JP2001004309A - 位置センサ回路 - Google Patents
位置センサ回路Info
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- JP2001004309A JP2001004309A JP11177184A JP17718499A JP2001004309A JP 2001004309 A JP2001004309 A JP 2001004309A JP 11177184 A JP11177184 A JP 11177184A JP 17718499 A JP17718499 A JP 17718499A JP 2001004309 A JP2001004309 A JP 2001004309A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、温度や湿度の変動によりソレノイ
ドコイルの内部抵抗値が変化することがなく、温度や湿
度の変動で位置検出信号が変動することを防止できる位
置センサ回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 反転増幅器（２０）とソレノイドコイル
（Ｌ１１）とコンデンサ（Ｃ１１，Ｃ１２）とで構成さ
れる発振手段（２４）と、検出位置に応じた量だけソレ
ノイドコイル（Ｌ１１）のコイルボビン内に相対的に挿
入され、その挿入量に応じてソレノイドコイル（Ｌ１
１）の内部抵抗値を可変する磁心部材（２２）と、発振
器（２４）の出力する発振信号を検波して検出位置に応
じた位置検出信号を出力する検波手段（２６）とを有す
る。このため、温度や湿度の変動によりソレノイドコイ
ル（Ｌ１１）の内部抵抗値が変化することがないので、
温度や湿度の変動で位置検出信号が変動を受けることを
防止できる。
ドコイルの内部抵抗値が変化することがなく、温度や湿
度の変動で位置検出信号が変動することを防止できる位
置センサ回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 反転増幅器（２０）とソレノイドコイル
（Ｌ１１）とコンデンサ（Ｃ１１，Ｃ１２）とで構成さ
れる発振手段（２４）と、検出位置に応じた量だけソレ
ノイドコイル（Ｌ１１）のコイルボビン内に相対的に挿
入され、その挿入量に応じてソレノイドコイル（Ｌ１
１）の内部抵抗値を可変する磁心部材（２２）と、発振
器（２４）の出力する発振信号を検波して検出位置に応
じた位置検出信号を出力する検波手段（２６）とを有す
る。このため、温度や湿度の変動によりソレノイドコイ
ル（Ｌ１１）の内部抵抗値が変化することがないので、
温度や湿度の変動で位置検出信号が変動を受けることを
防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は位置センサ回路に関
し、特に、ＬＣ発振器を用いて位置検出を行う位置セン
サ回路に関する。
し、特に、ＬＣ発振器を用いて位置検出を行う位置セン
サ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＬＣ発振器を用いて位置検出
を行う位置センサ回路が開発されている。図４は従来の
位置センサ回路の一例の回路構成図を示す。同図中、反
転アンプ１０の入力端子及び出力端子は、コンデンサＣ
１，Ｃ２を介して接地されると共に、ソレノイドコイル
Ｌ１により接続されて、図５に示す等価回路のコルピッ
ツ型の発振器１４が構成されている。
を行う位置センサ回路が開発されている。図４は従来の
位置センサ回路の一例の回路構成図を示す。同図中、反
転アンプ１０の入力端子及び出力端子は、コンデンサＣ
１，Ｃ２を介して接地されると共に、ソレノイドコイル
Ｌ１により接続されて、図５に示す等価回路のコルピッ
ツ型の発振器１４が構成されている。
【０００３】ソレノイドコイルＬ１のコイルボビン内部
には可動磁心１２が挿入されている。可動磁心１２とし
ては、比抵抗が大きく、かつ、高透磁率の磁気的に軟ら
かい強磁性体の材料である、例えば軟鉄やフェライト等
が用いられる。可動磁心１２の一端は、例えば記録再生
装置の記録再生ヘッドに連動されており、記録再生ヘッ
ドが駆動されて移動し記録媒体に対して変位すると、可
動磁心１２は矢印Ａで示すように、ソレノイドコイルＬ
１のコイルボビン内部に挿入／抜去される。
には可動磁心１２が挿入されている。可動磁心１２とし
ては、比抵抗が大きく、かつ、高透磁率の磁気的に軟ら
かい強磁性体の材料である、例えば軟鉄やフェライト等
が用いられる。可動磁心１２の一端は、例えば記録再生
装置の記録再生ヘッドに連動されており、記録再生ヘッ
ドが駆動されて移動し記録媒体に対して変位すると、可
動磁心１２は矢印Ａで示すように、ソレノイドコイルＬ
１のコイルボビン内部に挿入／抜去される。
【０００４】この可動磁心１２の挿入／抜去に応じてソ
レノイドコイルＬ１のインダクタンスＬｏが可変し、図
５に示す等価回路を持つ発振器の発振周波数が変化す
る。この発振器の発振周波数Ｆｏｓｃは次式で表され
る。但し、コンデンサＣ１，Ｃ２の合成容量をＣｏとす
る。 Ｆｏｓｃ＝１／［２π（Ｌｏ・Ｃｏ）1/2 ］ 上記の発振器の出力する発振信号はＦ／Ｖ変換回路１６
に供給され、Ｆ／Ｖ変換回路１６は発振信号の周波数に
比例したレベルの信号を出力する。この信号は記録再生
ヘッドの位置検出信号として用いられる。
レノイドコイルＬ１のインダクタンスＬｏが可変し、図
５に示す等価回路を持つ発振器の発振周波数が変化す
る。この発振器の発振周波数Ｆｏｓｃは次式で表され
る。但し、コンデンサＣ１，Ｃ２の合成容量をＣｏとす
る。 Ｆｏｓｃ＝１／［２π（Ｌｏ・Ｃｏ）1/2 ］ 上記の発振器の出力する発振信号はＦ／Ｖ変換回路１６
に供給され、Ｆ／Ｖ変換回路１６は発振信号の周波数に
比例したレベルの信号を出力する。この信号は記録再生
ヘッドの位置検出信号として用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の位置センサ回路
は、位置検出を行おうとする部材の変位に応じてソレノ
イドコイルＬ１のインダクタンスＬｏを可変して発振器
の発振周波数を可変し、この発振周波数をＦ／Ｖ変換し
て検出信号を得ている。つまり、Ｆ／Ｖ変換回路１６を
必要とし、回路構成が複雑になるという問題があった。
は、位置検出を行おうとする部材の変位に応じてソレノ
イドコイルＬ１のインダクタンスＬｏを可変して発振器
の発振周波数を可変し、この発振周波数をＦ／Ｖ変換し
て検出信号を得ている。つまり、Ｆ／Ｖ変換回路１６を
必要とし、回路構成が複雑になるという問題があった。
【０００６】また、位置センサ回路が置かれた場所の温
度や湿度の変動等の環境変化により、ソレノイドコイル
Ｌ１のインダクタンスＬｏやコンデンサＣ１，Ｃ２の合
成容量Ｃｏが変動し、引いては発振周波数が変動して検
出位置に誤りを生じるという問題があった。本発明は、
上記の点に鑑みなされたもので、温度や湿度の変動によ
りソレノイドコイルの内部抵抗値が変化することがな
く、温度や湿度の変動で位置検出信号が変動することを
防止できる位置センサ回路を提供することを目的とす
る。
度や湿度の変動等の環境変化により、ソレノイドコイル
Ｌ１のインダクタンスＬｏやコンデンサＣ１，Ｃ２の合
成容量Ｃｏが変動し、引いては発振周波数が変動して検
出位置に誤りを生じるという問題があった。本発明は、
上記の点に鑑みなされたもので、温度や湿度の変動によ
りソレノイドコイルの内部抵抗値が変化することがな
く、温度や湿度の変動で位置検出信号が変動することを
防止できる位置センサ回路を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、反転増幅器（２０）とソレノイドコイル（Ｌ１１）
とコンデンサ（Ｃ１１，Ｃ１２）とで構成される発振手
段（２４）と、検出位置に応じた量だけ前記ソレノイド
コイル（Ｌ１１）のコイルボビン内に相対的に挿入さ
れ、その挿入量に応じて前記ソレノイドコイル（Ｌ１
１）の内部抵抗値を可変する磁心部材（２２）と、前記
発振器（２４）の出力する発振信号を検波して前記検出
位置に応じた位置検出信号を出力する検波手段（２６）
とを有する。
は、反転増幅器（２０）とソレノイドコイル（Ｌ１１）
とコンデンサ（Ｃ１１，Ｃ１２）とで構成される発振手
段（２４）と、検出位置に応じた量だけ前記ソレノイド
コイル（Ｌ１１）のコイルボビン内に相対的に挿入さ
れ、その挿入量に応じて前記ソレノイドコイル（Ｌ１
１）の内部抵抗値を可変する磁心部材（２２）と、前記
発振器（２４）の出力する発振信号を検波して前記検出
位置に応じた位置検出信号を出力する検波手段（２６）
とを有する。
【０００８】このように、検出位置に応じた量だけソレ
ノイドコイル（Ｌ１１）のコイルボビン内に相対的に挿
入され、その挿入量に応じてソレノイドコイル（Ｌ１
１）の内部抵抗値を可変する磁心部材を用いているた
め、検出位置が変化するとソレノイドコイル（Ｌ１１）
の内部抵抗値が変化して発振手段の出力する発振信号の
振幅が変化し、発振信号を検波することにより検出位置
に応じた位置検出信号を得ることができ、かつ、温度や
湿度の変動によりソレノイドコイル（Ｌ１１）の内部抵
抗値が変化することがないので、温度や湿度の変動で位
置検出信号が変動を受けることを防止できる。
ノイドコイル（Ｌ１１）のコイルボビン内に相対的に挿
入され、その挿入量に応じてソレノイドコイル（Ｌ１
１）の内部抵抗値を可変する磁心部材を用いているた
め、検出位置が変化するとソレノイドコイル（Ｌ１１）
の内部抵抗値が変化して発振手段の出力する発振信号の
振幅が変化し、発振信号を検波することにより検出位置
に応じた位置検出信号を得ることができ、かつ、温度や
湿度の変動によりソレノイドコイル（Ｌ１１）の内部抵
抗値が変化することがないので、温度や湿度の変動で位
置検出信号が変動を受けることを防止できる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
位置センサ回路において、前記磁心部材（２２）は、比
抵抗が小で低透磁率の材料で形成する。このように、磁
心部材（２２）を比抵抗が小で低透磁率の材料で形成す
ることにより、磁心部材のソレノイドコイル（Ｌ１１）
に対する挿入量が変化したとき、ソレノイドコイル（Ｌ
１１）のインダクタンスが変化せず抵抗値が変化するよ
うにできる。
位置センサ回路において、前記磁心部材（２２）は、比
抵抗が小で低透磁率の材料で形成する。このように、磁
心部材（２２）を比抵抗が小で低透磁率の材料で形成す
ることにより、磁心部材のソレノイドコイル（Ｌ１１）
に対する挿入量が変化したとき、ソレノイドコイル（Ｌ
１１）のインダクタンスが変化せず抵抗値が変化するよ
うにできる。
【００１０】なお、上記括弧内の符号は、理解を容易に
するために付したものであり、一例にすぎない。
するために付したものであり、一例にすぎない。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の位置センサ回路の
一実施例の回路構成図を示す。同図中、反転アンプ２０
の入力端子及び出力端子は、コンデンサＣ１１，Ｃ１２
を介して接地されると共に、入出力端子間はソレノイド
コイルＬ１１により接続されており、図２に示す等価回
路のコルピッツ型の発振器２４が構成されている。
一実施例の回路構成図を示す。同図中、反転アンプ２０
の入力端子及び出力端子は、コンデンサＣ１１，Ｃ１２
を介して接地されると共に、入出力端子間はソレノイド
コイルＬ１１により接続されており、図２に示す等価回
路のコルピッツ型の発振器２４が構成されている。
【００１２】ソレノイドコイルＬ１１のコイルボビン内
部には可動磁心２２が挿入されている。可動磁心２２と
しては、比抵抗が小さく、かつ、低透磁率の磁気的に硬
い材料、例えばステンレスが用いられる。可動磁心２２
の一端は、例えば記録再生装置の記録再生ヘッドに連動
されており、記録再生ヘッドが駆動されて移動し記録媒
体に対して変位すると、可動磁心２２は矢印Ａで示すよ
うに、ソレノイドコイルＬ１１のコイルボビン内部に挿
入／抜去される。
部には可動磁心２２が挿入されている。可動磁心２２と
しては、比抵抗が小さく、かつ、低透磁率の磁気的に硬
い材料、例えばステンレスが用いられる。可動磁心２２
の一端は、例えば記録再生装置の記録再生ヘッドに連動
されており、記録再生ヘッドが駆動されて移動し記録媒
体に対して変位すると、可動磁心２２は矢印Ａで示すよ
うに、ソレノイドコイルＬ１１のコイルボビン内部に挿
入／抜去される。
【００１３】この可動磁心２２の挿入／抜去に応じ、挿
入量が大なるほど可動磁心２２で発生するうず電流損が
大きくなるためにソレノイドコイルＬ１１の内部抵抗値
ｒが大きくなる。また、可動磁心２２は低透磁率である
ため、可動磁心２２の挿入／抜去によるソレノイドコイ
ルＬ１１のインダクタンスＬの変化は非常に小さい。上
記ソレノイドコイルＬ１１の内部抵抗値ｒが大きくなる
と、図２に示す発振器２４のＱ値が小さくなり、発振信
号の振幅が小さくなる。つまり、可動磁心２２の挿入／
抜去に応じて発振信号の振幅が変化する。この際、可動
磁心２２は低透磁率であるため、ソレノイドコイルＬ１
１のインダクタンスＬの変化は非常に小さく、発振器２
４の発振周波数はほとんど変化することはない。
入量が大なるほど可動磁心２２で発生するうず電流損が
大きくなるためにソレノイドコイルＬ１１の内部抵抗値
ｒが大きくなる。また、可動磁心２２は低透磁率である
ため、可動磁心２２の挿入／抜去によるソレノイドコイ
ルＬ１１のインダクタンスＬの変化は非常に小さい。上
記ソレノイドコイルＬ１１の内部抵抗値ｒが大きくなる
と、図２に示す発振器２４のＱ値が小さくなり、発振信
号の振幅が小さくなる。つまり、可動磁心２２の挿入／
抜去に応じて発振信号の振幅が変化する。この際、可動
磁心２２は低透磁率であるため、ソレノイドコイルＬ１
１のインダクタンスＬの変化は非常に小さく、発振器２
４の発振周波数はほとんど変化することはない。
【００１４】上記の発振器２４の出力する発振信号は検
波回路２６で包絡線検波され、発振信号の振幅に比例し
たレベルの位置検出信号が得られる。この位置検出信号
は差動増幅器２７の非反転入力端子に供給される。差動
増幅器２７の反転入力端子には外部の図示しない制御回
路から記録再生ヘッドを移動する位置を指示する基準電
圧が供給されており、差動増幅器２７は基準電圧と位置
検出信号電圧との差電圧を求める。
波回路２６で包絡線検波され、発振信号の振幅に比例し
たレベルの位置検出信号が得られる。この位置検出信号
は差動増幅器２７の非反転入力端子に供給される。差動
増幅器２７の反転入力端子には外部の図示しない制御回
路から記録再生ヘッドを移動する位置を指示する基準電
圧が供給されており、差動増幅器２７は基準電圧と位置
検出信号電圧との差電圧を求める。
【００１５】この差電圧はトランジスタＱ１のベースに
供給され、トランジスタＱ１は上記差電圧に応じた駆動
電流をアクチュエータの巻線２８に流す。アクチュエー
タは記録再生ヘッドを駆動するものであり、これによっ
て、記録再生ヘッドは基準電圧で指示された位置まで移
動される。本実施例では、位置センサ回路が置かれた場
所の温度や湿度の変動等の環境変化により、ソレノイド
コイルＬ１１のインダクタンスＬやコンデンサＣ１１，
Ｃ１２の合成容量Ｃが変動し、発振器２４の発振周波数
が僅かに変動したとしても、発振信号の振幅はほとんど
変化することがなく、また、環境変化によりソレノイド
コイルＬ１１の内部抵抗値ｒが変化することはない。従
って、温度や湿度の変動等の環境変化によって検出位置
を誤るおそれがない。また、従来回路で使用していたＦ
／Ｖ変換回路１６に比して検波回路２６は回路構成が簡
単であるため、位置センサ回路全体の回路構成が簡単に
なる。
供給され、トランジスタＱ１は上記差電圧に応じた駆動
電流をアクチュエータの巻線２８に流す。アクチュエー
タは記録再生ヘッドを駆動するものであり、これによっ
て、記録再生ヘッドは基準電圧で指示された位置まで移
動される。本実施例では、位置センサ回路が置かれた場
所の温度や湿度の変動等の環境変化により、ソレノイド
コイルＬ１１のインダクタンスＬやコンデンサＣ１１，
Ｃ１２の合成容量Ｃが変動し、発振器２４の発振周波数
が僅かに変動したとしても、発振信号の振幅はほとんど
変化することがなく、また、環境変化によりソレノイド
コイルＬ１１の内部抵抗値ｒが変化することはない。従
って、温度や湿度の変動等の環境変化によって検出位置
を誤るおそれがない。また、従来回路で使用していたＦ
／Ｖ変換回路１６に比して検波回路２６は回路構成が簡
単であるため、位置センサ回路全体の回路構成が簡単に
なる。
【００１６】なお、図１に示すコルピッツ型の発振器２
４の代わりに図３に示すハートレー型の発振器を使用し
ても良い。図３においては、反転アンプ３０の入力端子
及び出力端子は、ソレノイドコイルＬ２１，Ｌ２２を介
して接地されると共に、入出力端子間はコンデンサＣ２
１により接続されており、ハートレー型の発振器３４が
構成されている。
４の代わりに図３に示すハートレー型の発振器を使用し
ても良い。図３においては、反転アンプ３０の入力端子
及び出力端子は、ソレノイドコイルＬ２１，Ｌ２２を介
して接地されると共に、入出力端子間はコンデンサＣ２
１により接続されており、ハートレー型の発振器３４が
構成されている。
【００１７】ソレノイドコイルＬ２１，Ｌ２２は軸が同
一線上となるように隣接して配置され、ソレノイドコイ
ルＬ２１，Ｌ２２のコイルボビン内部に可動磁心２２が
挿入されている。可動磁心２２は図１と同様に矢印Ａで
示すように、ソレノイドコイルＬ２１，Ｌ２２のコイル
内部に挿入／抜去される。なお、図１，図３では、記録
再生ヘッドに連動して記録再生ヘッドの移動により可動
磁心２２がソレノイドコイルＬ１１またはＬ２１，Ｌ２
２のコイルボビン内部に挿入／抜去される構成としてい
るが、可動磁心２２が固定され、ソレノイドコイルＬ１
１またはＬ２１，Ｌ２２が記録再生ヘッドに連動し記録
再生ヘッドの移動により移動するような構成であっても
良く、上記実施例に限定されない。
一線上となるように隣接して配置され、ソレノイドコイ
ルＬ２１，Ｌ２２のコイルボビン内部に可動磁心２２が
挿入されている。可動磁心２２は図１と同様に矢印Ａで
示すように、ソレノイドコイルＬ２１，Ｌ２２のコイル
内部に挿入／抜去される。なお、図１，図３では、記録
再生ヘッドに連動して記録再生ヘッドの移動により可動
磁心２２がソレノイドコイルＬ１１またはＬ２１，Ｌ２
２のコイルボビン内部に挿入／抜去される構成としてい
るが、可動磁心２２が固定され、ソレノイドコイルＬ１
１またはＬ２１，Ｌ２２が記録再生ヘッドに連動し記録
再生ヘッドの移動により移動するような構成であっても
良く、上記実施例に限定されない。
【００１８】なお、発振器２４，３４が請求項記載の発
振手段に対応し、可動磁心２２が磁心部材に対応し、検
波回路２６が検波手段に対応する。
振手段に対応し、可動磁心２２が磁心部材に対応し、検
波回路２６が検波手段に対応する。
【００１９】
【発明の効果】上述の如く、請求項１に記載の発明は、
反転増幅器とソレノイドコイルとコンデンサとで構成さ
れる発振手段と、検出位置に応じた量だけ前記ソレノイ
ドコイルのコイルボビン内に相対的に挿入され、その挿
入量に応じて前記ソレノイドコイルの内部抵抗値を可変
する磁心部材と、前記発振器の出力する発振信号を検波
して前記検出位置に応じた位置検出信号を出力する検波
手段とを有する。
反転増幅器とソレノイドコイルとコンデンサとで構成さ
れる発振手段と、検出位置に応じた量だけ前記ソレノイ
ドコイルのコイルボビン内に相対的に挿入され、その挿
入量に応じて前記ソレノイドコイルの内部抵抗値を可変
する磁心部材と、前記発振器の出力する発振信号を検波
して前記検出位置に応じた位置検出信号を出力する検波
手段とを有する。
【００２０】このように、検出位置に応じた量だけソレ
ノイドコイルのコイルボビン内に相対的に挿入され、そ
の挿入量に応じてソレノイドコイルの内部抵抗値を可変
する磁心部材を用いているため、検出位置が変化すると
ソレノイドコイルの内部抵抗値が変化して発振手段の出
力する発振信号の振幅が変化し、発振信号を検波するこ
とにより検出位置に応じた位置検出信号を得ることがで
き、かつ、温度や湿度の変動によりソレノイドコイルの
内部抵抗値が変化することがないので、温度や湿度の変
動で位置検出信号が変動を受けることを防止できる。
ノイドコイルのコイルボビン内に相対的に挿入され、そ
の挿入量に応じてソレノイドコイルの内部抵抗値を可変
する磁心部材を用いているため、検出位置が変化すると
ソレノイドコイルの内部抵抗値が変化して発振手段の出
力する発振信号の振幅が変化し、発振信号を検波するこ
とにより検出位置に応じた位置検出信号を得ることがで
き、かつ、温度や湿度の変動によりソレノイドコイルの
内部抵抗値が変化することがないので、温度や湿度の変
動で位置検出信号が変動を受けることを防止できる。
【００２１】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
位置センサ回路において、前記磁心部材は、比抵抗が小
で低透磁率の材料で形成する。このように、磁心部材を
比抵抗が小で低透磁率の材料で形成することにより、磁
心部材のソレノイドコイルに対する挿入量が変化したと
き、ソレノイドコイルのインダクタンスが変化せず抵抗
値が変化するようにできる。
位置センサ回路において、前記磁心部材は、比抵抗が小
で低透磁率の材料で形成する。このように、磁心部材を
比抵抗が小で低透磁率の材料で形成することにより、磁
心部材のソレノイドコイルに対する挿入量が変化したと
き、ソレノイドコイルのインダクタンスが変化せず抵抗
値が変化するようにできる。
【図１】本発明の位置センサ回路の一実施例の回路構成
図である。
図である。
【図２】コルピッツ型の発振器２４の等価回路図であ
る。
る。
【図３】ハートレー型の発振器の回路構成図である。
【図４】従来の位置センサ回路の一例の回路構成図であ
る。
る。
【図５】コルピッツ型の発振器１４の等価回路図であ
る。
る。
【符号の説明】 ２０ 反転アンプ ２２ 可動磁心 ２４，３４ 発振器 ２６ 検波回路 ２７ 差動増幅器 ２８ アクチュエータの巻線 Ｃ１１，Ｃ１２ コンデンサ Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ２２ ソレノイドコイル
Claims (2)
- 【請求項１】 反転増幅器とソレノイドコイルとコンデ
ンサとで構成される発振手段と、 検出位置に応じた量だけ前記ソレノイドコイルのコイル
ボビン内に相対的に挿入され、その挿入量に応じて前記
ソレノイドコイルの内部抵抗値を可変する磁心部材と、 前記発振器の出力する発振信号を検波して前記検出位置
に応じた位置検出信号を出力する検波手段とを有するこ
とを特徴とする位置センサ回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の位置センサ回路におい
て、 前記磁心部材は、比抵抗が小で低透磁率の材料で形成し
たことを特徴とする位置センサ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177184A JP2001004309A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 位置センサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177184A JP2001004309A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 位置センサ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004309A true JP2001004309A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=16026656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11177184A Pending JP2001004309A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 位置センサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001004309A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089205A1 (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-20 | 株式会社アミテック | 位置検出装置 |
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