JP2000336196A - Production of laminate film, and reflection-preventing film - Google Patents

Production of laminate film, and reflection-preventing film

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JP2000336196A
JP2000336196A JP2000081810A JP2000081810A JP2000336196A JP 2000336196 A JP2000336196 A JP 2000336196A JP 2000081810 A JP2000081810 A JP 2000081810A JP 2000081810 A JP2000081810 A JP 2000081810A JP 2000336196 A JP2000336196 A JP 2000336196A
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polymer
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a laminate film by which the film useful as a reflection-preventing film can be produced at a temperature hardly causing the degradation or the like of a polymer film, at a high speed by forming a titanium oxide film on the polymer film at a regulated specific temperature by using a specified plasma CVD device. SOLUTION: One or more layers of titanium oxide is formed on a polymer film at a regulated temperature of (-10)-150 deg.C by a plasma CVD device capable of controlling the temperature of the polymer film to provide the objective film. The device preferably has at least a reaction chamber 4 into which a raw material gas is introduced (from a raw material gas-introducing opening 6), a temperature-controllable drum 8 for film-formation, and a plasma- generating means (with an electrode 9 and an electric source 10) for generating plasma 11 between the means and the drum 8. The web-like polymer film 1 is continuously conveyed to the reaction chamber 4 by the drum 8, and the titanium oxide film is formed on the film 1 under the control of the temperature of the film 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマCVD法
で高分子フィルム上に酸化チタン膜等を形成するための
積層フィルムの製造方法、およびこの製造方法により得
られる反射防止フィルムに関する。
The present invention relates to a method for producing a laminated film for forming a titanium oxide film or the like on a polymer film by a plasma CVD method, and an antireflection film obtained by the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイ、プラズマディスプレ
イ、CRTなどのコンピューター、ワープロ、テレビ、
表示板に使用される各種ディスプレイや、計器等の表示
体、バックミラー、ゴーグル、窓ガラスなどには、ガラ
スやプラスチックなどの透明な基板が使用されている。
そして、それらの透明な基材を通して、文字や図形その
他の情報を読み取るため、透明な基材の表面で光が反射
するとそれらの情報が読み取り難くなるという欠点があ
る。
2. Description of the Related Art Computers such as liquid crystal displays, plasma displays and CRTs, word processors, televisions,
BACKGROUND ART Transparent substrates such as glass and plastic are used for various displays used for display panels, display bodies such as instruments, rearview mirrors, goggles, and window glasses.
In addition, since characters, figures, and other information are read through the transparent base material, there is a disadvantage that when the light is reflected on the surface of the transparent base material, the information becomes difficult to read.

【0003】そこで、基材に反射防止機能を付与するこ
とが行われる。反射防止機能を付与するための方法とし
ては、例えば、透明基材に直接、各種方法により酸化ケ
イ素(以下、「シリカ」とする場合がある。)、酸化ジ
ルコニウム、酸化チタン、フッ化マグネシウムなどの無
機化合物からなる反射防止膜を形成する方法がある。特
に、酸化チタンは、高い屈折率を有するため、反射防止
膜の高屈折率層に好適に使用される。しかし、直接透明
基材に酸化チタン等を含む反射防止膜層を形成しようと
すると、形成可能な透明基材の大きさ、厚さ、形状(表
面が曲面等)に制約が多かった。
[0003] Therefore, an antireflection function is imparted to a substrate. As a method for imparting an antireflection function, for example, silicon oxide (hereinafter, sometimes referred to as “silica”), zirconium oxide, titanium oxide, magnesium fluoride, etc., may be directly applied to a transparent substrate by various methods. There is a method of forming an antireflection film made of an inorganic compound. In particular, since titanium oxide has a high refractive index, it is suitably used for the high refractive index layer of the antireflection film. However, when an anti-reflection film layer containing titanium oxide or the like is directly formed on a transparent substrate, there are many restrictions on the size, thickness, and shape (surface is a curved surface, etc.) of the transparent substrate that can be formed.

【0004】そのため、透明な高分子フィルム上に、酸
化チタン膜等からなる反射防止膜を形成し、その反射防
止膜を形成した高分子フィルムを、反射防止機能を求め
られる基材に貼り合わせる方法が提案されている。この
方式によれば、透明基材の形による制約を大幅に軽減す
ることが可能となり、また、透明基材の表面に反射防止
機能を付与するためのコストも低減することができる。
[0004] Therefore, a method in which an antireflection film made of a titanium oxide film or the like is formed on a transparent polymer film, and the polymer film formed with the antireflection film is bonded to a substrate required to have an antireflection function. Has been proposed. According to this method, it is possible to greatly reduce restrictions due to the shape of the transparent base material, and it is also possible to reduce the cost for providing an antireflection function to the surface of the transparent base material.

【0005】ところで、酸化チタンの膜等の反射防止膜
を形成するための手段としては、真空蒸着法やスパッタ
リング法、熱CVD法、あるいは、ゾルゲル法等による
ウエットコーティングなどの方法がある。しかし、これ
らの方法で高分子フィルム上に酸化チタン膜を形成しよ
うとした場合は、以下のような問題を生じる。
Means for forming an antireflection film such as a titanium oxide film include a vacuum deposition method, a sputtering method, a thermal CVD method, and a wet coating method such as a sol-gel method. However, when trying to form a titanium oxide film on a polymer film by these methods, the following problems occur.

【0006】チタンやチタン酸化物を原材とした真空蒸
着法では、基材との密着性が悪い。また、チタンやチタ
ン酸化物をターゲットとしたスパッタリング法では、酸
化チタン膜の生成速度がきわめて遅い等の問題を生じ
る。
[0006] The vacuum deposition method using titanium or titanium oxide as a raw material has poor adhesion to a substrate. In addition, the sputtering method using titanium or titanium oxide as a target causes a problem that the generation rate of a titanium oxide film is extremely low.

【0007】次に、熱CVDにおいては、基材の熱エネ
ルギーによって原料ガスを酸化・分解して薄膜を形成す
る方法のため、基材を高温度にしなければならない。例
えば、熱CVD法によって、酸化チタン膜を形成する場
合の基材温度は300〜500℃程度が必要になる。こ
のような高温を、高分子フィルム基材に加えると、高分
子化合物の分解・酸化を生じるため、高分子フィルム上
に熱CVD法で、酸化チタン膜を形成することは不可能
である。
Next, in thermal CVD, the substrate must be heated to a high temperature because of the method of oxidizing and decomposing the raw material gas by the thermal energy of the substrate to form a thin film. For example, when a titanium oxide film is formed by a thermal CVD method, a substrate temperature of about 300 to 500 ° C. is required. When such a high temperature is applied to the polymer film substrate, the polymer compound is decomposed and oxidized, so that it is impossible to form a titanium oxide film on the polymer film by a thermal CVD method.

【0008】また、ゾルゲル法等によるウエットコーテ
ィングにより、酸化チタン膜を形成する場合は、酸化チ
タン膜の薄膜化、膜質の均一化、膜厚制御が困難とな
る。酸化チタン膜を反射防止層として使用する場合に
は、数十nm〜数百nmの厚さの均質な薄膜を、規定の
厚さで面内厚さのバラツキなく形成しないと、設計で意
図した光学的機能を発揮することができなくなってしま
う。しかし、ゾルゲル法等によるウエットウエットコー
ティングの手法により反射防止層用の酸化チタン膜を形
成した場合には、このような厳密な要求を満たすことは
困難である。
When a titanium oxide film is formed by wet coating using a sol-gel method or the like, it is difficult to reduce the thickness of the titanium oxide film, make the film quality uniform, and control the film thickness. When a titanium oxide film is used as an anti-reflection layer, the design intended unless a uniform thin film having a thickness of several tens of nm to several hundreds of nm was formed at a specified thickness without variation in the in-plane thickness. The optical function cannot be exhibited. However, when a titanium oxide film for an antireflection layer is formed by a wet wet coating technique such as a sol-gel method, it is difficult to satisfy such strict requirements.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
実状のもとなされたものであって、高分子フィルム基材
上に、反射防止層用の酸化チタン膜等を形成する場合に
おいて、高分子フィルムの分解、伸び、変形の生じない
温度で成膜が可能で、かつ、成膜速度が高く、加えて、
反射防止フィルムとして使用可能な光学的性能を有する
積層フィルムの製造方法、およびその製造方法により得
られる反射防止フィルムを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and is intended for forming a titanium oxide film or the like for an antireflection layer on a polymer film substrate. Film formation is possible at a temperature at which decomposition, elongation and deformation of the polymer film do not occur, and the film formation speed is high.
An object of the present invention is to provide a method for producing a laminated film having optical performance that can be used as an antireflection film, and an antireflection film obtained by the method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、請求項1において、高分子フィルムの温度
制御が可能なプラズマCVD装置を用い、−10〜15
0℃の範囲内の温度に制御された高分子フィルム上に少
なくとも一層の酸化チタン膜を形成することを特徴とす
る積層フィルムの製造方法を提供する。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a plasma CVD apparatus capable of controlling the temperature of a polymer film is used, and
Provided is a method for producing a laminated film, wherein at least one layer of a titanium oxide film is formed on a polymer film controlled at a temperature within the range of 0 ° C.

【0011】高分子フィルム上に酸化チタン膜を成膜す
る際にプラズマCVD法を用いることにより、当該フィ
ルムの表面温度を−10〜150℃に保持することがで
き、よってフィルムの分解、伸び、変形を生じることな
く簡便に酸化チタン膜を成膜することが可能となる。こ
こで、プラズマCVD法とは、所定のガスが導入された
反応室内でプラズマ生成することにより原子または分子
ラジカル種が生成されて固体表面に付着し,多くの場合
表面反応によってさらに揮発性分子を放出して固体表面
に取り込まれる現象を利用した成膜方法である。
By using a plasma CVD method when forming a titanium oxide film on a polymer film, the surface temperature of the film can be maintained at -10 to 150 ° C., so that decomposition, elongation, It is possible to easily form a titanium oxide film without deformation. Here, the plasma CVD method means that atomic or molecular radical species are generated by generating plasma in a reaction chamber into which a predetermined gas is introduced, and adhere to a solid surface. In many cases, volatile molecules are further generated by a surface reaction. This is a film formation method utilizing the phenomenon of being released and taken into the solid surface.

【0012】上記請求項1に記載された発明において
は、請求項2に記載するように、上記プラズマCVD装
置を用い、−10〜150℃の範囲内の温度に制御され
た高分子フィルムに少なくとも一層のシリカ膜を形成す
るようにしてもよい。
In the first aspect of the present invention, as described in the second aspect, at least a polymer film controlled at a temperature within a range of -10 to 150 ° C. by using the plasma CVD apparatus. A single-layer silica film may be formed.

【0013】上記請求項1または請求項2に記載の発明
においては、請求項3に記載するように、上記プラズマ
CVD装置が、少なくとも原料ガスが導入される反応室
と、温度コントロール可能な成膜用ドラムと、上記成膜
用ドラムとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生手
段を有し、上記成膜用ドラムによりウェッブ状の高分子
フィルムが連続的に原料ガスが導入された反応室内に搬
送されることにより、上記高分子フィルムの温度制御が
行なわれると同時に上記高分子フィルム上に膜が形成さ
れる装置であることが好ましい。
According to the first or second aspect of the present invention, as set forth in the third aspect, the plasma CVD apparatus includes a reaction chamber into which at least a source gas is introduced, and a film forming apparatus capable of controlling a temperature. Generating means for generating plasma between the film forming drum and the film forming drum, and the web-shaped polymer film is transported by the film forming drum into a reaction chamber into which a source gas is continuously introduced. It is preferable that the apparatus be capable of controlling the temperature of the polymer film and simultaneously forming a film on the polymer film.

【0014】このような装置を用いることにより、ウエ
ッブ状の高分子フィルム、中でも長尺のフィルム上に連
続的に酸化チタン膜や酸化チタン膜とシリカ膜との複合
膜を形成することが可能となる。また、上記フィルムは
成膜用ドラムにより搬送され、かつ当該成膜用ドラム上
において上記酸化チタン膜等が成膜される。したがっ
て、成膜用ドラムの温度を制御することにより上記高分
子フィルムの温度を制御することが可能であり、フィル
ムの変形等が生じない低温状態での成膜が可能となる。
ここで、プラズマ発生用手段としては例えば、電源に接
続された電極、コイル、アンテナ、または電磁波導入用
の窓等が挙げられる。
By using such an apparatus, it is possible to continuously form a titanium oxide film or a composite film of a titanium oxide film and a silica film on a web-like polymer film, especially a long film. Become. The film is transported by a film forming drum, and the titanium oxide film or the like is formed on the film forming drum. Therefore, by controlling the temperature of the film forming drum, the temperature of the polymer film can be controlled, and the film can be formed in a low temperature state where the film does not deform.
Here, examples of the plasma generating means include an electrode, a coil, an antenna, and a window for introducing an electromagnetic wave, which are connected to a power supply.

【0015】上記請求項3に記載の発明で用いられるプ
ラズマCVD装置は、請求項4に記載するように、上記
反応室が、上記成膜用ドラムの外周に沿って複数配置さ
れているものであってもよい。複数の反応室が配置され
ていれば、例えば酸化チタン膜の原料となる原料ガス
と、シリカ膜の原料となる原料ガスとを別の反応室に導
入しておくことにより、一回の操作で酸化チタン膜とシ
リカ膜とを製造することが可能となる等の利点を有する
からである。また、成膜用ドラムについても、複数配置
されていてもよい。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a plasma CVD apparatus in which a plurality of the reaction chambers are arranged along the outer periphery of the film forming drum. There may be. If a plurality of reaction chambers are arranged, for example, by introducing a raw material gas serving as a raw material of a titanium oxide film and a raw material gas serving as a raw material of a silica film into separate reaction chambers, This is because there is an advantage that a titanium oxide film and a silica film can be manufactured. Also, a plurality of film forming drums may be arranged.

【0016】本発明は、請求項5に記載するように、屈
折率が2.0以上2.9以下(波長λ=550nm)の
少なくとも一層の酸化チタン膜が、高分子フィルム上に
プラズマCVD法により積層されてなることを特徴とす
る反射防止フィルムを提供する。
According to the present invention, at least one titanium oxide film having a refractive index of 2.0 or more and 2.9 or less (wavelength λ = 550 nm) is formed on a polymer film by a plasma CVD method. The present invention provides an antireflection film characterized by being laminated by:

【0017】高分子フィルム上に積層された酸化チタン
膜がプラズマCVD法により形成されたものであるの
で、酸化チタン膜が必要な屈折率を有し、かつ高分子フ
ィルムの劣化等のない高品質な反射防止フィルムとする
ことができる。また、当該酸化チタン膜に求められる光
学特性として、屈折率が2.0以上(波長λ=550n
m)が要求される。これは、当該屈折率が2.0に満た
ないものは酸化チタン膜自体の成膜が不完全であり、反
射防止フィルムの製品として求められる基準を下回るか
らである。また、通常酸化チタン膜の屈折率が2.9以
上(波長λ=550nm)となることはあり得ないた
め、本発明における酸化チタン膜の屈折率の上限は2.
9とした。
Since the titanium oxide film laminated on the polymer film is formed by the plasma CVD method, the titanium oxide film has a necessary refractive index and has high quality without deterioration of the polymer film. It can be set as an anti-reflection film. Further, as the optical characteristics required for the titanium oxide film, the refractive index is 2.0 or more (wavelength λ = 550 n).
m) is required. This is because, if the refractive index is less than 2.0, the titanium oxide film itself is incompletely formed, which is lower than the standard required as a product of the antireflection film. Further, since the refractive index of the titanium oxide film cannot usually be 2.9 or more (wavelength λ = 550 nm), the upper limit of the refractive index of the titanium oxide film in the present invention is 2.9.
It was set to 9.

【0018】上記請求項5に記載された発明において
は、請求項6に記載するように、前記高分子フィルムの
前記酸化チタン膜が形成された面に、高分子フィルム上
にプラズマCVD法により積層されてなるシリカ膜が形
成されている反射防止フィルムであってもよい。
According to the fifth aspect of the present invention, as described in the sixth aspect, the polymer film is laminated on the polymer film by a plasma CVD method on the surface of the polymer film on which the titanium oxide film is formed. An antireflection film having a formed silica film may be used.

【0019】上記請求項6に記載された発明において
は、請求項7に記載するように、最外層が上記シリカ膜
であることが好ましい。シリカ膜は酸化チタン膜と比べ
屈折率が低く、反射率も小さいことから、反射防止フィ
ルムの最外層として用いた場合に反射防止効果が大きい
からである。また、シリカ膜は比較的その表面エネルギ
ーが小さいため防汚性、撥水性を備えている。従って、
反射防止フィルムに防汚性、撥水性をも付与することが
できるからである。
In the invention described in claim 6, as described in claim 7, the outermost layer is preferably the silica film. This is because the silica film has a lower refractive index and a lower reflectance than the titanium oxide film, and therefore has a large antireflection effect when used as the outermost layer of the antireflection film. Further, since the silica film has relatively small surface energy, it has antifouling property and water repellency. Therefore,
This is because the antireflection film can also be provided with antifouling properties and water repellency.

【0020】上記請求項5から請求項7までのいずれか
の請求項に記載され反射防止フィルムにおいては、請求
項8に記載するように、上記高分子フィルム上にハード
コート層が形成され、上記ハードコート層上に上記プラ
ズマCVD法で形成された膜が積層されている反射防止
フィルムであることが好ましい。このようにハードコー
ト層を設けることにより、反射防止フィルムに耐擦傷性
をもたせることができるからである。
In the antireflection film according to any one of claims 5 to 7, as described in claim 8, a hard coat layer is formed on the polymer film. It is preferably an antireflection film in which a film formed by the plasma CVD method is laminated on the hard coat layer. By providing the hard coat layer in this manner, the antireflection film can have scratch resistance.

【0021】また上記請求項8に記載された発明におい
ては、請求項9に記載するように、上記ハードコート層
上に中屈折率層が形成されていることが好ましい。この
ように中屈折率層を形成することにより、反射防止効果
を向上させることができるからである。
Further, in the invention described in claim 8, as described in claim 9, it is preferable that a medium refractive index layer is formed on the hard coat layer. This is because the formation of the middle refractive index layer can improve the antireflection effect.

【0022】上記請求項5から請求項9までのいずれか
の請求項に記載の発明においては、請求項10に記載す
るように、上記高分子フィルムが一軸または二軸延伸ポ
リエステルフィルム、またはトリアセチルセルロースフ
ィルムであることが好ましい。ポリエステルフィルム
は、透明性、耐熱性に優れているため、種々の用途にお
ける反射防止フィルムとして用いることができ、またト
リアセチルセルロースフィルムも光学異方性を持ってな
いという点でポリエステルフィルムと同様に反射防止フ
ィルムに適しているからである。
In the invention according to any one of claims 5 to 9, as described in claim 10, the polymer film is a uniaxially or biaxially stretched polyester film, or triacetyl. Preferably, it is a cellulose film. Polyester film is excellent in transparency and heat resistance, so it can be used as an antireflection film in various applications, and triacetyl cellulose film is similar to polyester film in that it has no optical anisotropy. This is because it is suitable for an antireflection film.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。本発明の積層フィルムの製造方法は、高分子フ
ィルムの温度制御が可能なプラズマCVD装置を用い、
−10〜150℃の範囲内の温度に制御された高分子フ
ィルム上に少なくとも酸化チタン膜を形成することを特
徴とするものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described specifically. The method for producing a laminated film of the present invention uses a plasma CVD apparatus capable of controlling the temperature of a polymer film,
The method is characterized in that at least a titanium oxide film is formed on a polymer film controlled at a temperature within a range of -10 to 150 ° C.

【0024】本発明に用いられるプラズマCVD装置と
しては、高分子フィルムの温度制御が可能なものであれ
ば特に限定されるものでなく、電源周波数やプラズマ生
成方式においても特に制限はない。このようなプラズマ
CVD装置を用いて高分子フィルム上に酸化チタン膜を
形成した積層フィルムの製造方法について、図1を用い
て説明する。
The plasma CVD apparatus used in the present invention is not particularly limited as long as it can control the temperature of the polymer film, and there is no particular limitation on the power supply frequency or the plasma generation method. A method for manufacturing a laminated film in which a titanium oxide film is formed on a polymer film using such a plasma CVD apparatus will be described with reference to FIG.

【0025】まず、ウエッブ状の高分子フィルム1が基
材巻き出し部2より巻きだされて、真空容器3中のプラ
ズマCVDの反応室4に導入される。この反応容器3の
全体は、真空ポンプ5により排気される。また、同時に
反応室4には、原料ガス導入口6より規定流量の有機チ
タン化合物ガスと酸素ガスが供給され、反応室4の内部
は、常に一定圧力のこれらのガスで満たされている。
First, a web-like polymer film 1 is unwound from a substrate unwinding section 2 and is introduced into a plasma CVD reaction chamber 4 in a vacuum vessel 3. The whole reaction vessel 3 is evacuated by a vacuum pump 5. At the same time, a predetermined flow rate of an organic titanium compound gas and an oxygen gas are supplied from the raw material gas inlet 6 to the reaction chamber 4, and the inside of the reaction chamber 4 is always filled with these gases at a constant pressure.

【0026】次に、基材巻き出し部2より巻き出され、
反応室4に導入された高分子フィルム1は、反転ロール
7を経て、成膜用ドラム8に巻き付き、成膜用ドラム8
の回転と同期しながら反転ロール7’の方向に送られて
いく。この時、成膜用ドラム8は、温度コントロールが
可能であり、この時、高分子フィルム1の表面温度と成
膜用ドラム8の表面温度はほぼ等しい。従って、プラズ
マCVD時に酸化チタンが堆積する高分子フィルム1の
表面温度、すなわちプラズマCVDの成膜温度を任意に
コントロールできる。この例においては、プラズマCV
Dにより酸化チタン膜12を高分子フィルム1上に成膜
する場合の成膜温度を、その時の成膜用ドラム8の表面
温度により表示する。
Next, it is unwound from the base material unwinding unit 2,
The polymer film 1 introduced into the reaction chamber 4 is wound around a film forming drum 8 via a reversing roll 7,
The sheet is fed in the direction of the reversing roll 7 'in synchronization with the rotation of. At this time, the temperature of the film forming drum 8 can be controlled, and at this time, the surface temperature of the polymer film 1 and the surface temperature of the film forming drum 8 are substantially equal. Therefore, the surface temperature of the polymer film 1 on which titanium oxide is deposited during plasma CVD, that is, the film forming temperature of plasma CVD can be arbitrarily controlled. In this example, the plasma CV
The film forming temperature when the titanium oxide film 12 is formed on the polymer film 1 by D is indicated by the surface temperature of the film forming drum 8 at that time.

【0027】電極9と成膜用ドラム8との間には、電源
10によりRF電圧が印加される。このとき、電源の周
波数は、ラジオ波に限らず、直流からマイクロ波まで適
当な周波数を使用することも可能である。そして、電極
9と成膜用ドラム8の間にRF電圧を印加することによ
り、この両電極の周辺にプラズマ11が発生する。そし
て、このプラズマ11中で有機チタン化合物ガスと酸素
ガスが反応し、酸化チタンを生成して成膜用ドラム8に
巻き付いた高分子フィルム1上に堆積して、酸化チタン
膜12が形成される。その後、酸化チタン膜12が表面
に形成された高分子フィルム1は、反転ロール7’を経
て、基材巻き取り部2’で巻き取られる。
An RF voltage is applied between the electrode 9 and the film forming drum 8 by a power supply 10. At this time, the frequency of the power supply is not limited to the radio wave, and an appropriate frequency from DC to microwave can be used. Then, by applying an RF voltage between the electrode 9 and the film forming drum 8, a plasma 11 is generated around the two electrodes. Then, the organic titanium compound gas and the oxygen gas react in the plasma 11 to generate titanium oxide and deposit it on the polymer film 1 wrapped around the film forming drum 8 to form a titanium oxide film 12. . After that, the polymer film 1 having the titanium oxide film 12 formed on the surface thereof is wound by the base material winding unit 2 'via the reversing roll 7'.

【0028】上記のように、本発明においては、プラズ
マ11により有機チタン化合物ガスと酸素ガスが化学反
応して生成した酸化チタンが、成膜用ドラム8により適
切な温度に冷却された高分子フィルム1上に堆積して、
酸化チタン膜を形成するので、高分子フィルム1が高温
にさらされ、伸び、変形、カール等することなく、酸化
チタン膜12の形成が可能である。さらに、本発明のプ
ラズマCVD法においては、材料ガス流量・圧力、放電
条件、高分子フィルム1の送りスピートのコントロール
により、形成される酸化チタン膜12の屈折率、膜厚等
を広範囲でコントロールしうるため、材料を変更するこ
となく、所望の光学特性の膜を得ることができる。
As described above, in the present invention, the titanium oxide produced by the chemical reaction of the organic titanium compound gas and the oxygen gas by the plasma 11 is cooled by the film forming drum 8 to an appropriate temperature. Deposited on 1
Since the titanium oxide film is formed, the polymer film 1 is exposed to a high temperature, and the titanium oxide film 12 can be formed without stretching, deforming, curling, or the like. Further, in the plasma CVD method of the present invention, the refractive index, the film thickness, etc. of the titanium oxide film 12 to be formed are controlled in a wide range by controlling the flow rate and pressure of the material gas, the discharge conditions, and the speed of feeding the polymer film 1. Therefore, a film having desired optical characteristics can be obtained without changing the material.

【0029】以下に本発明に使用される材料、条件等を
更に詳しく説明する。
The materials and conditions used in the present invention will be described below in more detail.

【0030】本発明の有機チタン化合物として使用可能
な材料としては、Ti(i−OC374(チタンテト
ラi−プロポキシド)、Ti(OCH34(チタンテト
ラメトキシド)、Ti(OC254(チタンテトラエ
トキシド)、Ti(n−OC374(チタンテトラn
−プロポキシド)、Ti(n−OC494(チタンテ
トラn−ブトキシド)、Ti(t−OC494(チタ
ンテトラt−ブトキシド)のチタンアルコキシドが挙げ
られる。そのなでも、Ti(i−OC374(チタン
テトラi−プロポキシド)、Ti(t−OC49
4(チタンテトラt−ブトキシド)が蒸気圧が高いとい
う理由で好適である。
Materials that can be used as the organic titanium compound of the present invention include Ti (i-OC 3 H 7 ) 4 (titanium tetra i-propoxide), Ti (OCH 3 ) 4 (titanium tetramethoxide), Ti (OC 2 H 5 ) 4 (titanium tetraethoxide), Ti (n-OC 3 H 7 ) 4 (titanium tetra n
- propoxide), Ti (n-OC 4 H 9) 4 ( titanium tetra n- butoxide), and titanium alkoxide Ti (t-OC 4 H 9 ) 4 ( titanium tetra t- butoxide). Its Do But, Ti (i-OC 3 H 7) 4 ( titanium tetra i- propoxide), Ti (t-OC 4 H 9)
4 (titanium tetra-t-butoxide) is preferred because of its high vapor pressure.

【0031】また、これらの有機チタン化合物は、液体
気化器で蒸発されて有機チタン化合物ガスの状態で反応
室に導入される。反応室内には、酸素ガスも導入され
る。この酸素ガスは、有機チタン化合物ガスと反応して
酸化チタンを生成するための反応ガスとしての役割を担
っている。また、希ガスを有機チタン化合物ガスのキャ
リアガスとして使用する場合もある。酸素ガスと有機チ
タン化合物ガスの流量比(酸素ガス/有機チタン化合物
ガス)は、5以上であることが望ましい。この範囲より
小さいと、膜中に混入する炭素量が増加し形成された酸
化チタン膜の屈折率が減少する。反応室内の好適な圧力
は、1Torr以下である。圧力が1Torrより大き
くなると、形成された酸化チタン膜の屈折率、機械的強
度の低下という問題が生じるからである。また、有機チ
タン化合物ガスの分圧は、10-1Torr以下であるこ
とが好ましい。有機チタン化合物ガスの分圧が10-1
orrより大きくなると、反応室内で有機チタン化合物
が液化するという問題が生じる。
These organic titanium compounds are evaporated in a liquid vaporizer and introduced into the reaction chamber in the form of an organic titanium compound gas. Oxygen gas is also introduced into the reaction chamber. This oxygen gas has a role as a reaction gas for producing titanium oxide by reacting with the organic titanium compound gas. In some cases, a rare gas is used as a carrier gas for the organic titanium compound gas. It is desirable that the flow ratio of the oxygen gas and the organic titanium compound gas (oxygen gas / organic titanium compound gas) be 5 or more. If it is smaller than this range, the amount of carbon mixed into the film increases, and the refractive index of the formed titanium oxide film decreases. A suitable pressure in the reaction chamber is 1 Torr or less. If the pressure is higher than 1 Torr, there is a problem that the refractive index and mechanical strength of the formed titanium oxide film decrease. The partial pressure of the organic titanium compound gas is preferably 10 -1 Torr or less. Partial pressure of organic titanium compound gas is 10 -1 T
When it is larger than orr, there is a problem that the organic titanium compound is liquefied in the reaction chamber.

【0032】本発明の使用可能な高分子フィルムとして
は、透明性が必要であるが、例えば、トリアセチルセル
ロースフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、アセ
テートブチレートセルロースフィルム、ポリエーテルサ
ルホンフィルム、ポリアクリル系フィルム、ポリウレタ
ン系フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネイ
トフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィ
ルム、トリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケト
ンフィルム、アクリロニトリルフィルム、メタクリロニ
トリルフィルム等が挙げられる。さらには、無色透明の
フィルムがより好ましく使用できる。中でも、一軸また
は二軸延伸ポリエステルフィルムが透明性、耐熱性に優
れ、好適に用いられ、光学異方性のない点でトリアセチ
ルセルロースも好適に用いられる。高分子フィルムの厚
みは、通常は6μm〜188μm程度のものが好適に用い
られる。
The polymer film that can be used in the present invention needs to be transparent. Examples thereof include a triacetyl cellulose film, a diacetyl cellulose film, an acetate butyrate cellulose film, a polyether sulfone film, and a polyacrylic film. , A polyurethane film, a polyester film, a polycarbonate film, a polysulfone film, a polyether film, a trimethylpentene film, a polyetherketone film, an acrylonitrile film, and a methacrylonitrile film. Further, a colorless and transparent film can be more preferably used. Above all, a uniaxially or biaxially stretched polyester film is excellent in transparency and heat resistance and is preferably used, and triacetyl cellulose is also suitably used in that it has no optical anisotropy. Usually, the thickness of the polymer film is preferably about 6 μm to 188 μm.

【0033】本発明においては、成膜用ドラムは、温度
コントロールが可能なので、プラズマCVD時に酸化チ
タンが堆積する高分子フィルムの表面温度、すなわちプ
ラズマCVDの成膜温度を任意にコントロールできる。
この成膜温度は、−10〜150℃の温度で行う。この
温度が−10℃より低くなると、形成される酸化チタン
膜の屈折率が低下するので好ましくない。また、成膜温
度が150℃を超えると、本発明で使用可能な基材の高
分子フィルムの熱変形温度より高くなってしまうための
成膜時の伸び、変形、カール等の問題を生じ好ましくな
い。
In the present invention, since the temperature of the film forming drum can be controlled, the surface temperature of the polymer film on which titanium oxide is deposited during plasma CVD, that is, the film forming temperature of plasma CVD can be arbitrarily controlled.
This film formation temperature is set at a temperature of -10 to 150 ° C. If the temperature is lower than −10 ° C., the refractive index of the formed titanium oxide film decreases, which is not preferable. Further, when the film formation temperature exceeds 150 ° C., it causes problems such as elongation, deformation, and curl during film formation because the temperature becomes higher than the thermal deformation temperature of the polymer film of the substrate usable in the present invention. Absent.

【0034】さらに、反射防止フィルムにわずかなうね
り、変形、伸びも許されない高品質を要求される場合
や、基材の高分子フィルムが10μm未満と薄く熱によ
る伸び変形を受け易い場合は、−10℃から高分子フィ
ルムのTg以下の温度で酸化チタン膜のプラズマCVD
成膜を行うことが特に望ましい。
Further, when the antireflection film is required to have a high quality that does not allow slight undulation, deformation and elongation, or when the base polymer film is thinner than 10 μm and easily susceptible to elongation deformation due to heat,- Plasma CVD of titanium oxide film at a temperature of 10 ° C. to Tg of polymer film or less
It is particularly desirable to form a film.

【0035】上記図1に示す例では、成膜用ドラムに高
分子フィルムを密着させ、この成膜用ドラムの温度を制
御することにより、高分子フィルムの温度制御を行って
いたが、本発明はこれに限定されるものでなく、プラズ
マCVDによる膜が形成される際の高分子フィルムの温
度が制御できる方法であれば、例えば、反応室内の雰囲
気温度を制御することにより高分子フィルムの温度制御
を行う方法や、予め高分子フィルムを所定の温度とした
後反応室内に送入する方法等、特に限定されるものでは
ない。
In the example shown in FIG. 1, the temperature of the polymer film is controlled by bringing the polymer film into close contact with the film forming drum and controlling the temperature of the film forming drum. The method is not limited to this, and any method that can control the temperature of the polymer film when the film is formed by plasma CVD can be used, for example, by controlling the temperature of the atmosphere in the reaction chamber. There is no particular limitation on the method of controlling, the method of setting the polymer film to a predetermined temperature in advance, and then feeding the polymer film into the reaction chamber.

【0036】プラズマCVD装置を用い、−10〜15
0℃の範囲内に制御された高分子フィルム上に酸化チタ
ン膜に加えてシリカ膜を形成する方法は、酸化チタン膜
と同様である。
Using a plasma CVD apparatus, -10 to 15
The method of forming a silica film in addition to a titanium oxide film on a polymer film controlled within the range of 0 ° C. is the same as that of the titanium oxide film.

【0037】本発明においてシリカ膜を形成するための
原料としては、シラン、ジシラン、ヘキサメチルジシロ
キサン(HMDSO)、テトラメチルジシロキサン(T
MDSO)、メチルトリメトキシシラン(MTMO
S)、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラ
ン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラ
ン、テトラメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラ
シロキサン、テトラエトキシシラン等のSi系化合物を
用いることが可能である。
In the present invention, raw materials for forming a silica film include silane, disilane, hexamethyldisiloxane (HMDSO), and tetramethyldisiloxane (T
MDSO), methyltrimethoxysilane (MTMO)
S), Si-based compounds such as methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, phenylsilane, tetramethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, and tetraethoxysilane can be used.

【0038】また、酸化チタン、シリカ膜の作製には、
図2に示すようなプラズマCVD装置を用いることも可
能である。当該プラズマCVD装置は容量結合型のプラ
ズマCVD装置であり、その基本的構造及び原理は図1
の装置と同様である。従って、当該装置においてもウエ
ッブ状の高分子フィルム21は基材巻き出し部22より
巻きだされて、真空容器23中の反応室(a,b,c)
に導入される。そして、当該反応室内の成膜用ドラム2
4上で所定の膜が形成され、基材巻き取り部26により
巻き取られる。
In addition, for the preparation of titanium oxide and silica films,
It is also possible to use a plasma CVD apparatus as shown in FIG. The plasma CVD apparatus is a capacitively coupled plasma CVD apparatus, the basic structure and principle of which are shown in FIG.
It is the same as the device of the above. Therefore, also in this apparatus, the web-like polymer film 21 is unwound from the base material unwinding part 22 and is reacted in the reaction chamber (a, b, c) in the vacuum vessel 23.
Will be introduced. Then, the film forming drum 2 in the reaction chamber
A predetermined film is formed on 4, and is wound by the base material winding unit 26.

【0039】図2に示す装置と図1に示す装置との差
は、図1に示す装置においては、フィルム上に酸化チタ
ン膜を形成するための反応室は一つしか設置されていな
いが、図2に示すプラズマCVD装置は、複数(3つ)
の反応室を有している点にある。夫々の反応室(a,
b,c)は隔離壁25で隔離されることで形成されてい
る。ここで、以下の説明の便宜上、当該3つの反応室を
右側から反応室a、反応室b、反応室cとする。そし
て、各反応室には、夫々電極版a1、b1、c1及び原
料ガス導入口a2、b2、c2が設置されている。
The difference between the apparatus shown in FIG. 2 and the apparatus shown in FIG. 1 is that, in the apparatus shown in FIG. 1, only one reaction chamber for forming a titanium oxide film on a film is provided. A plurality (three) of the plasma CVD apparatuses shown in FIG.
In the reaction chamber. Each reaction chamber (a,
b, c) are formed by being isolated by the isolation wall 25. Here, for convenience of the following description, the three reaction chambers are referred to as a reaction chamber a, a reaction chamber b, and a reaction chamber c from the right side. Each of the reaction chambers is provided with an electrode plate a1, b1, c1 and a source gas inlet a2, b2, c2.

【0040】各反応室(a,b,c)は、成膜用ドラム
24の外周に沿って設置されている。これは、積層膜が
形成される高分子フィルムは、図1に示す例で説明した
ように成膜用ドラム24と同期しながら反応室内に挿入
され、かつ成膜用ドラム上において積層膜を形成するも
のであることから、このように配置することにより連続
して各膜を積層することができるからである。なお、図
2に示す装置では反応室の数を3室としたが、本発明の
積層フィルムの製造方法に用いるプラズマCVD装置と
してはこれに限定されるものではなく、必要に応じて変
更することができる。
Each reaction chamber (a, b, c) is set along the outer periphery of the film forming drum 24. This is because the polymer film on which the laminated film is formed is inserted into the reaction chamber in synchronization with the film forming drum 24 as described in the example shown in FIG. 1, and the laminated film is formed on the film forming drum. This is because, by arranging in this manner, the respective films can be successively laminated. Although the number of reaction chambers is three in the apparatus shown in FIG. 2, the plasma CVD apparatus used in the method for producing a laminated film of the present invention is not limited to this, and may be changed as necessary. Can be.

【0041】上述したようなプラズマCVD装置によれ
ば、各反応室へ導入する原料ガスを変化させることによ
り、夫々の反応室内で独立して膜を形成することが可能
であることから、例えば、酸化チタン膜とシリカ膜との
積層膜を高分子フィルム上に形成する場合は、反応室a
に有機チタン化合物を含むガスを導入し、反応室bと反
応室cにはケイ素を含むガスを導入することにより、高
分子フィルム21が成膜用ドラム25を経て基材巻き取
り部26へ巻き取られるまでに当該高分子フィルム21
上に酸化チタン膜とシリカ膜とが形成された積層フィル
ムを形成することが可能となる。
According to the plasma CVD apparatus as described above, it is possible to form a film independently in each reaction chamber by changing the source gas introduced into each reaction chamber. When a laminated film of a titanium oxide film and a silica film is formed on a polymer film, the reaction chamber a
A gas containing an organic titanium compound is introduced into the reaction chamber b, and a gas containing silicon is introduced into the reaction chamber b and the reaction chamber c, whereby the polymer film 21 is wound around the substrate winding section 26 via the film forming drum 25. The polymer film 21 before being removed
It is possible to form a laminated film on which a titanium oxide film and a silica film are formed.

【0042】さらに、上記の場合において反応室bと反
応室cとに導入されたガスは、ケイ素を含むガスである
が、各々の反応室内の条件、例えばガスの流量や圧力、
放電条件等を変化させることにより、反応室bと反応室
cとで形成されるシリカ膜の特性を変化させることも可
能である。当該装置により酸化チタン膜、シリカ膜、ま
たこれらの膜の厚さや屈折率等を自在に組み合わせるこ
とが可能となる。
Further, in the above case, the gas introduced into the reaction chamber b and the reaction chamber c is a gas containing silicon, but the conditions in each reaction chamber, for example, the gas flow rate and pressure,
By changing the discharge conditions and the like, it is also possible to change the characteristics of the silica film formed in the reaction chamber b and the reaction chamber c. The titanium oxide film, the silica film, and the thickness and the refractive index of these films can be freely combined by the device.

【0043】また、必ずしも夫々の反応室に異なる原料
ガスを導入する必要もなく、例えば図2に示す反応室
a,b,c全てに有機チタン化合物を含むガスを導入す
ることで酸化チタン膜を形成し、その後に一旦反応室
a,b,cに導入されたガスを全て抜き、改めてケイ素
を含むガスを反応室a,b,cに導入して上記酸化チタ
ン膜の上にシリカ膜を形成することも可能である。
It is not always necessary to introduce different source gases into the respective reaction chambers. For example, by introducing a gas containing an organic titanium compound into all of the reaction chambers a, b and c shown in FIG. After that, all gases once introduced into the reaction chambers a, b, and c are removed, and a gas containing silicon is introduced again into the reaction chambers a, b, and c to form a silica film on the titanium oxide film. It is also possible.

【0044】本発明においては、上述した図1に示すよ
うな装置で複数回高分子フィルムを処理することによ
り、高分子フィルム上に酸化チタン膜とシリカ膜とが形
成された積層フィルムを形成するようにしてもよいし、
上述したように図2に示す装置を用いて一回で高分子フ
ィルムを処理することにより、高分子フィルム上に酸化
チタン膜とシリカ膜とが形成された積層フィルムを形成
するようにしてもよい。また、図2に示す装置を用いて
複数回高分子フィルムを処理することにより、酸化チタ
ン膜とシリカ膜とが交互に複数層積層された積層フィル
ムを得ることも可能である。
In the present invention, a polymer film is treated a plurality of times with the apparatus shown in FIG. 1 to form a laminated film in which a titanium oxide film and a silica film are formed on the polymer film. You can do it,
As described above, by processing the polymer film at one time using the apparatus shown in FIG. 2, a laminated film in which a titanium oxide film and a silica film are formed on the polymer film may be formed. . Further, by treating the polymer film a plurality of times using the apparatus shown in FIG. 2, it is possible to obtain a laminated film in which a plurality of titanium oxide films and a plurality of silica films are alternately laminated.

【0045】次に、本発明の反射防止フィルムについて
説明する。
Next, the antireflection film of the present invention will be described.

【0046】本発明の反射防止フィルムは、高分子フィ
ルム上に少なくとも一層のプラズマCVD法で形成され
た屈折率が2.0以上2.9以下の酸化チタン膜を有す
ることを特徴とするものである。このような反射防止フ
ィルムは、成膜時に温度制御を行えば−10〜150℃
の温度範囲内で高分子フィルム上に酸化チタン膜を積層
することによって、高分子フィルムの劣化等のない高品
質な反射防止フィルムとすることができる。
The antireflection film of the present invention is characterized by having at least one layer of a titanium oxide film having a refractive index of 2.0 to 2.9 formed on a polymer film by a plasma CVD method. is there. Such an antireflection film can be used at a temperature of -10 to 150 ° C.
By laminating a titanium oxide film on a polymer film within the above temperature range, a high-quality antireflection film without degradation of the polymer film can be obtained.

【0047】以下、本発明の反射防止フィルムについて
図面を参照して具体的に説明する。図3は、本発明の反
射防止フィルムの一例を示すものである。この例に示さ
れる反射防止フィルムは、高分子フィルムとしてポリエ
チレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、この
PETフィルム上にハードコート層、中屈折率層、酸化
チタン膜、低屈折率層であるシリカ膜を順次積層されて
なるものである。
Hereinafter, the antireflection film of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. FIG. 3 shows an example of the antireflection film of the present invention. The antireflection film shown in this example uses a polyethylene terephthalate (PET) film as a polymer film, and a hard coat layer, a medium refractive index layer, a titanium oxide film, and a silica film as a low refractive index layer are formed on the PET film. These are sequentially laminated.

【0048】また、本発明の反射防止フィルムは高分子
フィルム上に少なくとも一層ずつの酸化チタン膜とシリ
カ膜が積層されているものである。
The antireflection film of the present invention is obtained by laminating at least one layer of a titanium oxide film and a silica film on a polymer film.

【0049】シリカ膜の形成位置は、特に限定されるも
のでなく、酸化チタン膜の上層に形成されていても下層
に形成されていてもよいが、最外層にシリカ膜が形成さ
れるような層構成とすることが好ましい。シリカ膜は酸
化チタン膜と比べ屈折率が低く、反射率も小さいことか
ら、反射防止フィルムの最外層として用いた場合に反射
防止効果が大きいからである。また、シリカ膜は比較的
その表面エネルギーが小さいため防汚性、撥水性を備え
ている。従って、反射防止フィルムに防汚性、撥水性を
も付与することができるからである。
The formation position of the silica film is not particularly limited. The silica film may be formed on the upper layer or the lower layer of the titanium oxide film, but may be formed on the outermost layer. It is preferable to have a layer structure. This is because the silica film has a lower refractive index and a lower reflectance than the titanium oxide film, and therefore has a large antireflection effect when used as the outermost layer of the antireflection film. Further, since the silica film has relatively small surface energy, it has antifouling property and water repellency. Therefore, the antireflection film can be imparted with antifouling properties and water repellency.

【0050】本発明の反射防止フィルムにおいては、上
記酸化チタン膜とシリカ膜との積層が上記図3に示す例
のように、各々一層づつ形成されたものであってもよい
が、例えば、図4に示すような酸化チタン膜とシリカ膜
とが各々二層づつ高分子フィルムに形成されているもの
等の複数層づつ形成されたものであってもよい。このよ
うな構成とすることにより、反射防止効果が向上するか
らである。
In the anti-reflection film of the present invention, the titanium oxide film and the silica film may be laminated one by one as shown in FIG. 3, for example. For example, as shown in FIG. 4, a titanium oxide film and a silica film may be formed in a plurality of layers such as a two-layer polymer film. This is because such a configuration improves the anti-reflection effect.

【0051】また、本発明においては、上記図3および
図4の例に示すように高分子フィルム上にハードコート
層を設けてもよい。このようにハードコート層を設ける
ことにより反射防止膜の機械的強度を増加することがで
きるからである。このハードコート層の形成位置は、高
分子フィルム上であって、例えば酸化チタン膜等プラズ
マCVD法により形成された層の下側の層として形成さ
れることが好ましい。
In the present invention, a hard coat layer may be provided on the polymer film as shown in the examples of FIGS. This is because the provision of the hard coat layer can increase the mechanical strength of the antireflection film. It is preferable that the hard coat layer is formed on the polymer film as a layer below the layer formed by the plasma CVD method such as a titanium oxide film.

【0052】さらに、本発明の反射防止フィルムにおい
ては、例えば図3に示す例のように、必要に応じて中屈
折率層を形成してもよい。この中屈折率層は、高分子フ
ィルムの屈折率と上記プラズマCVD法により形成され
た酸化チタン膜の屈折率との中間の屈折率を有するもの
であり、このような中屈折率層を酸化チタン膜と高分子
フィルムとの間に設けることにより、さらに反射防止効
果を向上させることができる。
Further, in the antireflection film of the present invention, a middle refractive index layer may be formed as required, for example, as shown in FIG. This medium refractive index layer has a refractive index intermediate between the refractive index of the polymer film and the refractive index of the titanium oxide film formed by the plasma CVD method. By providing between the film and the polymer film, the antireflection effect can be further improved.

【0053】次に、上記本発明の反射防止フィルムを構
成する各層について説明する。
Next, each layer constituting the antireflection film of the present invention will be described.

【0054】(酸化チタン膜)本発明における酸化チタ
ン膜は、プラズマCVD法により高分子フィルム上に積
層され、屈折率が2.0以上2.9以下(波長λ=55
0nm)のものであれば特に限定されるものではない。
(Titanium Oxide Film) The titanium oxide film of the present invention is laminated on a polymer film by a plasma CVD method and has a refractive index of 2.0 to 2.9 (wavelength λ = 55).
0 nm) is not particularly limited.

【0055】ここで、酸化チタン膜の屈折率は上記範囲
の中でも、2.0〜2.5(λ=550nm)が好まし
く、2.0〜2.3(λ=550nm)が特に好まし
い。反射防止フィルムを形成する際においては、酸化チ
タン膜の屈折率は積層されている他の膜との関係で相対
的に決定することが好ましく、積層膜全体としてのバラ
ンスにより反射防止効果を奏するものであるが、一般的
な積層構造とした場合における酸化チタン膜の屈折率は
上記のような範囲であることが好ましい。
Here, the refractive index of the titanium oxide film is preferably from 2.0 to 2.5 (λ = 550 nm), particularly preferably from 2.0 to 2.3 (λ = 550 nm), within the above range. When forming an anti-reflection film, it is preferable that the refractive index of the titanium oxide film is relatively determined in relation to other laminated films, and the anti-reflection effect is exhibited by the balance of the entire laminated film. However, the refractive index of the titanium oxide film in the case of a general laminated structure is preferably in the above range.

【0056】本発明においては、特に高分子フィルムの
温度が−10〜150℃に制御されて酸化チタン膜が積
層された反射防止フィルムが好ましい。このようにして
積層された酸化チタン膜は、基材に伸びや変形もなく膜
厚分布に優れており反射防止フィルムとして好適であ
る。
In the present invention, an antireflection film in which the temperature of the polymer film is controlled at -10 to 150 ° C. and a titanium oxide film is laminated is particularly preferable. The titanium oxide film thus laminated is excellent in film thickness distribution without elongation or deformation of the substrate, and is suitable as an antireflection film.

【0057】本発明においては、特に、連続的に製造で
き、かつ高分子フィルムの温度制御も正確に行うことが
できる点等の理由から、少なくとも原料ガスが導入され
る反応室と、温度コントロール可能な成膜用ドラムと、
上記成膜用ドラムとの間にプラズマを発生させるプラズ
マ発生手段を有し、上記成膜用ドラムによりウェッブ状
の高分子フィルムが連続的に原料ガスが導入された反応
室内に搬送されることにより、上記高分子フィルムの温
度制御が行なわれると同時に上記高分子フィルム上に膜
が形成されるプラズマCVD装置、具体的には上述した
図1に示すようなプラズマCVD装置により形成された
酸化チタン膜を有する反射防止フィルムであることが好
ましい。
In the present invention, at least the reaction chamber into which the raw material gas is introduced is temperature-controllable because it can be manufactured continuously and the temperature of the polymer film can be accurately controlled. Film forming drum,
A plasma generating means for generating plasma between the film-forming drum and the film-forming drum, whereby a web-like polymer film is continuously transferred into a reaction chamber into which a source gas is introduced; A plasma CVD apparatus in which a temperature is controlled on the polymer film and a film is formed on the polymer film at the same time, specifically, a titanium oxide film formed by the plasma CVD apparatus as shown in FIG. It is preferable that the antireflection film has

【0058】また、反射防止フィルムにおける酸化チタ
ン層に求められる光学特性は、その酸化チタン膜の屈折
率が2.0以上であることが要求されるが、光学特性と
して屈折率が2.0以上を有していたとしても、基材に
伸びや変形当該ある場合には製品としては不良品となる
ことが多い。よって基材の被熱による変形、それに起因
する酸化チタン膜の成膜阻害が起きないようにするため
には、上記のように成膜温度をコントロールすることが
好ましい。
The optical properties required for the titanium oxide layer in the antireflection film are required to be such that the refractive index of the titanium oxide film is 2.0 or more. Even if the substrate has elongation or deformation, the base material often becomes defective if it is stretched or deformed. Therefore, in order to prevent the deformation of the base material due to the heating and the inhibition of the formation of the titanium oxide film due to the deformation, it is preferable to control the film formation temperature as described above.

【0059】(低屈折率層)本発明における低屈折率層
は、上述したように酸化チタン膜と共に高分子フィルム
上に形成され、これにより反射防止フィルムの反射防止
効果を向上させるものである。低屈折率層の中でも、シ
リカ膜がプラズマCVD法により形成されたものが好ま
しく、特に好ましくは、高分子フィルムの温度が−10
〜150℃に制御されてシリカが積層された反射防止フ
ィルムが好ましい。このようにして積層されたシリカ膜
は、膜厚分布に優れており反射防止フィルムとして好適
である。また、低屈折率層としては屈折率が1.3〜
1.5のものが好ましく、その範囲にあるものとして
は、例えば前記シリカ膜以外にも、フッ化マグネシウム
や酸フッ化ケイ素等を用いるてもよい。光学特性に関
し、低屈折率材料に求められる物性はフッ化マグネシウ
ムや酸フッ化ケイ素の方が前記シリカ膜よりも優れてい
る。しかしながら、フッ化マグネシウム等は、機械強度
や耐湿性等がシリカ膜に比べ劣るので、その用途によっ
ては、強度層やバリア層を積層する等の手段との併用が
好ましい。その点において、シリカ膜については、前記
フッ化マグネシウム等の用に併用手段等を特に必要とせ
ず、総合的には最も好適である。
(Low Refractive Index Layer) The low refractive index layer in the present invention is formed on a polymer film together with the titanium oxide film as described above, thereby improving the antireflection effect of the antireflection film. Among the low refractive index layers, those in which a silica film is formed by a plasma CVD method are preferable, and the temperature of the polymer film is particularly preferably −10.
An antireflection film in which silica is laminated at a temperature controlled to 150 ° C. is preferable. The silica film thus laminated has an excellent thickness distribution and is suitable as an antireflection film. Further, the refractive index of the low refractive index layer is 1.3 to 1.3.
1.5 is preferable, and for example, magnesium fluoride or silicon oxyfluoride may be used in addition to the silica film. Regarding the optical properties, magnesium fluoride and silicon oxyfluoride are more excellent in physical properties required for the low refractive index material than the silica film. However, since magnesium fluoride and the like are inferior in mechanical strength and moisture resistance to silica films, depending on the use, it is preferable to use together with a means such as laminating a strength layer or a barrier layer. In that respect, the silica film is most suitable comprehensively, because no special means is required for the use of the magnesium fluoride or the like.

【0060】本発明においては、上述した酸化チタン膜
と同様の理由から、少なくとも原料ガスが導入される反
応室と、温度コントロール可能な成膜用ドラムと、上記
成膜用ドラムとの間にプラズマを発生させるプラズマ発
生手段を有し、例えば、上記成膜用ドラムによりウェッ
ブ状の高分子フィルムが連続的に原料ガスが導入された
反応室内に搬送されることにより、上記高分子フィルム
の温度制御が行なわれると同時に上記高分子フィルム上
に膜が形成されるプラズマCVD装置により形成された
低屈折層を有する反射防止フィルムであることが好まし
い。
In the present invention, for the same reason as the above-described titanium oxide film, at least a reaction chamber into which a raw material gas is introduced, a film forming drum capable of controlling the temperature, and a plasma between the film forming drum. Temperature control of the polymer film by, for example, transferring the web-like polymer film into the reaction chamber into which the source gas is introduced by the film forming drum. It is preferable to use an antireflection film having a low refractive layer formed by a plasma CVD apparatus in which a film is formed on the polymer film at the same time as the above.

【0061】中でも、上記反応室が成膜用ドラムの外周
に沿って少なくとも2室形成されたCVD装置、具体的
には上述した図2に示すようなプラズマCVD装置によ
り形成された低屈折率層を有する反射防止フィルムであ
ることが好ましい。上記反応室にそれぞれ酸化チタン膜
用の原料と、低屈折率層用の原料を導入して反射防止フ
ィルムの製造を行うことにより、一回の処理で酸化チタ
ン膜と低屈折率層とが形成された反射防止フィルムを形
成することができるからである。
Among them, a CVD apparatus in which at least two reaction chambers are formed along the outer periphery of a film forming drum, specifically, a low refractive index layer formed by a plasma CVD apparatus as shown in FIG. It is preferable that the antireflection film has A titanium oxide film and a low-refractive-index layer are formed in a single process by introducing a raw material for a titanium oxide film and a raw material for a low-refractive-index layer into the above-described reaction chamber to produce an antireflection film. This is because the formed antireflection film can be formed.

【0062】(高分子フィルム)本発明の反射防止フィ
ルムに使用することができる高分子フィルムは、可視光
域で透明な高分子フィルムであれば特に限定されるもの
ではない。具体的には、上述した積層フィルムの製造方
法で説明したものを用いることができる。本発明におい
ては、中でも、一軸または二軸延伸ポリエステルフィル
ムが透明性、耐熱性に優れていることから好ましく、特
に好ましくはポリエチレンテレフタレート(PET)フ
ィルムである。また、トリアセチルセルロースフィルム
も光学異方性を持ってないという点で同様に反射防止フ
ィルムに適している。
(Polymer Film) The polymer film that can be used for the antireflection film of the present invention is not particularly limited as long as it is a polymer film that is transparent in the visible light region. Specifically, those described in the method for producing a laminated film described above can be used. In the present invention, among others, a uniaxially or biaxially stretched polyester film is preferable because of its excellent transparency and heat resistance, and a polyethylene terephthalate (PET) film is particularly preferable. Also, a triacetyl cellulose film is similarly suitable as an antireflection film in that it has no optical anisotropy.

【0063】このような高分子フィルムの厚みは、通常
は6μm〜188μm程度のものが用いられる。
The thickness of such a polymer film is usually about 6 μm to 188 μm.

【0064】(ハードコート層)本発明に用いられるハ
ートコート層は、本発明の反射防止フィルムに強度を持
たせることを目的として形成される層である。従って、
反射防止フィルムの用途によっては必ずしも必要なもの
ではない。
(Hard Coat Layer) The heart coat layer used in the present invention is a layer formed for the purpose of imparting strength to the antireflection film of the present invention. Therefore,
It is not always necessary depending on the use of the antireflection film.

【0065】このようなハードコート層を形成するため
の材料としては、同様に可視光域で透明な材料であり反
射防止フィルムに強度をもたせることができるものであ
れば特に限定されるものではなく、例えばUV硬化型ア
クリル系ハードコートや熱硬化型シリコーン系コーティ
ング等を用いることができる。
The material for forming such a hard coat layer is not particularly limited as long as it is a material which is similarly transparent in the visible light range and can give the antireflection film strength. For example, a UV-curable acrylic hard coat or a thermosetting silicone-based coating can be used.

【0066】本発明に用いられるハードコート層の肉厚
は、通常1〜30μmの範囲内である。また、このよう
なハードコート層の製造方法は、通常のコーティング方
法を用いることも可能であり特に限定されるものではな
い。
The thickness of the hard coat layer used in the present invention is usually in the range of 1 to 30 μm. In addition, the method for producing such a hard coat layer may be an ordinary coating method, and is not particularly limited.

【0067】(中屈折率層)本発明における中屈折率層
は、反射防止機能を高めるために用いられる層であり、
上記ハードコートと同様に必ずしも必要なものではな
い。このような中屈折率層は、可視光域で透明であり、
かつ屈折率が1.5〜2.0の範囲内となる物質で形成
された層であれば特に限定されるものではない。具体的
な中屈折率層を形成するための物質としては、例えば、
Al23、SiN、SiONや、ZrO 2、SiO2、Z
nO2の微粒子を有機ケイ素化合物等に分散したもの等
が好適に用いられる。また、中屈折率層は必ずしも一層
である必要もなく複数の異なった層を積層して全体とし
て上記の屈折率となるような層構成とすることにより当
該積層膜を中屈折率層とすることも可能である。
(Medium Refractive Index Layer) Medium Refractive Index Layer in the Present Invention
Is a layer used to enhance the anti-reflection function,
It is not always necessary like the above hard coat
No. Such a medium refractive index layer is transparent in the visible light range,
And made of a material having a refractive index in the range of 1.5 to 2.0
The layer is not particularly limited as long as the layer is formed. concrete
As a substance for forming a medium refractive index layer, for example,
AlTwoOThree, SiN, SiON, ZrO Two, SiOTwo, Z
nOTwoDispersion of organic fine particles in organosilicon compound, etc.
Is preferably used. Also, the middle refractive index layer is not necessarily one layer
It is not necessary to stack several different layers
By setting the layer configuration so that the above-mentioned refractive index is obtained,
The laminated film may be a medium refractive index layer.

【0068】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
The present invention is not limited to the above embodiment. The above embodiment is an exemplification, and has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

【0069】[0069]

【実施例】本発明を実施例により更に詳細に説明する。The present invention will be described in more detail with reference to examples.

【0070】(実施例1)図1の装置を使用して、基材
の高分子フィルムである厚さ100μmのポリエチレン
テレフタレート(PET)フィルム上に酸化チタン膜を
形成した。有機チタン化合物ガスとしては、液体気化器
を用いて150℃で気化させたチタンテトライソプロポ
キシドTi(i−OC374を用い、酸素ガスと混合
して原料ガス導入口より反応室内に導入した。有機チタ
ン化合物ガス、酸素ガスの各々の流量は下記に示す。今
回使用した図1のプラズマCVD装置は容量結合型で、
高周波電源として13.56MHzのRF電源を用い
た。また、連続成膜時の基材の高分子フィルムの送り速
度は、10m/minである。その他の条件は、以下に
記す。
Example 1 Using the apparatus shown in FIG. 1, a titanium oxide film was formed on a 100 μm thick polyethylene terephthalate (PET) film which was a polymer film as a base material. As the organic titanium compound gas, titanium tetraisopropoxide Ti (i-OC 3 H 7 ) 4 vaporized at 150 ° C. using a liquid vaporizer is used, mixed with oxygen gas, and supplied to the reaction chamber through a raw material gas inlet. Was introduced. The respective flow rates of the organic titanium compound gas and the oxygen gas are shown below. The plasma CVD device of Fig. 1 used this time is a capacitive coupling type,
A 13.56 MHz RF power supply was used as a high frequency power supply. The feed rate of the polymer film as the substrate during continuous film formation is 10 m / min. Other conditions are described below.

【0071】 <成膜条件> 印加電力 2kW チタンテトライソプロポキシドガス流量 100sccm 酸素ガス流量 1000sccm 成膜用ドラム表面温度(成膜温度) 0℃<Film Forming Conditions> Applied power 2 kW Titanium tetraisopropoxide gas flow rate 100 sccm Oxygen gas flow rate 1000 sccm Surface temperature of film forming drum (film forming temperature) 0 ° C.

【0072】上記のガス流量単位sccmは、stan
dard cubic cm per minuteの
ことである。
The gas flow unit sccm is defined as
It is dar cubic cm per minute.

【0073】以上の条件でポリエチレンテレフタレート
フィルム上に形成した酸化チタン膜の測定結果を以下に
示す。
The measurement results of the titanium oxide film formed on the polyethylene terephthalate film under the above conditions are shown below.

【0074】 <酸化チタン膜測定結果> 膜厚 233nm 成膜速度 2330nm・m/min 組成 Ti:O:C=27:53:20 屈折率(λ=550nm) 2.00 酸化チタンの構造は、アモルファスであった。<Measurement Results of Titanium Oxide Film> Film thickness 233 nm Film formation rate 2330 nm · m / min Composition Ti: O: C = 27: 53: 20 Refractive index (λ = 550 nm) 2.00 The structure of titanium oxide is amorphous Met.

【0075】 <酸化チタン膜測定に使用した装置> 膜厚測定 エリプソメーター 型番 UVISELTM メーカー JOBIN YVON 組成分析光電子分光 型番 ESCALAB220i−XL メーカー VG Scientific 屈折率測定 エリプソメーター 型番 UVISELTM メーカー JOBIN YVON 構造測定 X線回折装置 型番 RINT 1500 メーカー 理化学電機株式会社<Apparatus Used for Titanium Oxide Film Measurement> Film Thickness Measurement Ellipsometer Model No. UVISEL Maker JOBIN YVON Composition Analysis Photoelectron Spectroscopy Model ESCALAB220i-XL Maker VG Scientific Refractive Index Measurement Ellipsometer Model No. UVISEL Maker JOBIN YVON X-ray Structure Diffractometer Model RINT 1500 Manufacturer RIKEN ELECTRIC CO., LTD.

【0076】以上に示した酸化チタン膜の形成結果のご
とく、成膜温度0℃において、屈折率2.00の均質な
酸化チタン膜が、成膜速度2330nm・m/minと
いう高い成膜速度で、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に形成できた。また、この酸化チタン膜をエリプ
ソメーターで測定した結果、λ=550nmでの消衰係
数0.001で着色の問題が無いものであった。加え
て、酸化チタン膜成膜後の、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムは、わずかな伸び、変形も無く良好な状態で
あった。
As shown above, at a film formation temperature of 0 ° C., a uniform titanium oxide film having a refractive index of 2.00 was formed at a high film formation rate of 2330 nm · m / min. On a polyethylene terephthalate film. Further, as a result of measuring the titanium oxide film with an ellipsometer, the extinction coefficient at λ = 550 nm was 0.001 and there was no problem of coloring. In addition, the polyethylene terephthalate film after the formation of the titanium oxide film was in a good state without slight elongation or deformation.

【0077】(実施例2)成膜温度が80℃であること
以外は実施例1と同様の条件で、酸化チタン膜の形成を
行った。また、酸化チタン膜の測定に使用した装置も、
実施例1と同様であった。結果を以下に記す。
Example 2 A titanium oxide film was formed under the same conditions as in Example 1 except that the film formation temperature was 80 ° C. Also, the equipment used for measuring the titanium oxide film was
Same as Example 1. The results are described below.

【0078】 <酸化チタン膜測定結果> 膜厚 210nm 成膜速度 2100nm・m/min 組成 Ti:O:C=31:57:12 屈折率(λ=550nm) 2.23 酸化チタンの構造は、アモルファスであった。<Results of Measurement of Titanium Oxide Film> Film thickness 210 nm Film formation rate 2100 nm · m / min Composition Ti: O: C = 31: 57: 12 Refractive index (λ = 550 nm) 2.23 The structure of titanium oxide is amorphous Met.

【0079】以上に示した酸化チタン膜の形成結果のご
とく、成膜温度80℃において、屈折率2.23の均質
な酸化チタン膜が、高い成膜速度で、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に形成できた。また、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムのTg(90℃)以下の温度
で酸化チタン成膜を行ったため、成膜後のポリエチレン
テレフタレートフィルムは、わずかな伸び、変形もなく
良好な状態であった。
As shown above, a uniform titanium oxide film having a refractive index of 2.23 was formed on a polyethylene terephthalate film at a high deposition rate at a deposition temperature of 80 ° C. . In addition, since the titanium oxide film was formed at a temperature equal to or lower than the Tg (90 ° C.) of the polyethylene terephthalate film, the polyethylene terephthalate film after the film formation was in a favorable state without slight elongation and deformation.

【0080】(実施例3)成膜温度が100℃であるこ
と以外は実施例1と同様の条件で、酸化チタン膜の形成
を行った。また、酸化チタン膜の測定に使用した装置
も、実施例1と同様であった。結果を以下に記す。
Example 3 A titanium oxide film was formed under the same conditions as in Example 1 except that the film formation temperature was 100 ° C. The apparatus used for measuring the titanium oxide film was the same as in Example 1. The results are described below.

【0081】 <酸化チタン膜測定結果> 膜厚 205nm 成膜速度 2050nm・m/min 組成 Ti:O:C=31:58:11 屈折率(λ=550nm 2.25 酸化チタンの構造は、アモルファスであった。<Measurement Results of Titanium Oxide Film> Film thickness 205 nm Film formation rate 2050 nm · m / min Composition Ti: O: C = 31: 58: 11 Refractive index (λ = 550 nm 2.25) The structure of titanium oxide is amorphous. there were.

【0082】以上に示した酸化チタン膜の形成結果のご
とく、成膜温度100℃において、屈折率2.25の均
質な酸化チタン膜が、高い成膜速度で、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に形成できた。酸化チタン膜成
膜後の、ポリエチレンテレフタレートフィルムは、伸
び、変形も少なく使用可能なものであった。
As shown above, a uniform titanium oxide film having a refractive index of 2.25 was formed on a polyethylene terephthalate film at a high film forming rate at a film forming temperature of 100 ° C. . After the formation of the titanium oxide film, the polyethylene terephthalate film was usable with little elongation and deformation.

【0083】(比較例1)成膜温度が−20℃であるこ
と以外は実施例1と同様の条件で、酸化チタン膜の形成
を行った。また、酸化チタン膜の測定に使用した装置
も、実施例1と同様であった。結果を以下に記す。
(Comparative Example 1) A titanium oxide film was formed under the same conditions as in Example 1 except that the film formation temperature was -20 ° C. The apparatus used for measuring the titanium oxide film was the same as in Example 1. The results are described below.

【0084】 <酸化チタン膜測定結果> 膜厚 260nm 成膜速度 2600nm・m/min 組成 Ti:O:C=23:49:27 屈折率(λ=550nm) 1.80 酸化チタンの構造は、アモルファスであった。<Measurement Results of Titanium Oxide Film> Film thickness 260 nm Film formation rate 2600 nm · m / min Composition Ti: O: C = 23: 49: 27 Refractive index (λ = 550 nm) 1.80 The structure of titanium oxide is amorphous Met.

【0085】成膜温度−20℃で酸化チタン膜を成膜後
の、ポリエチレンテレフタレートフィルムは、全く伸
び、変形がなかった。しかし、酸化チタン膜の屈折率が
1.80で、一般に反射防止層の高屈折率層として必要
とされる2.0の屈折率を得られず、使用に供するのに
は不適なものとなった。これは、屈折率が2.0に満た
ないものは酸化チタン膜自体の成膜が不完全であって、
反射防止フィルムの製品として求められる基準を下回る
からである。
After forming the titanium oxide film at the film forming temperature of −20 ° C., the polyethylene terephthalate film was stretched and did not deform at all. However, since the refractive index of the titanium oxide film is 1.80, the refractive index of 2.0, which is generally required as a high refractive index layer of the antireflection layer, cannot be obtained, which is unsuitable for use. Was. This is because, if the refractive index is less than 2.0, the formation of the titanium oxide film itself is incomplete,
This is because the standard is lower than a standard required for an antireflection film product.

【0086】(比較例2)成膜温度か200℃であるこ
と以外は実施例1と同様の条件で、酸化チタン膜の形成
を行った。また、酸化チタン膜の測定に使用した装置
も、実施例1と同様であった。結果を以下に記す。
Comparative Example 2 A titanium oxide film was formed under the same conditions as in Example 1 except that the film formation temperature was 200 ° C. The apparatus used for measuring the titanium oxide film was the same as in Example 1. The results are described below.

【0087】 <酸化チタン膜測定結果> 膜厚 195nm 成膜速度 1950nm・m/min 組成 Ti:O:C=34:61:5 屈折率(λ=550nm) 2.39 酸化チタンの構造は、アモルファスであった。<Measurement Results of Titanium Oxide Film> Film thickness 195 nm Film formation rate 1950 nm · m / min Composition Ti: O: C = 34: 61: 5 Refractive index (λ = 550 nm) 2.39 The structure of titanium oxide is amorphous Met.

【0088】以上に示した酸化チタン膜の形成結果のご
とく、成膜温度200℃においては、屈折率2.39の
酸化チタン膜は形成されたが、基材のポリエチレンテレ
フタレートフィルムが著しく伸び、変形してしまう不適
な結果になった。
As shown above, at a film formation temperature of 200 ° C., a titanium oxide film having a refractive index of 2.39 was formed. However, the polyethylene terephthalate film as the base material was significantly elongated and deformed. The result was unsuitable.

【0089】以上の結果を表1にまとめて示す。The above results are summarized in Table 1.

【0090】[0090]

【表1】 [Table 1]

【0091】表1より、成膜温度が−10〜150℃の
条件においては、酸化チタン膜の屈折率も2.0以上
で、一般に反射防止層の高屈折率層に要求される屈折率
2.0以上を満たし、基材の高分子フィルムの伸び、変
形もわずかで問題の無いレベルであった。さらに、高分
子フィルムとして使用しているポリエチレンテレフタレ
ートのTg(90℃)より低い温度で、かつ−10℃以
上の成膜温度で酸化チタン膜を形成したサンプルは、屈
折率も2.0以上で良好であり、加えて基材の高分子フ
ィルムのわずかな伸び、変形も無く、特に好適なサンプ
ルを得られた。
As shown in Table 1, when the film forming temperature is in the range of -10 to 150 ° C., the refractive index of the titanium oxide film is 2.0 or more, and the refractive index 2 required for the high refractive index layer of the antireflection layer is generally required. 0.0 or more, and the elongation and deformation of the polymer film of the substrate were slight and were at a level without any problem. Further, a sample in which a titanium oxide film is formed at a temperature lower than the Tg (90 ° C.) of polyethylene terephthalate used as a polymer film and at a film formation temperature of −10 ° C. or more has a refractive index of 2.0 or more. It was good, and there was no slight elongation or deformation of the polymer film as the base material, and a particularly suitable sample was obtained.

【0092】−10℃未満の温度で成膜したサンプル
は、形成された酸化チタン膜の屈折率が低く(1.8
0)、反射防止フィルムの高屈折率層としては不適なも
のであった。また、150℃より高い温度で成膜したサ
ンプルは、基材の高分子フィルムが熱のため、伸び、変
形が著しく使用に供さないものであった。
In the sample formed at a temperature lower than −10 ° C., the formed titanium oxide film has a low refractive index (1.8).
0), which was not suitable as a high refractive index layer of the antireflection film. In the samples formed at a temperature higher than 150 ° C., the polymer film of the base material was significantly stretched and deformed due to heat, so that it could not be used.

【0093】(実施例4)図5に示すように高分子フィ
ルム30上にハードコート層31、中屈折率層32、高
屈折率層33、低屈折率層34を形成し、反射防止フィ
ルムを作成した。各層の形成条件を以下に記す。
Example 4 As shown in FIG. 5, a hard coat layer 31, a medium refractive index layer 32, a high refractive index layer 33, and a low refractive index layer 34 were formed on a polymer film 30, and an antireflection film was formed. Created. The conditions for forming each layer are described below.

【0094】<高分子フィルム(30)> ポリエチレンテレフタレートフィルム 厚さ100μm<Polymer Film (30)> Polyethylene Terephthalate Film Thickness 100 μm

【0095】<ハードコート層(31)> 紫外線硬化型樹脂 PET−D31(大日精化工業
(株)) 塗工により形成 紫外線硬化条件 480mJ 厚さ 6μm
<Hard coat layer (31)> UV-curable resin PET-D31 (Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd.)
Co., Ltd. Formed by coating UV curing conditions 480 mJ Thickness 6 μm

【0096】<中屈折率層(32)> ZrO2微粒子コーティング液No.1221(ZrO2
微粒子100重量部にたいし、バインダー(電離放射線
硬化型型有機ケイ素化合物)0.3重量部よりなるコー
ティング液:住友大阪セメント(株)) ワイヤーバー塗工により形成 紫外線硬化条件 480mJ 厚さ88nm
<Medium Refractive Index Layer (32)> ZrO 2 fine particle coating liquid No. 1221 (ZrO 2
A coating solution consisting of 0.3 parts by weight of a binder (ionizing radiation-curable organosilicon compound) per 100 parts by weight of fine particles: formed by wire bar coating UV curing conditions 480 mJ Thickness 88 nm

【0097】<高屈折率層(33)>実施例2と同様の
条件で形成。
<High refractive index layer (33)> Formed under the same conditions as in Example 2.

【0098】<低屈折率層(34)>SiO2層をプラ
ズマCVD法で形成。
<Low Refractive Index Layer (34)> An SiO 2 layer is formed by a plasma CVD method.

【0099】上記条件で形成した反射防止フィルムは、
高分子フィルムのわずかな伸び、変形も無く、良好な状
態であった。上記条件で作成した反射防止フィルムの反
射分光特性を図6に示す。図6より、人間が感知し易い
550nm近傍での反射率が低く、反射防止効果が良好
であった。このときの視感度反射率は、0.7%と良好
な値を示した。
The antireflection film formed under the above conditions is
The polymer film was in a good state without slight elongation or deformation. FIG. 6 shows the reflection spectral characteristics of the antireflection film prepared under the above conditions. FIG. 6 shows that the reflectance near 550 nm, which is easily perceived by humans, was low and the antireflection effect was good. The luminous reflectance at this time showed a good value of 0.7%.

【0100】分光反射率は、以下の装置で測定した。 分光反射率測定 分光光度計 型番 UV−3100PC メーカー 島津製作所The spectral reflectance was measured by the following device. Spectral reflectance measurement Spectrophotometer Model number UV-3100PC Manufacturer Shimadzu Corporation

【0101】(比較例3)図5に示す高屈折率層33の
形成条件を比較例1と同様にした他は、実施例4と同様
の条件で反射防止フィルムを作成した。
Comparative Example 3 An antireflection film was prepared under the same conditions as in Example 4, except that the conditions for forming the high refractive index layer 33 shown in FIG.

【0102】上記条件で形成した反射防止フィルムは、
高分子フィルムのわずかな伸び、変形も無く、良好な状
態であった。しかし、図7に示したように、人間が感知
し易い550nm近傍での反射率が高く、反射防止効果
が劣るものであった。このときの視感度反射率は1.6
%と高く、不適なものであった。
The antireflection film formed under the above conditions is
The polymer film was in a good state without slight elongation or deformation. However, as shown in FIG. 7, the reflectance near 550 nm, which is easily perceived by humans, was high, and the antireflection effect was poor. The luminous reflectance at this time is 1.6.
%, Which was unsuitable.

【0103】(実施例5)実施例5は、図2に示す装置
を用いたものである。実施例5では、厚さ100μmの
ポリエチレンテレフタレート(PET)上にハードコー
ト6μm及び中層屈折率層88μmを順次コーティング
したものを用いた。また図2に示す反応室aでは酸化チ
タン膜を、反応室b、cではシリカ膜を形成するように
した。高周波電源として13.56MHzのRF電源を
用い、連続成膜時の基材である高分子フィルムの送り速
度は、20m/minとした。その他の条件は、以下に
示す通りである。
(Embodiment 5) Embodiment 5 uses the apparatus shown in FIG. In Example 5, a 100 μm-thick polyethylene terephthalate (PET) was used in which a hard coat of 6 μm and a middle refractive index layer of 88 μm were sequentially coated. Further, a titanium oxide film was formed in the reaction chamber a shown in FIG. 2, and a silica film was formed in the reaction chambers b and c. A 13.56 MHz RF power supply was used as a high frequency power supply, and the feed rate of the polymer film as the base material during continuous film formation was set at 20 m / min. Other conditions are as shown below.

【0104】 <酸化チタン成膜条件(反応室a)> 印加電力 30kW 圧力 50mTorr チタンテトライソプロポキシドガス流量 1slm 酸素ガス流量 10slm 成膜用ドラム表面温度(成膜温度) −20℃<Titanium oxide film formation conditions (reaction chamber a)> Applied power 30 kW Pressure 50 mTorr Titanium tetraisopropoxide gas flow rate 1 slm Oxygen gas flow rate 10 slm Film forming drum surface temperature (film formation temperature) −20 ° C.

【0105】 <シリカ成膜条件(反応室b、c)> 印加電力 30kW 圧力 50mTorr HMDSO流量 1slm 酸素ガス流量 10slm 成膜用ドラム表面温度(成膜温度) −20℃<Silica film formation conditions (reaction chambers b and c)> Applied power 30 kW Pressure 50 mTorr HMDSO flow rate 1 slm Oxygen gas flow rate 10 slm Film forming drum surface temperature (film forming temperature) −20 ° C.

【0106】上記のガス流量単位slmは、stand
ard liter per minuteのことであ
る。
The above-mentioned gas flow unit slm is represented by
ard liter per minute.

【0107】以上の条件で基材フィルム上に形成した積
層膜の測定結果を以下に示す。
The measurement results of the laminated film formed on the base film under the above conditions are shown below.

【0108】<積層膜測定結果>積層膜の層構成を図3
に示す。また、当該積層膜の反射スペクトルより視感度
反射率を測定したところ、0.39%を得た。反射スペ
クトルを図8に示す。
<Laminated Film Measurement Results> FIG. 3 shows the layer configuration of the laminated film.
Shown in Further, the luminous reflectance was measured from the reflection spectrum of the laminated film, and was found to be 0.39%. FIG. 8 shows the reflection spectrum.

【0109】そして、基材フィルムは、わずかな伸び、
変形も無く良好な状態であった。また、当該積層膜を構
成する各膜についてピール試験を行ったところ、全ての
層が1kg/cm以上の密着強度を持っていることが分
かった。
The base film has a slight elongation,
It was in a good state without any deformation. In addition, when a peel test was performed on each film constituting the laminated film, it was found that all the layers had an adhesion strength of 1 kg / cm or more.

【0110】さらに、本実施例により積層膜が形成され
た基材フィルムをLCD上に貼付けたところ、照明等に
よる写り込みが低減することを目視により確認した。
Further, when the substrate film on which the laminated film was formed according to the present example was pasted on an LCD, it was visually confirmed that reflection by illumination or the like was reduced.

【0111】(実施例6)上記実施例5と同様に図2に
示すプラズマCVD装置を用いて積層膜を形成した。本
実施例で基材として厚さ100μmのポリエチレンテレ
フタレート(PET)を用いた。また、本実施例におい
ては、上記実施例5と異なり、まず3つの反応室(a,
b,c)の全てにおいて酸化チタン膜を形成し、その後
全ての反応室内でシリカ膜を形成した。そして、この工
程を2回繰り返すことにより酸化チタン膜―シリカ膜―
酸化チタン膜―シリカ膜たる積層膜を形成した。
(Example 6) As in Example 5, a laminated film was formed using the plasma CVD apparatus shown in FIG. In this example, 100 μm thick polyethylene terephthalate (PET) was used as a substrate. Further, in this embodiment, unlike the above-described embodiment 5, first, three reaction chambers (a,
A titanium oxide film was formed in all of b) and c), and then a silica film was formed in all the reaction chambers. Then, by repeating this process twice, the titanium oxide film-silica film-
A laminated film of a titanium oxide film and a silica film was formed.

【0112】なお、酸化チタン膜及びシリカ膜それぞれ
の成膜条件は上記実施例5と同様とした。
The conditions for forming the titanium oxide film and the silica film were the same as those in the fifth embodiment.

【0113】<積層膜測定結果>積層膜の層構成を図4
に示す。ここで各膜の厚さは基材フィルムの送り速度に
より調整したものである。また、図4に示す積層膜の反
射スペクトルより視感度反射率を測定したところ、0.
35%を得た。当該積層膜の反射スペクトルを図9に示
す。基材フィルムは、わずかな伸び、変形も無く良好な
状態であった。
<Laminated Film Measurement Results> The layer structure of the laminated film is shown in FIG.
Shown in Here, the thickness of each film is adjusted by the feed speed of the base film. When the luminous reflectance was measured from the reflection spectrum of the laminated film shown in FIG.
35% was obtained. FIG. 9 shows the reflection spectrum of the laminated film. The base film was in a good state without any elongation or deformation.

【0114】また、当該積層膜を構成する各膜について
ピール試験を行ったところ、全ての層が1kg/cm以
上の密着強度を持っていることが分かった。
Further, when a peel test was performed on each film constituting the laminated film, it was found that all the layers had an adhesion strength of 1 kg / cm or more.

【0115】さらに、本実施例により積層膜が形成され
た基材フィルムをLCD上に貼付けたところ、照明等に
よる写り込みが低減することを目視により確認し、上記
実施例5と同様の結果を得た。
Further, when the substrate film on which the laminated film was formed according to the present example was pasted on an LCD, it was visually confirmed that the reflection due to illumination or the like was reduced, and the same result as in Example 5 was obtained. Obtained.

【0116】(比較例4)上記実施例5と同様の層構成
(図3参照)をもつ反射防止フィルムを熱CVD法で形
成した。成膜を行う際の原料においても上記実施例5と
同様の原料とし、成膜室の温度は400℃とした。
(Comparative Example 4) An antireflection film having the same layer structure as in Example 5 (see FIG. 3) was formed by a thermal CVD method. The same raw materials as in Example 5 were used for forming the film, and the temperature of the film forming chamber was 400 ° C.

【0117】しかしながら、基材フィルムは熱により変
形してしまい、反射防止フィルムを作製することは不可
能であった。
However, the base film was deformed by heat, and it was impossible to produce an antireflection film.

【0118】(比較例5)次に上記実施例5と同様の層
構成(図3参照)をもつ反射防止フィルムをスパッタ法
で作製した。成膜速度は、酸化チタン膜については約5
0nm/min、シリカ膜については約100nm/m
inで行った。
Comparative Example 5 Next, an antireflection film having the same layer structure as that of Example 5 (see FIG. 3) was produced by a sputtering method. The deposition rate is about 5 for the titanium oxide film.
0 nm / min, about 100 nm / m
went in.

【0119】当該スパッタ法により形成した層構造を図
10に、またその反射スペクトルを図11に示す。
FIG. 10 shows the layer structure formed by the sputtering method, and FIG. 11 shows its reflection spectrum.

【0120】図10と図3とを比較すると、スパッタ法
においては本発明の実施例とほぼ同様の層構成を形成す
ることが可能であることが分かる。しかしながら、図1
1に示す反射スペクトルより視感度反射率を測定する
と、本発明の実施例5が0.39であるのに対し、スパ
ッタ法により形成したものは0.41であることが分か
った。また、各層のピーク試験を行ったところ、本発明
の実施例5により形成した層が1kg/cm以上の密着
強度を持っていたのに対し、スパッタ法により形成した
層は、約550g/cmと低い値であった。
A comparison between FIG. 10 and FIG. 3 shows that it is possible to form a layer configuration substantially similar to that of the embodiment of the present invention by the sputtering method. However, FIG.
When the luminous reflectance was measured from the reflection spectrum shown in FIG. 1, it was found that Example 5 of the present invention was 0.39, whereas that formed by the sputtering method was 0.41. Further, when a peak test was performed on each layer, the layer formed by Example 5 of the present invention had an adhesion strength of 1 kg / cm or more, whereas the layer formed by the sputtering method had an adhesion strength of about 550 g / cm. It was a low value.

【0121】よって、スパッタ法においては、本発明の
実施例とほぼ同様の層構成をもつ反射防止フィルムを作
製することは可能であるが、反射防止フィルムとしての
性能は本発明の反射防止フィルムに比べて劣るこという
ことが分かった。
Therefore, in the sputtering method, it is possible to produce an antireflection film having substantially the same layer constitution as that of the embodiment of the present invention, but the performance as an antireflection film is different from that of the antireflection film of the present invention. It turned out to be inferior.

【0122】(比較例6)さらに、上記実施例5と同様
の層構成(図3参照)をもつ反射防止フィルムを真空蒸
着法により作製した。この際、Ti23とSiO2を原
料として用いた。成膜速度は、酸化チタン膜については
約100nm/min、シリカ膜については約200n
m/minで行った。
Comparative Example 6 Further, an antireflection film having the same layer structure as that of Example 5 (see FIG. 3) was produced by a vacuum deposition method. At this time, Ti 2 O 3 and SiO 2 were used as raw materials. The film formation rate is about 100 nm / min for the titanium oxide film and about 200 n for the silica film.
m / min.

【0123】当該真空蒸着法により形成した層構造を図
12に、またその反射スペクトルを図13に示す。
FIG. 12 shows the layer structure formed by the vacuum evaporation method, and FIG. 13 shows the reflection spectrum.

【0124】図12より真空蒸着法においても、上記ス
パッタ法と同様に層構成においては、本発明の実施例5
と同様の層構成を形成することが可能であることが分か
る。しかしながら、図13に示す反射スペクトルより視
感度反射率を測定すると、本発明の実施例5が0.39
であるのに対し、真空蒸着法により形成したものは0.
41であることが分かった。また、各層のピーク試験を
行ったところ、本発明の実施例5により形成した層が1
kg/cm以上の密着強度を持っていたのに対し、真空
蒸着法により形成した層は、約200g/cmと低い値
であった。
FIG. 12 shows that in the vacuum deposition method, as in the case of the above-described sputtering method, the layer structure is the same as that of the fifth embodiment of the present invention.
It can be seen that it is possible to form the same layer configuration as in FIG. However, when the luminous reflectance was measured from the reflection spectrum shown in FIG.
On the other hand, those formed by the vacuum evaporation method have a diameter of 0.1 mm.
It turned out to be 41. Further, when the peak test of each layer was performed, it was found that the layer formed in Example 5 of the present invention was 1 layer.
While the layer had an adhesion strength of at least kg / cm, the layer formed by the vacuum evaporation method had a low value of about 200 g / cm.

【0125】よって、真空蒸着法においては、本発明の
実施例5とほぼ同様の層構成をもつ反射防止フィルムを
作製することは可能であるが、上記スパッタ法と同様に
反射防止フィルムとしての性能は本発明の反射防止フィ
ルムに比べて劣るこということが分かった。
Thus, in the vacuum deposition method, it is possible to produce an antireflection film having substantially the same layer structure as that of the fifth embodiment of the present invention. Was inferior to the antireflection film of the present invention.

【0126】以上、それぞれの実施例と比較例とから明
らかなように、本発明の実施例においては、基材の高分
子フィルムの伸び、変形も無く、かつ、高屈折率層が高
い屈折率を有するため反射防止効果が高い反射防止フィ
ルムが得られる。
As is clear from the above examples and comparative examples, in the examples of the present invention, there was no elongation or deformation of the polymer film as the base material, and the high refractive index layer had a high refractive index. , An antireflection film having a high antireflection effect can be obtained.

【0127】なお、上記の実施例及び比較例において形
成された積層膜の膜厚は、各層の光学特性を考慮して視
感度反射率が最小になるように設定した。例えば、実施
例4に示す高屈折率層や低屈折率層においては、図1に
示す装置を用いて各層を形成する際にフィルム送り速度
の調整により所望の膜厚を得ている。
The thicknesses of the laminated films formed in the above Examples and Comparative Examples were set so that the luminous reflectance was minimized in consideration of the optical characteristics of each layer. For example, in the high refractive index layer and the low refractive index layer shown in Example 4, a desired film thickness is obtained by adjusting the film feeding speed when forming each layer using the apparatus shown in FIG.

【0128】[0128]

【発明の効果】高分子フィルム上に酸化チタン膜及びシ
リカ膜等を成膜する際にプラズマCVD法を用いること
により、当該フィルムの表面温度を−10〜150℃に
保持することができ、よってフィルムの分解、伸び、変
形を生じることなく酸化チタン膜を成膜することが可能
となる。また、シリカ膜は酸化チタン膜と比べ屈折率が
低く、反射率も小さいことから、反射防止フィルムの最
外層として用いた場合に反射防止効果が大きくなり、シ
リカ膜は比較的その表面エネルギーが小さいため防汚
性、撥水性を備えている。従って、反射防止フィルムに
防汚性、撥水性をも付与することができる。このよう
に、本発明により形成したフィルムは反射防止フィルム
としての利用に好適である。
According to the present invention, when a titanium oxide film, a silica film, etc. are formed on a polymer film, the surface temperature of the film can be maintained at -10 to 150 ° C. by using the plasma CVD method. A titanium oxide film can be formed without causing decomposition, elongation, and deformation of the film. In addition, since the silica film has a lower refractive index and a lower reflectance than the titanium oxide film, the antireflection effect increases when used as the outermost layer of the antireflection film, and the silica film has a relatively small surface energy. Therefore, it has antifouling property and water repellency. Therefore, the antireflection film can also be provided with antifouling properties and water repellency. Thus, the film formed according to the present invention is suitable for use as an antireflection film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の製造方法を説明するための概略図であ
る。
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a manufacturing method of the present invention.

【図2】本発明の製造方法を説明するための概略図であ
る。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the manufacturing method of the present invention.

【図3】本発明の反射防止フィルムの一態様である実施
例5の積層膜の層構成を示す概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a layer structure of a laminated film of Example 5 which is one embodiment of the antireflection film of the present invention.

【図4】本発明の反射防止フィルムの他の態様である実
施例6の積層膜の層構成を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a layer structure of a laminated film of Example 6 which is another embodiment of the antireflection film of the present invention.

【図5】実施例4の反射防止フィルムの断面を示す概略
図断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a section of the antireflection film of Example 4.

【図6】実施例4の反射防止フィルムの反射分光特性で
ある。
FIG. 6 shows reflection spectral characteristics of the antireflection film of Example 4.

【図7】比較例3の反射防止フィルムの反射分光特性で
ある。
FIG. 7 shows reflection spectral characteristics of the antireflection film of Comparative Example 3.

【図8】実施例5の積層膜の反射分光特性である。FIG. 8 shows reflection spectral characteristics of the laminated film of Example 5.

【図9】実施例6の積層膜の反射分光特性である。FIG. 9 shows reflection spectral characteristics of the laminated film of Example 6.

【図10】比較例5の積層膜の層構成を示す概略断面図
である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a layer configuration of a laminated film of Comparative Example 5.

【図11】比較例5の積層膜の反射分光特性である。FIG. 11 shows reflection spectral characteristics of the laminated film of Comparative Example 5.

【図12】比較例6の積層膜の層構成を示す概略断面図
である。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a layer configuration of a laminated film of Comparative Example 6.

【図13】比較例6の積層膜の反射分光特性である。FIG. 13 shows reflection spectral characteristics of the laminated film of Comparative Example 6.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、21、30…高分子フィルム 2、22…基材巻きだし部 2'、26…基材巻き取り部 3、23…真空容器 4、a、b、c…反応室 5…真空ポンプ 6、a2、b2、c2…原料ガス導入口 7…反転ロール 7'…反転ロール 8、24…成膜用ドラム 9、a1、b1、c1…電極 10…電源 11…プラズマ 12…酸化チタン膜 25…隔離壁 31…ハードコート層 32…中屈折率層 33…高屈折率層 34…低屈折率層 1, 21, 30: Polymer film 2, 22: Base material unwinding part 2 ', 26: Base material winding part 3, 23: Vacuum container 4, a, b, c: Reaction chamber 5: Vacuum pump 6, a2, b2, c2 source gas inlet 7 reversing roll 7 'reversing roll 8, 24 film forming drum 9, a1, b1, c1 electrode 10 power supply 11 plasma 12 titanium oxide film 25 isolation Wall 31 Hard coat layer 32 Medium refractive index layer 33 High refractive index layer 34 Low refractive index layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 1/11 G02F 1/1335 G02F 1/1335 G02B 1/10 A // C08L 1:12 67:00 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02B 1/11 G02F 1/1335 G02F 1/1335 G02B 1/10 A // C08L 1:12 67:00

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高分子フィルムの温度制御が可能なプラ
ズマCVD装置を用い、−10〜150℃の範囲内の温
度に制御された高分子フィルム上に少なくとも一層の酸
化チタン膜を形成することを特徴とする積層フィルムの
製造方法。
1. A method for forming at least one titanium oxide film on a polymer film controlled at a temperature within a range of -10 to 150 ° C. using a plasma CVD apparatus capable of controlling the temperature of the polymer film. A method for producing a laminated film.
【請求項2】 前記プラズマCVD装置を用い、−10
〜150℃の範囲内の温度に制御された高分子フィルム
に少なくとも一層のシリカ膜を形成することを特徴とす
る請求項1記載の積層フィルムの製造方法。
2. Using the plasma CVD apparatus,
The method for producing a laminated film according to claim 1, wherein at least one silica film is formed on the polymer film controlled at a temperature in the range of -150 ° C.
【請求項3】 前記プラズマCVD装置が、少なくとも
原料ガスが導入される反応室と、温度コントロール可能
な成膜用ドラムと、前記成膜用ドラムとの間にプラズマ
を発生させるプラズマ発生用手段を有し、前記成膜用ド
ラムによりウェッブ状の高分子フィルムが連続的に原料
ガスが導入された反応室内に搬送されることにより、前
記高分子フィルムの温度制御が行なわれると同時に前記
高分子フィルム上に膜が形成される装置であることを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の積層フィルム
の製造方法。
3. A plasma CVD apparatus comprising: a reaction chamber into which at least a source gas is introduced; a film forming drum capable of controlling temperature; and a plasma generating means for generating plasma between the film forming drum. The film-forming drum continuously transports a web-like polymer film into a reaction chamber into which a raw material gas has been introduced, so that the temperature of the polymer film is controlled and at the same time, the polymer film is formed. 3. The method for producing a laminated film according to claim 1, wherein the apparatus is a device on which a film is formed.
【請求項4】 前記反応室が、前記成膜用ドラムの外周
に沿って複数配置されていることを特徴とする請求項3
に記載の積層フィルムの製造方法。
4. The apparatus according to claim 3, wherein a plurality of the reaction chambers are arranged along an outer periphery of the film forming drum.
3. The method for producing a laminated film according to item 1.
【請求項5】 屈折率が2.0以上2.9以下(波長λ
=550nm)の少なくとも一層の酸化チタン膜が、高
分子フィルム上にプラズマCVD法により積層されてな
ることを特徴とする反射防止フィルム。
5. A material having a refractive index of 2.0 to 2.9 (wavelength λ).
(550 nm) is formed by laminating at least one layer of a titanium oxide film on a polymer film by a plasma CVD method.
【請求項6】 前記高分子フィルムの前記酸化チタン膜
が形成された面に、高分子フィルム上にプラズマCVD
法により積層されてなるシリカ膜が形成されていること
を特徴とする請求項5記載の反射防止フィルム。
6. A plasma CVD method is performed on the polymer film on the surface of the polymer film on which the titanium oxide film is formed.
The antireflection film according to claim 5, wherein a silica film laminated by a method is formed.
【請求項7】 最外層が前記シリカ膜であることを特徴
とする請求項6記載の反射防止フィルム。
7. The anti-reflection film according to claim 6, wherein the outermost layer is the silica film.
【請求項8】 前記高分子フィルム上にハードコート層
が形成され、前記ハードコート層上に前記プラズマCV
D法で形成された膜が積層されていることを特徴とする
請求項5から請求項7までのいずれかの請求項に記載の
反射防止フィルム。
8. A hard coat layer is formed on the polymer film, and the plasma CV is formed on the hard coat layer.
The anti-reflection film according to any one of claims 5 to 7, wherein films formed by the method D are laminated.
【請求項9】 前記ハードコート層上に中屈折率層が形
成されていることを特徴とする請求項8記載の反射防止
フィルム。
9. The antireflection film according to claim 8, wherein a medium refractive index layer is formed on the hard coat layer.
【請求項10】 前記高分子フィルムが一軸または二軸
延伸ポリエステルフィルム、またはトリアセチルセルロ
ースフィルムであることを特徴とする請求項5から請求
項9までのいずかの請求項に記載の反射防止フィルム。
10. The anti-reflection method according to claim 5, wherein the polymer film is a uniaxially or biaxially stretched polyester film, or a triacetyl cellulose film. the film.
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