JP2001024149A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2001024149A
JP2001024149A JP11197636A JP19763699A JP2001024149A JP 2001024149 A JP2001024149 A JP 2001024149A JP 11197636 A JP11197636 A JP 11197636A JP 19763699 A JP19763699 A JP 19763699A JP 2001024149 A JP2001024149 A JP 2001024149A
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JP
Japan
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semiconductor chip
memory
logic
substrate
wiring pattern
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JP11197636A
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Japanese (ja)
Inventor
Masamichi Ishihara
政道 石原
Kanta Nokita
寛太 野北
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Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16135Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the size of a semiconductor device having logic function and memory function by mounting a memory semiconductor chip on a logic semiconductor chip and containing the memory semiconductor chips entirely or partially on a substrate. SOLUTION: External connection terminals 5, a wiring pattern 7 and an opening 6 are provided on a substrate 4 and the external connection terminals 5 are connected electrically with the wiring pattern 7. The opening 6 is formed of a through hole or a counterbore having an area equal to or wider than that of a memory semiconductor chip 3 and a part thereof is contained in the opening 6. Since the memory semiconductor chip 3 is contained in the substrate 4, the semiconductor device can be made thin correspondingly. The space in the opening 6 where the memory semiconductor chip 3 is not present is filled with an insulating filler thus protecting the memory semiconductor chip 3. The memory semiconductor chip 3 is mounted on the wiring plane of a logic semiconductor chip 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にロジック半導体チップ上に一以上のメモリ半導
体チップを搭載して、小型化を図ったシステム半導体装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a miniaturized system semiconductor device having one or more memory semiconductor chips mounted on a logic semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体素子の小型化および高集積
化に伴い、一のチップ上にロジック回路、およびメモリ
の両方を集積したシステム半導体と呼される半導体装置
が開発されている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization and high integration of semiconductor elements, semiconductor devices called a system semiconductor in which both a logic circuit and a memory are integrated on one chip have been developed.

【0003】システム半導体装置内のロジック回路およ
びメモリ回路はコンピュータを用いて一括設計される。
コンピュータを用いた設計手法によれば、複雑な回路パ
ターンを精度良く設計できるため、ロジック回路、メモ
リ回路は1つの微細な集積回路として提供される。
A logic circuit and a memory circuit in a system semiconductor device are collectively designed using a computer.
According to a design method using a computer, a complicated circuit pattern can be designed with high accuracy, so that a logic circuit and a memory circuit are provided as one fine integrated circuit.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記集積回路
は、その微細化された構造のため、ロジック機能および
メモリ機能を個別に検査することが困難である。
However, since the above-mentioned integrated circuit has a miniaturized structure, it is difficult to individually inspect a logic function and a memory function.

【0005】また、上記集積回路が所望の機能を有して
いなかった場合、その原因を特定することは困難であ
る。これは、集積回路上でロジック機能およびメモリ機
能を個別に検査することが難しいからである。たとえそ
の原因が特定できたとしても、ロジック機能およびメモ
リ機能を個別に修正することは困難である。そのため、
システム半導体装置の歩留まりは、ロジック回路および
メモリ回路を個別に設計した場合に比べて低くなる。
If the integrated circuit does not have a desired function, it is difficult to identify the cause. This is because it is difficult to individually test the logic function and the memory function on the integrated circuit. Even if the cause can be identified, it is difficult to individually modify the logic function and the memory function. for that reason,
The yield of the system semiconductor device is lower than when the logic circuit and the memory circuit are individually designed.

【0006】さらに、例えばメモリの容量を増加する等
の小規模な回路変更を行う場合でも、集積回路の全体を
設計し直す必要があり、仕様変更が容易ではないという
面もある。
Furthermore, even when a small-scale circuit change such as an increase in the capacity of a memory is performed, it is necessary to redesign the entire integrated circuit, and there is also a problem that the specification change is not easy.

【0007】上記システム半導体装置の問題を解決する
方法としては、ロジック回路とメモリ回路を個別の半導
体チップで実現する構成が考えられる。
As a method of solving the problem of the system semiconductor device, a configuration in which a logic circuit and a memory circuit are realized by separate semiconductor chips can be considered.

【0008】しかし、これらの個別に設計されたチップ
を基板上に搭載すると、チップの数だけ実装面積が必要
となるため装置のサイズが大きくなる。
However, when these individually designed chips are mounted on a substrate, a mounting area is required by the number of chips, so that the size of the device becomes large.

【0009】一方、複数のチップを基板上で積層する方
法も考えられるが、このような積層構造を取ると装置の
高さが高くなる。
On the other hand, a method of laminating a plurality of chips on a substrate is conceivable. However, such a laminated structure increases the height of the device.

【0010】そこで、本発明はロジック機能およびメモ
リ機能を有し、小型化に適した半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device having a logic function and a memory function and suitable for miniaturization.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1記載の発明は、配線パターンに接続された複数
の外部電極を有する基板と、前記基板上に搭載され、該
基板の配線パターンに接続されたロジック半導体チップ
と、前記ロジック半導体チップの配線面上であって、前
記基板が存在しない領域にその配線面を向けて搭載され
たメモリ半導体チップとを具備することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate having a plurality of external electrodes connected to a wiring pattern, and a wiring pattern mounted on the substrate. And a memory semiconductor chip mounted on a wiring surface of the logic semiconductor chip in a region where the substrate does not exist, with the wiring surface facing the logic semiconductor chip.

【0012】また、請求項2記載の発明は、前記基板
は、前記メモリ半導体チップの面積以上の面積のざぐり
状の凹部を有し、前記メモリ半導体チップは少なくとも
その一部が前記凹部内に収納されることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, the substrate has a counterbore-shaped recess having an area larger than an area of the memory semiconductor chip, and at least a part of the memory semiconductor chip is housed in the recess. It is characterized by being performed.

【0013】また、請求項3記載の発明は、前記ロジッ
ク半導体チップの配線面上には、前記メモリ半導体チッ
プとは機能の異なる別のメモリがさらに搭載されること
を特徴とする。
The invention according to claim 3 is characterized in that another memory having a function different from that of the memory semiconductor chip is further mounted on the wiring surface of the logic semiconductor chip.

【0014】また、請求項4記載の発明は、前記ロジッ
ク半導体チップのパッケージ面に固定された放熱板をさ
らに具備することを特徴とする。
Further, the invention according to claim 4 is characterized by further comprising a heat sink fixed to a package surface of the logic semiconductor chip.

【0015】また、請求項5記載の発明は、前記メモリ
半導体チップのパッケージ面上に配設され、前記基板の
配線パターンに接続されたテープ基板と、前記テープを
介して、前記メモリ半導体チップの上方にそのパッケー
ジ面を向けて配設され、該テープの配線パターンに接続
された第2のロジック半導体チップと、前記第2のロジ
ック半導体チップの配線面上に搭載された第2のメモリ
半導体チップとをさらに具備し、前記第2のロジック半
導体チップは、ワイヤーを介して前記テープ基板の配線
パターンに接続されることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device, comprising: a tape substrate provided on a package surface of the memory semiconductor chip and connected to a wiring pattern of the substrate; A second logic semiconductor chip disposed upward with its package surface facing and connected to the wiring pattern of the tape; and a second memory semiconductor chip mounted on the wiring surface of the second logic semiconductor chip And wherein the second logic semiconductor chip is connected to a wiring pattern of the tape substrate via a wire.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】(発明の概要)本発明では、ロジ
ック機能を有する半導体チップ上にメモリ機能を有する
半導体チップを搭載し、装置の小型化および薄型化の双
方を図る。この構成は、メモリ機能を実現した場合に比
べて、ロジック機能を実現した場合のほうがチップサイ
ズが大きくなることに着目して、想到されたものであ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Summary of the Invention) In the present invention, a semiconductor chip having a memory function is mounted on a semiconductor chip having a logic function, and both miniaturization and thinning of the device are achieved. This configuration has been conceived by focusing on the fact that the chip size is larger when the logic function is realized than when the memory function is realized.

【0017】好ましくは、基板に開口部を設けて、該開
口部にメモリ機能を有する半導体チップを収納し、装置
の薄型化を図る。
Preferably, an opening is provided in the substrate, and a semiconductor chip having a memory function is accommodated in the opening to reduce the thickness of the device.

【0018】また、機能の異なる二以上のメモリ半導体
チップをロジック半導体チップ上に搭載し、装置の多機
能化を図ることが好ましい。
It is preferable that two or more memory semiconductor chips having different functions are mounted on the logic semiconductor chip to achieve a multifunctional device.

【0019】(実施の形態)以下、図1、図2および図
3を用いて本発明の第一の実施形態を詳細に説明する。
なお、図1の(b)は、図1(a)のA−A間の断面図
である。
(Embodiment) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1, 2 and 3. FIG.
FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.

【0020】基板4は、図1に示すように外部接続端子
5と配線パターン7および開口部6を具備し、外部接続
端子5と配線パターン7とが電気的に接続される。
As shown in FIG. 1, the substrate 4 includes external connection terminals 5, a wiring pattern 7 and an opening 6, and the external connection terminals 5 and the wiring pattern 7 are electrically connected.

【0021】開口部6は、メモリ半導体チップ3の面積
以上の広さの貫通孔または図3に示すようなざぐり状の
凹部で形成され、この開口部6内にメモリ半導体チップ
3の少なくとも一部が収納される。その結果、メモリ半
導体チップ3と基板が厚さ方向に重なった分だけ、装置
の薄型化が図られる。
The opening 6 is formed by a through hole having a size larger than the area of the memory semiconductor chip 3 or a counterbore-shaped concave as shown in FIG. Is stored. As a result, the device can be made thinner by the amount that the memory semiconductor chip 3 and the substrate overlap in the thickness direction.

【0022】開口部6のうち、メモリ半導体チップ3が
存在しない空間には、図示しない絶縁性の充填材を充填
し、メモリ半導体チップ3を保護してもよい。
A space in the opening 6 where the memory semiconductor chip 3 does not exist may be filled with an insulating filler (not shown) to protect the memory semiconductor chip 3.

【0023】メモリ半導体チップ3は、ロジック半導体
チップ2の配線面上に搭載される。この時、メモリ半導
体チップ3は、その配線面がロジック半導体チップ2に
向けて配設され、メモリ半導体チップ3とロジック半導
体チップ2は、これらの配線面間に介在したバンプ8に
よって、電気的に接続される。このバンプ8による接続
は、ダイレクトボンディングによって行う。
The memory semiconductor chip 3 is mounted on the wiring surface of the logic semiconductor chip 2. At this time, the wiring surface of the memory semiconductor chip 3 is disposed toward the logic semiconductor chip 2, and the memory semiconductor chip 3 and the logic semiconductor chip 2 are electrically connected by the bumps 8 interposed between these wiring surfaces. Connected. The connection by the bumps 8 is performed by direct bonding.

【0024】このダイレクトボンディングによって、ロ
ジック半導体チップ2の配線面とメモリ半導体チップ3
の配線面が向き合った図1に示す構造が達成される。
By this direct bonding, the wiring surface of the logic semiconductor chip 2 and the memory semiconductor chip 3
The structure shown in FIG. 1 in which the wiring surfaces face each other is achieved.

【0025】この時、フラッシュメモリ半導体チップ、
DRAMメモリ半導体チップおよびSRAM半導体チッ
プなど、機能の異なる複数のメモリ半導体チップ3をロ
ジック半導体チップ2上に搭載することが好ましい。機
能の異なる複数のメモリ半導体チップ3を用いることに
より、装置の多機能化を図ることができる。
At this time, a flash memory semiconductor chip,
It is preferable that a plurality of memory semiconductor chips 3 having different functions, such as a DRAM memory semiconductor chip and an SRAM semiconductor chip, be mounted on the logic semiconductor chip 2. By using a plurality of memory semiconductor chips 3 having different functions, the device can be made multifunctional.

【0026】ロジック半導体チップ2は、バンプ8を介
して基板5の配線パターン7と電気的に接続される。そ
の結果、該配線パターン7を介してロジック半導体チッ
プ2と基板4の外部接続端子5とが電気的に接続され
る。
The logic semiconductor chip 2 is electrically connected to the wiring pattern 7 on the substrate 5 via the bump 8. As a result, the logic semiconductor chip 2 and the external connection terminal 5 of the substrate 4 are electrically connected via the wiring pattern 7.

【0027】図3に示すように、ロジック半導体チップ
2のパッケージ面には放熱板9を配設することが好まし
い。これは、パッケージロジック半導体チップ2はメモ
リ半導体チップ3に比べて発熱量が多いためである。ロ
ジック半導体チップ2のパッケージ面には、搭載すべき
他の部材が無いため、広い面積を確保することが可能で
ある。
As shown in FIG. 3, it is preferable to dispose a heat sink 9 on the package surface of the logic semiconductor chip 2. This is because the package logic semiconductor chip 2 generates more heat than the memory semiconductor chip 3. Since there is no other member to be mounted on the package surface of the logic semiconductor chip 2, it is possible to secure a large area.

【0028】従って、十分な放熱面積が確保でき、ロジ
ック半導体チップ2で発生した多量の熱もこの放熱板9
から好適に放出できる。
Therefore, a sufficient heat radiating area can be ensured, and a large amount of heat generated in the logic semiconductor chip 2 can be removed by the heat radiating plate 9.
Can be suitably released from

【0029】以上説明したように本発明は、ロジック半
導体チップの配線面上に、メモリ半導体チップおよび基
板が搭載された構造を有するため、小型化、薄型化され
た装置が得られる。また、本発明では、ロジック機能お
よびメモリ機能が個別のチップで実現されるため、ロジ
ックおよびメモリの機能を個別に検査することが出来る
とともに、該機能の仕様変更も個別に行うことができ
る。
As described above, the present invention has a structure in which the memory semiconductor chip and the substrate are mounted on the wiring surface of the logic semiconductor chip, so that a small and thin device can be obtained. Further, in the present invention, since the logic function and the memory function are realized by separate chips, the functions of the logic and the memory can be individually tested, and the specifications of the functions can be individually changed.

【0030】図4は、本発明の第2の実施形態に関する
半導体装置の構造を示している。本形態は、さらに別の
ロジック、メモリ半導体チップの組み合わせを追加搭載
した例である。
FIG. 4 shows the structure of a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. This embodiment is an example in which another combination of a logic and a memory semiconductor chip is additionally mounted.

【0031】第2のメモリ半導体チップ13は、第2の
ロジック半導体チップ12に配線面を向けて搭載され、
これらは、バンプ8を介して、電気的に接続される。
The second memory semiconductor chip 13 is mounted with the wiring surface facing the second logic semiconductor chip 12,
These are electrically connected via the bumps 8.

【0032】第2のロジック半導体チップ12は開口部
6以下の面積を有しており、そのパターン面がテープ基
板11上に配設される。この、第2のロジック半導体チ
ップ12はワイヤー10を介してテープ基板11に形成
された配線パターンと電気的に接続される。このテープ
基板11は、基板4に固定され、該テープ基板11の配
線と基板4の配線パターン7とが電気的に接続される。
The second logic semiconductor chip 12 has an area smaller than the opening 6, and its pattern surface is provided on the tape substrate 11. The second logic semiconductor chip 12 is electrically connected to a wiring pattern formed on the tape substrate 11 via the wire 10. The tape substrate 11 is fixed to the substrate 4, and the wiring of the tape substrate 11 is electrically connected to the wiring pattern 7 of the substrate 4.

【0033】本形態の開口部6は、メモリ半導体チップ
3、テープ基板11、ワイヤー10、第2のロジック半
導体チップ12および第2のメモリ半導体チップ13の
全部またはそれらの一部を収納し、これによって装置の
薄型化が図られる。
The opening 6 of the present embodiment accommodates all or a part of the memory semiconductor chip 3, the tape substrate 11, the wires 10, the second logic semiconductor chip 12, and the second memory semiconductor chip 13, and accommodates them. As a result, the device can be made thinner.

【0034】さらに、第2のロジック半導体チップ12
の発熱により発生する熱応力を吸収するため、第2のロ
ジック半導体チップ12は、エラストマーを介してテー
プ上に固定し、第2のメモリ半導体チップ13と第2の
ロジック半導体チップ12間のバンプが存在しない空間
にはエラストマーを充填することが望ましい。
Further, the second logic semiconductor chip 12
The second logic semiconductor chip 12 is fixed on a tape via an elastomer in order to absorb the thermal stress generated by the heat generated by the second memory semiconductor chip 13 and the bump between the second memory semiconductor chip 13 and the second logic semiconductor chip 12 is formed. It is desirable to fill the space that does not exist with an elastomer.

【0035】[0035]

【発明の効果】本願では、ロジック半導体チップ上にメ
モリ半導体チップを搭載し、さらに、メモリ半導体チッ
プの全てまたは一部を基板に収納することで、パッケー
ジの小型化に有効な、システム半導体装置を提供するこ
とが出来る。
According to the present invention, there is provided a system semiconductor device which is effective in reducing the size of a package by mounting a memory semiconductor chip on a logic semiconductor chip and further housing all or a part of the memory semiconductor chip on a substrate. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の形態に係る半導体装置の構造を
示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a structure of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の形態に係る半導体装置の構造を
示す断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the structure of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の形態に係る半導体装置の他の構
造を示す断面図。
FIG. 3 is a sectional view showing another structure of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention;

【図4】本発明の第2の形態に係る半導体装置の構造を
示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】 1…システム半導体 2…ロジック半導体チップ 3…メモリ半導体チップ 4…基板 5…外部接続端子 6…開口部 7…配線パターン 8…バンプ 9…放熱板 10…ワイヤー 11…テープ基板 12…第2のロジック半導体チップ 13…第2のメモリ半導体チップ[Description of Signs] 1 ... System semiconductor 2 ... Logic semiconductor chip 3 ... Memory semiconductor chip 4 ... Substrate 5 ... External connection terminal 6 ... Opening 7 ... Wiring pattern 8 ... Bump 9 ... Heat radiation plate 10 ... Wire 11 ... Tape substrate 12 ... Second logic semiconductor chip 13... Second memory semiconductor chip

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】配線パターンに接続された複数の外部電極
を有する基板と、 前記基板上に搭載され、該基板の配線パターンに接続さ
れたロジック半導体チップと、 前記ロジック半導体チップの配線面上であって、前記基
板が存在しない領域にその配線面を向けて搭載されたメ
モリ半導体チップとを具備する半導体装置。
A substrate having a plurality of external electrodes connected to a wiring pattern; a logic semiconductor chip mounted on the substrate and connected to the wiring pattern of the substrate; and a wiring surface of the logic semiconductor chip. And a memory semiconductor chip mounted with its wiring surface facing a region where the substrate does not exist.
【請求項2】前記基板は、前記メモリ半導体チップの面
積以上の面積のざぐり状の凹部を有し、 前記メモリ半導体チップは少なくともその一部が前記凹
部内に収納される請求項1記載の半導体装置。
2. The semiconductor according to claim 1, wherein the substrate has a counterbore-shaped recess having an area larger than an area of the memory semiconductor chip, and at least a part of the memory semiconductor chip is housed in the recess. apparatus.
【請求項3】前記ロジック半導体チップの配線面上に
は、前記メモリ半導体チップとは機能の異なる別のメモ
リがさらに搭載される請求項1または2記載の半導体装
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein another memory having a function different from that of said memory semiconductor chip is further mounted on a wiring surface of said logic semiconductor chip.
【請求項4】前記ロジック半導体チップのパッケージ面
に固定された放熱板をさらに具備する請求項1及至3の
いずれか記載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a heat sink fixed to a package surface of said logic semiconductor chip.
【請求項5】前記メモリ半導体チップのパッケージ面上
に配設され、前記基板の配線パターンに接続されたテー
プ基板と、 前記テープを介して、前記メモリ半導体チップの上方に
そのパッケージ面を向けて配設され、該テープの配線パ
ターンに接続された第2のロジック半導体チップと、 前記第2のロジック半導体チップの配線面上に搭載され
た第2のメモリ半導体チップとをさらに具備し、 前記第2のロジック半導体チップは、ワイヤーを介して
前記テープ基板の配線パターンに接続される請求項1及
至4のいずれかに記載の半導体装置。
5. A tape substrate provided on a package surface of the memory semiconductor chip and connected to a wiring pattern of the substrate, the package surface being directed above the memory semiconductor chip via the tape. A second logic semiconductor chip disposed and connected to the wiring pattern of the tape; and a second memory semiconductor chip mounted on a wiring surface of the second logic semiconductor chip, 5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the second logic semiconductor chip is connected to a wiring pattern of the tape substrate via a wire.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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