JP2000502406A - 選択された電極グループ上への電解による膜形成のためのプロセスおよび装置 - Google Patents

選択された電極グループ上への電解による膜形成のためのプロセスおよび装置

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、電解サポート選択された電極アセンブリ上への電解による膜形成のための方法および装置に関するものである。本方法においては、複数の電極(10)を備えたサポートを準備し;選択された電極上に選択的に電流を印加し;サポートを電解質の存在下に配置することにより、選択された電極に対して印加された電流を電解電流として電解成膜を引き起こす。本発明は、生物学的センサの作製に有効である。

Description

【発明の詳細な説明】 選択された電極グループ上への電解による膜形成 のためのプロセスおよび装置発明の属する技術分野 本発明は、基板上の選択された電極グループ上への電解による膜形成のための プロセスおよび装置に関するものである。 本発明は、特に、多数の電極を備えたチップが形成されなければならないセン サや他の小型化検出素子の製造に応用することができる。センサや検出素子を特 定の機能に適したものとするためには、複数の電極は、適切な材料でもって選択 的にコーティングされなければならない。 一例として、本発明は、「バイオチップ」のような小型化デバイスの製造に適 用することができる。「バイオチップ」とは、電気回路部分と生物学的部分とを 備えたチップのことであり、この場合、電気回路部分は、基板上に形成されてお り、生物学的部分は、チップの表面上に形成されている。この例においては、生 物学的生成物に対して適合性のある化学化合物が、電極上に選択的に成膜されな ければならない。これに関しては、下記参考文献(3)を参照することができる ゜ 電解による膜形成とは、例えば銅やニッケルといった金属の従来的成膜と、と りわけ有機物質から得られたような複合化合物の成膜と、の双方を意味している ゜従来の技術 電極上に膜を形成するには、リソグラフィープロセスのような公知のマイクロ エレクトロニクスプロセスにおいては、現在、リコース(recourse)が形成され る。 これらプロセスにおいては、各チップの所定の電極上に化学化合物を選択的に 成膜するために、ある1つの同一の半導体部分上において、多数のチップを同時 に取り扱うことが可能である。 下記参考文献(1)に記載されているように、上述の成膜プロセスにおいては 、以下のステージを連続して行っている。すなわち、 −半導体部分上において、全面にわたる電気伝導性ベースを、後の成膜を意図し た電極に当接させた状態で、成膜し、 −全面にわたるベース上に薄い樹脂層を形成し、 −選択された電極に関して、上記樹脂層に開口を形成し、 −全面にわたるベースを電極として使用するとともに、半導体部分とともに電解 浴内に配置された独立な対向電極を使用して、開口内において電解による材料膜 形成を行い、 −樹脂と、成膜材料の周囲に位置するベースと、を除去する。 これは、従来的なプロセスである。例えば所定の電極といった、基板の一部分 上に、局所的に、金属や他の任意の化学化合物を成膜するために使用することが できる。 しかしながら、いくつかの応用においては、ある1つの同一チップ内の異なる 電極を、各電極の特定の機能に応じて決定された異なる材料でもってコーティン グする必要がある。 上述の電解プロセスにおいては、半導体部分のうちの異なる部位上にまたは異 なる電極上において、異なる材料を成膜するためには、成膜すべき材料の数と同 じだけ多数の樹脂層が必要である。各材料を成膜するためには、材料の成膜を意 図した領域を露出させなければならず、かつ、材料の成膜を意図していない領域 に関しては被覆しなければならない。 多数の樹脂の形成ステージと、所定材料でもってコーティングされるべき電極 に対応して各樹脂層内に所望数の開口を形成するための多数のリソグラフィー操 作と、を連続して行うことは、複雑なプロセスであることを意味している。 リソグラフィーステージや樹脂成膜を回避するために使用可能な他の方法にお いては、個別的にアドレッシング可能な複数の電極を備えた電解サポートが使用 される。 電解サポート上に形成された電極数に応じて直接アドレッシングシステムまた はマルチアドレッシングシステムは、サポート内において使用可能である。これ に関しては、下記参考文献(2)を参照することができる。 マルチアドレッシングの場合には、集積スイッチが電極に関連して設けられる 。したがって、選択的な電解成膜を行うに際しては、適切なスイッチのクロージ ャを操作することによって、単に、所定の電極グループを選択的にアドレッシン グして、それでもって、所定の電極グループに対して電解電流を供給するだけで よい。 この技術は、先の技術よりも複雑さが少ない。しかしながら、コストがかさむ という欠点がある。 この場合、複雑である場合が多くコスト高であるアドレッシングシステムが、 各電解サポート内に備えられる必要がある。また、このアドレッシングシステム は、各サポートに対して単一使用されるものであって、異なる電解成膜が完了し た際には、不要となる。 上述の技術においては、電極を備えたサポートを電解浴内に含浸した上で、サ ポート内の電極に対してアドレッシングシステムを利用して1セットの分極電圧 またはアドレッシング電圧を印加しなければならない点を指摘することができる 。このことは、サポートのうちの、分極電圧またはアドレッシング電圧が印加さ れる接続用コンタクト部の絶縁または保護の問題を引き起こす。発明の開示 本発明の目的は、上述の技術における困難さを解決することである。 本発明の1つの目的は、特に、電極上において、成膜に際して選択されないよ うな樹脂マスクの形成を不要としたプロセスを提供することである。 本発明の他の目的は、複雑かつコスト高であるようなアドレッシングシステム を必ずしも有していない電解サポートを使用可能とすることである。 本発明のさらなる目的は、サポートが電解浴内に含浸されているときに電極を アドレッシングしないことである。 本発明のさらなる目的は、また、プロセスの実施に適した、電解サポートおよ び分極ヘッドを使用することである。 上記目的を達成するために、本発明は、サポート上の複数の電極の中から選択 された電極グループ上への電解による膜形成のためのプロセスを開示し、さらに 詳細に記述する。このプロセスにおいては、 −表面上に、複数の電極と、アースシールドと称されるとともに前記電極のそれ ぞれと協働して複数のキャパシタを形成する電気シールドと、を備えたサポート を準備し、 −前記選択された電極上に電圧を印加することにより、前記選択された電極グル ープに対応したキャパシタのグループを選択的に充電し、 −前記サポートを電解質の存在下に配置することにより、前記選択された電極に 対応した前記キャパシタにおいて前記選択された電極上に印加され貯蔵された電 荷のそれぞれを各選択された電極に対する電解電流として供給して、前記充電さ れたキャパシタに対応する電極上に電解成膜を引き起こす。 本発明のプロセスにおいては、基板は、電極に対するアドレッシングシステム を備えていなくても良い。電荷は、電極に対して直接的に供給することができ、 電極とアースシールドとよって画成されたキャパシタ内に貯蔵することができる 。電荷を供給するために、分極電圧と称される電圧が、例えば、アースシールド と選択された電極との間に印加される。 また、サポートを電解質の存在下に配置する前に電荷を供給しておくことによ り、電解時における電極のアドレッシングまたは分極を回避することができる。 したがって、これにより、電解浴に関連した、分極用コンタクト部またはアドレ ッシング用コンタクト部の保護絶縁の問題が除去できる。 電解電流の供給は、外部電源によりなされるのではなく、選択された電極に対 応したキャパシタ内に貯蔵された電荷によって直接的にもたらされる。 本発明の一見地においては、電解ステージにおいて、サポートは、電解浴内に 、あるいは、電解質を含有した媒体内に含浸することができ、同じく電解浴内に 含浸された電解用対向電極に対して、アースシールドを接続することができる。 変形例においては、アースシールドは、電気分解のための対向電極として直接 的に使用することができる。この場合には、電解サポートは、電解浴内に含浸し ても良いし、また、単に電解質でもって湿潤させるだけでも良い。例えば、電極 とアースシールドの少なくとも一部とに当接した、電解質からなる薄膜を、サポ ートの表面上に広げることができる。 本発明の他の見地においては、キャパシタグループを選択的に充電するために 、複数の電極のそれぞれに当接可能な複数のコンタクトパッドと少なくとも1つ のアースコンタクトパッドとを備えた分極ヘッドを使用し、この分極ヘッドは、 電解サポート上において、電解サポートの各電極が対応するコンタクトパッドに 当接し、かつ、アースシールドに対して少なくとも1つのアースコンタクトパッ ドに当接するようにして、配置され、双方のコンタクトパッドを介して、選択さ れた電極へと、電荷が供給される。 分極ヘッドは、電極の充電に適切な分極電圧を、コンタクトパッドに対して選 択的に印加するために、例えばマルチプレックスタイプとされた、アドレッシン グシステムを備えることができる。 サポートの電極に対しての、したがってキャパシタに対しての、分極ヘッドを 使用した充電が完了したときには、ヘッドは、サポートから切り離されて、他の サポートに対して再度使用することができる。 したがって、分極ヘッドのアドレッシングシステムは、単一使用システム(使 い捨てシステム)ではない。 本発明の他の目的は、上述のプロセスを実施するための電解サポートである。 この電解サポートは、複数の電極と、アースシールドと称されるとともに電極と は電気的に絶縁された電気プレートと、を備えてなり、アースシールドは、複数 の電極と協働して、複数のキャパシタを形成する。電荷が供給される電極および /またはアースシールドは、絶縁性支持基板上に成膜された導電材料の形態とす ることができる。 一例として、本発明の格別の実施形態においては、電解プレートは、支持プレ ートと、この支持プレート上に配置されかつアースシールドをなす導電材料層と 、この導電材料層上に配置された電気絶縁材料層と、この電気絶縁材料層上に配 置されかつ導電材料から形成された複数の電極と、を具備している。 互いに隔離された複数の電極は、相互に絶縁されており、絶縁材料層によって アースシールドから絶縁されている。 アースシールドは、個々のキャパシタを形成している各電極に対する共通の電 気プレートをなしており、絶縁材料層は、キャパシタの誘電体をなしている。 ある格別の形態においては、電気絶縁材料層は、電極のない領域においてアー スシールドを露出させるよう、電極のない領域において少なくとも1つの貫通孔 を備えている。この特徴点は、アースシールドが電気分解のための対向電極とし て使用されている場合には、特に興味深い。この場合には、例えば、対向電極の 一部が、各電極の近傍に位置することとなり、信頼性が高くかつ一様な成膜が保 証される。 貫通孔は、個々に各電極を囲むグループの形態とすることができる。 ある変形例においては、電極、および/または、アースシールドは、また、半 導体製サポートに形成されたドーピング領域の形態とすることができる。 電解サポートは、例えば、第1タイプの導電性とされた半導体基板を具備し、 この基板内には、第1タイプの導電性とは異なる第2タイプの導電性とされたゾ ーンを設けることができる。 この場合、電極どうしの間の電気絶縁は、接合タイプの絶縁である。例えば、 基板がPタイプの伝導性である場合には、電極およびゾーンは、Nタイプである 。この場合、基板は、放電防止のために選択された固定電位に接続されているこ とが有利である。 本発明の他の目的は、上記プロセスを実施するための分極ヘッドである。 分極ヘッドは、 −電解サポート上の複数の電極に対してそれぞれが当接し得るように配置された 複数のコンタクトパッド、および、アースシールドの接続用コンタクト部に対し て当接し得るように配置された少なくとも1つのアースコンタクトパッドを備え たフロントプレートと、 −複数のコンタクトパッドの中から選択されたコンタクトパッドグループに対し て分極用電圧を選択的に印加するためのアドレッシング手段と、 を具備している。 上述のように、アドレッシング手段は、マルチタイプとすることができる。ア ドレッシング手段は、また、外部電圧源を使用してコンタクトパッドに対して直 接的に適切な電圧を印加するための、接続ラインからなるネットワークを備える ことができる。 本発明の格別の形態においては、分極ヘッドは、加圧チャンバを備えることが できる。その場合、フロントプレートは、加圧チャンバをなす壁の一部を形成す るよう構成されている。分極ヘッドが電解サポート上に配置された場合にコンタ クトパッドが電極に対して押圧され得るよう、加圧チャンバは、加圧された時に は、フロントプレートをわずかに変形させ得るよう、配置することができる。 本発明の他の特徴点および利点は、添付図面を参照した、例示の目的のためだ けのものであって本発明を何ら制限するものではない以下の説明により、明瞭と なるであろう。図面の簡単な説明 図1は、本発明によるプロセスの実施のための電解サポートを示す断面図であ る。 図2は、図1に示すサポートの平面図である。 図3は、本発明によるプロセスの実施のための電解サポートの変形例を示す断 面図である。 図4は、本発明によるプロセスの実施のための本発明による分極ヘッドを示す 断面図である。 図5は、図1のサポートと図4の分極ヘッドとを示す断面図であって、本発明 によるプロセスにおける電解サポートに対する選択的充電ステージを示している ゜ 図6は、図1の電解サポートが含浸された電解浴を示す断面図である。 図7は、図3に示すサポートの断面図であって、本発明におけるサポート上へ の電解ステージを示している。本発明の実施形態および実施態様の詳細な説明 図1は、本発明において使用されるタイプの電解サポートを示している。電解 サポートは、配位子のような異なる化合物を上面に選択的に成膜することができ る複数の電極10を備えている。配位子としては、DNAターゲットを認識可能 なオリゴヌクレオチドプローブ、あるいは、抗体タイプのターゲットを認識可能 な抗原的プローブ、あるいは、重イオンやガスといった所定分子を認識可能な化 学的プローブとすることができる。プローブは、電極上に直接的に懸架すること ができ、あるいは、例えばポリピロール・ポリアニリン・ポリチオフェンのよう なタイプといった導電性を有していて電気化学的手段によって懸架を容易に行え るようなタイプのポリマーからなるような支持ネットワーク内に懸架またはトラ ップすることができる。このような成膜においては、例えば、生物学的センサや 化学的センサを作製することができる。 電極10は、絶縁材料製層12上に形成される。絶縁層12は、導電性材料製 層14から、電極を絶縁する。層14は、後述の機能を有したアースシールドを 形成する。この層は、アースシールド14と称される。 絶縁材料製層12は、例えば、約50〜100nm厚さとされた酸化シリコン SiO2からなる層である。 アースシールド14および電極10は、例えば、クロム、ニッケル、金、アル ミニウム、あるいは、チタンの中から選択された材料により作製することができ る。しかしながら、他の導体を選択することもでき、特に、アースシールドに対 しては、電解成膜が望ましい化合物または物質とすることができる。電極および アースシールドの厚さは、例えば、50〜100nm厚さの中から選択される。 電極10、層12、および、アースシールドからなるグループは、基体プレー ト16によって支持されている。 厚さが0.1〜数mmの範囲とされた基体プレート16は、例えば、シリコン 、ガラス、あるいは、プラスチックのような材料とすることができる。 図1に示すように、アースシールド14は、絶縁性材料層12によって全面が 被覆されているわけではなく、アースシールドのうちの、接続用コンタクト部を なす部分18については、露出されている。これにより、サポートのうちの電極 10を備えた面からアクセスすることができる。 各電極10は、それぞれ、キャパシタの第1プレートをなしており、アースシ ールドは、各キャパシタに共通とされた第2プレートをなしている。したがって 、各電極に関連したキャパシタは、アースシールド14と対象をなす電極10と の間に適切な分極電圧または充電電圧を印加することにより、充電することがで きる。キャパシタ内に貯えられた電荷は、電解時には、各電極に対してそれぞれ 電解電流を供給する。 サポートの平面図である図2には、行列配置された電極アレイを示している。 このレイアウトとされた電極は、絶縁材料層12によって、互いに絶縁されてい る。 図2の例においては、各電極10は、活性ゾーンと称される部分10aと、活 性ゾーンに接続された付属部分10bと、を備えている。活性ゾーン10aは、 電解成膜を受けるために設けられており、可能であれば、電極サポートの最終目 的に応じて生物学的センサや他の検出素子を収容する。他方、付属部分10bの 機能は、本質的に、接続用コンタクト部をなすことである。付属部分10bは、 電極に対応したキャパシタを充電する目的で、後述の分極ヘッドのコンタクトパ ッドを受領するために設けられたものである。 最後に、図2は、図示の実施形態においては、アースシールド14のうちの、 接続用コンタクト部をなす部分18が、幅広の外郭部分を形成して、絶縁材料層 12を囲んでいることを示している。 図3は、電解サポートの他の可能な実施形態を示している。 図3の実施形態においては、絶縁材料層12がエッチングされており、その結 果、絶縁材料層12上には、電極10どうしの間に開口20が形成されている。 例えばグループの形態とされた開口20は、アースシールド14のうちの電極1 0近傍の部分22を露出するために使用される。例えば、各電極の周囲は、絶縁 材料層をグループ状に切り欠いておくことができる。 開口20、および、アースシールドのうちの露出部22の使用に関しては、ア ースシールドが電解における対向電極として直接的に使用される場合の電解時に おいて、特に明瞭となる。これについては、詳細に後述する。 サポートの選択された電極に関連するキャパシタは、可能であれば、特に電極 数が少ない場合などは、1個ずつ個別に充電することができる。 しかしながら、多数の電極がある場合には、充電操作のために分極ヘッドを使 用することができる。分極ヘッドの一例は、図4に示されている。 分極ヘッドは、フロントプレート30を備えており、フロントプレート30に は、ビーズまたは金属製パッドの形態とされた複数のコンタクトパッド32が設 けられている。金属製ビーズは、例えば、インジウム−鉛合金製ビーズである。 金属製ビーズは、絶縁材料層31を使用した熱処理により、所定形状とされてい る。絶縁材料層31は、ビーズと比較して濡れ性を有しておらず、フロントプレ ート30の表面をカバーしている。 コンタクトパッド32の数およびフロントプレート30の表面上における分布 は、それぞれ、例えば図1〜図3に示すような、電極10の数および電解サポー ト上における分布に対応している。 したがって、分極ヘッドが電解サポート上に配置されたときには、コンタクト パッドをなすビーズが、それぞれ、電極10に当接することとなる。より詳細に は、電極10のうちの付属部分10bに当接することとなる。 分極ヘッドは、また、周縁部に配置された、1つまたはいくつかの付加的なパ ッド34を備えている。付加的なパッド34は、電解サポートのアースシールド 14の接続用コンタクト部18(図1〜図3参照)に当接するために設けられた ものである。パッド34は、この例においては、パッド32をなすビーズの直径 よりもわずかに大きな直径のビーズとして形成されている。 例えばシリコン製のフロントプレート30は、外部電圧源42に接続されたア ドレッシング用電子回路40を備えることができる。回路40は、外部制御コン ピュータ44により駆動されるものであって、コンタクトパッド32の選択され たグループに対して、電源42から供給される分極用電圧を選択的に印加し得る よう構成されている。 アドレッシング用回路40は、パッドアドレッシング用行列を備えることがで きる。各コンタクトパッドは、トランジスタを介して、アドレッシング用行列に 接続される。したがって、所定のコンタクトパッドに対する分極用電圧の印加は 、対応するトランジスタの導通を活性化させることにより、行うことができる。 このようなマルチアドレッシング自体は、例えば、液晶ディスプレイスクリーン の制御に使用されているように、公知である。 アドレッシング用行列は、参照符号46を付して一点鎖線でもって概略的に示 されている(図4)。 フロントプレート30の背面は、コンタクトパッド32が存在している領域に スロット48を形成するよう、エッチングすることができる。 フロントプレート30は、また、スロット48として機能するプレート52に 接着される。プレート52も、また、シリコン製である。 上記スロットは、加圧チャンバ50と称されるチャンバを形成する。このチャ ンバの壁は、カバープレートとフロントプレートとにより形成される。 加圧チャンバ50には、加圧空気入力部54が接続されている。フロントプレ ート30は、また、チャンバ50の圧力に応じてわずかに変形し得るに十分なだ け弾性的であるように構成されている。この変形の利用は、図5に示されている ゜ 図5は、図1に示すような電解サポートの複数の電極に対応した複数のキャパ シタを選択的に充電するための、図4の分極ヘッドの使用状況を示している。 図5に示すように、分極ヘッドは、各コンタクトパッド32が電解サポートの 対応電極10に当接するとともに、付加的なパッド34がアースシールドの接続 用コンタクト部18に当接するようにして、サポート上に配置される。この場合 、コンタクトパッド34をなすビーズの直径がわずかに大きなものとされている ことにより、絶縁材料層12の厚さおよび電極10の厚さを補償することができ ることに、注意されたい。 分極ヘッドが電解サポートに対して(マイクロエレクトロニクスにおける位置 合わせ機械の場合のようにして)機械的に維持されて配置されると、加圧空気が 、加圧チャンバ50内に注入される。チャンバ50内に形成された圧力は、周囲 圧力と比較して、0.1barまたはそれ以上、上回っている。 圧力の影響を受けると、フロントプレートは、電極を備えているサポートに向 けて、わずかに変形する。その結果、コンタクトパッド32は、電極10に対し てしっかりと押圧される。この構成により、これら部材どうしの間のコンタクト が確実になされる。 コンタクトパッドと電極との間のコンタクトが確立されると、アドレッシング 用回路が駆動される。その結果、アドレッシング回路は、電解サポートのアース シールド14にアース電位を印加するとともに、選択された電極に対して電位V を印加する。アース電位は、コンタクトパッド34を介してアースシールドへと 印加され、一方、電位Vは、コンタクトパッド32を介して選択された電極へと 印加される。有利には、選択されていない電極に対しても、アース電位が印加さ れる。 分極電位Vが印加された電極に対応したキャパシタは、Cを各電極に対応した キャパシタのキャパシタンスとした場合にQ=CVに相当する電荷Qを貯蔵する 。アース電位に等しい分極電位が印加された電極(選択されていない電極)に対 応したキャパシタは、ゼロ電荷を貯蔵する(すなわち、電荷を貯蔵しない)。 選択された電極の分極は、同時的とも、あるいは、順次的とも、することがで きる。 図6は、本発明の次なるステージを示す図であって、電解ステージを示してい る。選択された電極に対応したキャパシタが充電されている電解サポートが、電 解浴(電解槽)62を収容したタンク60内に含浸されている。 浴内には、また、対向電極64が含浸されており、この対向電極64は、電解 サポートのアースシールド14に電気接続されている。 選択された電極に対応したキャパシタ内の貯蔵電荷が移動することによって、 電気分解が起こる。電荷移動は、選択された電極と、対向電極と、の間において 起こる。そして、電荷移動は、選択された電極上に電解成膜66を引き起こす。 図においては、電荷移動は、矢印によって代表的に示されている。 図7は、電解ステージの変形例を示すもので、図3に示す電解サポートを使用 している。 図7の場合においては、電解質70の薄膜だけが、電極10を備えたサポート の表面上に適用される。電解フィルムは、電極10、および、アースシールドの うちの接続用コンタクト部をなす部分18、および、アースシールドの開口20 内に位置する部分からなるグループを湿潤させる。 図7の場合には、アースシールドが、電気分解のための対向電極をなしている 。 矢印によって表現された電荷移動は、アースシールドの(開口20内に位置す る)部分と、選択された電極10と、の間において起こる。 電荷移動によって、選択された電極上における成膜66を形成をもたらすこと となる、電解電流が引き起こされる。選択された電極に対応したキャパシタは、 電解電流のために放電し、そして、成膜が停止する。 その後、電解サポートが洗浄されて乾燥される。例えば、異なる材料のさらな る成膜のために、分極ヘッドを使用して、他の電極を選択して新たな電圧を印加 することができる。 このようにして、電解サポートは、異なる電解質を使用して、何回かの成膜を 選択的に行うことができる。 引用された参考文献のリスト (1)《Fluxless Flip-Chip Technology》 by P.Caillat and G.Nicolas-LE TI (CEA-Advanced technologies) (2)《Array of individually addressable microelectrodes》 by G.C.Fiac cabrino et al. In《Sensors and Actuators》B,18-19,pp.675-677 (3)国際特許出願第94/22889号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // G01N 33/543 593 C12N 15/00 A

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.サポート上の複数の電極の中から選択された電極グループ上への電解による 膜形成のためのプロセスであって、 −表面上に、複数の電極(10)と、アースシールド(14)と称されるととも に前記電極のそれぞれと協働して複数のキャパシタを形成する電気プレートと、 を備えたサポートを準備し、 −前記選択された電極上に電圧を印加することにより、前記選択された電極グル ープに対応したキャパシタのグループを選択的に充電し、 −前記サポートを電解質の存在下に配置することにより、前記選択された電極に 対応した前記キャパシタにおいて前記選択された電極上に印加され貯蔵された電 荷のそれぞれを各選択された電極に対する電解電流として供給して、前記充電さ れたキャパシタに対応する電極上に電解成膜を引き起こすことを特徴とするプロ セス。 2.前記アースシールド(14)に対して電気接続された電解用対向電極(64 )が使用されることを特徴とする請求項1記載のプロセス。 3.前記アースシールド(14)が、電気分解のための対向電極として使用され ることを特徴とする請求項1記載のプロセス。 4.キャパシタグループを選択的に充電するために、前記複数の電極(10)の それぞれに当接可能な複数のコンタクトパッド(32)と少なくとも1つのアー スコンタクトパッド(34)とを備えた分極ヘッドを使用し、 該分極ヘッドは、前記電解サポート上において、該電解サポートの前記各電極 (10)が対応する前記コンタクトパッドに当接し、かつ、前記アースシールド (14)に対して前記少なくとも1つのアースコンタクトパッド(34)に当接 するようにして、配置され、 前記コンタクトパッド(32、34)を介して、前記選択された電極へと、電 荷が供給されることを特徴とする請求項1記載のプロセス。 5.請求項1〜4のいずれかに記載のプロセスを実施するための電解サポートで あって、 複数の電極と、アースシールドと称されるとともに前記電極とは電気的に絶縁 された電気プレートと、を備えてなり、 前記アースシールドは、前記複数の電極と協働して、複数のキャパシタを形成 することを特徴とする電解サポート。 6.前記電極、および/または、アースシールドと称される前記電気プレートは 、絶縁性支持基板上に配置された導電材料から形成されていることを特徴とする 請求項5記載の電解サポート。 7.支持基板(16)と、 該支持基板上に配置されかつ前記アースシールド(14)をなす導電材料層と 、 該導電材料層上に配置された電気絶縁材料層(12)と、 該電気絶縁材料層上に配置されかつ導電材料から形成された複数の電極(10 )と、 を具備することを特徴とする請求項6記載の電解サポート。 8.前記電気絶縁材料層(12)は、前記電極(10)のない領域において前記 アースシールド(14)を露出させるよう、前記電極(10)のない前記領域に おいて少なくとも1つの貫通孔(20)を備えていることを特徴とする請求項7 記載の電解サポート。 9.前記貫通孔(20)は、前記各電極を囲むグループであることを特徴とする 請求項8記載の電解サポート。 10.前記電極、および/または、前記アースシールドは、半導体製サポートの ドーピング領域であることを特徴とする請求項5記載の電解サポート。 11.第1タイプの導電性とされた半導体基板を具備し、 該基板内には、前記第1タイプの導電性とは異なる第2タイプの導電性とされ たゾーンが設けられていることを特徴とする請求項10記載の電解サポート。 12.請求項4記載のプロセスを実施するための分極ヘッドであって、 −前記電解サポート上の前記複数の電極(10)に対してそれぞれが当接し得る ように配置された複数のコンタクトパッド(32)、および、前記アースシール ドの前記接続用コンタクト部(18)に対して当接し得るように配置された少な くとも1つのアースコンタクトパッド(34)を備えたフロントプレート(30 )と、 −前記複数のコンタクトパッド(32)の中から選択されたコンタクトパッドグ ループに対して分極用電圧を選択的に印加するためのアドレッシング手段(40 、46)と、 を具備することを特徴とする分極ヘツド。 13.前記コンタクトパッド(32)が、コンタクトビーズを備えて構成されて いることを特徴とする請求項12記載の分極ヘッド。 14.加圧チャンバ(50)と、該加圧チャンバ(50)をなす壁の一部を形成 する前記フロントプレート(30)と、を具備し、 前記分極ヘッドが前記電解サポート上に配置された場合に前記コンタクトパッ ド(32)が前記電極(10)に対して押圧され得るよう、前記加圧チャンバは 、加圧された時には、前記フロントプレート(30)をわずかに変形させ得るよ う配置されていることを特徴とする請求項12記載の分極ヘッド。
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