JP2000296461A - Backing pad structure - Google Patents

Backing pad structure

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JP2000296461A
JP2000296461A JP10527499A JP10527499A JP2000296461A JP 2000296461 A JP2000296461 A JP 2000296461A JP 10527499 A JP10527499 A JP 10527499A JP 10527499 A JP10527499 A JP 10527499A JP 2000296461 A JP2000296461 A JP 2000296461A
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polishing
template
backing pad
semiconductor wafer
adhesive
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Japanese (ja)
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Masayuki Toikawa
正之 樋川
Toshihiro Kiyono
敏廣 清野
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SpeedFam-IPEC Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate separating work by a transfer device by preventing any adhesion of templates to abrasive cloth. SOLUTION: A backing pad structure 1 comprises a backing pad 2 and a template 3 fixed to the backing pad 2 via an adhesive 5. The template 3 has a water-repellent surface or a surface roughness Ra of 0.5 μm or more. With a semiconductor wafer 20 positioned in a semiconductor wafer holding hole in the template 3, relative movement of the backing pad structure 1 and a surface plate 15, when polishing fluid 21 is,supplied between the semiconductor wafer 20 and abrasive cloth 16, causes the abrasive cloth 16 to polish the polishing surface of the semiconductor wafer 20 and the surface of the template 3, which never adheres to the abrasive cloth 16 after the polishing.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はバッキングパッド
構造体に関し、特に、研磨装置の研磨布へくっつくこと
を阻止することができるバッキングパッド構造体に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a backing pad structure, and more particularly to a backing pad structure capable of preventing a polishing apparatus from sticking to a polishing cloth.

【0002】[0002]

【従来技術およびその問題点】半導体ウエーハの研磨方
法の1つに水貼り方式ワックスレス研磨法があり、この
研磨法には図4及び図5に示すような研磨装置10が使
用されている。
2. Description of the Related Art One of the methods for polishing semiconductor wafers is a waterless waxless polishing method, and a polishing apparatus 10 as shown in FIGS. 4 and 5 is used in this polishing method.

【0003】すなわち、この研磨装置10は、プレッシ
ャープレート12と貼付プレート13とからなる押圧部
材11と、押圧部材11に粘着剤5(又は接着剤)を介
して取り付けられるバッキングパッド構造体31と、バ
ッキングパッド構造体31の下方に対向して設けられる
定盤15と、定盤15の上面に粘着剤5(又は接着剤)
を介して取り付けられる研磨布16とから構成されてい
る。
That is, the polishing apparatus 10 includes a pressing member 11 composed of a pressure plate 12 and a sticking plate 13, a backing pad structure 31 attached to the pressing member 11 via an adhesive 5 (or an adhesive), A surface plate 15 provided below and opposed to the backing pad structure 31, and an adhesive 5 (or an adhesive) on the upper surface of the surface plate 15.
And a polishing cloth 16 attached through the nip.

【0004】この場合、バッキングパッド構造体31
は、押圧部材11の貼付プレート13に粘着剤5(又は
接着剤)を介して取り付けられる、発泡ポリウレタン等
から形成される疎水性を有するバッキングパッド32
と、バッキングパッド32に粘着剤5(又は接着剤)を
介して取り付けられるとともに、少なくとも1箇所に半
導体ウエーハ保持用の孔34を有するエポキシガラス樹
脂等から形成されるテンプレート33とを具えている。
In this case, the backing pad structure 31
Is a hydrophobic backing pad 32 made of foamed polyurethane or the like, which is attached to the attachment plate 13 of the pressing member 11 via an adhesive 5 (or an adhesive).
And a template 33 that is attached to the backing pad 32 via an adhesive 5 (or an adhesive) and that is formed of an epoxy glass resin or the like having holes 34 for holding a semiconductor wafer at at least one location.

【0005】そして、バッキングパッド構造体31のバ
ッキングパッド32のナップ層32aに適度の水を含ま
せて、テンプレート33の半導体ウエーハ保持用の孔3
4内に半導体ウエーハ20を位置し、この状態で押圧部
材11によって荷重を加えてバッキングパッド構造体3
1を定盤15の方向に押圧して、半導体ウエーハ20の
研磨面20aを定盤15上の研磨布16に押し付ける
と、バッキングパッド32のナップ層32aの溝内から
水が押し出されて溝内が負圧となり、この負圧によって
半導体ウエーハ20がバッキングパッド32に吸着され
る。
[0005] The nap layer 32 a of the backing pad 32 of the backing pad structure 31 is filled with a suitable amount of water to form a hole 3 for holding a semiconductor wafer of the template 33.
4, a semiconductor wafer 20 is positioned in this state, and in this state, a load is applied by the pressing member 11 so that the backing pad structure 3
1 is pressed in the direction of the surface plate 15 and the polishing surface 20a of the semiconductor wafer 20 is pressed against the polishing cloth 16 on the surface plate 15. When water is pushed out from the groove of the nap layer 32a of the backing pad 32, water is pushed out. Becomes negative pressure, and the semiconductor wafer 20 is attracted to the backing pad 32 by this negative pressure.

【0006】そして、この状態で半導体ウエーハ20の
研磨面20aと研磨布16との間に軟質研磨砥粒を含む
研磨液21を供給しつつ、貼付プレート13と定盤15
とを相対運動させることで、半導体ウエーハ20の研磨
面20aが所定の表面粗さに研磨されるものである。
In this state, the polishing plate 21 containing the soft abrasive grains is supplied between the polishing surface 20 a of the semiconductor wafer 20 and the polishing pad 16, and the adhesive plate 13 and the platen 15 are supplied.
Are relatively polished, whereby the polished surface 20a of the semiconductor wafer 20 is polished to a predetermined surface roughness.

【0007】しかしながら、上記のような構成のバッキ
ングパッド構造体31に半導体ウエーハ20を保持して
研磨を行った場合、研磨が進行して半導体ウエーハ20
の研磨面20aが鏡面になると、研磨布16がバッキン
グパッド32と同様に疎水性を有する構造であることか
ら、半導体ウエーハ20の研磨面20aと研磨布16と
の間にも吸着力が働き、この吸着力によって半導体ウエ
ーハ20の研磨面20aが研磨布16にくっつくもので
ある。
However, when the semiconductor wafer 20 is polished while holding the semiconductor wafer 20 on the backing pad structure 31 having the above-described structure, the polishing proceeds and the semiconductor wafer 20 is polished.
When the polishing surface 20a becomes a mirror surface, since the polishing cloth 16 has a hydrophobic structure like the backing pad 32, an attraction force also acts between the polishing surface 20a of the semiconductor wafer 20 and the polishing cloth 16, The polished surface 20a of the semiconductor wafer 20 adheres to the polishing pad 16 due to the attraction force.

【0008】さらに、テンプレート33の表面33a
(研磨布16との対向面)も、半導体ウエーハ20の研
磨中に研磨布16に接触して研磨されるので、テンプレ
ート33の表面33aと研磨布16との間にも吸着力が
働き、この吸着力によってテンプレート33の表面33
aも研磨布16にくっつく。
Further, the surface 33a of the template 33
(The surface facing the polishing cloth 16) is also polished by contacting the polishing cloth 16 during polishing of the semiconductor wafer 20, so that an attraction force acts between the surface 33 a of the template 33 and the polishing cloth 16. The surface 33 of the template 33 by the suction force
a also adheres to the polishing pad 16.

【0009】このように半導体ウエーハ20の研磨面2
0a及びテンプレート33の表面33aが研磨布16に
吸着されると、あたかも貼付プレート13の全体が研磨
布16に吸着されたような状態となり、研磨終了後に移
載機(図示せず)によって貼付プレート13を研磨装置
10から引き剥がす場合に、大きな力を必要としたり、
引き剥がしが困難になる等の問題が生じることになる。
Thus, the polished surface 2 of the semiconductor wafer 20
When the surface 0a and the surface 33a of the template 33 are adsorbed to the polishing pad 16, the entire adhering plate 13 is brought into a state as if adsorbed to the polishing pad 16, and after the polishing is completed, the adhering plate 13 is moved by a transfer machine (not shown). When peeling 13 from the polishing apparatus 10, a large force is required,
Problems such as difficulty in peeling will occur.

【0010】この発明は前記のような従来のもののもつ
問題点を解決したものであって、半導体ウエーハの研磨
を行った場合に、テンプレートの表面(研磨布との対向
面)が研磨布にくっつくことを阻止し、これによって研
磨終了後に移載機によって大きな力を必要とすることな
く、研磨装置から簡単に引き剥がすことができるバッキ
ングパッド構造体を提供することを目的とするものであ
る。
The present invention solves the above-described problems of the conventional device. When a semiconductor wafer is polished, the surface of the template (the surface facing the polishing cloth) adheres to the polishing cloth. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a backing pad structure that can be easily peeled off from a polishing apparatus without requiring a large force by a transfer machine after polishing is completed.

【0011】[0011]

【問題点を解決するための手段】上記の問題点を解決す
るためにこの発明は、研磨装置の押圧部材に取り付けら
れるバッキングパッド構造体であって、前記押圧部材に
粘着剤又は接着剤を介して取り付けられる疎水性を有す
るバッキングパッドと、該バッキングパッドに粘着剤又
は接着剤を介して取り付けられるとともに、少なくとも
1箇所に半導体ウエーハ保持用の孔が貫通した状態で設
けられるテンプレートとを具え、該テンプレートの研磨
装置の表面を、該テンプレートが研磨布に接触した際に
くっつき難く形成した手段を採用したものである。そし
て、前記テンプレートの表面にコーティング剤をコーテ
ィングして、該表面をテンプレートが研磨布に接触した
際に空気が流通可能な表面粗さに形成し、これによっ
て、くっつき難く形成したり、前記テンプレートの表面
に撥水処理を施して、該表面をテンプレートが研磨布に
接触した際にくっつき難く形成した手段を採用したもの
である。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a backing pad structure attached to a pressing member of a polishing apparatus, wherein the pressing member is provided with an adhesive or an adhesive. A backing pad having hydrophobicity, which is attached to the backing pad via a pressure-sensitive adhesive or an adhesive, and a template provided with a hole for holding a semiconductor wafer at at least one location penetrating therethrough, The present invention employs means for forming the surface of the polishing apparatus of the template so that the surface of the polishing apparatus is not easily adhered when the template comes into contact with the polishing cloth. Then, the surface of the template is coated with a coating agent, and the surface is formed to have a surface roughness through which air can flow when the template comes into contact with the polishing cloth, thereby forming the surface less sticky or forming the template. In this method, the surface is subjected to a water-repellent treatment, and the surface is formed so that the surface is hardly adhered when the template comes in contact with the polishing cloth.

【0012】[0012]

【作用】この発明は前記のような手段を採用したことに
より、半導体ウエーハの研磨中にテンプレートの表面が
研磨布に接触しても、テンプレートと研磨布との間がく
っつき難く形成されているので、研磨終了後にテンプレ
ートが研磨布に付着されることはない。
According to the present invention, by employing the above-described means, even if the surface of the template comes into contact with the polishing cloth during polishing of the semiconductor wafer, the template and the polishing cloth are formed so as not to stick to each other. After the polishing, the template is not attached to the polishing cloth.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面に示すこの発明の実施
の形態について説明する。図1〜図3には、この発明に
よるバッキングパッド構造体の一実施の形態が示されて
いて、このバッキングパッド構造体1は、研磨装置10
の押圧部材11のプレッシャープレート12に取り付け
られる貼付プレート13に粘着剤5(又は接着剤)を介
して取り付けられる、発泡ポリウレタン等から形成され
る疎水性を有するバッキングパッド2と、バッキングパ
ッド2に粘着剤5(又は接着剤)を介して取り付けられ
るとともに、少なくとも1箇所に半導体ウエーハ保持用
の孔4が貫通した状態で設けられる、エポキシガラス樹
脂等から形成されるテンプレート3とから構成されてい
る。
Embodiments of the present invention shown in the drawings will be described below. FIGS. 1 to 3 show an embodiment of a backing pad structure according to the present invention.
A backing pad 2 made of foamed polyurethane or the like, which is attached to an attachment plate 13 attached to the pressure plate 12 of the pressing member 11 via an adhesive 5 (or an adhesive); And a template 3 made of an epoxy glass resin or the like, which is attached via an agent 5 (or an adhesive) and is provided in at least one place with a hole 4 for holding a semiconductor wafer penetrating therethrough.

【0014】この場合、テンプレート3の表面3a{研
磨装置10の定盤15に粘着剤5(又は接着剤)を介し
て取り付けられる研磨布16との対向面}は、研削によ
って表面粗さが粗く(Ra:0.5μm以上、好ましく
は0.8〜20μm)形成されている。すなわち、テン
プレート3の表面3aは、研磨中に研磨布16に接触し
ても、テンプレート3と研磨布16との間を介して空気
が流通可能な表面粗さに形成されている。
In this case, the surface 3a of the template 3 {the surface facing the polishing cloth 16 attached to the surface plate 15 of the polishing apparatus 10 via the adhesive 5 (or an adhesive)} has a rough surface roughness by grinding. (Ra: 0.5 μm or more, preferably 0.8 to 20 μm). That is, the surface 3 a of the template 3 is formed to have a surface roughness that allows air to flow through between the template 3 and the polishing cloth 16 even if the surface 3 a contacts the polishing cloth 16 during polishing.

【0015】そして、上記のように構成したバッキング
パッド構造体1のバッキングパッド2のナップ層2aに
適度の水を含ませ、テンプレート3の半導体ウエーハ保
持用の孔4内に半導体ウエーハ20を位置し、この状態
で研磨装置10の押圧部材11によって荷重を加えてバ
ッキングパッド構造体1を定盤15の方向に押圧し、半
導体ウエーハ20の研磨面20aを定盤15上の研磨布
16に押し付けると、バッキングパッド2のナップ層2
aの溝内から水が押し出されて溝内が負圧となり、この
負圧によって半導体ウエーハ20がバッキングパッド2
に吸着されることになる。
Then, the nap layer 2a of the backing pad 2 of the backing pad structure 1 constructed as described above is made to contain a suitable amount of water, and the semiconductor wafer 20 is positioned in the hole 4 for holding the semiconductor wafer of the template 3. In this state, a load is applied by the pressing member 11 of the polishing apparatus 10 to press the backing pad structure 1 in the direction of the surface plate 15, and the polishing surface 20 a of the semiconductor wafer 20 is pressed against the polishing cloth 16 on the surface plate 15. Nap layer 2 of backing pad 2
The water is extruded from the inside of the groove a, and the inside of the groove becomes a negative pressure.
Will be adsorbed.

【0016】そして、この状態で半導体ウエーハ20の
研磨面20aと研磨布16との間に軟質研磨砥粒を含む
研磨液21を供給しつつ、バッキングパッド構造体1と
定盤15とを相対運動させることで、半導体ウエーハ2
0の研磨面20aが所定の表面粗さに研磨されることに
なる。
In this state, the backing pad structure 1 and the platen 15 are moved relative to each other while a polishing liquid 21 containing soft abrasive grains is supplied between the polishing surface 20a of the semiconductor wafer 20 and the polishing pad 16 in this state. The semiconductor wafer 2
The 0 polished surface 20a is polished to a predetermined surface roughness.

【0017】この場合、研磨が進行して半導体ウエーハ
20の研磨面20aが鏡面に近づくと、研磨布16がバ
ッキングパッド2と同様の構造なので、半導体ウエーハ
20の研磨面20aと研磨布16との間にも吸着力が働
き、この吸着力によって半導体ウエーハ20の研磨面2
0aが研磨布16に吸着される。
In this case, when the polishing proceeds and the polishing surface 20a of the semiconductor wafer 20 approaches the mirror surface, the polishing cloth 16 has the same structure as the backing pad 2, so that the polishing surface 20a of the semiconductor wafer 20 and the polishing cloth 16 A suction force acts between the polished surfaces 2 of the semiconductor wafer 20 due to the suction force.
0a is adsorbed on the polishing pad 16.

【0018】しかし、テンプレート3の表面3aも研磨
布16及びバッキングパッド2の弾性変化によって研磨
布16に接触して研磨されることになるが、テンプレー
ト3の表面3aは表面粗さが粗く(Ra:0.5μm以
上、好ましくは0.8〜20μm)形成されているの
で、研磨中、テンプレート3と研磨布16との間を空気
が流通することになり、研磨中に、テンプレート3の表
面3aと研磨布16との間に吸着力が働き、その吸着力
によってテンプレート3の表面3aが研磨布16に吸着
されるようなことはない。
However, the surface 3a of the template 3 is also polished in contact with the polishing pad 16 due to the elastic change of the polishing pad 16 and the backing pad 2, but the surface 3a of the template 3 has a rough surface (Ra). : 0.5 μm or more, preferably 0.8 to 20 μm), so that air flows between the template 3 and the polishing cloth 16 during polishing, and the surface 3a of the template 3 during polishing. An attraction force acts between the polishing pad 16 and the polishing pad 16, and the attraction force does not cause the surface 3 a of the template 3 to be attracted to the polishing pad 16.

【0019】したがって、半導体ウエーハ20の研磨面
20aの研磨終了後に移載機(図示せず)によってバッ
キングパッド構造体1を研磨装置10から引き剥がす場
合に、半導体ウエーハ20の研磨面20aとテンプレー
ト3の表面3aとの両方が研磨布16に吸着されて引き
剥がしが困難になるようなことはなく、小さな力で簡単
に引き剥がすことができることになる。
Accordingly, when the backing pad structure 1 is peeled from the polishing apparatus 10 by a transfer machine (not shown) after the polishing of the polishing surface 20a of the semiconductor wafer 20, the polishing surface 20a of the semiconductor wafer 20 and the template 3 are removed. The surface 3a is not attracted to the polishing cloth 16 and the peeling is not difficult, and the peeling can be easily performed with a small force.

【0020】なお、前記の説明においては、テンプレー
ト3の表面3aの表面粗さを研削によって粗く(Ra:
0.5μm以上、好ましくは0.8〜20μm)形成し
たが、テンプレート3の表面3aにセラミックスをコー
ティングして、表面粗さを粗く形成してもよく、また、
プレス等の成形法で表面粗さを粗く形成してもよいもの
である。テンプレート3の表面3aを研削やコーティン
グ剤によるコーティングによって粗く形成せずに濡れ性
を高めることによっても、テンプレート3の表面3aが
研磨布16に付着されるのを阻止することができるもの
である。さらに、テンプレート3の表面3aを撥水性に
形成しても付着を阻止することができるものである。
In the above description, the surface roughness of the surface 3a of the template 3 is increased by grinding (Ra:
0.5 μm or more, preferably 0.8 to 20 μm), but the surface 3a of the template 3 may be coated with ceramics to form a rough surface.
The surface roughness may be formed by a molding method such as pressing. The surface 3a of the template 3 can be prevented from being attached to the polishing pad 16 by increasing the wettability without forming the surface 3a of the template 3 coarsely by grinding or coating with a coating agent. Further, even if the surface 3a of the template 3 is formed to be water-repellent, the adhesion can be prevented.

【0021】[0021]

【発明の効果】この発明は前記のように構成して、テン
プレートの表面(研磨装置の研磨布との対向面)を、粗
面に形成したり、撥水性を有するように形成してテンプ
レートが研磨布に接触した際にくっつき難く形成したこ
とにより、半導体ウエーハの研磨面の研磨の際にテンプ
レートの表面が研磨布に接触して研磨されても、テンプ
レートと研磨布との間に付着力が働くようなことがな
い。したがって、研磨終了後に移載機によって研磨装置
から引き剥がす場合に、引き剥がしが困難になるような
ことはなく、容易に引き剥がすことができるという優れ
た効果を奏するものである。
The present invention is constructed as described above, and the surface of the template (the surface facing the polishing cloth of the polishing apparatus) is formed to be rough or water-repellent to form the template. By being formed so that it does not stick easily when it comes in contact with the polishing cloth, even if the surface of the template comes into contact with the polishing cloth when polishing the polished surface of the semiconductor wafer, the adhesive force between the template and the polishing cloth There is nothing like working. Therefore, when peeling from the polishing apparatus by the transfer device after the polishing is completed, the peeling does not become difficult and an excellent effect that the peeling can be easily performed is achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明によるバッキングパッド構造体の一実
施の形態を示した平面図であって、図2のA−A線斜視
図である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a backing pad structure according to the present invention, and is a perspective view taken along line AA of FIG.

【図2】図1のB−B線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図3】図2のC部の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a portion C in FIG. 2;

【図4】従来のバッキングパッド構造体の一例を示した
断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing an example of a conventional backing pad structure.

【図5】図4のD部の拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of a portion D in FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、31……バッキングパッド構造体 2、32……バッキングパッド 2a、32a……ナップ層 3、33……テンプレート 3a、33a……表面 4、34……半導体ウエーハ保持用の孔 5……粘着剤 10……研磨装置 11……押圧部材 12……プレッシャープレート 13……貼付プレート 15……定盤 16……研磨布 20……半導体ウエーハ 20a……研磨面 21……研磨液 1, 31 Backing pad structure 2, 32 Backing pad 2a, 32a Nap layer 3, 33 Template 3a, 33a Surface 4, 34 ... Hole for holding semiconductor wafer 5 ... Adhesion Agent 10 Polishing device 11 Pressing member 12 Pressure plate 13 Adhering plate 15 Platen 16 Polishing cloth 20 Semiconductor wafer 20a Polishing surface 21 Polishing liquid

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 研磨装置の押圧部材に取り付けられるバ
ッキングパッド構造体であって、前記押圧部材に粘着剤
又は接着剤を介して取り付けられる疎水性を有するバッ
キングパッドと、該バッキングパッドに粘着剤又は接着
剤を介して取り付けられるとともに、少なくとも1箇所
に半導体ウエーハ保持用の孔が貫通した状態で設けられ
るテンプレートとを具え、該テンプレートの研磨装置の
表面を、該テンプレートが研磨布に接触した際にくっつ
き難く形成したことを特徴とするバッキングパッド構造
体。
1. A backing pad structure attached to a pressing member of a polishing apparatus, comprising: a backing pad having hydrophobicity attached to the pressing member via an adhesive or an adhesive; and an adhesive or a backing pad attached to the backing pad. A template provided in a state in which a hole for holding a semiconductor wafer is penetrated in at least one place, and a surface of a polishing device for the template, when the template comes into contact with a polishing cloth, A backing pad structure which is formed so as not to stick easily.
【請求項2】 前記テンプレートの表面にコーティング
剤をコーティングして、該表面をテンプレートが研磨布
に接触した際に空気が流通可能な表面粗さに形成し、こ
れによって、くっつき難く形成した請求項1記載のバッ
キングパッド構造体。
2. The method according to claim 1, wherein the surface of the template is coated with a coating agent, and the surface is formed to have a surface roughness through which air can flow when the template comes into contact with the polishing pad, thereby making the surface less sticky. 2. The backing pad structure according to 1.
【請求項3】 前記テンプレートの表面に撥水処理を施
して、該表面をテンプレートが研磨布に接触した際にく
っつき難く形成した請求項1記載のバッキングパッド構
造体。
3. The backing pad structure according to claim 1, wherein the surface of the template is subjected to a water-repellent treatment so that the surface is formed so as not to stick when the template comes in contact with the polishing cloth.
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Cited By (3)

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