JP2001028207A - Conductive paste and ceramic electronic component - Google Patents
Conductive paste and ceramic electronic componentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品の外部電極形成用導電性ペースト、ならびに、これを
用いたセラミック電子部品に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive paste for forming external electrodes of a ceramic electronic component, and a ceramic electronic component using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のセラミック電子部品、例えば積層
セラミックコンデンサは、セラミック素体と、内部電極
と、外部電極と、メッキ被膜と、からなる。2. Description of the Related Art A conventional ceramic electronic component, for example, a multilayer ceramic capacitor, comprises a ceramic body, internal electrodes, external electrodes, and a plating film.
【０００３】セラミック素体は、セラミックグリーンシ
ートからなるセラミック層を複数枚積層し、焼成してな
る。A ceramic body is formed by laminating a plurality of ceramic layers made of ceramic green sheets and firing them.
【０００４】内部電極は、セラミック層と同時焼成可能
な導電粉末を含有し、セラミック素体の内部において、
複数のセラミック層上に形成されている。このセラミッ
ク層上の内部電極は、セラミック素体の長さ方向の一端
と他端に交互に露出されている。The internal electrode contains a conductive powder that can be co-fired with the ceramic layer.
It is formed on a plurality of ceramic layers. The internal electrodes on the ceramic layer are alternately exposed at one end and the other end in the length direction of the ceramic body.
【０００５】外部電極は、導電成分を含有し、セラミッ
ク素体の長さ方向の両端部に形成されており、内部電極
の露出部分とそれぞれ電気的に接続されている。The external electrodes contain a conductive component, are formed at both ends in the longitudinal direction of the ceramic body, and are electrically connected to the exposed portions of the internal electrodes.
【０００６】メッキ被膜は、外部電極を覆うように電解
メッキで形成されている。主に半田耐熱性、半田付き性
の向上を図る目的で形成されている。The plating film is formed by electrolytic plating so as to cover the external electrodes. It is formed mainly for the purpose of improving solder heat resistance and solderability.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】近年、電子部品の軽薄
短小化が進み、例えばセラミック電子部品の一形態であ
る積層セラミックコンデンサでは、１．０ｍｍ×０．５
ｍｍ×０．５ｍｍ、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍ
ｍまで小型化している、このような小型のセラミック電
子部品は、取り出し電極である外部電極も小型であるた
め、外部電極４，４を覆うようにメッキ被膜を形成すべ
く電解メッキ処理を行う場合に、メッキ液が外部電極中
のポアを伝い、セラミック素体ならびにセラミック素体
と外部電極の境界に侵入し、セラミック素体と外部電極
との接着強度の低下、ひいては電極浮きを生じさせ、セ
ラミック電子部品としての性能劣化が発生しやすくなる
問題がある。In recent years, electronic components have become lighter, thinner and smaller. For example, in a multilayer ceramic capacitor which is one form of ceramic electronic components, a 1.0 mm × 0.5 mm
mm × 0.5mm, 0.6mm × 0.3mm × 0.3m
In such a small ceramic electronic component, which is downsized to m, the external electrode which is an extraction electrode is also small, so that the electrolytic plating process is performed to form a plating film so as to cover the external electrodes 4 and 4. In addition, the plating solution passes through the pores in the external electrode, penetrates the ceramic body and the boundary between the ceramic body and the external electrode, lowers the adhesive strength between the ceramic body and the external electrode, and eventually raises the electrode, causing the ceramic to float. There is a problem that performance degradation as an electronic component is likely to occur.
【０００８】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、電解メッキ処理時のメッキ劣化を防
止できる導電性ペースト、およびこれを用いた軽薄短小
なセラミック電子部品を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a conductive paste capable of preventing plating deterioration during electrolytic plating, and a light and thin ceramic electronic component using the same. It is in.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電性ペーストは、導電粉末と、ホウケイ
酸亜鉛系ガラスフリットと、ホウケイ酸バリウム系ガラ
スフリットと、有機ビヒクルと、からなる導電性ペース
トであって、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットは、
ガラス転移点が４８０〜５５０℃であり、かつ、前記ホ
ウケイ酸亜鉛系ガラスフリット１００重量％に対して３
〜１３重量％のＺｎＯを含有し、前記ホウケイ酸バリウ
ム系ガラスフリットは、前記ホウケイ酸バリウム系ガラ
スフリット１００重量％に対して１０〜３５重量％のＢ
ａＯを含有し、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットの
含有量は、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットと前記
ホウケイ酸バリウム系ガラスフリットの総量に対して５
０〜８０重量％であることを特徴とする。In order to achieve the above object, the conductive paste of the present invention comprises a conductive powder, a zinc borosilicate glass frit, a barium borosilicate glass frit, and an organic vehicle. Conductive paste, wherein the zinc borosilicate glass frit comprises:
The glass transition point is 480 to 550 ° C., and 3% based on 100% by weight of the zinc borosilicate glass frit.
The barium borosilicate-based glass frit contains ZnO in an amount of 10 to 35% by weight based on 100% by weight of the barium borosilicate-based glass frit.
aO, and the content of the zinc borosilicate glass frit is 5 to the total amount of the zinc borosilicate glass frit and the barium borosilicate glass frit.
0 to 80% by weight.
【００１０】また、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリッ
トは、平均粒径が０．５〜３．０μｍの非晶質ガラスフ
リットからなることを特徴とする。[0010] The zinc borosilicate glass frit is characterized by comprising an amorphous glass frit having an average particle size of 0.5 to 3.0 µm.
【００１１】また、本発明のセラミック電子部品は、上
述した本発明の導電性ペーストがセラミック素体の両端
部に塗布され焼き付けされた外部電極を覆うようにＮｉ
−ＳｎもしくはＮｉ−半田メッキが施されていることを
特徴とする。In the ceramic electronic component of the present invention, the conductive paste of the present invention is coated on both ends of the ceramic body by Ni plating so as to cover the baked external electrodes.
-Sn or Ni- solder plating is applied.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】従来技術の問題点は、外部電極中
のガラスフリットがメッキ液に溶解することに起因する
と考えられる。そこで、本発明の導電性ペーストの特徴
は、メッキ液に溶解しないガラスフリットを含有する点
にある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The problem of the prior art is considered to be due to the fact that the glass frit in the external electrode dissolves in the plating solution. Therefore, a feature of the conductive paste of the present invention is that it contains a glass frit that does not dissolve in a plating solution.
【００１３】このようなガラスフリットとしては、ホウ
ケイ酸亜鉛系ガラスフリットとホウケイ酸バリウム系ガ
ラスフリットの２種類のガラスフリットを用いて、か
つ、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットの含有量は、ホウ
ケイ酸亜鉛系ガラスフリットとホウケイ酸バリウム系ガ
ラスフリットの総量に対して５０〜８０重量％であるこ
とが求められる。すなわち、この比率が５０重量％未満
であると、外部電極焼き付け形成時に、外部電極のセラ
ミック素体に対する接着強度が低下し、好ましくない。
また、この比率が８０重量％を超えると、ホウケイ酸亜
鉛系ガラスフリットがメッキ液に溶解し、メッキ後に外
部電極のセラミック素体に対する接着強度が低下し、好
ましくない。As such a glass frit, two kinds of glass frit, zinc borosilicate glass frit and barium borosilicate glass frit, are used, and the content of zinc borosilicate glass frit is zinc borosilicate. It is required to be 50 to 80% by weight based on the total amount of the system glass frit and the barium borosilicate system glass frit. That is, if this ratio is less than 50% by weight, the adhesive strength of the external electrode to the ceramic body during the formation of the external electrode by baking decreases, which is not preferable.
On the other hand, if this ratio exceeds 80% by weight, the zinc borosilicate glass frit dissolves in the plating solution, and the adhesion strength of the external electrode to the ceramic body after plating is undesirably reduced.
【００１４】また、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットの
転移点は、４８０〜５５０℃であることが好ましい。す
なわち、転移点が４８０℃未満であると、ホウケイ酸亜
鉛系ガラスフリットがメッキ液に溶解するため、メッキ
後に外部電極のセラミック素体に対する接着強度が低下
し、好ましくない。また、転移点が５５０℃を超える
と、外部電極焼き付け形成時に、外部電極のセラミック
素体に対する接着強度が低下し、好ましくない。The transition point of the zinc borosilicate glass frit is preferably 480 to 550 ° C. That is, if the transition point is lower than 480 ° C., the zinc borosilicate glass frit dissolves in the plating solution, so that the bonding strength of the external electrode to the ceramic body after plating is undesirably reduced. On the other hand, if the transition point exceeds 550 ° C., the adhesive strength of the external electrode to the ceramic body during the formation of the external electrode by firing is undesirably reduced.
【００１５】また、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットの
平均粒径は０．５〜３．０μｍであることが好ましい。
すなわち、平均粒径が０．５μｍ未満であると、ホウケ
イ酸亜鉛系ガラスフリットの導電性ペースト中における
分散性が不安定となり、外部電極焼き付け形成時に、セ
ラミック素体にピンホールが発生する。また、平均粒径
が３．０μｍを超えると、セラミック電子部品のチップ
サイズが１．０ｍｍ×０．５ｍｍのように小さい場合
に、外部電極を形成するセラミック素体の両端のコーナ
ー部分に存在するホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットが、
外部電極焼き付け形成時に流動し、セラミック素体の両
端のコーナーに空孔が発生し好ましくない。なお、ガラ
スフリットは微粒であるほど高価となり供給安定性が悪
くなるため、生産性を考慮すると、２．０〜２．５μｍ
であることが最も好ましい。The average particle size of the zinc borosilicate glass frit is preferably 0.5 to 3.0 μm.
That is, if the average particle size is less than 0.5 μm, the dispersibility of the zinc borosilicate glass frit in the conductive paste becomes unstable, and pinholes are generated in the ceramic body during external electrode baking. On the other hand, if the average particle size exceeds 3.0 μm, when the chip size of the ceramic electronic component is as small as 1.0 mm × 0.5 mm, it is present at the corners at both ends of the ceramic body forming the external electrode. Zinc borosilicate glass frit
It flows when the external electrode is baked, and voids are generated at the corners at both ends of the ceramic body, which is not preferable. The finer the glass frit, the higher the cost and the lower the supply stability. Therefore, considering the productivity, 2.0 to 2.5 μm
Is most preferred.
【００１６】また、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット
は、非晶質ガラスフリットからなることが好ましい。す
なわち、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットが結晶化ガラ
スの場合、外部電極焼き付け形成時に、ホウケイ酸亜鉛
系ガラスフリットが結晶化し、Ａｇ粉末の焼結を阻害す
るため、好ましくない。The zinc borosilicate glass frit is preferably made of an amorphous glass frit. That is, when the zinc borosilicate-based glass frit is crystallized glass, the zinc borosilicate-based glass frit is crystallized at the time of external electrode baking, which is not preferable because it hinders sintering of the Ag powder.
【００１７】また、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット
は、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット１００重量％に対
して３〜１３重量％のＺｎＯを含有することが好まし
い。すなわち、ＺｎＯの含有量が３重量％未満の場合、
セラミック素子とホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットとの
マッチングが悪くなるため、好ましくない。また、Ｚｎ
Ｏの含有量が１３重量％を超えると、セラミック素子と
ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットとの間で生じる反応物
が多くなり、この反応物がメッキ液に溶解するため、好
ましくない。The zinc borosilicate glass frit preferably contains 3 to 13% by weight of ZnO based on 100% by weight of the zinc borosilicate glass frit. That is, when the content of ZnO is less than 3% by weight,
It is not preferable because matching between the ceramic element and the zinc borosilicate glass frit becomes poor. Also, Zn
If the O content exceeds 13% by weight, the amount of reactants generated between the ceramic element and the zinc borosilicate-based glass frit increases, and this reactant is undesirably dissolved in the plating solution.
【００１８】また、ホウケイ酸バリウム系ガラスフリッ
トは、ホウケイ酸バリウム系ガラスフリット１００重量
％に対して１０〜３５重量％のＢａＯを含有することが
好ましい。すなわち、ＢａＯの含有量が１０重量％未満
の場合、セラミック素子とホウケイ酸バリウム系ガラス
フリットとのマッチングが悪くなるため、好ましくな
い。また、ＢａＯの含有量が３５重量％を超えると、ホ
ウケイ酸バリウム系ガラスフリットの転移点が高温とな
り、外部電極焼き付け形成時に、外部電極のセラミック
素体に対する接着強度が低下し、好ましくない。The barium borosilicate glass frit preferably contains 10 to 35% by weight of BaO based on 100% by weight of the barium borosilicate glass frit. That is, if the content of BaO is less than 10% by weight, the matching between the ceramic element and the barium borosilicate glass frit becomes poor, which is not preferable. On the other hand, if the content of BaO exceeds 35% by weight, the transition point of the barium borosilicate-based glass frit becomes high, and the adhesion strength of the external electrode to the ceramic body during the formation of the external electrode by firing is undesirably reduced.
【００１９】本発明の導電性ペーストを用いたセラミッ
ク電子部品として、積層セラミックコンデンサを図１に
例示し、これを以下に詳細に説明する。FIG. 1 illustrates a multilayer ceramic capacitor as a ceramic electronic component using the conductive paste of the present invention, which will be described in detail below.
【００２０】セラミック電子部品１は、セラミック素体
２と、内部電極３ａ，３ｂと、外部電極４，４と、メッ
キ被膜５，５とからなる。The ceramic electronic component 1 comprises a ceramic body 2, internal electrodes 3a and 3b, external electrodes 4 and 4, and plating films 5 and 5.
【００２１】セラミック素体２は、例えばＢａＴｉＯ3
を主成分としたセラミックグリーンシートからなるセラ
ミック層２ａを複数枚積層し、焼成してなる。The ceramic body 2 is made of, for example, BaTiO 3
A plurality of ceramic layers 2a composed of ceramic green sheets mainly composed of are laminated and fired.
【００２２】内部電極３ａ，３ｂは、例えばＰｄ、Ａｇ
／Ｐｄ等のセラミック層２ａと同時焼成可能な導電粉末
を含有し、セラミック素体２の内部に形成されており、
このセラミック層２ａ上の内部電極は、セラミック素体
２の長さ方向の一端と他端に交互に露出されている。The internal electrodes 3a and 3b are made of, for example, Pd, Ag
/ Pd or the like, which contains a conductive powder that can be co-fired with the ceramic layer 2a and is formed inside the ceramic body 2,
The internal electrodes on the ceramic layer 2a are alternately exposed at one end and the other end in the longitudinal direction of the ceramic body 2.
【００２３】外部電極４，４は、例えばＡｇ、Ａｇ／Ｐ
ｄ等の粉末からなる導電成分を含有し、セラミック素体
２の長さ方向の両端部に形成されており、内部電極３
ａ，３ｂの露出部分とそれぞれ電気的に接続されてい
る。The external electrodes 4 and 4 are made of, for example, Ag, Ag / P
and a conductive component made of a powder such as d. The inner electrode 3 is formed at both ends in the longitudinal direction of the ceramic body 2.
a and 3b are electrically connected to the respective exposed portions.
【００２４】メッキ被膜５，５は、例えばＮｉ−半田メ
ッキからなり、外部電極４，４を覆うように電解メッキ
で形成されている。The plating films 5, 5 are made of, for example, Ni-solder plating, and are formed by electrolytic plating so as to cover the external electrodes 4, 4.
【００２５】[0025]
【実施例】まず、表１に示す組成のガラスフリットを準
備し、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットについてはフリ
ットＡ〜Ｄ、ホウケイ酸バリウム系ガラスフリットにつ
いてはフリットＥ〜Ｇとした。なお、ガラスフリットの
平均粒径は２．０〜２．５μｍに調整した。また、平均
粒径の測定は、レーザー解析式粒度分布計により測定し
た。EXAMPLES First, glass frit having the composition shown in Table 1 was prepared. Frit A to D were used for zinc borosilicate glass frit, and frit E to G were used for barium borosilicate glass frit. The average particle size of the glass frit was adjusted to 2.0 to 2.5 μm. The average particle size was measured by a laser analysis type particle size distribution meter.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】次に、フリットＡ〜Ｇを、表２に示す割合
で混合し、それぞれ試料１〜１２の混合ガラスフリット
を得た。Next, the frits A to G were mixed at the ratios shown in Table 2 to obtain mixed glass frits of Samples 1 to 12, respectively.
【００２８】次に、Ａｇ粉末９６重量％と、試料１〜１
２の混合ガラスフリット４重量％を混合した混合物７５
重量％に対して、有機ビヒクル２５重量％を添加し、三
本ロールで混練し分散して、試料１〜１２の導電性ペー
ストを得た。なお、有機ビヒクルは、エチルセルロース
とアルキド樹脂の混合物２５重量％を、エチルカルビト
ール、オクタノール、ケロシン系溶剤７５重量％中に溶
解させたものを用いた。Next, 96% by weight of Ag powder and Samples 1-1
A mixture 75 obtained by mixing 4% by weight of the mixed glass frit of No. 2
25% by weight of the organic vehicle with respect to the weight% was added, and kneaded and dispersed with a three-roll mill to obtain conductive pastes of Samples 1 to 12. The organic vehicle used was prepared by dissolving 25% by weight of a mixture of ethyl cellulose and an alkyd resin in 75% by weight of an ethyl carbitol, octanol, and kerosene-based solvent.
【００２９】次に、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体
セラミックグリーンシートを準備し、誘電体セラミック
グリーンシート上に、Ａｇ／Ｐｄ粉末からなる導電成分
を含む内部電極形成用の導電性ペーストをスクリーン印
刷して内部電極を形成し、これらの誘電体セラミックグ
リーンシートを複数枚積層して圧着した後、１．０ｍｍ
×０．５ｍｍサイズに切断した後にこれを焼成して、１
２０個のセラミック焼成体を得た。Next, a dielectric ceramic green sheet containing BaTiO 3 as a main component is prepared, and a conductive paste for forming an internal electrode containing a conductive component made of Ag / Pd powder is screened on the dielectric ceramic green sheet. After printing to form internal electrodes, a plurality of these dielectric ceramic green sheets were laminated and pressed, and then 1.0 mm
After cutting to a size of × 0.5 mm, this
20 ceramic fired bodies were obtained.
【００３０】次に、セラミック焼成体の長さ方向の両端
部に、試料１〜１２の導電性ペーストをそれぞれ浸漬塗
布し、ピーク７００〜８００℃×１０分の条件下で焼き
付け処理して、それぞれ、試料１〜１２のメッキ処理前
積層セラミックコンデンサを１０個ずつ得た。ここで、
試料１〜１２の外部電極の引張り強度を測定した。Next, the conductive pastes of Samples 1 to 12 were dip-coated on both ends of the ceramic fired body in the longitudinal direction, respectively, and baked at a peak of 700 to 800 ° C. for 10 minutes. Then, ten pieces of the multilayer ceramic capacitors before plating of Samples 1 to 12 were obtained. here,
The tensile strength of the external electrodes of Samples 1 to 12 was measured.
【００３１】次に、試料１〜１２の外部電極を覆うよう
に、Ｎｉ−半田からなるメッキ膜を電解メッキ処理によ
って形成して、試料１〜１２の積層セラミックコンデン
サを得た。Next, a plating film made of Ni-solder was formed by electrolytic plating so as to cover the external electrodes of Samples 1 to 12, thereby obtaining multilayer ceramic capacitors of Samples 1 to 12.
【００３２】そこで、メッキ処理した試料１〜１２の外
部電極の引張り強度を改めて測定し、メッキ処理前とメ
ッキ処理後の引張り強度を表２にまとめた。Therefore, the tensile strengths of the external electrodes of the plated samples 1 to 12 were measured again, and the tensile strengths before and after the plating treatment are summarized in Table 2.
【００３３】[0033]
【表２】 [Table 2]
【００３４】表２から明らかであるように、試料２〜
４，９〜１１は、何れも引張り強度の変化率が−１２％
未満であり、特に、試料３，４，１１は変化率が５．９
〜６．３％で低く大変優れた。As is clear from Table 2, samples 2 to
In all of 4, 9 to 11, the change rate of the tensile strength was -12%.
, And particularly, in Samples 3, 4, and 11, the rate of change was 5.9.
It was very excellent, being low at ６6.3%.
【００３５】これに対して、ホウケイ酸バリウム系ガラ
スフリットを添加しなかった試料１、ホウケイ酸亜鉛系
ガラスフリットの添加量が少ない試料５、ホウケイ酸バ
リウム系ガラスフリット中に含まれるＢａＯ量が多すぎ
る試料６、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットの添加量が
多くかつ転移点が低すぎる試料７および試料８、ホウケ
イ酸亜鉛系ガラスフリット中に含まれるＺｎＯ量が多す
ぎる試料１２は、引張り強度の変化率が、それぞれ−５
５．６％、−２０．０％、−２５．０％、−５７．９
％、−４７．１％、−４２．９％と高く劣り、本発明の
範囲外となった。On the other hand, Sample 1 in which the barium borosilicate glass frit was not added, Sample 5 in which the addition amount of zinc borosilicate glass frit was small, and a large amount of BaO contained in the barium borosilicate glass frit. Sample 6 and Sample 8, which had too much zinc borosilicate-based glass frit and the transition point was too low, and Sample 12, which contained too much ZnO in the zinc borosilicate-based glass frit, showed a change in tensile strength. Rate is -5 each
5.6%, -20.0%, -25.0%, -57.9
%, -47.1% and -42.9%, which were out of the range of the present invention.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、導電粉末
と、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットと、ホウケイ酸バ
リウム系ガラスフリットと、有機ビヒクルと、からなる
導電性ペーストであって、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラス
フリットは、ガラス転移点が４８０〜５５０℃であり、
かつ、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット１００重量
％に対して３〜１３重量％のＺｎＯを含有し、前記ホウ
ケイ酸バリウム系ガラスフリットは、前記ホウケイ酸バ
リウム系ガラスフリット１００重量％に対して１０〜３
５重量％のＢａＯを含有し、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラ
スフリットの含有量は、前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフ
リットと前記ホウケイ酸バリウム系ガラスフリットの総
量に対して５０〜８０重量％であることを特徴とするこ
とで、セラミック電子部品の外部電極形成等に用いた場
合に、電解メッキ処理時のメッキ劣化を防止できる導電
性ペーストを提供し、またメッキ劣化を防止したセラミ
ック電子部品を提供することができる。As described above, according to the present invention, there is provided a conductive paste comprising a conductive powder, a zinc borosilicate glass frit, a barium borosilicate glass frit, and an organic vehicle. Zinc acid-based glass frit has a glass transition point of 480 to 550 ° C.,
The zinc borosilicate glass frit contains 3 to 13% by weight of ZnO based on 100% by weight, and the barium borosilicate glass frit contains 10 to 10% by weight of the barium borosilicate glass frit. 3
5% by weight of BaO, and the content of the zinc borosilicate glass frit is 50 to 80% by weight based on the total amount of the zinc borosilicate glass frit and the barium borosilicate glass frit. The present invention provides a conductive paste capable of preventing plating deterioration during electrolytic plating when used for forming external electrodes of a ceramic electronic component or the like, and also provides a ceramic electronic component in which plating deterioration is prevented. Can be.
【図１】本発明に係る一つの実施の形態のセラミック電
子部品の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a ceramic electronic component according to one embodiment of the present invention.
１ セラミック電子部品 ２ セラミック素体 ３ａ，３ｂ 内部電極 ４ 外部電極 ５ メッキ被膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic electronic component 2 Ceramic body 3a, 3b Internal electrode 4 External electrode 5 Plating film
Claims (3)
リットと、ホウケイ酸バリウム系ガラスフリットと、有
機ビヒクルと、からなる導電性ペーストであって、 前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットは、ガラス転移点
が４８０〜５５０℃であり、かつ、前記ホウケイ酸亜鉛
系ガラスフリット１００重量％に対して３〜１３重量％
のＺｎＯを含有し、 前記ホウケイ酸バリウム系ガラスフリットは、前記ホウ
ケイ酸バリウム系ガラスフリット１００重量％に対して
１０〜３５重量％のＢａＯを含有し、 前記ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットの含有量は、前記
ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットと前記ホウケイ酸バリ
ウム系ガラスフリットの総量に対して５０〜８０重量％
であることを特徴とする導電性ペースト。1. A conductive paste comprising a conductive powder, a zinc borosilicate glass frit, a barium borosilicate glass frit, and an organic vehicle, wherein the zinc borosilicate glass frit has a glass transition point. Is 480 to 550 ° C., and 3 to 13% by weight based on 100% by weight of the zinc borosilicate glass frit.
The barium borosilicate glass frit contains 10 to 35% by weight of BaO based on 100% by weight of the barium borosilicate glass frit, and the content of the zinc borosilicate glass frit is as follows. 50 to 80% by weight based on the total amount of the zinc borosilicate glass frit and the barium borosilicate glass frit
A conductive paste, characterized in that:
は、平均粒径が０．５〜３．０μｍの非晶質ガラスフリ
ットからなることを特徴とする請求項１に記載の導電性
ペースト。2. The conductive paste according to claim 1, wherein the zinc borosilicate glass frit is made of an amorphous glass frit having an average particle size of 0.5 to 3.0 μm.
ペーストがセラミック素体の両端部に塗布され焼き付け
された外部電極を覆うようにＮｉ−ＳｎもしくはＮｉ−
半田メッキが施されていることを特徴とするセラミック
電子部品。3. The conductive paste according to claim 1 or 2 is applied to both ends of the ceramic body to cover the baked external electrodes.
A ceramic electronic component characterized by being subjected to solder plating.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11200349A JP2001028207A (en) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | Conductive paste and ceramic electronic component |
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| JP11200349A JP2001028207A (en) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | Conductive paste and ceramic electronic component |
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ID=16422829
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008504667A (en) * | 2004-06-09 | 2008-02-14 | フエロ コーポレーション | Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film paste |
| JP2008181759A (en) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Mitsuboshi Belting Ltd | Copper conductive paste, conductor circuit board, and electronic component |
| JP2008218022A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Mitsuboshi Belting Ltd | Copper conductive paste, conductor circuit board, and electronic part |
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-
1999
- 1999-07-14 JP JP11200349A patent/JP2001028207A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4495740B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-07-07 | 三ツ星ベルト株式会社 | Copper conductor paste, conductor circuit board and electronic components |
| US8009408B2 (en) | 2008-07-29 | 2011-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor |
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