JP2000347383A - Photomask inspection method and its apparatus - Google Patents

Photomask inspection method and its apparatus

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JP2000347383A
JP2000347383A JP15585599A JP15585599A JP2000347383A JP 2000347383 A JP2000347383 A JP 2000347383A JP 15585599 A JP15585599 A JP 15585599A JP 15585599 A JP15585599 A JP 15585599A JP 2000347383 A JP2000347383 A JP 2000347383A
Authority
JP
Japan
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light
shielding film
photomask
incident
polarizer
Prior art date
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Pending
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JP15585599A
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Japanese (ja)
Inventor
Eiichi Hoshino
栄一 星野
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To predict the defect which may be induced by washing after inspection. SOLUTION: The photomask inspection apparatus using a while light interference method of inspecting the photomask formed with shading film patterns of metal on a transparent substrate, in which shading films are covered with metal oxidized films has a Wollaston prism 36 of approximately 1 deg. in a prism angle θ and a data processing section 22 which measures the peak-to-peak distance of the interference fringe images obtained by a solid-state image pickup element of a CCD camera 37, calculates an optical film thickness nd proportional to the peak-to-peak distance and decides a shading film defect position if the optical film thickness nd is off a set range in a position where reference data is within a shading film region.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ホトマスク検査方
法及び装置に関する。
The present invention relates to a photomask inspection method and apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】ステッパなどの非接触型露光装置では、
1枚のホトマスクで多数枚のウェーハ上にパターンが転
写されるので、ホトマスクの欠陥をゼロにする必要があ
る。
2. Description of the Related Art In a non-contact type exposure apparatus such as a stepper,
Since a pattern is transferred onto a large number of wafers with one photomask, it is necessary to eliminate defects in the photomask.

【0003】従来のホトマスク検査装置では、開口が形
成されたX−Yステージに検査対象のホトマスクが搭載
され、X−Yステージの下方からホトマスクへ投光し、
ホトマスクの透過光パターンをイメージセンサ上に結像
させている。ダイ対ダイ比較法では、並置された2つの
光学系を用い、2つのチップのパターンの対応部分の像
を比較して欠陥を検出している。一方、ダイ対データベ
ース比較法では、1つの光学系で得られた像を設計パタ
ーンと比較して欠陥を検出している。
In a conventional photomask inspection apparatus, a photomask to be inspected is mounted on an XY stage in which an opening is formed, and light is projected from below the XY stage onto the photomask.
The transmitted light pattern of the photomask is imaged on the image sensor. In the die-to-die comparison method, defects are detected by comparing images of corresponding portions of patterns of two chips by using two optical systems arranged side by side. On the other hand, in the die-to-database comparison method, an image obtained by one optical system is compared with a design pattern to detect a defect.

【0004】このようなホトマスク検査装置によれば、
ホトマスク上に形成された遮光膜パターンの内側ピンホ
ール、パターンエッジ部の突起や凹部、パターン脱落、
ショート、断線、パターンのミスサイズ、ホトマスク上
の開口部中のピンドットなどの形状不良欠陥を検出する
ことができる。
According to such a photomask inspection apparatus,
Pinholes inside the light-shielding film pattern formed on the photomask, protrusions and recesses at the pattern edge, pattern dropout,
Defective defects such as shorts, disconnections, pattern missizes, and pin dots in openings on the photomask can be detected.

【0005】パターンが微細になると、開口を透過した
光が回折し、これが隣の開口からの回折光と干渉するの
で、透過光パターンの解像度が低下する。回折光を低減
するために、エキシマレーザ光(UV光)のような短波
長の光が用いられ、また、回折光どうしが打ち消し合う
ように位相シフトマスクが用いられている。
[0005] When the pattern becomes fine, the light transmitted through the opening is diffracted and interferes with the diffracted light from the adjacent opening, so that the resolution of the transmitted light pattern is reduced. In order to reduce the diffracted light, light of a short wavelength such as excimer laser light (UV light) is used, and a phase shift mask is used so that the diffracted lights cancel each other.

【0006】パターンが微細になると、欠陥検査装置も
短波長光を用いて解像度を上げる必要があるが、短波長
光を用いると特殊な光学系が必要になる。また、位相シ
フトマスクを用いた場合には、ガラス基板に形成された
深さ100nm程度の凹部である位相シフタの検査が、
上述の光透過法では困難である。
When the pattern becomes finer, the defect inspection apparatus also needs to increase the resolution by using short-wavelength light, but the use of short-wavelength light requires a special optical system. When a phase shift mask is used, inspection of a phase shifter, which is a recess having a depth of about 100 nm and formed in a glass substrate, is performed.
The above-mentioned light transmission method is difficult.

【0007】そこで、特開平10−177246号公報
には、水銀ランプからの白色光をホトマスク上に垂直入
射させ、遮光膜上での反射光と開口部のガラス面での反
射光との干渉光をノマルスキープリズムに通して正常光
と異常光とに分離させ、両光の干渉画像を取得する光学
系を2つ備え、ダイ対ダイ法により欠陥を検出する装置
が開示されている。この装置によれば、位相シフタであ
る凹部の深さや傾斜などの欠陥を検出することができ
る。
Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 10-177246 discloses a technique in which white light from a mercury lamp is vertically incident on a photomask, and interference light between reflected light on a light-shielding film and reflected light on a glass surface of an opening is disclosed. Through a Nomarski prism to separate the light into normal light and abnormal light, obtain two interference optical systems, and detect a defect by a die-to-die method. According to this apparatus, it is possible to detect a defect such as the depth or inclination of the concave portion serving as the phase shifter.

【0008】図5(A)に示すホトマスク10は、ガラ
ス基板11上に金属膜12のパターンが形成され、その
上に酸化金属膜13が被着されている。金属膜12は、
Cr又はMoなどの膜である。酸化金属膜13は、金属
膜12の金属の酸化膜であり、金属膜12がCrのとき
Crxy(x:yは任意であり、例えばx=1、y=
2)、金属膜12がMoのときMoxy(x:yは任意
であり、例えばx=1、y=2)である。ホトマスク1
0は、製作途中のものであり、検査後に洗浄液中で洗浄
され、異物付着の影響を小さくするために透明のペリク
ルが表面上に張りつけられる。
A photomask 10 shown in FIG. 5A has a pattern of a metal film 12 formed on a glass substrate 11, and a metal oxide film 13 is deposited thereon. The metal film 12
It is a film of Cr or Mo. The metal oxide film 13 is a metal oxide film of the metal film 12, and when the metal film 12 is Cr, Cr x O y (x: y is arbitrary; for example, x = 1, y =
2), when the metal film 12 is Mo, Mo x O y (x: y is arbitrary, for example, x = 1, y = 2). Photomask 1
Numeral 0 indicates that the pellicle is being manufactured, and is washed in a cleaning liquid after the inspection, and a transparent pellicle is stuck on the surface in order to reduce the influence of foreign matter adhesion.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところが、図3(A)
に示す如く、金属膜12が形成される前に異物14がガ
ラス基板11上に付着していたり、部分的に酸化金属膜
13が形成されずかつ金属膜12が薄くなっている場合
には、洗浄により、異物14が除去されたり金属膜12
が溶けたりして、金属膜12にピンホールが形成され、
これによりホトマスク10が欠陥品になる場合がある。
However, FIG. 3 (A)
As shown in (1), when the foreign matter 14 adheres to the glass substrate 11 before the metal film 12 is formed, or when the metal oxide film 13 is not formed partially and the metal film 12 is thin, The cleaning removes the foreign matter 14 or removes the metal film 12.
Melts, a pinhole is formed in the metal film 12,
As a result, the photomask 10 may be defective.

【0010】従来では、検査後の洗浄により生ずるこの
ような欠陥を予測することができなかった。
Conventionally, such defects caused by cleaning after inspection cannot be predicted.

【0011】また、白色光干渉法を用いた、ホトマスク
とは無関係の膜厚測定装置で、シリコン基板上の酸化シ
リコン膜の膜厚を測定すると、干渉縞のピークが重なっ
てピーク間距離を測定できなくなるので、特開昭52−
88360号公報にはこの重なりの影響を低減してピー
ク間距離を測定する、白色光干渉法を用いた改良装置が
提案されている。しかし、この装置は光学系が複雑であ
り、調整も複雑になる。
When the thickness of a silicon oxide film on a silicon substrate is measured by a film thickness measuring device independent of a photomask using a white light interference method, peaks of interference fringes overlap to measure a distance between the peaks. Because it becomes impossible,
No. 88360 proposes an improved apparatus using white light interferometry for reducing the influence of the overlap and measuring the distance between peaks. However, this device has a complicated optical system and complicated adjustment.

【0012】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、検査後の洗浄により生ずるであろう欠陥を予測する
ことが可能なホトマスク検査方法及び装置を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a photomask inspection method and apparatus capable of predicting a defect that may be caused by cleaning after inspection in view of the above problems.

【0013】本発明の他の目的は、簡単な構成の、白色
光干渉法を用いたホトマスク検査装置を提供することに
ある。
It is another object of the present invention to provide a photomask inspection apparatus using a white light interferometry with a simple structure.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段及びその作用効果】請求項
1では、透明基板上に金属の遮光膜パターンが形成さ
れ、該遮光膜が金属酸化膜で覆われたホトマスクを検査
するホトマスク検査装置において、白色光源と、ホトマ
スクの遮光膜に対向して配置された対物レンズと、該白
色光源から放射された光を該対物レンズに入射させ、そ
の入射光と該遮光膜で反射されて該対物レンズに再入射
する光とを分離させるハーフミラーと、該再入射光が入
射される偏光子と、該偏光子を透過した光が入射され、
これを、偏光面が互いに直交する常光と異常光とに分離
する偏光プリズムと、該常光と該異常光とが通され、該
偏光子と直交ニコル又は平行ニコルを構成するように配
置された検光子と、該検光子を通った光が入射されて干
渉縞が固体撮像素子に結像される電子カメラと、該固体
撮像素子で得られた干渉縞画像のピーク間距離yを測定
し、該ピーク間距離yに比例した光学的膜厚ndを算出
し、参照データが遮光膜領域内であることを示している
位置において該光学的膜厚が設定範囲外であれば遮光膜
不良位置であると判定するデータ処理装置とを有する。
According to the present invention, there is provided a photomask inspection apparatus for inspecting a photomask in which a metal light-shielding film pattern is formed on a transparent substrate and the light-shielding film is covered with a metal oxide film. A white light source, an objective lens disposed to face a light-shielding film of a photomask, and light emitted from the white light source incident on the objective lens, and the incident light and the objective lens reflected by the light-shielding film. A half mirror that separates light that re-enters the light, a polarizer that receives the re-incident light, and light that has passed through the polarizer is input,
A polarizing prism that separates the polarized light into ordinary light and extraordinary light whose polarization planes are orthogonal to each other, and an inspection device that passes the ordinary light and the extraordinary light and is arranged so as to form orthogonal Nicols or parallel Nicols with the polarizer. A photon, an electronic camera in which light passing through the analyzer is incident and interference fringes are formed on the solid-state imaging device, and a peak-to-peak distance y of the interference fringe image obtained by the solid-state imaging device is measured. The optical film thickness nd proportional to the peak-to-peak distance y is calculated, and if the optical film thickness is out of the set range at the position where the reference data indicates that the optical film is within the light-shielding film region, it is a light-shielding film defective position. And a data processing device for determining

【0015】このホトマスク検査装置によれば、遮光膜
領域内で光学的膜厚が設定範囲外であれば、遮光膜不良
位置と判定するので、検査後にホトマスクを洗浄した場
合に遮光膜にピンホールが新たに形成される虞があるか
どうかを予め知ることができ、信頼性の高いホトマスク
を製造することが可能となる。
According to this photomask inspection apparatus, if the optical film thickness in the light-shielding film area is out of the set range, it is determined that the light-shielding film has a defective position. It is possible to know in advance whether there is a risk of new formation, and it is possible to manufacture a highly reliable photomask.

【0016】請求項1において、上記ホトマスクの設計
パターンデータが上記参照データとして格納された記憶
装置をさらに有する構成によれば、光学系が1組でよ
く、構成が簡単になる。
According to the first aspect, according to the configuration further including a storage device in which the design pattern data of the photomask is stored as the reference data, only one optical system is required and the configuration is simplified.

【0017】請求項2では、透明基板上に金属の遮光膜
パターンが形成され、該遮光膜が金属酸化膜で覆われた
ホトマスクを検査するホトマスク検査装置において、第
1及び第2測定装置とデータ処理装置とを備え、該第1
及び第2測定装置はいずれも、白色光源と、ホトマスク
の遮光膜に対向して配置された対物レンズと、該白色光
源から放射された光を該対物レンズに入射させ、その入
射光と該遮光膜で反射されて該対物レンズに再入射する
光とを分離させるハーフミラーと、該再入射光が入射さ
れる偏光子と、該偏光子を透過した光が入射され、これ
を、偏光面が互いに直交する常光と異常光とに分離する
偏光プリズムと、該常光と該異常光とが通され、該偏光
子と直交ニコル又は平行ニコルを構成するように配置さ
れた検光子と、該検光子を通った光が入射されて干渉縞
が固体撮像素子に結像される電子カメラとを有し、該デ
ータ処理装置は、該第1及び第2測定装置の該固体撮像
素子で得られた干渉縞画像のピーク間距離y1及びy2
をそれぞれ測定し、該ピーク間距離y1及びy2にそれ
ぞれ比例したを光学的膜厚nd1及びnd2を算出し、
該光学的膜厚nd2を参照値とし該光学的膜厚dy2の
分布が遮光膜領域内であることを示している位置におい
て該光学的膜厚dy1が設定範囲外であれば遮光膜不良
位置であると判定するデータ処理装置とを有する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a photomask inspection apparatus for inspecting a photomask in which a metal light-shielding film pattern is formed on a transparent substrate and the light-shielding film is covered with a metal oxide film. And a processing device, wherein the first
And the second measuring device each include a white light source, an objective lens arranged to face the light shielding film of the photomask, and light emitted from the white light source incident on the objective lens, and the incident light and the light shielding A half mirror that separates the light that is reflected by the film and re-enters the objective lens; a polarizer that receives the re-incident light; and a light that passes through the polarizer is input. A polarizing prism that separates the normal light and the extraordinary light that are orthogonal to each other, an analyzer through which the ordinary light and the extraordinary light pass, and an analyzer that is arranged to form orthogonal Nicols or parallel Nicols with the polarizer; and the analyzer. An electronic camera in which light passing therethrough is incident and an interference fringe is formed on a solid-state imaging device, and the data processing device includes an interference camera provided by the solid-state imaging devices of the first and second measurement devices. Distance between peaks y1 and y2 of fringe image
Are measured, and the optical film thicknesses nd1 and nd2, which are respectively proportional to the peak-to-peak distances y1 and y2, are calculated,
If the optical thickness dy1 is outside the set range at a position indicating that the distribution of the optical thickness dy2 is within the light-shielding film region using the optical thickness nd2 as a reference value, the light-shielding film is defective. And a data processing device for determining that there is.

【0018】このホトマスク検査装置によれば、設計デ
ータが不要である。
According to this photomask inspection apparatus, no design data is required.

【0019】請求項1乃至3のいずれか1つにおいて例
えば、上記データ処理装置は、上記干渉縞画像が存在し
ない部分を上記金属酸化膜が存在しない部分であると判
定する。
In any one of the first to third aspects, for example, the data processing device determines that a portion where the interference fringe image does not exist is a portion where the metal oxide film does not exist.

【0020】請求項3のホトマスク検査装置では、請求
項1又は2において、上記偏光プリズムは、プリズム角
が略1゜である。
According to a third aspect of the present invention, in the photomask inspection apparatus according to the first or second aspect, the polarizing prism has a prism angle of about 1 °.

【0021】このホトマスク検査装置によれば、特開昭
52−88360号公報に用いられているような複雑な
光学系を用いることなく、簡単な構成で、干渉縞画像の
ピーク間重なりを防止してピーク間距離を正確に測定す
ることが可能になる。
According to this photomask inspection apparatus, the overlap between the peaks of the interference fringe image can be prevented with a simple configuration without using a complicated optical system as used in JP-A-52-88360. Thus, the distance between peaks can be accurately measured.

【0022】透明基板上に金属の遮光膜パターンが形成
され、該遮光膜が金属酸化膜で覆われたホトマスクを検
査するホトマスク検査方法において、該金属酸化膜の光
学的膜厚を測定し、該光学的膜厚が設定範囲外であれば
遮光膜不良位置であると判定するホトマスク検査方法に
よれば、検査後にホトマスクを洗浄した場合に遮光膜に
ピンホールが新たに形成される虞があるかどうかを予め
知ることができ、信頼性の高いホトマスクを製造するこ
とが可能となる。
In a photomask inspection method in which a metal light-shielding film pattern is formed on a transparent substrate and the light-shielding film is covered with a metal oxide film, an optical film thickness of the metal oxide film is measured. According to the photomask inspection method in which the optical film thickness is out of the set range, it is determined that the light-shielding film is in a defective position. According to the photomask inspection method, is there a possibility that a new pinhole is formed in the light-shielding film when the photomask is cleaned after the inspection? This makes it possible to know beforehand whether a photomask with high reliability can be manufactured.

【0023】請求項4では、透明基板上に金属の遮光膜
パターンが形成され、該遮光膜が金属酸化膜で覆われた
ホトマスクを検査するホトマスク検査方法において、測
定装置を用意し、該測定装置は、白色光源と、ホトマス
クの遮光膜に対向して配置された対物レンズと、該白色
光源から放射された光を該対物レンズに入射させ、その
入射光と該遮光膜で反射されて該対物レンズに再入射す
る光とを分離させるハーフミラーと、該再入射光が入射
される偏光子と、該偏光子を透過した光が入射され、こ
れを、偏光面が互いに直交する常光と異常光とに分離す
る、該常光及び該異常光に対する屈折率がそれぞれno
及びneでプリズム角θの偏光プリズムと、該常光と該
異常光とが通され、該偏光子と直交ニコル又は平行ニコ
ルを構成するように配置された検光子と、該検光子を通
った光が入射されて干渉縞が固体撮像素子に結像される
電子カメラとを有し、該固体撮像素子で得られた干渉縞
画像のピーク間距離yを測定し、該ピーク間距離yに比
例した光学的膜厚ndを算出し、参照データが遮光膜領
域内であることを示している位置において該光学的膜厚
が設定範囲外であれば遮光膜不良位置であると判定す
る。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a photomask inspection method for inspecting a photomask in which a metal light-shielding film pattern is formed on a transparent substrate and the light-shielding film is covered with a metal oxide film. A white light source, an objective lens arranged opposite to a light-shielding film of a photomask, and light emitted from the white light source being incident on the objective lens. A half mirror that separates the light that re-enters the lens, a polarizer that receives the re-incident light, and light that has passed through the polarizer is incident, and is converted into ordinary light and extraordinary light whose polarization planes are orthogonal to each other. And the refractive indexes for the ordinary light and the extraordinary light are respectively no.
And ne, a polarizing prism having a prism angle θ, the ordinary light and the extraordinary light passed therethrough, an analyzer arranged so as to form orthogonal Nicols or parallel Nicols with the polarizer, and light passing through the analyzer. And an electronic camera in which interference fringes are formed on the solid-state image sensor when light is incident, and the distance y between peaks of the interference fringe image obtained by the solid-state image sensor is measured, and is proportional to the distance y between the peaks. The optical film thickness nd is calculated, and if the optical film thickness is out of the set range at the position where the reference data indicates that the reference data is within the light shielding film region, it is determined that the position is the light shielding film defective position.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】[第1実施形態]図5(A)に示すホトマ
スク10は、ガラス基板11上に金属膜12のパターン
が形成され、その上に酸化金属膜13が被着されてい
る。金属膜12は、Cr又はMoなどの膜である。酸化
金属膜13は、金属膜12の金属の酸化膜であり、金属
膜12がCrのときCrxy(x:yは任意であり、例
えばx=1、y=2)、金属膜12がMoのときMox
y(x:yは任意であり、例えばx=1、y=2)で
ある。ホトマスク10は、製作途中のものであり、検査
後に洗浄液中で洗浄され、異物付着の影響を小さくする
ために透明のペリクルが表面上に張りつけられる。
[First Embodiment] In a photomask 10 shown in FIG. 5A, a pattern of a metal film 12 is formed on a glass substrate 11, and a metal oxide film 13 is deposited thereon. The metal film 12 is a film such as Cr or Mo. The metal oxide film 13 is a metal oxide film of the metal film 12. When the metal film 12 is Cr, Cr x O y (x: y is arbitrary, for example, x = 1, y = 2), and the metal film 12 When Mo is Mo x
O y (x: y is arbitrary; for example, x = 1, y = 2). The photomask 10 is in the process of being manufactured, is washed in a cleaning solution after inspection, and a transparent pellicle is stuck on the surface in order to reduce the influence of foreign matter adhesion.

【0026】ところが、図3(A)に示す如く、金属膜
12が形成される前に異物14がガラス基板11上に付
着していたり、部分的に酸化金属膜13が形成されずか
つ金属膜12が薄くなっている場合には、洗浄により、
異物14が除去されたり金属膜12が溶けたりして、金
属膜12にピンホールが形成され、これによりホトマス
ク10が欠陥品になる場合がある。このような欠陥が生
ずる場合には、酸化金属膜13の厚みが平均値から所定
値以上ずれていることを本発明者は発見した。
However, as shown in FIG. 3A, foreign matter 14 adheres to the glass substrate 11 before the metal film 12 is formed, or the metal oxide film 13 is not formed partially and the metal film 12 is not formed. If 12 is thin, by washing
When the foreign matter 14 is removed or the metal film 12 is melted, a pinhole is formed in the metal film 12, and the photomask 10 may be defective. The present inventor has found that when such a defect occurs, the thickness of the metal oxide film 13 deviates from the average value by a predetermined value or more.

【0027】本発明のホトマスク検査装置は、酸化金属
膜13の厚み分布を測定し、その厚みが、遮光膜領域
(正常な開口パターンを形成するために遮光膜が存在す
べき領域)内において設定範囲外であれば遮光膜不良位
置であると判定する。
The photomask inspection apparatus of the present invention measures the thickness distribution of the metal oxide film 13 and sets the thickness in the light-shielding film region (the region where the light-shielding film should exist in order to form a normal opening pattern). If it is out of the range, it is determined that the position is the light shielding film defective position.

【0028】図1は、ダイ対データベース法を用いた本
発明の第1実施形態のホトマスク検査装置の概略構成を
示す。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a photomask inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention using a die pair database method.

【0029】ホトマスク10は、X−Yステージ20上
に搭載されている。ステージコントローラ21は、デー
タ処理装置22からの制御信号に応答して、X−Yステ
ージ20を駆動し、X−Yステージ20の位置をデータ
処理装置22に供給する。ホトマスク10の上方には光
学系が配置されており、この光学系は、ウォラストンプ
リズムのプリズム角θが後述のように小さい他は、公知
の構成である。
The photomask 10 is mounted on an XY stage 20. The stage controller 21 drives the XY stage 20 in response to a control signal from the data processing device 22, and supplies the position of the XY stage 20 to the data processing device 22. An optical system is disposed above the photomask 10, and has a known configuration except that the prism angle θ of the Wollaston prism is small as described later.

【0030】ハロゲンランプ30から放射された白色光
は、コンデンサーレンズ31で略平行光となり、ハーフ
ミラー32でその一部が反射されて下方の対物レンズ3
3に入射し、酸化金属膜13の高さ位置に収束する。酸
化金属膜13の上面及び下面で反射された光は、対物レ
ンズ33を再び通って略平行光となり、その一部がハー
フミラー32を透過する。
The white light emitted from the halogen lamp 30 is converted into substantially parallel light by the condenser lens 31, and a part of the white light is reflected by the half mirror 32, and the lower objective lens 3
3 and converge to the height position of the metal oxide film 13. The light reflected on the upper and lower surfaces of the metal oxide film 13 passes through the objective lens 33 again, becomes substantially parallel light, and a part of the light passes through the half mirror 32.

【0031】図1中のWU及びWLはそれぞれ、酸化金
属膜13の上面及び下面で反射された光のある時点にお
ける波面を示しており、波面WUとWLの間隔は酸化金
属膜13の光学的膜厚ndの2倍に等しい。ここに、n
及びdはそれぞれ酸化金属膜13の屈折率及び厚みであ
る。
WU and WL in FIG. 1 respectively indicate the wavefronts of the light reflected at the upper and lower surfaces of the metal oxide film 13 at a certain point in time. The distance between the wavefronts WU and WL is the optical distance of the metal oxide film 13. It is equal to twice the film thickness nd. Where n
And d are the refractive index and thickness of the metal oxide film 13, respectively.

【0032】ハーフミラー32の上方には、偏光子34
と検光子35とが平行ニコル又は直交ニコルを構成する
ように配置されている。偏光子34と検光子35との間
には、プリズム角θのウォラストンプリズム36が配置
されている。ウォラストンプリズム36は、入射直線偏
光を、偏光面が互いに直交する常光と異常光とに分離す
る。
Above the half mirror 32, a polarizer 34
And the analyzer 35 are arranged so as to form parallel Nicols or orthogonal Nicols. A Wollaston prism 36 having a prism angle θ is arranged between the polarizer 34 and the analyzer 35. The Wollaston prism 36 separates the incident linearly polarized light into ordinary light and extraordinary light whose polarization planes are orthogonal to each other.

【0033】波面WU及びWLは、進行してウォラスト
ンプリズム36を通り抜けると、この分離により、常光
の波面WU1及びWL1と、異常光の波面WU2及びW
L2とになり、両光の干渉縞が形成される。この干渉縞
は、CCDカメラ37で拡大撮像され、その画像信号が
デジタル化された後、データ処理装置22に供給され
る。
When the wavefronts WU and WL advance and pass through the Wollaston prism 36, the wavefronts WU1 and WL1 of the ordinary light and the wavefronts WU2 and WU of the extraordinary light are separated by this separation.
L2, and interference fringes of both lights are formed. The interference fringes are magnified and imaged by the CCD camera 37, and the image signals are digitized and supplied to the data processing device 22.

【0034】CCDカメラ37の撮像面上の光軸を通る
線上での光強度は、上記平行ニコルの場合図2に示す如
くなり、中央部に大きなピークが現れ、その両側にもピ
ークが現れる。直交ニコルの場合、ピーク位置は平行ニ
コルの場合と同一であるが、平行ニコルの場合正のピー
クであるのに対し、直交ニコルの場合負のピークにな
る。中央のピークは、図1中の波面交点P1及びP2に
対応しており、両側のピークは図1中の波面交点P3及
びP4に対応している。図1中に示すように、光軸を通
り光軸に直角なY軸を考える。Y軸の原点Oは光軸上で
ある。交点P4のY軸上の位置yは、図2中のピーク間
距離yであり、次式が成立する。
The light intensity on a line passing through the optical axis on the imaging surface of the CCD camera 37 is as shown in FIG. 2 in the case of the above-mentioned parallel Nicols, and a large peak appears at the center and peaks appear on both sides. In the case of orthogonal Nicols, the peak position is the same as in the case of parallel Nicols. However, in the case of parallel Nicols, the peak is positive, whereas in the case of orthogonal Nicols, the peak is negative. The center peak corresponds to the wavefront intersections P1 and P2 in FIG. 1, and the peaks on both sides correspond to the wavefront intersections P3 and P4 in FIG. As shown in FIG. 1, consider a Y axis passing through the optical axis and perpendicular to the optical axis. The origin O of the Y axis is on the optical axis. The position y of the intersection P4 on the Y axis is the distance y between the peaks in FIG. 2, and the following equation is established.

【0035】 nd=(y/m)(ne−no)tanθ・・・(1) ここに、ne及びnoはそれぞれウォラストンプリズム
36の異常光線及び常光線に対する屈折率、mはCCD
カメラ37の拡大倍率である。
Nd = (y / m) (ne−no) tan θ (1) where ne and no are the refractive indexes of the Wollaston prism 36 for extraordinary rays and ordinary rays, respectively, and m is CCD.
This is the magnification of the camera 37.

【0036】光学的膜厚ndは例えば150Å程度と小
さいので、yが小さくなり、図2に示す中央のピークと
その両側のピークとが重なって、測方ピーク位置が不明
瞭となる。そこで、プリズム角θを小さくすることによ
りyを大きくして、この重なりを防止する。このために
は、実験の結果、プリズム角θは約3゜以下、好ましく
は略1゜であることが分かった。
Since the optical film thickness nd is as small as, for example, about 150 °, y becomes small, and the center peak shown in FIG. 2 and the peaks on both sides thereof overlap, and the measurement peak position becomes unclear. Therefore, the overlap is prevented by reducing the prism angle θ to increase y. For this purpose, as a result of an experiment, it was found that the prism angle θ was about 3 ° or less, and preferably about 1 °.

【0037】本第1実施形態のホトマスク検査装置の光
学系では、このようなプリズム角θのウォラストンプリ
ズム36を用いる点に特徴がある。これにより、上述の
特開昭52−88360号公報に用いられているような
複雑な光学系を用いる必要がない。
The optical system of the photomask inspection apparatus according to the first embodiment is characterized in that the Wollaston prism 36 having such a prism angle θ is used. Thus, there is no need to use a complicated optical system as used in the above-mentioned JP-A-52-88360.

【0038】データ処理装置22は、X−Yステージ2
0の現在位置と対応させて、光軸上の酸化金属膜13の
光学的膜厚ndを上式(1)に基づき算出する。ただ
し、ピークを検出することができないときはnd=0と
する。これにより、図3(A)に示すようなホトマスク
10に対し、図3(B)に示すような光学的膜厚ndの
分布が得られる。一方、記憶装置38にはホトマスク1
0のレイアウトデータが格納されている。データ処理装
置22は、このデータを参照し、X−Yステージ20の
位置、すなわち光軸と交わるホトマスク10上の位置
が、上記遮光膜領域内であるかどうかを判定する。遮光
膜領域内であれば、光学的膜厚ndが図3(B)中の上
限UL1と下限LL1の間の値であるかどうかを判定す
る。例えばUL1=1.3nd0、LL1=0.7nd
0であり、ここにnd0は、正常な酸化金属膜13の厚
みの平均的な値であって、測定により予め得られてい
る。
The data processing device 22 includes an XY stage 2
The optical thickness nd of the metal oxide film 13 on the optical axis is calculated based on the above equation (1) in correspondence with the current position of 0. However, when a peak cannot be detected, nd = 0. Thus, the distribution of the optical film thickness nd as shown in FIG. 3B is obtained with respect to the photomask 10 as shown in FIG. On the other hand, the photomask 1 is stored in the storage device 38.
0 layout data is stored. The data processing device 22 refers to this data and determines whether or not the position of the XY stage 20, that is, the position on the photomask 10 that intersects with the optical axis is within the light-shielding film region. If it is within the light-shielding film region, it is determined whether or not the optical film thickness nd is a value between the upper limit UL1 and the lower limit LL1 in FIG. For example, UL1 = 1.3nd0, LL1 = 0.7nd
0, where nd0 is the average value of the normal thickness of the metal oxide film 13 and is obtained in advance by measurement.

【0039】ホトマスク10の開口部では上記干渉が生
じないので、図2に示すようなピークが生じない。そこ
で、このピークが設定値以下である場合には、開口部で
あると判定し、その開口パターンを得る。記憶装置38
のデータを参照して、得られた開口パターンが正常であ
るかどうかを判定する。
Since the above-described interference does not occur at the opening of the photomask 10, a peak as shown in FIG. 2 does not occur. Therefore, when this peak is equal to or less than the set value, it is determined that the area is an opening, and the opening pattern is obtained. Storage device 38
It is determined whether or not the obtained opening pattern is normal with reference to the data of (1).

【0040】本第1実施形態によれば、遮光膜領域内で
光学的膜厚ndが設定範囲外であれば、遮光膜不良位置
と判定するので、検査後にホトマスク10を洗浄した場
合に遮光膜にピンホールが新たに形成される虞があるか
どうかを予め知ることができ、信頼性の高いホトマスク
を製造することが可能となる。
According to the first embodiment, if the optical film thickness nd is out of the set range in the light-shielding film area, the position of the light-shielding film is determined to be defective. It is possible to know in advance whether there is a possibility that a new pinhole will be formed, and a highly reliable photomask can be manufactured.

【0041】[第2実施形態]図4は、ダイ対ダイ法を
用いた本発明の第2実施形態のホトマスク検査装置の概
略構成を示す。
[Second Embodiment] FIG. 4 shows a schematic configuration of a photomask inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention using a die-to-die method.

【0042】ホトマスク10上には、同一のダイパター
ン(ダイ内の全パターン)が複数形成されている。ホト
マスク10の上方に配置された光学系40A及び40B
は、いずれも図1中の光学系と同一であり、両者の光軸
の間隔が、ホトマスク10上のダイパターンの間隔に等
しくなるように調整されている。
A plurality of identical die patterns (all patterns in the die) are formed on the photomask 10. Optical systems 40A and 40B disposed above photomask 10
Are the same as those in the optical system shown in FIG. 1, and the distance between the optical axes is adjusted to be equal to the distance between the die patterns on the photomask 10.

【0043】光学系40A及び40BのCCDカメラ3
7A及び37Bからそれぞれ出力された画像データは、
データ処理装置22Cに供給される。データ処理装置2
2Cは、上述のようにして光学系40A及び40Bの光
軸位置での酸化金属膜13の光学的膜厚nd1及びnd
2を算出する。光学的膜厚nd2の分布が正常であると
仮定して該分布から遮光膜領域内であるかどうかを判定
し、判定された遮光膜領域内で光学的膜厚nd1が上述
のように設定範囲外であれば遮光膜不良位置と判定す
る。同様に、光学的膜厚nd1の分布が正常であると仮
定して該分布から遮光膜領域内であるかどうかを判定
し、判定された遮光膜領域内で光学的膜厚nd2が設定
範囲外であれば遮光膜不良位置と判定する。
CCD camera 3 of optical systems 40A and 40B
The image data output from 7A and 37B, respectively,
The data is supplied to the data processing device 22C. Data processing device 2
2C is the optical film thickness nd1 and nd of the metal oxide film 13 at the optical axis position of the optical systems 40A and 40B as described above.
2 is calculated. Assuming that the distribution of the optical film thickness nd2 is normal, it is determined from the distribution whether or not the optical film thickness nd2 is within the light-shielding film region, and the optical film thickness nd1 is set within the determined light-shielding film region as described above. If it is outside, it is determined as a light shielding film defective position. Similarly, assuming that the distribution of the optical film thickness nd1 is normal, it is determined from the distribution whether or not the optical film thickness nd1 is within the light shielding film region, and the optical film thickness nd2 is outside the set range within the determined light shielding film region. If so, it is determined that the light-shielding film is defective.

【0044】例えば、図3(A)及び図5(A)に示す
パターンの酸化金属膜13の光学的膜厚nd1及びnd
2をそれぞれ光学系40A及び40Bで並行して測定
し、図3(B)及び図5(B)に示すような光学的膜厚
nd1及びnd2の分布が得られた場合、(nd2−n
d1)の分布は図5(C)のようになる。図5(C)
中、AA1及びAA2は光学的膜厚nd2の分布から判
定された遮光膜領域であり、この領域内において、nd
2−nd1>UL2又はnd2−nd1<LL2であれ
ばその部分が遮光膜不良と判定される。上限UL2及び
下限LL2は例えばUL2=0.3nd0及びLL2=
−0.3nd0である。
For example, the optical film thicknesses nd1 and nd of the metal oxide film 13 having the patterns shown in FIG. 3A and FIG.
2 were measured in parallel by the optical systems 40A and 40B, respectively, and when the distributions of the optical film thicknesses nd1 and nd2 as shown in FIGS. 3B and 5B were obtained, (nd2-n
The distribution of d1) is as shown in FIG. FIG. 5 (C)
AA1 and AA2 are light-shielding film regions determined from the distribution of the optical film thickness nd2.
If 2-nd1> UL2 or nd2-nd1 <LL2, that portion is determined to be a light-shielding film defect. The upper limit UL2 and the lower limit LL2 are, for example, UL2 = 0.3nd0 and LL2 =
−0.3nd0.

【0045】また、上記ピークが設定値以下であれば開
口部と判定し、CCDカメラ37Aの出力画像データに
基づき決定された開口パターンを参照パターンとし、こ
れを、CCDカメラ37Bの出力画像データに基づき決
定された開口パターンと比較してその良否を判定する。
同様に、CCDカメラ37Bの出力画像データに基づき
決定された開口パターンを参照パターンとし、これを、
CCDカメラ37Aの出力画像データに基づき決定され
た開口パターンと比較してその良否を判定する。
If the above-mentioned peak is not more than the set value, it is determined that the aperture is an aperture, and the aperture pattern determined based on the output image data of the CCD camera 37A is used as a reference pattern, which is used as the output image data of the CCD camera 37B. Based on the determined opening pattern, the quality is determined.
Similarly, the aperture pattern determined based on the output image data of the CCD camera 37B is used as a reference pattern, and
The quality is determined by comparing the aperture pattern determined based on the output image data of the CCD camera 37A with the aperture pattern.

【0046】本第2実施形態によっても、上記第1実施
形態と同様の効果が得られる。
According to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

【0047】なお、画像データを記憶装置に格納してお
いて、後でそのデータを処理することにより上記良否を
判定するようにしてもよい。この場合、上記光学的膜厚
nd0は、検査対象のホトマスク10上の酸化金属膜の
測定値の平均値であってもよい。
The image data may be stored in a storage device, and the quality may be determined by processing the data later. In this case, the optical film thickness nd0 may be an average value of measured values of the metal oxide film on the photomask 10 to be inspected.

【0048】また、ウォラストンプリズム36は、入射
直線偏光を偏光面が互いに直交する常光と異常光とに分
離する偏光プリズムであればよく、ローションプリズム
やシナルモンプリズムなどであってもよい。
The Wollaston prism 36 may be a polarizing prism that separates incident linearly polarized light into ordinary light and extraordinary light whose polarization planes are orthogonal to each other, and may be a lotion prism or a Sinalmon prism.

【0049】さらに、本発明の方法は、上述の構成のホ
トマスク検査装置に限定されない。
Further, the method of the present invention is not limited to the photomask inspection apparatus having the above-described configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ダイ対データベース法を用いた本発明の第1実
施形態のホトマスク検査装置の概略構成を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a photomask inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention using a die pair database method.

【図2】CCDカメラ37の撮像面上の光軸を通る線上
での光強度分布を示す線図である。
FIG. 2 is a diagram showing a light intensity distribution on a line passing through an optical axis on an imaging surface of a CCD camera 37;

【図3】(A)はホトマスク10の断面説明図、(B)
はこの断面について測定された光学的膜厚ndの分布を
示す線図である。
FIG. 3A is an explanatory cross-sectional view of the photomask 10, and FIG.
Is a diagram showing the distribution of the optical film thickness nd measured for this cross section.

【図4】ダイ対ダイ法を用いた本発明の第2実施形態の
ホトマスク検査装置の概略構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a photomask inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention using a die-to-die method.

【図5】(A)はホトマスク10の断面説明図、(B)
はこの断面について測定された光学的膜厚ndの分布を
示す線図、(C)はこの(B)の光学的膜厚ndと図3
(B)の光学的膜厚ndとの差を示す線図である。
FIG. 5A is an explanatory cross-sectional view of the photomask 10, and FIG.
3 is a diagram showing the distribution of the optical film thickness nd measured for this cross section, and FIG. 3C is a diagram showing the optical film thickness nd of FIG.
It is a diagram which shows the difference with the optical film thickness nd of (B).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ホトマスク 11 ガラス基板 12 金属膜 13 酸化金属膜 14 異物 15 酸化金属膜欠落部 20 X−Yステージ 21 ステージコントローラ 22、22C データ処理装置 30 ハロゲンランプ 31 コンデンサーレンズ 32 ハーフミラー 33 対物レンズ 34 偏光子 35 検光子 36 ウォラストンプリズム 37、37A、37B CCDカメラ 38 記憶装置 40A、40B 光学系 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Photomask 11 Glass substrate 12 Metal film 13 Metal oxide film 14 Foreign material 15 Missing portion of metal oxide film 20 XY stage 21 Stage controller 22, 22C Data processing device 30 Halogen lamp 31 Condenser lens 32 Half mirror 33 Objective lens 34 Polarizer 35 Analyzer 36 Wollaston prism 37, 37A, 37B CCD camera 38 Storage device 40A, 40B Optical system

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上に金属の遮光膜パターンが形
成され、該遮光膜が金属酸化膜で覆われたホトマスクを
検査するホトマスク検査装置において、 白色光源と、 ホトマスクの遮光膜に対向して配置された対物レンズ
と、 該白色光源から放射された光を該対物レンズに入射さ
せ、その入射光と該遮光膜で反射されて該対物レンズに
再入射する光とを分離させるハーフミラーと、該再入射
光が入射される偏光子と、 該偏光子を透過した光が入射され、これを、偏光面が互
いに直交する常光と異常光とに分離する偏光プリズム
と、 該常光と該異常光とが通され、該偏光子と直交ニコル又
は平行ニコルを構成するように配置された検光子と、 該検光子を通った光が入射されて干渉縞が固体撮像素子
に結像される電子カメラと、 該固体撮像素子で得られた干渉縞画像のピーク間距離y
を測定し、該ピーク間距離yに比例した光学的膜厚nd
を算出し、参照データが遮光膜領域内であることを示し
ている位置において該光学的膜厚が設定範囲外であれば
遮光膜不良位置であると判定するデータ処理装置と、 を有することを特徴とするホトマスク検査装置。
1. A photomask inspection apparatus for inspecting a photomask in which a metal light-shielding film pattern is formed on a transparent substrate and the light-shielding film is covered with a metal oxide film, comprising: a white light source; An arranged objective lens, and a half mirror that causes light emitted from the white light source to enter the objective lens, and separates the incident light and light reflected by the light-shielding film and re-entering the objective lens. A polarizer into which the re-incident light is incident; a polarizing prism into which light transmitted through the polarizer is incident and separating it into ordinary light and extraordinary light whose polarization planes are orthogonal to each other; And an analyzer arranged so as to form orthogonal Nicols or parallel Nicols with the polarizer, and an electronic camera in which light passing through the analyzer is incident and interference fringes are imaged on a solid-state imaging device. And the solid-state imaging device Peak distance y of the resulting interference fringe image
Is measured, and the optical film thickness nd is proportional to the distance y between the peaks.
A data processing device that calculates the reference data and determines that the optical film thickness is out of the set range at a position indicating that the reference data is within the light-shielding film region and that the optical film is a defective light-shielding film position. Characteristic photomask inspection equipment.
【請求項2】 透明基板上に金属の遮光膜パターンが形
成され、該遮光膜が金属酸化膜で覆われたホトマスクを
検査するホトマスク検査装置において、 第1及び第2測定装置とデータ処理装置とを備え、該第
1及び第2測定装置はいずれも、 白色光源と、 ホトマスクの遮光膜に対向して配置された対物レンズ
と、 該白色光源から放射された光を該対物レンズに入射さ
せ、その入射光と該遮光膜で反射されて該対物レンズに
再入射する光とを分離させるハーフミラーと、 該再入射光が入射される偏光子と、 該偏光子を透過した光が入射され、これを、偏光面が互
いに直交する常光と異常光とに分離する偏光プリズム
と、 該常光と該異常光とが通され、該偏光子と直交ニコル又
は平行ニコルを構成するように配置された検光子と、 該検光子を通った光が入射されて干渉縞が固体撮像素子
に結像される電子カメラとを有し、 該データ処理装置は、該第1及び第2測定装置の該固体
撮像素子で得られた干渉縞画像のピーク間距離y1及び
y2をそれぞれ測定し、該ピーク間距離y1及びy2に
それぞれ比例したを光学的膜厚nd1及びnd2を算出
し、該光学的膜厚nd2を参照値とし該光学的膜厚dy
2の分布が遮光膜領域内であることを示している位置に
おいて該光学的膜厚dy1が設定範囲外であれば遮光膜
不良位置であると判定するデータ処理装置と、 を有することを特徴とするホトマスク検査装置。
2. A photomask inspection apparatus for inspecting a photomask in which a metal light-shielding film pattern is formed on a transparent substrate and the light-shielding film is covered with a metal oxide film, comprising: a first and a second measuring device; a data processing device; Wherein each of the first and second measuring devices comprises: a white light source; an objective lens arranged to face a light-shielding film of a photomask; and light emitted from the white light source incident on the objective lens. A half mirror that separates the incident light from the light reflected by the light-shielding film and re-entering the objective lens; a polarizer to which the re-incident light is incident; and a light transmitted through the polarizer, and A polarizing prism that separates this into ordinary light and extraordinary light whose polarization planes are orthogonal to each other, and an inspection device that passes the ordinary light and the extraordinary light and is arranged so as to form orthogonal Nicols or parallel Nicols with the polarizer. A photon and the analyzer An electronic camera that receives the incident light and forms an interference fringe on the solid-state imaging device; and the data processing device includes an interference fringe obtained by the solid-state imaging device of the first and second measurement devices. The inter-peak distances y1 and y2 of the image are measured, respectively, and the optical film thicknesses nd1 and nd2 are calculated in proportion to the inter-peak distances y1 and y2, respectively, and the optical film thickness nd2 is used as a reference value for the optical film. Thickness dy
And a data processing device for determining that the optical film thickness dy1 is outside the set range at a position indicating that the distribution of 2 is within the light-shielding film region is a light-shielding film defective position. Photomask inspection equipment.
【請求項3】 上記偏光プリズムは、プリズム角が略1
゜であることを特徴とする請求項1又は2記載のホトマ
スク検査装置。
3. The polarizing prism according to claim 1, wherein the prism angle is approximately one.
The photomask inspection apparatus according to claim 1 or 2, wherein ゜.
【請求項4】 透明基板上に金属の遮光膜パターンが形
成され、該遮光膜が金属酸化膜で覆われたホトマスクを
検査するホトマスク検査方法において、 測定装置を用意し、該測定装置は、 白色光源と、 ホトマスクの遮光膜に対向して配置された対物レンズ
と、 該白色光源から放射された光を該対物レンズに入射さ
せ、その入射光と該遮光膜で反射されて該対物レンズに
再入射する光とを分離させるハーフミラーと、 該再入射光が入射される偏光子と、 該偏光子を透過した光が入射され、これを、偏光面が互
いに直交する常光と異常光とに分離する偏光プリズム
と、 該常光と該異常光とが通され、該偏光子と直交ニコル又
は平行ニコルを構成するように配置された検光子と、 該検光子を通った光が入射されて干渉縞が固体撮像素子
に結像される電子カメラとを有し、 該固体撮像素子で得られた干渉縞画像のピーク間距離y
を測定し、該ピーク間距離yに比例した光学的膜厚nd
を算出し、参照データが遮光膜領域内であることを示し
ている位置において該光学的膜厚が設定範囲外であれば
遮光膜不良位置であると判定することを特徴とするホト
マスク検査方法。
4. A photomask inspection method for inspecting a photomask in which a metal light-shielding film pattern is formed on a transparent substrate and the light-shielding film is covered with a metal oxide film, wherein a measuring device is prepared. A light source, an objective lens arranged to face the light-shielding film of the photomask, and light emitted from the white light source being incident on the objective lens. The incident light and the light reflected by the light-shielding film are reflected by the objective lens. A half mirror for separating incident light; a polarizer to which the re-incident light is incident; and light transmitted through the polarizer, which is separated into ordinary light and extraordinary light whose polarization planes are orthogonal to each other. A polarizing prism that passes through the ordinary light and the extraordinary light, and an analyzer that is arranged so as to form orthogonal Nicols or parallel Nicols with the polarizer. Is imaged on the solid-state image sensor. That it has an electronic camera, the distance between peaks y of the resulting interference fringe image in the solid-state image pickup element
Is measured, and the optical film thickness nd is proportional to the distance y between the peaks.
A photomask inspection method, wherein, if the optical film thickness is out of the set range at a position where the reference data indicates that the reference data is within the light-shielding film region, it is determined that the position is a light-shielding film defective position.
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