JP2001004965A - Ｅ／ｏスイッチ制御装置、および、ｅ／ｏスイッチの制御方法 - Google Patents
Ｅ／ｏスイッチ制御装置、および、ｅ／ｏスイッチの制御方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 強誘電体結晶を用いたＥ／Ｏスイッチを、安
定した状態で連続使用できるＥ／Ｏスイッチ制御装置を
提供する。 【解決手段】 LiNbO3結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチ２
に対して、所定の電圧値の印加電圧３１と、Ｅ／Ｏスイ
ッチ２における光入力２ａの透過／遮断を制御する光通
過遮断制御信号３２と、Ｅ／Ｏスイッチ２におけるLiNb
O3結晶の充電動作と放電動作との切り換えを制御する充
放電制御信号３３と、を出力するスイッチ制御装置３で
あって、充放電制御信号３３としては、周期が１秒以上
２０秒以下の信号を出力するとともに、光通過遮断制御
信号３２によって光入力２ａが透過するよう制御されて
いる間は、充放電制御信号３３として充電動作と放電動
作との切り換えは指示されない。
定した状態で連続使用できるＥ／Ｏスイッチ制御装置を
提供する。 【解決手段】 LiNbO3結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチ２
に対して、所定の電圧値の印加電圧３１と、Ｅ／Ｏスイ
ッチ２における光入力２ａの透過／遮断を制御する光通
過遮断制御信号３２と、Ｅ／Ｏスイッチ２におけるLiNb
O3結晶の充電動作と放電動作との切り換えを制御する充
放電制御信号３３と、を出力するスイッチ制御装置３で
あって、充放電制御信号３３としては、周期が１秒以上
２０秒以下の信号を出力するとともに、光通過遮断制御
信号３２によって光入力２ａが透過するよう制御されて
いる間は、充放電制御信号３３として充電動作と放電動
作との切り換えは指示されない。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＥ／Ｏスイッチ（電
界光学スイッチ）を制御するＥ／Ｏスイッチ制御装置に
係り、詳細には、LiNbO3（ニオブ酸リチウム）結晶等の
強誘電体結晶を用いたＥ／Ｏスイッチを偏波特性の良い
状態で効率よく使用するためのＥ／Ｏスイッチ制御装
置、および、Ｅ／Ｏスイッチの制御方法に関する。
界光学スイッチ）を制御するＥ／Ｏスイッチ制御装置に
係り、詳細には、LiNbO3（ニオブ酸リチウム）結晶等の
強誘電体結晶を用いたＥ／Ｏスイッチを偏波特性の良い
状態で効率よく使用するためのＥ／Ｏスイッチ制御装
置、および、Ｅ／Ｏスイッチの制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学スイッチの１種として、LiNbO3
結晶等の強誘電体結晶を用いたＥ／Ｏスイッチが知られ
ている。これらのＥ／Ｏスイッチに利用される強誘電体
結晶は、印加された電圧に応じて屈折率が変化するとい
う特性を有しており、この性質を利用したＥ／Ｏスイッ
チが用いられてきた。
結晶等の強誘電体結晶を用いたＥ／Ｏスイッチが知られ
ている。これらのＥ／Ｏスイッチに利用される強誘電体
結晶は、印加された電圧に応じて屈折率が変化するとい
う特性を有しており、この性質を利用したＥ／Ｏスイッ
チが用いられてきた。
【０００３】強誘電体結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチ
は、強誘電体結晶に電荷が蓄積された状態にすると偏波
特性が向上する。このため、Ｅ／Ｏスイッチを使用する
際には強誘電体結晶に電荷を蓄積させる電圧が印加さ
れ、強誘電体結晶に充電される。
は、強誘電体結晶に電荷が蓄積された状態にすると偏波
特性が向上する。このため、Ｅ／Ｏスイッチを使用する
際には強誘電体結晶に電荷を蓄積させる電圧が印加さ
れ、強誘電体結晶に充電される。
【０００４】しかしながら、上記のＥ／Ｏスイッチは、
所定時間以上連続して使用すると急激に偏波特性が悪化
することが知られている。これは、強誘電体結晶への充
電が継続されることで強誘電体結晶に蓄積される電荷が
適切な値を超えることが原因である。
所定時間以上連続して使用すると急激に偏波特性が悪化
することが知られている。これは、強誘電体結晶への充
電が継続されることで強誘電体結晶に蓄積される電荷が
適切な値を超えることが原因である。
【０００５】強誘電体結晶に蓄積される電荷が適切値を
超えた場合は、Ｅ／Ｏスイッチに入力される光の偏波特
性が著しく悪化して、Ｐ波（平行偏光波）およびＳ波
（垂直偏光波）の挿入損失の増大や漏話量の増加を招
く。また、この状態でＥ／Ｏスイッチ２の動作を無理に
継続すると、印加電圧が所定の電圧よりも高くなる、い
わゆる「オフセットずれ」を生じることがあった。
超えた場合は、Ｅ／Ｏスイッチに入力される光の偏波特
性が著しく悪化して、Ｐ波（平行偏光波）およびＳ波
（垂直偏光波）の挿入損失の増大や漏話量の増加を招
く。また、この状態でＥ／Ｏスイッチ２の動作を無理に
継続すると、印加電圧が所定の電圧よりも高くなる、い
わゆる「オフセットずれ」を生じることがあった。
【０００６】そこで、従来は、強誘電体結晶に蓄積され
た過剰な電荷を適宜放電させることで、Ｅ／Ｏスイッチ
の特性を回復させていた。即ち、Ｅ／Ｏスイッチを連続
して使用する際に、強誘電体結晶に電荷を蓄える充電動
作と強誘電体結晶に蓄積された電荷を放電させる放電動
作とを一定時間毎に切り換えることにより過充電を防い
でいた。
た過剰な電荷を適宜放電させることで、Ｅ／Ｏスイッチ
の特性を回復させていた。即ち、Ｅ／Ｏスイッチを連続
して使用する際に、強誘電体結晶に電荷を蓄える充電動
作と強誘電体結晶に蓄積された電荷を放電させる放電動
作とを一定時間毎に切り換えることにより過充電を防い
でいた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
方法では、充電動作と放電動作とを交互に切り換えて行
うため、Ｅ／Ｏスイッチを動作させない時間が必要であ
り、時間的効率が悪いという問題があった。
方法では、充電動作と放電動作とを交互に切り換えて行
うため、Ｅ／Ｏスイッチを動作させない時間が必要であ
り、時間的効率が悪いという問題があった。
【０００８】上記のように、強誘電体結晶は充電される
ことで偏波特性の良い状態となるが、放電している間に
は特性が著しく悪化する。このため、強誘電体結晶の充
電動作時との特性と放電動作時の特性との両方に適合す
ることは非常に困難であり、放電動作時にはＥ／Ｏスイ
ッチを使用することができなかった。
ことで偏波特性の良い状態となるが、放電している間に
は特性が著しく悪化する。このため、強誘電体結晶の充
電動作時との特性と放電動作時の特性との両方に適合す
ることは非常に困難であり、放電動作時にはＥ／Ｏスイ
ッチを使用することができなかった。
【０００９】また、上記従来の方法では、Ｅ／Ｏスイッ
チ内の強誘電体結晶が過充電にならないうちに放電動作
に切り換える必要があり、充電動作が継続された時間の
カウントを行っていた。さらに、Ｅ／Ｏスイッチを偏波
特性の良い状態で使用するためには充電動作よりも長い
時間放電する場合もあり、Ｅ／Ｏスイッチの使用効率が
さらに低下していた。
チ内の強誘電体結晶が過充電にならないうちに放電動作
に切り換える必要があり、充電動作が継続された時間の
カウントを行っていた。さらに、Ｅ／Ｏスイッチを偏波
特性の良い状態で使用するためには充電動作よりも長い
時間放電する場合もあり、Ｅ／Ｏスイッチの使用効率が
さらに低下していた。
【００１０】この発明は、上記問題点を解決するため、
強誘電体結晶を用いたＥ／Ｏスイッチを安定した状態
で、効率よく連続して使用できるＥ／Ｏスイッチ制御装
置を提供することを目的とする。
強誘電体結晶を用いたＥ／Ｏスイッチを安定した状態
で、効率よく連続して使用できるＥ／Ｏスイッチ制御装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、強誘電体結晶を内蔵するＥ
／Ｏスイッチを制御するＥ／Ｏスイッチ制御装置におい
て、前記Ｅ／Ｏスイッチ内の強誘電体結晶に充電する充
電動作と強誘電体結晶内の電荷を放電させる放電動作と
を所定の周波数のクロック信号に同期して切り換えさせ
る充放電制御手段（例えば、充放電制御信号３３を出力
するスイッチ制御装置３）を備えること、を特徴とする
構成とした。
め、請求項１記載の発明は、強誘電体結晶を内蔵するＥ
／Ｏスイッチを制御するＥ／Ｏスイッチ制御装置におい
て、前記Ｅ／Ｏスイッチ内の強誘電体結晶に充電する充
電動作と強誘電体結晶内の電荷を放電させる放電動作と
を所定の周波数のクロック信号に同期して切り換えさせ
る充放電制御手段（例えば、充放電制御信号３３を出力
するスイッチ制御装置３）を備えること、を特徴とする
構成とした。
【００１２】この請求項１記載の発明によれば、強誘電
体結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチを制御するＥ／Ｏスイ
ッチ制御装置において、充放電制御手段により、Ｅ／Ｏ
スイッチ内の強誘電体結晶に充電する充電動作と強誘電
体結晶内の電荷を放電させる放電動作とを所定の周波数
のクロック信号に同期して切り換えさせる。
体結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチを制御するＥ／Ｏスイ
ッチ制御装置において、充放電制御手段により、Ｅ／Ｏ
スイッチ内の強誘電体結晶に充電する充電動作と強誘電
体結晶内の電荷を放電させる放電動作とを所定の周波数
のクロック信号に同期して切り換えさせる。
【００１３】また、請求項５記載の発明は、強誘電体結
晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチの制御方法であって、前記
Ｅ／Ｏスイッチ内の強誘電体結晶に充電する充電動作と
強誘電体結晶内の電荷を放電させる放電動作とを所定の
周波数のクロック信号（例えば、充放電制御信号３３）
に同期して切り換える工程を含むこと、を特徴としてい
る。
晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチの制御方法であって、前記
Ｅ／Ｏスイッチ内の強誘電体結晶に充電する充電動作と
強誘電体結晶内の電荷を放電させる放電動作とを所定の
周波数のクロック信号（例えば、充放電制御信号３３）
に同期して切り換える工程を含むこと、を特徴としてい
る。
【００１４】ここで、強誘電体結晶としては、LiNbO
3（ニオブ酸リチウム）、KTaO3（タンタル酸カリウ
ム）、BaTio3（チタン酸バリウム）等が挙げられるが、
その他、Ｅ／Ｏスイッチ（電界光学スイッチ）に適用可
能な強誘電体であれば、特に制限されない。
3（ニオブ酸リチウム）、KTaO3（タンタル酸カリウ
ム）、BaTio3（チタン酸バリウム）等が挙げられるが、
その他、Ｅ／Ｏスイッチ（電界光学スイッチ）に適用可
能な強誘電体であれば、特に制限されない。
【００１５】従って、強誘電体結晶を備えるＥ／Ｏスイ
ッチにおいて、強誘電体結晶に充電する充電動作と強誘
電体結晶内の電荷を放電させる放電動作とが所定の周波
数のクロック信号に同期して切り換えられる。このた
め、強誘電体結晶は完全に放電動作の状態に移行しない
ので、偏波特性の悪化や漏話量の増加が生じない。これ
によって、充電動作時および放電動作時の両方でＥ／Ｏ
スイッチを使用でき、Ｅ／Ｏスイッチを連続動作させる
ことができる。
ッチにおいて、強誘電体結晶に充電する充電動作と強誘
電体結晶内の電荷を放電させる放電動作とが所定の周波
数のクロック信号に同期して切り換えられる。このた
め、強誘電体結晶は完全に放電動作の状態に移行しない
ので、偏波特性の悪化や漏話量の増加が生じない。これ
によって、充電動作時および放電動作時の両方でＥ／Ｏ
スイッチを使用でき、Ｅ／Ｏスイッチを連続動作させる
ことができる。
【００１６】請求項２記載の発明は、請求項１記載のＥ
／Ｏスイッチ制御装置において、前記Ｅ／Ｏスイッチに
入力される入力光を透過させて出力させるか、或いは遮
断させるかを切り換える光透過遮断制御手段（例えば、
光通過遮断制御信号３２を出力するスイッチ制御装置
３）をさらに備え、前記充放電制御手段は、前記光透過
遮断制御手段の制御によって前記Ｅ／Ｏスイッチに入力
された入力光が出力されている間は、前記強誘電体結晶
の充電動作と放電動作とを切り換えさせないこと、を特
徴とする構成とした。
／Ｏスイッチ制御装置において、前記Ｅ／Ｏスイッチに
入力される入力光を透過させて出力させるか、或いは遮
断させるかを切り換える光透過遮断制御手段（例えば、
光通過遮断制御信号３２を出力するスイッチ制御装置
３）をさらに備え、前記充放電制御手段は、前記光透過
遮断制御手段の制御によって前記Ｅ／Ｏスイッチに入力
された入力光が出力されている間は、前記強誘電体結晶
の充電動作と放電動作とを切り換えさせないこと、を特
徴とする構成とした。
【００１７】この請求項２記載の発明によれば、請求項
１記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、光透過遮断
制御手段によって、Ｅ／Ｏスイッチに入力される入力光
を透過させて出力させるか或いは遮断させるかを切り換
え、充放電制御手段は、光透過遮断制御手段の制御によ
ってＥ／Ｏスイッチに入力された入力光が出力されてい
る間は、強誘電体結晶の充電動作と放電動作とを切り換
えさせない。
１記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、光透過遮断
制御手段によって、Ｅ／Ｏスイッチに入力される入力光
を透過させて出力させるか或いは遮断させるかを切り換
え、充放電制御手段は、光透過遮断制御手段の制御によ
ってＥ／Ｏスイッチに入力された入力光が出力されてい
る間は、強誘電体結晶の充電動作と放電動作とを切り換
えさせない。
【００１８】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載のＥ／Ｏスイッチの制御方法において、前記Ｅ／Ｏス
イッチに入力される入力光を透過させて出力させるか、
或いは遮断させるかを切り換える工程（例えば、スイッ
チ制御装置３が光通過遮断制御信号３２を出力する動
作）をさらに含み、前記Ｅ／Ｏスイッチに入力された入
力光が透過して出力されている間は、前記強誘電体結晶
の充電動作と放電動作との切り換えを行わないこと、を
特徴としている。
載のＥ／Ｏスイッチの制御方法において、前記Ｅ／Ｏス
イッチに入力される入力光を透過させて出力させるか、
或いは遮断させるかを切り換える工程（例えば、スイッ
チ制御装置３が光通過遮断制御信号３２を出力する動
作）をさらに含み、前記Ｅ／Ｏスイッチに入力された入
力光が透過して出力されている間は、前記強誘電体結晶
の充電動作と放電動作との切り換えを行わないこと、を
特徴としている。
【００１９】従って、強誘電体結晶の充電動作と放電動
作とを切り換える際に過渡的に生じる強誘電体結晶の偏
波特性の悪化や漏話量の増加によって、Ｅ／Ｏスイッチ
から出力される出力光が影響されるのを防止することが
できる。これにより、Ｅ／Ｏスイッチを安定して連続動
作させることができる。
作とを切り換える際に過渡的に生じる強誘電体結晶の偏
波特性の悪化や漏話量の増加によって、Ｅ／Ｏスイッチ
から出力される出力光が影響されるのを防止することが
できる。これにより、Ｅ／Ｏスイッチを安定して連続動
作させることができる。
【００２０】ここで、過渡的に生じる強誘電体結晶の偏
波特性の悪化や漏話量の増加は、強誘電体結晶におい
て、充電動作時に印加されていた所定の電圧が印加され
なくなることに起因すると推測される。
波特性の悪化や漏話量の増加は、強誘電体結晶におい
て、充電動作時に印加されていた所定の電圧が印加され
なくなることに起因すると推測される。
【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、前記所定の周
波数のクロック信号は、一周期が１秒以上２０秒以下の
信号であること、を特徴とする構成とした。
記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、前記所定の周
波数のクロック信号は、一周期が１秒以上２０秒以下の
信号であること、を特徴とする構成とした。
【００２２】この請求項３記載の発明によれば、請求項
１または２記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、所
定の周波数のクロック信号は、一周期が１秒以上２０秒
以下の信号である。
１または２記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、所
定の周波数のクロック信号は、一周期が１秒以上２０秒
以下の信号である。
【００２３】また、請求項６記載の発明は、請求項４ま
たは５記載のＥ／Ｏスイッチの制御方法において、前記
所定の周波数のクロック信号は、一周期が１秒以上２０
秒以下の信号であること、を特徴としている。
たは５記載のＥ／Ｏスイッチの制御方法において、前記
所定の周波数のクロック信号は、一周期が１秒以上２０
秒以下の信号であること、を特徴としている。
【００２４】従って、強誘電体結晶の充電動作と放電動
作とが１秒以上２０秒以下の周期のクロック信号に同期
して交互に切り換えられ、充電動作と放電動作とは、そ
れぞれ０．５秒以上１０秒以下の所定の時間だけ継続さ
れる。このため、所定時間以上、放電動作を行った場合
に生じる強誘電体結晶の偏波特性の悪化が、全く起こら
なくなる。これにより、より効率よく、安定してＥ／Ｏ
スイッチを連続使用することができる。
作とが１秒以上２０秒以下の周期のクロック信号に同期
して交互に切り換えられ、充電動作と放電動作とは、そ
れぞれ０．５秒以上１０秒以下の所定の時間だけ継続さ
れる。このため、所定時間以上、放電動作を行った場合
に生じる強誘電体結晶の偏波特性の悪化が、全く起こら
なくなる。これにより、より効率よく、安定してＥ／Ｏ
スイッチを連続使用することができる。
【００２５】請求項４記載の発明は、請求項１から３の
いずれかに記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、前
記強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸リチウム）結晶
を内蔵する前記Ｅ／Ｏスイッチを制御すること、を特徴
とする構成とした。
いずれかに記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置において、前
記強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸リチウム）結晶
を内蔵する前記Ｅ／Ｏスイッチを制御すること、を特徴
とする構成とした。
【００２６】この請求項４記載の発明によれば、請求項
１から３のいずれかに記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置に
おいて、強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸リチウ
ム）結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチを制御する。
１から３のいずれかに記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置に
おいて、強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸リチウ
ム）結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチを制御する。
【００２７】また、請求項８記載の発明は、請求項５か
ら７のいずれかに記載のＥ／Ｏスイッチの制御方法であ
って、前記強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸リチウ
ム）結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチの制御方法であるこ
と、を特徴としている。
ら７のいずれかに記載のＥ／Ｏスイッチの制御方法であ
って、前記強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸リチウ
ム）結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチの制御方法であるこ
と、を特徴としている。
【００２８】従って、特にＥ／Ｏスイッチに適した強誘
電体結晶であるLiNbO3結晶を内蔵したＥ／Ｏスイッチ
を、安定して連続動作させることができる。
電体結晶であるLiNbO3結晶を内蔵したＥ／Ｏスイッチ
を、安定して連続動作させることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した実施の形
態について、図１および図２の図面を参照しながら説明
する。
態について、図１および図２の図面を参照しながら説明
する。
【００３０】図１は、本発明の実施の形態におけるＥ／
Ｏスイッチ制御システム１の構成を示すブロック図であ
る。同図に示すように、Ｅ／Ｏスイッチ制御システム１
は、Ｅ／Ｏスイッチ２と、Ｅ／Ｏスイッチ２を駆動制御
するスイッチ制御装置３とによって構成される。
Ｏスイッチ制御システム１の構成を示すブロック図であ
る。同図に示すように、Ｅ／Ｏスイッチ制御システム１
は、Ｅ／Ｏスイッチ２と、Ｅ／Ｏスイッチ２を駆動制御
するスイッチ制御装置３とによって構成される。
【００３１】Ｅ／Ｏスイッチ２は、強誘電体結晶として
LiNbO3結晶を用いて構成されるＥ／Ｏスイッチである。
LiNbO3結晶は、印加される電圧値に応じて屈折率が変化
する性質を有する。この性質を利用して、Ｅ／Ｏスイッ
チ２は後述する光透過遮断制御信号３２に従って光入力
２ａのスイッチングを行い、パルス光出力２ｂを出力す
る。また、Ｅ／Ｏスイッチ２には電源としての電源電圧
４が入力されるとともに、スイッチ制御装置３から印加
電圧３１、光透過遮断制御信号３２および充放電制御信
号３３が入力される。
LiNbO3結晶を用いて構成されるＥ／Ｏスイッチである。
LiNbO3結晶は、印加される電圧値に応じて屈折率が変化
する性質を有する。この性質を利用して、Ｅ／Ｏスイッ
チ２は後述する光透過遮断制御信号３２に従って光入力
２ａのスイッチングを行い、パルス光出力２ｂを出力す
る。また、Ｅ／Ｏスイッチ２には電源としての電源電圧
４が入力されるとともに、スイッチ制御装置３から印加
電圧３１、光透過遮断制御信号３２および充放電制御信
号３３が入力される。
【００３２】スイッチ制御装置３は、Ｅ／Ｏスイッチ２
を駆動制御するための制御装置であり、印加電圧３１、
光透過遮断制御信号３２および充放電制御信号３３をＥ
／Ｏスイッチ２へ出力する。
を駆動制御するための制御装置であり、印加電圧３１、
光透過遮断制御信号３２および充放電制御信号３３をＥ
／Ｏスイッチ２へ出力する。
【００３３】印加電圧３１は、Ｅ／Ｏスイッチ２の動作
時にＥ／Ｏスイッチ２内のLiNbO3結晶の屈折率を制御す
るために印加される電圧であり、その電圧値はＥ／Ｏス
イッチ２の用途やＥ／Ｏスイッチ２に接続される機器の
特性に応じて任意に設定可能である。
時にＥ／Ｏスイッチ２内のLiNbO3結晶の屈折率を制御す
るために印加される電圧であり、その電圧値はＥ／Ｏス
イッチ２の用途やＥ／Ｏスイッチ２に接続される機器の
特性に応じて任意に設定可能である。
【００３４】光透過遮断制御信号３２は、ここではＥＣ
Ｌ（Emitter Coupled Logic ）信号が使用され、Ｅ／Ｏ
スイッチ２における光の透過と遮断とを制御することに
より、光出力２ｂが出力されるか否かを制御する信号で
ある。光透過遮断制御信号３２としては、例えば、光の
遮断を指示する‘Hi’レベルと、光の透過を指示する
‘Lo’レベルとが切り換えて出力される。
Ｌ（Emitter Coupled Logic ）信号が使用され、Ｅ／Ｏ
スイッチ２における光の透過と遮断とを制御することに
より、光出力２ｂが出力されるか否かを制御する信号で
ある。光透過遮断制御信号３２としては、例えば、光の
遮断を指示する‘Hi’レベルと、光の透過を指示する
‘Lo’レベルとが切り換えて出力される。
【００３５】充放電制御信号３３は、ここではＴＴＬ
（Transistor Transistor Logic ）信号が使用され、Ｅ
／Ｏスイッチ２における充電動作と放電動作との切り換
えを指示する信号であり、例えば、充電動作を指示する
‘Hi’レベルと、放電動作を指示する‘Lo’レベルとが
切り換えて出力される。
（Transistor Transistor Logic ）信号が使用され、Ｅ
／Ｏスイッチ２における充電動作と放電動作との切り換
えを指示する信号であり、例えば、充電動作を指示する
‘Hi’レベルと、放電動作を指示する‘Lo’レベルとが
切り換えて出力される。
【００３６】続いて、Ｅ／Ｏスイッチ制御システム１に
おける動作について説明する。Ｅ／Ｏスイッチ２に電源
電圧４が印加され、光入力２ａが入力されると、光透過
遮断制御信号３２によって光の透過が指示されている
間、Ｅ／Ｏスイッチ２から光出力２ｂが出力される。こ
こで、LiNbO3結晶における屈折率は、印加電圧３１の電
圧値により決定される。
おける動作について説明する。Ｅ／Ｏスイッチ２に電源
電圧４が印加され、光入力２ａが入力されると、光透過
遮断制御信号３２によって光の透過が指示されている
間、Ｅ／Ｏスイッチ２から光出力２ｂが出力される。こ
こで、LiNbO3結晶における屈折率は、印加電圧３１の電
圧値により決定される。
【００３７】一例として、光透過遮断制御信号３２のパ
ルス幅を１μｓ（マイクロ秒）とし、‘Hi’レベル：
‘Lo’レベル＝２０００：１とすれば、１／５００秒に
つき１μｓの間、光がＥ／Ｏスイッチ２を透過して、光
出力２ｂが出力される。
ルス幅を１μｓ（マイクロ秒）とし、‘Hi’レベル：
‘Lo’レベル＝２０００：１とすれば、１／５００秒に
つき１μｓの間、光がＥ／Ｏスイッチ２を透過して、光
出力２ｂが出力される。
【００３８】Ｅ／Ｏスイッチ２は、LiNbO3結晶に電荷が
蓄積された状態で良好な偏波特性を示すため、Ｅ／Ｏス
イッチ２の使用中にLiNbO3結晶に充電が行われる。しか
し、LiNbO3結晶への充電が長時間継続して行われ、LiNb
O3結晶中に蓄積される電荷が好適な量を超えてしまう
と、Ｅ／Ｏスイッチに入力される光の偏波特性が著しく
悪化して、Ｐ波（平行偏光波）およびＳ波（垂直偏光
波）の挿入損失の増大や、漏話量の増加を招く。また、
この状態で無理に動作を継続すると、印加電圧が所定の
電圧よりも高くなってしまい、所謂「オフセットずれ」
を生じ、Ｅ／Ｏスイッチ２の故障を招きかねない。この
ため、充放電制御信号３３が‘Hi’レベルから‘Lo’レ
ベルに切り換えられ、LiNbO3結晶からの放電が行われ
る。
蓄積された状態で良好な偏波特性を示すため、Ｅ／Ｏス
イッチ２の使用中にLiNbO3結晶に充電が行われる。しか
し、LiNbO3結晶への充電が長時間継続して行われ、LiNb
O3結晶中に蓄積される電荷が好適な量を超えてしまう
と、Ｅ／Ｏスイッチに入力される光の偏波特性が著しく
悪化して、Ｐ波（平行偏光波）およびＳ波（垂直偏光
波）の挿入損失の増大や、漏話量の増加を招く。また、
この状態で無理に動作を継続すると、印加電圧が所定の
電圧よりも高くなってしまい、所謂「オフセットずれ」
を生じ、Ｅ／Ｏスイッチ２の故障を招きかねない。この
ため、充放電制御信号３３が‘Hi’レベルから‘Lo’レ
ベルに切り換えられ、LiNbO3結晶からの放電が行われ
る。
【００３９】従来、LiNbO3結晶から放電している間はＥ
／Ｏスイッチ２の偏波特性が悪化するので、光出力２ｂ
は出力されなかった。しかしながら、本発明のＥ／Ｏス
イッチ制御システム１では、以下に示すように、充放電
制御信号３３を高速に切り換えることにより、充電動作
時および放電動作時のいずれにおいてもＥ／Ｏスイッチ
２を連続して使用することが可能である。
／Ｏスイッチ２の偏波特性が悪化するので、光出力２ｂ
は出力されなかった。しかしながら、本発明のＥ／Ｏス
イッチ制御システム１では、以下に示すように、充放電
制御信号３３を高速に切り換えることにより、充電動作
時および放電動作時のいずれにおいてもＥ／Ｏスイッチ
２を連続して使用することが可能である。
【００４０】図２は、Ｅ／Ｏスイッチ制御システム１に
おける充放電制御信号３３の一例を示すタイミングチャ
ートである。図中、（ａ）は充放電制御信号３３の一例
として、‘Hi’レベルが５Ｖ（ボルト）、‘Lo’レベル
が０（零）Ｖの場合を示し、（ｂ）には、参考のために
従来のＥ／Ｏスイッチにおける充放電制御信号の様子を
示している。なお、この図２（ａ）および（ｂ）に示す
充放電制御信号は、５Ｖの‘Hi’レベルでは充電動作を
指示し、０Ｖの‘Lo’レベルでは放電動作を指示する信
号である。
おける充放電制御信号３３の一例を示すタイミングチャ
ートである。図中、（ａ）は充放電制御信号３３の一例
として、‘Hi’レベルが５Ｖ（ボルト）、‘Lo’レベル
が０（零）Ｖの場合を示し、（ｂ）には、参考のために
従来のＥ／Ｏスイッチにおける充放電制御信号の様子を
示している。なお、この図２（ａ）および（ｂ）に示す
充放電制御信号は、５Ｖの‘Hi’レベルでは充電動作を
指示し、０Ｖの‘Lo’レベルでは放電動作を指示する信
号である。
【００４１】この図２（ａ）に示す例では、充放電制御
信号３３として、５Ｖの‘Hi’レベルと、０Ｖの‘Lo’
レベルとが切り換えて出力され、その切り換えは１．５
秒の周期で行われる。また、‘Hi’レベルと‘Lo’レベ
ルのデューティ比は５０：５０である。従って、充放電
制御信号３３は、‘Hi’レベルで０．７５秒出力された
後、‘Lo’レベルで０．７５秒出力される。
信号３３として、５Ｖの‘Hi’レベルと、０Ｖの‘Lo’
レベルとが切り換えて出力され、その切り換えは１．５
秒の周期で行われる。また、‘Hi’レベルと‘Lo’レベ
ルのデューティ比は５０：５０である。従って、充放電
制御信号３３は、‘Hi’レベルで０．７５秒出力された
後、‘Lo’レベルで０．７５秒出力される。
【００４２】この図２（ａ）に示す充放電制御信号３３
がＥ／Ｏスイッチ２に入力されると、Ｅ／Ｏスイッチ２
は、放電動作の間も著しい偏波特性の悪化が起こらず、
Ｅ／Ｏスイッチ２から光出力２ｂを出力する事が可能で
ある。
がＥ／Ｏスイッチ２に入力されると、Ｅ／Ｏスイッチ２
は、放電動作の間も著しい偏波特性の悪化が起こらず、
Ｅ／Ｏスイッチ２から光出力２ｂを出力する事が可能で
ある。
【００４３】即ち、Ｅ／Ｏスイッチ２における充電動作
と放電動作とを高速に切り換えることにより、放電動作
に切り替えられた後も、従来の放電動作時のような偏波
特性の悪化、漏話量の増大といった現象が生じない。
と放電動作とを高速に切り換えることにより、放電動作
に切り替えられた後も、従来の放電動作時のような偏波
特性の悪化、漏話量の増大といった現象が生じない。
【００４４】これは、充放電制御信号３３のデューティ
比が５０：５０であり、充電動作と放電動作との切り換
えが高速に行われるため、LiNbO3結晶が充電動作状態と
放電動作状態とのいずれにも該当しない状態となるため
であると考えられる。また、この現象は、LiNbO3結晶が
充電動作状態から完全に放電動作に移行するまでに要す
る時間に比べ、充電動作と放電動作の切り換えがより高
速に行われることで顕著に現れる傾向がある。
比が５０：５０であり、充電動作と放電動作との切り換
えが高速に行われるため、LiNbO3結晶が充電動作状態と
放電動作状態とのいずれにも該当しない状態となるため
であると考えられる。また、この現象は、LiNbO3結晶が
充電動作状態から完全に放電動作に移行するまでに要す
る時間に比べ、充電動作と放電動作の切り換えがより高
速に行われることで顕著に現れる傾向がある。
【００４５】従って、充放電制御信号３３によって、充
電動作と放電動作とを高速周期で切り換えることによ
り、Ｅ／Ｏスイッチ２は、放電動作時であっても使用可
能であるため、Ｅ／Ｏスイッチ２の動作を停止させて放
電させる必要が無く、連続して使用できる。
電動作と放電動作とを高速周期で切り換えることによ
り、Ｅ／Ｏスイッチ２は、放電動作時であっても使用可
能であるため、Ｅ／Ｏスイッチ２の動作を停止させて放
電させる必要が無く、連続して使用できる。
【００４６】なお、図（ａ）に示す充放電制御信号３３
は、デューティ比が５０：５０の信号としたが、本発明
はこれに限定されるものではない。放電動作を若干長く
して、充放電制御信号３３のデューティ比を４０：６０
とした場合であっても上記の例と同様の効果が得られ、
放電動作をよりながくすることも可能である。
は、デューティ比が５０：５０の信号としたが、本発明
はこれに限定されるものではない。放電動作を若干長く
して、充放電制御信号３３のデューティ比を４０：６０
とした場合であっても上記の例と同様の効果が得られ、
放電動作をよりながくすることも可能である。
【００４７】ところで、上記のＥ／Ｏスイッチ２を充電
動作から放電動作へ切り換えると、切り換えから僅かの
間だけ偏波特性が悪化して漏話量が増加する現象が現れ
る。
動作から放電動作へ切り換えると、切り換えから僅かの
間だけ偏波特性が悪化して漏話量が増加する現象が現れ
る。
【００４８】詳細に説明すると、Ｅ／Ｏスイッチ２が充
電動作から放電動作へ切り換わる際に、切り換え動作か
ら５ｍｓ（ミリ秒）の間、偏波特性が悪化し、漏話量が
増加する過渡的な現象が発生する。この現象は、充電動
作中に印加されていた電圧が急に変化することに起因す
るものと推測される。この過渡的な現象が発生すると、
光が遮断されているか否かに関わらず光出力２ｂが出力
され、この出力光２ｂは要求される動作を満足しない光
である。
電動作から放電動作へ切り換わる際に、切り換え動作か
ら５ｍｓ（ミリ秒）の間、偏波特性が悪化し、漏話量が
増加する過渡的な現象が発生する。この現象は、充電動
作中に印加されていた電圧が急に変化することに起因す
るものと推測される。この過渡的な現象が発生すると、
光が遮断されているか否かに関わらず光出力２ｂが出力
され、この出力光２ｂは要求される動作を満足しない光
である。
【００４９】このため、スイッチ制御装置３は、光透過
遮断制御信号３２によってＥ／Ｏスイッチ２内を光が透
過するように指示されている間は、充放電制御信号３３
による充電動作から放電動作への切り換えを行わないよ
うに動作する。これにより、本来の動作によって出力中
の光出力２ｂが、上記の過渡的な現象による漏話の影響
を受けなくなる。
遮断制御信号３２によってＥ／Ｏスイッチ２内を光が透
過するように指示されている間は、充放電制御信号３３
による充電動作から放電動作への切り換えを行わないよ
うに動作する。これにより、本来の動作によって出力中
の光出力２ｂが、上記の過渡的な現象による漏話の影響
を受けなくなる。
【００５０】具体的には、スイッチ制御装置３からＥ／
Ｏスイッチ２へ出力される光透過遮断制御信号３２が
‘Lo’レベルであり、光出力２ｂの出力を示している状
態で、充放電制御信号３３が‘Hi’レベルから‘Lo’レ
ベルへ切り換えられると、過渡的に発生する偏波特性の
悪化や漏話量の増加によって光出力２ｂが影響を受け
る。このため、スイッチ制御装置３内では光透過遮断制
御信号３２が‘Hi’レベルで、Ｅ／Ｏスイッチ２におい
て光が遮断されている間のみ、充放電制御信号３３の
‘Hi’レベルと‘Lo’レベルとの切り換えが可能になっ
ている。これにより、光出力２ｂが出力されている間
は、充電動作と放電動作とが切り換えられないので、上
記の過渡的な現象による光出力２ｂの劣化が生じない。
Ｏスイッチ２へ出力される光透過遮断制御信号３２が
‘Lo’レベルであり、光出力２ｂの出力を示している状
態で、充放電制御信号３３が‘Hi’レベルから‘Lo’レ
ベルへ切り換えられると、過渡的に発生する偏波特性の
悪化や漏話量の増加によって光出力２ｂが影響を受け
る。このため、スイッチ制御装置３内では光透過遮断制
御信号３２が‘Hi’レベルで、Ｅ／Ｏスイッチ２におい
て光が遮断されている間のみ、充放電制御信号３３の
‘Hi’レベルと‘Lo’レベルとの切り換えが可能になっ
ている。これにより、光出力２ｂが出力されている間
は、充電動作と放電動作とが切り換えられないので、上
記の過渡的な現象による光出力２ｂの劣化が生じない。
【００５１】また、光透過遮断制御信号３２は、上記の
ように例えば、１μｓ程度の周期で、‘Hi’レベル：
‘Lo’レベル＝２０００：１程度で出力される信号であ
る。このため、光透過遮断制御信号３２が‘Lo’レベル
の間に充放電制御信号３３の切り換えができないことで
生じる影響は非常に軽微である。
ように例えば、１μｓ程度の周期で、‘Hi’レベル：
‘Lo’レベル＝２０００：１程度で出力される信号であ
る。このため、光透過遮断制御信号３２が‘Lo’レベル
の間に充放電制御信号３３の切り換えができないことで
生じる影響は非常に軽微である。
【００５２】なお、図２（ａ）の例では、充放電制御信
号３３の出力を切り換える周期を１．５秒としたが、充
放電制御信号３３の出力を切り換える周期は、１秒以
上、２０秒以下の範囲内であることが好ましい。これ
は、充放電制御信号３３が切り換えられることで生じる
過渡的な現象によって光出力２ｂが影響されるのを回避
するために、周期が１秒以上あることが望ましく、ま
た、充放電制御信号３３の切り換え周期が２０秒を超え
た場合、Ｅ／Ｏスイッチ２内のLiNbO3結晶が完全に放電
動作時の状態へ移行してしまい、放電動作時におけるＥ
／Ｏスイッチ２の偏波特性の著しい悪化が懸念されるた
めである。
号３３の出力を切り換える周期を１．５秒としたが、充
放電制御信号３３の出力を切り換える周期は、１秒以
上、２０秒以下の範囲内であることが好ましい。これ
は、充放電制御信号３３が切り換えられることで生じる
過渡的な現象によって光出力２ｂが影響されるのを回避
するために、周期が１秒以上あることが望ましく、ま
た、充放電制御信号３３の切り換え周期が２０秒を超え
た場合、Ｅ／Ｏスイッチ２内のLiNbO3結晶が完全に放電
動作時の状態へ移行してしまい、放電動作時におけるＥ
／Ｏスイッチ２の偏波特性の著しい悪化が懸念されるた
めである。
【００５３】さらに、充放電制御信号３３の切り換え周
期は、１．５秒以上、１０秒以下であることがより好ま
しい。これは、上記の過渡的な現象、および、Ｅ／Ｏス
イッチ２の放電動作時における偏波特性の悪化と漏話量
の増大を回避できるからである。また、連続使用のため
に最も好ましい切り換え周期は１．５秒である。
期は、１．５秒以上、１０秒以下であることがより好ま
しい。これは、上記の過渡的な現象、および、Ｅ／Ｏス
イッチ２の放電動作時における偏波特性の悪化と漏話量
の増大を回避できるからである。また、連続使用のため
に最も好ましい切り換え周期は１．５秒である。
【００５４】上記のように、スイッチ制御装置３によっ
てＥ／Ｏスイッチ２を駆動制御することにより、Ｅ／Ｏ
スイッチ２からはパルス化された光出力２ｂが得られ
る。この光出力２ｂを光電変換器によって電気信号に変
換し、この電気信号をオシロスコープ等によって観測す
ることで、Ｅ／Ｏスイッチ２における漏話量を測定する
ことができる。
てＥ／Ｏスイッチ２を駆動制御することにより、Ｅ／Ｏ
スイッチ２からはパルス化された光出力２ｂが得られ
る。この光出力２ｂを光電変換器によって電気信号に変
換し、この電気信号をオシロスコープ等によって観測す
ることで、Ｅ／Ｏスイッチ２における漏話量を測定する
ことができる。
【００５５】また、Ｐ波（平行偏光波）、Ｓ波（垂直偏
光波）のいずれか一方のみを透過させる偏光子を通して
光出力２ｂを透過させ、透過光を光パワーメータ等によ
って観測することにより、Ｅ／Ｏスイッチ２の偏波特性
を測定することができる。
光波）のいずれか一方のみを透過させる偏光子を通して
光出力２ｂを透過させ、透過光を光パワーメータ等によ
って観測することにより、Ｅ／Ｏスイッチ２の偏波特性
を測定することができる。
【００５６】以上のように、本発明の実施の形態におけ
るＥ／Ｏスイッチ制御システム１によれば、Ｅ／Ｏスイ
ッチ２と、Ｅ／Ｏスイッチ２を駆動制御するスイッチ制
御装置３と、によって構成され、Ｅ／Ｏスイッチ２には
電源電圧４が供給されるとともに、スイッチ制御装置３
からＥ／Ｏスイッチ２に対しては、本体２内のLiNbO3結
晶に充電を行うための印加電圧３１と、Ｅ／Ｏスイッチ
２における光の透過と遮断とを切り換えて指示する光透
過遮断制御信号３２と、Ｅ／Ｏスイッチ２における充電
動作と放電動作とを切り換えて指示する充放電制御信号
３３と、が入力される。
るＥ／Ｏスイッチ制御システム１によれば、Ｅ／Ｏスイ
ッチ２と、Ｅ／Ｏスイッチ２を駆動制御するスイッチ制
御装置３と、によって構成され、Ｅ／Ｏスイッチ２には
電源電圧４が供給されるとともに、スイッチ制御装置３
からＥ／Ｏスイッチ２に対しては、本体２内のLiNbO3結
晶に充電を行うための印加電圧３１と、Ｅ／Ｏスイッチ
２における光の透過と遮断とを切り換えて指示する光透
過遮断制御信号３２と、Ｅ／Ｏスイッチ２における充電
動作と放電動作とを切り換えて指示する充放電制御信号
３３と、が入力される。
【００５７】そして、充放電制御信号３３は、例えば
１．５秒周期の矩形波であって、Ｅ／Ｏスイッチ２に対
して充電動作と放電動作とを、同じ時間毎に高速に切り
換えさせるので、Ｅ／Ｏスイッチ２を連続使用して光出
力２ｂを出力させることができる。
１．５秒周期の矩形波であって、Ｅ／Ｏスイッチ２に対
して充電動作と放電動作とを、同じ時間毎に高速に切り
換えさせるので、Ｅ／Ｏスイッチ２を連続使用して光出
力２ｂを出力させることができる。
【００５８】また、従来のＥ／Ｏスイッチのように充電
動作が継続された時間をカウントする必要がないので、
装置構成をより単純化して、装置の小型化および低コス
ト化を図ることができる。
動作が継続された時間をカウントする必要がないので、
装置構成をより単純化して、装置の小型化および低コス
ト化を図ることができる。
【００５９】さらに、スイッチ制御装置３においては、
光透過遮断制御信号３２が光出力２ｂの出力を指示して
いる間は、充放電制御信号３３による充電動作から放電
動作への切り換えを行わない。これによって、充電動作
から放電動作への切り換え時にＥ／Ｏスイッチ２で発生
する過渡的な偏波特性の悪化および漏話量の増大によっ
て、本来出力すべき光出力２ｂが悪影響を受けることが
ない。
光透過遮断制御信号３２が光出力２ｂの出力を指示して
いる間は、充放電制御信号３３による充電動作から放電
動作への切り換えを行わない。これによって、充電動作
から放電動作への切り換え時にＥ／Ｏスイッチ２で発生
する過渡的な偏波特性の悪化および漏話量の増大によっ
て、本来出力すべき光出力２ｂが悪影響を受けることが
ない。
【００６０】なお、上記実施の形態におけるＥ／Ｏスイ
ッチ制御システム１においては、印加電圧３１、光透過
遮断制御信号３２および充放電制御信号３３はいずれも
スイッチ制御装置３から出力される構成としたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、印加電圧
３１、光透過遮断制御信号３２および充放電制御信号３
３をそれぞれ出力する装置を別体として複数備える構成
としても良い。
ッチ制御システム１においては、印加電圧３１、光透過
遮断制御信号３２および充放電制御信号３３はいずれも
スイッチ制御装置３から出力される構成としたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、印加電圧
３１、光透過遮断制御信号３２および充放電制御信号３
３をそれぞれ出力する装置を別体として複数備える構成
としても良い。
【００６１】また、印加電圧３１の電圧値や、光通過遮
断制御信号３２のにより光入力２ａの透過／遮断を切り
換える周期については、Ｅ／Ｏスイッチ２の用途に応じ
て適宜変更可能である。
断制御信号３２のにより光入力２ａの透過／遮断を切り
換える周期については、Ｅ／Ｏスイッチ２の用途に応じ
て適宜変更可能である。
【００６２】また、上記実施の形態におけるＥ／Ｏスイ
ッチ２は、強誘電体としてLiNbO3（ニオブ酸リチウム）
を内蔵する構成としたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、KTaO3（タンタル酸カリウム）、BaTiO
3（チタン酸バリウム）、TaNbO3（ニオブ酸タンタル）
等、Ｅ／Ｏスイッチ（電界光学スイッチ）に適用可能な
強誘電体を内蔵していればよい。
ッチ２は、強誘電体としてLiNbO3（ニオブ酸リチウム）
を内蔵する構成としたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、KTaO3（タンタル酸カリウム）、BaTiO
3（チタン酸バリウム）、TaNbO3（ニオブ酸タンタル）
等、Ｅ／Ｏスイッチ（電界光学スイッチ）に適用可能な
強誘電体を内蔵していればよい。
【００６３】
【発明の効果】請求項１記載の発明のＥ／Ｏスイッチ制
御装置、および、請求項５記載のＥ／Ｏスイッチの制御
方法によれば、強誘電体結晶を備えるＥ／Ｏスイッチで
は、強誘電体結晶に充電する充電動作と強誘電体結晶内
の電荷を放電させる放電動作とが所定の周波数のクロッ
ク信号に同期して切り換えられる。このため、強誘電体
結晶は完全に放電動作の状態に移行しないので、偏波特
性の悪化や漏話量の増加が生じない。これによって、充
電動作時および放電動作時の両方でＥ／Ｏスイッチを使
用でき、Ｅ／Ｏスイッチを連続動作させることができ
る。
御装置、および、請求項５記載のＥ／Ｏスイッチの制御
方法によれば、強誘電体結晶を備えるＥ／Ｏスイッチで
は、強誘電体結晶に充電する充電動作と強誘電体結晶内
の電荷を放電させる放電動作とが所定の周波数のクロッ
ク信号に同期して切り換えられる。このため、強誘電体
結晶は完全に放電動作の状態に移行しないので、偏波特
性の悪化や漏話量の増加が生じない。これによって、充
電動作時および放電動作時の両方でＥ／Ｏスイッチを使
用でき、Ｅ／Ｏスイッチを連続動作させることができ
る。
【００６４】請求項２記載の発明のＥ／Ｏスイッチ制御
装置、および、請求項６記載のＥ／Ｏスイッチの制御方
法によれば、強誘電体結晶の充電動作と放電動作とを切
り換える際に過渡的に生じる偏波特性の悪化や漏話量の
増加によって、Ｅ／Ｏスイッチから出力される出力光が
影響されるのを防止することができる。これにより、Ｅ
／Ｏスイッチを安定して連続動作させることができる。
装置、および、請求項６記載のＥ／Ｏスイッチの制御方
法によれば、強誘電体結晶の充電動作と放電動作とを切
り換える際に過渡的に生じる偏波特性の悪化や漏話量の
増加によって、Ｅ／Ｏスイッチから出力される出力光が
影響されるのを防止することができる。これにより、Ｅ
／Ｏスイッチを安定して連続動作させることができる。
【００６５】請求項３記載の発明のＥ／Ｏスイッチ制御
装置、および、請求項７記載のＥ／Ｏスイッチの制御方
法によれば、強誘電体結晶の充電動作と放電動作とが１
秒以上２０秒以下の周期のクロック信号に同期して交互
に切り換えられ、充電動作と放電動作とは、それぞれ
０．５秒以上１０秒以下の所定の時間だけ継続される。
このため、所定時間以上、放電動作を行った場合に生じ
る強誘電体結晶の偏波特性の悪化が、全く起こらなくな
る。これにより、より効率よく、安定してＥ／Ｏスイッ
チを連続動作させることができる。
装置、および、請求項７記載のＥ／Ｏスイッチの制御方
法によれば、強誘電体結晶の充電動作と放電動作とが１
秒以上２０秒以下の周期のクロック信号に同期して交互
に切り換えられ、充電動作と放電動作とは、それぞれ
０．５秒以上１０秒以下の所定の時間だけ継続される。
このため、所定時間以上、放電動作を行った場合に生じ
る強誘電体結晶の偏波特性の悪化が、全く起こらなくな
る。これにより、より効率よく、安定してＥ／Ｏスイッ
チを連続動作させることができる。
【００６６】請求項４記載の発明のＥ／Ｏスイッチ制御
装置、および、請求項８記載のＥ／Ｏスイッチの制御方
法によれば、特にＥ／Ｏスイッチに適した強誘電体結晶
であるLiNbO3結晶を内蔵したＥ／Ｏスイッチを、安定し
て連続動作させることができる。
装置、および、請求項８記載のＥ／Ｏスイッチの制御方
法によれば、特にＥ／Ｏスイッチに適した強誘電体結晶
であるLiNbO3結晶を内蔵したＥ／Ｏスイッチを、安定し
て連続動作させることができる。
【図１】本発明の実施の形態におけるＥ／Ｏスイッチ制
御システム１の構成を示すブロック図である。
御システム１の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の充放電制御信号３３の様子を示すタイミ
ングチャートであり、（ａ）は充放電制御信号３３の様
子を示し、（ｂ）は、参考として従来のＥ／Ｏスイッチ
に入力される充放電制御信号の様子を示す。
ングチャートであり、（ａ）は充放電制御信号３３の様
子を示し、（ｂ）は、参考として従来のＥ／Ｏスイッチ
に入力される充放電制御信号の様子を示す。
１ Ｅ／Ｏスイッチ制御システム ２ Ｅ／Ｏスイッチ ２ａ 光入力 ２ｂ 光出力 ３ スイッチ制御装置（充放電制御手段；光透過遮断制
御手段） ３１ 印加電圧 ３２ 光透過遮断制御信号 ３３ 充放電制御信号 ４ 電源電圧
御手段） ３１ 印加電圧 ３２ 光透過遮断制御信号 ３３ 充放電制御信号 ４ 電源電圧
Claims (8)
- 【請求項１】強誘電体結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチを
制御するＥ／Ｏスイッチ制御装置において、 前記Ｅ／Ｏスイッチ内の強誘電体結晶に充電する充電動
作と強誘電体結晶内の電荷を放電させる放電動作とを所
定の周波数のクロック信号に同期して切り換えさせる充
放電制御手段を備えること、 を特徴とするＥ／Ｏスイッチ制御装置。 - 【請求項２】前記Ｅ／Ｏスイッチに入力される入力光を
透過させて出力させるか、或いは遮断させるかを切り換
える光透過遮断制御手段をさらに備え、 前記充放電制御手段は、前記光透過遮断制御手段の制御
によって前記Ｅ／Ｏスイッチに入力された入力光が出力
されている間は、前記強誘電体結晶の充電動作と放電動
作とを切り換えさせないこと、 を特徴とする請求項１記載のＥ／Ｏスイッチ制御装置。 - 【請求項３】前記所定の周波数のクロック信号は、一周
期が１秒以上２０秒以下の信号であること、 を特徴とする請求項１または２記載のＥ／Ｏスイッチ制
御装置。 - 【請求項４】前記強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸
リチウム）結晶を内蔵する前記Ｅ／Ｏスイッチを制御す
ること、 を特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のＥ／Ｏ
スイッチ制御装置。 - 【請求項５】強誘電体結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチの
制御方法であって、 前記Ｅ／Ｏスイッチ内の強誘電体結晶に充電する充電動
作と強誘電体結晶内の電荷を放電させる放電動作とを所
定の周波数のクロック信号に同期して切り換える工程を
含むこと、 を特徴とするＥ／Ｏスイッチの制御方法。 - 【請求項６】前記Ｅ／Ｏスイッチに入力される光を透過
させて出力させるか、或いは遮断させるかを切り換える
工程をさらに含み、 前記Ｅ／Ｏスイッチに入力された光が透過して出力され
ている間は、前記強誘電体結晶の充電動作と放電動作と
を切り換えないこと、 を特徴とする請求項５記載のＥ／Ｏスイッチの制御方
法。 - 【請求項７】前記所定の周波数のクロック信号は、一周
期が１秒以上２０秒以下の信号であること、 を特徴とする請求項５または６記載のＥ／Ｏスイッチの
制御方法。 - 【請求項８】前記強誘電体結晶としてLiNbO3（ニオブ酸
リチウム）結晶を内蔵するＥ／Ｏスイッチの制御方法で
あること、 を特徴とする請求項５から７のいずれかに記載のＥ／Ｏ
スイッチの制御方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173030A JP2001004965A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | Ｅ／ｏスイッチ制御装置、および、ｅ／ｏスイッチの制御方法 |
| US09/580,719 US6215569B1 (en) | 1999-06-18 | 2000-05-30 | E/O switch controlling apparatus and method for controlling E/O switch |
| EP00112697A EP1061401A3 (en) | 1999-06-18 | 2000-06-15 | Controlling apparatus for electro-optical switch and method of controlling the switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173030A JP2001004965A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | Ｅ／ｏスイッチ制御装置、および、ｅ／ｏスイッチの制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004965A true JP2001004965A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15952910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11173030A Withdrawn JP2001004965A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | Ｅ／ｏスイッチ制御装置、および、ｅ／ｏスイッチの制御方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6215569B1 (ja) |
| EP (1) | EP1061401A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001004965A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2209609B (en) * | 1987-09-09 | 1991-06-26 | Ferranti Plc | Optical modulators |
| US6101296A (en) * | 1998-07-31 | 2000-08-08 | Advanced Photonics Technology, Inc. | Linearized Y-fed directional coupler modulators |
-
1999
- 1999-06-18 JP JP11173030A patent/JP2001004965A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-05-30 US US09/580,719 patent/US6215569B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-15 EP EP00112697A patent/EP1061401A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1061401A3 (en) | 2002-04-17 |
| US6215569B1 (en) | 2001-04-10 |
| EP1061401A2 (en) | 2000-12-20 |
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