JP2000307402A - Current detecting circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーデバイスに
流れる主電流を検出する電流検出回路に関するものであ
る。The present invention relates to a current detection circuit for detecting a main current flowing in a power device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種の電流検出回路は、図８に示すよ
うに、主電流が流れるパワーデバイス１（以下、メイン
ＭＯＳという）に、前記主電流を分流させる分流経路４
を並列接続し、前記分流経路４に、直列接続した分流用
トランジスタ２（以下、センスＭＯＳという）と電流検
出抵抗３を設け、前記電流検出抵抗３の上流側からの検
出出力Ｖｏｕｔを出力し、前記検出出力Ｖｏｕｔをもと
にパワーデバイスに流れる主電流を検出するものであ
る。上記回路の分流経路に設けられた検出部は、電流検
出抵抗のみである。前記電流検出抵抗３は、センスＭＯ
Ｓ２のオン抵抗に比べて大きな値で、温度係数が小さい
抵抗で、具体的には、センスＭＯＳ２のオン抵抗は、数
１０Ω程度、電流検出抵抗３は数キロΩ程度である。電
流検出方法は以下のように行われる。メインＭＯＳ１及
びセンスＭＯＳ２のゲート電位は共通となっているた
め、メインＭＯＳ１の通電時には、センスＭＯＳ２にも
通電される。メインＭＯＳ１が線形領域で動作してい
て、ゲート電位が一定であれば、メインＭＯＳ１のドレ
イン電圧ＶＤの測定によりドレイン電流がわかる。ここ
で、電流検出抵抗３は、センスＭＯＳ２のオン抵抗に比
べて大きな抵抗値のものを選定しているため、メインＭ
ＯＳ１のドレイン電圧ＶＤと電流検出抵抗３の電圧ＶＳ
はほぼ等しくなる。よって、電流検出抵抗３の電圧ＶＳ
を測定すれば、メインＭＯＳ１のドレイン電流、つまり
主電流を検出することができる。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 8, a current detecting circuit of this kind is a shunt path 4 for shunting a main current to a power device 1 (hereinafter referred to as a main MOS) through which the main current flows.
Are connected in parallel, a shunt transistor 2 (hereinafter referred to as a sense MOS) and a current detection resistor 3 connected in series are provided in the shunt path 4, and a detection output Vout from the upstream side of the current detection resistor 3 is output. A main current flowing through the power device is detected based on the detection output Vout. The detection unit provided in the shunt path of the above circuit is only a current detection resistor. The current detection resistor 3 is connected to a sense MO.
The resistance of the sense MOS 2 is about several tens of ohms, and the current detection resistance 3 is about several kilo ohms. The current detection method is performed as follows. Since the gate potentials of the main MOS 1 and the sense MOS 2 are common, when the main MOS 1 is energized, the sense MOS 2 is also energized. If the main MOS1 operates in the linear region and the gate potential is constant, the drain current can be determined by measuring the drain voltage VD of the main MOS1. Here, the current detection resistor 3 is selected to have a larger resistance value than the ON resistance of the sense MOS 2.
OS1 drain voltage VD and current detection resistor 3 voltage VS
Are almost equal. Therefore, the voltage VS of the current detection resistor 3
Is measured, the drain current of the main MOS 1, that is, the main current can be detected.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電流検出回路においては、メインＭＯＳ１の温度が
上昇すると、メインＭＯＳ１と電流検出抵抗３の温度特
性の違いにより、電流検出抵抗３の電圧ＶＳから算出し
て求めた主電流の値と、メインＭＯＳ１に流れる実際の
主電流の値には大きな差が生じるという問題があった。
この誤差要因を、図９を用いて詳述する。図９に示すグ
ラフは、メインＭＯＳ１の温度特性を示したものであ
る。横軸をドレイン電圧ＶＤに、縦軸をドレイン電流
（主電流）とした。メインＭＯＳ１の温度が低い場合
（例えば、常温）の特性は、直線Ａで、メインＭＯＳ１
の温度が上昇した時の特性は、直線Ｂのようになる。メ
インＭＯＳ１の温度が低い場合には、ドレイン電圧がＶ
Ｄ１に対し、ドレイン電流がＩＤ１となり、電流検出抵
抗３で検出した主電流の値とほぼ一致する。しかし、メ
インＭＯＳ１の温度が上昇した場合には、直線２のよう
に、実際にメインＭＯＳ１に流れるドレイン電流はＩＤ
２となる。一方、電流検出抵抗３で検出する主電流の値
はメインＭＯＳ１の温度が低い場合の値（ＩＤ１）を検
出するため、Ｖｘ（＝ＩＤ１−ＩＤ２）だけ誤差が生じ
る。However, in the above-described conventional current detection circuit, when the temperature of the main MOS 1 rises, the difference between the temperature characteristics of the main MOS 1 and the current detection resistor 3 causes the voltage VS of the current detection resistor 3 to decrease. There is a problem that a large difference occurs between the value of the calculated main current and the value of the actual main current flowing through the main MOS1.
This error factor will be described in detail with reference to FIG. The graph shown in FIG. 9 shows the temperature characteristics of the main MOS1. The horizontal axis is the drain voltage VD, and the vertical axis is the drain current (main current). When the temperature of the main MOS 1 is low (for example, normal temperature), the characteristic is represented by a straight line A,
The characteristic when the temperature rises is as shown by a straight line B. When the temperature of the main MOS 1 is low, the drain voltage becomes V
The drain current becomes ID1 with respect to D1, and substantially coincides with the value of the main current detected by the current detection resistor 3. However, when the temperature of the main MOS 1 rises, the drain current actually flowing through the main MOS 1 becomes ID
It becomes 2. On the other hand, the value of the main current detected by the current detection resistor 3 is a value (ID1) when the temperature of the main MOS 1 is low, so that an error occurs by Vx (= ID1−ID2).
【０００４】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、パワーデバイスの温度が
変化しても、パワーデバイスに流れる主電流を精度良く
検出する電流検出回路を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a current detection circuit for accurately detecting a main current flowing through a power device even when the temperature of the power device changes. Is to do.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電流検出回路は、主電流が流れるパワーデ
バイスに、前記主電流を分流させる分流経路を並列接続
し、前記分流経路に、直列接続した分流用トランジスタ
と検出部を設けて、前記検出部での検出出力をもとにパ
ワーデバイスに流れる主電流を求める電流検出回路にお
いて、前記検出部に、パワーデバイスの温度に反応する
感熱素子を設けてなることを特徴とするものである。In order to achieve the above object, a current detection circuit according to the present invention comprises a power device through which a main current flows, and a shunt path for shunting the main current connected in parallel to the power device. A shunt transistor and a detection unit connected in series, and a current detection circuit that obtains a main current flowing through the power device based on a detection output of the detection unit, wherein the detection unit responds to a temperature of the power device. It is characterized in that a heat sensitive element is provided.
【０００６】したがって、パワーデバイスの温度に反応
した感熱素子が抵抗変化して、検出部の検出出力を温度
変化に対応するように補正するため、パワーデバイスに
流れる主電流を精度良く検出することができる。Therefore, the resistance of the thermosensitive element in response to the temperature of the power device changes, and the detection output of the detecting section is corrected so as to correspond to the temperature change. Therefore, it is possible to accurately detect the main current flowing through the power device. it can.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】図１乃至図５は、本発明の第１の
実施の形態を示し、図６乃至７は、本発明の第２の実施
の形態を示している。1 to 5 show a first embodiment of the present invention, and FIGS. 6 and 7 show a second embodiment of the present invention.
【０００８】［第１の実施の形態］図１は、第１の実施
の形態の概略を示す回路図である。図２乃至５は、同実
施の形態の他の概略を示す回路図である。[First Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing a first embodiment. 2 to 5 are circuit diagrams showing another outline of the embodiment.
【０００９】この実施の形態の電流検出回路は、主電流
が流れるパワーデバイス１に、前記主電流を分流させる
分流経路４を並列接続し、前記分流経路４に、直列接続
した分流用トランジスタ２と検出部８を設けて、前記検
出部８での検出出力をもとにパワーデバイス１に流れる
主電流を求める電流検出回路において、前記検出部８
に、パワーデバイス１の温度に反応する感熱素子５を設
けてなる。また、この実施の形態の検出部８において
は、負の温度係数を有する感熱素子５の上流側に電流検
出抵抗６を設けて形成し、前記電流検出抵抗６と感熱素
子５の間から検出出力を出力するようにしている。ま
た、この実施の形態のパワーデバイス１は、ＭＯＳトラ
ンジスタとしている。パワーデバイス１に流れる主電流
の検出方法は、検出部８で検出した検出出力Ｖｏｕｔ
を、電流検出回路の設計時に、既知となっている主電流
と検出出力Ｖｏｕｔとの関係から算出するものである。The current detection circuit according to this embodiment includes a shunt path 4 for shunting the main current connected in parallel to a power device 1 through which a main current flows, and a shunt transistor 2 connected in series to the shunt path 4. A current detection circuit for detecting a main current flowing through the power device 1 based on a detection output from the detection unit 8;
In addition, a thermosensitive element 5 that responds to the temperature of the power device 1 is provided. Further, in the detecting section 8 of this embodiment, a current detecting resistor 6 is provided upstream of the thermosensitive element 5 having a negative temperature coefficient, and a detection output is provided between the current detecting resistor 6 and the thermosensitive element 5. Is output. Further, the power device 1 of this embodiment is a MOS transistor. The method of detecting the main current flowing through the power device 1 is based on the detection output Vout detected by the detection unit 8.
Is calculated from the relationship between the known main current and the detection output Vout when designing the current detection circuit.
【００１０】したがって、パワーデバイス１の温度に反
応した感熱素子５が抵抗変化して、検出部８の検出出力
を温度変化に対応するように補正するため、パワーデバ
イス１に流れる主電流を精度良く検出することができ
る。また、感熱素子５、パワーデバイス１、分流用トラ
ンジスタ２、電流検出抵抗６がワンチップに容易に集積
化が可能で、この集積化によりパワーデバイス１と感熱
素子５の熱結合を良くすることができる。もちろん、前
記集積化を行わなくても、感熱素子５とパワーデバイス
１が良好な熱結合を実現できれば、ディスクリート部品
で構成するものでも同様の効果が得られる。Accordingly, the resistance of the thermosensitive element 5 responding to the temperature of the power device 1 changes, and the detection output of the detecting section 8 is corrected so as to correspond to the temperature change. Can be detected. In addition, the thermal element 5, the power device 1, the shunt transistor 2, and the current detection resistor 6 can be easily integrated into one chip, and this integration can improve the thermal coupling between the power device 1 and the thermal element 5. it can. Of course, even if the thermal element 5 and the power device 1 can achieve good thermal coupling without performing the above-described integration, the same effect can be obtained even with a discrete component.
【００１１】また、図２のように、前記感熱素子５を、
負の温度係数を有するポリシリコンで形成された抵抗５
ａとしてもよい。この方式では、前記ポリシリコンで形
成された抵抗５ａの温度特性は、ポリシリコンに注入し
た不純物の濃度により変化するため、不純物の濃度を変
化させて前記抵抗５ａの温度特性、つまり、検出部８の
検出出力を調整すれば、さらに精度の良い補正をするこ
とができる。また、抵抗５ａ、パワーデバイス１、分流
用トランジスタ２、電流検出抵抗６がワンチップに容易
に集積化が可能で、図１の構成と同様、集積化による効
果を奏する。Further, as shown in FIG.
Resistor 5 made of polysilicon having a negative temperature coefficient
a may be used. In this method, since the temperature characteristic of the resistor 5a formed of polysilicon changes depending on the concentration of the impurity implanted into the polysilicon, the temperature characteristic of the resistor 5a, that is, the detecting unit 8 is changed by changing the concentration of the impurity. If the detection output is adjusted, more accurate correction can be performed. In addition, the resistor 5a, the power device 1, the shunt transistor 2, and the current detection resistor 6 can be easily integrated into one chip, and the effect of the integration can be obtained as in the configuration of FIG.
【００１２】また、図３のように、前記感熱素子５を、
負の温度係数を有するポリシリコンで形成されたダイオ
ード５ｂとしてもよい。また、ダイオード５ｂ、パワー
デバイス１、分流用トランジスタ２、電流検出抵抗６が
ワンチップに容易に集積化が可能で、図１の構成と同
様、集積化による効果を奏する。また、ダイオード５ｂ
の特性及び回路上に設ける個数を変化させて、前記検出
部８の検出出力を調整すれば、さらに精度の良い補正を
することができる。Further, as shown in FIG.
The diode 5b may be formed of polysilicon having a negative temperature coefficient. In addition, the diode 5b, the power device 1, the shunt transistor 2, and the current detection resistor 6 can be easily integrated on one chip, and the effect of the integration is achieved as in the configuration of FIG. Also, the diode 5b
If the detection output of the detection unit 8 is adjusted by changing the characteristics and the number provided on the circuit, more accurate correction can be performed.
【００１３】また、図４のように、前記感熱素子５を、
負の温度係数を有するサーミスタ５ｃとしてもよい。図
４に示す回路は、図２乃至図３の回路で可能な集積化
は、不可能であるが、実装上の工夫により、サーミスタ
５ｃとパワーデバイス１の熱結合を良くするれば、図２
乃至図３の集積化による同様の効果が得られる。Further, as shown in FIG.
The thermistor 5c having a negative temperature coefficient may be used. Although the circuit shown in FIG. 4 cannot be integrated with the circuits shown in FIGS. 2 and 3, if the thermal coupling between the thermistor 5c and the power device 1 is improved by improving the mounting, the circuit shown in FIG.
A similar effect can be obtained by the integration of FIG.
【００１４】また、図５に示すように、感熱素子５の温
度特性のみで対応できるように設計すれば、感熱素子５
のみの構成でも同様の効果が得られる。Further, as shown in FIG. 5, if the temperature sensitive element 5 is designed to be able to cope with only the temperature characteristics,
A similar effect can be obtained with only the configuration.
【００１５】［第２の実施の形態］図６は、第２の実施
の形態の概略を示す回路図である。図７は、同実施の形
態の他の概略を示す回路図である。[Second Embodiment] FIG. 6 is a circuit diagram schematically showing a second embodiment. FIG. 7 is a circuit diagram showing another outline of the embodiment.
【００１６】この実施の形態は、検出部８に正の温度特
性を有する感熱素子７を設けた構成が第１の実施の形態
と異なるもので、他の構成部材は第１の実施の形態のも
のと同一である。This embodiment is different from the first embodiment in that the detecting section 8 is provided with a thermosensitive element 7 having a positive temperature characteristic, and the other components are the same as those in the first embodiment. It is the same as the one.
【００１７】この実施の形態は、検出部８を、正の温度
係数を有する感熱素子７の下流側に電流検出抵抗６を設
けて形成し、前記感熱素子７と電流検出抵抗６の間から
検出出力を出力するようにしている。In this embodiment, the detecting section 8 is formed by providing a current detecting resistor 6 on the downstream side of a thermosensitive element 7 having a positive temperature coefficient. Output the output.
【００１８】第１の実施の形態の検出部８とは異なり、
上流側から見て、感熱素子７と電流検出抵抗６の順で設
けているが、これは、正の温度係数を有する感熱素子７
を検出部８に設ける場合、第１の実施の形態と同様の順
で設けると、温度の上昇に伴い検出出力の電圧が大きく
なり、検出される電圧の取り扱いやすさ、つまり、小さ
い電圧のほうが取り扱いやすいことを考慮すると不具合
であるため、感熱素子７と電流検出抵抗６の順を第１の
実施の形態とは逆にして、パワーデバイス１の温度の上
昇に伴い検出出力は小さくなるようにしている。Unlike the detection unit 8 of the first embodiment,
When viewed from the upstream side, the thermosensitive element 7 and the current detection resistor 6 are provided in this order, but this is because the thermosensitive element 7 having a positive temperature coefficient
Is provided in the detector 8 in the same order as in the first embodiment, the voltage of the detection output increases as the temperature increases, and the ease of handling the detected voltage, that is, the smaller voltage is better Since this is a problem in consideration of easy handling, the order of the thermal element 7 and the current detection resistor 6 is reversed from that of the first embodiment so that the detection output becomes smaller as the temperature of the power device 1 rises. ing.
【００１９】第１の実施の形態と同様、パワーデバイス
１の温度に反応した感熱素子７が抵抗変化して、検出部
８の検出出力を温度変化に対応するように補正するた
め、パワーデバイス１に流れる主電流を精度良く検出す
ることができる。As in the first embodiment, the resistance of the thermosensitive element 7 responsive to the temperature of the power device 1 changes, and the detection output of the detection unit 8 is corrected to correspond to the temperature change. Of the main current flowing through the sensor can be accurately detected.
【００２０】また、図７に示すように、前記感熱素子７
を、ＮＭＯＳトランジスタ７ａとしてもよい。Further, as shown in FIG.
May be used as the NMOS transistor 7a.
【００２１】[0021]
【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１記載の電
流検出回路は、パワーデバイスの温度に反応した感熱素
子が抵抗変化するので、検出部の検出出力を温度変化に
対応するように補正して、パワーデバイスに流れる主電
流を精度良く検出することができる。As described above, in the current detection circuit according to the first aspect of the present invention, the resistance of the thermosensitive element which responds to the temperature of the power device changes, so that the detection output of the detection unit is adapted to the temperature change. By performing the correction, the main current flowing through the power device can be accurately detected.
【００２２】また、請求項２乃至４記載の電流検出回路
は、請求項１記載のものの効果に加え、パワーデバイス
の温度上昇に伴い、検出出力の電圧が小さくなるので、
回路上の取り扱いやすい電圧とすることができる。Further, the current detection circuit according to the second to fourth aspects has the effect of the first aspect, and the voltage of the detection output decreases as the temperature of the power device rises.
A voltage that can be easily handled on the circuit can be obtained.
【００２３】また、請求項５記載の電流検出回路は、請
求項１記載のものの効果に加え、ポリシリコンに注入す
る不純物の濃度を変化させて、前記抵抗の温度特性を調
整することができるので、さらに精度の良い温度補正を
することができる。In the current detecting circuit according to the fifth aspect, in addition to the effect of the first aspect, the temperature characteristic of the resistor can be adjusted by changing the concentration of the impurity implanted into the polysilicon. In addition, more accurate temperature correction can be performed.
【００２４】また、請求項６記載の電流検出回路は、請
求項１記載のものの効果に加え、ダイオードの個数で、
前記抵抗の温度特性を調整することができるので、温度
補正に関する回路設計が簡易となるとともに、さらに精
度の良い温度補正をすることができる。The current detecting circuit according to the sixth aspect has the effect of the first aspect, and furthermore, the number of diodes is
Since the temperature characteristics of the resistor can be adjusted, the circuit design relating to the temperature correction can be simplified, and more accurate temperature correction can be performed.
【００２５】また、請求項７乃至請求項８記載の電流検
出回路は、パワーデバイスの温度に反応した感熱素子が
抵抗変化するので、検出部の検出出力を温度変化に対応
するように補正して、パワーデバイスに流れる主電流を
精度良く検出することができる。Further, in the current detection circuit according to the seventh and eighth aspects, the resistance of the thermosensitive element in response to the temperature of the power device changes, so that the detection output of the detection section is corrected so as to correspond to the temperature change. The main current flowing through the power device can be detected with high accuracy.
【図１】本発明の第１の実施の形態の概略を示す回路図
である。FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing a first embodiment of the present invention.
【図２】同実施の形態の他の概略を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing another outline of the embodiment.
【図３】同実施の形態の他の概略を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing another outline of the embodiment.
【図４】同実施の形態の他の概略を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing another outline of the embodiment.
【図５】同実施の形態の他の概略を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing another outline of the embodiment.
【図６】本発明の第２の実施の形態の概略を示す回路図
である。FIG. 6 is a circuit diagram schematically showing a second embodiment of the present invention.
【図７】同実施の形態の他の概略を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing another outline of the embodiment.
【図８】本発明の従来例の概略を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram schematically showing a conventional example of the present invention.
【図９】同従来例の要部の温度特性を示す説明図であ
る。FIG. 9 is an explanatory diagram showing temperature characteristics of main parts of the conventional example.
１ パワーデバイス ２ 分流用トランジスタ ３ 電流検出抵抗 ４ 分流経路 ５ 感熱素子 ５ａ 抵抗 ５ｂ ダイオード ５ｃ サーミスタ ６ 電流検出抵抗 ７ 感熱素子 ８ 検出部 REFERENCE SIGNS LIST 1 power device 2 shunt transistor 3 current detection resistor 4 shunt path 5 thermosensitive element 5 a resistor 5 b diode 5 c thermistor 6 current sensing resistor 7 thermosensitive element 8 detector
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 35/00 Ｈ０１Ｌ 35/00 Ｓ ５Ｊ０５５ 35/14 35/14 Ｈ０２Ｍ 3/00 Ｈ０２Ｍ 3/00 Ｔ Ｈ０３Ｋ 17/08 Ｈ０３Ｋ 17/08 Ｃ // Ｈ０２Ｍ 7/48 Ｈ０２Ｍ 7/48 Ｚ Ｆターム(参考） 4M106 AA02 AA07 AA08 AB01 AC02 BA14 CA70 5H007 AA12 CA02 DC02 5H410 BB05 EA11 EA38 FF05 FF23 LL09 5H430 BB05 BB12 EE06 EE18 FF07 FF11 GG11 LA21 5H730 AA16 AA20 DD04 XX26 XX35 5J055 AX15 BX16 CX00 DX13 DX22 EY01 EY04 EY12 EY21 EZ00 FX32 GX01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 35/00 H01L 35/00 S 5J055 35/14 35/14 H02M 3/00 H02M 3/00 T H03K 17 / 08 H03K 17/08 C // H02M 7/48 H02M 7/48 Z F term (reference) 4M106 AA02 AA07 AA08 AB01 AC02 BA14 CA70 5H007 AA12 CA02 DC02 5H410 BB05 EA11 EA38 FF05 FF23 LL09 5H430 BB05 BB11 EE06 EE11 FF11 LA21 5H730 AA16 AA20 DD04 XX26 XX35 5J055 AX15 BX16 CX00 DX13 DX22 EY01 EY04 EY12 EY21 EZ00 FX32 GX01
Claims (8)
主電流を分流させる分流経路を並列接続し、前記分流経
路に、直列接続した分流用トランジスタと検出部を設け
て、前記検出部での検出出力をもとにパワーデバイスに
流れる主電流を求める電流検出回路において、前記検出
部に、パワーデバイスの温度に反応する感熱素子を設け
てなることを特徴とする電流検出回路。1. A shunt path for shunting the main current is connected in parallel to a power device through which a main current flows, and a shunt transistor and a detection unit connected in series are provided on the shunt path, and detection by the detection unit is performed. A current detection circuit for obtaining a main current flowing through a power device based on an output, wherein the detection unit is provided with a thermosensitive element that responds to a temperature of the power device.
熱素子を設け、感熱素子の上流側から検出出力を出力す
るようになしたことを特徴とする請求項１記載の電流検
出回路。2. The current detection circuit according to claim 1, wherein a thermosensitive element having a negative temperature coefficient is provided in the detecting section, and a detection output is output from an upstream side of the thermosensitive element.
熱素子の上流側に電流検出抵抗を設けて形成し、前記電
流検出抵抗と感熱素子の間から検出出力を出力するよう
になしたことを特徴とする請求項１記載の電流検出回
路。3. The sensor according to claim 1, wherein the detecting section is provided with a current detecting resistor provided upstream of the thermosensitive element having a negative temperature coefficient, and outputs a detection output between the current detecting resistor and the thermosensitive element. 2. The current detection circuit according to claim 1, wherein:
熱素子の下流側に電流検出抵抗を設けて形成し、前記感
熱素子と電流検出抵抗の間から検出出力を出力するよう
になしたことを特徴とする請求項１記載の電流検出回
路。4. A detection unit, wherein a current detection resistor is provided downstream of a thermosensitive element having a positive temperature coefficient, and a detection output is output between the thermosensitive element and the current detection resistor. 2. The current detection circuit according to claim 1, wherein:
ポリシリコンで形成された抵抗であることを特徴とする
請求項３記載の電流検出回路。5. The current detection circuit according to claim 3, wherein the thermal element is a resistor formed of polysilicon having a negative temperature coefficient.
ポリシリコンで形成されたダイオードであることを特徴
とする請求項３記載の電流検出回路。6. The current detection circuit according to claim 3, wherein said thermal element is a diode formed of polysilicon having a negative temperature coefficient.
サーミスタであることを特徴とする請求項３記載の電流
検出回路。7. The current detection circuit according to claim 3, wherein the thermosensitive element is a thermistor having a negative temperature coefficient.
であることを特徴とする請求項４記載の電流検出回路。8. The current detection circuit according to claim 4, wherein said thermal element is an NMOS transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115541A JP2000307402A (en) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Current detecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP11115541A JP2000307402A (en) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Current detecting circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000307402A true JP2000307402A (en) | 2000-11-02 |
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006136086A (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Ltd | Current detection method, current detector, power converter using current detector and vehicle using power converter |
| JP2009230421A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Denso Corp | Circuit for providing load current |
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| JP2012207976A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Current detection device, overcurrent protective device and current detection method |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11115541A patent/JP2000307402A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE42307E1 (en) | 2001-08-21 | 2011-04-26 | Intersil Americas Inc. | Thermally compensated current sensing of intrinsic power converter elements |
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