JP2000516353A

JP2000516353A - Thin-film actuated mirror array for optical pickup system

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Publication number: JP2000516353A
Application number: JP10510602A
Authority: JP
Inventors: ミン、ヨング―キ; ヨン、ヨング―バイ
Original assignee: デーウー・エレクトロニクス・カンパニー・リミテッド
Priority date: 1996-08-21
Filing date: 1996-08-21
Publication date: 2000-12-05
Anticipated expiration: 2016-08-21
Also published as: JP3920351B2; AU6756196A; AU717083B2

Abstract

(57)【要約】本発明の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイは、切換装置のアレイを有する能動マトリックス、駆動構造体のアレイ及びミラーのアレイを含み、各駆動構造体は能動マトリックス上に片持ち支持され、各切換装置は各駆動構造体の片持ち支持される位置の側方において能動マトリックス上に置かれる。このアレイにおいて、アレイの動作の際、各ミラーが凹部を通じて駆動構造体に接続されているので、ミラーは平坦になり、光線がより正確且つ効率的な反射されるようにすることによって、アレイの全体的な光効率を向上させる。さらに、能動マトリックスが各駆動構造体の真下でなくその側方に位置した切換装置のアレイを有するので、各切換装置と駆動構造体との間の電気的接続は、アレイの製造において全ての高温プロセスが完全に終了した後に行うことができ、高温プロセスの影響を最小化する。 SUMMARY OF THE INVENTION A thin-film actuated mirror array of the present invention includes an active matrix having an array of switching devices, an array of drive structures, and an array of mirrors, each drive structure being cantilevered on the active matrix. Each switching device is placed on the active matrix beside the cantilevered position of each drive structure. In this array, during operation of the array, each mirror is connected to the drive structure through a recess so that the mirrors are flattened, allowing the rays to be reflected more accurately and efficiently, thereby reducing the array Improve overall light efficiency. In addition, since the active matrix has an array of switching devices located beside and not directly below each drive structure, the electrical connections between each switch and the drive structure are all high temperature in the manufacture of the array. This can be done after the process is completely finished, minimizing the effects of high temperature processes.

Description

【発明の詳細な説明】光ピックアップシステム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ技術分野本発明は、光投射システムに関し、特に、より向上した光効率を有し、製造工程の際高温プロセスによる影響を最小化し得る構造を有する、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関する。背景技術従来の多様なビデオディスプレイシステムのうち、光投射システムは高画質の画像を大画面で提供し得るものとして知られている。そのような光投射システムにおいて、ランプから発せられた光線は例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーのアレイに一様に投射される。ここで、各ミラーは各アクチュエータに接続されている。これらのアクチュエーターは、印加された電界に応じて変形を起こす、圧電材料または電歪材料のような電気的に変形可能な材料からなる。各ミラーから反射した光線は、例えば、光学バッフルの開口に入射される。各アクチュエーターに電気信号を供給することによって、各ミラーの入射光線に対する相対的な位置が変更され、それに応じて各ミラーからの反射光線の光路が偏向される。各反射光線の光路が変わる場合、開口を通じて各ミラーから反射された光線の光量が変わり、それによって光の強さが変調される。開口を経て変調された光線は、投射レンズ等の適切な光学装置を介して投射スクリーンに入射し、その上に像を表示する。第１（Ａ）図〜第１（Ｇ）図は、Ｍ×Ｎ個（Ｍ及びＮは正の整数）の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１よりなるアレイ１００の製造方法を説明するための断面図であって、本特許出願と出願人を同じくする米国特許出願第０８／４３０，６２８号明細書に「THIN FILM ACTUATE DMIRROR ARRAY」との名称で開示されている。アレイ１００の製造工程は、基板１２、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のアレイ及びＭ×Ｎ個の接続端子１４のアレイを有する能動マトリックス１０の準備から始まる。しかる後、能動マトリックス１０の上に薄膜犠牲層２４が形成される。この薄膜犠牲層２４は、薄膜犠牲層２４が金属よりなる場合はスパッタリング法または蒸着法によって、リン珪酸塩ガラス（phosphor-silicate glass；ＰＳＧ）よりなる場合にはＣＶＤ法またはスピンコーティング法によって、ポリシリコンよりなる場合はＣＶＤ法によって形成される。その後、薄膜犠牲層２４で取囲まれたＭ×Ｎ個の支持部２２のアレイを有する支持層２０が形成される。ここで、支持層２０は、第１（Ａ）図に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて各々が接続端子１４の周りに位置したＭ×Ｎ個の空スロット（図示せず）を薄膜犠牲層２４上に形成し、その後、スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて接続端子１４の周りに位置した各空スロット内に支持部２２を形成することにより形成される。支持部２２は絶縁物質よりなる。続いて、支持部２２と同様に絶縁物質よりなる弾性層３０が、ゾル−ゲル法、スパッタリング法またはＣＶＤ法によって支持層２０の上に形成される。次に、第１（Ｂ）図の如く、金属よりなるコンジット２６が各支持部２２内に形成される。このコンジット２６は、弾性層３０の上部から接続端子１４の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔（図示せず）をエッチング法にて生成した後、該孔を金属で充填させて形成される。その後、導電性物質よりなる第２薄膜層４０が、スパッタリング法によってコンジット２６を有する弾性層３０の上に形成される。この第２薄膜層４０は支持部２２内のコンジットを通じてトランジスタに電気的に接続されている。しかる後、圧電物質（例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(ＰＺＴ)）よりなる電気的に変形可能な薄膜層５０が、第１（Ｃ）図に示すように、スパッタリング法、ＣＶＤ法またはゾル−ゲル法にて第２薄膜層４０の上に形成される。続いて、第１（Ｄ）図に示すように、電気的に変形可能な薄膜層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０に対して、支持層２０内の薄膜犠牲層２４が露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いてパターニングを施して、Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜部５５、Ｍ×Ｎ個の第２薄膜電極４５及びＭ×Ｎ個の弾性部を形成する。第２薄膜電極４５の各々は、各支持部２２に形成されたコンジット２６を通じて対応するトランジスタに電気的に接続されており、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１において信号電極としての機能を果たす。次に、各電気的に変形可能な薄膜部５５を高温（例えば、ＰＺＴの場合、略６５０℃）にて熱処理して相転位が生じるようにし、Ｍ×Ｎ個の熱処理済みの構造（図示せず）のアレイを形成する。各熱処理された電気的に変形可能な薄膜部５５は非常に薄いので、圧電物質よりなる場合は、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の動作の際印加された電極信号によって分極可能であるので、別に分極する必要はない。その後、導電性及び光反射性物質よりなるＭ×Ｎ個の第１薄膜電極６５のアレイが、Ｍ×Ｎ個の熱処理された構造のアレイにおける電気的に変形可能な薄膜部５５の上に形成される。詳述すると、このＭ×Ｎ個の第１薄膜電極６５のアレイは第１（Ｅ）図に示すように、まず、支持層２０内の露出された薄膜犠牲層２４を有する上記熱処理構造を完全に被うように、スパッタリング法を用いて導電性及び光反射性物質よりなる層６０を形成し、その後、エッチング法を用いて層６０を選択的に取除くことによって、第１（Ｆ）図の如く、各々が１つの上面及び４つの側面を有するＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー構造１１１よりなるアレイ１１０を生成することによって形成される。各第１薄膜電極６５は、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１においてミラーだけでなくバイアス電極としての機能をも果たす。続いて、各アクチュエーテッドミラー構造１１１における１つの上面及び４つの側面を薄膜保護層（図示せず）で完全に覆う。その後、支持層２０の薄膜犠牲層２４がエッチング法により取除かれる。最後に、薄膜保護層が取除かれることによって、第１（Ｇ）図に示すように、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１よりなるアレイ１００が形成される。しかしながら、前述した従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１よりなるアレイ１００の製造方法には、幾つかの欠点がある。最も大きな問題は全体的な光効率にある。各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１が電気的に変形可能な薄膜部５５を経て印加された電界信号に応じて変形を起すとき、そこに接続されているミラーとして機能する第１薄膜電極６５をも変形を起し、その上面が平らでなく曲がるようになるため、入射光線を反射させることになり、この反射光線のため第１薄膜電極６５の効率性が低下する。その結果、アレイ１００の全体的な光効率が低下するという問題がある。さらに、従来の製造方法は高温プロセスを要するため、能動マトリックス１０における接続端子１４とコンジット２６とに用いられる物質は耐高温性を有するべきであるが、そのような物質は通常高価であり、アレイ１００の製造費用をも増加させるという不都合がある。発明の開示従って、本発明の目的は、改善された光効率を有する光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを提供することにある。本発明の他の目的は、製造の際必要とする高温の影響を減らし得る新規な構造を有する、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを提供することにある。本発明のまた他の目的は、そのような光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供することにある。上記の目的を達成するために、本発明の好適な一実施例によれば、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個（Ｍ及びＮは正の整数）の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイであって、基板と、該基板の上に形成されたＭ×Ｎ個の切換装置のアレイを有する能動マトリックスと、第１薄膜電極、電気的に変形可能な薄膜部材及び第２薄膜電極を有し、基端及び遊端を有するＭ×Ｎ個の駆動構造体のアレイであって、前記各駆動構造体の基端の下部が前記能動マトリックスの上に取り付けられ、前記各駆動構造体及びそれに対応する切換装置が前記基板の上面で互いに異なる領域に位置する、前記Ｍ×Ｎ個の駆動構造体と、各々が前記駆動構造体の上に位置し、入射光源を反射させるＭ×Ｎ個のミラーよりなるアレイとを含むことを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供される。図面の簡単な説明本発明の上記の、また他の目的および特徴は、添付の図面に関連して記載される好適な実施例から明らかになるであろう。第１Ａ図〜第１Ｇ図は、従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図である。第２図は、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図である。第３Ａ図〜第３Ｉ図は、第２図中のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図である。第４図は、本発明の第２実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための断面図である。第５図は、本発明の第３実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための断面図である。発明を実施するための形態以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。第２図及び第３（Ａ）図〜第３（Ｉ）図は各々、本発明によって、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１よりなるアレイ３００を説明するための断面図、及びその製造方法を説明するための概略的な断面図である。ここで、Ｍ及びＮは正の整数である。また、第４図及び第５図は各々、第２図中のアレイ３００の他の実施例を示した断面図である。各図中で、同一部分には同一の参照符号を付して表示したことに注目されたい。第２図には、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の断面図が示されている。このアレイ３００は能動マトリックス２１０、第１パッシベーション層２２０、食刻液流入防止層２３０、Ｍ×Ｎ個の接触部材２８３のアレイ、第２パッシベーション層２８７、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体２００のアレイ及びＭ×Ｎ個のミラー２９０のアレイを含む。能動マトリックス２１０は、基板２１２とＭ×Ｎ個の切換装置（例えば、金属酸化物半導体（metal-oxide-semiconductor：ＭＯＳ）トランジスタ２１５）のアレイとを有する。各ＭＯＳトランジスタ２１５は、ソース／ドレイン領域２１７と、ゲート酸化層２１８と、ゲート電極２１９と、ゲート酸化層２１８及びゲート電極２１９を覆う第１パッシベーション層２２０の部分２２５とを含む。各駆動構造体２００及び能動マトリックス２１０内の対応するＭＯＳトランジスタ２１５は、互いに重複されず、基板２１２の上面で互いに異なる領域に位置される。能動マトリックス２１０は、基板２１２の上面に形成されたフィールド酸化層２１６をさらに有する。例えば、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μＭを有する第１パッシベーション層２２０は、能動マトリックス２１０の上に位置する。窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μＭの食刻液流入防止層２３０は、第１パッシベーション層２２０の上に位置する。駆動構造体２００の各々は、基端及び遊端を有し、第１薄膜電極２８５、圧電物質または電歪物質よりなる電気的に変形可能な部材２７５、第２薄膜電極２６５及び絶縁物質よりなる弾性部２５５を含む。第１薄膜電極２８５は、電気的に変形可能な部材２７５の上部に位置し、電気的に接地されて薄膜アクチュエーテッドミラー３０１においてミラーだけではなく共通バイアス電極としても作用する。電気的に変形可能な部材２７５は、第２薄膜電極２６５の上に位置する。第２薄膜電極２６５は弾性部２５５の上部に位置し、接触部材２８３のうちいずれか１つを通じて対応するＭＯＳトランジスタ２１５におけるソース／ドレイン領域２１７に電気的に接続されることによって、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１において信号電極として作用するようにする。弾性部２５５は第２薄膜電極２６５の下部に位置し、弾性部２５５の基端における下部が、食刻液流入防止層２３０及び第１パッシベーション層２２０を部分的に貫通して、能動マトリックス２１０の上に取付けられることによって、駆動構造体２００を片持ち支持する。第１パッシベーション層２８７は、接触部材２８３を完全に覆うように該接触部材２８３の上に形成される。光反射性物質よりなり、入射光源を反射するのに用いられる各ミラー２９０は、駆動構造体２００の遊端の上部に取り付けられた凹部２９７を有し、駆動構造体２００上に片持ち支持されるようにする。各ミラー２９０における凹部２９７の位置及び該凹部２９７が駆動構造体２００に取り付けられる位置は、多様な方法にて形成することができ、ミラー２９０が駆動構造体２００に対して置かれる。例えば、ミラー２９０は、第４図の如く対応する駆動構造体２００及び切換装置２１５の真上に置かれるか、または、第５図の如く隣接する駆動構造体２００及びその切換装置２１５上に配置されてもよい。各ミラー２９０はその上面に配置された、光反射性物質よりなる薄膜層を有する支持部（図示せず）を含んでもよい。ミラー２９０の上部には、その光効率だけでなく構造的な特性を向上させるために、第２図に示すように薄膜誘電体部材２９５が形成され得る。これは、本特許出願と出願人を同じくする米国特許出願第０８／５８１，０１５号明細書に「 THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY HAVING DIELECTRIC LAYERS」との名称で開示されている。本発明はＭＯＳトランジスタ２１５を採用する方法について説明したが、他の周知の切換装置を採用してもよい。さらに、各弾性部２５５を各第２薄膜電極２６５の下に形成する代わりに、各第１薄膜電極２８５の上に配置することもできる。Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３００よりなるアレイ３０１において、電気的に変形可能な薄膜部材２７５及び薄膜アクチュエーテッドミラー３０１は、第１及び第２薄膜電極２８５、２６５の間の電気的に変形可能な薄膜部材２７５を経て印加された電界信号に応じて変形される。しかしながら、ミラー２９０は該ミラー２９０の凹部２９７だけを通じて駆動構造体２００に物理的に接続されているので、対応するミラー２９０は平面を維持することになって、入射される光源をより正確で且つ効果的に反射させることによって、アレイ３００の全体的な光効率を向上させる。また、各駆動構造体２００及びそれに対応するＭＯＳトランジスタ２１５は基板２１２上に互いに重ならないまま配置されるので、駆動構造体２００における接触部材２８３及び第１薄膜電極２８５は、各薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の製造工程の際電気的に変形可能な薄膜部材２７５を形成した後形成することができ、従って、変形可能な薄膜部材２７５の形成の際必要とした高温が、アレイ３００の全体的な物理的且つ電気的保全性に影響を及ぼすのを低減する。第３（Ａ）図〜第３（Ｉ）図は、各々、第２図中のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の製造方法を説明するための概略的な断面図である。アレイ３００の製造工程は、Ｍ×Ｎ個の切換装置（例えば、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ２１５）のアレイと、基板２１２と、該基板の上面に形成されたフィールド酸化層２１６とを有する能動マトリックス２１０の準備から始まる。各ＭＯＳトランジスタ２１５は、ソース／ドレイン領域２１７、ゲート酸化層２１８及びゲート電極２１９を有する。続いて、ＰＳＧまたは窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μＭの第１パッシベーション層２２０が、例えば、ＣＶＤ法またはスピンコーティング法によって、能動マトリックス２１０の上に蒸着される。その後、第３（Ａ）図に示すように、窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μ Ｍの食刻液流入防止層２３０が、例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて、第１パッシベーション層２２０の上に蒸着される。そして、薄膜犠牲層２４０が食刻液流入防止層２３０の上に形成される。この薄膜犠牲層２４０は、金属よりなる場合はスパッタリング法または蒸着法を用いて、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）よりなる場合はＣＶＤ法またはスピンコーティング法を用いて、ポリシリコンよりなる場合にはＣＶＤ法を用いて形成される。続いて、各々の空スロットのアレイ（図示せず）が各ＭＯＳトランジスタ２１５のソース／ドレイン領域２１７を取囲むように、Ｍ×Ｎ個の空スロットのアレイがドライエッチング法またはウェットエッチング法によって薄膜犠牲層２４０に形成される。次に、例えば、窒化ケイ素のような絶縁性物質からなり、厚み０．１〜２μＭの弾性層２５０が、ＣＶＤ法によって空スロットを有する薄膜犠牲層２４０の上に蒸着される。しかる後に、例えば、Ｐｔ／ＴＡのような導電性物質からなり、厚み０．１〜２μＭを有する第２薄膜層２６０が、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、弾性層２５０の上に形成される。その後、第３（Ｂ）図の如く、第２薄膜層２６０がエッチング法によって縦方向に均等にカッティング（iso-cut）される。その後、圧電物質（例えば、ＰＺＴ）または電歪物質（例えば、ＰＭＮ）からなり、厚み、０．１〜２μＭの電気的に変形可能な層（図示せず）が、蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法またはＣＶＤ法によって、第２薄膜層２６０の上に蒸着される。その後、電気的に変形可能な層はＲＴＡ（rapid thermal anne aling）法によって相転位を起すように熱処理される。電気的に変形可能な層は非常に薄いので、変形可能な層が圧電物質よりなる場合、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の動作の際印加された電界信号によって分極可能であるので、別に分極する必要はない。次に、第３（Ｃ）図に示すように、電気的に変形可能な層は、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いて、Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜部材２７５のアレイにパターニングされる。続けて、第２薄膜層２６０及び弾性層２５０は、第３（Ｄ）図に示すように、エッチング法を用いて、各々Ｍ×Ｎ個の第２薄膜電極２６５のアレイ及びＭ×Ｎ個の弾性部２５５のアレイにパターニングされる。その後、第３（Ｅ）図の如く、各ＭＯＳトランジスタ２１５におけるソース／ドレイン領域２１７の上部に形成された食刻液流入防止層23０及び第１パッシベーション層２２０が、各ＭＯＳトランジスタ２１５におけるゲート酸化層２１８及びゲート電極２１９を取囲む無変換部２２５が残されるまで、エッチング法によって選択的に取り除かれる。次に、第３（Ｆ）図に示すように、スパッタリング法または真空蒸着法によって上記構造を完全に覆うように導電性物質よりなる層（図示せず）を形成し、その後、エッチング法によって該層を選択的に取除くことによって、Ｍ×Ｎ個の第１薄膜電極２８５のアレイ及び接触部材２８３のアレイが形成される。各第１薄膜電極２８５は電気的に変形可能な薄膜部材２７５の上に位置される。各接触部材２８３は第２薄膜電極２６５が各ＭＯＳトランジスタ２１５のソース／ドレイン領域２１７と電気的に接触するように、配置される。その次、例えば、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μＭを有する第２パッシベーション層２８７は、例えば、ＣＶＤ法またはスピンコーティング法を用いて蒸着され、エッチング法を用いて接触部材２８３を完全に覆うようにパターニングされることによって、第３（Ｇ）図に示すように、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー構造３１１よりなるアレイ３１０を形成する。しかる後、各アクチュエーテッドミラー構造３１１を第１薄膜保護層（図示せず）で完全に覆う。続けて、薄膜犠牲層２４０は、エッチング法によって取除かれる。その後、第３（Ｈ）図に示すように、第１薄膜保護層が取除かれることによって、基端及び遊端（図示せず）を有するＭ×Ｎ個の駆動構造体２００のアレイが形成される。その次に、薄膜犠牲層２４０が取除かれるとき形成された空間を所定の犠牲材料で充填してＭ×Ｎ個の駆動構造体２００のアレイを被覆することによって、該構造体が完全に平らな上面を有するようにする。その後、Ｍ×Ｎ個の空スロット（図示せず）のアレイがフォトリソグラフィー法によってその完成構造体上に形成される。各空スロットは、完成構造体の上部から各駆動構造体２００の遊端に延在している。しかる後、光反射性物質（例えば、Ａｌ）よりなるミラー層（図示せず）及び薄膜誘電体層（図示せず）は順に、空スロットを有する犠牲材料の上に蒸着され、その後、ミラー層及び薄膜誘電体層は、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いてＭ×Ｎ個のミラー２９０のアレイ及びＭ×Ｎ個の薄膜誘電体部２９５のアレイにパターニングされることによって、Ｍ×Ｎ個の未完成のアクチュエーテッドミラー（図示せず）のアレイを形成する。ここで、各ミラー２９０は駆動構造体２００の遊端の上に取り付けられた凹部２９７を有する。各ミラー２９０及び薄膜誘電体部２９５は、第２図、第４図及び第５図に示すように多様な形態に形成され得る。続けて、各未完成のアクチュエーテッドミラーが、第２薄膜保護層（図示せず）で完全に覆われる。その後、エッチング法を用いて犠牲材料が取除かれる。しかる後、第２薄膜保護層が取除かれて、第３（Ｉ）図に図示したようにＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１よりなるアレイ３００を形成する。上記においては、各薄膜アクチュエーテッドミラー３０１及びその方法に関する説明は、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１における各駆動構造体２００がユニモルフ構造を有する場合について行われたが、本発明の方法は、各駆動構造体２００が付加的な電気的に変形可能な層及び電極層を有する、バイモルフ構造につい同一に適用され得ることに注目されたい。さらに、上述した方法は第２薄膜層２６０の形成前に弾性層２５０を形成したが、各弾性部２５５は、本発明による薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の製造の際、第１薄膜電極２８５を形成した後にも形成し得る。上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a light projection system, and more particularly to a light projection system having improved light efficiency and minimizing the effects of high temperature processes during the manufacturing process. The present invention relates to an M × N thin-film actuated mirror array having an obtained structure and used in a light projection system, and a method of manufacturing the same. BACKGROUND ART Among various conventional video display systems, a light projection system is known to be capable of providing a high-quality image on a large screen. In such a light projection system, the light emitted from the lamp is uniformly projected onto an array of, for example, M × N actuated mirrors. Here, each mirror is connected to each actuator. These actuators are made of an electrically deformable material, such as a piezoelectric or electrostrictive material, that deforms in response to an applied electric field. The light beam reflected from each mirror enters, for example, an opening of an optical baffle. By providing an electrical signal to each actuator, the relative position of each mirror with respect to the incident light beam is changed, and the optical path of the reflected light beam from each mirror is deflected accordingly. When the optical path of each reflected beam changes, the amount of light reflected from each mirror through the aperture changes, thereby modulating the light intensity. The light beam modulated through the aperture enters the projection screen via a suitable optical device such as a projection lens and displays an image thereon. 1 (A) to 1 (G) are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing an array 100 including M × N (M and N are positive integers) thin film actuated mirrors 101. No. 08 / 430,628, which is identical to the present patent application, is disclosed under the name of "THIN FILM ACTUATE DMIRROR ARRAY". The manufacturing process for array 100 begins with the preparation of an active matrix 10 having a substrate 12, an array of M × N transistors (not shown), and an array of M × N connection terminals 14. Thereafter, a thin film sacrificial layer 24 is formed on the active matrix 10. The thin film sacrificial layer 24 is formed by sputtering or vapor deposition when the thin film sacrificial layer 24 is made of metal, or by CVD or spin coating when it is made of phosphor-silicate glass (PSG). When it is made of silicon, it is formed by a CVD method. Thereafter, a support layer 20 having an array of M × N support portions 22 surrounded by a thin film sacrificial layer 24 is formed. Here, as shown in FIG. 1A, the support layer 20 is formed by sacrifice of M × N empty slots (not shown) each located around the connection terminal 14 using a photolithography method. It is formed on the layer 24, and then formed by forming the support portion 22 in each empty slot located around the connection terminal 14 using a sputtering method or a CVD method. The support 22 is made of an insulating material. Subsequently, an elastic layer 30 made of an insulating material is formed on the support layer 20 by a sol-gel method, a sputtering method, or a CVD method, like the support portion 22. Next, as shown in FIG. 1 (B), a conduit 26 made of metal is formed in each support portion 22. The conduit 26 is formed by forming M × N holes (not shown) extending from the upper part of the elastic layer 30 to the upper part of the connection terminals 14 by an etching method, and then filling the holes with a metal. You. Thereafter, a second thin film layer 40 made of a conductive material is formed on the elastic layer 30 having the conduit 26 by a sputtering method. The second thin film layer 40 is electrically connected to the transistor through a conduit in the support portion 22. Thereafter, an electrically deformable thin film layer 50 made of a piezoelectric material (for example, lead zirconate titanate (PZT)) is formed by sputtering, CVD, or sol-gel as shown in FIG. It is formed on the second thin film layer 40 by a method. Subsequently, as shown in FIG. 1D, the thin film sacrificial layer 24 in the support layer 20 is exposed to the electrically deformable thin film layer 50, the second thin film layer 40, and the elastic layer 30. Until then, patterning is performed using a photolithography method or a laser cutting method to obtain M × N electrically deformable thin film portions 55, M × N second thin film electrodes 45, and M × N elastic portions. To form Each of the second thin film electrodes 45 is electrically connected to a corresponding transistor through a conduit 26 formed in each support portion 22, and functions as a signal electrode in the thin film actuated mirror 101. Next, each electrically deformable thin film portion 55 is heat-treated at a high temperature (for example, about 650 ° C. in the case of PZT) so that phase transition occurs, and M × N heat-treated structures (FIG. (Not shown). Since each heat-treated electrically deformable thin film portion 55 is very thin, if it is made of a piezoelectric material, it can be polarized by an electrode signal applied during operation of the thin film actuated mirror 101, There is no need for polarization. Thereafter, an array of M × N first thin film electrodes 65 made of a conductive and light-reflective material is formed on the electrically deformable thin film portion 55 in the M × N heat treated structure array. Is done. More specifically, as shown in FIG. 1E, the array of M × N first thin film electrodes 65 first completes the above-described heat treatment structure having the exposed thin film sacrificial layer 24 in the support layer 20. 1 (F) by forming a layer 60 made of a conductive and light-reflective substance by using a sputtering method and then selectively removing the layer 60 by using an etching method. , Formed by creating an array 110 of M × N actuated mirror structures 111, each having one top surface and four side surfaces. Each first thin-film electrode 65 functions not only as a mirror but also as a bias electrode in the thin-film actuated mirror 101. Subsequently, one upper surface and four side surfaces of each actuated mirror structure 111 are completely covered with a thin film protective layer (not shown). Thereafter, the thin film sacrificial layer 24 of the support layer 20 is removed by an etching method. Finally, by removing the thin film protective layer, an array 100 of M × N thin film actuated mirrors 101 is formed as shown in FIG. 1 (G). However, the above-described method of manufacturing the array 100 of M × N thin-film actuated mirrors 101 has some disadvantages. The biggest problem lies in overall light efficiency. When each thin-film actuated mirror 101 is deformed in response to an electric field signal applied through the electrically deformable thin-film portion 55, the first thin-film electrode 65 functioning as a mirror connected thereto is also deformed. This causes the upper surface to bend instead of being flat, so that the incident light is reflected, and the efficiency of the first thin-film electrode 65 is reduced due to the reflected light. As a result, there is a problem that the overall light efficiency of the array 100 is reduced. Furthermore, the materials used for the connection terminals 14 and the conduits 26 in the active matrix 10 should be resistant to high temperatures, since conventional manufacturing methods require high temperature processes, but such materials are usually expensive and the array There is a disadvantage that the manufacturing cost of 100 is also increased. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an M.times.N thin film actuated mirror array for use in a light projection system having improved light efficiency. Another object of the present invention is to provide an M × N thin-film actuated mirror array for use in a light projection system, which has a novel structure capable of reducing the effects of high temperatures required in manufacturing. It is still another object of the present invention to provide a method of manufacturing an M × N thin-film actuated mirror array used in such a light projection system. According to a preferred embodiment of the present invention, there is provided an M × N (M and N is a positive integer) thin-film actuated mirror array used in a light projection system. A substrate, an active matrix having an array of M × N switching devices formed on the substrate, a first thin-film electrode, an electrically deformable thin-film member, and a second thin-film electrode; An array of M × N drive structures having an end and a free end, wherein a lower portion of a base end of each of the drive structures is mounted on the active matrix, and each of the drive structures and a corresponding switch are provided. The apparatus comprises the M × N drive structures located in different areas on the top surface of the substrate, and M × N mirrors each located on the drive structures and reflecting an incident light source. And a thin film actuator comprising an array. A tuted mirror array is provided. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects and features of the invention will be apparent from the preferred embodiments described in connection with the accompanying drawings. 1A to 1G are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a conventional M × N thin film actuated mirror array. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an M × N thin-film actuated mirror array according to a first embodiment of the present invention. 3A to 3I are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the M × N thin-film actuated mirror array in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an M × N thin-film actuated mirror array according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a sectional view for explaining a method of manufacturing an M × N thin film actuated mirror array according to a third embodiment of the present invention. MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described in detail with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention. FIGS. 2 and 3 (A) -3 (I) each illustrate an array 300 of M × N thin film actuated mirrors 301 used in a light projection system in accordance with the present invention. It is a sectional view and a schematic sectional view for explaining the manufacturing method. Here, M and N are positive integers. FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views each showing another embodiment of the array 300 in FIG. Note that in each figure, the same parts are denoted by the same reference numerals. FIG. 2 shows a cross-sectional view of an array 300 of M × N thin-film actuated mirrors 301 according to a first embodiment of the present invention. The array 300 includes an active matrix 210, a first passivation layer 220, an etchant blocking layer 230, an array of M × N contact members 283, a second passivation layer 287, and an array of M × N drive structures 200. And an array of M × N mirrors 290. The active matrix 210 includes a substrate 212 and an array of M × N switching devices (eg, metal-oxide-semiconductor (MOS) transistors 215). Each MOS transistor 215 includes a source / drain region 217, a gate oxide layer 218, a gate electrode 219, and a portion 225 of the first passivation layer 220 covering the gate oxide layer 218 and the gate electrode 219. The corresponding MOS transistors 215 in each driving structure 200 and the active matrix 210 do not overlap with each other and are located in different regions on the upper surface of the substrate 212. Active matrix 210 further includes a field oxide layer 216 formed on the top surface of substrate 212. For example, a first passivation layer 220 made of phosphosilicate glass (PSG) or silicon nitride and having a thickness of 0.1 to 2 μM is located on the active matrix 210. An etching liquid inflow prevention layer 230 made of silicon nitride and having a thickness of 0.1 to 2 μM is located on the first passivation layer 220. Each of the driving structures 200 has a base end and a free end, and includes a first thin film electrode 285, an electrically deformable member 275 made of a piezoelectric material or an electrostrictive material, a second thin film electrode 265, and an insulating material. Including an elastic portion 255. The first thin-film electrode 285 is located above the electrically deformable member 275 and is electrically grounded so that the thin-film actuated mirror 301 functions not only as a mirror but also as a common bias electrode. The electrically deformable member 275 is located on the second thin film electrode 265. The second thin film electrode 265 is located above the elastic portion 255, and is electrically connected to the source / drain region 217 of the corresponding MOS transistor 215 through one of the contact members 283, thereby forming the thin film actuated. The mirror 301 functions as a signal electrode. The elastic part 255 is located below the second thin film electrode 265, and the lower part at the base end of the elastic part 255 partially penetrates the etching liquid inflow prevention layer 230 and the first passivation layer 220 to form the active matrix 210. Mounted above supports the drive structure 200 in a cantilevered manner. The first passivation layer 287 is formed on the contact member 283 to completely cover the contact member 283. Each mirror 290 made of light reflective material and used to reflect an incident light source has a recess 297 mounted above the free end of the drive structure 200 and is cantilevered on the drive structure 200. So that The location of the recess 297 in each mirror 290 and the location at which the recess 297 is attached to the drive structure 200 can be formed in a variety of ways, and the mirror 290 is positioned relative to the drive structure 200. For example, the mirror 290 may be placed directly above the corresponding drive structure 200 and switching device 215 as shown in FIG. 4 or may be placed on the adjacent driving structure 200 and its switching device 215 as shown in FIG. May be done. Each mirror 290 may include a support (not shown) having a thin layer of light reflective material disposed on its top surface. On top of the mirror 290, a thin film dielectric member 295 can be formed as shown in FIG. 2 to improve its light efficiency as well as its structural characteristics. This is disclosed in co-assigned U.S. patent application Ser. No. 08 / 581,015, entitled "THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY HAVING DIELECTRIC LAYERS". Although the present invention has been described with respect to a method employing MOS transistor 215, other well-known switching devices may be employed. Further, instead of forming each elastic portion 255 below each second thin-film electrode 265, it can be arranged above each first thin-film electrode 285. In an array 301 of M × N thin-film actuated mirrors 300, the electrically deformable thin-film member 275 and the thin-film actuated mirror 301 provide an electrical connection between the first and second thin-film electrodes 285, 265. It is deformed according to the electric field signal applied through the thin film member 275 which can be deformed. However, since the mirror 290 is physically connected to the drive structure 200 only through the recess 297 of the mirror 290, the corresponding mirror 290 will maintain a flat surface, thus making the incident light source more accurate. And, by effectively reflecting, the overall light efficiency of the array 300 is improved. Also, since each driving structure 200 and the corresponding MOS transistor 215 are arranged on the substrate 212 without overlapping each other, the contact member 283 and the first thin film electrode 285 in the driving structure 200 are connected to each thin film actuated mirror. 301 can be formed after forming the electrically deformable membrane member 275 during the manufacturing process, so that the high temperatures required to form the deformable membrane member 275 can reduce the overall temperature of the array 300. Reduce impact on physical and electrical integrity. 3 (A) to 3 (I) are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing an array 300 of M × N thin-film actuated mirrors 301 in FIG. is there. The manufacturing process of the array 300 includes an array of M × N switching devices (eg, metal oxide semiconductor (MOS) transistors 215), a substrate 212, and a field oxide layer 216 formed on an upper surface of the substrate. Starting with the preparation of the active matrix 210. Each MOS transistor 215 has a source / drain region 217, a gate oxide layer 218, and a gate electrode 219. Subsequently, a first passivation layer 220 made of PSG or silicon nitride and having a thickness of 0.1 to 2 μM is deposited on the active matrix 210 by, for example, a CVD method or a spin coating method. Thereafter, as shown in FIG. 3A, an etching solution inflow prevention layer 230 made of silicon nitride and having a thickness of 0.1 to 2 μM is formed on the first passivation layer 220 by using, for example, a sputtering method or a CVD method. Deposited on top. Then, a thin film sacrificial layer 240 is formed on the etching liquid inflow prevention layer 230. The thin film sacrificial layer 240 is formed by sputtering or vapor deposition when made of metal, by CVD or spin coating when made of phosphosilicate glass (PSG), and by CVD when made of polysilicon. It is formed using a method. Subsequently, an array of M × N empty slots is formed by a dry etching method or a wet etching method so that each empty slot array (not shown) surrounds the source / drain region 217 of each MOS transistor 215. It is formed on the thin film sacrificial layer 240. Next, an elastic layer 250 made of an insulating material such as silicon nitride and having a thickness of 0.1 to 2 μM is deposited on the thin film sacrificial layer 240 having empty slots by a CVD method. Thereafter, a second thin film layer 260 made of a conductive material such as Pt / TA and having a thickness of 0.1 to 2 μM is formed on the elastic layer 250 by using a sputtering method or a vacuum evaporation method. You. Thereafter, as shown in FIG. 3B, the second thin film layer 260 is uniformly cut (iso-cut) in the vertical direction by an etching method. Thereafter, an electrically deformable layer (not shown) made of a piezoelectric material (for example, PZT) or an electrostrictive material (for example, PMN) and having a thickness of 0.1 to 2 μM is formed by a vapor deposition method or a sol-gel method. It is deposited on the second thin film layer 260 by a sputtering method or a CVD method. Thereafter, the electrically deformable layer is heat-treated to cause phase transition by a rapid thermal annealing (RTA) method. Since the electrically deformable layer is very thin, if the deformable layer is made of a piezoelectric material, it can be polarized by an electric field signal applied during the operation of the thin-film actuated mirror 301, and thus needs to be separately polarized. There is no. Next, as shown in FIG. 3C, the electrically deformable layer is formed by an array of M × N electrically deformable thin film members 275 using a photolithography method or a laser cutting method. Is patterned. Subsequently, as shown in FIG. 3 (D), the second thin film layer 260 and the elastic layer 250 are formed by using an etching method to form an array of M × N second thin film electrodes 265 and M × N It is patterned into an array of elastic portions 255. Thereafter, as shown in FIG. 3E, the etching solution inflow prevention layer 230 and the first passivation layer 220 formed above the source / drain region 217 in each MOS transistor 215 are combined with the gate oxide layer in each MOS transistor 215. 218 and the non-converted portion 225 surrounding the gate electrode 219 are selectively removed by the etching method. Next, as shown in FIG. 3 (F), a layer (not shown) made of a conductive material is formed by sputtering or vacuum evaporation so as to completely cover the structure, and thereafter, the layer is formed by etching. By selectively removing the layers, an array of M × N first thin film electrodes 285 and an array of contact members 283 are formed. Each first thin film electrode 285 is located on an electrically deformable thin film member 275. Each contact member 283 is arranged such that the second thin film electrode 265 is in electrical contact with the source / drain region 217 of each MOS transistor 215. Next, a second passivation layer 287 made of, for example, phosphosilicate glass (PSG) or silicon nitride and having a thickness of 0.1 to 2 μM is deposited using, for example, a CVD method or a spin coating method. The contact member 283 is completely patterned to form an array 310 of M × N actuated mirror structures 311 as shown in FIG. 3 (G). Thereafter, each actuated mirror structure 311 is completely covered with a first thin film protective layer (not shown). Subsequently, the thin film sacrificial layer 240 is removed by an etching method. Thereafter, as shown in FIG. 3 (H), the first thin film protective layer is removed to form an array of M × N driving structures 200 having a base end and a free end (not shown). Is done. Next, the space formed when the thin film sacrificial layer 240 is removed is filled with a predetermined sacrificial material to cover the array of M × N drive structures 200, thereby completely flattening the structure. To have a proper top surface. Thereafter, an array of M × N empty slots (not shown) is formed on the completed structure by photolithography. Each empty slot extends from the top of the completed structure to the free end of each drive structure 200. Thereafter, a mirror layer (not shown) and a thin-film dielectric layer (not shown) made of a light-reflective material (eg, Al) are sequentially deposited on the sacrificial material having empty slots, and then the mirror layer is formed. And the thin film dielectric layer is patterned into an array of M × N mirrors 290 and an array of M × N thin film dielectric portions 295 using a photolithography method or a laser cutting method. An array of individual unfinished actuated mirrors (not shown) is formed. Here, each mirror 290 has a recess 297 mounted on the free end of the drive structure 200. Each mirror 290 and the thin-film dielectric 295 can be formed in various forms as shown in FIGS. 2, 4, and 5. Subsequently, each unfinished actuated mirror is completely covered with a second thin film protective layer (not shown). Thereafter, the sacrificial material is removed using an etching method. Thereafter, the second thin film protective layer is removed to form an array 300 of M × N thin film actuated mirrors 301 as shown in FIG. 3 (I). In the above description, each thin-film actuated mirror 301 and its method have been described for the case where each driving structure 200 in the thin-film actuated mirror 301 has a unimorph structure. Note that structure 200 can be applied identically to a bimorph structure, having additional electrically deformable layers and electrode layers. Further, the above-described method forms the elastic layer 250 before the formation of the second thin film layer 260, but each elastic portion 255 is used to form the first thin film electrode during the manufacture of the array 300 of the thin film actuated mirror 301 according to the present invention. It may be formed after forming 285. Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, those skilled in the art will be able to make various modifications without departing from the scope of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ヨン、ヨング―バイ大韓民国ソウル100―095・ジュング―グ・ナムデムーン―ロ・５―ガ 541・デーウー・エレクトロニクス・カンパニー・リミテッド・ビデオリサーチセンター────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventors Yong, Yong-by Republic of Korea 100-095 Jung-gu Namde Moon-Lo-5-Ga 541 Dew -Electronics Company Limi Ted Video Research Center

Claims

[Claims] 1. M × N thin film actuators (M and N are positive integers) used in the light projection system A tuted mirror array, An active matrix having a substrate and an array of M × N switching devices formed on the substrate. Tricks and A first thin-film electrode, an electrically deformable thin-film member, and a second thin-film electrode; An array of M × N drive structures having free ends and free ends, the base of each of said drive structures. A lower end is mounted on the active matrix, and each drive structure and its The corresponding switching device is located in different areas on the upper surface of the substrate. × N drive structures, M × N mirrors each located above the drive structure and reflecting an incident light source Thin-film actuated mirror array comprising: . 2. The electrically deformable thin film member is provided in the first driving structure in each of the driving structures. It is located between the thin film electrode and the second thin film electrode, and one of the two electrodes is an electrode. That the other electrode is electrically connected to the corresponding switching device. The thin-film actuated mirror array according to claim 1, wherein: 3. 2. The driving structure according to claim 1, wherein each of the driving structures further includes an elastic portion. A thin-film actuated mirror array as described. 4. The said elastic part is located under the said 2nd thin film electrode, The Claims characterized by the above-mentioned. 4. The thin-film actuated mirror array according to 3. 5. The said elastic part is arrange | positioned on the said 1st thin film electrode, The claim characterized by the above-mentioned. Item 4. A thin-film actuated mirror array according to item 3. 6. Each of the mirrors has a recess mounted over the free end of the drive structure The thin film actuated according to claim 1, wherein Mirror array. 7. Wherein the switching device is a metal oxide semiconductor (MOS) transistor The thin-film actuated mirror array according to claim 1, wherein: 8. An array of M × N thin film dielectric portions covering the entire top surface of each mirror, The thin-film actuated mirror according to claim 1, further comprising: Ray. 9. A support, wherein each said mirror has a thin layer of light-reflective material deposited on said upper surface; The thin-film actuated mirror according to claim 1, further comprising a portion. Ray. 10. The said each drive structure has a bimorph structure. 2. The thin-film actuated mirror array according to 1. 11. A passivation layer formed on top of the active matrix. The thin-film actuated mirror array according to claim 1, comprising: 12. An etching solution inflow prevention layer formed on the passivation layer; The thin-film actuated mirror array of claim 11, comprising: . 13. The electrically deformable thin film member is made of a piezoelectric material. The thin-film actuated mirror array according to claim 1. 14． The electrically deformable thin film member is made of an electrostrictive material. The thin-film actuated mirror array according to claim 1. 15. Each of the mirrors is located above a corresponding drive structure and the switching device. 2. The thin-film actuated mirror array according to claim 1, wherein: 16. Each mirror is located adjacent to the drive structure and the switching device 2. The thin-film actuated mirror according to claim 1, wherein Ray. 17． M × N (M and N are positive integers) thin film electrodes used in the light projection system A method of manufacturing a coutuated mirror array, comprising: An active matrix having a substrate and an array of M × N switching devices formed on the substrate. Providing a trick; A thin film sacrificial layer deposited on the active matrix, Patterning M × N empty slots exposing each switching device; A second thin film layer and an electrically deformable thin film layer, Sequentially depositing on the film sacrificial layer, The electrically deformable thin film layer and the second thin film layer are each formed of M × N electrical thin films. An array of deformable thin film portions and an array of M × N second thin film electrodes are patterned And wherein each of said patterned electrically deformable thin film members and And the second thin-film electrode does not share the switching devices. M × N first thin films each positioned on the electrically deformable thin film member An array of electrodes, each of which is electrically connected to a second thin film electrode and a corresponding switching device. Forming an array of contact members arranged to touch, By removing the thin film sacrificial layer, M × N drives with proximal and free ends Forming an array of structures; Forming an array of M × N mirrors on the array of M × N drive structures; To form the M × N thin-film actuated mirror array. Manufacturing a thin-film actuated mirror array comprising the steps of: Law. 18. Patterning said thin film sacrificial layer into said array of M × N empty slots 18. The method of claim 17, further comprising forming an elastic layer after forming. A method for manufacturing a thin-film actuated mirror array. 19. Each said mirror, Forming a covering structure by covering the M × N driving structures with a sacrificial material Stages and The M × N extending from the top of the covering structure to the free end of each drive structure Forming an array of empty slots on the coating structure; Depositing a mirror layer on the sacrificial material having the empty slots; Patterning the mirror layer into M × N mirror arrays; Removing said sacrificial material. 3. The method for manufacturing a thin-film actuated mirror array according to item 1. 20. Forming the passivation layer on the active matrix. 18. The thin-film actuated mirror of claim 17, further comprising: -Manufacturing method of array. 21. Forming an etching liquid inflow prevention layer after forming the passivation layer 21. The thin film actuated mirror of claim 20, further comprising: -Manufacturing method of array. 22. After deposition of the mirror layer, a thin film dielectric member is formed on each of the mirrors. 18. The thin film actuator of claim 17, further comprising the step of: A method for manufacturing a mirror array. 23. After the deposition of the electrically deformable thin film layer, additional electrically deformable Each of the thin-film actuators is formed by sequentially forming a new layer and an additional electrode layer. Make the dated mirror have a bimorph structure 18. The thin film actuator of claim 17, further comprising the step of: A method for manufacturing a mirror array. 24. M × N (M and N are positive integers) thin film electrodes used in the light projection system A coutured mirror array, A substrate and M × N metal oxide semiconductor (MOS) transistors formed on the substrate; An active matrix having transistors, A first thin film electrode, an electrically deformable thin film member, a second thin film electrode, and an elastic portion. An array of M × N drive structures having a proximal end and a free end, One thin film electrode is located on the electrically deformable thin film member and is electrically grounded. Wherein the electrically deformable thin film member is located on the second thin film electrode, The second thin film electrode is located on the elastic portion and is electrically connected to the corresponding transistor. The elastic portion is located below the second thin-film electrode, and each of the driving structures The lower part of the base end of the body is mounted on the active matrix, and each drive structure And the corresponding MOS transistors are located in different areas on the upper surface of the substrate. An array of each of said drive structures located; Incident light sources, each having a recess mounted on the free end of the drive structure A thin-film actuator comprising: an array of mirrors for reflecting light; Ted mirror array.