JP2001013187A - Matrix array device and substrate for matrix array device - Google Patents

Matrix array device and substrate for matrix array device

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JP2001013187A
JP2001013187A JP11186810A JP18681099A JP2001013187A JP 2001013187 A JP2001013187 A JP 2001013187A JP 11186810 A JP11186810 A JP 11186810A JP 18681099 A JP18681099 A JP 18681099A JP 2001013187 A JP2001013187 A JP 2001013187A
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matrix array
substrate
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inspection
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Masahiro Seiki
木 正 寛 清
Ikuo Matsunaga
永 郁 夫 松
Ryoichi Watanabe
辺 良 一 渡
Manabu Watanabe
邉 学 渡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a matrix array device and the matrix array device allowing effective and accurate inspection of variation of a transistor characteristic. SOLUTION: This substrate 100 for a matrix array device has inspection circuit parts 104 each disposed near an area formed with at least one of a gate line drive circuit part 102 and a signal line drive circuit part 103 over a nearly same length as one side of the drive circuit 102 or 103 or above. By measuring an oscillation frequency of the inspection circuit part 14, variety of a transistor characteristic different in each the area can be easily and accurately detected on the substrate 100 for the matrix array device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクスアレイ
装置、及びマトリクスアレイ装置が形成された基板に関
し、特に信頼性試験を行うための検査回路を内蔵したも
のに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a matrix array device and a substrate on which the matrix array device is formed, and more particularly to a substrate having a built-in inspection circuit for performing a reliability test.

【0002】[0002]

【従来の技術】マトリクスアレイ装置の概略構成を、図
16を用いて説明する。この装置は、ガラス等の同一絶
縁基板201上に、複数のゲート線203及び信号線2
02が交差するように配線され、その交点付近に画素電
極209及びスイッチング素子として用いられ多結晶シ
リコンより形成された薄膜トランジスタ(以下、TFT
という)210がマトリクス状に配置されたマトリクス
アレイ部と、TFTで構成されゲート線及び信号線を駆
動する駆動回路とが一体に形成されている。
2. Description of the Related Art A schematic configuration of a matrix array device will be described with reference to FIG. This device includes a plurality of gate lines 203 and signal lines 2 on the same insulating substrate 201 such as glass.
02, and a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) formed of polycrystalline silicon used as a pixel electrode 209 and a switching element near the intersection.
(Referred to as a reference numeral 210) are integrally formed with a matrix array portion in which a matrix is arranged and a driving circuit which is constituted by TFTs and drives gate lines and signal lines.

【0003】マトリクスアレイ装置は、図示されていな
い光電変換膜等を装置上部に設けることで、撮像装置と
して用いることが可能である。また、図示されていない
対向基板とマトリクスアレイ装置とを間隙をおいて対向
配置し、間に液晶組成物を封入することで液晶表示装置
として用いることもできる。
A matrix array device can be used as an image pickup device by providing a photoelectric conversion film or the like (not shown) on an upper portion of the device. In addition, a counter substrate (not shown) and a matrix array device may be arranged to face each other with a gap therebetween, and a liquid crystal composition may be sealed therebetween to be used as a liquid crystal display device.

【0004】この装置を撮像装置として用いる場合は、
X線等の電磁波が光電変換膜等に照射されて電荷が発生
して画素電極209上に蓄積し、ゲート線203によっ
て走査されて、TFT210を介して信号線202より
信号電荷が読み出される。
When this device is used as an imaging device,
Electromagnetic waves such as X-rays are applied to the photoelectric conversion film or the like to generate charges, accumulate on the pixel electrodes 209, scan by the gate lines 203, and read signal charges from the signal lines 202 via the TFTs 210.

【0005】この装置を液晶表示装置として用いる場合
は、ゲート線203により走査され信号線202より供
給された信号電圧が画素電極209に印加され、画像を
形成する。
When this device is used as a liquid crystal display device, a signal voltage scanned by the gate line 203 and supplied from the signal line 202 is applied to the pixel electrode 209 to form an image.

【0006】信号線202は、撮像装置として用いる場
合は、信号線202から読み出された信号電荷が同一絶
縁基板201上に形成されたアナログスイッチ206及
びバッファ207を介してバスライン212に転送され
る。
When the signal line 202 is used as an imaging device, signal charges read from the signal line 202 are transferred to a bus line 212 via an analog switch 206 and a buffer 207 formed on the same insulating substrate 201. You.

【0007】液晶表示装置として用いる場合は、信号線
202にアナログスイッチ206及びバッファ207を
介してビデオ信号が供給される。
When used as a liquid crystal display device, a video signal is supplied to a signal line 202 via an analog switch 206 and a buffer 207.

【0008】アナログスイッチ206は、ビデオバスラ
イン212より供給されるビデオ信号を、X側シフトレ
ジスタ211から与えられた信号に基づいてサンプリン
グを行う。ここで、X側シフトレジスタ211は、スタ
ートパルスとクロック信号とを与えられ、クロック信号
に基づいてスタートパルスを順次シフトしていき、サン
プリング用の信号を発生させる。
The analog switch 206 samples a video signal supplied from the video bus line 212 based on a signal given from the X-side shift register 211. Here, the X-side shift register 211 receives a start pulse and a clock signal, sequentially shifts the start pulse based on the clock signal, and generates a signal for sampling.

【0009】ゲート線203は、絶縁基板201上に形
成されたY側シフトレジスタ205が生成した走査信号
をバッファ204を介して与えられ、TFT210のゲ
ートに供給する。
The gate line 203 is supplied with a scanning signal generated by the Y-side shift register 205 formed on the insulating substrate 201 via the buffer 204 and supplies the scanning signal to the gate of the TFT 210.

【0010】このようなマトリクスアレイ装置のうち、
例えば画素電極209及びTFT210がマトリクス状
に配置された領域をマトリクスアレイ部とし、Xシフト
レジスタ211、アナログスイッチ207、バッファ2
06を含む回路を信号線駆動回路部、Yシフトレジスタ
205、バッファ204を含む回路をゲート線駆動回路
部とする。
In such a matrix array device,
For example, a region in which the pixel electrodes 209 and the TFTs 210 are arranged in a matrix is defined as a matrix array unit, and the X shift register 211, the analog switch 207, the buffer 2
The circuit including 06 is referred to as a signal line driving circuit, and the circuit including the Y shift register 205 and the buffer 204 is referred to as a gate line driving circuit.

【0011】マトリクスアレイ装置は、図17に示され
たように、マトリクスアレイ部221、信号線駆動回路
部223、ゲート線駆動回路部222を備え、通常はよ
り大きいマトリクスアレイ装置用基板220上に1つ又
は複数形成され、不要な部分を切り離されて使用され
る。
As shown in FIG. 17, the matrix array device includes a matrix array section 221, a signal line drive circuit section 223, and a gate line drive circuit section 222. One or a plurality is formed, and unnecessary portions are separated and used.

【0012】また、マトリクスアレイ装置用基板220
上には、マトリクスアレイ装置が形成された領域の外周
部分に、トランジスタ単体、あるいはトランジスタを用
いた回路から成る検査回路224が1個または複数個形
成され、マトリクスアレイ装置用基板220の特性確認
用の検査に用いられる。
Also, the matrix array device substrate 220
On the outer periphery of the region where the matrix array device is formed, one or a plurality of test circuits 224 each composed of a single transistor or a circuit using a transistor are formed. Used for inspection.

【0013】しかしながら、上述した従来のマトリクス
アレイ装置用基板には、次のような問題があった。
However, the above-mentioned conventional substrate for a matrix array device has the following problems.

【0014】検査回路224は、マトリクスアレイ装置
用基板220の局所に配置されていた。よって、製造プ
ロセス上の変動が原因となって基板220上の位置によ
り特性のバラツキが存在する場合、上述した検査回路2
24により確実に検出することは困難であった。
The inspection circuit 224 is located locally on the matrix array device substrate 220. Therefore, if there is a variation in characteristics depending on the position on the substrate 220 due to a variation in the manufacturing process, the above-described inspection circuit 2
24, it was difficult to detect it reliably.

【0015】特に、信号線駆動回路部223及びゲート
線駆動回路部222から成る駆動回路部を、マトリクス
アレイ部221と共に同一基板220上に内蔵する装置
では、例えばアモルファスシリコンTFTを用いた駆動
回路を内蔵しないタイプの装置と比較し、駆動回路部を
構成するトランジスタ特性のばらつきを把握することは
より重要である。
In particular, in a device in which a drive circuit section including a signal line drive circuit section 223 and a gate line drive circuit section 222 is built on the same substrate 220 together with a matrix array section 221, a drive circuit using, for example, an amorphous silicon TFT is used. It is more important to ascertain the variation in the characteristics of the transistors constituting the drive circuit section than in a device without a built-in device.

【0016】また、従来のマトリクスアレイ装置用基板
では、検査回路224ごとに検査用プローブを接触させ
て検査しなければならなかった。このため、高い精度で
基板220上のばらつきを検出するために検査回路22
4の数を増やすと、検査時間が増大して検査効率を悪化
させていた。
Further, in the conventional substrate for a matrix array device, the inspection has to be performed by bringing the inspection probe into contact with each inspection circuit 224. Therefore, in order to detect the variation on the substrate 220 with high accuracy, the inspection circuit 22
When the number of 4 is increased, the inspection time is increased and the inspection efficiency is deteriorated.

【0017】以上、従来のマトリクスアレイ装置用基板
の構成及びその問題について述べたが、次に基板から分
離させた後のマトリクスアレイ装置について説明する。
The configuration of the conventional matrix array device substrate and its problems have been described above. Next, the matrix array device separated from the substrate will be described.

【0018】マトリクスアレイ装置は、撮像装置又は液
晶表示装置のいずれとして用いる場合であっても、より
安価であることが要求されている。
The matrix array device is required to be more inexpensive whether it is used as an image pickup device or a liquid crystal display device.

【0019】このような要求に対応するため、上述した
ように、駆動回路部をマトリクスアレイ部と共に同一絶
縁基板上に形成して一体化することで部材点数を削減
し、コストを低減する手法が用いられている。
In order to cope with such a demand, as described above, a method for reducing the number of members and reducing the cost by forming and integrating the drive circuit section together with the matrix array section on the same insulating substrate. Used.

【0020】そして、駆動回路部を内蔵するマトリクス
アレイ装置においても、駆動回路部を基板の外付けとす
る装置と同等以上の動作寿命を保障する必要がある。こ
こで、駆動回路部は一般にP型及びN型TFTで構成さ
れる。
In a matrix array device having a built-in drive circuit unit, it is necessary to guarantee an operation life equal to or longer than that of a device in which the drive circuit unit is externally mounted on a substrate. Here, the drive circuit section is generally composed of P-type and N-type TFTs.

【0021】しかし、従来はマトリクスアレイ装置にお
ける駆動回路部の動作寿命を確認するため、個々のTF
Tではなくマトリクスアレイ装置自体を直接用いて信頼
性試験を行っていた。
However, conventionally, in order to confirm the operating life of the drive circuit section in the matrix array device, individual TFs are required.
The reliability test was performed using the matrix array device itself instead of T.

【0022】図18に、従来のマトリクスアレイ装置で
行った信頼性試験の結果の一例を示す。この図18に示
されたように、一般に動作時間として少なくとも100
00時間という長時間の信頼性試験が必要となる。
FIG. 18 shows an example of the results of a reliability test performed with a conventional matrix array device. As shown in FIG. 18, the operation time is generally at least 100.
A long-term reliability test of 00 hours is required.

【0023】しかしながら、マトリクスアレイ装置その
ものを用いて信頼性試験を行う場合、サンプル作製に時
間がかかること、また部品点数が多くコストがかかるこ
とから、大量にサンプルを作製することは困難である。
However, when a reliability test is performed using the matrix array device itself, it is difficult to prepare a large number of samples because it takes a long time to prepare the sample and the number of parts is large and the cost is high.

【0024】また、信頼性試験では長時間行わないと、
十分な信頼性の確認ができないという問題もあった。例
えば、駆動回路部を構成するTFTの特性が僅かに劣っ
ていたような場合、図18に示されたように、試験時間
が10000時間を経過する直前になって駆動回路部が
動作を停止し、信頼性がないことが判明する場合があ
る。このため、信頼性試験には長時間を要し、試験コス
トを削減することができないという問題があった。
In addition, if the reliability test is not performed for a long time,
There was also a problem that sufficient reliability could not be confirmed. For example, in the case where the characteristics of the TFTs constituting the drive circuit unit are slightly inferior, the drive circuit unit stops operating just before the test time passes 10,000 hours as shown in FIG. , May prove to be unreliable. For this reason, there has been a problem that the reliability test requires a long time and the test cost cannot be reduced.

【0025】[0025]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
マトリクスアレイ装置用基板には、基板上に内蔵された
駆動回路部を構成するトランジスタの特性のばらつきを
検出することが困難であると共に、検査時間が長く効率
が低いという問題があった。
As described above, it is difficult to detect the variation in the characteristics of the transistors constituting the drive circuit unit built in the substrate in the conventional matrix array device substrate, as described above. However, there is a problem that the inspection time is long and the efficiency is low.

【0026】また、従来のマトリクスアレイ装置には、
検査時間が長くコスト低減が困難であるという問題があ
った。
Further, in a conventional matrix array device,
There is a problem that the inspection time is long and it is difficult to reduce the cost.

【0027】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、マトリクスアレイ装置用基板に存在する特性のばら
つきを効率良く且つ高精度で検査することが可能なマト
リクスアレイ装置用基板と、検査時間の短縮が可能なマ
トリクスアレイ装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a matrix array device substrate capable of efficiently and highly accurately inspecting variations in characteristics existing on the matrix array device substrate. It is an object of the present invention to provide a matrix array device capable of shortening the time.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】本発明のマトリクスアレ
イ装置用基板は、絶縁基板上に、複数のゲート線及び信
号線が交差するように配線され、前記ゲート線と前記信
号線との交点付近にマトリクス状に画素電極及びスイッ
チング素子が配置されたマトリクスアレイ部と、前記絶
縁基板上に設けられ、前記ゲート線を駆動するゲート線
駆動回路部と、前記絶縁基板上に設けられ、前記信号線
を駆動する信号線駆動回路部と、前記絶縁基板上に設け
られ、前記ゲート線駆動回路部と前記信号線駆動回路部
の少なくとも一方の駆動回路部の一辺に、該辺と略同一
又はそれ以上の長さに渡って配置され、前記マトリクス
アレイ部又は前記駆動回路部の特性の検査に用いられる
検査回路部とを備えたことを特徴としている。
A substrate for a matrix array device according to the present invention is arranged on an insulating substrate so that a plurality of gate lines and signal lines intersect with each other, and near an intersection of the gate line and the signal line. A matrix array portion in which pixel electrodes and switching elements are arranged in a matrix; a gate line driving circuit portion provided on the insulating substrate to drive the gate lines; and a signal line provided on the insulating substrate. And a signal line drive circuit portion for driving the one of the gate line drive circuit portion and at least one of the signal line drive circuit portions provided on the insulating substrate; And a test circuit section used for testing characteristics of the matrix array section or the drive circuit section.

【0029】前記検査回路部は、この検査回路部の発振
周波数に基づいて検査に用いられるものであってよい。
The inspection circuit may be used for inspection based on the oscillation frequency of the inspection circuit.

【0030】ここで、前記マトリクスアレイ部、前記ゲ
ート線駆動回路部、前記信号線駆動回路部を有するマト
リクスアレイ装置が同一の前記絶縁基板上に複数設けら
れ、前記検査回路部は前記マトリクスアレイ装置毎に設
けられていてもよい。
Here, a plurality of matrix array devices having the matrix array portion, the gate line drive circuit portion, and the signal line drive circuit portion are provided on the same insulating substrate, and the inspection circuit portion is provided in the matrix array device. It may be provided for each.

【0031】また、前記検査回路部は、前記駆動回路部
の一辺に隣接して同一方向に沿うように配置されていて
もよい。
The inspection circuit section may be arranged adjacent to one side of the drive circuit section so as to extend in the same direction.

【0032】前記検査回路部を、各々の前記マトリクス
アレイ装置の外周を囲むように配置することもできる。
The inspection circuit section may be arranged so as to surround the outer periphery of each of the matrix array devices.

【0033】あるいは、前記検査回路部は、各々の前記
マトリクスアレイ装置の外周を囲むように、少なくとも
2列並列に配置された検査回路を含むこともできる。
Alternatively, the test circuit section may include test circuits arranged in at least two columns in parallel so as to surround the outer periphery of each of the matrix array devices.

【0034】さらに、前記検査回路部は、全ての前記マ
トリクスアレイ装置を取り囲むように、前記絶縁基板の
周辺領域に配置されていてもよい。
Further, the inspection circuit section may be arranged in a peripheral region of the insulating substrate so as to surround all the matrix array devices.

【0035】さらには、前記検査回路部は、少なくとも
2つの前記マトリクスアレイ装置における各々の前記駆
動回路部に跨って配置されている検査回路を含むもので
あってもよい。
Further, the test circuit section may include a test circuit arranged over each of the drive circuit sections in at least two of the matrix array devices.

【0036】本発明のマトリクスアレイ装置は、絶縁基
板上に、複数のゲート線及び信号線が交差するように配
線され、前記ゲート線と前記信号線との交点付近にマト
リクス状に画素電極及びスイッチング素子が配置された
マトリクスアレイ部と、前記絶縁基板上に設けられ、前
記ゲート線を駆動するゲート線駆動回路部と、前記絶縁
基板上に設けられ、前記信号線を駆動する信号線駆動回
路部と、前記絶縁基板上に設けられ、前記ゲート線駆動
回路部と前記信号線駆動回路部の少なくとも一方の駆動
回路部の一辺に、該辺と略同一又はそれ以上の長さに渡
って配置され、前記マトリクスアレイ部又は前記駆動回
路部の特性の検査に用いられる検査回路部とを備えたこ
とを特徴とする。
In the matrix array device according to the present invention, a plurality of gate lines and signal lines are wired on an insulating substrate so as to intersect, and pixel electrodes and switching elements are arranged in a matrix near an intersection between the gate lines and the signal lines. A matrix array portion on which elements are arranged; a gate line drive circuit portion provided on the insulating substrate to drive the gate lines; and a signal line drive circuit portion provided on the insulating substrate and driving the signal lines And provided on the insulating substrate and arranged on one side of at least one of the gate line drive circuit section and the signal line drive circuit section over a length substantially equal to or longer than the side. And a test circuit unit used for testing characteristics of the matrix array unit or the drive circuit unit.

【0037】前記検査回路部は、この検査回路部の発振
周波数に基づいて検査に用いられるものであってよい。
The inspection circuit section may be used for inspection based on the oscillation frequency of the inspection circuit section.

【0038】前記検査回路部は、CMOS回路を含んで
いることが望ましい。
It is desirable that the inspection circuit section includes a CMOS circuit.

【0039】また、前記検査回路部は、複数のインバー
タが縦続接続されたインバータチェーンを含むこともで
きる。を特徴とする請求項9記載のマトリクスアレイ装
置。
Further, the inspection circuit section may include an inverter chain in which a plurality of inverters are connected in cascade. 10. The matrix array device according to claim 9, wherein:

【0040】前記マトリクスアレイ装置は、対向基板と
対向配置されて液晶組成物を狭持する液晶表示装置に用
いられ、前記検査回路部は、前記絶縁基板上における前
記対向基板と対向しない領域に配置されていてもよい。
[0040] The matrix array device is used for a liquid crystal display device which is disposed opposite to a counter substrate and holds a liquid crystal composition, and the inspection circuit section is disposed in a region on the insulating substrate which is not opposed to the counter substrate. It may be.

【0041】前記マトリクスアレイ装置は、前記絶縁基
板と異なる基板上に設けられ前記駆動回路部に接続され
た外部回路をさらに備え、前記検査回路部は前記基板上
に設けられたパッドと接続されていてもよい。
The matrix array device further includes an external circuit provided on a substrate different from the insulating substrate and connected to the drive circuit unit, and the inspection circuit unit is connected to a pad provided on the substrate. You may.

【0042】[0042]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0043】図1に、本発明の第1の実施の形態による
マトリクスアレイ装置用基板の概略構成を示す。例え
ば、400mm*500mm寸法のガラス基板100上に、
複数本の信号線とゲート線とが交差するように配線さ
れ、その交点付近に画素電極及びスイッチング素子とし
てのTFTがマトリクス状に配置されている。TFTの
ゲートは対応するゲート線に接続され、ソース又はドレ
インは信号線に接続され、ドレイン又はソースは画素電
極に接続されている。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a substrate for a matrix array device according to a first embodiment of the present invention. For example, on a glass substrate 100 having a size of 400 mm * 500 mm,
A plurality of signal lines and gate lines are wired so as to intersect, and pixel electrodes and TFTs as switching elements are arranged in a matrix near the intersection. A gate of the TFT is connected to a corresponding gate line, a source or a drain is connected to a signal line, and a drain or a source is connected to a pixel electrode.

【0044】そして、画素電極及びTFTがマトリクス
状に配置されたマトリクスアレイ部101と、ゲート線
に走査信号を供給するゲート線駆動回路部102と、信
号線にビデオ信号を供給する信号線駆動回路部103が
形成されてマトリクスアレイ装置を構成し、このような
装置が4面配置されている。
A matrix array section 101 in which pixel electrodes and TFTs are arranged in a matrix, a gate line driving circuit section 102 for supplying a scanning signal to a gate line, and a signal line driving circuit for supplying a video signal to a signal line The portion 103 is formed to constitute a matrix array device, and four such devices are arranged.

【0045】各々のマトリクスアレイ装置の寸法は、例
えば180mm*220mmである。また、ゲート線駆動回
路部102が配置された辺と、信号線駆動回路部103
が配置された辺とに沿って、それぞれの辺と略同一の長
さに渡って、各駆動回路部102,103と同一工程で
作成されたCMOS回路で構成された複数のインバータ
を縦続接続したインバータチェーンから成る検査回路部
104が設けられている。
The dimensions of each matrix array device are, for example, 180 mm * 220 mm. Further, the side where the gate line driving circuit portion 102 is arranged and the signal line driving circuit portion 103
A plurality of inverters formed of CMOS circuits formed in the same process as the drive circuit units 102 and 103 are cascade-connected along the side where is disposed and over substantially the same length as each side. An inspection circuit unit 104 including an inverter chain is provided.

【0046】図2に、駆動回路部102及び103の辺
に沿って配置された検査回路部104の具体的な構成を
示す。ほぼ等間隔(例えば、約25.8mm間隔)でイン
バータINが配置され、各インバータ間が信号線形成と
同一工程で形成された幅100μm、厚さ500nmのア
ルミニウム配線で接続されている。各々のインバータI
Nは、図3に示されたように、Pチャネルトランジスタ
PTとNチャネルトランジスタNTとで構成されたCM
OS構成である。PチャネルトランジスタPT及びNチ
ャネルトランジスタNTは、共に例えばゲート幅10μ
m、ゲート長5μmとする。そして、検査回路部104
は、所定電圧を印加されたときの発振周波数が所望の値
をとるように設定しておく必要があり、例えば10Vの
駆動電圧Vccを印加された時の発振周波数が10MHz
となるように設計する。
FIG. 2 shows a specific configuration of the inspection circuit unit 104 arranged along the sides of the drive circuit units 102 and 103. Inverters IN are arranged at substantially equal intervals (for example, at intervals of about 25.8 mm), and the inverters are connected to each other by aluminum wiring having a width of 100 μm and a thickness of 500 nm formed in the same process as the signal line formation. Each inverter I
N is a CM composed of a P-channel transistor PT and an N-channel transistor NT, as shown in FIG.
OS configuration. Each of the P-channel transistor PT and the N-channel transistor NT has, for example, a gate width of 10 μm.
m, and the gate length is 5 μm. Then, the inspection circuit unit 104
Must be set so that the oscillation frequency when a predetermined voltage is applied takes a desired value. For example, the oscillation frequency when a driving voltage Vcc of 10 V is applied is 10 MHz.
Design so that

【0047】そして、各々のマトリクスアレイ装置にそ
れぞれ設けた検査回路部104に所定の駆動電圧Vccを
印加し、検査端子105を用いて発振周波数を測定して
各々の駆動回路部102及び103の特性を検査する。
Then, a predetermined drive voltage Vcc is applied to the test circuit section 104 provided in each matrix array device, and the oscillation frequency is measured using the test terminal 105 to determine the characteristic of each of the drive circuit sections 102 and 103. To inspect.

【0048】この後、マトリクスアレイ装置用基板10
0を撮像装置として用いる場合は、光電変換膜等を表面
上に形成し、X線等を照射して感度等の検査を行う。基
板100を液晶表示装置として用いる場合は、この基板
100上と、共通電極を形成した対向基板上とにそれぞ
れ配向膜を形成し、各々の配向膜上に配向処理を施し、
両基板面を対向させて、間隙剤、周辺シール材、及び液
晶材料を狭持するように貼り合わせ、各々の基板の不要
な周辺部分を切り離して液晶表示セルを形成し、点灯画
質検査を行う。
Thereafter, the substrate 10 for the matrix array device
When 0 is used as an imaging device, a photoelectric conversion film or the like is formed on the surface, and X-rays or the like are applied to inspect the sensitivity or the like. When the substrate 100 is used as a liquid crystal display device, an alignment film is formed on each of the substrate 100 and the counter substrate on which the common electrode is formed, and an alignment process is performed on each of the alignment films.
The two substrate surfaces are opposed to each other, and a gap material, a peripheral sealing material, and a liquid crystal material are sandwiched and adhered to each other. Unnecessary peripheral portions of each substrate are separated to form a liquid crystal display cell, and a lighting image quality inspection is performed. .

【0049】そして、マトリクスアレイ装置用基板10
0の段階で検査回路部104の発振周波数を測定した結
果と、液晶表示セルを作成した後に行った点灯画質検査
結果との相関を取ると、検査回路部104の発振周波数
が例えば5〜20MHzであるときに、良好な表示が得
られることが分かった。
The matrix array device substrate 10
When the correlation between the result of measuring the oscillation frequency of the inspection circuit unit 104 at the stage of 0 and the result of the lighting image quality inspection performed after the liquid crystal display cell is created, the oscillation frequency of the inspection circuit unit 104 is, for example, 5 to 20 MHz. At one point, it was found that good display was obtained.

【0050】本結果より、マトリクスアレイ装置の駆動
回路部の周辺に検査回路部を配置し、検査回路部の発振
周波数を測定することで、駆動回路部を構成するトラン
ジスタ特性のばらつきが影響する画質の良否を容易且つ
高精度で把握できることが分かった。
From the above results, it is found that the test circuit section is arranged around the drive circuit section of the matrix array device, and the oscillation frequency of the test circuit section is measured. It has been found that the quality of the object can be grasped easily and with high accuracy.

【0051】ここで検査回路部104は、ゲート線駆動
回路部102及び信号線駆動回路部103の近辺の領域
においてその辺に沿って形成されている。しかし、図4
に示されたように、ゲート線駆動回路部102又は信号
線駆動回路部103のいずれか一方の近辺領域にのみ検
査回路部111を形成してもよい。また、図5に示され
たように、ゲート線駆動回路部102及び信号線駆動回
路部103のみならず、駆動回路部102及び103が
形成されていないマトリクスアレイ部101の近辺に検
査回路112を配置してもよい。
Here, the inspection circuit section 104 is formed along a side in a region near the gate line drive circuit section 102 and the signal line drive circuit section 103. However, FIG.
As shown in (1), the inspection circuit section 111 may be formed only in the vicinity of one of the gate line drive circuit section 102 and the signal line drive circuit section 103. Further, as shown in FIG. 5, the inspection circuit 112 is provided not only in the gate line driving circuit section 102 and the signal line driving circuit section 103 but also in the vicinity of the matrix array section 101 where the driving circuit sections 102 and 103 are not formed. It may be arranged.

【0052】あるいは、図6に示されたように、各々の
マトリクスアレイ装置の外周を囲む様に検査回路部12
1を配置することもできる。このようなマトリクスアレ
イ装置用基板を作成して検査回路部121の発振周波数
を測定し、さらにこの基板を用いて液晶表示セルを作成
して画質検査を行った結果、両者の間には図1に示され
たマトリクスアレイ装置用基板と同様の相関関係が得ら
れた。特に、図6に示された検査回路部121のよう
に、マトリクスアレイ装置の外周を囲むように配置した
場合には、駆動回路部102及び103のみならず装置
全体のトランジスタ特性を一括して把握することが可能
である。
Alternatively, as shown in FIG. 6, the inspection circuit section 12 surrounds the outer periphery of each matrix array device.
1 can also be arranged. As a result of preparing such a matrix array device substrate, measuring the oscillation frequency of the test circuit section 121, and further preparing a liquid crystal display cell using this substrate and performing an image quality test, FIG. The same correlation as the matrix array device substrate shown in FIG. In particular, when the test circuit unit 121 is arranged so as to surround the outer periphery of the matrix array device as in the test circuit unit 121 shown in FIG. 6, the transistor characteristics of not only the drive circuit units 102 and 103 but also the entire device are collectively grasped. It is possible to

【0053】図7に示されたマトリクスアレイ装置用基
板では、マトリクスアレイ装置の外周を囲むように形成
された検査回路部122が2重のインバータチェーンを
有している。それぞれのインバータチェーンでは、複数
のインバータが等間隔に配置されている。さらに、1方
のインバータチェーンに含まれる各インバータは、他方
のインバータチェーンに含まれる各インバータの間隔の
ほぼ中央に配置されている。
In the matrix array device substrate shown in FIG. 7, the inspection circuit section 122 formed so as to surround the outer periphery of the matrix array device has a double inverter chain. In each inverter chain, a plurality of inverters are arranged at equal intervals. Further, each inverter included in one inverter chain is disposed substantially at the center of the interval between the inverters included in the other inverter chain.

【0054】このような検査回路部122が形成された
マトリクスアレイ装置用基板を作成して検査回路部の発
振周波数を測定し、この基板を用いて液晶表示セルを作
成して画質評価を行ったところ、やはり検査回路部の発
振周波数と点灯画質検査結果との間に相関関係があり、
検査回路部122の発振周波数が10MHz〜40MHzの場
合に良好な表示が得られることが分かった。
A substrate for a matrix array device on which such a test circuit section 122 was formed was prepared, the oscillation frequency of the test circuit section was measured, and a liquid crystal display cell was prepared using this substrate to evaluate the image quality. However, there is still a correlation between the oscillation frequency of the inspection circuit and the lighting image quality inspection result,
It has been found that good display can be obtained when the oscillation frequency of the inspection circuit unit 122 is 10 MHz to 40 MHz.

【0055】また、2重のインバータチェーンのそれぞ
れの発振周波数の差が8%を超えた場合、液晶表示セル
において、局所的なトランジスタ特性のばらつきに伴う
表示不良が発生した。このことから、図7に示されたよ
うな複数のインバータチェーンが並列に配置された複数
備える検査回路部122を用いて特性検査を行うことに
より、より高精度で特性のばらつきを検出することが可
能であることが分かった。
When the difference between the oscillating frequencies of the double inverter chains exceeds 8%, display defects occur in the liquid crystal display cell due to local variations in transistor characteristics. From this, it is possible to detect the variation in the characteristics with higher accuracy by performing the characteristic inspection using the plurality of inspection circuit units 122 provided with the plurality of inverter chains arranged in parallel as shown in FIG. It turned out to be possible.

【0056】図8に、本実施の形態と従来の技術とを対
比するために作成したマトリクスアレイ装置用基板の構
成を示す。この基板上には、2種類の検査回路部12
1、131が設けられている。検査回路部121は、図
6に示された検査回路部と同様に、マトリクスアレイ部
の外周を囲むように設けられている。検査回路部131
は従来のマトリクスアレイ装置用基板に設けられていた
ものに相当し、CMOS回路で構成された31個のイン
バータチェーンから成り、マトリクスアレイ装置の周辺
に局所的に6箇所配置されている。
FIG. 8 shows a configuration of a substrate for a matrix array device prepared for comparing the present embodiment with the conventional technology. On this substrate, two types of inspection circuit units 12 are provided.
1, 131 are provided. The test circuit section 121 is provided so as to surround the outer periphery of the matrix array section, similarly to the test circuit section shown in FIG. Inspection circuit section 131
Is equivalent to that provided on a conventional substrate for a matrix array device, is composed of 31 inverter chains constituted by CMOS circuits, and is locally disposed at six locations around the matrix array device.

【0057】上記第1の実施の形態による検査回路部1
21の発振周波数を測定したところ3MHzであり、液
晶表示セルを構成した場合に画面品位不良となると判断
することができた。一方、従来の技術による検査回路部
131の発振周波数を測定したところ、6箇所ともほぼ
10MHzであり、画面品位は問題ないという判断結果
が得られた。その後、この基板を用いて液晶表示セルを
作成して実際に画面品位を評価したところ、表示ムラが
観察された。
Inspection circuit section 1 according to the first embodiment
When the oscillation frequency of No. 21 was measured, it was 3 MHz, and it was determined that the screen quality was poor when a liquid crystal display cell was formed. On the other hand, when the oscillation frequency of the inspection circuit unit 131 according to the conventional technique was measured, it was found that the frequency was almost 10 MHz in all six places, and that the judgment result that the screen quality was not a problem was obtained. Thereafter, when a liquid crystal display cell was prepared using this substrate and the screen quality was actually evaluated, display unevenness was observed.

【0058】従来の検査回路部131を用いた場合に画
面品位の問題を検出できなかった原因は、この検査回路
部131が配置された6箇所以外の領域で製造プロセス
の変動によりトランジスタ特性がばらついていたことに
ある。これに対し、上記第1の実施の形態による検査回
路部121を用いた場合には、マトリクスアレイ装置の
外周を囲むように配置したインバータチェーンによっ
て、検査回路部131が設けられていない領域における
トランジスタ特性のばらつきも含めて検出することがで
きる。従って、上記第1の実施の形態によれば、マトリ
クスアレイ装置が形成されている周辺領域に存在する特
性のばらつきを幅広く高い精度で検出することが可能で
ある。さらに、検査回路部121の発振周波数を測定す
る回数は1回で良いので、効率的に検査することができ
る。
The reason why the problem of screen quality could not be detected when the conventional inspection circuit unit 131 was used is that the transistor characteristics varied due to manufacturing process fluctuations in regions other than the six regions where the inspection circuit unit 131 was arranged. I was there. On the other hand, when the test circuit unit 121 according to the first embodiment is used, the transistor in the region where the test circuit unit 131 is not provided is provided by an inverter chain arranged so as to surround the outer periphery of the matrix array device. It can be detected including the variation in characteristics. Therefore, according to the first embodiment, it is possible to detect variations in characteristics existing in the peripheral region where the matrix array device is formed in a wide range and with high accuracy. Furthermore, since the number of times of measuring the oscillation frequency of the inspection circuit unit 121 may be one, the inspection can be performed efficiently.

【0059】ところで、上述した第1の実施の形態で
は、いずれも基板上に複数形成されたマトリクスアレイ
装置のそれぞれに別個に検査回路部が設けられている。
これに対し、以下に述べる本発明の第2の実施の形態で
は、複数のマトリクスアレイ装置の間で共有するように
検査回路部が設けられている。
By the way, in the above-described first embodiment, each of the plurality of matrix array devices formed on the substrate is provided with a separate inspection circuit unit.
On the other hand, in a second embodiment of the present invention described below, an inspection circuit unit is provided so as to be shared by a plurality of matrix array devices.

【0060】図9に、本実施の形態によるマトリクスア
レイ装置用基板の構成を示す。上記第1の実施の形態と
同様に、例えば400mm*500mm寸法のマトリクスア
レイ装置用基板100上に、マトリクスアレイ部10
1、ゲート線駆動回路部102、信号線駆動回路部10
3が形成されてマトリクスアレイ装置が構成され、この
ような装置が4面配置されている。各々のマトリクスア
レイ装置の寸法は、例えば180mm*220mmである。
FIG. 9 shows the configuration of the substrate for a matrix array device according to the present embodiment. As in the first embodiment, for example, a matrix array unit 10 is provided on a matrix array device substrate 100 having a size of 400 mm * 500 mm.
1, gate line drive circuit section 102, signal line drive circuit section 10
3 are formed to constitute a matrix array device, and four such devices are arranged. The dimensions of each matrix array device are, for example, 180 mm * 220 mm.

【0061】そして、4面配置されたマトリクスアレイ
装置を取り囲むように、基板100の外周部にCMOS
回路で構成された複数のインバータを縦続接続したイン
バータチェーンから成る検査回路部131が設けられて
いる。
A CMOS is provided around the outer periphery of the substrate 100 so as to surround the matrix array device arranged on four sides.
An inspection circuit unit 131 is provided which is composed of an inverter chain in which a plurality of inverters formed of circuits are cascaded.

【0062】図10に、検査回路部104の具体的な回
路構成を示す。複数のインバータがほぼ等間隔で配置さ
れ、各インバータの間が幅100μm、厚さ500nmの
アルミニウム配線で接続されている。各々のインバータ
はCMOS構成であり、PチャネルトランジスタPT及
びNチャネルトランジスタNTは、共に例えばゲート幅
10μm、ゲート長5μmとする。検査回路部131
は、上記第1の実施の形態と同様に、例えば10Vの駆
動電圧Vccを印加された時の発振周波数が10MHzと
なるように設計されている。
FIG. 10 shows a specific circuit configuration of the inspection circuit section 104. A plurality of inverters are arranged at substantially equal intervals, and the respective inverters are connected by an aluminum wiring having a width of 100 μm and a thickness of 500 nm. Each inverter has a CMOS configuration, and each of the P-channel transistor PT and the N-channel transistor NT has, for example, a gate width of 10 μm and a gate length of 5 μm. Inspection circuit section 131
Is designed so that the oscillation frequency when a driving voltage Vcc of, for example, 10 V is applied is 10 MHz, as in the first embodiment.

【0063】そして、上記第1の実施の形態と同様に、
マトリクスアレイ装置用基板100の段階で検査回路部
131に所定の駆動電圧Vccを印加し、発振周波数を測
定する。この後、マトリクスアレイ装置用基板を撮像装
置として用いる場合は光電変換膜を表面上に形成し、X
線等を照射して感度等の検査を行う。マトリクスアレイ
装置用基板を液晶表示装置として用いる場合は、この基
板上と、共通電極を形成した対向基板上とにそれぞれ配
向膜を形成し、各々の配向膜上に配向処理を施し、両基
板面を対向させて、間隙剤、周辺シール材、及び液晶材
料を狭持するように貼り合わせ、各々の基板の不要な周
辺部分を切り離して液晶表示セルを形成し、点灯画質検
査を行う。検査回路部131の発振周波数を検査した結
果と、液晶表示セルを作成した後に行った点灯画質検査
結果との相関を取ると、上記第1の実施の形態と同様
に、検査回路部131の発振周波数が例えば5〜20M
Hzであるときに、良好な表示品質が得られることが分
かった。
Then, similarly to the first embodiment,
At the stage of the matrix array device substrate 100, a predetermined drive voltage Vcc is applied to the inspection circuit section 131, and the oscillation frequency is measured. Thereafter, when the matrix array device substrate is used as an imaging device, a photoelectric conversion film is formed on the surface, and X
Inspection of sensitivity etc. is performed by irradiating a line or the like. When a substrate for a matrix array device is used as a liquid crystal display device, an alignment film is formed on this substrate and on a counter substrate on which a common electrode is formed, and an alignment process is performed on each alignment film. Are opposed to each other, and a gap material, a peripheral sealing material, and a liquid crystal material are adhered so as to be sandwiched therebetween. An unnecessary peripheral portion of each substrate is separated to form a liquid crystal display cell, and a lighting image quality inspection is performed. The correlation between the result of the inspection of the oscillation frequency of the inspection circuit unit 131 and the result of the lighting image quality inspection performed after the liquid crystal display cell is created is obtained, as in the first embodiment. Frequency is for example 5-20M
It was found that when the frequency was in Hz, good display quality was obtained.

【0064】この結果から、本実施の形態により、マト
リクスアレイ装置装置用基板の外周領域において、マト
リクスアレイ装置を取り囲むように配置された検査回路
部の発振周波数を検査することで、各々の装置を構成す
るトランジスタ特性のばらつきが原因となる画質の良否
を、1回の測定で効率良く且つ高い精度で把握すること
ができることが分かった。
From the results, according to the present embodiment, the oscillation frequency of the inspection circuit portion arranged so as to surround the matrix array device is inspected in the outer peripheral region of the substrate for the matrix array device device, whereby each device is inspected. It has been found that the quality of the image quality caused by the variation in the characteristics of the constituent transistors can be grasped efficiently and with high accuracy by one measurement.

【0065】ここで、上記検査回路部131は、4面の
マトリクスアレイ装置全体を取り囲むように形成されて
いる。しかし、基板上の検査回路部を設けるスペース上
の問題により、このような配置が困難である場合があ
る。このような場合には、例えば図11に示されたよう
に、配置可能な領域に検査回路部141−1、141−
2、141−3を分割して配置してもよい。検査回路部
141−1は、マトリクスアレイ装置101−1及び1
01−2のそれぞれのゲート線駆動回路部102−1及
び102−2の近辺領域においてその辺に沿うように配
置され、検査回路部141−2はマトリクスアレイ装置
101−3及び101−4のそれぞれのゲート線駆動回
路部102−3及び102−4に沿うように配置され、
さらに検査回路部141−3はマトリクスアレイ装置1
01−3及び101−4におけるゲート線駆動回路部1
02−3及び102−4と対向する辺に沿うように配置
されている。
Here, the inspection circuit section 131 is formed so as to surround the entire four-sided matrix array device. However, such an arrangement may be difficult due to a space problem of providing an inspection circuit unit on the substrate. In such a case, for example, as shown in FIG.
2, 141-3 may be divided and arranged. The inspection circuit unit 141-1 includes the matrix array devices 101-1 and 1
01-2 is arranged along the side in the vicinity of each of the gate line drive circuit units 102-1 and 102-2, and the inspection circuit unit 141-2 is arranged in each of the matrix array devices 101-3 and 101-4. Are arranged along the gate line drive circuit units 102-3 and 102-4 of
Further, the inspection circuit section 141-3 is a matrix array device 1
Gate line drive circuit section 1 in 01-3 and 101-4
It is arranged along the side opposite to 02-3 and 102-4.

【0066】このようなマトリクスアレイ装置用基板を
作成して検査回路部141−1、141−2、141−
3のそれぞれの発振周波数の測定と、この基板を用いた
液晶表示セル形成後の画質評価とを行った結果、図9に
示されたマトリクスアレイ装置用基板と同様の相関が得
られた。
Such a substrate for a matrix array device is prepared, and the inspection circuit units 141-1, 141-2, 141-
As a result of measuring the oscillation frequency of each of No. 3 and evaluating the image quality after forming the liquid crystal display cell using this substrate, the same correlation as that of the matrix array device substrate shown in FIG. 9 was obtained.

【0067】よって、図11に示されたような検査回路
部141−1、141−2、141−3を有するマトリ
クスアレイ装置用基板においても、検査回路141−1
〜3のそれぞれの発振周波数を測定することにより、マ
トリクスアレイ装置用基板上に存在するトランジスタ特
性のばらつきを把握することが可能である。
Therefore, even in the matrix array device substrate having the inspection circuit sections 141-1, 141-2, 141-3 as shown in FIG.
By measuring each of the oscillation frequencies of (1) to (3), it is possible to grasp variations in transistor characteristics existing on the matrix array device substrate.

【0068】次に、本発明の第3の実施の形態によるマ
トリクスアレイ装置について説明する。本実施の形態
は、マトリクスアレイ装置において、従来長時間を要し
ていたトランジスタの静特性変化に基づく信頼性試験
を、動特性に基づく回路速度の測定を行って装置の信頼
性を予測することで、例えば少なくとも10000時間
以上の動作時間を保証することが可能である点に特徴が
ある。
Next, a matrix array device according to a third embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, in a matrix array device, a reliability test based on a change in static characteristics of a transistor, which conventionally required a long time, is performed, and a circuit speed is measured based on dynamic characteristics to predict the reliability of the device. Thus, for example, it is possible to guarantee an operation time of at least 10,000 hours or more.

【0069】図12に、本実施の形態によるマトリクス
アレイ装置の構成及び外観を示し、図13に本装置のブ
ロック構成を示す。
FIG. 12 shows the configuration and appearance of the matrix array device according to the present embodiment, and FIG. 13 shows the block configuration of the device.

【0070】ガラス等の絶縁基板1上に、マトリクスア
レイ部3と、ゲート線駆動回路部5aと、信号線駆動回
路部5bとが配置され、さらに同一絶縁基板1上におけ
る対向基板2と対向しない領域に検査回路部4が配置さ
れている。この検査回路部4は、上記第1の実施の形態
における検査回路部と同様にインバータチェーンを有
し、図14(a)にその等価回路を示す。Pチャネルト
ランジスタPT及びNチャネルトランジスタNTから成
るCMOS構成のインバータが複数段縦続接続されてお
り、電源電圧Vccとして例えば図14(b)に示された
ような5〜20Vのパルス状の電圧が印加される。そし
て、検査回路部4の出力電圧Voutは、後述するいずれ
かの検査パッドから取り出すことができる。
The matrix array section 3, the gate line drive circuit section 5a, and the signal line drive circuit section 5b are arranged on an insulating substrate 1 such as glass, and do not face the opposing substrate 2 on the same insulating substrate 1. The inspection circuit unit 4 is arranged in the area. The test circuit section 4 has an inverter chain similarly to the test circuit section in the first embodiment, and FIG. 14A shows an equivalent circuit thereof. A plurality of inverters of a CMOS configuration including a P-channel transistor PT and an N-channel transistor NT are cascaded in a plurality of stages, and a pulse-like voltage of, for example, 5 to 20 V as shown in FIG. Is done. Then, the output voltage Vout of the test circuit section 4 can be taken out from any test pad described later.

【0071】また、マトリクスアレイ基板1には外部端
子接続用パッド(Outer Lead Bonding Pad、以下OLB
パッドという)6が設けられている。このOLBパッド
6は、マトリクスアレイ基板1上の駆動回路部5a及び
5bと外部回路9とを、フレキシブル基板等を用いたプ
リント配線板8を介して接続するためのパッドである。
この外部回路9は、駆動回路部5a及び5bを制御する
ためのものである。そして、OLBパッド6が形成され
た領域内に、検査回路部4に接続された検査パッド11
が配置される。
An outer terminal bonding pad (hereinafter referred to as OLB) is provided on the matrix array substrate 1.
6). The OLB pad 6 is a pad for connecting the drive circuit units 5a and 5b on the matrix array substrate 1 and the external circuit 9 via a printed wiring board 8 using a flexible substrate or the like.
The external circuit 9 is for controlling the drive circuit units 5a and 5b. Then, in the region where the OLB pad 6 is formed, the test pad 11 connected to the test circuit unit 4 is provided.
Is arranged.

【0072】マトリクスアレイ基板1上の検査パッド1
1は、プリント配線板8上に設けられた検査パッド7と
接続され、さらにこの検査パッド7は外部回路9上に設
けられた検査パッド12と接続されている。このような
接続構成としたことで、マトリクスアレイ基板1上の検
査パッド11、又はプリント配線板8上の検査パッド
7、あるいは外部回路9上の検査パッド12のいずれか
を用いて検査回路部4の発振周波数を測定することが可
能である。
Inspection pad 1 on matrix array substrate 1
1 is connected to a test pad 7 provided on a printed wiring board 8, and the test pad 7 is connected to a test pad 12 provided on an external circuit 9. With such a connection configuration, the inspection circuit section 4 can be formed using either the inspection pad 11 on the matrix array substrate 1, the inspection pad 7 on the printed wiring board 8, or the inspection pad 12 on the external circuit 9. Can be measured.

【0073】信頼性試験を行う場合、検査回路部4に電
源電圧Vccとして、例えば5〜20Vを印加する。信頼
性試験中の経時変化は、試験中に検査回路部4の出力電
圧Voutをシンクロスコープ等でモニタし、発振周波数
を読み取ることで測定する。
When a reliability test is performed, a power supply voltage Vcc of, for example, 5 to 20 V is applied to the inspection circuit unit 4. The change with time during the reliability test is measured by monitoring the output voltage Vout of the inspection circuit unit 4 with a synchroscope or the like and reading the oscillation frequency during the test.

【0074】この出力電圧Voutをモニタする検査パッ
ドは、上述のように絶縁基板1、プリント配線板8及び
外部回路9のそれぞれに3箇所設けられている。マトリ
クスアレイ装置用基板1を作成するアレイ工程と、対向
基板2を対向配置するセル工程とでは、絶縁基板1上の
検査パッド11を用いる。セル工程以降における、外部
回路9を含む液晶表示装置の各部品を実装するモジュー
ル工程では、プリント配線板8上の検査パッド7あるい
は外部回路9上の検査パッド12のいずれかを使用す
る。
As described above, three test pads for monitoring the output voltage Vout are provided on the insulating substrate 1, the printed wiring board 8, and the external circuit 9, respectively. In the array process for forming the matrix array device substrate 1 and the cell process for arranging the opposing substrate 2 to face each other, the inspection pads 11 on the insulating substrate 1 are used. In the module process of mounting each component of the liquid crystal display device including the external circuit 9 after the cell process, either the test pad 7 on the printed wiring board 8 or the test pad 12 on the external circuit 9 is used.

【0075】図15に、信頼性試験前後における発振周
波数(△f)のライフ時間依存性を示す。予め、TFT
の閾値シフト(△Vth)と発振周波数差(△f)との関係
を明らかにしておき、図15に示されたように良否の判
断基準となる△fを規格として設定する。この規格内に
測定値が入っていれば、10000時間の動作保証が可
能である。
FIG. 15 shows the life time dependence of the oscillation frequency (Δf) before and after the reliability test. In advance, TFT
The relationship between the threshold shift (ΔVth) and the oscillation frequency difference (Δf) is clarified, and as shown in FIG. 15, Δf which is a criterion of pass / fail is set as a standard. If the measured value is within this standard, the operation can be guaranteed for 10,000 hours.

【0076】ここで、信頼性試験の条件として、液晶表
示装置本体を用いて試験を行う従来の場合と異なり、本
実施の形態における検査回路部4に印加する駆動電圧を
液晶表示装置で用いられる駆動電圧よりも高く設定した
加速試験とすることが望ましい。このような駆動電圧を
用いることにより、装置で用いる駆動電圧と同一電圧を
用いた場合より劣化モードが加速するので、短時間で簡
便に信頼性の予測を行うことができる。また、本実施の
形態では検査に要する部品点数の増加も殆どないので、
コストの上昇を防止することができる。
Here, as a condition of the reliability test, unlike the conventional case where the test is performed using the liquid crystal display device main body, the drive voltage applied to the inspection circuit section 4 in the present embodiment is used in the liquid crystal display device. It is desirable to perform an acceleration test set higher than the drive voltage. By using such a drive voltage, the deterioration mode is accelerated as compared with the case where the same voltage as the drive voltage used in the device is used, so that the reliability can be easily predicted in a short time. Also, in the present embodiment, there is almost no increase in the number of parts required for the inspection.
An increase in cost can be prevented.

【0077】上述した実施の形態はいずれも一例であ
り、本発明を限定するものではない。例えば、マトリク
スアレイ装置用基板上に形成する検査回路部の配置は、
上記第1の実施の形態として示したものに限らず、少な
くとも、マトリクスアレイ装置に含まれるいずれかの駆
動回路部の一辺に沿って略同一の長さあるいはそれ以上
の長さにわたって形成されていればよい。また、マトリ
クスアレイ装置用基板に形成する駆動回路部、及びマト
リクスアレイ装置に形成する駆動回路部の回路構成は、
上記第1、第2の実施の形態におけるインバータチェー
ンに限らず、発振周波数等を測定することによって、特
性の評価が可能なものであればよい。さらに、上記第1
の実施の形態では、マトリクスアレイ装置用基板上にマ
トリクスアレイ装置が4面形成されているが、4面に限
らず1面、あるいは2面以上形成されていてもよい。
The above-described embodiments are merely examples, and do not limit the present invention. For example, the arrangement of the inspection circuit portion formed on the matrix array device substrate is as follows.
The present invention is not limited to the one shown in the first embodiment, but may be formed at least over a substantially same length or longer along one side of one of the drive circuit units included in the matrix array device. I just need. Further, the driving circuit portion formed on the substrate for the matrix array device, and the circuit configuration of the driving circuit portion formed in the matrix array device,
The present invention is not limited to the inverter chains in the first and second embodiments, but may be any as long as the characteristics can be evaluated by measuring the oscillation frequency and the like. Further, the first
In this embodiment, four matrix array devices are formed on the matrix array device substrate. However, the number of matrix array devices is not limited to four, and may be one or two or more.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のマトリク
スアレイ装置用基板によれば、駆動回路部の少なくとも
一辺に沿って略同一又はそれ以上の長さに渡って設けら
れた検査回路部を用いることで、基板上の特性のばらつ
きを容易かつ高い精度で検査することが可能である。ま
た本発明のマトリクスアレイ装置によれば、装置が形成
された絶縁基板上に設けられた検査回路部を用いること
により、短時間で容易に信頼性を評価することができ
る。
As described above, according to the substrate for a matrix array device of the present invention, the inspection circuit portion provided over substantially the same length or longer along at least one side of the drive circuit portion. By using this, it is possible to easily and highly accurately inspect variations in characteristics on the substrate. Further, according to the matrix array device of the present invention, the reliability can be easily evaluated in a short time by using the inspection circuit portion provided on the insulating substrate on which the device is formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態によるマトリクスア
レイ装置用基板の構成を示した平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a substrate for a matrix array device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同基板に形成されたマトリクスアレイ部、駆動
回路部及び検査回路部を拡大して示した平面図。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing a matrix array unit, a driving circuit unit, and an inspection circuit unit formed on the substrate.

【図3】同検査回路部の等価回路の構成を示した回路
図。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an equivalent circuit of the inspection circuit unit.

【図4】同マトリクスアレイ装置用基板における検査回
路部の配置領域の他の例を示した平面図。
FIG. 4 is a plan view showing another example of the arrangement area of the inspection circuit section on the matrix array device substrate.

【図5】同マトリクスアレイ装置用基板における検査回
路部の配置領域のさらに他の例を示した平面図。
FIG. 5 is a plan view showing still another example of the arrangement area of the inspection circuit section on the matrix array device substrate.

【図6】同マトリクスアレイ装置用基板における検査回
路部の配置領域のさらに他の例を示した平面図。
FIG. 6 is a plan view showing still another example of the arrangement area of the inspection circuit section on the matrix array device substrate.

【図7】図6に示された検査回路部におけるインバータ
チェーンが2重に形成された回路構成の例を示した平面
図。
FIG. 7 is a plan view showing an example of a circuit configuration in which the inverter chains in the inspection circuit section shown in FIG.

【図8】上記実施の形態による検査回路部と従来用いら
れていた検査回路部とが形成された評価用のマトリクス
アレイ装置用基板を示した平面図。
FIG. 8 is a plan view showing a matrix array device substrate for evaluation on which the test circuit section according to the above-described embodiment and a conventionally used test circuit section are formed.

【図9】上記実施の形態による検査回路部の配置領域の
他の例を示した平面図。
FIG. 9 is a plan view showing another example of the arrangement area of the inspection circuit unit according to the embodiment.

【図10】同検査回路部の等価回路の構成を示した回路
図。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of an equivalent circuit of the inspection circuit unit.

【図11】上記実施の形態による検査回路部の配置領域
のさらに他の例を示した平面図。
FIG. 11 is a plan view showing still another example of the arrangement area of the inspection circuit unit according to the embodiment.

【図12】本発明の第2の実施の形態によるマトリクス
アレイ装置の外観及び概略構成を示した平面図。
FIG. 12 is a plan view showing the appearance and schematic configuration of a matrix array device according to a second embodiment of the present invention.

【図13】同マトリクスアレイ装置のブロック構成を示
したブロック図。
FIG. 13 is a block diagram showing a block configuration of the matrix array device.

【図14】同マトリクスアレイ装置における検査回路部
の等価回路を示した回路図。
FIG. 14 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a test circuit unit in the matrix array device.

【図15】同マトリクスアレイ装置に対して信頼性試験
を行うときに用いる検査回路部の発振周波数のライフ時
間経過に伴う偏差Δfを示したグラフ。
FIG. 15 is a graph showing a deviation Δf of the oscillation frequency of the inspection circuit unit used when performing a reliability test on the matrix array device with the elapse of life time.

【図16】本発明によるマトリクスアレイ装置用基板及
びマトリクスアレイ装置に適用することが可能なマトリ
クスアレイ部、ゲート線駆動回路部及び信号線駆動回路
部の構成及び配置を示した平面図。
FIG. 16 is a plan view showing a configuration and an arrangement of a matrix array unit, a gate line driving circuit unit, and a signal line driving circuit unit which can be applied to the matrix array device substrate and the matrix array device according to the present invention.

【図17】従来の検査回路が形成されたマトリクスアレ
イ装置用基板の外観を示した平面図。
FIG. 17 is a plan view showing the appearance of a matrix array device substrate on which a conventional inspection circuit is formed.

【図18】従来のマトリクスアレイ装置において信頼性
試験を行った場合における累積故障率と試験時間との関
係を示したグラフ。
FIG. 18 is a graph showing a relationship between a cumulative failure rate and a test time when a reliability test is performed in a conventional matrix array device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁基板 2 対向基板 3 マトリクスアレイ部 4、104、111、112、121、122、 検査
回路部 5a、102 ゲート線駆動回路部 5b、103 走査線駆動回路部 6 OLBパッド領域 7、11、12 検査パッド 100 マトリクスアレイ装置用基板 101 マトリクスアレイ部 105 検査端子 IN インバータ PT Pチャネルトランジスタ NT Nチャネルトランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Counter substrate 3 Matrix array part 4, 104, 111, 112, 121, 122, Inspection circuit part 5a, 102 Gate line drive circuit part 5b, 103 Scan line drive circuit part 6 OLB pad area 7, 11, 12 Test pad 100 Matrix array device substrate 101 Matrix array unit 105 Test terminal IN Inverter PT P-channel transistor NT N-channel transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 338 G02F 1/136 500 5G435 9A001 (72)発明者 渡 辺 良 一 埼玉県深谷市幡羅町1−9−2 株式会社 東芝深谷工場内 (72)発明者 渡 邉 学 埼玉県深谷市幡羅町1−9−2 株式会社 東芝深谷工場内 Fターム(参考) 2G032 AB02 AC05 AK11 2G036 AA06 AA19 CA07 2H088 FA11 HA06 HA08 MA20 2H092 JA24 JB77 MA56 NA29 NA30 PA06 5C094 AA31 AA42 AA43 AA46 AA48 BA03 BA43 CA19 DA09 EA03 FA01 GB10 5G435 AA14 AA17 BB12 CC09 GG21 KK05 9A001 BB04 KK15 KK31 KK37 LL05──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 338 G02F 1/136 500 5G435 9A001 (72) Inventor Ryoichi Watanabe Hatara-cho, Fukaya-shi, Saitama 1-9-2 Toshiba Fukaya Factory Co., Ltd. (72) Inventor: Manabu Watanabe 1-9-2 Hara-cho, Fukaya City, Saitama Prefecture F-term Fukaya Factory Co., Ltd. 2G032 AB02 AC05 AK11 2G036 AA06 AA19 CA07 2H088 FA11 HA06 HA08 MA20 2H092 JA24 JB77 MA56 NA29 NA30 PA06 5C094 AA31 AA42 AA43 AA46 AA48 BA03 BA43 CA19 DA09 EA03 FA01 GB10 5G435 AA14 AA17 BB12 CC09 GG21 KK05 9A001 BB04 KK15 KK31 KK37 LL05

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁基板上に、複数のゲート線及び信号線
が交差するように配線され、前記ゲート線と前記信号線
との交点付近にマトリクス状に画素電極及びスイッチン
グ素子が配置されたマトリクスアレイ部と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記ゲート線を駆動するゲ
ート線駆動回路部と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記信号線を駆動する信号
線駆動回路部と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記ゲート線駆動回路部と
前記信号線駆動回路部の少なくとも一方の駆動回路部の
一辺に、該辺と略同一又はそれ以上の長さに渡って配置
され、前記マトリクスアレイ部又は前記駆動回路部の特
性の検査に用いられる検査回路部と、 を備えたことを特徴とするマトリクスアレイ装置用基
板。
1. A matrix in which a plurality of gate lines and signal lines are wired on an insulating substrate so as to intersect, and pixel electrodes and switching elements are arranged in a matrix near an intersection of the gate lines and the signal lines. An array unit, a gate line drive circuit unit provided on the insulating substrate and driving the gate line, a signal line drive circuit unit provided on the insulating substrate and driving the signal line, and on the insulating substrate The gate line drive circuit portion and the signal line drive circuit portion, at least one side of the drive circuit portion, is disposed over substantially the same or longer length of the side, the matrix array portion or A substrate for a matrix array device, comprising: a test circuit unit used for testing characteristics of the drive circuit unit.
【請求項2】前記検査回路部は、この検査回路部の発振
周波数に基づいて用いられることを特徴とする請求項1
記載のマトリクスアレイ装置用基板。
2. The test circuit according to claim 1, wherein the test circuit is used based on an oscillation frequency of the test circuit.
The substrate for a matrix array device according to the above.
【請求項3】前記マトリクスアレイ部、前記ゲート線駆
動回路部、前記信号線駆動回路部を有するマトリクスア
レイ装置が同一の前記絶縁基板上に複数設けられ、前記
検査回路部は前記マトリクスアレイ装置毎に設けられて
いることを特徴とする請求項1又は2記載のマトリクス
アレイ装置用基板。
3. A plurality of matrix array devices each having the matrix array unit, the gate line driving circuit unit, and the signal line driving circuit unit are provided on the same insulating substrate, and the inspection circuit unit is provided for each of the matrix array devices. The substrate for a matrix array device according to claim 1, wherein the substrate is provided on a substrate.
【請求項4】前記検査回路部は、前記駆動回路部の一辺
に隣接して同一方向に沿うように配置されていることを
特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のマトリク
スアレイ装置用基板。
4. The matrix array device according to claim 1, wherein said inspection circuit section is arranged adjacent to one side of said drive circuit section and along the same direction. Substrate.
【請求項5】前記検査回路部は、各々の前記マトリクス
アレイ装置の外周を囲むように配置されていることを特
徴とする請求項3記載のマトリクスアレイ装置用基板。
5. The substrate for a matrix array device according to claim 3, wherein said inspection circuit portion is arranged so as to surround an outer periphery of each of said matrix array devices.
【請求項6】前記検査回路部は、各々の前記マトリクス
アレイ装置の外周を囲むように、少なくとも2列並列に
配置された検査回路を含むことを特徴とする請求項3記
載のマトリクスアレイ装置用基板。
6. The matrix array device according to claim 3, wherein said test circuit section includes test circuits arranged in at least two columns in parallel so as to surround an outer periphery of each of said matrix array devices. substrate.
【請求項7】前記検査回路部は、全ての前記マトリクス
アレイ装置を取り囲むように、前記絶縁基板の周辺領域
に配置されていることを特徴とする請求項3記載のマト
リクスアレイ装置用基板。
7. The substrate for a matrix array device according to claim 3, wherein the inspection circuit section is arranged in a peripheral region of the insulating substrate so as to surround all the matrix array devices.
【請求項8】前記検査回路部は、少なくとも2つの前記
マトリクスアレイ装置における各々の前記駆動回路部に
跨って配置されている検査回路を含むことを特徴とする
請求項3記載のマトリクスアレイ装置用基板。
8. The matrix array device according to claim 3, wherein the test circuit portion includes a test circuit arranged over each of the drive circuit portions in at least two of the matrix array devices. substrate.
【請求項9】絶縁基板上に、複数のゲート線及び信号線
が交差するように配線され、前記ゲート線と前記信号線
との交点付近にマトリクス状に画素電極及びスイッチン
グ素子が配置されたマトリクスアレイ部と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記ゲート線を駆動するゲ
ート線駆動回路部と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記信号線を駆動する信号
線駆動回路部と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記ゲート線駆動回路部と
前記信号線駆動回路部の少なくとも一方の駆動回路部の
一辺に、該辺と略同一又はそれ以上の長さに渡って配置
され、前記マトリクスアレイ部又は前記駆動回路部の特
性の検査に用いられる検査回路部と、 を備えたことを特徴とするマトリクスアレイ装置。
9. A matrix in which a plurality of gate lines and signal lines are wired so as to intersect on an insulating substrate, and pixel electrodes and switching elements are arranged in a matrix near an intersection between the gate lines and the signal lines. An array unit, a gate line drive circuit unit provided on the insulating substrate and driving the gate line, a signal line drive circuit unit provided on the insulating substrate and driving the signal line, and on the insulating substrate The gate line drive circuit portion and the signal line drive circuit portion, at least one side of the drive circuit portion, is disposed over substantially the same or longer length of the side, the matrix array portion or A test circuit unit used for testing characteristics of the drive circuit unit.
【請求項10】前記検査回路部は、この検査回路部の発
振周波数に基づいて検査に用いられることを特徴とする
請求項9記載のマトリクスアレイ装置。
10. The matrix array device according to claim 9, wherein said inspection circuit section is used for inspection based on an oscillation frequency of said inspection circuit section.
【請求項11】前記検査回路部は、CMOS回路を含ん
でいることを特徴とする請求項9記載のマトリクスアレ
イ装置。
11. The matrix array device according to claim 9, wherein said inspection circuit section includes a CMOS circuit.
【請求項12】前記検査回路部は、複数のインバータが
縦続接続されたインバータチェーンを含むことを特徴と
する請求項11記載のマトリクスアレイ装置。
12. The matrix array device according to claim 11, wherein said inspection circuit section includes an inverter chain in which a plurality of inverters are connected in cascade.
【請求項13】前記マトリクスアレイ装置は、対向基板
と対向配置されて液晶組成物を狭持する液晶表示装置に
用いられ、 前記検査回路部は、前記絶縁基板上における前記対向基
板と対向しない領域に配置されていることを特徴とする
請求項9乃至12のいずれかに記載のマトリクスアレイ
装置。
13. The matrix array device is used in a liquid crystal display device that is disposed to face a counter substrate and sandwiches a liquid crystal composition, and the inspection circuit section is a region on the insulating substrate that does not face the counter substrate. 13. The matrix array device according to claim 9, wherein the matrix array device is arranged in a matrix.
【請求項14】前記マトリクスアレイ装置は、前記絶縁
基板と異なる基板上に設けられ前記駆動回路部に接続さ
れた外部回路をさらに備え、 前記検査回路部は前記基板上に設けられたパッドと接続
されていることを特徴とする請求項9乃至13のいずれ
かに記載のマトリクスアレイ装置。
14. The matrix array device further includes an external circuit provided on a substrate different from the insulating substrate and connected to the drive circuit unit, wherein the inspection circuit unit is connected to a pad provided on the substrate. The matrix array device according to any one of claims 9 to 13, wherein
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