JP2001003158A - Film forming device - Google Patents

Film forming device

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JP2001003158A
JP2001003158A JP17415499A JP17415499A JP2001003158A JP 2001003158 A JP2001003158 A JP 2001003158A JP 17415499 A JP17415499 A JP 17415499A JP 17415499 A JP17415499 A JP 17415499A JP 2001003158 A JP2001003158 A JP 2001003158A
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JP
Japan
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hearth
film forming
evaporating
processed
cooled
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Pending
Application number
JP17415499A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Itsushi Iio
逸史 飯尾
Akira Miyoshi
陽 三好
Akihiko Yoshii
明彦 吉井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent adherence of deposits, and deposition of a large volume of deposits by providing at least a substantially thin-walled upper end portion of a cylindrical upper part to store an evaporating material which is projected above a base part to be cooled of a hearth with the evaporating material stored therein in a vacuum chamber. SOLUTION: A hearth 41 comprises a box-shaped base part 41b of container shape in which a refrigerant is circulated, and an upper part 41a to stored columnar pellet-like evaporating material to be fed on a batch basis. Preferably, the wall thickness (t) of at least an upper end portion 41c of the upper part 41a is >=1 mm to <=5 mm, the angle θ1 of an outer wall surface 41e is >=0 deg. to <=20 deg., and the angle θ2 of an inner surface 41d of the upper end portion 41c is >=0 deg. to <=45 deg.. Since most of the upper part 41a is constantly located within the irradiation range of a plasma beam 300, deposits 200' to adversely affect the beam irradiation are re-evaporated and hardly deposited.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空室内にてハー
スに収容した蒸発材料をこれにプラズマビームや電子ビ
ームを照射して蒸発させることによって被処理物体に膜
を付着させるための成膜装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus for depositing a film on an object to be processed by irradiating an evaporation material contained in a hearth in a vacuum chamber with a plasma beam or an electron beam to evaporate the material. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の成膜装置の一つであるプラズマ
成膜装置としては、イオンプレーティング装置およびプ
ラズマCVD装置等がある。イオンプレーティング装置
としては、アーク放電を利用したプラズマ源である圧力
勾配型プラズマ源またはHCDプラズマ源等を用いたプ
ラズマ成膜装置が知られている。
2. Description of the Related Art An ion plating apparatus, a plasma CVD apparatus and the like are examples of a plasma film forming apparatus which is one of such film forming apparatuses. As an ion plating apparatus, a plasma film forming apparatus using a pressure gradient type plasma source or an HCD plasma source, which is a plasma source utilizing arc discharge, is known.

【0003】プラズマ成膜装置は、真空容器中に配置さ
れた電気的には陽極として機能するハースと、プラズマ
源との間で、プラズマビームを発生させ、ハースに収容
された蒸発材料をジュール加熱して蒸発させている。そ
して、蒸発した蒸発材料の粒子はイオン化され、このイ
オン化された粒子が、負電圧が印加されている被処理物
体表面上に付着し、被処理物体表面上に膜が形成され
る。尚、蒸発材料は、バッチ的にハース内に収容される
か、あるいは、連続供給機構により連続的にハース内に
供給、収容される。
A plasma film forming apparatus generates a plasma beam between a hearth disposed in a vacuum vessel and electrically serving as an anode, and a plasma source, and heats an evaporating material contained in the hearth by Joule heating. And evaporate. Then, the particles of the evaporated evaporation material are ionized, and the ionized particles adhere to the surface of the object to which the negative voltage is applied, and a film is formed on the surface of the object to be processed. The evaporating material is stored in the hearth in batches, or is continuously supplied and stored in the hearth by a continuous supply mechanism.

【0004】図3を参照して、従来のプラズマ成膜装置
は、気密性の真空容器10を有している。真空容器10
には、ガイド部12を介してプラズマ源(例えば、圧力
勾配型プラズマ銃)20が取り付けられている。ガイド
部12の外側には、プラズマビーム300をガイドする
ためのステアリングコイル31が配設されている。プラ
ズマ源20には、プラズマビーム300を収束するため
の第1および第2の中間電極27および28が同心的に
配置されている。第1の中間電極27には磁極軸がプラ
ズマ発生源20の中心軸と平行になるようにして永久磁
石27aが内蔵されており、第2の中間電極28にはコ
イル28aが内蔵されている。
Referring to FIG. 3, the conventional plasma film forming apparatus has an airtight vacuum vessel 10. Vacuum container 10
, A plasma source (for example, a pressure gradient plasma gun) 20 is attached via a guide portion 12. A steering coil 31 for guiding the plasma beam 300 is provided outside the guide section 12. In the plasma source 20, first and second intermediate electrodes 27 and 28 for converging the plasma beam 300 are concentrically arranged. The first intermediate electrode 27 has a built-in permanent magnet 27a so that the magnetic pole axis is parallel to the central axis of the plasma generation source 20, and the second intermediate electrode 28 has a built-in coil 28a.

【0005】プラズマ源20には、第1および第2の中
間電極27および28で規定される通路に繋がる絶縁管
(例えば、ガラス管)21が備えられている。絶縁管2
1内には、Mo筒22が配置されている。Mo筒22内
には、Taパイプ23が配置されている。Mo筒22と
Taパイプ23とで規定される空間は、LaB6製の環
状板24で隔離されている。絶縁管21、Mo筒22、
およびTaパイプ23の一端には、導体板部25が取り
付けられている。導体板部25に形成されたキャリアガ
ス導入口26からキャリアガス(Ar等の不活性ガス)
が導入され、キャリアガスは、Taパイプ23を通過す
る。
[0005] The plasma source 20 is provided with an insulating tube (for example, a glass tube) 21 connected to a passage defined by the first and second intermediate electrodes 27 and 28. Insulation tube 2
The Mo cylinder 22 is arranged in the inside of the unit 1. A Ta pipe 23 is arranged in the Mo cylinder 22. Space defined by the Mo tube 22 and Ta pipe 23 are separated by an annular plate 24 made of LaB 6. Insulating tube 21, Mo cylinder 22,
The conductor plate 25 is attached to one end of the Ta pipe 23. Carrier gas (inert gas such as Ar) from a carrier gas inlet 26 formed in the conductor plate portion 25
Is introduced, and the carrier gas passes through the Ta pipe 23.

【0006】真空容器10内には、被処理物体としての
基板100が搬送装置61に支持されることによって配
置されている。基板100には、負バイアス用の直流電
源が接続される。真空容器10の底面には、基板100
に対向するように、電気的には陽極として機能するハー
ス241が配置されている。ハース241の外周には、
環状の補助陽極42が配置されている。
In the vacuum vessel 10, a substrate 100 as an object to be processed is arranged by being supported by a transfer device 61. A DC power supply for negative bias is connected to the substrate 100. A substrate 100 is provided on the bottom surface of the vacuum vessel 10.
A hearth 241 electrically functioning as an anode is arranged so as to oppose to. On the outer periphery of the hearth 241,
An annular auxiliary anode 42 is provided.

【0007】導体板部25には、可変電源90のマイナ
ス端が接続されている。可変電源90のプラス端は、そ
れぞれ抵抗器R1およびR2を介して、第1および第2
の中間電極27および28に接続されている。一方、ハ
ース241は、可変電源90ならびに抵抗器R1および
R2に接続される。また、真空容器10の側壁には、キ
ャリアガス(ArまたはHe等の不活性ガス)を導入す
るためのガス導入口10aと、真空容器10内を排気す
るための排気口10bとが形成されている。
[0007] The negative end of the variable power supply 90 is connected to the conductor plate 25. The positive end of the variable power supply 90 is connected to the first and second terminals via resistors R1 and R2, respectively.
Are connected to the intermediate electrodes 27 and. On the other hand, hearth 241 is connected to variable power supply 90 and resistors R1 and R2. A gas inlet 10a for introducing a carrier gas (an inert gas such as Ar or He) and an exhaust port 10b for exhausting the inside of the vacuum vessel 10 are formed on the side wall of the vacuum vessel 10. I have.

【0008】このイオンプレーティング装置では、キャ
リアガス導入口26からキャリアガスが導入されると、
第1の中間電極27とMo筒22との間で放電が始ま
る。これによって、プラズマビーム300が発生する。
プラズマビーム300は、ステアリングコイル31と補
助陽極42の磁石にガイドされて、電気的には陽極とし
て機能するハース241および補助陽極42に到達す
る。
In this ion plating apparatus, when a carrier gas is introduced from the carrier gas inlet 26,
Discharge starts between the first intermediate electrode 27 and the Mo cylinder 22. As a result, a plasma beam 300 is generated.
The plasma beam 300 is guided by the magnets of the steering coil 31 and the auxiliary anode 42, and reaches the hearth 241 and the auxiliary anode 42 that electrically function as an anode.

【0009】ハース241に導かれたプラズマビーム3
00は、ハース241および/または蒸発材料に対して
放電する。放電によって、蒸発材料に電流が流れる。蒸
発材料は、その内部抵抗により、オーミック加熱され
る。そして、オーミック加熱された蒸発材料は、蒸発す
る。
The plasma beam 3 guided to the hearth 241
00 discharges to the hearth 241 and / or the evaporating material. The discharge causes a current to flow through the evaporation material. The evaporation material is ohmic-heated due to its internal resistance. Then, the evaporation material subjected to the ohmic heating evaporates.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ハースは、
過度に高温になると、溶融するなどして正常な機能を果
たさなくなるので、高温に耐える材質で作られ、冷却が
施されることが普通である。このようなハースを有する
成膜装置全般において、蒸発材料の加熱中、ハースは、
蒸発材料よりも遥かに温度が低い。このため、ビームが
照射されることによって蒸発した蒸発材料は、ハースに
接触することで再固化し、ハース表面上に付着物として
付着する。付着物は、装置の稼動時間の経過とともに堆
積する。そして、付着物が堆積したハースは、正常に機
能せず、この結果、成膜装置の動作も異常をきたす。
By the way, Haas:
If the temperature becomes excessively high, the material will not function properly due to melting or the like. Therefore, it is usually made of a material that can withstand the high temperature and is cooled. In a general deposition apparatus having such a hearth, during heating of the evaporation material, the hearth is
The temperature is much lower than the evaporating material. For this reason, the evaporation material evaporated by the irradiation of the beam is re-solidified by contacting the hearth, and adheres to the hearth surface as a deposit. The deposits accumulate over the operating time of the apparatus. The hearth on which the deposits are deposited does not function normally, and as a result, the operation of the film forming apparatus also becomes abnormal.

【0011】この事象を、従来のプラズマ成膜装置のハ
ースを示す図4および図5を参照して説明する。
This phenomenon will be described with reference to FIGS. 4 and 5 showing a hearth of a conventional plasma film forming apparatus.

【0012】図4において、ハース241は、容器形を
呈して内部に冷媒が循環されて冷却されるハースであ
り、バッチ的に供給される円柱形ペレット状の蒸発材料
200を収容する。ハース241は、高電流密度のプラ
ズマビームを取り扱うために、十分に冷却されている。
プラズマビーム300の照射によって、蒸発材料200
は蒸発するが、その一部はハース241に接触し、急冷
され、再固化し、ハース241表面上に付着物200′
として付着する。付着物200′は、蒸発材料200の
蒸発作用に悪影響する。また、付着物200′は、ハー
ス241表面上に強固に付着しているため、除去作業に
は多大の労力を要する。
In FIG. 4, a hearth 241 is a hearth which has a container shape and in which a refrigerant is circulated and cooled therein, and accommodates a cylindrical pellet-shaped evaporation material 200 supplied in batches. Hearth 241 is sufficiently cooled to handle a high current density plasma beam.
Irradiation of the plasma beam 300 causes the evaporation material 200
Evaporates, but a part thereof contacts the hearth 241, is quenched, re-solidifies, and deposits 200 ′ on the surface of the hearth 241.
Adhere as. The deposit 200 ′ has an adverse effect on the evaporating action of the evaporating material 200. Further, since the attached matter 200 ′ is firmly attached on the surface of the hearth 241, a large amount of labor is required for the removing operation.

【0013】そして、装置の稼動に伴うプラズマビーム
300の照射時間の経過とともに、付着物200′は、
図5に示すように堆積する。このため、プラズマビーム
300のビーム径は、本来φaであったものが、実際に
蒸発材料に到達するのはφbに減少する。つまり、蒸発
材料への照射面積が減少する。
[0013] With the elapse of the irradiation time of the plasma beam 300 accompanying the operation of the apparatus, the attached matter 200 '
It is deposited as shown in FIG. For this reason, the beam diameter of the plasma beam 300 is originally φa, but the diameter of the plasma beam 300 actually reaching the evaporation material is reduced to φb. That is, the irradiation area on the evaporation material is reduced.

【0014】また、ビームはその特性上、断面中心から
離れるほど、エネルギ密度が低くなる。このため、φa
付近に付着している付着物200′がプラズマビーム3
00の照射によって再蒸発させることが困難になる。よ
って、一旦付着した付着物は、上述のごとく多大な労力
を費やして別途除去作業を施すしかない。
Also, due to its characteristics, the energy density of the beam decreases as the distance from the center of the cross section increases. Therefore, φa
The adhering matter 200 ′ adhering to the vicinity is the plasma beam 3
The irradiation of 00 makes re-evaporation difficult. Therefore, the once adhered matter has to be removed separately with a great deal of labor as described above.

【0015】以上のように、プラズマビーム300の照
射面積が時間経過とともに減少するため、蒸発材料20
0の蒸発量も変化し、ひいては成膜制御をし辛いものに
していた。
As described above, since the irradiation area of the plasma beam 300 decreases with time, the evaporation material 20
The amount of evaporation of 0 also changed, and it was difficult to control the film formation.

【0016】図6は、従来のプラズマ成膜装置のハース
の他の例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing another example of a hearth of a conventional plasma film forming apparatus.

【0017】図6において、ハース341は、ドーナツ
型容器形を呈して内部に冷媒が循環されて冷却されるハ
ースであり、蒸発材料供給機構70により連続的に供給
される円柱形ペレット状の蒸発材料200を収容する。
ハース341は、高電流密度のプラズマビームを取り扱
うために、十分に冷却されている。プラズマビーム30
0の照射によって、蒸発材料200は蒸発するが、その
一部はハース341に接触し、急冷され、再固化し、ハ
ース341表面上に付着物200′として付着する。
In FIG. 6, a hearth 341 is a doughnut-shaped container-shaped hearth in which a refrigerant is circulated and cooled therein. Contains the material 200.
Hearth 341 is sufficiently cooled to handle a high current density plasma beam. Plasma beam 30
The irradiation material 0 evaporates the evaporating material 200, but a part of the evaporating material 200 comes into contact with the hearth 341, is rapidly cooled, solidifies again, and adheres to the surface of the hearth 341 as a deposit 200 ′.

【0018】付着物200′は、蒸発材料200の蒸発
作用に悪影響する。また、付着物200′は、ハース3
41表面上に強固に付着しているため、除去作業には多
大の労力を要する。さらに、ビーム照射時間の経過とと
もに堆積する付着物200′の増加に伴って、蒸発材料
200へのビーム照射面積が減少するため、蒸発材料2
00の蒸発量も変化し、ひいては成膜制御をし辛いもの
にしていた。
The deposit 200 'has an adverse effect on the evaporating action of the evaporating material 200. In addition, the attachment 200 '
Since it is firmly attached to the surface of the surface 41, the removal operation requires a great deal of labor. Furthermore, the beam irradiation area on the evaporation material 200 decreases with the increase of the deposits 200 ′ deposited with the elapse of the beam irradiation time.
The amount of evaporation of 00 also changed, and it was difficult to control the film formation.

【0019】さらにまた、付着物200′の増加に伴う
蒸発材料200へのビーム照射面積の減少により、蒸発
材料200がその断面中央部が多く蒸発する一方、断面
周辺部の蒸発が少くて残存するような局所蒸発状態にな
る。蒸発材料200の断面中央部が図示のごとく残存量
が減っているので、蒸発材料供給機構70により蒸発材
料200を上方へ移動すべきであるにも拘わらず、付着
物200′が蒸発材料200の断面周辺部に干渉するた
め、移動不可能である。また、干渉に気が付かずに蒸発
材料200を無理に移動しようとした場合には、蒸発材
料供給機構70に過剰な負荷がかかり、故障する虞があ
る。
Further, due to a decrease in the beam irradiation area on the evaporating material 200 due to the increase in the attached matter 200 ', the evaporating material 200 evaporates more at the center of the cross section, and less evaporates at the periphery of the cross section. It becomes such a local evaporation state. As shown in the figure, the remaining amount of the center of the cross section of the evaporating material 200 is reduced, so that the deposit 200 ′ is formed on the evaporating material 200 despite the fact that the evaporating material 200 should be moved upward by the evaporating material supply mechanism 70. It cannot be moved because it interferes with the periphery of the cross section. If the evaporating material 200 is forcibly moved without noticing the interference, an excessive load is applied to the evaporating material supply mechanism 70, which may cause a failure.

【0020】それ故、本発明の課題は、ハースへの付着
物の付着、特にビーム照射に悪影響する付着物ならびに
大量の堆積を防止できる成膜装置を提供することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of preventing the attachment of a deposit to a hearth, in particular, the deposit which adversely affects the beam irradiation and a large amount of deposition.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空室
内にてハースに収容した蒸発材料を加熱して蒸発させ、
蒸発した物質を被処理物体表面上に付着させることによ
り該被処理物体上に膜を形成するための成膜装置であっ
て、前記ハースは、冷却が施されるものである成膜装置
において、前記ハースは、冷却が施される基部と、前記
基部上から上方に突出する筒形を呈し、前記蒸発材料を
収容するための上部とを備え、前記上部は、少くとも上
端部分が実質的に薄い肉厚であることを特徴とする成膜
装置が得られる。
According to the present invention, an evaporation material contained in a hearth is heated and evaporated in a vacuum chamber.
A film forming apparatus for forming a film on the object to be processed by adhering the evaporated substance on the surface of the object to be processed, wherein the hearth is a film forming apparatus to be cooled. The hearth has a base to be cooled, and a cylindrical shape projecting upward from above the base, and having an upper portion for containing the evaporative material, wherein the upper portion has at least a substantially upper end portion. A film forming apparatus characterized by having a small thickness is obtained.

【0022】本発明によればまた、真空室内にてハース
に収容した蒸発材料を加熱して蒸発させ、蒸発した物質
を被処理物体表面上に付着させることにより該被処理物
体上に膜を形成するための成膜装置であって、前記ハー
スは、冷却が施されるものである成膜装置において、前
記ハースは、冷却が施される基部と、前記基部上から上
方に突出する筒形を呈し、前記蒸発材料を収容するため
の上部とを備え、前記上部は、外側面が実質的に急峻な
角度であることを特徴とする成膜装置が得られる。
According to the present invention, a film is formed on the object to be processed by heating and evaporating the evaporating material contained in the hearth in the vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. A hearth, in which the hearth is cooled, wherein the hearth has a base to be cooled and a cylindrical shape projecting upward from above the base. And a top for accommodating the evaporation material, wherein the top has an outer surface having a substantially steep angle.

【0023】本発明によればさらに、真空室内にてハー
スに収容した蒸発材料を加熱して蒸発させ、蒸発した物
質を被処理物体表面上に付着させることにより該被処理
物体上に膜を形成するための成膜装置であって、前記ハ
ースは、冷却が施されるものである成膜装置において、
前記ハースは、冷却が施される基部と、前記基部上から
上方に突出する筒形を呈し、前記蒸発材料を収容するた
めの上部とを備え、前記上部は、上端部分の内側面が実
質的に急峻な角度であることを特徴とする成膜装置が得
られる。
According to the present invention, further, a film is formed on the object to be processed by heating and evaporating the evaporating material contained in the hearth in the vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. A hearth, wherein the hearth is subjected to cooling,
The hearth has a base to be cooled, and has a cylindrical shape protruding upward from above the base, and has an upper portion for containing the evaporative material, and the upper portion has an inner surface substantially at an upper end portion. A film forming apparatus characterized by a steep angle is obtained.

【0024】本発明によればまた、真空室内にてハース
に収容した蒸発材料を加熱して蒸発させ、蒸発した物質
を被処理物体表面上に付着させることにより該被処理物
体上に膜を形成するための成膜装置であって、前記ハー
スは、冷却が施されるものである成膜装置において、前
記ハースは、冷却が施される基部と、前記基部上から上
方に突出する筒形を呈し、前記蒸発材料を収容するため
の上部とを備え、前記上部は、少くとも上端部分が実質
的に薄い肉厚であり、外側面が実質的に急峻な角度であ
り、さらに、上端部分の内側面が実質的に急峻な角度で
あることを特徴とする成膜装置が得られる。
According to the present invention, a film is formed on the object to be processed by heating and evaporating the evaporating material contained in the hearth in the vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. A hearth, in which the hearth is cooled, wherein the hearth has a base to be cooled and a cylindrical shape projecting upward from above the base. And an upper portion for containing the evaporative material, wherein the upper portion has a substantially thin wall thickness at least at an upper end portion, an outer surface having a substantially steep angle, and A film forming apparatus characterized in that the inner surface has a substantially steep angle.

【0025】本発明によればさらに、少くとも前記上端
部分は、1mm以上5mm以下の肉厚であり、前記外側
面は、0度以上20度以下の角度であり、さらに、前記
上端部分の前記内側面は、0度以上45度以下の角度で
ある前記成膜装置が得られる。
According to the present invention, at least the upper end portion has a thickness of 1 mm or more and 5 mm or less, and the outer surface has an angle of 0 degree or more and 20 degrees or less. The film forming apparatus in which the inner surface has an angle of 0 degree or more and 45 degrees or less is obtained.

【0026】本発明によればまた、前記ハースには、ペ
レット状の蒸発材料を該ハース内に連続的に供給するた
めの蒸発材料供給機構が組み合わされている前記成膜装
置が得られる。
According to the present invention, there is also provided the film forming apparatus, wherein the hearth is combined with an evaporation material supply mechanism for continuously supplying pellet-shaped evaporation material into the hearth.

【0027】本発明によればさらに、真空室内にてハー
スに収容した蒸発材料を加熱して蒸発させ、蒸発した物
質を被処理物体表面上に付着させることにより該被処理
物体上に膜を形成するための成膜装置であって、前記ハ
ースは、冷却が施されるものである成膜装置において、
前記ハースは、ビーム照射中に前記蒸発材料の蒸発温度
以上該ハースの融点未満の温度に維持されることを特徴
とする成膜装置が得られる。
According to the present invention, further, the evaporation material contained in the hearth is heated and evaporated in the vacuum chamber, and the evaporated substance is deposited on the surface of the object to form a film on the object. A hearth, wherein the hearth is subjected to cooling,
The hearth is maintained at a temperature equal to or higher than the evaporation temperature of the evaporation material and lower than the melting point of the hearth during the beam irradiation.

【0028】本発明によればさらにまた、真空室内にて
ハースに収容した蒸発材料を加熱して蒸発させ、蒸発し
た物質を被処理物体表面上に付着させることにより該被
処理物体上に膜を形成するための成膜装置であって、前
記ハースは、冷却が施されるものである成膜装置におい
て、前記ハースは、冷却が施される基部と、前記基部上
から上方に突出する筒形を呈し、前記蒸発材料を収容す
るための上部とを備え、前記上部は、前記基部に対して
所定値以下の熱伝導率で接合していることを特徴とする
成膜装置が得られる。
According to the present invention, further, the evaporation material contained in the hearth is heated and evaporated in the vacuum chamber, and the evaporated substance is adhered to the surface of the object to be processed, thereby forming a film on the object to be processed. A film forming apparatus for forming, wherein the hearth is provided with a cooling, wherein the hearth is provided with a base to be cooled and a cylindrical shape protruding upward from above the base. And an upper portion for accommodating the evaporative material, wherein the upper portion is joined to the base with a thermal conductivity of a predetermined value or less.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態による成膜装置を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0030】本発明は、真空室内にてハースに収容した
蒸発材料を蒸発材料にプラズマビームあるいは電子ビー
ム等のビームを照射して蒸発させることによって被処理
物体に膜を付着させるための成膜装置であって、ハース
は、冷却が施されるものである成膜装置全般に適用され
得る。
According to the present invention, there is provided a film forming apparatus for attaching a film to an object to be processed by irradiating a vaporized material contained in a hearth in a vacuum chamber with a beam such as a plasma beam or an electron beam. The hearth can be applied to all film forming apparatuses to which cooling is applied.

【0031】本実施の形態は、上記成膜装置として、プ
ラズマ成膜装置に本発明を適用した例である。本実施の
形態においては、ハースの構造以外のプラズマ成膜装置
の基本的構成は、図3に示した従来の装置と同様である
ため、以下、異なる点のみ説明する。
This embodiment is an example in which the present invention is applied to a plasma film forming apparatus as the above film forming apparatus. In the present embodiment, since the basic configuration of the plasma film forming apparatus other than the hearth structure is the same as that of the conventional apparatus shown in FIG. 3, only different points will be described below.

【0032】[実施の形態1]図1を参照して、本発明
の実施の形態1による成膜装置においては、ハース41
は、容器形を呈して内部に冷媒が循環されて冷却される
ハースであり、バッチ的に供給される円柱形ペレット状
の蒸発材料200を収容する。ハース41は、冷媒循環
による冷却が施される箱型基部41bと、箱型基部41
b上から上方に突出する筒形を呈し、蒸発材料200を
収容するための上部41aとを備えている。
[Embodiment 1] Referring to FIG. 1, in a film forming apparatus according to Embodiment 1 of the present invention,
Is a hearth that has a container shape, in which a refrigerant is circulated and cooled inside, and accommodates the cylindrical pellet-shaped evaporation material 200 supplied in batches. The hearth 41 has a box-shaped base 41b to be cooled by circulation of the refrigerant, and a box-shaped base 41.
b. It has a cylindrical shape projecting upward from above, and has an upper portion 41a for accommodating the evaporation material 200.

【0033】上部41aは、少くとも上端部分41cが
実質的に薄い肉厚t(具体的には、1mm以上5mm以
下が好ましい)であり、外側面41eが実質的に急峻な
角度θ1(具体的には、0度以上20度以下が好まし
い)であり、さらに、上端部分41cの内側面41dが
実質的に急峻な角度θ2(具体的には、0度以上45度
以下が好ましい)である。
In the upper portion 41a, at least the upper end portion 41c has a substantially thin thickness t (specifically, preferably 1 mm or more and 5 mm or less), and the outer surface 41e has a substantially steep angle θ 1 (specifically, Specifically, the angle is preferably 0 to 20 degrees), and the inner surface 41d of the upper end portion 41c is formed at a substantially steep angle θ 2 (specifically, preferably 0 to 45 degrees). is there.

【0034】尚、箱型基部41bと上部41aとは、図
1に示すごとく一体型であっても、あるいは別体を組み
合わせた型であってもよい。
The box-shaped base portion 41b and the upper portion 41a may be of an integral type as shown in FIG. 1, or may be of a type in which they are combined separately.

【0035】また、角度θ1およびθ2について、本発明
でいう外側面および内側面の角度とは、それら面におけ
る最大勾配部分の角度を指す。本発明においては、外側
面および内側面の各断面輪郭線は、直線に限らず、2次
またはそれ以上の次数の曲線であってもよく、その場
合、曲線の変曲点における接線の最大勾配部分の角度
を、外側面および内側面の角度とする。
Regarding the angles θ 1 and θ 2 , the angles of the outer side surface and the inner side surface referred to in the present invention indicate the angles of the maximum gradient portions on those surfaces. In the present invention, each cross-sectional profile of the outer surface and the inner surface is not limited to a straight line, and may be a curve of a quadratic or higher order. In this case, the maximum gradient of the tangent at the inflection point of the curve The angle of the portion is the angle of the outer surface and the inner surface.

【0036】上部41aは、少くとも上端部分41cが
実質的に薄い肉厚tであり、外側面41eが実質的に急
峻な角度θ1であることにより、上部41aがプラズマ
ビーム300の照射範囲(直径D)内に位置しているの
で、この上部41aの大部分は常にプラズマビーム30
0の照射を受け、ハース41は、プラズマビーム300
の照射中、殆どの付着物200′は再蒸発して堆積する
ことは殆どない。
The upper portion 41a has at least an upper end portion 41c having a substantially thin wall thickness t, and an outer surface 41e having a substantially steep angle θ 1. Most of this upper part 41a is always located within the plasma beam 30 because it is located within the diameter D).
0, the hearth 41 receives the plasma beam 300
During the irradiation, most of the deposits 200 'are re-evaporated and hardly deposited.

【0037】また、上部41aと箱型基部41bとの間
の熱伝導率が所定値以下であり、上部41aの冷却効果
は図4および図5に示した従来例に比べて低く、したが
って、上部41aは、蒸発材料200の蒸発温度以上か
つハース41材質の融点未満の温度に維持され、付着物
200′は再蒸発する。
Further, the thermal conductivity between the upper portion 41a and the box-shaped base 41b is less than a predetermined value, and the cooling effect of the upper portion 41a is lower than that of the conventional example shown in FIGS. 41a is maintained at a temperature equal to or higher than the evaporating temperature of the evaporating material 200 and lower than the melting point of the hearth 41 material, and the attached matter 200 'evaporates again.

【0038】さらに、上端部分41cの内側面41dが
実質的に急峻な角度θ2であることにより、内側面41
d上に仮に付着物200′が堆積したとしても、それが
蒸発材料200上を覆う可能性は低く、したがって、蒸
発材料200に対するプラズマビーム300の照射が阻
害されることがない。
Further, since the inner surface 41d of the upper end portion 41c has a substantially steep angle θ 2 ,
Even if the deposit 200 ′ is deposited on d, it is unlikely that the deposit 200 ′ covers the evaporating material 200, so that the irradiation of the evaporating material 200 with the plasma beam 300 is not hindered.

【0039】[実施の形態2]図2を参照して、本発明
の実施の形態2による成膜装置においては、ハース14
1は、蒸発材料供給機構70が組み合わされている点
で、図1に示した実施の形態1と異なる。
[Second Embodiment] Referring to FIG. 2, in a film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention,
1 is different from Embodiment 1 shown in FIG. 1 in that an evaporation material supply mechanism 70 is combined.

【0040】ハース141は、容器形を呈して内部に冷
媒が循環されて冷却されるハースであり、蒸発材料供給
機構70により連続的に供給される円柱形ペレット状の
蒸発材料200を収容する。ハース141は、冷媒循環
による冷却が施されるドーナツ型容器形基部141b
と、ドーナツ型容器形基部141b上から上方に突出す
る筒形を呈し、蒸発材料200を収容するための上部1
41aとを備えている。
The hearth 141 is a hearth which has a container shape, in which a refrigerant is circulated and cooled therein, and accommodates the cylindrical pellet-shaped evaporation material 200 continuously supplied by the evaporation material supply mechanism 70. The hearth 141 has a donut-shaped container base 141b to be cooled by circulation of the refrigerant.
And an upper part 1 for accommodating the evaporation material 200, having a cylindrical shape protruding upward from above the donut-shaped container-shaped base 141b.
41a.

【0041】尚、箱型基部141bと上部141aと
は、図2に示すごとく一体型であっても、あるいは別体
を組み合わせた型であってもよい。
Incidentally, the box-shaped base 141b and the upper part 141a may be of an integral type as shown in FIG. 2, or may be of a type in which they are combined separately.

【0042】上部141aは、少くとも上端部分141
cが実質的に薄い肉厚t(具体的には、1mm以上5m
m以下が好ましい)であり、外側面141eが実質的に
急峻な角度θ1(具体的には、0度以上20度以下が好
ましい)であり、さらに、上端部分141cの内側面1
41dが実質的に急峻な角度θ2(具体的には、0度以
上45度以下が好ましい)である。
The upper part 141a has at least an upper end part 141.
c is substantially thin wall thickness t (specifically, 1 mm or more and 5 m
m or less), the outer surface 141e has a substantially steep angle θ 1 (specifically, preferably 0 ° or more and 20 ° or less), and the inner surface 1 of the upper end portion 141c.
41d is a substantially steep angle θ 2 (specifically, preferably 0 ° or more and 45 ° or less).

【0043】上部141aは、少くとも上端部分141
cが実質的に薄い肉厚tであり、外側面141eが実質
的に急峻な角度θ1であることにより、上部141aが
プラズマビーム300の照射範囲(直径D)内に位置し
ているので、この上部141aの大部分は常にプラズマ
ビーム300の照射を受け、ハース141は、プラズマ
ビーム300の照射中、殆どの付着物200′は再蒸発
して堆積することは殆どない。
The upper part 141a has at least an upper end part 141.
Since c is a substantially thin wall thickness t and the outer surface 141e has a substantially steep angle θ 1 , the upper portion 141a is located within the irradiation range (diameter D) of the plasma beam 300. Most of the upper portion 141a is constantly irradiated with the plasma beam 300, and the hearth 141 hardly re-evaporates and deposits most of the deposits 200 'during the irradiation of the plasma beam 300.

【0044】また、上部141aとドーナツ型容器形基
部141bとの間の熱伝導率が所定値以下であり、上部
141aの冷却効果は図6に示した従来例に比べて低
く、したがって、上部141aは、蒸発材料200の蒸
発温度以上かつハース141材質の融点未満の温度に維
持され、付着物200′は再蒸発する。
The thermal conductivity between the upper portion 141a and the donut-shaped container base 141b is less than a predetermined value, and the cooling effect of the upper portion 141a is lower than that of the conventional example shown in FIG. Is maintained at a temperature equal to or higher than the evaporating temperature of the evaporating material 200 and lower than the melting point of the material of the hearth 141, and the attached matter 200 'evaporates again.

【0045】さらに、上端部分141cの内側面141
dが実質的に急峻な角度θ2であることにより、内側面
141d上に仮に付着物200′が堆積したとしても、
それが蒸発材料200上を覆う可能性は低く、したがっ
て、蒸発材料200に対するプラズマビーム300の照
射が阻害されることがない。
Further, the inner side surface 141 of the upper end portion 141c
Since d is a substantially steep angle θ 2 , even if the deposit 200 ′ is deposited on the inner side surface 141 d,
It is unlikely that it will cover the evaporating material 200, and therefore, irradiation of the evaporating material 200 with the plasma beam 300 will not be hindered.

【0046】さらにまた、蒸発材料200が図6に示し
た局所蒸発状態になることもなく、蒸発材料200の断
面周辺部に付着物200′が干渉することがない。した
がって、蒸発材料200が移動不可能になったり、蒸発
材料供給機構70に過剰な負荷がかかって故障する虞が
ない。
Further, the evaporating material 200 does not enter the local evaporating state shown in FIG. 6, and the attached matter 200 'does not interfere with the peripheral portion of the cross section of the evaporating material 200. Therefore, there is no danger that the evaporative material 200 will not be able to move or that the evaporative material supply mechanism 70 will be overloaded with a failure.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明による成膜装置は、ハースが、冷
却が施される基部と、基部上から上方に突出する筒形を
呈し、蒸発材料を収容するための上部とを備え、上部の
うちの少くとも上端部分が実質的に薄い肉厚であるた
め、ハースへの付着物の付着、特にビーム照射に悪影響
する付着物ならびに大量の堆積を防止できる。
According to the film forming apparatus of the present invention, the hearth has a base to be cooled, a cylindrical shape projecting upward from above the base, and an upper part for containing the evaporation material. Since at least the upper end portion has a substantially thin wall thickness, it is possible to prevent the attachment of the attachment to the hearth, in particular, the attachment that adversely affects the beam irradiation and a large amount of deposition.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1による成膜装置の要部を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a main part of a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2による成膜装置の要部を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a main part of a film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来例による成膜装置を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a film forming apparatus according to a conventional example.

【図4】従来例による成膜装置の要部を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a main part of a film forming apparatus according to a conventional example.

【図5】従来例による成膜装置の要部を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a main part of a film forming apparatus according to a conventional example.

【図6】他の従来例による成膜装置の要部を示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a main part of a film forming apparatus according to another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 真空容器 20 プラズマ源 41、141、241、341 ハース 41a、141a 上部 41b 箱型基部 41c、141c 上端部分 41d、141d 先端内側面 41e、141e 外側面 42 補助陽極 70 蒸発材料供給機構 90 可変電源 100 基板 141b ドーナツ型容器形基部 200 蒸発材料 200′ 付着物 300 プラズマビーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vacuum container 20 Plasma source 41, 141, 241, 341 Hearth 41a, 141a Upper part 41b Box-shaped base 41c, 141c Upper end part 41d, 141d Front inner surface 41e, 141e Outer surface 42 Auxiliary anode 70 Evaporation material supply mechanism 90 Variable power supply 100 Substrate 141b Donut-shaped container base 200 Evaporation material 200 'Attachment 300 Plasma beam

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉井 明彦 愛媛県新居浜市惣開町5番2号 住友重機 械工業株式会社新居浜製造所内 Fターム(参考) 4K029 DB08 DB12 DB15 DB21 DB24 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Akihiko Yoshii 5-2 Sokai-cho, Niihama-shi, Ehime F-term in the Niihama Works of Sumitomo Heavy Industries, Ltd. (Reference) 4K029 DB08 DB12 DB15 DB21 DB24

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空室内にてハースに収容した蒸発材料
を加熱して蒸発させ、蒸発した物質を被処理物体表面上
に付着させることにより該被処理物体上に膜を形成する
ための成膜装置であって、前記ハースは、冷却が施され
るものである成膜装置において、前記ハースは、冷却が
施される基部と、前記基部上から上方に突出する筒形を
呈し、前記蒸発材料を収容するための上部とを備え、前
記上部は、少くとも上端部分が実質的に薄い肉厚である
ことを特徴とする成膜装置。
1. A film forming method for forming a film on an object to be processed by heating and evaporating an evaporating material contained in a hearth in a vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. An apparatus, wherein the hearth is a film forming apparatus to be cooled, wherein the hearth has a base to be cooled and a cylindrical shape projecting upward from above the base, and And an upper portion for accommodating the upper portion, wherein at least an upper end portion of the upper portion has a substantially thin wall thickness.
【請求項2】 真空室内にてハースに収容した蒸発材料
を加熱して蒸発させ、蒸発した物質を被処理物体表面上
に付着させることにより該被処理物体上に膜を形成する
ための成膜装置であって、前記ハースは、冷却が施され
るものである成膜装置において、前記ハースは、冷却が
施される基部と、前記基部上から上方に突出する筒形を
呈し、前記蒸発材料を収容するための上部とを備え、前
記上部は、外側面が実質的に急峻な角度であることを特
徴とする成膜装置。
2. A film forming method for forming a film on an object to be processed by heating and evaporating an evaporating material contained in a hearth in a vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. An apparatus, wherein the hearth is a film forming apparatus to be cooled, wherein the hearth has a base to be cooled and a cylindrical shape projecting upward from above the base, and And an upper portion for accommodating the upper surface, wherein an upper surface of the upper portion has a substantially steep angle.
【請求項3】 真空室内にてハースに収容した蒸発材料
を加熱して蒸発させ、蒸発した物質を被処理物体表面上
に付着させることにより該被処理物体上に膜を形成する
ための成膜装置であって、前記ハースは、冷却が施され
るものである成膜装置において、前記ハースは、冷却が
施される基部と、前記基部上から上方に突出する筒形を
呈し、前記蒸発材料を収容するための上部とを備え、前
記上部は、上端部分の内側面が実質的に急峻な角度であ
ることを特徴とする成膜装置。
3. A film forming method for forming a film on an object to be processed by heating and evaporating an evaporating material contained in a hearth in a vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. An apparatus, wherein the hearth is a film forming apparatus to be cooled, wherein the hearth has a base to be cooled and a cylindrical shape projecting upward from above the base, and And an upper portion for accommodating the upper portion, wherein the inner surface of the upper end portion has a substantially steep angle.
【請求項4】 真空室内にてハースに収容した蒸発材料
を加熱して蒸発させ、蒸発した物質を被処理物体表面上
に付着させることにより該被処理物体上に膜を形成する
ための成膜装置であって、前記ハースは、冷却が施され
るものである成膜装置において、前記ハースは、冷却が
施される基部と、前記基部上から上方に突出する筒形を
呈し、前記蒸発材料を収容するための上部とを備え、前
記上部は、少くとも上端部分が実質的に薄い肉厚であ
り、外側面が実質的に急峻な角度であり、さらに、上端
部分の内側面が実質的に急峻な角度であることを特徴と
する成膜装置。
4. A film forming method for forming a film on an object to be processed by heating and evaporating an evaporating material contained in a hearth in a vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. An apparatus, wherein the hearth is a film forming apparatus to be cooled, wherein the hearth has a base to be cooled and a cylindrical shape projecting upward from above the base, and An upper surface for accommodating at least a substantially thin wall at an upper end portion, a substantially steep angle at an outer surface, and a substantially inner surface at an upper end portion. A film forming apparatus characterized by a steep angle.
【請求項5】 少くとも前記上端部分は、1mm以上5
mm以下の肉厚であり、前記外側面は、0度以上20度
以下の角度であり、さらに、前記上端部分の前記内側面
は、0度以上45度以下の角度である請求項4に記載の
成膜装置。
5. At least the upper end portion is at least 1 mm
The inner surface of the upper end portion has an angle of 0 degree or more and 45 degrees or less, wherein the outer surface has an angle of 0 degree or more and 20 degrees or less. Film forming equipment.
【請求項6】 前記ハースには、ペレット状の蒸発材料
を該ハース内に連続的に供給するための蒸発材料供給機
構が組み合わされている請求項4または5に記載の成膜
装置。
6. The film forming apparatus according to claim 4, wherein the hearth is combined with an evaporation material supply mechanism for continuously supplying a pellet-shaped evaporation material into the hearth.
【請求項7】 真空室内にてハースに収容した蒸発材料
を加熱して蒸発させ、蒸発した物質を被処理物体表面上
に付着させることにより該被処理物体上に膜を形成する
ための成膜装置であって、前記ハースは、冷却が施され
るものである成膜装置において、前記ハースは、ビーム
照射中に前記蒸発材料の蒸発温度以上該ハースの融点未
満の温度に維持されることを特徴とする成膜装置。
7. A film forming method for forming a film on an object to be processed by heating and evaporating an evaporating material contained in a hearth in a vacuum chamber and attaching the evaporated substance to the surface of the object to be processed. An apparatus, wherein the hearth is a film forming apparatus to which cooling is performed, wherein the hearth is maintained at a temperature equal to or higher than the evaporation temperature of the evaporation material and lower than the melting point of the hearth during beam irradiation. Characteristic film forming apparatus.
【請求項8】 真空室内にてハースに収容した蒸発材料
を加熱して蒸発させ、蒸発した物質を被処理物体表面上
に付着させることにより該被処理物体上に膜を形成する
ための成膜装置であって、前記ハースは、冷却が施され
るものである成膜装置において、前記ハースは、冷却が
施される基部と、前記基部上から上方に突出する筒形を
呈し、前記蒸発材料を収容するための上部とを備え、前
記上部は、前記基部に対して所定値以下の熱伝導率で接
合していることを特徴とする成膜装置。
8. A film for forming a film on an object to be processed by heating and evaporating an evaporating material contained in a hearth in a vacuum chamber, and adhering the evaporated substance on the surface of the object to be processed. An apparatus, wherein the hearth is a film forming apparatus to be cooled, wherein the hearth has a base to be cooled and a cylindrical shape projecting upward from above the base, and And an upper portion for accommodating the substrate, wherein the upper portion is joined to the base at a thermal conductivity of a predetermined value or less.
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