JP2001006876A - Light-light transducer - Google Patents
Light-light transducerInfo
- Publication number
- JP2001006876A JP2001006876A JP11180302A JP18030299A JP2001006876A JP 2001006876 A JP2001006876 A JP 2001006876A JP 11180302 A JP11180302 A JP 11180302A JP 18030299 A JP18030299 A JP 18030299A JP 2001006876 A JP2001006876 A JP 2001006876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- electrode
- organic
- taz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光電流増倍効果に
よる光電変換を利用し、得た電子を有機エレクトロルミ
ネッセンス発光の原理を用いて再び光に変換する光−光
変換素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light-to-light conversion device for converting obtained electrons into light again using the principle of organic electroluminescence by utilizing photoelectric conversion by a photocurrent multiplication effect.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は光電流増倍効果による光電変換を
利用し、得た電子をＥＬ発光の原理を用いて再び光に変
換する従来の光−光変換素子の一例を示す断面図であ
る。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a conventional light-to-light conversion element for converting obtained electrons into light again using the principle of EL emission utilizing photoelectric conversion by a photocurrent multiplication effect. is there.
【０００３】この光−光変換素子２１は、透明なガラス
基板からなる素子基板２２の内面に、ＩＴＯ膜によるＩ
ＴＯ電極２３と、有機エレクトロルミネッセンス層（以
下、有機ＥＬ層と略称する）２４と、有機光電材料層２
５、Ａｕ電極２６とが順次積層形成されたものであり、
ＩＴＯ電極２３には駆動電源２７の＋極が接続され、Ａ
ｕ電極２６には駆動電源２７の−極が接続されている。The light-to-light conversion element 21 is formed by forming an ITO film on an inner surface of an element substrate 22 made of a transparent glass substrate.
TO electrode 23, organic electroluminescent layer (hereinafter abbreviated as organic EL layer) 24, and organic photoelectric material layer 2
5. Au electrodes 26 are sequentially laminated.
The + electrode of the drive power supply 27 is connected to the ITO electrode 23,
The negative electrode of the drive power supply 27 is connected to the u electrode 26.
【０００４】図３における有機ＥＬ層２４は、ＩＴＯ電
極２３の上に厚さ３０ｎｍの蒸着膜として成膜された正
孔輸送層としてのＴＰＤ層２４ａと、ＴＰＤ層２４ａの
上に厚さ７０ｎｍの蒸着膜として成膜された発光層とし
てのｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣ層２４ｂとからなる。また、
図３における有機光電材料層２５は、ｔ−ＢｕＰｈ−Ｐ
ＴＣ層２４ｂの上に厚さ３００ｎｍの蒸着膜として成膜
されたＭｅ−ＰＴＣ層２５ａと、Ｍｅ−ＰＴＣ層２５ａ
の上に厚さ５０ｎｍの蒸着膜として成膜されたナフタレ
ンテトラカルボン酸（ＮＴＣＤＡ）層２５ｂとからな
る。上記Ｍｅ−ＰＴＣ層２５ａは、光キャリアー生成層
として波長６００ｎｍの単色光に吸収を持ち、低温（−
４０℃）でなければ発光を示さない。また、図４の構造
式で示されるＮＴＣＤＡ層２５ｂは、室温で光電流増倍
現象を発生する。The organic EL layer 24 shown in FIG. 3 includes a TPD layer 24a as a hole transport layer formed on the ITO electrode 23 as a 30-nm-thick vapor deposition film, and a 70-nm thick TPD layer 24a on the TPD layer 24a. And a t-BuPh-PTC layer 24b as a light emitting layer formed as a deposited film. Also,
The organic photoelectric material layer 25 in FIG. 3 is made of t-BuPh-P
A Me-PTC layer 25a formed as a 300 nm-thick vapor deposition film on the TC layer 24b, and a Me-PTC layer 25a
And a naphthalenetetracarboxylic acid (NTCDA) layer 25b formed as a 50-nm-thick vapor deposition film thereon. The Me-PTC layer 25a, as a photocarrier generation layer, absorbs monochromatic light having a wavelength of 600 nm and has a low temperature (−
Unless the temperature is 40 ° C.), no luminescence is exhibited. The NTCDA layer 25b represented by the structural formula in FIG. 4 causes a photocurrent multiplication phenomenon at room temperature.
【０００５】上記光−光変換素子２１では、両電極（Ｉ
ＴＯ電極２３、Ａｕ電極２６）間に所定の電圧を印加
し、Ａｕ電極２６の外側から光を照射すると、ＮＴＣＤ
Ａ層２５ｂとＡｕ電極２６の界面で起こる光電流増倍に
よって電子が大量に注入され、この注入された電子がＩ
ＴＯ電極２３からＴＰＤ層２４ａを介して注入されたホ
ールとｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣ層２４ｂ中で再結合し発光
する。この素子特性としては、印加電圧４０Ｖとし、室
温で波長６００ｎｍ、照度１０μＷ／ｃｍ2 の光をＡｕ
電極２６の外側から照射する事により、約３倍の照度を
持つ波長６９０ｎｍの出射光を得ている。In the light-light conversion element 21, both electrodes (I
When a predetermined voltage is applied between the TO electrode 23 and the Au electrode 26) and light is irradiated from outside the Au electrode 26, NTCD
A large amount of electrons are injected by photocurrent multiplication occurring at the interface between the A layer 25b and the Au electrode 26, and the injected electrons
The holes injected from the TO electrode 23 via the TPD layer 24a are recombined in the t-BuPh-PTC layer 24b to emit light. The device characteristics are as follows: an applied voltage of 40 V, a light having a wavelength of 600 nm and an illuminance of 10 μW / cm 2 at room temperature are Au
By irradiating from the outside of the electrode 26, emitted light with a wavelength of 690 nm having about three times the illuminance is obtained.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の光−光変換素子２１における有機光電材料層が単独
構成、すなわちＩＴＯ電極２３、Ｍｅ−ＰＴＣ層２５
ａ、ＮＴＣＤＡ層２５ｂ、Ａｕ電極２６を素子基板２２
上に積層した構成では、室温で６００ｎｍ赤色光にて４
万倍の光電子増倍率が確認されている。そして、この構
成に有機ＥＬ層２４としての正孔輸送層（ＴＰＤ層２４
ａ）・発光層（ｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣ層２４ｂ）を組合
せ積層する事により３倍の光−光変換効率を得ている。
その結果、光電子からの光変換効率は単純に０．００７
５％と非常に悪化している。By the way, the organic photoelectric material layer in the above-mentioned conventional light-light conversion element 21 has a single structure, that is, the ITO electrode 23 and the Me-PTC layer 25.
a, the NTCDA layer 25b and the Au electrode 26
In the configuration laminated on top, at room temperature 4
A multiplication factor of 10,000 times has been confirmed. Then, a hole transport layer (TPD layer 24) as the organic EL layer 24 is added to this configuration.
a) The light-to-light conversion efficiency is tripled by combining and stacking the light-emitting layers (t-BuPh-PTC layer 24b).
As a result, the light conversion efficiency from photoelectrons is simply 0.007.
It is very bad at 5%.
【０００７】しかし、実際の光−光変換素子での光電子
増倍率・発光効率は単独層としての効率より劣る事が一
般的であり、増倍率自体も単独層としての４万倍よりも
劣っている事が推定できる。However, the photoelectron multiplication factor and luminous efficiency in an actual light-to-light conversion element are generally inferior to the efficiency of a single layer, and the multiplication factor itself is inferior to 40,000 times as a single layer. Can be estimated.
【０００８】いずれにしても電子注入と正孔注入のバラ
ンスが必要であり、光電子増倍により電子注入が多くて
も正孔の注入が少なければ結果的には光−光変換効率が
劣る。これら注入のバランスを制御する主因子として素
子内電界分布が関係している。特に、光電子増倍を起こ
させるためには、光キャリアー（ホール）を生成し、陰
極界面にトラップ集中する必要があるため、光電子増倍
層自体に電界が必要である。In any case, it is necessary to balance electron injection and hole injection. If the number of electron injections is large due to photoelectron multiplication and the number of hole injections is small, the light-to-light conversion efficiency is low. The electric field distribution in the device is related as a main factor for controlling the balance of these injections. In particular, in order to cause photoelectron multiplication, photocarriers (holes) need to be generated and traps must be concentrated at the cathode interface. Therefore, an electric field is required in the photoelectron multiplication layer itself.
【０００９】上述した図３の従来の光−光変換素子２１
では、ＩＴＯ電極２３とＴＰＤ層２４ａの界面にホール
注入障壁（バンドギャップ）を作り、正孔注入を犠牲に
しながら光電子増倍層をなす有機光電材料層２５に電界
を掛け、光増倍電子を発生させて正孔とのバランスを取
り、発光層（ｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣ層２４ｂ）にて再結
合・発光を可能としている。The above-described conventional light-light conversion element 21 shown in FIG.
Then, a hole injection barrier (band gap) is formed at the interface between the ITO electrode 23 and the TPD layer 24a, and an electric field is applied to the organic photoelectric material layer 25 forming the photomultiplier layer while sacrificing the hole injection to generate photomultiplier electrons. The generated light is balanced with holes to enable recombination and light emission in the light emitting layer (t-BuPh-PTC layer 24b).
【００１０】しかしながら、上記従来の光−光変換素子
２１では、次のような問題を解決する事が困難であっ
た。 （１）正孔および光増倍電子のバランスを取るために、
どちらかの注入効率を犠牲にする必要があり、光−光変
換効率自体が改善できない。 （２）バランスを取るための注入障壁をバンド構造で決
める必要があるために、材料の選択が必要である。 （３）バンド構造によっては各種発光材料の選択が難し
く、発光色が限定される。 （４）バンド構造によっては各種光電材料の選択が難し
く、照射光（分光感度幅）が限定される。However, it is difficult for the above-mentioned conventional light-light conversion element 21 to solve the following problems. (1) To balance holes and photomultiplied electrons,
Either injection efficiency must be sacrificed, and the light-light conversion efficiency itself cannot be improved. (2) Since it is necessary to determine the injection barrier for achieving the balance by the band structure, it is necessary to select a material. (3) Depending on the band structure, it is difficult to select various luminescent materials, and the luminescent color is limited. (4) Depending on the band structure, it is difficult to select various photoelectric materials, and the irradiation light (spectral sensitivity width) is limited.
【００１１】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、発光材料や光電材料の材料選択の自
由度が増し、光−光変換効率の向上を図ることができる
光−光変換素子を提供することを目的としている。In view of the above, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and the light-to-light conversion efficiency of light-to-light conversion can be improved by increasing the degree of freedom in selecting a light emitting material and a photoelectric material. It is intended to provide a conversion element.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、少なくとも光照射側が透光性を
示す電極からなる一対の電極間に、光電効果を示す有機
光電材料層と、発光層を含む有機エレクトロスミネッセ
ンス層とが挟まれた構造の光−光変換素子において、前
記有機光電材料層と前記有機エレクトロスミネッセンス
層との間にキャリアー選択性のあるバッファー層を設け
たことを特徴とする。In order to achieve the above object, the invention of claim 1 is to provide an organic photoelectric material layer having a photoelectric effect between a pair of electrodes at least on the light irradiation side. In a light-to-light conversion element having a structure in which an organic electroluminescence layer including a light emitting layer is interposed, a buffer layer having carrier selectivity is provided between the organic photoelectric material layer and the organic electroluminescence layer. It is characterized by the following.
【００１３】請求項２の発明は、透光性を有する第１電
極と、前記第１電極に対向して設けられた光が照射され
る側の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間
で前記第１電極側に設けられた発光層を含む有機エレク
トロスミネッセンス層と、前記第１電極と前記第２電極
との間で前記第２電極側に設けられた光電効果を示す有
機光電材料層と、前記有機エレクトロスミネッセンス層
と前記有機光電材料層との間に介在して設けられたキャ
リアー選択性のあるバッファー層と、前記第１電極に＋
電圧を印加し、前記第２電極に−電圧を印加する駆動電
源とを備えたことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a first electrode having a light-transmitting property, a second electrode provided on the side facing the first electrode to be irradiated with light, the first electrode and the first electrode. An organic electroluminescent layer including a light emitting layer provided on the first electrode side between the two electrodes; and a photoelectric effect provided on the second electrode side between the first electrode and the second electrode. An organic photoelectric material layer, a buffer layer having carrier selectivity interposed between the organic electroluminescent layer and the organic photoelectric material layer, and +
A driving power supply for applying a voltage and applying a negative voltage to the second electrode.
【００１４】請求項３の発明は、ＩＴＯ電極と、前記Ｉ
ＴＯ電極に対向して設けられた光が照射される側のＡｕ
電極と、前記ＩＴＯ電極と前記Ａｕ電極との間で前記Ｉ
ＴＯ電極側に設けられた発光層を含む有機エレクトロス
ミネッセンス層と、前記ＩＴＯ電極と前記Ａｕ電極との
間で前記Ａｕ電極側に設けられたＮＴＣＤＡ層と、前記
有機エレクトロスミネッセンス層と前記ＮＴＣＤＡ層と
の間に介在して設けられたＴＡＺ層と、前記ＩＴＯ電極
に＋電圧を印加し、前記Ａｕ電極に−電圧を印加する駆
動電源とを備えたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided an image forming apparatus, comprising: an ITO electrode;
Au on the side irradiated with light provided opposite to the TO electrode
Electrode, and the I electrode between the ITO electrode and the Au electrode.
An organic electroluminescent layer including a light emitting layer provided on the TO electrode side; an NTCDA layer provided on the Au electrode side between the ITO electrode and the Au electrode; an organic electroluminescent layer and the NTCDA provided on the Au electrode side A TAZ layer provided between the TAZ layer and a driving power supply for applying a + voltage to the ITO electrode and applying a-voltage to the Au electrode.
【００１５】請求項４の発明は、請求項１の光−光変換
素子において、前記有機光電材料層は、感度波長域が選
択可能な複層からなることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the light-to-light conversion element of the first aspect, the organic photoelectric material layer comprises a plurality of layers in which a sensitivity wavelength range can be selected.
【００１６】請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれ
かの光−光変換素子において、前記有機エレクトロスミ
ネッセンス層は、前記ＩＴＯ電極側からｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａ層、α−ＮＰＤ層、Ａｌｑ3 層の順に積層された構成
からなることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the light-to-light conversion device according to any one of the first to fourth aspects, the organic electroluminescent layer is formed by m-MTDAT from the ITO electrode side.
It is characterized by having a configuration in which an A layer, an α-NPD layer, and an Alq 3 layer are stacked in this order.
【００１７】請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれ
かの光−光変換素子において、前記バッファー層がＴＡ
Ｚ又はＢＣＰからなることを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the light-to-light conversion device according to any one of the first to fifth aspects, the buffer layer is made of TA.
Z or BCP.
【００１８】請求項７の発明は、請求項３の光−光変換
素子において、前記ＩＴＯ電極を設けるための透光性の
基板を有し、前記ＩＴＯ電極と前記ｍ−ＭＴＤＡＴＡ層
と前記α−ＮＰＤ層と前記Ａｌｑ3 層と前記バッファー
層と前記ＮＴＣＤＡ層と前記Ａｕ電極を封止する外囲器
を備えたことを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the light-to-light conversion element of the third aspect, there is provided a light-transmitting substrate for providing the ITO electrode, wherein the ITO electrode, the m-MTDATA layer, and the α- An envelope for sealing the NPD layer, the Alq 3 layer, the buffer layer, the NTCDA layer, and the Au electrode is provided.
【００１９】請求項８の発明は、請求項７の光−光変換
素子において、前記外囲器の内部がドライ雰囲気に置換
されていることを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the light-to-light conversion element of the seventh aspect, the inside of the envelope is replaced with a dry atmosphere.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】図１は本発明による光−光変換素
子の一例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an example of a light-to-light conversion device according to the present invention.
【００２１】本発明による光−光変換素子１は、光電子
増倍率及び発光効率の良い物同士をバッファー層を介在
させて組み合わせることにより光−光変換を可能とし、
最終的に光−光変換効率を上げる事を可能とする物であ
る。The light-to-light conversion device 1 according to the present invention enables light-to-light conversion by combining materials having good photomultiplier and light emission efficiency with a buffer layer interposed therebetween.
Finally, the light-to-light conversion efficiency can be increased.
【００２２】以下、図１に基いて具体的に本例の光−光
変換素子の構造を説明する。Hereinafter, the structure of the light-to-light conversion element of the present embodiment will be specifically described with reference to FIG.
【００２３】図１に示す光−光変換素子１は、絶縁性及
び透明性を有するガラス基板からなる素子基板２を基部
としている。この素子基板２の内面には、第１電極とし
てのＩＴＯ膜からなるＩＴＯ電極３が所定パターン形状
に形成されている。このＩＴＯ電極３の上には、有機化
合物材料からなる発光層を含む有機エレクトロルミネッ
センス層（以下、有機ＥＬ層と略称する）４が積層形成
されている。The light-to-light conversion element 1 shown in FIG. 1 is based on an element substrate 2 made of a glass substrate having insulation and transparency. On the inner surface of the element substrate 2, an ITO electrode 3 made of an ITO film as a first electrode is formed in a predetermined pattern. On the ITO electrode 3, an organic electroluminescence layer (hereinafter abbreviated as an organic EL layer) 4 including a light emitting layer made of an organic compound material is formed in a laminated manner.
【００２４】図１に示す有機ＥＬ層４は、ＩＴＯ電極３
の上に形成された厚さ４０ｎｍの正孔注入層としてのｍ
−ＭＴＤＡＴＡ層４ａと、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ層４ａの上
に形成された厚さ１０ｎｍの正孔輸送層としてのα−Ｎ
ＰＤ層４ｂと、α−ＮＰＤ層４ｂの上に形成された厚さ
５０ｎｍの発光層（兼電子輸送層）としてのＡｌｑ3層
４ｃとの３層構造からなる。The organic EL layer 4 shown in FIG.
As a hole injection layer having a thickness of 40 nm formed on
An MTDATA layer 4a and α-N as a 10-nm thick hole transport layer formed on the m-MTDATA layer 4a.
It has a three-layer structure of a PD layer 4b and an Alq 3 layer 4c as a light-emitting layer (also serving as an electron transport layer) having a thickness of 50 nm formed on the α-NPD layer 4b.
【００２５】なお、図１に示した３層構造の有機ＥＬ層
４は、有機ＥＬで一般的に使用されている材料である
が、この３層構造に限定されるものではない。有機ＥＬ
層４としては、発光層と電荷輸送層（正孔輸送層、正孔
注入・輸送層、電子注入層、電子注入・輸送層等）との
組合せ、例えば発光層１層のみ、発光層と正孔輸送層の
２層、発光層と電子注入層の２層、正孔輸送層と発光層
と電子注入層の３層等で構成することができる。The organic EL layer 4 having a three-layer structure shown in FIG. 1 is a material generally used for an organic EL, but is not limited to this three-layer structure. Organic EL
As the layer 4, a combination of a light emitting layer and a charge transport layer (a hole transport layer, a hole injection / transport layer, an electron injection layer, an electron injection / transport layer, etc.), for example, only one light emitting layer, It can be composed of two layers of a hole transport layer, two layers of a light emitting layer and an electron injection layer, three layers of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron injection layer, and the like.
【００２６】有機ＥＬ層４におけるＡｌｑ3 層４ｃの上
には、バッファー層として、図２に示す構造式からなる
厚さ１５ｎｍの薄膜によるＴＡＺ（トリアゾール）層５
が形成されている。このＴＡＺ層５は、キャリアー選択
性（ホールブロッキング性、電子輸送性）があり、有機
ＥＬ層４の発光層（Ａｌｑ3 層４ｃ）よりも励起エネル
ギー準位が高いものである。ＴＡＺ層５の上には、光電
効果を示す有機光電材料層（光電子増倍層）として、図
４の構造式で示す厚さ５００ｎｍのＮＴＣＤＡ（ナフタ
レンテトラカルボン酸）層６が形成されている。On the Alq 3 layer 4c in the organic EL layer 4, as a buffer layer, a TAZ (triazole) layer 5 of a thin film having a thickness of 15 nm and having a structural formula shown in FIG.
Are formed. The TAZ layer 5 has carrier selectivity (hole blocking property, electron transport property) and has a higher excitation energy level than the light emitting layer (Alq 3 layer 4c) of the organic EL layer 4. On the TAZ layer 5, an NTCDA (naphthalenetetracarboxylic acid) layer 6 having a thickness of 500 nm represented by the structural formula in FIG. 4 is formed as an organic photoelectric material layer (photomultiplier layer) exhibiting a photoelectric effect.
【００２７】ＮＴＣＤＡ層６の上には、第２電極として
の金属からなる透光性電極７が形成されている。本例に
おける透光性電極７は、ＮＴＣＤＡ層６の上に厚さ２０
ｎｍのＡｕ薄膜で形成されたＡｕ電極からなる。なお、
有機ＥＬ層４（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ層４ａ、α−ＮＰＤ層
４ｂ、Ａｌｑ3 層４ｃ）、バッファー層としてのＴＡＺ
層５、光電効果を示すＮＴＣＤＡ層６、透光性電極とし
てのＡｕ電極７は、蒸着装置内で抵抗加熱により大気中
に曝すことなくＩＴＯ膜付きの素子基板２の上に順次成
膜される。On the NTCDA layer 6, a light-transmitting electrode 7 made of metal is formed as a second electrode. The translucent electrode 7 in this example has a thickness of 20 nm on the NTCDA layer 6.
It consists of an Au electrode formed of an Au thin film of nm. In addition,
Organic EL layer 4 (m-MTDATA layer 4a, α-NPD layer 4b, Alq 3 layer 4c), TAZ as buffer layer
The layer 5, the NTCDA layer 6 exhibiting a photoelectric effect, and the Au electrode 7 as a light-transmitting electrode are sequentially formed on the element substrate 2 with the ITO film without being exposed to the atmosphere by resistance heating in a vapor deposition apparatus. .
【００２８】図１に示すように、ＩＴＯ電極３が形成さ
れた素子基板２と、Ａｕ電極７の近傍に配置された透光
性を有する封止部材（例えばガラス基板）８との間が封
着材９で封止され、パネル状の外囲器１０を構成してい
る。具体的には、封止部材８の外周縁部分に紫外線硬化
樹脂を塗布し、ドライエアーで置換したグローボックス
内で大気に曝すことなく、封止部材８を素子基板２に張
り付け、紫外線で紫外線硬化樹脂を硬化固定する。な
お、外囲器１０の内部は、ドライ雰囲気が保たれていれ
ばよく、ドライエアーに限らず、ドライ窒素の他、高真
空状態に置換してもよい。As shown in FIG. 1, a gap is formed between the element substrate 2 on which the ITO electrode 3 is formed and a light-transmitting sealing member (for example, a glass substrate) 8 disposed near the Au electrode 7. The panel is sealed with the adhesive material 9 to form a panel-shaped envelope 10. Specifically, an ultraviolet curable resin is applied to the outer peripheral edge portion of the sealing member 8, and the sealing member 8 is attached to the element substrate 2 without being exposed to the atmosphere in a glow box replaced with dry air. The cured resin is cured and fixed. Note that the inside of the envelope 10 only needs to maintain a dry atmosphere, and is not limited to dry air, and may be replaced with a high vacuum state other than dry nitrogen.
【００２９】Ａｕ電極７の一部は、同一材料により一体
形成された所定パターンの配線を介して素子基板２の端
部に引き出されており、駆動電源１１の−極に接続され
ている。同様に、ＩＴＯ電極３の一部も、同一材料によ
り一体形成された所定パターンの配線を介して素子基板
２の端部に引き出されており、駆動電源１１の＋極に接
続されている。そして、これら一対の電極（ＩＴＯ電極
３、Ａｕ電極７）間には所定の電圧が印加されるように
なっている。A part of the Au electrode 7 is led out to the end of the element substrate 2 through a wiring of a predetermined pattern integrally formed of the same material, and is connected to the negative pole of the driving power supply 11. Similarly, a part of the ITO electrode 3 is also drawn out to the end of the element substrate 2 via a wiring of a predetermined pattern integrally formed of the same material, and is connected to the positive pole of the driving power supply 11. A predetermined voltage is applied between the pair of electrodes (the ITO electrode 3 and the Au electrode 7).
【００３０】ここで、上記光−光変換素子１において、
ＩＴＯ電極３側をプラスに電圧印加し、波長４００ｎ
ｍ、照度８μＷ／ｃｍ2 の単色光をＡｕ電極７側に照射
した時の室温における光電流と、その時のＡｌｑ3 層で
の発光照度（波長５２０ｎｍ）をそれぞれの印加電圧に
対して測定し、素子が破壊せずに機能するまでの印加電
圧に対する光電子増倍率、光−光増倍率を算出した。Here, in the light-light conversion element 1,
A positive voltage is applied to the ITO electrode 3 side, and a wavelength of 400 n
m, the photocurrent at room temperature when monochromatic light having an illuminance of 8 μW / cm 2 was irradiated on the Au electrode 7 side, and the emission illuminance (wavelength 520 nm) of the Alq 3 layer at that time was measured for each applied voltage. The photomultiplier and the photo-photomultiplier were calculated with respect to the applied voltage until the element functions without breaking.
【００３１】その結果、本例の光−光変換素子１によれ
ば、印加電圧２５Ｖにおいて、光電子増倍率１７００
倍、光−光増倍率１０倍を記録し、図３に示す従来の光
−光変換素子と比較して３倍程度高い光−光増倍率を得
ることができ、光−光変換効率が改善された。As a result, according to the light-to-light conversion element 1 of the present embodiment, the photoelectron multiplication factor of 1700 at an applied voltage of 25 V
And a light-to-light multiplication factor of 10 times, and a light-to-light multiplication factor about three times higher than that of the conventional light-to-light conversion element shown in FIG. 3 can be obtained, and light-to-light conversion efficiency is improved. Was done.
【００３２】なお、参考のため、図１の光−光変換素子
１において、バッファー層としてのＴＡＺ層５を除いた
構成、すなわちＩＴＯ電極３、有機ＥＬ層４、有機光電
材料層（ＮＴＣＤＡ層）６、Ａｕ電極７を素子基板２上
に積層し、ＩＴＯ電極３側をプラスに電圧印加し、波長
４００ｎｍ、照度８μＷ／ｃｍ2 の単色光をＡｕ電極７
側に照射した場合では、素子に電流は流れるものの、発
光を示さないという結果が得られた。For reference, in the light-to-light conversion element 1 of FIG. 1, the structure except for the TAZ layer 5 as a buffer layer, ie, the ITO electrode 3, the organic EL layer 4, and the organic photoelectric material layer (NTCDA layer) 6. The Au electrode 7 is laminated on the element substrate 2, a voltage is applied to the ITO electrode 3 side positively, and monochromatic light having a wavelength of 400 nm and an illuminance of 8 μW / cm 2 is applied to the Au electrode 7.
When the light was irradiated to the side, the current flowed through the device, but no light emission was obtained.
【００３３】このように、本実施の形態の光−光変換素
子１による光−光変換効率の改善は、有機ＥＬ層４にお
けるＡｌｑ3 層４ｃと、有機光電材料層６（ＮＴＣＤＡ
層）との間にキャリアー選択性（ホールブロック性、電
子輸送性）のあるＴＡＺ層５をバッファー層として積層
し、Ａｕ電極７側をマイナス印加することによって得ら
れる。As described above, the improvement of the light-to-light conversion efficiency by the light-to-light conversion element 1 of the present embodiment is achieved by the Alq 3 layer 4c in the organic EL layer 4 and the organic photoelectric material layer 6 (NTCDA).
This layer can be obtained by laminating a TAZ layer 5 having carrier selectivity (hole blocking property, electron transporting property) as a buffer layer between the layer and the Au electrode 7 side.
【００３４】ここで、光電子増倍層をなす有機光電材料
層（ＮＴＣＤＡ層）６は単独で十万を超える増倍率を示
す基本構成であり、上記有機ＥＬ層４における各層（正
孔注入層、正孔輸送層及び発光層）は有機ＥＬで一般的
に使われている高効率の構成である。Here, the organic photoelectric material layer (NTCDA layer) 6 serving as the photomultiplier layer has a basic structure showing a multiplication factor exceeding 100,000 by itself, and each layer (the hole injection layer, The hole transport layer and the light emitting layer) have a high efficiency configuration generally used in organic EL.
【００３５】そして、上記光−光変換素子１のメカニズ
ムは以下の説明の通りである。The mechanism of the light-light conversion element 1 is as described below.
【００３６】（正孔注入）…正孔はＩＴＯ電極３より注
入されるが、その際、ホールに対してエネルギー障壁を
殆ど無くすためのバンド構造をとっている。これによ
り、正孔は有機ＥＬ層４の発光層４ｃまで効率よく輸送
され、ＴＡＺ層５にてブロッキングされる。(Hole Injection): Holes are injected from the ITO electrode 3. At this time, the holes have a band structure for almost eliminating an energy barrier against holes. As a result, holes are efficiently transported to the light emitting layer 4c of the organic EL layer 4 and blocked by the TAZ layer 5.
【００３７】（光電子増倍による電子注入）…ＴＡＺ層
５にてホールがブロッキングされる事により光電子増倍
層をなすＮＴＣＤＡ層６には電界がかかる。そして、光
照射（波長４００ｎｍ）によりＮＴＣＤＡ層６内で光キ
ャリアー（ホール）を生成する。この光キャリアーは、
効率よくＡｕ電極７の界面にトラップされ、Ａｕ電極７
の界面には電界集中が形成される。そして、Ａｕ電極７
より光電子増倍による電子がトンネル注入され、ＮＴＣ
ＤＡ層６、ＴＡＺ層５を介して有機ＥＬ層４の発光層
（Ａｌｑ3 層４ｃ）へ輸送される。(Electron injection by photomultiplier) An electric field is applied to the NTCDA layer 6 forming the photomultiplier by blocking holes in the TAZ layer 5. Then, light carriers (holes) are generated in the NTCDA layer 6 by light irradiation (wavelength 400 nm). This optical carrier is
Efficiently trapped at the interface of the Au electrode 7, the Au electrode 7
An electric field concentration is formed at the interface of. And the Au electrode 7
Tunnel injection of electrons by photoelectron multiplication and NTC
The light is transported to the light emitting layer (Alq 3 layer 4c) of the organic EL layer 4 via the DA layer 6 and the TAZ layer 5.
【００３８】（再結合・発光）…ＴＡＺ層５と有機ＥＬ
層４の発光層（Ａｌｑ3 層４ｃ）の界面でホールと電子
の再結合によって励起子が発生し、ＴＡＺ層５より励起
エネルギー準位の低い発光層（Ａｌｑ3 層４ｃ）が発生
した励起子によって励起され発光する。(Recombination / light emission): TAZ layer 5 and organic EL
Emitting layer of the layer 4 excitons generated by recombination of holes and electrons at the interface of (Alq 3 layer 4c), exciton low luminous layer of the excitation energy level than the TAZ layer 5 (Alq 3 layer 4c) occurs It is excited by and emits light.
【００３９】以上の事から次のような改善効果が得られ
る。 （１）光電子増倍率・発光効率の良い層同士の組み合わ
せにより光−光変換が可能となり、最終的に光−光変換
効率が向上する。本実施の形態の素子では、従来素子に
対し３倍程度の効率改善が図られた。 （２）ＴＡＺ層５にて強制的にホールブロッキングする
ためバンド構造による材料選択自由度が増す。 （３）各種発光材料に対し光−光変換の可能性が広が
る。 （４）各種光電材料に対し光−光変換の可能性が広が
り、照射光域（分光感度幅）が広がる。From the above, the following improvement effects can be obtained. (1) Light-to-light conversion can be performed by combining layers having good photomultiplier and light emission efficiency, and the light-to-light conversion efficiency is finally improved. In the device of the present embodiment, the efficiency was improved about three times as compared with the conventional device. (2) Since the hole blocking is forcibly performed in the TAZ layer 5, the degree of freedom of material selection by the band structure is increased. (3) The possibility of light-to-light conversion is expanded for various light emitting materials. (4) The possibility of light-to-light conversion is widened for various photoelectric materials, and the irradiation light range (spectral sensitivity width) is widened.
【００４０】ところで、上記実施の形態では、バッファ
ー層としてＴＡＺ層５を用いた構成について説明した
が、バッファー層はキャリアー選択性（ホールブロック
性、電子輸送性）のある層であればよい。例えばＢＣＰ
等の層をバッファー層としても同様の効果が得られる。In the above embodiment, the configuration using the TAZ layer 5 as the buffer layer has been described, but the buffer layer may be any layer having carrier selectivity (hole blocking property, electron transport property). For example, BCP
The same effect can be obtained by using such a layer as a buffer layer.
【００４１】また、図１に示す光−光変換素子１におけ
る有機光電材料層６はＮＴＣＤＡ層１層のみの構成とし
たが、感度波長域が選択可能な複層で構成することもで
きる。例えば従来の光−光変換素子と同様に、Ｍｅ−Ｐ
ＴＣ層とＮＴＣＤＡ層の２層で構成することができる。Although the organic photoelectric material layer 6 in the light-to-light conversion element 1 shown in FIG. 1 has only one NTCDA layer, it may be formed of a plurality of layers whose sensitivity wavelength range can be selected. For example, like the conventional light-light conversion element, Me-P
It can be composed of two layers, a TC layer and an NTCDA layer.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
光−光変換素子は、一対の電極間に発光性を有する有機
ＥＬ層と、光電効果を示す有機光電材料層とを挟んだ構
造において、有機ＥＬ層と有機光電材料層との間にキャ
リアー選択性（ホールブロック性、電子輸送性）のある
バッファー層を介在させた構成とし、電圧印加時に注入
されるホールをバッファー層でブロッキングさせて有機
光電材料層に電界を生じさせている。そして、光照射時
には、有機光電材料層で生成された光キャリアー（ホー
ル）が効率良くバッファー層にてブロック（トラップ）
され、陰極電極との界面に集中する事により界面に高電
界が発生し、陰極電極から光電子増倍による電子がトン
ネル注入されて有機ＥＬ層に輸送され、バッファー層と
有機ＥＬ層との界面でホールと電子が再結合して励起子
が発生し、有機ＥＬ層の発光層が励起発光する。その結
果、本発明の光変換素子によれば、従来の光−光変換素
子よりも高い光−光増倍率を得ることができ、光−光変
換効率の向上を図ることができる。しかも、発光材料や
光電材料の材料選択の自由度を増すことができる。As is apparent from the above description, the light-to-light conversion element of the present invention has an organic EL layer having a light-emitting property and an organic photoelectric material layer having a photoelectric effect sandwiched between a pair of electrodes. In the structure, a buffer layer having carrier selectivity (hole blocking property, electron transporting property) is interposed between the organic EL layer and the organic photoelectric material layer, and holes injected when voltage is applied are blocked by the buffer layer. As a result, an electric field is generated in the organic photoelectric material layer. During light irradiation, photocarriers (holes) generated in the organic photoelectric material layer are efficiently blocked (trapped) by the buffer layer.
Then, a high electric field is generated at the interface by concentrating at the interface with the cathode electrode, and electrons due to photoelectron multiplication are tunnel-injected from the cathode electrode and transported to the organic EL layer, and at the interface between the buffer layer and the organic EL layer. The holes and electrons recombine to generate excitons, and the light emitting layer of the organic EL layer emits light by excitation. As a result, according to the light conversion device of the present invention, a higher light-light multiplication factor can be obtained than in the conventional light-light conversion device, and the light-light conversion efficiency can be improved. In addition, the degree of freedom in selecting the material of the light emitting material and the photoelectric material can be increased.
【図１】本発明による光−光変換素子の一例の断面図FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of a light-light conversion device according to the present invention.
【図２】本発明においてバッファー層を構成するＴＡＺ
の構造式を示す図FIG. 2 shows a TAZ constituting a buffer layer in the present invention.
Diagram showing the structural formula of
【図３】従来の光−光変換素子の一例の断面図FIG. 3 is a cross-sectional view of an example of a conventional light-light conversion element.
【図４】従来の光−光変換素子において有機光電材料層
に使用されているＮＴＣＤＡの構造式を示す図FIG. 4 is a view showing a structural formula of NTCDA used for an organic photoelectric material layer in a conventional light-light conversion element.
１…光−光変換素子、２…素子基板、３…ＩＴＯ電極
（第１電極）、４…有機ＥＬ層、５…ＴＡＺ層（バッフ
ァー層）、６…ＮＴＣＤＡ層（有機光電材料層）、７…
Ａｕ（第２電極）、８…封止部材、１０…外囲器、１１
…駆動電源。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-light conversion element, 2 ... Element substrate, 3 ... ITO electrode (1st electrode), 4 ... Organic EL layer, 5 ... TAZ layer (buffer layer), 6 ... NTCDA layer (organic photoelectric material layer), 7 …
Au (second electrode), 8: sealing member, 10: envelope, 11
... Drive power supply.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 哲 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 福田 辰男 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB03 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 5C094 AA60 BA27 DA07 DA11 DA13 EA05 EB02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tetsu Tanaka 629 Oshiba, Mobara-shi, Chiba Futaba Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Tatsuo Fukuda 629 Oshiba, Mobara-shi, Chiba Futaba Electronics Co., Ltd. Reference) 3K007 AB00 AB03 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 5C094 AA60 BA27 DA07 DA11 DA13 EA05 EB02
Claims (8)
からなる一対の電極間に、光電効果を示す有機光電材料
層と、発光層を含む有機エレクトロスミネッセンス層と
が挟まれた構造の光−光変換素子において、 前記有機光電材料層と前記有機エレクトロスミネッセン
ス層との間にキャリアー選択性のあるバッファー層を設
けたことを特徴とする光−光変換素子。1. A light having a structure in which an organic photoelectric material layer exhibiting a photoelectric effect and an organic electroluminescence layer including a light emitting layer are sandwiched between a pair of electrodes composed of electrodes exhibiting a light-transmitting property at least on a light irradiation side. -The light-light conversion element, wherein a buffer layer having carrier selectivity is provided between the organic photoelectric material layer and the organic electroluminescence layer.
第２電極と、 前記第１電極と前記第２電極との間で前記第１電極側に
設けられた発光層を含む有機エレクトロスミネッセンス
層と、 前記第１電極と前記第２電極との間で前記第２電極側に
設けられた光電効果を示す有機光電材料層と、 前記有機エレクトロスミネッセンス層と前記有機光電材
料層との間に介在して設けられたキャリアー選択性のあ
るバッファー層と、 前記第１電極に＋電圧を印加し、前記第２電極に−電圧
を印加する駆動電源とを備えたことを特徴とする光−光
変換素子。2. A first electrode having a light-transmitting property, a second electrode provided to face the first electrode and irradiated with light, and between the first electrode and the second electrode. An organic electroluminescent layer including a light emitting layer provided on the first electrode side; and an organic photoelectric material having a photoelectric effect provided on the second electrode side between the first electrode and the second electrode. A layer, a buffer layer having carrier selectivity provided between the organic electroluminescent layer and the organic photoelectric material layer, and applying a + voltage to the first electrode and applying a + voltage to the second electrode. A light-to-light conversion element comprising: a drive power supply for applying a voltage.
のＡｕ電極と、 前記ＩＴＯ電極と前記Ａｕ電極との間で前記ＩＴＯ電極
側に設けられた発光層を含む有機エレクトロスミネッセ
ンス層と、 前記ＩＴＯ電極と前記Ａｕ電極との間で前記Ａｕ電極側
に設けられたＮＴＣＤＡ層と、 前記有機エレクトロスミネッセンス層と前記ＮＴＣＤＡ
層との間に介在して設けられたＴＡＺ層と、 前記ＩＴＯ電極に＋電圧を印加し、前記Ａｕ電極に−電
圧を印加する駆動電源とを備えたことを特徴とする光−
光変換素子。3. An ITO electrode; an Au electrode provided to face the ITO electrode to which light is irradiated; and a light emission provided on the ITO electrode side between the ITO electrode and the Au electrode. An organic electroluminescent layer including a layer, an NTCDA layer provided between the ITO electrode and the Au electrode on the side of the Au electrode, an organic electroluminescent layer, and the NTCDA.
A TAZ layer interposed between the TAZ layer and a drive power supply for applying a + voltage to the ITO electrode and applying a-voltage to the Au electrode.
Light conversion element.
択可能な複層からなることを特徴とする請求項１記載の
光−光変換素子。4. The light-light conversion device according to claim 1, wherein the organic photoelectric material layer is composed of a plurality of layers in which a sensitivity wavelength range can be selected.
は、前記ＩＴＯ電極側からｍ−ＭＴＤＡＴＡ層、α−Ｎ
ＰＤ層、Ａｌｑ3 層の順に積層された構成からなること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光−光変
換素子。5. The organic electroluminescent layer comprises an m-MTDATA layer, an α-N
The light-light conversion device according to claim 1, wherein the light-light conversion device has a configuration in which a PD layer and an Alq 3 layer are stacked in this order.
らなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
の光−光変換素子。6. The light-light conversion device according to claim 1, wherein the buffer layer is made of TAZ or BCP.
基板を有し、前記ＩＴＯ電極と前記ｍ−ＭＴＤＡＴＡ層
と前記α−ＮＰＤ層と前記Ａｌｑ3 層と前記バッファー
層と前記ＮＴＣＤＡ層と前記Ａｕ電極を封止する外囲器
を備えたことを特徴とする請求項３記載の光−光変換素
子。7. A light-transmitting substrate for providing the ITO electrode, wherein the ITO electrode, the m-MTDATA layer, the α-NPD layer, the Alq 3 layer, the buffer layer, the NTCDA layer, The light-light conversion device according to claim 3, further comprising an envelope that seals the Au electrode.
されていることを特徴とする請求項７記載の光−光変換
素子。8. The light-light conversion device according to claim 7, wherein the inside of the envelope is replaced with a dry atmosphere.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180302A JP2001006876A (en) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | Light-light transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180302A JP2001006876A (en) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | Light-light transducer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001006876A true JP2001006876A (en) | 2001-01-12 |
Family
ID=16080840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11180302A Pending JP2001006876A (en) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | Light-light transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001006876A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014514730A (en) * | 2011-02-28 | 2014-06-19 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インク． | Photodetector with gain and up-conversion device (EC) |
| US9997571B2 (en) | 2010-05-24 | 2018-06-12 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275864A (en) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Light-to-light conversion element |
| JPH07220873A (en) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Organic electroluminescence element and manufacture thereof |
| JPH09212106A (en) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Casio Comput Co Ltd | Display device |
| JPH1079297A (en) * | 1996-07-09 | 1998-03-24 | Sony Corp | Electroluminescent element |
-
1999
- 1999-06-25 JP JP11180302A patent/JP2001006876A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275864A (en) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Light-to-light conversion element |
| JPH07220873A (en) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Organic electroluminescence element and manufacture thereof |
| JPH09212106A (en) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Casio Comput Co Ltd | Display device |
| JPH1079297A (en) * | 1996-07-09 | 1998-03-24 | Sony Corp | Electroluminescent element |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| US9997571B2 (en) | 2010-05-24 | 2018-06-12 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| JP2014514730A (en) * | 2011-02-28 | 2014-06-19 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インク． | Photodetector with gain and up-conversion device (EC) |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4068279B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP5639181B2 (en) | Organic light emitting device and light source device using the same | |
| JPH11149985A (en) | Organic electroluminescent device having inorganic electron transport layer | |
| CN107256927B (en) | Organic light emitting device and display apparatus | |
| US11837989B2 (en) | Integrated photovoltaic window and light source | |
| KR20060053917A (en) | Organic light emitting device | |
| JP2002352960A (en) | Thin-film electroluminescent device | |
| JP3904793B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| TW201006305A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JPH088065A (en) | Thin-film electroluminescent element | |
| JP3237905B2 (en) | Organic EL device | |
| WO2004082338A1 (en) | Organic electroluminescence device and organic electroluminescence display | |
| JP2004296219A (en) | Light emitting element | |
| JP2010263039A (en) | Lighting device | |
| JPH02216790A (en) | Electric field luminous element | |
| JP2000268968A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP2002175887A (en) | Organic el element | |
| JP2001006876A (en) | Light-light transducer | |
| JP2734441B2 (en) | Organic thin film EL device | |
| JPH03141588A (en) | Electroluminescent device | |
| JPH01313892A (en) | Image display device and manufacture thereof | |
| JP3152506B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP2008098582A (en) | Organic el device | |
| JP2001176667A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP4109979B2 (en) | Organic light emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060626 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090904 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100406 |