JP2000329773A - Near field light source and near field optical recorder/ reproducer - Google Patents

Near field light source and near field optical recorder/ reproducer

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JP2000329773A
JP2000329773A JP11138183A JP13818399A JP2000329773A JP 2000329773 A JP2000329773 A JP 2000329773A JP 11138183 A JP11138183 A JP 11138183A JP 13818399 A JP13818399 A JP 13818399A JP 2000329773 A JP2000329773 A JP 2000329773A
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JP
Japan
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light source
field light
laser
light
probe
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Application number
JP11138183A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoya Sugita
知也 杉田
Kiminori Mizuuchi
公典 水内
Kazuhisa Yamamoto
和久 山本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a near field light of a high output by introducing a light emitted from a laser to a probe of a near field light source for generating a near field light, and forming an at least portion of the probe in a resonator structure. SOLUTION: A glass fiber 1 sharpened at its one side end face has a first dielectric layer 2, a second dielectric layer 3 and an exciting light source 4 for exciting a near field light. A plurality of the layers 2 and 3 are alternately superposed to form a dielectric multilayer film mirror 50. A resonator structure is formed of the mirror 50 and an end face 51 which is not brought into contact with the mirror 50 of the fiber 1. With the above constitution, an incident light 5 incident from the light source 4 to the fiber 1 through the mirror 50 is amplified in the fiber 1 by the structure. A near field light 6 is generated in proportion to an intensity of the amplified light. Accordingly, an optical amplification factor of the structure is improved to improve a generating efficiency of the light 6 to the light 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、近接場光源および
近接場光を用いた記録再生装置に関し、プローブまたは
固体レーザーから近接場光を発生させることにより、高
出力の近接場光を得ることのできる近接場光源および近
接場光記録再生装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a near-field light source and a recording / reproducing apparatus using near-field light, and more particularly to a method of generating near-field light of high output by generating near-field light from a probe or a solid-state laser. The present invention relates to a near-field light source and a near-field optical recording / reproducing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】光計測、特に物質表面形状測定の分野に
おいて、高倍率の光学顕微鏡の研究開発が進められ、近
接場光を用いた詳細な計測が行われるようになってきて
いる。また、光情報処理の分野においては、近接場光を
利用することにより、さらなる高密度記録を行うという
試みがなされてきた。
2. Description of the Related Art In the field of optical measurement, particularly in the field of material surface shape measurement, research and development of a high-magnification optical microscope have been advanced, and detailed measurement using near-field light has been performed. In the field of optical information processing, attempts have been made to perform higher-density recording by using near-field light.

【0003】近接場光は物質に光を入射したときに発生
する表面近傍に局在する非伝搬光であり、特に物質の寸
法が入射波長より小さいときには、近接場光の局在体積
は物質寸法と同程度になる。したがって、近接場光を利
用することにより、回折限界以下の微小な領域を計測し
たり、あるいは回折限界以下の寸法を持つ光デバイスの
実現が可能になった。この近接場光を局所的な微小領域
で利用するためには、プローブと呼ばれる近接場光を発
生させるための微小物質を作製することが重要であり、
これまでに微小加工プロセス技術の進歩により、先端の
口径を数10nm程度に先鋭化したプローブが実現され
ていた。
[0003] Near-field light is non-propagating light localized near the surface generated when light is incident on a substance. In particular, when the dimension of a substance is smaller than the incident wavelength, the localized volume of the near-field light is equal to the dimension of the substance. And about the same. Therefore, by using the near-field light, it has become possible to measure a minute area smaller than the diffraction limit or to realize an optical device having a size smaller than the diffraction limit. In order to use this near-field light in a local micro-region, it is important to create a small substance called a probe to generate near-field light,
Up to now, with the advance of the micromachining process technology, a probe whose tip diameter is sharpened to about several tens nm has been realized.

【0004】一般に、近接場光の発生検出方法には大き
く分けて2通りある。1つは図5(a)に示す方法Aで
ある。図5(a)において27は先端を先鋭化したプロ
ーブ、28は試料、30は試料28を照明するためのレ
ーザー光源である。また、35は試料28の表面側から
試料28を照明する場合のレーザー光、36は試料28
の裏面側から試料28を照明する場合のレーザー光を示
している。ミラー31および33を用いることにより試
料28の裏面側からレーザー光36を照射するか、また
はミラー32、34を用いて試料28の表面側からレー
ザー光35を照射することにより、試料28の表面近傍
に近接場光37を発生させる。この近接場光37が存在
する領域にプローブ27の微小な先端を挿入することに
より近接場光37を散乱光38に変えてその散乱光強度
を検出する方法である。なお、図中の29はプリズムで
あり、試料28の裏面側からのレーザー光36の照射と
試料28の固定を実現するためのものである。
In general, there are roughly two types of methods for detecting the generation of near-field light. One is a method A shown in FIG. In FIG. 5A, 27 is a probe having a sharpened tip, 28 is a sample, and 30 is a laser light source for illuminating the sample 28. Reference numeral 35 denotes a laser beam for illuminating the sample 28 from the surface side of the sample 28, and 36 denotes a sample 28.
Shows a laser beam when the sample 28 is illuminated from the back surface side of FIG. By irradiating the laser beam 36 from the back side of the sample 28 by using the mirrors 31 and 33, or by irradiating the laser beam 35 from the front side of the sample 28 by using the mirrors 32 and 34, the vicinity of the surface of the sample 28 is , A near-field light 37 is generated. In this method, the near-field light 37 is converted into scattered light 38 by inserting a minute tip of the probe 27 into the region where the near-field light 37 exists, and the scattered light intensity is detected. In the figure, reference numeral 29 denotes a prism for realizing the irradiation of the laser beam 36 from the back side of the sample 28 and the fixing of the sample 28.

【0005】もう1つは図5(b)に示す方法Bであ
る。図5(b)において、39は先端を先鋭化したプロ
ーブ、40は試料、41はレーザー光源、42はレーザ
ー光源41からのレーザー光、43は近接場光である。
この場合にはプローブ39にレーザー光源41からのレ
ーザー光42を入射し、先鋭化されたプローブ39の先
端近傍に近接場光43を発生させ、プローブ39を試料
40に近づけることにより近接場光43を散乱光44に
変換しその散乱光強度を検出する。
The other is a method B shown in FIG. In FIG. 5B, reference numeral 39 denotes a probe having a sharpened tip, reference numeral 40 denotes a sample, reference numeral 41 denotes a laser light source, reference numeral 42 denotes laser light from the laser light source 41, and reference numeral 43 denotes near-field light.
In this case, the laser light 42 from the laser light source 41 is incident on the probe 39 to generate near-field light 43 near the sharpened tip of the probe 39. Is converted into scattered light 44, and the scattered light intensity is detected.

【0006】これまでに、上記方法AまたはBを用いる
ことにより近接場光を利用した高密度光記録技術の開発
がなされている。例えば、物質表面に形成された微小な
凹凸に近接場光発生源であるプローブを近接させて近接
場光を散乱光に変換し、プローブ位置と検出された散乱
光強度の強弱を情報として扱うといった技術がある。こ
のような近接場光記録においては光デバイスや散乱光検
出系の構造等の観点から、上記の方法Bが有効であると
考えられており、この方法おける近接場光源としては、
一般にガラスファイバーを加工したものをプローブとし
て用いている。微小加工プロセス技術の進歩により、ガ
ラスファイバー先端を数10nmに加工することが可能
となり、磁気記録材料や相変化記録材料への記録再生実
験が行われ、最小記録寸法として直径60〜80nmが
実現された。これらは100〜170Gbit/inc
2の記録密度に対応している。
Hitherto, a high-density optical recording technique utilizing near-field light by using the above-described method A or B has been developed. For example, a probe that is a near-field light source is brought close to minute irregularities formed on the surface of a substance to convert the near-field light into scattered light, and the probe position and the intensity of the detected scattered light are treated as information. There is technology. In such near-field optical recording, from the viewpoint of the structure of the optical device and the scattered light detection system, etc., it is considered that the above method B is effective. As the near-field light source in this method,
Generally, a processed glass fiber is used as a probe. Advances in microfabrication process technology have made it possible to process the glass fiber tip to several tens of nanometers, and recording and reproduction experiments on magnetic recording materials and phase-change recording materials have been carried out, achieving a minimum recording dimension of 60 to 80 nm in diameter. Was. These are 100-170 Gbit / inc
corresponds to the recording density of h 2.

【0007】一方、近接場光による再生においては、プ
ローブ形状による制限から入射光に対する近接場光の発
生効率(=近接場光強度/入射光強度)が約1×10-5
〜10-3と低く、データ伝送時間が遅くなるという問題
があった。データ伝送時間を大きくするためには近接場
光パワーを上げることが重要であるので、これまでのプ
ローブを用いる場合には入射光のパワーを上げる必要が
あった。また、データ伝送速度を上げる別の方法として
複数のプローブを用いる用法も提案されているが、散乱
光検出系が複雑になるという課題があった。高密度光記
録を実現するためにはデータ再生時のデータ伝送速度が
重要であり、伝送速度を上げる手段として、プローブを
2次元的に配置したプローブアレイによる並列読み出し
などが提案された。またプローブへの入射光パワーに対
する発生する近接場光パワー、すなわちプローブの近接
場光発生効率が再生時の伝送速度に大きく関わってお
り、この近接場光発生効率が大きい程、伝送速度も大き
くすることができる。これまでに、ガラスファーバーを
化学エッチングにより先鋭化し、金属膜を蒸着して作製
したプローブに置いて、近接場光発生効率の値が1×1
-5〜1×10-3のものが実現されており、入射光パワ
ー1mWにおいて約50Mbit/sのデータ伝送速度
が達成されていた。
On the other hand, in reproduction using near-field light, the generation efficiency of near-field light with respect to incident light (= near-field light intensity / incident light intensity) is about 1 × 10 −5 due to limitations due to the probe shape.
To 10 -3 , which causes a problem that the data transmission time is delayed. It is important to increase the near-field light power in order to increase the data transmission time. Therefore, when using a conventional probe, it is necessary to increase the power of the incident light. As another method for increasing the data transmission speed, a method using a plurality of probes has been proposed, but there is a problem that a scattered light detection system becomes complicated. In order to realize high-density optical recording, the data transmission speed at the time of data reproduction is important. As means for increasing the transmission speed, parallel reading using a probe array in which probes are two-dimensionally arranged has been proposed. Further, the near-field light power generated with respect to the incident light power to the probe, that is, the near-field light generation efficiency of the probe is greatly related to the transmission speed during reproduction, and the higher the near-field light generation efficiency, the higher the transmission speed. be able to. Until now, the glass fiber was sharpened by chemical etching and placed on a probe formed by depositing a metal film.
A data transmission rate of 0 -5 to 1 × 10 -3 has been realized, and a data transmission speed of about 50 Mbit / s has been achieved at an incident light power of 1 mW.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
近接場光源においてはプローブの近接場光発生効率が低
く、高出力の近接場光を得るためには入射光強度を大き
くしなければならないという課題があった。これにより
入射光源に高出力レーザーが必要であるため、近接場光
発生装置の作製コストが高くなり、また消費電力が大き
くなるという課題があった。
However, in the conventional near-field light source, the near-field light generation efficiency of the probe is low, and the intensity of the incident light must be increased in order to obtain high-power near-field light. was there. As a result, a high-power laser is required for the incident light source, so that the manufacturing cost of the near-field light generating device is increased and the power consumption is increased.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、レーザー光源と、プローブとを備え、レ
ーザーから出射された光をプローブに入射し、プローブ
から近接場光を発生させる近接場光源において、少なく
ともプローブの一部が共振器構造を成していることを特
徴とする近接場光源である。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a laser light source and a probe, which emits light emitted from a laser to the probe and generates near-field light from the probe. A near-field light source characterized in that at least a part of the probe forms a resonator structure.

【0010】また、プローブと、固体レーザーと、固体
レーザー励起用光源とを備え、プローブの先端部分に固
体レーザーを固定し、固体レーザー励起用光源からのポ
ンプ光をプローブから入射し固体レーザーに照射するこ
とによりレーザー光を励起すると同時に近接場光を発生
させ、固体レーザーのポンプ光入射部と近接場光出射部
が異なることを特徴とする近接場光源である。
A probe, a solid-state laser, and a solid-state laser excitation light source are provided. The solid-state laser is fixed to the tip of the probe, and pump light from the solid-state laser excitation light source is incident from the probe to irradiate the solid-state laser. This is a near-field light source that excites laser light and simultaneously generates near-field light, so that a pump light incident portion and a near-field light emitting portion of a solid-state laser are different.

【0011】また、レーザー励起用光源と、セルフダブ
リング結晶とを備え、レーザー励起用光源からのポンプ
光をセルフダブリング結晶に照射することにより高調波
レーザー光を励起すると同時に高調波レーザー光による
近接場光を発生させることを特徴とする近接場光源であ
る。
A laser excitation light source and a self-doubling crystal are provided, and a pump light from the laser excitation light source is irradiated on the self-doubling crystal to excite the harmonic laser light and at the same time, a near-field by the harmonic laser light. This is a near-field light source that generates light.

【0012】また、上記のいずれかの近接場光源を用い
てデータの記録再生を行う近接場光記録再生装置であ
る。
Further, there is provided a near-field optical recording / reproducing apparatus for recording / reproducing data using any of the above-mentioned near-field light sources.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】(実施の形態1)ここでは、近接場光源に
おいてプローブの一部を共振器構造にすることによって
高い近接場光発生効率が得られた点について述べる。な
お実施例としては、共振器構造として誘電体多層膜ミラ
ーを含む共振器構造を形成した場合について説明する。
(Embodiment 1) Here, a point that high near-field light generation efficiency is obtained by forming a part of a probe in a near-field light source into a resonator structure will be described. As an example, a case where a resonator structure including a dielectric multilayer mirror is formed as the resonator structure will be described.

【0015】従来、プローブに近接場光励起のためのポ
ンプ光を入射してプローブ先端に近接場光を発生させる
場合、その入射光に対する近接場光の発生効率が非常に
低いという問題があった。この場合には、プローブ内部
に存在する光強度に比例した近接場光強度を得ることが
できるため、プローブ内の光強度を増大させることによ
り近接場光出力を増大させることができる。従来は、プ
ローブへの入射光強度を大きくすることによりこれを達
成していたが、プローブの近接場光発生効率は変わらな
いため高出力の入射光源が必要となり、装置が大掛かり
になり、また消費電力が大きくなるという問題があっ
た。そこで本発明において、近接場光を発生させるプロ
ーブに特別な構造を付加することにより近接場光発生効
率を大幅に向上させることを実現した。本発明において
は、プローブの一部を共振機構造にすることで低パワー
の入射光をプローブ内で増幅し、プローブ内部の光強度
を増加することが可能になり、入射光に対する近接場光
の発生効率を向上することができた。図1に本発明の第
1の実施の形態の近接場光源の構成図を示す。
Conventionally, when pump light for exciting near-field light is incident on a probe to generate near-field light at the tip of the probe, there has been a problem that the efficiency of generating near-field light with respect to the incident light is extremely low. In this case, since the near-field light intensity proportional to the light intensity existing inside the probe can be obtained, the near-field light output can be increased by increasing the light intensity inside the probe. Conventionally, this was achieved by increasing the intensity of light incident on the probe.However, since the near-field light generation efficiency of the probe does not change, a high-output incident light source is required, which requires a large-scale device and consumes less power. There was a problem that electric power became large. Therefore, in the present invention, it has been realized that by adding a special structure to a probe that generates near-field light, the near-field light generation efficiency can be greatly improved. In the present invention, by making a part of the probe a resonator structure, low-power incident light can be amplified in the probe, and the light intensity inside the probe can be increased. The generation efficiency could be improved. FIG. 1 shows a configuration diagram of a near-field light source according to the first embodiment of the present invention.

【0016】図1において1は片方の端面を先鋭化した
ガラスファイバー、2は第1の誘電体層、3は第2の誘
電体層、4は近接場光を励起するための励起光源であ
り、誘電体層2および誘電体層3を交互に複数層重ねる
ことにより誘電体多層膜ミラー50を形成している。こ
の誘電体多層膜ミラー50と、ガラスファイバー1の誘
電体多層膜ミラー50に接していない端面51とにより
共振器構造が形成されている。励起光源4を除く上記の
構成を本発明の近接場光源におけるプローブと呼び、本
実施例においては特に共振機構造を有しているプローブ
であるため、以下では共振器構造プローブと呼ぶ。ま
た、5は励起光源4からの入射光であり、6はガラスフ
ァイバー1の先鋭化された先端部近傍に発生する近接場
光である。上記の構成において、励起光源4から誘電体
多層膜ミラー50を通過してガラスファイバー1へ入射
する入射光5が上記の共振機構造によりガラスファイバ
ー1内で増幅される。この増幅された光の光強度に比例
して近接場光6が発生する。従って、共振機構造の光増
幅率を向上することにより、入射光5に対する近接場光
6の発生効率を向上することができる。本実施例におい
ては第1の誘電体層2としてSiO2層、第2の誘電体
層3としてTiO2層、励起光源4として半導体レーザ
ーを用いた例についてさらに詳しく述べる。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a glass fiber having one end face sharpened, 2 denotes a first dielectric layer, 3 denotes a second dielectric layer, and 4 denotes an excitation light source for exciting near-field light. The dielectric multilayer mirror 50 is formed by alternately stacking a plurality of dielectric layers 2 and dielectric layers 3. A resonator structure is formed by the dielectric multilayer mirror 50 and the end face 51 of the glass fiber 1 not in contact with the dielectric multilayer mirror 50. The above configuration excluding the excitation light source 4 is referred to as a probe in the near-field light source of the present invention. In the present embodiment, since the probe has a resonator structure in particular, it is hereinafter referred to as a resonator structure probe. Reference numeral 5 denotes incident light from the excitation light source 4, and reference numeral 6 denotes near-field light generated near the sharpened tip of the glass fiber 1. In the above configuration, the incident light 5 entering the glass fiber 1 from the excitation light source 4 through the dielectric multilayer mirror 50 is amplified in the glass fiber 1 by the above-described resonator structure. Near-field light 6 is generated in proportion to the light intensity of the amplified light. Therefore, the generation efficiency of the near-field light 6 with respect to the incident light 5 can be improved by improving the optical amplification factor of the resonator structure. In this embodiment, an example in which an SiO 2 layer is used as the first dielectric layer 2, a TiO 2 layer is used as the second dielectric layer 3, and a semiconductor laser is used as the excitation light source 4 will be described in further detail.

【0017】まず最初に、研磨したガラスファイバー1
の片方の端面に低屈折率材料のSiO2と高屈折率材料
のTiO2とを交互に被着形成し、誘電体多層膜ミラー
50を形成した。これらの誘電体材料による誘電体多層
膜ミラー50は、高いレーザー損傷しきい値を持ってい
るという利点があり、また成膜はスパッタリングにより
容易に行うことができるものであった。このとき各層の
膜厚が入射光波長をλとしてそれぞれλ/4となるよう
にすると、高反射率の誘電体多層膜ミラーとなり、高効
率の共振器構造が形成可能であった。本実施例において
は、入射光5として波長λ=850nmの赤外レーザー
光を用いたので、SiO2層(A層)、TiO2層(B
層)の膜厚をそれぞれ約2100Åとした。また、誘電
体多層膜ミラー50として、A層B層が各10層、20
層、50層となるものを作製した。その後、成膜側と反
対側のガラスファイバー1の端面に化学エッチングを施
し、先鋭化を行い、誘電体多層膜ミラー50とガラスフ
ァイバー端面51による共振器構造を形成した。このと
きの先鋭化したガラスファイバー1の先端部の口径は約
80nmであった。さらに先鋭化を行ったガラスファイ
バー1先端の、近接場光出射用開口を除く部分に対して
アルミニウムを蒸着により被着した。これにより先鋭化
部分での光の漏洩を軽減させることができるとともに、
反射ミラーとして作用するガラスファイバー端面51の
反射率を増加させることができた。また、本実施例では
ガラスファイバー1の端面51と誘電体多層膜ミラー5
0との距離は約200μmとした。
First, polished glass fiber 1
A dielectric multilayer mirror 50 was formed by alternately depositing SiO 2 as a low-refractive-index material and TiO 2 as a high-refractive-index material on one of the end faces. The dielectric multilayer mirror 50 made of these dielectric materials has the advantage of having a high laser damage threshold, and the film can be easily formed by sputtering. At this time, when the thickness of each layer was set to λ / 4, where λ is the wavelength of the incident light, a dielectric multilayer mirror having high reflectance was obtained, and a highly efficient resonator structure could be formed. In the present embodiment, an infrared laser beam having a wavelength λ = 850 nm was used as the incident light 5, so that the SiO 2 layer (A layer) and the TiO 2 layer (B
The thickness of each layer was about 2100 °. Further, as the dielectric multilayer mirror 50, each of the A layer and the B layer has 10 layers, and 20 layers.
Layers and 50 layers were prepared. Thereafter, the end face of the glass fiber 1 on the side opposite to the film formation side was subjected to chemical etching and sharpened to form a resonator structure including the dielectric multilayer mirror 50 and the end face 51 of the glass fiber. At this time, the diameter of the tip of the sharpened glass fiber 1 was about 80 nm. Further, aluminum was deposited by vapor deposition on a portion of the tip of the sharpened glass fiber 1 excluding the near-field light emission opening. This can reduce light leakage at the sharpened portion,
The reflectivity of the glass fiber end face 51 acting as a reflection mirror could be increased. In this embodiment, the end face 51 of the glass fiber 1 and the dielectric multilayer mirror 5
The distance to 0 was about 200 μm.

【0018】以上のように構成された誘電体多層膜ミラ
ー50を含む共振器構造プローブを有する近接場光源に
ついてその特性を述べる。まず、共振器構造を有してお
らず、ガラスファイバーを化学エッチングにより先鋭化
し、アルミニウムを蒸着しただけのプローブを用いて近
接場光発生効率を測定したところ、約1×10-6の値が
得られた。一方、誘電体多層膜ミラー50を含む共振器
構造プローブにおいては、誘電体多層膜ミラー50を構
成する誘電体膜の層数を増加するのに伴い、誘電体多層
膜ミラー50の反射率が増加するため共振器内のパワー
密度が増大し、その結果として共振器構造プローブ先端
から発生する近接場光6の強度も増大した。すなわち、
入射光5の強度に対する近接場光6の発生効率が向上
し、上記のA層B層各50層ずつとした場合において約
1×10-4の発生効率が実現できた。これにより作用長
200μmの誘電体多層膜ミラー50を含む共振器構造
プローブにおいて、共振器構造を有していないプローブ
と比較して約100倍の近接場光発生効率が得られた。
これは近接場光を用いて記録媒体上のデータ再生を行っ
た際のデータ伝送速度にして従来の約100倍の向上が
見込まれる値であった。また、誘電体多層膜ミラー50
を構成する材料として、高屈折率材料にZrO 2、Ta2
5、Al23のいずれかを用い、低屈折率材料にMg
2を用いた場合においても同様の誘電体多層膜ミラー
50が形成可能であり、この誘電体多層膜ミラー50と
ガラスファイバー端面51による共振器構造プローブを
作製することにより近接場光発生効率を向上する効果が
得られた。
The dielectric multilayer mirror having the above structure
Near-field light source having a cavity structure probe including
Next, its characteristics will be described. First, having a resonator structure
Glass fiber sharpened by chemical etching
And use a probe with just deposited aluminum
When the in-field light generation efficiency was measured, it was about 1 × 10-6Is the value of
Obtained. On the other hand, a resonator including the dielectric multilayer mirror 50
In the structure probe, the dielectric multilayer mirror 50 is configured.
As the number of dielectric films to be formed increases,
Since the reflectivity of the film mirror 50 increases, the power in the resonator
Density increases, resulting in cavity structure probe tips
The intensity of the near-field light 6 generated from the laser beam also increased. That is,
The generation efficiency of the near-field light 6 with respect to the intensity of the incident light 5 is improved.
In the case where each of the above-mentioned A layer and B layer is 50 layers,
1 × 10-FourGeneration efficiency was realized. This makes the working length
Resonator structure including 200 μm dielectric multilayer mirror 50
Probe having no resonator structure
Approximately 100 times the near-field light generation efficiency was obtained.
It reproduces data on a recording medium using near-field light.
About 100 times improvement in data transmission speed when compared
It was an expected value. Also, the dielectric multilayer mirror 50
Is made of ZrO as a material having a high refractive index. Two, TaTwo
OFive, AlTwoOThreeAnd use Mg as the low refractive index material
FTwoThe same dielectric multilayer mirror can be used when using
50 can be formed, and this dielectric multilayer mirror 50 and
Resonator structure probe with glass fiber end face 51
Fabrication has the effect of improving near-field light generation efficiency.
Obtained.

【0019】なお、本実施例においては2種類の誘電体
材料により誘電体多層膜ミラー50を形成したが、2種
類以上の誘電体材料を用いた場合においても誘電体多層
膜ミラー50は作製可能であり、同様の共振器構造を形
成することにより近接場発生効率を向上させることがで
きた。
In this embodiment, the dielectric multilayer mirror 50 is formed of two kinds of dielectric materials. However, the dielectric multilayer mirror 50 can be manufactured even when two or more kinds of dielectric materials are used. By forming a similar resonator structure, the near-field generation efficiency could be improved.

【0020】また、プローブへの入射光5の伝搬定数を
βとして、周期ΛがΛ=2π/βとなる周期状屈折率分
布構造を形成することにより、共振器構造を形成したプ
ローブを作製した場合においても、近接場光発生効率を
向上することが可能であった。このような周期構造は、
分布ブラッグ反射型(distributed Bra
gg reflector:DBR)ミラー構造(以下
DBRミラー構造と略す)と呼ばれ、光の伝搬方向に対
してブラッグ反射条件を満たす周期状屈折率分布を持
ち、伝搬光は入射方向と逆方向に反射される。このとき
の反射率は、DBRミラー構造の長さ(作用長)と、導
波路断面積に対する周期構造断面積に依存する。このよ
うな周期状屈折率分布はファイバーグレーティング作製
技術を用いて容易に作製することができるため、共振器
構造プローブを簡単に作製できるという利点を有してい
た。ファイバーグレーティング技術とは、光ファイバー
に紫外光の干渉縞パターンを露光することにより、露光
部分の屈折率を変化させるという技術である。従って、
任意のマスクを用いることによりプローブとして用いる
光ファイバーの一部に上記のDBRミラー構造を形成す
ることが可能であった。また、マスキングによりDBR
ミラー構造の長さを任意に形成することが可能であり、
DBRミラー構造における反射率を容易に選択できると
いう利点もあった。
Further, a probe having a resonator structure was manufactured by forming a periodic refractive index distribution structure having a period Λ = 2π / β, where β is a propagation constant of the light 5 incident on the probe. Also in this case, it was possible to improve the near-field light generation efficiency. Such a periodic structure is
Distributed Bragg reflection type (Distributed Bra)
gg reflector (DBR) mirror structure (hereinafter abbreviated as DBR mirror structure), which has a periodic refractive index distribution that satisfies the Bragg reflection condition in the light propagation direction, and the propagating light is reflected in the direction opposite to the incident direction. You. The reflectivity at this time depends on the length (action length) of the DBR mirror structure and the cross-sectional area of the periodic structure with respect to the cross-sectional area of the waveguide. Since such a periodic refractive index distribution can be easily manufactured by using a fiber grating manufacturing technique, there is an advantage that a resonator structure probe can be easily manufactured. The fiber grating technology is a technology that changes the refractive index of an exposed portion by exposing an optical fiber to an interference fringe pattern of ultraviolet light. Therefore,
By using an arbitrary mask, it was possible to form the above DBR mirror structure on a part of an optical fiber used as a probe. In addition, DBR
It is possible to arbitrarily form the length of the mirror structure,
There is also an advantage that the reflectance in the DBR mirror structure can be easily selected.

【0021】また、このようにして得られた共振器構造
を含む近接場光源を用いた近接場光記録再生装置を作製
し、光磁気記録媒体の1つであるPt/Co多層膜に対
して記録再生実験を行った。このとき入射光パワーとし
ては1mWで記録可能であった。また、記録スポットサ
イズは約80nmと非常に微小な領域であった。これば
100Gbit/inch2の記録密度に対応する。ま
た、この装置において再生実験を行い伝送速度として従
来の約100倍の値が得られた。
Further, a near-field optical recording / reproducing apparatus using a near-field light source including a resonator structure obtained as described above is manufactured, and a Pt / Co multilayer film as one of magneto-optical recording media is manufactured. A recording and reproduction experiment was performed. At this time, recording was possible at an incident light power of 1 mW. The recording spot size was a very small area of about 80 nm. This corresponds to a recording density of 100 Gbit / inch 2 . In addition, a reproduction experiment was performed with this device, and a value about 100 times higher than that of the conventional device was obtained as the transmission speed.

【0022】なお、ガラスファイバー1の代わりにフォ
トニック結晶を用い、上記誘電体多層膜ミラー50と直
交する方向に対してフォトニック結晶内に光閉じ込めが
できるようにフォトニック結晶構造を作製し、誘電体多
層膜ミラー50を含む共振器構造プローブを形成した場
合においてもガラスファイバー1と同様の光閉じ込めが
可能であり、近接場光源に用いることができた。フォト
ニック結晶は化学エッチングにより端面を先鋭化するこ
とも容易にでき、上記のガラスファイバー1を用いた場
合とほぼ同様の先鋭化されたプローブ先端を形成するこ
とができた。このフォトニック結晶を用いた近接場光源
においても約1×10-4の近接場光発生効率を得ること
ができた。
A photonic crystal is used in place of the glass fiber 1, and a photonic crystal structure is manufactured so that light can be confined in the photonic crystal in a direction orthogonal to the dielectric multilayer mirror 50. Even when a resonator structure probe including the dielectric multilayer mirror 50 was formed, light confinement similar to that of the glass fiber 1 was possible, and it could be used as a near-field light source. The end face of the photonic crystal could be easily sharpened by chemical etching, and a sharpened probe tip almost similar to the case where the glass fiber 1 was used could be formed. Even with the near-field light source using this photonic crystal, a near-field light generation efficiency of about 1 × 10 −4 was obtained.

【0023】(実施の形態2)本実施の形態において
は、プローブ先端に固体レーザーを用いることによって
高出力近接場光の発生が可能になった点について述べ
る。なお実施例としては、固体レーザーとしてEr:フ
ァイバーレーザーおよびNd:ガラスレーザーを用いた
場合について説明する。
(Embodiment 2) In this embodiment, the point that high-power near-field light can be generated by using a solid-state laser at the tip of a probe will be described. As an example, a case where Er: fiber laser and Nd: glass laser are used as the solid state laser will be described.

【0024】前述したように、図5(b)に示すように
プローブ39に近接場光励起用のレーザー光42を入射
させる場合においては、従来のプローブ39による近接
場光43の発生効率は非常に低く、その大きさは入射す
るレーザー光42の強度に対して約1×10-5〜10-3
程度であった。これはプローブ39の形状に起因すると
ころが大きく、プローブ形状を改良することにより近接
場光発生領域の面積を維持したままで近接場光発生効率
の向上を行うことは困難であった。また、プローブ39
を構成する材料によってはプローブ39内でレーザー光
42の導波ロスが生じるということも近接場光発生効率
低下の原因となっていた。我々は、近接場光が固体レー
ザー表面にも発生していることに着目し、この場合には
固体レーザーへの入射ポンプ光強度に対する近接場光発
生効率を大きくすることが可能であると考え、本発明に
おいて、固体レーザー表面に発生する近接場光を利用す
る近接場光源の作製を試みた。まず、ファイバーレーザ
ーを用いて近接場光発生効率を向上することを試みた。
図2は本発明第2の実施の形態であるErドープガラス
ファイバー端面を加工してプローブを作製した例を示
す。7は片方の端面を先鋭化したErドープガラスファ
イバー、8はポンプ光を発生する固体レーザー励起用光
源、9は信号用光源、10はカップリングミラー、11
は固体レーザー励起用光源光源8からのポンプ光、12
は信号用光源9からの信号光、13は発生する近接場光
である。固体レーザー励起用光源8からのポンプ光9が
カップリングミラー10を通して常にErドープガラス
ファイバー7に入射されている状態で、信号用光源9か
らの信号光12をカップリングミラー10を通してEr
ドープガラスファイバー7に入射すると、Erドープガ
ラスファイバー7中で信号光12の光強度が増幅され、
この増幅された光により励起される近接場光13がEr
ドープガラスファイバー7の先鋭化された先端部分から
発生する。本実施例においては、Erドープガラスファ
イバー7を化学エッチングにより先鋭化した。このとき
先鋭化されたErドープガラスファイバー7先端の口径
は約80nmであった。その後、反対側のErドープガ
ラスファイバー7端面を研磨し、カップリングミラー1
0を配置接着することによりプローブを構成した。
As described above, when the laser light 42 for exciting near-field light is incident on the probe 39 as shown in FIG. 5B, the efficiency of generating the near-field light 43 by the conventional probe 39 is very high. It is low, and its size is about 1 × 10 −5 to 10 −3 with respect to the intensity of the incident laser beam 42.
It was about. This is largely due to the shape of the probe 39, and it has been difficult to improve the near-field light generation efficiency while maintaining the area of the near-field light generation region by improving the probe shape. In addition, the probe 39
Also, depending on the material constituting the above, the loss of waveguide of the laser light 42 in the probe 39 also causes the decrease in the near-field light generation efficiency. We note that near-field light is also generated on the surface of the solid-state laser, and in this case, consider that it is possible to increase the near-field light generation efficiency with respect to the intensity of the pump light incident on the solid-state laser. In the present invention, an attempt was made to produce a near-field light source using near-field light generated on the surface of a solid-state laser. First, we tried to improve near-field light generation efficiency using a fiber laser.
FIG. 2 shows an example in which an end face of an Er-doped glass fiber according to the second embodiment of the present invention is processed to produce a probe. Reference numeral 7 denotes an Er-doped glass fiber having one end face sharpened, 8 denotes a light source for exciting a solid laser for generating pump light, 9 denotes a light source for signal, 10 denotes a coupling mirror, and 11 denotes a coupling mirror.
Pump light from the solid-state laser excitation light source 8;
Is a signal light from the signal light source 9, and 13 is a generated near-field light. With the pump light 9 from the solid-state laser excitation light source 8 always entering the Er-doped glass fiber 7 through the coupling mirror 10, the signal light 12 from the signal light source 9 is passed through the coupling mirror 10 to Er.
When the light enters the doped glass fiber 7, the light intensity of the signal light 12 is amplified in the Er-doped glass fiber 7,
The near-field light 13 excited by the amplified light is Er
It is generated from the sharpened tip portion of the doped glass fiber 7. In this example, the Er-doped glass fiber 7 was sharpened by chemical etching. At this time, the tip diameter of the sharpened Er-doped glass fiber 7 was about 80 nm. Thereafter, the end face of the Er-doped glass fiber 7 on the opposite side is polished, and the coupling mirror 1 is polished.
A probe was constructed by arranging and adhering 0s.

【0025】以上のような構成についてその特性を説明
する。Erドープガラスファイバー7はファイバーレー
ザーとして知られており、例えば、ポンプ光11として
波長950nmのレーザーを用い、信号光12として波
長1550nmのレーザー光を入射すると、信号光12
の増幅が行えるというものであった。本実施例において
もこれらの波長のレーザー光を用い、増幅された信号光
12を近接場光13の光源として用いることにより入射
する信号光12の強度に対する近接場光13の発生効率
が向上した。近接場発生効率は従来のガラスファイバー
プローブに比べて数〜数10倍に向上した。しかしなが
ら信号光12の増幅はポンプ光11の強度に依存するた
め、高い近接場発生効率を得るためにはポンプ光11の
強度を上げる必要があるという課題があった。そこで、
近接場発生効率の向上の別の方法として、図3に示すよ
うな近接場光発生光源の作製を試みた。
The characteristics of the above configuration will be described. The Er-doped glass fiber 7 is known as a fiber laser. For example, when a laser having a wavelength of 950 nm is used as the pump light 11 and a laser light having a wavelength of 1550 nm is incident as the signal light 12, the signal light 12 is emitted.
Can be amplified. Also in this embodiment, the generation efficiency of the near-field light 13 with respect to the intensity of the incident signal light 12 is improved by using the laser light of these wavelengths and using the amplified signal light 12 as a light source of the near-field light 13. The near-field generation efficiency has improved several to several tens of times compared to the conventional glass fiber probe. However, since the amplification of the signal light 12 depends on the intensity of the pump light 11, there is a problem that it is necessary to increase the intensity of the pump light 11 in order to obtain high near-field generation efficiency. Therefore,
As another method for improving the near-field generation efficiency, an attempt was made to fabricate a near-field light generation light source as shown in FIG.

【0026】図3は近接場光発生光源としてプローブ先
端位置に球状に加工した固体レーザーを配置した例を示
す。14は球状に加工した固体レーザー、15は固体レ
ーザー励起用光源、16はレンズ、17は固体レーザー
14とレンズ16とを固定するために用いる光学材料で
ある。また、18は固体レーザー励起用光源15からの
ポンプ光であり、19は固体レーザー14内で多重反射
をしているレーザー光である。また、20は固体レーザ
ー14の表面に発生する近接場光である。レンズ16に
より固体レーザー励起用光源15からのポンプ光18を
集光して固体レーザー14に照射し、レーザー光19を
励起する。このとき固体レーザー14を球状に加工する
ことにより固体レーザー14内に励起されたレーザー光
19は固体レーザー14内部で多重反射され、固体レー
ザー14内のレーザー光強度は増加する。この増加され
たレーザー光19により固体レーザー14の表面に近接
場光20が発生する。このとき、図3に示すように光学
材料17の一部を開口として設けることにより近接場光
出射部とすることができる。また、光学材料17は屈折
率が1に近く、かつ入射するポンプ光18に対して透明
な材料であることが望ましい。本実施例は固体レーザー
14としてケイ酸ガラス(SiO2:屈折率1.55)
を母材とするNd:ガラスレーザーを用い、光学材料1
7としてMgF2(屈折率1.2)を用いた例である。
FIG. 3 shows an example in which a solid-state laser processed into a sphere is disposed at the tip of the probe as a near-field light generating light source. Reference numeral 14 denotes a solid-state laser processed into a sphere, 15 denotes a light source for exciting the solid-state laser, 16 denotes a lens, and 17 denotes an optical material used for fixing the solid-state laser 14 and the lens 16. Reference numeral 18 denotes pump light from the solid-state laser excitation light source 15, and reference numeral 19 denotes laser light that has multiple reflections in the solid-state laser 14. Reference numeral 20 denotes near-field light generated on the surface of the solid-state laser 14. The pump light 18 from the solid-state laser excitation light source 15 is condensed by the lens 16 and irradiated on the solid-state laser 14 to excite the laser light 19. At this time, by processing the solid-state laser 14 into a spherical shape, the laser light 19 excited in the solid-state laser 14 is multiple-reflected inside the solid-state laser 14, and the laser light intensity in the solid-state laser 14 increases. The near-field light 20 is generated on the surface of the solid-state laser 14 by the increased laser light 19. At this time, by providing a part of the optical material 17 as an opening as shown in FIG. 3, a near-field light emitting portion can be obtained. Further, it is desirable that the optical material 17 is a material having a refractive index close to 1 and transparent to the incident pump light 18. In this embodiment, silicate glass (SiO 2: refractive index 1.55) is used as the solid-state laser 14.
Optical material 1 using Nd: glass laser whose base material is
7 is an example using MgF 2 (refractive index 1.2).

【0027】まず、直径約2μmの球状に加工したN
d:ガラスレーザー14を、MgF217で覆った。こ
のときNd:ガラスレーザー14の一部をマスキングす
ることにより、近接場光20の出射開口を形成した。こ
の開口の口径は約80nmであった。さらにレンズ16
を端面研磨したMgF217の上部に配置することによ
り近接場光発生プローブを構成した。レンズ16はフォ
トリソグラフィープロセスによって作製されたマイクロ
レンズを用いた。また、固体レーザー励起用光源15と
して波長808nmの高出力半導体レーザーを用いた。
First, N processed into a spherical shape having a diameter of about 2 μm
d: The glass laser 14 was covered with MgF 2 17. At this time, an emission aperture of the near-field light 20 was formed by masking a part of the Nd: glass laser 14. The diameter of this opening was about 80 nm. Further lens 16
Was placed on the upper side of MgF 2 17 whose end face was polished to form a near-field light generating probe. As the lens 16, a microlens manufactured by a photolithography process was used. In addition, a high-output semiconductor laser having a wavelength of 808 nm was used as the solid-state laser excitation light source 15.

【0028】以上のように構成された球状固体レーザー
を有するプローブを含む近接場光源についてその特性を
説明する。まず、本発明においてはNd:ガラスレーザ
ー14を球状に加工した。これにより、入射ポンプ光1
8がNd:ガラスレーザー14内にレーザー光19が励
起される。このレーザー光19はNd:ガラスレーザー
14内部で多重反射するので、近接場光20の発生に寄
与するレーザー光を高効率で増幅することが可能になっ
た。また、励起・増幅されたレーザー光がNd:ガラス
レーザー14の表面近傍に近接場光20を発生させるの
で、近接場光発生効率を大幅に増加させることができる
という効果が得られた。Nd:ガラスは、スペクトル幅
が広いので、寄生発振を生ずることなく大きなエネルギ
ーを反転分布としてレーザー媒質中に蓄えることができ
る。従って、Nd:ガラスレーザー14は高出力・高エ
ネルギーレーザーシステムに適しているという利点があ
った。また、Nd:ガラスは加工性が高く、球状にしや
すいという長所を持ち、さらにレーザー媒質を高い光学
的均質性で比較的安価に作ることができるという利点が
あった。また、固体レーザーをプローブ先端に配置する
ことにより、従来問題となっていたプローブによるレー
ザー光の導波ロスが除去できるという効果も得られた。
The characteristics of a near-field light source including a probe having a spherical solid-state laser configured as described above will be described. First, in the present invention, the Nd: glass laser 14 was processed into a spherical shape. Thereby, the incident pump light 1
8 is Nd: a laser beam 19 is excited in the glass laser 14. Since the laser light 19 is multiple-reflected inside the Nd: glass laser 14, it is possible to amplify the laser light contributing to the generation of the near-field light 20 with high efficiency. Further, since the excited / amplified laser light generates the near-field light 20 near the surface of the Nd: glass laser 14, the effect that the near-field light generation efficiency can be greatly increased is obtained. Since Nd: glass has a wide spectrum width, large energy can be stored in the laser medium as population inversion without causing parasitic oscillation. Therefore, the Nd: glass laser 14 has an advantage that it is suitable for a high-power and high-energy laser system. Nd: glass has the advantages of high workability and easy spherical shape, and has the advantage that the laser medium can be made with high optical homogeneity and relatively inexpensively. Further, by arranging the solid-state laser at the tip of the probe, the effect that the waveguide loss of the laser light by the probe, which has conventionally been a problem, can be removed.

【0029】このようにして作製した固体レーザー有す
るプローブにおいて約1×10-3の近接場発生効率が実
現できた。これは従来の先鋭化したファイバープローブ
(実施例1に記載)の近接場光発生効率(約1×1
-6)に対して約1000倍の値であった。これはデー
タ伝送速度にして約1000倍の向上が見込まれる値で
あった。
The near-field generation efficiency of about 1 × 10 −3 was realized in the probe having the solid-state laser manufactured as described above. This is the near-field light generation efficiency (about 1 × 1) of the conventional sharpened fiber probe (described in Example 1).
It was about 1000 times the values for 0 -6). This was a value expected to improve the data transmission speed by about 1000 times.

【0030】また、本実施例のような固体レーザーを有
するプローブを含む近接場光源の構成を取ることによ
り、プローブを小型化できるという別の効果も得られ
た。
Further, by adopting the configuration of the near-field light source including the probe having the solid-state laser as in the present embodiment, another effect that the probe can be downsized was obtained.

【0031】また、このようにして得られた近接場光源
を用いた近接場光記録再生装置を作製し、光磁気記録媒
体の1つであるPt/Co多層膜に対して記録再生実験
を行った。このとき入射光パワーとしては1mWで記録
可能であった。また、記録スポットサイズは約80nm
と非常に微小な領域であった。これば100Gbit/
inch2の記録密度に対応する。また、この装置にお
いて再生実験を行い伝送速度として従来の約100倍の
値が得られた。
Further, a near-field optical recording / reproducing apparatus using the near-field light source obtained as described above is manufactured, and a recording / reproducing experiment is performed on a Pt / Co multilayer film as one of the magneto-optical recording media. Was. At this time, recording was possible at an incident light power of 1 mW. The recording spot size is about 80 nm
And a very small area. This is 100Gbit /
Inch 2 corresponds to the recording density. In addition, a reproduction experiment was performed with this device, and a value about 100 times higher than that of the conventional device was obtained as the transmission speed.

【0032】なお、固体レーザー14として、Nd:Y
AGレーザー、ルビーレーザーを用いた場合においても
同様の近接場光発生光源が得られた。Nd:YAGレー
ザーはNd:ガラスレーザーに比べ励起エネルギーが小
さいという特徴を有しており、また繰り返し動作が容易
であるという利点を持っていた。また、ルビーレーザー
はレーザー発振しきい値が高いが、高出力のレーザー光
を得ることができるという特徴を持っていた。また、ル
ビーレーザーの発振波長は約0.69μmであり、可視
光による近接場光発生が可能であるという利点を有して
いた。
The solid-state laser 14 is Nd: Y
A similar near-field light generating light source was obtained when an AG laser or a ruby laser was used. The Nd: YAG laser has a feature that the excitation energy is smaller than that of the Nd: glass laser, and has an advantage that the repetition operation is easy. Also, the ruby laser has a high laser oscillation threshold, but has a characteristic that a high output laser beam can be obtained. Further, the oscillation wavelength of the ruby laser is about 0.69 μm, which has an advantage that near-field light can be generated by visible light.

【0033】(実施の形態3)本実施の形態では、近接
場光源においてプローブの一部にセルフダブリング結晶
を用いることにより、入射光に対する高調波を励起する
と同時に、高調波に対応した近接場光を発生することが
可能になった点について説明する。なお実施例として
は、セルフダブリング結晶としてNd:LiNbO3
晶を用いた場合について説明する。
(Embodiment 3) In this embodiment, a self-doubling crystal is used as a part of a probe in a near-field light source to excite a harmonic with respect to incident light, and at the same time, a near-field light corresponding to the harmonic. A description will now be given of the point at which it is possible to generate the error. As an example, a case where an Nd: LiNbO 3 crystal is used as a self-doubling crystal will be described.

【0034】近接場光による記録を行う場合には、近接
場光のエネルギーを熱として利用する熱モード記録と、
フォトクロミック材料等を用いるフォトンモード記録と
が考えられるが、フォトンモード記録の場合には記録媒
体の波長感度特性の問題が生じる。近接場光は、物質に
レーザー光を照射したときに物質表面に発生する局在非
伝搬光である。従って入射光の波長に依存した成分を含
んでおり、物質とプローブの相互作用によって散乱され
検出される散乱光の波長も入射光の波長に依存する。従
って、フォトンモード記録には、近接場光を励起するた
めの入射光の波長が重要であった。現在用いられている
フォトクロミックの吸収波長は紫外〜青色の波長帯が多
いが、従来用いられている近接場光ポンプ光源の波長は
赤〜赤外の波長帯であるため、対応できないという課題
があった。これはプローブとして用いる光ファイバーが
短波長域で吸収を持つため高効率の近接場光発生が困難
であることが原因であった。そこで、本発明において短
波長域の近接場光を発生させることを試みた。
When performing recording using near-field light, thermal mode recording using energy of the near-field light as heat,
Photon mode recording using a photochromic material or the like can be considered, but in the case of photon mode recording, there arises a problem of the wavelength sensitivity characteristics of the recording medium. Near-field light is localized non-propagating light generated on the surface of a substance when the substance is irradiated with laser light. Therefore, it contains a component that depends on the wavelength of the incident light, and the wavelength of the scattered light that is scattered and detected by the interaction between the substance and the probe also depends on the wavelength of the incident light. Therefore, in photon mode recording, the wavelength of incident light for exciting near-field light is important. The absorption wavelength of currently used photochromics has many wavelength bands from ultraviolet to blue, but the wavelength of the near-field light pump light source conventionally used is in the red to infrared wavelength band, so there is a problem that it cannot cope. Was. This is because it is difficult to generate near-field light with high efficiency because the optical fiber used as a probe has absorption in a short wavelength region. Therefore, in the present invention, an attempt was made to generate near-field light in a short wavelength range.

【0035】図4は本発明第3の実施例を示す図であ
り、近接場光発生用プローブ内のプローブ先端に近い部
分にセルフダブリング結晶を配置し、短波長の近接場光
を発生する近接場光源の例である。21はセルフダブリ
ング結晶、22は固体レーザー励起用光源、23は先鋭
化されたガラスファイバーを先鋭化して作製したプロー
ブである。また、24は固体レーザー励起用光源22か
らのポンプ光、25はセルフダブリング結晶21により
波長変換された高調波、26はプローブ23の先鋭化さ
れた先端に発生する近接場光である。固体レーザー励起
用光源22からプローブ23内に入射したポンプ光24
によりプローブ23内に配置されたセルフダブリング結
晶21においてレーザー光が励起されるとともに、波長
変換作用によりこの励起されたレーザー光の高調波25
が発生する。この高調波25により、先鋭化されたプロ
ーブ23の先端に近接場光26が発生する。本実施例で
は、固体レーザー励起用光源22として波長805nm
の半導体レーザーを用い、セルフダブリング結晶21と
してNd:LiNbO3結晶を用いた。なお、本実施例
においてはプローブ23の一部にセルフダブリング結晶
21を配置しているが、Nd:LiNbO3結晶を加工
し、先鋭化した場合においても同様の高調波による近接
場光発生が可能であり、高効率で発生した近接場光を得
ることができた。
FIG. 4 is a view showing a third embodiment of the present invention. In the near-field light generating probe, a self-doubling crystal is arranged at a portion near the tip of the probe to generate a near-field light having a short wavelength. It is an example of a field light source. 21 is a self-doubling crystal, 22 is a light source for exciting a solid laser, and 23 is a probe made by sharpening a sharpened glass fiber. Reference numeral 24 denotes pump light from the solid-state laser excitation light source 22, reference numeral 25 denotes a harmonic converted by the self-doubling crystal 21, and reference numeral 26 denotes near-field light generated at the sharpened tip of the probe 23. Pump light 24 incident on the probe 23 from the solid-state laser excitation light source 22
The laser light is excited in the self-doubling crystal 21 arranged in the probe 23 by the light, and the harmonics 25 of the excited laser light 25
Occurs. Due to this harmonic 25, near-field light 26 is generated at the tip of the sharpened probe 23. In this embodiment, the solid-state laser excitation light source 22 has a wavelength of 805 nm.
And a Nd: LiNbO 3 crystal was used as the self-doubling crystal 21. In this embodiment, the self-doubling crystal 21 is arranged in a part of the probe 23. However, even when the Nd: LiNbO 3 crystal is processed and sharpened, similar near-field light can be generated by the same harmonic. Thus, near-field light generated with high efficiency could be obtained.

【0036】以上のように構成された近接場光源につい
てその特性を説明する。まず、セルフダブリング結晶2
1について説明する。セルフダブリング結晶21は、レ
ーザー発振機能と波長変換機能とを有する結晶であり、
ポンプ光24をセルフダブリング結晶21に照射するこ
とによりレーザー光(基本波)が励起され、さらに非線
形光学効果によって上記基本波に対応する高調波25が
発振されるというものである。本実施例で用いたセルフ
ダブリング結晶21はNd:LiNbO3結晶であり、
ポンプ光24の照射により励起される基本波(波長94
6nm)と、2次の非線形光学効果により波長変換され
た第2高調波(波長473nm)が生じた。この第2高
調波を近接場光発生の励起光とすることにより、対応す
る波長を有する近接場光を得ることが可能になった。本
実施例においては、ポンプ光24を入射することにより
波長946nmの基本波を励起発振し、さらにセルフダ
ブリング効果により波長473nmの高調波25と、高
調波25により発生する近接場光26を得ることができ
た。また、Nd:LiNbO3結晶に、あらかじめ化学
エッチングされ先鋭化された光ファイバーを接着した。
このとき、光ファイバーの長さを約100μmとしたこ
とにより、光ファイバーによる導波ロスを低減すること
ができた。
The characteristics of the near-field light source configured as described above will be described. First, self-doubling crystal 2
1 will be described. The self-doubling crystal 21 is a crystal having a laser oscillation function and a wavelength conversion function,
By irradiating the self-doubling crystal 21 with the pump light 24, a laser beam (fundamental wave) is excited, and a harmonic 25 corresponding to the fundamental wave is oscillated by a nonlinear optical effect. The self-doubling crystal 21 used in this embodiment is an Nd: LiNbO 3 crystal,
A fundamental wave (wavelength 94) excited by irradiation with the pump light 24
6 nm) and a second harmonic (wavelength 473 nm) whose wavelength has been converted by the second-order nonlinear optical effect. By using the second harmonic as excitation light for generating near-field light, it has become possible to obtain near-field light having a corresponding wavelength. In the present embodiment, the fundamental wave having a wavelength of 946 nm is excited and oscillated by inputting the pump light 24, and the harmonic 25 having the wavelength of 473 nm and the near-field light 26 generated by the harmonic 25 are obtained by the self-doubling effect. Was completed. In addition, a sharpened optical fiber that had been chemically etched in advance was bonded to the Nd: LiNbO 3 crystal.
At this time, by setting the length of the optical fiber to about 100 μm, the waveguide loss due to the optical fiber could be reduced.

【0037】また、本実施の形態1において説明した誘
電体多層膜ミラー50またはDBRミラー構造とガラス
ファイバープローブ1の端面51による共振器構造を形
成し、共振器内に上記のようなセルフダブリング結晶2
1を配置した場合には、共振器構造により増幅されたポ
ンプ光を用いて基本波を励起することが可能であり、高
効率で高調波25を発生することができた。これにより
得られた高調波25を用いてプローブ先端から高出力の
近接場光26を発生することができた。
Further, a resonator structure is formed by the dielectric multilayer mirror 50 or the DBR mirror structure described in the first embodiment and the end face 51 of the glass fiber probe 1, and the above-described self-doubling crystal is formed in the resonator. 2
When No. 1 was arranged, the fundamental wave could be excited using the pump light amplified by the resonator structure, and the harmonics 25 could be generated with high efficiency. High-power near-field light 26 was able to be generated from the tip of the probe using the harmonics 25 thus obtained.

【0038】なお、本実施例においてはセルフダブリン
グ結晶21としてEr:LiNbO 3結晶を用いたが、
固体レーザーと波長変換素子とを組み合わせた場合にお
いても高調波25の発生が可能であり、ポンプ光24に
より固体レーザーを励起し、レーザー光を波長変換素子
に入射することにより高調波25を発生させ、高調波2
5による近接場光26の発生が実現できた。本実施例に
おいては波長変換素子として光損傷強度の大きいMg
O:LiNbO3結晶内に周期状分極反転と光導波路を
形成した光導波路型SHG素子を用いた。光導波路型S
HG素子を用いることにより基本波から高調波への変換
効率を大きくすることが可能であった。この場合には、
基本波を発生する固体レーザーとして出力波長が106
0nmのNd:YAGレーザーを用い、上記光導波路型
SHG素子と組合わせることにより波長530nmの高
調波を得ることに成功し、この高調波を利用して近接場
光26を発生することができた。なお、SHGとは第2
高調波発生(secondharmonic gene
ration)のことであり、波長変換作用により入射
基本波に対する第2高調波を発生する素子を特にSHG
素子と呼ぶ。
In this embodiment, self-dublin
Er: LiNbO as the crystal 21 ThreeI used crystals,
When a solid-state laser and a wavelength conversion element are combined
Can generate a harmonic 25,
Excites solid-state laser and converts laser light to wavelength conversion element
To generate a harmonic 25,
5, the near-field light 26 was generated. In this embodiment
In this case, as a wavelength conversion element,
O: LiNbOThreePeriodic polarization reversal and optical waveguide in crystal
The formed optical waveguide type SHG element was used. Optical waveguide type S
Conversion from fundamental wave to harmonic by using HG element
It was possible to increase the efficiency. In this case,
The output wavelength is 106 as a solid-state laser that generates a fundamental wave.
An optical waveguide type using a Nd: YAG laser of 0 nm
By combining with SHG element, high wavelength of 530nm
Succeeded in obtaining a harmonic, and using this harmonic,
Light 26 could be generated. SHG is the second
Harmonic generation (secondharmonic gene)
which is incident by wavelength conversion
The element for generating the second harmonic with respect to the fundamental wave is particularly SHG
It is called an element.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上のように、本発明において、近接場
発生光源として、近接場光発生用プローブの一部を共振
器構造にすることにより近接場発生効率を向上し、高出
力の近接場光発生が可能になった。この近接場光源を用
いることにより近接場光記録再生時のデータ伝送速度を
向上することができた。
As described above, in the present invention, as a near-field light source, a part of the near-field light generating probe has a resonator structure to improve the near-field generation efficiency, and to provide a high-power near-field light source. Light generation is now possible. By using this near-field light source, it was possible to improve the data transmission speed during near-field optical recording and reproduction.

【0040】また、この近接場光源により、高出力の近
接場光を用いて光磁気記録材料や相変化記録材料に記録
再生を行うことができ、高密度記録再生が可能になっ
た。
Further, with this near-field light source, recording and reproduction can be performed on a magneto-optical recording material and a phase-change recording material using high-power near-field light, and high-density recording and reproduction can be performed.

【0041】また、入射光源として安価な低出力レーザ
ーを用いることが可能になり、近接場発生光源のコスト
を大幅に低減することができた。また、消費電力も低減
することができるという効果があった。
Further, an inexpensive low-power laser can be used as the incident light source, and the cost of the near-field generating light source can be greatly reduced. Further, there is an effect that power consumption can be reduced.

【0042】また、近接場光発生用プローブに固体レー
ザー媒質を用い、ポンプ光によりレーザー光を励起する
と同時に固体レーザー表面に近接場光を発生させること
が可能になり、近接場光発生効率を向上した近接場光源
を実現することができた。
Further, it is possible to use a solid-state laser medium as a near-field light generating probe and to excite the laser light with pump light and simultaneously generate near-field light on the surface of the solid-state laser, thereby improving near-field light generation efficiency. A near-field light source was realized.

【0043】また、球状に加工した固体レーザー媒質を
プローブ先端に配置し、これにポンプ光を入射すること
により、励起したレーザー光を固体レーザー媒質内で多
重反射させ、近接場光発生に寄与するレーザー光を増幅
することが可能になった。これによりさらに近接場光発
生効率を向上させるという効果が得られた。さらに、近
接場光発生プローブを小型化できるという効果があっ
た。
Further, a solid laser medium processed into a spherical shape is arranged at the tip of the probe, and pump light is incident on the solid laser medium to cause multiple reflections of the excited laser light in the solid laser medium, thereby contributing to generation of near-field light. It became possible to amplify laser light. Thereby, the effect of further improving the near-field light generation efficiency was obtained. Further, there is an effect that the near-field light generating probe can be miniaturized.

【0044】また、近接場光発生用プローブの一部にセ
ルフダブリング結晶を配置することにより、高調波によ
る近接場光発生を実現することができた。これにより、
例えば短波長に感度を持つような光記録材料等に対し
て、短波長の近接場光を用いたフォトンモードの近接場
光記録が可能になるという効果が得られた。
Further, by arranging a self-doubling crystal at a part of the near-field light generating probe, it was possible to realize near-field light generation by harmonics. This allows
For example, for an optical recording material or the like having sensitivity to a short wavelength, an effect that a near-field optical recording in a photon mode using near-field light of a short wavelength becomes possible is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態における多層膜共振器
構造を備えた近接場光発生用プローブを含む近接場光源
の構成の一例を示す図
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a near-field light source including a near-field light generating probe having a multilayer resonator structure according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施形態におけるファイバーレ
ーザーを備えた近接場光発生用プローブを含む近接場光
源の構成の一例を示す図
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a configuration of a near-field light source including a near-field light generating probe including a fiber laser according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施形態における球状の固体レ
ーザーをプローブ先端に備えた近接場光発生プローブを
含む近接場光源の構成の一例を示す図
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a configuration of a near-field light source including a near-field light generating probe having a spherical solid-state laser at a probe tip according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施形態におけるセルフダブリ
ング結晶を備えた近接場光発生用プローブを含む近接場
光源の構成の一例を示す図
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a configuration of a near-field light source including a near-field light generating probe including a self-doubling crystal according to a third embodiment of the present invention.

【図5】(a)は試料にレーザー光を照射することによ
り近接場光を発生検出する光学系の一例を示す図 (b)はプローブにレーザー光を入射することにより近
接場光を発生検出する光学系の一例を示す図
FIG. 5 (a) shows an example of an optical system for generating and detecting near-field light by irradiating a sample with laser light. FIG. 5 (b) shows generation and detection of near-field light by entering laser light into a probe. Showing an example of an optical system

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラスファイバー 2 第1の誘電体層 3 第2の誘電体層 4 励起光源 5 入射光 6,13,20,26,37,43 近接場光 7 Erドープガラスファイバー 8,15,22 固体レーザー励起用光源 9 信号用光源 10 カップリングミラー 11,18,24 ポンプ光 12 信号光 14 固体レーザー 16 レンズ 17 光学材料 19,42 レーザー光 21 セルフダブリング結晶 23,27,39 プローブ 25 高調波 28,40 試料 29 プリズム 30,41 レーザー光源 31,32,33,34 ミラー 35 試料表面側から試料を照明する場合の入射レーザ
ー光 36 試料裏面側から試料を照明する場合の入射レーザ
ー光 38,44 散乱光 50 誘電体多層膜ミラー 51 端面
REFERENCE SIGNS LIST 1 Glass fiber 2 First dielectric layer 3 Second dielectric layer 4 Excitation light source 5 Incident light 6,13,20,26,37,43 Near-field light 7Er-doped glass fiber 8,15,22 Solid state laser excitation Light source 9 Signal light source 10 Coupling mirror 11, 18, 24 Pump light 12 Signal light 14 Solid-state laser 16 Lens 17 Optical material 19, 42 Laser light 21 Self-doubling crystal 23, 27, 39 Probe 25 Harmonic 28, 40 Sample 29 Prism 30, 41 Laser light source 31, 32, 33, 34 Mirror 35 Incident laser light when illuminating the sample from the sample front side 36 Incident laser light when illuminating the sample from the sample back side 38, 44 Scattered light 50 Dielectric Body multilayer mirror 51 end face

フロントページの続き (72)発明者 山本 和久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5D119 AA11 AA22 AA43 FA04 FA18 JA28 JA36 JA40 JA44 JA57 5F072 AB01 AB04 AB08 AB09 AK06 AK10 JJ08 KK06 KK12 QQ02 RR03 YY16 Continued on the front page (72) Inventor Kazuhisa Yamamoto 1006 Kazuma Kadoma, Kazuma-shi, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 5D119 AA11 AA22 AA43 FA04 FA18 JA28 JA36 JA40 JA44 JA57 5F072 AB01 AB04 AB08 AB09 AK06 AK10 JJ08 KK06 KK12 QQ02 RR03 YY16

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】レーザー光源と、プローブとを具備し、前
記レーザー光源から出射された光を前記プローブに入射
し、前記プローブから近接場光を発生させる近接場光源
において、少なくとも前記プローブの一部が共振器構造
を成していることを特徴とする近接場光源。
1. A near-field light source comprising: a laser light source; and a probe, wherein light emitted from the laser light source is incident on the probe and generates near-field light from the probe. Has a resonator structure.
【請求項2】前記共振器構造が、DBRミラー構造を含
むことを特徴とする請求項1に記載の近接場光源。
2. The near-field light source according to claim 1, wherein the resonator structure includes a DBR mirror structure.
【請求項3】前記共振器構造が、誘電体多層膜ミラーを
含むことを特徴とする請求項1に記載の近接場光源。
3. The near-field light source according to claim 1, wherein the resonator structure includes a dielectric multilayer mirror.
【請求項4】前記誘電体多層膜ミラーが、少なくとも屈
折率の異なる2種類以上の材料から構成されることを特
徴とする請求項3に記載の近接場光源。
4. The near-field light source according to claim 3, wherein said dielectric multilayer mirror is made of at least two kinds of materials having different refractive indexes.
【請求項5】前記共振器構造内に、レーザー媒質または
セルフダブリング結晶または波長変換素子のいずれかを
含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか
に記載の近接場光源。
5. The near-field light source according to claim 1, wherein the resonator structure includes one of a laser medium, a self-doubling crystal, and a wavelength conversion element.
【請求項6】プローブと、固体レーザーと、固体レーザ
ー励起用光源とを具備し、前記プローブの先端部分に前
記固体レーザーを固定し、前記固体レーザー励起用光源
からのポンプ光を前記プローブから入射し、前記固体レ
ーザーに照射することによりレーザー光を励起すると同
時に近接場光を発生させ、かつ、前記固体レーザーの前
記ポンプ光入射部と前記近接場光出射部が異なることを
特徴とする近接場光源。
6. A probe, a solid-state laser, and a solid-state laser excitation light source, wherein the solid-state laser is fixed to a tip portion of the probe, and pump light from the solid-state laser excitation light source is incident from the probe. Irradiating the solid-state laser to excite the laser light and simultaneously generate near-field light, and wherein the pump light incident portion and the near-field light emitting portion of the solid-state laser are different. light source.
【請求項7】前記固体レーザーの前記近接場光出射部が
先鋭化されているか、または先鋭化された誘電体を前記
固体レーザーに接着することにより前記近接場光出射部
とすることを特徴とする請求項6に記載の近接場光源。
7. The near-field light emitting section of the solid-state laser, wherein the near-field light emitting section is sharpened, or a sharpened dielectric is bonded to the solid-state laser to form the near-field light emitting section. The near-field light source according to claim 6.
【請求項8】前記固体レーザーが球状である請求項6に
記載の近接場光源。
8. The near-field light source according to claim 6, wherein said solid-state laser is spherical.
【請求項9】前記固体レーザーがファイバーレーザーで
ある請求項6に記載の近接場光源。
9. The near-field light source according to claim 6, wherein said solid-state laser is a fiber laser.
【請求項10】前記固体レーザーが、Nd:ガラスレー
ザー、ルビーレーザーまたはYAGレーザーのいずれか
である請求項6に記載の近接場光源。
10. The near-field light source according to claim 6, wherein the solid-state laser is one of a Nd: glass laser, a ruby laser, and a YAG laser.
【請求項11】レーザー励起用光源と、少なくともプロ
ーブの一部に配置されたセルフダブリング結晶とを具備
し、前記レーザー励起用光源からのポンプ光を前記セル
フダブリング結晶に照射することによりレーザー光と、
前記レーザー光に対応する高調波を励起すると同時に前
記高調波による近接場光を発生させることを特徴とする
近接場光源。
11. A self-doubling crystal, comprising: a laser excitation light source; and a self-doubling crystal arranged at least in a part of a probe, wherein a pump light from the laser excitation light source is applied to the self-doubling crystal to generate a laser beam. ,
A near-field light source that excites a harmonic corresponding to the laser light and simultaneously generates near-field light based on the harmonic.
【請求項12】前記セルフダブリング結晶が固体レーザ
ーと波長変換素子からなる結晶である請求項11に記載
の近接場光源。
12. The near-field light source according to claim 11, wherein said self-doubling crystal is a crystal comprising a solid-state laser and a wavelength conversion element.
【請求項13】前記波長変換素子が光導波路型波長変換
素子である請求項12に記載の近接場光源。
13. The near-field light source according to claim 12, wherein the wavelength conversion element is an optical waveguide type wavelength conversion element.
【請求項14】前記光導波路型波長変換素子を構成する
材料がMgO:LiNbO3結晶である請求項13に記
載の近接場光源。
14. The near-field light source according to claim 13, wherein the material constituting said optical waveguide type wavelength conversion element is an MgO: LiNbO 3 crystal.
【請求項15】請求項1から請求項14のいずれかに記
載の近接場光源と、記録媒体とを具備し、前記近接場光
源を前記記録媒体に近接させることにより、前記記録媒
体に情報を記録すること、または前記記録媒体に記録さ
れている情報を読み取ることを特徴とする近接場光記録
再生装置。
15. A near-field light source according to any one of claims 1 to 14 and a recording medium, and information is stored in said recording medium by bringing said near-field light source close to said recording medium. A near-field optical recording / reproducing apparatus for recording or reading information recorded on the recording medium.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010103078A (en) * 2008-10-21 2010-05-06 Korea Advanced Inst Of Science & Technology Generation device for high-order harmonic frequency utilizing amplification of neighboring field with laptop size

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