JP2000334290A - Vacuum treating apparatus - Google Patents

Vacuum treating apparatus

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum treating apparatus which blows off the dust adhered to the surface of a substrate to be treated by vent gas when venting a load locking chamber and is capable of preventing the soaring up of the dust in the load locking chamber. SOLUTION: This apparatus has a process chamber which houses the substrate W to be treated therein and treats the substrate under a vacuum, the load locking chamber 1 which is capable of switching a vacuum state and an atmospheric state independently from the process chamber, and temporarily houses the substrate W to be treated when carrying the substrate W to be treated into and out of the process chamber, a venting means 2 which introduces the vent gas G into the load locking chamber 1 in the vacuum state and switches the vacuum state to the atmosphere state and a planar vent filter 4 which faces the surface of the substrate W to be treated housed in the load locking chamber 1 and is arranged apart therefrom. The vent filter 4 approximately covers the entire surface of the substrate W to be treated. The vent gas G introduced from the vent means 1 into the load locking chamber 1 is filtered by the vent filter 4 and is then blown to approximately the entire part of the surface of the substrate W to be treated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板、特に
半導体基板を真空下において処理するための真空処理装
置に関する。
The present invention relates to a vacuum processing apparatus for processing a substrate to be processed, particularly a semiconductor substrate under a vacuum.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体製造工程においては、半導
体基板である被処理基板に対して真空下でエッチング、
アッシング、スパッタリング等の処理を施すための各種
の真空処理装置が使用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, a substrate to be processed which is a semiconductor substrate is etched under vacuum.
Various vacuum processing apparatuses for performing processes such as ashing and sputtering are used.

【0003】一般に真空処理装置は、被処理基板を内部
に収容して真空下で処理するための処理室と、この処理
室に被処理基板を搬入し又は搬出する際に被処理基板が
一時的に収容されるロードロック室とを備えている。ロ
ードロック室は、真空状態と大気圧状態とを切り替える
ことが可能であり、被処理基板を処理室に搬入し又は搬
出する際にはロードロック室は真空状態とされ、一方、
真空処理装置の外部(大気圧状態)から被処理基板をロ
ードロック室に搬入し又は外部へ搬出する際にはロード
ロック室は大気圧状態とされる。
[0003] In general, a vacuum processing apparatus includes a processing chamber for accommodating a substrate to be processed therein and performing processing under vacuum, and a substrate to be processed which is temporarily loaded or unloaded when the substrate is loaded or unloaded into the processing chamber. And a load lock chamber accommodated in the vehicle. The load lock chamber is capable of switching between a vacuum state and an atmospheric pressure state, and when loading or unloading the substrate to be processed into or from the processing chamber, the load lock chamber is in a vacuum state.
When loading or unloading a substrate to be processed from the outside (atmospheric pressure state) of the vacuum processing apparatus to the load lock chamber, the load lock chamber is set to the atmospheric pressure state.

【0004】真空状態にあるロードロック室を大気圧状
態に切り替える際には、ロードロック室の内部に空気等
のベントガスが導入される。図2は、従来の真空処理装
置におけるベント手段を説明するための概略構成図であ
り、ロードロック室20の内部に供給されるベント用空
気は、ロードロック室20内に配置されたフィルター2
1を介してロードロック室20内に供給される。このフ
ィルター21によって、ベント用空気内のダストが除去
されると共に、ロードロック室20内でのダストの巻き
上げを防止することができる。これにより、巻き上げら
れたダストによる被処理基板Wの汚染を防止することが
できる。
When switching the load lock chamber in a vacuum state to the atmospheric pressure state, a vent gas such as air is introduced into the load lock chamber. FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining a vent means in a conventional vacuum processing apparatus. Vent air supplied to the inside of the load lock chamber 20 uses a filter 2 disposed in the load lock chamber 20.
1 is supplied into the load lock chamber 20. The filter 21 removes dust in the vent air and prevents dust from being wound up in the load lock chamber 20. Thereby, contamination of the processing target substrate W by the wound dust can be prevented.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、図2に示し
た従来の真空処理装置のベント手段では、ダストの巻き
上げは防止できるものの、被処理基板Wの表面に付着し
ているダストをベント用空気によって吹き飛ばすことは
できない。
However, the venting means of the conventional vacuum processing apparatus shown in FIG. 2 can prevent dust from being wound up, but removes the dust adhering to the surface of the substrate W to be vented. Cannot be blown away by

【0006】そこで、ベント用空気によって被処理基板
の表面に付着しているダストを吹き飛ばすためには、例
えば図3に示したようにフィルタを省略して被処理基板
Wの表面にベント用空気を直接吹き付ける方法が考えら
れる。
In order to blow off the dust adhering to the surface of the substrate to be processed by the air for venting, for example, a filter is omitted as shown in FIG. A direct spray method is conceivable.

【0007】しかしながら、図3に示したようなベント
方法では、被処理基板Wの表面の一カ所にベント用空気
を吹き付ける為、ロードロック室20内で乱流が発生
し、ダストの舞い上がりにより被処理基板Wがかえって
汚染されてしまう恐れがある。
However, in the venting method as shown in FIG. 3, since the venting air is blown to one portion of the surface of the substrate W to be processed, a turbulent flow is generated in the load lock chamber 20 and the dust rises. The processing substrate W may be contaminated instead.

【0008】本発明は、上述した事情を考慮してなされ
たものであって、ロードロック室をベントする際にベン
トガスによって被処理基板の表面に付着したダストを吹
き飛ばし且つロードロック室内でのダストの舞い上がり
を防止することができる真空処理装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and when venting a load lock chamber, a vent gas blows off dust adhering to the surface of a substrate to be processed and generates dust in the load lock chamber. It is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus that can prevent soaring.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による真空処理装置は、被処理基板を内部に
収容して真空下において処理する処理室と、真空状態と
大気圧状態とを前記処理室とは独立して切り替えること
が可能であり、前記被処理基板を前記処理室に搬入し又
は前記処理室から搬出する際に前記被処理基板を一時的
に収容するロードロック室と、真空状態にある前記ロー
ドロック室の内部にベントガスを導入して大気圧状態に
切り替えるベント手段と、前記ロードロック室の内部に
収容された前記被処理基板の表面に対向して離間配置さ
れた板状のベントフィルタと、を備え、前記ベントフィ
ルタは前記被処理基板の略全面を覆っており、前記ベン
ト手段から前記ロードロック室の内部に導入された前記
ベントガスは、前記ベントフィルタによりろ過された後
に前記被処理基板の表面の略全体に吹き付けられること
を特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a vacuum processing apparatus according to the present invention comprises a processing chamber for accommodating a substrate to be processed therein and performing a processing under a vacuum; It is possible to switch independently of the processing chamber, and a load lock chamber for temporarily storing the processing target substrate when the processing target substrate is carried into or out of the processing chamber. A vent means for introducing a vent gas into the load lock chamber in a vacuum state to switch to an atmospheric pressure state, and a spaced-apart arrangement facing the surface of the substrate to be processed accommodated in the load lock chamber. A plate-shaped vent filter, wherein the vent filter covers substantially the entire surface of the substrate to be processed, and wherein the vent gas introduced into the load lock chamber from the vent means is disposed in front of the substrate. Wherein said that the blown substantially the entire surface of the substrate after being filtered by the vent filter.

【0010】また、前記ベント手段は前記ロードロック
室の内部に前記ベントガスを導入するガス導入口を有
し、前記ガス導入口は前記ロードロック室の内部に収容
された前記被処理基板と同心位置に配置されており、前
記ベントフィルタは前記ガス導入口と前記被処理基板と
の間に配置されていることが望ましい。
The vent means has a gas inlet for introducing the vent gas into the load lock chamber, and the gas inlet is positioned concentrically with the substrate to be processed accommodated in the load lock chamber. It is preferable that the vent filter is disposed between the gas inlet and the substrate to be processed.

【0011】また、前記ガス導入口は、前記被処理基板
を前記ロードロック室に搬入し又は前記ロードロック室
から搬出する際に開放されるバルブ蓋に形成されている
ことが望ましい。
It is preferable that the gas inlet is formed in a valve lid that is opened when the substrate to be processed is loaded into or unloaded from the load lock chamber.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
真空処理装置について図1を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0013】図1は、本実施形態による真空処理装置の
ロードロック室1の部分を示した縦断面図である。ま
た、この真空処理装置は、被処理基板Wを内部に収容し
て真空下において処理するための処理室(図示せず)を
備えている。この処理室では、被処理基板Wに対してエ
ッチング、アッシング等の処理が施される。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a portion of a load lock chamber 1 of a vacuum processing apparatus according to the present embodiment. Further, the vacuum processing apparatus includes a processing chamber (not shown) for accommodating the substrate to be processed W therein and performing processing under vacuum. In this processing chamber, processing such as etching and ashing is performed on the substrate W to be processed.

【0014】図1に示したロードロック室1は、真空状
態と大気圧状態とを処理室とは独立して切り替えること
が可能であり、被処理基板Wを処理室に搬入し又は処理
室から搬出する際に、図1に示したように被処理基板W
を一時的にその内部に収容する。
The load lock chamber 1 shown in FIG. 1 is capable of switching between a vacuum state and an atmospheric pressure state independently of the processing chamber, and loads a substrate W to be processed into or from the processing chamber. When unloading, as shown in FIG.
Is temporarily housed therein.

【0015】また、本実施形態による真空処理装置は、
真空状態にあるロードロック室1の内部に空気等のベン
トガスGを導入して大気圧状態に切り替えるベント手段
2を備えている。このベント手段2は、ロードロック室
1の内部にベントガスGを導入するガス導入口3を有
し、このガス導入口3は、被処理基板Wをロードロック
室1に搬入し又はロードロック室1から搬出する際に開
放されるバルブ蓋5の中央に形成されている。言い換え
ると、ガス導入口3は、ロードロック室1の内部に収容
された被処理基板Wの中心の上方に同心位置で配置され
ている。
Further, the vacuum processing apparatus according to the present embodiment comprises:
There is provided a vent means 2 for introducing a vent gas G such as air into the load lock chamber 1 in a vacuum state to switch to an atmospheric pressure state. The vent means 2 has a gas inlet 3 for introducing a vent gas G into the load lock chamber 1, and the gas inlet 3 carries the substrate to be processed W into the load lock chamber 1 or loads the load lock chamber 1. It is formed at the center of the valve lid 5 which is opened when the product is carried out from the container. In other words, the gas inlet 3 is disposed concentrically above the center of the substrate W to be processed housed in the load lock chamber 1.

【0016】さらに、本実施形態による真空処理装置
は、ロードロック室1の内部に収容された被処理基板W
の表面に離間対向して近接配置された板状のベントフィ
ルタ4を備えている。このベントフィルタ4は、ガス導
入口3と被処理基板Wとの間に配置され且つ被処理基板
Wの略全面を覆っている。
Further, in the vacuum processing apparatus according to the present embodiment, the processing target substrate W accommodated in the load lock chamber 1 is provided.
And a plate-shaped vent filter 4 arranged close to the surface of the filter. The vent filter 4 is disposed between the gas inlet 3 and the substrate W and covers substantially the entire surface of the substrate W.

【0017】真空状態にある被処理基板Wは、昇降可能
な載置台6の上面にて保持されており、図1に示した状
態から載置台6を降下させると、載置台6と共に下降し
た被処理基板Wが回転可能な搬送テーブル7の基板受け
部8に受け渡される。そして、載置台6を搬送テーブル
7よりも下方まで降下させた状態で搬送テーブル7を回
転させ、これにより、被処理基板Wを処理室(図示せ
ず)まで移送することができる。
The substrate W to be processed in a vacuum state is held on the upper surface of the mounting table 6 which can be moved up and down. When the mounting table 6 is lowered from the state shown in FIG. The processing substrate W is delivered to the substrate receiving portion 8 of the rotatable transport table 7. Then, the transfer table 7 is rotated while the mounting table 6 is lowered below the transfer table 7, whereby the substrate to be processed W can be transferred to a processing chamber (not shown).

【0018】そして、上記構成より成る本実施形態にお
いては、真空状態にあるロードロック室1をベントする
際に、ベント手段2のガス導入口3からロードロック室
1の内部に導入されたベントガスGは、ベントフィルタ
4によりろ過された後、被処理基板Wの表面の略全体に
わたって均等に吹き付けられ、被処理基板Wの表面に付
着していたダストがベントガスGによって吹き飛ばされ
る。
In this embodiment having the above structure, when the load lock chamber 1 in a vacuum state is vented, the vent gas G introduced into the load lock chamber 1 from the gas inlet 3 of the vent means 2. After being filtered by the vent filter 4, the dust is uniformly sprayed on substantially the entire surface of the substrate W to be processed, and dust adhering to the surface of the substrate W is blown off by the vent gas G.

【0019】以上述べたように本実施形態による真空処
理装置によれば、ベントフィルタ4によりろ過されたベ
ントガスGを被処理基板Wの表面の略全体にわたって均
等に吹き付けるようにしたので、ベントガスG中のダス
トの除去ができるばかりでなく、被処理基板Wの表面に
付着していたダストをベントガスGによって吹き飛ばす
ことができる。
As described above, according to the vacuum processing apparatus of the present embodiment, the vent gas G filtered by the vent filter 4 is evenly blown over substantially the entire surface of the substrate W to be processed. Not only can be removed, but also dust adhering to the surface of the substrate to be processed W can be blown off by the vent gas G.

【0020】また、ベントガスGは被処理基板Wの表面
の略全体にわたって均等に吹き付けられるので、ロード
ロック室1の内部で乱流が発生することが無く、ダスト
の舞い上がりによる被処理基板Wの汚染を防止すること
ができる。
Further, since the vent gas G is blown uniformly over substantially the entire surface of the substrate W to be processed, no turbulent flow is generated inside the load lock chamber 1, and contamination of the substrate W due to dust rising is prevented. Can be prevented.

【0021】さらに、板状のベントフィルタ4の全面を
通してベントガスGを供給するようにしたので、ベント
速度が増大し、ロードロック室1を迅速にベントするこ
とができる。
Further, since the vent gas G is supplied through the entire surface of the plate-shaped vent filter 4, the vent speed is increased and the load lock chamber 1 can be quickly vented.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上述べたように本発明による真空処理
装置によれば、ベントフィルタによりろ過されたベント
ガスを被処理基板の表面の略全体にわたって吹き付ける
ようにしたので、ベントガス中のダストの除去ができる
ばかりでなく、被処理基板Wの表面に付着していたダス
トをベントガスによって吹き飛ばすことが可能であり、
また、ロードロック室の内部で乱流が発生することが無
く、ダストの舞い上がりによる被処理基板の汚染を防止
することができ、さらに、ベント速度が増大し、ロード
ロック室を迅速にベントすることができる。
As described above, according to the vacuum processing apparatus of the present invention, the vent gas filtered by the vent filter is blown over substantially the entire surface of the substrate to be processed, so that dust in the vent gas can be removed. Not only can it be possible, but it is possible to blow off the dust adhering to the surface of the substrate W to be processed by a vent gas,
Also, no turbulence is generated inside the load lock chamber, so that contamination of the substrate to be processed due to dust rising can be prevented. Further, the vent speed is increased, and the load lock chamber is quickly vented. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態による真空処理装置のロー
ドロック室を示した縦断面図。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a load lock chamber of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の真空処理装置のロードロック室のベント
手段を説明するための概略構成図。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining a vent means of a load lock chamber of a conventional vacuum processing apparatus.

【図3】従来の真空処理装置のロードロック室のベント
手段の他の例を説明するための概略構成図。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram for explaining another example of a vent unit of a load lock chamber of a conventional vacuum processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ロードロック室 2 ベント手段 3 ガス導入口 4 ベントフィルタ 5 バルブ蓋 G ベントガス W 被処理基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Load lock chamber 2 Vent means 3 Gas inlet 4 Vent filter 5 Valve lid G Vent gas W Substrate to be processed

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被処理基板を内部に収容して真空下におい
て処理する処理室と、真空状態と大気圧状態とを前記処
理室とは独立して切り替えることが可能であり、前記被
処理基板を前記処理室に搬入し又は前記処理室から搬出
する際に前記被処理基板を一時的に収容するロードロッ
ク室と、真空状態にある前記ロードロック室の内部にベ
ントガスを導入して大気圧状態に切り替えるベント手段
と、前記ロードロック室の内部に収容された前記被処理
基板の表面に対向して離間配置された板状のベントフィ
ルタと、を備え、前記ベントフィルタは前記被処理基板
の略全面を覆っており、前記ベント手段から前記ロード
ロック室の内部に導入された前記ベントガスは、前記ベ
ントフィルタによりろ過された後に前記被処理基板の表
面の略全体に吹き付けられることを特徴とする真空処理
装置。
A processing chamber for accommodating a substrate to be processed therein and performing processing under vacuum; and a vacuum state and an atmospheric pressure state can be switched independently of the processing chamber. A load lock chamber for temporarily accommodating the substrate to be processed when loading or unloading the processing chamber from the processing chamber; and introducing a vent gas into the load lock chamber in a vacuum state to achieve an atmospheric pressure state. And a plate-shaped vent filter opposed to and separated from the surface of the substrate to be processed accommodated in the load lock chamber, wherein the vent filter is substantially the same as the substrate to be processed. The vent gas, which covers the entire surface and is introduced into the load lock chamber from the vent means, is filtered by the vent filter and blows over substantially the entire surface of the substrate to be processed. The vacuum processing apparatus characterized by being kicked.
【請求項2】前記ベント手段は前記ロードロック室の内
部に前記ベントガスを導入するガス導入口を有し、前記
ガス導入口は前記ロードロック室の内部に収容された前
記被処理基板と同心位置に配置されており、前記ベント
フィルタは前記ガス導入口と前記被処理基板との間に配
置されていることを特徴とする請求項1記載の真空処理
装置。
2. The load lock chamber has a gas inlet for introducing the vent gas into the load lock chamber. The gas inlet is concentric with the substrate to be processed accommodated in the load lock chamber. 2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vent filter is disposed between the gas inlet and the substrate to be processed.
【請求項3】前記ガス導入口は、前記被処理基板を前記
ロードロック室に搬入し又は前記ロードロック室から搬
出する際に開放されるバルブ蓋に形成されていることを
特徴とする請求項2記載の真空処理装置。
3. The gas inlet according to claim 1, wherein the gas inlet is formed in a valve lid that is opened when the substrate to be processed is loaded into or unloaded from the load lock chamber. 3. The vacuum processing apparatus according to 2.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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