JP2001005001A - Alignment film for aligning liquid crystal and liquid crystal display element utilizing it - Google Patents

Alignment film for aligning liquid crystal and liquid crystal display element utilizing it

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JP2001005001A
JP2001005001A JP17200399A JP17200399A JP2001005001A JP 2001005001 A JP2001005001 A JP 2001005001A JP 17200399 A JP17200399 A JP 17200399A JP 17200399 A JP17200399 A JP 17200399A JP 2001005001 A JP2001005001 A JP 2001005001A
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JP
Japan
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liquid crystal
alignment
alignment film
crystal display
electrode substrates
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JP17200399A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazue Kojima
和重 小島
Yoshimasa Hijikata
啓暢 土方
Yukikazu Suzuki
幸和 鈴木
Hitoshi Hayashi
仁志 林
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antiferroelectric liquid crystal display element while maintaining alignment and low threshold voltage of the liquid crystal and suppressing generation of rubbing trash. SOLUTION: In a liquid crystal display element constructed by enclosing an antiferroelectric liquid crystal 50 between a pair of electrode substrates 10, 20 placed opposite to each other through alignment layers 12, 22, the alignment films 12, 22 contain a polymer selected from the group of imide polymers having structures obtainable from dehydration and ring closure of polyamic acid. The conversion rate to imide of the contained polymer is 40-80%. The film thickness is <=500 Å.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反強誘電性液晶を
用いた液晶表示素子(反強誘電性液晶表示素子)及びそ
のような液晶表示素子において液晶分子を配向させるた
めに用いられる配向膜に関する。
The present invention relates to a liquid crystal display device using an antiferroelectric liquid crystal (antiferroelectric liquid crystal display device) and an alignment film used for aligning liquid crystal molecules in such a liquid crystal display device. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、反強誘電性液晶表示素子は、透
明電極(透明導電膜)を備える基板の一面に配向膜が形
成された電極基板を一対用意し、これら一対の電極基板
を互いに配向膜にて対向するように配置し、両電極基板
間に反強誘電性液晶を封入してなる。ここで、反強誘電
性液晶は、配向膜の配向作用によって、両電極基板間に
て液晶分子が配向した状態となっており、両電極基板間
に或るしきい値以上の電圧を印加することにより、液晶
分子を駆動させるようになっている。
2. Description of the Related Art In general, an antiferroelectric liquid crystal display device has a pair of electrode substrates having an alignment film formed on one surface of a substrate having a transparent electrode (transparent conductive film), and aligns the pair of electrode substrates with each other. They are arranged so as to face each other with a film, and an antiferroelectric liquid crystal is sealed between both electrode substrates. Here, the antiferroelectric liquid crystal is in a state in which liquid crystal molecules are aligned between the two electrode substrates due to the alignment effect of the alignment film, and a voltage of a certain threshold or more is applied between the two electrode substrates. Thereby, the liquid crystal molecules are driven.

【0003】この反強誘電性液晶の配向性は、通常有機
高分子よりなる被膜の表面にラビング処理を施すことに
よって形成される配向膜により発現されるものである。
ここに、上記被膜を構成する有機高分子としては、ポリ
イミド、ポリアミド、ポリエステルなどの樹脂が知られ
ており、特にポリイミドは、耐熱性、液晶との親和性、
機械的強度などが優れているため、反強誘電性液晶表示
素子だけでなく、ネマチック液晶を用いた素子等、多く
の液晶表示素子に使用されている。
[0003] The orientation of the antiferroelectric liquid crystal is usually exhibited by an orientation film formed by rubbing the surface of a coating made of an organic polymer.
Here, as the organic polymer constituting the coating, resins such as polyimide, polyamide, and polyester are known. In particular, polyimide has heat resistance, affinity with liquid crystal,
Because of its excellent mechanical strength and the like, it is used not only in antiferroelectric liquid crystal display devices but also in many liquid crystal display devices such as devices using nematic liquid crystals.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
樹脂により構成される皮膜は、電極基板に対する密着性
及び強靱性を有するものではないため、該皮膜の表面に
ラビング処理を施すと、ラビング条件によっては、形成
される配向膜が電極基板から剥離し、かす(ラビングか
す)が多量に発生する。かかるラビングかすは、反強誘
電性液晶の配向性を低下させ、配向暗(配向暗輝度)を
悪化させるという問題を生じさせる。
However, since the film composed of the above resin does not have adhesion and toughness to the electrode substrate, if the surface of the film is subjected to a rubbing treatment, depending on the rubbing conditions. In the case of (1), the formed alignment film is peeled off from the electrode substrate, and a large amount of rubbing (rubbing residue) is generated. Such a rubbing residue causes a problem of lowering the orientation of the antiferroelectric liquid crystal and deteriorating the alignment darkness (alignment dark luminance).

【0005】また、従来より、対向配置された一対の電
極基板間に複数の樹脂製の隔壁を設け、これら隔壁によ
って両電極基板を支持しつつ両電極基板を所定間隔に設
定するようにしたものがある。このような基板間隔設定
用の隔壁を有した構成の場合、隔壁は両電極基板の配向
膜と接着して両電極基板を支持するのであるが、隔壁と
配向膜との間に上記のラビングかすが介在すると、隔壁
と配向膜の親和性が低下し、配向膜と隔壁との接着強度
が低下するという問題もある。
[0005] Conventionally, a plurality of resin partitions are provided between a pair of electrode substrates which are arranged to face each other, and both the electrode substrates are set at a predetermined interval while supporting the both electrode substrates by the partition walls. There is. In the case of the configuration having the partition for setting the substrate interval, the partition is bonded to the alignment films of the two electrode substrates to support the two electrode substrates, but the above rubbing residue is formed between the partition and the alignment film. The presence of such an interposition causes a problem that the affinity between the partition and the alignment film is reduced, and the adhesive strength between the alignment film and the partition is reduced.

【0006】また、反強誘電性液晶表示素子の場合は、
液晶を駆動させるためのしきい値電圧が例えば10V/
μm以上と高いのであるが、ドライバー回路(駆動回
路)のコスト削減及び省エネルギー化の観点から、駆動
電圧を16V/μm以下と低くするために、配向膜の膜
厚を例えば500オングストローム以下好ましくは30
0オングストローム以下にすることが必要となってい
る。そして、このように配向膜の膜厚を薄くした場合、
固い下地基板(電極基板)の影響を受けやすく、上記ラ
ビングかすが生成しやすい。
In the case of an antiferroelectric liquid crystal display device,
The threshold voltage for driving the liquid crystal is, for example, 10 V /
However, from the viewpoint of cost reduction and energy saving of the driver circuit (driving circuit), the thickness of the alignment film is set to, for example, 500 Å or less, preferably 30 Å or less, in order to reduce the driving voltage to 16 V / μm or less.
It is necessary to make it less than 0 angstroms. Then, when the thickness of the alignment film is reduced as described above,
It is easily affected by a hard base substrate (electrode substrate), and the rubbing residue is easily generated.

【0007】なお、本発明者等の検討によれば、反強誘
電性液晶表示素子に用いる配向膜の膜厚を厚く(例えば
1000オングストローム以上)して、下地基板の影響
を少なくし、ラビングかすの生成を減少させることも可
能であるが、上述したように、しきい値電圧が高くなっ
てしまうことに加え、輝度むらが発生するという短所も
ある。これは、膜厚が厚くなるに連れて、電極基板間の
間隔(セルギャップ)の制御が困難になるためであり、
例えば1〜2μmと狭いセルギャップを有する反強誘電
性液晶表示素子においては、セルギャップのむらが輝度
むらとして現れる。
According to the study by the present inventors, the thickness of the alignment film used in the antiferroelectric liquid crystal display element is increased (for example, 1000 Å or more) to reduce the influence of the underlying substrate and to reduce the rubbing residue. Can be reduced, but as described above, in addition to an increase in the threshold voltage, there are disadvantages in that uneven brightness occurs. This is because as the film thickness increases, it becomes more difficult to control the distance (cell gap) between the electrode substrates.
For example, in an antiferroelectric liquid crystal display device having a narrow cell gap of 1 to 2 μm, the uneven cell gap appears as uneven luminance.

【0008】ちなみに、TN(ツイストネマチック)液
晶素子及びTFT(薄膜トランジスタ)液晶素子等のネ
マチック液晶を用いた素子の場合には、液晶のしきい値
電圧が0.3V/μm程度と低いため、配向膜の膜厚を
700〜1000オングストロームにしても、駆動電圧
は0.6V/μm程度ですみ、通常は耐圧1V/μm程
度のドライバー回路が使用可能である。このように、ネ
マチック液晶を用いた液晶表示素子の場合には、膜厚の
厚い配向膜を使用することができるため、上記のラビン
グかすの問題は比較的小さかった。
In the case of devices using nematic liquid crystal such as a TN (twisted nematic) liquid crystal device and a TFT (thin film transistor) liquid crystal device, the threshold voltage of the liquid crystal is as low as about 0.3 V / μm. Even when the thickness of the film is set to 700 to 1000 angstroms, the driving voltage is only about 0.6 V / μm, and a driver circuit with a withstand voltage of about 1 V / μm can normally be used. As described above, in the case of a liquid crystal display element using a nematic liquid crystal, since the alignment film having a large thickness can be used, the problem of the rubbing residue is relatively small.

【0009】そこで上記問題に鑑み、本発明の第1の目
的は、液晶の配向性及び低しきい値電圧を確保しつつ、
ラビングかすの発生が抑制された反強誘電性液晶表示素
子、及び、そのような液晶表示素子に用いて好適な配向
膜を提供することにある。また、本発明の第2の目的
は、基板間隔設定用の隔壁を有する反強誘電性液晶表示
素子において、上記第1の目的を達成しつつ、ラビング
かすの発生を抑制することにより、該隔壁と配向膜との
接着を確保することにある。
[0009] In view of the above problems, a first object of the present invention is to provide a liquid crystal device having an alignment property and a low threshold voltage.
An object of the present invention is to provide an antiferroelectric liquid crystal display element in which the occurrence of rubbing residue is suppressed, and an alignment film suitable for use in such a liquid crystal display element. Further, a second object of the present invention is to provide an antiferroelectric liquid crystal display device having a partition for setting a distance between substrates by suppressing the occurrence of rubbing residue while achieving the first object. To ensure the adhesion between the film and the alignment film.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、低しきい
値電圧を確保するために、配向膜の膜厚を500オング
ストローム以下とし、この膜厚条件において、上記ラビ
ングかすの発生しにくい配向膜材料を得るべく、種々の
配向膜材料について実験検討を行った。請求項1以下の
発明は、この検討結果に基づいて成されたものである。
In order to secure a low threshold voltage, the present inventors have set the thickness of the alignment film to 500 angstroms or less, and the rubbing residue is less likely to occur under this film thickness condition. In order to obtain an alignment film material, experimental studies were conducted on various alignment film materials. The inventions set forth in claims 1 and 2 have been made based on the results of this study.

【0011】即ち、請求項1記載の発明では、互いに配
向膜(12、22)にて対向するように配置された一対
の電極基板(10、20)間に反強誘電性液晶(50)
を封入してなる液晶表示素子において、該配向膜を、ポ
リアミック酸を脱水閉環して得られる構造を有するイミ
ド化重合体よりなる群から選択された重合体を含有する
ものであって、含有された重合体のイミド化率が40〜
80%であり、膜厚が500オングストローム以下であ
るものとしたことを特徴としている。
That is, according to the first aspect of the present invention, the antiferroelectric liquid crystal (50) is disposed between a pair of electrode substrates (10, 20) disposed so as to face each other with the alignment films (12, 22).
In the liquid crystal display element encapsulating, the alignment film contains a polymer selected from the group consisting of an imidized polymer having a structure obtained by dehydration and ring closure of polyamic acid. Imidation rate of the polymer is 40 to
80% and a film thickness of 500 Å or less.

【0012】本発明のように、反強誘電性液晶表示素子
における配向膜において、膜厚を500オングストロー
ム以下とすることにより、低しきい値を確保できる。ま
た、この配向膜に含有された重合体のイミド化率が40
〜80%であることにより、反強誘電性液晶の配向が良
好に維持され、ラビングかすの発生を抑制できる。
As in the present invention, by setting the thickness of the alignment film in the antiferroelectric liquid crystal display device to 500 Å or less, a low threshold value can be secured. Further, the imidation ratio of the polymer contained in the alignment film is 40%.
By setting the content to 80%, the orientation of the antiferroelectric liquid crystal is favorably maintained, and the occurrence of rubbing residue can be suppressed.

【0013】ちなみに、本発明者等の実験検討によれ
ば、該イミド化率が40%未満の場合、ラビングかすの
発生を抑制できるものの配向膜自体の配向力が弱く、十
分な液晶の配向性が得られなかった。また、該イミド化
率が80%よりも大きい場合、ラビングかすが多量に発
生し、それによって、十分な液晶の配向性が得られなか
った。このように、本発明によれば、液晶の配向性及び
低しきい値電圧を確保しつつ、ラビングかすの発生が抑
制された反強誘電性液晶表示素子を提供することができ
る。
According to experiments by the present inventors, when the imidization ratio is less than 40%, the generation of rubbing residue can be suppressed, but the alignment force of the alignment film itself is weak, and the alignment of the liquid crystal is sufficient. Was not obtained. On the other hand, when the imidation ratio was higher than 80%, a large amount of rubbing residue was generated, and as a result, sufficient orientation of the liquid crystal could not be obtained. As described above, according to the present invention, it is possible to provide an antiferroelectric liquid crystal display element in which the occurrence of rubbing residue is suppressed while ensuring the orientation and low threshold voltage of the liquid crystal.

【0014】また、請求項2記載の発明では、請求項1
記載の液晶表示素子において、一対の電極基板(10、
20)間に、これら両電極基板を支持しつつこれら両電
極基板を所定間隔に設定する樹脂製の隔壁(40)を設
け、この隔壁を配向膜(12、22)に接着させたこと
を特徴としている。本発明によれば、請求項1の液晶表
示素子と同様の作用効果が得られるとともに、ラビング
かすの発生が抑制されるため、隔壁と配向膜との接着を
確保することができる。即ち、上記第2の目的を達成で
きる。
[0014] According to the second aspect of the present invention, the first aspect is provided.
In the liquid crystal display device described in the above, a pair of electrode substrates (10,
20) Between the two electrode substrates, a resin partition (40) for setting the two electrode substrates at a predetermined interval while supporting the two electrode substrates is provided, and the partition is bonded to the alignment films (12, 22). And According to the present invention, the same function and effect as those of the liquid crystal display element of the first aspect are obtained, and the occurrence of rubbing residue is suppressed, so that the adhesion between the partition and the alignment film can be ensured. That is, the second object can be achieved.

【0015】また、請求項3記載の発明では、反強誘電
性液晶を配向させるためにラビング処理される液晶配向
用の配向膜であって、ポリアミック酸を脱水閉環して得
られる構造を有するイミド化重合体よりなる群から選択
された重合体を含有してなり、さらに、含有された重合
体のイミド化率が40〜80%、膜厚が500オングス
トローム以下であることを特徴としている。本発明の配
向膜を反強誘電性液晶表示素子に用いれば、液晶の配向
性及び低しきい値電圧を確保しつつ、ラビングかすの発
生が抑制された反強誘電性液晶表示素子を好適に実現で
きる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an alignment film for liquid crystal alignment which is subjected to a rubbing treatment for aligning an antiferroelectric liquid crystal, the imide having a structure obtained by dehydrating and closing a polyamic acid. A polymer selected from the group consisting of a polymerized polymer, and the imidization ratio of the polymer contained is 40 to 80%, and the film thickness is 500 angstroms or less. When the alignment film of the present invention is used for an antiferroelectric liquid crystal display device, an antiferroelectric liquid crystal display device in which the occurrence of rubbing residue is suppressed while securing the alignment of the liquid crystal and a low threshold voltage is preferable. realizable.

【0016】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
The reference numerals in parentheses of the above means indicate the correspondence with specific means described in the embodiments described later.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図1は、本発明を適用した反強誘電
性液晶表示素子(液晶セル)を示している。この液晶表
示素子は、一対の電極基板10、20を備えている。こ
れら両電極基板10、20は、環状シール30及び隔壁
40を介し互いに重ね合わされており、当該両電極基板
10、20の間には、反強誘電液晶50が、シール30
を介し封入されている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows an antiferroelectric liquid crystal display device (liquid crystal cell) to which the present invention is applied. This liquid crystal display device includes a pair of electrode substrates 10 and 20. These two electrode substrates 10 and 20 are overlapped with each other via an annular seal 30 and a partition 40, and an antiferroelectric liquid crystal 50 is provided between the two electrode substrates 10 and 20.
It is enclosed through.

【0018】ここで、電極基板10は、ガラス基板の内
表面に複数条の透明電極11を介し、シール30の内周
側にて、配向膜12を設けて構成されている。一方、電
極基板20は、ガラス基板の内表面に複数条の透明電極
(上記複数条の透明電極と共にマトリクス状画素を構成
する)21を介し、シール30の内周側にて、配向膜2
2を設けて構成されている。
Here, the electrode substrate 10 is configured such that an alignment film 12 is provided on the inner surface of a seal 30 via a plurality of transparent electrodes 11 on the inner surface of a glass substrate. On the other hand, the electrode substrate 20 has a plurality of transparent electrodes (which constitute a matrix pixel together with the plurality of transparent electrodes) 21 on the inner surface of the glass substrate, and the alignment film 2
2 is provided.

【0019】ここで、透明電極11、21は例えばIT
O(インジウムチンオキサイド)等よりなり、上記ガラ
ス基板の内表面に蒸着やスパッタ等によりパターニング
形成される。また、配向膜12、22は、透明電極1
1、21が形成されたガラス基板の内表面に、以下の一
般的な化学式1に示すポリアミック酸を含む溶液を、ス
ピンコートや印刷等にて塗布した後、加熱してポリアミ
ック酸を脱水閉環させ重合させることで硬化したポリイ
ミドよりなる被膜を得、続いて、このポリイミド被膜に
対し樹脂布(ナイロン布等)等でラビング処理を施すこ
とによって、形成される。
Here, the transparent electrodes 11 and 21 are made of, for example, IT
It is made of O (indium tin oxide) or the like, and is patterned on the inner surface of the glass substrate by vapor deposition, sputtering, or the like. The alignment films 12 and 22 are formed on the transparent electrode 1.
A solution containing a polyamic acid represented by the following general chemical formula 1 is applied to the inner surface of the glass substrate on which the substrates 1 and 21 are formed by spin coating or printing, and then heated to dehydrate and close the polyamic acid. A film made of polyimide cured by polymerization is obtained, and then the polyimide film is formed by rubbing with a resin cloth (nylon cloth or the like) or the like.

【0020】[0020]

【化1】 Embedded image

【0021】ここで、上記化学式1中、R1はテトラカ
ルボン酸或いはその誘導体を構成する4価の有機基であ
り、R2はジアミンを構成する2価の有機基、R3は水
素原子または炭素数1〜4のアルキル基を表わし、mは
正の整数であり、R1及びR2の少なくとも一方は脂環
式構造を含む。
Here, in the above chemical formula 1, R1 is a tetravalent organic group forming a tetracarboxylic acid or a derivative thereof, R2 is a divalent organic group forming a diamine, and R3 is a hydrogen atom or a carbon atom having 1 carbon atom. And m represents a positive integer, and at least one of R1 and R2 contains an alicyclic structure.

【0022】出来上がった配向膜12、22は、ポリア
ミック酸を脱水閉環して得られる構造を有するイミド化
重合体よりなる群から選択された重合体を含有するもの
であって、含有された重合体のイミド化率が40〜80
%であり、膜厚が500オングストローム以下としてい
る。
The resulting alignment films 12 and 22 contain a polymer selected from the group consisting of an imidized polymer having a structure obtained by dehydration and ring closure of a polyamic acid. Imidation ratio of 40 to 80
%, And the film thickness is 500 Å or less.

【0023】上記化学式1で表されるポリアミック酸
(ポリイミド前駆体樹脂)の種類としては特に限定され
るものではなく、テトラカルボン酸二無水物或いはその
誘導体とジアミンとを極性溶媒中で反応、重合させるこ
とによって得ることができる。このポリイミド前駆体の
合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特
に限定されるものではないが、その具体例としては以下
のようなものを挙げることができる。
The type of the polyamic acid (polyimide precursor resin) represented by the above formula 1 is not particularly limited, and the reaction and polymerization of tetracarboxylic dianhydride or its derivative and diamine in a polar solvent are carried out. Can be obtained. The tetracarboxylic dianhydride used in the synthesis of the polyimide precursor is not particularly limited, but specific examples thereof include the following.

【0024】ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸及びナフタレン
テトラカルボン酸等の芳香族テトラカルボン酸及びこれ
らの二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン
化物、シクロブタンテトラカルボン酸、シクロペンタン
テトラカルボン酸及びシクロヘキサンテトラカルボン酸
等の脂環式テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並び
にこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物、ブタンテト
ラカルボン酸等の脂肪族テトラカルボン酸及びこれらの
二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物
等が挙げられる。これらのテトラカルボン酸或いはその
誘導体は1種であっても2種以上混合して使用しても良
い。
Aromatic tetracarboxylic acids such as pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid and naphthalenetetracarboxylic acid and their dianhydrides, dicarboxylic acid diacid halides, cyclobutanetetracarboxylic acid, cyclobutane Alicyclic tetracarboxylic acids such as pentanetetracarboxylic acid and cyclohexanetetracarboxylic acid and dianhydrides thereof, dicarboxylic acid diacid halides thereof, and aliphatic tetracarboxylic acids such as butanetetracarboxylic acid and dianhydrides thereof And dicarboxylic acid diacid halides. These tetracarboxylic acids or derivatives thereof may be used alone or in combination of two or more.

【0025】また、上記化学式1で表わされるポリイミ
ド前駆体樹脂の合成に用いられるジアミンの具体例とし
ては、p−フェニレンジアミン、1,4−ビス(4−ア
ミノフェニル)ベンゼン、4,4’−ジアミノビフェニ
ル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェ
ニル、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビ
フェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビ
フェニル、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミ
ノビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ビフェニルアミノジフェニルメタン、ジアミノジフ
ェニルエーテル、2,2−ジアミノジフェニルプロパ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノ
ベンゾフェノン、1,3−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、4,4’−ジ(4−アミノフェノキシ)ジフ
ェニルスルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパン、1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロー2,2−ビス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル]プロパン、1,5−ビス(4’−
アミノフェノキシ)ペンタン、1,10−ビス−(4’
−アミノフェノキシ)デカン等の芳香族ジアミン、ジア
ミノジシクロヘキシルメタン、ジアミノジシクロヘキシ
ルエーテル、ジアミノジシクロヘキサン等の脂環式ジア
ミン、1,2−ジアミノエタン、1,3−ジアミノプロ
パン、1,4−ジアミノブタン、1,6−ジアミノヘキ
サン等の脂肪族ジアミン等を挙げることができるが、本
発明は特にこれらに限定されるものではない。
Specific examples of the diamine used for synthesizing the polyimide precursor resin represented by the above chemical formula 1 include p-phenylenediamine, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 4,4'- Diaminobiphenyl, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3, 3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenylaminodiphenylmethane, diaminodiphenyl ether, 2, 2-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, diaminobenzophenone, 1,3-bis (4-amido Nophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy)
Benzene, 4,4'-di (4-aminophenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,3,3
-Hexafluoro-2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,5-bis (4′-
Aminophenoxy) pentane, 1,10-bis- (4 ′
Aromatic diamines such as -aminophenoxy) decane, alicyclic diamines such as diaminodicyclohexylmethane, diaminodicyclohexyl ether and diaminodicyclohexane, 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane; Examples thereof include aliphatic diamines such as 1,6-diaminohexane, but the present invention is not particularly limited thereto.

【0026】テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反
応させてポリイミド前駆体とする反応は、公知の種々の
条件下で行なわれる。一般にはN−メチルピロリドン、
N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホル
ムアミド等の有機極性溶媒中にジアミンを添加し、その
溶液にテトラカルボン酸二無水物を添加反応させる方法
がとられる。
The reaction between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine to form a polyimide precursor is performed under various known conditions. Generally N-methylpyrrolidone,
A method is employed in which a diamine is added to an organic polar solvent such as N, N-dimethylacetamide or N, N-dimethylformamide, and a tetracarboxylic dianhydride is added to the solution and reacted.

【0027】テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの
比は0.8から1.2であることが好ましい。通常の重
縮合反応同様、このモル比が1に近いほど生成する重合
体の重合度は大きくなる。重合度が小さすぎると配向膜
としてのポリイミド樹脂膜の強度が不十分となる。又、
重合度が大きすぎるとポリイミド樹脂膜形成時の作業性
が悪くなる場合がある。従って、本反応における生成物
(重合体)の重合度は、ポリイミド前駆体溶液の還元粘
度換算で0.05〜5.0dl/g(温度30℃のN−
メチルピロリドン中、濃度0.5g/dl)とするのが
好ましい。
The ratio of tetracarboxylic dianhydride to diamine is preferably from 0.8 to 1.2. As in the ordinary polycondensation reaction, the degree of polymerization of the produced polymer increases as the molar ratio approaches 1. If the degree of polymerization is too small, the strength of the polyimide resin film as the alignment film becomes insufficient. or,
If the degree of polymerization is too large, the workability at the time of forming the polyimide resin film may deteriorate. Therefore, the degree of polymerization of the product (polymer) in this reaction is 0.05 to 5.0 dl / g in terms of reduced viscosity of the polyimide precursor solution (N- at a temperature of 30 ° C.).
The concentration is preferably 0.5 g / dl in methylpyrrolidone.

【0028】テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反
応させてポリイミド前駆体とする反応温度は、−5℃か
ら100℃の任意の温度を選択することができる。更
に、このポリイミド前駆体を130〜250℃で加熱脱
水するか、又は通常用いられているピリジン/無水酢酸
などのイミド化触媒を用いて化学的イミド化を行うこと
によりポリイミドとすることが出来る。
The reaction temperature of the reaction between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine to form a polyimide precursor can be selected from any temperature from -5 ° C to 100 ° C. Further, the polyimide precursor can be dehydrated by heating at 130 to 250 ° C. or chemically imidized using a commonly used imidization catalyst such as pyridine / acetic anhydride to obtain a polyimide.

【0029】また、出来上がった配向膜12、22にお
いては、上述のように、イミド化率が40〜80%であ
る必要がある。イミド化率が40%よりも低い場合は、
液晶の配向性が低下し、また、80%よりも高い場合
は、ラビングかすが多量に発生したり、隔壁40と配向
膜12、22との接着性が低下する。このイミド化率
は、ポリイミド前駆体のイミド化反応の温度で調整する
ことが出来る。即ち、イミド化反応の温度を低く(高
い)すれば、イミド化率の低い(高い)ポリイミドを得
ることが出来る。
Further, in the completed alignment films 12 and 22, the imidization ratio needs to be 40 to 80% as described above. When the imidation ratio is lower than 40%,
If the orientation of the liquid crystal is reduced, and if it is higher than 80%, a large amount of rubbing residue is generated or the adhesion between the partition walls 40 and the alignment films 12 and 22 is reduced. This imidization rate can be adjusted by the temperature of the imidation reaction of the polyimide precursor. That is, if the temperature of the imidization reaction is lowered (high), a polyimide having a low (high) imidization rate can be obtained.

【0030】さらに、モノマーであるテトラカルボン酸
二無水物とジアミンとのモル比によっても、イミド化率
を調整することが出来る。即ち、モノマーであるテトラ
カルボン酸二無水物とジアミンとのモル比が1からずれ
るほど、イミド化率の低いポリイミドを得ることが出来
る。この方法によりイミド化率を調整する場合、上記モ
ル比を1に近い状態にてポリイミド前駆体をある程度合
成した後に、さらに、テトラカルボン酸二無水物あるい
はジアミンを過剰に加えて、モル比をずらす方が好まし
い。ポリイミド前駆体の合成において、最初の混合時か
らモル比をずらしておくと、重合度の低いポリイミド前
駆体が得られる場合がある。
Further, the imidation ratio can be adjusted by adjusting the molar ratio of the monomer tetracarboxylic dianhydride to the diamine. That is, as the molar ratio between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine as monomers deviates from 1, a polyimide having a lower imidization ratio can be obtained. When the imidation ratio is adjusted by this method, after a certain amount of the polyimide precursor is synthesized in a state where the above molar ratio is close to 1, the molar ratio is shifted by further adding tetracarboxylic dianhydride or diamine in excess. Is more preferred. In the synthesis of the polyimide precursor, if the molar ratio is shifted from the time of the initial mixing, a polyimide precursor having a low degree of polymerization may be obtained.

【0031】このように、各電極基板10、20は、各
々単独の状態(つまり対向配置していない状態)にて、
ガラス基板に透明電極11、21及び配向膜12、22
を形成することにより作られる。
As described above, each of the electrode substrates 10 and 20 is in a single state (ie, a state in which they are not arranged facing each other).
Transparent electrodes 11, 21 and alignment films 12, 22 on a glass substrate
It is made by forming

【0032】また、隔壁40は熱硬化性樹脂等よりな
り、両電極基板10、20の配向膜12、22に接着
(密着)されている。隔壁40は、例えば複数条のもの
が互いに離間してストライプ状に設けられており、両電
極基板10、20を支持しつつ、両電極基板10、20
が所定のセルギャップ(例えば1〜2μm)となるよう
に設定している。また、シール30はシール剤を加熱硬
化したもので、配向膜12、22の外周側に環状に設け
られている。
The partition 40 is made of a thermosetting resin or the like, and is adhered (closely adhered) to the alignment films 12 and 22 of the electrode substrates 10 and 20. For example, a plurality of barrier ribs 40 are provided in the form of stripes spaced apart from each other, and support both electrode substrates 10 and 20 while supporting both electrode substrates 10 and 20.
Is set to a predetermined cell gap (for example, 1 to 2 μm). The seal 30 is obtained by heating and curing a sealant, and is provided in an annular shape on the outer peripheral side of the alignment films 12 and 22.

【0033】この隔壁40は、どちらか一方の電極基板
10、20の配向膜12、22上に、隔壁40を構成す
べき樹脂を印刷等により塗布し、加熱硬化させることに
より形成される。次に、どちらか一方の電極基板10、
20に、シール30を構成するシール剤を印刷等にて塗
布する。このとき、シール30の一部に液晶注入口が形
成されるようにする。その後、両電極基板10、20を
図1に示す様に、重ね合わせ、加圧しながら加熱するこ
とにより、シール剤を硬化させるとともに、隔壁40の
支持により所定のセルギャップを確保する。
The partition wall 40 is formed by applying a resin for forming the partition wall 40 on the alignment film 12 or 22 of one of the electrode substrates 10 and 20 by printing or the like, and curing by heating. Next, one of the electrode substrates 10,
A sealant forming the seal 30 is applied to the surface 20 by printing or the like. At this time, a liquid crystal injection port is formed in a part of the seal 30. Thereafter, as shown in FIG. 1, the two electrode substrates 10 and 20 are superimposed and heated while being pressurized to harden the sealant and secure a predetermined cell gap by supporting the partition walls 40.

【0034】次に、重ね合わされた両電極基板10、2
0の間に、上記液晶注入口から、反強誘電性液晶50を
加熱して液化した状態で、注入し充填した上で、上記液
晶注入口を封止する。その後、液化した反強誘電性液晶
50を徐冷することで、液晶相を発現させると、液晶分
子が配向膜12、22により配向した状態が実現する。
こうして、図1に示す反強誘電性液晶表示素子が完成す
る。
Next, the two electrode substrates 10 and 2
During the time 0, the antiferroelectric liquid crystal 50 is heated and liquefied from the liquid crystal injection port, and then injected and filled, and then the liquid crystal injection port is sealed. Thereafter, when the liquid crystal phase is developed by gradually cooling the liquefied antiferroelectric liquid crystal 50, a state in which the liquid crystal molecules are aligned by the alignment films 12 and 22 is realized.
Thus, the antiferroelectric liquid crystal display device shown in FIG. 1 is completed.

【0035】ところで、本実施形態によれば、配向膜1
2、22において、膜厚を500オングストローム以下
(好ましくは300オングストローム以下)とすること
により、低しきい値(16V/μm以下)が確保でき
る。また、この配向膜12、22に含有された重合体の
イミド化率が40〜80%であることにより、反強誘電
性液晶50の配向が良好に維持され、ラビングかすの発
生が抑制でき、さらには、隔壁40と配向膜12、22
との接着強度を十分なものとできる。
By the way, according to the present embodiment, the alignment film 1
By setting the film thickness to 500 angstroms or less (preferably 300 angstroms or less) in the cases 2 and 22, a low threshold value (16 V / μm or less) can be secured. In addition, when the imidation ratio of the polymer contained in the alignment films 12 and 22 is 40 to 80%, the orientation of the antiferroelectric liquid crystal 50 is favorably maintained, and the occurrence of rubbing residue can be suppressed. Further, the partition 40 and the alignment films 12 and 22
And sufficient adhesive strength.

【0036】なお、従来より、ネマチック液晶を用いた
液晶表示素子において、フリッカを抑制するために、イ
ミド化率40〜80%のポリイミド配向膜を用いた例
(特開昭63−172122号公報)があるが、この場
合は、ネマチック液晶を使用しており、配向膜の膜厚は
1000オングストローム以上で、セルギャップは5.
0μm以上であるため、この従来構成を反強誘電性液晶
表示素子に適用したとしても、本発明の目的は達成され
ない。
A conventional liquid crystal display device using a nematic liquid crystal uses a polyimide alignment film having an imidization ratio of 40 to 80% in order to suppress flicker (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-172122). In this case, a nematic liquid crystal is used, the thickness of the alignment film is 1000 Å or more, and the cell gap is 5.
Since it is 0 μm or more, even if this conventional configuration is applied to an antiferroelectric liquid crystal display device, the object of the present invention is not achieved.

【0037】次に、本発明について、以下の実施例及び
比較例に基づいて更に具体的説明を行う。
Next, the present invention will be described more specifically based on the following examples and comparative examples.

【0038】[0038]

【実施例】(実施例1)日産化学工業社製のSE−41
0(商品名)をポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶
液として使用した。この溶液を、透明電極付きのガラス
基板に1500rpmの回転速度でスピンコートした。
透明電極部、ガラス基板部及びこれら2つの部分の境界
部にハジキ等は認められず、均一な塗布を行うことがで
きた。ついで、100℃で5分加熱した後、200℃で
1時間、加熱硬化処理することにより、膜厚400オン
グストロームのポリイミド樹脂膜を形成した。
EXAMPLES (Example 1) SE-41 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
0 (trade name) was used as a polyimide precursor (polyamic acid) solution. This solution was spin-coated on a glass substrate with a transparent electrode at a rotation speed of 1500 rpm.
No repelling or the like was observed at the transparent electrode portion, the glass substrate portion, and the boundary portion between these two portions, and uniform coating could be performed. Then, after heating at 100 ° C. for 5 minutes, a heat curing treatment was performed at 200 ° C. for 1 hour to form a polyimide resin film having a thickness of 400 Å.

【0039】このポリイミド樹脂膜のイミド化率をIR
(赤外分光分析)により測定すると、60%であった。
ここで、膜厚は触針式膜厚計を用いて、膜厚の平均値を
測定した。また、イミド化率は、イミド化により、変化
が生じない1500cm-1のベンゼン環に由来するピー
クと1380cm-1のイミド基に由来するピークとの比
から求めた。なお、300℃で焼成したポリイミドのイ
ミド化率を100%とした。
The imidation ratio of this polyimide resin film was determined by IR
(Infrared spectroscopy) was 60%.
Here, the average value of the film thickness was measured using a stylus-type film thickness meter. The imidation ratio was determined from the ratio of a peak derived from a benzene ring at 1500 cm -1 at which no change occurs due to imidization and a peak derived from an imide group at 1380 cm -1 . The imidation ratio of the polyimide fired at 300 ° C. was set to 100%.

【0040】このポリイミド樹脂膜(塗膜)をナイロン
布で一定方向にラビングして配向膜を形成した後、純水
さらにイソプロパノールでそれぞれ1分間超音波洗浄し
た。こうして、一方の電極基板を形成した。その後、光
学顕微鏡でラビングかすの量を測定したところ、1mm
2当たり6000μm2存在していることがわかった。こ
こで、ラビングかす量は、光学顕微鏡により、400倍
にて写真撮影を行い、ラビングかすの面積を求めること
により得た。
This polyimide resin film (coating) was rubbed in a certain direction with a nylon cloth to form an alignment film, and then subjected to ultrasonic cleaning with pure water and isopropanol for 1 minute each. Thus, one electrode substrate was formed. After that, when the amount of rubbing residue was measured with an optical microscope, 1 mm
It was found that 6000 μm 2 existed per 2 particles. Here, the amount of rubbing residue was obtained by taking a photograph at 400 times with an optical microscope and determining the area of the rubbing residue.

【0041】次に、この一方の電極基板において、隔壁
の材料として富士ハント(株)製のCT(商品名)を用
いて、配向膜上に高さ2.0μm、幅20μmの隔壁を
形成した。続いて、この一方の電極基板と配向膜のみを
形成した透明電極付きのガラス基板(他方の電極基板)
とを、ラビング方向を逆平行にして組み合わせるととも
に、どちらか一方の電極基板にシール剤を塗布し、圧力
1.0kg/cm2、150℃、2時間の条件にて、重
ね合わせた。その後、反強誘電性液晶を注入し、反強誘
電性液晶表示素子としての液晶セルを作製した。
Next, on this one electrode substrate, a partition having a height of 2.0 μm and a width of 20 μm was formed on the alignment film using CT (trade name) manufactured by Fuji Hunt Co., Ltd. as a material of the partition. . Then, a glass substrate with a transparent electrode on which only one electrode substrate and an alignment film are formed (the other electrode substrate)
Were combined with the rubbing direction in the antiparallel direction, a sealant was applied to one of the electrode substrates, and superposed under the conditions of a pressure of 1.0 kg / cm 2 , 150 ° C. and 2 hours. Thereafter, an antiferroelectric liquid crystal was injected to produce a liquid crystal cell as an antiferroelectric liquid crystal display element.

【0042】この液晶セルの配向状態を偏光顕微鏡で観
察したところ、欠陥のない均一な配向をしていることが
わかった。配向暗輝度は0.20%であった。また、し
きい値電圧は10V/μmであった。また、顕微鏡で観
察したところ、隔壁と配向膜との剥離は観測されなかっ
た。
When the alignment state of the liquid crystal cell was observed with a polarizing microscope, it was found that the liquid crystal cell had a uniform alignment without any defect. The alignment dark luminance was 0.20%. The threshold voltage was 10 V / μm. In addition, when observed with a microscope, no separation between the partition and the alignment film was observed.

【0043】なお、配向暗輝度は、バックライト(光
源)から液晶セルを透過する透過光を最大としたときの
フォトマルチメータの値を1000mVとした時の、ク
ロスニコル下(暗状態としたとき)における透過光のフ
ォトマルチメータの値を相対透過率として表したもので
ある。例えば、クロスニコル下で2mVの場合は、2m
Vを1000mVで除して100を乗じた値、0.2%
となる。また、しきい値電圧は、クロスニコル下におい
て、暗状態(分子配向が反強誘電状態)から電圧を印加
していき、光透過率が最大状態(分子配向が強誘電状
態)の90%となるときの電圧値(Vsat90)であ
る。
The alignment dark luminance was measured under crossed Nicols (when the light was dark) when the value of the photomultimeter when the transmitted light passing through the liquid crystal cell from the backlight (light source) was maximized was 1000 mV. 2) shows the value of the photomultimeter of the transmitted light in ()) as a relative transmittance. For example, in the case of 2 mV under crossed Nicols, 2 m
V divided by 1000 mV and multiplied by 100, 0.2%
Becomes In addition, the threshold voltage is applied from a dark state (molecular orientation is in an antiferroelectric state) under crossed Nicols, and the light transmittance is 90% of a maximum state (molecular orientation is in a ferroelectric state). Is the voltage value (Vsat90).

【0044】(比較例1)ポリイミド樹脂膜の形成にお
いて、200℃の代わりに300℃で1時間加熱硬化処
理する他は、実施例1と同様にして、液晶セルの作製を
行った。形成したポリイミド樹脂膜のイミド化率をIR
により測定したところ、90%であった。このポリイミ
ド樹脂膜を実施例1と同様にして、ラビング、洗浄し、
光学顕微鏡でラビングかすの量を測定したところ、1m
2当たり20000μm2存在していることがわかっ
た。
Comparative Example 1 A liquid crystal cell was produced in the same manner as in Example 1 except that a heat curing treatment was performed at 300 ° C. for 1 hour instead of 200 ° C. in forming a polyimide resin film. The imidation rate of the formed polyimide resin film was determined by IR
Was 90%. This polyimide resin film was rubbed and washed in the same manner as in Example 1,
When the amount of rubbing residue was measured with an optical microscope, it was 1 m
It was found that 20,000 μm 2 existed per m 2 .

【0045】さらに、隔壁を形成した後、重ね合わせを
行ったが、部分的に隔壁と配向膜との剥離が観測され
た。これは、ラビングかすが実施例1に比べて多量に発
生したことが原因と考えられる。また、この液晶セルの
隔壁と配向膜が接着している部分の配向状態を偏光顕微
鏡で観察したところ、配向暗輝度は0.60%であり、
実施例1と比べるとかなり高かった。これは、ラビング
かすが多量に発生したため、液晶の配向が悪化したもの
と考えられる。
Further, after the partition walls were formed, they were overlapped with each other, but partial separation between the partition walls and the alignment film was observed. This is considered to be due to the fact that a large amount of rubbing residue was generated as compared with the first embodiment. When the alignment state of the portion where the partition wall of the liquid crystal cell and the alignment film were bonded was observed with a polarizing microscope, the alignment dark luminance was 0.60%.
It was significantly higher than in Example 1. This is considered to be due to the fact that a large amount of rubbing residue was generated, and the alignment of the liquid crystal was deteriorated.

【0046】(実施例2)日産化学工業社製のRN−1
199(商品名)を用いる他は、実施例1と同様にし
て、液晶セルの作製を行った。形成したポリイミド樹脂
膜の膜厚は300オングストローム、イミド化率は65
%であった。このポリイミド樹脂膜を実施例1と同様に
して、ラビング、洗浄し、光学顕微鏡でラビングかすの
量を測定したところ、1mm2当たり7000μm2存在
していることがわかった。
(Example 2) RN-1 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
A liquid crystal cell was produced in the same manner as in Example 1 except that 199 (trade name) was used. The thickness of the formed polyimide resin film is 300 Å, and the imidization ratio is 65.
%Met. This polyimide resin film was rubbed and washed in the same manner as in Example 1, and the amount of rubbing residue was measured with an optical microscope. As a result, it was found that 7000 μm 2 existed per 1 mm 2 .

【0047】さらに、隔壁を形成した後、重ね合わせを
行ったが、隔壁と配向膜との剥離は観測されなかった。
この液晶セルの隔壁と配向膜が接着している部分の配向
状態を偏光顕微鏡で観察したところ、配向暗輝度は0.
25%であった。また、この液晶セルのしきい値電圧
(Vsat90)を測定したところ、13V/μmであ
った。
Further, after the partition walls were formed, they were superposed, but no separation between the partition walls and the alignment film was observed.
The alignment state of the portion where the partition wall of the liquid crystal cell and the alignment film were adhered was observed with a polarizing microscope.
25%. When the threshold voltage (Vsat90) of this liquid crystal cell was measured, it was 13 V / μm.

【0048】(比較例2)ポリイミド樹脂膜の形成にお
いて、200℃の代わりに120℃で1時間加熱硬化処
理する他は、実施例1と同様にして、液晶セルの作製を
行った。形成したポリイミド樹脂膜のイミド化率をIR
により測定したところ、20%であった。このポリイミ
ド樹脂膜を実施例1と同様にして、ラビング、洗浄し、
光学顕微鏡でラビングかすの量を測定したところ、1m
2当たり6000μm2存在していることがわかった。
Comparative Example 2 A liquid crystal cell was fabricated in the same manner as in Example 1, except that a heat curing treatment was performed at 120 ° C. for 1 hour instead of 200 ° C. in forming a polyimide resin film. The imidation rate of the formed polyimide resin film was determined by IR
Was 20%. This polyimide resin film was rubbed and washed in the same manner as in Example 1,
When the amount of rubbing residue was measured with an optical microscope, it was 1 m
It was found that 6000 μm 2 existed per m 2 .

【0049】さらに、隔壁を形成した後、重ね合わせを
行ったところ、隔壁と配向膜との剥離は観測されなかっ
た。この液晶セルの隔壁と配向膜が接着している部分の
配向状態を偏光顕微鏡で観察したところ、配向暗輝度は
0.90%であり、実施例1と比べるとかなり高かっ
た。これは、配向膜のイミド化率が低いために液晶の配
向が悪化したものと考えられる。
Further, when the partition was formed and then superposed, no separation between the partition and the alignment film was observed. Observation with a polarizing microscope of the alignment state of the portion where the partition wall of the liquid crystal cell and the alignment film were adhered revealed that the alignment dark luminance was 0.90%, which was considerably higher than that of Example 1. This is considered to be due to the fact that the orientation of the liquid crystal was deteriorated because the imidation ratio of the orientation film was low.

【0050】(比較例3)配向膜の膜厚を400オング
ストロームの代わりに1000オングストロームにする
他は、実施例1と同様にして、液晶セルの作製を行っ
た。形成したポリイミド樹脂膜のイミド化率をIRによ
り測定すると、56%であった。このポリイミド樹脂膜
を実施例1と同様にして、ラビング、洗浄し、光学顕微
鏡でラビングかすの量を測定したところ、1mm2当た
り5000μm2存在していることがわかった。
Comparative Example 3 A liquid crystal cell was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the alignment film was changed to 1000 Å instead of 400 Å. The imidation ratio of the formed polyimide resin film was 56% when measured by IR. The polyimide resin film was rubbed and washed in the same manner as in Example 1, and the amount of rubbing residue was measured with an optical microscope. As a result, it was found that 5000 μm 2 existed per 1 mm 2 .

【0051】さらに、隔壁を形成した後、重ね合わせを
行ったが、隔壁と配向膜との剥離は観測されなかった。
しかしながら、この液晶セルのしきい値電圧(Vsat
90)を測定したところ、17V/μmであり、実施例
1と比べるとかなり高く、反強誘電性液晶表示素子とし
ては実用的な値ではなかった。これは配向膜の膜厚が厚
すぎることが原因である。
Further, after the partition walls were formed, they were superposed, but no separation between the partition walls and the alignment film was observed.
However, the threshold voltage of this liquid crystal cell (Vsat
90) was 17 V / μm, which was considerably higher than that of Example 1, and was not a practical value as an antiferroelectric liquid crystal display device. This is because the thickness of the alignment film is too large.

【0052】このように、上記実施例1及び実施例2で
は、液晶の配向性及び低しきい値電圧を確保しつつ、ラ
ビングかすの発生が抑制された反強誘電性液晶表示素子
及びそのような液晶表示素子に用いて好適な配向膜を実
現でき、さらに、ラビングかすの発生を抑制することに
より、隔壁と配向膜との密着強度を確保することができ
た。
As described above, in the first and second embodiments, the antiferroelectric liquid crystal display device in which the occurrence of rubbing residue is suppressed while ensuring the liquid crystal orientation and the low threshold voltage, and the like. Thus, an alignment film suitable for use in a liquid crystal display device could be realized, and furthermore, by suppressing the occurrence of rubbing residues, the adhesion strength between the partition walls and the alignment film could be secured.

【0053】なお、上記図1においては、基板間隔設定
用の隔壁を備えたものとしたが、この隔壁の代わりに、
球状または繊維状等の形状を有し、通常の液晶表示素子
に用いられるスペーサによって、基板間隔(セルギャッ
プ)を確保した構造であっても良い。
In FIG. 1, a partition for setting the substrate interval is provided, but instead of this partition,
It may have a shape such as a spherical shape or a fibrous shape, and may have a structure in which a substrate gap (cell gap) is secured by a spacer used in a normal liquid crystal display element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る液晶表示素子を示す概
略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20…電極基板、12、22…配向膜、40…隔
壁、50…反強誘電性液晶。
10, 20: electrode substrate, 12, 22: alignment film, 40: partition, 50: antiferroelectric liquid crystal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 幸和 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 林 仁志 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 Fターム(参考) 2H088 FA02 FA20 JA20 MA01 MA18 2H089 NA07 NA15 NA30 NA31 NA40 NA45 QA04 QA15 RA14 2H090 HB08Y KA15 LA02 MB01 5C094 AA42 BA49 CA19 DA13 EC04 ED20  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kokazu Suzuki 1-1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi Prefecture Inside DENSO Corporation (72) Inventor Hitoshi Hayashi 1-1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi Co., Ltd. F term in DENSO (reference) 2H088 FA02 FA20 JA20 MA01 MA18 2H089 NA07 NA15 NA30 NA31 NA40 NA45 QA04 QA15 RA14 2H090 HB08Y KA15 LA02 MB01 5C094 AA42 BA49 CA19 DA13 EC04 ED20

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに配向膜(12、22)にて対向す
るように配置された一対の電極基板(10、20)と、 前記一対の電極基板間に封入された反強誘電性液晶(5
0)とを備える液晶表示素子において、 前記配向膜は、ポリアミック酸を脱水閉環して得られる
構造を有するイミド化重合体よりなる群から選択された
重合体を含有するものであって、前記含有された重合体
のイミド化率が40〜80%であり、膜厚が500オン
グストローム以下であることを特徴とする液晶表示素
子。
1. A pair of electrode substrates (10, 20) arranged so as to face each other with an alignment film (12, 22), and an antiferroelectric liquid crystal (5) sealed between the pair of electrode substrates.
0), wherein the alignment film contains a polymer selected from the group consisting of an imidized polymer having a structure obtained by dehydrating and ring-closing a polyamic acid, A liquid crystal display device characterized in that the imidation ratio of the polymer obtained is 40 to 80% and the film thickness is 500 Å or less.
【請求項2】 前記一対の電極基板(10、20)間に
は、これら両電極基板を支持しつつこれら両電極基板を
所定間隔に設定する樹脂製の隔壁(40)が備えられて
おり、 この隔壁は前記配向膜(12、22)に接着されている
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
2. A resin partition (40) is provided between the pair of electrode substrates (10, 20) to support the two electrode substrates and to set the two electrode substrates at a predetermined interval. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said partition walls are bonded to said alignment films (12, 22).
【請求項3】 反強誘電性液晶を配向させるためにラビ
ング処理される液晶配向用の配向膜であって、 ポリアミック酸を脱水閉環して得られる構造を有するイ
ミド化重合体よりなる群から選択された重合体を含有し
てなり、 さらに、前記含有された重合体のイミド化率が40〜8
0%であり、膜厚が500オングストローム以下である
ことを特徴とする液晶配向用の配向膜。
3. An alignment film for liquid crystal alignment, which is rubbed to align an antiferroelectric liquid crystal, and is selected from the group consisting of an imidized polymer having a structure obtained by dehydration and ring closure of a polyamic acid. The imidation ratio of the polymer contained is 40 to 8
0% and a film thickness of 500 angstrom or less.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2010134361A1 (en) 2009-05-18 2010-11-25 シャープ株式会社 Liquid crystal panel and method for inspecting liquid crystal panel
KR20170041096A (en) * 2015-10-06 2017-04-14 엘지디스플레이 주식회사 Light controlling device, transparent display device including the same, and method for fabricating the same

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