JP2000323778A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device

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JP2000323778A
JP2000323778A JP11127465A JP12746599A JP2000323778A JP 2000323778 A JP2000323778 A JP 2000323778A JP 11127465 A JP11127465 A JP 11127465A JP 12746599 A JP12746599 A JP 12746599A JP 2000323778 A JP2000323778 A JP 2000323778A
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JP
Japan
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optical
light
light emitting
optical fiber
emitting device
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JP11127465A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyotaka Murashima
清孝 村嶋
Masaichi Mobara
政一 茂原
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device which can realize higher airtightness while the alignment between a semiconductor optical amplifier and an optical fiber is secured. SOLUTION: A light emitting device 1 is provided with a fiber grating 14 having first and second end sections 14a and 14b, a semiconductor optical amplifier 16 which has a light emitting surface 16a optically coupled with the first end section 14a of the grating 14 and a light reflecting surface 16b and emits light when carriers are injected into the amplifier 16, and a housing 12 which has a window 38a through which the light from the second end section 14b of the grating 14 can be transmitted and airtightly houses the grating 14 and amplifier 16. Since the amplifier 16 is airtightly sealed in the house 12, the service life of the amplifier 16 is prolonged and the characteristics of the laser light source of the device 1 are not deteriorated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、回折格子を有する
光学部品と、半導体光増幅器とを備える発光デバイスに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device including an optical component having a diffraction grating and a semiconductor optical amplifier.

【0002】[0002]

【従来の技術】光モジュールは、半導体光増幅器と、こ
の半導体光増幅器と光学的に結合された一端部を有しそ
のコア部分に回折格子が形成された光ファイバと、これ
らを収納するバタフライ型パッケージとを備え、この光
ファイバはバタフライ型パッケージから引き出されてい
る。半導体光増幅器において発生された光は光ファイバ
を介して取り出される。
2. Description of the Related Art An optical module includes a semiconductor optical amplifier, an optical fiber having one end optically coupled to the semiconductor optical amplifier and having a diffraction grating formed in a core portion thereof, and a butterfly type housing for accommodating them. The optical fiber is drawn from a butterfly type package. Light generated in the semiconductor optical amplifier is extracted through an optical fiber.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】発明者は、さらに長寿
命の光モジュールを開発するために検討を行ってきた。
The inventor has been studying to develop an optical module having a longer life.

【0004】このような光モジュールにおいては、バタ
フライ型パッケージが典型的に使用されている。そこ
で、このパッケージに関して検討を進めた。
In such an optical module, a butterfly type package is typically used. Therefore, we examined this package.

【0005】光モジュールでは、パッケージ内に収納さ
れている半導体光増幅器等の半導体素子の信頼性をより
向上するために、これらの半導体素子を気密な空間内に
置くように組立を行っている。上記の光モジュールにお
いて、その製造過程を注意深く観察すると、より高度の
気密性を達成することと、半導体光増幅器および光ファ
イバの間の位置合わせを確保することとは、両立し難い
面を有することを見いだした。つまり、現在より高度な
気密性を達成しようとすれば、両者の位置合わせ精度を
従来以上に向上させるように組立を行うことは必ずしも
容易ではないのである。
[0005] In the optical module, in order to further improve the reliability of semiconductor elements such as a semiconductor optical amplifier housed in a package, these semiconductor elements are assembled so as to be placed in an airtight space. In the above optical module, if the manufacturing process is carefully observed, achieving higher airtightness and ensuring alignment between the semiconductor optical amplifier and the optical fiber have incompatible surfaces. Was found. That is, it is not always easy to assemble so as to improve the alignment accuracy between the two in order to achieve higher airtightness than at present.

【0006】そこで、本発明の目的は、半導体光増幅器
および光ファイバの間の位置合わせを確保しつつ、より
高度な気密性を達成可能な発光デバイスを提供すること
とした。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of achieving higher airtightness while ensuring alignment between a semiconductor optical amplifier and an optical fiber.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】さらに検討を進めた結
果、上記の光モジュールの構造では、より高度な気密性
を達成するためにパッケージから取り出される部位にお
いて光ファイバを十分に固定してしまうと、現在以上の
位置合わせ精度が達成されない可能性もあることが予想
される。
As a result of further study, it has been found that, in the structure of the above-mentioned optical module, the optical fiber is sufficiently fixed at a portion taken out of the package in order to achieve higher airtightness. It is anticipated that there is a possibility that alignment accuracy higher than the current one may not be achieved.

【0008】つまり、上記の光モジュールの構造では、
気密性と位置合わせ精度とはトレードオフの関係にあ
る。そこで、気密性と、位置合わせ精度が独立して調整
可能な発光デバイスの構造を検討した。そこで、本発明
を以下のような構成とした。
That is, in the structure of the above optical module,
There is a trade-off between airtightness and alignment accuracy. Then, the structure of the light emitting device in which the airtightness and the positioning accuracy can be independently adjusted was examined. Therefore, the present invention has the following configuration.

【0009】本発明に係わる発光デバイスは、光学部品
と、半導体光増幅器と、ハウジングと、を備える。光学
部品は、第1の端部および第2の端部を有する光導波路
に設けられた回折格子を有する。半導体光増幅器は、光
学部品の第1の端部と光学的に結合される光放出面と、
光反射面とを有し、キャリアが注入されると光を発生す
る。ハウジングは、光学部品の第2の端部からの光が透
過可能な窓を有し、光学部品および半導体光増幅器を気
密に収納する。
A light emitting device according to the present invention includes an optical component, a semiconductor optical amplifier, and a housing. The optical component has a diffraction grating provided on an optical waveguide having a first end and a second end. A semiconductor light amplifier, a light emitting surface optically coupled to the first end of the optical component;
A light reflecting surface, and generates light when carriers are injected. The housing has a window through which light from the second end of the optical component can be transmitted, and houses the optical component and the semiconductor optical amplifier in an airtight manner.

【0010】本発明に係わる発光デバイスでは、光学部
品の第1の端部は光放出面と対面することができる。ま
た、ハウジングが有する窓は、光学部品の第2の端部と
対面することができる。更に、回折格子及び光反射面
は、光共振器を構成することができる。光学部品および
半導体光増幅器は、光学的な結合が達成されるように、
それぞれ支持部材によって支持されることができる。
In the light emitting device according to the present invention, the first end of the optical component can face the light emitting surface. Also, the window of the housing can face the second end of the optical component. Further, the diffraction grating and the light reflecting surface can form an optical resonator. The optical components and the semiconductor optical amplifier are designed such that optical coupling is achieved.
Each can be supported by a support member.

【0011】光学部品および半導体光増幅器は、共に、
ハウジング内に収納される。半導体光増幅器が発生した
光は、ハウジングが有する窓を通してをハウジング外へ
取り出されるので、半導体光増幅器は、ハウジング外の
空気に直接に触れることがない。このため、光学部品と
半導体光増幅器との光学的な結合関係を維持しつつ、半
導体光増幅器を気密に保たれた空間に配置でき、これに
よってその寿命が延ばすことができる。
The optical component and the semiconductor optical amplifier are both
It is stored in the housing. The light generated by the semiconductor optical amplifier is taken out of the housing through the window of the housing, so that the semiconductor optical amplifier does not directly contact the air outside the housing. For this reason, the semiconductor optical amplifier can be arranged in an airtightly maintained space while maintaining the optical coupling relationship between the optical component and the semiconductor optical amplifier, and the life thereof can be extended.

【0012】本発明に係わる発光デバイスでは、光学部
品は、第1の端部および第2の端部、並びに第1の端部
と第2の端部との間に設けられた回折格子を有するファ
イバグレーティングを含むことができる。
In the light emitting device according to the present invention, the optical component has a first end and a second end, and a diffraction grating provided between the first end and the second end. A fiber grating can be included.

【0013】本発明に係わる発光デバイスは、ハウジン
グが有する窓を介して光学部品の第2の端部へ光学的に
結合される第3の端部を有する光ファイバを更に備える
ことができる。このような光学的な結合を達成するため
に、光学部品の第2の端部は、光ファイバの第3の端部
と対面することができる。また、本発明に係わる発光デ
バイスは、光ファイバと光学部品との間に設けられた光
アイソレータを更に備えることができる。このような配
置を達成するために、光学部品の第2の端面及び光ファ
イバの第3の端面は、それぞれ光アイソレータと対面す
ることができる。
[0013] The light emitting device according to the present invention may further comprise an optical fiber having a third end optically coupled to the second end of the optical component through a window of the housing. To achieve such an optical coupling, the second end of the optical component can face the third end of the optical fiber. Further, the light emitting device according to the present invention can further include an optical isolator provided between the optical fiber and the optical component. To achieve such an arrangement, the second end face of the optical component and the third end face of the optical fiber can each face the optical isolator.

【0014】また、光学部品の第2の端部および光ファ
イバの第3の端部は、それぞれ、レンズ化された端部を
有することができる。更に、ハウジングが有する窓は光
学部品の第2の端部からの光を光ファイバの第3の端部
に集光可能なレンズを含むことができる。このようなレ
ンズを備えると、光ファイバと光学部品との間の光学的
な結合を高めることができる。
[0014] The second end of the optical component and the third end of the optical fiber may each have a lensed end. Further, the window of the housing may include a lens capable of collecting light from the second end of the optical component to the third end of the optical fiber. With such a lens, the optical coupling between the optical fiber and the optical component can be enhanced.

【0015】光アイソレータを設ければ、レーザ発振の
特性劣化を引き起こす戻り光を低減することができる。
また、光アイソレータを光ファイバと光学部品との間に
設けることができるようになったので、バルク型アイソ
レータを採用することが可能になる。
If an optical isolator is provided, it is possible to reduce return light which causes deterioration of laser oscillation characteristics.
Further, since the optical isolator can be provided between the optical fiber and the optical component, a bulk type isolator can be adopted.

【0016】本発明に係わる発光デバイスでは、光学部
品は、偏波保持機能を有する光ファイバといった光導波
路、この光導波路に設けられた回折格子とを含み、光ア
イソレータは、偏波依存型アイソレータであることがで
きる。
In the light emitting device according to the present invention, the optical component includes an optical waveguide such as an optical fiber having a polarization maintaining function, and a diffraction grating provided in the optical waveguide, and the optical isolator is a polarization dependent type isolator. There can be.

【0017】回折格子を偏波保持ファイバに設ければ、
レーザ発振するモードの偏光を一方向に規定することが
できる。このため、光アイソレータは、全ての偏光方向
の光を遮断可能な偏波無依存型アイソレータを使用する
必要がなくなり、レーザ発振しているモードの偏光方向
に対応するように設けられる偏波依存型アイソレータを
採用できる。
If the diffraction grating is provided on the polarization maintaining fiber,
The polarization of the laser oscillation mode can be defined in one direction. For this reason, the optical isolator does not need to use a polarization-independent isolator that can block light in all polarization directions, and a polarization-dependent optical isolator that is provided to correspond to the polarization direction of the mode in which the laser is oscillating. An isolator can be adopted.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しながら説明する。同一または類似の部分には同一の符
号を付して重複する説明を省略する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The same or similar parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0019】図1および図2を用いて、本発明の実施の
形態の発光モジュールについて説明する。この発光デバ
イスは、レーザモジュールの構成を有する。図1は、レ
ーザモジュールの斜視図であり、その内部の様子が明ら
かになるように一部破断図になっている。図2は、レー
ザモジュール主要部を表し図1のI−I断面における断
面図である。
A light emitting module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This light emitting device has a configuration of a laser module. FIG. 1 is a perspective view of the laser module, which is partially cut away so that the state inside the laser module becomes clear. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 1 showing a main part of the laser module.

【0020】図1を参照すると、レーザモジュール1
は、レーザモジュール主要部10と、ハウジング12と
を備える。ハウジング12は、図1に示された実施例で
は、バタフライ型パッケージである。パッケージ12内
の底面上にレーザモジュール主要部10が配置されてい
る。レーザモジュール主要部10は、不活性ガス、例え
ば窒素ガス、が封入された状態でパッケージ12内に封
止されている。ハウジング12は、半導体レーザレーザ
モジュール主要部10を収納している本体部12a、光
ファイバ48を保持する筒状部12b、および複数のリ
ードピン12cを備える。
Referring to FIG. 1, a laser module 1
Includes a laser module main part 10 and a housing 12. The housing 12 is a butterfly-type package in the embodiment shown in FIG. The laser module main part 10 is arranged on the bottom surface in the package 12. The laser module main part 10 is sealed in a package 12 in a state where an inert gas such as nitrogen gas is sealed. The housing 12 includes a main body 12a that houses the semiconductor laser module main part 10, a tubular part 12b that holds the optical fiber 48, and a plurality of lead pins 12c.

【0021】レーザモジュール主要部10は、光学部品
14と、半導体光学素子16、18と、搭載部材22、
24、26と、位置合わせ機構部28と、を有する。
The main part 10 of the laser module includes an optical component 14, semiconductor optical elements 16 and 18, a mounting member 22,
24, 26 and a positioning mechanism 28.

【0022】搭載部材22,24、26は、半導体光学
素子16、18を搭載する。搭載部材22は、半導体光
学素子の半導体光増幅器16を搭載し、搭載部材28
は、半導体光学素子の半導体受光素子18を搭載してい
る。搭載部材24は、搭載部材22、28を搭載してい
る。搭載部材24は、熱電子冷却器(サーモエレクトリ
ッククーラ)20の上に配置されている。熱電子冷却器
20は、例えば、ペルチェ効果を利用した温度制御素子
として実用化されている。熱電子冷却器20は、半導体
光増幅器16が搭載部材24上に配置されているので、
半導体光増幅器16の温度を制御できる。このため、搭
載部材24の材料は、チップキャリアに利用されている
窒化アルミニウム(AlN)等の熱良導体が好ましい。
The mounting members 22, 24, 26 mount the semiconductor optical elements 16, 18. The mounting member 22 mounts the semiconductor optical amplifier 16 of a semiconductor optical element, and the mounting member 28
Has a semiconductor light receiving element 18 as a semiconductor optical element. The mounting member 24 has mounting members 22 and 28 mounted thereon. The mounting member 24 is arranged on a thermoelectric cooler (thermoelectric cooler) 20. The thermoelectric cooler 20 is put to practical use, for example, as a temperature control element using the Peltier effect. Since the thermoelectric cooler 20 has the semiconductor optical amplifier 16 disposed on the mounting member 24,
The temperature of the semiconductor optical amplifier 16 can be controlled. For this reason, the material of the mounting member 24 is preferably a good thermal conductor such as aluminum nitride (AlN) used for a chip carrier.

【0023】パッケージ本体部12aの内壁の筒状部1
2bに通じる部分には、レンズ38aを備える窓が形成
されている。レンズ38aとパッケージ12との間は気
密に封止されている。このため、パッケージ12内の気
密性は従来に比べて格段に向上する。
The cylindrical portion 1 on the inner wall of the package body 12a
A window provided with a lens 38a is formed in a portion leading to 2b. The space between the lens 38a and the package 12 is hermetically sealed. For this reason, the airtightness in the package 12 is significantly improved as compared with the conventional case.

【0024】図2を参照すると、光学部品14は、2つ
の端部14a、14b、およびこれらの端部14a、1
4bの間の光導波路に設けられたグレーティング(回折
格子)14cを有する。このような光学部品14は光フ
ァイバであることができ、この光ファイバは、酸化ゲル
マニウムを含むと共に所定の屈折率を有するコア部と、
このコア部の周囲に設けられコア部よりも小さい屈折率
を有するクラッド部を有する。このような光ファイバの
コア部は、紫外線に対して感光性を有し、コア部は、周
期的な屈折率の変化が設けられると、この部分は回折格
子として機能する。回折格子14cは、所定の波長帯に
おいて光を反射する反射スペクトルを有し、後述の半導
体光増幅器16と光学的に結合して光共振器を構成す
る。本実施の形態では、光学部品として、ファイバグレ
ーティング(コア部に回折格子を有する光ファイバ、以
下、単に光ファイバともいう)を例示して本発明を説明
するが、より一般に、光導波路に設けられた回折格子を
有する光学部品に適用することができる。
Referring to FIG. 2, the optical component 14 has two ends 14a, 14b and these ends 14a, 1a, 1b.
4b, a grating (diffraction grating) 14c provided in the optical waveguide. Such an optical component 14 can be an optical fiber, the optical fiber comprising germanium oxide and having a core having a predetermined refractive index;
There is a clad provided around the core and having a smaller refractive index than the core. The core portion of such an optical fiber is sensitive to ultraviolet light, and the core portion functions as a diffraction grating when a periodic change in refractive index is provided. The diffraction grating 14c has a reflection spectrum that reflects light in a predetermined wavelength band, and optically couples with a semiconductor optical amplifier 16 described later to form an optical resonator. In the present embodiment, the present invention will be described by exemplifying a fiber grating (an optical fiber having a diffraction grating in a core portion, hereinafter, also simply referred to as an optical fiber) as an optical component, but more generally, it is provided in an optical waveguide. The present invention can be applied to an optical component having a diffractive grating.

【0025】光ファイバ14の一方の端部14aは、レ
ンズ化端部を有する。レンズ化端部は、集光機能を持つ
ように端部の外形が形成され、先球加工された端部とも
呼ばれる。その他端14bは、レンズ38aに対面する
面を備え、この端面は、光ファイバ14を端面研磨する
ことによって形成されるので、研磨面とも呼ばれる。
One end 14a of the optical fiber 14 has a lensed end. The lensed end has an outer shape formed so as to have a light collecting function, and is also referred to as a rounded end. The other end 14b has a surface facing the lens 38a, and this end surface is formed by polishing the end surface of the optical fiber 14, so that it is also called a polished surface.

【0026】光ファイバ14は、位置合わせ機構部28
といった支持部材によって支持されている。光ファイバ
14の一端部14aは、半導体光増幅器16に光学的に
結合するように位置合わせ機構部28によって位置合わ
せされている。また、光ファイバ14の他端14bは、
レンズ38aに対面するように位置合わせされ、位置合
わせ機構部28に保持されている。このため、光ファイ
バ14の他端14bは、レンズ38aと光学的に結合さ
れる。このような配置によって、半導体光増幅器16に
おいて発生された光は、これを気密に封止しているパッ
ケージ12外に光ファイバ14およびレンズ38aを介
して取り出される。
The optical fiber 14 has a positioning mechanism 28
It is supported by such a support member. One end 14 a of the optical fiber 14 is aligned by an alignment mechanism 28 so as to be optically coupled to the semiconductor optical amplifier 16. The other end 14b of the optical fiber 14 is
It is positioned so as to face the lens 38a, and is held by the positioning mechanism 28. Therefore, the other end 14b of the optical fiber 14 is optically coupled to the lens 38a. With this arrangement, the light generated in the semiconductor optical amplifier 16 is extracted through the optical fiber 14 and the lens 38a to the outside of the package 12 that hermetically seals the light.

【0027】パッケージ12の筒状部12bは、本体部
12aに通じる貫通孔を有する。この貫通孔には、半導
体光増幅器16から光ファイバ48の端部(図2の48
a)へ向かって伝搬する光が通過する。筒状部12bの
先端部分には、レンズ(図2の40a)を保持するレン
ズ保持部材40が設けられている。レンズ保持部材40
と筒状部12bとの間には、光アイソレータ42を設け
ることができる。光アイソレータ42は、光ファイバ4
8からの逆方向の光を遮断する。
The cylindrical portion 12b of the package 12 has a through hole communicating with the main body 12a. In this through hole, the end of the optical fiber 48 from the semiconductor optical amplifier 16 (48 in FIG.
Light propagating towards a) passes. A lens holding member 40 for holding a lens (40a in FIG. 2) is provided at a tip portion of the cylindrical portion 12b. Lens holding member 40
An optical isolator 42 can be provided between and the cylindrical part 12b. The optical isolator 42 is an optical fiber 4
8 to block light in the opposite direction.

【0028】筒状部12bの先端部分には、光ファイバ
48が導入される。光ファイバ48は、フェルール44
によって先端部分が覆われ保護されている。レンズ保持
部40は、スリーブ46を保持している。光ファイバ4
8の端部48aは、レンズ40aに対面し、この端面4
8aは、光ファイバ48を端面研磨することによって形
成されるので、研磨面とも呼ばれる。
An optical fiber 48 is introduced into the tip of the cylindrical portion 12b. The optical fiber 48 is a ferrule 44
The tip is covered and protected by. The lens holding section 40 holds the sleeve 46. Optical fiber 4
8 faces the lens 40a.
Since 8a is formed by polishing the end face of the optical fiber 48, it is also called a polished surface.

【0029】フェルール44は、スリーブ46に挿入さ
れると、パッケージ12に対して光学的に位置決めされ
る。つまり、光ファイバ48が、レンズ40a、レンズ
38aおよびファイバグレーティング14を介して半導
体光増幅器16に位置合わせされる。この結果、光学的
な軸2に合わせて、半導体光学素子16、18、ファイ
バグレーティング14、レンズ38a、40a、光ファ
イバ48が所定の精度で配置される。
When the ferrule 44 is inserted into the sleeve 46, it is optically positioned with respect to the package 12. That is, the optical fiber 48 is aligned with the semiconductor optical amplifier 16 via the lens 40a, the lens 38a, and the fiber grating 14. As a result, the semiconductor optical elements 16 and 18, the fiber grating 14, the lenses 38a and 40a, and the optical fiber 48 are arranged with predetermined accuracy in accordance with the optical axis 2.

【0030】図2を参照すると、レーザモジュール主要
部10では、搭載部材24は、素子搭載部24aおよび
ファイバ支持部24bを含む。ファイバ支持部24b
は、素子搭載部24aの一主面から伸びるように設けら
れる。ファイバ支持部24bは、光ファイバ14を受け
入れるためのガイド孔を有する。ガイド孔には、位置合
わせ機構部28によって支持された光ファイバ14の端
部14aが挿入される。このため、レンズ化端部14a
が半導体光増幅器16と対面するので、半導体光増幅器
16からの光は光ファイバ14のコア部へ導入される。
光ファイバ14は、位置合わせ機構部28によって、半
導体光増幅器16に対して光学的に結合するように位置
が調整されている。
Referring to FIG. 2, in the laser module main part 10, the mounting member 24 includes an element mounting part 24a and a fiber supporting part 24b. Fiber support 24b
Is provided so as to extend from one main surface of the element mounting portion 24a. The fiber support 24b has a guide hole for receiving the optical fiber 14. The end 14a of the optical fiber 14 supported by the alignment mechanism 28 is inserted into the guide hole. For this reason, the lensed end 14a
Faces the semiconductor optical amplifier 16, the light from the semiconductor optical amplifier 16 is introduced into the core of the optical fiber 14.
The position of the optical fiber 14 is adjusted by a positioning mechanism 28 so as to be optically coupled to the semiconductor optical amplifier 16.

【0031】半導体光増幅器16は、搭載部材22上に
搭載されている。半導体光増幅器16は、光放出面16
aおよび光反射面16bを備える。光放出面16aの光
反射率は、光反射面16bの光反射率より低く、実質的
に光を反射しない程度に低い。このため、光放出面16
aから取り出された光は回折格子に到達することができ
る。このため、光反射面16bおよび回折格子は、光共
振器を構成できる。光放出面16aは、レンズ化端部1
4aを通して光ファイバ14と光学的に結合している。
The semiconductor optical amplifier 16 is mounted on the mounting member 22. The semiconductor optical amplifier 16 includes a light emitting surface 16.
a and a light reflecting surface 16b. The light reflectance of the light emitting surface 16a is lower than the light reflectance of the light reflecting surface 16b, and is low enough not to substantially reflect light. Therefore, the light emitting surface 16
Light extracted from a can reach the diffraction grating. Therefore, the light reflecting surface 16b and the diffraction grating can form an optical resonator. The light emitting surface 16a is a lensed end 1
Optically coupled to the optical fiber 14 through 4a.

【0032】図3を参照すると、半導体光増幅器16
は、キャリアの注入によって光の発生および増幅が行わ
れる活性層50を備えている。活性層50は、光放出面
16aおよび光反射面16bを夫々の端部に備える。光
放出面16aは、半導体光増幅器16の第1の端面50
aに設けられ、光反射面16bは、半導体光増幅器16
の第2の端面50bに設けられている。活性層50は、
所定の軸64に沿って伸びる。第1の端面50aには、
光の反射を抑えるために光反射防止膜を設けることが好
ましい。光反射防止膜として、例えば誘電体膜(SiN
膜)を設けることができる。さらに、所定の軸64と第
1の端面50aの法線との成す角度を所定の値θに傾斜
させるようにすれば、さらに光反射率を抑えることがで
きる。一方、第2の端面50bには、光の反射率を高め
るために光反射膜を設けることが好ましい。光反射膜と
して、例えば誘電体多層膜がある。
Referring to FIG. 3, the semiconductor optical amplifier 16
Includes an active layer 50 in which light is generated and amplified by carrier injection. The active layer 50 has a light emitting surface 16a and a light reflecting surface 16b at each end. The light emitting surface 16a is connected to the first end surface 50 of the semiconductor optical amplifier 16.
a, and the light reflecting surface 16b is
Is provided on the second end face 50b. The active layer 50
It extends along a predetermined axis 64. On the first end face 50a,
It is preferable to provide an anti-reflection film to suppress light reflection. As a light reflection preventing film, for example, a dielectric film (SiN
Film). Further, if the angle formed between the predetermined axis 64 and the normal line of the first end face 50a is inclined to a predetermined value θ, the light reflectance can be further suppressed. On the other hand, it is preferable to provide a light reflecting film on the second end face 50b in order to increase the light reflectance. As the light reflection film, for example, there is a dielectric multilayer film.

【0033】半導体光増幅器16の活性層50は、例え
ば、InGaAsP/InPのダブルヘテロ構造の積層
構造を有する。この構造は、高透過率の光放出面を有す
る点を除いて、ダブルヘテロ構造ファブリペロ型半導体
レーザチップの構造と類似している。n型InP半導体
基板51の一主面上には、n型InPクラッド部52、
アンドープInGaAsP活性層部42、p型InPク
ラッド部54が設けられている。これらの各部42、5
2、54は、所定の軸64に沿って伸びる帯状の領域に
形成されている。メサ形状の部分42、52、54は、
埋め込み部56によって両側から挟まれている。埋め込
み部56は、メサ形状のストライプ部分42、52、5
4に電流を閉じ込めるように作用する。ストライプ部4
2、52、54および埋め込み部56上には絶縁膜58
が設けられている。絶縁膜58上には、p型半導体に対
する電極60が設けられ、また基板51の裏面にはn型
半導体に対する電極62が設けられている。半導体光増
幅器16の電極60、62の間に、パッケージ12のリ
ードピン12cを介して変調信号が加えられると、本発
明の発光デバイスから変調されたレーザ光が出射され
る。このために、発光デバイスは、半導体光増幅器の駆
動回路をハウジング12内に備えることができる。
The active layer 50 of the semiconductor optical amplifier 16 has, for example, a stacked structure of a double hetero structure of InGaAsP / InP. This structure is similar to the structure of a double heterostructure Fabry-Perot semiconductor laser chip except that it has a light-emitting surface with high transmittance. On one main surface of the n-type InP semiconductor substrate 51, an n-type InP clad portion 52,
An undoped InGaAsP active layer 42 and a p-type InP cladding 54 are provided. These parts 42, 5
Reference numerals 2 and 54 are formed in a band-like region extending along a predetermined axis 64. The mesa-shaped portions 42, 52, 54
It is sandwiched from both sides by the embedded portion 56. The buried portion 56 includes the mesa-shaped stripe portions 42, 52, 5
4 acts to confine the current. Stripe part 4
An insulating film 58 is formed on the second, 52, 54 and buried portions 56.
Is provided. An electrode 60 for a p-type semiconductor is provided on the insulating film 58, and an electrode 62 for an n-type semiconductor is provided on the back surface of the substrate 51. When a modulation signal is applied between the electrodes 60 and 62 of the semiconductor optical amplifier 16 via the lead pins 12c of the package 12, a modulated laser beam is emitted from the light emitting device of the present invention. To this end, the light emitting device can include a drive circuit for the semiconductor optical amplifier in the housing 12.

【0034】このような構造を設けると、活性層50の
屈折率は、クラッド部53、54および埋め込み部56
に比べて相対的に大きくなる。この構造は、活性層50
において発生された光を活性層50内に光学的に閉じ込
めることを可能にしている。なお、活性層50は、発生
される光の波長に応じて、半導体レーザ等において採用
されているMQWといった積層構造を備えることがで
き、また、キャリア閉じ込め領域と光閉じ込め領域とを
分離することもできる。
When such a structure is provided, the refractive index of the active layer 50 is controlled by the clad portions 53 and 54 and the buried portion 56.
Relatively larger than. This structure corresponds to the active layer 50.
Is optically confined in the active layer 50. The active layer 50 can have a laminated structure such as MQW employed in a semiconductor laser or the like according to the wavelength of the generated light, and can also separate the carrier confinement region and the light confinement region. it can.

【0035】再び、図2を参照すると、位置合わせ機構
部28は、フェルール30、第1の支持部材32、第2
の支持部材34、第3の支持部材36を備える。
Referring again to FIG. 2, the positioning mechanism 28 includes a ferrule 30, a first support member 32,
, And a third support member 36.

【0036】第1の支持部材32は、搭載部材24のフ
ァイバ支持部24bの外面に接触する接触面と、この面
に対向する対向面と、接触面から対向面に貫通する孔を
有するワッシャである。貫通孔には、フェルール30が
挿入される。フェルール30には、その一端部に光ファ
イバ14の端部14aに現れるように光ファイバ14が
挿入されている。フェルール30は、第1の支持部材3
2に固定されている。この固定は、第1の支持部材32
の貫通孔の開口部端で行われる。この状態で、第1の支
持部材32は、その接触面を搭載部材24のファイバ支
持部24bの外面上に接触させながら移動可能であるの
で、光ファイバ14を半導体光増幅器16に位置合わせ
することができる。この位置合わせが完了すると、第1
の支持部材32は、搭載部材24に固定される。この固
定は、第1の支持部材32の外周部において行われる。
The first support member 32 is a washer having a contact surface in contact with the outer surface of the fiber support portion 24b of the mounting member 24, an opposing surface opposing this surface, and a hole penetrating from the contact surface to the opposing surface. is there. The ferrule 30 is inserted into the through hole. The optical fiber 14 is inserted into the ferrule 30 at one end thereof so as to appear at the end 14 a of the optical fiber 14. The ferrule 30 includes the first support member 3
It is fixed to 2. This fixing is performed by the first support member 32.
At the opening end of the through hole. In this state, the first support member 32 can be moved while the contact surface thereof is in contact with the outer surface of the fiber support portion 24b of the mounting member 24, so that the optical fiber 14 is aligned with the semiconductor optical amplifier 16. Can be. When this alignment is completed, the first
Is fixed to the mounting member 24. This fixing is performed on the outer peripheral portion of the first support member 32.

【0037】第2の支持部材34は、第1の支持部材3
2から所定の長さ離れた位置においてフェルール30と
固定されるように設けられている。所定の長さを確保す
るために、第3の支持部材36が、第1の支持部材32
と第2の支持部材34との間に配置されている。
The second support member 34 includes the first support member 3
It is provided so as to be fixed to the ferrule 30 at a position separated by a predetermined length from 2. In order to secure a predetermined length, the third support member 36 is connected to the first support member 32.
And the second support member 34.

【0038】第3の支持部材36は、フェルール30が
伸びる方向に沿って設けられた管状部を備え、管状部の
一端部が第1の支持部材32に接触させるように配置さ
れている。管状部の他端は、フェルール30が通過する
ための孔を有する平板によって塞がれている。この平板
は、その外面に第2の支持部材34が配置されている。
第3の支持部材36は、例えば、フェルール30を挿入
可能な孔を有する底面と、円筒部とを有するカップ形状
である。第3の支持部材36は、管状部の外面において
第1の支持部材32に固定されている。
The third support member 36 has a tubular portion provided along the direction in which the ferrule 30 extends, and is arranged such that one end of the tubular portion contacts the first support member 32. The other end of the tubular portion is closed by a flat plate having a hole through which the ferrule 30 passes. The flat plate has a second support member 34 disposed on the outer surface thereof.
The third support member 36 is, for example, cup-shaped having a bottom surface having a hole into which the ferrule 30 can be inserted, and a cylindrical portion. The third support member 36 is fixed to the first support member 32 on the outer surface of the tubular portion.

【0039】第2の支持部材34は、第3の支持部材3
6の外面に接触する接触面と、この接触面に対向する対
向面と、接触面から対向面に貫通する孔とを有する。貫
通孔は、フェルール30が挿入される。フェルール30
は、第2の支持部材34に固定されている。この固定
は、第2の支持部材34の貫通孔の開口部端で行われ
る。この状態で、第2の支持部材34は、その接触面を
第3の支持部材36の底面の外面上に接触させながら移
動可能であるので、光ファイバ14を半導体光増幅器1
6に微調整しながら位置合わせすることができる。この
微調整は、第1の支持部材32とフェルール30との固
定位置を支点とする「てこの原理」を利用することによ
って行われる。この微調整が完了すると、第2の支持部
材34は、第3の支持部材36に固定される。この固定
は、第2の支持部材34の外周部において行われる。
The second support member 34 is a third support member 3
6 has a contact surface that contacts the outer surface, an opposing surface opposing the contact surface, and a hole penetrating from the contact surface to the opposing surface. The ferrule 30 is inserted into the through hole. Ferrule 30
Is fixed to the second support member 34. This fixing is performed at the opening end of the through hole of the second support member 34. In this state, the second support member 34 can move while the contact surface thereof is in contact with the outer surface of the bottom surface of the third support member 36, so that the optical fiber 14 is connected to the semiconductor optical amplifier 1.
The position can be adjusted while finely adjusting the position to 6. This fine adjustment is performed by utilizing the "lever principle" using the fixed position between the first support member 32 and the ferrule 30 as a fulcrum. When the fine adjustment is completed, the second support member 34 is fixed to the third support member 36. This fixing is performed at the outer peripheral portion of the second support member 34.

【0040】フェルール30、第1〜第3の支持部材3
2、34、36は、ステンレスチールで形成されること
ができる。フェルール30、第1〜第3の支持部材3
2、34、36の固定は、スポット溶接を用いて、複数
の位置にて行うことができる。
Ferrule 30, first to third support members 3
2, 34, 36 can be formed of stainless steel. Ferrule 30, first to third support members 3
The fixing of 2, 34, 36 can be performed at a plurality of positions using spot welding.

【0041】第1および第2の支持部材32、34は、
リング形状を有することができる。このように、部材の
外形を円形にすると円の中心(光ファイバの中心)から
見た対称性が高くできる。このため、対称性を有する複
数の位置にてスポット溶接すれば、固定に際して発生さ
れる歪みを低減できる。また、スポット溶接を用いると
複数の位置における固定を同時に行うことができるの
で、固定に際して発生する歪みをさらに低減することが
できる。
The first and second support members 32, 34
It can have a ring shape. Thus, when the outer shape of the member is circular, the symmetry as viewed from the center of the circle (the center of the optical fiber) can be increased. For this reason, if spot welding is performed at a plurality of positions having symmetry, distortion generated during fixing can be reduced. In addition, when spot welding is used, fixing at a plurality of positions can be performed at the same time, so that distortion generated during fixing can be further reduced.

【0042】このように、光ファイバ14は、位置合わ
せ機構部28にのみ支持され、パッケージ12と接触し
ない。このため、位置合わせ機構部28を用いると、光
ファイバ14を高い精度で半導体光増幅器16に位置合
わせできる。つまり、この両者の光学的な結合は、パッ
ケージの封止の達成度およびこの封止の経時変化に関係
なく行われる。したがって、パッケージの気密性が光学
的な位置合わせから影響受けることがない。
As described above, the optical fiber 14 is supported only by the positioning mechanism 28 and does not come into contact with the package 12. Therefore, by using the positioning mechanism 28, the optical fiber 14 can be positioned with high accuracy to the semiconductor optical amplifier 16. That is, the optical coupling between the two is performed irrespective of the degree of achievement of the sealing of the package and the temporal change of the sealing. Therefore, the airtightness of the package is not affected by the optical alignment.

【0043】半導体光学素子18は、例えばフォトダイ
オードといった受光素子である。受光素子18は、チッ
プキャリア26上に搭載されている。チップキャリア2
6は、受光素子18が半導体光増幅器16の光反射面1
6bに対面するように搭載部材24上に配置される。受
光素子18は、半導体光増幅器16の発光状態を監視す
るためのモニター素子として作動する。
The semiconductor optical element 18 is a light receiving element such as a photodiode. The light receiving element 18 is mounted on the chip carrier 26. Chip carrier 2
Reference numeral 6 denotes a light receiving element 18 which is a light reflecting surface 1 of the semiconductor optical amplifier 16.
6b is arranged on the mounting member 24 so as to face 6b. The light receiving element 18 operates as a monitor element for monitoring the light emitting state of the semiconductor optical amplifier 16.

【0044】図4を参照すると、レンズ38aに代えて
ハーメチックガラス38bを用いて窓を形成し、パッケ
ージの気密性をを確保している。ハーメチックガラス3
8bは、光ファイバ14の第2の端部14bから出射さ
れた光の光軸に対して所定の角度だけ傾斜するように配
置されている。これによって、ハーメチックガラス38
bの表面において反射された光が再び光ファイバ14に
戻ることを防止している。光ファイバ14は、研磨面1
4bに代えて、レンズ化端部14dを有し、光ファイバ
48は、研磨面48aに代えて、レンズ化端部48bを
有する。光ファイバ14、48がレンズ化端部14d、
48bを有するので、レンズ38a、40aは不要とな
る。これ以外の点については図2と同様であるので、そ
の説明を省略する。このように、本願は、さまざまな方
法によって気密性を確保しつつ、また半導体光増幅器1
6と導波路型回折格子との間に光学的な高精度の結合を
達成している。
Referring to FIG. 4, a window is formed by using a hermetic glass 38b in place of the lens 38a to ensure the airtightness of the package. Hermetic glass 3
8 b is arranged so as to be inclined by a predetermined angle with respect to the optical axis of the light emitted from the second end 14 b of the optical fiber 14. Thereby, the hermetic glass 38
Light reflected on the surface b is prevented from returning to the optical fiber 14 again. The optical fiber 14 has a polished surface 1
The optical fiber 48 has a lensed end portion 48b instead of the polished surface 48a. The optical fibers 14, 48 are lensed ends 14d,
Since the lens 38b is provided, the lenses 38a and 40a become unnecessary. The other points are the same as those in FIG. 2, and the description thereof will be omitted. As described above, the present invention is based on the semiconductor optical amplifier 1 while ensuring airtightness by various methods.
A high-precision optical coupling is achieved between the waveguide 6 and the waveguide type diffraction grating.

【0045】図5を参照すると、図1および図2を参照
しながら説明されたレーザモジュールに対して、ファイ
バグレーティング14、半導体光増幅器16、受光素子
18、レンズ38a、40a、光アイソレータ42、光
ファイバ48の光学的な結合関係が模式的に示されてい
る。光学的な軸2に沿って、受光素子18、半導体光増
幅器16、ファイバグレーティング14、レンズ38
a、光アイソレータ42、レンズ40a、光ファイバ4
8がこの順序に配置されている。
Referring to FIG. 5, with respect to the laser module described with reference to FIGS. 1 and 2, a fiber grating 14, a semiconductor optical amplifier 16, a light receiving element 18, lenses 38a and 40a, an optical isolator 42, The optical coupling relationship of the fiber 48 is schematically shown. Along the optical axis 2, the light receiving element 18, the semiconductor optical amplifier 16, the fiber grating 14, the lens 38
a, optical isolator 42, lens 40a, optical fiber 4
8 are arranged in this order.

【0046】半導体光増幅器16は、光反射面16bを
受光素子18の受光面に対面させ、また光放射面16a
をファイバグレーティング14のレンズ化端部14aに
対面させるように配置されている。ファイバグレーティ
ング14の研磨面14bは、レンズ38aと対面し、光
ファイバ48の研磨面48aは、レンズ40aと対面し
ている。光アイソレータ42は、レンズ38aとレンズ
40aとの間に配置されている。回折格子14cと、半
導体光増幅器16の光反射面16bとは光共振器を構成
し、レーザ発振を可能にしている。発生されたレーザ光
は、光ファイバ48を介して取り出される。
The semiconductor optical amplifier 16 has a light reflecting surface 16b facing the light receiving surface of the light receiving element 18 and a light emitting surface 16a.
Is disposed so as to face the lensed end portion 14a of the fiber grating 14. The polished surface 14b of the fiber grating 14 faces the lens 38a, and the polished surface 48a of the optical fiber 48 faces the lens 40a. The optical isolator 42 is disposed between the lens 38a and the lens 40a. The diffraction grating 14c and the light reflecting surface 16b of the semiconductor optical amplifier 16 constitute an optical resonator, and enable laser oscillation. The generated laser light is extracted through the optical fiber 48.

【0047】図5に示された発光デバイスの動作を説明
する。図5には、伝播光A〜Kが記入されている。半導
体光増幅器16にキャリアが注入されると、光が発生さ
れる。光Aは、光反射面16bにて反射された後に、ま
たは光反射面16bにて反射されることなく直接に、光
放出面16aから放出される。光反射面16bを透過し
た光Bは、受光素子18の受光面に到達する。光Aは、
レンズ化端部14aからファイバグレーティング14の
コア部に導入される。コア部を伝搬する光は、所定の反
射スペクトルを有する回折格子14cにて反射された光
Dとして、レンズ化端部14aにて集光され光放出面1
6aを介して半導体光増幅器16に再び導入される。こ
れが繰り返されて光が増幅される。回折格子14cは、
入射された光を反射すると共に、その一部の光Eを透過
させる。回折格子14cを透過した光Eは、レンズ38
aを通過する。レンズ38aを通過した光Gは、光アイ
ソレータ42へ向かう。光アイソレータ42を通過した
光は、レンズ40aへ向かう。また、光アイソレータ4
2は、レンズ40a側から入射される光Kを遮断する。
レンズ40aを透過した光Iは、光ファイバ48の研磨
面48aからレンズ40aによってコア部へ導入され
る。光ファイバ48のコア部を伝搬する光Jは、発光デ
バイス1外へ取り出される。
The operation of the light emitting device shown in FIG. 5 will be described. FIG. 5 shows propagating lights A to K. When carriers are injected into the semiconductor optical amplifier 16, light is generated. The light A is emitted from the light emitting surface 16a after being reflected by the light reflecting surface 16b or directly without being reflected by the light reflecting surface 16b. The light B transmitted through the light reflecting surface 16b reaches the light receiving surface of the light receiving element 18. Light A is
The light is introduced into the core of the fiber grating 14 from the lensed end 14a. The light propagating through the core is condensed at the lensed end 14a as light D reflected by the diffraction grating 14c having a predetermined reflection spectrum,
The light is again introduced into the semiconductor optical amplifier 16 via 6a. This is repeated to amplify the light. The diffraction grating 14c
The incident light is reflected and a part of the light E is transmitted. The light E transmitted through the diffraction grating 14c is
a. The light G passing through the lens 38a travels to the optical isolator 42. The light that has passed through the optical isolator 42 goes to the lens 40a. Also, the optical isolator 4
2 blocks the light K incident from the lens 40a side.
The light I transmitted through the lens 40a is introduced into the core from the polished surface 48a of the optical fiber 48 by the lens 40a. Light J propagating through the core of the optical fiber 48 is extracted out of the light emitting device 1.

【0048】本発明において採用される光アイソレータ
42は、レンズ38aおよびレンズ40aに挟まれて配
置されている。このため、バルク型光アイソレータを採
用することが可能になり、ファイバグレーティングを使
用した従来のレーザモジュールのように高価なファイバ
型アイソレータを使用する必要がない。このため、ファ
イバグレーティング14を使用した発光デバイスである
にも係わらず低コスト化が図られた発光デバイスを提供
することができる。
The optical isolator 42 employed in the present invention is disposed between the lens 38a and the lens 40a. For this reason, a bulk-type optical isolator can be adopted, and it is not necessary to use an expensive fiber-type isolator unlike a conventional laser module using a fiber grating. For this reason, it is possible to provide a light-emitting device that is reduced in cost despite being a light-emitting device using the fiber grating 14.

【0049】また、偏波保持機能を有する光ファイバに
回折格子が形成されたファイバグレーティング14を採
用すれば、レーザ発振する光の偏光方向を一方向に規定
できる。このため、光アイソレータ42として、偏波依
存型アイソレータを使用できる。故に、発光デバイスの
一層の低コスト化を図ることができる。
If a fiber grating 14 having a diffraction grating formed on an optical fiber having a polarization maintaining function is used, the polarization direction of laser-oscillated light can be defined in one direction. Therefore, a polarization dependent type isolator can be used as the optical isolator 42. Therefore, the cost of the light emitting device can be further reduced.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わる発光デバイスは、窓を有するハウジングと、半導体
光増幅器と、この半導体光増幅器に光学的に結合された
第1の端部および窓に結合された第2の端部を有するフ
ァイバグレーティングとを備える。
As described in detail above, the light emitting device according to the present invention comprises a housing having a window, a semiconductor optical amplifier, a first end optically coupled to the semiconductor optical amplifier, and a window. And a fiber grating having a second end coupled to the fiber grating.

【0051】したがって、半導体光増幅器および光ファ
イバの間の位置合わせを確保しつつ、より高度な気密性
を達成可能な発光デバイスが提供される。
Accordingly, there is provided a light emitting device capable of achieving higher airtightness while ensuring alignment between the semiconductor optical amplifier and the optical fiber.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、レーザモジュールの斜視図であり、そ
の内部の様子が明らかになるように一部破断図になって
いる。
FIG. 1 is a perspective view of a laser module, which is partially cut away so that the state inside the laser module becomes clear.

【図2】図2は、レーザモジュール主要部を表し図1の
I−I断面における断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a main part of the laser module, taken along a line II in FIG. 1;

【図3】図3は、半導体光増幅器の斜視図を示してい
る。
FIG. 3 is a perspective view of a semiconductor optical amplifier.

【図4】図4は、別のレーザモジュール主要部を表し図
1のI−I断面における断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1 showing another main part of the laser module;

【図5】図5は、発光デバイスの光学的な結合構成を示
す模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an optical coupling configuration of a light emitting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…レーザモジュール、10…レーザモジュール主要
部、12…ハウジング、14…光ファイバ、16、18
…半導体光学素子、22、24、26…搭載部材、28
…位置合わせ機構部、30…フェルール、32、34、
36…第1〜第3の支持部材、38a…レンズ、38b
…ハーメチックガラス、40…レンズ保持部材、40a
…レンズ、42…光アイソレータ、44…フェルール、
46…スリーブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser module, 10 ... Main part of laser module, 12 ... Housing, 14 ... Optical fiber, 16, 18
... Semiconductor optical elements, 22, 24, 26 ... Mounting members, 28
... Position alignment mechanism, 30 ... Ferrule, 32, 34,
36 ... first to third support members, 38a ... lens, 38b
... hermetic glass, 40 ... lens holding member, 40a
... Lens, 42 ... Optical isolator, 44 ... Ferrule,
46 ... Sleeve

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H037 BA02 BA03 BA04 BA11 BA32 BA34 CA06 CA33 5F073 AB11 AB27 AB28 AB30 FA06 FA29 FA30  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 2H037 BA02 BA03 BA04 BA11 BA32 BA34 CA06 CA33 5F073 AB11 AB27 AB28 AB30 FA06 FA29 FA30

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の端部および第2の端部を持つ光導
波路に設けられた回折格子を有する光学部品と、 前記光導波路の前記第1の端部と光学的に結合される光
放出面、および光反射面を有し、キャリアが注入される
と光を発生する半導体光増幅器と、 前記光導波路の前記第2の端部からの光が透過可能な窓
を有し、前記光学部品および前記半導体光増幅器を気密
に収納するハウジングと、を備える発光デバイス。
An optical component having a diffraction grating provided in an optical waveguide having a first end and a second end; and light optically coupled to the first end of the optical waveguide. A semiconductor optical amplifier having an emission surface and a light reflection surface and generating light when carriers are injected; and a window through which light from the second end of the optical waveguide can be transmitted; A light-emitting device comprising: a housing that hermetically accommodates components and the semiconductor optical amplifier.
【請求項2】 前記ハウジングが有する窓を介して前記
光導波路の前記第2の端部へ光学的に結合される第3の
端部を有する光ファイバと、を更に備える請求項2に記
載の発光デバイス。
2. The optical fiber of claim 2, further comprising: a third end optically coupled to the second end of the optical waveguide through a window of the housing. Light emitting device.
【請求項3】 前記光ファイバと前記光学部品との間に
設けられた光アイソレータを更に備える請求項3に記載
の発光デバイス。
3. The light emitting device according to claim 3, further comprising an optical isolator provided between said optical fiber and said optical component.
【請求項4】 前記光学部品は、偏波保持機能を有する
コア部と、このコア部に設けられた回折格子とを有する
光ファイバを含み、 前記光アイソレータは偏波依存型アイソレータである、
請求項3に記載の発光デバイス。
4. The optical component includes an optical fiber having a core having a polarization maintaining function and a diffraction grating provided on the core, wherein the optical isolator is a polarization dependent isolator.
The light emitting device according to claim 3.
【請求項5】 前記ハウジングが有する窓は、前記光導
波路の前記第2の端部からの光を前記光ファイバの前記
第3の端部に導くことができるレンズを含む、請求項2
または請求項3に記載の発光デバイス。
5. The window of the housing includes a lens capable of guiding light from the second end of the optical waveguide to the third end of the optical fiber.
Alternatively, the light emitting device according to claim 3.
【請求項6】 前記光導波路の前記第2の端部および前
記光ファイバの前記第3の端部は、それぞれ、レンズ化
された端部を有する、請求項2に記載の発光デバイス。
6. The light emitting device according to claim 2, wherein the second end of the optical waveguide and the third end of the optical fiber each have a lensed end.
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