JP2000321790A - Apparatus for stripping organic resist on semiconductor wafer and cassette for treatment used in same - Google Patents

Apparatus for stripping organic resist on semiconductor wafer and cassette for treatment used in same

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JP2000321790A
JP2000321790A JP13484599A JP13484599A JP2000321790A JP 2000321790 A JP2000321790 A JP 2000321790A JP 13484599 A JP13484599 A JP 13484599A JP 13484599 A JP13484599 A JP 13484599A JP 2000321790 A JP2000321790 A JP 2000321790A
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cassette
semiconductor wafer
resist stripping
resist
processing
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Hiroyoshi Nobata
博敬 野畑
Hiroshi Tanaka
博司 田中
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Mitsubishi Electric Corp
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SPC Electronics Corp
Mitsubishi Electric Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the amount of an organic resist stripper used for cleaning, to prolong the service life of the stripper by suppressing the evaporation of the components of the stripper and to reduce power consumption and the size of an apparatus. SOLUTION: A cassette 106 with a housed semiconductor wafer 110 is brought into close contact with a treatment vessel 201 in such a way that the cassette 106 becomes part of the vessel 201 so as to prevent the contact of an organic resist stripper stored in a chemical solution tank 210 with the outside air. The cassette 106 is used as part of a cleaning system in which a cleaning solution flows. The semiconductor wafer 110 is first cleaned with the organic resist stripper and this solution is returned to the chemical solution tank without contact with the outside air. The wafer 110 is then washed with a rinsing solution and the cassette 106 is detached from the treatment vessel 201.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
製造工程において、不要なレジストをレジスト剥離液を
使用して除去する半導体ウェーハの有機レジスト剥離装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer organic resist stripping apparatus for removing unnecessary resist using a resist stripper in a semiconductor wafer manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、半導体ウェーハの製造工程にお
いて、半導体ウェーハに付着した不要なレジストをレジ
スト剥離液を用いて除去する従来技術における処理槽を
用いた有機レジスト剥離装置の概略図である。図5にお
いて、501は処理槽、502はオーバーフロー槽、5
03は液供給管、504は整流板、505は処理槽50
1およびオーバーフロー槽502の蓋である。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a schematic view of an organic resist stripping apparatus using a processing tank according to the prior art for removing unnecessary resist adhering to a semiconductor wafer using a resist stripping solution in a semiconductor wafer manufacturing process. . In FIG. 5, reference numeral 501 denotes a processing tank; 502, an overflow tank;
03 is a liquid supply pipe, 504 is a current plate, and 505 is a processing tank 50.
1 and a lid of the overflow tank 502.

【0003】従来、有機レジスト剥離装置は、上部が気
体雰囲気に開放された処理槽501を1個あるいは複数
個備えている構造であった。剥離液は処理槽501に満
たされていて、オーバーフロー槽502にも一部入って
いる。循環ポンプ506が稼動することにより、オーバ
ーフロー槽502より液排出側開閉弁509を介して液
が循環ポンプ506に供給される。
Conventionally, an organic resist stripping apparatus has a structure in which one or more processing tanks 501 each having an upper part opened to a gas atmosphere are provided. The stripping solution is filled in the processing tank 501, and is partially contained in the overflow tank 502. When the circulation pump 506 operates, the liquid is supplied from the overflow tank 502 to the circulation pump 506 via the liquid discharge side opening / closing valve 509.

【0004】剥離液はフィルター507、液供給側開閉
弁508を介して処理槽501内の液供給管503を通
り処理槽501に供給される。供給された剥離液は、整
流板504を通過して、剥離液に浸漬されているカセッ
ト800(図8(a)に外観斜視図を示す)に収納され
ている半導体ウェーハ110を処理し、処理槽501上
部よりオーバーフロー槽502に流れ込む。この処理に
よって半導体ウェーハ110表面のレジストを除去して
いた。
[0004] The stripping solution is supplied to the processing tank 501 through a liquid supply pipe 503 in the processing tank 501 via a filter 507 and a liquid supply side opening / closing valve 508. The supplied stripping solution passes through the current plate 504 and processes the semiconductor wafer 110 stored in a cassette 800 (an external perspective view is shown in FIG. 8A) immersed in the stripping solution. It flows into the overflow tank 502 from the upper part of the tank 501. Through this process, the resist on the surface of the semiconductor wafer 110 was removed.

【0005】図6は、従来技術におけるスプレー式の有
機レジスト剥離装置の概略図である。601は半導体ウ
ェーハを保持し回転するローター(以下ローター)、6
02はノズル、603は薬液供給ユニットである。
FIG. 6 is a schematic view of a conventional spray type organic resist stripping apparatus. 601 is a rotor that holds and rotates a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a rotor);
02 is a nozzle and 603 is a chemical supply unit.

【0006】主に密閉単槽式の構造で、処理槽600内
部のローター601に収容された半導体ウェーハ110
を回転させ、そこに薬液供給ユニット603より液供給
側開閉弁608を介して供給された液をノズル602か
ら有機レジスト剥離液をスプレーして半導体ウェーハ1
10に付着したレジストを除去していた。
[0006] The semiconductor wafer 110 mainly has a sealed single-tank structure and is accommodated in a rotor 601 inside a processing tank 600.
Is rotated, and the liquid supplied from the chemical liquid supply unit 603 via the liquid supply side opening / closing valve 608 is sprayed from the nozzle 602 with an organic resist stripping liquid, and the semiconductor wafer 1 is rotated.
The resist adhering to No. 10 was removed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図5に示した従来技術
では、半導体ウェーハ110に付着した不要なレジスト
をレジスト剥離液を用いて除去する処理を行っていると
きに、処理槽501に蓋505をするなどの改良はされ
ている。しかしながらこの従来技術では、処理槽501
と蓋505の間に隙間があり、また、カセット800の
出し入れの時は、蓋505を開放状態にしなければなら
ないので、有機レジスト剥離液に含まれる水分が蒸発す
るとともに、有機レジスト剥離液の組成が変化してしま
う。
In the prior art shown in FIG. 5, when a process for removing unnecessary resist attached to the semiconductor wafer 110 using a resist stripper is performed, a lid 505 is placed in the processing tank 501. Improvements have been made. However, in this prior art, the processing tank 501
When the cassette 800 is taken in and out, the cover 505 must be in an open state, so that the water contained in the organic resist stripping solution evaporates and the composition of the organic resist stripping solution is removed. Changes.

【0008】このため、液の寿命が短くなってしまい、
液を循環させて使用することによって液の使用量を少な
くするという本来のメリットを生かせなくなっていると
いう問題があった。また、図5に示した従来技術では、
蒸発した液の成分が装置内、さらにはクリーンルーム内
に飛散するのを防ぐために、洗浄槽501周辺の雰囲気
を装置外あるいはクリーンルーム外に排気する必要があ
った。したがって、この従来技術では、半導体ウェーハ
110に付着した不要なレジストを除去するために排気
装置を必要とするので、装置が大きくなるとともに消費
電力を多く必要とするという問題もあった。
For this reason, the life of the liquid is shortened,
There is a problem that the inherent advantage of reducing the amount of liquid used by circulating the liquid cannot be used. Further, in the prior art shown in FIG.
In order to prevent the components of the evaporated liquid from scattering into the apparatus and further into the clean room, it is necessary to exhaust the atmosphere around the cleaning tank 501 outside the apparatus or outside the clean room. Therefore, in this conventional technique, since an exhaust device is required to remove unnecessary resist attached to the semiconductor wafer 110, there has been a problem that the device becomes large and power consumption is increased.

【0009】また、半導体ウェーハ110を収容したカ
セット800を処理槽501内に入れるため、処理槽5
01の大きさをカセット800よりも十分大きくしなけ
ればならなかった。さらに、この従来技術の構造では、
処理を行う必要の無いカセット800の外側も有機レジ
スト剥離液に浸漬することになり、半導体ウェーハ11
0の処理で必要となるレジスト剥離液の量よりも多くの
レジスト剥離液が必要となるという問題もあった。
Further, since the cassette 800 accommodating the semiconductor wafers 110 is put into the processing tank 501, the processing tank 5
01 had to be sufficiently larger than the cassette 800. Furthermore, with this prior art structure,
The outside of the cassette 800 that does not need to be processed is also immersed in the organic resist stripping solution, and the semiconductor wafer 11
There is also a problem that a larger amount of the resist stripping solution is required than the amount of the resist stripping solution required in process 0.

【0010】さらに、図5に示す従来技術では、処理槽
501内の流れを均一にするために整流板504等を取
り付けていたが、流れの障害となる半導体ウェーハ11
0やカセット800を避けてカセット800と処理槽5
01内壁との間に流れが集まってしまう。したがって、
処理されるべき半導体ウェーハ110表面にレジスト剥
離液の流れを集めることができず、高い洗浄効果を期待
できないという問題があった。
Further, in the prior art shown in FIG. 5, a rectifying plate 504 and the like are attached in order to make the flow in the processing tank 501 uniform, but the semiconductor wafer 11 which is an obstacle to the flow is provided.
0 and cassette 800, avoiding cassette 800 and processing tank 5
The flow gathers between the inner wall and the 01 inner wall. Therefore,
There is a problem that the flow of the resist stripper cannot be collected on the surface of the semiconductor wafer 110 to be processed, and a high cleaning effect cannot be expected.

【0011】また、カセット800上部の液面中央に淀
みが発生し、この部分に半導体ウェーハ110から剥離
したレジストや、ゴミが溜まり、半導体ウェーハ110
を処理槽501から取り出すときに、剥離したレジスト
やゴミが再度付着するという問題もあった。さらに、処
理槽501内に液供給管503や整流板504を取り付
けるために処理槽501の内部に角部を形成しなければ
ならないので、乱流や淀みが発生して処理槽501内に
ゴミが溜まる構造になっていた。
Also, stagnation occurs at the center of the liquid surface above the cassette 800, and resist and dust separated from the semiconductor wafer 110 accumulate in this portion, and the semiconductor wafer 110
When the substrate is taken out of the processing tank 501, there is a problem that the peeled resist and dust adhere again. Further, a corner must be formed inside the processing tank 501 in order to attach the liquid supply pipe 503 and the rectifying plate 504 in the processing tank 501, so that turbulence and stagnation occur, and dust is generated in the processing tank 501. It had a structure to collect.

【0012】一方、図6に示す従来技術では複数種の液
を順次使用して半導体ウェーハ110を処理するため、
液は使い捨てとなり、液の消費量が多くなる。また、半
導体ウェーハ110間の隙間にスプレーが入りにくく、
均一に洗浄処理を行うことが困難であり、洗浄にムラが
生じるという問題もあった。さらに、処理槽600の内
部に回転部分(駆動部分)があるので、擦れによる発塵
が発生するという問題もあった。
On the other hand, in the prior art shown in FIG. 6, the semiconductor wafer 110 is processed by sequentially using a plurality of types of liquids.
The liquid is disposable and consumes more liquid. Also, it is difficult for the spray to enter the gap between the semiconductor wafers 110,
There is also a problem that it is difficult to perform a uniform cleaning process, and unevenness occurs in the cleaning. Furthermore, since the processing tank 600 has a rotating part (driving part), there is a problem that dust is generated due to rubbing.

【0013】半導体デバイスの、微細化、高集積化が進
むのに伴い、この製造を可能にする処理液も変化してき
ている。これらの新しい処理液は、外気等に長時間触れ
ると蒸発等により成分に変化が生じてその性能を十分に
発揮できなくなる。また、近年、特に環境への配慮が叫
ばれており、できる限り廃液が少なくて済む構造の半導
体ウェーハの有機レジスト剥離装置が望まれている。
[0013] As the miniaturization and high integration of semiconductor devices have progressed, the processing liquids that enable this manufacturing have also changed. When these new treatment liquids are exposed to outside air for a long time, their components change due to evaporation and the like, and their performance cannot be sufficiently exhibited. Also, in recent years, particularly attention has been paid to the environment, and there has been a demand for an organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer having a structure that requires as little waste liquid as possible.

【0014】本発明は、上記従来技術の課題や社会的ニ
ーズを満足するため、洗浄に用いる有機レジスト剥離液
の使用量が少なくて済み、かつ剥離液の成分の蒸発を抑
えることで剥離液の寿命を長くでき、さらに消費電力や
装置を小型化することが可能な半導体ウェーハの有機レ
ジスト剥離装置およびこの装置に用いられる処理用カセ
ットを提供することを目的とする。
The present invention satisfies the above-mentioned problems of the prior art and social needs, requires less use of the organic resist stripping solution used for cleaning, and suppresses evaporation of the components of the stripping solution by suppressing evaporation of the components of the stripping solution. An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer organic resist stripping apparatus capable of extending the life, further reducing the power consumption and the apparatus, and a processing cassette used in the apparatus.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、処理用カセットに保持された半導体ウェー
ハの表面に付着している不要なレジストを、レジスト剥
離液を用いて除去する半導体ウェーハの有機レジスト剥
離装置は、レジスト剥離液が貯蔵された薬液タンクと、
薬液タンクに貯蔵されたレジスト剥離液を用いて半導体
ウェーハの表面に付着している不要なレジストを除去す
る処理容器と、薬液タンクと処理容器との間でレジスト
剥離液が循環できるように配管された液体配管系と、液
体配管系に取り付けられ、レジスト液を循環させる循環
ポンプとを有する。処理容器は、半導体ウェーハが保持
された処理用カセットを含み、薬液タンクから供給され
たレジスト剥離液が外部に触れない構造である。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor device for removing an unnecessary resist adhering to the surface of a semiconductor wafer held in a processing cassette by using a resist stripper. The wafer organic resist stripper has a chemical tank that stores the resist stripper,
A processing vessel that removes unnecessary resist adhering to the surface of the semiconductor wafer using a resist stripper stored in a chemical tank, and a pipe that allows the resist stripper to circulate between the chemical tank and the processing vessel. And a circulation pump attached to the liquid piping system and circulating the resist solution. The processing container includes a processing cassette holding a semiconductor wafer, and has a structure in which a resist stripping solution supplied from a chemical solution tank does not come into contact with the outside.

【0016】また、本発明による半導体ウェーハが収納
される本発明による処理用カセットは、対向する2つの
第1の辺が半導体ウェーハの直径よりやや広く、この第
1の辺と直角な対向する2つの第2の辺とを備えた矩形
状の上部開口部と、上部開口部より挿入された半導体ウ
ェーハを挟持する複数のスリットと、第1の辺と対応す
る第3の辺がこの第1の辺よりも短く、第2の辺と対応
する第4の辺がこの第2の辺と同じ長さの矩形状の下部
開口部とを備える。そして、複数のスリットが第2の辺
に沿って形成されており、上部開口部および下部開口部
のみ開口されている。
Further, in the processing cassette according to the present invention in which the semiconductor wafer according to the present invention is stored, the two opposing first sides are slightly wider than the diameter of the semiconductor wafer, and the opposing two sides are perpendicular to the first side. A rectangular upper opening having two second sides, a plurality of slits for holding the semiconductor wafer inserted from the upper opening, and a third side corresponding to the first side is the first side. A fourth side shorter than the side and corresponding to the second side has a rectangular lower opening having the same length as the second side. A plurality of slits are formed along the second side, and only the upper opening and the lower opening are opened.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】次に添付図面を参照し、本発明に
よる半導体ウェーハの有機レジスト剥離装置の実施の形
態を説明する。なお、本実施の形態の説明にあたって、
同じ構成要素には同一の符号を記している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of an apparatus for removing organic resist from a semiconductor wafer according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the present embodiment,
The same components are denoted by the same reference numerals.

【0018】図2を参照すると、本発明によるレジスト
剥離装置の実施の形態の外観斜視図が示されている。保
管用カセット設置機構(以下ローダーと称す)101
は、未処理の半導体ウェーハ110を保管用カセット1
03(以下未処理カセットと称す)に収納したり、取り
出したりするときに動作する装置である。すなわち、ロ
ーダー101は、その内部に半導体ウェーハ110の有
無を検出するセンサーを備えるとともに、半導体ウェー
ハ110を担持して上下に移動する機構部を備えてい
る。
Referring to FIG. 2, there is shown an external perspective view of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention. Storage cassette installation mechanism (hereinafter referred to as loader) 101
Stores the unprocessed semiconductor wafers 110 in the storage cassette 1
03 (hereinafter, referred to as an unprocessed cassette). That is, the loader 101 includes a sensor for detecting the presence or absence of the semiconductor wafer 110 therein, and also includes a mechanism for supporting the semiconductor wafer 110 and moving the semiconductor wafer 110 up and down.

【0019】具体的には、ローダー101は、未処理の
半導体ウェーハ110を未処理カセット103に収納す
る場合には、半導体ウェーハ110を担持する担持部
(図示せず)が未処理カセット103の上部開口部まで
上昇し、半導体ウェーハ110がこの担持部に担持され
ると下降して半導体ウェーハ110を未処理カセット1
03に収納する。また、未処理カセット103から半導
体ウェーハ110を取り出す場合には、担持部が下から
上に上昇して未処理カセット103に収納されている半
導体ウェーハ110を持ち上げて、後述する移し替え機
構105が取り出しやすいようにする。
More specifically, when the unprocessed semiconductor wafers 110 are stored in the unprocessed cassette 103, the loader (not shown) for supporting the semiconductor wafers 110 is located above the unprocessed cassette 103. The semiconductor wafer 110 is moved up to the opening and lowered when the semiconductor wafer 110 is carried by the carrier, and the semiconductor wafer 110 is moved to the unprocessed cassette 1.
03. When the semiconductor wafer 110 is taken out of the unprocessed cassette 103, the supporting unit is lifted up from the bottom to lift the semiconductor wafer 110 stored in the unprocessed cassette 103, and the transfer mechanism 105 described later takes out the semiconductor wafer 110. Make it easy.

【0020】処理済みの半導体ウェーハ110の保管用
カセット設置機構(以下アンローダー)102は、ロー
ダー101と同様に半導体ウェーハ110の有無を検出
するセンサーを備え、処理済の半導体ウェーハ110を
保管用カセット104(以下処理済カセットと称す)に
収納したり、取り出したりするときに動作する装置であ
る。すなわち、アンローダー102は、ローダー101
と同様に、その内部に半導体ウェーハ110を担持して
上下に移動する機構部を備えている。
A storage cassette setting mechanism (hereinafter, referred to as an unloader) 102 for storing the processed semiconductor wafers 110 is provided with a sensor for detecting the presence or absence of the semiconductor wafers 110, similarly to the loader 101. This device operates when it is stored in or taken out of a cassette 104 (hereinafter referred to as a processed cassette). That is, the unloader 102 is
Similarly to the above, a mechanism for holding the semiconductor wafer 110 therein and moving it up and down is provided.

【0021】具体的には、ローダー102は、処理済の
半導体ウェーハ110を処理済カセット104に収納す
る場合、半導体ウェーハ110を担持する担持部(図示
せず)が処理済カセット104の上部開口部まで上昇
し、半導体ウェーハ110がこの担持部に担持されると
下降して半導体ウェーハ110を処理済カセット104
に収納する。また、処理済カセット104から半導体ウ
ェーハ110を取り出す場合には、担持部が下から上に
上昇して処理済カセット104に収納されている半導体
ウェーハ110を持ち上げて取り出しやすいようにす
る。
More specifically, when the loader 102 stores the processed semiconductor wafers 110 in the processed cassette 104, the supporting portion (not shown) for supporting the semiconductor wafers 110 is connected to the upper opening of the processed cassette 104. The semiconductor wafer 110 is lowered when the semiconductor wafer 110 is carried on the carrier, and the semiconductor wafer 110 is moved to the processed cassette 104.
To be stored. When the semiconductor wafer 110 is taken out of the processed cassette 104, the supporting portion is moved upward from the bottom to lift the semiconductor wafer 110 stored in the processed cassette 104 so that the semiconductor wafer 110 can be easily taken out.

【0022】移し替え機構105は、半導体ウェーハ1
10を掴むアームを備え、水平移動における半導体ウェ
ーハ110の移し替えを行う装置である。すなわち、移
し替え機構105は、未処理カセット103に収納され
た未処理の半導体ウェーハ110をローダー101で持
ち上げられた後に、その端面を両側から挟み込んで処理
用カセット106(以下、カセットと称す)に移した
り、処理用カセット106に収納されている処理済みの
半導体ウェーハ110を同様の処理を行って処理済みカ
セット104に移す。
The transfer mechanism 105 is connected to the semiconductor wafer 1
The apparatus includes an arm for gripping the semiconductor wafer 10 and transfers the semiconductor wafer 110 in a horizontal movement. That is, after the unprocessed semiconductor wafer 110 stored in the unprocessed cassette 103 is lifted by the loader 101, the transfer mechanism 105 sandwiches the end surface of the unprocessed semiconductor wafer 110 from both sides into the processing cassette 106 (hereinafter, referred to as a cassette). The processed semiconductor wafer 110 stored in the processing cassette 106 is transferred to the processed cassette 104 by performing the same processing.

【0023】カセット106は本発明の処理用カセット
の実施の形態を示したものであり、図8(b)にその外
観斜視図を示す。図8(b)に示すように、カセット1
06は概ね正方形の上部開口部と、一辺が半導体ウェー
ハ110の直径よりも狭い長方形の下部開口部とを備え
ており、下部開口部をこのように狭くすることにより上
部開口部から挿入した半導体ウェーハ110が係止され
る。すなわち、カセット106の側面Aは上部開口部か
ら半導体ウェーハ110が収納可能なように所定の長さ
垂直に下に延び、そこからこの半導体ウェーハ110が
下に落ちないように幅が狭くなるようにテーパ状あるい
は曲面状に折れ曲がっている。
The cassette 106 shows an embodiment of the processing cassette according to the present invention, and FIG. 8B is a perspective view showing the appearance of the cassette. As shown in FIG.
06 is provided with a substantially square upper opening and a rectangular lower opening whose one side is smaller than the diameter of the semiconductor wafer 110. The semiconductor wafer inserted from the upper opening by narrowing the lower opening in this way. 110 is locked. That is, the side surface A of the cassette 106 extends vertically downward from the upper opening by a predetermined length so that the semiconductor wafer 110 can be stored therein, and the width is reduced so that the semiconductor wafer 110 does not fall down therefrom. It is bent in a tapered or curved shape.

【0024】したがって、カセット106は、上部開口
部と下部開口部は半導体ウェーハが並ぶ辺(第2の辺)
は同じ長さであるが、これと直角をなす辺(第1の辺)
は下部開口部の方が短くなっている。また、カセット1
06の内部には、半導体ウェーハ110を両側から挟持
する複数のスリット106bが向かい合う第2の辺の上
部開口部近傍にそれぞれ形成されている。さらに、カセ
ット106の側面Bには移動する際に把持される四角柱
の把手106が形成されている。
Accordingly, in the cassette 106, the upper opening and the lower opening have sides (second sides) on which the semiconductor wafers are arranged.
Are the same length, but at right angles to this (first side)
Is shorter at the lower opening. Also, cassette 1
A plurality of slits 106b sandwiching the semiconductor wafer 110 from both sides are formed near the upper opening of the opposing second side in the inside of 06. Further, on the side surface B of the cassette 106, a square pillar handle 106 to be gripped when moving is formed.

【0025】図2に戻って、搬送機構107はカセット
106を搬送する搬送機構である。搬送機構107は3
60°回転可能でかつ上下に動くことができる頭部10
7aと、この頭部107aに取り付けられている2本の
角柱状のアーム107bとを備えている。搬送機構10
7は2本のアーム107bをカセット106の把手10
6aの下に挿入し、この把手106aを担持することで
カセット106の移動を行う。
Returning to FIG. 2, the transport mechanism 107 is a transport mechanism for transporting the cassette 106. The transport mechanism 107 is 3
A head 10 that can be rotated 60 ° and can move up and down.
7a, and two prismatic arms 107b attached to the head 107a. Transport mechanism 10
Reference numeral 7 designates two arms 107b as handles 10 of the cassette 106.
The cassette 106 is moved by inserting it under the handle 6a and holding the handle 106a.

【0026】処理ユニット108は、半導体ウェーハ1
10の表面に付着している不要なレジストをレジスト剥
離液を用いて除去し、その後リンス液で洗浄する処理装
置である。処理ユニット108は、半導体ウェーハ11
0が収納されているカセット106と上下部のカバーと
が接続された処理容器201を備えている。このよう
に、本実施の形態では処理を行う際にはカセット106
が処理容器201の一部となるように密閉されて装着さ
れるので、カセット106の内部は封止された状態にな
る。なお、図2において、一番手前の処理ユニット10
8aはカセット106が装着されていない状態を、これ
以外の2つの処理ユニット108はカセット106が装
着された状態をそれぞれ示している。乾燥機構109は
処理ユニット108で洗浄処理された半導体ウェーハ1
10を乾燥する装置である。
The processing unit 108 is provided for the semiconductor wafer 1
This is a processing apparatus that removes unnecessary resist adhering to the surface of No. 10 using a resist stripper and then cleans it with a rinse liquid. The processing unit 108 includes the semiconductor wafer 11
The processing container 201 includes a cassette 106 in which the cassettes 0 are stored and upper and lower covers. As described above, in the present embodiment, when processing is performed, the cassette 106 is used.
Is sealed and mounted so as to become a part of the processing container 201, so that the inside of the cassette 106 is in a sealed state. Note that, in FIG.
8a shows a state in which the cassette 106 is not mounted, and the other two processing units 108 show a state in which the cassette 106 is mounted. The drying mechanism 109 includes the semiconductor wafer 1 cleaned by the processing unit 108.
10 is a device for drying.

【0027】次に、図2に示した半導体ウェーハの有機
レジスト剥離装置の一連の動作を以下に説明する。ロー
ダー101に取り付けられた未処理カセット103に収
容されている半導体ウェーハ110を、移し替え機構1
05によって処理用カセット106に移し替える。次に
搬送機構107によって半導体ウェーハ110の収容さ
れたカセット106を処理ユニット108に搬送する。
Next, a series of operations of the semiconductor wafer organic resist stripping apparatus shown in FIG. 2 will be described below. The semiconductor wafer 110 stored in the unprocessed cassette 103 attached to the loader 101 is transferred to the transfer mechanism 1
In step 05, the processing cassette 106 is transferred. Next, the cassette 106 containing the semiconductor wafers 110 is transported to the processing unit 108 by the transport mechanism 107.

【0028】洗浄処理を終了した後、半導体ウェーハ1
10が収容されたカセット106を、搬送機構107に
よって処理ユニット108から乾燥機構109に搬送す
る。乾燥処理後、半導体ウェーハ110が収容された処
理用カセット106を、搬送機構107によってもとあ
った場所に搬送する。そして、移し替え機構105によ
って半導体ウェーハ110をカセット106から処理済
カセット102に移し替える。
After completing the cleaning process, the semiconductor wafer 1
The cassette 106 accommodating 10 is transported from the processing unit 108 to the drying mechanism 109 by the transport mechanism 107. After the drying process, the processing cassette 106 containing the semiconductor wafer 110 is transported to the original place by the transport mechanism 107. Then, the semiconductor wafer 110 is transferred from the cassette 106 to the processed cassette 102 by the transfer mechanism 105.

【0029】図1は、本発明によるレジスト剥離装置の
処理ユニットの実施の形態を示す概略図である。処理容
器(以下処理容器)201は、半導体ウェーハ110を
収容したカセット106と、このカセット106の上部
開口部を塞ぐカバー(以下、上部カバーと称す)202
および下部開口部を塞ぐカバー(以下、下部カバーと称
す)203とを備えた処理容器である。上部カバー20
2および下部カバー203はカセット106と密着され
てその内部が封止される。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a processing unit of a resist stripping apparatus according to the present invention. The processing container (hereinafter, processing container) 201 includes a cassette 106 that stores the semiconductor wafer 110 and a cover (hereinafter, referred to as an upper cover) 202 that closes an upper opening of the cassette 106.
And a cover (hereinafter, referred to as a lower cover) 203 for closing the lower opening. Top cover 20
2 and the lower cover 203 are in close contact with the cassette 106, and the inside is sealed.

【0030】整流室204は下部カバー203に設けら
れた略円筒形状の整流チャンバである。配管系から送ら
れてきたレジスト剥離液やリンス液等の処理液は、この
整流室204内で水平方向の渦流になって下部カバー2
03からカセット106に収容された半導体ウェーハ1
10に行き渡る。下部カバー203の上部は、容器内で
大きな段差が生じないように、整流室204からテーパ
状に広がってカセット106の下部開口部と密着される
ため、液の流れに乱れが生じることが無く、容器内で均
一な流れを得ることができる。
The rectification chamber 204 is a substantially cylindrical rectification chamber provided on the lower cover 203. The processing liquid such as the resist stripping liquid and the rinsing liquid sent from the piping system becomes a vortex in the horizontal direction in the rectification chamber 204, and the lower cover 2
The semiconductor wafer 1 stored in the cassette 106 from 03
Go to 10 The upper portion of the lower cover 203 is tapered from the rectifying chamber 204 and closely adhered to the lower opening of the cassette 106 so that a large step does not occur in the container. A uniform flow can be obtained in the container.

【0031】密着機構205は、カセット106と上部
カバー202および下部カバー203を密着させる機構
部である。密着機構205は下部カバー203を上下に
駆動することができる。この密着機構205によって、
下部カバー203は、カセット106を配置する前(ま
たは取り外す前)は最も低く、カセット106を配置し
た後に上昇してその先端が上部カバー202に達し、こ
れらカバーとカセット106とが密着されると密着機構
205による上昇が停止する。
The contact mechanism 205 is a mechanism for bringing the cassette 106 into close contact with the upper cover 202 and the lower cover 203. The contact mechanism 205 can drive the lower cover 203 up and down. With this contact mechanism 205,
The lower cover 203 is the lowest before the cassette 106 is placed (or removed), rises after the cassette 106 is placed, and its tip reaches the upper cover 202. The lifting by the mechanism 205 stops.

【0032】循環ポンプ206は、薬液タンク210に
貯蔵されたレジスト剥離液やリンス液供給機構211で
供給されるリンス液を、液体配管系213および処理容
器201で循環させる液体ポンプである。フィルター2
07は、循環させることで繰り返し使用するレジスト剥
離液のゴミ等を取るフィルターである。
The circulation pump 206 is a liquid pump that circulates the resist stripping liquid stored in the chemical liquid tank 210 and the rinsing liquid supplied by the rinsing liquid supply mechanism 211 in the liquid piping system 213 and the processing container 201. Filter 2
Reference numeral 07 denotes a filter that removes dust and the like from the resist stripping solution that is repeatedly used by circulating.

【0033】液供給開閉弁208および液排出側開閉弁
209は、薬液タンク210に貯蔵されたレジスト剥離
液を液体配管系213および処理容器201内を循環さ
せるときに開き、それ以外のときには閉じている開閉弁
である。排液回路212は、リンス液供給機構211か
ら供給されたリンス液が処理容器201の半導体ウェー
ハ110を洗浄処理した後に排液する場合に開く開閉弁
を含んだ回路である。回収開閉弁214は、処理容器2
01に供給したレジスト剥離液を回収するときに開く開
閉弁である。
The liquid supply opening / closing valve 208 and the liquid discharging side opening / closing valve 209 are opened when the resist stripping liquid stored in the chemical tank 210 is circulated in the liquid piping system 213 and the processing vessel 201, and closed at other times. Open / close valve. The drain circuit 212 is a circuit that includes an open / close valve that opens when the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply mechanism 211 drains the semiconductor wafer 110 in the processing container 201 after the semiconductor wafer 110 is cleaned. The recovery on-off valve 214 is connected to the processing container 2
This is an opening / closing valve that is opened when the resist stripping liquid supplied to 01 is collected.

【0034】カセット106は、図2に示した搬送機構
107によって処理ユニット108に搬送され、下部カ
バー203の上に配置される。ここで密着機構205に
よってカセット106を上部カバー202と下部カバー
203との間で挟み込み、密着させて処理容器201を
形成する。このとき、処理で使用した上部カバー202
と下部カバー203にあった液は除去されている。ま
た、液体配管系213に配設されている液供給側開閉弁
208と液排出側開閉弁209によって上部カバー20
2と下部カバー203への液の供給経路は遮断されてい
る。
The cassette 106 is transported to the processing unit 108 by the transport mechanism 107 shown in FIG. Here, the cassette 106 is sandwiched between the upper cover 202 and the lower cover 203 by the contact mechanism 205 and adhered to form the processing container 201. At this time, the upper cover 202 used in the processing
And the liquid in the lower cover 203 has been removed. The liquid supply side opening / closing valve 208 and the liquid discharge side opening / closing valve 209 provided in the liquid piping system 213 allow the upper cover 20 to be closed.
2 and the supply path of the liquid to the lower cover 203 is shut off.

【0035】循環ポンプ206をスタートさせると、薬
液タンク210よりレジスト剥離液が送り出され、供給
液体配管系216を通り、循環ポンプ206、フィルタ
207、液供給側開閉弁209、循環液体配管系215
を経て、下部カバー203に設けれた整流室204に液
が送り込まれる。レジスト剥離液はこの整流室204内
で水平方向の渦流となって処理容器201内の半導体ウ
ェーハ110表面を均一に流れ上部カバー202から排
出される。
When the circulation pump 206 is started, the resist stripping solution is sent out from the chemical liquid tank 210, passes through the supply liquid piping system 216, passes through the circulation pump 206, the filter 207, the liquid supply side opening / closing valve 209, and the circulation liquid piping system 215.
After that, the liquid is sent to the rectification chamber 204 provided in the lower cover 203. The resist stripping solution becomes a vortex in the horizontal direction in the rectification chamber 204, flows uniformly on the surface of the semiconductor wafer 110 in the processing chamber 201, and is discharged from the upper cover 202.

【0036】処理容器201から排出されたレジスト剥
離液は排出側開閉弁208を経て、液体配管系213を
通り薬液タンク210に戻され、洗浄処理中このレジス
ト剥離液の循環が繰り返される。洗浄処理が終了する
と、回収開閉弁214が開き、循環液体配管系215を
介して処理容器201内のレジスト剥離液がすべて薬液
タンク210に回収される。その後、リンス液供給機構
211からリンス液が循環液体配管系215に送り込ま
れ、下部カバー203に設けられた整流室204に送ら
れる。ここで整流されたリンス液は、水平方向の渦流と
なって、処理容器201内の半導体ウェーハ110表面
を均一に流れ、上部カバー202から排出される。
The resist stripping liquid discharged from the processing container 201 is returned to the chemical liquid tank 210 through the liquid piping system 213 via the discharge opening / closing valve 208, and the circulation of the resist stripping liquid is repeated during the cleaning process. When the cleaning processing is completed, the recovery opening / closing valve 214 is opened, and all the resist stripping liquid in the processing container 201 is recovered to the chemical liquid tank 210 via the circulating liquid piping system 215. Thereafter, the rinsing liquid is sent from the rinsing liquid supply mechanism 211 to the circulating liquid piping system 215, and is sent to the rectification chamber 204 provided in the lower cover 203. The rinsing liquid rectified here forms a vortex in the horizontal direction, uniformly flows on the surface of the semiconductor wafer 110 in the processing container 201, and is discharged from the upper cover 202.

【0037】処理容器201から排出されたリンス液は
排出液体配管系218を経て、排液回路212によって
処理ユニット108の外部に排出される。処理容器20
1内のリンス液が排出されると、液供給側開閉弁209
および液排出側開閉弁208によって処理容器201内
への液の供給が遮断される。その後、密着機構205に
より下部カバー203が下降することによってカセット
106、上部カバー202、下部カバー203の密着が
解除され、カセット106と上部カバー202とが離
れ、下部カバー203にカセット106を配置した状態
になる。そして搬送機構107(図2参照)によってカ
セット106を処理ユニット108から取り外し、もと
あった場所に搬送する。
The rinsing liquid discharged from the processing vessel 201 is discharged to the outside of the processing unit 108 by the drain circuit 212 through the discharge liquid piping system 218. Processing container 20
1 is discharged, the liquid supply side on-off valve 209 is discharged.
The supply of the liquid into the processing container 201 is shut off by the liquid discharge side opening / closing valve 208. Thereafter, when the lower cover 203 is lowered by the contact mechanism 205, the close contact between the cassette 106, the upper cover 202, and the lower cover 203 is released, the cassette 106 and the upper cover 202 are separated, and the cassette 106 is disposed on the lower cover 203. become. Then, the cassette 106 is removed from the processing unit 108 by the transport mechanism 107 (see FIG. 2) and transported to the original place.

【0038】図3は、図1に示した処理容器201の詳
細構造図である。液排出口301はレジスト剥離液およ
びリンス液を排出する排出口である。液注入/排出口3
02はレジスト剥離液およびリンス液を注入または排出
する注入/排出口である。パッキン400aは、カセッ
ト106との密着性を向上させるために上部カバー20
2に取り付けられた枠形状の樹脂性のパッキンである。
また、パッキン400bは、カセット106との密着性
を向上させるために下部カバー203に取り付けられた
枠形状の樹脂性のパッキンである。
FIG. 3 is a detailed structural view of the processing container 201 shown in FIG. The liquid discharge port 301 is a discharge port for discharging the resist stripping liquid and the rinsing liquid. Liquid inlet / drain 3
Reference numeral 02 denotes an injection / discharge port for injecting or discharging a resist stripping liquid and a rinsing liquid. The packing 400a is provided on the upper cover 20 to improve the adhesion to the cassette 106.
2 is a frame-shaped resinous packing attached to 2.
The packing 400b is a frame-shaped resin packing attached to the lower cover 203 in order to improve the adhesion to the cassette 106.

【0039】接続用ガイド304aは上部カバー202
側の密着機構205に設けられた、カセット106を定
位置に案内するガイドである。また、接続用ガイド30
4bは下部カバー203に設けられた、カセット106
を定位置に案内するガイドである。
The connection guide 304a is connected to the upper cover 202.
This is a guide provided in the close contact mechanism 205 for guiding the cassette 106 to a fixed position. In addition, the connection guide 30
4b is a cassette 106 provided on the lower cover 203.
Is a guide for guiding to the home position.

【0040】カセット106を下部カバー203に搬送
すると、下部カバー203に取り付けられている接続用
ガイド304によって最適位置に導かれ、下部カバー2
03に取り付けてあるパッキン303bを介してカセッ
ト106は下部カバー203上に配置される。カセット
106が配置されると、密着機構205(図1参照)に
よって下部カバー203が押し上げられてカセット10
6が上昇し、上部カバー202に取り付けられている接
続用ガイド304に導かれ、上部カバー202に取り付
けられているパッキン400を介して密着される。
When the cassette 106 is transported to the lower cover 203, it is guided to an optimum position by the connection guide 304 attached to the lower cover 203, and
The cassette 106 is disposed on the lower cover 203 via a packing 303b attached to the cassette 03. When the cassette 106 is placed, the lower cover 203 is pushed up by the contact mechanism 205 (see FIG.
6 rises, is guided to the connection guide 304 attached to the upper cover 202, and is brought into close contact with the gasket 400 via the packing 400 attached to the upper cover 202.

【0041】例えば図8(a)に示した半導体ウェーハ
110を収容する従来技術のカセットのように、搬送機
構107あるいは作業者によってカセット800を搬送
する際に把持する把手801が半導体ウェーハより上に
あると、把手801に起因する発塵が発生して半導体ウ
ェーハ110に重大な影響を与える異物が付着する可能
性がある。このため、本実施の形態によるカセット10
6では、外側側面に搬送の際に使用する搬送用把手10
6aを設けているので、空気の流れの経路であるダウン
フローが形成されているクリーンルーム内や装置内では
搬送用把手106aに起因する発塵の心配が全く無い。
For example, as shown in FIG. 8A, a grip 801 that is gripped when the cassette 800 is transported by the transport mechanism 107 or an operator is higher than the semiconductor wafer, such as a conventional cassette that accommodates the semiconductor wafer 110 shown in FIG. If there is, there is a possibility that dust generated due to the handle 801 may be generated and foreign matters that have a significant effect on the semiconductor wafer 110 may adhere. Therefore, the cassette 10 according to the present embodiment is
6, a transfer handle 10 used for transfer to the outer side surface.
The provision of the transfer handle 106a eliminates any risk of dust generation due to the transport handle 106a in a clean room or an apparatus in which a downflow, which is an air flow path, is formed.

【0042】図3に戻って、液注入/排出口302より
注入されたレジスト剥離液あるいはリンス液は、整流室
204によって水平方向の渦流ができ、注入された液体
が均一な状態の流れとなり上部へ達する。図9は整流室
204によって水平方向の渦流ができる仕組みを示した
ものである。すなわち、図9(a)では注入/排出口3
02が整流室204の底部の端に形成されている。この
ように、注入/排出口302を底部の端に形成すること
で、円筒形の整流室204の内周面を沿って注入された
液が回転し、水平方向の渦流を形成することができる。
Returning to FIG. 3, the resist stripping liquid or the rinsing liquid injected from the liquid injection / discharge port 302 is swirled in the horizontal direction by the rectification chamber 204, and the injected liquid flows in a uniform state. To reach. FIG. 9 shows a mechanism in which a vortex in the horizontal direction is generated by the rectification chamber 204. That is, in FIG.
02 is formed at the bottom end of the rectification chamber 204. In this manner, by forming the inlet / outlet 302 at the bottom end, the liquid injected along the inner peripheral surface of the cylindrical rectifying chamber 204 rotates, and a horizontal vortex can be formed. .

【0043】また、図9(b)では整流室204によっ
て水平方向の渦流ができる他の具体例を示したものであ
る。この具体例では、注入/排出口302が整流室20
4の底部中央に設けられ、注入された液体が斜めに噴出
して回転するように長円形のノズル902を4つ形成し
ている。なお、本実施の形態では整流室204を円筒形
状としたが、水平方向の渦流が効率的に形成できる形状
であれば良い。したがって、整流室204は、例えば下
から上にいくにしたがって断面積が大きくなるようにテ
ーパ状に広がっている円筒であっても良い。
FIG. 9B shows another specific example in which a vortex in the horizontal direction is generated by the rectification chamber 204. In this specific example, the inlet / outlet port 302 is
Four oblong nozzles 902 are provided at the center of the bottom of the nozzle 4 so that the injected liquid jets obliquely and rotates. In the present embodiment, the rectifying chamber 204 has a cylindrical shape, but any shape may be used as long as the vortex in the horizontal direction can be efficiently formed. Therefore, the rectification chamber 204 may be, for example, a cylinder that expands in a tapered shape so that the cross-sectional area increases from bottom to top.

【0044】図3に戻って、レジスト剥離液またはリン
ス液は整流室204を満たした後、半導体ウェーハ11
0の表面まで増えていき、さらに液排出口301に達し
てこれより処理容器201の外部に排出される。また、
洗浄処理が終了した後、レジスト剥離液またはリンス液
は注入/排出口302より排出される。
Referring back to FIG. 3, after the resist stripping solution or the rinsing solution fills the rectification chamber 204, the semiconductor wafer 11
0, and reaches the liquid discharge port 301 to be discharged to the outside of the processing container 201. Also,
After the completion of the cleaning process, the resist stripping solution or the rinsing solution is discharged from the injection / discharge port 302.

【0045】図4はカバーに取り付けられるパッキン4
00の上から見た図(図面では上部カバー202と密着
するパッキンが図示されている)と、矢印A−Aで切断
したときの断面図である。図4(a)は接続面が平面で
あるパッキン、図4(b)は接続面が円弧状に張り出し
ているパッキン、図4(c)および(d)は接続面全周
に1本あるいは複数本の突起があるパッキンである。こ
のようにパッキン400を円弧状に張り出す形状にした
り突起を設けることで、接続面が平面であるパッキンと
比較してより高い密着性を実現することが可能となる。
FIG. 4 shows the packing 4 attached to the cover.
FIG. 7 is a diagram viewed from above (a packing in close contact with the upper cover 202 is shown in the drawing) and a cross-sectional view taken along a line AA. 4 (a) is a packing having a flat connecting surface, FIG. 4 (b) is a packing having a connecting surface projecting in an arc shape, and FIGS. 4 (c) and 4 (d) are one or a plurality of packings all around the connecting surface. Packing with book protrusions. In this manner, by forming the packing 400 in a shape of protruding in an arc shape or providing a projection, it is possible to realize higher adhesion than packing in which the connection surface is flat.

【0046】なお、カセット106の内面とカバー20
2(203)の内面とパッキン400の内面は同一面に
なるようにそれぞれが形成されている。このように、こ
れらを同一面となるようにすることで、容器内の液の流
れを乱さないようにすることができるとともに、面のズ
レによる突起部分にパーティクルが溜まることを防止す
ることが可能となる。
The inner surface of the cassette 106 and the cover 20
2 (203) and the inner surface of the packing 400 are formed so as to be flush with each other. In this way, by making them the same surface, it is possible to prevent the flow of the liquid in the container from being disturbed, and it is possible to prevent particles from accumulating on the protruding portion due to the misalignment of the surface. Becomes

【0047】図7は図1に示した処理容器201および
密着機構205を図示した詳細図である。密着機構20
5は、処理ユニットベース(以下、ベースと称す)70
1、下部カバー203を上下するシリンダ702および
上部カバー703を支持する支持棒703により構成さ
れている。
FIG. 7 is a detailed view illustrating the processing container 201 and the contact mechanism 205 shown in FIG. Adhesion mechanism 20
5 is a processing unit base (hereinafter, referred to as a base) 70
1, a cylinder 702 that moves up and down the lower cover 203 and a support rod 703 that supports the upper cover 703.

【0048】ベース701の上にシリンダ702が取り
付けられ、シリンダ702の中央にに下部カバー203
が図7に示すように取り付けられている。下部カバー2
03は一番下に下がっているときの状態の位置を原点と
する。この位置のとき、下部カバー203と上部カバー
202の間は、図2に示した搬送機構107(あるいは
人)がカセット106を出し入れするための所定の高さ
の空間がある。上部カバー202はこの空間を保つよう
に、ベース701に支持棒703で固定されている。支
持棒703は、下部カバー203と上部カバー202の
中心がずれないようにするための役割も果たしている。
A cylinder 702 is mounted on a base 701, and a lower cover 203 is provided at the center of the cylinder 702.
Are attached as shown in FIG. Lower cover 2
03 is the origin at the position of the state when it is lowered to the bottom. At this position, there is a space between the lower cover 203 and the upper cover 202 at a predetermined height for the transfer mechanism 107 (or a person) shown in FIG. The upper cover 202 is fixed to the base 701 with a support bar 703 so as to maintain this space. The support bar 703 also serves to prevent the centers of the lower cover 203 and the upper cover 202 from shifting.

【0049】搬送機構107により搬送処理が行われ
て、処理ユニット108の下部カバー203にカセット
106が配置されると、搬送機構107が処理ユニット
108から離れた後、下部カバー203をシリンダ70
2によって上昇させ、カセット106を鋏込むようにし
て、上部カバー202と密着させる。
When the cassette 106 is placed on the lower cover 203 of the processing unit 108 after the carrying process is performed by the carrying mechanism 107, the lower cover 203 is moved to the cylinder 70 after the carrying mechanism 107 is separated from the processing unit 108.
2 and the cassette 106 is brought into close contact with the upper cover 202 by scissors.

【0050】以上、詳細に説明したように本実施の形態
による半導体ウェーハの有機レジスト剥離装置によれ
ば、レジスト剥離液中の成分の蒸発を抑えることによ
り、レジスト剥離液の劣化を抑え、液寿命を長くするこ
とが出来る。レジスト剥離液あるいはリンス液の蒸発が
抑えられることにより、排気容量の削減、排気装置、ク
リーンユニットおよびその周辺機器の電力等の省力化が
できる。また、本発明によればカセットと処理容器内壁
との空間に満たされていた、余剰であった液をなくすこ
とができ、液の使用量が少なくて済む。
As described above in detail, according to the semiconductor wafer organic resist stripping apparatus according to the present embodiment, by suppressing the evaporation of the components in the resist stripping solution, the deterioration of the resist stripping solution is suppressed, and the life of the resist stripping solution is reduced. Can be lengthened. By suppressing the evaporation of the resist stripping solution or the rinsing solution, the exhaust capacity can be reduced, and the power of the exhaust device, the clean unit and its peripheral devices can be saved. Further, according to the present invention, it is possible to eliminate the surplus liquid that has been filled in the space between the cassette and the inner wall of the processing container, and it is possible to reduce the amount of liquid used.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よる半導体ウェーハの有機レジスト剥離装置を用いる
と、レジスト剥離液が外気に触れることが無いため、レ
ジスト剥離液中の成分の蒸発を抑えることができ、レジ
スト剥離液の寿命を長くすることができる。また、半導
体ウェーハが収容されたカセットの内部にのみレジスト
剥離液およびリンス液が入る構造であるため、半導体ウ
ェーハを処理する以外の余剰の液を従来技術と比較して
ほとんど必要としなくて済む。
As described in detail above, when the organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention is used, the resist stripping liquid does not come into contact with the outside air, so that the evaporation of the components in the resist stripping liquid is suppressed. And the life of the resist stripping solution can be extended. Further, since the structure is such that the resist stripping solution and the rinsing solution enter only inside the cassette in which the semiconductor wafers are accommodated, there is almost no need for an excess solution other than for processing the semiconductor wafers as compared with the related art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による半導体ウェーハの有機レジスト剥
離装置の処理ユニットの実施の形態を示す概要図。
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of a processing unit of an organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図2】本発明による半導体ウェーハの有機レジスト剥
離装置の全体を示した概要図。
FIG. 2 is a schematic view showing the entirety of an organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図3】図1に示した半導体ウェーハの洗浄を行う処理
容器の正面図。
FIG. 3 is a front view of a processing container for cleaning the semiconductor wafer shown in FIG. 1;

【図4】半導体ウェーハを収容したカセットを密着させ
るためのパッキンの一具体例を示した正面図および断面
図。
FIGS. 4A and 4B are a front view and a cross-sectional view showing a specific example of a packing for bringing a cassette accommodating semiconductor wafers into close contact.

【図5】開放型処理槽を使用した従来技術における有機
レジスト剥離装置の概要図。
FIG. 5 is a schematic diagram of an organic resist stripping apparatus according to a conventional technique using an open processing tank.

【図6】従来技術におけるスプレー式有機レジスト剥離
装置の概要図。
FIG. 6 is a schematic view of a conventional spray-type organic resist stripping apparatus.

【図7】図1に示した半導体ウェーハの洗浄を行う処理
容器とカセットを密着させるための密着機構とを示した
概要図。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a processing container for cleaning the semiconductor wafer shown in FIG. 1 and a contact mechanism for bringing a cassette into close contact.

【図8】半導体ウェーハを収容する従来技術の処理用カ
セット(a)と、本実施の形態で使用する処理用カセッ
ト(b)の外観斜視図。
FIG. 8 is an external perspective view of a conventional processing cassette (a) accommodating semiconductor wafers and a processing cassette (b) used in the present embodiment.

【図9】図3に示した整流室の底部に形成された注入/
排出口の位置および形状を示した説明図。
FIG. 9 shows an injection / forming device formed at the bottom of the rectifying chamber shown in FIG. 3;
Explanatory drawing which showed the position and shape of the discharge port.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 未処理の半導体ウェーハ保管用カセット設置
機構 102 処理済みの半導体ウェーハ保管用カセット設
置機構 103 未処理の半導体ウェーハ保管用カセット 104 処理済みの半導体ウェーハ保管用カセット 105 移し替え機構 106 処理用カセット 106a 搬送用把手 107 搬送機構 108 処理ユニット 109 乾燥機構 110 半導体ウェーハ 201 処理容器 202 上部カバー 203 下部カバー 204 整流室 205 密着機構 206 循環ポンプ 207 フィルター 208 液供給側開閉弁 209 液排出側開閉弁 210 薬液タンク 211 リンス液供給機構 212 排液回路 213 液体配管系 301 液排出口 302 液注入/排出口 304 設置用ガイド 400 パッキン
101 Unprocessed semiconductor wafer storage cassette setting mechanism 102 Processed semiconductor wafer storage cassette setting mechanism 103 Unprocessed semiconductor wafer storage cassette 104 Processed semiconductor wafer storage cassette 105 Transfer mechanism 106 Processing cassette 106a Transport Handle 107 Transport mechanism 108 Processing unit 109 Drying mechanism 110 Semiconductor wafer 201 Processing container 202 Upper cover 203 Lower cover 204 Rectifying chamber 205 Adhesion mechanism 206 Circulation pump 207 Filter 208 Liquid supply-side open / close valve 209 Liquid discharge-side open / close valve 210 Chemical liquid tank 211 Rinse liquid supply mechanism 212 Drain circuit 213 Liquid piping system 301 Liquid discharge port 302 Liquid injection / discharge port 304 Installation guide 400 Packing

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 博司 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2H096 AA25 LA01 LA03 5F046 MA10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Hiroshi Tanaka 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 2H096 AA25 LA01 LA03 5F046 MA10

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理用カセットに保持された半導体ウェ
ーハの表面に付着している不要なレジストを、レジスト
剥離液を用いて除去する半導体ウェーハの有機レジスト
剥離装置において、 前記レジスト剥離液が貯蔵された薬液タンクと、 前記薬液タンクに貯蔵されたレジスト剥離液を用いて前
記半導体ウェーハの表面に付着している不要なレジスト
を除去する処理容器と、 前記薬液タンクと前記処理容器との間で前記レジスト剥
離液が循環できるように配管された液体配管系と、 前記液体配管系に取り付けられ、前記レジスト液を循環
させる循環ポンプとを有し、 前記処理容器は、前記半導体ウェーハが保持された処理
用カセットを含み、前記薬液タンクから供給されたレジ
スト剥離液が外部に触れない構造であることを特徴とす
る半導体ウェーハの有機レジスト剥離装置。
1. A semiconductor wafer organic resist stripper for removing unnecessary resist adhering to a surface of a semiconductor wafer held in a processing cassette using a resist stripper, wherein the resist stripper is stored. A chemical solution tank, a processing container for removing unnecessary resist attached to the surface of the semiconductor wafer using a resist stripper stored in the chemical solution tank, and a processing container between the chemical solution tank and the processing container. A liquid piping system piped so that a resist stripping liquid can be circulated; and a circulation pump attached to the liquid piping system and circulating the resist liquid, wherein the processing container holds the semiconductor wafer. A semiconductor cassette including a cassette for use, wherein the resist stripping solution supplied from the chemical solution tank does not touch the outside. Organic resist stripping apparatus Eha.
【請求項2】 請求項1に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記処理用カセットは上部と下部が開口している
カセットであり、この処理用カセットの開口している部
分が封止されるように前記処理容器に装着されることを
特徴とする半導体ウェーハの有機レジスト剥離装置。
2. The resist stripping apparatus according to claim 1, wherein the processing cassette is a cassette having upper and lower openings, and the opening of the processing cassette is sealed. An organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer, which is mounted on the processing container.
【請求項3】 請求項2に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記処理容器は、前記処理用カセットの上部開口
部と密着する第1のカバーと、下部開口部と密着する第
2のカバーとを有することを特徴とする半導体ウェーハ
の有機レジスト剥離装置。
3. The resist stripping apparatus according to claim 2, wherein the processing container includes a first cover that is in close contact with an upper opening of the processing cassette, and a second cover that is in close contact with the lower opening. An organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer, comprising:
【請求項4】 請求項3に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記第1のカバーおよび第2のカバーには、前記
処理用カセットの装着時の位置決めとなるカセット装着
用ガイドが当該カセットの周囲に配置されていることを
特徴とする半導体ウェーハの有機レジスト剥離装置。
4. A resist stripping apparatus according to claim 3, wherein said first cover and said second cover are provided with a cassette mounting guide for positioning at the time of mounting said processing cassette around said cassette. An organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer, wherein the apparatus is arranged.
【請求項5】 請求項3に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記処理用カセットの上部開口部と下部開口部の
周囲およびこれら開口部と接する前記第1のカバーと第
2のカバーのいずれか一方または両方にはパッキンが設
けられていることを特徴とする半導体ウェーハの有機レ
ジスト剥離装置。
5. The resist stripping apparatus according to claim 3, wherein one of the first cover and the second cover surrounding the upper opening and the lower opening of the processing cassette and in contact with the openings. Alternatively, an organic resist peeling device for a semiconductor wafer, wherein packing is provided on both.
【請求項6】 請求項5に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記パッキンは接触面が平坦または円弧形状に張
り出しているパッキンであり、 前記接触面には1本または複数本の突起が全周にわたっ
て形成されていることを特徴とする半導体ウェーハの有
機レジスト剥離装置。
6. The resist stripping apparatus according to claim 5, wherein the packing is a packing whose contact surface is flat or protrudes in an arc shape, and one or more projections are provided on the contact surface over the entire circumference. An organic resist stripping apparatus for a semiconductor wafer, wherein the apparatus is formed.
【請求項7】 請求項5に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記パッキンは前記処理用カセットを装着したと
きに前記カバーおよびカセットの内周面と同一面になる
ように形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ
の有機レジスト剥離装置。
7. The resist removing apparatus according to claim 5, wherein the packing is formed so as to be flush with the inner peripheral surface of the cover and the cassette when the processing cassette is mounted. Organic wafer peeling device for semiconductor wafers.
【請求項8】 請求項3に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記第1のカバーおよび第2のカバーはそれぞ
れ、レジスト剥離液やリンス液の注入あるいは排出を行
う注入/排出口が形成されていることを特徴とする半導
体ウェーハの有機レジスト剥離装置。
8. The resist stripping apparatus according to claim 3, wherein each of the first cover and the second cover has an injection / discharge port for injecting or discharging a resist stripping liquid or a rinsing liquid. An organic resist stripper for a semiconductor wafer.
【請求項9】 請求項8に記載のレジスト剥離装置にお
いて、前記第2のカバーには整流チャンバとなる円筒形
状の整流室が設けられ、この整流室には水平方向の渦流
ができるように前記注入/排出口が底部の側面に形成さ
れていることを特徴とする半導体ウェーハの有機レジス
ト剥離装置。
9. The resist stripping apparatus according to claim 8, wherein the second cover is provided with a cylindrical rectification chamber serving as a rectification chamber, and the rectification chamber is provided with a vortex in a horizontal direction. An organic resist stripping device for a semiconductor wafer, wherein an injection / discharge port is formed on a side surface of a bottom.
【請求項10】 請求項9に記載のレジスト剥離装置に
おいて、前記第2のカバーは、カセット接続部から整流
室に向かって断面がテーパ状に徐々に小さくなる構造で
あることを特徴とする半導体ウェーハの有機レジスト剥
離装置。
10. The semiconductor device according to claim 9, wherein said second cover has a structure in which a cross section gradually decreases in a tapered shape from a cassette connecting portion toward a rectifying chamber. Wafer organic resist stripper.
【請求項11】 請求項1に記載のレジスト剥離装置に
おいて、このレジスト剥離装置は、さらにレジスト剥離
液から異物を除去する異物フィルターと、前記液体配管
系に設けられた開閉弁とを含み、 前記薬液タンクに収容されているレジスト剥離液を、前
記循環用ポンプによって送り出し、前記異物除去フィル
ター、前記開閉弁を介して、前記処理容器に供給し、こ
の処理容器から排出された薬液を、前記開閉弁を介し
て、薬液タンクに再び収容することを特徴とする半導体
ウェーハのレジスト剥離装置。
11. The resist stripping apparatus according to claim 1, wherein the resist stripping apparatus further includes a foreign substance filter for removing foreign substances from a resist stripping liquid, and an on-off valve provided in the liquid piping system. The resist stripping solution contained in the chemical solution tank is sent out by the circulation pump, supplied to the processing container via the foreign matter removing filter and the opening / closing valve, and the chemical solution discharged from the processing container is opened and closed. A resist stripping apparatus for a semiconductor wafer, wherein the resist is re-stored in a chemical solution tank via a valve.
【請求項12】 請求項11に記載のレジスト剥離装置
において、このレジスト剥離装置は、リンス液を前記処
理容器に少なくとも一種類のリンス液を供給することが
できるリンス液供給機構を含み、 前記半導体ウェーハをレジスト剥離液で処理し、レジス
ト剥離液を薬液タンクに回収した後、前記リンス液供給
機構より前記処理容器にリンス液を供給し、前記半導体
ウェーハをリンスすることを特徴とする半導体ウェーハ
のレジスト剥離装置。
12. The resist stripping device according to claim 11, wherein the resist stripping device includes a rinsing liquid supply mechanism that can supply at least one kind of rinsing liquid to the processing container. Treating the wafer with a resist stripper, collecting the resist stripper in a chemical tank, supplying a rinsing liquid to the processing container from the rinsing liquid supply mechanism, and rinsing the semiconductor wafer. Resist stripper.
【請求項13】 請求項12に記載のレジスト剥離装置
において、前記半導体ウェーハが保持された処理用カセ
ットが装着されていない場合、前記開閉弁を閉じること
で前記レジスト剥離液またはリンス液の漏洩を防止する
ことを特徴とする半導体ウェーハのレジスト剥離装置。
13. The resist stripping apparatus according to claim 12, wherein when the processing cassette holding the semiconductor wafer is not mounted, the on-off valve is closed to prevent leakage of the resist stripping liquid or the rinsing liquid. A resist stripping apparatus for a semiconductor wafer, wherein the resist is stripped.
【請求項14】 請求項1に記載のレジスト剥離装置に
おいて、このレジスト剥離装置は、 未処理の半導体ウェーハが保管されている第1の保管用
カセットの設置機構、 処理済の半導体ウェーハを保管する第2の保管用カセッ
トの設置機構、 前記第1の保管用カセットから前記処理用カセットに、
この処理用カセットから第2の保管用カセットに半導体
ウェーハを移し変える機構、 前記処理用カセットを処理容器に搬送する搬送ロボッ
ト、 前記処理容器で洗浄処理された処理済ウェーハの乾燥機
構とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハのレジス
ト剥離装置。
14. The resist stripping apparatus according to claim 1, wherein the resist stripping apparatus includes a first storage cassette installation mechanism storing unprocessed semiconductor wafers, and stores the processed semiconductor wafers. An installation mechanism for a second storage cassette, from the first storage cassette to the processing cassette,
A mechanism for transferring semiconductor wafers from the processing cassette to a second storage cassette; a transport robot for transporting the processing cassette to a processing container; and a drying mechanism for a processed wafer cleaned in the processing container. A semiconductor wafer resist stripping apparatus.
【請求項15】 対向する2つの第1の辺が半導体ウェ
ーハの直径よりやや広く、この第1の辺と直角な対向す
る2つの第2の辺とを備えた矩形状の上部開口部と、 前記上部開口部より挿入された前記半導体ウェーハを挟
持する複数のスリットと、 前記第1の辺と対応する第3の辺がこの第1の辺よりも
短く、前記第2の辺と対応する第4の辺がこの第2の辺
と同じ長さの矩形状の下部開口部とを備え、 前記複数のスリットが前記第2の辺に沿って形成されて
おり、前記上部開口部および下部開口部のみ開口されて
いることを特徴とする処理用カセット。
15. A rectangular upper opening having two opposing first sides slightly wider than the diameter of the semiconductor wafer and having two opposing second sides perpendicular to the first sides; A plurality of slits sandwiching the semiconductor wafer inserted from the upper opening, a third side corresponding to the first side is shorter than the first side, and a third side corresponding to the second side. 4 has a rectangular lower opening having the same length as the second side, and the plurality of slits are formed along the second side, and the upper opening and the lower opening are provided. A processing cassette characterized in that it is open only.
【請求項16】 請求項15に記載の処理用カセットに
おいて、外面の所定の位置に搬送ロボットが前記処理用
カセットの搬送時に担持する取手が形成されていること
を特徴とする処理用カセット。
16. The processing cassette according to claim 15, wherein a handle is provided at a predetermined position on an outer surface of the processing robot so that the transport robot carries the processing cassette.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100958577B1 (en) * 2003-11-21 2010-05-18 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus and Method of Striping
CN113245338A (en) * 2020-12-31 2021-08-13 马宁 Semiconductor material recovery processing device

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