【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のソース信号線に画像信号を供給するソース信号線駆動回路と、
複数のゲイト信号線に選択信号を供給するゲイト信号線駆動回路と、
画素ＴＦＴおよび前記画素ＴＦＴのドレイン電極に接続された画素電極を有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素ＴＦＴのソース電極には前記ソース信号線が接続され、前記画素ＴＦＴのゲイト電極には前記ゲイト信号線が接続されているアクティブマトリクス回路と、
２つの対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極とに挟まれた表示媒体と、
を有するアクティブマトリクス型半導体表示装置であって、
前記２つの対向電極は、前記複数のソース信号線のうち一本毎のソース信号線に対応した画素に対応して、それぞれ配置されており、
前記２つの対向電極には、対応するソース信号線に供給される画像信号の電位と反対の電位がそれぞれ与えられるアクティブマトリクス型半導体表示装置。
【請求項２】
複数のソース信号線に画像信号を供給するソース信号線駆動回路と、
複数のゲイト信号線に選択信号を供給するゲイト信号線駆動回路と、
画素ＴＦＴおよび前記画素ＴＦＴのドレイン電極に接続された画素電極を有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素ＴＦＴのソース電極には前記ソース信号線が接続され、前記画素ＴＦＴのゲイト電極には前記ゲイト信号線が接続されているアクティブマトリクス回路と、
２つの対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極とに挟まれた表示媒体と、
を有するアクティブマトリクス型半導体表示装置であって、
前記２つの対向電極は、前記複数のソース信号線のうち二本毎のソース信号線に対応した画素に対応して、それぞれ配置されており、
前記２つの対向電極には、対応するソース信号線に供給される画像信号の電位と反対の電位がそれぞれ与えられるアクティブマトリクス型半導体表示装置。
【請求項３】
複数のソース信号線に画像信号を供給するソース信号線駆動回路と、
複数のゲイト信号線に選択信号を供給するゲイト信号線駆動回路と、
画素ＴＦＴおよび前記画素ＴＦＴのドレイン電極に接続された画素電極を有する画素がマトリクス状に配置され、前記画素ＴＦＴのソース電極には前記ソース信号線が接続され、前記画素ＴＦＴのゲイト電極には前記ゲイト信号線が接続されているアクティブマトリクス回路と、
２つの対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極とに挟まれた表示媒体と、
を有するアクティブマトリクス型半導体表示装置であって、
前記２つの対向電極は、前記複数のソース信号線のうちｚ本毎のソース信号線に対応した画素に対応して、それぞれ配置されており、
前記２つの対向電極には、対応するソース信号線に供給される画像信号の電位と反対の電位がそれぞれ与えられるアクティブマトリクス型半導体表示装置。
【請求項４】
前記表示媒体は、液晶であることを特徴とする請求項１、２または３に記載のアクティブマトリクス型半導体表示装置。
【請求項５】
前記表示媒体は、ＥＬであることを特徴とする請求項１、２または３に記載のアクティブマトリクス型半導体表示装置。
[Claims]
[Claim 1]
A source signal line drive circuit that supplies image signals to multiple source signal lines,
A gate signal line drive circuit that supplies selection signals to multiple gate signal lines,
Pixel TFTs and pixels having pixel electrodes connected to the drain electrodes of the pixel TFTs are arranged in a matrix, the source signal line is connected to the source electrode of the pixel TFT, and the gate electrode of the pixel TFT is described. The active matrix circuit to which the gate signal line is connected and
Two counter electrodes and
A display medium sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode,
It is an active matrix type semiconductor display device having
The two counter electrodes are arranged corresponding to the pixels corresponding to each source signal line among the plurality of source signal lines.
An active matrix type semiconductor display device in which a potential opposite to the potential of an image signal supplied to a corresponding source signal line is applied to the two counter electrodes.
2.
A source signal line drive circuit that supplies image signals to multiple source signal lines,
A gate signal line drive circuit that supplies selection signals to multiple gate signal lines,
Pixel TFTs and pixels having pixel electrodes connected to the drain electrodes of the pixel TFTs are arranged in a matrix, the source signal line is connected to the source electrode of the pixel TFT, and the gate electrode of the pixel TFT is described. The active matrix circuit to which the gate signal line is connected and
Two counter electrodes and
A display medium sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode,
It is an active matrix type semiconductor display device having
The two counter electrodes are arranged corresponding to the pixels corresponding to each of the two source signal lines among the plurality of source signal lines.
An active matrix type semiconductor display device in which a potential opposite to the potential of an image signal supplied to a corresponding source signal line is applied to the two counter electrodes.
3.
A source signal line drive circuit that supplies image signals to multiple source signal lines,
A gate signal line drive circuit that supplies selection signals to multiple gate signal lines,
Pixel TFTs and pixels having pixel electrodes connected to the drain electrodes of the pixel TFTs are arranged in a matrix, the source signal line is connected to the source electrode of the pixel TFT, and the gate electrode of the pixel TFT is described. The active matrix circuit to which the gate signal line is connected and
Two counter electrodes and
A display medium sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode,
It is an active matrix type semiconductor display device having
The two counter electrodes are arranged corresponding to the pixels corresponding to the source signal lines for each z of the plurality of source signal lines.
An active matrix type semiconductor display device in which a potential opposite to the potential of an image signal supplied to a corresponding source signal line is applied to the two counter electrodes.
4.
The active matrix type semiconductor display device according to claim 1, 2 or 3, wherein the display medium is a liquid crystal.
5.
The active matrix type semiconductor display device according to claim 1, 2 or 3 , wherein the display medium is an EL.