltage power supply (not shown) to the high voltage introduction terminal 12.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】さて、図2に示した、
試料に高電圧を印加する方式の走査電子顕微鏡は、半導
体試料に形成されるコンタクトホールの底部の観察・検
査に用いることができる。
Now, FIG.
A scanning electron microscope in which a high voltage is applied to a sample can be used for observation and inspection of the bottom of a contact hole formed in a semiconductor sample.

【0007】しかしながら、この様な目的では、試料に
印加すべき電圧は−10kVから−20kV程度以上の
高電圧を要し、又、半導体試料(例えば、ウエハ)の径
が大きくなるに従い、当然試料ステージのX方向、Y方
向等の移動の範囲も大きくなる。しかもかなりの高速で
頻繁に駆動される。
However, for such a purpose, the voltage to be applied to the sample requires a high voltage of about -10 kV to -20 kV or more, and as the diameter of the semiconductor sample (eg, wafer) increases, the The range of movement of the stage in the X direction, Y direction, and the like also increases. Moreover, it is frequently driven at a considerably high speed.

【0008】所で、前記高電圧ケーブル13は、円柱状
の絶縁部材(例えば、テフロン(登録商標))層の中心
に芯線が埋め込まれており、円柱状の絶縁部材層の周囲
を編み線で囲い、該編み線の周囲を丈夫な布などで覆っ
た構造のもので、伝送する電圧が大きい程、縁面放電防
止を考慮して前記絶縁層の径が大きくなっており、それ
に応じてフレキシビリティーが低くなっている。
Here, the high-voltage cable 13 has a core wire embedded at the center of a cylindrical insulating member (for example, Teflon (registered trademark)) layer, and a braided wire is provided around the cylindrical insulating member layer. It has a structure in which the circumference of the knitted wire is covered with a durable cloth or the like. The larger the voltage to be transmitted, the larger the diameter of the insulating layer in consideration of the prevention of edge discharge, and accordingly the flexi The ability is low.

【0009】その為に、ステージの移動の度に、この様
な高電圧ケーブルに応力が掛かると、短期間にケーブル
が破損してしまう。
For this reason, if a stress is applied to such a high-voltage cable every time the stage is moved, the cable will be damaged in a short time.

【0010】又、高電圧ケーブルのフレキシビリティー
の低さから、ステージ移動そのものがスムーズに行か
ず、結果的に試料移動精度が悪化する。
Also, due to the low flexibility of the high-voltage cable, the stage itself does not move smoothly, and as a result, the sample moving accuracy deteriorates.

【0011】本発明は、この様な問題点を解決すべくな
されたものであり、新規な高電圧導入機構を提供するこ
とを目的としている。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a novel high voltage introducing mechanism.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明の高電圧導入機構は、チャンバー内のターゲッ
トに高電圧を印加する高電圧導入機構であって、ターゲ
ット載置台を載置しているステージに、ベース上に固定
された固定レールに対し摺動可能な可動レールを取り付
け、該可動レールと前記ターゲット載置台をケーブルで
繋ぎ、チャンバー外に設けられた電圧源からの電圧をケ
ーブルを介して前記固定レールに印加するように成した
ことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a high-voltage introducing mechanism for applying a high voltage to a target in a chamber. A movable rail slidable on a fixed rail fixed on a base is attached to the stage, and the movable rail and the target mounting table are connected by a cable, and a voltage from a voltage source provided outside the chamber is connected to a cable. The voltage is applied to the fixed rail via

【0013】この目的を達成するための本発明の高電圧
導入機構は、チャンバー内のターゲットに高電圧を印加
する高電圧導入機構であって、ベース上で第1の方向に
移動可能な第1ステージ、該第1ステージ上で前記第1
方向に直角な第2の方向に移動可能な第2ステージ、及
び、該第2ステージ上に載置されたターゲット載置台を
有しており、前記第1ステージに、前記ベース上に固定
された第1固定レールに対し摺動可能な第1可動レール
を取り付け、前記第2ステージに、前記第1ステージ上
に固定された第2固定レールに対し摺動可能な第2可動
レールを取り付け、前記第1可動レールと前記第2固定
レールの間及び前記第2可動レールと前記ターゲット載
置台の間をそれぞれケーブルで繋ぎ、チャンバー外に設
けられた電圧源からの電圧をケーブルを介して前記第1
固定レールに印加するように成したことを特徴とする。
A high-voltage introduction mechanism according to the present invention for achieving this object is a high-voltage introduction mechanism for applying a high voltage to a target in a chamber, the first mechanism being movable in a first direction on a base. Stage, the first stage on the first stage
A second stage movable in a second direction perpendicular to the first direction, and a target mounting table mounted on the second stage, the second stage being fixed to the first stage on the base. Attaching a first movable rail slidable to a first fixed rail, attaching a second movable rail slidable to a second fixed rail fixed on the first stage to the second stage, Cables are respectively connected between the first movable rail and the second fixed rail and between the second movable rail and the target mounting table, and a voltage from a voltage source provided outside the chamber is applied to the first movable rail via a cable.
It is characterized in that the voltage is applied to the fixed rail.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】図3は、本発明の高電圧導入機構を備えた
走査型電子顕微鏡の試料室内に設けられた試料ステージ
機構の一例を示す。
FIG. 3 shows an example of a sample stage mechanism provided in a sample chamber of a scanning electron microscope provided with the high voltage introducing mechanism of the present invention.

【0016】図中21はステージベース、22はX方向
ステージ、23はY方向ステージで、何れも、例えば、
セラミックス等の電気的絶縁材料にて形成されている。
24は導電材料で作成されたX軸レールで、2本のレ
ールから成り、一方のレール24Aは前記ステージベー
ス21上に固定されており、該レールには長手方向に沿
って凸部が形成されている。他方のレール24Bは前記
X方向テーブル22に固定されており、該レールには長
手方向に沿って凹溝が形成されている。該2つのレール
は、一方のレール24Aの凸部が他方のレール24Bの
凹溝にはめ込まれ、X方向テーブル22の移動時、一方
のレール24Aが他方のレール24Bに対して摺動可能
に成してある。25は導電性材料で作成されたY軸レー
ルで、2本のレールから成り、一方のレール25Aは前
記X方向ステージ22上に固定されており、該レールに
は長手方向に沿って凸部が形成されている。他方のレー
ル25Bは前記Y方向テーブル23に固定されており、
該レールには長手方向に沿って凹溝が形成されている。
該2つのレールは、一方のレール25Aの凸部が他方の
レール25Bの凹溝にはめ込まれ、Y方向テーブル23
の移動時、一方のレール25Aが他方のレール25Bに
対して摺動可能に成してある。
In the figure, 21 is a stage base, 22 is an X-direction stage, and 23 is a Y-direction stage.
It is formed of an electrically insulating material such as ceramics.
Reference numeral 24 denotes an X-axis rail made of a conductive material, which is composed of two rails. One rail 24A is fixed on the stage base 21, and a convex portion is formed on the rail along the longitudinal direction. ing. The other rail 24B is fixed to the X-direction table 22, and a concave groove is formed in the rail in the longitudinal direction. The two rails are configured such that the protruding portion of one rail 24A is fitted into the concave groove of the other rail 24B so that when the X-direction table 22 moves, one rail 24A can slide with respect to the other rail 24B. I have. Reference numeral 25 denotes a Y-axis rail made of a conductive material, which is composed of two rails. One rail 25A is fixed on the X-direction stage 22, and the rail has a convex portion along the longitudinal direction. Is formed. The other rail 25B is fixed to the Y-direction table 23,
A concave groove is formed in the rail along the longitudinal direction.
In the two rails, the protrusion of one rail 25A is fitted into the groove of the other rail 25B, and the Y-direction table 23
During the movement, one rail 25A is slidable with respect to the other rail 25B.

【0017】26は導電性材料で形成された試料載置台
で、前記Y方向ステージ23上に固定されている。
Reference numeral 26 denotes a sample mounting table made of a conductive material, which is fixed on the Y-direction stage 23.

【0018】27は図1及び図2に示す走査電子顕微鏡
で説明した高電圧導入端子(図示せず)に一端が繋がっ
た高電圧導入ケーブルで、他端が前記X軸レールの一方
24Aに繋がっている。
Reference numeral 27 denotes a high-voltage introduction cable having one end connected to the high-voltage introduction terminal (not shown) described in the scanning electron microscope shown in FIGS. 1 and 2, and the other end connected to one of the X-axis rails 24A. ing.

【0019】28は一端が前記X軸レールの他方24B
に繋がり、他端が前記Y軸レールの一方25Aに繋がっ
ている高電圧ケーブル、29は一端が前記Y軸レールの
他方25Bに繋がり、他端が前記試料載置台26に繋が
っている高電圧ケーブルである。
Reference numeral 28 denotes one end of the X-axis rail 24B.
, A high-voltage cable having the other end connected to one of the Y-axis rails 25A, a high-voltage cable 29 having one end connected to the other 25B of the Y-axis rail, and the other end connected to the sample mounting table 26. It is.

【0020】この様な構成の装置において、試料室外に
設けられた電源(図示せず)から高電圧ケーブル(図示
せず)及び高電圧導入端子(図示せず)を介して試料室
内の高電圧導入ケーブル27に送られてきた高電圧は、
X軸レール24,高電圧ケーブル28,29及び試料載
置台26を介して試料(図示せず)に印加される。
In the apparatus having such a configuration, a high voltage inside the sample chamber is supplied from a power supply (not shown) provided outside the sample chamber via a high voltage cable (not shown) and a high voltage introduction terminal (not shown). The high voltage sent to the introduction cable 27
The voltage is applied to a sample (not shown) via the X-axis rail 24, the high voltage cables 28 and 29, and the sample mounting table 26.

【0021】さて、試料載置台26上に載せられた試料
(図示せず)の所望の領域を観察するために、ステージ
駆動機構(図示せず)によりX方向ステージ22及びY
方向ステージ23を移動させることにより試料を移動さ
せる。
Now, in order to observe a desired area of the sample (not shown) placed on the sample mounting table 26, the X-direction stage 22 and the Y-direction stage 22 are moved by a stage driving mechanism (not shown).
The sample is moved by moving the direction stage 23.

【0022】例えば、ステージ駆動機構(図示せず)に
よりX方向ステージ22を移動させる場合、X方向ステ
ージ22に固定されたX軸レール24Bがステージベー
ス21上に固定されたX軸レール24Aに対して摺動す
ることにより、X方向ステージ22がX方向に移動す
る。この際、X方向ステージ22上に載っているY軸レ
ール25,試料載置台26及び試料(図示せず)は全て
X方向ステージ22の移動と同期してX方向に移動する
ので、高電圧導入ケーブル27,高電圧ケーブル28,
29はこの移動によって動くことはない。
For example, when the X-direction stage 22 is moved by a stage drive mechanism (not shown), the X-axis rail 24B fixed to the X-direction stage 22 is moved with respect to the X-axis rail 24A fixed to the stage base 21. The X-direction stage 22 moves in the X-direction by sliding. At this time, since the Y-axis rail 25, the sample mounting table 26, and the sample (not shown) mounted on the X-direction stage 22 all move in the X-direction in synchronization with the movement of the X-direction stage 22, a high voltage is applied. Cable 27, high-voltage cable 28,
29 is not moved by this movement.

【0023】又、ステージ駆動機構(図示せず)により
Y方向ステージ23を移動させる場合、Y方向ステージ
23に固定されたY軸レール25BがX方向ステージ2
2に固定されたY軸レール24Aに対して摺動すること
により、Y方向ステージ23がX方向に移動する。この
際、Y方向ステージ23上に載っている試料載置台26
及び試料(図示せず)は全てY方向ステージ23の移動
と同期してY方向に移動し、Y方向テーブル23及びY
軸レール25Bの下方にあるX方向ステージ22,X軸
レール24及びステージベース21はこの移動によって
動くことはないので、高電圧導入ケーブル27,高電圧
ケーブル28,29はこの移動によって動くことはな
い。
When the Y-direction stage 23 is moved by a stage driving mechanism (not shown), the Y-axis rail 25B fixed to the Y-direction stage 23 is
By sliding with respect to the Y-axis rail 24A fixed to 2, the Y-direction stage 23 moves in the X-direction. At this time, the sample mounting table 26 placed on the Y-direction stage 23
And all the samples (not shown) move in the Y direction in synchronization with the movement of the Y direction stage 23, and the Y direction table 23 and the Y
Since the X-direction stage 22, the X-axis rail 24 and the stage base 21 below the axis rail 25B do not move by this movement, the high-voltage introduction cable 27 and the high-voltage cables 28 and 29 do not move by this movement. .

【0024】この様に試料ステージを介して試料を移動
させても、この移動に対して、試料室内に設けられた高
電圧ケーブル及び高電圧導入ケーブルは全く動かない。
従って、試料移動による高電圧ケーブル及び高電圧導入
ケーブルの劣化や破損が無くなり、試料移動の精度も低
下しない。
Even if the sample is moved through the sample stage in this way, the high-voltage cable and the high-voltage introduction cable provided in the sample chamber do not move at all with this movement.
Therefore, deterioration and breakage of the high-voltage cable and the high-voltage introduction cable due to the movement of the sample are eliminated, and the accuracy of the sample movement does not decrease.

【0025】尚、前記例では、一方のレールに対して他
方のレールが摺動出来る様に成したが、各レール間の接
触の不良により試料へ印加される高電圧が変動しないよ
うに、何れかのレールの接触面にブラシの如き接触子を
設けるようにしても良い。
In the above example, the other rail is slidable with respect to one rail. However, in order to prevent the high voltage applied to the sample from fluctuating due to poor contact between the rails, A contact such as a brush may be provided on the contact surface of the rail.

【0026】又、前記例ではステージベースやX,Y方
向ステージが電気的絶縁材料であったが、レールとこれ
らのステージベースやステージとが電気的に絶縁されて
いれば良いので、レールを電気的絶縁部材を介してステ
ージベースや各ステージに取り付けるようにすれば、各
ステージは導電性の材料で形成しても良い。
In the above example, the stage base and the X and Y direction stages are made of an electrically insulating material. However, it is sufficient that the rail and these stage bases and stages are electrically insulated. Each stage may be formed of a conductive material if it is attached to the stage base or each stage via a mechanical insulating member.

【0027】又、前記例では、走査電子顕微鏡の試料室
の試料に高電圧を印加する場合を例に上げたが、この様
なものに限定されないことは言うまでもない。例えば、
ターゲット室内において、ウエハ等のターゲットをター
ゲット載置台上に静電チャックにより保持させる場合、
例えば、絶縁材料製の載置台中に設けられた電極に高電
圧を印加するが、この様な高電圧導入系にも前記高電圧
導入機構を応用することが出来る。又、荷電粒子ビーム
装置では、試料や材料の如きターゲット上を荷電粒子ビ
ームで走査し、所定の加工を行ったり、この走査により
ターゲットから得られたに次電子や二次イオンに基づい
てターゲットの表面観察や分析などを行っている。この
様な荷電粒子ビーム装置において、ターゲットに減速電
圧を印加する事によって、集束レンズには高いエネルギ
ーの状態でビームを入射させ、ターゲットには減速した
ビームを照射することにより、ビームを細く集束すると
共に、ターゲットのダメージを防止しているが、この様
なターゲットへの減速電圧印加系にも前記高電圧導入機
構を応用することが出来る。
In the above-described example, the case where a high voltage is applied to the sample in the sample chamber of the scanning electron microscope has been described as an example. However, it is needless to say that the present invention is not limited to such a case. For example,
In the case where a target such as a wafer is held on a target mounting table by an electrostatic chuck in a target chamber,
For example, a high voltage is applied to an electrode provided in a mounting table made of an insulating material. The high voltage introducing mechanism can be applied to such a high voltage introducing system. In a charged particle beam apparatus, a target such as a sample or a material is scanned with a charged particle beam to perform a predetermined process, and the target is scanned based on secondary electrons and secondary ions obtained from the target by this scanning. We conduct surface observation and analysis. In such a charged particle beam apparatus, by applying a deceleration voltage to the target, the beam is incident on the focusing lens with high energy, and the beam is narrowly focused by irradiating the target with the decelerated beam. At the same time, damage to the target is prevented, but the high voltage introducing mechanism can be applied to such a system for applying a deceleration voltage to the target.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 走査電子顕微鏡の一概略例を示す。FIG. 1 shows a schematic example of a scanning electron microscope.

【図2】 試料に高電圧を印加する方式の走査電子顕微
鏡の一概略例を示す。
FIG. 2 shows a schematic example of a scanning electron microscope in which a high voltage is applied to a sample.

【図3】 本発明の高電圧導入機構を備えた走査型電子
顕微鏡の試料室内に設けられた試料ステージ機構の一例
を示す。
FIG. 3 shows an example of a sample stage mechanism provided in a sample chamber of a scanning electron microscope provided with the high voltage introducing mechanism of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電子顕微鏡鏡筒 2…電子銃 3…集束レンズ 4…対物レンズ 5…走査コイル 6…試料 7…試料室 8…試料ステージ 9…検出器 10…試料載置台 11…絶縁体 12…高電圧導入端子 13…高電圧ケーブル 21…ステージベース 22…X方向ステージ 23…Y方向ステージ 24,24A,24B…X軸レール 25,25A,25B…Y軸レール 26…試料載置台 27…高電圧導入ケーブル 28,29…高電圧ケーブル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron microscope column 2 ... Electron gun 3 ... Focusing lens 4 ... Objective lens 5 ... Scanning coil 6 ... Sample 7 ... Sample chamber 8 ... Sample stage 9 ... Detector 10 ... Sample mounting table 11 ... Insulator 12 ... High voltage Introduction terminal 13 ... High voltage cable 21 ... Stage base 22 ... X direction stage 23 ... Y direction stage 24, 24A, 24B ... X axis rail 25, 25A, 25B ... Y axis rail 26 ... Sample mounting table 27 ... High voltage introduction cable 28,29… High voltage cable

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チャンバー内のターゲットに高電圧を印
加する高電圧導入機構であって、ターゲット載置台を載
置しているステージに、ベース上に固定された固定レー
ルに対し摺動可能な可動レールを取り付け、該可動レー
ルと前記ターゲット載置台をケーブルで繋ぎ、チャンバ
ー外に設けられた電圧源からの電圧をケーブルを介して
前記固定レールに印加するように成した高電圧導入機
構。
1. A high voltage introducing mechanism for applying a high voltage to a target in a chamber, the movable mechanism being slidable on a stage on which a target mounting table is mounted, with respect to a fixed rail fixed on a base. A high voltage introducing mechanism, wherein a rail is attached, the movable rail is connected to the target mounting table by a cable, and a voltage from a voltage source provided outside the chamber is applied to the fixed rail via the cable.
【請求項2】 チャンバー内のターゲットに高電圧を印
加する高電圧導入機構であって、ベース上で第1の方向
に移動可能な第1ステージ、該第1ステージ上で前記第
1方向に直角な第2の方向に移動可能な第2ステージ、
及び、該第2ステージ上に載置されたターゲット載置台
を有しており、前記第1ステージに、前記ベース上に固
定された第1固定レールに対し摺動可能な第1可動レー
ルを取り付け、前記第2ステージに、前記第1ステージ
上に固定された第2固定レールに対し摺動可能な第2可
動レールを取り付け、前記第1可動レールと前記第2固
定レールの間及び前記第2可動レールと前記ターゲット
載置台の間をそれぞれケーブルで繋ぎ、チャンバー外に
設けられた電圧源からの電圧をケーブルを介して前記第
1固定レールに印加するように成した高電圧導入機構。
2. A high-voltage introducing mechanism for applying a high voltage to a target in a chamber, the first stage being movable in a first direction on a base, and being perpendicular to the first direction on the first stage. A second stage movable in a second direction,
And a target mounting table mounted on the second stage, and a first movable rail slidable with respect to a first fixed rail fixed on the base is attached to the first stage. Attaching a second movable rail slidable to a second fixed rail fixed on the first stage to the second stage, between the first movable rail and the second fixed rail, and A high voltage introducing mechanism configured to connect a movable rail and the target mounting table with a cable, respectively, and to apply a voltage from a voltage source provided outside the chamber to the first fixed rail via the cable.
JP9719299A 1999-04-05 1999-04-05 High voltage introduction mechanism Expired - Fee Related JP3814095B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9719299A JP3814095B2 (en) 1999-04-05 1999-04-05 High voltage introduction mechanism

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9719299A JP3814095B2 (en) 1999-04-05 1999-04-05 High voltage introduction mechanism

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001028250A true JP2001028250A (en) 2001-01-30
JP3814095B2 JP3814095B2 (en) 2006-08-23

Family

ID=14185733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9719299A Expired - Fee Related JP3814095B2 (en) 1999-04-05 1999-04-05 High voltage introduction mechanism

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3814095B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147322A (en) * 2007-11-29 2009-07-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with preformed flexible conveyor line
KR101112765B1 (en) * 2009-09-18 2012-03-13 주식회사 져스텍 Motion stage
WO2013011612A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Electron microscope
WO2016139744A1 (en) * 2015-03-03 2016-09-09 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147322A (en) * 2007-11-29 2009-07-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with preformed flexible conveyor line
US8125616B2 (en) 2007-11-29 2012-02-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with pre-formed flexible transportation line
KR101112765B1 (en) * 2009-09-18 2012-03-13 주식회사 져스텍 Motion stage
WO2013011612A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Electron microscope
JP2013025911A (en) * 2011-07-19 2013-02-04 Hitachi High-Technologies Corp Electron microscope
CN103688335A (en) * 2011-07-19 2014-03-26 株式会社日立高新技术 Electron microscope
WO2016139744A1 (en) * 2015-03-03 2016-09-09 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus
JPWO2016139744A1 (en) * 2015-03-03 2017-05-25 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP3814095B2 (en) 2006-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI588862B (en) Retarading field scanning election microscope and method for imaging specimen
US6310341B1 (en) Projecting type charged particle microscope and projecting type substrate inspection system
JP4215282B2 (en) SEM equipped with electrostatic objective lens and electrical scanning device
US7372050B2 (en) Method of preventing charging, and apparatus for charged particle beam using the same
JP4828162B2 (en) Electron microscope application apparatus and sample inspection method
JP4790324B2 (en) Pattern defect inspection method and apparatus
US4827127A (en) Apparatus using charged particle beam
US11637512B2 (en) Object table comprising an electrostatic clamp
US6646261B2 (en) SEM provided with a secondary electron detector having a central electrode
JP2020013790A (en) High performance inspection scanning electron microscope device and method of operating the same
JP5143787B2 (en) Charged particle beam apparatus and evaluation method using charged particle beam apparatus
US7592604B2 (en) Charged particle beam apparatus
JP3814095B2 (en) High voltage introduction mechanism
JP6411799B2 (en) Charged particle beam equipment
JP2004014251A (en) Charged particle beam device
JP2008004569A (en) Electrostatic charge neutralization control method and charged particle beam device using it
JP2000100917A (en) Electrostatic chuck
JP2000106122A (en) High-voltage introducing mechanism
JP2021150030A (en) Inspection device
CN113767446A (en) Gantry device suitable for particle beam device
JP2000268759A (en) High voltage introducing mechanism
JPH07153411A (en) Electron beam observing method and device therefor
JP2001006602A (en) Apparatus for inspecting charged particle applied circuit pattern
JPS61240550A (en) Method for observing secondary electron image of insulator
JPH04262352A (en) Electron beam device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040615

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060523

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060602

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees