JP2000349544A - Antenna feeder circuit and antenna system using it - Google Patents

Antenna feeder circuit and antenna system using it

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JP2000349544A
JP2000349544A JP11160121A JP16012199A JP2000349544A JP 2000349544 A JP2000349544 A JP 2000349544A JP 11160121 A JP11160121 A JP 11160121A JP 16012199 A JP16012199 A JP 16012199A JP 2000349544 A JP2000349544 A JP 2000349544A
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JP
Japan
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integrated circuit
substrate
antenna
terminal
power supply
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JP11160121A
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Japanese (ja)
Inventor
Shuji Urasaki
修治 浦崎
Moriyasu Miyazaki
守▲やす▼ 宮▲ざき▼
Sunao Takagi
直 高木
Yasuyuki Ito
康之 伊藤
Koichiro Misu
幸一郎 三須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the antenna feeder circuit that realizes miniaturization, high density and a low cost and whose configuration is made in common with the antennas of different specifications and to provide an antenna system using it. SOLUTION: The antenna freeder circuit is provided with a Si group substrate 1, high frequency semiconductor integrated circuits 2, 3 and a digital integrated circuit 4 that are formed integrally inside or on the surface of the Si group substrate 1, a system processing integrated circuit 11 and a dielectric multi-layer board 24. The system processing integrated circuit 11 is provided with, at least, an antenna radiation element connection terminal 6, a base band signal terminal 7, a control signal terminal 9, and a power supply terminal 10. The dielectric multi-layer board 24 incorporates, at least, a base band signal line 14, a control signal line 17 and a power supply line 18, and is provided with base band signal terminals 20a, 20b, control signal terminals 22a, 22b and power supply terminals 23a, 23b. In the case of layering and laying out the system processing integrated circuit 11 and the dielectric multi-layer board 24, terminals corresponding to each other are opposed and are connected by a bump conductor 25.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、主としてVHF
帯、UHF帯、マイクロ波帯、およびミリ波帯で用いら
れるアクティブフェーズドアレーアンテナ用給電回路お
よびこれを用いて小形化、高密度化および低価格化が達
成できるアンテナ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a feed circuit for an active phased array antenna used in a band, a UHF band, a microwave band, and a millimeter wave band, and an antenna device that can achieve miniaturization, high density, and low cost using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図15は例えば特開平5ー299906
号に示された従来のアンテナ給電回路を示す構成図であ
り、図において12は誘電体基板、13a〜13cは地
導体、17は制御信号線パターン、18は電源線パター
ン、19は電源あるいは制御信号接続用ビアホール、3
2aおよび32bはストリップ導体パターン、33は層
間接続用ビアホール、37は誘電体基板12に開けたキ
ャビティ状の穴、38は制御信号用回路素子、39は電
源用回路素子、40は高周波回路素子である。ストリッ
プ導体パターン32aおよび32bはそれぞれ、地導体
13aと13b、および13bと13cの間に誘電体基
板12を介して支持されて、2層のトリプレート線路形
の高周波回路を構成している。2つの層の高周波回路間
は、層間接続用ビアホール33により接続されている。
また、キャビティ状の穴37の底面に高周波回路素子4
0が実装され、ストリップ導体パターン32bで構成さ
れた高周波回路に接続されている。さらに、誘電体基板
12上に設けられた制御信号線パターン17、電源線パ
ターン18、制御信号用回路素子38および電源用回路
素子39は、高周波回路に電源および制御信号を供給す
る電源・制御回路を構成し、高周波回路素子40とは、
電源あるいは制御信号接続用ビアホール19で接続され
ている。
2. Description of the Related Art FIG. 15 shows, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-299906.
FIG. 1 is a configuration diagram showing a conventional antenna feed circuit shown in FIG. 1, in which 12 is a dielectric substrate, 13 a to 13 c are ground conductors, 17 is a control signal line pattern, 18 is a power supply line pattern, 19 is a power supply or control. Via hole for signal connection, 3
2a and 32b are strip conductor patterns, 33 is a via hole for interlayer connection, 37 is a cavity-shaped hole formed in the dielectric substrate 12, 38 is a control signal circuit element, 39 is a power supply circuit element, and 40 is a high-frequency circuit element. is there. The strip conductor patterns 32a and 32b are supported between the ground conductors 13a and 13b and between the ground conductors 13b and 13c via the dielectric substrate 12, respectively, to constitute a two-layer triplate line type high frequency circuit. The high-frequency circuits of the two layers are connected by via holes 33 for interlayer connection.
The high frequency circuit element 4 is provided on the bottom of the cavity 37.
0 is mounted and connected to a high-frequency circuit composed of the strip conductor pattern 32b. Further, the control signal line pattern 17, the power supply line pattern 18, the control signal circuit element 38, and the power supply circuit element 39 provided on the dielectric substrate 12 are a power supply / control circuit for supplying power and a control signal to the high frequency circuit. And the high-frequency circuit element 40 is
They are connected by power supply or control signal connection via holes 19.

【0003】図15に示す構造のアンテナ給電回路で
は、高周波回路を構成する線路が上下を地導体で挟まれ
たトリプレート線路構造であるため、高周波回路同士の
不要な結合や高周波信号の不要放射がなく、このため、
高周波回路の実装密度を高くすることが可能であり、小
形な高周波回路を実現することができる。また、高周波
回路を構成するストリップ導体パターン32bはキャビ
ティ状の穴37により高周波回路素子40の付近で露出
しているため、ボンディングワイヤなどにより高周波回
路素子40と容易に接続することが可能である。なお、
このような構造の多層高周波回路基板は、セラミックの
グリーンシートに導体パターンのパターンニングを施し
て積層した後に同時焼成する多層セラミック基板製造技
術によって実現できる。
In the antenna feed circuit having the structure shown in FIG. 15, since the lines constituting the high-frequency circuit have a triplate line structure in which the upper and lower lines are sandwiched between ground conductors, unnecessary coupling between the high-frequency circuits and unnecessary radiation of high-frequency signals are performed. But for this,
The mounting density of the high-frequency circuit can be increased, and a small high-frequency circuit can be realized. Further, since the strip conductor pattern 32b constituting the high-frequency circuit is exposed near the high-frequency circuit element 40 by the cavity-shaped hole 37, it can be easily connected to the high-frequency circuit element 40 by a bonding wire or the like. In addition,
The multilayer high-frequency circuit board having such a structure can be realized by a multilayer ceramic substrate manufacturing technique in which a ceramic green sheet is patterned and laminated with a conductor pattern and then fired simultaneously.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のアンテナ給電回
路は以上のように構成されているので、高周波回路素子
40、制御信号用回路素子38、および電源用回路素子
39が個別に散在し、かつ、高周波信号線パターンとし
てのストリップ導体パターン32aと32b、制御信号
線パターン17、電源線パターン18、層間接続用ビア
ホール33および電源あるいは制御信号接続用ビアホー
ル19を介して相互に入り組んで接続されている。従っ
て、従来のアンテナ給電回路は高周波回路素子40、制
御信号用回路素子38、および電源用回路素子39を個
別に実装する必要があるため、構造および製作工程が複
雑になり、回路が大きくなるとともに製造コストが高く
なるという課題があった。また、高周波信号線パターン
としてのストリップ導体パターン32aと32b、制御
信号線パターン17、電源線パターン18、層間接続用
ビアホール33および電源あるいは制御信号接続用ビア
ホール19が入り組んだ構成となるため、制御信号線パ
ターン17や電源線パターン18、さらには電源あるい
は制御信号接続用ビアホール19を介した高周波回路素
子間の不要結合や、層間接続用ビアホール33を介した
電源あるいは制御信号線層内での高周波の不要共振が生
じ易いという課題もあった。さらに、異なる仕様のアン
テナに対してアンテナ給電回路の構成を共通化すること
が難しいという課題もあった。
Since the conventional antenna feed circuit is configured as described above, the high-frequency circuit element 40, the control signal circuit element 38, and the power supply circuit element 39 are separately scattered, and Are connected to each other via strip conductor patterns 32a and 32b as high-frequency signal line patterns, control signal line patterns 17, power supply line patterns 18, interlayer connection via holes 33, and power supply or control signal connection via holes 19. . Therefore, in the conventional antenna feed circuit, since the high-frequency circuit element 40, the control signal circuit element 38, and the power supply circuit element 39 need to be individually mounted, the structure and the manufacturing process become complicated, and the circuit becomes large. There was a problem that the manufacturing cost was high. Further, since strip conductor patterns 32a and 32b as high-frequency signal line patterns, control signal line patterns 17, power supply line patterns 18, interlayer connection via holes 33, and power supply or control signal connection via holes 19 are formed in a complicated manner, the control signal Unnecessary coupling between the high-frequency circuit elements via the line patterns 17 and the power supply line patterns 18 and the power supply or control signal connection via holes 19, and high-frequency generation in the power supply or control signal line layers via the interlayer connection via holes 33. There was also a problem that unnecessary resonance easily occurred. Further, there is a problem that it is difficult to share the configuration of the antenna feed circuit for antennas having different specifications.

【0005】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、小形化、高密度化、および低価格
化を図れるとともに、異なる仕様のアンテナに対して構
成の共通化を容易に図れるアンテナ給電回路を得ること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and can achieve downsizing, high density, and low price, and can easily share a common configuration for antennas having different specifications. An object of the present invention is to obtain an antenna feeding circuit that can be achieved.

【0006】また、この発明は、上記アンテナ給電回路
を用いたアンテナ装置を得ることを目的とする。
Another object of the present invention is to obtain an antenna device using the above-described antenna feed circuit.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係るアンテナ
給電回路は、Si系基板と、該Si系基板内部あるいは
表面に形成された高周波半導体集積回路と、上記Si系
基板内部あるいは表面に形成されたデジタル集積回路
と、少なくとも上記高周波半導体集積回路とデジタル集
積回路を同一の上記Si系基板に一体形成して成り、か
つ少なくともアンテナ放射素子接続用端子、ベースバン
ド信号端子、制御信号端子および電源端子を備えたシス
テム化集積回路と、少なくともベースバンド信号線、制
御信号線および電源線を内蔵し、かつベースバンド信号
端子、制御信号端子および電源端子を備え、これらの端
子が上記システム化集積回路の対応する端子と対向する
ように上記システム化集積回路上に積層して配置された
誘電体多層基板と、該誘電体多層基板および上記システ
ム化集積回路における互いに対応する端子同士を接続す
る接続手段とを備えたものである。
An antenna feed circuit according to the present invention comprises a Si-based substrate, a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate, and a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate. Digital integrated circuit, at least the high-frequency semiconductor integrated circuit and the digital integrated circuit are integrally formed on the same Si-based substrate, and at least an antenna radiating element connection terminal, a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal A built-in integrated circuit having at least a baseband signal line, a control signal line, and a power supply line, and a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal. A dielectric multi-layer substrate that is stacked and arranged on the systemized integrated circuit so as to face the corresponding terminal, Is obtained and a connection means for connecting the corresponding terminals to each other to each other in the dielectric multi-layer substrate and the system integrated circuit.

【0008】この発明に係るアンテナ給電回路は、Si
系基板と、該Si系基板内部あるいは表面に形成された
高周波半導体集積回路と、上記Si系基板内部あるいは
表面に形成された高周波フィルタと、上記Si系基板内
部あるいは表面に形成されたデジタル集積回路と、少な
くとも上記高周波半導体集積回路、高周波フィルタおよ
びデジタル集積回路を同一の上記Si系基板に一体形成
して成り、かつ少なくともアンテナ放射素子接続用端
子、ベースバンド信号端子、制御信号端子および電源端
子を備えたシステム化集積回路と、少なくともベースバ
ンド信号線、制御信号線および電源線を内蔵し、かつベ
ースバンド信号端子、制御信号端子および電源端子を備
え、これらの端子が上記システム化集積回路の対応する
端子と対向するように上記システム化集積回路上に積層
して配置された誘電体多層基板と、該誘電体多層基板お
よび上記システム化集積回路における互いに対応する端
子同士を接続する接続手段とを備えたものである。
[0008] The antenna power supply circuit according to the present invention comprises a Si
-Based substrate, high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the Si-based substrate, high-frequency filter formed inside or on the Si-based substrate, and digital integrated circuit formed inside or on the Si-based substrate And at least the high-frequency semiconductor integrated circuit, the high-frequency filter, and the digital integrated circuit are integrally formed on the same Si-based substrate, and at least an antenna radiating element connection terminal, a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal are provided. A built-in integrated circuit having at least a baseband signal line, a control signal line, and a power supply line, and a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal, and these terminals correspond to the systemized integrated circuit. Dielectrics stacked on the systematized integrated circuit so as to face the terminals And the multilayer substrate, in which a connection means for connecting the terminals to each other mutually corresponding in dielectric multilayer substrate and the system integrated circuit.

【0009】この発明に係るアンテナ給電回路は、上記
第2の発明において、高周波フィルタとしてバルク超音
波フィルタを用いたものである。
[0009] An antenna feed circuit according to the present invention uses the bulk ultrasonic filter as the high frequency filter in the second invention.

【0010】この発明に係るアンテナ給電回路は、上記
第2の発明において、高周波フィルタとしてマイクロマ
シン技術による中空空洞部を有するサスペンデッドスト
リップ線路形フィルタあるいは導波管形フィルタを用い
たものである。
The antenna feed circuit according to the present invention uses the suspended strip line type filter or the waveguide type filter having a hollow cavity by a micromachine technology as the high frequency filter in the second aspect of the present invention.

【0011】この発明に係るアンテナ給電回路は、Si
系基板と、該Si系基板内部あるいは表面に形成された
高周波半導体集積回路と、上記Si系基板内部あるいは
表面に形成されたデジタル集積回路と、少なくとも上記
高周波半導体集積回路とデジタル集積回路を同一の上記
Si系基板に一体形成して成り、かつ少なくともアンテ
ナ放射素子接続用端子、高周波フィルタ接続用端子、ベ
ースバンド信号端子、制御信号端子および電源端子を備
えたシステム化集積回路と、少なくとも高周波フィル
タ、高周波信号線、ベースバンド信号線、制御信号線お
よび電源線を内蔵し、かつ高周波フィルタ接続用端子、
ベースバンド信号端子、制御信号端子および電源端子を
備え、これらの端子が上記システム化集積回路の対応す
る端子と対向するように上記システム化集積回路上に積
層して配置された誘電体多層基板と、該誘電体多層基板
および上記システム化集積回路における互いに対応する
端子同士を接続する接続手段とを備えたものである。
[0011] The antenna power supply circuit according to the present invention is characterized in that:
System substrate, a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate, a digital integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate, and at least the high-frequency semiconductor integrated circuit and the digital integrated circuit are the same. A systematized integrated circuit formed integrally with the Si-based substrate and having at least an antenna radiating element connection terminal, a high frequency filter connection terminal, a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal; Built-in high-frequency signal line, baseband signal line, control signal line and power supply line, and high-frequency filter connection terminal,
A dielectric multilayer substrate provided with a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal, the terminals being stacked on the systemized integrated circuit so that these terminals face corresponding terminals of the systemized integrated circuit; Connection means for connecting the dielectric multilayer substrate and the corresponding terminals of the systemized integrated circuit to each other.

【0012】この発明に係るアンテナ給電回路は、Si
系基板と、該Si系基板内部あるいは表面に形成された
高周波半導体集積回路と、上記Si系基板内部あるいは
表面に形成されたデジタル集積回路と、少なくとも上記
高周波半導体集積回路とデジタル集積回路を同一の上記
Si系基板に一体形成して成り、かつ少なくともアンテ
ナ放射素子接続用端子、高周波フィルタ接続用端子、ベ
ースバンド信号端子、制御信号端子および電源端子を備
えたシステム化集積回路と、少なくともベースバンド信
号線、制御信号線および電源線を内蔵し、かつベースバ
ンド信号端子、制御信号端子および電源端子を備え、こ
れらの端子が上記システム化集積回路の対応する端子と
対向するように上記システム化集積回路上に積層して配
置された誘電体多層基板と、該誘電体多層基板および上
記システム化集積回路における互いに対応する端子同士
を接続する第1の接続手段と、上記システム化集積回路
の両面のうち誘電体多層基板が配された側と逆の表面に
積層して配置された高周波フィルタと、該高周波フィル
タと上記システム化集積回路とを上記高周波フィルタ接
続用端子を介して接続する第2の接続手段とを備えたも
のである。
An antenna feed circuit according to the present invention is a
System substrate, a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate, a digital integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate, and at least the high-frequency semiconductor integrated circuit and the digital integrated circuit are the same. A systematized integrated circuit integrally formed on the Si-based substrate and having at least an antenna radiating element connection terminal, a high frequency filter connection terminal, a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal; and at least a baseband signal Line, a control signal line and a power supply line, and a baseband signal terminal, a control signal terminal and a power supply terminal, and the systemized integrated circuit so that these terminals face corresponding terminals of the systematized integrated circuit. Dielectric multilayer substrate stacked and disposed thereon, dielectric multilayer substrate and systematized integration First connection means for connecting mutually corresponding terminals in a path, and a high-frequency filter disposed on the opposite surface of the systemized integrated circuit from the side on which the dielectric multilayer substrate is disposed, Second connection means for connecting the high-frequency filter and the systematized integrated circuit via the high-frequency filter connection terminal is provided.

【0013】この発明に係るアンテナ装置は、誘電体基
板と、該誘電体基板の一方の面に導体膜を密着して形成
された1つあるいは複数個の放射素子と、該放射素子の
うちの1素子ごとに、あるいはサブアレーごとに一体で
構成された第1ないし第6の発明のいずれかの発明に係
るアンテナ給電回路を備え、上記誘電体基板の他方の面
に、上記アンテナ給電回路を必要数だけ、アンテナ放射
素子接続用端子を介して接続し、面実装したものであ
る。
[0013] An antenna device according to the present invention provides a dielectric substrate, one or more radiating elements formed by closely attaching a conductive film to one surface of the dielectric substrate, and: An antenna feed circuit according to any one of the first to sixth aspects of the present invention is provided integrally for each element or for each sub-array, and the antenna feed circuit is required on the other surface of the dielectric substrate. A number of them are connected via antenna radiating element connection terminals and surface-mounted.

【0014】この発明に係るアンテナ装置は、誘電体基
板と、該誘電体基板の一方の面に導体膜を密着して形成
された1つあるいは複数個の放射素子と、第1ないし第
5の発明のいずれかの発明に係るアンテナ給電回路を備
え、該アンテナ給電回路における上記放射素子全体に対
応したシステム化集積回路を同一のSi系基板ウエハに
一体形成し、上記誘電体基板の他方の面に上記Si系基
板ウエハを積層して面実装し、上記Si系基板ウエハに
含まれるシステム化集積回路を、アンテナ放射素子接続
用端子を介して上記放射素子に接続したものである。
An antenna device according to the present invention comprises: a dielectric substrate; one or a plurality of radiating elements formed by closely attaching a conductive film to one surface of the dielectric substrate; An antenna power supply circuit according to any one of the inventions is provided, and a systematized integrated circuit corresponding to the entire radiating element in the antenna power supply circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer, and the other surface of the dielectric substrate is provided. Are stacked and surface-mounted, and a systematized integrated circuit included in the Si-based substrate wafer is connected to the radiating element via an antenna radiating element connection terminal.

【0015】この発明に係るアンテナ装置は、上記第1
ないし第5の発明のいずれかの発明に係るアンテナ給電
回路を備え、該アンテナ給電回路における放射素子全体
に対応したシステム化集積回路を同一のSi系基板ウエ
ハに一体形成し、Si系基板ウエハの両面のうち誘電体
多層基板が配された面とは逆の面に導体膜を密着して放
射素子を形成したものである。
The antenna device according to the present invention is characterized in that the first
And a system integrated circuit corresponding to the entire radiating element in the antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer. A radiating element is formed by closely attaching a conductive film to a surface of the opposite surfaces opposite to the surface on which the dielectric multilayer substrate is arranged.

【0016】この発明に係るアンテナ装置は、上記第1
ないし第5の発明のいずれかの発明に係るアンテナ給電
回路と、少なくともベースバンド信号線、制御信号線、
および電源線を内蔵し、ベースバンド信号端子、制御信
号端子、および電源端子を含むマザーボードを備え、上
記アンテナ給電回路におけるシステム化集積回路を構成
するSi系基板の両面のうち誘電体多層基板が配された
面とは逆の面に導体膜を密着して放射素子を形成し、か
つ上記誘電体多層基板のうちシステム化集積回路が配さ
れた側とは逆の面を上記マザーボードと近接対向させ、
上記ベースバンド信号端子、制御信号端子および電源端
子同士を接続して、上記アンテナ給電回路を上記マザー
ボード上に面実装したものである。
The antenna device according to the present invention has the first
An antenna feed circuit according to any one of the fifth to fifth aspects, at least a baseband signal line, a control signal line,
And a power supply line, a motherboard including a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal. A dielectric multilayer substrate is disposed on both sides of a Si-based substrate constituting a systematized integrated circuit in the antenna feed circuit. A radiating element is formed by closely adhering a conductive film to a surface opposite to the surface on which the systemized integrated circuit is arranged in the dielectric multilayer substrate, and the surface opposite to the side on which the systematized integrated circuit is disposed is closely opposed to the motherboard. ,
The antenna power supply circuit is surface-mounted on the motherboard by connecting the baseband signal terminal, the control signal terminal, and the power supply terminal to each other.

【0017】この発明に係るアンテナ装置は、誘電体基
板と、該誘電体基板の一方の面に導体膜を密着して形成
された1つあるいは複数個の放射素子と、第1ないし第
5の発明のいずれかの発明に係るアンテナ給電回路を備
え、該アンテナ給電回路における放射素子全体に対応し
たシステム化集積回路を同一のSi系基板ウエハに一体
形成し、上記誘電体基板の他方の面に上記Si系基板ウ
エハを積層して面実装し、上記Si系基板ウエハに含ま
れるシステム化集積回路を、アンテナ放射素子接続用端
子を介して放射素子に接続し、一体形成された上記シス
テム化集積回路の略全体に対応する誘電体多層基板を一
体形成し、上記Si系基板ウエハの両面のうち上記誘電
体基板が配された側と逆の面に、一体形成された上記誘
電体多層基板を積層して設けたものである。
An antenna device according to the present invention comprises: a dielectric substrate; one or a plurality of radiating elements formed by closely attaching a conductive film to one surface of the dielectric substrate; An antenna feed circuit according to any one of the inventions of the invention is provided, and a systematized integrated circuit corresponding to the entire radiating element in the antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer, and the other surface of the dielectric substrate is provided. The Si-based substrate wafer is stacked and surface-mounted, and a systematized integrated circuit included in the Si-based substrate wafer is connected to a radiating element via an antenna radiating element connection terminal to form an integrated systematized integrated circuit. A dielectric multilayer substrate corresponding to substantially the entire circuit is integrally formed, and the integrated dielectric multilayer substrate is formed on the opposite surface of the both surfaces of the Si-based substrate wafer from the side on which the dielectric substrate is disposed. product It is those provided by.

【0018】この発明に係るアンテナ装置は、上記第1
ないし第5の発明のいずれかの発明に係るアンテナ給電
回路を備え、該アンテナ給電回路における略全ての放射
素子に対応したシステム化集積回路を同一のSi系基板
ウエハに一体形成し、上記Si系基板ウエハの一方の面
に略全ての放射素子を導体膜を密着して形成し、一体形
成された上記システム化集積回路の略全体に対応する誘
電体多層基板を一体形成し、上記Si系基板ウエハの他
方の面に、一体形成された上記誘電体多層基板を積層し
て設けたものである。
The antenna device according to the present invention has the first
And a system integrated circuit corresponding to almost all radiating elements in the antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer, Substantially all of the radiating elements are formed on one surface of the substrate wafer by closely adhering a conductive film, and a dielectric multilayer substrate corresponding to substantially the entire integrated circuit is integrally formed. On the other surface of the wafer, the integrally formed dielectric multilayer substrate is laminated.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。実施の形態1.図1および図2において、1
はSi系基板、2はSiGe高周波半導体集積回路、3
はBiCMOS高周波半導体集積回路、4はデジタル集
積回路、5は高周波フィルタ、6はアンテナ放射素子接
続用端子、7はベースバンド信号端子、8はローカル基
準信号端子、9は制御信号端子、10は電源端子、11
はシステム化集積回路である。このシステム化集積回路
11はSi系基板1の表面あるいは内部にSiGe高周
波半導体集積回路2、BiCMOS高周波半導体集積回
路3、デジタル集積回路4および高周波フィルタ5が一
体形成され、かつアンテナ放射素子接続用端子6、ベー
スバンド信号端子7、ローカル基準信号端子8、制御信
号端子9および電源端子10を備えている。12はセラ
ミック系の誘電体基板、13a〜13hは地導体、14
はベースバンド信号線、16はローカル基準信号線、1
7は制御信号線、18は電源線、19は電源あるいは制
御信号接続用ビアホール、20aおよび20bはベース
バンド信号端子、21aおよび21bはローカル基準信
号端子、22aおよび22bは制御信号端子、23aお
よび23bは電源端子、24は誘電体多層基板である。
この誘電体多層基板24はセラミック系の誘電体基板1
2、地導体13a〜13h、ベースバンド信号線14、
ローカル基準信号線16、制御信号線17、電源線18
および電源あるいは制御信号接続用ビアホール19が一
体形成され、かつベースバンド信号端子20aおよび2
0b、ローカル基準信号端子21aおよび21b、制御
信号端子22aおよび22b、電源端子23aおよび2
3bを備えている。25は接続手段としてのバンプ導体
であり、システム化集積回路11と誘電体多層基板24
のベースバンド信号端子、ローカル信号端子、制御信号
端子、あるいは電源端子同士を相互に接続するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. In FIGS. 1 and 2, 1
Is a Si-based substrate, 2 is a SiGe high frequency semiconductor integrated circuit, 3
Is a BiCMOS high-frequency semiconductor integrated circuit, 4 is a digital integrated circuit, 5 is a high-frequency filter, 6 is a terminal for connecting an antenna radiating element, 7 is a baseband signal terminal, 8 is a local reference signal terminal, 9 is a control signal terminal, and 10 is a power supply. Terminal, 11
Is a systemized integrated circuit. In this systematized integrated circuit 11, a SiGe high-frequency semiconductor integrated circuit 2, a BiCMOS high-frequency semiconductor integrated circuit 3, a digital integrated circuit 4, and a high-frequency filter 5 are integrally formed on the surface or inside of a Si-based substrate 1, and antenna radiating element connection terminals. 6, a baseband signal terminal 7, a local reference signal terminal 8, a control signal terminal 9, and a power supply terminal 10. 12 is a ceramic dielectric substrate, 13a to 13h are ground conductors, 14
Is a baseband signal line, 16 is a local reference signal line, 1
7 is a control signal line, 18 is a power supply line, 19 is a power supply or control signal connection via hole, 20a and 20b are baseband signal terminals, 21a and 21b are local reference signal terminals, 22a and 22b are control signal terminals, 23a and 23b. Is a power supply terminal, and 24 is a dielectric multilayer substrate.
This dielectric multilayer substrate 24 is a ceramic dielectric substrate 1
2, ground conductors 13a to 13h, baseband signal line 14,
Local reference signal line 16, control signal line 17, power supply line 18
And via holes 19 for connecting power supply or control signals are integrally formed, and baseband signal terminals 20a and 20
0b, local reference signal terminals 21a and 21b, control signal terminals 22a and 22b, power supply terminals 23a and 2
3b. Numeral 25 denotes a bump conductor as a connecting means, which comprises a system integrated circuit 11 and a dielectric multilayer substrate 24.
, A local signal terminal, a control signal terminal, or a power supply terminal.

【0020】高周波フィルタ5は、図3に示すようにマ
イクロマシン技術により中空空洞部としての空隙29を
形成することで低損失化を図った構成を有し、Si系基
板1の内部に設けられている。なお、図3において26
aおよび26bは高インピーダンス線路区間のストリッ
プ導体、27aおよび27bは低インピーダンス線路区
間のストリップ導体、28は入出力線路のストリップ導
体である。即ち、高周波フィルタ5は、セラミック系の
誘電体基板12、地導体13gと13h、高インピーダ
ンス線路区間のストリップ導体26aと26b、低イン
ピーダンス線路区間のストリップ導体27aと27b、
入出力線路のストリップ導体28、および空隙29から
構成され、これはフィルタ部がサスペンデッドストリッ
プ線路、入出力部がストリップ線路で構成される低域通
過フィルタである。
As shown in FIG. 3, the high-frequency filter 5 has a configuration in which a gap 29 is formed as a hollow cavity by a micromachining technique to reduce the loss, and is provided inside the Si-based substrate 1. I have. In FIG. 3, 26
a and 26b are strip conductors in a high impedance line section, 27a and 27b are strip conductors in a low impedance line section, and 28 is an input / output line strip conductor. That is, the high-frequency filter 5 includes the ceramic dielectric substrate 12, the ground conductors 13g and 13h, the strip conductors 26a and 26b in the high impedance line section, the strip conductors 27a and 27b in the low impedance line section,
It is composed of a strip conductor 28 of an input / output line and a gap 29. This is a low-pass filter whose filter section is a suspended strip line and whose input / output section is a strip line.

【0021】次に動作原理について説明する。ここで、
アンテナ放射素子から入射した電波がアンテナ放射素子
接続用端子6を介してシステム化集積回路11に入力さ
れると、まず、高周波フィルタ5により不要周波数の電
波が遮断されて所望周波数の電波のみが取り出される。
次に、この電波はSiGe高周波半導体集積回路2内の
増幅器により増幅され、続いて、BiCMOS高周波半
導体集積回路3に含まれるミキサや直交変調器により周
波数がベースバンド帯まで引き下げられる。さらに、デ
ジタル集積回路4によりA/D変換および位相制御され
た後、ベースバンド信号端子7に取り出される。なお、
BiCMOS高周波半導体集積回路3にはローカル発信
器が含まれており、このローカル発信器はローカル基準
信号端子8を介して供給されるローカル基準信号を基に
ミキサや直交変調器に必要なローカル信号を発生させて
いる。
Next, the operation principle will be described. here,
When a radio wave incident from the antenna radiating element is input to the systematized integrated circuit 11 via the antenna radiating element connection terminal 6, first, a radio wave of an unnecessary frequency is cut off by the high frequency filter 5, and only a radio wave of a desired frequency is extracted. It is.
Next, this radio wave is amplified by an amplifier in the SiGe high-frequency semiconductor integrated circuit 2, and subsequently the frequency is reduced to the baseband band by a mixer or a quadrature modulator included in the BiCMOS high-frequency semiconductor integrated circuit 3. Further, after being subjected to A / D conversion and phase control by the digital integrated circuit 4, it is taken out to the baseband signal terminal 7. In addition,
The BiCMOS high-frequency semiconductor integrated circuit 3 includes a local oscillator, and the local oscillator transmits a local signal necessary for a mixer or a quadrature modulator based on a local reference signal supplied via a local reference signal terminal 8. Is occurring.

【0022】ベースバンド信号端子7に取り出されたベ
ースバンド信号は、バンプ導体25およびベースバンド
信号端子20bを介して誘電体多層基板24に入力され
る。誘電体多層基板24では、多層構造の利点を利用し
て他のアンテナ放射素子から入射した電波のベースバン
ド信号線14や、ローカル基準信号線16、および電源
線18などが不要結合することなく合成されて束ねら
れ、かつ制御信号線17もこれらと接触や結合すること
なく配線され、各線はそれぞれベースバンド信号端子2
0a、ローカル基準信号端子21a、制御信号端子22
a、電源端子23aに接続される。従って、ベースバン
ド信号、ローカル基準信号、制御信号および電源は、誘
電体多層基板24において必要に応じて合成され、ベー
スバンド信号端子20a、ローカル基準信号端子21
a、制御信号端子22a、電源端子23aから取り出さ
れる。
The baseband signal extracted to the baseband signal terminal 7 is input to the dielectric multilayer board 24 via the bump conductor 25 and the baseband signal terminal 20b. In the dielectric multilayer substrate 24, the baseband signal line 14, the local reference signal line 16, and the power supply line 18 of radio waves incident from other antenna radiating elements are combined without unnecessary coupling by utilizing the advantage of the multilayer structure. And the control signal lines 17 are also wired without contacting or coupling with them, and each line is connected to the baseband signal terminal 2.
0a, local reference signal terminal 21a, control signal terminal 22
a, connected to the power supply terminal 23a. Therefore, the baseband signal, the local reference signal, the control signal, and the power supply are combined as necessary in the dielectric multilayer substrate 24, and the baseband signal terminal 20a, the local reference signal terminal 21
a, taken out from the control signal terminal 22a and the power supply terminal 23a.

【0023】このように、図1および図2に示すアンテ
ナ給電回路は、高周波からベースバンドへの周波数変
換、A/D変換、および位相制御機能を含むアンテナ給
電回路としての機能を有する。
As described above, the antenna feed circuits shown in FIGS. 1 and 2 have a function as an antenna feed circuit including a frequency conversion from a high frequency to a baseband, an A / D conversion, and a phase control function.

【0024】以上のように、図1および図2に示すアン
テナ給電回路は、Si系基板1の表面あるいは内部にS
iGe高周波半導体集積回路2、BiCMOS高周波半
導体集積回路3、デジタル集積回路4、および高周波フ
ィルタ5が一体形成されているため、個別の機能を有す
る複数の半導体素子を個別に実装する必要がなく、構造
および製作工程が簡単になり、回路が小形になるととも
に製造コストが安くなるという利点がある。また、誘電
体多層基板24にはベースバンド以下の周波数の電波の
みが入力され伝搬するため、高周波回路素子間の不要結
合や、電源あるいは制御信号線層内での高周波の不要共
振が生じないという利点も有する。さらに、異なる仕様
のアンテナに対してアンテナ給電回路の構成の共通化が
容易であるという利点をも有する効果が得られる。
As described above, the antenna feed circuit shown in FIG. 1 and FIG.
Since the iGe high-frequency semiconductor integrated circuit 2, the BiCMOS high-frequency semiconductor integrated circuit 3, the digital integrated circuit 4, and the high-frequency filter 5 are integrally formed, there is no need to individually mount a plurality of semiconductor elements having individual functions. In addition, there is an advantage that the manufacturing process is simplified, the circuit size is reduced, and the manufacturing cost is reduced. In addition, since only radio waves having a frequency equal to or lower than the baseband are input to and propagated into the dielectric multilayer substrate 24, unnecessary coupling between high-frequency circuit elements and unnecessary high-frequency resonance in the power supply or control signal line layer do not occur. It also has advantages. Further, there is obtained an advantage that it is easy to make the configuration of the antenna feed circuit common to antennas of different specifications.

【0025】以上のように、この実施の形態1では、高
周波フィルタとしてマイクロマシン技術により形成した
空隙29を有するサスペンデッドストリップ線路形フィ
ルタを用いたが、これに代えて導波管形フィルタあるい
はバルク超音波フィルタを用いてもよい。
As described above, in the first embodiment, the suspended strip line filter having the air gap 29 formed by the micromachining technique is used as the high frequency filter. Instead, the waveguide filter or the bulk ultrasonic wave filter is used. A filter may be used.

【0026】実施の形態2.この実施の形態2における
構成要素のうち先の実施の形態1における構成要素と共
通するものについては同一符号を付し、その部分の説明
を省略する。図4において30は誘電体多層基板24の
内部に形成された高周波フィルタである。高周波フィル
タ30は高周波を伝搬するが、誘電体多層基板24内部
のうちシステム化集積回路11に最も近い内層に設けら
れるので、誘電体多層基板24内においてベースバンド
信号層、制御信号層、あるいは電源層への不要結合を生
じる可能性を少なくすることができる。
Embodiment 2 FIG. Components of the second embodiment that are common to those of the first embodiment are given the same reference numerals, and descriptions of those components are omitted. In FIG. 4, reference numeral 30 denotes a high-frequency filter formed inside the dielectric multilayer substrate 24. The high frequency filter 30 propagates a high frequency, but is provided in an inner layer closest to the systematized integrated circuit 11 in the dielectric multilayer substrate 24, so that the baseband signal layer, the control signal layer, or the power supply The possibility of causing unnecessary bonding to the layer can be reduced.

【0027】図4に示すアンテナ給電回路は、図1およ
び図2に示した場合と同様の動作原理、機能、および利
点を有するほか、高周波フィルタ30を誘電体多層基板
24の内部に形成したので、誘電体基板12として比較
的Q値の高いセラミック系基板を用いることにより、高
周波フィルタの低損失化を図ることができるという利点
を有する効果が得られる。
The antenna feed circuit shown in FIG. 4 has the same operating principle, function, and advantages as those shown in FIGS. 1 and 2, and also has the high frequency filter 30 formed inside the dielectric multilayer substrate 24. By using a ceramic substrate having a relatively high Q value as the dielectric substrate 12, there is obtained an advantage that the loss of the high-frequency filter can be reduced.

【0028】実施の形態3.この実施の形態3における
構成要素のうち先の実施の形態1における構成要素と共
通するものについては同一符号を付し、その部分の説明
を省略する。図5において31はSi系基板1のうちの
誘電体多層基板24とは逆側の表面にバンプ導体25を
介して接続された高周波フィルタ、32は誘電体多層基
板24内部のストリップ線路パターン、33は誘電体多
層基板24内部の層間接続用ビアホールである。ストリ
ップ線路パターン32は、地導体13gと13hの間に
設けられ、これら地導体13gと13h、および誘電体
基板12とともに高周波を伝搬するトリプレート線路を
構成している。層間接続用ビアホール33およびストリ
ップ線路パターン32は高周波を伝搬するが、誘電体多
層基板24内部のうちシステム化集積回路11に最も近
い内層に設けられるので、誘電体多層基板24内におい
てベースバンド信号層、制御信号層、あるいは電源層へ
の不要結合を生じる可能性を少なくすることができる。
Embodiment 3 Among the components in the third embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description of those portions is omitted. In FIG. 5, reference numeral 31 denotes a high-frequency filter connected to the surface of the Si-based substrate 1 on the side opposite to the dielectric multilayer substrate 24 via a bump conductor 25; 32, a strip line pattern inside the dielectric multilayer substrate 24; Is a via hole for interlayer connection inside the dielectric multilayer substrate 24. The strip line pattern 32 is provided between the ground conductors 13g and 13h, and constitutes a triplate line for transmitting a high frequency together with the ground conductors 13g and 13h and the dielectric substrate 12. The via hole 33 for interlayer connection and the strip line pattern 32 propagate high frequency, but are provided in the inner layer closest to the systematized integrated circuit 11 in the dielectric multilayer substrate 24, so that the baseband signal layer in the dielectric multilayer substrate 24 is provided. , The possibility of causing unnecessary coupling to the control signal layer or the power supply layer can be reduced.

【0029】図5に示すアンテナ給電回路は、図1およ
び図2に示した場合と同様の動作原理、機能、および利
点を有するほか、高周波フィルタ31をSi系基板のう
ち誘電体多層基板24が配された側とは逆の面に個別部
品で形成したので、フィルタの選定に自由度が増し、高
周波フィルタの小形化、低損失化を図ることができると
いう利点を有する効果が得られる。
The antenna feed circuit shown in FIG. 5 has the same operating principle, functions and advantages as those shown in FIGS. 1 and 2. Since the individual components are formed on the surface opposite to the side on which the components are arranged, the degree of freedom in selecting a filter is increased, and an advantage is obtained in that the size and the loss of the high-frequency filter can be reduced.

【0030】実施の形態4.この実施の形態4における
構成要素のうち先の実施の形態1における構成要素と共
通するものについては同一符号を付し、その部分の説明
を省略する。図6および図7において34は誘電体基
板、35は誘電体基板34の一方の表面に導体膜を密着
して形成されたアレーアンテナ用放射素子としての円形
パッチ、100はシステム化集積回路11と誘電体多層
基板24をバンプ導体25により接続して構成されたア
ンテナ給電回路である。アンテナ給電回路100はサブ
アレー毎に設けられ、誘電体基板34の両面のうち円形
パッチ35が形成された側とは逆の面にフリップチップ
実装されている。
Embodiment 4 Among the components in the fourth embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description of those portions will be omitted. 6 and 7, reference numeral 34 denotes a dielectric substrate; 35, a circular patch as a radiating element for an array antenna formed by closely attaching a conductive film to one surface of the dielectric substrate 34; 100, a systematic integrated circuit 11; This is an antenna feed circuit configured by connecting a dielectric multilayer substrate 24 by bump conductors 25. The antenna feed circuit 100 is provided for each sub-array, and is flip-chip mounted on the opposite surface of the dielectric substrate 34 from the surface on which the circular patch 35 is formed.

【0031】図6および図7に示すアンテナ装置は、以
上のように構成されているため、アンテナ給電回路10
0において図1および図2に示した場合と同様の利点を
有する他、アクティブフェーズドアレーアンテナの小形
化、高密度化、および低価格化を図ることができるとい
う利点を有する。
Since the antenna device shown in FIGS. 6 and 7 is configured as described above, the antenna feed circuit 10
0 has the same advantages as those shown in FIGS. 1 and 2, and also has the advantage that the active phased array antenna can be reduced in size, density, and cost.

【0032】実施の形態5.この実施の形態5では、図
8に示すように、先の実施の形態4における構成にさら
に、全ての円形パッチ35に対応するシステム化集積回
路11を1枚のSi系ウエハ上に一体形成している。シ
ステム化集積回路11は図8および図9に示すように誘
電体基板34の両面のうち円形パッチ35が配された側
とは逆の面(裏面)にフリップチップ実装されており、
バンプ導体(図示せず)およびアンテナ放射素子接続用
端子(図示せず)により誘電体基板34と電気的に接続
されている。なお、この実施の形態5における構成要素
のうち先の実施の形態1における構成要素と共通するも
のについては同一符号を付し、その部分の説明を省略す
る。
Embodiment 5 In the fifth embodiment, as shown in FIG. 8, the systemized integrated circuit 11 corresponding to all the circular patches 35 is integrally formed on one Si-based wafer in addition to the configuration of the fourth embodiment. ing. As shown in FIGS. 8 and 9, the systematized integrated circuit 11 is flip-chip mounted on the opposite side (rear side) of the dielectric substrate 34 from the side on which the circular patch 35 is disposed.
It is electrically connected to the dielectric substrate 34 by bump conductors (not shown) and antenna radiating element connection terminals (not shown). Note that among the components in the fifth embodiment, those that are common to the components in the first embodiment are given the same reference numerals, and descriptions of those portions are omitted.

【0033】図8および図9に示すアンテナ装置は、以
上のように構成されているため、アンテナ給電回路10
0において図1および図2に示した場合と同様の利点を
有する他、アクティブフェーズドアレーアンテナの小形
化、高密度化、および低価格化を図ることができるとい
う利点を有する効果が得られる。
Since the antenna device shown in FIGS. 8 and 9 is configured as described above, the antenna feed circuit 10
0 has the same advantages as those shown in FIGS. 1 and 2, and also has the advantage that the active phased array antenna can be reduced in size, increased in density, and reduced in cost.

【0034】実施の形態6.この実施の形態6では、図
10に示すように先の実施の形態5における構成にさら
に、全ての円形パッチ35をSi系ウエハ上に一体形成
されたシステム化集積回路11の表面に導体膜を密着し
て形成している。誘電体多層基板24は、図10および
図11に示すようにシステム化集積回路11の両面のう
ち円形パッチ35が配された側とは逆の面にフリップチ
ップ実装されており、両者はバンプ導体(図示せず)、
ベースバンド信号端子(図示せず)、ローカル基準信号
端子(図示せず)、制御信号端子(図示せず)および電
源端子(図示せず)により電気的に接続されている。な
お、この実施の形態6における構成要素のうち先の実施
の形態1における構成要素と共通するものについては同
一符号を付し、その部分の説明を省略する。
Embodiment 6 FIG. In the sixth embodiment, as shown in FIG. 10, a conductor film is formed on the surface of a system integrated circuit 11 in which all the circular patches 35 are integrally formed on a Si-based wafer, in addition to the configuration of the fifth embodiment. It is formed in close contact. As shown in FIGS. 10 and 11, the dielectric multilayer substrate 24 is flip-chip mounted on the opposite surface of the systemized integrated circuit 11 from the surface on which the circular patch 35 is disposed, and both of them are bump conductors. (Not shown),
They are electrically connected by a baseband signal terminal (not shown), a local reference signal terminal (not shown), a control signal terminal (not shown), and a power supply terminal (not shown). Note that among the components in the sixth embodiment, those that are common to the components in the first embodiment are given the same reference numerals, and descriptions of those portions are omitted.

【0035】図10および図11に示すアンテナ装置
は、以上のように構成されているため、給電回路におい
て図1の場合と同様の利点を有する他、アクティブフェ
ーズドアレーアンテナの小形化、高密度化、および低価
格化を図ることができるという利点を有する効果が得ら
れる。
Since the antenna devices shown in FIGS. 10 and 11 are configured as described above, they have the same advantages in the power supply circuit as in FIG. 1, and also reduce the size and the density of the active phased array antenna. And an advantage that the cost can be reduced.

【0036】実施の形態7.この実施の形態7の特徴
は、図12に示すように、先の実施の形態1および2に
おけるシステム化集積回路11の両面のうち、誘電体多
層基板24が配された側とは逆の面に導体膜を密着して
円形パッチ35を形成し、1素子あるいはサブアレーに
対応したサブアンテナ装置200を構成し、さらに必要
数のサブアンテナ装置200をマザーボード36の表面
にフリップチップ実装している点にある。なお、この実
施の形態7における構成要素のうち先の実施の形態1に
おける構成要素と共通するものについては同一符号を付
し、その部分の説明を省略する。
Embodiment 7 The feature of the seventh embodiment is that, as shown in FIG. 12, of the two surfaces of the systematized integrated circuit 11 in the first and second embodiments, the surface opposite to the surface on which the dielectric multilayer substrate 24 is arranged is provided. A circular patch 35 is formed by closely adhering a conductor film to a sub-antenna device 200 corresponding to one element or a sub-array, and a required number of sub-antenna devices 200 are flip-chip mounted on the surface of a motherboard 36. It is in. Note that, of the components in the seventh embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description of those portions will be omitted.

【0037】図12に示すアンテナ装置は、以上のよう
に構成されているため、給電回路において先の実施の形
態1あるいは2の場合と同様の利点を有する他、アクテ
ィブフェーズドアレーアンテナの小形化、高密度化、お
よび低価格化を図ることができるという利点を有する効
果が得られる。
Since the antenna device shown in FIG. 12 is configured as described above, it has the same advantages in the feeder circuit as those in the first or second embodiment, and further reduces the size of the active phased array antenna. An effect is obtained that has the advantage of achieving higher density and lower cost.

【0038】実施の形態8.この実施の形態8の特徴
は、図13に示すように、先の実施の形態5において全
ての円形パッチ35に対応した誘電体多層基板24を一
体形成した点にある。この一体形成された誘電体多層基
板24は、同様に一体形成されたシステム化集積回路1
1の両面のうち誘電体基板34が配された側とは逆の面
にフリップチップ実装されており、両者はバンプ導体
(図示せず)、ベースバンド信号端子(図示せず)、ロ
ーカル基準信号端子(図示せず)、制御信号端子(図示
せず)、および電源端子(図示せず)により電気的に接
続されている。
Embodiment 8 FIG. The feature of the eighth embodiment is that, as shown in FIG. 13, the dielectric multilayer substrate 24 corresponding to all the circular patches 35 in the fifth embodiment is integrally formed. The integrally formed dielectric multi-layer substrate 24 is similarly integrated with the systematized integrated circuit 1.
1 are flip-chip mounted on the surface opposite to the surface on which the dielectric substrate 34 is disposed, and both of them are bump conductors (not shown), baseband signal terminals (not shown), and local reference signals. Terminals (not shown), control signal terminals (not shown), and power supply terminals (not shown) are electrically connected.

【0039】実施の形態9.この実施の形態9の特徴
は、図14に示すように、先の実施の形態6の構成にお
いて全ての円形パッチ35に対応した誘電体多層基板2
4を一体形成している点にある。この一体形成された誘
電体多層基板24は、同様に一体形成されたシステム化
集積回路11の両面のうち円形パッチ35が配された側
と逆の面にフリップチップ実装されており、両者はバン
プ導体(図示せず)、ベースバンド信号端子(図示せ
ず)、ローカル基準信号端子(図示せず)、制御信号端
子(図示せず)および電源端子(図示せず)により電気
的に接続されている。
Embodiment 9 The feature of the ninth embodiment is that, as shown in FIG. 14, the dielectric multi-layer substrate 2 corresponding to all the circular patches 35 in the configuration of the sixth embodiment.
4 is integrally formed. The integrally formed dielectric multilayer substrate 24 is flip-chip mounted on the opposite surface of the similarly integrated systemized integrated circuit 11 from the surface on which the circular patch 35 is disposed. Electrically connected by conductors (not shown), baseband signal terminals (not shown), local reference signal terminals (not shown), control signal terminals (not shown), and power supply terminals (not shown) I have.

【0040】図14に示すアンテナ装置は、以上のよう
に構成されているため、給電回路において図1の場合と
同様の利点を有する他、アクティブフェーズドアレーア
ンテナの小形化、高密度化、および低価格化を図ること
ができるという利点を有する。
Since the antenna device shown in FIG. 14 is configured as described above, it has the same advantages in the power supply circuit as in FIG. 1, and the active phased array antenna can be reduced in size, increased in density, and reduced in power. There is an advantage that the price can be increased.

【0041】なお、上記各実施の形態1〜9における基
板と回路との接続方法には、接続後に導通する必要があ
る個所では上述のバンプ導体25の他に、ハンダ、銀ペ
ースト等の導体ペーストなどを好適に用いることができ
る。また、接続後に導通する必要がない箇所では例えば
ビスマス−ニオブ酸化物等の誘電体材料あるいは上記導
体ペーストとの混合物なども用いることができる。
In the connection method between the substrate and the circuit in each of the first to ninth embodiments, a conductive paste such as solder, silver paste, etc. Etc. can be suitably used. Further, in places where conduction is not required after connection, a dielectric material such as bismuth-niobium oxide or a mixture with the above-mentioned conductor paste can be used.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Si
系基板に高周波集積回路およびデジタル集積回路を一体
形成し、かつシステム化集積回路上に誘電体多層基板を
積層するように構成したので、個別の機能を有する複数
の半導体素子を個別に実装する必要がなく、構造および
製作工程が簡単になり、アンテナ給電回路の小形化、高
密度化、および低価格化を図ることができる共に、小型
化および高密度化により異なる仕様のアンテナに対して
容易に構成の共通化を図ることができる効果がある。
As described above, according to the present invention, Si
High-frequency integrated circuits and digital integrated circuits are integrally formed on a system substrate, and a dielectric multilayer substrate is laminated on a systematized integrated circuit.Therefore, it is necessary to individually mount a plurality of semiconductor elements having individual functions. The structure and manufacturing process are simplified, and the antenna feed circuit can be reduced in size, density, and price. There is an effect that the configuration can be shared.

【0043】この発明によれば、Si系基盤、高周波集
積回路、デジタル集積回路、誘電体多層基板およびシス
テム化集積回路を多層構造で接続手段により接続するよ
うに構成したので、他のアンテナ放射素子から入射した
電波の各信号線および電源線などが不要結合するのを確
実に防止することができる効果がある。
According to the present invention, since the Si-based substrate, the high-frequency integrated circuit, the digital integrated circuit, the dielectric multilayer substrate, and the systematized integrated circuit are connected by the connecting means in a multilayer structure, other antenna radiating elements are provided. Thus, there is an effect that it is possible to reliably prevent unnecessary coupling of signal lines, power supply lines, and the like of radio waves incident from above.

【0044】この発明によれば、不要周波数の電波を遮
断する高周波フィルタをSi系基板の表面上に搭載する
ように構成したので、Si系基板の裏面に配された誘電
体多層基板にはベースバンド以下の周波数の電波のみが
入力され伝搬することになることから、高周波回路素子
間の不要結合や、電源あるいは制御信号線層内での高周
波の不要共振の発生を防止することができる効果があ
る。
According to the present invention, since the high frequency filter for blocking unnecessary frequency radio waves is mounted on the surface of the Si-based substrate, the dielectric multilayer substrate disposed on the back surface of the Si-based substrate has a base. Since only radio waves having a frequency equal to or lower than the band are input and propagated, there is an effect that unnecessary coupling between high-frequency circuit elements and occurrence of unnecessary high-frequency resonance in a power supply or a control signal line layer can be prevented. is there.

【0045】この発明によれば、高周波フィルタとして
バルク超音波フィルタ、マイクロマシン技術により中空
空洞部を有するサスペンデッドストリップ線路形フィル
タあるいは導波管形フィルタを用いるように構成したの
で、更なる低損失化を図ることができる効果がある。
According to the present invention, a bulk ultrasonic filter is used as the high frequency filter, and a suspended strip line type filter or a waveguide type filter having a hollow cavity is formed by a micro-machine technology, so that the loss can be further reduced. There is an effect that can be achieved.

【0046】この発明によれば、高周波フィルタを誘電
体多層基板の内部に形成するように構成したので、高周
波フィルタの低損失化を図ることができる効果がある。
According to the present invention, since the high frequency filter is formed inside the dielectric multilayer substrate, there is an effect that the loss of the high frequency filter can be reduced.

【0047】この発明によれば、高周波フィルタをSi
系基板のうち誘電体多層基板が配された側とは逆の面に
個別部品で形成したので、フィルタの選定に自由度が増
し、高周波フィルタの小形化および低損失化を図ること
ができる効果がある。
According to the present invention, the high frequency filter is made of Si
Since individual components are formed on the surface of the system substrate opposite to the side on which the dielectric multilayer substrate is arranged, the degree of freedom in selecting a filter increases, and the effect of reducing the size and reducing loss of the high-frequency filter can be achieved. There is.

【0048】この発明によれば、サブアレー毎に上述の
アンテナ給電回路を誘電体基板の裏面にフリップチップ
実装するように構成したので、アンテナ装置の小形化、
高密度化、および低価格化を図ることができる効果があ
る。
According to the present invention, since the above-described antenna feed circuit is mounted on the back surface of the dielectric substrate for each sub-array by flip-chip mounting, the antenna device can be downsized.
This has the effect of achieving higher density and lower cost.

【0049】この発明によれば、誘電体基板の一方の面
に放射素子および上述のアンテナ給電回路を設け、当該
放射素子に対応したシステム化集積回路をSi系基板ウ
エハに一体形成し、当該Si系基板ウエハを誘電体基板
の他方の面に積層するように積層し、システム化集積回
路を放射素子に接続するように構成したので、アンテナ
装置の小形化、高密度化、および低価格化を図ることが
できる効果がある。
According to the present invention, a radiating element and the above-described antenna feed circuit are provided on one surface of a dielectric substrate, and a systematized integrated circuit corresponding to the radiating element is integrally formed on a Si-based substrate wafer. Since the system substrate wafer is stacked so as to be stacked on the other surface of the dielectric substrate, and the systematized integrated circuit is connected to the radiating element, the antenna device can be reduced in size, density, and cost. There is an effect that can be achieved.

【0050】この発明によれば、上述のアンテナ給電回
路における放射素子全体に対応するシステム化集積回路
を同一のSi系基板ウエハに一体形成し、Si系基板ウ
エハの両面のうち誘電体基板が配された面とは逆の面に
放射素子を形成したので、アンテナ装置の小形化、高密
度化、および低価格化を図ることができる効果がある。
According to the present invention, a system integrated circuit corresponding to the entire radiating element in the above-described antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer, and the dielectric substrate is disposed on both surfaces of the Si-based substrate wafer. Since the radiating element is formed on the surface opposite to the surface that has been formed, there is an effect that the antenna device can be reduced in size, increased in density, and reduced in cost.

【0051】この発明によれば、Si系基板に誘電体多
層基板を配し、当該Si系基板の両面のうち誘電体多層
基板が配された面とは逆の面に放射素子を形成し、当該
面に各信号線、各端子を含むマザーボードを近接させ、
このマザーボード上に上述のアンテナ給電回路を面実装
するように構成したので、アンテナ装置の小形化、高密
度化、および低価格化を図ることができる効果がある。
According to the present invention, the dielectric multilayer substrate is disposed on the Si-based substrate, and the radiating element is formed on the opposite surface of the both surfaces of the Si-based substrate from the surface on which the dielectric multilayer substrate is disposed. Bring each signal line and the motherboard including each terminal close to the surface,
Since the above-described antenna feed circuit is configured to be surface-mounted on the motherboard, there is an effect that the antenna device can be reduced in size, increased in density, and reduced in cost.

【0052】この発明によれば、誘電体基板の一方の面
に放射素子および上述のアンテナ給電回路を設け、当該
放射素子に対応したシステム化集積回路をSi系基板ウ
エハに一体形成し、当該Si系基板ウエハを誘電体基板
の他方の面に積層して面実装し、システム化集積回路を
放射素子に接続し、Si系基板ウエハの両面のうち上記
誘電体基板が配された側と逆の面に誘電体基板を積層す
るように構成したので、アンテナ装置の小形化、高密度
化、および低価格化を図ることができる効果がある。
According to the present invention, a radiating element and the above-described antenna feed circuit are provided on one surface of a dielectric substrate, and a systematized integrated circuit corresponding to the radiating element is integrally formed on a Si-based substrate wafer. The system substrate wafer is stacked on the other surface of the dielectric substrate and surface-mounted, the systematized integrated circuit is connected to the radiating element, and the opposite side of the both surfaces of the Si substrate wafer from the side on which the dielectric substrate is disposed Since the dielectric substrate is stacked on the surface, the antenna device can be reduced in size, increased in density, and reduced in cost.

【0053】この発明によれば、上述のアンテナ給電回
路における略全ての放射素子に対応するシステム化集積
回路を同一のSi系基板ウエハに一体形成し、当該Si
系基板ウエハの一方の面に放射素子を形成し、当該Si
系基板ウエハの他方の面にシステム化集積回路の略全体
に対応する誘電体多層基板を積層するように構成したの
で、アンテナ装置の小形化、高密度化、および低価格化
を図ることができる効果がある。
According to the present invention, a system integrated circuit corresponding to almost all radiating elements in the above-described antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer,
A radiating element is formed on one surface of a
Since the dielectric multi-layer substrate corresponding to substantially the entire systemized integrated circuit is laminated on the other surface of the system substrate wafer, the antenna device can be reduced in size, density, and cost. effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1によるアンテナ給電
回路の構成を示す概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a configuration of an antenna feed circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1におけるII−II線で断面視した概略
断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view taken along a line II-II in FIG.

【図3】 この発明の実施の形態1によるアンテナ給電
回路における高周波フィルタの構成を示す概略断面図で
ある。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a configuration of a high-frequency filter in the antenna feed circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態2によるアンテナ給電
回路の構成を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view illustrating a configuration of an antenna feed circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態3による多層高周波回
路の構成を示す概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a configuration of a multilayer high-frequency circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態4によるアンテナ装置
の表面側の構成を示す概略斜視図である。
FIG. 6 is a schematic perspective view showing a configuration of a front side of an antenna device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】 図6に示したアンテナ装置の裏面側の構成を
示す概略斜視図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view showing a configuration on the back side of the antenna device shown in FIG. 6;

【図8】 この発明の実施の形態5によるアンテナ装置
の表面側の構成を示す概略斜視図である。
FIG. 8 is a schematic perspective view showing a configuration of a front side of an antenna device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】 図8に示したアンテナ装置の裏面側の構成を
示す概略斜視図である。
FIG. 9 is a schematic perspective view showing a configuration on the back side of the antenna device shown in FIG. 8;

【図10】 この発明の実施の形態6によるアンテナ装
置を示す構成図である。
FIG. 10 is a configuration diagram illustrating an antenna device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】 図10に示したアンテナ装置の裏面側の構
成を示す概略斜視図である。
11 is a schematic perspective view showing a configuration on the back side of the antenna device shown in FIG.

【図12】 この発明の実施の形態7によるアンテナ装
置の構成を示す概略斜視図である。
FIG. 12 is a schematic perspective view showing a configuration of an antenna device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図13】 この発明の実施の形態8によるアンテナ装
置の構成を示す概略斜視図である。
FIG. 13 is a schematic perspective view showing a configuration of an antenna device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図14】 この発明の実施の形態9によるアンテナ装
置の構成を示す概略斜視図である。
FIG. 14 is a schematic perspective view showing a configuration of an antenna device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図15】 従来のアンテナ給電回路の構成を示す概略
断面図である。
FIG. 15 is a schematic sectional view showing a configuration of a conventional antenna feed circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 Si系基板、2 SiGe高周波半導体集積回路、
3 BiCMOS高周波半導体集積回路、4 デジタル
集積回路、5,30,31 高周波フィルタ、6 アン
テナ放射素子接続用端子、7,20a,20b ベース
バンド信号端子、9,22a,22b 制御信号端子、
10,23a,23b 電源端子、11システム化集積
回路、12 セラミック系の誘電体基板、14 ベース
バンド信号線、17 制御信号線、18 電源線、24
誘電体多層基板、25 バンプ導体(接続手段)、2
9 空隙(中空空洞部)、34 誘電体基板、100ア
ンテナ給電回路。
1 Si-based substrate, 2 SiGe high-frequency semiconductor integrated circuit,
3 BiCMOS high frequency semiconductor integrated circuit, 4 digital integrated circuit, 5, 30, 31 high frequency filter, 6 antenna radiating element connection terminal, 7, 20a, 20b baseband signal terminal, 9, 22a, 22b control signal terminal,
10, 23a, 23b power supply terminal, 11 systematized integrated circuit, 12 ceramic dielectric substrate, 14 baseband signal line, 17 control signal line, 18 power supply line, 24
Dielectric multilayer substrate, 25 bump conductors (connection means), 2
9 air gap (hollow cavity), 34 dielectric substrate, 100 antenna feed circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高木 直 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 伊藤 康之 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 三須 幸一郎 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5J021 AA09 AB06 CA02 FA23 FA26 FA29 JA08 JA09  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Nao Takagi 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Mitsubishi Electric Corporation (72) Inventor Yasuyuki Ito 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Rishi Electric Co., Ltd. (72) Inventor Koichiro Misu 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 5J021 AA09 AB06 CA02 FA23 FA26 FA29 JA08 JA09

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Si系基板と、該Si系基板内部あるい
は表面に形成された高周波半導体集積回路と、上記Si
系基板内部あるいは表面に形成されたデジタル集積回路
と、少なくとも上記高周波半導体集積回路とデジタル集
積回路を同一の上記Si系基板に一体形成して成り、か
つ少なくともアンテナ放射素子接続用端子、ベースバン
ド信号端子、制御信号端子および電源端子を備えたシス
テム化集積回路と、少なくともベースバンド信号線、制
御信号線および電源線を内蔵し、かつベースバンド信号
端子、制御信号端子および電源端子を備え、これらの端
子が上記システム化集積回路の対応する端子と対向する
ように上記システム化集積回路上に積層して配置された
誘電体多層基板と、該誘電体多層基板および上記システ
ム化集積回路における互いに対応する端子同士を接続す
る接続手段とを備えたことを特徴とするアンテナ給電回
路。
An Si-based substrate; a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate;
A digital integrated circuit formed inside or on a system substrate, at least the high-frequency semiconductor integrated circuit and the digital integrated circuit are integrally formed on the same Si-based substrate, and at least an antenna radiating element connection terminal and a baseband signal. Terminals, a systematized integrated circuit having a control signal terminal and a power supply terminal, and at least a baseband signal line, a control signal line and a power supply line, and a baseband signal terminal, a control signal terminal and a power supply terminal. A dielectric multilayer substrate, which is stacked on the systemized integrated circuit so that the terminal faces a corresponding terminal of the systematized integrated circuit, and corresponds to each other in the dielectric multilayer substrate and the systematized integrated circuit. An antenna power supply circuit, comprising: connection means for connecting terminals.
【請求項2】 Si系基板と、該Si系基板内部あるい
は表面に形成された高周波半導体集積回路と、上記Si
系基板内部あるいは表面に形成された高周波フィルタ
と、上記Si系基板内部あるいは表面に形成されたデジ
タル集積回路と、少なくとも上記高周波半導体集積回
路、高周波フィルタおよびデジタル集積回路を同一の上
記Si系基板に一体形成して成り、かつ少なくともアン
テナ放射素子接続用端子、ベースバンド信号端子、制御
信号端子および電源端子を備えたシステム化集積回路
と、少なくともベースバンド信号線、制御信号線および
電源線を内蔵し、かつベースバンド信号端子、制御信号
端子および電源端子を備え、これらの端子が上記システ
ム化集積回路の対応する端子と対向するように上記シス
テム化集積回路上に積層して配置された誘電体多層基板
と、該誘電体多層基板および上記システム化集積回路に
おける互いに対応する端子同士を接続する接続手段とを
備えたことを特徴とするアンテナ給電回路。
2. An Si-based substrate; a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate;
A high-frequency filter formed inside or on the surface of the system substrate, a digital integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate, and at least the high-frequency semiconductor integrated circuit, high-frequency filter, and digital integrated circuit on the same Si-based substrate. A systematized integrated circuit formed integrally and having at least an antenna radiating element connection terminal, a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal, and at least a baseband signal line, a control signal line, and a power supply line. And a dielectric multi-layer disposed on the systemized integrated circuit so as to include a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal, and the terminals facing the corresponding terminals of the systemized integrated circuit. Substrate and corresponding ends of the dielectric multilayer substrate and the systemized integrated circuit Antenna feeding circuit, characterized in that a connection means for connecting to each other.
【請求項3】 高周波フィルタとしてバルク超音波フィ
ルタを用いたことを特徴とする請求項2記載のアンテナ
給電回路。
3. The antenna feed circuit according to claim 2, wherein a bulk ultrasonic filter is used as the high frequency filter.
【請求項4】 高周波フィルタとしてマイクロマシン技
術による中空空洞部を有するサスペンデッドストリップ
線路形フィルタあるいは導波管形フィルタを用いたこと
を特徴とする請求項2記載のアンテナ給電回路。
4. The antenna feed circuit according to claim 2, wherein a suspended stripline type filter or a waveguide type filter having a hollow cavity formed by a micromachine technology is used as the high frequency filter.
【請求項5】 Si系基板と、該Si系基板内部あるい
は表面に形成された高周波半導体集積回路と、上記Si
系基板内部あるいは表面に形成されたデジタル集積回路
と、少なくとも上記高周波半導体集積回路とデジタル集
積回路を同一の上記Si系基板に一体形成して成り、か
つ少なくともアンテナ放射素子接続用端子、高周波フィ
ルタ接続用端子、ベースバンド信号端子、制御信号端子
および電源端子を備えたシステム化集積回路と、少なく
とも高周波フィルタ、高周波信号線、ベースバンド信号
線、制御信号線および電源線を内蔵し、かつ高周波フィ
ルタ接続用端子、ベースバンド信号端子、制御信号端子
および電源端子を備え、これらの端子が上記システム化
集積回路の対応する端子と対向するように上記システム
化集積回路上に積層して配置された誘電体多層基板と、
該誘電体多層基板および上記システム化集積回路におけ
る互いに対応する端子同士を接続する接続手段とを備え
たことを特徴とするアンテナ給電回路。
5. A Si-based substrate, a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate,
A digital integrated circuit formed inside or on a system substrate, at least the high-frequency semiconductor integrated circuit and the digital integrated circuit integrally formed on the same Si-based substrate, and at least an antenna radiating element connection terminal and a high-frequency filter connection Systemized integrated circuit having terminals for control, baseband signal terminals, control signal terminals and power supply terminals, and at least a high-frequency filter, a high-frequency signal line, a baseband signal line, a control signal line and a power supply line, and a high-frequency filter connection And a baseband signal terminal, a control signal terminal, and a power supply terminal. The dielectric is stacked on the systematized integrated circuit so that these terminals face the corresponding terminals of the systematized integrated circuit. A multilayer substrate,
An antenna feed circuit comprising: a connection means for connecting the dielectric multilayer substrate and terminals corresponding to each other in the system integrated circuit.
【請求項6】 Si系基板と、該Si系基板内部あるい
は表面に形成された高周波半導体集積回路と、上記Si
系基板内部あるいは表面に形成されたデジタル集積回路
と、少なくとも上記高周波半導体集積回路とデジタル集
積回路を同一の上記Si系基板に一体形成して成り、か
つ少なくともアンテナ放射素子接続用端子、高周波フィ
ルタ接続用端子、ベースバンド信号端子、制御信号端子
および電源端子を備えたシステム化集積回路と、少なく
ともベースバンド信号線、制御信号線および電源線を内
蔵し、かつベースバンド信号端子、制御信号端子および
電源端子を備え、これらの端子が上記システム化集積回
路の対応する端子と対向するように上記システム化集積
回路上に積層して配置された誘電体多層基板と、該誘電
体多層基板および上記システム化集積回路における互い
に対応する端子同士を接続する第1の接続手段と、上記
システム化集積回路の両面のうち誘電体多層基板が配さ
れた側と逆の表面に積層して配置された高周波フィルタ
と、該高周波フィルタと上記システム化集積回路とを上
記高周波フィルタ接続用端子を介して接続する第2の接
続手段とを備えたことを特徴とするアンテナ給電回路。
6. A Si-based substrate; a high-frequency semiconductor integrated circuit formed inside or on the surface of the Si-based substrate;
A digital integrated circuit formed inside or on a system substrate, at least the high-frequency semiconductor integrated circuit and the digital integrated circuit integrally formed on the same Si-based substrate, and at least an antenna radiating element connection terminal and a high-frequency filter connection Systemized integrated circuit having a terminal for use, a baseband signal terminal, a control signal terminal and a power supply terminal, and at least a baseband signal line, a control signal line and a power supply line, and a baseband signal terminal, a control signal terminal and a power supply A dielectric multilayer substrate disposed on the system integrated circuit so that these terminals face corresponding terminals of the system integrated circuit; and the dielectric multilayer substrate and the system multilayer integrated circuit. First connecting means for connecting mutually corresponding terminals of the integrated circuit; And a high-frequency filter laminated on the surface opposite to the surface on which the dielectric multilayer substrate is provided, and the high-frequency filter and the systematized integrated circuit are connected via the high-frequency filter connection terminal. An antenna feed circuit comprising: a second connection unit.
【請求項7】 誘電体基板と、該誘電体基板の一方の面
に導体膜を密着して形成された1つあるいは複数個の放
射素子と、該放射素子のうちの1素子ごとに、あるいは
サブアレーごとに一体で構成された請求項1から請求項
6のうちいずれか1項記載のアンテナ給電回路を備え、
上記誘電体基板の他方の面に、上記アンテナ給電回路を
必要数だけ、アンテナ放射素子接続用端子を介して接続
し、面実装したことを特徴とするアンテナ装置。
7. A dielectric substrate, one or more radiating elements formed by closely attaching a conductive film to one surface of the dielectric substrate, and one of the radiating elements, or The antenna feed circuit according to any one of claims 1 to 6, wherein the antenna feed circuit is integrally formed for each sub-array,
An antenna device, wherein a required number of the antenna feed circuits are connected to the other surface of the dielectric substrate via antenna radiating element connection terminals, and are surface-mounted.
【請求項8】 誘電体基板と、該誘電体基板の一方の面
に導体膜を密着して形成された1つあるいは複数個の放
射素子と、請求項1から請求項5のうちいずれか1項記
載のアンテナ給電回路を備え、該アンテナ給電回路にお
ける上記放射素子全体に対応したシステム化集積回路を
同一のSi系基板ウエハに一体形成し、上記誘電体基板
の他方の面に上記Si系基板ウエハを積層して面実装
し、上記Si系基板ウエハに含まれるシステム化集積回
路を、アンテナ放射素子接続用端子を介して上記放射素
子に接続したことを特徴とするアンテナ装置。
8. A dielectric substrate, and one or more radiating elements formed by closely attaching a conductive film to one surface of the dielectric substrate, and any one of claims 1 to 5. A system integrated circuit corresponding to the entire radiating element in the antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer, and the Si-based substrate is provided on the other surface of the dielectric substrate. An antenna device, comprising: stacking and surface mounting a wafer; and connecting a systematized integrated circuit included in the Si-based substrate wafer to the radiating element via an antenna radiating element connection terminal.
【請求項9】 請求項1から請求項5のうちいずれか1
項記載のアンテナ給電回路を備え、該アンテナ給電回路
における放射素子全体に対応したシステム化集積回路を
同一のSi系基板ウエハに一体形成し、Si系基板ウエ
ハの両面のうち誘電体多層基板が配された面とは逆の面
に導体膜を密着して放射素子を形成したことを特徴とす
るアンテナ装置。
9. The method according to claim 1, wherein
The system integrated circuit corresponding to the entire radiating element in the antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer, and the dielectric multilayer substrate is disposed on both surfaces of the Si-based substrate wafer. An antenna device, wherein a radiating element is formed by closely attaching a conductive film to a surface opposite to a surface on which the radiating element is formed.
【請求項10】 請求項1から請求項5のうちいずれか
1項記載のアンテナ給電回路と、少なくともベースバン
ド信号線、制御信号線、および電源線を内蔵し、ベース
バンド信号端子、制御信号端子、および電源端子を含む
マザーボードを備え、上記アンテナ給電回路におけるシ
ステム化集積回路を構成するSi系基板の両面のうち誘
電体多層基板が配された面とは逆の面に導体膜を密着し
て放射素子を形成し、かつ上記誘電体多層基板のうちシ
ステム化集積回路が配された側とは逆の面を上記マザー
ボードと近接対向させ、上記ベースバンド信号端子、制
御信号端子および電源端子同士を接続して、上記アンテ
ナ給電回路を上記マザーボード上に面実装したことを特
徴とするアンテナ装置。
10. A baseband signal terminal and a control signal terminal, wherein the antenna feed circuit according to claim 1 and at least a baseband signal line, a control signal line, and a power supply line are built-in. And a mother board including a power supply terminal, and a conductor film is adhered to a surface of the Si-based substrate constituting the systemized integrated circuit in the antenna feed circuit, which is opposite to the surface on which the dielectric multilayer substrate is disposed. A radiating element is formed, and a surface of the dielectric multilayer substrate opposite to the side on which the systematized integrated circuit is disposed is closely opposed to the motherboard, and the baseband signal terminal, the control signal terminal, and the power terminal are connected to each other. An antenna device, wherein the antenna feeding circuit is connected and surface-mounted on the motherboard.
【請求項11】 誘電体基板と、該誘電体基板の一方の
面に導体膜を密着して形成された1つあるいは複数個の
放射素子と、請求項1から請求項5のうちいずれか1項
記載のアンテナ給電回路を備え、該アンテナ給電回路に
おける放射素子全体に対応したシステム化集積回路を同
一のSi系基板ウエハに一体形成し、上記誘電体基板の
他方の面に上記Si系基板ウエハを積層して面実装し、
上記Si系基板ウエハに含まれるシステム化集積回路
を、アンテナ放射素子接続用端子を介して放射素子に接
続し、一体形成された上記システム化集積回路の略全体
に対応する誘電体多層基板を一体形成し、上記Si系基
板ウエハの両面のうち上記誘電体基板が配された側と逆
の面に、一体形成された上記誘電体多層基板を積層して
設けたことを特徴とするアンテナ装置。
11. A dielectric substrate, and one or more radiating elements formed by closely attaching a conductive film to one surface of the dielectric substrate, and any one of claim 1 to claim 5. A system integrated circuit corresponding to the entire radiating element in the antenna feed circuit is integrally formed on the same Si-based substrate wafer, and the Si-based substrate wafer is provided on the other surface of the dielectric substrate. Are stacked and surface-mounted,
A system integrated circuit included in the Si-based substrate wafer is connected to a radiating element via an antenna radiating element connection terminal, and a dielectric multilayer substrate corresponding to substantially the entire integrated system circuit integrated circuit is integrated. An antenna device, wherein the integrally formed dielectric multilayer substrate is provided on a surface of the Si-based substrate wafer opposite to a surface on which the dielectric substrate is disposed, on both surfaces of the Si-based substrate wafer.
【請求項12】 請求項1から請求項5のうちいずれか
1項記載のアンテナ給電回路を備え、該アンテナ給電回
路における略全ての放射素子に対応したシステム化集積
回路を同一のSi系基板ウエハに一体形成し、上記Si
系基板ウエハの一方の面に略全ての放射素子を導体膜を
密着して形成し、一体形成された上記システム化集積回
路の略全体に対応する誘電体多層基板を一体形成し、上
記Si系基板ウエハの他方の面に、一体形成された上記
誘電体多層基板を積層して設けたことを特徴とするアン
テナ装置。
12. An Si-based substrate wafer comprising the antenna feed circuit according to any one of claims 1 to 5, wherein systematized integrated circuits corresponding to almost all radiating elements in the antenna feed circuit are provided on the same Si-based substrate wafer. Formed integrally with the Si
On one surface of a system substrate wafer, substantially all radiating elements are formed by closely adhering a conductor film, and a dielectric multilayer substrate corresponding to substantially the whole of the integrally formed systematized integrated circuit is integrally formed. An antenna device, wherein the dielectric multilayer substrate integrally formed is laminated on the other surface of a substrate wafer.
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