JP2000299608A - Oscillator circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はチューナ等に使用さ
れる発振回路に関し、特に、電源電圧の変動による発振
周波数の変動を補正する発振回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillation circuit used for a tuner or the like, and more particularly, to an oscillation circuit for correcting a fluctuation in an oscillation frequency due to a fluctuation in a power supply voltage.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の発振回路を図３を参照して説明す
る。図３の発振回路は発振周波数を変化し得る電圧制御
発振回路である。発振トランジスタ４１のコレクタは電
源電圧Ｅが印加されており、また、直流阻止コンデンサ
４８を介して高周波的に接地されている。発振トランジ
スタ４１のエミッタは抵抗４４を介して接地され、また
帰還コンデンサ４７を介して接地されている。この抵抗
４４は発振トランジスタ４１のエミッタにバイアス電圧
を印加するエミッタバイアス抵抗となっている。発振ト
ランジスタ４１のベースには抵抗４２と抵抗４３とによ
って電源電圧Ｅを分圧して得たバイアス電圧を印加して
いる。発振トランジスタ４１のベースとエミッタ間には
帰還コンデンサ４６が接続される。また、発振トランジ
スタ４１のベースはクラップコンデンサ４５を介してバ
ラクタダイオード４９のカソードと接続している。バラ
クタダイオード４９のアノードはインダクタンス素子で
あるコイル５０を介して接地している。バラクタダイオ
ード４９のカソードは発振周波数を変化させるための制
御電圧Ｖが印加している。コイル５０のインダクタンス
及びバラクタダイオード４９の容量と帰還コンデンサ４
６、４７の容量とで発振周波数が決まり発振が行われ
る。そして、制御電圧Ｖを変化させることによりバラク
タダイオード４９の容量が変化し、発振周波数を変化し
得る。2. Description of the Related Art A conventional oscillation circuit will be described with reference to FIG. The oscillation circuit of FIG. 3 is a voltage-controlled oscillation circuit that can change the oscillation frequency. The power supply voltage E is applied to the collector of the oscillation transistor 41, and the collector of the oscillation transistor 41 is grounded at a high frequency via a DC blocking capacitor 48. The emitter of the oscillation transistor 41 is grounded via a resistor 44 and grounded via a feedback capacitor 47. This resistor 44 is an emitter bias resistor for applying a bias voltage to the emitter of the oscillation transistor 41. A bias voltage obtained by dividing the power supply voltage E by the resistors 42 and 43 is applied to the base of the oscillation transistor 41. A feedback capacitor 46 is connected between the base and the emitter of the oscillation transistor 41. The base of the oscillation transistor 41 is connected to the cathode of the varactor diode 49 via the clap capacitor 45. The anode of the varactor diode 49 is grounded via a coil 50 as an inductance element. A control voltage V for changing the oscillation frequency is applied to the cathode of the varactor diode 49. The inductance of the coil 50, the capacitance of the varactor diode 49, and the feedback capacitor 4
The oscillation frequency is determined by the capacitances 6 and 47, and oscillation is performed. By changing the control voltage V, the capacitance of the varactor diode 49 changes, and the oscillation frequency can change.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来のこのような発振
回路は、数百ＭＨｚ帯の高い発振周波数で発振する場合
には、使用する帰還コンデンサ４６、４７の容量を小さ
くしておく必要がある。一方、発振トランジスタ４１の
コレクタとエミッタ間及びベースとエミッタ間にはそれ
ぞれ内部容量５１、５２が介在し、これらは帰還コンデ
ンサ４６、４７にそれぞれ並列に接続される。そして、
電源電圧Ｅが上昇すると発振トランジスタ４１の端子間
に印加される電圧が上昇し、内部容量５１、５２の容量
が小さくなる。また、内部容量５１、５２は帰還コンデ
ンサ４６、４７とともに発振周波数を決定しているの
で、この容量変化により発振周波数が高い方にずれてし
まう。このように発振回路に使用する帰還コンデンサ４
６、４７の容量が小さい場合には発振トランジスタ４１
の端子間の内部容量５１、５２が相対的に大きくなるの
で、発振トランジスタ４１の端子間の内部容量の容量が
変化するとその影響が大きく、発振周波数がずれるほど
に影響を及ぼすこととなる。When such a conventional oscillation circuit oscillates at a high oscillation frequency of several hundred MHz, it is necessary to reduce the capacitance of the feedback capacitors 46 and 47 used. . On the other hand, internal capacitors 51 and 52 are interposed between the collector and the emitter and between the base and the emitter of the oscillation transistor 41, respectively, and are connected in parallel to the feedback capacitors 46 and 47, respectively. And
When the power supply voltage E increases, the voltage applied between the terminals of the oscillation transistor 41 increases, and the capacitances of the internal capacitors 51 and 52 decrease. Also, since the internal capacitances 51 and 52 determine the oscillation frequency together with the feedback capacitors 46 and 47, the oscillation frequency shifts to a higher one due to the change in capacitance. Thus, the feedback capacitor 4 used for the oscillation circuit
When the capacitances of the transistors 6 and 47 are small, the oscillation transistor 41
Since the internal capacitances 51 and 52 between the terminals of the oscillation transistor 41 are relatively large, if the capacitance of the internal capacitance between the terminals of the oscillation transistor 41 changes, the effect is large and the oscillation frequency is shifted.
【０００４】そこで本発明は電源電圧が変動しても所望
の発振周波数に対してほとんどずれることなく発振する
ように補正することで、所望の発振周波数の出力を得る
ことを目的とする。Accordingly, it is an object of the present invention to obtain an output having a desired oscillation frequency by correcting the oscillation so that the oscillation does not substantially deviate from the desired oscillation frequency even if the power supply voltage fluctuates.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するためのもので、請求項１記載の発振回路の特徴は、
電源電圧が印加された発振トランジスタと、発振周波数
を変えるバラクタダイオードとを備え、前記バラクタダ
イオードの一端には前記バラクタダイオードの容量を変
化させるための制御電圧が印加され、前記電源電圧を分
圧して得た分圧電圧を前記バラクタダイオードの他端に
印加したことである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the oscillation circuit according to the present invention has the following features.
An oscillation transistor to which a power supply voltage is applied, and a varactor diode that changes an oscillation frequency are provided, and a control voltage for changing a capacity of the varactor diode is applied to one end of the varactor diode, and the power supply voltage is divided. That is, the obtained divided voltage is applied to the other end of the varactor diode.
【０００６】また、請求項２記載の発振回路の特徴は、
電源電圧の電圧上昇に伴って発振トランジスタのベース
とエミッタ間及びコレクタとエミッタ間の端子間容量は
小さくなり、バラクタダイオードのアノードに分圧電圧
を印加し、カソードに制御電圧を印加したことである。[0006] The characteristics of the oscillation circuit according to claim 2 are as follows.
With the rise of the power supply voltage, the capacitance between the terminals of the oscillation transistor between the base and the emitter and between the terminals between the collector and the emitter is reduced, and the divided voltage is applied to the anode of the varactor diode and the control voltage is applied to the cathode. .
【０００７】また、請求項３記載の発振回路の特徴は、
電源電圧を分圧して発振トランジスタのベースにバイア
ス電圧を印加するベースバイアス回路を設け、前記ベー
スバイアス回路からバラクタダイオードに分圧電圧とな
る電圧を印加したである。[0007] The characteristics of the oscillation circuit according to claim 3 are as follows.
A base bias circuit for dividing a power supply voltage and applying a bias voltage to a base of an oscillation transistor is provided, and a voltage which becomes a divided voltage is applied from the base bias circuit to a varactor diode.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を参照し
て説明する。図１は本発明の発振回路を説明する回路図
である。図２は本発明の発振回路の他の回路図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an oscillation circuit according to the present invention. FIG. 2 is another circuit diagram of the oscillation circuit of the present invention.
【０００９】まず図１について説明する。図１の発振回
路は発振周波数を変化し得る電圧制御発振回路である。
発振トランジスタ１のコレクタは電源電圧Ｅが印加され
ており、また、直流阻止コンデンサ１１を介して高周波
的に接地されている。発振トランジスタ１のエミッタは
抵抗４を介して接地され、また帰還コンデンサ１０を介
して接地されている。この抵抗４は発振トランジスタ１
のエミッタにバイアス電圧を印加するエミッタバイアス
抵抗となっている。発振トランジスタ１のベースには抵
抗２と抵抗３とからなるベースバイアス回路１４によっ
て電源電圧Ｅを分圧して得たバイアス電圧を印加してい
る。発振トランジスタ１のベースとエミッタ間には帰還
コンデンサ９が接続される。また、発振トランジスタの
ベースはクラップコンデンサ７を介してバラクタダイオ
ード１２のカソードと接続している。バラクタダイオー
ド１２のアノードはインダクタンス素子であるコイル１
３の一端に接続し、コイル１３の他端はコンデンサ８を
介して高周波的に接地している。また、バラクタダイオ
ード１２のアノードには抵抗５と抵抗６とからなる分圧
回路１５によって電源電圧Ｅを分圧した分圧電圧を印加
している。バラクタダイオード１２のカソードには発振
周波数を変化させるための制御電圧Ｖが印加している。
コイル１３のインダクタンス及びバラクタダイオード１
２の容量と帰還コンデンサ９、１０の容量とで発振周波
数が決まり発振が行われる。そして、制御電圧Ｖを変化
させることによりバラクタダイオード１２の容量が変化
し、発振周波数を変化し得る。ここで、電源電圧Ｅが例
えば高い方に変動すると、発振トランジスタ１のベース
とエミッタ間及びコレクタとエミッタ間に介在する内部
容量が小さくなるが、バラクタダイオード１２のアノー
ドに印加している分圧電圧が高くなり、バラクタダイオ
ード１２のアノード、カソード間の電圧が小さくなり、
バラクタダイオード１２の容量が増加するので、電源電
圧Ｅの変動による発振周波数の変動の補正を行うことが
できる。First, FIG. 1 will be described. The oscillation circuit of FIG. 1 is a voltage-controlled oscillation circuit that can change the oscillation frequency.
The power supply voltage E is applied to the collector of the oscillation transistor 1, and the collector of the oscillation transistor 1 is grounded at a high frequency via a DC blocking capacitor 11. The emitter of the oscillation transistor 1 is grounded via a resistor 4 and grounded via a feedback capacitor 10. This resistor 4 is the oscillation transistor 1
, An emitter bias resistor for applying a bias voltage to the emitter. A bias voltage obtained by dividing the power supply voltage E by a base bias circuit 14 including resistors 2 and 3 is applied to the base of the oscillation transistor 1. A feedback capacitor 9 is connected between the base and the emitter of the oscillation transistor 1. Further, the base of the oscillation transistor is connected to the cathode of the varactor diode 12 via the clap capacitor 7. The anode of the varactor diode 12 is a coil 1 which is an inductance element.
3 and the other end of the coil 13 is grounded at a high frequency via a capacitor 8. Further, a divided voltage obtained by dividing the power supply voltage E is applied to the anode of the varactor diode 12 by a voltage dividing circuit 15 including a resistor 5 and a resistor 6. A control voltage V for changing the oscillation frequency is applied to the cathode of the varactor diode 12.
Inductance of coil 13 and varactor diode 1
The oscillation frequency is determined by the capacitance of the capacitor 2 and the capacitance of the feedback capacitors 9 and 10, and oscillation is performed. By changing the control voltage V, the capacitance of the varactor diode 12 changes, and the oscillation frequency can change. Here, if the power supply voltage E fluctuates, for example, to the higher side, the internal capacitance interposed between the base and the emitter and between the collector and the emitter of the oscillation transistor 1 decreases, but the divided voltage applied to the anode of the varactor diode 12 Increases, the voltage between the anode and cathode of the varactor diode 12 decreases,
Since the capacity of the varactor diode 12 increases, it is possible to correct the fluctuation of the oscillation frequency due to the fluctuation of the power supply voltage E.
【００１０】次に図２について説明する。図２の発振回
路は発振周波数を変化し得る電圧制御発振回路の別の形
態である。発振トランジスタ１のコレクタは電源電圧Ｅ
が印加されており、また、直流阻止コンデンサ１１を介
して高周波的に接地されている。発振トランジスタ１の
エミッタは抵抗４を介して接地され、また帰還コンデン
サ１０を介して接地している。この抵抗４は発振トラン
ジスタ１のエミッタにバイアス電圧を印加するエミッタ
バイアス抵抗となっている。発振トランジスタ１のベー
スには抵抗１６と抵抗１７と抵抗１８とからなるベース
バイアス回路２０により電源電圧Ｅを分圧して得たバイ
アス電圧を印加している。発振トランジスタのベースと
エミッタ間には帰還コンデンサ９を介して接続される。
また、ベースはクラップコンデンサ７を介してバラクタ
ダイオード１２のカソードと接続している。バラクタダ
イオード１２のアノードはインダクタンス素子であるコ
イル１３の一端と接続し、コイル１３の他端はコンデン
サ８を介して高周波的に接地している。また、バラクタ
ダイオード１２のアノードには高周波阻止用のチョーク
コイル１９を介してベースバイアス回路２０により電源
電圧Ｅを分圧して得た分圧電圧を印加している。バラク
タダイオード１２のカソードには発振周波数を変化させ
るための制御電圧Ｖが印加している。コイル１３のイン
ダクタンス及びバラクタダイオード１２の容量と帰還コ
ンデンサ９、１０の容量とで発振周波数が決まり発振が
行われる。そして、制御電圧Ｖを変化させることにより
バラクタダイオード１２の容量が変化し、発振周波数を
変化し得る。ここで、電源電圧Ｅが例えば高い方に変動
すると、発振トランジスタ１のベースとエミッタ間及び
コレクタとエミッタ間に介在する内部容量が小さくなる
が、バラクタダイオード１２のアノード印加している分
圧電圧が高くなり、バラクタダイオード１２のアノー
ド、カソード間の電圧が小さくなり、バラクタダイオー
ド１２の容量が増加するので、電源電圧Ｅの変動による
発振周波数の変動の補正を行うことができる。Next, FIG. 2 will be described. The oscillation circuit of FIG. 2 is another form of the voltage controlled oscillation circuit that can change the oscillation frequency. The collector of the oscillation transistor 1 has the power supply voltage E
, And grounded at high frequency via a DC blocking capacitor 11. The emitter of the oscillation transistor 1 is grounded via a resistor 4 and grounded via a feedback capacitor 10. This resistor 4 is an emitter bias resistor for applying a bias voltage to the emitter of the oscillation transistor 1. A bias voltage obtained by dividing the power supply voltage E by a base bias circuit 20 including a resistor 16, a resistor 17, and a resistor 18 is applied to the base of the oscillation transistor 1. The oscillation transistor is connected via a feedback capacitor 9 between the base and the emitter.
The base is connected to the cathode of the varactor diode 12 via the clap capacitor 7. The anode of the varactor diode 12 is connected to one end of a coil 13 which is an inductance element, and the other end of the coil 13 is grounded at a high frequency via a capacitor 8. Further, a divided voltage obtained by dividing the power supply voltage E by the base bias circuit 20 is applied to the anode of the varactor diode 12 via the choke coil 19 for blocking high frequency. A control voltage V for changing the oscillation frequency is applied to the cathode of the varactor diode 12. The oscillation frequency is determined by the inductance of the coil 13, the capacitance of the varactor diode 12, and the capacitance of the feedback capacitors 9 and 10, and the oscillation is performed. By changing the control voltage V, the capacitance of the varactor diode 12 changes, and the oscillation frequency can change. Here, when the power supply voltage E fluctuates, for example, to the higher side, the internal capacitance interposed between the base and the emitter and between the collector and the emitter of the oscillation transistor 1 decreases, but the divided voltage applied to the anode of the varactor diode 12 increases. As a result, the voltage between the anode and the cathode of the varactor diode 12 decreases, and the capacitance of the varactor diode 12 increases. Therefore, it is possible to correct the fluctuation of the oscillation frequency due to the fluctuation of the power supply voltage E.
【００１１】上記説明してきたように本発明の発振回路
によれば、電源電圧Ｅが変動しても自動的に補正が掛か
り、所望の発振周波数からほとんどずれることなく安定
した発振動作が行われる。また、説明してきた発振回路
はコレクタ接地型の発振回路であるが、ベース接地型の
発振回路で構成しても同様の効果を奏することは言うま
でもない。As described above, according to the oscillating circuit of the present invention, even if the power supply voltage E fluctuates, the correction is automatically performed, and a stable oscillating operation is performed with almost no deviation from the desired oscillating frequency. Further, the oscillating circuit described is a common-collector type oscillating circuit, but it goes without saying that the same effect can be obtained even if the oscillating circuit is constituted by a common-base oscillating circuit.
【００１２】[0012]
【発明の効果】本発明の発振回路によれば、次に示す効
果を奏することができる。According to the oscillation circuit of the present invention, the following effects can be obtained.
【００１３】バラクタダイオードの一端に電源電圧を分
圧した電圧を印加し、他端には制御電圧を印加し、その
ことによって発振周波数を制御することにしたので、電
源電圧が変動すれば、バラクタダイオードの両端への印
加電圧が変化することでその容量が変化し、電源電圧の
変動による発振周波数の変化を補正できる。A voltage obtained by dividing the power supply voltage is applied to one end of the varactor diode, and a control voltage is applied to the other end, so that the oscillation frequency is controlled. When the voltage applied to both ends of the diode changes, the capacitance changes, and the change in the oscillation frequency due to the change in the power supply voltage can be corrected.
【００１４】電源電圧の電圧上昇に伴って、トランジス
タの内部容量が小さくなり、バラクタダイオードのアノ
ードに電源電圧を分圧した分圧電圧を印加し、カソード
に制御電圧を印加することにしたので、電源電圧が上昇
すると発振周波数が高い方に変動するが、バラクタダイ
オードの両端への印加電圧を低くするので容量を増加さ
せ、発振周波数が低い方に変動するので、電源電圧の変
動による発振周波数の変動の補正が自動的に行われる。As the power supply voltage rises, the internal capacity of the transistor decreases, and a divided voltage obtained by dividing the power supply voltage is applied to the anode of the varactor diode, and the control voltage is applied to the cathode. When the power supply voltage rises, the oscillation frequency fluctuates to the higher side.However, since the applied voltage to both ends of the varactor diode is lowered, the capacitance is increased, and the oscillation frequency fluctuates to the lower side. Fluctuation correction is performed automatically.
【００１５】ベースバイアス回路からバラクタダイオー
ドに分圧電圧を印加することとしたので、発振回路を簡
略に構成できる。Since the divided voltage is applied to the varactor diode from the base bias circuit, the oscillation circuit can be configured simply.
【図１】本発明の発振回路の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to the present invention.
【図２】本発明の発振回路の別の形態の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment of the oscillation circuit of the present invention.
【図３】従来の発振回路の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional oscillation circuit.
１ 発振トランジスタ ２ 抵抗 ３ 抵抗 ４ 抵抗 ５ 抵抗 ６ 抵抗 ７ クラップコンデンサ ８ コンデンサ ９ 帰還コンデンサ １０ 帰還コンデンサ １１ 直流阻止コンデンサ １２ バラクタダイオード １３ コイル １４ ベースバイアス回路 １５ 分圧回路 １６ 抵抗 １７ 抵抗 １８ 抵抗 １９ チョークコイル ２０ ベースバイアス回路 REFERENCE SIGNS LIST 1 oscillation transistor 2 resistor 3 resistor 4 resistor 5 resistor 6 resistor 7 clap capacitor 8 capacitor 9 feedback capacitor 10 feedback capacitor 11 DC blocking capacitor 12 varactor diode 13 coil 14 base bias circuit 15 voltage dividing circuit 16 resistor 17 resistor 18 resistor 19 choke coil 20 Base bias circuit
Claims (3)
と、発振周波数を変えるバラクタダイオードとを備え、
前記バラクタダイオードの一端には前記バラクタダイオ
ードの容量を変化させるための制御電圧が印加され、前
記電源電圧を分圧して得た分圧電圧を前記バラクタダイ
オードの他端に印加したことを特徴とする発振回路。An oscillation transistor to which a power supply voltage is applied; and a varactor diode that changes an oscillation frequency.
A control voltage for changing the capacitance of the varactor diode is applied to one end of the varactor diode, and a divided voltage obtained by dividing the power supply voltage is applied to the other end of the varactor diode. Oscillator circuit.
振トランジスタのベースとエミッタ間及びコレクタとエ
ミッタ間の端子間容量は小さくなり、前記バラクタダイ
オードのアノードに前記分圧電圧を印加し、カソードに
前記制御電圧を印加したことを特徴とする請求項１記載
の発振回路。2. A capacitance between terminals of the oscillation transistor between a base and an emitter and between a collector and an emitter decreases as the voltage of the power supply voltage increases. The divided voltage is applied to an anode of the varactor diode, and a cathode is applied. 2. The oscillation circuit according to claim 1, wherein said control voltage is applied to said oscillation circuit.
ジスタのベースにバイアス電圧を印加するベースバイア
ス回路を設け、前記ベースバイアス回路から前記バラク
タダイオードに前記分圧電圧となる電圧を印加したこと
を特徴とする請求項１乃至２記載の発振回路。3. A base bias circuit that divides the power supply voltage and applies a bias voltage to a base of the oscillation transistor, and applies a voltage that becomes the divided voltage from the base bias circuit to the varactor diode. The oscillation circuit according to claim 1 or 2, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106366A JP2000299608A (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Oscillator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106366A JP2000299608A (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Oscillator circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299608A true JP2000299608A (en) | 2000-10-24 |
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| JP11106366A Withdrawn JP2000299608A (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Oscillator circuit |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000299608A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110504A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Nec Electronics Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2009005182A (en) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Kenwood Corp | Voltage controlled temperature compensated crystal oscillator, and temperature-oscillation frequency characteristics adjustment method |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP11106366A patent/JP2000299608A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110504A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Nec Electronics Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2009005182A (en) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Kenwood Corp | Voltage controlled temperature compensated crystal oscillator, and temperature-oscillation frequency characteristics adjustment method |
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