JP2000315453A - Emitter for field emission negative electrode and its manufacture - Google Patents

Emitter for field emission negative electrode and its manufacture

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JP2000315453A
JP2000315453A JP12446199A JP12446199A JP2000315453A JP 2000315453 A JP2000315453 A JP 2000315453A JP 12446199 A JP12446199 A JP 12446199A JP 12446199 A JP12446199 A JP 12446199A JP 2000315453 A JP2000315453 A JP 2000315453A
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field emission
cathode
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和則 井上
Keiichi Betsui
圭一 別井
Tadashi Nakatani
忠司 中谷
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the correspondence to large screen and easily manufacture an emitter by forming a negative electrode material mainly made of carbon adhered to a prescribed position on a substrate from isotropic carbon micro powder. SOLUTION: A negative electrode substrate 1 is made of glass or the like, the negative electrode substrate is micro powder 3 mainly made of carbon of isotropic carbon serving as an emitter for emitting electrons, and an adhesive 2 is ITO ink. The emitter can be easily formed in two processes that the adhesive 2 is applied to a position where the emitter is formed on the negative electrode substrate 1 and then the micro powder 3 is applied and adhered onto the adhesive 2. An insulating film such as SiO2 is formed on this structure, a gate electrode film is formed on it, then the tip part of the gate electrode film over the micro powder 3 is removed to expose the insulating film, and a part of the insulating film is removed to expose a part of the tip part of the micro powder 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電界放出陰極の
エミッタ及びその製造方法に関し、特に、マイクロ真空
管、マイクロウェーブ素子、超高速演算素子、放射線環
境(宇宙、原子炉等)や高温環境での表示素子等に応用
される微小冷陰極の一つである電界放出陰極に利用され
るエミッタ及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an emitter for a field emission cathode and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a micro vacuum tube, a microwave device, an ultra-high speed operation device, a radiation environment (space, nuclear reactor, etc.) and a high temperature environment. The present invention relates to an emitter used as a field emission cathode, which is one of micro cold cathodes applied to a display element or the like, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】電界放出陰極を用いた素子は、半導体素
子と比較し、電子の移動度が大きく、高速、高温動作、
放射損傷に強い。したがって今日、高輝度、低消費電力
が要求される表示素子として利用されつつある。
2. Description of the Related Art A device using a field emission cathode has a higher electron mobility than a semiconductor device, and can operate at high speed, at a high temperature,
Resistant to radiation damage. Therefore, they are being used today as display elements that require high luminance and low power consumption.

【0003】図11に、従来から用いられている電界放
出陰極の一部分の構造の斜視図を示す。電界放出陰極
は、先端が尖ったエミッタティップ101と、エミッタ
ティップに負電圧を与えるエミッタ電極102と、電子
引出し用のゲート電極103とから構成される。図11
に示すように、エミッタティップ101とゲート電極1
02との間に電圧を印加すると、エミッタティップの先
端に大きな電界が加わり、電子放出が起こる。
FIG. 11 is a perspective view showing the structure of a part of a conventionally used field emission cathode. The field emission cathode includes an emitter tip 101 having a sharp tip, an emitter electrode 102 for applying a negative voltage to the emitter tip, and a gate electrode 103 for extracting electrons. FIG.
As shown in the figure, the emitter tip 101 and the gate electrode 1
When a voltage is applied between the emitter tip and the emitter tip 02, a large electric field is applied to the tip of the emitter tip, and electron emission occurs.

【0004】図12に、従来の電界放出陰極を用いた表
示装置の概略構成図を示す。陰極板109では、ガラス
基板105上に、ストライプ状のエミッタ電極102が
形成され、絶縁層104を介して、エミッタ電極102
と直交する方向に、ゲート電極103が形成される。エ
ミッタ電極102とゲート電極103の交差部分である
画素106に、複数の電界放出陰極からなる微小陰極ア
レイ(FEA)が形成される。上方の陽極基板107の
表面に赤(R)、緑(G)、青(B)の3種の蛍光体1
08が形成され、電界放出陰極から出た放出電子が蛍光
体108に当たることによって発光を生じる。
FIG. 12 shows a schematic configuration diagram of a display device using a conventional field emission cathode. In the cathode plate 109, a stripe-shaped emitter electrode 102 is formed on a glass substrate 105, and the emitter electrode 102 is formed via an insulating layer 104.
The gate electrode 103 is formed in a direction perpendicular to the direction. A micro cathode array (FEA) including a plurality of field emission cathodes is formed in a pixel 106 at an intersection of the emitter electrode 102 and the gate electrode 103. Three kinds of phosphors 1 of red (R), green (G), and blue (B) are provided on the surface of the upper anode substrate 107.
08 is formed, and the emitted electrons emitted from the field emission cathode strike the phosphor 108 to emit light.

【0005】このような電界放出陰極は、一般にスピン
トらが開発した製造方法が用いられる。図13に、スピ
ントらが開発した電界放出陰極(陰極板)の製造工程図
を示す。まず、図13の1)において、ガラスなどの絶
縁性基板116上に、エミッタ給電膜117を成膜し、
2)において、パターニングしてエミッタ電極102を
形成する。この後、3)において、プラズマCVD等に
より、絶縁膜118とゲート給電膜119をこの順に成
膜する。4)において、円径のゲート開孔部レジストパ
ターンを用いて、ゲート給電膜119と絶縁膜118を
それぞれエッチングして、口径が約1μmの円筒形のゲ
ート開口部120を形成する。
For such a field emission cathode, a manufacturing method developed by Spindt et al. Is generally used. FIG. 13 shows a manufacturing process diagram of a field emission cathode (cathode plate) developed by Spindt et al. First, in 1) of FIG. 13, an emitter feed film 117 is formed on an insulating substrate 116 such as glass.
In 2), patterning is performed to form an emitter electrode 102. Thereafter, in 3), an insulating film 118 and a gate power supply film 119 are formed in this order by plasma CVD or the like. In 4), the gate power supply film 119 and the insulating film 118 are respectively etched by using a circular gate opening resist pattern to form a cylindrical gate opening 120 having a diameter of about 1 μm.

【0006】次に、5)において、アルミニウム等の犠
牲層材料を、ゲート開口部120の中のエミッタ給電膜
117には付着しないように、絶縁性基板116に対し
て斜め方向から蒸着し、犠牲層膜121を形成する。さ
らに、6)において、モリブデンなどのエミッタ用金属
材料122を絶縁性基板116に垂直に蒸着する。この
とき、時間が経つにつれて、エミッタ用金属材料の堆積
に伴い、ゲート開口部120は徐々に塞がり、完全に塞
がった時には図の6)のようにゲート開口部120内に
は円錐状のエミッタティップ101が形成されている。
[0006] Next, in 5), a sacrificial layer material such as aluminum is vapor-deposited on the insulating substrate 116 obliquely so as not to adhere to the emitter feed film 117 in the gate opening 120. The layer film 121 is formed. Further, in step 6), an emitter metal material 122 such as molybdenum is vertically deposited on the insulating substrate 116. At this time, as time elapses, the gate opening 120 gradually closes due to the deposition of the metal material for the emitter. 101 are formed.

【0007】次に、7)において、犠牲層膜121を燐
酸水溶液などで選択的に溶解してエミッタティップ10
1以外のエミッタ用金属材料122を除去する。最後
に、図の8)のように、ゲート給電膜119を、所望の
形状にパターニングすれば微小な電界放出陰極が完成す
る。
Next, in step (7), the sacrificial layer film 121 is selectively dissolved with a phosphoric acid aqueous solution or the like to form an emitter tip 10.
The emitter metal material 122 other than 1 is removed. Finally, as shown in FIG. 8), if the gate power supply film 119 is patterned into a desired shape, a minute field emission cathode is completed.

【0008】しかし、大画面用の電界放出陰極を製造す
る場合には、前記工程のうち、工程4)の微細なゲート
開口部120の形成と、工程6)のエミッタ用金属材料
の蒸着において問題がある。まず、ゲート開口部120
は、口径が1μm程度という微細な円形パターンである
ので、大画面用の陰極を形成する際には所定の位置精度
を保持するように露光することが非常に困難である。
However, when manufacturing a field emission cathode for a large screen, there are problems in the formation of the fine gate opening 120 in step 4) and the deposition of the metal material for the emitter in step 6). There is. First, the gate opening 120
Is a fine circular pattern having a diameter of about 1 μm, so it is very difficult to perform exposure so as to maintain a predetermined positional accuracy when forming a cathode for a large screen.

【0009】また、エミッタ用金属材料は、基板に対し
てほぼ垂直に蒸着する必要があるが、大画面用の陰極を
作る場合には、大きな蒸着装置が必要になる。一般に、
この蒸着を基板全体にわたって精度よく行うためには、
基板は10インチ程度のサイズまでが限界である。さら
に、この蒸着工程があるので、大型のガラス基板から多
面取りをすることができない。
Further, the metal material for the emitter needs to be deposited almost perpendicularly to the substrate. However, when a cathode for a large screen is formed, a large deposition device is required. In general,
In order to perform this deposition accurately over the entire substrate,
The substrate is limited to a size of about 10 inches. Furthermore, since this vapor deposition step is performed, it is not possible to form a plurality of glass substrates from a large size.

【0010】そこで、大画面用の電界放出陰極を形成す
るためには、より簡易な製造方法と形成が容易な陰極材
料が要望されている。ところで、近年、陰極材料として
注目されているものに、ダイヤモンドやカーボンナノチ
ューブのような炭素系材料がある。炭素系材料は、主要
原料が炭素で構成されることから低コストで形成でき、
また表面にガスが付着しにくいという特徴がある。
Therefore, in order to form a field emission cathode for a large screen, there is a demand for a simpler manufacturing method and a cathode material which can be easily formed. By the way, carbon-based materials such as diamond and carbon nanotubes have recently attracted attention as cathode materials. Carbon-based materials can be formed at low cost because the main raw material is composed of carbon,
In addition, there is a feature that a gas does not easily adhere to the surface.

【0011】この発明は、以上のような事情を考慮して
なされたものであり、等方性カーボンの炭素を主体とし
た陰極材料を用いたエミッタを提供すること、及び大画
面化に対応可能で、従来よりも容易なエミッタの製造方
法を提供することを課題とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an emitter using a cathode material mainly composed of isotropic carbon, and is capable of responding to a large screen. Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an emitter which is easier than before.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明は、基板と、そ
の基板上の所定の位置に固着された炭素を主体とした陰
極材料とから構成され、前記陰極材料が、等方性カーボ
ンの微小粉であることを特徴とする電界放出陰極のエミ
ッタを提供するものである。ここで、前記陰極材料は、
接着層を介して基板に固着されるようにしてもよい。
これにより、大画面の表示装置にも利用可能で、製造の
容易な電界放出陰極のエミッタを提供することができ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises a substrate and a cathode material mainly composed of carbon fixed at a predetermined position on the substrate, wherein the cathode material is made of fine particles of isotropic carbon. It is intended to provide a field emission cathode emitter characterized by being powder. Here, the cathode material is
You may make it adhere to a board | substrate via an adhesive layer.
Thus, it is possible to provide a field emission cathode emitter which can be used for a large-screen display device and is easily manufactured.

【0013】この発明において、基板は、ガラス,水晶
等を用いることができる。陰極材料の元となる微小粉と
しては、等方性カーボンを用いることができる。等方性
カーボンとは、ハードカーボンやガラス状カーボンなど
の難黒鉛化性カーボン、あるいは等方性高密度グラファ
イトのいずれかの微小粉をいう。また、陰極材料である
微小粉は、良好な電子放出特性を得るために、微小な突
起を有する形状、例えば、三角錐形状であることが好ま
しい。また、微小粉の1単位は1〜150μm程度の大
きさである。接着層としては、ITOインク、レジス
ト、低融点ガラス等を用いることができる。また、この
発明は、基板上の所定の位置に、接着層を介して、炭素
を主体とする微小粉からなる陰極材料を固着させたこと
を特徴とする電界放出陰極のエミッタの製造方法を提供
するものである。
In the present invention, glass, quartz or the like can be used for the substrate. Isotropic carbon can be used as the fine powder that is the source of the cathode material. The isotropic carbon refers to any fine powder of hardly graphitizable carbon such as hard carbon or glassy carbon, or isotropic high-density graphite. The fine powder as the cathode material preferably has a shape having fine projections, for example, a triangular pyramid shape, in order to obtain good electron emission characteristics. One unit of the fine powder has a size of about 1 to 150 μm. As the adhesive layer, ITO ink, resist, low-melting glass, or the like can be used. Further, the present invention provides a method for manufacturing an emitter of a field emission cathode, wherein a cathode material made of fine powder mainly composed of carbon is fixed at a predetermined position on a substrate via an adhesive layer. Is what you do.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施の形態に基
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。図1に、この発明におい
て、電界放出陰極を構成する1単位であって電子を放出
する1つのエミッタを形成する方法についての概略図を
示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment shown in the drawings. Note that the present invention is not limited to this. FIG. 1 is a schematic view showing a method of forming one emitter which emits electrons, which is one unit constituting a field emission cathode in the present invention.

【0015】図1において、符号1はガラス等で作製さ
れた陰極基板であり、符号3は陰極材料、すなわち電子
を放出するエミッタとなる等方性カーボンの炭素を主体
とした微小粉(以下、「微小粉」と呼ぶ)であり、符号
2はITOインク等の接着剤である。ここで微小粉3
は、図1では球状で表わされているが、これに限るもの
ではなく、電子を放出することのできる形状であればよ
く、三角錐等の種々の形状に形成できる。三角錐の形状
に形成する場合については後述する。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a cathode substrate made of glass or the like, and reference numeral 3 denotes a cathode material, that is, a fine powder mainly composed of carbon of isotropic carbon serving as an emitter for emitting electrons (hereinafter, referred to as a cathode). Reference numeral 2 denotes an adhesive such as ITO ink. Here fine powder 3
Although shown in FIG. 1 as a spherical shape, the shape is not limited to this, and may be any shape that can emit electrons, and can be formed into various shapes such as a triangular pyramid. The case of forming a triangular pyramid will be described later.

【0016】ところで、等方性カーボンはグラファイト
と比較すると緻密であるのでガスを吸蔵しにくいという
利点を有する。しかし、このような特徴を持つ等方性カ
ーボン材料は、陰極基板上へ成膜することが困難であ
る。すなわち、等方性カーボン材料のひとつである難黒
鉛化材料は、通常フェノール樹脂のような熱硬化性樹脂
を焼成することで形成されるが、この樹脂を難黒鉛化す
るためには、基板を1000℃以上という高温にさらす
必要がある。
By the way, isotropic carbon has an advantage that it is harder to absorb gas because it is denser than graphite. However, it is difficult to form an isotropic carbon material having such characteristics on a cathode substrate. That is, the non-graphitizable material, which is one of the isotropic carbon materials, is usually formed by baking a thermosetting resin such as a phenolic resin. It is necessary to expose to a high temperature of 1000 ° C or more.

【0017】そのため、ガラス等の基板上にあらかじめ
フェノール樹脂の状態でエミッタを成膜した後、高温に
しても1000℃以上という温度にすることは無理なた
め、材料は難黒鉛化せず、陰極として所定の特性を得る
ことが困難となる。また、熱硬化性樹脂自身で基板を形
成する場合も難黒鉛化のための焼成過程のときに、10
00℃以上という高温になるために基板が変形し、フラ
ットパネル化の点で問題がある。以下に示すこの発明の
エミッタ形成方法は、このような問題点を解決したもの
である。
For this reason, it is impossible to raise the temperature to 1000 ° C. or higher even after the emitter is formed in a phenol resin state on a glass or other substrate in advance. It is difficult to obtain a predetermined characteristic. Also, when the substrate is formed by the thermosetting resin itself, it is necessary to use a 10
The substrate is deformed due to the high temperature of 00 ° C. or higher, and there is a problem in flat panel formation. The emitter forming method of the present invention described below solves such a problem.

【0018】基本的には、エミッタは、まず陰極基板1
上のエミッタを形成すべき位置に接着剤2を塗布し(図
1(1):接着剤の塗布工程)、その後、微小粉3を接
着剤2の上に塗布し接着させる(図1(2))という2
つの工程によって容易に形成できる。形成の容易化や、
微小粉の基板に対する密着力の増強等のために、後述す
る実施例に示すような形成方法を用いる。
Basically, the emitter is first connected to the cathode substrate 1.
The adhesive 2 is applied to the upper position where the emitter is to be formed (FIG. 1 (1): adhesive application step), and then the fine powder 3 is applied on the adhesive 2 and adhered (FIG. 1 (2) 2)
It can be easily formed by one process. Easy formation,
In order to increase the adhesion of the fine powder to the substrate, for example, a forming method as described in Examples below is used.

【0019】図2に、図1に示したエミッタを用いた電
界放出型の電子源の製造工程図を示す。まず、図1に示
した方法と同様の方法によって、ガラス基板1上に、接
着剤2を介して等方性カーボンの炭素を主体とした微小
粉3を接着させる(図2(1):エミッタの形成)。こ
のとき、ガラス基板1上にマトリクス状に形成される画
素となるべき領域内に、微小粉3が複数個集中して形成
される。
FIG. 2 shows a manufacturing process diagram of a field emission type electron source using the emitter shown in FIG. First, a fine powder 3 mainly composed of isotropic carbon is bonded onto a glass substrate 1 via an adhesive 2 by a method similar to the method shown in FIG. 1 (FIG. 2A: emitter). Formation). At this time, a plurality of fine powders 3 are formed in a concentrated manner in a region to be a pixel formed in a matrix on the glass substrate 1.

【0020】次に、上記構造の上に、SiO2 等の絶縁
膜4をプラズマCVDあるいはSOG等のスピンコート
法により形成する(図2(2):絶縁膜の形成)。絶縁
膜4は、微小粉3をおおうように、基板表面全体にわた
って形成すればよい。さらに、上記構造の上にゲート電
極膜5を蒸着等の方法により、成膜する(図2(3):
ゲート電極の形成)。ここで、ゲート電極膜5は、たと
えば、銅,ニッケル等の材料を用いる。
Next, an insulating film 4 such as SiO 2 is formed on the above structure by a plasma CVD method or a spin coating method such as SOG (FIG. 2 (2): formation of insulating film). The insulating film 4 may be formed over the entire substrate surface so as to cover the fine powder 3. Further, a gate electrode film 5 is formed on the above structure by a method such as vapor deposition (FIG. 2C).
Formation of gate electrode). Here, for the gate electrode film 5, for example, a material such as copper or nickel is used.

【0021】次に、CMPあるいはレジストを用いたエ
ッチバックによって、微小粉3の上方のゲート電極膜5
の先端部分を除去し絶縁膜4を一部露出させる(図2
(4):ゲート電極膜先端部の除去)。露出した絶縁膜
4の一部を、RIEあるいはフッ酸エッチング等の方法
により除去し、微小粉3の先端部分を図2(5)のよう
に一部露出させる(図2(5):絶縁膜の除去)。
Next, the gate electrode film 5 above the fine powder 3 is etched back by CMP or resist.
2 is removed to partially expose the insulating film 4 (FIG. 2).
(4): Removal of the tip of the gate electrode film). A part of the exposed insulating film 4 is removed by a method such as RIE or hydrofluoric acid etching to expose a part of the tip of the fine powder 3 as shown in FIG. 2 (5) (FIG. 2 (5): insulating film). Removal).

【0022】以上のように、一部露出させられた微小粉
の先端部分が、従来の図10に示すエミッタティップ1
01と同様に電子を放出するエミッタとなり、3極管構
造の電界放出型の電子源を製造することができる。
As described above, the tip portion of the fine powder partially exposed is the emitter tip 1 shown in FIG.
As in the case of 01, an emitter for emitting electrons can be obtained, and a field emission type electron source having a triode structure can be manufactured.

【0023】次に、等方性カーボンの炭素を主体とする
微小粉をガラス基板上に接着する方法の詳細な実施例を
示す。図3に、この接着方法の第1実施例の工程図を示
す。まず、ガラス基板1上の全面に、導電性を有する接
着層2を500nm程度の膜厚で形成する(図3
(1))。たとえば、接着層2となるITOインクを印
刷あるいはスピンコート等の方法により、ガラス基板1
上に形成し、その後チッ素雰囲気中(90℃、4分間)
で、乾燥させる。
Next, a detailed example of a method of bonding fine powder mainly composed of isotropic carbon to a glass substrate will be described. FIG. 3 shows a process chart of the first embodiment of the bonding method. First, a conductive adhesive layer 2 having a thickness of about 500 nm is formed on the entire surface of the glass substrate 1 (FIG. 3).
(1)). For example, the glass substrate 1 is formed by printing or spin-coating ITO ink to be the adhesive layer 2.
And then in a nitrogen atmosphere (90 ° C, 4 minutes)
And dry.

【0024】次に、等方性カーボンの炭素を主体とする
微小粉3をアセトン等の有機溶剤に混合した溶液4を、
スピンコート法等により、接着層2の上の全面に塗布す
る(図3(2))。その後、乾燥して、チッ素雰囲気
中、400℃程度の温度で焼成し、接着層2の樹脂成分
を飛ばし、微小粉3を接着層2の表面に固着させる(図
3(3))。次に、画素となる領域の接着層2とこれに
固着された微小粉3を残すように、レジストを用いてパ
ターニングし、さらに接着層2であるITO膜を臭化水
素酸などでエッチングする(図3(4))。以上によ
り、電子を放出するためのエミッタを形成することがで
きる。
Next, a solution 4 obtained by mixing fine powder 3 mainly composed of carbon of isotropic carbon with an organic solvent such as acetone is prepared.
The entire surface of the adhesive layer 2 is applied by spin coating or the like (FIG. 3B). Thereafter, it is dried and baked in a nitrogen atmosphere at a temperature of about 400 ° C. to blow off the resin component of the adhesive layer 2 and fix the fine powder 3 on the surface of the adhesive layer 2 (FIG. 3C). Next, patterning is performed using a resist so as to leave the adhesive layer 2 in the region to be a pixel and the fine powder 3 fixed thereto, and the ITO film as the adhesive layer 2 is etched with hydrobromic acid or the like ( FIG. 3 (4)). As described above, an emitter for emitting electrons can be formed.

【0025】図4に、この発明の微小粉の接着方法の第
2実施例の工程図を示す。まず、炭素を主体とした微小
粉3を、ITOインク等の導電性を有する接着剤2に混
合し、ペーストを作成する。そして、このペーストをガ
ラス基板1上に印刷あるいはスピンコートなどの方法に
よって塗布する(図4(1))。
FIG. 4 shows a process chart of a second embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention. First, a fine powder 3 mainly composed of carbon is mixed with a conductive adhesive 2 such as an ITO ink to prepare a paste. Then, this paste is applied onto the glass substrate 1 by a method such as printing or spin coating (FIG. 4A).

【0026】次に上記構造を乾燥させた後、チッ素雰囲
気中、400℃程度の温度で焼成し、ITOインクに含
まれる樹脂成分を飛ばし、さらに、ITO膜を臭化水素
酸などでエッチバックする(図4(2))。このエッチ
バックにより、微小粉3の先端部は、接着層2の表面か
ら露出する。
Next, after drying the above structure, it is baked at a temperature of about 400 ° C. in a nitrogen atmosphere to remove the resin component contained in the ITO ink, and furthermore, the ITO film is etched back with hydrobromic acid or the like. (FIG. 4B). By this etch back, the tip of the fine powder 3 is exposed from the surface of the adhesive layer 2.

【0027】この後、レジストを用いて、画素となる領
域の微小粉3を残すようにパターニングし、ITO膜を
エッチングする(図4(3))。これにより、図3
(4)と同様な構造のエミッタを形成することができ
る。この第2実施例によれば、あらかじめ微小粉を混合
したペーストを作成する必要があるが、ガラス基板1上
への塗布工程が一回で済み、工程の合理化が可能であ
る。
Thereafter, using a resist, patterning is performed so as to leave the fine powder 3 in a region to become a pixel, and the ITO film is etched (FIG. 4C). As a result, FIG.
An emitter having the same structure as in (4) can be formed. According to the second embodiment, it is necessary to prepare a paste in which fine powder is mixed in advance, but the coating process on the glass substrate 1 only needs to be performed once, and the process can be rationalized.

【0028】図5に、この発明の微小粉の接着方法の第
3実施例の工程図を示す。まず、ガラス基板1上に、C
u等の金属を蒸着などにより所定形状に形成し、エミッ
タ電極ラインを作る(図5(1))。次に、炭素を主体
とした微小粉3を、アセトンなどの揮発性の有機溶剤に
混合した溶液を、スピンコート法等によりエミッタ電極
ライン6及びガラス基板1上の全面に塗布する(図5
(2))。さらに、上記構造の上に、接着剤2をスピン
コート法等により塗布し、乾燥させる(図5(3))。
FIG. 5 shows a process chart of a third embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention. First, on a glass substrate 1, C
A metal such as u is formed in a predetermined shape by vapor deposition or the like to form an emitter electrode line (FIG. 5A). Next, a solution in which the fine powder 3 mainly composed of carbon is mixed with a volatile organic solvent such as acetone is applied to the entire surface of the emitter electrode line 6 and the glass substrate 1 by spin coating or the like (FIG. 5).
(2)). Further, the adhesive 2 is applied on the above structure by spin coating or the like, and dried (FIG. 5C).

【0029】さらに、ウェットエッチングあるいはドラ
イエッチングによって、微小粉3の先端部分が露出する
程度まで、接着剤2をエッチバックする(図5
(4))。その後、前記第1実施例と同様にパターニン
グ及びエッチング工程を経れば、所定形状のエミッタを
形成することができる(図5(5))。この第3実施例
によれば、等方性カーボンの炭素を主体とする微小粉3
を直接エミッタ電極ライン6とガラス基板1上に接着し
てから接着層2を形成するので、接着剤2は必ずしも導
電性を有さなくてもよく、ITOインクよりコストの低
いレジスト等を接着剤として用いることができる。
Further, the adhesive 2 is etched back by wet etching or dry etching until the tip of the fine powder 3 is exposed (FIG. 5).
(4)). Thereafter, through a patterning and etching process in the same manner as in the first embodiment, an emitter having a predetermined shape can be formed (FIG. 5 (5)). According to the third embodiment, the fine powder 3 mainly composed of isotropic carbon is used.
Is bonded directly to the emitter electrode line 6 and the glass substrate 1, and then the bonding layer 2 is formed. Therefore, the bonding agent 2 does not necessarily have to have conductivity. Can be used as

【0030】図6に、この発明の微小粉の接着方法の第
4実施例の工程図を示す。まず、ガラス基板1上に、給
電用のエミッタ電極ライン6を形成するべく、Cu等の
金属を蒸着などの方法により所定形状に形成する(図6
(1))。次に、等方性カーボンの炭素を主体とする微
小粉3をアセトンなどの揮発性の有機溶剤に混合した溶
液を、スピンコート法等により、上記エミッタ電極ライ
ン6を含む基板全面上に塗布する(図6(2))。さら
に、上記構造の上全体に、感光性の接着剤7をスピンコ
ート法等により塗布し、乾燥させる(図6(3))。感
光性の接着剤7としては、たとえばレジストを用いる。
FIG. 6 shows a process chart of a fourth embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention. First, in order to form the power supply emitter electrode line 6 on the glass substrate 1, a metal such as Cu is formed in a predetermined shape by a method such as vapor deposition (FIG. 6).
(1)). Next, a solution in which the fine powder 3 mainly composed of carbon of isotropic carbon is mixed with a volatile organic solvent such as acetone is applied to the entire surface of the substrate including the emitter electrode lines 6 by spin coating or the like. (FIG. 6 (2)). Further, a photosensitive adhesive 7 is applied on the entire structure by a spin coating method or the like, and dried (FIG. 6C). As the photosensitive adhesive 7, for example, a resist is used.

【0031】次に、ガラス基板1の背面、すなわち図6
(4)に示すように紙面の下方から露光する(図6
(4))。この後、現像処理をすると、光のあたった部
分の接着剤7が除去されエミッタ電極ライン6の部分の
構造のみが残る(図6(5))。この現像処理のとき、
基板1上に直接塗布された微小粉3も除去される。次
に、ウェットエッチングあるいはドライエッチングによ
って、接着剤7の表面をエッチバックし、微小粉3の先
端部分を露出させる(図6(6))。
Next, the back surface of the glass substrate 1, that is, FIG.
Exposure is performed from below the paper surface as shown in (4) (FIG.
(4)). Thereafter, when a developing process is performed, the adhesive 7 in the portion to which light is applied is removed, and only the structure of the portion of the emitter electrode line 6 remains (FIG. 6 (5)). During this development process,
The fine powder 3 applied directly on the substrate 1 is also removed. Next, the surface of the adhesive 7 is etched back by wet etching or dry etching to expose the tip of the fine powder 3 (FIG. 6 (6)).

【0032】以上により、エミッタ電極ラインと共に、
その上に接着された微小粉3からなるエミッタが形成で
きる。この第4実施例によれば、製造工程の最終段階
(図6(6))で、微小粉3が露出するので、電子を放
出する部分の表面の汚染が最小限に抑えられ、より安定
した電子放出特性を実現できる。
As described above, together with the emitter electrode line,
An emitter composed of the fine powder 3 adhered thereon can be formed. According to the fourth embodiment, the fine powder 3 is exposed at the final stage of the manufacturing process (FIG. 6 (6)), so that the contamination of the surface of the portion emitting electrons is minimized, and more stable. Electron emission characteristics can be realized.

【0033】図7に、この発明の微小粉の接着方法の第
5実施例の工程図を示す。まず、ガラス基板1上全面
に、ガラス基板より十分低い600℃以下の融点を有す
るガラス層8を形成する(図7(1))。次に、等方性
カーボンの炭素を主体とする微小粉3をアセトンなどの
揮発性の有機溶剤に混合した溶液を、スピンコート法等
により塗布する(図7(2))。上記構造の基板を60
0℃で焼成し、低融点ガラス層8を溶融させ、微小粉3
を固着させる(図7(3))。さらに、導電性を得るた
めに、上記構造の上全面に、エミッタ電極ラインとなる
導電層9を、金属(Cu等)を蒸着することによって形
成する(図7(4))。
FIG. 7 shows a process chart of a fifth embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention. First, a glass layer 8 having a melting point of 600 ° C. or lower, which is sufficiently lower than that of the glass substrate, is formed on the entire surface of the glass substrate 1 (FIG. 7A). Next, a solution obtained by mixing the fine powder 3 mainly composed of isotropic carbon with a volatile organic solvent such as acetone is applied by spin coating or the like (FIG. 7 (2)). The substrate of the above structure is
Baking at 0 ° C. to melt the low melting point glass layer 8
Is fixed (FIG. 7 (3)). Further, in order to obtain conductivity, a conductive layer 9 serving as an emitter electrode line is formed on the entire upper surface of the above structure by evaporating a metal (such as Cu) (FIG. 7D).

【0034】次に、ウェットエッチングあるいはドライ
エッチングによって、導電層9の表面をエッチバック
し、微小粉3の先端部分を露出させる(図7(5))。
その後、所定形状の電極パターンが残るように、レジス
トを用いてパターニングを行えば、所定形状のエミッタ
を形成できる(図7(6))。この第5実施例によれ
ば、他の実施例のような接着剤を用いるのではなく、ガ
ラスを固着層として用いているので、微小粉3の基板へ
の密着強度が上がり、より安定した電子放出特性が得ら
れる。
Next, the surface of the conductive layer 9 is etched back by wet etching or dry etching to expose the tip of the fine powder 3 (FIG. 7 (5)).
Thereafter, by performing patterning using a resist so that an electrode pattern of a predetermined shape remains, an emitter of a predetermined shape can be formed (FIG. 7 (6)). According to the fifth embodiment, since the glass is used as the fixing layer instead of using the adhesive as in the other embodiments, the adhesion strength of the fine powder 3 to the substrate is increased, and a more stable electron is provided. Release characteristics are obtained.

【0035】図8に、この発明の微小粉の接着方法の第
6実施例の工程図を示す。まず、転写用材料10の表面
に、微小粉3をアセトンなどの揮発性の有機溶剤に混合
した溶液を、スピンコート法等により塗布し乾燥させる
(図8(1))。転写用材料10としては、シリコンゴ
ム等を用いることができる。次に、上記構造の上の全面
に、微小粉3をおおう程度にレジスト11を塗布する
(図8(2))。さらに、ウェットエッチングあるいは
ドライエッチングを用いて、微小粉3の先端部分が露出
するまでエッチバックを行う(図8(3))。
FIG. 8 shows a process chart of a sixth embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention. First, a solution in which the fine powder 3 is mixed with a volatile organic solvent such as acetone is applied to the surface of the transfer material 10 by a spin coating method or the like, and dried (FIG. 8A). Silicon rubber or the like can be used as the transfer material 10. Next, a resist 11 is applied to the entire surface on the above structure so as to cover the fine powder 3 (FIG. 8B). Further, etch back is performed using wet etching or dry etching until the tip of the fine powder 3 is exposed (FIG. 8C).

【0036】次に、上記構造の上の全面に、ITOイン
クなどの導電性接着剤2を塗布する(図8(4))。さ
らに、導電性接着剤2の上の全面と、ガラス基板1とを
貼り合わせ、転写用材料10を剥離する。すなわち、レ
ジスト11,微小粉3,導電性接着剤2からなる構造
を、ガラス基板1に転写する(図8(5))。このと
き、各微小粉3の大きさが異なっていたとしても図8
(5)のレジスト11の表面において、転写用材料10
の平坦性の程度に微小粉3の高さにそろう。
Next, a conductive adhesive 2 such as ITO ink is applied to the entire surface on the above structure (FIG. 8 (4)). Further, the entire surface on the conductive adhesive 2 and the glass substrate 1 are bonded together, and the transfer material 10 is peeled off. That is, the structure including the resist 11, the fine powder 3, and the conductive adhesive 2 is transferred to the glass substrate 1 (FIG. 8 (5)). At this time, even if the size of each fine powder 3 is different, FIG.
On the surface of the resist 11 of (5), the transfer material 10
To the height of the fine powder 3 to the degree of flatness.

【0037】その後、上記構造の基板を乾燥させて、微
小粉3を固着後、ウェットエッチングあるいはドライエ
ッチングを用いて、微小粉3の先端部分が露出するよう
にレジスト11をエッチバックする。以上のようにし
て、レジスト11表面上に露出した微小粉3の高さが一
定したエミッタを形成することができる。この第6実施
例によれば、微小粉3を塗布した後、転写工程を経てい
るので、各微小粉3の大きさ,形状が異なる場合でも、
微小粉3のレジスト11表面から露出した部分の高さを
揃えることができ、より均一な電子放出特性を持つエミ
ッタが得られる。
Thereafter, the substrate having the above structure is dried to fix the fine powder 3, and then the resist 11 is etched back by wet etching or dry etching so that the tip of the fine powder 3 is exposed. As described above, an emitter in which the height of the fine powder 3 exposed on the surface of the resist 11 is constant can be formed. According to the sixth embodiment, since the transfer process is performed after the application of the fine powder 3, even when the size and shape of each fine powder 3 are different,
The height of the portion of the fine powder 3 exposed from the surface of the resist 11 can be made uniform, and an emitter having more uniform electron emission characteristics can be obtained.

【0038】図9に、この発明の等方性カーボン材料に
おける難黒鉛化性カーボンの微小粉の形成についての一
実施例の工程図を示す。上記した実施例の図1から図8
では、等方性カーボンの炭素を主体とする微小粉の形状
は便宜的に球状として説明してきたが、ここでは、三角
錐形状の微小粉を形成する工程について説明する。4つ
の頂点からなる三角錐形状の微小粉は、各頂点が鋭利で
あるため、従来のエミッタティップ形状と同様に、エミ
ッタ電極ラインに印加する電圧を低電圧化することがで
きより安定的にその頂点から電子を放出できる。
FIG. 9 shows a process chart of an embodiment for forming fine powder of non-graphitizable carbon in the isotropic carbon material of the present invention. 1 to 8 of the above embodiment.
Although the shape of the fine powder mainly composed of carbon of isotropic carbon has been described as a spherical shape for convenience, here, the process of forming the fine powder having a triangular pyramid shape will be described. Since the triangular pyramid-shaped fine powder having four vertices has sharp vertices, the voltage applied to the emitter electrode line can be reduced more stably as in the conventional emitter tip shape. Electrons can be emitted from the top.

【0039】三角錐形状の微小粉は、次のようにして形
成することができる。まず、所定の大きさの三角錐形状
の凹部を有する金属金型母型21を用意する(図9
(1))。この母型21表面の凹部に満たされるよう
に、フェノール樹脂22を充填する(図9(2))。次
に、スキージにより、三角錐形状の凹部にのみ樹脂22
を残し、硬化させる(図9(3))。この硬化した三角
錐形状の樹脂22を母型21から剥離する(図9
(4))。
The triangular pyramid-shaped fine powder can be formed as follows. First, a metal mold matrix 21 having a triangular pyramid-shaped recess having a predetermined size is prepared (FIG. 9).
(1)). The phenol resin 22 is filled so as to fill the recesses on the surface of the matrix 21 (FIG. 9B). Next, the squeegee is used to remove the resin
And is cured (FIG. 9 (3)). The cured triangular pyramid-shaped resin 22 is peeled off from the matrix 21 (FIG. 9).
(4)).

【0040】さらに、1000〜3000℃程度の温度
で、三角錐形状の樹脂22を焼成すると難黒鉛化された
炭素を主体とした微小粉23が形成される(図9
(5))。この焼成により樹脂成分がなくなると、図1
0に示すように、三角錐形状の微小粉23の各頂点はよ
り先鋭化される。このようにして、三角錐形状の微小粉
23が形成されるが、上記した図3から図8に記載した
いずれかの方法で、ガラス基板1上にこの三角錐形状の
微小粉23を塗布すればこの発明のエミッタが形成でき
る。
Further, when the triangular pyramid-shaped resin 22 is fired at a temperature of about 1000 to 3000 ° C., fine powder 23 mainly composed of non-graphitized carbon is formed.
(5)). When the resin component disappears by this baking, FIG.
As shown at 0, each vertex of the triangular pyramid-shaped fine powder 23 is sharpened further. In this way, the triangular pyramid-shaped fine powder 23 is formed, and the triangular pyramid-shaped fine powder 23 is applied to the glass substrate 1 by any of the methods described in FIGS. For example, the emitter of the present invention can be formed.

【0041】[0041]

【発明の効果】この発明によれば、等方性カーボンの炭
素を主体とする微小粉を用いて、微小な電界放出陰極の
エミッタを形成しているので、従来よりも容易に電界放
出陰極のエミッタを作成することができる。また、この
発明では、微小な開口部を形成する工程や、エミッタ材
料を蒸着させる工程が不要であるので、大画面の表示装
置に利用可能な電界放出陰極を容易に作成することがで
きる。
According to the present invention, a fine field emission cathode emitter is formed using fine powder mainly composed of carbon of isotropic carbon, so that the field emission cathode can be formed more easily than before. Emitters can be created. In addition, according to the present invention, since a step of forming a minute opening and a step of depositing an emitter material are not required, a field emission cathode which can be used for a large-screen display device can be easily formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明のエミッタを形成する方法の概略図で
ある。
FIG. 1 is a schematic diagram of a method for forming an emitter of the present invention.

【図2】この発明のエミッタを用いた電子放出型の電子
源の製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of an electron emission type electron source using the emitter of the present invention.

【図3】この発明の微小粉の接着方法の第1実施例の工
程図である。
FIG. 3 is a process chart of a first embodiment of a method for bonding fine powder according to the present invention.

【図4】この発明の微小粉の接着方法の第2実施例の工
程図である。
FIG. 4 is a process chart of a second embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention.

【図5】この発明の微小粉の接着方法の第3実施例の工
程図である。
FIG. 5 is a process chart of a third embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention.

【図6】この発明の微小粉の接着方法の第4実施例の工
程図である。
FIG. 6 is a process chart of a fourth embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention.

【図7】この発明の微小粉の接着方法の第5実施例の工
程図である。
FIG. 7 is a process chart of a fifth embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention.

【図8】この発明の微小粉の接着方法の第6実施例の工
程図である。
FIG. 8 is a process chart of a sixth embodiment of the method for bonding fine powder according to the present invention.

【図9】この発明の等方性カーボンの炭素を主体とした
微小粉の一実施例の製造工程図である。
FIG. 9 is a production process diagram of one embodiment of the fine powder mainly composed of isotropic carbon of the present invention.

【図10】この発明の三角錐形状の微小粉の頂点の先鋭
化の説明図である。
FIG. 10 is an explanatory view of sharpening the apex of triangular pyramid-shaped fine powder of the present invention.

【図11】電界放出陰極の一部分の構造の斜視図であ
る。
FIG. 11 is a perspective view of a partial structure of a field emission cathode.

【図12】従来の電界放出陰極を用いた表示装置の構成
図である。
FIG. 12 is a configuration diagram of a display device using a conventional field emission cathode.

【図13】従来から用いられている電界放出陰極の製造
工程図である。
FIG. 13 is a manufacturing process diagram of a conventionally used field emission cathode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 陰極基板 2 接着剤(接着層) 3 炭素を主体とした微小粉 4 絶縁膜 5 ゲート電極膜 6 エミッタ電極ライン 7 接着剤 8 低融点ガラス層 9 導電層 10 転写用材料 11 レジスト 21 母型 22 フェノール樹脂 23 炭素を主体とした微小粉 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cathode substrate 2 Adhesive (adhesive layer) 3 Fine powder mainly composed of carbon 4 Insulating film 5 Gate electrode film 6 Emitter electrode line 7 Adhesive 8 Low melting point glass layer 9 Conductive layer 10 Transfer material 11 Resist 21 Master mold 22 Phenol resin 23 Fine powder mainly composed of carbon

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中谷 忠司 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tadashi Nakatani 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Fujitsu Limited

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、その基板上の所定の位置に固着
された炭素を主体とした導電性の陰極材料とから構成さ
れ、前記陰極材料が、等方性カーボンの微小粉であるこ
とを特徴とする電界放出陰極のエミッタ。
1. A semiconductor device comprising: a substrate; and a conductive cathode material mainly composed of carbon fixed to a predetermined position on the substrate, wherein the cathode material is a fine powder of isotropic carbon. Characterized field emission cathode emitter.
【請求項2】 前記陰極材料が、熱硬化製樹脂を予め所
定の形状に形成し、かつ焼成することによって難黒鉛化
された微小粉であることを特徴とする請求項1記載の電
界放出陰極のエミッタ。
2. The field emission cathode according to claim 1, wherein the cathode material is a fine powder which is made of a thermosetting resin in a predetermined shape in advance and is hardly graphitized by firing. Emitter.
【請求項3】 前記陰極材料が、接着層を介して基板に
固着されることを特徴とする請求項1記載の電界放出陰
極のエミッタ。
3. The field emission cathode emitter according to claim 1, wherein the cathode material is fixed to a substrate via an adhesive layer.
【請求項4】 前記微小粉が三角錐形状であることを特
徴とする請求項3記載の電界放出陰極のエミッタ。
4. The emitter of the field emission cathode according to claim 3, wherein the fine powder has a triangular pyramid shape.
【請求項5】 基板上に接着層を形成し、この接着層の
上に、等方性カーボンの微小粉からなる陰極材料を塗布
し、所定の温度で焼成した後、接着層及び陰極材料を所
定形状にパターニングすることを特徴とする電界放出陰
極のエミッタの製造方法。
5. An adhesive layer is formed on a substrate, a cathode material composed of fine powder of isotropic carbon is applied on the adhesive layer, and after firing at a predetermined temperature, the adhesive layer and the cathode material are removed. A method for manufacturing an emitter of a field emission cathode, wherein the emitter is patterned into a predetermined shape.
【請求項6】 基板上に、等方性カーボンの微小粉から
なる陰極材料を含みかつ導電性及び接着性を有する混合
溶剤を塗布し、前記混合溶剤を乾燥及び焼成した後に、
エッチングにより前記微小粉の表面の一部を露出させか
つ混合溶剤を所定形状にパターニングすることを特徴と
する電界放出陰極のエミッタの製造方法。
6. A method for applying a mixed solvent having a conductive and adhesive property, comprising a cathode material comprising fine powder of isotropic carbon, on a substrate, and drying and firing the mixed solvent,
A method of manufacturing an emitter of a field emission cathode, comprising exposing a part of the surface of the fine powder by etching and patterning a mixed solvent into a predetermined shape.
【請求項7】 基板上に、等方性カーボンの微小粉から
なる陰極材料を含んだ揮発性の有機溶剤を塗布し、さら
に基板の全面に接着層を形成した後、エッチングにより
前記微小粉の表面の一部を露出させ、かつ前記接着層を
所定形状にパターニングすることを特徴とする電界放出
陰極のエミッタの製造方法。
7. A volatile organic solvent containing a cathode material made of fine powder of isotropic carbon is applied on a substrate, and an adhesive layer is formed on the entire surface of the substrate. A method of manufacturing an emitter of a field emission cathode, comprising exposing a part of the surface and patterning the adhesive layer into a predetermined shape.
【請求項8】 基板上に低融点ガラス層を形成し、等方
性カーボンの微小粉からなる陰極材料を含んだ揮発性の
有機溶剤を前記低融点ガラス層の全面に塗布し、焼成に
より前記低融点ガラス層を溶融すると共に前記微小粉を
固着させ、しかる後これの全体を覆うように導電層を形
成し、エッチングにより前記微小粉の表面の一部を露出
させ、かつ前記導電層を所定形状にパターニングするこ
とを特徴とする電界放出陰極のエミッタの製造方法。
8. A low-melting-point glass layer is formed on a substrate, a volatile organic solvent containing a cathode material made of fine powder of isotropic carbon is applied to the entire surface of the low-melting-point glass layer, and baked. The low-melting glass layer is melted and the fine powder is fixed. Thereafter, a conductive layer is formed so as to cover the entirety of the low-melting glass layer, a part of the surface of the fine powder is exposed by etching, and the conductive layer is fixed. A method for manufacturing an emitter of a field emission cathode, which is patterned into a shape.
【請求項9】 転写用母型に等方性カーボンの微小粉か
らなる陰極材料を塗布し、上記構造の全面に導電性を有
する接着層を形成し、前記接着層を基板に貼り合わせた
後、前記転写用母型を剥離することを特徴とする電界放
出陰極のエミッタの製造方法。
9. A method of applying a cathode material made of fine powder of isotropic carbon to a transfer matrix, forming a conductive adhesive layer on the entire surface of the structure, and bonding the adhesive layer to a substrate. And a method of manufacturing an emitter of a field emission cathode, wherein the transfer master is peeled off.
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