JP2001015424A - Transfer mask, device and structure for holding mask - Google Patents
Transfer mask, device and structure for holding maskInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、転写マスク、マス
ク保持装置、およびマスク保持構造に係り、特に、半導
体の製造プロセスでパターン転写の際に用いられる転写
マスク、転写マスク本体を保持するマスク保持装置、お
よび転写マスク本体を保持するマスク保持構造に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer mask, a mask holding device, and a mask holding structure, and more particularly, to a transfer mask used for transferring a pattern in a semiconductor manufacturing process and a mask holding a transfer mask body. The present invention relates to an apparatus and a mask holding structure for holding a transfer mask body.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体のウェハにパターンを転写する方
式として、部分一括直描方式や投影型電子ビーム描画方
式が知られている。部分一括直描方式は、半導体の1チ
ップに含まれるパターンの一部を投影によりパターン転
写し、残りの部分を可変成形によりパターン転写する方
式である。また、投射型電子ビーム描画方式は、半導体
の1チップに含まれるパターンを複数のブロック状の転
写領域に区切ってパターン転写する方式である。投射型
電子ビーム描画方式によれば、部分一括直描方式と比べ
て高いスループットを得ることができると共に、部分一
括直描方式で必要とされるデータ処理が不要となるとい
うメリットが得られる。2. Description of the Related Art As a system for transferring a pattern onto a semiconductor wafer, a partial batch direct writing system and a projection type electron beam writing system are known. The partial batch direct writing method is a method in which a part of a pattern included in one semiconductor chip is transferred by projection and the remaining part is transferred by variable molding. The projection type electron beam writing method is a method of transferring a pattern included in one semiconductor chip by dividing the pattern into a plurality of block-like transfer regions. According to the projection type electron beam writing method, a higher throughput can be obtained as compared with the partial collective direct writing method, and there is an advantage that data processing required in the partial collective direct writing method is not required.
【0003】図3は従来の投影型電子ビーム描画方式の
概略を説明するための概念図である。図3において41
は電子を放射する電子源である。電子源41の下方には
アパーチャ42Aを有する上段マスク42が配置されて
いる。電子源41から放射された電子41Aが上段マス
ク42のアパーチャ42Aを通過することにより成形ビ
ーム41Bが作られる。FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining an outline of a conventional projection type electron beam writing system. In FIG. 3, 41
Is an electron source that emits electrons. An upper mask 42 having an aperture 42A is disposed below the electron source 41. The electron beam 41A emitted from the electron source 41 passes through the aperture 42A of the upper mask 42 to form a shaped beam 41B.
【0004】上段マスク42の下部には、成形ビーム4
1Bに電界を印加する偏向器44が配置されている。ま
た、偏向器44の下部には、半導体の1チップに含まれ
るパターンを複数の転写領域43Aに分割した状態で具
備する転写マスク43が配置されている。アパーチャ4
2Aを通過した成形ビーム41Bは、偏向器44によっ
て偏向されることにより転写マスク43上の適当な転写
領域43Aに照射される。転写マスク43は保持リング
45によって、描画装置のマスクステージ(図示せず)
に固定されている。転写マスク43を通過した電子41
Cは、ウエハステージ46上に搭載されているウエハ4
7に照射される。[0004] Below the upper mask 42, a forming beam 4 is provided.
A deflector 44 for applying an electric field to 1B is arranged. Further, below the deflector 44, a transfer mask 43 provided with a pattern included in one semiconductor chip divided into a plurality of transfer regions 43A is provided. Aperture 4
The shaped beam 41B that has passed through 2A is deflected by the deflector 44 and is applied to an appropriate transfer area 43A on the transfer mask 43. The transfer mask 43 is held by a holding stage 45 by a mask stage (not shown) of the drawing apparatus.
It is fixed to. Electrons 41 that have passed through transfer mask 43
C denotes the wafer 4 mounted on the wafer stage 46
7 is irradiated.
【0005】このように投影型電子ビーム描画方式にお
いては、1つのチップに含まれるパターンをいくつかの
転写領域43Aに分割した状態で具備する転写マスク4
3が用いられる。投影型電子ビーム描画方式で用いられ
る転写倍率は数倍(4〜6倍)程度であるが、描画すべ
きチップ面積が大きくなれば、パターンが分割されてい
る分、転写マスク43上でパターンが形成されている領
域(以下、「マスク領域」と称す)は大きくなる。As described above, in the projection type electron beam writing system, the transfer mask 4 provided with the pattern included in one chip divided into several transfer regions 43A.
3 is used. The transfer magnification used in the projection type electron beam writing method is about several times (4 to 6 times). However, if the chip area to be drawn becomes large, the pattern is divided on the transfer mask 43 by the division of the pattern. The formed region (hereinafter, referred to as “mask region”) becomes large.
【0006】図4は従来の転写マスクの平面図(図4
(a))、および側面図(図4(b))を示す。図4に
おいて、33は転写マスク本体、33Aはそれぞれ所望
のパターンが形成されている転写領域、35はマスク全
体を支える保持リングである。また、36は転写マスク
本体33と保持リング35で構成される転写マスクであ
る。電子ビーム用の転写マスク、すなわち、EB(Elec
tro Beam)マスクは、通常Siウエハ等の薄い材質で作
成される。そして、EBマスクの周囲には、その機械的
強度を確保すると同時に、マスクステージへの固定部分
とするため、保持リングが設けられる。FIG. 4 is a plan view of a conventional transfer mask (FIG. 4).
(A)) and a side view (FIG. 4 (b)). In FIG. 4, reference numeral 33 denotes a transfer mask main body, 33A denotes a transfer area where a desired pattern is formed, and 35 denotes a holding ring that supports the entire mask. Reference numeral 36 denotes a transfer mask including the transfer mask body 33 and the holding ring 35. A transfer mask for electron beams, that is, EB (Elec
The tro beam) mask is usually made of a thin material such as a Si wafer. A holding ring is provided around the EB mask so as to secure its mechanical strength and at the same time, to serve as a fixed portion to the mask stage.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、転写マスク本
体33に、例えば8インチ前後の大きな径が要求される
場合は、加工上の制約からその膜厚が厚くできないた
め、転写マスク36の強度を十分に確保できないことが
ある。この場合、図4(b)に示すように、転写マスク
36の中央付近に自重による撓みが発生する。転写マス
ク36に撓みが生ずると、正確なパターン転写が困難と
なり、ウェハ上のパターンに寸法ずれや位置ずれが生ず
る。However, if the transfer mask body 33 is required to have a large diameter of, for example, about 8 inches, the thickness of the transfer mask 36 cannot be increased due to processing restrictions. There are times when we cannot secure enough. In this case, as shown in FIG. 4B, deflection due to its own weight occurs near the center of the transfer mask 36. If the transfer mask 36 is bent, accurate pattern transfer becomes difficult, and a dimensional deviation or a positional deviation occurs in the pattern on the wafer.
【0008】また、転写マスク36が固定されるマスク
ステージは、ウェハが置かれるウェハステージの数倍の
速度で高速移動する。このため、パターン転写の際に
は、転写マスク36に振動が発生することがある。転写
マスク本体33にこのような振動が発生すると、解像度
が劣化してパターンの転写精度が悪化するという問題が
生ずる。The mask stage on which the transfer mask 36 is fixed moves at a high speed several times as fast as the wafer stage on which the wafer is placed. For this reason, vibration may occur in the transfer mask 36 during the pattern transfer. When such vibrations occur in the transfer mask main body 33, there is a problem that the resolution is deteriorated and the pattern transfer accuracy is deteriorated.
【0009】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、転写マスク本体の中央部に撓みを
生じさせることがなく、かつ、転写マスク本体の振動を
十分に抑制し得る転写マスクを提供することを第1の目
的とする。また、本発明は、転写マスク本体の中央部に
生ずる撓みを補正すると同時に転写マスク本体の振動を
低減することのできるマスク保持装置を提供することを
第2の目的とする。更に、本発明は、転写マスク本体の
中央部に生ずる撓みを補正すると同時に転写マスク本体
の振動を低減することのできるマスク保持構造を提供す
ることを第3の目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and does not cause the central portion of the transfer mask body to bend, and can sufficiently suppress the vibration of the transfer mask body. A first object is to provide a transfer mask. It is a second object of the present invention to provide a mask holding device capable of compensating for the deflection generated at the center of the transfer mask main body and reducing the vibration of the transfer mask main body. It is a third object of the present invention to provide a mask holding structure capable of compensating for the deflection generated at the center of the transfer mask main body and reducing the vibration of the transfer mask main body.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、ブロック状に区分された複
数の転写領域を有する転写マスク本体と、前記転写マス
ク本体の周囲を保持する保持リングとを備える転写マス
クであって、前記転写マスク本体の中央部近傍にその下
面側から接触する着脱可能な支えを備えることを特徴と
する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a transfer mask body having a plurality of transfer areas divided into blocks and holding a periphery of the transfer mask body. A transfer ring having a detachable support near the center of the transfer mask main body and coming into contact with the lower surface thereof.
【0011】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の転写マスクであって、前記転写マスク本体の中央部
近傍にその上面側から接触する着脱可能な第2の支えを
備えることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided the transfer mask according to the first aspect, further comprising a detachable second support which is in contact with a central portion of the transfer mask main body from an upper surface thereof. Features.
【0012】また、請求項3記載の発明は、ブロック状
に区分された複数の転写領域を有する転写マスク本体を
保持するマスク保持装置であって、前記転写マスク本体
の周囲を保持する着脱可能な保持リングと、前記転写マ
スク本体の中央部近傍に接触する着脱可能な支えと、を
備えることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a mask holding apparatus for holding a transfer mask main body having a plurality of transfer regions divided into blocks, the detachable holding unit holding the periphery of the transfer mask main body. A holding ring; and a detachable support that comes into contact with a vicinity of a central portion of the transfer mask main body.
【0013】また、請求項4記載の発明は、請求項3記
載のマスク保持装置であって、前記支えと反対の側から
前記転写マスク本体の中央部近傍に接触する着脱可能な
第2の支えを備えることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the mask holding apparatus according to the third aspect, wherein the detachable second support comes into contact with the vicinity of the center of the transfer mask main body from the side opposite to the support. It is characterized by having.
【0014】また、請求項5記載の発明は、ブロック状
に区分された複数の転写領域を有する転写マスク本体を
保持するマスク保持構造であって、前記転写マスク本体
の中央部近傍に、その下面側から着脱可能な支えを接触
させることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a mask holding structure for holding a transfer mask main body having a plurality of transfer regions divided in a block shape, wherein the transfer mask main body has a lower surface near a central portion thereof. It is characterized in that a support detachable from the side is brought into contact.
【0015】更に、請求項6記載の発明は、請求項5記
載のマスク保持構造であって、前記支えと反対の側から
前記転写マスク本体の中央部近傍に着脱可能な第2の支
えを接触させることを特徴とする。Further, according to a sixth aspect of the present invention, in the mask holding structure according to the fifth aspect, a detachable second support is brought into contact with a vicinity of a central portion of the transfer mask main body from a side opposite to the support. It is characterized by making it.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、図1を参照
して、本発明の実施の形態1について説明する。図1は
本実施形態の転写マスクの平面図(図1(a))および
側面図(図1(b))である。図1において、11は本
実施形態の転写マスクである。転写マスク11は、投影
型電子ビーム描画方式の描画装置で用いられるマスクで
あり、転写マスク本体13、保持リング15、および本
発明の主要部である梁状の支え18を備えている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view (FIG. 1A) and a side view (FIG. 1B) of the transfer mask of the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a transfer mask of the present embodiment. The transfer mask 11 is a mask used in a drawing device of a projection electron beam drawing system, and includes a transfer mask main body 13, a holding ring 15, and a beam-shaped support 18, which is a main part of the present invention.
【0017】転写マスク本体13は8インチのSiウエ
ハを用いて作成されている。転写マスク本体13には、
それぞれ所望のパターンを有する複数の転写領域13A
が設けられている。転写領域13Aは、半導体ウェハ上
に形成すべき1つのチップに含まれるパターンの一部で
ある。転写マスク本体13に形成されている全ての転写
領域13Aをウェハ上に隙間無く転写すると、ウェハ上
に1チップ分のパターンを転写することができる。The transfer mask body 13 is made using an 8-inch Si wafer. In the transfer mask body 13,
A plurality of transfer areas 13A each having a desired pattern
Is provided. The transfer region 13A is a part of a pattern included in one chip to be formed on a semiconductor wafer. When all the transfer areas 13A formed on the transfer mask body 13 are transferred onto the wafer without gaps, a pattern for one chip can be transferred onto the wafer.
【0018】保持リング15は、転写マスク本体13の
周辺を保持することによりその機械的強度を高めると共
に、転写マスク11を描画装置のマスクステージ(図示
せず)に固定する際に固定部分となる部分である。保持
リング15は、転写マスク本体13に対して着脱可能に
設けられている。The holding ring 15 increases the mechanical strength of the transfer mask body 13 by holding the periphery thereof, and serves as a fixing portion when the transfer mask 11 is fixed to a mask stage (not shown) of the drawing apparatus. Part. The holding ring 15 is provided detachably with respect to the transfer mask body 13.
【0019】梁状の支え18は、転写マスク本体13の
中央を通る2つの方向、具体的には、マスクステージの
XY方向に相当する直交2方向に延在するように保持リ
ング15に固定されている。また、梁状の支え18は、
その全面が転写マスク本体13の下面に接触するように
形成されている。梁状の支え18は、熱伝導性に優れ、
かつ、高い硬度を有する材質、具体的には、ダイヤモン
ドやタングステン、或いは各種のセラミック等で作成さ
れている。The beam-shaped support 18 is fixed to the holding ring 15 so as to extend in two directions passing through the center of the transfer mask main body 13, specifically, in two orthogonal directions corresponding to the XY directions of the mask stage. ing. In addition, the beam-shaped support 18
The entire surface is formed so as to contact the lower surface of the transfer mask body 13. The beam-shaped support 18 has excellent heat conductivity,
And it is made of a material having high hardness, specifically, diamond, tungsten, or various ceramics.
【0020】本実施形態においては、保持リング15と
支え18とによってマスク保持装置が実現されている。
また、転写マスク11は、転写マスク本体13がそのマ
スク保持装置で保持されることにより実現されている。
上記のマスク保持装置によれば、転写マスク11に対し
て十分に大きな機械的強度を付与することができる。こ
のため、自重による転写マスク11の撓み、およびマス
クステージの高速移動に伴う転写マスク11の振動を抑
制することができる。従って、本実施形態の転写マスク
11によれば、高精度なパターン転写を実現することが
できる。In the present embodiment, a mask holding device is realized by the holding ring 15 and the support 18.
The transfer mask 11 is realized by holding the transfer mask body 13 by the mask holding device.
According to the above-described mask holding device, a sufficiently large mechanical strength can be imparted to the transfer mask 11. For this reason, the deflection of the transfer mask 11 due to its own weight and the vibration of the transfer mask 11 due to the high-speed movement of the mask stage can be suppressed. Therefore, according to the transfer mask 11 of the present embodiment, highly accurate pattern transfer can be realized.
【0021】実施の形態2.次に、図2を参照して、本
発明の実施の形態2について説明する。図2は本実施形
態の転写マスクの平面図(図2(a))および側面図
(図2(b))である。尚、図2において、図1に示す
構成部分と同一の部分については、同一の符合を付して
その説明を省略する。Embodiment 2 FIG. Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view (FIG. 2A) and a side view (FIG. 2B) of the transfer mask of the present embodiment. In FIG. 2, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【0022】図2において、21は本実施形態の転写マ
スクである。転写マスク21は、転写マスク本体13お
よび保持リング15と、転写マスク本体13の上下に設
けられた2つの梁状の支え28を備えている。支え28
のそれぞれは、実施の形態1における支え18と同様の
材質で、転写マスク本体13の中央を通る2つの方向
(マスクステージのXY方向に相当する直交2方向)に
延在するように保持リング15に固定されている。ま
た、本実施形態において、梁状の支え28は、その全面
が転写マスク本体13の上面または下面に接触するよう
に形成されている。In FIG. 2, reference numeral 21 denotes a transfer mask of the present embodiment. The transfer mask 21 includes a transfer mask body 13 and a holding ring 15, and two beam-shaped supports 28 provided above and below the transfer mask body 13. Support 28
Are made of the same material as that of the support 18 in the first embodiment, and are provided so as to extend in two directions passing through the center of the transfer mask body 13 (two orthogonal directions corresponding to the XY directions of the mask stage). It is fixed to. In the present embodiment, the beam-shaped support 28 is formed such that the entire surface thereof contacts the upper or lower surface of the transfer mask body 13.
【0023】本実施形態においては、保持リング15と
2つの支え28とによってマスク保持装置が実現されて
いる。また、転写マスク21は、転写マスク本体13が
そのマスク保持装置で保持されることにより実現されて
いる。上記のマスク保持装置によれば、自重による転写
マスク21の撓みを十分に小さく抑制することができる
と共に、マスクステージの高速動作に伴う振動を十分に
小さく抑制することができる。このため、本実施形態の
転写マスク21によれば、実施の形態1の場合に比して
更に高精度なパターン転写を実現することができる。In this embodiment, a mask holding device is realized by the holding ring 15 and the two supports 28. The transfer mask 21 is realized by holding the transfer mask body 13 by the mask holding device. According to the above mask holding device, the deflection of the transfer mask 21 due to its own weight can be suppressed sufficiently small, and the vibration accompanying the high-speed operation of the mask stage can be suppressed sufficiently small. For this reason, according to the transfer mask 21 of the present embodiment, it is possible to realize pattern transfer with higher accuracy than in the case of the first embodiment.
【0024】ところで、上述した実施の形態1または2
において、梁状の支え18,28は保持リング15に固
定されているが、本発明はこれに限定されるものではな
い。すなわち、支え18,28と保持リング15とは別
体としてもよい。このような構成が採られる場合は、例
えば、保持リング15に保持された転写マスク本体13
をマスクステージに搭載する際に、それらと支え18,
28とを組み合わせることにより、図1または図2に示
す状態を実現することができる。この場合、支え18ま
たは28がマスク保持装置となる。Incidentally, in the first or second embodiment described above,
In the above, the beam-shaped supports 18, 28 are fixed to the holding ring 15, but the present invention is not limited to this. That is, the supports 18, 28 and the holding ring 15 may be formed separately. When such a configuration is adopted, for example, the transfer mask body 13 held by the holding ring 15
When mounting on the mask stage,
28 can realize the state shown in FIG. 1 or FIG. In this case, the support 18 or 28 becomes a mask holding device.
【0025】また、上述した実施の形態1または2にお
いて、梁状の支え18,28は、直交する2方向に延在
する用に設けられているが、本発明はこれに限定される
ものではなく、何れかの方向にのみ支え18,28を設
けることとしてもよい。In the first or second embodiment, the beam-shaped supports 18, 28 are provided so as to extend in two orthogonal directions. However, the present invention is not limited to this. Instead, the supports 18 and 28 may be provided only in any direction.
【0026】また、上述した実施の形態1または2にお
いて、支え18,28は、1つの方向について1本だけ
設けられているが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、同一方向に複数本支えを設けることとしてもよ
い。In the first or second embodiment described above, only one support 18, 28 is provided in one direction. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of supports 18 and 28 may be provided in the same direction. A main support may be provided.
【0027】更に、上述した実施の形態1または2にお
いて、支え18,28は、その全面において転写マスク
本体13に接触しているが、本発明はこれに限定される
ものではなく、支え18,28は、少なくとも転写マス
ク本体13の中央部近傍に接触していればよい。Furthermore, in the first or second embodiment described above, the supports 18, 28 are in contact with the transfer mask body 13 on the entire surface, but the present invention is not limited to this. It is sufficient that 28 is in contact with at least the vicinity of the center of the transfer mask body 13.
【0028】尚、上述した実施の形態1では、支え18
が前記請求項1、3または5記載の「支え」に相当して
いる。また、上述した実施の形態2では、転写マスク本
体13の下面に接触する支え28が前記請求項1、3ま
たは5記載の「支え」に、転写マスク本体13の上面に
接触する支え28が前記請求項2、4または6記載の
「第2の支え」に、それぞれ相当している。In the first embodiment, the support 18
Corresponds to the “support” of the first, third or fifth aspect. In the above-described second embodiment, the support 28 that contacts the lower surface of the transfer mask main body 13 corresponds to the “support” according to claim 1, 3, or 5, and the support 28 that contacts the upper surface of the transfer mask main body 13 includes the support 28. The second support corresponds to the “second support” according to the second, fourth, or sixth aspect.
【0029】[0029]
【発明の効果】請求項1、3、または5記載の発明によ
れば、転写マスク本体の中央部近傍を下面側から支持す
ることができる。このため、本発明によれば、転写マス
ク本体の機械的強度を高めて、自重による転写マスク本
体の撓みや、マスクステージの移動に伴う転写マスク本
体の振動を抑制することができる。従って、本発明によ
れば、高精度なパターン転写を実現することができる。According to the first, third, or fifth aspect of the present invention, the vicinity of the center of the transfer mask main body can be supported from the lower surface side. Therefore, according to the present invention, it is possible to increase the mechanical strength of the transfer mask main body and suppress the deflection of the transfer mask main body due to its own weight and the vibration of the transfer mask main body due to the movement of the mask stage. Therefore, according to the present invention, highly accurate pattern transfer can be realized.
【0030】請求項2、4、または6記載の発明によれ
ば、転写マスク本体の中央部近傍を下面側および上面側
の双方から支持することができる。このため、本発明に
よれば、転写マスク本体が下面側からのみ支持される場
合に比して、その機械的強度を更に高めることができ
る。従って、本発明によれば、請求項1、3、または5
の場合に比して、更に高精度なパターン転写を実現する
ことができるAccording to the second, fourth, or sixth aspect of the present invention, the vicinity of the center of the transfer mask main body can be supported from both the lower surface and the upper surface. Therefore, according to the present invention, the mechanical strength of the transfer mask main body can be further increased as compared with the case where the transfer mask main body is supported only from the lower surface side. Therefore, according to the present invention, claims 1, 3 or 5
The pattern transfer with higher accuracy can be realized as compared with the case of
【図1】 本発明の実施の形態1の転写マスクの構造を
表す平面図および側面図である。FIG. 1 is a plan view and a side view illustrating a structure of a transfer mask according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の実施の形態2の転写マスクの構造を
表す平面図および側面図である。2A and 2B are a plan view and a side view illustrating a structure of a transfer mask according to a second embodiment of the present invention.
【図3】 投射型電子ビーム描画方式によるパターン転
写の方法を説明するための概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining a method of transferring a pattern by a projection electron beam drawing method.
【図4】 従来の転写マスクの構造を表す平面図および
側面図である。FIG. 4 is a plan view and a side view showing the structure of a conventional transfer mask.
11、21 転写マスク 13 転写マスク本体 13A 転写領域 15 保持リング 18,28 支え 41 電子源 41A,41C 電子 41B 成形ビーム 42 上段マスク 42A 上段マスクのアパーチャ 44 偏向器 11, 21 Transfer mask 13 Transfer mask body 13A Transfer area 15 Retaining ring 18, 28 Support 41 Electron source 41A, 41C Electron 41B Shaping beam 42 Upper mask 42A Upper mask aperture 44 Deflector
Claims (6)
を有する転写マスク本体と、 前記転写マスク本体の周囲を保持する保持リングと、 前記転写マスク本体の中央部近傍にその下面側から接触
する着脱可能な支えと、 を備えることを特徴とする転写マスク。1. A transfer mask main body having a plurality of transfer regions divided in a block shape, a holding ring for holding a periphery of the transfer mask main body, and a contact near a center portion of the transfer mask main body from a lower surface side thereof. A transfer mask, comprising: a detachable support;
上面側から接触する着脱可能な第2の支えを備えること
を特徴とする請求項1記載の転写マスク。2. The transfer mask according to claim 1, further comprising a detachable second support that comes into contact with the transfer mask main body near the center from the upper surface side.
を有する転写マスク本体を保持するマスク保持装置であ
って、 前記転写マスク本体の周囲を保持する着脱可能な保持リ
ングと、 前記転写マスク本体の中央部近傍に接触する着脱可能な
支えと、 を備えることを特徴とするマスク保持装置。3. A mask holding device for holding a transfer mask main body having a plurality of transfer areas divided into blocks, comprising: a detachable holding ring for holding a periphery of the transfer mask main body; and the transfer mask main body. And a detachable support that comes into contact with the vicinity of the central portion of the mask holding device.
本体の中央部近傍に接触する着脱可能な第2の支えを備
えることを特徴とする請求項3記載のマスク保持装置。4. The mask holding apparatus according to claim 3, further comprising a detachable second support which comes into contact with a vicinity of a central portion of the transfer mask main body from a side opposite to the support.
を有する転写マスク本体を保持するマスク保持構造であ
って、 前記転写マスク本体の中央部近傍に、その下面側から着
脱可能な支えを接触させることを特徴とするマスク保持
構造。5. A mask holding structure for holding a transfer mask main body having a plurality of transfer regions divided in a block shape, wherein a support detachable from a lower surface side of the transfer mask main body is contacted near a central portion of the transfer mask main body. And a mask holding structure.
本体の中央部近傍に着脱可能な第2の支えを接触させる
ことを特徴とする請求項5記載のマスク保持構造。6. The mask holding structure according to claim 5, wherein a detachable second support is brought into contact with the vicinity of a central portion of the transfer mask main body from a side opposite to the support.
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WO2008078509A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Mask, mask stage, exposure apparatus, method of exposure and process for manufacturing device |
JPWO2008078509A1 (en) * | 2006-12-27 | 2010-04-22 | 株式会社ニコン | Mask, mask stage, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
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