JP2000323456A - Plasma processing device and electrode used therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板等の基
板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置およびそれに
用いられる電極に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a plasma processing apparatus for performing plasma processing on a substrate such as a semiconductor substrate and an electrode used for the plasma processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板である半導体ウエハに対して、エ
ッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等
のプラズマ処理が多用されている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, for example, plasma processing such as etching, sputtering, and CVD (chemical vapor deposition) is frequently used on a semiconductor wafer as a substrate to be processed.
【０００３】このようなプラズマ処理を行うためのプラ
ズマ処理装置としては、種々のものが用いられている
が、その中でも容量結合型平行平板プラズマ処理装置が
主流である。Various types of plasma processing apparatuses have been used for performing such plasma processing, and among them, a capacitively coupled parallel plate plasma processing apparatus is mainly used.
【０００４】容量結合型平行平板プラズマ処理装置は、
チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電
極）を配置し、処理ガスをチャンバー内に導入するとと
もに、電極の少なくとも一方に高周波を印加して電極間
に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガス
のプラズマを形成して半導体ウエハに対してプラズマ処
理を施す。A capacitively coupled parallel plate plasma processing apparatus is
A pair of parallel plate electrodes (upper and lower electrodes) are arranged in the chamber, a processing gas is introduced into the chamber, and a high frequency is applied to at least one of the electrodes to form a high-frequency electric field between the electrodes. To form a plasma of a processing gas to perform plasma processing on the semiconductor wafer.
【０００５】このような容量結合型平行平板プラズマ処
理装置により半導体ウエハ上の膜、例えば酸化膜をエッ
チングする場合には、チャンバー内を中圧にして、中密
度プラズマを形成することにより、最適ラジカル制御が
可能であり、それによって適切なプラズマ状態を得るこ
とができ、高い選択比で、安定性および再現性の高いエ
ッチングを実現している。When a film on a semiconductor wafer, for example, an oxide film, is etched by such a capacitively coupled parallel plate plasma processing apparatus, the pressure inside the chamber is set to a medium pressure to form a medium-density plasma, thereby obtaining an optimum radical. Control is possible, whereby an appropriate plasma state can be obtained, and etching with high selectivity, high stability and high reproducibility is realized.
【０００６】しかしながら、近年、ＵＳＬＩにおけるデ
ザインルールの微細化がますます進み、ホール形状のア
スペクト比もより高いものが要求されており、酸化膜の
エッチング等において従来の条件では必ずしも十分とは
いえなくなりつつある。However, in recent years, design rules in the USLI have been increasingly miniaturized, and a higher aspect ratio of the hole shape has been demanded, and the conventional conditions for etching an oxide film and the like are not always sufficient. It is getting.
【０００７】そこで、印加する高周波電力の周波数を上
昇させ、良好なプラズマの解離状態を維持しつつ、高密
度プラズマを形成することが試みられている。これによ
り、より低圧の条件下で適切なプラズマを形成すること
ができるので、さらなるデザインルールの微細化に適切
に対応することが可能となる。Therefore, attempts have been made to increase the frequency of the high-frequency power to be applied and to form high-density plasma while maintaining a good plasma dissociation state. As a result, appropriate plasma can be formed under lower pressure conditions, so that it is possible to appropriately cope with further miniaturization of design rules.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者の
検討結果によれば、このようなプラズマ処理装置におい
ては、上部電極が導電体または半導体であるため、以下
のような不都合が生じることが判明した。According to the results of studies by the present inventors, in such a plasma processing apparatus, since the upper electrode is made of a conductor or a semiconductor, the following inconveniences may occur. found.
【０００９】上述したように高密度プラズマを形成する
ために印加周波数を上昇させると、高周波が印加される
電極における表面のインダクタンスを無視することがで
きなくなり、径方向での電界分布が不均一になる。As described above, when the applied frequency is increased to form high-density plasma, the inductance of the surface of the electrode to which a high frequency is applied cannot be ignored, and the electric field distribution in the radial direction becomes non-uniform. Become.
【００１０】また、このようにプラズマを高密度化する
とプラズマの非線形性の特性が顕著に現れ、プラズマか
らの反射波の高調波が増加する。そして、電極径がφ２
５０〜φ３００となると、このような高調波により電極
表面に定在波が生成され、やはり電極表面の電界分布が
不均一になる。[0010] When the density of the plasma is increased as described above, the non-linear characteristics of the plasma remarkably appear, and the harmonics of the reflected wave from the plasma increase. And the electrode diameter is φ2
When the diameter is in the range of 50 to φ300, a standing wave is generated on the electrode surface due to such harmonics, and the electric field distribution on the electrode surface also becomes uneven.
【００１１】このように電界分布が不均一になるとプラ
ズマ密度が不均一となってエッチングレート分布が不均
一となるため、上記いずれかの電界分布不均一の原因を
取り除いてエッチングレート分布を均一にすることが必
要となる。If the electric field distribution becomes non-uniform as described above, the plasma density becomes non-uniform and the etching rate distribution becomes non-uniform. Therefore, any of the above-mentioned causes of the non-uniform electric field distribution is eliminated to make the etching rate distribution uniform. It is necessary to do.
【００１２】しかしながら、従来、このような高密度プ
ラズマを用いた場合の問題点が必ずしも明確に認識され
ていたわけではなく、上記のような電界分布不均一を解
消しようとする試みは未だなされていない。However, conventionally, the problem in the case of using such high-density plasma has not always been clearly recognized, and no attempt has been made to solve the above-mentioned non-uniform electric field distribution. .
【００１３】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、より微細化に対応可能な高密度プラズマを用
いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布
の不均一を小さくすることが可能なプラズマ処理装置お
よびそれに用いられる電極を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to reduce the non-uniformity of the electric field distribution on the electrode surface in the plasma processing using high-density plasma capable of coping with miniaturization. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and an electrode used therein.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、チャンバー内に第１
および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極
に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持された
チャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第
２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマ
を生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラ
ズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記第１の
電極は、第２の電極に対向するように設けられた電極板
を備え、この電極板は、導電体または半導体で構成され
た外側部分と、誘電体部材または外側部分より高抵抗の
高抵抗部材で構成された中央部分とを有し、前記第１の
電極には、その前記第２の電極と反対側の面から高周波
電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置が
提供される。According to a first aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising:
And the second electrode is provided in parallel with each other, and the first and second electrodes are introduced while a processing gas is introduced into a chamber held under reduced pressure while the substrate to be processed is supported by the second electrode. A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field therebetween and performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed by the plasma, wherein the first electrode is opposed to a second electrode. The electrode plate has an outer portion formed of a conductor or a semiconductor, and a central portion formed of a dielectric member or a high-resistance member having a higher resistance than the outer portion. A plasma processing apparatus is provided, wherein high-frequency power is applied to the first electrode from a surface opposite to the second electrode.
【００１５】前記電極板の前記中央部分が高抵抗体であ
る場合に、この中央部分の以下の（１）式で表されるス
キンデップスδが、前記電極板の中央部分の厚さよりも
大きいことが好ましい。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率When the central portion of the electrode plate is a high-resistance body, the skin depth δ of the central portion expressed by the following equation (1) is larger than the thickness of the central portion of the electrode plate. Is preferred. δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
【００１６】また、前記電極板の外側部分および中央部
分がいずれもＳｉからなり、ドーパントのドープ量を異
ならせることにより低抵抗の外側部分と高抵抗の中央部
分とを形成することが好ましい。It is preferable that both the outer portion and the central portion of the electrode plate are made of Si, and the low-resistance outer portion and the high-resistance central portion are formed by changing the doping amount of the dopant.
【００１７】本発明の第２の観点によれば、チャンバー
内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第
２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保
持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１
および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスの
プラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所
定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前
記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けられ
た、導電体または半導体で構成された電極板を備え、誘
電体部材または電極板より高抵抗の高抵抗部材がこの電
極板の第２の電極側と反対側の面の中央部に接するよう
に設けられ、前記第１の電極には、その前記第２の電極
と反対側の面から高周波電力が印加されることを特徴と
するプラズマ処理装置が提供される。According to a second aspect of the present invention, a first electrode and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and the substrate is held under reduced pressure while the substrate to be processed is supported by the second electrode. While introducing the processing gas into the chamber,
A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the first electrode and the second electrode, and performing a predetermined plasma processing on the substrate to be processed by the plasma; An electrode plate made of a conductor or a semiconductor is provided so as to oppose the electrode of the above, and a high resistance member having a higher resistance than the dielectric member or the electrode plate is on the opposite side of the second electrode side of the electrode plate. The plasma processing apparatus is provided so as to be in contact with a central portion of the surface of the first electrode, and high-frequency power is applied to the first electrode from a surface opposite to the second electrode. .
【００１８】この場合に、前記電極板は、以下の（１）
式で表されるスキンデップスδが、電極板の厚さよりも
大きいことが好ましい。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率In this case, the electrode plate has the following (1)
It is preferable that the skin depth δ represented by the formula is larger than the thickness of the electrode plate. δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
【００１９】本発明の第３の観点によれば、チャンバー
内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第
２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保
持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１
および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスの
プラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所
定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前
記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けられ
た、導電体または半導体で構成された電極板と、電極板
の第２の電極に対向する面に形成された絶縁層とを有
し、前記第１の電極には、その前記第２の電極と反対側
の面から高周波電力が印加されることを特徴とするプラ
ズマ処理装置が提供される。According to a third aspect of the present invention, a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and the substrate to be processed is held under reduced pressure with the second electrode supporting the substrate to be processed. While introducing the processing gas into the chamber,
A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the first electrode and the second electrode, and performing a predetermined plasma processing on the substrate to be processed by the plasma; An electrode plate made of a conductor or a semiconductor, provided so as to face the first electrode, and an insulating layer formed on a surface of the electrode plate facing the second electrode, wherein the first electrode A plasma processing apparatus to which high-frequency power is applied from a surface opposite to the second electrode.
【００２０】本発明の第４の観点によれば、チャンバー
内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第
２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保
持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１
および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスの
プラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所
定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前
記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けられ
た、導電体または半導体で構成された電極板を備え、電
磁波吸収効果を有する部材がこの電極板の第２の電極側
と反対側の面の中央部に接するように設けられ、前記第
１の電極には、その前記第２の電極と反対側の面から高
周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装
置が提供される。According to a fourth aspect of the present invention, a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and the substrate to be processed is held under reduced pressure with the second electrode supporting a substrate to be processed. While introducing the processing gas into the chamber,
A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the first electrode and the second electrode, and performing a predetermined plasma processing on the substrate to be processed by the plasma; Provided with an electrode plate made of a conductor or a semiconductor, provided so as to face the electrode of the above, and a member having an electromagnetic wave absorbing effect is in contact with the center of the surface of the electrode plate opposite to the second electrode side. And a high-frequency power is applied to the first electrode from a surface opposite to the second electrode.
【００２１】上記各プラズマ装置において、前記第１の
電極に印加される高周波電力の周波数が２７ＭＨｚ以上
であり、形成されるプラズマの密度が１×１０１１個／
ｃｍ ３以上であることが好ましい。In each of the above plasma devices, the first
The frequency of the high-frequency power applied to the electrode is 27 MHz or more
And the density of the formed plasma is 1 × 1011Pieces/
cm 3It is preferable that it is above.
【００２２】本発明の第５の観点によれば、チャンバー
内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第
２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保
持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１
および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスの
プラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所
定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の第１の電極
として用いられる電極であって、第２の電極に対向する
ように設けられる電極板を備え、この電極板は、導電体
または半導体で構成された外側部分と、誘電体部材また
は外側部分より高抵抗の高抵抗部材で構成された中央部
分とを有し、該電極には、その前記第２の電極と反対側
となる面から高周波電力が印加されることを特徴とする
電極が提供される。According to a fifth aspect of the present invention, a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and the substrate is held under reduced pressure while the substrate to be processed is supported by the second electrode. While introducing the processing gas into the chamber,
An electrode used as a first electrode of a plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the second electrode and the second electrode and performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed by the plasma; An electrode plate provided to face the second electrode, the electrode plate comprising an outer portion made of a conductor or a semiconductor, and a dielectric member or a high-resistance member having a higher resistance than the outer portion. A central portion, wherein high-frequency power is applied to the electrode from a surface opposite to the second electrode.
【００２３】前記電極板の前記中央部分が高抵抗体であ
る場合に、この中央部分の以下の（１）式で表されるス
キンデップスδが、電極板の中央部分の厚さよりも大き
いことが好ましい。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率When the central portion of the electrode plate is a high-resistance body, the skin depth δ of the central portion expressed by the following equation (1) is larger than the thickness of the central portion of the electrode plate. preferable. δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
【００２４】また、前記電極板の外側部分および中央部
分がいずれもＳｉからなり、ドーパントのドープ量を異
ならせることにより低抵抗の外側部分と高抵抗の中央部
分とを形成することが好ましい。Further, it is preferable that both the outer portion and the central portion of the electrode plate are made of Si, and the low-resistance outer portion and the high-resistance central portion are formed by changing the doping amount of the dopant.
【００２５】本発明の第６の観点によれば、チャンバー
内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第
２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保
持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１
および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスの
プラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所
定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の第１の電極
として用いられる電極であって、第２の電極に対向する
ように設けられる、導電体または半導体で構成された電
極板を備え、誘電体部材または電極板より高抵抗の高抵
抗部材がこの電極板の第２の電極側となる面と反対側の
面の中央部に接するように設けられ、該電極には、その
前記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印加
されることを特徴とする電極が提供される。According to a sixth aspect of the present invention, a first electrode and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and the substrate is held under reduced pressure while the substrate to be processed is supported by the second electrode. While introducing the processing gas into the chamber,
An electrode used as a first electrode of a plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the second electrode and the second electrode and performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed by the plasma; An electrode plate made of a conductor or a semiconductor is provided to face the second electrode, and a high-resistance member having a higher resistance than the dielectric member or the electrode plate is on the second electrode side of the electrode plate. The electrode is provided so as to be in contact with the central portion of the surface opposite to the surface, and high-frequency power is applied to the electrode from the surface opposite to the second electrode. .
【００２６】この場合に、前記電極板は、以下の（１）
式で表されるスキンデップスδが、電極板の厚さよりも
大きいことが好ましい。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率In this case, the electrode plate has the following (1)
It is preferable that the skin depth δ represented by the formula is larger than the thickness of the electrode plate. δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
【００２７】本発明の第７の観点によれば、チャンバー
内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第
２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保
持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１
および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスの
プラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所
定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の第１の電極
として用いられる電極であって、第２の電極に対向する
ように設けられる、導電体または半導体で構成された電
極板と、電極板の第２の電極に対向する面に形成された
絶縁層とを有し、該電極には、その前記第２の電極と反
対側となる面から高周波電力が印加されることを特徴と
する電極が提供される。According to a seventh aspect of the present invention, a first electrode and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and the substrate is held under reduced pressure while the substrate to be processed is supported by the second electrode. While introducing the processing gas into the chamber,
An electrode used as a first electrode of a plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the second electrode and the second electrode and performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed by the plasma; An electrode plate made of a conductor or a semiconductor, provided to face the second electrode, and an insulating layer formed on a surface of the electrode plate facing the second electrode; And an electrode to which high-frequency power is applied from a surface opposite to the second electrode.
【００２８】本発明の第８の観点によれば、チャンバー
内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第
２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保
持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１
および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスの
プラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所
定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に第１の電極
として用いられる電極であって、第２の電極に対向する
ように設けられる、導電体または半導体で構成された電
極板を備え、電磁波吸収効果を有する部材がこの電極板
の第２の電極側となる面と反対側の面の中央部に接する
ように設けられ、該電極には、その前記第２の電極と反
対側となる面から高周波電力が印加されることを特徴と
する電極が提供される。According to an eighth aspect of the present invention, first and second electrodes are provided in a chamber in parallel with each other, and the substrate is held under reduced pressure while the substrate to be processed is supported by the second electrodes. While introducing the processing gas into the chamber,
An electrode used as a first electrode in a plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the second electrode and the processing gas and performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed by the plasma; An electrode plate made of a conductor or a semiconductor is provided so as to face the second electrode, and a member having an electromagnetic wave absorbing effect is provided on a surface of the electrode plate opposite to the surface facing the second electrode. There is provided an electrode provided so as to be in contact with a central portion, wherein high-frequency power is applied to the electrode from a surface opposite to the second electrode.
【００２９】上記各電極において、印加される高周波電
力の周波数が２７ＭＨｚ以上であり、プラズマの密度が
１×１０１１個／ｃｍ３以上で使用されることが好まし
い。In each of the above electrodes, it is preferable that the frequency of the applied high frequency power is 27 MHz or more and the plasma density is 1 × 10 11 / cm 3 or more.
【００３０】上記本発明の第１の観点および第５の観点
によれば、第１の電極の中央部分が誘電体部材または外
側部分より高抵抗の高抵抗部材で構成されることによ
り、誘電体部材の場合には、その容量成分により電極板
のプラズマと接する面の径方向のインダクタンス成分を
打ち消すことができ、位相によるインピーダンスの変化
をほとんどなくすることができるので、また高抵抗部材
の場合には、そこでより多くの高周波電力がジュール熱
として消費されるので、電極板のプラズマと接する面の
中央部の電界強度を低下させることができ、電極板の表
面からプラズマへ供給される電界が均一となってプラズ
マ密度を均一にすることができる。According to the first and fifth aspects of the present invention, the central portion of the first electrode is formed of a dielectric member or a high-resistance member having a higher resistance than the outer portion. In the case of a member, the capacitance component can cancel the radial inductance component of the surface of the electrode plate in contact with the plasma, and the impedance change due to the phase can be almost eliminated. Since more high-frequency power is consumed as Joule heat there, the electric field strength at the center of the electrode plate in contact with the plasma can be reduced, and the electric field supplied to the plasma from the electrode plate surface is uniform. Thus, the plasma density can be made uniform.
【００３１】上記本発明の第２の観点および第６の観点
によれば、電極板の第２の電極側と反対側の面の中央部
に接するように誘電体部材または電極板より高抵抗の高
抵抗部材が設け、かつ誘電体部材または高抵抗部材に高
周波電力が供給されるようにすることにより、誘電体部
材の場合には、その容量成分により電極板のプラズマと
接する面の径方向のインダクタンス成分を打ち消すこと
ができ、位相によるインピーダンスの変化をほとんどな
くすることができるので、また高抵抗部材の場合には、
そこでより多くの高周波電力がジュール熱として消費さ
れるので、いずれも電極板のプラズマと接する面の中央
部の電界強度を低下させることができ、電極板の表面か
らプラズマへ供給される電界が均一となってプラズマ密
度を均一にすることができる。また、電極板を２体化す
る必要がなく、従来と同様の一体的な導体または半導体
からなる電極板を使用することができる。According to the second and sixth aspects of the present invention, the electrode plate has a higher resistance than the dielectric member or the electrode plate so as to be in contact with the center of the surface opposite to the second electrode side of the electrode plate. By providing a high-resistance member and supplying high-frequency power to the dielectric member or the high-resistance member, in the case of the dielectric member, the capacitance component thereof causes the electrode plate to come into contact with the plasma in the radial direction. Since the inductance component can be canceled and the impedance change due to the phase can be almost eliminated, and in the case of a high resistance member,
Since more high-frequency power is consumed as Joule heat, the electric field intensity at the center of the electrode plate in contact with the plasma can be reduced, and the electric field supplied from the electrode plate surface to the plasma is uniform. Thus, the plasma density can be made uniform. Further, it is not necessary to form the electrode plate into two, and an electrode plate made of an integral conductor or semiconductor as in the related art can be used.
【００３２】上記本発明の第３の観点および第７の観点
によれば、第１の電極が、導電体または半導体で構成さ
れた電極板と、電極板の第２の電極に対向する面に形成
された絶縁層とを有するので、プラズマと電極板とが絶
縁層を介して容量結合することとなり、結果として電極
板のプラズマと接触する面の径方向のインダクタンス成
分を絶縁層の容量成分で打ち消すことができる。したが
って、電極板のプラズマと接触する面において位相によ
るインピーダンスＺの大きさの変化をほとんどなくすこ
とができ、電極下面からプラズマへ印加される電界が均
一になってプラズマ密度を均一にすることができる。According to the third and seventh aspects of the present invention, the first electrode is formed on the electrode plate made of a conductor or a semiconductor and on the surface of the electrode plate facing the second electrode. With the formed insulating layer, the plasma and the electrode plate are capacitively coupled via the insulating layer, and as a result, the radial inductance component of the surface of the electrode plate contacting the plasma is determined by the capacitance component of the insulating layer. Can be countered. Therefore, a change in the magnitude of the impedance Z due to the phase on the surface of the electrode plate in contact with the plasma can be almost eliminated, and the electric field applied to the plasma from the lower surface of the electrode becomes uniform, so that the plasma density can be made uniform. .
【００３３】上記本発明の第４の観点および第８の観点
によれば、電極板の第２の電極側と反対側の面の中央部
に接するように電磁波吸収効果を有する部材が設けられ
ており、このような電磁波吸収効果を有する部材は高周
波を吸収する機能を有するので、この電磁波吸収効果を
有する部材によりプラズマからの高調波を吸収すること
ができる。これにより電極板のプラズマと接触する面に
形成されていた定在波が解消され、電極板のプラズマと
接触する面の電界分布が均一となり、プラズマ密度を均
一にすることができる。According to the fourth and eighth aspects of the present invention, a member having an electromagnetic wave absorbing effect is provided so as to be in contact with the center of the surface of the electrode plate opposite to the second electrode. Since a member having such an electromagnetic wave absorbing effect has a function of absorbing a high frequency, harmonics from plasma can be absorbed by the member having the electromagnetic wave absorbing effect. As a result, the standing wave formed on the surface of the electrode plate that contacts the plasma is eliminated, the electric field distribution on the surface of the electrode plate that contacts the plasma becomes uniform, and the plasma density can be made uniform.
【００３４】[0034]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るプラズマ処理装置を模式的に示す断面図であ
る。このプラズマ処理装置１は、電極板が上下平行に対
向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容量結合
型平行平板エッチング装置として構成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view schematically showing a plasma processing apparatus according to one embodiment of the present invention. The plasma processing apparatus 1 is configured as a capacitively-coupled parallel flat plate etching apparatus in which electrode plates are vertically opposed to each other and one side is connected to a power supply for plasma formation.
【００３５】このプラズマ処理装置１は、例えば表面が
アルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムか
らなる円筒形状に成形されたチャンバー２を有してお
り、このチャンバー２は接地されている。前記チャンバ
ー２内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、
被処理体、例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」とい
う）Ｗを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が
設けられており、さらにこのサセプタ支持台４の上に
は、下部電極を構成するサセプタ５が設けられている。
このサセプタ５にはハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が
接続されている。The plasma processing apparatus 1 has a cylindrical chamber 2 made of aluminum whose surface is anodized (anodized), for example, and the chamber 2 is grounded. On the bottom of the chamber 2 via an insulating plate 3 made of ceramic or the like,
A substantially columnar susceptor support 4 for mounting an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) W, is provided, and a lower electrode is formed on the susceptor support 4. Susceptor 5 is provided.
A high-pass filter (HPF) 6 is connected to the susceptor 5.
【００３６】前記サセプタ支持台４の内部には、冷媒室
７が設けられており、この冷媒室７には、例えば液体窒
素などの冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環
し、その冷熱が前記サセプタ５を介して前記ウエハＷに
対して伝熱され、これによりウエハＷの処理面が所望の
温度に制御される。A coolant chamber 7 is provided inside the susceptor support 4. In the coolant chamber 7, a coolant such as liquid nitrogen is introduced and circulated through a coolant introduction pipe 8. Cold heat is transferred to the wafer W via the susceptor 5, whereby the processing surface of the wafer W is controlled to a desired temperature.
【００３７】前記サセプタ５は、その上中央部が凸状の
円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チ
ャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶
縁材の間に電極１２が介在されており、電極１２に接続
された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が
印加されることにより、例えばクーロン力によってウエ
ハＷを静電吸着する。The susceptor 5 is formed in a disk shape having a convex upper central portion, and an electrostatic chuck 11 having substantially the same shape as the wafer W is provided thereon. The electrostatic chuck 11 has an electrode 12 interposed between insulating materials. When a DC voltage of, for example, 1.5 kV is applied from a DC power supply 13 connected to the electrode 12, the electrostatic chuck 11 holds the wafer W by, for example, Coulomb force. Adsorb electrostatically.
【００３８】そして、前記絶縁板３、サセプタ支持台
４、サセプタ５、さらには前記静電チャック１１には、
被処理体であるウエハＷの裏面に、伝熱媒体、例えばＨ
ｅガスなどを供給するためのガス通路１４が形成されて
おり、この伝熱媒体を介してサセプタ５の冷熱がウエハ
Ｗに伝達されウエハＷが所定の温度に維持されるように
なっている。The insulating plate 3, the susceptor support 4, the susceptor 5, and the electrostatic chuck 11
A heat transfer medium, for example, H
A gas passage 14 for supplying e-gas or the like is formed, and the cool heat of the susceptor 5 is transmitted to the wafer W via the heat transfer medium, so that the wafer W is maintained at a predetermined temperature.
【００３９】前記サセプタ５の上端周縁部には、静電チ
ャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状
のフォーカスリング１５が配置されている。このフォー
カスリング１５はシリコンなどの導電性材料からなって
おり、これによりエッチングの均一性が向上される。An annular focus ring 15 is arranged on the peripheral edge of the upper end of the susceptor 5 so as to surround the wafer W mounted on the electrostatic chuck 11. The focus ring 15 is made of a conductive material such as silicon, so that the uniformity of etching is improved.
【００４０】前記サセプタ５の上方には、このサセプタ
５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。こ
の上部電極２１は、絶縁材２５を介して、チャンバー２
の上部に支持されており、サセプタ５との対向面を構成
し、多数の吐出孔２４を有する電極板２３と、この電極
板２３を支持し、導電性材料、例えば表面がアルマイト
処理されたアルミニウムからなる水冷構造の電極支持体
２２とによって構成されている。この電極２１の詳細な
構成については後述する。なお、サセプタ５と上部電極
２１とは、例えば１０〜６０ｍｍ程度離間している。An upper electrode 21 is provided above the susceptor 5 so as to face the susceptor 5 in parallel. The upper electrode 21 is connected to the chamber 2 via an insulating material 25.
And an electrode plate 23 having a surface facing the susceptor 5 and having a large number of discharge holes 24, and a conductive material that supports the electrode plate 23, such as aluminum whose surface is anodized. And an electrode support 22 having a water cooling structure. The detailed configuration of the electrode 21 will be described later. The susceptor 5 and the upper electrode 21 are separated from each other by, for example, about 10 to 60 mm.
【００４１】前記上部電極２１における電極支持体２２
にはガス導入口２６が設けられ、さらにこのガス導入口
２６には、ガス供給管２７が接続されており、このガス
供給管２７には、バルブ２８、およびマスフローコント
ローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接続されて
いる。処理ガス供給源３０から、プラズマ処理、例えば
エッチングのための処理ガスが供給される。The electrode support 22 of the upper electrode 21
Is provided with a gas inlet 26, and a gas supply pipe 27 is connected to the gas inlet 26. The gas supply pipe 27 is connected to a processing gas via a valve 28 and a mass flow controller 29. A source 30 is connected. A processing gas for plasma processing, for example, etching is supplied from the processing gas supply source 30.
【００４２】処理ガスとしては、従来用いられている種
々のものを採用することができ、例えばフロロカーボン
ガス（ＣｘＦｙ）やハイドロフロロカーボンガス（Ｃｐ
ＨｑＦｒ）のようなハロゲン元素を含有するガスを好適
に用いることができる。他にＡｒ、Ｈｅ等の希ガスやＮ
２を添加してもよい。[0042] As the processing gas, it is possible to employ any of various conventionally used, for example, fluorocarbon gas (C x F y) and hydrofluorocarbon gases (C p
H q F r) a halogen element such as can be suitably used a gas containing a. In addition, rare gases such as Ar and He and N
2 may be added.
【００４３】前記チャンバー２の底部には排気管３１が
接続されており、この排気管３１には排気装置３５が接
続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなどの
真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内を
所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力まで
真空引き可能なように構成されている。また、チャンバ
ー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、こ
のゲートバルブ３２を開にした状態でウエハＷが隣接す
るロードロック室（図示せず）との間で搬送されるよう
になっている。An exhaust pipe 31 is connected to the bottom of the chamber 2, and an exhaust device 35 is connected to the exhaust pipe 31. The exhaust device 35 is provided with a vacuum pump such as a turbo-molecular pump, so that the inside of the chamber 2 can be evacuated to a predetermined reduced-pressure atmosphere, for example, a predetermined pressure of 1 Pa or less. Further, a gate valve 32 is provided on a side wall of the chamber 2, and the wafer W is transferred to and from an adjacent load lock chamber (not shown) with the gate valve 32 opened. ing.
【００４４】上部電極２１には、整合器４１を介して第
１の高周波電源４０が接続されており、その際の給電は
上部電極２１の上面中央部に接続された給電棒３３によ
り行われる。また、上部電極２１にはローパスフィルタ
ー（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波
電源４０は、２７〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有し
ており、このように高い周波数を印加することによりチ
ャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズ
マを形成することができ、低圧条件下のプラズマ処理が
可能となる。この例では、高周波電源４０として６０Ｍ
Ｈｚのものを用いている。A first high-frequency power supply 40 is connected to the upper electrode 21 via a matching device 41. At this time, power is supplied by a power supply rod 33 connected to the center of the upper surface of the upper electrode 21. Further, a low-pass filter (LPF) 42 is connected to the upper electrode 21. The first high-frequency power supply 40 has a frequency in the range of 27 to 150 MHz. By applying such a high frequency, a high-density plasma can be formed in a preferable dissociated state in the chamber 2. Thus, plasma processing under low pressure conditions becomes possible. In this example, the high frequency power supply 40
Hz.
【００４５】下部電極としてのサセプタ５には、第２の
高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合
器５１が介在されている。この第２の高周波電源５０は
１〜４ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このような
範囲の周波数を印加することにより、被処理体であるウ
エハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン
作用を与えることができる。この例では、第２の高周波
電源５０として２ＭＨｚのものを用いている。A second high-frequency power supply 50 is connected to the susceptor 5 serving as a lower electrode, and a matching unit 51 is interposed in the power supply line. The second high-frequency power supply 50 has a frequency in the range of 1 to 4 MHz, and by applying a frequency in such a range, an appropriate frequency can be obtained without damaging the wafer W to be processed. It can give an ionic effect. In this example, a second high frequency power supply 50 of 2 MHz is used.
【００４６】次に、上部電極２１の構成について詳細に
説明する。上部電極２１の電極板２３は、通常、Ｓｉや
ＳｉＣ等の導電体または半導体で構成されており、高周
波電源４０から給電棒３３を介して供給される高周波電
流が高周波数化すると、表皮効果により電極の極表面に
しか電力が供給されず、図２に示すように、電力は給電
棒３３の表面、電極支持体２２の上面、電極支持体２２
の側面、電極板２３の側面を通ってプラズマ接触面であ
る電極板２３の下面に達する。この場合に、給電棒３３
は上部電極２１の中心に存在しているため、電極板２３
下面のエッジ部ではどこも電力が同じ位相であり、図３
に示すように、電極板２３のエッジ部から同位相で中心
方向へ徐々に電力が供給されるため、電極板２３の中心
とエッジ部とで位相差ｄ／λ（λは電極表面波の波長、
ｄは電極の半径）が生じる。印加周波数が高くなると、
電極板２３下面の径方向のインダクタンス（ＬωｊΩ）
を無視できなくなり、上記位相差による干渉作用によっ
て、電極板２３下面の中央部分のインピーダンスが低く
なるため、電極板２３下面の中心部分の電界強度がエッ
ジ部分の電界強度よりも高くなる。また、中心位置はプ
ラズマと接しているため、ＲＦ等価回路的には開放端と
なっている。したがって、プラズマへ供給される電界分
布が定在波的となり、プラズマ密度の不均一を生じる。Next, the configuration of the upper electrode 21 will be described in detail. The electrode plate 23 of the upper electrode 21 is usually made of a conductor or a semiconductor such as Si or SiC, and when a high-frequency current supplied from the high-frequency power supply 40 through the power supply rod 33 increases in frequency, a skin effect occurs. Electric power is supplied only to the pole surface of the electrode. As shown in FIG. 2, the electric power is supplied to the surface of the power supply rod 33, the upper surface of the electrode support 22, and the electrode support 22.
Through the side surface of the electrode plate 23 to the lower surface of the electrode plate 23 which is a plasma contact surface. In this case, the power supply rod 33
Is located at the center of the upper electrode 21 so that the electrode plate 23
At the edge of the lower surface, the power has the same phase everywhere.
As shown in FIG. 5, since power is gradually supplied in the same direction toward the center from the edge of the electrode plate 23, the phase difference d / λ (λ is the wavelength of the electrode surface wave) between the center and the edge of the electrode plate 23. ,
d is the radius of the electrode). As the applied frequency increases,
Radial inductance (LωjΩ) of the lower surface of the electrode plate 23
Cannot be ignored, and the impedance at the central portion of the lower surface of the electrode plate 23 becomes lower due to the interference effect due to the phase difference, so that the electric field intensity at the central portion of the lower surface of the electrode plate 23 becomes higher than the electric field intensity at the edge portion. Since the center position is in contact with the plasma, it is an open end in terms of an RF equivalent circuit. Accordingly, the distribution of the electric field supplied to the plasma becomes a standing wave, and the plasma density becomes non-uniform.
【００４７】このようなプラズマ密度の不均一を解消す
るために、第１の例では、図４に示すように、電極板２
３を、例えば５０ｍΩ・ｃｍ程度の低抵抗の導電体また
は半導体からなる外側部分６１と、誘電体からなる中央
部分６２とにより構成する。このように誘電体により中
央部分６２を構成することにより、その部分においてプ
ラズマとの間の容量成分が付加されることとなる。ここ
で、インピーダンスＺは Ｚ＝Ｌω−（１／Ｃω）ｊ （ただし、ω＝２πｆ
（ｆ：周波数）） で表すことできるから、誘電体部材６２の容量Ｃによ
り、インピーダンスＺにおける径方向のインダクタンス
成分（Ｌω）を容量成分（−１／Ｃω）で打ち消すこと
ができる。したがって、電極板２３下面中央部において
位相によるインピーダンスＺの大きさの変化をほとんど
なくすことができ、電極板２３下面中央部の電界強度が
低下し、電極下面からプラズマへ印加される電界が均一
になってプラズマ密度を均一にすることができる。In order to eliminate such non-uniformity of the plasma density, in the first example, as shown in FIG.
3 is constituted by an outer portion 61 made of a conductor or a semiconductor having a low resistance of, for example, about 50 mΩ · cm, and a central portion 62 made of a dielectric. By configuring the central portion 62 with the dielectric material in this manner, a capacitive component between the central portion 62 and the plasma is added at that portion. Here, the impedance Z is given by Z = Lω− (1 / Cω) j (where ω = 2πf
(F: frequency)), the capacitance C of the dielectric member 62 allows the radial inductance component (Lω) in the impedance Z to be canceled by the capacitance component (−1 / Cω). Therefore, a change in the magnitude of the impedance Z due to the phase at the center of the lower surface of the electrode plate 23 can be almost eliminated, the electric field intensity at the center of the lower surface of the electrode plate 23 decreases, and the electric field applied to the plasma from the lower surface of the electrode becomes uniform. As a result, the plasma density can be made uniform.
【００４８】なお、この際の誘電体からなる中央部分６
２の径は、電極２１の直径が３００ｍｍφの場合には、
１０〜５０ｍｍφが好ましい。また、中央部分６２を構
成する誘電体６２の誘電率は、Ｌωを打ち消すことがで
きる大きさであればよく、例えば誘電率３程度のポリイ
ミド系樹脂を適用することができる。さらに、外側部分
６１としては、従来から電極板材料として使用されてい
るＳｉ、ＳｉＣ等の導体または半導体を用いることがで
きる。In this case, the central portion 6 made of a dielectric is used.
2, when the diameter of the electrode 21 is 300 mmφ,
10 to 50 mmφ is preferred. Further, the dielectric constant of the dielectric body 62 forming the central portion 62 may be any size as long as Lω can be canceled out, and for example, a polyimide resin having a dielectric constant of about 3 can be applied. Further, as the outer portion 61, a conductor or a semiconductor such as Si or SiC conventionally used as an electrode plate material can be used.
【００４９】次に、上部電極２１の第２の例について説
明する。第２の例では、図５に示すように、電極板２３
を、例えば５０ｍΩ・ｃｍ程度の低抵抗の導電体または
半導体からなる外側部分６３と、例えば１〜１００Ω・
ｃｍの相対的に抵抗が高い高抵抗部材からなる中央部分
６４とにより構成する。このように高抵抗部材で中央部
分６４を構成することにより、その部分で電力が供給さ
れる部分の厚さ、いわゆるスキンデップスδが変化す
る。つまり、スキンデップスδは、 δ＝（２／ωσμ）１／２（ただし、σ：導電率、μ：
透磁率） と表すことができ、抵抗が大きくなって導電率σが低下
するとスキンデップスδが大きくなる。そして、高抵抗
部材６４のスキンデップスδがその厚さよりも大きくな
ると、図６に示すように高抵抗部材６４において高周波
電力がその裏面にも供給されることとなり、高周波電力
が高抵抗部材６４の裏面側から下面に達するまでの間に
ジュール熱となって放出されることとなる。これによ
り、電極板２３下面中央部において電界強度が低下する
こととなる。したがって、電極板２３の下面の電界強度
が均一となり、結果として電極下面からプラズマへ印加
される電界が均一になってプラズマ密度を均一にするこ
とができる。Next, a second example of the upper electrode 21 will be described. In the second example, as shown in FIG.
And an outer portion 63 made of a conductor or semiconductor having a low resistance of, for example, about 50 mΩ · cm,
and a central portion 64 made of a high-resistance member having a relatively high resistance of 5 cm. By forming the central portion 64 with the high-resistance member in this manner, the thickness of a portion to which power is supplied, that is, the so-called skin depth δ, changes. In other words, the skin depth δ is δ = (2 / ωσμ) 1/2 (where σ: conductivity, μ:
(Permeability). When the resistance increases and the conductivity σ decreases, the skin depth δ increases. When the skin depth δ of the high-resistance member 64 is larger than its thickness, high-frequency power is also supplied to the high-resistance member 64 on the back surface as shown in FIG. Joule heat is released from the back surface side to the bottom surface. As a result, the electric field intensity decreases at the center of the lower surface of the electrode plate 23. Therefore, the electric field intensity on the lower surface of the electrode plate 23 becomes uniform, and as a result, the electric field applied from the electrode lower surface to the plasma becomes uniform, and the plasma density can be made uniform.
【００５０】なお、この際の高抵抗部材からなる中央部
分６４の直径は、電極２１の直径が３００ｍｍφの場合
に５０〜２２０ｍｍφであることが好ましい。中央部分
６４を構成する高抵抗部材は、ボロン等のドーパントの
量を調整するだけで抵抗を調整することができることか
らＳｉで構成することが好ましい。また、外側部分６３
としては、従来から電極板材料として使用されているＳ
ｉ、ＳｉＣ等の導体または半導体を用いることができる
が、電極板２３全体をＳｉで構成し、ドーパント、例え
ばボロンのドープ量を変化させることにより外側部分６
３および高抵抗部材６４を形成することがより簡便であ
る。In this case, the diameter of the central portion 64 made of a high-resistance member is preferably 50 to 220 mmφ when the diameter of the electrode 21 is 300 mmφ. The high-resistance member forming the central portion 64 is preferably made of Si because the resistance can be adjusted only by adjusting the amount of a dopant such as boron. Also, the outer portion 63
As S which has been conventionally used as an electrode plate material
A conductor or semiconductor such as i or SiC can be used, but the entire electrode plate 23 is made of Si, and the outer portion 6 is formed by changing the doping amount of a dopant, for example, boron.
It is easier to form the third resistance member 64 and the high resistance member 64.
【００５１】次に、上部電極２１の第３の例について説
明する。この例では、図７に示すように、電極板２３の
裏面側中央に接するように誘電体部材６５を設けてい
る。ここでは電極板２３として例えば１〜１００Ω・ｃ
ｍの範囲の高抵抗の導電体または半導体を用い、スキン
デップスδが電極板２３の厚さよりも厚くなるようにす
る。これにより、高周波電力は電極板２３の裏面側にも
供給されるようになり、このように誘電体部材６５を電
極板２３の裏面中央部に配置することにより、その部分
においてプラズマとの間の容量成分が付加されることと
なる。したがって、第１の例と同様、インピーダンスＺ
における径方向のインダクタンス成分（Ｌω）を容量成
分（−１／Ｃω）で打ち消すことができる。このため、
電極板２３下面中央部において位相によるインピーダン
スＺの大きさの変化が小さくなり、電極板２３下面中央
部の電界強度が低下し、電極下面からプラズマへ印加さ
れる電界が均一になってプラズマ密度を均一にすること
ができる。この例の場合には、第１および第２の例のよ
うに電極板２３を２体化する必要がなく、従来と同様の
一体的な導体または半導体からなる電極板を使用するこ
とができる。Next, a third example of the upper electrode 21 will be described. In this example, as shown in FIG. 7, a dielectric member 65 is provided so as to be in contact with the center of the back surface of the electrode plate 23. Here, for example, 1 to 100 Ω · c is used as the electrode plate 23.
A high-resistance conductor or semiconductor in the range of m is used so that the skin depth δ is greater than the thickness of the electrode plate 23. As a result, the high-frequency power is also supplied to the back surface side of the electrode plate 23, and by arranging the dielectric member 65 at the center of the back surface of the electrode plate 23, the portion between the dielectric member 65 and the plasma at the portion is provided. A capacitance component will be added. Therefore, as in the first example, the impedance Z
Can be canceled by the capacitance component (−1 / Cω). For this reason,
The change in the magnitude of the impedance Z due to the phase at the center of the lower surface of the electrode plate 23 is reduced, the electric field strength at the center of the lower surface of the electrode plate 23 is reduced, and the electric field applied to the plasma from the electrode lower surface becomes uniform, thereby reducing the plasma density. It can be uniform. In the case of this example, it is not necessary to integrate the electrode plate 23 into two pieces as in the first and second examples, and it is possible to use an electrode plate made of an integral conductor or semiconductor as in the related art.
【００５２】なお、この際の誘電体部材６５の径は、電
極２１の直径が３００ｍｍφの場合には、５０〜２２０
ｍｍφが好ましい。また、誘電体部材６５の誘電率は、
Ｌωを打ち消すことができる大きさであればよく、例え
ば誘電率３程度のポリイミド系樹脂を適用することがで
きる。In this case, the diameter of the dielectric member 65 is 50 to 220 when the diameter of the electrode 21 is 300 mmφ.
mmφ is preferred. The dielectric constant of the dielectric member 65 is:
Any size can be used as long as Lω can be canceled out. For example, a polyimide resin having a dielectric constant of about 3 can be used.
【００５３】次に、上部電極２１の第４の例について説
明する。この例では、図８に示すように、電極板２３の
裏面側中央に接するように高抵抗部材６６を設けてい
る。ここでは電極板２３として例えば１〜１００Ω・ｃ
ｍの範囲の高抵抗のものを用い、スキンデップスδが電
極板２３の厚さよりも厚くなるようにする。これによ
り、高周波電力は電極板２３の裏面側にも供給されるよ
うになり、このように高抵抗部材６６を電極板２３の裏
面中央部に配置することにより、その部分に供給された
高周波電力が高抵抗部材６６においてジュール熱として
放出され、これにより、電極板２３下面中央部において
電界強度が低下することとなる。したがって、電極板２
３の下面の電界強度が均一となり、結果として電極下面
からプラズマへ印加される電界が均一になってプラズマ
密度を均一にすることができる。この例の場合にも、第
１および第２の例のように電極板２３を２体化する必要
がなく、従来と同様の一体的な導体または半導体からな
る電極板を使用することができる。Next, a fourth example of the upper electrode 21 will be described. In this example, as shown in FIG. 8, a high resistance member 66 is provided so as to be in contact with the center of the back side of the electrode plate 23. Here, for example, 1 to 100 Ω · c is used as the electrode plate 23.
m, and the skin depth δ is set to be larger than the thickness of the electrode plate 23. As a result, the high-frequency power is also supplied to the back side of the electrode plate 23, and by arranging the high-resistance member 66 at the center of the back surface of the electrode plate 23, the high-frequency power supplied to that portion is provided. Is released as Joule heat in the high-resistance member 66, whereby the electric field strength is reduced at the center of the lower surface of the electrode plate 23. Therefore, the electrode plate 2
3, the electric field intensity on the lower surface becomes uniform, and as a result, the electric field applied from the electrode lower surface to the plasma becomes uniform, and the plasma density can be made uniform. Also in the case of this example, it is not necessary to integrate the electrode plate 23 into two pieces as in the first and second examples, and it is possible to use an electrode plate made of an integral conductor or semiconductor as in the conventional case.
【００５４】なお、この際の高抵抗部材６６の直径は、
電極２１の直径が３００ｍｍφの場合に５０〜２２０ｍ
ｍφであることが好ましい。高抵抗部材６６はＳｉで構
成することによりボロン等のドーパントの量を調整する
だけで抵抗を調整することができるので好ましい。The diameter of the high resistance member 66 at this time is
50 to 220 m when the diameter of the electrode 21 is 300 mmφ
mφ is preferred. The high resistance member 66 is preferably made of Si because the resistance can be adjusted only by adjusting the amount of the dopant such as boron.
【００５５】次に、上部電極２１の第５の例について説
明する。この例では、図９に示すように、電極板２３の
下面に絶縁層６７を形成している。この絶縁層６７は、
例えばセラミックスの溶射等により形成することができ
るが、その形成方法は問わない。このように絶縁層６７
を形成することにより、プラズマと電極板２３とが絶縁
層６７を介して容量結合することとなる。したがって、
ＲＦ等価回路的には、電極板２３とプラズマとの間に多
数のコンデンサーが並列に存在している状態となり、結
果として電極板２３下面の径方向のインダクタンス成分
（Ｌω）を絶縁層６７の容量成分（−１／Ｃω）で打ち
消すことができる。したがって、電極板２３下面におい
て位相によるインピーダンスＺの大きさの変化をほとん
どなくすことができ、電極下面からプラズマへ印加され
る電界が均一になってプラズマ密度を均一にすることが
できる。Next, a fifth example of the upper electrode 21 will be described. In this example, as shown in FIG. 9, an insulating layer 67 is formed on the lower surface of the electrode plate 23. This insulating layer 67
For example, it can be formed by spraying ceramics or the like, but the forming method is not limited. Thus, the insulating layer 67
Is formed, the plasma and the electrode plate 23 are capacitively coupled via the insulating layer 67. Therefore,
In terms of the RF equivalent circuit, a large number of capacitors exist in parallel between the electrode plate 23 and the plasma. As a result, the radial inductance component (Lω) of the lower surface of the electrode plate 23 is reduced by the capacitance of the insulating layer 67. It can be canceled by the component (−1 / Cω). Therefore, the change in the magnitude of the impedance Z due to the phase on the lower surface of the electrode plate 23 can be almost eliminated, and the electric field applied to the plasma from the lower surface of the electrode becomes uniform, so that the plasma density can be made uniform.
【００５６】なお、この際の絶縁層６７は、インダクタ
ンス成分（Ｌω）を打ち消すことができる程度の容量と
なるように、その材料および厚さが設定される。In this case, the material and thickness of the insulating layer 67 are set so as to have a capacity that can cancel the inductance component (Lω).
【００５７】ところで、上部電極２１の電極板２３下面
の電界分布が不均一になるのは、上述のような印加周波
数を上昇させた際の電極表面のインダクタンスの径方向
の変化に起因するばかりでなく、プラズマの非線形性の
特性が顕著に現れ、プラズマからの反射波の高調波が増
加し、このような高調波により電極表面に定在波が生成
されることによっても生じる。The reason why the electric field distribution on the lower surface of the electrode plate 23 of the upper electrode 21 becomes non-uniform is not only due to the radial change in the inductance of the electrode surface when the applied frequency is increased as described above. In addition, non-linear characteristics of the plasma appear remarkably, and harmonics of the reflected waves from the plasma increase. Such harmonics also generate a standing wave on the electrode surface.
【００５８】つまり、プラズマからの反射波には多数の
高調波が含まれており、これら高調波はさらに給電棒３
３のインダクタンス成分のため反射されるが、電極径が
２５０〜３００ｍｍφとなると、高調波の中にはこれと
定在波を形成する波長のものが含まれているため、電極
板２３の下面に定在波が形成されて電極板２３表面中心
部で電界強度が大きくなってしまう。That is, the reflected wave from the plasma contains many harmonics, and these harmonics are further added to the power supply rod 3.
However, when the electrode diameter becomes 250 to 300 mmφ, since the harmonics include those having a wavelength that forms a standing wave therewith, the lower surface of the electrode plate 23 A standing wave is formed, and the electric field intensity increases at the center of the surface of the electrode plate 23.
【００５９】そこで、上部電極２１の第６の例では、図
１０に示すように、電極板２３裏面側の中央部に接する
ように、例えばフェライト焼結体のような、電磁波吸収
効果を有する部材６８を設ける。このような電磁波吸収
効果を有する部材６８は高周波を吸収する機能を有する
から、この部材６８によりプラズマからの高調波を吸収
する。これにより定在波が解消され、電極板２３下面の
電界分布が均一となり、プラズマ密度を均一にすること
ができる。この場合に、電磁波吸収効果を有する部材６
８としては、プラズマからの高調波は吸収するが、高周
波電源４０からの印加周波数は吸収しない特性を有する
ものを用いる。部材６８の吸収周波数領域は、材料およ
び組成によって調整することができる。Therefore, in a sixth example of the upper electrode 21, as shown in FIG. 10, a member having an electromagnetic wave absorbing effect, such as a ferrite sintered body, is in contact with the central portion on the back side of the electrode plate 23. 68 are provided. Since the member 68 having such an electromagnetic wave absorbing effect has a function of absorbing high frequencies, the member 68 absorbs harmonics from plasma. As a result, standing waves are eliminated, the electric field distribution on the lower surface of the electrode plate 23 becomes uniform, and the plasma density can be made uniform. In this case, the member 6 having the electromagnetic wave absorbing effect
As 8, one having a characteristic of absorbing harmonics from the plasma but not absorbing the applied frequency from the high-frequency power supply 40 is used. The absorption frequency range of the member 68 can be adjusted by the material and composition.
【００６０】以上の第１〜第６の例の上部電極は、印加
周波数が２７ＭＨｚ以上で、プラズマ密度が１×１０
１１個／ｃｍ３以上の高密度の場合に特に有効である。The upper electrodes of the first to sixth examples have an applied frequency of 27 MHz or more and a plasma density of 1 × 10
This is particularly effective in the case of a high density of 11 / cm 3 or more.
【００６１】次に、以上のような上部電極２１を備えた
プラズマ処理装置１における処理動作について、ウエハ
Ｗに形成された酸化膜をエッチングする場合を例にとっ
て説明する。Next, the processing operation in the plasma processing apparatus 1 having the above-described upper electrode 21 will be described by taking as an example a case where an oxide film formed on the wafer W is etched.
【００６２】まず、被処理体であるウエハＷは、ゲート
バルブ３２が開放された後、図示しないロードロック室
からチャンバー２内へと搬入され、静電チャック１１上
に載置される。そして、高圧直流電源１３から直流電圧
が印加されることによって、ウエハＷが静電チャック１
１上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ３２が閉
じられ、排気機構３５によって、チャンバー２内が所定
の真空度まで真空引きされる。First, the wafer W to be processed is carried into the chamber 2 from a load lock chamber (not shown) after the gate valve 32 is opened, and is placed on the electrostatic chuck 11. When a DC voltage is applied from the high-voltage DC power supply 13, the wafer W is held in the electrostatic chuck 1.
1 is electrostatically attracted. Next, the gate valve 32 is closed, and the inside of the chamber 2 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust mechanism 35.
【００６３】その後、バルブ２８が開放されて、処理ガ
ス供給源３０から処理ガスがマスフローコントローラ２
９によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管２
７、ガス導入口２６を通って上部電極２１の内部へ導入
され、さらに電極板２３の吐出孔２４を通って、図１の
矢印に示すように、ウエハＷに対して均一に吐出され、
チャンバー２内の圧力が所定の値に維持される。Thereafter, the valve 28 is opened and the processing gas is supplied from the processing gas supply source 30 to the mass flow controller 2.
9, while the flow rate is adjusted, the processing gas supply pipe 2
7. The gas is introduced into the upper electrode 21 through the gas introduction port 26, and is further uniformly discharged through the discharge hole 24 of the electrode plate 23 to the wafer W as shown by an arrow in FIG.
The pressure in the chamber 2 is maintained at a predetermined value.
【００６４】そして、その後、第１の高周波電源４０か
ら２７〜１５０ＭＨｚ、例えば６０ＭＨｚの高周波が上
部電極２１に印加される。これにより、上部電極２１と
下部電極としてのサセプタ５との間に高周波電界が生
じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。Thereafter, a high frequency of 27 to 150 MHz, for example, 60 MHz is applied to the upper electrode 21 from the first high frequency power supply 40. As a result, a high-frequency electric field is generated between the upper electrode 21 and the susceptor 5 as the lower electrode, and the processing gas is dissociated and turned into plasma.
【００６５】他方、第２の高周波電源５０からは、１〜
４ＭＨｚ、例えば２ＭＨｚの高周波が下部電極であるサ
セプタ５に印加される。これにより、プラズマ中のイオ
ンがサセプタ５側へ引き込まれ、イオンアシストにより
エッチングの異方性が高められる。On the other hand, the second high-frequency power supply 50
A high frequency of 4 MHz, for example, 2 MHz is applied to the susceptor 5 serving as a lower electrode. Thereby, the ions in the plasma are attracted to the susceptor 5 side, and the anisotropy of the etching is enhanced by the ion assist.
【００６６】このように、上部電極２１に印加する高周
波の周波数を２７ＭＨｚよりも高くすることにより、プ
ラズマ密度を上げることができるが、従来の上部電極構
造では、上述したように、印加周波数を上昇させた際の
電極表面のインダクタンスの径方向の変化によって、ま
たは、プラズマからの反射波の高調波により電極板２３
下面に定在波が生成されることによって、電極板２３下
面での電界の不均一が生じる。これに対して、上部電極
２１を上記第１〜第６の例に示す構造にすることによっ
て、これら電極板２３下面での電界の不均一の原因のい
ずれかを解消することができるので、電極板２３下面で
の電界分布を従来よりも均一にすることができ、プラズ
マ密度をより均一化することができる。すなわち、上記
上部電極構造を採用することにより、印加する高周波の
周波数が上昇し、プラズマ密度が上昇した際に生じる特
有の問題を解消することができ、高密度でありながら均
一なプラズマを形成することができる。したがって、エ
ッチングの均一性が向上し、一層のデザインルールの微
細化に適切に対応することが可能となる。特に、印加周
波数が２７ＭＨｚ以上で、プラズマ密度が１×１０１１
個／ｃｍ３以上の場合に上記問題が生じやすく、以上の
ような上部電極構造はこのような場合に特に有効であ
る。As described above, the plasma density can be increased by making the frequency of the high frequency applied to the upper electrode 21 higher than 27 MHz. However, in the conventional upper electrode structure, the applied frequency is increased as described above. The electrode plate 23 is formed by a radial change in the inductance of the electrode surface at the time of the application or by a harmonic of a reflected wave from the plasma.
The generation of the standing wave on the lower surface causes an uneven electric field on the lower surface of the electrode plate 23. On the other hand, when the upper electrode 21 has the structure shown in the first to sixth examples, any of the causes of the non-uniformity of the electric field on the lower surface of the electrode plate 23 can be eliminated. The electric field distribution on the lower surface of the plate 23 can be made more uniform than before, and the plasma density can be made more uniform. That is, by adopting the above-described upper electrode structure, the frequency of the applied high frequency is increased, and a specific problem that occurs when the plasma density is increased can be eliminated, and a uniform plasma can be formed with high density. be able to. Therefore, the uniformity of etching is improved, and it is possible to appropriately cope with further miniaturization of design rules. In particular, when the applied frequency is 27 MHz or more and the plasma density is 1 × 10 11
The above problem is liable to occur when the number is more than the number of pieces / cm 3, and the upper electrode structure as described above is particularly effective in such a case.
【００６７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の
形態では、上下電極に高周波を印加したが、上部電極の
みに高周波を印加するタイプであってもよい。また、上
部電極に２７〜１５０ＭＨｚの高周波を印加した場合に
ついて示したが、この範囲に限るものではない。さら
に、被処理基板として半導体ウエハを用い、これにエッ
チングを施す場合について説明したが、これに限らず、
処理対象としては液晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の他の
基板であってもよく、またプラズマ処理もエッチングに
限らず、スパッタリング、ＣＶＤ等の他の処理であって
もよい。さらに、上記実施形態で示した上部電極の複数
の例のいくつかを併用することも可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above embodiment, a high frequency is applied to the upper and lower electrodes, but a high frequency may be applied only to the upper electrode. The case where a high frequency of 27 to 150 MHz is applied to the upper electrode has been described, but the present invention is not limited to this range. Furthermore, the case where a semiconductor wafer is used as a substrate to be processed and etching is performed on the semiconductor wafer has been described.
The processing target may be another substrate such as a liquid crystal display (LCD) substrate, and the plasma processing is not limited to etching, but may be other processing such as sputtering or CVD. Furthermore, it is also possible to use some of the plurality of examples of the upper electrode shown in the above embodiment in combination.
【００６８】[0068]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
印加周波数を上昇させた際の電極板のプラズマ接触面の
インダクタンスの径方向の変化による電界の不均一、ま
たは、プラズマからの反射波の高調波により電極板のプ
ラズマ接触面に定在波が生成されることによって生じる
電界の不均一を解消することができるので、電極板のプ
ラズマ接触面での電界分布を従来よりも均一にすること
ができ、高密度プラズマにおけるプラズマ密度をより均
一化することができる。As described above, according to the present invention,
Non-uniformity of the electric field due to radial changes in the inductance of the plasma contact surface of the electrode plate when the applied frequency is increased, or a standing wave is generated at the plasma contact surface of the electrode plate due to harmonics of the reflected wave from the plasma. The electric field distribution at the plasma contact surface of the electrode plate can be made more uniform than before, so that the plasma density in the high-density plasma can be made more uniform. Can be.
【図１】本発明の一実施形態に係るエッチング装置を示
す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来の上部電極における高周波電力の供給系路
を模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a high-frequency power supply path in a conventional upper electrode.
【図３】従来の上部電極における高周波電力の供給系路
を模式的に示す底面図。FIG. 3 is a bottom view schematically showing a high-frequency power supply path in a conventional upper electrode.
【図４】上部電極の第１の例を模式的に示す断面図。FIG. 4 is a sectional view schematically showing a first example of an upper electrode.
【図５】上部電極の第２の例を模式的に示す断面図。FIG. 5 is a sectional view schematically showing a second example of the upper electrode.
【図６】上部電極の第２の例の高周波電力の経路を模式
的に示す図。FIG. 6 is a diagram schematically showing a path of high-frequency power of a second example of the upper electrode.
【図７】上部電極の第３の例を模式的に示す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a third example of the upper electrode.
【図８】上部電極の第４の例を模式的に示す断面図。FIG. 8 is a sectional view schematically showing a fourth example of the upper electrode.
【図９】上部電極の第５の例を模式的に示す断面図。FIG. 9 is a sectional view schematically showing a fifth example of the upper electrode.
【図１０】上部電極の第６の例を模式的に示す断面図。FIG. 10 is a sectional view schematically showing a sixth example of the upper electrode.
１；エッチング装置 ２；チャンバー ５；サセプタ（第２の電極） ６；ハイパスフィルタ ２１；上部電極（第１の電極） ２３；電極板 ３０；処理ガス供給源 ３５；排気装置 ４０；第１の高周波電源 ４２；ローパスフィルタ ４１，５１；整合器 ５０；第２の高周波電源 ６１，６３；外側部分 ６２；誘電体部材からなる中央部分 ６４；高抵抗部材からなる中央部分 ６５；誘電体部材 ６６；高抵抗部材 ６７；絶縁層 ６８；電磁波吸収効果を有する部材 Ｗ；半導体ウエハ Reference Signs List 1; etching apparatus 2: chamber 5; susceptor (second electrode) 6; high-pass filter 21; upper electrode (first electrode) 23; electrode plate 30; processing gas supply source 35; exhaust device 40; Power supply 42; low-pass filters 41, 51; matching device 50; second high-frequency power supplies 61, 63; outer portion 62; central portion 64 made of a dielectric member; central portion 65 made of a high-resistance member; dielectric member 66; Resistance member 67; insulating layer 68; member having electromagnetic wave absorption effect W; semiconductor wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 14/50 Ｃ２３Ｃ 14/50 Ｚ Ｆターム(参考） 4K029 BD01 DC28 DC35 4K057 DA16 DD01 DE06 DE14 DM05 DM06 DM09 DM17 DM18 DM28 DM33 DM39 5F004 AA01 BA06 BA07 BA20 BB11 BB13 BB22 BB25 BB29 DA01 DA16 DA22 DA23 DA25 5F045 AA08 BB01 DP02 EH04 EH05 EH08 EH13 EH19 EJ02 EM05 EM07 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C23C 14/50 C23C 14/50 Z F term (Reference) 4K029 BD01 DC28 DC35 4K057 DA16 DD01 DE06 DE14 DM05 DM06 DM09 DM17 DM18 DM28 DM33 DM39 5F004 AA01 BA06 BA07 BA20 BB11 BB13 BB22 BB25 BB29 DA01 DA16 DA22 DA23 DA25 5F045 AA08 BB01 DP02 EH04 EH05 EH08 EH13 EH19 EJ07 EM05 EM07
Claims (16)
互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持
させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理
ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波
電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラ
ズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置であって、 前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けら
れた電極板を備え、この電極板は、導電体または半導体
で構成された外側部分と、誘電体部材または外側部分よ
り高抵抗の高抵抗部材で構成された中央部分とを有し、
前記第１の電極には、その前記第２の電極と反対側の面
から高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ
処理装置。1. A processing gas is introduced into a chamber held under reduced pressure while a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported by the second electrode. A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the first and second electrodes while performing a predetermined plasma processing on the substrate to be processed by the plasma; The electrode includes an electrode plate provided so as to face the second electrode. The electrode plate includes an outer portion made of a conductor or a semiconductor, and a high-resistance member having a higher resistance than the dielectric member or the outer portion. And a central portion composed of
A plasma processing apparatus, wherein high-frequency power is applied to the first electrode from a surface opposite to the second electrode.
ある場合に、この中央部分の以下の（１）式で表される
スキンデップスδが、電極板の中央部分の厚さよりも大
きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装
置。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率2. When the central portion of the electrode plate is a high-resistance body, a skin depth δ of the central portion represented by the following equation (1) is larger than a thickness of the central portion of the electrode plate. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein: δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
いずれもＳｉからなり、ドーパントのドープ量を異なら
せることにより低抵抗の外側部分と高抵抗の中央部分と
を形成することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ
処理装置。3. The electrode plate according to claim 1, wherein both the outer portion and the central portion are made of Si, and a low-resistance outer portion and a high-resistance central portion are formed by changing the doping amount of a dopant. The plasma processing apparatus according to claim 2.
互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持
させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理
ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波
電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラ
ズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置であって、 前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けら
れた、導電体または半導体で構成された電極板を備え、
誘電体部材または電極板より高抵抗の高抵抗部材がこの
電極板の第２の電極側と反対側の面の中央部に接するよ
うに設けられ、前記第１の電極には、その前記第２の電
極と反対側の面から高周波電力が印加されることを特徴
とするプラズマ処理装置。4. A process gas is introduced into a chamber maintained under reduced pressure while a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported on the second electrode. A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the first and second electrodes while performing a predetermined plasma processing on the substrate to be processed by the plasma; The electrode includes an electrode plate made of a conductor or a semiconductor, provided to face the second electrode,
A dielectric member or a high-resistance member having a higher resistance than the electrode plate is provided so as to be in contact with the center of the surface of the electrode plate opposite to the second electrode, and the first electrode is provided with the second electrode. A high frequency power is applied from a surface opposite to the electrode.
るスキンデップスδが、電極板の厚さよりも大きいこと
を特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率5. The plasma processing apparatus according to claim 4, wherein the skin depth δ of the electrode plate represented by the following equation (1) is larger than the thickness of the electrode plate. δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持
させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理
ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波
電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラ
ズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置であって、 前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けら
れた、導電体または半導体で構成された電極板と、電極
板の第２の電極に対向する面に形成された絶縁層とを有
し、前記第１の電極には、その前記第２の電極と反対側
の面から高周波電力が印加されることを特徴とするプラ
ズマ処理装置。6. A process gas is introduced into a chamber held under reduced pressure in a state where a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported on the second electrode. A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the first and second electrodes while performing a predetermined plasma processing on the substrate to be processed by the plasma; The electrode is provided to face the second electrode, has an electrode plate made of a conductor or a semiconductor, and an insulating layer formed on a surface of the electrode plate facing the second electrode, A plasma processing apparatus, wherein high-frequency power is applied to the first electrode from a surface opposite to the second electrode.
互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持
させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理
ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波
電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラ
ズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置であって、 前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けら
れ、導電体または半導体で構成された電極板を備え、電
磁波吸収効果を有する部材がこの電極板の第２の電極側
と反対側の面の中央部に接するように設けられ、前記第
１の電極には、その前記第２の電極と反対側の面の中央
部から高周波電力が印加されることを特徴とするプラズ
マ処理装置。7. A processing gas is introduced into a chamber maintained under reduced pressure while a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported on the second electrode. A plasma processing apparatus for generating a plasma of a processing gas by forming a high-frequency electric field between the first and second electrodes while performing a predetermined plasma processing on the substrate to be processed by the plasma; The electrode is provided to face the second electrode, and includes an electrode plate made of a conductor or a semiconductor, and a member having an electromagnetic wave absorbing effect is provided on a surface of the electrode plate opposite to the second electrode side. A plasma processing apparatus provided so as to be in contact with a central portion, wherein high-frequency power is applied to the first electrode from a central portion on a surface opposite to the second electrode.
の周波数が２７ＭＨｚ以上であり、形成されるプラズマ
の密度が１×１０１１個／ｃｍ３以上であることを特徴
とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の
プラズマ処理装置。8. The method according to claim 1, wherein the frequency of the high-frequency power applied to the first electrode is at least 27 MHz, and the density of the formed plasma is at least 1 × 10 11 / cm 3. The plasma processing apparatus according to claim 7.
互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持
させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理
ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波
電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラ
ズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置の第１の電極として用いられる電極であっ
て、 第２の電極に対向するように設けられる電極板を備え、
この電極板は、導電体または半導体で構成された外側部
分と、誘電体部材または外側部分より高抵抗の高抵抗部
材で構成された中央部分とを有し、該電極には、その前
記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印加さ
れることを特徴とする電極。9. A process gas is introduced into a chamber held under reduced pressure while a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported on the second electrode. A high-frequency electric field is formed between the first and second electrodes while generating plasma of a processing gas, and the plasma is used as a first electrode of a plasma processing apparatus for performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed. An electrode, comprising an electrode plate provided to face the second electrode;
The electrode plate has an outer portion made of a conductor or a semiconductor, and a central portion made of a dielectric member or a high-resistance member having a higher resistance than the outer portion. Wherein high-frequency power is applied from a surface opposite to the electrode.
である場合に、この中央部分の以下の（１）式で表され
るスキンデップスδが、電極板の中央部分の厚さよりも
大きいことを特徴とする請求項９に記載の電極。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率10. When the central portion of the electrode plate is a high-resistance body, the skin depth δ of the central portion represented by the following equation (1) is larger than the thickness of the central portion of the electrode plate. The electrode according to claim 9, wherein: δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
がいずれもＳｉからなり、ドーパントのドープ量を異な
らせることにより低抵抗の外側部分と高抵抗の中央部分
とを形成することを特徴とする請求項１０に記載の電
極。11. An outer portion and a central portion of the electrode plate are both made of Si, and a low-resistance outer portion and a high-resistance central portion are formed by changing the doping amount of a dopant. An electrode according to claim 10.
を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支
持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処
理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周
波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプ
ラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプ
ラズマ処理装置の第１の電極として用いられる電極であ
って、 第２の電極に対向するように設けられる、導電体または
半導体で構成された電極板を備え、誘電体部材または電
極板より高抵抗の高抵抗部材がこの電極板の第２の電極
側となる面と反対側の面の中央部に接するように設けら
れ、該電極には、その前記第２の電極と反対側となる面
から高周波電力が印加されることを特徴とする電極。12. A process gas is introduced into a chamber held under reduced pressure while a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported on the second electrode. A high-frequency electric field is formed between the first and second electrodes while generating plasma of a processing gas, and the plasma is used as a first electrode of a plasma processing apparatus for performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed. An electrode, provided with an electrode plate made of a conductor or a semiconductor, provided so as to face the second electrode, wherein a high-resistance member having a higher resistance than the dielectric member or the electrode plate has a second resistance; The electrode is provided so as to be in contact with the central portion of the surface opposite to the surface on the electrode side, and high-frequency power is applied to the electrode from the surface opposite to the second electrode. electrode.
れるスキンデップスδが、電極板の厚さよりも大きいこ
とを特徴とする請求項１２に記載の電極。 δ＝（２／ωσμ）１／２ ……（１） ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：
透磁率13. The electrode according to claim 12, wherein the electrode plate has a skin depth δ represented by the following expression (1) larger than the thickness of the electrode plate. δ = (2 / ωσμ) 1/2 (1) where ω = 2πf (f: frequency), σ: conductivity, μ:
Permeability
を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支
持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処
理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周
波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプ
ラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプ
ラズマ処理装置の第１の電極として用いられる電極であ
って、 第２の電極に対向するように設けられる、導電体または
半導体で構成された電極板と、電極板の第２の電極に対
向する面に形成された絶縁層とを有し、該電極には、そ
の前記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印
加されることを特徴とする電極。14. A process gas is introduced into a chamber maintained under reduced pressure while a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported by the second electrode. A high-frequency electric field is formed between the first and second electrodes while generating plasma of a processing gas, and the plasma is used as a first electrode of a plasma processing apparatus for performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed. An electrode, comprising: an electrode plate made of a conductor or a semiconductor and provided to face the second electrode; and an insulating layer formed on a surface of the electrode plate facing the second electrode. And an electrode to which high-frequency power is applied to the electrode from a surface opposite to the second electrode.
を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支
持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処
理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周
波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプ
ラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプ
ラズマ処理装置に第１の電極として用いられる電極であ
って、 第２の電極に対向するように設けられる、導電体または
半導体で構成された電極板を備え、電磁波吸収効果を有
する部材がこの電極板の第２の電極側となる面と反対側
の面の中央部に接するように設けられ、該電極には、そ
の前記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印
加されることを特徴とする電極。15. A processing gas is introduced into a chamber held under reduced pressure while a first and a second electrode are provided in a chamber in parallel with each other, and a substrate to be processed is supported on the second electrode. A high-frequency electric field is formed between the first and second electrodes while generating plasma of a processing gas, and the plasma is used as a first electrode in a plasma processing apparatus for performing a predetermined plasma processing on a substrate to be processed. An electrode, provided with an electrode plate made of a conductor or a semiconductor, provided so as to face the second electrode, and a member having an electromagnetic wave absorbing effect on a surface on the second electrode side of the electrode plate; An electrode provided so as to be in contact with a central portion of an opposite surface, to which high-frequency power is applied from a surface opposite to the second electrode.
ＭＨｚ以上であり、プラズマの密度が１×１０１１個／
ｃｍ３以上で使用されることを特徴とする請求項９ない
し請求項１５のいずれか１項に記載の電極。16. The frequency of the applied high frequency power is 27
MHz or higher and the plasma density is 1 × 10 11 /
The electrode according to any one of claims 9 to 15, wherein the electrode is used in a size of 3 cm3 or more.
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|---|---|
| JP (1) | JP4454718B2 (en) |
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068718A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | Plasma processing apparatus |
| JP2005045067A (en) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for manufacturing semiconductor device |
| JP2006286813A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for plasma treatment |
| US7186315B2 (en) | 2002-04-03 | 2007-03-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment apparatus |
| JP2007250860A (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processor and electrode assembly therefor |
| JP2008243973A (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | Placement table for plasma treatment apparatus, and plasma treatment apparatus |
| US7446048B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching apparatus and dry etching method |
| US7506610B2 (en) | 2002-11-26 | 2009-03-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
| US7585386B2 (en) | 2003-02-03 | 2009-09-08 | Octec Inc. | Plasma processing apparatus, electrode plate for plasma processing apparatus, and electrode plate manufacturing method |
| JP2010135838A (en) * | 2010-02-22 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for plasma treatment |
| JP2010165798A (en) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and method of controlling distribution of plasma therein |
| US7767055B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-08-03 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus |
| US7993489B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
| US8157953B2 (en) | 2006-03-29 | 2012-04-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| EP2490245A2 (en) | 2011-02-15 | 2012-08-22 | Tokyo Electron Limited | Upper electrode and plasma processing apparatus |
| JP2012165007A (en) * | 2006-07-10 | 2012-08-30 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling plasma potential |
| US8512510B2 (en) | 2002-11-26 | 2013-08-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus |
| US8920598B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-12-30 | Tokyo Electron Limited | Electrode and plasma processing apparatus |
| US8968513B2 (en) | 2010-03-16 | 2015-03-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| KR101568722B1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 최대규 | Plasma reactor and control method thereof |
| US9273393B2 (en) | 2014-01-25 | 2016-03-01 | Yuri Glukhoy | Torch system for depositing protective coatings on interior walls and recesses present on the flat surface of an object |
| US10290468B2 (en) | 2008-02-29 | 2019-05-14 | Tokyo Electron Limited | Electrode for plasma processing apparatus, plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium |
| JP2021040110A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | Toto株式会社 | Electrostatic chuck |
| JP2021040109A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | Toto株式会社 | Electrostatic chuck |
| KR20210096250A (en) | 2018-12-06 | 2021-08-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR20210097785A (en) | 2018-12-06 | 2021-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR20210098522A (en) | 2018-12-06 | 2021-08-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Shower plate, plasma treatment device and plasma treatment method |
| US11139147B1 (en) | 2020-05-26 | 2021-10-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| KR20220104045A (en) | 2019-12-05 | 2022-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR20220110812A (en) | 2019-12-16 | 2022-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR20220114041A (en) | 2019-12-25 | 2022-08-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| WO2024053563A1 (en) * | 2022-09-09 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Electrode plate, electrode assembly, and plasma processing device |
| WO2024106270A1 (en) * | 2022-11-16 | 2024-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing device |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12687899A patent/JP4454718B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068718A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | Plasma processing apparatus |
| US7186315B2 (en) | 2002-04-03 | 2007-03-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment apparatus |
| US8512510B2 (en) | 2002-11-26 | 2013-08-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus |
| US7506610B2 (en) | 2002-11-26 | 2009-03-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
| US7585386B2 (en) | 2003-02-03 | 2009-09-08 | Octec Inc. | Plasma processing apparatus, electrode plate for plasma processing apparatus, and electrode plate manufacturing method |
| US7922862B2 (en) | 2003-02-03 | 2011-04-12 | Octec Inc. | Plasma processing apparatus, electrode plate for plasma processing apparatus, and electrode plate manufacturing method |
| JP2005045067A (en) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for manufacturing semiconductor device |
| US7446048B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching apparatus and dry etching method |
| US7767055B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-08-03 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus |
| JP4642528B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US10529596B2 (en) | 2005-03-31 | 2020-01-07 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
| US20170162406A1 (en) * | 2005-03-31 | 2017-06-08 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
| CN100446637C (en) * | 2005-03-31 | 2008-12-24 | 东京毅力科创株式会社 | Plasma processing apparatus and method for using the same |
| JP2006286813A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for plasma treatment |
| US9607866B2 (en) | 2005-03-31 | 2017-03-28 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
| US8506753B2 (en) | 2005-03-31 | 2013-08-13 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
| US7993489B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
| JP4615464B2 (en) * | 2006-03-16 | 2011-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Electrode assembly for plasma processing apparatus and plasma processing apparatus |
| JP2007250860A (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processor and electrode assembly therefor |
| US8157953B2 (en) | 2006-03-29 | 2012-04-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8529730B2 (en) | 2006-03-29 | 2013-09-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2012165007A (en) * | 2006-07-10 | 2012-08-30 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling plasma potential |
| US9111724B2 (en) | 2006-07-10 | 2015-08-18 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling plasma potential |
| JP2008243973A (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | Placement table for plasma treatment apparatus, and plasma treatment apparatus |
| US10290468B2 (en) | 2008-02-29 | 2019-05-14 | Tokyo Electron Limited | Electrode for plasma processing apparatus, plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium |
| US8377255B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method of controlling distribution of a plasma therein |
| JP2010165798A (en) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and method of controlling distribution of plasma therein |
| JP2010135838A (en) * | 2010-02-22 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for plasma treatment |
| US8968513B2 (en) | 2010-03-16 | 2015-03-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8920598B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-12-30 | Tokyo Electron Limited | Electrode and plasma processing apparatus |
| US8636872B2 (en) | 2011-02-15 | 2014-01-28 | Tokyo Electron Limited | Upper electrode and plasma processing apparatus |
| EP2490245A3 (en) * | 2011-02-15 | 2015-04-29 | Tokyo Electron Limited | Upper electrode and plasma processing apparatus |
| EP2490245A2 (en) | 2011-02-15 | 2012-08-22 | Tokyo Electron Limited | Upper electrode and plasma processing apparatus |
| US9273393B2 (en) | 2014-01-25 | 2016-03-01 | Yuri Glukhoy | Torch system for depositing protective coatings on interior walls and recesses present on the flat surface of an object |
| KR101568722B1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 최대규 | Plasma reactor and control method thereof |
| KR20210098522A (en) | 2018-12-06 | 2021-08-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Shower plate, plasma treatment device and plasma treatment method |
| US11923170B2 (en) | 2018-12-06 | 2024-03-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR20210096250A (en) | 2018-12-06 | 2021-08-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR20210097785A (en) | 2018-12-06 | 2021-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| JP2021040110A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | Toto株式会社 | Electrostatic chuck |
| JP7362030B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-10-17 | Toto株式会社 | electrostatic chuck |
| JP7408958B2 (en) | 2019-09-05 | 2024-01-09 | Toto株式会社 | electrostatic chuck |
| JP2021040109A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | Toto株式会社 | Electrostatic chuck |
| KR20220104045A (en) | 2019-12-05 | 2022-07-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR20220110812A (en) | 2019-12-16 | 2022-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR20220114041A (en) | 2019-12-25 | 2022-08-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| US11139147B1 (en) | 2020-05-26 | 2021-10-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2024053563A1 (en) * | 2022-09-09 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Electrode plate, electrode assembly, and plasma processing device |
| WO2024106270A1 (en) * | 2022-11-16 | 2024-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4454718B2 (en) | 2010-04-21 |
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