JP2000352710A - Substrate for liquid crystal device, its production, liquid crystal device using the same, and electronic appliance - Google Patents

Substrate for liquid crystal device, its production, liquid crystal device using the same, and electronic appliance

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JP2000352710A
JP2000352710A JP11166039A JP16603999A JP2000352710A JP 2000352710 A JP2000352710 A JP 2000352710A JP 11166039 A JP11166039 A JP 11166039A JP 16603999 A JP16603999 A JP 16603999A JP 2000352710 A JP2000352710 A JP 2000352710A
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Japan
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substrate
liquid crystal
crystal device
hydrofluoric acid
aqueous solution
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Eiji Okamoto
英司 岡本
Eiji Chino
英治 千野
Takumi Seki
▲琢▼巳 関
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure good reproducibility of ruggedness and to enable the industrial mass production to be carried out without requiring a film forming apparatus with an expensive vacuum system and enormous mechanical investment even to the enlargement of substrate size by etching a constituent component of a substrate every minute part to form ruggedness with only the constituent components of the substrate. SOLUTION: Parts 3 containing an alkali metal, an alkaline earth metal or the like as a network-modifier are present in the network structure 2 of a glass substrate 1 of silica as a network-former (a). The surface of the substrate 1 is washed and uniformly etched to expose the washed surface (b). The exposed surface is treated, e.g. with an aqueous solution containing 30 wt.% hydrofluoric acid and 45 wt.% ammonium hydride difluoride (c). Since the parts 3 dissolve at a higher rate than the network structure 2, a rugged part 11 is obtained (d). An aluminum-base metallic layer 12 is formed on the substrate 1 with the formed rugged part 11 to obtain a light reflector (e).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶装置用基板及び
その製造方法に係り、特に、基板表面に凹凸を有する液
晶装置用基板の製造方法に関するものである。更にはそ
れらを用いた液晶装置、該液晶装置を備える電子機器に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate for a liquid crystal device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device having irregularities on the substrate surface. Further, the present invention relates to a liquid crystal device using the same, and an electronic apparatus including the liquid crystal device.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯情報機器市場の拡大とともに、低消
費電力という条件を満たす表示装置として液晶装置が主
流となっており、更に低消費電力を要求される用途にお
いては、反射板を設け、外部からの入射光を光源として
利用する反射型液晶装置の採用が進んでいる。従来よ
り、液晶セルの観察側と反対側の外面に、市販の反射板
あるいは偏光板一体型反射板を貼りつけ、反射型液晶装
置を製造している。市販反射板の一例としては、日東電
工製のMタイプやSタイプがあり、これを用いた偏光板
一体型反射板も上市されている。
2. Description of the Related Art With the expansion of the portable information equipment market, a liquid crystal device has become the mainstream as a display device which satisfies the condition of low power consumption. The use of reflection type liquid crystal devices that utilize incident light from a light source as a light source is progressing. 2. Description of the Related Art Conventionally, a commercially available reflector or a reflector integrated with a polarizing plate has been attached to the outer surface of a liquid crystal cell on the side opposite to the observation side to manufacture a reflective liquid crystal device. Examples of commercially available reflectors include M-type and S-type manufactured by Nitto Denko, and a polarizing plate-integrated reflector using these is also on the market.

【0003】このような反射型液晶装置に対して、近年
では、より明るく、場合によってはカラー表示が要求さ
れるようになっている。より明るく高品位な表示を実現
する例として、反射板を基板表面に設ける方法が紹介さ
れている(Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida Proceedi
ngs of the SID, Vol.29,p157,1988)。この文献には、
明るい表示を得るために、反射板上の凹凸の形成を制御
して、最適な反射特性を有する反射板を作製する方法と
して、ガラス基板の表面を研磨剤で祖面化した後、弗化
水素酸でエッチングする時間を変えることにより凹凸部
の形状を制御し、その上にAg金属薄膜を形成した反射板
について記載されている。
In recent years, such a reflective liquid crystal device has been required to be brighter and, in some cases, to be colored. As an example of realizing a brighter and higher quality display, a method of providing a reflector on the substrate surface is introduced (Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida Proceedi
ngs of the SID, Vol.29, p157, 1988). In this document,
In order to obtain a bright display, by controlling the formation of irregularities on the reflection plate and producing a reflection plate having optimal reflection characteristics, after polishing the surface of the glass substrate with an abrasive, hydrogen fluoride is used. It describes a reflector in which the shape of the uneven portion is controlled by changing the etching time with an acid, and an Ag metal thin film is formed thereon.

【0004】また、特許番号第210698号には、ガ
ラス基板上に酸化物の膜をスパッタリング法により形成
し、弗化水素酸系のエッチャントでエッチングすること
により凹凸を形成し、その上にAg金属薄膜を形成した反
射板について記載されている。
Japanese Patent No. 210698 discloses that an oxide film is formed on a glass substrate by a sputtering method, and is etched with a hydrofluoric acid-based etchant to form irregularities. A reflector formed with a thin film is described.

【0005】さらに、特開平6−75238号公報に
は、感光性樹脂を不規則に配列された透孔が形成された
遮光マスクを介して露光および現像した後に熱処理して
形成した凸部の上に、アルミ金属薄膜を形成した反射板
について記載されている。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238 discloses that a photosensitive resin is exposed and developed through a light-shielding mask having irregularly arranged through-holes, and is then subjected to heat treatment. Discloses a reflector having an aluminum metal thin film formed thereon.

【0006】これらは基板上形成された凹凸の上に光反
射機能を有する薄膜を形成することで反射板を形成する
方法について記載されたものであり、特に基板上の凹凸
を形成する方法を工夫することで、所望の特性を有した
反射板を得ることを目標としたものであった。
These documents describe a method of forming a reflecting plate by forming a thin film having a light reflecting function on irregularities formed on a substrate, and particularly devising a method of forming irregularities on a substrate. By doing so, the objective was to obtain a reflector having desired characteristics.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献(Proceedings of the SID, Vol.29,p157,1988)に記
載の方法では、研磨剤による凹凸を元にエッチング処理
するため凹凸の再現性が悪く、処理する基板サイズが大
きくなると研磨装置も巨大化し、工業的に量産する上で
も不利となる。
However, in the method described in the above document (Proceedings of the SID, Vol. 29, p. 157, 1988), the reproducibility of the unevenness is poor because the etching process is performed based on the unevenness due to the abrasive. When the size of the substrate to be processed is increased, the size of the polishing apparatus is also increased, which is disadvantageous in industrial mass production.

【0008】また、特許番号第210698号記載の方
法では、基板上に酸化物の膜を形成するための真空系を
有したスパッタリングやCVDなどの製膜装置が必要と
なり、処理する基板サイズが大きくなるとその装置も巨
大化し、工業的に量産する上でも不利となる。加えて、
スパッタリング法による酸化物膜厚の基板内均一性、及
び基板間均一性を確保することが難しいため、これを薬
液でエッチングして形成した凹凸形状の再現性に乏し
い。また、酸化物膜厚が基板内や基板間で均一でないた
めに、薬液処理にばらつきが生じ易く、再現良く凹凸を
形成することが困難である。
In the method described in Japanese Patent No. 210698, a film forming apparatus such as sputtering or CVD having a vacuum system for forming an oxide film on a substrate is required, and the size of the substrate to be processed is large. If this is the case, the size of the device will be large, which is disadvantageous for industrial mass production. in addition,
Since it is difficult to ensure the uniformity of the oxide film thickness in the substrate and the uniformity between the substrates by the sputtering method, the reproducibility of the uneven shape formed by etching the oxide film with a chemical solution is poor. In addition, since the oxide film thickness is not uniform within the substrate or between the substrates, the chemical treatment tends to vary, and it is difficult to form unevenness with good reproducibility.

【0009】さらに、特開平6−75238号公報記載
の方法では、感光性樹脂をフォトリソグラフィー法によ
ってパターニングする工程を含み、工程が複雑になるう
えに、微細な凸形状を形成するための高価な露光装置や
フォトマスクが必要となる。また、凸面の高さが均一と
なるため、凸面とそれ以外の領域で反射された光に光路
差があることで、凸面の高さに応じた波長の干渉色によ
って表示品位を著しく低下することとなる。
Further, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238 includes a step of patterning a photosensitive resin by a photolithography method, which complicates the process and increases the cost for forming a fine convex shape. An exposure apparatus and a photomask are required. In addition, since the height of the convex surface is uniform, there is an optical path difference between the light reflected on the convex surface and the other area, so that the display quality is remarkably reduced due to interference colors having a wavelength corresponding to the height of the convex surface. Becomes

【0010】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、凹凸の再現性が良く、高価な真空
系を有する製膜装置を必要とせず、また高価な露光装置
やフォトマスク並びに複雑な工程を必要とすることな
く、基板サイズの拡大に対しても多大な機械投資を必要
としない、工業的に量産する上で有利な、基板表面に凹
凸を有する液晶装置用基板および、その製造方法を提供
することにある。また、反射光の着色の無い、反射特性
が良好な液晶装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object the problem that the reproducibility of the unevenness is good, the film forming apparatus having an expensive vacuum system is not required, and expensive exposure apparatuses and photomasks are used. And a liquid crystal device substrate having unevenness on the substrate surface, which does not require a complicated process and does not require a large mechanical investment for the enlargement of the substrate size, which is advantageous for industrial mass production, and It is to provide a manufacturing method thereof. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal device having good reflection characteristics without coloring of reflected light.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、以下の通りである。
Means taken by the present invention to solve the above problems are as follows.

【0012】本発明の液晶装置用基板は、基板表面に所
定の凹凸を形成して成る液晶装置用基板において、該基
板の構成成分が微小な部分毎にエッチングされ、該基板
の構成成分のみによって凹凸が形成されていることを特
徴とする。
In the substrate for a liquid crystal device according to the present invention, in a substrate for a liquid crystal device in which predetermined irregularities are formed on the surface of the substrate, the constituent components of the substrate are etched in minute portions, and only the constituent components of the substrate are used. It is characterized in that irregularities are formed.

【0013】本発明によれば、凹凸が該基板の構成成分
のみによって形成されているため、原料基板で流動可能
な液晶装置用基板の製造プロセスをそのまま実施するこ
とが可能である。例えば、200℃以上の高温に曝され
る熱処理や、溶解性の高い有機溶剤処理などに対しても
原料ガラス同様に、良好な耐性を有している。
According to the present invention, since the unevenness is formed only by the constituent components of the substrate, it is possible to directly carry out the manufacturing process of the liquid crystal device substrate that can flow with the raw material substrate. For example, it has good resistance to heat treatment exposed to a high temperature of 200 ° C. or higher, treatment with a highly soluble organic solvent, and the like, similarly to the raw glass.

【0014】本発明の液晶装置用基板の製造方法は、基
板表面に所定の凹凸を形成して成る液晶装置用基板にお
いて、該基板の構成成分を、微小な部分毎に除去速度を
異ならせる薬液により処理することにより凹凸を形成す
ることを特徴とする。
According to a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device of the present invention, a liquid chemical for a substrate for a liquid crystal device having predetermined irregularities formed on the surface of a substrate is provided with a chemical solution for removing constituent components of the substrate at different rates for each minute portion. Forming irregularities by performing the treatment described above.

【0015】この手段によれば、液晶装置用基板を薬液
にて処理する工程により、所定の凹凸を形成することが
出来るため、高価な真空系を持つ装置や露光装置を必要
としない。ここで用いる薬液は、弗化水素酸をベースと
するものであり、処理する液晶装置用基板の原料ガラス
毎に、適宜、硝酸、硫酸、塩酸、過酸化水素、水素二弗
化アンモニウム、弗化アンモニウム、硝酸アンモニウ
ム、硫酸アンモニウム、塩酸アンモニウム等のいずれか
あるいは複数を所定の割合で組み合わせたものを添加調
合して用いることができる。液晶装置用基板の原料ガラ
スとしては、例えばソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラ
ス、バリウムホウ珪酸ガラス、バリウムアルミノ珪酸ガ
ラス、アルミノ珪酸ガラスなどが一般的に用いられてお
り、各々に含まれる元素およびその化合物の組成比は異
なる。一般的に弗化水素酸水溶液のみで液晶装置用基板
の原料ガラスを処理した場合、ガラス表面が均一にエッ
チングされるため凹凸を形成するのは困難であるが、原
料ガラスに含有される構成成分を選択的に溶出させるよ
うな補助薬品を適宜添加することで、微小な部分毎にエ
ッチング速度が異なるため、薬液の調合と処理温度およ
び処理時間により、所定の凹凸形状を有する基板を得る
ことが出来る。なお、添加する補助薬品は上記に限定さ
れず、使用する原料ガラス毎に最適な調合を用いるもの
である。
According to this means, predetermined irregularities can be formed by the step of treating the liquid crystal device substrate with a chemical solution, so that an expensive vacuum system or exposure apparatus is not required. The chemical solution used here is based on hydrofluoric acid, and is appropriately selected from nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrogen peroxide, ammonium hydrogen difluoride, and fluorine fluoride depending on the raw material glass of the substrate for the liquid crystal device to be processed. Any one of ammonium, ammonium nitrate, ammonium sulfate, ammonium hydrochloride, or a combination of a plurality thereof at a predetermined ratio can be added and used. As the raw material glass for the liquid crystal device substrate, for example, soda lime glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, barium aluminosilicate glass, aluminosilicate glass and the like are generally used. The composition ratios are different. Generally, when a raw glass for a liquid crystal device substrate is treated with only a hydrofluoric acid aqueous solution, it is difficult to form irregularities because the glass surface is uniformly etched. However, constituent components contained in the raw glass By appropriately adding an auxiliary chemical that selectively elutes, the etching rate differs for each minute part, so that a substrate having a predetermined uneven shape can be obtained by preparing a chemical solution, processing temperature and processing time. I can do it. The auxiliary chemicals to be added are not limited to those described above, and use an optimal blend for each raw glass used.

【0016】また本発明の液晶装置用基板の製造方法
は、基板表面に所定の凹凸を形成して成る液晶装置用基
板において、該基板の構成成分または基板上にゾルゲル
法により形成した酸化物皮膜のいずれかあるいは両方
を、微小な部分毎に除去速度を異ならせる薬液により処
理することにより凹凸を形成することを特徴とする。
Further, according to the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device of the present invention, in a substrate for a liquid crystal device having predetermined irregularities formed on the surface of the substrate, an oxide film formed on the substrate by a sol-gel method or on a substrate. The unevenness is formed by treating one or both of them with a chemical solution that varies the removal rate for each minute portion.

【0017】この手段によれば、酸化膜をゾルゲル法に
より形成するため、ゾルゲル膜はスピンコート、ロール
コート、フレキソ印刷などの一般的な塗布方法を適宜使
用でき、巨大で高価な真空系を持つような成膜装置を必
要としない。また、各々の液晶装置用基板の原料ガラス
が異なっていた場合においても、基板上に形成する酸化
物皮膜に含まれる成分に対応した処理用の薬液を準備す
れば良いため、薬液の種類を減らすことができる。もち
ろん、処理用の薬液に合わせてゾルゲル膜の組成を調合
することも有効である。
According to this means, since the oxide film is formed by the sol-gel method, the sol-gel film can use a general coating method such as spin coating, roll coating, flexographic printing or the like, and has a huge and expensive vacuum system. There is no need for such a film forming apparatus. Further, even when the raw material glass of each liquid crystal device substrate is different, it is sufficient to prepare a processing chemical corresponding to the component contained in the oxide film formed on the substrate, so that the type of the chemical is reduced. be able to. Of course, it is also effective to prepare the composition of the sol-gel film in accordance with the treatment liquid.

【0018】また本発明の液晶装置用基板の製造方法
は、前記ゾルゲル法により形成された酸化物皮膜が、酸
化珪素皮膜あるいはTi、Al(アルミニウム)、Zrまたは
これらの複数を含有する酸化珪素を主成分とすることを
特徴とする。
Further, in the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention, the oxide film formed by the sol-gel method may be a silicon oxide film or a silicon oxide containing Ti, Al (aluminum), Zr or a plurality thereof. It is characterized by being the main component.

【0019】この手段によれば、ゾルゲル法によって形
成された酸化珪素皮膜自体が微小な部分毎に状態が異な
るため、薬液による微小な部分毎に異なるエッチング速
度との相乗効果により、よりランダム性に富んだ、良好
な凹凸形状を形成することが出来る。また、金属アルコ
キシドの金属にTi、Al(アルミニウム)、Zrを用い、ア
セチルアセトンで安定化した該金属アルコキシドを添加
したテトラアルコキシシランを加水分解、脱水縮合した
ゾル溶液を用いることで、耐薬品製に優れた酸化物膜を
形成できるため、その調合によって薬液による微小な部
分毎のエッチング速度の差を調整することができる。上
記Ti, Al(アルミニウム), Zrを用いたゾル溶液は比較
的安価で入手しやすいものであり、既成の市販溶液を用
いることもできる。
According to this means, since the state of the silicon oxide film itself formed by the sol-gel method is different for each minute portion, a synergistic effect with the etching rate which is different for each minute portion by the chemical solution makes it more random. An abundant and favorable uneven shape can be formed. In addition, by using Ti, Al (aluminum) and Zr as the metal of the metal alkoxide, and using a sol solution obtained by hydrolyzing and dehydrating and condensing tetraalkoxysilane to which the metal alkoxide stabilized with acetylacetone is added, Since an excellent oxide film can be formed, the difference in the etching rate of each minute portion due to the chemical solution can be adjusted by the preparation. The sol solution using Ti, Al (aluminum), and Zr is relatively inexpensive and easily available, and an existing commercial solution can be used.

【0020】また本発明の液晶装置用基板の製造方法
は、前記基板の構成成分の除去速度を微小な部分毎に異
ならせる薬液による処理が、弗化水素酸と水素二弗化ア
ンモニウムの混合水溶液あるいは弗化水素酸と水素二弗
化アンモニウムと硝酸の混合水溶液に浸漬することによ
って行われることを特徴とする。
In the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention, the treatment with a chemical solution that varies the removal rate of the constituents of the substrate for each minute portion may be performed using a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride. Alternatively, it is characterized by being immersed in a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium hydrogen difluoride and nitric acid.

【0021】この手段によれば、処理薬液中の水素二弗
化アンモニウムの作用により、液晶装置用基板の原料ガ
ラスに含まれる金属イオンの溶出速度が弗化水素酸によ
る均一なエッチング速度を上回るため、金属イオン含有
量が多い微小な部分毎に腐食の激しい領域が出現するこ
とで、所定の凹凸を形成することができる。また、液晶
装置用基板の構成成分によっては、硝酸を混合した処理
液が良好な結果をもたらす場合もある。この手段は、珪
酸ガラスが網状高分子であることを利用したもので、酸
化珪素からなる網目形成体の中に網目修飾体として部分
的に入り込んでいるアルカリ金属やアルカリ土類金属な
どを選択的に溶出させることにより、微細な凹凸を形成
することが可能となっている。網目形成体として、ホウ
素、砒素、アルミニウムなどの酸化物と酸化珪素が共重
合したガラスについても、同様の方法を用いることが出
来る。
According to this means, the elution rate of metal ions contained in the raw material glass of the liquid crystal device substrate exceeds the uniform etching rate of hydrofluoric acid due to the action of ammonium hydrogen difluoride in the processing chemical. In addition, predetermined corrugations can be formed by the appearance of a highly corrosive region in each minute portion having a high metal ion content. Further, depending on the components of the substrate for a liquid crystal device, a treatment liquid mixed with nitric acid may provide good results. This means utilizes the fact that silicate glass is a network polymer, and selectively removes alkali metals or alkaline earth metals partially penetrating as a network modifier in a network former formed of silicon oxide. , It is possible to form fine irregularities. A similar method can be used for a glass in which an oxide such as boron, arsenic, or aluminum and silicon oxide are copolymerized as the network former.

【0022】また本発明の液晶装置用基板の製造方法
は、前記基板の構成成分の除去速度を微小な部分毎に異
ならせる薬液による処理が、前記基板表面を微小粒子を
分散浮遊させた弗化水素酸水溶液、あるいは弗化水素酸
と硝酸の混合水溶液、あるいは弗化水素酸と弗化アンモ
ニウムの混合水溶液、あるいは弗化水素酸と弗化アンモ
ニウムと硝酸の混合水溶液、あるいは弗化水素酸と水素
二弗化アンモニウムの混合水溶液、あるいは弗化水素酸
と水素二弗化アンモニウムと硝酸の混合水溶液の液表面
に接触させることによって行われることを特徴とする。
Further, in the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention, the treatment with a chemical solution that varies the removal rate of the constituents of the substrate for each minute portion may be performed by fluorinating the substrate surface with fine particles dispersed and suspended. Hydrofluoric acid aqueous solution, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and nitric acid, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium fluoride, and nitric acid, or hydrofluoric acid and hydrogen The method is characterized by being brought into contact with the surface of a mixed aqueous solution of ammonium difluoride or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium hydrogen difluoride and nitric acid.

【0023】この手段によれば、処理液表面に分散浮遊
させる微粒子のサイズおよびその分布を適宜調整するこ
とにより、処理する液晶装置用基板表面に吸着される微
粒子が微小な部分毎にエッチング速度の差をもたらすた
め、所定の凹凸を形成することが出来る。用いる微粒子
としては、市販されている粒状の樹脂系スペーサやラテ
ックス球などを利用することができる。樹脂系スペーサ
は直径が1〜15μmの範囲であればほぼ0.1μm刻
みで入手可能であり、分散浮遊させる微粒子のサイズお
よびその分布を比較的自由に調節することが出来る。
According to this means, by appropriately adjusting the size and distribution of the fine particles dispersed and suspended on the surface of the processing liquid, the fine particles adsorbed on the surface of the substrate for the liquid crystal device to be processed can reduce the etching rate for each minute portion. Because of the difference, predetermined irregularities can be formed. As the fine particles to be used, commercially available granular resin-based spacers or latex spheres can be used. Resin spacers are available in steps of approximately 0.1 μm if the diameter is in the range of 1 to 15 μm, and the size and distribution of fine particles to be dispersed and suspended can be adjusted relatively freely.

【0024】また本発明の液晶装置用基板の製造方法
は、前記基板の構成成分の除去速度を微小な部分毎に異
ならせる薬液による処理が、微小粒子をコロイド分散さ
せた弗化水素酸水溶液、あるいは弗化水素酸と硝酸の混
合水溶液、あるいは弗化水素酸と弗化アンモニウムの混
合水溶液、あるいは弗化水素酸と弗化アンモニウムと硝
酸の混合水溶液、あるいは弗化水素酸と水素二弗化アン
モニウムの混合水溶液、あるいは弗化水素酸と水素二弗
化アンモニウムと硝酸の混合水溶液に浸漬することによ
って行われることを特徴とする。
Further, in the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention, the treatment with a chemical solution that varies the removal rate of the constituents of the substrate for each minute portion may be performed by using an aqueous hydrofluoric acid solution in which fine particles are colloidally dispersed. Alternatively, a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and nitric acid, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium fluoride, and nitric acid, or hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride Or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium hydrogen difluoride and nitric acid.

【0025】この手段によれば、処理液中にコロイド分
散させる粒子のサイズおよびその分布を適宜調整するこ
とにより、処理する液晶装置用基板表面に吸着される微
粒子が微小な部分毎にエッチング速度の差をもたらすた
め、所定の凹凸を形成することが出来る。用いるコロイ
ドとしては、金、白金コロイドなどを用いることもでき
る。金や白金は弗化水素酸に侵されないので、弗化水素
酸を含む薬液中にコロイドとして分散することが可能と
なる。例えば金コロイドは、球形コロイドの中でも比較
的粒径が大きな、約0.3μm程度ものを得ることが出
来る。また、ポリエチレン等の合成高分子球を用いた場
合は、市販のさまざまな粒径のものを利用できる。コロ
イド分散させた粒子は、ブラウン運動と粒子間の静電反
発および溶媒和によって沈降が妨げられるため、重力下
における処理液安定性を維持し易い。
According to this means, by appropriately adjusting the size and distribution of the particles to be colloidally dispersed in the processing liquid, the fine particles adsorbed on the surface of the substrate for the liquid crystal device to be processed can reduce the etching rate for each minute portion. Because of the difference, predetermined irregularities can be formed. As the colloid used, gold, platinum colloid or the like can also be used. Since gold and platinum are not affected by hydrofluoric acid, they can be dispersed as colloids in a chemical solution containing hydrofluoric acid. For example, gold colloid can have a relatively large particle diameter of about 0.3 μm among spherical colloids. When synthetic polymer spheres such as polyethylene are used, commercially available particles having various particle sizes can be used. Colloidally dispersed particles are prevented from sedimentation by Brownian motion and electrostatic repulsion and solvation between the particles, so that the stability of the processing solution under gravity is easily maintained.

【0026】また本発明の液晶装置用基板の製造方法
は、基板表面に所定の凹凸を形成して成る液晶装置用基
板において、該基板の構成成分が弗化水素酸を含む水溶
液に過飽和溶解されている処理液に基板を浸漬すること
により、微小な部分ごとにランダムに析出させた該基板
の構成成分の皮膜で覆われた領域がエッチングされず、
その他の部分が該処理液中の弗化水素酸を含む成分によ
ってエッチングされることにより凹凸を形成することを
特徴とする。
According to the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device of the present invention, in a substrate for a liquid crystal device having predetermined irregularities formed on the substrate surface, the components of the substrate are supersaturated and dissolved in an aqueous solution containing hydrofluoric acid. By immersing the substrate in the processing solution that has been, the region covered with the coating of the constituent components of the substrate, which is randomly deposited for each minute portion, is not etched,
The other portions are etched by a component containing hydrofluoric acid in the treatment liquid to form irregularities.

【0027】この手段によれば、ガラス基板を基板の所
定の構成成分の過飽和溶液へ浸漬することによって、微
小な部分毎に異なった状態で、過飽和溶解した原料ガラ
スの所定の構成成分が析出して皮膜となり、この皮膜に
覆われている領域は、処理液と皮膜との間で化学平衡が
析出方向側に進んでいるために溶解せず、過飽和となっ
ていない構成成分が露出している部分では、弗化水素酸
を含む成分によりエッチングされるため、所定の凹凸を
得ることができる。この手段においては、処理溶液に基
板を浸漬することで皮膜を形成する所謂液相析出法を応
用しているため、高価な真空系を持つ製膜装置を必要と
せず、また液法によるエッチング工程を続けて処理する
ことが出来るため、基板サイズの大型化および工業的な
量産に容易に対応可能である。
According to this means, the glass substrate is immersed in a supersaturated solution of the predetermined component of the substrate, whereby the predetermined component of the supersaturated molten raw material glass is precipitated in a different state for each minute portion. The region covered by this film is not dissolved because the chemical equilibrium between the processing solution and the film is advanced in the deposition direction, and the components that are not supersaturated are exposed. Since the portion is etched by a component containing hydrofluoric acid, predetermined irregularities can be obtained. In this means, since a so-called liquid phase deposition method of forming a film by immersing a substrate in a processing solution is applied, an expensive film forming apparatus having a vacuum system is not required, and an etching process using a liquid method is not required. Can be processed continuously, so that it is possible to easily cope with an increase in substrate size and industrial mass production.

【0028】過飽和溶解されている前記基板の構成成分
としては酸化珪素を用いることができる。酸化珪素は殆
ど全ての液晶装置用ガラス基板の原料において約50〜
75%前後の組成比で含有されており、原料毎の処理液
の組成を大きく変動すること無く対応することができ
る。
Silicon oxide can be used as a component of the supersaturated substrate. Silicon oxide is used in almost all raw materials of glass substrates for liquid crystal devices in about 50 to 50%.
It is contained at a composition ratio of about 75%, and can be dealt with without greatly changing the composition of the processing liquid for each raw material.

【0029】また、過飽和溶解されている前記基板の構
成成分としては、アルミニウム、ホウ素、カルシウム、
マグネシウム、バリウム、ストロンチウム、亜鉛、砒
素、燐、ゲルマニウム、バナジウム、ナトリウム、カリ
ウム、珪素のいずれかあるいは複数を主成分として含む
ことができる。これらの元素は、ソーダライムガラスあ
るいは無アルカリガラスの主成分であり、それらは酸化
物としての重量比で数%から数十%含まれているため、
形成する凹凸のピッチや深さ、用いたガラス基板の組成
に合わせて適宜選択することが可能である。
The components of the supersaturated substrate include aluminum, boron, calcium,
One or more of magnesium, barium, strontium, zinc, arsenic, phosphorus, germanium, vanadium, sodium, potassium, and silicon can be contained as a main component. These elements are the main components of soda-lime glass or non-alkali glass, and since they are contained in oxides by weight of several percent to several tens percent,
It can be appropriately selected according to the pitch and depth of the unevenness to be formed and the composition of the glass substrate used.

【0030】また、前記原料基板の構成成分が過飽和溶
解されている弗化水素酸を含む水溶液に、弗化アンモニ
ウム、水素二弗化アンモニウム、硝酸、硫酸、塩酸、過
酸化水素のいずれかあるいは複数を混合することができ
る。ここでは、過飽和となっていない構成成分が露出し
ている部分を選択的にエッチングして所定の凹凸を得る
ため、過飽和となっていない構成成分及び、形成する凹
凸のピッチや深さに合わせて適宜選択することが可能で
ある。
Further, an aqueous solution containing hydrofluoric acid in which the constituents of the raw material substrate are supersaturated and dissolved is added to one or more of ammonium fluoride, ammonium hydrogen difluoride, nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, and hydrogen peroxide. Can be mixed. Here, in order to obtain predetermined irregularities by selectively etching portions where the non-supersaturated components are exposed, the non-supersaturated components and the pitch and depth of the irregularities to be formed are adjusted according to the pitch and depth. It can be appropriately selected.

【0031】また本発明の液晶装置用基板の製造方法
は、前記のいずれかに記載の液晶装置用基板の製造方法
によって凹凸が形成された面を、所定の凹凸となるよう
に均一にエッチングする工程を含むことを特徴とする。
According to a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device of the present invention, a surface having irregularities formed by the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to any one of the above is uniformly etched so as to have predetermined irregularities. It is characterized by including a step.

【0032】この手段によれば、先に列挙したいずれか
の製造方法により形成された凹凸形状を元に、基板全面
を均一にエッチングしていくことで、徐々に所望の凹凸
形状に近づけていくことが出来るため、微細な凹凸表面
形状を再現性良く形成することができる。
According to this means, the entire surface of the substrate is uniformly etched based on the unevenness formed by any of the manufacturing methods listed above, thereby gradually approaching the desired unevenness. Therefore, a fine uneven surface shape can be formed with good reproducibility.

【0033】本発明の液晶装置は、一対の絶縁基板間に
液晶層が挟持されてなり、前記絶縁基板のうち一方の基
板に、前記のいずれかに記載の製造方法によって製造さ
れた液晶装置用基板を用いたことを特徴とする。
A liquid crystal device according to the present invention comprises a liquid crystal layer sandwiched between a pair of insulating substrates, and one of the insulating substrates is provided with a liquid crystal device manufactured by any one of the above manufacturing methods. It is characterized by using a substrate.

【0034】これによれば、高コントラストで色着きが
少なく明るい反射型表示が可能な液晶装置を実現するこ
とができる。
According to this, it is possible to realize a liquid crystal device which is capable of performing high-contrast, light-colored display with little coloring.

【0035】本発明の電子機器は、前記液晶装置を用い
たことを特徴とする。
An electronic apparatus according to the present invention is characterized by using the liquid crystal device.

【0036】これによれば、高コントラストで明るい良
好な反射型表示が可能な電子機器を実現することができ
る。
According to this, it is possible to realize an electronic device capable of performing high-contrast, bright, and excellent reflection-type display.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を、添付
図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0038】(第1の実施形態)図1は本発明に係る液
晶装置用基板の製造工程を示す図である。ここではソー
ダライムガラス基板を用いて処理を行った。図1(a)
はガラス基板1の網目状構造の概略断面図であり、網目
形成体である珪酸による網目状構造2の中に、網目修飾
体であるアルカリ金属やアルカリ土類金属などが入って
いる部分3が存在している。
(First Embodiment) FIG. 1 is a view showing a process of manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention. Here, the processing was performed using a soda lime glass substrate. FIG. 1 (a)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a network structure of a glass substrate 1, and a network structure 2 made of silicic acid, which is a network former, includes a portion 3 containing an alkali metal, an alkaline earth metal, or the like, which is a network modifier. Existing.

【0039】まず、5wt%の弗化水素酸水溶液で25℃
にて5秒間ガラス基板1を洗浄し、図1(b)に示すよ
うに基板1の表面を均一にエッチングして清浄面を露出
させた。
First, a 5 wt% aqueous hydrofluoric acid solution was added at 25 ° C.
The glass substrate 1 was washed for 5 seconds, and the surface of the substrate 1 was uniformly etched to expose a clean surface as shown in FIG.

【0040】次に弗化水素酸が30wt%、水素二弗化アン
モニウムが45wt%含まれる水溶液で、25℃にて15秒
間処理を行った。この処理では図1(c)に示すよう
に、珪酸による網目状構造2の部分よりも、アルカリ金
属やアルカリ土類金属などが入っている部分3の溶出速
度が速いため、処理を進めていくことにより図1(d)
のような凹凸部11が得られた。凹凸の段差は〜1.5
μmでランダム、凹凸のピッチは〜30μmでランダム
に形成されていた。ここではソーダライムガラスを用い
たが、その他のガラス、例えばホウ珪酸ガラスやアルミ
ノ珪酸ガラスなどを用いた場合においても、薬液の調合
比を変更することで対応することが出来る。
Next, a treatment was performed at 25 ° C. for 15 seconds with an aqueous solution containing 30% by weight of hydrofluoric acid and 45% by weight of ammonium hydrogen difluoride. In this treatment, as shown in FIG. 1 (c), the dissolution rate of the portion 3 containing an alkali metal, an alkaline earth metal or the like is higher than that of the portion of the network structure 2 made of silicic acid. As a result, FIG. 1 (d)
As a result, the uneven portion 11 was obtained. Uneven step is ~ 1.5
It was formed randomly at μm, and randomly formed at a pitch of up to 30 μm. Although soda lime glass is used here, other glasses, such as borosilicate glass and aluminosilicate glass, can be used by changing the mixing ratio of the chemical.

【0041】続いて図1(e)のように、凹凸部11を
形成した基板1上にアルミニウムを主成分とする金属層
12を200nm形成し、反射板とした。反射板は、ア
ルミニウムを主成分とする金属層に限定されず、銀やク
ロム、ニッケルなどを主成分とする金属層を用いること
ができる。
Subsequently, as shown in FIG. 1E, a metal layer 12 containing aluminum as a main component was formed to a thickness of 200 nm on the substrate 1 on which the uneven portions 11 were formed, thereby forming a reflector. The reflector is not limited to a metal layer mainly containing aluminum, and a metal layer mainly containing silver, chromium, nickel, or the like can be used.

【0042】図2に示した測定系により、得られた反射
板の反射特性を測定した。凹凸部11が形成された基板
1上の金属層12を反射面とし、液晶装置同様の構成で
測定するために、金属層12上に液晶13と0.7mm
厚の基板1と同材料のガラス基板14を積層させた状態
で測定した。基板の方線方向から25度の角度から照射
された入射光15が反射板である金属層12で反射され
る。フォトマルチメーター16の法線方向からの角度θ
を変えながら散乱光の強度を測定することにより、図3
に示すような反射特性19が得られた。比較のために用
いた市販の外貼り反射板のSタイプの特性17よりも約
±25度の範囲内では反射率が高く、特性的には市販の
外貼り反射板のMタイプの特性18と同等以上の特性が
得られた。
The reflection characteristics of the obtained reflector were measured by the measuring system shown in FIG. The metal layer 12 on the substrate 1 on which the concave and convex portions 11 are formed is used as a reflection surface.
The measurement was performed in a state where the thick substrate 1 and the glass substrate 14 of the same material were laminated. Incident light 15 irradiated at an angle of 25 degrees from the normal direction of the substrate is reflected by the metal layer 12 as a reflector. Angle θ from the normal direction of photomultimeter 16
By measuring the intensity of the scattered light while changing
As shown in FIG. The reflectivity is higher in the range of about ± 25 degrees than the S-type characteristic 17 of the commercially available externally-applied reflector used for comparison, and is characteristically the same as the M-type characteristic 18 of the commercially available externally-applied reflector. Equal or better characteristics were obtained.

【0043】ここで得られた凹凸構造は、深さ、ピッチ
ともにランダムであるため、反射光の光路差による色着
きの無い、良好な反射特性を有する反射板が得られた。
Since the uneven structure obtained here was random in both depth and pitch, a reflector having good reflection characteristics without coloring due to the optical path difference of the reflected light was obtained.

【0044】(第2の実施形態)図4は本発明に係る液
晶装置用基板の製造工程を示す図である。ここではソー
ダライムガラス基板を用いて処理を行った。まず、図4
(a)に示すように洗浄を施し、図4(b)のように、
ガラス基板1上にゾルゲル膜5を形成した。ゾルゲル膜
5にはZrO2、TiO2、SiO2からなる微細なピッ
ト4が存在している。ピット4は高さが10〜60n
m、ピッチが300〜800nmと不規則な形状をして
おり、面内で組成が不均一となっている。
(Second Embodiment) FIG. 4 is a view showing a process of manufacturing a liquid crystal device substrate according to the present invention. Here, the processing was performed using a soda lime glass substrate. First, FIG.
Cleaning is performed as shown in (a), and as shown in FIG.
A sol-gel film 5 was formed on a glass substrate 1. The sol-gel film 5 has fine pits 4 made of ZrO 2 , TiO 2 , and SiO 2 . Pit 4 is 10-60n in height
m, the pitch is 300 to 800 nm and irregular, and the composition is non-uniform in the plane.

【0045】次に弗化水素酸が20wt%、硝酸が10wt%含ま
れる水溶液で、25℃にて2分間処理を行った。この処
理では図4(c)に示すように、ピット4の部分に耐薬
品性に優れたZrO2、TiO2が局在しているため、そ
れ以外の領域のエッチング速度が相対的に速くなり、図
4(d)に示すように、凹凸部11が得られた。凹凸の
段差は〜0.3μmでランダム、凹凸のピッチは〜10
μmでランダムに形成されていた。
Next, a treatment was carried out at 25 ° C. for 2 minutes with an aqueous solution containing 20% by weight of hydrofluoric acid and 10% by weight of nitric acid. In this process, as shown in FIG. 4 (c), since ZrO 2 and TiO 2 having excellent chemical resistance are localized in the pits 4, the etching rate in other regions becomes relatively high. As shown in FIG. 4D, the uneven portion 11 was obtained. The steps of the unevenness are random at ~ 0.3 μm, and the pitch of the unevenness is ~ 10
It was formed randomly at μm.

【0046】続いて図4(e)のように、凹凸部11を
形成した基板1上にアルミニウムを主成分とする金属層
12を200nm形成し、反射板とした。反射板は、ア
ルミニウムを主成分とする金属層に限定されず、銀やク
ロム、ニッケルなどを主成分とする金属層を用いること
ができる。
Subsequently, as shown in FIG. 4E, a metal layer 12 containing aluminum as a main component was formed to a thickness of 200 nm on the substrate 1 on which the uneven portions 11 were formed, to form a reflector. The reflector is not limited to a metal layer mainly containing aluminum, and a metal layer mainly containing silver, chromium, nickel, or the like can be used.

【0047】図2に示した測定系により、得られた反射
板の反射特性を第1の実施例と同じ方法にて測定したと
ころ、図3の反射特性23に示すような、±10度以内
の反射率を高くすることができる、指向性の強い反射板
であった。ここで得られた凹凸構造は、深さ、ピッチと
もにランダムであるため、反射光の光路差による色着き
の無い、良好な反射特性を有する反射板が得られた。
When the reflection characteristics of the obtained reflector were measured by the same method as in the first embodiment using the measurement system shown in FIG. 2, the reflection characteristics were within ± 10 degrees as shown in the reflection characteristics 23 of FIG. Was a highly directional reflector plate capable of increasing the reflectance of the light. Since the uneven structure obtained here was random in both depth and pitch, a reflector having good reflection characteristics without coloring due to the optical path difference of the reflected light was obtained.

【0048】(第3の実施形態)図5は本発明に係る液
晶装置用基板の製造工程を示す図である。ここではソー
ダライムガラス基板を用いて処理を行った。図5(a)
は弗化水素酸(50wt%)と弗化アンモニウム水溶液(40wt
%)とを重量比1:6で混合した薬液6上に粒径10μ
mと粒径4μmを中心とする粒径分布を持つ2種類のポ
リエチレン球7を分散浮遊させた処理槽21の概略図で
ある。
(Third Embodiment) FIG. 5 is a view showing a process of manufacturing a liquid crystal device substrate according to the present invention. Here, the processing was performed using a soda lime glass substrate. FIG. 5 (a)
Is hydrofluoric acid (50wt%) and ammonium fluoride aqueous solution (40wt%
%) On a chemical solution 6 mixed at a weight ratio of 1: 6.
FIG. 2 is a schematic view of a processing tank 21 in which two types of polyethylene spheres 7 having a particle size distribution centered on m and a particle size of 4 μm are dispersed and suspended.

【0049】まず、5wt%の弗化水素酸水溶液で25℃
にて5秒間ガラス基板1を洗浄し、基板1の表面を均一
にエッチングして清浄面を露出させた。
First, a 5 wt% aqueous hydrofluoric acid solution was added at 25 ° C.
The glass substrate 1 was washed for 5 seconds, and the surface of the substrate 1 was uniformly etched to expose a clean surface.

【0050】次に図5(b)に示すように処理槽21の
ポリエチレン球7を分散浮遊させた薬液6の液面にガラ
ス基板1を接触させ、25℃にて4分間処理を行った。
この処理では図5(c)に示すように、基板1上にポリ
エチレン球7が吸着された部分がマスクされるような形
となってエッチングが遅れ、図5(d)のような凹凸部
11が得られた。凹凸の段差は〜0.6μmでランダ
ム、凹凸のピッチは〜30μmでランダムに形成されて
いた。ここではソーダライムガラスを用いたが、その他
のガラス、例えばホウ珪酸ガラスやアルミノ珪酸ガラス
などを用いた場合においても、薬液の調合比を変更する
ことで対応することが出来る。
Next, as shown in FIG. 5B, the glass substrate 1 was brought into contact with the liquid surface of the chemical solution 6 in which the polyethylene spheres 7 in the processing tank 21 were dispersed and floated, and the processing was performed at 25 ° C. for 4 minutes.
In this process, as shown in FIG. 5 (c), the portion where the polyethylene sphere 7 is adsorbed on the substrate 1 is masked so that the etching is delayed, and the uneven portion 11 shown in FIG. was gotten. The unevenness was randomly formed with a height of 0.6 μm, and the pitch of the unevenness was randomly formed with 30 μm. Although soda lime glass is used here, other glasses, such as borosilicate glass and aluminosilicate glass, can be used by changing the mixing ratio of the chemical.

【0051】続いて図5(e)のように、凹凸部11を
形成した基板1上にアルミニウムを主成分とする金属層
12を200nm形成し、反射板とした。ここで得られ
た凹凸構造は、深さ、ピッチともにランダムであるた
め、反射光の光路差による色着きの無い、良好な反射特
性を有する反射板が得られた。反射板は、アルミニウム
を主成分とする金属層に限定されず、銀やクロム、ニッ
ケルなどを主成分とする金属層を用いることができる。
Subsequently, as shown in FIG. 5E, a metal layer 12 containing aluminum as a main component was formed to a thickness of 200 nm on the substrate 1 on which the uneven portions 11 were formed, thereby forming a reflector. Since the uneven structure obtained here was random in both depth and pitch, a reflector having good reflection characteristics without coloring due to the optical path difference of the reflected light was obtained. The reflector is not limited to a metal layer mainly containing aluminum, and a metal layer mainly containing silver, chromium, nickel, or the like can be used.

【0052】(第4の実施形態)図6は本発明に係る液
晶装置用基板の製造工程を示す図である。ここではソー
ダライムガラス基板を用いて処理を行った。図6(a)
は弗化水素酸(50wt%)と弗化アンモニウム水溶液(40wt
%)とを重量比1:6で混合した薬液8中に粒径0.3
μmの金コロイド9が分散された処理槽22の概略図で
ある。
(Fourth Embodiment) FIG. 6 is a view showing a process for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention. Here, the processing was performed using a soda lime glass substrate. FIG. 6 (a)
Is hydrofluoric acid (50wt%) and ammonium fluoride aqueous solution (40wt%
%) In a chemical solution 8 mixed with a weight ratio of 1: 6.
FIG. 2 is a schematic diagram of a processing tank 22 in which μm gold colloids 9 are dispersed.

【0053】まず、基板1の裏面を樹脂フィルム24で
マスクし、5wt%の弗化水素酸水溶液で25℃にて5秒
間洗浄し、基板1の表面を均一にエッチングして清浄面
を露出させた。
First, the back surface of the substrate 1 is masked with a resin film 24, washed with a 5 wt% aqueous hydrofluoric acid solution at 25 ° C. for 5 seconds, and the surface of the substrate 1 is uniformly etched to expose a clean surface. Was.

【0054】次に図6(b)に示すように処理槽22の
金コロイド9を分散させた薬液8中にガラス基板1を浸
漬させ、25℃にて4分間処理を行った。この処理では
図6(c)に示すように、基板1上に金コロイド9が吸
着された部分がマスクされるような形となってエッチン
グが遅れ、図6(d)のような凹凸部11が得られた。
凹凸の段差は〜0.5μmでランダム、凹凸のピッチは
〜15μmでランダムに形成されていた。ここではソー
ダライムガラスを用いたが、その他のガラス、例えばホ
ウ珪酸ガラスやアルミノ珪酸ガラスなどを用いた場合に
おいても、薬液の調合比を変更することで対応すること
が出来る。
Next, as shown in FIG. 6B, the glass substrate 1 was immersed in the chemical solution 8 in which the gold colloid 9 was dispersed in the treatment tank 22, and the treatment was performed at 25 ° C. for 4 minutes. In this process, as shown in FIG. 6C, the portion where the gold colloid 9 is adsorbed on the substrate 1 is masked so that the etching is delayed, and the uneven portion 11 shown in FIG. was gotten.
The unevenness was randomly formed with a step of 0.5 μm, and the pitch of the unevenness was randomly formed with a pitch of 15 μm. Although soda lime glass is used here, other glasses, such as borosilicate glass and aluminosilicate glass, can be used by changing the mixing ratio of the chemical.

【0055】続いて、樹脂フィルム24を除去、洗浄
し、図6(e)のように、凹凸部11を形成した基板1
上にアルミニウムを主成分とする金属層12を200n
m形成し、反射板とした。ここで得られた凹凸構造は、
深さ、ピッチともにランダムであるため、反射光の光路
差による色着きの無い、良好な反射特性を有する反射板
が得られた。反射板は、アルミニウムを主成分とする金
属層に限定されず、銀やクロム、ニッケルなどを主成分
とする金属層を用いることができる。
Subsequently, the resin film 24 is removed and washed, and as shown in FIG.
A metal layer 12 mainly composed of aluminum is formed on the
m was formed as a reflector. The uneven structure obtained here is
Since both the depth and the pitch were random, a reflector having good reflection characteristics without coloring due to the optical path difference of the reflected light was obtained. The reflector is not limited to a metal layer mainly containing aluminum, and a metal layer mainly containing silver, chromium, nickel, or the like can be used.

【0056】(第5の実施形態)図7は本発明に係る液
晶装置用基板の製造工程を示す図である。ここではアル
ミノ珪酸ガラス基板を用いて処理を行った。図7(a)
はガラス基板1の網目状構造の概略断面図である。アル
ミノ珪酸ガラスにおいては、珪酸と酸化アルミニウムの
共重合体が網目形成体となり、網目状構造2を形成して
いる。
(Fifth Embodiment) FIG. 7 is a view showing a process of manufacturing a liquid crystal device substrate according to the present invention. Here, the treatment was performed using an aluminosilicate glass substrate. FIG. 7 (a)
FIG. 1 is a schematic sectional view of a network structure of a glass substrate 1. In the aluminosilicate glass, a copolymer of silicic acid and aluminum oxide forms a network forming body, and forms the network structure 2.

【0057】まず、5wt%の弗化水素酸水溶液で25℃
にて5秒間ガラス基板1を洗浄し、図7(b)に示すよ
うに基板1の表面を均一にエッチングして清浄面を露出
させた。
First, a 5 wt% aqueous hydrofluoric acid solution was added at 25 ° C.
Then, the glass substrate 1 was washed for 5 seconds, and as shown in FIG. 7B, the surface of the substrate 1 was uniformly etched to expose a clean surface.

【0058】次に30wt%弗化水素酸水溶液の酸化アルミ
ニウム及び酸化マグネシウムを過飽和溶液中に基板1を
浸漬し、25℃にて30秒間処理を行った。この処理で
は図7(c)に示すように、珪酸と酸化アルミニウムの
共重合体による網目状構造2の酸化アルミニウムが局在
している部分と、網目修飾体として酸化マグネシウムが
局在している部分に、過飽和溶液中から同成分が析出す
ることにより、微細なネットワーク構造10が形成され
ると同時に、ガラス基板1表面において、処理液に過飽
和溶解されていない成分が露出している領域が、弗化水
素酸によって侵され、微細なネットワーク構造10に沿
った凹凸部11が形成された。凹凸の段差は〜0.8μ
mでランダム、凹凸のピッチは〜10μmでランダムに
形成されていた。ここではアルミノ珪酸ガラス用いた
が、その他のガラス、例えばホウ珪酸ガラスやソーダラ
イムガラスなどを用いた場合においても、薬液の調合比
を変更することで対応することが出来る。
Next, the substrate 1 was immersed in a supersaturated solution of a 30 wt% aqueous hydrofluoric acid solution of aluminum oxide and magnesium oxide, and treated at 25 ° C. for 30 seconds. In this treatment, as shown in FIG. 7 (c), a portion where the aluminum oxide of the network structure 2 made of a copolymer of silicic acid and aluminum oxide is localized, and magnesium oxide is localized as a network modifier. At the same time, the same component is precipitated from the supersaturated solution to form a fine network structure 10 and, at the same time, a region on the surface of the glass substrate 1 where the component not supersaturated and dissolved in the processing liquid is exposed, Irregularities 11 were formed along the fine network structure 10 by being attacked by hydrofluoric acid. Unevenness is ~ 0.8μ
m, and the pitch of the irregularities was 10 μm at random. Although aluminosilicate glass is used here, other glasses, such as borosilicate glass and soda lime glass, can be used by changing the mixing ratio of the chemical.

【0059】続いて図7(d)のように、凹凸部11を
形成した基板1上にアルミニウムを主成分とする金属層
12を200nm形成し、反射板とした。ここで得られ
た凹凸構造は、深さ、ピッチともにランダムであるた
め、反射光の光路差による色着きの無い、良好な反射特
性を有する反射板が得られた。反射板は、アルミニウム
を主成分とする金属層に限定されず、銀やクロム、ニッ
ケルなどを主成分とする金属層を用いることができる。
Subsequently, as shown in FIG. 7D, a metal layer 12 containing aluminum as a main component was formed to a thickness of 200 nm on the substrate 1 on which the uneven portions 11 were formed, thereby forming a reflector. Since the uneven structure obtained here was random in both depth and pitch, a reflector having good reflection characteristics without coloring due to the optical path difference of the reflected light was obtained. The reflector is not limited to a metal layer mainly containing aluminum, and a metal layer mainly containing silver, chromium, nickel, or the like can be used.

【0060】(第6の実施形態)図8は本発明に係る液
晶装置用基板の製造工程を示す図である。ここでは第5
の実施形態によって作成された図7(c)の形状となっ
たアルミノ珪酸ガラス基板を用いて処理を行った。図8
(a)は図7(c)の形状にまで処理されたアルミノ珪
酸ガラス基板ガラスである。
(Sixth Embodiment) FIG. 8 is a view showing a process for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention. Here is the fifth
The processing was performed using the aluminosilicate glass substrate having the shape shown in FIG. FIG.
(A) is an aluminosilicate glass substrate glass processed to the shape of FIG. 7 (c).

【0061】これを、弗化水素酸(50wt%)と弗化アン
モニウム水溶液(40wt%)とを重量比1:3で混合した薬
液で25℃にて20秒間処理し、図8(b)に示すよう
に基板1表面の凹凸部11を均一にエッチングしてい
き、微細なネットワーク構造10が除去され、さらに図
8(c)に示すように凹凸部11上の細かな凸部を溶か
して滑らかな凹凸面が形成された。
This was treated at 25 ° C. for 20 seconds with a chemical solution obtained by mixing hydrofluoric acid (50 wt%) and an aqueous solution of ammonium fluoride (40 wt%) at a weight ratio of 1: 3, and FIG. As shown in the figure, the uneven portion 11 on the surface of the substrate 1 is uniformly etched to remove the fine network structure 10. Further, as shown in FIG. An uneven surface was formed.

【0062】図9(a)は、図8(a)の微細なネット
ワーク構造10に沿った凹凸部11が形成された状態に
おける光学顕微鏡写真であり、図9(b)は、図8
(c)の状態まで処理を行い滑らかな凹凸面を形成した
状態における光学顕微鏡写真である。また、図10は図
9(b)と同じ基板を電子顕微鏡にて撮影した写真であ
る。図9(b)および図10の状態では、さまざまな深
さと大きさを持ったパラボラ状の凹面が並んでいる状態
がよくわかる。
FIG. 9A is an optical microscope photograph in a state in which the concave and convex portions 11 are formed along the fine network structure 10 of FIG. 8A, and FIG.
It is an optical microscope photograph in the state where processing was performed to the state of (c) and the smooth uneven surface was formed. FIG. 10 is a photograph of the same substrate as in FIG. 9B taken by an electron microscope. 9B and FIG. 10, it can be clearly seen that parabolic concave surfaces having various depths and sizes are arranged.

【0063】凹凸の段差は〜0.5μmでランダム、凹
凸のピッチは〜15μmでランダムに形成されていた。
ここではアルミノ珪酸ガラス用いたが、その他のガラ
ス、例えばホウ珪酸ガラスやソーダライムガラスなどを
用いた場合においても、薬液の調合比を変更することで
対応することが出来る。
The unevenness was randomly formed with a step of about 0.5 μm, and the pitch of the unevenness was formed with a random of up to 15 μm.
Although aluminosilicate glass is used here, other glasses, such as borosilicate glass and soda lime glass, can be used by changing the mixing ratio of the chemical.

【0064】続いて図8(d)のように、凹凸部11を
形成した基板1上にアルミニウムを主成分とする金属層
12を200nm形成し、反射板とした。反射板は、ア
ルミニウムを主成分とする金属層に限定されず、銀やク
ロム、ニッケルなどを主成分とする金属層を用いること
ができる。
Subsequently, as shown in FIG. 8D, a metal layer 12 containing aluminum as a main component was formed to a thickness of 200 nm on the substrate 1 on which the uneven portions 11 were formed, thereby forming a reflector. The reflector is not limited to a metal layer mainly containing aluminum, and a metal layer mainly containing silver, chromium, nickel, or the like can be used.

【0065】図2に示した測定系により、得られた反射
板の反射特性を第1の実施例と同じ方法にて測定したと
ころ、図3の反射特性20に示すような特性が得られ
た。比較のために用いた市販の外貼り反射板のMタイプ
の特性18よりも±25度の範囲内では反射率が高く、
明るく良好な特性の反射板が得られた。
When the reflection characteristics of the obtained reflection plate were measured by the same method as in the first embodiment using the measurement system shown in FIG. 2, the characteristics shown in the reflection characteristics 20 in FIG. 3 were obtained. . The reflectivity is higher in the range of ± 25 degrees than the characteristic 18 of M type of the commercially available externally attached reflector used for comparison,
A bright and favorable reflector was obtained.

【0066】ここで得られた凹凸構造は、深さ、ピッチ
ともにランダムであるため、反射光の光路差による色着
きの無い、良好な反射特性を有する反射板が得られた。
Since the uneven structure obtained here was random in depth and pitch, a reflector having good reflection characteristics without coloring due to the optical path difference of the reflected light was obtained.

【0067】(第7の実施形態)図11は本発明に係る
図8(c)の凹凸形状を有する液晶装置用基板を用いた
液晶装置の概略断面図である。
(Seventh Embodiment) FIG. 11 is a schematic sectional view of a liquid crystal device using the substrate for a liquid crystal device having the uneven shape of FIG. 8C according to the present invention.

【0068】この実施形態では、2枚の透明基板110
1、1103の間に液晶層1108が枠状のシール材1
109によって封止された液晶セルが形成されている。
液晶層1108は、所定のツイスト角を持つネマチック
液晶で構成されている。上側の透明基板1103の内面
上には、遮光層1113、着色層1104、平坦化膜を
兼ねた保護層1106が順次形成され、この着色層11
04には、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の3色
の着色層が所定パターンで配列されている。平坦化膜を
兼ねた保護層1106上に密着性向上層1105を介し
て複数のストライプ状の透明電極1110がITOなど
により形成されていて、透明電極1110の表面上には
配向膜1112が形成され、所定方向にラビング処理が
施されている。
In this embodiment, two transparent substrates 110
1 and 1103, the liquid crystal layer 1108 is a frame-shaped sealing material 1
A liquid crystal cell sealed by 109 is formed.
The liquid crystal layer 1108 is composed of a nematic liquid crystal having a predetermined twist angle. On the inner surface of the upper transparent substrate 1103, a light shielding layer 1113, a coloring layer 1104, and a protective layer 1106 also serving as a flattening film are sequentially formed.
In 04, for example, three colored layers of R (red), G (green), and B (blue) are arranged in a predetermined pattern. A plurality of stripe-shaped transparent electrodes 1110 are formed of ITO or the like via an adhesion improving layer 1105 on a protective layer 1106 also serving as a flattening film, and an alignment film 1112 is formed on the surface of the transparent electrode 1110. A rubbing process is performed in a predetermined direction.

【0069】一方、下側の透明基板1101の凹凸11
20が形成された内面上には、例えばAl(アルミニウ
ム)で形成された反射板となる金属層1102がストラ
イプ状の電極として、上記透明電極1110と交差する
ように複数配列されている。液晶モードにパッシブマト
リクス型のノーマリ黒モードを用いた場合には、液晶が
駆動されない画素領域外は常時黒表示であるため、低コ
スト化あるいは実質的な開口率の向上のために、遮光層
1113を省くことも可能である。また、TFD素子や
TFT素子を備えたアクティブマトリクス型の装置であ
る場合には、金属層1102は例えば矩形状に形成さ
れ、アクティブ素子を介して配線に接続される。ただ
し、TFT素子を備えた装置の場合は、透明電極111
0のパターニングは不要である。金属層1102は、透
明基板1103の側から入射する光を反射する反射面と
なっている。
On the other hand, the unevenness 11 of the lower transparent substrate 1101
A plurality of metal layers 1102 serving as reflectors made of, for example, Al (aluminum) are arranged as stripe electrodes on the inner surface on which the transparent electrodes 1110 are formed so as to intersect the transparent electrodes 1110. When a passive black normally black mode is used for the liquid crystal mode, black areas are always displayed outside the pixel region where the liquid crystal is not driven. Therefore, the light shielding layer 1113 is used to reduce the cost or substantially improve the aperture ratio. Can be omitted. In the case of an active matrix type device including a TFD element and a TFT element, the metal layer 1102 is formed in, for example, a rectangular shape, and is connected to wiring via the active element. However, in the case of an apparatus having a TFT element, the transparent electrode 111
No patterning of 0 is required. The metal layer 1102 is a reflection surface that reflects light incident from the transparent substrate 1103 side.

【0070】上側の透明基板1103の外面上に、透明
基板1103側から順に、位相差板1114、偏光板1
115が配置されている。
On the outer surface of the upper transparent substrate 1103, in order from the transparent substrate 1103 side, the phase difference plate 1114 and the polarizing plate 1
115 are arranged.

【0071】反射型表示について説明する。外光は図1
1における偏光板1115、位相差板1114をそれぞ
れ透過し、着色層1104、液晶層1108を通過後、
反射板1102によって反射され、再び偏光板1115
から出射される。このとき、液晶層1108への印加電
圧によって明状態と暗状態、及びその中間の明るさを制
御することができる。
The reflection type display will be described. Fig. 1
1, after passing through the polarizing plate 1115 and the retardation plate 1114, respectively, and passing through the coloring layer 1104 and the liquid crystal layer 1108,
The light is reflected by the reflecting plate 1102 and is again reflected by the polarizing plate 1115.
Is emitted from. At this time, the bright state, the dark state, and the intermediate brightness can be controlled by the voltage applied to the liquid crystal layer 1108.

【0072】上述したような本実施形態の構成によれ
ば、二重映りや表示のにじみがなく、明るく高コントラ
ストの反射型カラー液晶装置が実現できた。
According to the configuration of the present embodiment as described above, a bright and high-contrast reflective color liquid crystal device without double reflection and display bleeding can be realized.

【0073】(第8の実施形態)図12は本発明に係る
図8(c)の凹凸形状を有する液晶装置用基板を用いた
液晶装置の概略断面図である。
(Eighth Embodiment) FIG. 12 is a schematic sectional view of a liquid crystal device using the substrate for a liquid crystal device having the uneven shape of FIG. 8C according to the present invention.

【0074】この実施形態では、2枚の透明基板120
1、1203の間に液晶層1208が枠状のシール材1
209によって封止された液晶セルが形成されている。
液晶層1208は、所定のツイスト角を持つネマチック
液晶で構成されている。上側の透明基板1203の内面
上には、複数のストライプ状の透明電極1210がIT
Oなどにより形成されていて、透明電極1210の表面
上には配向膜1212が形成され、所定方向にラビング
処理が施されている。
In this embodiment, two transparent substrates 120
1 and 1203, the liquid crystal layer 1208 is a frame-shaped sealing material 1
A liquid crystal cell sealed by 209 is formed.
The liquid crystal layer 1208 is composed of a nematic liquid crystal having a predetermined twist angle. On the inner surface of the upper transparent substrate 1203, a plurality of stripe-shaped transparent electrodes 1210 are formed by IT.
An alignment film 1212 is formed on the surface of the transparent electrode 1210 and rubbed in a predetermined direction.

【0075】一方、下側の透明基板1201の凹凸12
20が形成された内面上には、例えばAlで形成された
反射板となる金属層1202、遮光層1213、着色層
1204、平坦化膜を兼ねた保護層1206が順次形成
され、この着色層1204には、例えばR(赤)、G
(緑)、B(青)の3色の着色層が所定パターンで配列
されている。平坦化膜を兼ねた保護層1206上に密着
性向上層1205を介して形成されたストライプ状の透
明電極1207が上記透明電極1210と交差するよう
に複数配列されている。この場合、着色層1204を
R、G、Bの3色積層することにより遮光層1213を
形成しても良い。液晶モードにパッシブマトリクス型の
ノーマリ黒モードを用いた場合には、遮光層1213を
省略することも可能である。また、TFD素子やTFT
素子を備えたアクティブマトリクス型の装置である場合
には、透明電極1210は例えば矩形状に形成され、ア
クティブ素子を介して配線に接続される。ただし、TF
T素子を備えた装置の場合は、透明電極1207のパタ
ーニングは不要である。金属層1202は、透明基板1
203の側から入射する光を反射する反射面となってい
る。
On the other hand, the irregularities 12 on the lower transparent substrate 1201
A metal layer 1202 serving as a reflector made of, for example, Al, a light-shielding layer 1213, a coloring layer 1204, and a protective layer 1206 also serving as a flattening film are sequentially formed on the inner surface on which the coloring layer 120 is formed. For example, R (red), G
Three colored layers (green) and B (blue) are arranged in a predetermined pattern. A plurality of stripe-shaped transparent electrodes 1207 formed on a protective layer 1206 also serving as a flattening film via an adhesion improving layer 1205 are arranged so as to intersect the transparent electrodes 1210. In this case, the light-blocking layer 1213 may be formed by stacking the colored layers 1204 in three colors of R, G, and B. When a passive matrix normally black mode is used for the liquid crystal mode, the light-blocking layer 1213 can be omitted. Also, TFD elements and TFTs
In the case of an active matrix type device including an element, the transparent electrode 1210 is formed in, for example, a rectangular shape, and is connected to a wiring via the active element. Where TF
In the case of an apparatus provided with a T element, patterning of the transparent electrode 1207 is unnecessary. The metal layer 1202 is formed on the transparent substrate 1
The reflecting surface reflects light incident from the side 203.

【0076】上側の透明基板1203の外面上に、透明
基板1203側から順に、位相差板1214、偏光板1
215が配置されている。
On the outer surface of the upper transparent substrate 1203, in order from the transparent substrate 1203 side, the phase difference plate 1214 and the polarizing plate 1
215 are arranged.

【0077】反射型表示について説明する。外光は図1
2における偏光板1215、位相差板1214をそれぞ
れ透過し、液晶層1208、着色層1204を通過後、
反射板1202によって反射され、再び偏光板1215
から出射される。このとき、液晶層1208への印加電
圧によって明状態と暗状態、及びその中間の明るさを制
御することができる。
The reflection type display will be described. Fig. 1
2, after passing through the polarizing plate 1215 and the retardation plate 1214, and passing through the liquid crystal layer 1208 and the coloring layer 1204, respectively.
The light is reflected by the reflection plate 1202 and is again reflected by the polarizing plate 1215.
Is emitted from. At this time, a bright state, a dark state, and intermediate brightness can be controlled by a voltage applied to the liquid crystal layer 1208.

【0078】上述したような本実施形態の構成によれ
ば、二重映りや表示のにじみがなく、明るく高コントラ
ストの反射型カラー液晶装置が実現できた。
According to the configuration of the present embodiment as described above, a bright and high-contrast reflective color liquid crystal device without double reflection or display bleeding can be realized.

【0079】(第9の実施形態)図13は本発明に係る
図8(c)の凹凸形状を有する液晶装置用基板を用いた
液晶装置の概略断面図である。
(Ninth Embodiment) FIG. 13 is a schematic sectional view of a liquid crystal device using the substrate for a liquid crystal device having the uneven shape of FIG. 8C according to the present invention.

【0080】反射型液晶装置は、十分な外光が存在する
所では非常に明るい表示が可能であるが、その反面、外
光が不十分であると、表示が見づらくなるという欠点が
ある。
The reflection type liquid crystal device can display a very bright image in a place where sufficient external light exists, but has a drawback that if the external light is insufficient, the display becomes difficult to see.

【0081】本実施形態においては、画素電極毎に開口
部を設けることによって、画素面積に占める開口部の比
率によって規定される反射率と透過率を有する半透過反
射板を形成し、十分な外光が存在する所では反射型表
示、外光が不十分な所では補助光源を利用して、透過型
表示を行うようにした。開口部の形状は任意である。
In this embodiment, by providing an opening for each pixel electrode, a semi-transmissive reflector having a reflectance and a transmittance defined by the ratio of the opening to the pixel area is formed. Where light exists, reflective display is used, and where external light is insufficient, an auxiliary light source is used to perform transmissive display. The shape of the opening is arbitrary.

【0082】この実施形態では、2枚の透明基板130
1、1303の間に液晶層1308が枠状のシール材1
309によって封止された液晶セルが形成されている。
液晶層1308は、所定のツイスト角を持つネマチック
液晶で構成されている。上側の透明基板1303の内面
上には、複数のストライプ状の透明電極1310がIT
Oなどにより形成されていて、透明電極1310の表面
上には配向膜1312が形成され、所定方向にラビング
処理が施されている。
In this embodiment, two transparent substrates 130
1 and 1303, the liquid crystal layer 1308 is a frame-shaped sealing material 1
A liquid crystal cell sealed by 309 is formed.
The liquid crystal layer 1308 is made of a nematic liquid crystal having a predetermined twist angle. A plurality of stripe-shaped transparent electrodes 1310 are formed on the inner surface of the upper transparent substrate 1303 by IT.
An alignment film 1312 is formed on the surface of the transparent electrode 1310 and is rubbed in a predetermined direction.

【0083】一方、下側の透明基板1301の凹凸13
20が形成された内面上には、例えばAl(アルミニウ
ム)で形成された反射板となる金属層1302、着色層
1304、平坦化膜を兼ねた保護層1306が順次形成
され、この着色層1304には、例えばR(赤)、G
(緑)、B(青)の3色の着色層が所定パターンで配列
されており、R、G、Bの3色の着色層が積層された領
域が遮光層1313となっている。遮光層1313は着
色層の積層以外にも、樹脂ブラックや多層クロムにより
別途設ける方法を用いても良い。平坦化膜を兼ねた保護
層1306上に密着性向上層1305を介して形成され
たストライプ状の透明電極1307が上記透明電極13
10と交差するように複数配列されている。TFD素子
やTFT素子を備えたアクティブマトリクス型の装置で
ある場合には、各透明電極1310は例えば矩形状に形
成され、アクティブ素子を介して配線に接続される。た
だし、TFT素子を備えた装置の場合は、透明電極13
07のパターニングは不要である。反射板1302は、
透明基板1303の側から入射する光を反射する反射面
となっている。
On the other hand, the unevenness 13 of the lower transparent substrate 1301
A metal layer 1302 serving as a reflector made of, for example, Al (aluminum), a coloring layer 1304, and a protective layer 1306 also serving as a flattening film are sequentially formed on the inner surface on which the coloring layer 1304 is formed. Is, for example, R (red), G
The three colored layers of (green) and B (blue) are arranged in a predetermined pattern, and the region where the three colored layers of R, G, and B are stacked is a light shielding layer 1313. The light-blocking layer 1313 may be formed by resin black or multi-layer chromium, instead of using the coloring layer. A transparent electrode 1307 having a stripe shape formed on a protective layer 1306 also serving as a flattening film via an adhesion improving layer 1305 is formed on the transparent electrode 13.
A plurality are arranged so as to intersect with 10. In the case of an active matrix type device including a TFD element and a TFT element, each transparent electrode 1310 is formed in, for example, a rectangular shape, and is connected to a wiring via the active element. However, in the case of an apparatus having a TFT element, the transparent electrode 13
07 patterning is not required. The reflection plate 1302 is
It is a reflection surface that reflects light incident from the transparent substrate 1303 side.

【0084】上側の透明基板1303の外面上に、透明
基板1303側から順に、位相差板1314、偏光板1
315が配置されている。また、液晶セルの下側には、
透明基板1301の背後に位相差板1316が配置さ
れ、この位相差板1316の背後に偏光板1317が配
置されている。そして、偏光板1317の下側には、白
色光を発する蛍光管1318と、この蛍光管1318に
沿った入射端面を備えた導光板1319とを有するバッ
クライトが配置されている。導光板1319は裏面全体
に散乱用の粗面が形成され、或いは散乱用の印刷層が形
成されたアクリル樹脂板などの透明体であり、光源であ
る蛍光管1318の光を端面にて受けて、図の上面から
ほぼ均一な光を放出するようになっている。その他のバ
ックライトとしては、LED(発光ダイオード)やEL
(エレクトロルミネセンス)などを用いることができ
る。
On the outer surface of the upper transparent substrate 1303, in order from the transparent substrate 1303 side, the retardation plate 1314 and the polarizing plate 1
315 are arranged. Also, under the liquid crystal cell,
A retardation plate 1316 is arranged behind the transparent substrate 1301, and a polarizing plate 1317 is arranged behind the retardation plate 1316. A backlight having a fluorescent tube 1318 that emits white light and a light guide plate 1319 having an incident end face along the fluorescent tube 1318 is disposed below the polarizing plate 1317. The light guide plate 1319 is a transparent body such as an acrylic resin plate on which a scattering rough surface is formed on the entire back surface or a scattering printing layer is formed, and receives light from a fluorescent tube 1318 as a light source at an end face. , And emits substantially uniform light from the upper surface of FIG. Other backlights include LEDs (light emitting diodes) and EL
(Electroluminescence) or the like can be used.

【0085】反射型表示について説明する。外光は図1
3における偏光板1315、位相差板1314をそれぞ
れ透過し、液晶層1308、着色層1304を通過後、
反射板となる金属層1302によって反射され、再び偏
光板1315から出射される。このとき、液晶層130
8への印加電圧によって明状態と暗状態、及びその中間
の明るさを制御することができる。
The reflection type display will be described. Fig. 1
3, after passing through the polarizing plate 1315 and the retardation plate 1314, and passing through the liquid crystal layer 1308 and the coloring layer 1304, respectively.
The light is reflected by the metal layer 1302 serving as a reflecting plate, and is emitted again from the polarizing plate 1315. At this time, the liquid crystal layer 130
The bright state, the dark state, and the intermediate brightness can be controlled by the voltage applied to 8.

【0086】次に、透過型表示について説明する。バッ
クライトからの光は偏光板1317及び位相差板131
6によって所定の偏光となり、半透過反射板となる金属
層1302に設けられた開口部1322を通じて、着色
層1304、液晶層1308に導入され、液晶層130
8を通過後、位相差板1314を透過する。このとき、
液晶層1308への印加電圧に応じて、偏光板1315
を透過(明状態)する状態と吸収(暗状態)する状態、
及びその中間の状態(明るさ)を制御することができ
る。
Next, the transmission type display will be described. Light from the backlight is applied to a polarizing plate 1317 and a retardation plate 131.
6, and is introduced into the coloring layer 1304 and the liquid crystal layer 1308 through an opening 1322 provided in the metal layer 1302 serving as a semi-transmissive reflection plate.
After passing through No. 8, the light passes through the phase difference plate 1314. At this time,
In accordance with the voltage applied to the liquid crystal layer 1308, the polarizing plate 1315
Transmitting (bright state) and absorbing (dark state)
And an intermediate state (brightness) can be controlled.

【0087】本実施形態においては、遮光層13を着色
層とは独立に設けたり、透過表示時の色純度に最適な着
色層を部分的に設け、着色層の積層による遮光層のOD
値を向上させたカラーフィルタ構造とした基板などを用
いることも可能である。
In the present embodiment, the light-shielding layer 13 is provided independently of the coloring layer, or a coloring layer optimal for color purity at the time of transmissive display is partially provided.
It is also possible to use a substrate or the like having a color filter structure with improved values.

【0088】また、本実施形態においては、半透過反射
板となる金属層1302に、画素電極毎に開口部132
2を設けることにより透過型表示が可能になるようにし
たが、金属層1302の膜厚を15〜20nmと薄くす
ることによって、反射率が85%前後、透過率が10%
前後の半透過反射板となるように形成しても同様の効果
が得られる。この場合、金属層1302の開口部132
2は不要となる。反射率と透過率の比率は、任意の膜厚
に設定することが可能である。いずれの場合において
も、上下それぞれの基板に設けられた透明電極によっ
て、液晶層を駆動することになるので、半透過反射板と
なる金属層によって、反射率と透過率を規定することに
なる。
In this embodiment, the metal layer 1302 serving as a semi-transmissive reflector is provided with an opening 132 for each pixel electrode.
2, the transmission type display is enabled. However, by reducing the thickness of the metal layer 1302 to 15 to 20 nm, the reflectance is about 85% and the transmittance is 10%.
The same effect can be obtained by forming the front and rear transflective plates. In this case, the opening 132 of the metal layer 1302
2 becomes unnecessary. The ratio between the reflectance and the transmittance can be set to an arbitrary film thickness. In either case, since the liquid crystal layer is driven by the transparent electrodes provided on the upper and lower substrates, the reflectivity and the transmittance are determined by the metal layer serving as the transflective plate.

【0089】上述したような本実施形態の構成によれ
ば、二重映りや表示のにじみのない反射型表示と透過型
表示とを切り換えて表示することのできるカラー液晶装
置が実現できた。
According to the configuration of the present embodiment as described above, it is possible to realize a color liquid crystal device capable of switching and displaying between a reflective display and a transmissive display without double reflection or blurring of display.

【0090】(第10の実施形態)本発明の電子機器の
例を3つ示す。
(Tenth Embodiment) Three examples of the electronic apparatus of the present invention will be described.

【0091】本発明の液晶装置は、様々な環境下で用い
られ、しかも低消費電力が必要とされる携帯機器に適し
ている。
The liquid crystal device of the present invention is suitable for portable equipment used under various environments and requiring low power consumption.

【0092】図14(a)は携帯情報機器であり、本体
の上側に表示部141、下側に入力部143が設けられ
る。また表示部の前面にはタッチパネルを設けることが
多い。通常のタッチパネルは表面反射が多いため、表示
が見づらい。従って、従来は携帯型と言えども透過型液
晶装置を利用することが多かった。ところが透過型液晶
装置は、常時バックライトを利用するため消費電力が大
きく、電池寿命が短かかった。このような場合にも本発
明の液晶装置は、反射型でも半透過反射型でも、表示が
明るく鮮やかであるため、携帯情報機器に利用すること
が出来る。
FIG. 14A shows a portable information device, in which a display section 141 is provided on the upper side of the main body and an input section 143 is provided on the lower side. In addition, a touch panel is often provided on the front surface of the display unit. A normal touch panel has a lot of surface reflections, making it difficult to see the display. Therefore, conventionally, a transmissive liquid crystal device has often been used even though it is portable. However, since the transmissive liquid crystal device always uses a backlight, the power consumption is large and the battery life is short. Even in such a case, the liquid crystal device of the present invention can be used for a portable information device because the display is bright and vivid both in a reflective type and a transflective type.

【0093】図14(b)は携帯電話であり、本体の前
面上方部に表示部144が設けられる。携帯電話は、屋
内屋外を問わずあらゆる環境で利用される。特に自動車
内で利用されることが多いが、夜間の車内は大変暗い。
従って携帯電話に利用される表示装置は、消費電力が低
い反射型表示をメインに、必要に応じて補助光を利用し
た透過型表示ができる半透過反射型液晶装置が望まし
い。本発明の第9の実施形態の液晶装置は、反射型表示
でも透過型表示でも従来の液晶装置より明るく、コント
ラスト比が高い。
FIG. 14B shows a portable telephone, which has a display unit 144 at the upper front part of the main body. Mobile phones are used in all environments, both indoors and outdoors. Especially, it is often used in cars, but the inside of cars at night is very dark.
Therefore, it is desirable that the display device used in the mobile phone is a transflective liquid crystal device capable of performing transmissive display using auxiliary light as needed, mainly reflective display with low power consumption. The liquid crystal device of the ninth embodiment of the present invention is brighter and has a higher contrast ratio than the conventional liquid crystal device in both the reflective display and the transmissive display.

【0094】図14(c)はウォッチであり、本体の中
央に表示部146が設けられる。ウォッチ用途における
重要な観点は、高級感である。本発明の液晶装置は、明
るくコントラストが高いことはもちろん、光の波長によ
る特性変化が少ないために色づきも小さい。従って、従
来の液晶装置と比較して、大変に高級感ある表示が得ら
れる。
FIG. 14C shows a watch having a display unit 146 at the center of the main body. An important aspect in watch applications is luxury. The liquid crystal device of the present invention is not only bright and has a high contrast, but also has a small coloring due to a small characteristic change due to the wavelength of light. Therefore, a very high-quality display can be obtained as compared with the conventional liquid crystal device.

【0095】[0095]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、凹
凸の再現性が良く、高価な真空系を有する製膜装置を必
要とせず、また高価な露光装置やフォトマスク並びに複
雑な工程を必要とすることなく、基板サイズの拡大に対
しても多大な機械投資を必要としない、工業的に量産す
る上で有利な、基板表面に凹凸を有する液晶装置用基板
および、その製造方法を提供することができる。また、
反射光の着色の無い、表示の二重映りやにじみなどの発
生しない明るい反射型カラー液晶装置を構成することが
できる。
As described above, according to the present invention, the reproducibility of unevenness is good, no expensive film forming apparatus having a vacuum system is required, and an expensive exposure apparatus, photomask, and complicated steps are required. Provided is a liquid crystal device substrate having unevenness on the substrate surface, which is advantageous in mass production industrially and does not require a large mechanical investment even when the substrate size is increased, and a method of manufacturing the same. can do. Also,
A bright reflective color liquid crystal device without coloring of reflected light and without occurrence of double reflection or blurring of display can be constituted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(e)は本発明に係る液晶装置用基板
の第1の実施形態の液晶装置用基板及びその製造方法を
示す概略断面図である。
FIGS. 1A to 1E are schematic cross-sectional views showing a liquid crystal device substrate according to a first embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same.

【図2】反射板の測定方法を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing a measuring method of a reflection plate.

【図3】本発明に係る第1及び第2、第6の実施形態の
製造方法によって製造した反射板の反射特性を示す図で
ある。
FIG. 3 is a view showing the reflection characteristics of a reflector manufactured by the manufacturing methods of the first, second, and sixth embodiments according to the present invention.

【図4】(a)〜(e)は本発明に係る液晶装置用基板
の第2の実施形態の製造方法を示す概略図である。
FIGS. 4A to 4E are schematic views illustrating a method for manufacturing a liquid crystal device substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図5】(a)〜(e)は本発明に係る液晶装置用基板
の第3の実施形態の製造方法を示す概略図である。
FIGS. 5A to 5E are schematic views illustrating a method for manufacturing a liquid crystal device substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図6】(a)〜(e)は本発明に係る液晶装置用基板
の第4の実施形態の製造方法を示す概略図である。
FIGS. 6A to 6E are schematic views illustrating a method for manufacturing a liquid crystal device substrate according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】(a)〜(d)は本発明に係る液晶装置用基板
の第5の実施形態の製造方法を示す概略図である。
FIGS. 7A to 7D are schematic views illustrating a method for manufacturing a liquid crystal device substrate according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】(a)〜(d)は本発明に係る液晶装置用基板
の第6の実施形態の製造方法を示す概略図である。
FIGS. 8A to 8D are schematic views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal device substrate according to a sixth embodiment of the present invention.

【図9】(a)及び(b)はそれぞれ、本発明に係る液
晶装置用基板の第6の実施形態の図8(a)、図8
(c)の状態の液晶装置用基板の光学顕微鏡写真であ
る。
9 (a) and (b) are FIGS. 8 (a) and 8 (b), respectively, of a liquid crystal device substrate according to a sixth embodiment of the present invention.
It is an optical microscope photograph of the substrate for liquid crystal devices in the state of (c).

【図10】は本発明に係る液晶装置用基板の第6の実施
形態の図8(b)の状態の液晶装置用基板の電子顕微鏡
写真である。
FIG. 10 is an electron micrograph of the liquid crystal device substrate in the state of FIG. 8B of the sixth embodiment of the liquid crystal device substrate according to the present invention.

【図11】は本発明に係る第7の実施形態の液晶装置の
概略構造を示す断面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing a schematic structure of a liquid crystal device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図12】は本発明に係る第8の実施形態の液晶装置の
概略構造を示す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a schematic structure of a liquid crystal device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図13】は本発明に係る第9の実施形態の液晶装置の
概略構造を示す断面図である。
FIG. 13 is a sectional view showing a schematic structure of a liquid crystal device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図14】本発明に係る液晶装置を搭載した電子機器の
概略図であり、(a)は携帯情報機器、(b)は携帯電
話、(c)はウォッチをそれぞれ示す。
14A and 14B are schematic diagrams of an electronic device equipped with a liquid crystal device according to the present invention, wherein FIG. 14A shows a portable information device, FIG. 14B shows a mobile phone, and FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、14・・・ガラス基板 2・・・ガラス基板中の網目形成体による網目状構造 3・・・ガラス基板中の網目修飾体領域 4・・・ゾルゲル膜上の微細なピット 5・・・ゾルゲル膜 6、8・・・弗化水素酸系処理液 7・・・ポリエチレン球 9・・・金コロイド 10・・・析出した過飽和成分によるネットワーク構造 11、1120、1220、1320・・・ガラス基板
上の凹凸部 12、1102、1202、1302・・・反射板(金
属層) 13、1108、1208、1308・・・液晶層 15・・・入射光 16・・・フォトマルチメーター 17・・・市販の外貼り反射板Sタイプの反射特性 18・・・市販の外貼り反射板Mタイプの反射特性 19・・・第1の実施形態の製造方法によって製造され
た反射板の反射特性 20・・・第6の実施形態の製造方法によって製造され
た反射板の反射特性 23・・・第2の実施形態の製造方法によって製造され
た反射板の反射特性 21、22・・・薬液処理槽 24・・・樹脂フィルム 1101、1103、1201、1203、1301、
1303・・・ガラス基板 1110、1207、1210、1307,1310・
・・透明電極 1109、1209、1309・・・シール材 1106、1206、1306・・・保護層(平坦化
膜) 1111、1112、1211、1212、1311、
1312・・・配向膜 1114、1214、1314、1316・・・位相差
板 1115、1215、1315、1317・・・偏光板 1104、1204、1304・・・着色層 1105、1205、1305・・・密着性向上層 1113、1213、1313・・・遮光層 1318・・・蛍光管 1319・・・導光板 1322・・・反射板上の透過用開口部 261、264、266・・・電子機器の表示部 262・・・携帯情報機器 263・・・入力部 265・・・携帯電話 267・・・ウォッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 14 ... Glass substrate 2 ... Network-like structure by the network formation body in a glass substrate 3 ... Network modification area | region in a glass substrate 4 ... Fine pits on a sol-gel film 5 ... Sol-gel film 6, 8 ... hydrofluoric acid-based treatment liquid 7 ... polyethylene sphere 9 ... gold colloid 10 ... network structure by precipitated supersaturated component 11, 1120, 1220, 1320 ... glass substrate Upper concave / convex portions 12, 1102, 1202, 1302: Reflector (metal layer) 13, 1108, 1208, 1308: Liquid crystal layer 15: Incident light 16: Photomultimeter 17: Commercially available Reflection characteristics of the externally attached reflector S type of 18 ... Reflection characteristics of the commercially available externally attached reflector M type 19 ... Reflection characteristics of the reflector manufactured by the manufacturing method of the first embodiment 20. · Reflection characteristics of reflectors manufactured by the manufacturing method of the sixth embodiment 23 ··· Reflection characteristics of reflectors manufactured by the manufacturing method of the second embodiment 21 and 22 ··· Chemical treatment tank 24 · ..Resin films 1101, 1103, 1201, 1203, 1301,
1303 ... glass substrate 1110, 1207, 1210, 1307, 1310
..Transparent electrodes 1109, 1209, 1309: sealing materials 1106, 1206, 1306 ... protective layers (flattening films) 1111, 1112, 1211, 1212, 1311,
1312: Alignment film 1114, 1214, 1314, 1316: Phase difference plate 1115, 1215, 1315, 1317: Polarizer 1104, 1204, 1304 ... Color layer 1105, 1205, 1305: Adhesion Light-imparting layers 1113, 1213, 1313 ... Light-shielding layer 1318 ... Fluorescent tube 1319 ... Light guide plate 1322 ... Transmissive openings 261, 264, 266 ... Display portion of electronic device 262: portable information device 263: input unit 265: mobile phone 267: watch

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 ▲琢▼巳 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 2H042 BA02 BA03 BA15 BA20 2H090 JA03 JB02 JC03 JD01 LA01 LA20 2H091 FA16Y FB07 FB08 FC26 FD06 LA12 4G059 AA08 AB03 AB11 AC01 BB14 EA01 EA05 EB07  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Seki ▲ Takumi F-term (reference) in Seiko Epson Co., Ltd. 3-3-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano 2H042 BA02 BA03 BA15 BA20 2H090 JA03 JB02 JC03 JD01 LA01 LA20 2H091 FA16Y FB07 FB08 FC26 FD06 LA12 4G059 AA08 AB03 AB11 AC01 BB14 EA01 EA05 EB07

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板表面に所定の凹凸を形成して成る液
晶装置用基板において、該基板の構成成分が微小な部分
毎にエッチングされ、該基板の構成成分のみによって凹
凸が形成されていることを特徴とする液晶装置用基板。
1. A liquid crystal device substrate having predetermined irregularities formed on the surface of a substrate, wherein components of the substrate are etched in minute portions, and irregularities are formed only by the components of the substrate. A substrate for a liquid crystal device, comprising:
【請求項2】 基板表面に所定の凹凸を形成して成る液
晶装置用基板において、該基板の構成成分を、微小な部
分毎に除去速度を異ならせる薬液により処理することに
より凹凸を形成することを特徴とする請求項1記載の液
晶装置用基板の製造方法。
2. In a liquid crystal device substrate having predetermined irregularities formed on the surface of the substrate, the irregularities are formed by treating constituent components of the substrate with a chemical solution having different removal rates for each minute portion. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 基板表面に所定の凹凸を形成して成る液
晶装置用基板において、該基板の構成成分または基板上
にゾルゲル法により形成した酸化物皮膜のいずれかある
いは両方を、微小な部分毎に除去速度を異ならせる薬液
により処理することにより凹凸を形成することを特徴と
する請求項1記載の液晶装置用基板の製造方法。
3. A liquid crystal device substrate having predetermined irregularities formed on the surface of a substrate, wherein one or both of the constituent components of the substrate and / or an oxide film formed on the substrate by a sol-gel method are applied to each minute portion. 2. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 1, wherein the unevenness is formed by treating the substrate with a chemical solution having different removal rates.
【請求項4】 前記ゾルゲル法により形成された酸化物
皮膜が、酸化珪素皮膜あるいはTi、Al、Zrまたはこれら
の複数を含有する酸化珪素を主成分とすることを特徴と
する請求項3記載の液晶装置用基板の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the oxide film formed by the sol-gel method is mainly composed of a silicon oxide film or a silicon oxide containing Ti, Al, Zr or a plurality thereof. A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device.
【請求項5】 前記基板の構成成分の除去速度を微小な
部分毎に異ならせる薬液による処理が、弗化水素酸と水
素二弗化アンモニウムの混合水溶液あるいは弗化水素酸
と水素二弗化アンモニウムと硝酸の混合水溶液に浸漬す
ることによって行われることを特徴とする請求項2乃至
4記載の液晶装置用基板の製造方法。
5. A treatment with a chemical solution which varies the removal rate of the constituent components of the substrate for each minute portion, is performed by using a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride. 5. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 2, wherein the method is performed by immersing the substrate in a mixed aqueous solution of acetic acid and nitric acid.
【請求項6】 前記基板の構成成分の除去速度を微小な
部分毎に異ならせる薬液による処理が、前記基板表面を
微小粒子を分散浮遊させた弗化水素酸水溶液、あるいは
弗化水素酸と硝酸の混合水溶液、あるいは弗化水素酸と
弗化アンモニウムの混合水溶液、あるいは弗化水素酸と
弗化アンモニウムと硝酸の混合水溶液、あるいは弗化水
素酸と水素二弗化アンモニウムの混合水溶液、あるいは
弗化水素酸と水素二弗化アンモニウムと硝酸の混合水溶
液の液表面に接触させることによって行われることを特
徴とする請求項2乃至4記載の液晶装置用基板の製造方
法。
6. A treatment with a chemical solution that varies the removal rate of the constituent components of the substrate for each minute portion, by using a hydrofluoric acid aqueous solution in which fine particles are dispersed and suspended on the substrate surface, or hydrofluoric acid and nitric acid. , Or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium fluoride and nitric acid, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride, or fluoride 5. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 2, wherein the method is carried out by bringing the liquid surface into contact with a liquid surface of a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium hydrogen difluoride and nitric acid.
【請求項7】 前記基板の構成成分の除去速度を微小な
部分毎に異ならせる薬液による処理が、微小粒子をコロ
イド分散させた弗化水素酸水溶液、あるいは弗化水素酸
と硝酸の混合水溶液、あるいは弗化水素酸と弗化アンモ
ニウムの混合水溶液、あるいは弗化水素酸と弗化アンモ
ニウムと硝酸の混合水溶液、あるいは弗化水素酸と水素
二弗化アンモニウムの混合水溶液、あるいは弗化水素酸
と水素二弗化アンモニウムと硝酸の混合水溶液に浸漬す
ることによって行われることを特徴とする請求項2乃至
4記載の液晶装置用基板の製造方法。
7. A treatment with a chemical solution that varies the removal rate of the constituents of the substrate for each minute portion, wherein the treatment is performed with a hydrofluoric acid aqueous solution in which fine particles are colloidally dispersed, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and nitric acid, Alternatively, a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid, ammonium fluoride, and nitric acid, or a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium hydrogen difluoride, or hydrofluoric acid and hydrogen 5. The method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 2, wherein the method is performed by immersing the substrate in a mixed aqueous solution of ammonium difluoride and nitric acid.
【請求項8】 基板表面に所定の凹凸を形成して成る液
晶装置用基板において、該基板の構成成分が弗化水素酸
を含む水溶液に過飽和溶解されている処理液に基板を浸
漬することにより、微小な部分ごとにランダムに析出さ
せた該基板の構成成分の皮膜で覆われた領域がエッチン
グされず、その他の部分が該処理液中の弗化水素酸を含
む成分によってエッチングされることにより凹凸を形成
することを特徴とする請求項1記載の液晶装置用基板の
製造方法。
8. A substrate for a liquid crystal device having predetermined irregularities formed on a surface of the substrate, by immersing the substrate in a processing solution in which a component of the substrate is supersaturated and dissolved in an aqueous solution containing hydrofluoric acid. The region covered with the coating of the component of the substrate randomly deposited for each minute portion is not etched, and the other portion is etched by the component containing hydrofluoric acid in the processing solution. 2. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 1, wherein the unevenness is formed.
【請求項9】 前記過飽和溶解されている前記基板の構
成成分が酸化珪素であることを特徴とする請求項8記載
の液晶装置用基板の製造方法。
9. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 8, wherein a component of said substrate which is supersaturated and dissolved is silicon oxide.
【請求項10】 前記過飽和溶解されている前記基板の
構成成分が、アルミニウム、ホウ素、カルシウム、マグ
ネシウム、バリウム、ストロンチウム、亜鉛、砒素、
燐、ゲルマニウム、バナジウム、ナトリウム、カリウ
ム、珪素のいずれかあるいは複数を主成分として含むこ
とを特徴とする請求項9記載の液晶装置用基板の製造方
法。
10. The supersaturated dissolved component of the substrate is aluminum, boron, calcium, magnesium, barium, strontium, zinc, arsenic,
10. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 9, wherein one or more of phosphorus, germanium, vanadium, sodium, potassium, and silicon are contained as main components.
【請求項11】 前記基板の構成成分が過飽和溶解され
ている弗化水素酸を含む水溶液に、弗化アンモニウム、
水素二弗化アンモニウム、硝酸、硫酸、塩酸、過酸化水
素のいずれかあるいは複数が混合されていることを特徴
とする請求項8乃至10記載の液晶装置用基板の製造方
法。
11. An aqueous solution containing hydrofluoric acid in which the constituents of the substrate are supersaturated and dissolved is added with ammonium fluoride,
11. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 8, wherein one or a plurality of ammonium hydrogen difluoride, nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, and hydrogen peroxide are mixed.
【請求項12】 請求項2乃至11記載の液晶装置用基
板の製造方法によって凹凸が形成された面を、所定の凹
凸となるように均一にエッチングする工程を含むことを
特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
12. A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 2, further comprising the step of uniformly etching the surface on which the unevenness is formed by the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 2 so as to have predetermined unevenness. Substrate manufacturing method.
【請求項13】 一対の絶縁基板間に液晶層が挟持され
てなり、前記絶縁基板のうち一方の基板に請求項2乃至
12のいずれかに記載の製造方法によって製造された液
晶装置用基板を用いた液晶装置。
13. A liquid crystal device substrate manufactured by the manufacturing method according to claim 2, wherein a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of insulating substrates. The liquid crystal device used.
【請求項14】 請求項15に記載の液晶装置を用いた
電子機器。
14. An electronic apparatus using the liquid crystal device according to claim 15.
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