JP2000298532A - Timing control circuit device - Google Patents

Timing control circuit device

Info

Publication number
JP2000298532A
JP2000298532A JP11107542A JP10754299A JP2000298532A JP 2000298532 A JP2000298532 A JP 2000298532A JP 11107542 A JP11107542 A JP 11107542A JP 10754299 A JP10754299 A JP 10754299A JP 2000298532 A JP2000298532 A JP 2000298532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
clock signal
delay
control circuit
timing control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11107542A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3786540B2 (en
JP2000298532A5 (en
Inventor
Sukeyuki Miyazaki
祐行 宮▲崎▼
Kiyoshi Hasegawa
清志 長谷川
Masaru Kokubo
優 小久保
Hirokazu Aoki
郭和 青木
Koichiro Ishibashi
孝一郎 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi ULSI Systems Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10754299A priority Critical patent/JP3786540B2/en
Priority to US09/388,438 priority patent/US6300807B1/en
Publication of JP2000298532A publication Critical patent/JP2000298532A/en
Priority to US09/935,717 priority patent/US6489824B2/en
Publication of JP2000298532A5 publication Critical patent/JP2000298532A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3786540B2 publication Critical patent/JP3786540B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y02B60/31

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To quickly execute phase synchronization, to adjust a phase difference without depending on an output load based on clock signal distribution or the like and to attain low skew and low power consumption in a timing control circuit for synchronizing a phase difference between an input clock signal and an output clock signal. SOLUTION: The timing control circuit device is constituted of a rough timing control circuit CDLL11 for roughly adjusting a phase difference between an input clock signal and an output clock signal, a fine timing control circuit FDLL11 for finely adjusting the phase difference and a rough/fine conversion circuit CONV11 for transmitting a clock signal from the circuit CDLL11 to the circuit FDLL11. The circuit FDLL11 highly accurately adjusts the phase difference between an input clock signal clkin11 and an output clock signal clkout11 by using a roughly adjusted signal to remove the phase difference.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
係わり、特に同期信号の発生、伝達または分配を行うタ
イミング制御回路に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a timing control circuit for generating, transmitting or distributing a synchronization signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路装置において、クロック
を生成する装置として主に、位相同期ループ(PLL)、
ディレー・ロックド・ループ(DLL)が用いられてい
る。1995インターナショナル・ソリッド・ステート・サ
ーキッツ・コンファレンス・ダイジェスト・オブ・テク
ニカル・ペーパーズ(1995年)第112頁から第113頁(19
95 International Solid-State Circuits Conference、
Digest of Technical Papers、 pp.112-113)に述べら
れているようにPLLは、クロック信号が同期して安定し
た信号出力を発生するまでにかかるセットリング時間に
長時間(数10μ秒程度)を必要とする。同様に、1998イ
ンターナショナル・ソリッド・ステート・サーキッツ・
コンファレンス・ダイジェスト・オブ・テクニカル・ペ
ーパーズ(1998年)第158頁から第159頁(1998 Interna
tional Solid-State Circuits Conference、 Digest of
Technical Papers、 pp.158-159)で述べられているよ
うに、DLLではセットリング時間(ロッキング時間)が
クロック100周期程度と長い。通常、半導体集積回路装
置を用いたシステムがスタンドバイ状態になる時、PLL
あるいはDLLを停止し、PLL、DLLで消費する電力を削減
する。しかし、前述したようにPLLやDLLをスタンドバイ
状態から動作状態へ復帰させるには、長いセットリング
時間を必要とする。このためシステムによっては、この
長いセットリング時間を避けるために、待機時でもPLL
あるいはDLLを停止させないようなスリープモードを設
けているものもある。このスリープモードでは、PLLあ
るいはDLLで電力を消費してしまう。
2. Description of the Related Art In a semiconductor integrated circuit device, a phase locked loop (PLL),
A delay locked loop (DLL) is used. 1995 International Solid State Circuits Conference Digest of Technical Papers (1995) pp. 112-113 (19
95 International Solid-State Circuits Conference,
As described in Digest of Technical Papers, pp.112-113), PLL requires a long settling time (several tens of microseconds) for the clock signal to synchronize and generate a stable signal output. I need. Similarly, the 1998 International Solid State Circuits
Conference Digest of Technical Papers (1998) 158 to 159 (1998 Interna
tional Solid-State Circuits Conference, Digest of
As described in Technical Papers, pp.158-159), the DLL has a long settling time (locking time) of about 100 clock cycles. Usually, when a system using a semiconductor integrated circuit device enters a standby state, a PLL
Alternatively, stop the DLL and reduce the power consumed by the PLL and DLL. However, as described above, returning the PLL or DLL from the standby state to the operating state requires a long settling time. Therefore, depending on the system, to avoid this long settling time, the PLL
Others have a sleep mode that does not stop the DLL. In this sleep mode, power is consumed by the PLL or DLL.

【0003】以上のPLL、DLLに特有の欠点を解決する方
法として、1997シンポジウム・オン・ヴィエルエスアイ
・サーキッツ・ダイジェスト・オブ・テクニカル・ペー
パーズ(1997年)第109頁から第110頁(1997 Symposium
on VLSI Circuits、 Digestof Technical Papers、 p
p.109-110)では、シンクロナス・ミラー・ディレー(S
MD)が提案されている。SMDは、セットリング時間がク
ロック2周期と短い。SMDでは、出力の負荷を模擬したダ
ミー遅延回路を用意し、これを用いてクロック信号を同
期させる。そのため、出力の負荷が未知である場合や、
変化する場合には、対応できない。このSMDの欠点を解
決する策として、プロシーディングス・オブ・ザ・1998
・カスタム・インテグレーティッド・サーキッツ・コン
ファレンス(1998年)第511頁から第514頁(Proceeding
s of the 1998 Custom Integrated Circuits Conferenc
e、 pp.511-514)においてダイレクトSMD(D-SMD)が提
案された。しかしながら、どちらのSMDにおいても、出
力クロック信号のデューティ比が1/10程度という極端な
信号しか得られず、クロック信号の立ち上がりと立ち下
がりの両方を利用するシステムにおいては、使用するこ
とができない。
[0003] As a method of solving the above-mentioned disadvantages peculiar to PLLs and DLLs, 1997 Symposium on VISI Circuits Digest of Technical Papers (1997), pp. 109 to 110 (1997 Symposium).
on VLSI Circuits, Digestof Technical Papers, p
p.109-110), the synchronous mirror delay (S
MD) has been proposed. The SMD has a short settling time of two clock cycles. In the SMD, a dummy delay circuit simulating an output load is prepared, and a clock signal is synchronized using the dummy delay circuit. Therefore, when the output load is unknown,
If it changes, it cannot respond. To solve the shortcomings of SMD, proceedings of the 1998
・ Custom Integrated Circuits Conference (1998) pp. 511-514 (Proceeding)
s of the 1998 Custom Integrated Circuits Conferenc
e, pp.511-514), direct SMD (D-SMD) was proposed. However, in both SMDs, only an extreme signal having a duty ratio of the output clock signal of about 1/10 can be obtained, and cannot be used in a system using both the rising and falling edges of the clock signal.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】出願人らは、特願平10
-250728において、以上のPLL、DLL、SMD、D-SMDに存在
する欠点をすべて克服するタイミング制御回路装置を開
発した。この装置では、セットリング時間がクロック信
号2〜3周期と短く、出力負荷の変化に関わらずクロック
信号の同期をとることができ、また出力クロック信号の
デューティ比を1/1にそろえることができる。
[Problems to be solved by the invention]
-250728, a timing control circuit device that overcomes all the disadvantages of PLL, DLL, SMD and D-SMD was developed. In this device, the settling time is as short as two to three cycles of the clock signal, the clock signal can be synchronized regardless of changes in the output load, and the duty ratio of the output clock signal can be set to 1/1. .

【0005】図3または図4は、出願人らが特願平10-250
728で提案したタイミング制御回路装置の構成を示して
いる。入力クロック信号clkin31はバッファ回路BUF31、
遅延制御回路列DCL31を経由して遅延クロック信号dclk3
1として出力され、クロックドライバDRV31や容量性負荷
LD31を経て出力クロック信号clkout31となりシステム等
にクロック信号を供給する。入力クロック信号clkin31
の周期をTin、クロックドライバDRV31の遅延時間をTdrv
とすると、フォワード遅延回路列FDA31及び制御回路MCC
31及び制御信号記憶回路REG31は遅延クロック信号dclk3
1と出力クロック信号clkout31の位相差を検出して、Tfd
a=Tin−Tdrvとなるフォワード遅延回路列FDA31内の遅
延素子位置を決定する。この位置は、遅延制御回路列DC
L31に伝えられ、DCL31内で遅延時間がTdcl=Tfda=Tin
−Tdrvとなる位置が選択される。すると、入力クロック
信号clkin31から出力クロック信号clkout31までの遅延
時間はTout=Tdcl+Tdrv=Tinとなり、入力に対してち
ょうど1周期遅れたクロック信号が出力される事にな
る。
FIG. 3 or FIG. 4 shows that the applicants filed Japanese Patent Application No. 10-250.
728 shows the configuration of the timing control circuit device proposed in 728. The input clock signal clkin31 is connected to the buffer circuit BUF31,
Delayed clock signal dclk3 via delay control circuit row DCL31
Output as 1 to output clock driver DRV31 or capacitive load
An output clock signal clkout31 passes through the LD 31 to supply a clock signal to a system or the like. Input clock signal clkin31
The period of the clock is Tin and the delay time of the clock driver DRV31 is Tdrv
Then, the forward delay circuit train FDA31 and the control circuit MCC
31 and the control signal storage circuit REG31 are provided with the delayed clock signal dclk3.
1 and the phase difference between the output clock signal clkout31 and Tfd
The position of the delay element in the forward delay circuit array FDA31 where a = Tin-Tdrv is determined. This position is the delay control circuit row DC
Informed to L31, the delay time in DCL31 is Tdcl = Tfda = Tin
The position that becomes -Tdrv is selected. Then, the delay time from the input clock signal clkin31 to the output clock signal clkout31 is Tout = Tdcl + Tdrv = Tin, and a clock signal that is exactly one cycle delayed from the input is output.

【0006】このようにして、クロック信号の同期をと
るタイミング制御回路では、セットリングタイムが2〜3
周期と短く、また出力の負荷(ここではDRV31やLD31)
が変化しても同期信号を生成でき、またデューティ比に
関しては、入力クロック信号のデューティ比をそのまま
伝える事ができる。あるいは、遅延素子DEL31を調整す
る事により任意のデューティ比を持った信号を出力でき
る。さて、このタイミング制御回路装置の動作可能な最
低クロック周波数は、Fmin=1 /(n×Tdel)で与える事
ができる。また、この装置の発生するクロック信号が示
す入力信号とのスキューの最大値は、Smax=Tdelとな
る。ここで、nは遅延制御回路列DCL31内にある遅延素子
DEL31の段数、Tdelは1段あたりの遅延素子DEL31が有す
る遅延時間である。これらの関係からわかる通り、この
タイミング制御回路装置では、動作最低周波数Fminを変
えずにスキューSmaxを小さくするためには1段の遅延素
子あたりの遅延時間Tdelを小さくする必要があり、その
場合遅延素子の段数nが増加してしまう。逆に、動作最
低周波数Fminを変えずに遅延素子の段数nを減らそうと
するとスキューSmaxが大きくなってしまう。回路の面積
や消費電力は遅延素子の段数nに依存するので、装置の
性能を表すスキューと、面積・消費電力がトレードオフ
の関係になる。
As described above, in the timing control circuit for synchronizing the clock signals, the settling time is 2-3 times.
The cycle is short, and the output load (here, DRV31 or LD31)
Can be generated, and the duty ratio of the input clock signal can be transmitted as it is. Alternatively, a signal having an arbitrary duty ratio can be output by adjusting the delay element DEL31. The minimum clock frequency at which the timing control circuit device can operate can be given by Fmin = 1 / (n × Tdel). The maximum value of the skew with respect to the input signal indicated by the clock signal generated by this device is Smax = Tdel. Here, n is a delay element in the delay control circuit sequence DCL31.
The number of stages of the DEL31, Tdel, is the delay time of the delay element DEL31 per stage. As can be seen from these relationships, in this timing control circuit device, in order to reduce the skew Smax without changing the minimum operation frequency Fmin, it is necessary to reduce the delay time Tdel per delay element in one stage. The number n of element stages increases. Conversely, if the number n of delay elements is reduced without changing the minimum operation frequency Fmin, the skew Smax increases. Since the area and power consumption of the circuit depend on the number n of the delay elements, there is a trade-off between the skew representing the performance of the device and the area / power consumption.

【0007】本発明の課題は、上記の特願平10-250728
で提案したタイミング制御回路装置をさらに優れたもの
とし、低スキューでかつ面積・消費電力の少ないタイミ
ング制御回路装置を提供する事にある。
[0007] The object of the present invention is to solve the above-mentioned Japanese Patent Application No. 10-250728.
Another object of the present invention is to improve the timing control circuit device proposed in (1), and to provide a timing control circuit device with low skew, low area and low power consumption.

【0008】すなわち、タイミング制御回路装置におい
て、セットリング時間が短く、クロックバッファ等の負
荷が変化しても同期が可能であり、出力クロック信号の
デューティ比を調節でき、さらに、出力クロック信号の
スキューと面積・消費電力を同時に低減することのでき
るタイミング制御回路装置を提供する事にある。
That is, in the timing control circuit device, the settling time is short, synchronization can be performed even when the load of the clock buffer or the like changes, the duty ratio of the output clock signal can be adjusted, and the skew of the output clock signal can be adjusted. Another object of the present invention is to provide a timing control circuit device capable of simultaneously reducing the area and the power consumption.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、タイミング制御回路装置には基準クロック信号が入
力され、これを用いて内部クロック信号を生成し、さら
にクロックドライバ回路等の負荷回路を経由して出力ク
ロック信号を生成する。この時、タイミング制御回路装
置には出力クロック信号を帰還して入力し、出力クロッ
ク信号と基準クロック信号が同相になるように内部クロ
ック信号を生成する。
In order to solve the above problems, a reference clock signal is input to a timing control circuit device, an internal clock signal is generated using the reference clock signal, and further passed through a load circuit such as a clock driver circuit. To generate an output clock signal. At this time, the output clock signal is fed back and input to the timing control circuit device, and the internal clock signal is generated so that the output clock signal and the reference clock signal have the same phase.

【0010】また、タイミング制御回路内装置には、内
部クロックと出力クロックの位相差を検出する回路と遅
延量が制御可能な遅延回路があり、遅延回路は前記検出
された位相差により遅延量を変えられるようになってい
る。その結果、出力クロック信号と基準クロック信号を
同相にできる。
The timing control circuit device includes a circuit for detecting a phase difference between the internal clock and the output clock and a delay circuit for controlling the amount of delay, and the delay circuit controls the amount of delay based on the detected phase difference. Can be changed. As a result, the output clock signal and the reference clock signal can be in phase.

【0011】タイミング制御回路装置は粗調タイミング
制御回路と微調タイミング制御回路から構成され、粗調
タイミング制御回路で低い精度で出力クロック信号と基
準クロック信号の位相を同期させ、微調タイミング制御
回路では高い精度で出力クロック信号と基準クロック信
号の位相を同期させる。生成される出力クロック信号の
スキューは、微調タイミング制御回路内の遅延素子で決
定され、遅延素子1段あたりの遅延量を小さくする事で
スキューを小さくできる。タイミング制御回路の回路規
模は粗調タイミング制御回路内の遅延素子と微調タイミ
ング制御回路内の遅延素子の遅延量の比によって任意に
増減でき、最適な比を用いる事で回路規模、面積、消費
電力を削減できる。
The timing control circuit device is composed of a coarse timing control circuit and a fine timing control circuit. The coarse timing control circuit synchronizes the phases of the output clock signal and the reference clock signal with low accuracy, and the fine timing control circuit uses high timing. Synchronize the phases of the output clock signal and the reference clock signal with high accuracy. The skew of the generated output clock signal is determined by the delay element in the fine adjustment timing control circuit, and the skew can be reduced by reducing the delay amount per delay element stage. The circuit scale of the timing control circuit can be arbitrarily increased or decreased by the ratio of the delay amount of the delay element in the coarse adjustment timing control circuit to the delay element in the fine adjustment timing control circuit. Can be reduced.

【0012】本発明の実施例によると、クロック信号出
力が安定するセットリング時間が短く、その結果半導体
回路装置内で必要な時にのみ動作させることにより低電
力化が可能となり、また電源電圧の低下等による出力信
号の制御精度劣化を抑制でき、また、クロック出力の負
荷回路における負荷変化に対応できるという、特願平10
-250728のタイミング制御回路装置の特性を持ち、さら
に、低スキュー、低面積、低消費電力を同時に実現でき
るタイミング制御回路装置を提供できる。
According to the embodiment of the present invention, the settling time for stabilizing the output of the clock signal is short. As a result, the power can be reduced by operating the semiconductor circuit device only when necessary, and the power supply voltage can be reduced. Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-210, which is able to suppress deterioration of the control accuracy of the output signal due to the above-mentioned factors and to cope with a load change in the load circuit of the clock output.
A timing control circuit device having the characteristics of the -250728 timing control circuit device and capable of simultaneously realizing low skew, low area, and low power consumption can be provided.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
例を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図2は、本発明の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【0015】以下の説明では、バッファ回路、オフセッ
ト回路、n入力NOR回路、分周回路が持つ遅延時間は、他
の構成要素が持つ遅延時間と比べて小さい事と、説明の
都合上、無視できるものと仮定して説明する。
In the following description, the delay time of the buffer circuit, the offset circuit, the n-input NOR circuit, and the frequency divider circuit is smaller than the delay times of the other components, and can be ignored for convenience of explanation. It is assumed that this is the case.

【0016】入力クロック信号clkin21は粗調タイミン
グ制御回路CDLL21に入力され、遅延クロック信号dclk23
と制御信号cntsig21、cntsig22を生成する。粗調微調変
換回路CONV21は粗調タイミング制御回路CDLL21から出力
される制御信号cntsig21、cntsig22を受け取り、微調タ
イミング制御回路のための遅延クロック信号dclk22を生
成して伝える。微調タイミング制御回路FDLL21は、遅延
クロック信号dclk22とdclk23を受け取り、遅延クロック
信号dclk21を新たに生成して出力する。クロックドライ
バDRV21は遅延クロック信号dclk21を受け、出力クロッ
ク信号clkout21として容量性負荷LD21へクロック信号を
分配する。出力クロック信号clkout21は再び粗調タイミ
ング制御回路CDLL21に帰還する。粗調タイミング制御回
路CDLL21は、遅延制御回路列DCL22、フォワード遅延回
路列FDA22、制御回路MCC22、制御信号記憶回路REG22
と、さらにバッファ回路BUF21、BUF24、BUF25、n入力NO
R回路NNOR22、分周回路DIV22、オフセット調整回路offs
et21で構成されている。クロックドライバの遅延時間を
Tdrvとすると、遅延クロック信号dclk21と出力クロック
信号clkout21の信号間の遅延時間はTdrvとなる。粗調タ
イミング制御回路CDLL21では、出力クロック信号clkout
21をオフセット回路offsett21が受けた後にフォワード
遅延回路列FDA22に入力し、遅延クロック信号dclk21を
バッファ回路BUF25が受けた後に制御回路MCC22に入力す
る。入力クロック信号clkin21のクロック周期をTinとす
る時、制御回路MCC22はフォワード遅延回路列FDA22の遅
延クロック信号が、遅延時間Tfda=Tin−Tdrvとなる位
置を検出する。制御信号記憶回路REG22は、制御回路MCC
22が検出した位置を記憶する。
The input clock signal clkin21 is inputted to the coarse timing control circuit CDLL21, and the delayed clock signal dclk23
And control signals cntsig21 and cntsig22. The coarse adjustment fine conversion circuit CONV21 receives the control signals cntsig21 and cntsig22 output from the coarse adjustment timing control circuit CDLL21, and generates and transmits a delay clock signal dclk22 for the fine adjustment timing control circuit. The fine timing control circuit FDLL21 receives the delayed clock signals dclk22 and dclk23, newly generates and outputs a delayed clock signal dclk21. The clock driver DRV21 receives the delayed clock signal dclk21, and distributes the clock signal to the capacitive load LD21 as the output clock signal clkout21. The output clock signal clkout21 returns to the coarse timing control circuit CDLL21 again. The coarse timing control circuit CDLL21 includes a delay control circuit row DCL22, a forward delay circuit row FDA22, a control circuit MCC22, and a control signal storage circuit REG22.
And buffer circuits BUF21, BUF24, BUF25, n input NO
R circuit NNOR22, frequency divider DIV22, offset adjustment circuit offs
It consists of et21. Clock driver delay time
Assuming Tdrv, the delay time between the delayed clock signal dclk21 and the output clock signal clkout21 is Tdrv. In the coarse timing control circuit CDLL21, the output clock signal clkout
21 is input to the forward delay circuit array FDA22 after being received by the offset circuit offset21, and the delayed clock signal dclk21 is input to the control circuit MCC22 after being received by the buffer circuit BUF25. When the clock cycle of the input clock signal clkin21 is Tin, the control circuit MCC22 detects a position where the delay clock signal of the forward delay circuit array FDA22 satisfies the delay time Tfda = Tin−Tdrv. The control signal storage circuit REG22 includes a control circuit MCC.
The position detected by 22 is stored.

【0017】記憶を行うタイミングは、分周回路DIV22
によって遅延クロック信号dclk21が分周されたタイミン
グによる。分周回路DIV22は内部クロック信号inclk22を
生成し、バッファ回路BUF24を経て制御信号記憶回路REG
22へ信号を与え、制御回路MCC22の検出位置を記憶させ
る。この記憶された制御信号cntsig22は遅延制御回路列
DCL22の遅延伝達位置を決定し、バッファ回路BUF21を経
て入力される入力クロック信号clkin21をTdcl=Tfda=T
in−Tdrvの遅延時間だけ送らせて遅延信号dclk23として
出力する。この遅延信号dclk23が、微調タイミング制御
回路FDLL21内の遅延制御回路列DCL21を遅延を持たずに
素通りすると、出力クロック信号clkout21の遅延時間
は、Tout=Tdcl+Tdrv=Tinとなり、ちょうど入力クロ
ック信号clkin21と1周期遅れた信号が伝わる事になり、
入力信号と出力信号の位相が同期する。n入力NOR回路NN
OR22によって、回路起動時などで、遅延位置がどこも選
択されなかった場合に、遅延制御回路列を経由しないで
入力クロック信号clkin21を遅延クロック信号dclk23と
して伝える事ができる。また、オフセット回路offset21
はタイミング制御回路装置内部に存在する自己遅延を保
証するための遅延素子である。
The timing for performing the storage is determined by the frequency dividing circuit DIV22.
Depending on the timing at which the delayed clock signal dclk21 is divided. The divider circuit DIV22 generates the internal clock signal inclk22, and passes through the buffer circuit BUF24 to the control signal storage circuit REG.
A signal is supplied to the control circuit 22 to store the detection position of the control circuit MCC22. The stored control signal cntsig22 is a delay control circuit train
The delay transmission position of DCL22 is determined, and the input clock signal clkin21 input through the buffer circuit BUF21 is converted to Tdcl = Tfda = T
It is sent for the delay time of in-Tdrv and output as a delay signal dclk23. When the delay signal dclk23 passes through the delay control circuit array DCL21 in the fine adjustment timing control circuit FDLL21 without delay, the delay time of the output clock signal clkout21 becomes Tout = Tdcl + Tdrv = Tin, and just the input clock signals clkin21 and clkin21 A signal that is delayed in the cycle will be transmitted,
The phases of the input signal and the output signal are synchronized. n-input NOR circuit NN
The OR22 allows the input clock signal clkin21 to be transmitted as the delay clock signal dclk23 without passing through the delay control circuit train when no delay position is selected at the time of circuit startup or the like. Also, offset circuit offset21
Is a delay element existing inside the timing control circuit device for guaranteeing a self-delay.

【0018】しかし、実際に遅延制御回路列DCL22で選
ばれる遅延時間は不連続なディジタル量であり、遅延制
御回路列DCL22を構成する遅延素子1段あたりの遅延時間
が、入出力信号間の位相誤差(スキュー)として残る。
そこで、この位相誤差分を微調タイミング制御回路FDLL
21で調整する。粗調微調変換回路CONV21はフォワード遅
延回路列FDA22で選択された位置まで伝達した遅延クロ
ック信号を制御信号cntsig21として受け取り、微調タイ
ミング制御回路FDLL21内のフォワード遅延回路列FDA21
へ遅延クロック信号dclk22として伝える。
However, the delay time actually selected by the delay control circuit row DCL22 is a discontinuous digital quantity, and the delay time per one delay element constituting the delay control circuit row DCL22 depends on the phase between input and output signals. It remains as an error (skew).
Therefore, the phase error is fine-tuned by the timing control circuit FDLL.
Adjust with 21. The coarse adjustment fine conversion circuit CONV21 receives the delay clock signal transmitted to the position selected by the forward delay circuit array FDA22 as a control signal cntsig21, and forward delay circuit array FDA21 in the fine adjustment timing control circuit FDLL21.
As a delayed clock signal dclk22.

【0019】また、入力クロック信号clkin21が遅延制
御回路列DCL22によって粗調整された遅延信号dclk23も
同様に、微調タイミング制御回路FDLL21内の遅延制御回
路列DCL21に伝達される。微調タイミング制御回路FDLL2
1内では粗調タイミング制御回路CDLL21と同様のタイミ
ング制御が行われ、微調整された遅延信号dclk21を出力
する。以上の操作により、入力クロック信号clkin21と
出力クロック信号clkout21は、微調タイミング制御回路
FDLL21内の遅延制御回路列DCL21を構成する遅延素子1段
の持つ遅延時間以内で同期をとることができる。
The delay signal dclk23 obtained by coarsely adjusting the input clock signal clkin21 by the delay control circuit row DCL22 is similarly transmitted to the delay control circuit row DCL21 in the fine adjustment timing control circuit FDLL21. Fine adjustment timing control circuit FDLL2
Within 1, the same timing control as that of the coarse adjustment timing control circuit CDLL21 is performed, and a finely adjusted delay signal dclk21 is output. By the above operation, the input clock signal clkin21 and the output clock signal clkout21 are
Synchronization can be achieved within the delay time of one delay element constituting the delay control circuit array DCL21 in the FDLL 21.

【0020】例えば、入力クロック信号の周期が10ns
(周波数100MHz)とする。微調タイミング制御回路CDLL
21内の遅延制御回路列DCL22を構成する遅延素子1段の遅
延時間が1nsだとすると、この入力クロック信号に対し
て負荷回路やクロックドライバによらずに同期を取るた
めには、10段の遅延素子が必要となり、この時の最大ス
キューSmax=1nsとなる。微調タイミング制御回路FDLL2
1では、遅延制御回路列DCL21を構成する遅延素子1段の
遅延時間を100psだとすると、やはり10段の遅延素子が
必要となり、最大スキューSmax=100psとなる。遅延素
子の段数は、合計20段で構成できる。これに対して、特
願平10-250728のタイミング制御回路装置で10nsの入力
クロック信号を同期させようとした場合、遅延素子の段
数を20段で構成しようとすると、最大スキューSmax=50
0psと増加する。あるいは、最大スキューSmax=100psを
実現しようとすると、遅延素子の段数が100段必要とな
り、回路規模、面積や消費電力が増大する事になる。従
って、本実施例にある回路を用いると、特願平10-25072
8のタイミング制御回路装置と同じ特徴を維持しなが
ら、さらにスキュー低減と回路規模、面積、消費電力の
削減を同時に行う事ができる。
For example, the cycle of the input clock signal is 10 ns
(Frequency 100 MHz). Fine timing control circuit CDLL
Assuming that the delay time of one delay element constituting the delay control circuit array DCL22 in 1 is 1 ns, in order to synchronize this input clock signal without using a load circuit or a clock driver, a ten-stage delay element is required. Is required, and the maximum skew Smax at this time is 1 ns. Fine adjustment timing control circuit FDLL2
In 1, assuming that the delay time of one delay element constituting the delay control circuit array DCL21 is 100 ps, 10 delay elements are also required, and the maximum skew Smax = 100 ps. The number of stages of the delay element can be constituted by a total of 20 stages. On the other hand, when the timing control circuit device of Japanese Patent Application No. 10-250728 attempts to synchronize an input clock signal of 10 ns, if the number of delay elements is configured as 20, the maximum skew Smax = 50
Increases to 0ps. Alternatively, to achieve the maximum skew Smax = 100 ps, 100 stages of delay elements are required, and the circuit scale, area, and power consumption increase. Therefore, using the circuit in this embodiment, Japanese Patent Application No. 10-25072
The skew can be reduced and the circuit size, area, and power consumption can be reduced at the same time while maintaining the same features as the timing control circuit device of FIG.

【0021】図1は本発明の詳細な実施例を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a detailed embodiment of the present invention.

【0022】フォワード遅延回路列FDA11、12は、AND回
路で形成することができる。制御回路MCC11、12はRS型
フリップフロップ回路RSFF11とインバータ回路、NOR回
路で構成される。制御信号記憶回路REG11、12はD型フリ
ップフロップ回路DFF11で構成される。遅延制御回路列D
CL11、12はAND回路とNAND回路で構成される。また、粗
調微調変換回路CONV11はMOSトランジスタを用いたスイ
ッチで構成することができる。また、図5にバッファ回
路BUF11、12、13、14、15の実施例を、図6にn入力NOR回
路NNOR11、12の実施例を、図7にD型フリップフロップ回
路DFF11の実施例を、図8にRS型フリップフロップ回路RS
FF11の実施例を、図9に分周回路DIV11、12の実施例を、
図10にオフセット回路offset11の実施例をそれぞれ示
す。
The forward delay circuit arrays FDA11 and FDA12 can be formed by AND circuits. Each of the control circuits MCC11 and MCC12 includes an RS flip-flop circuit RSFF11, an inverter circuit, and a NOR circuit. The control signal storage circuits REG11 and REG12 are composed of D-type flip-flop circuits DFF11. Delay control circuit row D
CLs 11 and 12 are composed of AND circuits and NAND circuits. The coarse / fine conversion circuit CONV11 can be constituted by a switch using a MOS transistor. FIG. 5 shows an embodiment of the buffer circuits BUF11, 12, 13, 14, 15, FIG. 6 shows an embodiment of the n-input NOR circuits NNOR11 and 12, and FIG. 7 shows an embodiment of the D-type flip-flop circuit DFF11. Figure 8 shows the RS flip-flop circuit RS
FIG. 9 shows an embodiment of the frequency divider circuits DIV11 and 12 and FIG.
FIG. 10 shows an embodiment of the offset circuit offset11.

【0023】図11は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0024】粗調タイミング制御回路及び微調タイミン
グ制御回路内に存在するn入力NOR回路は図11のNNOR111
のようにも構成できる。この場合、n入力NORとして遅延
時間は増加するが、制御信号記憶回路の各出力にOR回路
を配置することができ、レイアウト設計の際に配置が簡
易となり、レイアウト面積を減らすこともできる。
The n-input NOR circuit existing in the coarse adjustment timing control circuit and the fine adjustment timing control circuit is the NNOR 111 of FIG.
It can also be configured as follows. In this case, although the delay time increases as an n-input NOR, an OR circuit can be arranged at each output of the control signal storage circuit, so that the layout can be simplified and the layout area can be reduced.

【0025】図13は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 13 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0026】粗調微調変換回路は図12のCONV121のよう
にMOSトランジスタのスイッチで構成できるが、図13のC
ONV131のようにトライステートバッファ回路を用いて構
成すると、フォワード遅延回路からの遅延クロック信号
fda131〜136にかかる負荷を減らす事ができる。図14に
トライステートバッファ回路TSB141の実施例を示す。
The coarse / fine conversion circuit can be constituted by a MOS transistor switch like CONV121 in FIG.
When configured using a tri-state buffer circuit like ONV131, the delayed clock signal from the forward delay circuit
The load on fda131-136 can be reduced. FIG. 14 shows an embodiment of the tri-state buffer circuit TSB141.

【0027】図15は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 15 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0028】制御信号記憶回路REG151を構成するD型フ
リップフロップ回路の/Q出力cntsig151を、フォワード
遅延回路列FDA151を構成するAND回路の入力とつなぐ
と、制御信号記憶回路REG151が選択した位置より後段
(図では左段)のフォワード遅延回路列FDA151内AND回
路へはクロック信号が伝わらなくなる。これにより、動
作電力を低減することができる。
When the / Q output cntsig 151 of the D-type flip-flop circuit forming the control signal storage circuit REG151 is connected to the input of the AND circuit forming the forward delay circuit array FDA151, the position after the position selected by the control signal storage circuit REG151 is connected. The clock signal is not transmitted to the AND circuit in the forward delay circuit row FDA151 (the left stage in the figure). Thereby, the operating power can be reduced.

【0029】図16は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 16 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0030】制御信号記憶回路REG161を構成するD型フ
リップフロップ回路の出力に図のようにAND回路を構成
すると、任意の1個所のD型フリップフロップが選択され
た際に、そこよりも後段(図では左段)のD型フリップ
フロップはすべて選択されなくなる。すなわち、制御信
号記憶回路REG161が同時に2個所を選択することがな
い。同時に2個所が選択されると、遅延制御回路列で2個
所の位置が選択され、同期がはずれるとともに貫通電流
が流れる可能性があり、これを防止する。
When an AND circuit is formed at the output of the D-type flip-flop circuit forming the control signal storage circuit REG161 as shown in the figure, when an arbitrary one of the D-type flip-flops is selected, the output of the D-type flip-flop is arranged at a stage subsequent thereto. All D-type flip-flops in the left column in the figure are not selected. That is, the control signal storage circuit REG161 does not select two locations at the same time. If two locations are selected at the same time, two locations are selected in the delay control circuit row, and synchronization is lost and a through current may flow, which is prevented.

【0031】図17は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 17 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0032】タイミング制御回路装置において、粗調タ
イミング制御回路CDLL171内の遅延制御回路列DCL172が
遅延素子m段で構成され、微調タイミング制御回路FDLL1
71内の遅延制御回路列DCL171が遅延素子j段で構成され
ているとする。はじめに、装置の動作中、同期を取るた
めの組み合わせとして、遅延制御回路列DCL172のk段目
と遅延制御回路列DCL171の1段目が選択されているとす
る。動作中に、温度上昇などによりクロックドライバ等
の負荷回路の遅延時間が変化し、遅延制御回路列DCL171
中で選択される遅延素子の位置が1段目から2段目、3段
目と増加している場合、j段目まで移動し、さらに移動
するためには遅延制御回路列DCL172の選択位置をk段目
からk+1段目に移す必要がある。この時、遅延制御回路
列DCL171で選択されている位置がj段目のままだと、遅
延時間の大きい遅延制御回路列DCL172の遅延素子1段分
の遅延時間がスキューとして現れてしまう。これを防ぐ
ため、DCL172の遅延素子選択位置が変化した時には、DC
L171の遅延素子選択位置を強制的に決定するようにす
る。例えば、DCL172の遅延素子がk段目からk+1段目に
増えた時、DCL171では強制的に1段目の遅延素子が選ば
れる。図22、23、24のFMDEとCMD、CMDH回路に、この機
能を実現する回路の実施例が示されている。FMDE、CM
D、CMDHで生成されるfdmax、fdmin、fixの各信号によ
り、DCL172の遅延素子(図22ではCMD内の遅延素子)が
変化する際に、DCL171の遅延素子(図22ではFMD内の遅
延素子)選択位置を強制的に決定する。
In the timing control circuit device, the delay control circuit array DCL172 in the coarse adjustment timing control circuit CDLL171 is composed of m stages of delay elements, and the fine adjustment timing control circuit FDLL1
It is assumed that the delay control circuit sequence DCL171 in 71 is constituted by delay element j stages. First, it is assumed that the k-th stage of the delay control circuit array DCL172 and the first stage of the delay control circuit array DCL171 are selected as a combination for achieving synchronization during operation of the device. During operation, the delay time of a load circuit such as a clock driver changes due to temperature rise, etc.
If the position of the delay element selected in the first stage increases from the first stage to the second stage and the third stage, it moves to the j-th stage, and in order to move further, the selected position of the delay control circuit row DCL172 is changed. It is necessary to move from the kth stage to the k + 1st stage. At this time, if the position selected in the delay control circuit row DCL171 remains at the j-th stage, the delay time corresponding to one delay element of the delay control circuit row DCL172 having a large delay time appears as skew. To prevent this, when the delay element selection position of DCL172 changes, DC
The delay element selection position of L171 is forcibly determined. For example, when the number of delay elements of the DCL 172 increases from the k-th stage to the k + 1-th stage, the DCL 171 forcibly selects the first-stage delay element. An embodiment of a circuit that realizes this function is shown in the FMDE, CMD, and CMDH circuits of FIGS. 22, 23, and 24. FMDE, CM
When the delay element of DCL172 (delay element in CMD in FIG. 22) changes by each signal of fdmax, fdmin, and fix generated by D and CMDH, the delay element of DCL171 (delay element in FMD in FIG. 22) ) The selection position is forcibly determined.

【0033】図18は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 18 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0034】図1に示す遅延制御回路列DCL11は、AND回
路の遅延列とNAND回路のセレクタで構成されている。こ
のようにセレクタがNAND回路で構成されていると、遅延
選択位置が変化する際にハザードを生じる可能性があ
る。図19に各クロック信号の関係を示すタイミングチャ
ートを示す。図19(a)のチャートのように、入力クロッ
ク信号clkin191がハイ期間中に、内部クロックinclk191
の立上りエッジが生じると、ここで遅延選択位置が変化
した時に、出力クロック信号clkout191にハザードがで
きる。図19(b)のように、入力クロック信号clkout192が
ロー期間中に内部クロックinclk192の立上りエッジが生
じた時はハザードができない。図18に示すように、セレ
クタ回路をトライステートバッファ回路TSB181で構成す
ると、図19(c)、(d)に示すようにハザードは発生しなく
なる。
The delay control circuit sequence DCL11 shown in FIG. 1 is composed of a delay sequence of an AND circuit and a selector of a NAND circuit. If the selector is configured by a NAND circuit in this way, a hazard may occur when the delay selection position changes. FIG. 19 is a timing chart showing the relationship between the clock signals. As shown in the chart of FIG. 19A, while the input clock signal clkin191 is in the high period, the internal clock inclk191
When the delay selection position changes here, a hazard is generated in the output clock signal clkout191. As shown in FIG. 19 (b), when the rising edge of the internal clock inclk192 occurs while the input clock signal clkout192 is in the low period, the hazard cannot be generated. As shown in FIG. 18, when the selector circuit is configured by the tri-state buffer circuit TSB181, the hazard does not occur as shown in FIGS. 19 (c) and (d).

【0035】図21は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 21 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0036】図20の構成によるタイミング制御回路装置
では、入力クロック信号clk201はバッファ回路BUF201を
経た後まず、遅延制御回路列DCL201内のトライステート
バッファ回路からなるセレクタSEL201を経て、DCL201の
ANDからなる遅延素子列を伝わり遅延信号dclk201とな
る。この信号は、分周回路DIV201により分周されて、内
部クロック信号inclk201となる。この場合、セレクタSE
L201を伝わるクロック信号のタイミングと内部クロック
信号inclk201により制御信号記憶回路REG201の出力が確
定するタイミングとの関係は、セレクタSEL201の選択位
置に応じて変化するため、タイミング関係が不確定とな
り、図19に示したことと同様にハザード等の問題を生じ
る可能性がある。この問題を解決するためには、図21の
ように遅延制御回路列DCL211を構成すればよい。DCL211
では、入力クロック信号clkin211をはじめにAND回路に
よる遅延列が受け取り、選択位置まで伝達して、トライ
ステートバッファ回路によるセレクタSEL211を経て遅延
信号dclk211を出力する。この場合、セレクタSEL211の
選択位置から分周回路DIV211が信号を生成するまでのタ
イミングにほとんどずれはないため、タイミング関係を
確定することができる。
In the timing control circuit device having the configuration shown in FIG. 20, the input clock signal clk201 passes through the buffer circuit BUF201, and then passes through the selector SEL201 composed of a tristate buffer circuit in the delay control circuit train DCL201.
The signal is transmitted through the AND delay element array and becomes a delay signal dclk201. This signal is frequency-divided by the frequency dividing circuit DIV201 to become the internal clock signal inclk201. In this case, the selector SE
Since the relationship between the timing of the clock signal transmitted through L201 and the timing at which the output of the control signal storage circuit REG201 is determined by the internal clock signal inclk201 changes according to the selection position of the selector SEL201, the timing relationship becomes uncertain, and FIG. In the same manner as described above, there is a possibility of causing a problem such as a hazard. To solve this problem, the delay control circuit array DCL211 may be configured as shown in FIG. DCL211
Then, the delay sequence by the AND circuit is received first, including the input clock signal clkin211 and transmitted to the selected position, and the delay signal dclk211 is output through the selector SEL211 by the tristate buffer circuit. In this case, there is almost no shift in the timing from the position selected by the selector SEL211 to the time when the frequency dividing circuit DIV211 generates a signal, so that the timing relationship can be determined.

【0037】図22は本発明の別の実施例を示す図であ
る。
FIG. 22 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【0038】図22に示すタイミング制御回路装置は、以
上述べてきた実施例をすべて取り入れた回路構成となっ
ている。この回路によって、低スキューかつ低消費電力
であるクロック同期回路を実現できる。図22を構成する
要素については、図23にFMDH、FMD、FMDE回路の実施例
を、図24にCMDH、CMD回路の実施例を、図25にCG回路の
実施例を、図26にSC、SCE回路の実施例を、図27にFF回
路の実施例を、図28にDV2回路の実施例を、それぞれ
示す。
The timing control circuit device shown in FIG. 22 has a circuit configuration incorporating all the embodiments described above. With this circuit, a clock synchronization circuit with low skew and low power consumption can be realized. 22, the embodiment of the FMDH, FMD and FMDE circuits, FIG. 24 shows the embodiment of the CMDH and CMD circuits, FIG. 25 shows the embodiment of the CG circuit, FIG. 26 shows the SC and FIG. 27 shows an embodiment of the SCE circuit, FIG. 27 shows an embodiment of the FF circuit, and FIG. 28 shows an embodiment of the DV2 circuit.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると次
の効果がある。すなわち、入力クロック信号と同期した
出力クロック信号を発生するタイミング制御回路装置に
おいて、同期クロック信号を短時間で安定に発生し、か
つクロック信号の出力バッファ等の負荷に依存せずに同
期信号を供給できる。従って、クロック分配バッファ回
路が未知であっても設計が可能であり、設計後のクロッ
ク分配バッファ等の負荷が変更しても対応でき、製造プ
ロセスばらつき・温度変化等による負荷回路の特性変化
にも適応可能である。さらに、粗調タイミング制御回路
と微調タイミング制御回路内の遅延素子の遅延量を最適
に構成する事により、生成されるクロック信号のスキュ
ーを低減しつつ、回路規模、面積、消費電力の低減が可
能となる。
As described above, the present invention has the following effects. That is, in a timing control circuit device that generates an output clock signal synchronized with an input clock signal, a synchronous clock signal is stably generated in a short time, and the synchronization signal is supplied independently of a load such as an output buffer of the clock signal. it can. Therefore, it is possible to design even if the clock distribution buffer circuit is unknown, and it is possible to cope with a change in the load of the clock distribution buffer and the like after the design. Be adaptable. Furthermore, by optimizing the delay amount of the delay elements in the coarse timing control circuit and the fine timing control circuit, the circuit size, area, and power consumption can be reduced while reducing the skew of the generated clock signal. Becomes

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例の構成図。FIG. 2 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図3】特願平10−250728で開発されたタイミ
ング制御回路装置の構成図。
FIG. 3 is a configuration diagram of a timing control circuit device developed in Japanese Patent Application No. 10-250728.

【図4】特願平10-250728で開発されたタイミング制御
回路装置の構成図。
FIG. 4 is a configuration diagram of a timing control circuit device developed in Japanese Patent Application No. 10-250728.

【図5】バッファ回路図。FIG. 5 is a buffer circuit diagram.

【図6】n入力NOR回路図。FIG. 6 is an n-input NOR circuit diagram.

【図7】D型フリップフロップ回路図。FIG. 7 is a D-type flip-flop circuit diagram.

【図8】RS型フリップフロップ回路図。FIG. 8 is an RS flip-flop circuit diagram.

【図9】分周回路図。FIG. 9 is a frequency division circuit diagram.

【図10】オフセット回路図。FIG. 10 is an offset circuit diagram.

【図11】n入力NOR回路図。FIG. 11 is an n-input NOR circuit diagram.

【図12】粗調微調変換回路図。FIG. 12 is a circuit diagram of a coarse adjustment / fine adjustment conversion circuit.

【図13】粗調微調変換回路図。FIG. 13 is a circuit diagram of a coarse / fine conversion circuit.

【図14】トライステートバッファ回路図。FIG. 14 is a circuit diagram of a tristate buffer.

【図15】本発明の他の実施例の構成図。FIG. 15 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図16】本発明の他の実施例の構成図。FIG. 16 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図17】本発明の他の実施例の動作関係図。FIG. 17 is an operation relation diagram of another embodiment of the present invention.

【図18】本発明の他の実施例の構成図。FIG. 18 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図19】本発明の他の実施例の動作波形。FIG. 19 is an operation waveform of another embodiment of the present invention.

【図20】本発明の他の実施例の構成図。FIG. 20 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図21】本発明の他の実施例の構成図。FIG. 21 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図22】本発明の他の実施例の構成図。FIG. 22 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図23】FMDH、FMD、FMDE回路の実施例の構成図。FIG. 23 is a configuration diagram of an embodiment of an FMDH, FMD, and FMDE circuit.

【図24】CMDH、CMD回路の実施例の構成図。FIG. 24 is a configuration diagram of an embodiment of a CMDH and a CMD circuit.

【図25】CG回路の実施例の構成図。FIG. 25 is a configuration diagram of an embodiment of a CG circuit.

【図26】SC、SCE回路の実施例の構成図。FIG. 26 is a configuration diagram of an embodiment of an SC and SCE circuit.

【図27】FF回路の実施例の構成図。FIG. 27 is a configuration diagram of an embodiment of an FF circuit.

【図28】DV2回路の実施例の構成図。FIG. 28 is a configuration diagram of an embodiment of a DV2 circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

BUF11、BUF12、BUF13、BUF14、BUF15、BUF21、BUF22、B
UF23、BUF24、BUF25、BUF31、BUF32、BUF33、BUF41、BU
F42、BUF43、BUF51、BUF201、BUF202、BUF203、BUF21
1、BUF212、BUF213:バッファ回路 CDLL11、CDLL21、CDLL171、CDLL221:粗調タイミング制
御回路 CONV11、CONV21、CONV121、CONV131:粗調微調変換回路 DCL11、DCL12、DCL21、DCL22、DCL31、DCL41、DCL171、
DCL172、DCL181、DCL201、DCL211:遅延制御回路列 DFF11、DFF31、DFF71:D型フリップフロップ回路 DIV11、DIV12、DIV21、DIV22、DIV31、DIV41、DIV91:
分周回路 DRV11、DRV21、DRV31、DRV41、DRV201、DRV211、DRV22
1:クロックドライバ回路 FDA11、FDA12、FDA21、FDA22、FDA31、FDA41、FDA151、
FDA201、FDA211:フォワード遅延回路列 FDLL11、FDLL21、FDLL171、FDLL221:微調タイミング制
御回路 LD11、LD21、LD31、LD41、LD201、LD211:容量性負荷 MCC11、MCC12、MCC21、MCC22、MCC31、MCC41、MCC151、
MCC201、MCC211:制御回路 NNOR11、NNOR12、NNOR21、NNOR22、NNOR31、NNOR41、NN
OR61、NNOR111:n入力NOR回路 offset11、 offset21、 offset31、 offset41、offset1
01:オフセット回路 REG11、REG12、REG21、REG22、REG31、REG41、REG151、
REG161、REG171、REG172、REG181、REG201、REG211:制
御信号記憶回路 RSFF11、RSFF31、RSFF81:RS型フリップフロップ回路 SEL201、SEL211:セレクタ TSB131、TSB141、TSB181:トライステートバッファ cntsig21、 cntsig22、 cntsig151:制御信号 clkin11、 clkin21、 clkin31、 clkin41、 clkin191、
clkin192、 clkin193、clkin194、 clkin201、 clkin2
21、clkin221:入力クロック信号 clkout11、clkout21、clkout31、clkout41、clkout19
1、clkout192、clkout193、clkout194、clkout221:出
力クロック信号 dclk11、dclk12、dclk13、dclk21、dclk22、dclk23、dc
lk31、dclk41、dclk151、dclk221:遅延クロック信号 fda121、 fda122、 fda123、 fda124、 fda125、 fda12
6、 fda131、 fda132、fda133、 fda134、 fda135、 fd
a136:フォワード遅延回路列出力信号 inclk11、inclk21、inclk22、inclk191、 inclk192、 i
nclk193、 inclk194:内部クロック信号 reg121、 reg122、 reg123、 reg124、 reg125、 reg12
6、 reg131、 reg132、reg133、 reg134、 reg135、 re
g136:制御信号記憶回路出力信号 CG、CMD、CMDH、FMD、FMDE、FMDH、FF、DIV2、SC、SC
E:図22の実施例を構成する回路要素。
BUF11, BUF12, BUF13, BUF14, BUF15, BUF21, BUF22, B
UF23, BUF24, BUF25, BUF31, BUF32, BUF33, BUF41, BU
F42, BUF43, BUF51, BUF201, BUF202, BUF203, BUF21
1, BUF212, BUF213: Buffer circuits CDLL11, CDLL21, CDLL171, CDLL221: Coarse adjustment timing control circuit CONV11, CONV21, CONV121, CONV131: Coarse adjustment fine adjustment circuit DCL11, DCL12, DCL21, DCL22, DCL31, DCL41, DCL171,
DCL172, DCL181, DCL201, DCL211: Delay control circuit array DFF11, DFF31, DFF71: D-type flip-flop circuit DIV11, DIV12, DIV21, DIV22, DIV31, DIV41, DIV91:
Divider circuit DRV11, DRV21, DRV31, DRV41, DRV201, DRV211, DRV22
1: Clock driver circuit FDA11, FDA12, FDA21, FDA22, FDA31, FDA41, FDA151,
FDA201, FDA211: Forward delay circuit train FDLL11, FDLL21, FDLL171, FDLL221: Fine timing control circuit LD11, LD21, LD31, LD41, LD201, LD211: Capacitive load MCC11, MCC12, MCC21, MCC22, MCC31, MCC41, MCC151,
MCC201, MCC211: Control circuits NNOR11, NNOR12, NNOR21, NNOR22, NNOR31, NNOR41, NN
OR61, NNOR111: n-input NOR circuit offset11, offset21, offset31, offset41, offset1
01: Offset circuit REG11, REG12, REG21, REG22, REG31, REG41, REG151,
REG161, REG171, REG172, REG181, REG201, REG211: Control signal storage circuit RSFF11, RSFF31, RSFF81: RS flip-flop circuit SEL201, SEL211: Selector TSB131, TSB141, TSB181: Tri-state buffer cntsig21, cntsig22, cntsig151: Control signal clkin11 , Clkin21, clkin31, clkin41, clkin191,
clkin192, clkin193, clkin194, clkin201, clkin2
21, clkin221: input clock signals clkout11, clkout21, clkout31, clkout41, clkout19
1, clkout192, clkout193, clkout194, clkout221: output clock signals dclk11, dclk12, dclk13, dclk21, dclk22, dclk23, dc
lk31, dclk41, dclk151, dclk221: delayed clock signal fda121, fda122, fda123, fda124, fda125, fda12
6, fda131, fda132, fda133, fda134, fda135, fd
a136: Forward delay circuit train output signal inclk11, inclk21, inclk22, inclk191, inclk192, i
nclk193, inclk194: Internal clock signals reg121, reg122, reg123, reg124, reg125, reg12
6, reg131, reg132, reg133, reg134, reg135, re
g136: Control signal storage circuit output signal CG, CMD, CMDH, FMD, FMDE, FMDH, FF, DIV2, SC, SC
E: circuit elements constituting the embodiment of FIG.

フロントページの続き (72)発明者 長谷川 清志 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 小久保 優 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 青木 郭和 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 石橋 孝一郎 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Fターム(参考) 5B079 BC01 BC03 CC02 CC12 CC14 DD08 5J001 AA04 BB00 BB03 BB05 BB08 BB09 BB10 BB11 BB12 BB24 CC00 DD01 DD02 DD09 Continuing on the front page (72) Inventor Kiyoshi Hasegawa 5-22-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Inside Hitachi Super-LSI Systems Co., Ltd. (72) Inventor Yu Kokubo Higashi Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 1-280, Hitachi Central Research Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Kowawa Aoki 5-2-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo In-house Hitachi, Ltd.Semiconductor Group (72) Inventor Koichiro Ishibashi Kokubunji, Tokyo 1-280 Higashi-Koigakubo F-term in Hitachi Central Research Laboratory, Ltd. (Reference)

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1のクロック信号を入力し第2のクロック
信号を出力する第1の論理回路と上記第2のクロック信号
を入力し第3のクロック信号を出力する第2の論理回路と
上記第3のクロック信号を入力し第4のクロック信号を出
力する負荷回路と上記第1の論理回路と上記第2の論理回
路との間で第5のクロック信号を伝達する第3の論理回路
を有し、上記第1の論理回路は上記第4のクロック信号を
帰還して上記第1のクロック信号と上記第4のクロック信
号の位相が第1の精度で同期するように上記第2のクロッ
ク信号を生成し上記第2の論理回路は上記第1のクロック
信号と上記第4のクロック信号の位相が第2の精度で同期
するように上記第3のクロック信号を生成することを特
徴とするタイミング制御回路装置。
A first logic circuit for receiving a first clock signal and outputting a second clock signal; a second logic circuit for receiving the second clock signal and outputting a third clock signal; A third logic circuit for transmitting a fifth clock signal between the first logic circuit and the second logic circuit, and a load circuit for receiving the third clock signal and outputting a fourth clock signal; And the first logic circuit feeds back the fourth clock signal and the second clock signal so that the phases of the first clock signal and the fourth clock signal are synchronized with a first accuracy. Generating a clock signal, wherein the second logic circuit generates the third clock signal such that the phases of the first clock signal and the fourth clock signal are synchronized with a second accuracy. Timing control circuit device.
【請求項2】上記第1の論理回路は上記第4のクロック信
号と上記第3のクロック信号の第1の位相差を検出し、上
記第1の位相差により第1の制御信号を発生する第1の遅
延回路列と上記第1の制御信号により遅延時間を変える
ことができる第2の遅延回路列からなり、上記第2の論理
回路は上記第5のクロック信号と上記第3のクロック信号
との間の第2の位相差を検出し、上記第2の位相差により
第2の制御信号を発生する第3の遅延回路列と上記第2の
制御信号により遅延時間を変える事ができる第4の遅延
回路列からなり、上記第3の論理回路は上記第5のクロッ
ク信号を上記第1の論理回路から上記第2の論理回路に伝
達することを特徴とする請求項1に記載のタイミング制
御回路装置。
2. The first logic circuit detects a first phase difference between the fourth clock signal and the third clock signal, and generates a first control signal based on the first phase difference. The first logic circuit comprises a first delay circuit row and a second delay circuit row whose delay time can be changed by the first control signal, and the second logic circuit comprises the fifth clock signal and the third clock signal. And a third delay circuit that generates a second control signal based on the second phase difference and a delay time that can be changed by the second control signal. 4.The timing according to claim 1, wherein the third logic circuit is configured to transmit the fifth clock signal from the first logic circuit to the second logic circuit. Control circuit device.
【請求項3】上記第1及び第3の遅延回路列がフォワード
遅延回路と制御回路と制御信号記憶回路を有し、上記フ
ォワード遅延回路はインバータあるいはANDあるいはOR
回路から構成され、上記制御回路は主としてインバータ
とNORとフリップフロップ回路から構成され、上記制御
信号記憶回路は主としてフリップフロップ回路から構成
され、上記第2及び第4の遅延回路列がインバータとNAND
あるいはANDとNANDあるいはORとNOR回路から構成され、
上記第3の論理回路がMOSトランジスタによるスイッチで
構成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の
タイミング制御回路装置。
3. The first and third delay circuit rows include a forward delay circuit, a control circuit, and a control signal storage circuit, and the forward delay circuit includes an inverter, an AND or an OR.
The control circuit is mainly composed of an inverter, a NOR and a flip-flop circuit, the control signal storage circuit is mainly composed of a flip-flop circuit, and the second and fourth delay circuit columns are composed of an inverter and a NAND.
Or consist of AND and NAND or OR and NOR circuits,
3. The timing control circuit device according to claim 1, wherein the third logic circuit includes a switch using a MOS transistor.
【請求項4】上記第1のクロック信号及び上記第4のクロ
ック信号が一定の周期を有する同期信号のパルスからな
り、上記第4のクロック信号が上記第1のクロック信号よ
り所望のパルス数遅れて位相が同期していることを特徴
とする、請求項1乃至3のうちのいずれかに記載のタイミ
ング制御回路装置。
4. The first clock signal and the fourth clock signal are composed of pulses of a synchronization signal having a fixed period, and the fourth clock signal is delayed by a desired number of pulses from the first clock signal. 4. The timing control circuit device according to claim 1, wherein the phases are synchronized.
【請求項5】上記第3のクロック信号が上記負荷回路を
経由して上記第4のクロック信号として上記第1の論理回
路へ帰還し、上記負荷回路の負荷が静的あるいは動的に
変化しそれに伴い上記第3のクロック信号と上記第4のク
ロック信号との遅延時間が変化しても、上記第1のクロ
ック信号と上記第4のクロック信号の位相が同期するこ
とを特徴とする、請求項1乃至4のうちのいずれかに記載
のタイミング制御回路装置。
5. The third clock signal is fed back to the first logic circuit as the fourth clock signal via the load circuit, and the load of the load circuit changes statically or dynamically. The phase of the first clock signal and the phase of the fourth clock signal are synchronized even when the delay time between the third clock signal and the fourth clock signal changes accordingly. Item 5. The timing control circuit device according to any one of Items 1 to 4.
【請求項6】上記第1のクロック信号と上記第4のクロッ
ク信号の位相が所望のパルス数後に同期することを特徴
とする請求項1乃至5のうちのいずれかに記載のタイミン
グ制御回路装置。
6. The timing control circuit device according to claim 1, wherein the phases of the first clock signal and the fourth clock signal are synchronized after a desired number of pulses. .
【請求項7】上記第3の遅延回路列内の上記フォワード
遅延回路を構成する遅延素子の遅延量が上記第1の遅延
回路列内の上記フォワード遅延回路を構成する遅延素子
の遅延量よりも小さいことを特徴とする、請求項1乃至6
のうちのいずれかに記載のタイミング制御回路装置。
7. A delay amount of a delay element forming the forward delay circuit in the third delay circuit row is longer than a delay amount of a delay element forming the forward delay circuit in the first delay circuit row. 7. Small, characterized by being small
The timing control circuit device according to any one of the above.
【請求項8】上記第3の論理回路がトライステートバッ
ファ回路で構成されることを特徴とする、請求項1乃至7
のうちのいずれかに記載のタイミング制御回路装置。
8. The apparatus according to claim 1, wherein said third logic circuit is constituted by a tri-state buffer circuit.
The timing control circuit device according to any one of the above.
【請求項9】上記第1及び第3の遅延回路列内で、上記制
御信号記憶回路で生成される記憶信号がフォワード遅延
回路に与えられ、フォワード遅延回路を構成する遅延素
子は任意の位置より後段ではクロック信号の伝達が停止
することを特徴とする、請求項1乃至7のうちのいずれか
に記載のタイミング制御回路装置。
9. A storage signal generated by the control signal storage circuit in the first and third delay circuit arrays is provided to a forward delay circuit, and a delay element constituting the forward delay circuit is moved from an arbitrary position. 8. The timing control circuit device according to claim 1, wherein transmission of a clock signal is stopped at a subsequent stage.
【請求項10】上記第1及び第3の遅延回路列内で、上記
制御信号記憶回路で生成される記憶信号が任意の1ヶ所
でのみ選択信号を出力し、それ以外では非選択信号を出
力することを特徴とする、請求項1乃至7のうちのいずれ
かに記載のタイミング制御回路装置。
10. A storage signal generated by the control signal storage circuit in the first and third delay circuit arrays outputs a selection signal only at an arbitrary position, and otherwise outputs a non-selection signal. 8. The timing control circuit device according to claim 1, wherein:
【請求項11】上記第1及び第3の遅延回路列内で、上記
制御信号記憶回路で生成される記憶信号が任意の1ヶ所
でのみ選択信号を出力し、それ以外では非選択信号を出
力することを特徴とする、請求項1乃至7のうちのいずれ
かに記載のタイミング制御回路装置。
11. A storage signal generated by the control signal storage circuit in the first and third delay circuit arrays outputs a selection signal only at an arbitrary position, and outputs a non-selection signal otherwise. 8. The timing control circuit device according to claim 1, wherein:
【請求項12】上記負荷回路の負荷が静的あるいは動的
に変化しそれに伴い上記第3のクロック信号と上記第4の
クロック信号との遅延時間が変化し、上記第2の遅延回
路列内で選択される遅延素子の位置が変化する際に、上
記第4の遅延回路列内で選択される遅延素子の位置が任
意の位置に決定されることを特徴とする、請求項1乃至7
のうちのいずれかに記載のタイミング制御回路装置。
12. The load of the load circuit changes statically or dynamically, and the delay time between the third clock signal and the fourth clock signal changes accordingly. The position of the delay element selected in the fourth delay circuit row is determined to be an arbitrary position when the position of the delay element selected in (1) changes.
The timing control circuit device according to any one of the above.
【請求項13】上記第2及び第4の遅延回路列がインバー
タとトライステートバッファあるいはANDとトライステ
ートバッファあるいはORとトライステートバッファ回路
から構成されることを特徴とする、請求項1乃至7のうち
のいずれかに記載のタイミング制御回路装置。
13. The method according to claim 1, wherein said second and fourth delay circuit trains comprise an inverter and a tri-state buffer, an AND and a tri-state buffer, or an OR and a tri-state buffer circuit. A timing control circuit device according to any one of the above.
【請求項14】上記第2及び第4の遅延回路列において、
上記第1及び第2のクロック信号がインバータあるいはAN
DあるいはOR回路で構成される遅延列に入力され、 NAND
あるいはNORあるいはトライステートバッファ回路で構
成されるセレクタを経由して第2及び第3のクロック信号
として出力されることを特徴とする、請求項1乃至7のう
ちのいずれかに記載のタイミング制御回路装置。
14. In the second and fourth delay circuit arrays,
The first and second clock signals are provided by an inverter or AN
Input to the delay train composed of D or OR circuit, NAND
8. The timing control circuit according to claim 1, wherein the timing control circuit outputs the second and third clock signals via a selector configured by a NOR or a tri-state buffer circuit. apparatus.
【請求項15】少なくとも3個の同期回路と少なくとも2
個の同期信号伝達回路を有し、上記同期回路は請求項1
乃至15に記載の上記第1あるいは第2の論理回路と同じ機
能を有し、上記同期信号伝達回路は請求項1乃至15に記
載の上記第3の論理回路と同じ機能を有し、上記同期回
路内の上記遅延回路列を構成する上記遅延素子の遅延量
が上記同期回路ごとに異なることを特徴とするタイミン
グ制御回路装置。
15. At least three synchronization circuits and at least two
A synchronous signal transmission circuit, wherein the synchronous circuit
The synchronizing signal transmission circuit has the same function as the first or second logic circuit according to any one of claims 1 to 15, and the synchronization signal transmission circuit has the same function as the third logic circuit according to claim 1 to 15, A timing control circuit device, wherein a delay amount of the delay elements constituting the delay circuit row in a circuit differs for each of the synchronous circuits.
【請求項16】入力クロック信号と出力クロック信号の
位相差を粗調整する粗調タイミング制御回路と、入力ク
ロック信号と出力クロック信号の位相差を微調整する微
調タイミング制御回路と、上記粗調タイミング制御回路
から微調タイミング制御回路へクロック信号を伝達する
粗調微調変換回路を有し、 各タイミング制御回路は、入力信号をその任意の位置か
ら出力するフォワード遅延回路列と、入力信号を制御信
号に応じた任意の位置から入力する遅延制御回路列とを
有し、 粗調タイミング制御回路は、入力クロック信号と出力ク
ロック信号の位相差を粗い精度で調整し、粗調微調変換
回路は粗調整された信号を微調タイミング制御回路へ伝
達し、微調タイミング制御回路は粗調整された信号を用
いて、入力クロック信号と出力クロック信号との位相差
を高い精度で調整することを特徴とするタイミング制御
回路装置。
16. A coarse adjustment timing control circuit for coarsely adjusting the phase difference between an input clock signal and an output clock signal, a fine adjustment timing control circuit for finely adjusting the phase difference between an input clock signal and an output clock signal, and the coarse adjustment timing. A coarse / fine conversion circuit for transmitting a clock signal from the control circuit to the fine timing control circuit; each timing control circuit includes a forward delay circuit train for outputting an input signal from an arbitrary position thereof; A coarse control timing control circuit that adjusts the phase difference between the input clock signal and the output clock signal with coarse precision, and the coarse fine control conversion circuit performs coarse adjustment. The fine adjustment timing control circuit transmits the input clock signal and the output clock signal using the coarsely adjusted signal. A timing control circuit apparatus characterized by adjusting a phase difference between the signals with high accuracy.
JP10754299A 1998-09-04 1999-04-15 Timing control circuit device Expired - Fee Related JP3786540B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10754299A JP3786540B2 (en) 1999-04-15 1999-04-15 Timing control circuit device
US09/388,438 US6300807B1 (en) 1998-09-04 1999-09-02 Timing-control circuit device and clock distribution system
US09/935,717 US6489824B2 (en) 1998-09-04 2001-08-24 Timing-control circuit device and clock distribution system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10754299A JP3786540B2 (en) 1999-04-15 1999-04-15 Timing control circuit device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000298532A true JP2000298532A (en) 2000-10-24
JP2000298532A5 JP2000298532A5 (en) 2004-09-30
JP3786540B2 JP3786540B2 (en) 2006-06-14

Family

ID=14461840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10754299A Expired - Fee Related JP3786540B2 (en) 1998-09-04 1999-04-15 Timing control circuit device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3786540B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650160B2 (en) 2001-02-01 2003-11-18 Nec Corporation Two step variable length delay circuit
WO2005064797A1 (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Intel Corporation A programmable direct interpolating delay locked loop
US7492342B2 (en) 2004-06-29 2009-02-17 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, driving circuit of the same, driving method of the same, and electronic apparatus
WO2015119243A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 国立大学法人静岡大学 Image sensor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650160B2 (en) 2001-02-01 2003-11-18 Nec Corporation Two step variable length delay circuit
WO2005064797A1 (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Intel Corporation A programmable direct interpolating delay locked loop
US7492342B2 (en) 2004-06-29 2009-02-17 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, driving circuit of the same, driving method of the same, and electronic apparatus
WO2015119243A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 国立大学法人静岡大学 Image sensor
JPWO2015119243A1 (en) * 2014-02-07 2017-03-30 国立大学法人静岡大学 Image sensor
US9832409B2 (en) 2014-02-07 2017-11-28 National University Corporation Shizuoka University Image sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP3786540B2 (en) 2006-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100515071B1 (en) Delay locked loop device
JP4308436B2 (en) Delay-locked loop with clock phase shifter
US6300807B1 (en) Timing-control circuit device and clock distribution system
US6404248B1 (en) Delay locked loop circuit for synchronizing internal supply clock with reference clock
JP3550404B2 (en) Variable delay circuit and clock signal supply device using variable delay circuit
US7187742B1 (en) Synchronized multi-output digital clock manager
KR100305493B1 (en) Clock generator and clock generating method capable of varying clock frequency without increasing the number of delay elements
KR20090074412A (en) Circuit of dividing the frequency and phase locked loop using the same
US6608530B1 (en) Enhanced ZDB feedback methodology utilizing binary weighted techniques
JP4390353B2 (en) Clock generation method and clock generation circuit
KR20000056764A (en) Analog dll circuit
US6614865B1 (en) Phase-shift-resistant, frequency variable clock generator
US7212055B2 (en) Open-loop digital duty cycle correction circuit without DLL
KR20040050539A (en) Delay time compensation circuit with delay cells having various unit delay time
US6967536B2 (en) Phase-locked loop circuit reducing steady state phase error
US7092313B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JP2000298532A (en) Timing control circuit device
US6977539B1 (en) Clock signal generators having programmable full-period clock skew control and methods of generating clock signals having programmable skews
US7457392B2 (en) Delay locked loop
KR101363798B1 (en) Fractional ratio frequency synthesizer with zero-skew capability
KR100212139B1 (en) Clock supplying apparatus
JP3821825B2 (en) Timing generator
US20080094115A1 (en) DLL circuit
US11973505B2 (en) Signal delay control using a recirculating delay loop and a phase interpolator
US11595032B2 (en) Signal delay control using a recirculating delay loop and a phase interpolator

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20040308

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040910

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041012

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041213

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050517

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060306

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060320

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140331

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees