JP2000295835A - Power converter - Google Patents

Power converter

Info

Publication number
JP2000295835A
JP2000295835A JP11096165A JP9616599A JP2000295835A JP 2000295835 A JP2000295835 A JP 2000295835A JP 11096165 A JP11096165 A JP 11096165A JP 9616599 A JP9616599 A JP 9616599A JP 2000295835 A JP2000295835 A JP 2000295835A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
fuses
current
protection
fuse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11096165A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuru Daiguuji
充 大宮司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP11096165A priority Critical patent/JP2000295835A/en
Publication of JP2000295835A publication Critical patent/JP2000295835A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure increase of a tolerable current being by using three protective elements by devising the arrangement, thereby lessening the unbalance of a current even if such circuit constitution as to connect three protective elements in parallel is adopted. SOLUTION: Three fuses 1A1, 1A2, and 1A3, which constitute a protector to be connected in series to a semiconductor element 2A, are arranged in triangular form or equilaterally triangular form. As a result, the inductance between each fuse and the semiconductor element 2A becomes approximately equal, thus making small the unbalance percentage of the allotted current of each fuse 1A1, 1A2, and 1A3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電力変換装置、
特に電力変換装置を構成する複数の半導体素子のそれぞ
れに直列接続される保護装置における保護素子の配置に
関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a power converter,
In particular, the present invention relates to an arrangement of a protection element in a protection device connected in series to each of a plurality of semiconductor elements constituting a power conversion device.

【0002】[0002]

【従来の技術】整流装置やインバータなどの電力変換装
置は、ダイオード、サイリスタ、GTOあるいはIGB
Tなどの半導体素子が複数個使われて、ブリッジ回路な
どそれぞれの用途に応じた適切な回路が採用される。電
力変換装置の運転中にそれぞれの半導体素子のうちの一
つが万一破壊するようなことがあると、その回路は導通
状態になって電源を短絡して電力変換装置全体の破壊に
まで発展する危険性があるために、それぞれの半導体素
子に保護素子としてのヒューズを直列に挿入した回路構
成が採用される。このような回路構成では半導体素子が
短絡状態になるとこの半導体素子に流れる電流が増大す
るので、ヒューズに設定された電流に達したときにこの
ヒューズが電流を遮断してしまうことによって電力変換
装置の熱的、電磁力的な破壊が回避される。また、半導
体素子自体を保護するために、上記と同様な、それぞれ
の半導体素子に保護素子としてのヒューズを直列に挿入
した回路構成が採用されることもある。
2. Description of the Related Art A power conversion device such as a rectifier or an inverter is a diode, a thyristor, a GTO or an IGB.
A plurality of semiconductor elements such as T are used, and a circuit suitable for each application such as a bridge circuit is adopted. Should one of the semiconductor elements break down during the operation of the power converter, the circuit becomes conductive and short-circuits the power supply, leading to the destruction of the entire power converter. Because of the danger, a circuit configuration in which a fuse as a protection element is inserted in each semiconductor element in series is adopted. In such a circuit configuration, when the semiconductor element is short-circuited, the current flowing through the semiconductor element increases. Therefore, when the current reaches the current set in the fuse, the fuse cuts off the current. Thermal and electromagnetic destruction is avoided. Further, in order to protect the semiconductor element itself, a circuit configuration similar to the above, in which a fuse as a protection element is inserted in series with each semiconductor element, may be adopted.

【0003】図2は電力変換装置の一つである整流装置
の回路図であり、単相ブリッジ結線からなっている。周
知のように、単相ブリッジの場合には図示のように4つ
のアーム11,12,21,22からなっている。
FIG. 2 is a circuit diagram of a rectifier, which is one of the power converters, and has a single-phase bridge connection. As is well known, a single-phase bridge includes four arms 11, 12, 21, 22 as shown.

【0004】アーム11は一つの半導体素子2と、並列
接続された2つのヒューズ1からなる保護装置とが直列
接続されて構成されており、半導体素子2とヒューズ1
とは接続導体3で接続されている。他のアーム12,2
1,22も同様である。
The arm 11 is configured by connecting one semiconductor element 2 and a protection device including two fuses 1 connected in parallel, in series.
Are connected by the connection conductor 3. Other arms 12, 2
The same applies to 1 and 22.

【0005】この保護装置において、保護素子である2
つのヒューズ1を並列接続しているのは、半導体素子2
の電流容量に対して1つのヒューズでは許容電流が足り
ないからである。
In this protection device, the protection element 2
The two fuses 1 are connected in parallel because the semiconductor element 2
This is because one fuse does not have enough allowable current for the current capacity of.

【0006】半導体素子は、改良開発が続けられて1つ
の半導体素子でより大きな電流を負担できるようになっ
てきている。一方、これに対して保護素子であるヒュー
ズはそれほど大きな電流容量を持つものがないことか
ら、半導体素子2の電流容量に対して1つのヒューズで
は許容電流が足りないためにこのように2つのヒューズ
1を並列接続した回路構成が採用される。
[0006] Improvements and developments of semiconductor devices have been continued, so that a larger current can be borne by one semiconductor device. On the other hand, since there is no fuse serving as a protection element having such a large current capacity, one fuse is insufficient in the allowable current with respect to the current capacity of the semiconductor element 2, and thus two fuses are used. 1 is connected in parallel.

【0007】図3は一つのアームの2面図であり、
(a)は立面図、(b)は平面図である。この図におい
て、半導体素子2は接続導体3(図2の接続線3に相
当)を介して2つのヒューズ1に接続されている。2つ
のヒューズ1は図示のように半導体素子2と同じ直線上
に配置されている。このような、半導体素子2と同じ直
線上に配置されるヒューズ1の並列接続数が2の場合
は、接続導体の反半導体2側に2つのヒューズ1を近接
して配置することにより、半導体素子2と2つのヒュー
ズ1との間のそれぞれのインダクタンスをほぼ等しくす
ることができることから、2つのヒューズ1の電流分担
を概ね平衡させて、それぞれのヒューズ1に半導体素子
2の半分の電流が流れるようにすることができる。
FIG. 3 is a two side view of one arm.
(A) is an elevation view and (b) is a plan view. In this figure, a semiconductor element 2 is connected to two fuses 1 via a connection conductor 3 (corresponding to a connection line 3 in FIG. 2). The two fuses 1 are arranged on the same straight line as the semiconductor element 2 as shown. When the number of the fuses 1 arranged on the same straight line as the semiconductor element 2 is two in parallel, the two fuses 1 are arranged close to the anti-semiconductor 2 side of the connection conductor, so that the semiconductor element 2 Since the respective inductances between the two fuses 1 and the two fuses 1 can be made substantially equal, the current sharing of the two fuses 1 is substantially balanced so that half of the current of the semiconductor element 2 flows through each fuse 1. Can be

【0008】図4は図2とは別の電力変換装置の回路図
であり、図2と異なる点はヒューズ1Aが3つ並列接続
されてなる点であり、図2と類似の回路要素には添字A
を付けて重複する説明を省く。
FIG. 4 is a circuit diagram of a power converter different from that of FIG. 2. The difference from FIG. 2 is that three fuses 1A are connected in parallel. Subscript A
To eliminate duplicate descriptions.

【0009】図5は図4の一つのアームの2面図であ
り、(a)は立面図、(b)は平面図である。この図に
おいても図3の場合と同様に3つのヒューズ1Aは半導
体素子2Aと1直線になるように接続導体3Aの上に配
置されている。このような、半導体素子2Aと同じ直線
上に配置されるヒューズ1Aの並列数が3つの場合は、
接続導体3Aの反半導体素子2A側に3つのヒューズ1
Aを近接させて配置しようとしても、半導体素子2Aと
3つのヒューズ1Aとの間のそれぞれのインダクタンス
を並列接続数が2の場合ほどには等しくすることができ
ないため、半導体素子2Aから最も遠い位置にあるヒュ
ーズ1Aの電流分担が小さくなることから、2つのヒュ
ーズの場合の許容電流を2としたとき、図5の場合のヒ
ューズ1Aの許容電流は3にはならず2に近い値にしか
ならないという現象がある。そのため、実際には図4、
図5のような3つのヒューズを並列接続する回路構成は
採用されず、代わりに、図2、図3の回路構成で2つの
ヒューズでは許容電流が足りない場合には、半導体素子
の数を2にしてそれぞれの半導体素子に2つのヒューズ
を設けるという回路構成が採用されるのが実際である。
この場合、半導体素子の負担電流は1つの場合に比べて
半分になるので、その電流に対応した定格電流の小さな
半導体素子が使用される。
FIGS. 5A and 5B are two views of one arm of FIG. 4, wherein FIG. 5A is an elevation view and FIG. 5B is a plan view. In this figure, as in the case of FIG. 3, the three fuses 1A are arranged on the connection conductor 3A so as to be aligned with the semiconductor element 2A. In the case where the number of fuses 1A arranged on the same straight line as the semiconductor element 2A is three,
Three fuses 1 are provided on the anti-semiconductor element 2A side of the connection conductor 3A.
Even if A is arranged close to each other, the respective inductances between the semiconductor element 2A and the three fuses 1A cannot be made equal to each other when the number of parallel connections is two. 5, the allowable current of the fuse 1A in the case of FIG. 5 is set to 2 and the allowable current of the fuse 1A in the case of FIG. There is a phenomenon. Therefore, FIG.
The circuit configuration in which three fuses are connected in parallel as shown in FIG. 5 is not adopted. Instead, when the allowable current is not enough with the two fuses in the circuit configurations in FIGS. In practice, a circuit configuration in which two fuses are provided for each semiconductor element is employed.
In this case, the burden current of the semiconductor element is reduced by half compared to the case of one semiconductor element, and a semiconductor element having a small rated current corresponding to the current is used.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】前述のように、1つの
アームの電流が1つの半導体素子で十分のときでも2つ
のヒューズの並列接続ではヒューズの許容電流が足りな
い場合には、1つのアームの半導体素子を2つにしてそ
れぞれの半導体素子に2つのヒューズを並列にして接続
する回路構成が採用されるのであるが、半導体素子2の
定格電流は小さくてよいとは言いながらその数が倍にな
ることは、半導体素子の装置全体の価格は高くなるとい
う問題がある。すなわち、1つの半導体素子と定格電流
がその半分の2つの半導体素子との価格は前者の方が安
価なのである。また、半導体素子の数が倍になることに
よって接続導体の数も増えて装置全体の構成が複雑にな
るという問題もある。
As described above, even when the current of one arm is sufficient for one semiconductor element, if the allowable current of the fuse is not enough in the parallel connection of two fuses, one arm is required. A circuit configuration is adopted in which two semiconductor elements are used and two fuses are connected in parallel to each semiconductor element. However, the number of semiconductor elements 2 is doubled while saying that the rated current may be small. The problem is that the price of the entire semiconductor device becomes high. That is, the price of one semiconductor element and two semiconductor elements whose rated currents are half that of the former is lower. There is also a problem that the number of connection conductors increases as the number of semiconductor elements doubles, and the configuration of the entire device becomes complicated.

【0011】この発明の目的はこのような問題を解決
し、配置を工夫することによって、3つの保護素子を並
列接続する回路構成を採用しても電流不平衡の少ないよ
うにして3つの保護素子を使用したことによる許容電流
の増加を確保することのできる電力変換装置を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to solve such a problem and to improve the arrangement so as to minimize the current imbalance even when employing a circuit configuration in which three protection elements are connected in parallel. An object of the present invention is to provide a power converter capable of securing an increase in allowable current due to the use of a power converter.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明によれば、電力変換装置を構成する複数の半
導体素子のそれぞれに保護装置が直列接続されるととも
に、この保護装置が3つの保護素子を並列接続したもの
からなる電力変換装置において、3つの保護素子を三角
形の頂点に配置することによって、それぞれの保護素子
と半導体素子との間のインダクタンスが略同じになっ
て、それぞれの保護素子の分担電流の不平衡率が小さく
なってより平衡に近くなる。
According to the present invention, a protective device is connected in series to each of a plurality of semiconductor elements constituting a power converter, and three protective devices are provided. In a power converter including protection elements connected in parallel, by arranging three protection elements at the vertices of a triangle, the inductance between each protection element and the semiconductor element becomes substantially the same, and each protection element becomes The unbalance ratio of the shared current of the elements becomes smaller and closer to equilibrium.

【0013】また、かかる構成において、3つの保護素
子を正三角形の頂点に配置することによって、それぞれ
の保護素子と半導体素子との間のインダクタンスがより
均等になり、それぞれの保護素子の分担電流の不平衡率
がより小さくなる。
Further, in this configuration, by arranging the three protection elements at the vertices of the equilateral triangle, the inductance between each protection element and the semiconductor element becomes more uniform, and the current shared by each protection element is reduced. The unbalance rate is smaller.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下この発明を実施例に基づいて
説明する。図1はこの発明の実施例を示す図4の一つの
アームの2面図で、(a)は立面図、(b)は平面図で
あり、図5と異なる点は保護素子である3つのヒューズ
1A1,1A2,1A3を図のように三角形の頂点に配
置した点である。すなわち、接続導体3Bの半導体素子
2Aとは反対側の端部にY字状の接続導体3Cを取り付
け、この接続導体3Cの3本の分岐部のそれぞれの端部
にヒューズ1A1,1A2,1A3を取り付けたもので
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments. FIGS. 1A and 1B are two views of one arm of FIG. 4 showing an embodiment of the present invention. FIG. 1A is an elevation view, FIG. 1B is a plan view, and the difference from FIG. This is a point where two fuses 1A1, 1A2 and 1A3 are arranged at the vertices of a triangle as shown in the figure. That is, a Y-shaped connection conductor 3C is attached to the end of the connection conductor 3B opposite to the semiconductor element 2A, and fuses 1A1, 1A2, and 1A3 are connected to the respective ends of the three branch portions of the connection conductor 3C. It is attached.

【0015】ヒューズ1A1,1A2,1A3がこのよ
うに配置されているので、図5のように直線上に配置さ
れている場合に比べてそれぞれのヒューズと半導体素子
2Aとの間ののインダクタンスが近くなって電流分担の
不平衡率が小さくなり、その結果、ヒューズの数を2つ
から3つに増やして許容電流を大きくすることが可能に
なる。したがって、1つのアームの電流が1つの半導体
素子で充分のときでも、2つのヒューズの並列接続では
ヒューズの許容電流が足りない場合でも、ヒューズだけ
を3つに増やした回路を構成することができる。
Since the fuses 1A1, 1A2, and 1A3 are arranged in this manner, the inductance between each fuse and the semiconductor element 2A is smaller than when the fuses are arranged on a straight line as shown in FIG. As a result, the unbalance ratio of the current sharing is reduced, and as a result, the number of fuses can be increased from two to three to increase the allowable current. Therefore, even when the current of one arm is sufficient for one semiconductor element, or when the allowable current of the fuse is not enough in the parallel connection of two fuses, a circuit with only three fuses can be configured. .

【0016】図1では、ヒューズ1A2,1A3の配置
を接続導体3Bの長さ方向に対して斜め方向の位置に、
ヒューズ1A1を直角の位置に配置した構成としている
が、これにこだわるものではなく、紙面に平行に回転さ
せた配置を採用してもよい。いずれにしてもヒューズ1
A1,1A2,1A3と半導体素子2Aとの間のそれぞ
れのインダクタンスをなるべく同じ値にするような構成
であればよい。
In FIG. 1, the fuses 1A2 and 1A3 are arranged at positions oblique to the length of the connection conductor 3B.
Although the configuration is such that the fuse 1A1 is disposed at a right angle position, the configuration is not limited to this, and an arrangement in which the fuse 1A1 is rotated in parallel with the paper surface may be employed. In any case, fuse 1
Any configuration may be used as long as the respective inductances between A1, 1A2, 1A3 and the semiconductor element 2A have the same value as much as possible.

【0017】また、図示しないP端子とヒューズ1A
1,1A2,1A3との間の接続部のインダクタンスを
も考慮して、例えば、図1の接続導体3Cと同じY字状
の接続導体をヒューズ1A1,1A2,1A3のP端子
側にも接続して、この接続導体の中心部とP端子とを接
続する構成とすれば、ヒューズ1A1,1A2,1A3
のリードインダクタンスがより均等化され、電流分担の
不平衡率がより小さくなるので、ヒューズ1A1,1A
2,1A3の利用率がより向上し、許容電流をより大き
くすることができる。
A P terminal (not shown) and a fuse 1A
In consideration of the inductance of the connecting portion between the fuses 1A1, 1A2 and 1A3, for example, the same Y-shaped connecting conductor as the connecting conductor 3C in FIG. 1 is also connected to the P terminal side of the fuses 1A1, 1A2 and 1A3. If the configuration is such that the central portion of the connection conductor is connected to the P terminal, the fuses 1A1, 1A2, 1A3
Of the fuses 1A1 and 1A
The utilization of 2,1A3 is further improved, and the allowable current can be further increased.

【0018】なお、ヒューズ1A1,1A2,1A3の
配置は、三角形状の中でも特に図示のように正三角形状
とすれば、ヒューズ1A1,1A2,1A3と半導体素
子2Aとの間のそれぞれのインダクタンスをより均等に
することができるが、これについても必ずしも正三角形
状にこだわるものではなく、3本の分岐部を有する接続
導体3Cの各分岐部の長さが等しくなっていればよい。
If the fuses 1A1, 1A2, 1A3 are arranged in an equilateral triangle as shown in the figure, the inductance between the fuses 1A1, 1A2, 1A3 and the semiconductor element 2A can be increased. It can be made equal, but this is not necessarily limited to an equilateral triangle, and it is only necessary that the lengths of the branch portions of the connection conductor 3C having three branch portions are equal.

【0019】なお、上述の実施例では保護素子としてヒ
ューズを用いる構成について説明したが、この発明はこ
のような構成に限定されるものではなく、一般に過電流
保護素子が半導体素子に直列接続される構成に適用する
ことができる。
In the above-described embodiment, the configuration using a fuse as a protection element has been described. However, the present invention is not limited to such a configuration. Generally, an overcurrent protection element is connected in series to a semiconductor element. Applicable to configurations.

【0020】[0020]

【発明の効果】この発明は前述のように、例えばヒュー
ズからなる3つの保護素子を三角形の頂点位置に配置す
ることによって、それぞれの保護素子と半導体素子との
間のインダクタンスが略同じになって、それぞれの保護
素子の分担電流の不平衡率が小さくなる。その結果、1
つのアームに1つの半導体素子で電流容量が充分である
が、2つの保護素子では許容電流が足りないときに、保
護素子を3つに増やして必要とする許容電流を確保する
ことができることから、特に高価な半導体素子の数を増
やす必要がなくなって、装置のコストダウンに資すると
いう効果が得られる。
As described above, according to the present invention, by arranging three protection elements, such as fuses, at the apexes of a triangle, the inductance between each protection element and the semiconductor element becomes substantially the same. In addition, the unbalance rate of the shared current of each protection element is reduced. As a result, 1
One semiconductor element in one arm has a sufficient current capacity, but when the allowable current is not enough with two protection elements, the necessary allowable current can be secured by increasing the number of protection elements to three. In particular, there is no need to increase the number of expensive semiconductor elements, and the effect of reducing the cost of the device can be obtained.

【0021】なお、半導体素子としてダイオードを例と
して示してあるが、これにこだわるものではなく、他の
半導体素子であるサイリスタ、GTO、IGBTなどで
あっても前述と同じの効果を得ることができる。
Although a diode is shown as an example of a semiconductor element, the present invention is not limited to this, and other semiconductor elements such as thyristor, GTO, IGBT, etc. can obtain the same effects as described above. .

【0022】また、3つの保護素子を正三角形の頂点位
置に配置することによって、それぞれの保護素子と半導
体素子との間のインダクタンスがより均等になり、それ
ぞれの保護素子の分担電流の不平衡率がより小さくなる
ので、許容電流をより大きくすることができる。
Further, by arranging the three protection elements at the vertices of the equilateral triangle, the inductance between each protection element and the semiconductor element becomes more uniform, and the unbalance ratio of the shared current of each protection element. Is smaller, so that the allowable current can be further increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例を示す電力変換装置の、1つ
の半導体素子に、並列接続された3つの保護素子からな
る保護装置が直列接続されてなる1つのアームの2面図
で、(a)は平面図、(b)は立面図である。
FIG. 1 is a two-sided view of one arm of a power conversion device according to an embodiment of the present invention, in which a protection device including three protection elements connected in parallel is connected in series to one semiconductor element; (a) is a plan view and (b) is an elevation view.

【図2】従来の電力変換装置の、1つの半導体素子に、
並列接続された2つの保護素子からなる保護装置が直列
接続されてなる単相ブリッジ結線の回路図
FIG. 2 shows one semiconductor element of a conventional power converter.
Circuit diagram of a single-phase bridge connection in which a protection device including two protection elements connected in parallel is connected in series

【図3】図2の1つのアームの2面図で、(a)は立面
図、(b)は平面図である。
3A and 3B are two views of one arm in FIG. 2, wherein FIG. 3A is an elevation view and FIG. 3B is a plan view.

【図4】図2とは異なる電力変換装置の、一つの半導体
素子に、並列接続された3つの保護素子からなる保護装
置が直列接続されてなる単相ブリッジ結線の回路図
FIG. 4 is a circuit diagram of a single-phase bridge connection in which a protection device including three protection elements connected in parallel is connected in series to one semiconductor element of a power conversion device different from FIG. 2;

【図5】図4の1つのアームの2面図で、(a)は立面
図、(b)は平面図である。
5A and 5B are two views of one arm in FIG. 4, wherein FIG. 5A is an elevation view and FIG. 5B is a plan view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1A,1A1,1A2,1A3…ヒューズ(保護素
子)、2,2A…半導体素子、3,3A,3B,3C…
接続導体
1, 1A, 1A1, 1A2, 1A3 ... fuse (protection element), 2, 2A ... semiconductor element, 3, 3A, 3B, 3C ...
Connection conductor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電力変換装置を構成する複数の半導体素子
のそれぞれに保護装置が直列接続されるとともに、この
保護装置が3つの保護素子を並列接続したものからなる
電力変換装置において、3つの保護素子が三角形の頂点
に配置されてなることを特徴とする電力変換装置。
1. A power converter in which a protection device is connected in series to each of a plurality of semiconductor elements constituting a power conversion device, and the protection device includes three protection devices connected in parallel. A power converter, wherein the elements are arranged at the vertices of a triangle.
【請求項2】3つの保護素子が正三角形の頂点に配置さ
れてなることを特徴とする請求項1記載の電力変換装
置。
2. The power converter according to claim 1, wherein the three protection elements are arranged at the vertices of an equilateral triangle.
JP11096165A 1999-04-02 1999-04-02 Power converter Pending JP2000295835A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11096165A JP2000295835A (en) 1999-04-02 1999-04-02 Power converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11096165A JP2000295835A (en) 1999-04-02 1999-04-02 Power converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000295835A true JP2000295835A (en) 2000-10-20

Family

ID=14157736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11096165A Pending JP2000295835A (en) 1999-04-02 1999-04-02 Power converter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000295835A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008199810A (en) * 2007-02-14 2008-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Rectifier circuit
JP2009077504A (en) * 2007-09-20 2009-04-09 Hitachi Ltd Inverter apparatus
JP2015503893A (en) * 2011-12-29 2015-02-02 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ Inverter and power system with fuse protection

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008199810A (en) * 2007-02-14 2008-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Rectifier circuit
JP2009077504A (en) * 2007-09-20 2009-04-09 Hitachi Ltd Inverter apparatus
JP2015503893A (en) * 2011-12-29 2015-02-02 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ Inverter and power system with fuse protection
US9553443B2 (en) 2011-12-29 2017-01-24 General Electric Company Inverter and power system with fuse protection

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3268081B2 (en) Power semiconductor module
JPS589349A (en) Gto stack
JPH08213204A (en) Ptc thermistor and current limiter with at least one ptc thermistor
JPH06261556A (en) Semiconductor switch apparatus
JPH10243660A (en) Power converting apparatus
JP6041770B2 (en) Semiconductor device
JP2000295835A (en) Power converter
JP5095330B2 (en) Inverter device
JP2005530478A (en) Multi-load protection and control device
JPH01194344A (en) Parallel connection of power transistors
JP7240073B2 (en) power converter
JPH1094256A (en) Power-conversion element module
JP2004236374A (en) Method of constituting ac-ac direct conversion type power converter
JP3646044B2 (en) Power converter
JP3209727B2 (en) Fault-tolerant power supply circuit
US11145634B2 (en) Power converter
JPH08223917A (en) Apparatus for rectifying large current
JP3051003B2 (en) Semiconductor stack
JP3092450B2 (en) Active filter main circuit wiring method
JP2709739B2 (en) Power converter
JPS63224631A (en) Cross-current eliminating circuit for parallel-driven inverters
JPS6161706B2 (en)
JPS6026557Y2 (en) DC power supply
JPH09186290A (en) Stack structure for pressure contact semiconductor element
JPS63257469A (en) Power converter