JP2001007012A - Aligner - Google Patents

Aligner

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JP2001007012A
JP2001007012A JP11178294A JP17829499A JP2001007012A JP 2001007012 A JP2001007012 A JP 2001007012A JP 11178294 A JP11178294 A JP 11178294A JP 17829499 A JP17829499 A JP 17829499A JP 2001007012 A JP2001007012 A JP 2001007012A
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JP
Japan
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light
guide rod
inclined surface
exposure
substrate
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JP11178294A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Endo
健次 遠藤
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable an aligner to make the boundary section of a irradiating region of light clear, without lowering the throughput of the aligner, increasing its weight, significantly increasing its cost, or increasing the occupying space required by the aligner. SOLUTION: A light L2 made incident to a light guiding rod 90 at a maximum incident angle θmax reaches the bottom face 94 and inclined surfaces 94 and 95 of the rod 90, and the light reaching the bottom face 93 is emitted from the bottom face 93 as a light which is parallel to the incident light L1. From the inclined surfaces 94 and 95, the light is emitted as refracted light rays. The inclinations and sizes of the inclined surfaces 94 and 95 are set, so that the light rays L3, L4, and L5 respectively emitted form end sections 93a, 94a, and 95 of the bottom face 93 and inclined surfaces 94 and 95 reach the position P3 of the end section of the region to be exposed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、フォ
トマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単
に「基板」と称する)の露光を行うべき露光領域に光を
照射して露光を行う露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for exposing a semiconductor substrate, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk or the like (hereinafter simply referred to as "substrate") to light by exposing the region to be exposed to light. The present invention relates to an exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、上記のような基板に対しては、
レジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱
処理を順次行わせることにより一連の基板処理を達成し
ている。これらのうちレジスト塗布処理は、基板を回転
させつつフォトレジスト(以下、単に「レジスト」とい
う)を供給し、遠心力によって基板の表面全面にレジス
ト塗布を行う処理である。
2. Description of the Related Art Generally, for a substrate as described above,
A series of substrate processes is achieved by sequentially performing a resist coating process, a developing process, and a heat treatment associated therewith. Among these, the resist coating process is a process in which a photoresist (hereinafter, simply referred to as “resist”) is supplied while rotating the substrate, and the resist is applied to the entire surface of the substrate by centrifugal force.

【0003】上述のようにしてレジストが塗布された基
板にはその全面にレジスト膜が形成される。しかしなが
ら、基板の端縁部に形成されたレジスト膜は基板搬送時
の機械的接触による発塵の原因になるため、端縁部に形
成されたレジスト膜は除去する必要がある。なお、基板
の端縁部においては半導体チップ等のパターンは形成さ
れないので端縁部に形成されたレジスト膜は除去しても
良い。また、基板の端縁部以外の領域においてもパター
ンが形成されない隙間等についてはレジスト膜を除去す
る場合もある。
[0003] A resist film is formed on the entire surface of the substrate coated with the resist as described above. However, since the resist film formed on the edge of the substrate causes dust due to mechanical contact during the transfer of the substrate, it is necessary to remove the resist film formed on the edge. Since a pattern such as a semiconductor chip is not formed at the edge of the substrate, the resist film formed at the edge may be removed. In addition, the resist film may be removed from a region where a pattern is not formed even in a region other than the edge portion of the substrate.

【0004】このため、従来より、光源からの光(一般
的には紫外線)を不要なレジスト膜に導き、そのレジス
ト膜を露光して除去することが行われてきた。光源から
の光を基板上のレジスト膜まで導いて露光を行う方式と
しては、主として以下のような2つの方式が用いられて
いる。
For this reason, conventionally, light (generally, ultraviolet light) from a light source has been guided to an unnecessary resist film, and the resist film has been exposed and removed. The following two methods are mainly used as a method for conducting light exposure by guiding light from a light source to a resist film on a substrate.

【0005】まず、第1の方式としては、光源から出射
された光を石英製の四角柱形状の導光ロッドによってレ
ジスト膜に導く方式である。導光ロッドの入射面から入
射した光は、導光ロッド内部において全反射を繰り返し
てミキシングされた後、入射面とは反対側の出射面から
出射される。そして、導光ロッドの出射面を基板上のレ
ジスト膜に1mm程度にまで近接させて照射を行うこと
により、導光ロッドの出射面とほぼ同等の領域のレジス
ト膜が露光される。
First, a first method is a method in which light emitted from a light source is guided to a resist film by a quadrangular prism-shaped light guide rod made of quartz. Light that has entered from the incident surface of the light guide rod is mixed by repeating total reflection inside the light guide rod, and then exits from the exit surface opposite to the entrance surface. Then, by irradiating the light guide rod with the light exit surface brought close to the resist film on the substrate to about 1 mm, the resist film in a region substantially equivalent to the light exit surface of the light guide rod is exposed.

【0006】また、第2の方式としては、光源から出射
された光を上記と同様の導光ロッドによって導いた後、
さらにレンズ等の結像光学系を用いてレジスト膜上に結
像させる方式である。すなわち、導光ロッドの出射面か
ら出射された光を結像レンズによって露光すべき領域に
結像させるのである。
[0006] As a second method, after light emitted from a light source is guided by a light guide rod similar to the above,
Further, it is a method in which an image is formed on a resist film using an image forming optical system such as a lens. That is, the light emitted from the emission surface of the light guide rod is imaged by the imaging lens on the area to be exposed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方式を用いた場合には、いずれの方式を用いた
としてもそれぞれ以下のような問題が生じる。まず、導
光ロッドのみを用いる第1の方式の場合、光の利用効率
が高く、安価・軽量であるとともに、占有スペースも少
ないのであるが、露光領域(光の照射領域)の境界部分
が不鮮明になるという問題がある。すなわち、装置の部
品精度上、導光ロッドの出射面と基板とが該基板の回転
動作等によって接触しないように一定間隔を設ける必要
があり、近接露光であるために導光ロッドの出射面と基
板との間隔が大きくなるにつれてレジスト膜上の照射領
域の境界部分がぼやけるのである。このことを図12を
用いて説明する。
However, in the case where the above-mentioned conventional method is used, the following problems occur regardless of which method is used. First, in the case of the first method using only the light guide rod, the light use efficiency is high, the cost is low, the weight is small, and the space occupied is small. However, the boundary of the exposure area (light irradiation area) is unclear. Problem. That is, on the precision of the components of the apparatus, it is necessary to provide a certain interval so that the emission surface of the light guide rod and the substrate do not come into contact with each other due to the rotation operation of the substrate. As the distance from the substrate increases, the boundary of the irradiation area on the resist film becomes blurred. This will be described with reference to FIG.

【0008】図12は、従来の導光ロッドからの光照射
を説明するための図である。導光ロッド2には図外の入
射面から光が入射され、その光は出射面2aから基板W
上のレジスト膜1に向けて出射される。導光ロッド2に
入射される光の最大入射角は、光源の集光特性に依存す
る値である。導光ロッド2の入射面と出射面2aとは平
行であるため、出射面2aから出射される光の最大出射
角は最大入射角と同じである。
FIG. 12 is a diagram for explaining light irradiation from a conventional light guide rod. Light is incident on the light guide rod 2 from an incident surface (not shown), and the light is transmitted from the exit surface 2a to the substrate W.
The light is emitted toward the upper resist film 1. The maximum incident angle of the light incident on the light guide rod 2 is a value that depends on the light collecting characteristics of the light source. Since the incidence surface and the emission surface 2a of the light guide rod 2 are parallel, the maximum emission angle of the light emitted from the emission surface 2a is the same as the maximum incidence angle.

【0009】図12に示すように、導光ロッド2の出射
面2aの端部から例えば最大出射角23°にて出射され
る光L12がレジスト膜1に到達する位置P12が導光
ロッド2の照射領域の外縁部になる。そして、当該照射
領域の外縁部に到達できる光は出射面2aの端部から最
大出射角23°にて出射される光のみである。
As shown in FIG. 12, the position P12 at which the light L12 emitted from the end of the emission surface 2a of the light guide rod 2 at a maximum emission angle of 23 ° reaches the resist film 1 is determined by the position of the light guide rod 2. It is the outer edge of the irradiation area. The light that can reach the outer edge of the irradiation area is only light emitted from the end of the emission surface 2a at the maximum emission angle of 23 °.

【0010】これに対して、位置P12よりも図中右側
の照射領域においては、導光ロッド2の出射面2aの所
定面積から出射された光が重ね合わされることとなる。
特に、出射面2aの端部から最大出射角23°にて出射
される光L13がレジスト膜1に到達する位置P13よ
りも図中右側の照射領域においては、最大量の光が均一
に重ね合わされていることになる。従って、導光ロッド
2の照射領域のうち位置P12から位置P13に至る領
域においては、徐々に光の強度が強くなる。
On the other hand, in the irradiation area on the right side of the drawing from the position P12, light emitted from a predetermined area of the emission surface 2a of the light guide rod 2 is superimposed.
In particular, in the irradiation area on the right side of the position P13 where the light L13 emitted from the end of the emission surface 2a at the maximum emission angle of 23 ° reaches the resist film 1, the maximum amount of light is uniformly superimposed. Will be. Accordingly, in the region from the position P12 to the position P13 in the irradiation region of the light guide rod 2, the light intensity gradually increases.

【0011】図13は、従来の導光ロッドから照射され
た光の強度分布を示す図である。同図の横軸は、被照射
面上の位置(ここでは、レジスト膜1上の位置)を示し
ており、出射面2aの端部の鉛直方向直下を0μmとし
ている。また、縦軸は、照射される光の相対強度を示し
ており、上記の位置P13よりも図12中右側の照射領
域の強度を”1”としている。なお、図13は、導光ロ
ッド2への最大入射角を23°とし、導光ロッド2の出
射面2aと基板W(厳密にはレジスト膜1)との間隔を
1mmとしたときの強度分布である。
FIG. 13 is a diagram showing an intensity distribution of light emitted from a conventional light guide rod. The abscissa in the figure indicates a position on the surface to be irradiated (here, a position on the resist film 1), and 0 μm is directly below the end of the exit surface 2a in the vertical direction. The vertical axis indicates the relative intensity of the irradiated light, and the intensity of the irradiation area on the right side in FIG. 12 with respect to the position P13 is set to “1”. FIG. 13 shows the intensity distribution when the maximum incident angle on the light guide rod 2 is 23 ° and the distance between the emission surface 2a of the light guide rod 2 and the substrate W (strictly, the resist film 1) is 1 mm. It is.

【0012】図13に示すように、導光ロッド2の照射
領域の外縁部である位置P12から位置P13に至る領
域ではなだらかに光の強度が上昇し、位置P13よりも
図12中右側の照射領域においては最高強度にて安定し
ている。このような位置P12から位置P13にかけて
のなだらかな光強度の上昇が導光ロッド2の照射領域の
境界部分がぼやけていることを示している。
As shown in FIG. 13, in the region from the position P12, which is the outer edge of the irradiation region of the light guide rod 2, to the position P13, the light intensity gradually rises, and the irradiation on the right side in FIG. It is stable at the highest strength in the region. Such a gentle increase in light intensity from the position P12 to the position P13 indicates that the boundary portion of the irradiation area of the light guide rod 2 is blurred.

【0013】ここで、例えばポジレジストが図13の相
対強度0.3以上の領域にて完全に感光・除去されると
すれば、相対強度0以上0.3未満の領域、すなわち位
置P12から位置P14までの約250μmの領域で
は、なだらかな傾斜を有する状態にてレジストが残るこ
ととなる。このことは換言すれば、導光ロッドのみを用
いる第1の方式では、露光領域の境界部分が不鮮明であ
るため、レジストを残留させるべき部分と除去すべき部
分との境界にテーパ状のレジストが残留するという問題
を生じさせる。そして、このような残留レジストは後の
工程において、パーティクル発生等の原因となる。
Here, for example, assuming that the positive resist is completely exposed and removed in a region having a relative intensity of 0.3 or more in FIG. In the region of about 250 μm up to P14, the resist remains with a gentle slope. In other words, in the first method using only the light guide rod, the boundary portion of the exposure region is unclear, so that a tapered resist is formed at the boundary between the portion where the resist is to be left and the portion to be removed. This causes a problem of remaining. Such a residual resist causes particles and the like in a later step.

【0014】一方、導光ロッドおよび結像レンズを用い
る第2の方式の場合は、結像レンズを組み込むことによ
って光の結像性能が向上するため、露光領域の境界部分
は鮮明になる。従って、上述した第1の方式の如き残留
レジストの問題は生じないものの、レンズ等の結像光学
系やそれらのホルダーを設置しなければならないため、
第1の方式よりもコストが上昇するとともに、光学系の
配置スペースが増大して装置が大型化し、重量も増加す
る。光学系の重量増加は、その移動速度を低下させてス
ループットを低下させるとともに、光学系の駆動機構を
強化する必要が生じてさらなるコストアップにつなが
る。
On the other hand, in the case of the second system using the light guide rod and the image forming lens, the image forming performance of light is improved by incorporating the image forming lens, so that the boundary portion of the exposure area becomes clear. Therefore, although the problem of the residual resist as in the first method described above does not occur, since an imaging optical system such as a lens and their holders must be provided,
The cost is higher than that of the first method, and the arrangement space of the optical system is increased, so that the size of the apparatus is increased and the weight is increased. The increase in the weight of the optical system lowers the moving speed, thereby lowering the throughput, and also necessitates strengthening the drive mechanism of the optical system, which leads to a further increase in cost.

【0015】また、第2の方式において、導光ロッドか
ら出射する光の全てをレンズによって結像させるために
は、レンズの開口数(NA)を0.4程度の大きなもの
とすることが必要であるが、かかる大きな開口数のレン
ズ設計は非常に困難である。一定以上の結像性能を付与
するためには、開口数(NA)を0.25程度にする必
要があり、このようなレンズでは導光ロッドからの光を
40%程度しか有効に使用することができない。さら
に、レンズの表面反射や吸収によっても光のロスが発生
する。従って、第2の方式では、光源からの光の利用効
率が低く、それに伴って露光時間も長くなるという問題
がある。そしてこのことは、装置のスループット低下に
つながるのである。
In the second method, the numerical aperture (NA) of the lens needs to be as large as about 0.4 in order to form an image of all the light emitted from the light guide rod by the lens. However, designing a lens with such a large numerical aperture is very difficult. In order to provide a certain level of imaging performance, the numerical aperture (NA) needs to be about 0.25. In such a lens, only about 40% of the light from the light guide rod is used effectively. Can not. Furthermore, light loss also occurs due to surface reflection or absorption of the lens. Therefore, the second method has a problem that the utilization efficiency of light from the light source is low, and the exposure time is accordingly long. This leads to a decrease in the throughput of the device.

【0016】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、スループットの低下、重量化、大幅なコストア
ップおよび所用スペースの増加を生じさせることなく、
光の照射領域の境界部分を鮮明にすることができる露光
装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and does not cause a decrease in throughput, weight, a significant increase in cost, and an increase in required space.
An object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of sharpening a boundary portion of a light irradiation region.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板上の露光を行うべき露光対
象領域に光を照射して前記露光対象領域の露光を行う露
光装置であって、前記光の照射を行う光源と、前記光源
からの光を基板上の前記露光対象領域に向けて導くとと
もに、前記露光対象領域と対向する出射面から前記光を
出射する柱状の導光ロッドと、を備え、前記導光ロッド
の前記出射面の周辺部の少なくとも一部に、前記導光ロ
ッドを通過する光を前記露光対象領域に向けて屈曲させ
る屈曲部を設けている。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is directed to an exposure apparatus that irradiates an exposure target area on a substrate to be exposed with light to expose the exposure target area. A light source for irradiating the light; and a column-shaped light guide for guiding the light from the light source toward the exposure target area on the substrate and emitting the light from an emission surface facing the exposure target area. And a bent portion that bends light passing through the light guide rod toward the exposure target area at least at a part of the periphery of the light exit surface of the light guide rod.

【0018】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
にかかる露光装置において、前記屈曲部を前記出射面の
周辺部から出射される光を前記露光対象領域に向けて屈
折させる屈折部としている。
According to a second aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the first aspect of the present invention, the bending portion for refracting the light emitted from the peripheral portion of the emission surface toward the region to be exposed, at the bending portion. And

【0019】また、請求項3の発明は、請求項2の発明
にかかる露光装置において、前記屈折部に、前記導光ロ
ッドの底面および側面の双方と鈍角をなす傾斜面を含ま
せている。
According to a third aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the second aspect of the present invention, the refracting portion includes an inclined surface that forms an obtuse angle with both the bottom surface and the side surface of the light guide rod.

【0020】また、請求項4の発明は、請求項3の発明
にかかる露光装置において、前記屈折部に、前記傾斜面
が多段に形成された多段傾斜面を含ませている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the third aspect of the present invention, the refracting portion includes a multi-step inclined surface in which the inclined surface is formed in multiple steps.

【0021】また、請求項5の発明は、請求項4の発明
にかかる露光装置において、前記光源から前記導光ロッ
ドへ最大入射角で入射された光であって、前記出射面の
うち前記多段傾斜面との境界をなす前記底面の端部から
出射された光および前記多段傾斜面を構成するそれぞれ
の傾斜面の側面側端部から出射された光が前記露光対象
領域の端部に到達するように前記多段傾斜面を形成して
いる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the fourth aspect of the present invention, the light incident on the light guide rod at a maximum incident angle from the light source, wherein Light emitted from the end of the bottom surface forming the boundary with the inclined surface and light emitted from the side end of each inclined surface constituting the multi-step inclined surface reach the end of the exposure target region. Thus, the multi-step inclined surface is formed.

【0022】また、請求項6の発明は、請求項3から請
求項5のいずれかに記載の露光装置において、少なくと
も前記傾斜面に光の反射を防止する反射防止膜を形成し
ている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to any one of the third to fifth aspects, an antireflection film for preventing light reflection is formed on at least the inclined surface.

【0023】また、請求項7の発明は、請求項1から請
求項6のいずれかの発明にかかる露光装置において、前
記露光対象領域を基板の端縁部とし、前記屈曲部を、前
記導光ロッドの出射面の周辺部のうち前記基板の中心側
に対向する部分に設けている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the exposure target region is an edge of the substrate, and the bent portion is the light guide. It is provided at a portion of the peripheral portion of the emission surface of the rod that faces the center side of the substrate.

【0024】なお、本明細書中において、「露光対象領
域」とは、光照射によって露光を行う必要があり、照射
の目標とすべき領域を意味する。また、本明細書中にお
いて、「屈曲」とは、屈折および回折の双方を含む概念
の用語である。
[0024] In this specification, the "exposure target area" means an area which needs to be exposed by light irradiation and is a target of irradiation. In this specification, “bending” is a concept term including both refraction and diffraction.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0026】図1は、本発明に係る露光装置の一例を示
す斜視図である。図1には、水平面をX−Y面とし、鉛
直方向をZ軸方向とするXYZ直交座標系を付してい
る。以下、図1を用いてこの露光装置の機構的構成につ
いて説明する。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an exposure apparatus according to the present invention. FIG. 1 is provided with an XYZ orthogonal coordinate system in which a horizontal plane is an XY plane and a vertical direction is a Z-axis direction. Hereinafter, a mechanical configuration of the exposure apparatus will be described with reference to FIG.

【0027】この露光装置は感光性樹脂被膜、取り分け
化学増幅型レジスト膜がその面上に形成された基板の端
縁部の露光を行うのに好適な装置であって、基台10、
基板回動部20、Y軸駆動部30、X軸駆動部40、露
光部50、X軸センサ60、Y軸センサ70、エッジセ
ンサ80および制御部85を備えている。
This exposure apparatus is an apparatus suitable for exposing an edge portion of a substrate having a photosensitive resin film and, in particular, a chemically amplified resist film formed on the surface thereof.
It includes a substrate rotating unit 20, a Y-axis driving unit 30, an X-axis driving unit 40, an exposure unit 50, an X-axis sensor 60, a Y-axis sensor 70, an edge sensor 80, and a control unit 85.

【0028】基板回動部20は吸着チャック21により
基板Wを略水平姿勢にて吸着保持し、基板回動モータ2
2の駆動により鉛直方向を回動軸として所望の角度につ
いてその基板Wを回動する。
The substrate rotation unit 20 suction-holds the substrate W by a suction chuck 21 in a substantially horizontal posture, and the substrate rotation motor 2
By driving the substrate 2, the substrate W is rotated at a desired angle with the vertical direction as a rotation axis.

【0029】Y軸駆動部30は、露光部50をY軸方向
に並進駆動させる駆動機構である。Y軸駆動部30は、
基台10に固設されたY軸モータ31と、その回転軸に
連結されたY軸ボールネジ32と、Y軸リニアガイド3
3と、それに摺動自在に取り付けられるとともにY軸ボ
ールネジ32により並進駆動されるY軸ベース34とを
備えている。
The Y-axis drive section 30 is a drive mechanism for driving the exposure section 50 to translate in the Y-axis direction. The Y-axis drive unit 30
A Y-axis motor 31 fixed to the base 10, a Y-axis ball screw 32 connected to the rotation shaft thereof, and a Y-axis linear guide 3
3 and a Y-axis base 34 slidably attached thereto and driven to translate by a Y-axis ball screw 32.

【0030】X軸駆動部40は、露光部50をX軸方向
に並進駆動させる駆動機構である。X軸駆動部40は、
Y軸駆動部30のY軸ベース34にX軸方向に沿って設
けられたX軸リニアガイド41並びにX軸モータ42お
よびそのX軸モータ42の回動軸に掛けられるとともに
X軸方向に沿って設けられたタイミングベルト43を備
えるX軸方向の駆動機構である。
The X-axis drive section 40 is a drive mechanism for driving the exposure section 50 to translate in the X-axis direction. The X-axis drive unit 40
The X-axis linear guide 41 provided on the Y-axis base 34 of the Y-axis drive unit 30 along the X-axis direction, the X-axis motor 42 and the rotation axis of the X-axis motor 42 are hung along the X-axis direction. This is a drive mechanism in the X-axis direction including a timing belt 43 provided.

【0031】露光部50はX軸駆動部40のX軸リニア
ガイド41に摺動自在に取り付けられた露光ベース51
と、タイミングベルト43に連結されその駆動力を露光
ベース51に伝える駆動力伝達部材52と、露光ベース
51に設けられた露光ヘッド53とを備えており、光を
基板W上に照射し、主として基板Wの端縁部を露光す
る。なお、露光ヘッド53の構造についてはさらに後述
する。
The exposure unit 50 includes an exposure base 51 slidably mounted on the X-axis linear guide 41 of the X-axis drive unit 40.
A driving force transmitting member 52 connected to the timing belt 43 and transmitting the driving force to the exposure base 51; and an exposure head 53 provided on the exposure base 51, and irradiates light onto the substrate W to mainly emit light. The edge of the substrate W is exposed. The structure of the exposure head 53 will be further described later.

【0032】X軸センサ60は、発光素子および受光素
子が対向してY軸ベース34上に設けられたフォトセン
サであり、露光部50のX軸方向における所在位置を検
出する。発光素子と受光素子との間隙は露光部50の露
光ベース51の下端に設けられた図示しない突起が通過
可能であり、その通過状況を検知することによって露光
部50(厳密には露光ベース51)のX軸方向における
所在位置を検出する。
The X-axis sensor 60 is a photosensor provided on the Y-axis base 34 with the light-emitting element and the light-receiving element facing each other, and detects the position of the exposure unit 50 in the X-axis direction. A projection (not shown) provided at the lower end of the exposure base 51 of the exposure unit 50 can pass through the gap between the light emitting element and the light receiving element, and by detecting the passing state, the exposure unit 50 (strictly speaking, the exposure base 51) is detected. Is detected in the X-axis direction.

【0033】Y軸センサ70は、基台10上に設けられ
た上記X軸センサ60と同様のフォトセンサであり、露
光部50のY軸方向における所在位置を検出する。Y軸
センサ70は、Y軸ベース34の下面に設けられた突起
を検知することによって、露光部50(厳密には、Y軸
ベース34)のY軸方向における所在位置を検出する。
The Y-axis sensor 70 is a photo sensor similar to the X-axis sensor 60 provided on the base 10, and detects the position of the exposure unit 50 in the Y-axis direction. The Y-axis sensor 70 detects the position of the exposure unit 50 (strictly speaking, the Y-axis base 34) in the Y-axis direction by detecting a protrusion provided on the lower surface of the Y-axis base 34.

【0034】エッジセンサ80もX軸センサ60および
Y軸センサ70と同様のフォトセンサであり、上下から
基板回動部20の吸着チャック21上に保持された基板
Wを挟むように発光素子と受光素子とを備えており、そ
の基板Wのオリエンテーションフラットまたはノッチの
検出および基板回動部20の鉛直方向の回動軸に対する
基板Wの偏心量の検出を行う。
The edge sensor 80 is a photo sensor similar to the X-axis sensor 60 and the Y-axis sensor 70. The edge sensor 80 receives light from the light-emitting element so as to sandwich the substrate W held on the suction chuck 21 of the substrate rotating unit 20 from above and below. And an element for detecting the orientation flat or notch of the substrate W and detecting the amount of eccentricity of the substrate W with respect to the vertical rotation axis of the substrate rotation unit 20.

【0035】そして、上記の各部および各センサはCP
Uおよびメモリを備える制御部85に接続されている。
制御部85は、各センサからの検出結果に基づいてY軸
駆動部30およびX軸駆動部40に信号を伝達し、露光
部50の位置を調整するとともに、露光部50の動作タ
イミングを制御することによって基板Wの露光を行って
いく。
Each of the above-mentioned parts and each of the sensors is a CP.
U and a control unit 85 having a memory.
The control unit 85 transmits a signal to the Y-axis drive unit 30 and the X-axis drive unit 40 based on the detection result from each sensor, adjusts the position of the exposure unit 50, and controls the operation timing of the exposure unit 50. Thus, the exposure of the substrate W is performed.

【0036】次に、上記露光装置の露光部50につい
て、図2を用いつつ、より詳細に説明する。露光部50
の露光ヘッド53はキセノンフラッシュランプ54、導
光ロッド90およびダイクロイックミラー55を備えて
いる。
Next, the exposure section 50 of the exposure apparatus will be described in more detail with reference to FIG. Exposure unit 50
The exposure head 53 includes a xenon flash lamp 54, a light guide rod 90, and a dichroic mirror 55.

【0037】キセノンフラッシュランプ54は小型バル
ブ54a内にキセノンガスを封入するとともに、楕円鏡
54b、電極54c、トリガープローブ(図示せず)を
備えたフラッシュランプである。このキセノンフラッシ
ュランプ54は、図外の電源からの電力供給に伴って、
紫外域から赤外域に渡る広範囲の波長領域に渡ってパル
ス発光を行うことが可能で、とりわけ、化学増幅型レジ
ストの感度がよい200nm〜300nmの波長の光の
発光効率が良く、主に紫外線露光用光源としての使用に
適している。また、キセノンフラッシュランプ54は制
御部85に電気的に接続されており、制御部85は発光
の期間、その開始タイミングおよび発光のパルス周期を
制御することができる。
The xenon flash lamp 54 is a flash lamp having a small bulb 54a filled with xenon gas and having an elliptical mirror 54b, an electrode 54c, and a trigger probe (not shown). The xenon flash lamp 54 is supplied with power from a power source (not shown).
Pulse emission can be performed over a wide range of wavelengths from the ultraviolet region to the infrared region. Especially, the sensitivity of the chemically amplified resist is good, and the light emission efficiency of light having a wavelength of 200 nm to 300 nm is good. Suitable for use as a light source for lighting. Further, the xenon flash lamp 54 is electrically connected to the control unit 85, and the control unit 85 can control a light emission period, a start timing thereof, and a light emission pulse cycle.

【0038】キセノンフラッシュランプ54から発せら
れた光は楕円鏡54bによって反射・集光された後、さ
らにダイクロイックミラー55によって反射され、導光
ロッド90に導かれる。ここで、ダイクロイックミラー
55は、ほぼ紫外波長域、すなわち波長が約200nm
〜300nmの領域の光のみ反射し、その他の波長の光
は透過する性質を備えており、これにより紫外光露光に
不要な波長の光はダイクロイックミラーを透過し、基板
の露光面には到達しない。そのため、熱による基板Wの
膨張やレジスト反応のムラを防ぐことができる。
The light emitted from the xenon flash lamp 54 is reflected and condensed by the elliptical mirror 54b, further reflected by the dichroic mirror 55, and guided to the light guide rod 90. Here, the dichroic mirror 55 is substantially in the ultraviolet wavelength range, that is, the wavelength is about 200 nm.
It has the property of reflecting only light in the region of ~ 300 nm and transmitting light of other wavelengths, whereby light of wavelengths unnecessary for ultraviolet light exposure passes through the dichroic mirror and does not reach the exposed surface of the substrate . Therefore, expansion of the substrate W due to heat and unevenness of the resist reaction can be prevented.

【0039】導光ロッド90の部分斜示図を図3に示
す。導光ロッド90は、柱状(本実施形態では略四角柱
形状)の石英製導光ロッドであり、その外面は全て光学
研磨されている。図2に戻り、キセノンフラッシュラン
プ54から発せられた光は楕円鏡54bにより集光さ
れ、ダイクロイックミラー55によって選択的に反射さ
れた後、導光ロッド90の一端面である入射面91に入
射され、その内部において各側面97により全反射を繰
り返す。これにより、入射面91から入射された光は導
光ロッド90内部でミキシングされ、他端面である出射
面92から再び出射される。ここで、導光ロッド90の
外面が光学研磨されていることにより、それらの面での
反射の際の散乱によるロスは、ほとんど生じないものと
なっている。
FIG. 3 is a partial perspective view of the light guide rod 90. The light guide rod 90 is a pillar-shaped (in the present embodiment, substantially quadrangular prism-shaped) light guide rod made of quartz, and the entire outer surface thereof is optically polished. Returning to FIG. 2, light emitted from the xenon flash lamp 54 is condensed by the elliptical mirror 54b, selectively reflected by the dichroic mirror 55, and then incident on the incident surface 91 which is one end surface of the light guide rod 90. The total reflection is repeated by each side surface 97 in the inside. As a result, the light incident from the incident surface 91 is mixed inside the light guide rod 90 and is emitted again from the exit surface 92 which is the other end surface. Here, since the outer surfaces of the light guide rod 90 are optically polished, a loss due to scattering at the time of reflection on those surfaces hardly occurs.

【0040】また、図3に示すように、導光ロッド90
の出射面92は、底面93と2段傾斜面96とを備えて
おり、四角形である出射面92の一辺に2段傾斜面96
を設ける構成としている。さらに、2段傾斜面96は、
2つの傾斜面94と傾斜面95とによって構成されてい
る。なお、底面93および2つの傾斜面94、95のそ
れぞれは研磨された平滑な平面である。また、2段傾斜
面96には誘電体の多層膜にて構成される反射防止膜が
蒸着されている。これら2段傾斜面96や反射防止膜の
内容についてはさらに後述する。
Further, as shown in FIG.
The light exit surface 92 has a bottom surface 93 and a two-step inclined surface 96, and one side of the rectangular exit surface 92 has a two-step inclined surface 96.
Is provided. Furthermore, the two-step inclined surface 96
It is composed of two inclined surfaces 94 and 95. Each of the bottom surface 93 and the two inclined surfaces 94 and 95 is a polished smooth plane. An antireflection film formed of a dielectric multilayer film is deposited on the two-step inclined surface 96. The contents of the two-step inclined surface 96 and the antireflection film will be further described later.

【0041】次に、上記構成を有する露光装置における
露光処理の手順について簡単に説明する。まず、装置外
部から搬入された基板Wが吸着チャック21に略水平姿
勢にて吸着保持される。次に、制御部85がX軸センサ
60およびY軸センサ70からの検出結果を参照しつ
つ、Y軸駆動部30およびX軸駆動部40に信号を伝達
し、露光部50を所定の露光位置(本実施形態では、基
板Wの端縁部)まで移動させる。その後、キセノンフラ
ッシュランプ54からのパルス発光を繰り返しつつ、基
板回動モータ22が基板Wを所定速度で回動させること
により、露光処理が進められる。露光部50が基板Wの
端縁部に位置して発光を繰り返すとともに、基板回動モ
ータ22が基板Wを所定速度で回動させるため、基板W
の外周全体に渡る端縁部が露光されることとなり、これ
によって基板Wの端縁部露光が実行されるのである。
Next, the procedure of the exposure processing in the exposure apparatus having the above configuration will be briefly described. First, the substrate W carried in from the outside of the apparatus is suction-held by the suction chuck 21 in a substantially horizontal posture. Next, the control unit 85 transmits a signal to the Y-axis drive unit 30 and the X-axis drive unit 40 while referring to the detection results from the X-axis sensor 60 and the Y-axis sensor 70, and moves the exposure unit 50 to a predetermined exposure position. (In the present embodiment, it is moved to the edge of the substrate W). Thereafter, the exposure processing is advanced by the substrate rotation motor 22 rotating the substrate W at a predetermined speed while repeating the pulse emission from the xenon flash lamp 54. Since the exposure unit 50 is located at the edge of the substrate W and emits light repeatedly, and the substrate rotation motor 22 rotates the substrate W at a predetermined speed, the substrate W
Is exposed over the entire outer circumference of the substrate W, whereby the edge exposure of the substrate W is performed.

【0042】ここで、本明細書中における「露光対象領
域」について説明しておく。図4は、露光対象領域を示
す図である。本発明にかかる露光装置は、基板W上に形
成された不要なレジスト膜を露光して除去するための装
置である。不要なレジスト膜とは、簡潔に述べれば、パ
ターン形成が行われることのない部分のレジスト膜であ
る。そして、本発明にかかる露光装置では、このような
パターン形成が行われることのない不要なレジスト膜の
みに光照射を行って露光すべきであり、本明細書の「露
光対象領域」とはそのような露光すべき領域(光照射を
行いたい領域)を意味している。例えば、本実施形態の
ように、基板Wの端縁部露光を行うときには、図4中の
円環状の領域EA1が露光対象領域となる。
Here, the “exposure target area” in this specification will be described. FIG. 4 is a diagram illustrating an exposure target area. The exposure apparatus according to the present invention is an apparatus for exposing and removing an unnecessary resist film formed on the substrate W. The unnecessary resist film is, in short, a portion of the resist film where pattern formation is not performed. In the exposure apparatus according to the present invention, only the unnecessary resist film in which such pattern formation is not performed should be performed by irradiating light, and the `` exposure target area '' in this specification is Such a region to be exposed (a region where light irradiation is desired) is meant. For example, when the edge portion exposure of the substrate W is performed as in the present embodiment, the annular area EA1 in FIG. 4 is the exposure target area.

【0043】本実施形態の露光装置においては、既述し
たように、導光ロッド90の一部に2段傾斜面96が形
成されている(図3参照)。このような傾斜面が形成さ
れた導光ロッド90にキセノンフラッシュランプ54か
らの光が入射され、基板Wに向けて出射されるときの光
の挙動について以下に説明する。
In the exposure apparatus of this embodiment, as described above, a two-step inclined surface 96 is formed on a part of the light guide rod 90 (see FIG. 3). The behavior of light when the light from the xenon flash lamp 54 is incident on the light guide rod 90 having such an inclined surface and emitted toward the substrate W will be described below.

【0044】図5は、導光ロッド90の出射面92から
出射される光の挙動を説明するための図である。なお、
同図において、基板W上にはレジスト膜1が形成されて
おり、図中左側が基板Wの中心側であり、図中右側が基
板Wの端縁側である。そして、本実施形態においては、
位置P3よりも図中右側のレジスト膜1が除去すべき不
要なレジスト膜であるとする。従って、図5では、位置
P3よりも図中右側の基板W上の領域が光照射によって
レジスト膜1の露光を行うべき露光対象領域であり、位
置P3が露光対象領域の端部(図4の領域EA1の内周
部分)である。
FIG. 5 is a diagram for explaining the behavior of the light emitted from the emission surface 92 of the light guide rod 90. In addition,
In the figure, a resist film 1 is formed on a substrate W, the left side in the figure is the center side of the substrate W, and the right side in the figure is the edge side of the substrate W. And in this embodiment,
It is assumed that the resist film 1 on the right side of the drawing from the position P3 is an unnecessary resist film to be removed. Therefore, in FIG. 5, the region on the substrate W on the right side in the figure with respect to the position P3 is the exposure target region where the exposure of the resist film 1 is to be performed by light irradiation, and the position P3 is the end of the exposure target region (FIG. (The inner peripheral portion of the area EA1).

【0045】キセノンフラッシュランプ54から発せら
れた光は楕円鏡54bによって反射・集光された後、ダ
イクロイックミラー55によって反射され、導光ロッド
90の入射面91に入射される。このときの入射光の最
大入射角θmaxは楕円鏡54bの集光特性によって決定
される値である。最大入射角θmaxにて導光ロッド90
中に入射する入射光L1は、入射面91で屈折され、光
L2として導光ロッド90中を進行する。なお、このと
きの屈折角θ'1は以下の数1を満たす値となる。
The light emitted from the xenon flash lamp 54 is reflected and condensed by the elliptical mirror 54b, is reflected by the dichroic mirror 55, and is incident on the incident surface 91 of the light guide rod 90. The maximum incident angle θmax of the incident light at this time is a value determined by the light-collecting characteristics of the elliptical mirror 54b. Light guide rod 90 at maximum incident angle θmax
The incident light L1 incident on the inside is refracted on the incident surface 91 and travels through the light guide rod 90 as light L2. The refraction angle θ ′ 1 at this time is a value that satisfies Equation 1 below.

【0046】[0046]

【数1】 (Equation 1)

【0047】但し、”n”は導光ロッド90の屈折率で
ある。導光ロッド90中を進行する光L2は、導光ロッ
ド90の側面97によって全反射が繰り返されるもの
の、均一な媒質中を進むため、底面93に対して入射角
θ'1にて入射する。なお、側面97とは略四角柱形状で
ある導光ロッド90の長手方向に平行な面であり、入射
面91および底面93は導光ロッド90の長手方向に垂
直な面である。そして、底面93に入射した光L2は、
底面93にて屈折し、出射光L3となる。出射光L3の
出射角θ"1は以下の数2を満たす値となる。
Here, “n” is the refractive index of the light guide rod 90. The light L2 traveling in the light guide rod 90 is incident on the bottom surface 93 at an incident angle θ ′ 1 because the light L2 travels in a uniform medium although the total reflection is repeated by the side surface 97 of the light guide rod 90. The side surface 97 is a surface parallel to the longitudinal direction of the light guide rod 90 having a substantially quadrangular prism shape, and the incident surface 91 and the bottom surface 93 are surfaces perpendicular to the longitudinal direction of the light guide rod 90. Then, the light L2 incident on the bottom surface 93 is
The light is refracted at the bottom surface 93 and becomes the outgoing light L3. The outgoing angle θ ″ 1 of the outgoing light L3 is a value that satisfies Equation 2 below.

【0048】[0048]

【数2】 (Equation 2)

【0049】数1および数2から明らかなように、底面
93からの出射光L3の出射角θ"1は入射光L1の最大
入射角θmaxと等しい。すなわち、入射面91と底面9
3とは相互に平行な平面であるため、最大入射角θmax
と同じ出射角θ"1にて出射光L3は進行するのである。
As is apparent from the equations (1) and (2), the output angle θ ″ 1 of the output light L3 from the bottom surface 93 is equal to the maximum incident angle θmax of the incident light L1.
3 is a plane parallel to each other, the maximum incident angle θmax
The outgoing light L3 travels at the same outgoing angle θ ″ 1 .

【0050】ここで、底面93と傾斜面94との境界を
なす底面93の端部93a(基板Wの中心側端部)から
出射された出射光L3は、基板W上(厳密には、基板W
に形成されたレジスト膜1上)の位置P3に到達する。
既述したように、位置P3は露光対象領域の端部であ
り、底面93の端部93aから出射された出射光L3は
露光対象領域の端部に到達することとなる。逆に言え
ば、底面93の端部93aから出射された出射光L3が
露光対象領域の端部に到達するように、露光部50の位
置調整が行われるのである。
Here, the outgoing light L3 emitted from the end 93a of the bottom surface 93 (the end on the center side of the substrate W), which forms the boundary between the bottom surface 93 and the inclined surface 94, is on the substrate W (strictly speaking, the substrate W). W
(Position on the resist film 1) formed at the position P3.
As described above, the position P3 is the end of the exposure target area, and the emitted light L3 emitted from the end 93a of the bottom surface 93 reaches the end of the exposure target area. Conversely, the position of the exposure unit 50 is adjusted so that the emitted light L3 emitted from the end 93a of the bottom surface 93 reaches the end of the exposure target area.

【0051】一方、導光ロッド90中を進行する光L2
は底面93のみならず、傾斜面94および傾斜面95に
も当然到達する。光L2は傾斜面94に対しては入射角
θ'2にて入射する。傾斜面94の法線と底面93の法線
(鉛直方向)とのなす角度をθ2Eとすると、入射角θ'2
は以下の数3のように表される。
On the other hand, the light L 2 traveling in the light guide rod 90
Naturally reaches not only the bottom surface 93 but also the inclined surfaces 94 and 95. The light L2 is incident on the inclined surface 94 at an incident angle θ ′ 2 . Assuming that the angle between the normal to the inclined surface 94 and the normal (vertical direction) to the bottom surface 93 is θ 2E , the incident angle θ ′ 2
Is expressed as in the following Expression 3.

【0052】[0052]

【数3】 (Equation 3)

【0053】そして、傾斜面94に入射した光L2は、
傾斜面94にて屈折し、出射光L4となる。出射光L4
の出射角θ"2は以下の数4を満たす値となる。
The light L2 incident on the inclined surface 94 is
The light is refracted by the inclined surface 94 and becomes the output light L4. Outgoing light L4
Emission angle theta "2 of a value satisfying the following equation (4).

【0054】[0054]

【数4】 (Equation 4)

【0055】底面93に対する入射角θ'1は最大入射角
θmaxによって定まる定数であると考えられるため、数
3および数4から出射光L4の出射角θ"2が角度θ2E
よって決定されることが分かる。
Since the incident angle θ ′ 1 with respect to the bottom surface 93 is considered to be a constant determined by the maximum incident angle θmax, the output angle θ ″ 2 of the output light L 4 is determined by the angle θ 2E from Expressions 3 and 4. I understand.

【0056】同様に、光L2は傾斜面95に対しては入
射角θ'3にて入射する。傾斜面95の法線と底面93の
法線とのなす角度をθ3Eとすると、入射角θ'3は以下の
数5のように表される。
[0056] Similarly, the light L2 is the inclined surface 95 is incident at an incident angle theta '3. Assuming that the angle between the normal to the inclined surface 95 and the normal to the bottom surface 93 is θ 3E , the incident angle θ ′ 3 is expressed by the following equation 5.

【0057】[0057]

【数5】 (Equation 5)

【0058】そして、傾斜面95に入射した光L2は、
傾斜面95にて屈折し、出射光L5となる。出射光L5
の出射角θ"3は以下の数6を満たす値となる。
Then, the light L2 incident on the inclined surface 95 is
The light is refracted by the inclined surface 95 and becomes the output light L5. Outgoing light L5
Output angle theta "3 becomes a value that satisfies the following Equation 6.

【0059】[0059]

【数6】 (Equation 6)

【0060】上記と同様に、数5および数6から出射光
L5の出射角θ"3が角度θ3Eによって決定される値であ
ることが分かる。
Similarly to the above, it can be seen from Equations 5 and 6 that the emission angle θ ″ 3 of the emitted light L5 is a value determined by the angle θ 3E .

【0061】ここで、図5に示すように、底面93とレ
ジスト膜1との距離をl1とし、傾斜面94の側面97
側の端部94a(ここでは、基板Wの中心側端部)とレ
ジスト膜1との距離をl2とし、傾斜面95の側面97
側の端部95a(ここでは、基板Wの中心側端部)とレ
ジスト膜1との距離をl3とする。また、傾斜面94の
端部94aを通過する鉛直方向の線と底面93の端部9
3aを通過する鉛直方向の線との間隔(簡単に言えば、
端部94aと端部93aとの水平方向の距離)をΔW1
とし、傾斜面95の端部95aを通過する鉛直方向の線
と傾斜面94の端部94aを通過する鉛直方向の線との
間隔をΔW2とする。そして、以下の数7が満たされる
ものとする。
Here, as shown in FIG. 5, the distance between the bottom surface 93 and the resist film 1 is defined as l 1, and the side surface 97 of the inclined surface 94 is formed.
The distance between the side end 94a (here, the end on the center side of the substrate W) and the resist film 1 is l 2, and the side surface 97 of the inclined surface 95
(Here, the center-side end portion of the substrate W) side of the end portion 95a of the distance between the resist film 1 and l 3. In addition, a vertical line passing through the end 94 a of the inclined surface 94 and the end 9 of the bottom surface 93.
3a with the vertical line passing through it (in short,
The horizontal distance between the end 94a and the end 93a) is ΔW 1
The distance between the vertical line passing through the end 95a of the inclined surface 95 and the vertical line passing through the end 94a of the inclined surface 94 is ΔW 2 . It is assumed that the following equation 7 is satisfied.

【0062】[0062]

【数7】 (Equation 7)

【0063】数7が満足されるときは、傾斜面94の端
部94aから出射された出射光L4が基板W上の位置P
3、すなわち底面93の端部93aから出射された出射
光L3が到達する点であって、露光対象領域の端部に到
達することとなる。また、傾斜面95の端部95aから
出射された出射光L5も基板W上の位置P3に到達する
こととなる。換言すると、数7を満たすように各種条件
を設定すれば、底面93の端部93aから出射された出
射光L3、傾斜面94の端部94aから出射された出射
光L4および傾斜面95の端部95aから出射された出
射光L5のいずれもが位置P3、すなわち露光対象領域
の端部に到達することとなるのである。ここで、図5よ
り、l2=l1+ΔW1tanθ2Eであり、l3=l2+(ΔW
2−ΔW1)×tanθ3E=l1+ΔW1tanθ2E+(ΔW2
ΔW1)×tanθ3Eであるため、結局数7は以下の数8の
ように表される。
When the equation (7) is satisfied, the outgoing light L 4 emitted from the end 94 a of the inclined surface 94 is shifted to the position P on the substrate W.
3, that is, the point at which the emitted light L3 emitted from the end 93a of the bottom surface 93 reaches the end of the exposure target area. Further, the emitted light L5 emitted from the end 95a of the inclined surface 95 also reaches the position P3 on the substrate W. In other words, if various conditions are set so as to satisfy Equation 7, the emitted light L3 emitted from the end 93a of the bottom surface 93, the emitted light L4 emitted from the end 94a of the inclined surface 94, and the end of the inclined surface 95 All of the emitted light L5 emitted from the portion 95a reaches the position P3, that is, the end of the exposure target area. Here, from FIG. 5, l 2 = l 1 + ΔW 1 tan θ 2E and l 3 = l 2 + (ΔW
2 −ΔW 1 ) × tan θ 3E = l 1 + ΔW 1 tan θ 2E + (ΔW 2
Because it is ΔW 1) × tanθ 3E, eventually number 7 is represented as the following equation 8.

【0064】[0064]

【数8】 (Equation 8)

【0065】数8において、l1は導光ロッド90を基
板Wから離間させる距離によって決まる値であり、出射
角θ"1は最大入射角θmaxと等しく、出射角θ"2および
出射角θ"3はそれぞれ角度θ2Eおよび角度θ3Eによって
決まる値である。従って、出射光L3、出射光L4およ
び出射光L5が露光対象領域の端部(位置P3)に到達
するように傾斜面94および傾斜面95を形成するとき
には、数7(または数8)を満たすようにΔW1とθ2E
およびΔW2とθ3Eを設定すれば良いのである。なお、
実際の設計に際しては、数7(または数8)の左辺が定
数となるため、ΔW1またはθ2Eのいずれか一方を決定
すれば他方も決まり、ΔW2またはθ3Eのいずれか一方
を決定すれば他方も決まることとなる。
In Equation 8, l 1 is a value determined by the distance separating the light guide rod 90 from the substrate W, the emission angle θ ″ 1 is equal to the maximum incident angle θmax, and the emission angle θ ″ 2 and the emission angle θ ″. 3 is a value determined by the angle θ 2E and the angle θ 3E , respectively.Therefore, the inclined surface 94 and the inclined surface 94 are arranged so that the emitted light L3, the emitted light L4, and the emitted light L5 reach the end (position P3) of the exposure target area. When the surface 95 is formed, ΔW 1 and θ 2E are set so as to satisfy Expression 7 (or Expression 8).
And ΔW 2 and θ 3E may be set. In addition,
In an actual design, the left side of Equation 7 (or Equation 8) is a constant. Therefore, if one of ΔW 1 and θ 2E is determined, the other is also determined, and one of ΔW 2 and θ 3E must be determined. If so, the other will be decided.

【0066】例えば、一例として、l1=1000μ
m、最大入射角θmax=23.2°、屈折率n=1.5
の条件において、θ2E=30°、θ3E=45°としたと
きに数7を満たすためには、ΔW1=276μm、ΔW2
=503μmに決定される。図6は、この例における導
光ロッド90から照射された光の強度分布を示す図であ
る。同図における縦軸および横軸は図13と同じ指標で
ある。但し、図6では、底面93の端部93aの鉛直方
向直下を0μmとしている。図13と比較すると明らか
なように、光の強度の上昇が急峻な分布となっており、
相対強度0以上0.3未満の領域、すなわちテーパ状に
レジストが残留する領域は約110μmとなっている。
For example, as an example, l 1 = 1000 μ
m, maximum incident angle θmax = 23.2 °, refractive index n = 1.5
In order to satisfy Equation 7 when θ 2E = 30 ° and θ 3E = 45 ° under the conditions of ( 1) , ΔW 1 = 276 μm, ΔW 2
= 503 μm. FIG. 6 is a diagram showing an intensity distribution of light emitted from the light guide rod 90 in this example. The vertical and horizontal axes in FIG. 13 are the same indices as in FIG. However, in FIG. 6, 0 μm is set immediately below the end 93 a of the bottom surface 93 in the vertical direction. As is clear from comparison with FIG. 13, the increase in light intensity has a steep distribution,
The area where the relative strength is not less than 0 and less than 0.3, that is, the area where the resist remains in a tapered shape is about 110 μm.

【0067】このことは、導光ロッド90の出射面92
の周辺部に、導光ロッド90を通過する光を露光対象領
域に向けて屈折させる屈折部を設けることによって、当
該周辺部から出射する光を周辺部以外から露光対象領域
に向けて出射する光に重ね合わせることができ、その結
果光の照射領域の境界部分が鮮明になることを意味して
いる。そして、本実施形態においては、導光ロッド90
の底面93および側面97の双方と鈍角をなす傾斜面9
4および傾斜面95からなる2段傾斜面96を屈折部と
し、傾斜面94および傾斜面95から出射する光を底面
93から出射する光に重ね合わせる(厳密にはそれぞれ
の端部から出射する光を一致させる)ことによって、位
置P3における光の照射領域の境界部分が鮮明になる。
This means that the light exit surface 92 of the light guide rod 90
Is provided around the periphery of the light guide rod 90 so as to refract the light passing through the light guide rod 90 toward the exposure target region, so that light emitted from the peripheral portion is emitted toward the exposure target region from other than the peripheral portion. This means that the boundary portion of the light irradiation area becomes clear as a result. In the present embodiment, the light guide rod 90
Inclined surface 9 that forms an obtuse angle with both bottom surface 93 and side surface 97
4 and an inclined surface 95 are used as refraction portions, and light emitted from the inclined surfaces 94 and 95 is superimposed on light emitted from the bottom surface 93 (strictly speaking, light emitted from each end portion). ), The boundary portion of the light irradiation area at the position P3 becomes clear.

【0068】なお、図5に関する記述では、最大入射角
θmaxにて導光ロッド90に入射した光が底面93、傾
斜面94および傾斜面95の端部から出射する場合につ
いてのみ説明したが、導光ロッド90には最大入射角θ
max以下の入射角にて入射する光もあり、また底面9
3、傾斜面94および傾斜面95の端部以外から出射す
る光が存在することも勿論である。しかし、これらは、
いずれも露光対象領域内部(図5中において位置P3よ
りも右側)に向けて出射する光となるため、照射領域の
境界部分に影響を及ぼすことはなく、むしろ光の重ね合
わせに寄与するものである。換言すれば、最大入射角θ
maxにて導光ロッド90に入射した光であって底面9
3、傾斜面94および傾斜面95の端部から出射した光
が露光対象領域の端部(位置P3)に到達するように傾
斜面94および傾斜面95を形成すれば、光の照射領域
の境界部分が鮮明になる。そして、数7(または数8)
は、最大入射角θmaxにて導光ロッド90に入射した光
であって底面93、傾斜面94および傾斜面95の端部
から出射した光が露光対象領域の端部に到達するように
傾斜面94および傾斜面95を形成する条件を規定した
関係式である。
In the description relating to FIG. 5, only the case where the light incident on the light guide rod 90 at the maximum incident angle θmax is emitted from the ends of the bottom surface 93, the inclined surface 94, and the inclined surface 95 has been described. The maximum incident angle θ
Some light is incident at an incident angle less than max, and the bottom surface 9
3. Needless to say, light exiting from other than the end portions of the inclined surface 94 and the inclined surface 95 exists. But these are
In each case, the light is emitted toward the inside of the exposure target area (right side of the position P3 in FIG. 5), and therefore does not affect the boundary of the irradiation area, but rather contributes to the superposition of the light. is there. In other words, the maximum incident angle θ
The light incident on the light guide rod 90 at max and the bottom surface 9
3. If the inclined surfaces 94 and 95 are formed such that the light emitted from the ends of the inclined surfaces 94 and 95 reaches the end (position P3) of the exposure target region, the boundary between the light irradiation regions Part becomes clear. And Equation 7 (or Equation 8)
Is an inclined surface such that light incident on the light guide rod 90 at the maximum incident angle θmax and emitted from the ends of the bottom surface 93, the inclined surface 94, and the inclined surface 95 reaches the end of the exposure target region. This is a relational expression that defines the conditions for forming 94 and the inclined surface 95.

【0069】光の照射領域の境界部分が鮮明になれば、
図13に示す如く、露光対象領域とレジストを残留させ
るべき領域との境界部分(図4の露光対象領域EA1の
内周部分)にテーパ状に残留するレジストは低減され
る。また、本実施形態の露光装置では、従来の第2の方
式のようにレンズ等の結像光学系を用いる必要がないた
め、スループットの低下、重量化、大幅なコストアップ
および所用スペースの増加を生じさせることを防止でき
る。
When the boundary of the light irradiation area becomes clear,
As shown in FIG. 13, the resist remaining in a tapered shape at the boundary between the exposure target region and the region where the resist is to be left (the inner peripheral portion of the exposure target region EA1 in FIG. 4) is reduced. Further, in the exposure apparatus of the present embodiment, since it is not necessary to use an imaging optical system such as a lens as in the second conventional method, the throughput is reduced, the weight is increased, the cost is increased, and the required space is increased. Can be prevented.

【0070】ところで、本実施形態の露光装置において
は、傾斜面94および傾斜面95からなる2段傾斜面9
6に誘電体の多層膜にて構成される反射防止膜が蒸着さ
れている。この反射防止膜は光の反射を防止するための
ものである。傾斜面94および傾斜面95に反射防止膜
を蒸着することにより、傾斜面94および傾斜面95か
らの出射時に導光ロッド90内を進行する光の反射を防
止して、光の透過率を高めることができる。また、導光
ロッド90から出射された後、基板Wにて反射された光
の再反射を防ぐことができる。特に、傾斜面94および
傾斜面95にて再反射が生じると、基板Wの中心側の領
域(レジストを残留させてパターン形成を行う領域)に
向けて光が反射されることとなるため、それを防止する
意義は大きい。なお、このような反射防止膜を、傾斜面
94および傾斜面95に限らず、底面93を含む出射面
92の全体に蒸着するようにしても良い。
Incidentally, in the exposure apparatus of this embodiment, the two-step inclined surface 9 composed of the inclined surface 94 and the inclined surface 95 is used.
6, an anti-reflection film composed of a dielectric multilayer film is deposited. This antireflection film is for preventing reflection of light. By depositing an anti-reflection film on the inclined surface 94 and the inclined surface 95, reflection of light traveling in the light guide rod 90 at the time of emission from the inclined surface 94 and the inclined surface 95 is prevented, and light transmittance is increased. be able to. Further, it is possible to prevent the light reflected by the substrate W after being emitted from the light guide rod 90 from being re-reflected. In particular, when re-reflection occurs on the inclined surface 94 and the inclined surface 95, light is reflected toward a region on the center side of the substrate W (a region where a resist is left and a pattern is formed). The significance of preventing is significant. Note that such an antireflection film may be deposited not only on the inclined surface 94 and the inclined surface 95 but also on the entire exit surface 92 including the bottom surface 93.

【0071】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、基板Wの端縁部の露光を行
わせていたが、端縁部以外の基板Wの所定のエリアを露
光させるようにしてもよい。このようなエリア露光を行
うときの露光対象領域は、例えば図4の領域EA2の如
きものである。すなわち、露光対象領域EA2はその外
周全域に渡ってレジストを残留させるべき領域と接して
いる。この場合、導光ロッド90の出射面92の周辺部
の全体、具体的には四角形の出射面92の4辺に傾斜面
94および傾斜面95を形成することにより、光の照射
領域の外周全域に渡ってその境界部分が鮮明になり、露
光対象領域EA2とその外側の領域との境界部分にテー
パ状に残留するレジストは低減される。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described example.
For example, in the above embodiment, the edge of the substrate W is exposed, but a predetermined area of the substrate W other than the edge may be exposed. The exposure target area when performing such area exposure is, for example, an area EA2 in FIG. That is, the exposure target area EA2 is in contact with the area where the resist is to be left over the entire outer periphery thereof. In this case, the inclined surface 94 and the inclined surface 95 are formed on the entire periphery of the emission surface 92 of the light guide rod 90, specifically, on four sides of the rectangular emission surface 92, so that the entire outer periphery of the light irradiation region is formed. , The boundary portion becomes clear, and the resist remaining in the taper shape at the boundary portion between the exposure target region EA2 and the region outside the region is reduced.

【0072】これに対して、上記実施形態のように基板
Wの端縁部の露光を行わせる場合には、図4の露光対象
領域EA1の内周境界部分を鮮明にできれば良いので、
屈折部たる2段傾斜面96を導光ロッド90の出射面9
2の周辺部のうち基板Wの中心側に対向する部分、すな
わち露光対象領域EA1の内周境界部分に光を出射する
部分に設けていれば良い。具体的には、四角形の出射面
92の1辺に2段傾斜面96を設けている。
On the other hand, when the edge of the substrate W is exposed as in the above-described embodiment, it is sufficient if the inner peripheral boundary portion of the exposure target area EA1 in FIG.
The two-step inclined surface 96, which is a refraction portion, is connected to the exit surface 9
It is sufficient that the light-emitting portion 2 is provided in a portion facing the center side of the substrate W, that is, a portion that emits light to the inner peripheral boundary portion of the exposure target area EA1. Specifically, a two-step inclined surface 96 is provided on one side of the rectangular emission surface 92.

【0073】これら以外にも、露光対象領域の態様に応
じて、導光ロッド90の出射面92の周辺部の任意の部
分に屈折部を設けることができる。
In addition to the above, a refraction portion can be provided at an arbitrary portion around the emission surface 92 of the light guide rod 90 according to the mode of the exposure target region.

【0074】また、上記実施形態においては、屈折部を
傾斜面94および傾斜面95からなる2段傾斜面96と
していたが、屈折部としての傾斜面は2段に限らず1段
であっても良いし、3段以上であっても良い。屈折部と
しての傾斜面は1段であっても光を屈折させるため、傾
斜面からの光を重ね合わせる効果は得られるが、2段以
上の多段に形成した方が光の重ね合わせの効果は得られ
易く、照射領域の境界部分がより鮮明になる。もっと
も、傾斜面の段数に応じて加工が複雑になるため、光学
特性と加工性との兼ね合いにて段数を決定するのが好ま
しい。
In the above embodiment, the refracting portion is a two-step inclined surface 96 composed of the inclined surface 94 and the inclined surface 95. However, the number of inclined surfaces as the refracting portion is not limited to two but may be one. Or three or more stages. Even if the inclined surface as the refraction portion has one step, the light is refracted, so that the effect of superimposing the light from the inclined surface can be obtained. However, the effect of superimposing the light can be obtained by forming two or more steps. It is easy to obtain, and the boundary of the irradiation area becomes clearer. However, since processing becomes complicated depending on the number of steps of the inclined surface, it is preferable to determine the number of steps based on a balance between optical characteristics and workability.

【0075】また、上記実施形態においては、屈折部を
傾斜面としていたが、これに限定されるものではなく、
屈折部を以下のように構成しても良い。
Further, in the above-described embodiment, the refraction portion is formed as an inclined surface, but the present invention is not limited to this.
The bending section may be configured as follows.

【0076】例えば、図7に示すように、導光ロッド9
0の出射面92の周辺部の全体にフレネル面99aを形
成するようにしても良い。図7の導光ロッド90は、出
射面92の周辺部の全体にフレネル面99aを形成して
いるため、上記のエリア露光に適している。
For example, as shown in FIG.
A Fresnel surface 99a may be formed over the entire periphery of the zero emission surface 92. The light guide rod 90 of FIG. 7 has a Fresnel surface 99a formed over the entire periphery of the light exit surface 92, and is therefore suitable for the above-described area exposure.

【0077】図8は、フレネル面99aから光が出射す
る様子を示す図である。屈折部を傾斜面にしたのと同様
に、周辺部から出射する光を周辺部以外から露光対象領
域に向けて出射する光に重ね合わせることができ、照射
領域の境界部分を鮮明にすることができる。しかも、屈
折部をフレネル面99aにすると、比較的大きな屈折力
が得られるとともに、細かい設定も可能になる。なお、
フレネル面99aを出射面92の周辺部の一部に形成す
るようにしても良いことは勿論である。
FIG. 8 is a diagram showing how light is emitted from the Fresnel surface 99a. In the same manner as the inclined portion of the refraction portion, the light emitted from the peripheral portion can be superimposed on the light emitted from other than the peripheral portion toward the exposure target region, and the boundary portion of the irradiation region can be sharpened. it can. In addition, when the refraction portion is the Fresnel surface 99a, a relatively large refracting power can be obtained, and fine settings can be made. In addition,
Of course, the Fresnel surface 99a may be formed on a part of the periphery of the emission surface 92.

【0078】また、図9に示すように、導光ロッド90
の出射面92の周辺部に回折面99bを設けるようにし
ても良い。回折面99bは、濃淡や凹凸によって光が通
過できる線状部分の間隔を変化させたものである。つま
り、回折面99bとは、ピッチを連続的に変化させた回
折格子である。回折格子のピッチが変化すると、回折が
生じる光の向きも変化する。このことは、光を屈折させ
ていることと同じであるため、上記実施形態にように屈
折部を傾斜面にしたのと同様の効果を得ることができ
る。
Further, as shown in FIG.
A diffraction surface 99b may be provided on the periphery of the light exit surface 92. The diffraction surface 99b is obtained by changing the interval between linear portions through which light can pass due to shading and unevenness. That is, the diffraction surface 99b is a diffraction grating in which the pitch is continuously changed. When the pitch of the diffraction grating changes, the direction of light that causes diffraction also changes. Since this is the same as refracting light, the same effect can be obtained as in the case where the refraction portion is formed as an inclined surface as in the above embodiment.

【0079】また、図10に示すように、導光ロッド9
0の出射面92の周辺部をシリンダ形状部99cとして
も良い。シリンダ形状とは、円柱側面の一部分の如き形
状である。出射面92の周辺部をシリンダ形状部99c
にすることは、上記実施形態において傾斜面の段数を無
限に増大させたことと等価である。従って、このように
しても屈折部を傾斜面にしたのと同様の効果を得ること
ができる。
Further, as shown in FIG.
The periphery of the zero emission surface 92 may be a cylindrical portion 99c. The cylinder shape is a shape like a part of a cylindrical side surface. The peripheral portion of the emission surface 92 is formed as a cylindrical portion 99c.
Is equivalent to infinitely increasing the number of steps of the inclined surface in the above embodiment. Therefore, even in this case, it is possible to obtain the same effect as when the refraction portion is formed as an inclined surface.

【0080】また、図11に示すように、導光ロッド9
0の出射面92の周辺部をGRIN面(Gradient Inde
x)99dとしても良い。GRIN面99dは、導光ロ
ッド90の中心側から周辺部に向けて連続的に屈折率が
低下しているような面である。このようにしても、図1
1に示すように、屈折部を傾斜面にしたのと同様の効果
を得ることができる。
Further, as shown in FIG.
0 is a GRIN surface (Gradient Inde
x) It may be 99d. The GRIN surface 99d is a surface whose refractive index continuously decreases from the center of the light guide rod 90 toward the peripheral portion. In this case, FIG.
As shown in FIG. 1, the same effect can be obtained as when the refraction portion is formed as an inclined surface.

【0081】[0081]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、導光ロッドがその導光ロッドの出射面の周辺部
の少なくとも一部に、当該導光ロッドを通過する光を露
光対象領域に向けて屈曲させる屈曲部を有するため、当
該周辺部から出射する光を周辺部以外から露光対象領域
に向けて出射する光に重ね合わせることができ、スルー
プットの低下、重量化、大幅なコストアップおよび所用
スペースの増加を生じさせることなく、光の照射領域の
境界部分を鮮明にすることができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the light guide rod exposes at least a part of the periphery of the light exit surface of the light guide rod to light passing through the light guide rod. Since the light has a bent portion bent toward the target region, light emitted from the peripheral portion can be superimposed on light emitted toward the exposure target region from a portion other than the peripheral portion. The boundary portion of the light irradiation area can be sharpened without increasing the cost and the space required.

【0082】また、請求項2の発明によれば、屈曲部を
出射面の周辺部から出射される光を露光対象領域に向け
て屈折させる屈折部としているため、請求項1の発明と
同様の効果を得ることができる。
According to the second aspect of the present invention, the bent portion is a refraction portion for refracting light emitted from the peripheral portion of the exit surface toward the exposure target region. The effect can be obtained.

【0083】また、請求項3の発明によれば、屈折部が
導光ロッドの底面および側面の双方と鈍角をなす傾斜面
を含むため、容易に請求項1の発明の効果を得ることが
できる。
According to the third aspect of the present invention, the effect of the first aspect of the present invention can be easily obtained because the refracting portion includes the inclined surface which forms an obtuse angle with both the bottom surface and the side surface of the light guide rod. .

【0084】また、請求項4の発明によれば、屈折部
が、傾斜面が多段に形成された多段傾斜面を含むため、
請求項1の発明の効果に加えて、光の照射領域の境界部
分をより鮮明にすることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the refracting portion includes a multi-step inclined surface in which the inclined surface is formed in multiple steps.
In addition to the effect of the first aspect of the invention, the boundary portion of the light irradiation area can be made clearer.

【0085】また、請求項5の発明によれば、光源から
導光ロッドへ最大入射角で入射された光であって、出射
面のうち多段傾斜面との境界をなす底面の端部から出射
された光および多段傾斜面を構成するそれぞれの傾斜面
の側面側端部から出射された光が露光対象領域の端部に
到達するように多段傾斜面を形成しているため、請求項
1の発明の効果を確実に得ることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the light incident on the light guide rod from the light source at the maximum incident angle is emitted from the end of the bottom surface which forms a boundary with the multi-step inclined surface among the emission surfaces. The multi-step inclined surface is formed in such a manner that the divided light and the light emitted from the side end portions of the respective inclined surfaces constituting the multi-step inclined surface reach the end of the exposure target area. The effects of the invention can be reliably obtained.

【0086】また、請求項6の発明によれば、少なくと
も傾斜面に光の反射を防止する反射防止膜を形成してい
るため、傾斜面からの出射時に光の反射を防止して、光
の透過率を高めることができるとともに、基板にて反射
された光の再反射を防ぐことができる。
According to the invention of claim 6, since the anti-reflection film for preventing light reflection is formed on at least the inclined surface, the reflection of light at the time of emission from the inclined surface is prevented, and The transmittance can be increased, and the light reflected on the substrate can be prevented from being re-reflected.

【0087】また、請求項7の発明によれば、露光対象
領域を基板の端縁部とし、屈折部を導光ロッドの出射面
の周辺部のうち基板の中心側に対向する部分に設けてい
るため、基板の端縁部のみを露光する際にも、請求項1
の発明と同様の効果を得ることができる。
According to the seventh aspect of the present invention, the region to be exposed is an edge portion of the substrate, and the refraction portion is provided in a portion of the peripheral portion of the light exit surface of the light guide rod facing the center side of the substrate. Therefore, even when only the edge of the substrate is exposed,
The same effect as that of the invention can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る露光装置の一例を示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an exposure apparatus according to the present invention.

【図2】図1の露光装置の露光ヘッドの構成を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an exposure head of the exposure apparatus of FIG.

【図3】図2の導光ロッドの部分斜視図である。FIG. 3 is a partial perspective view of the light guide rod of FIG. 2;

【図4】露光対象領域を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an exposure target area.

【図5】導光ロッドの出射面から出射される光の挙動を
説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining the behavior of light emitted from the emission surface of the light guide rod.

【図6】導光ロッドから照射された光の強度分布の一例
を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an intensity distribution of light emitted from a light guide rod.

【図7】導光ロッドの出射面に形成する屈折部の他の例
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating another example of a refraction portion formed on an emission surface of a light guide rod.

【図8】図7のフレネル面から光が出射する様子を示す
図である。
FIG. 8 is a diagram showing how light is emitted from the Fresnel surface of FIG. 7;

【図9】導光ロッドの出射面に形成する屈折部の他の例
を示す図である。
FIG. 9 is a view showing another example of the refraction portion formed on the light exit surface of the light guide rod.

【図10】導光ロッドの出射面に形成する屈折部の他の
例を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing another example of the refraction portion formed on the emission surface of the light guide rod.

【図11】導光ロッドの出射面に形成する屈折部の他の
例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing another example of the refraction portion formed on the light exit surface of the light guide rod.

【図12】従来の導光ロッドからの光照射を説明するた
めの図である。
FIG. 12 is a view for explaining light irradiation from a conventional light guide rod.

【図13】図12の従来の導光ロッドから照射された光
の強度分布を示す図である。
13 is a diagram showing an intensity distribution of light emitted from the conventional light guide rod of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

54 キセノンフラッシュランプ 90 導光ロッド 92 出射面 93 底面 94,95 傾斜面 96 2段傾斜面 97 側面 W 基板 54 xenon flash lamp 90 light guide rod 92 emission surface 93 bottom surface 94,95 inclined surface 96 two-step inclined surface 97 side surface W substrate

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上の露光を行うべき露光対象領域に
光を照射して前記露光対象領域の露光を行う露光装置で
あって、 前記光の照射を行う光源と、 前記光源からの光を基板上の前記露光対象領域に向けて
導くとともに、前記露光対象領域と対向する出射面から
前記光を出射する柱状の導光ロッドと、を備え、 前記導光ロッドは、前記出射面の周辺部の少なくとも一
部に、前記導光ロッドを通過する光を前記露光対象領域
に向けて屈曲させる屈曲部を有することを特徴とする露
光装置。
1. An exposure apparatus for irradiating an exposure target area on a substrate to be exposed with light, thereby exposing the exposure target area, comprising: a light source for irradiating the light; and a light from the light source. A light guide rod that guides toward the exposure target area on the substrate and emits the light from an emission surface facing the exposure target area; and a light guide rod is provided at a peripheral portion of the emission surface. An exposure apparatus, comprising, at least in part, a bent portion for bending light passing through the light guide rod toward the exposure target region.
【請求項2】 請求項1記載の露光装置において、 前記屈曲部は前記出射面の周辺部から出射される光を前
記露光対象領域に向けて屈折させる屈折部であることを
特徴とする露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the bent portion is a refraction portion that refracts light emitted from a peripheral portion of the emission surface toward the exposure target area. .
【請求項3】 請求項2記載の露光装置において、 前記屈折部は、前記導光ロッドの底面および側面の双方
と鈍角をなす傾斜面を含むことを特徴とする露光装置。
3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the refracting portion includes an inclined surface that forms an obtuse angle with both the bottom surface and the side surface of the light guide rod.
【請求項4】 請求項3記載の露光装置において、 前記屈折部は、前記傾斜面が多段に形成された多段傾斜
面を含むことを特徴とする露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the refraction section includes a multi-step inclined surface in which the inclined surface is formed in multiple steps.
【請求項5】 請求項4記載の露光装置において、 前記光源から前記導光ロッドへ最大入射角で入射された
光であって、前記出射面のうち前記多段傾斜面との境界
をなす前記底面の端部から出射された光および前記多段
傾斜面を構成するそれぞれの傾斜面の側面側端部から出
射された光が前記露光対象領域の端部に到達するように
前記多段傾斜面を形成することを特徴とする露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the light is incident from the light source to the light guide rod at a maximum incident angle, and the bottom surface forming a boundary with the multi-step inclined surface of the exit surface. The multi-step inclined surface is formed such that light emitted from an end of the multi-step inclined surface and light emitted from a side end of each inclined surface constituting the multi-step inclined surface reach an end of the exposure target region. An exposure apparatus comprising:
【請求項6】 請求項3から請求項5のいずれかに記載
の露光装置において、少なくとも前記傾斜面に光の反射
を防止する反射防止膜を形成することを特徴とする露光
装置。
6. The exposure apparatus according to claim 3, wherein an anti-reflection film for preventing reflection of light is formed on at least the inclined surface.
【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
の露光装置において、 前記露光対象領域は基板の端縁部であり、 前記屈曲部は、前記導光ロッドの出射面の周辺部のうち
前記基板の中心側に対向する部分に設けられることを特
徴とする露光装置。
7. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure target area is an edge of a substrate, and the bent portion is a peripheral portion of an emission surface of the light guide rod. An exposure apparatus, provided at a portion facing a center side of the substrate.
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