JP2000340494A - Electron beam aligner and electron beam exposing method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光装置及
び露光方法に関し、特に、ミックスアンドマッチ露光方
法で可変成形ショット間の接続精度を向上することがで
きる電子線露光装置及び露光方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam exposure apparatus and an exposure method, and more particularly to an electron beam exposure apparatus and an exposure method capable of improving connection accuracy between variable-shaped shots by a mix-and-match exposure method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程におけるリソ
グラフィー技術に関しては、近年の回路パターンの微細
化に対応して、高解像度が要求される層は電子線露光装
置を用い、その他の層は光投影露光装置を用いる、いわ
ゆるミックスアンドマッチ露光方法が必須となってきて
いる。2. Description of the Related Art With respect to lithography technology in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, an electron beam exposure apparatus is used for a layer requiring high resolution in accordance with recent miniaturization of a circuit pattern, and other layers are optically projected. A so-called mix-and-match exposure method using an exposure apparatus has become essential.
【０００３】逐次移動式光投影露光装置（以下ステッパ
と表記する）で露光しパターンを形成した半導体チップ
は、本来の設計値によるチップ格子からずれ、歪んだパ
ターンが形成されてしまう。これは、ステッパの光学収
差（球面収差や非点等）やウェハを動かすステージの軸
ずれや傾き、ウェハそのものの平坦度等の影響のためで
ある。A semiconductor chip, which has been exposed and patterned by a successively moving light projection exposure apparatus (hereinafter, referred to as a stepper), is displaced from a chip lattice based on an original design value, and a distorted pattern is formed. This is due to the influence of the optical aberration (spherical aberration, astigmatism, etc.) of the stepper, the axis deviation and inclination of the stage for moving the wafer, the flatness of the wafer itself, and the like.
【０００４】そのため、ステッパで露光して形成したパ
ターンに対し、可変成形型電子線露光装置（以下、電子
線露光装置と略記する）の露光パターンを重ね合わせる
ためには、歪みを考慮して電子線露光しなければなら
ず、ミックスアンドマッチ露光方法で従来から用いられ
ている一般的な方法を、図４の（ａ）を参照して以下説
明する。Therefore, in order to superpose an exposure pattern of a variable-shaped electron beam exposure apparatus (hereinafter, abbreviated as an electron beam exposure apparatus) on a pattern formed by exposure with a stepper, it is necessary to take an electron into consideration in consideration of distortion. A general method which has to be line-exposed and is conventionally used in the mix-and-match exposure method will be described below with reference to FIG.
【０００５】まず、ステッパで露光したパターンと、本
来の設計値によるパターンとのずれ量を、それぞれのパ
ターン上の複数の格子点について測定する。図４の
（ａ）において、本来の設計値によるパターン上の格子
点の位置は１〜２５であり、ステッパで露光した後のパ
ターン上のチップ格子点の位置は１’〜２５’であらわ
されている。この１から１’までの距離を測定し、格子
点の位置ずれ距離ｄ１とする。以下同様に、２〜２５か
らそれぞれ２〜２５’までの距離（格子点の位置ずれ距
離）、ｄ２〜ｄ２５をそれぞれ求める。First, the amount of deviation between the pattern exposed by the stepper and the pattern based on the original design value is measured for a plurality of grid points on each pattern. In FIG. 4A, the positions of the lattice points on the pattern according to the original design values are 1 to 25, and the positions of the chip lattice points on the pattern after exposure by the stepper are 1 'to 25'. ing. The distance from 1 to 1 'is measured, and is set as a positional shift distance d1 of the lattice point. In the same manner, the distances from grid points 2 to 25 to the grid points 2 to 25 ′ (position shift distances of the grid points) and d2 to d25 are respectively obtained.
【０００６】次に、測定した各格子点の位置ずれ距離ｄ
１〜ｄ２５を元にして、近似補正式を作成する。この例
の場合、近似補正式は最大５次の項を持つ式まで可能で
ある。この近似補正式は、ステッパで露光したパターン
の位置ずれ量を計算するための式となる。Next, the measured displacement distance d of each grid point is calculated.
An approximate correction formula is created based on 1 to d25. In the case of this example, the approximation correction expression can be an expression having a fifth-order term at the maximum. This approximation correction expression is an expression for calculating the amount of displacement of the pattern exposed by the stepper.
【０００７】さらに、この近似補正式で求められた情報
を元に、電子ビーム照射時の偏向量を制御し、チップ内
の露光位置補正を行うことにより、ステッパで露光した
下地のパターンに対し、電子線露光装置で露光パターン
の位置ずれ量のみを補正し、重ね合わせ露光を行う。Further, based on the information obtained by the approximate correction formula, the amount of deflection at the time of electron beam irradiation is controlled, and the exposure position in the chip is corrected. The overlay exposure is performed by correcting only the amount of displacement of the exposure pattern by an electron beam exposure apparatus.
【０００８】以上のような手法は、特開昭６２−０５７
２１６号公報、特許公報平３−４５５２７に開示された
技術等により示されているものである。The above technique is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-057.
No. 216, Patent Publication 3-45527, and the like.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ミックスアンドマッチ露光方法においては、上述の近似
補正式からステッパで露光したパターンの位置ずれ量の
みを補正して、電子線露光装置を用いて、ステッパで露
光したパターンに対し重ね合わせ露光するため、各ショ
ット毎に位置補正量が異なり、ショット（可変成形ショ
ット）間の接続精度が劣化してしまうという問題点があ
る。However, in the conventional mix-and-match exposure method, only the amount of positional deviation of the pattern exposed by the stepper is corrected from the above approximate correction formula, and an electron beam exposure apparatus is used. Since overlay exposure is performed on the pattern exposed by the stepper, the amount of position correction differs for each shot, and there is a problem that the connection accuracy between shots (variable shaped shots) is deteriorated.
【００１０】具体的な例を挙げて説明すると、図４の
（ｂ）に示すような縦方向への長いラインのパターンを
電子線露光装置で形成する場合は、可変成形ショット寸
法が均一な電流密度の電子ビームを得られる寸法に限定
されるので、この長いラインを５μｍ程度のショットに
分割露光してパターンを形成する。このため、各ショッ
ト毎に位置補正量が異なり、結果的にショット間の接続
部分におけるショットずれが生じ、接続精度が劣化する
というものである。[0010] Explaining with a specific example, when a pattern of a long line in the vertical direction as shown in FIG. 4B is formed by an electron beam exposure apparatus, a variable shaped shot has a uniform current. Since the size of the electron beam is limited to a size at which an electron beam having a high density can be obtained, a pattern is formed by dividing and exposing this long line into shots of about 5 μm. For this reason, the position correction amount differs for each shot, and as a result, a shot shift occurs at a connection portion between shots, and the connection accuracy deteriorates.
【００１１】本発明は、上記従来の問題点や事情に鑑み
てなされたものであって、ステッパと電子線露光装置の
ミックスアンドマッチ露光を行う際、可変成形ショット
間の接続精度を向上することができる電子線露光装置及
び電子線露光方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems and circumstances, and it is an object of the present invention to improve the connection accuracy between variable-shaped shots when performing mix-and-match exposure between a stepper and an electron beam exposure apparatus. And an electron beam exposure method.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明に係る電子線露光
装置は、「光投影露光装置で露光したパターンと、設計
値によるパターンとの位置ずれ量を測定し、該位置ずれ
量から近似補正式を求め、該近似補正式によって露光す
る可変成形ショット位置を算出可能に構成された電子線
露光装置であって、前記可変成形ショット位置と、設計
値による可変成形ショット寸法とから、可変成形ショッ
ト寸法補正量を算出して、電子線露光するように構成さ
れたことを特徴とする電子線露光装置。」（請求項
１）、を特徴とし、上記目的を達成できる。An electron beam exposure apparatus according to the present invention measures "a positional deviation between a pattern exposed by a light projection exposure apparatus and a pattern based on a design value, and performs approximate correction based on the positional deviation. An electron beam exposure apparatus configured to obtain a formula, and to calculate a variable shaping shot position to be exposed by the approximation correction formula, wherein the variable shaping shot position and a variable shaping shot size based on a design value are used to obtain a variable shaping shot. The electron beam exposure apparatus is configured to calculate a dimension correction amount and perform electron beam exposure. "(Claim 1), the above object can be achieved.
【００１３】さらに、上記電子線露光装置において、 ・前記可変成形ショットの前後のショット位置を比較し
て、前記可変成形ショット寸法補正量を求める制御手段
を有すること（請求項２）、 ・前記ショット寸法補正量を１／２に分割し、可変成形
ショットの前後に分割したショット寸法補正量を配分す
る制御手段を有すること（請求項３）、を特徴とする。The electron beam exposure apparatus further comprises: control means for comparing the shot positions before and after the variable-shaped shot to obtain the variable-shaped shot dimension correction amount (claim 2). There is provided a control means for dividing the dimension correction amount into half and distributing the shot dimension correction amount divided before and after the variable shaping shot (claim 3).
【００１４】また、本発明に係る電子線露光装置は、
「電子線露光手段と制御手段を有し、該電子線露光手段
は電子銃から発生された電子線が通過する開口部を有す
る第一のアパチャが配置され、該第一のアパチャ下部に
成形偏向器が配置され、該成形偏向器により偏向された
電子線が通過する開口部を有する第二のアパチャが前記
成形偏向器の下部に配置され、該第二のアパチャの下部
に対物レンズ及び位置決め偏向器が配置されるように構
成されており、該制御手段は前記成形偏向器を制御する
寸法補正処理部と、前記位置決め偏向器を制御する位置
補正処理部と、該寸法補正処理部及び該位置補正処理部
に対して演算結果を送る演算部を有する制御コンピュー
タと、から構成されていることを特徴とする電子線露光
装置。」（請求項４）を特徴とする。さらに、前記第一
のアパチャの開口部及び前記第二のアパチャの開口部の
形状が矩形であること（請求項5）を特徴とする。An electron beam exposure apparatus according to the present invention comprises:
"Electron beam exposure means and control means are provided, and the electron beam exposure means is provided with a first aperture having an opening through which an electron beam generated from an electron gun passes, and formed and deflected below the first aperture. A second aperture having an opening through which an electron beam deflected by the shaping deflector passes is disposed below the shaping deflector, and an objective lens and positioning deflection are provided below the second aperture. A dimensional correction processing unit for controlling the shaping deflector, a position correction processing unit for controlling the positioning deflector, the dimensional correction processing unit and the position And a control computer having an operation unit for sending the operation result to the correction processing unit. " Further, the opening of the first aperture and the opening of the second aperture are rectangular in shape (claim 5).
【００１５】また、本発明に係る電子線露光方法は、
「光投影露光装置で露光したパターンと、設計値による
パターンとの位置ずれ量を測定し、該位置ずれ量から近
似補正式を求め、電子線露光装置で露光する可変成形シ
ョット位置を前記近似補正式によって算出し、前記可変
成形ショット位置と、設計値による可変成形ショット寸
法とから、可変成形ショット寸法補正量を算出し、電子
線露光装置で露光することを特徴とする電子線露光方
法。」（請求項６）を特徴とし、上記目的を達成でき
る。Further, the electron beam exposure method according to the present invention provides
"The position deviation between the pattern exposed by the light projection exposure apparatus and the pattern based on the design value is measured, an approximate correction formula is obtained from the position deviation, and the variable shaping shot position exposed by the electron beam exposure apparatus is subjected to the approximate correction. An electron beam exposure method, comprising: calculating a variable shaping shot size correction amount from the variable shaping shot position and a variable shaping shot size based on a design value, and exposing with an electron beam exposure apparatus. " According to the present invention, the above object can be achieved.
【００１６】さらに、上記電子線露光方法において、 ・前記可変成形ショット寸法補正量は、可変成形ショッ
トの前後のショット位置を比較して求めたこと（請求項
７）、 ・前記ショット寸法補正量を１／２に分割し、可変成形
ショットの前後に分割したショット寸法補正量を配分し
て、電子線露光装置で露光すること（請求項８）、を特
徴とする。Further, in the above-mentioned electron beam exposure method, the variable shape shot size correction amount is obtained by comparing shot positions before and after the variable shape shot (claim 7). The method is characterized in that a shot size correction amount divided before and after a variable shaping shot is divided into ２, and exposure is performed by an electron beam exposure apparatus (claim 8).
【００１７】（作用）本発明に係る電子線露光装置及び
電子線露光方法は、可変成形ショット位置を補正すると
同時に、可変成形ショット寸法を補正しながら露光する
ため、高精度な接続精度を確保しながら露光を行なうこ
とが可能である。(Effect) The electron beam exposure apparatus and the electron beam exposure method according to the present invention, while correcting the variable shaped shot position and performing exposure while correcting the variable shaped shot size, ensure high connection accuracy. It is possible to perform exposure while performing.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について詳細
に説明する。図１は本発明の実施の形態に係る電子線露
光装置の構成を示す図である。図２は可変成形ショット
のＹ方向の寸法補正量Ｃｙnを算出方法を表で示した図
である。図３は可変成形ショット寸法を補正した模式図
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an electron beam exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a table showing a method of calculating the dimension correction amount Cy n of the variable forming shot in the Y direction. FIG. 3 is a schematic view in which the variable molding shot size is corrected.
【００１９】以下、図１を参照して、本発明に係る電子
線露光装置の実施の形態について説明する。本発明に係
る電子線露光装置１は、電子線露光手段２と制御手段３
から構成されている。この電子線露光手段２は、電子銃
１１から発生された電子ビーム１２が透過できるよう
に、矩形状の開口部１３ａを有する第１アパチャ１３が
配置され、矩形の電子ビームを形成（可変成形ビーム１
２ａ）する。その下部に可変成形ビーム１２ａを偏向す
るための成形偏向器１４が配置されており、さらに、こ
の成形偏向器１４により電気的に偏向させて、照射領域
を変化させた可変成形ビーム１２ａが通過できるよう
に、矩形状の開口部１５ａを有する第２アパチャ１５が
成形偏向器１４の下部に配置されている。さらにその下
部に、対物レンズ１６及び位置決め偏向器１７が配置さ
れ、開口部１５ａを通過した露光ビーム１２ｂがウェハ
１８上の露光目的位置へ到達して露光される。制御手段
３は、成形偏向器１４を制御する寸法補正処理部１９、
位置決め偏向器１７を制御する位置補正処理部２０、こ
れら２つの補正処理部１９、２０に演算結果を送る演算
部２１を有する制御コンピュータ２２から構成されてい
る。Hereinafter, an embodiment of an electron beam exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. An electron beam exposure apparatus 1 according to the present invention includes an electron beam exposure unit 2 and a control unit 3.
It is composed of The electron beam exposure means 2 is provided with a first aperture 13 having a rectangular opening 13a so that an electron beam 12 generated from an electron gun 11 can be transmitted, and forms a rectangular electron beam (variable shaped beam). 1
2a). A shaping deflector 14 for deflecting the variable shaping beam 12a is disposed below the shaping deflector 14, and further, the shaping deflector 14 is electrically deflected by the shaping deflector 14 so that the variable shaping beam 12a whose irradiation area is changed can pass through. As described above, the second aperture 15 having the rectangular opening 15 a is arranged below the shaping deflector 14. Furthermore, an objective lens 16 and a positioning deflector 17 are arranged below the exposure beam, and the exposure beam 12b that has passed through the opening 15a reaches a target exposure position on the wafer 18 and is exposed. The control unit 3 includes a dimension correction processing unit 19 that controls the shaping deflector 14,
It comprises a position correction processing unit 20 for controlling the positioning deflector 17 and a control computer 22 having a calculation unit 21 for sending calculation results to these two correction processing units 19 and 20.
【００２０】次に、本実施の形態に係る電子線露光装置
１の動作について説明する。まず、前述の従来のミック
スアンドマッチ露光方法で位置を補正するために、演算
部２１から出力された設計データ上での可変成形ショッ
ト位置Ｑnの情報に対し、位置補正処理部２０で可変成
形ショットの位置を上述したような近似補正式から補正
が行なわれたショット補正位置Ｐnの情報が位置決め偏
向器１７へ出力される。Next, the operation of the electron beam exposure apparatus 1 according to this embodiment will be described. First, in order to correct the position in the conventional mix-and-match exposure method described above, with respect to information of variable shaped shot position Q n on the output design data from the arithmetic unit 21, a variable shaped by the position correction processing part 20 The information of the shot correction position Pn in which the shot position has been corrected from the above-described approximate correction formula is output to the positioning deflector 17.
【００２１】この時同時に、位置補正処理部２０から出
力されたショット補正位置Ｐnの情報と、演算部２１か
ら出力される設計データ上でのショット寸法Ｖnの情報
が寸法補正処理部１９へ出力される。[0021] At the same time, the information of the shot correction position P n output from the position correcting unit 20, information of the shot size V n on the design data output from the operation unit 21 to the dimension correction processing unit 19 Is output.
【００２２】寸法補正処理部１９では、上記のショット
補正位置Ｐnの情報とショット寸法Ｖnの情報を元に、可
変成形ビーム寸法へ寸法補正を行い、成形偏向器１４に
出力される。このように、可変成形ショットの位置を補
正すると同時に、可変成形ショット寸法を補正しながら
露光を行なう。[0022] In the dimension correction processing unit 19, based on the information of the information and shot size V n of the shot corrected position P n, performs size correction to the variable shaped beam size, is output to the shaping deflector 14. In this way, exposure is performed while correcting the position of the variable-shaped shot and at the same time, correcting the dimension of the variable-shaped shot.
【００２３】さらに、露光時のＹ方向への補正動作につ
いて、図１〜図３を参照して詳細に説明する。図１の位
置補正処理部２０から位置決め偏向器１７へ出力される
可変成形ショット位置は、図２で示したＹ方向のショッ
ト補正位置Ｐｙnであらわされ、このＹ方向のショット
補正位置Ｐｙnは、同時に寸法補正処理部１９にも出力
される。Further, the correcting operation in the Y direction at the time of exposure will be described in detail with reference to FIGS. Variable shaped shot position output from the position correcting unit 20 of FIG. 1 to the positioning deflector 17 is expressed by the shot correction position Py n in the Y direction shown in FIG. 2, the shot corrected position Py n The Y direction Are also output to the dimension correction processing unit 19 at the same time.
【００２４】また、Ｙ方向のショット補正位置Ｐｙnに
露光される際、設計データ上のＹ方向の可変成形ショッ
ト寸法Ｖｙnは演算部２１より寸法補正処理部１９に送
られる。そして、寸法補正処理部１９では、Ｙ方向のシ
ョット補正位置Ｐｙnと、ショット寸法Ｖｙnから可変成
形ショット寸法補正量Ｃｙnを算出し、ＶｙnにＣｙnを
足し合わせた形で成形偏向器１４に出力する。Further, when it is exposed in the Y direction of the shot correction position Py n, a variable shaped shot size Vy n in the Y direction in the design data is sent to dimension correction processing unit 19 from the arithmetic unit 21. Then, in dimension correction processing unit 19, and a shot correction position Py n in the Y direction, to calculate the variable-shaped shots dimensional correction amount Cy n from shot size Vy n, shaping deflector in the form of the sum of the Cy n to Vy n 14 is output.
【００２５】上述したように、例えばＹ方向に可変成形
ショットパターンＳn、Ｓn-1が接続されるように露光を
行なう場合、各ショットパターンのＹ方向の露光位置Ｐ
ｙn、Ｐｙn-1（ショット位置を左下で定義した場合）
と、設計データ上でのＹ方向の各ショット寸法Ｖｙn、
Ｖｙn-1から、ショットパターンＳnのＹ方向の補正量は
Ｐｙn-1−Ｐｙn−Ｖｙn、ショットパターンＳn-1のＹ方
向の補正量は、Ｐｙn- 2−Ｐｙn-1−Ｖｙn-1となる。As described above, for example, when exposure is performed such that the variable shaped shot patterns S n and S n-1 are connected in the Y direction, the exposure position P in the Y direction of each shot pattern is determined.
y n , Py n-1 (when the shot position is defined at the lower left)
If, each shot size Vy n in the Y direction on the design data,
From Vy n-1, the correction amount of shot patterns S correction amount in the Y direction and n Py n-1 -Py n -Vy n , shot pattern S n-1 in the Y direction, Py n- 2 -Py n- 1 -Vyn -1 .
【００２６】図３に、これら求められたショット寸法補
正量を１／２に分割し、ショットの前後に配分するよう
にショットパターンＳn、Ｓn-1を補正した例を示す。Ｘ
方向に対しても同様に補正処理し、次に、上記寸法補正
量Ｃnと、上記可変成形ショット寸法Ｖnとを足し合わせ
た値を成形偏向器１４へ出力する。以上の補正動作を各
ショット毎に行ないながら、上述の露光動作を行なって
いく。FIG. 3 shows an example in which the obtained shot size correction amount is divided into 、, and the shot patterns S n and S n-1 are corrected so as to be distributed before and after the shot. X
Correction processing similarly to the direction, then outputs the aforementioned dimensional correction amount C n, a value obtained by adding the above-mentioned variable-shaped shot size V n to the shaping deflector 14. The above-described exposure operation is performed while performing the above-described correction operation for each shot.
【００２７】以下、図面を参照して本発明に係る電子線
露光方法の実施の形態について説明する。図４におい
て、従来の技術で説明した方法と同様にして、ステッパ
による露光後のパターンのチップ格子と、本来の設計値
によるチップ格子との位置ずれ量を求め、電子線露光装
置で露光する各可変成形ショット位置を近似補正式によ
って決定する。An embodiment of an electron beam exposure method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 4, in a manner similar to the method described in the background art, the amount of displacement between the chip lattice of the pattern after exposure by the stepper and the chip lattice based on the original design value is obtained, and each of the exposures by the electron beam exposure apparatus is performed. The variable shaping shot position is determined by the approximate correction formula.
【００２８】次に図２に示すように、近似補正式から求
められたショット補正位置Ｐnから、可変成形ショット
の寸法補正量Ｃnを算出する。Ｃnは、各可変成形ショッ
トの前後のショットを比較し、ショット位置とショット
の大きさで決定される。[0028] Next, as shown in FIG. 2, the shot compensation position P n obtained from the approximate correction equation to calculate the dimension correction amount C n of variable shaped shot. C n compares the before and after shot of each variable shaped shot is determined by the size of the shot position and shot.
【００２９】例えば、図３に示す例では可変成形ショッ
トＳn、Ｓn-1の場合、各ショットのＹ方向の露光位置Ｐ
ｙn、Ｐｙn-1（ショット位置を左下で定義した場合）
と、設計データ上での各ショット寸法Ｖｙn、Ｖｙn-1か
ら、ショットパターンＳnはＰｙn-1−Ｐｙn−Ｖｙn、シ
ョットパターンＳn-1は、Ｐｙn-2−Ｐｙn-1−Ｖｙn-1の
寸法補正量が求められる。For example, in the example shown in FIG. 3, in the case of the variable shaped shots Sn and Sn-1 , the exposure position P in the Y direction of each shot
y n , Py n-1 (when the shot position is defined at the lower left)
If, each shot size Vy n on the design data, from Vy n-1, shot pattern S n is Py n-1 -Py n -Vy n , shot pattern S n-1 is, Py n-2 -Py n A dimension correction amount of -1 -Vyn -1 is obtained.
【００３０】図３に示す例は、これら求められたショッ
ト寸法補正量を１／２に分割し、ショットの前後に配分
するようにショットパターンＳn、Ｓn-1のＹ方向の寸法
を補正した例である。In the example shown in FIG. 3, the obtained shot size correction amount is divided into halves, and the Y direction dimensions of the shot patterns Sn and Sn-1 are corrected so as to be distributed before and after the shot. This is an example.
【００３１】このように、本発明に係る電子線露光方法
の実施の形態においては、電子線露光方法における各位
置の可変成形ショットの寸法を補正しながら露光するの
で、可変成形ショット間の接続精度向上が可能となる。As described above, in the embodiment of the electron beam exposure method according to the present invention, the exposure is performed while correcting the dimension of the variable shaped shot at each position in the electron beam exposure method. Improvement is possible.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明に係る電子線露光装置及び電子線
露光方法によれば、可変成形ショット位置を補正すると
同時に、可変成形ショット寸法を補正しながら露光する
ため、高精度な接続精度を確保しながら露光を行なうこ
とが可能となる電子線露光装置及び電子線露光方法を提
供できるものである。According to the electron beam exposure apparatus and the electron beam exposure method according to the present invention, since the exposure is performed while correcting the variable shaped shot position and the variable shaped shot size at the same time, high-precision connection accuracy is ensured. The present invention can provide an electron beam exposure apparatus and an electron beam exposure method that can perform exposure while performing exposure.
【図１】本発明の実施の形態に係る電子線露光装置の構
成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an electron beam exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態に係る電子線露光方法を説
明する図である（可変成形ショットの寸法補正量Ｃnを
算出方法を表で示した図）。2 is a diagram illustrating an electron beam exposure method according to an embodiment of the present invention (diagram illustrating a dimension correction amount C n of variable shaped shot calculation method in the table).
【図３】本発明の実施の形態に係る電子線露光方法を説
明する図である（可変成形ショット寸法を補正した模式
図）。FIG. 3 is a diagram for explaining an electron beam exposure method according to the embodiment of the present invention (a schematic diagram in which a variable shaping shot dimension is corrected).
【図４】従来のミックスアンドマッチ露光方法を説明す
る図である（ステッパの露光パターンに対し電子線露光
装置の露光パターンを重ね合わせ露光する方法）。FIG. 4 is a view for explaining a conventional mix-and-match exposure method (a method of superposing and exposing an exposure pattern of an electron beam exposure apparatus on an exposure pattern of a stepper).
１ 電子線露光装置 ２ 電子線露光手段 ３ 制御手段 １１ 電子銃 １２ 電子ビーム １２ａ 可変成形ビーム １２ｂ 露光ビーム １３ａ 開口部 １３ 第一アパチャ １４ 成形偏向器 １５ａ 開口部 １５ 第二アパチャ １６ 対物レンズ １７ 偏向器 １８ ウェハ １９ 寸法補正処理部 ２０ 位置補正処理部 ２１ 演算部 ２２ 制御コンピュータ Ｃn 可変成形ショット寸法補正量 Ｐn ショット補正位置 Ｓn 可変成形ショットパターン Ｖn ショット寸法 Ｑn 設計データ上での可変成形ショット位置DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron beam exposure apparatus 2 Electron beam exposure means 3 Control means 11 Electron gun 12 Electron beam 12a Variable shaping beam 12b Exposure beam 13a Opening 13 First aperture 14 Shaping deflector 15a Opening 15 Second aperture 16 Objective lens 17 Deflector Reference Signs List 18 Wafer 19 Dimension correction processing unit 20 Position correction processing unit 21 Operation unit 22 Control computer C n Variable molding shot dimension correction amount P n shot correction position Sn Variable molding shot pattern V n shot dimension Q n Variable molding on design data Shot position
Claims (8)
設計値によるパターンとの位置ずれ量を測定し、該位置
ずれ量から近似補正式を求め、該近似補正式によって露
光する可変成形ショット位置を算出可能に構成された電
子線露光装置であって、前記可変成形ショット位置と、
設計値による可変成形ショット寸法とから、可変成形シ
ョット寸法補正量を算出して、電子線露光するように構
成されたことを特徴とする電子線露光装置。1. A pattern exposed by a light projection exposure apparatus,
An electron beam exposure apparatus configured to measure a positional deviation amount from a pattern according to a design value, obtain an approximate correction expression from the positional deviation amount, and calculate a variable shaping shot position to be exposed by the approximate correction expression, The variable shaping shot position,
An electron beam exposure apparatus configured to calculate a variable shaping shot dimension correction amount from a variable shaping shot dimension based on a design value and perform electron beam exposure.
位置を比較して、前記可変成形ショット寸法補正量を求
める制御手段を有することを特徴とする請求項１に記載
の電子線露光装置。2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, further comprising control means for comparing the shot positions before and after the variable-shaped shot to determine the variable-shaped shot dimension correction amount.
し、可変成形ショットの前後に分割したショット寸法補
正量を配分する制御手段を有することを特徴とする請求
項１又は請求項２に記載の電子線露光装置。3. The apparatus according to claim 1, further comprising control means for dividing the shot size correction amount into half and distributing the shot size correction amount divided before and after the variable shaping shot. An electron beam exposure apparatus according to claim 1.
子線露光手段は電子銃から発生された電子線が通過する
開口部を有する第一のアパチャが配置され、該第一のア
パチャ下部に成形偏向器が配置され、該成形偏向器によ
り偏向された電子線が通過する開口部を有する第二のア
パチャが前記成形偏向器の下部に配置され、該第二のア
パチャの下部に対物レンズ及び位置決め偏向器が配置さ
れるように構成されており、該制御手段は前記成形偏向
器を制御する寸法補正処理部と、前記位置決め偏向器を
制御する位置補正処理部と、該寸法補正処理部及び該位
置補正処理部に対して演算結果を送る演算部を有する制
御コンピュータと、から構成されていることを特徴とす
る電子線露光装置。4. An electron beam exposure means and a control means, wherein said electron beam exposure means is provided with a first aperture having an opening through which an electron beam generated from an electron gun passes, wherein said first aperture is provided. A shaping deflector is disposed at a lower portion, and a second aperture having an opening through which an electron beam deflected by the shaping deflector passes is disposed at a lower portion of the shaping deflector, and an object is provided at a lower portion of the second aperture. A lens and a positioning deflector are arranged, and the control means controls a dimension of the shaping deflector; a position correcting processor for controlling the positioning deflector; An electron beam exposure apparatus, comprising: a control unit having an operation unit for transmitting an operation result to the position correction processing unit.
二のアパチャの開口部の形状が矩形であることを特徴と
する請求項４に記載の電子線露光装置。5. The electron beam exposure apparatus according to claim 4, wherein the opening of the first aperture and the opening of the second aperture are rectangular.
設計値によるパターンとの位置ずれ量を測定し、該位置
ずれ量から近似補正式を求め、電子線露光装置で露光す
る可変成形ショット位置を前記近似補正式によって算出
し、前記可変成形ショット位置と、設計値による可変成
形ショット寸法とから、可変成形ショット寸法補正量を
算出し、電子線露光装置で露光することを特徴とする電
子線露光方法。6. A pattern exposed by a light projection exposure apparatus,
The amount of positional deviation from the pattern by the design value is measured, an approximate correction formula is obtained from the amount of positional deviation, the variable shaping shot position to be exposed by the electron beam exposure apparatus is calculated by the approximate correction formula, and the variable shaping shot position and An electron beam exposure method comprising: calculating a variable shaped shot dimension correction amount from a variable shaped shot dimension based on a design value;
変成形ショットの前後のショット位置を比較して求めた
ことを特徴とする請求項６に記載の電子線露光方法。7. The electron beam exposure method according to claim 6, wherein the variable shaping shot size correction amount is obtained by comparing shot positions before and after the variable shaping shot.
し、可変成形ショットの前後に分割したショット寸法補
正量を配分して、電子線露光装置で露光することを特徴
とする請求項６又は請求項７に記載の電子線露光方法。8. The electron beam exposure apparatus according to claim 6, wherein the shot dimension correction amount is divided into half, and the shot dimension correction amounts divided before and after the variable shaping shot are distributed and exposed by an electron beam exposure apparatus. Or the electron beam exposure method according to claim 7.
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