JP2000288885A - Edge grinding device for circular thin plate - Google Patents

Edge grinding device for circular thin plate

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JP2000288885A
JP2000288885A JP11091947A JP9194799A JP2000288885A JP 2000288885 A JP2000288885 A JP 2000288885A JP 11091947 A JP11091947 A JP 11091947A JP 9194799 A JP9194799 A JP 9194799A JP 2000288885 A JP2000288885 A JP 2000288885A
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JP
Japan
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wafer
grinding
thin plate
circular thin
edge
Prior art date
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Application number
JP11091947A
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Japanese (ja)
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Mitsuru Nukui
満 温井
Shiro Murai
史朗 村井
Michihiro Takada
道浩 高田
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Nippei Toyama Corp
Original Assignee
Nippei Toyama Corp
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Publication date
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To relatively move a grinding wheel and a wafer at least in a direction along a rotation axis of the waber without generation of vibration to improve machining accuracy of a grind face of the wafer. SOLUTION: This device is provided with disc-like grinding wheels 72, 73 each having a flat grind operation face on its periphery, rotatable around an axis perpendicular to the rotation axis of a wafer 25. By relatively moving the grinding wheels 72, 73 and the wafer 25 in directions X, Y in a plane including the rotation axis of the grinding wheels 72, 73 and in a direction Z along the rotation axis of the wafer 25, a peripheral edge of the wafer 25 is ground. Among moving structures for relatively moving the grinding wheels 72, 73 and the wafer 25 in the directions X, Y, Z, at least the moving structure for the direction Z is provided with a guide mechanism including hydrostatic bearings 42, 46.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ウエーハ等の円
形薄板の外周縁を研削するエッジ研削装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an edge grinding device for grinding an outer peripheral edge of a circular thin plate such as a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的な加工装置には、転がり案内方式
を用いたガイド機構が多く用いられている。例えば、円
形薄板であるウエーハのエッジを研削加工する場合、円
板状回転砥石を用い、その円板状回転砥石がウエーハの
外周部の表裏両面間を移動されるように、円板状回転砥
石とウエーハとの間に相対移動を生じさせる構成が考え
られるが、その相対移動をガイドするためのガイド機構
にも転がり案内方式が用いられている。
2. Description of the Related Art In a general processing apparatus, a guide mechanism using a rolling guide system is often used. For example, when grinding the edge of a wafer that is a circular thin plate, a disk-shaped rotary grindstone is used so that the disk-shaped rotary grindstone is moved between the front and back surfaces of the outer peripheral portion of the wafer. A configuration is conceivable in which relative movement is caused between the wafer and the wafer, and a rolling guide system is also used for a guide mechanism for guiding the relative movement.

【0003】しかし、図4(a)に示す様に一般的な転
がり案内のユニット201では、転動体202であるボ
ールやコロ等が案内溝203に対して出入りする際の不
連続な挙動により、図4(b)に示す様に移動方向に垂
直な方向に極めて微少な振動が発生するという問題があ
る。これらの振動の周期は、転動体の連続的な動きによ
り決定されるため、比較的長い。
However, as shown in FIG. 4A, in a general rolling guide unit 201, a discontinuous behavior when a ball or a roller, which is a rolling element 202, enters or exits a guide groove 203, As shown in FIG. 4B, there is a problem that extremely small vibration is generated in a direction perpendicular to the moving direction. The period of these vibrations is relatively long because it is determined by the continuous movement of the rolling elements.

【0004】そして高精度が要求されるウエーハのエッ
ジを研削する場合、砥石やウエーハをガイドする機構に
振動が発生すると、その凹凸状の動きがウエーハの加工
面に転写され、研削の精度が悪化するおそれがある。
[0004] When grinding the edge of a wafer that requires high precision, if vibration occurs in a mechanism that guides the grindstone or the wafer, the irregular movement is transferred to the processed surface of the wafer, and the grinding precision deteriorates. There is a possibility that.

【0005】また、ウエーハのエッジの研削加工される
長さは短いが、それを加工するために要求される砥石や
ウエーハの相対移動のストロークが長い場合は、前記凹
凸の振幅は縮小されず、狭い加工範囲に、凹凸の振幅が
凝集される形になる。このため、ウエーハの加工面に高
低差の大きな凹凸が形成され、加工精度が著しく低下す
るものであった。
When the edge of the wafer is ground for a short length, but the stroke of the relative movement of the grindstone or the wafer required for processing the edge is long, the amplitude of the unevenness is not reduced. The amplitude of the irregularities is aggregated in a narrow processing range. For this reason, large irregularities having a large difference in height are formed on the processed surface of the wafer, and the processing accuracy is significantly reduced.

【0006】この発明の目的は、上記問題点に鑑み、ウ
エーハ等の円形薄板のエッジ研削を高精度に行うことが
できるエッジ研削装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an edge grinding apparatus capable of performing edge grinding of a circular thin plate such as a wafer with high accuracy in view of the above problems.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の発明では、加工を行うための円
形薄板と円板状回転砥石との間の相対移動をガイドする
ようにしたガイド機構のみを静圧軸受により構成したも
のである。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a relative movement between a circular thin plate for processing and a disk-shaped rotary grindstone is guided. Only the guide mechanism described above is constituted by a static pressure bearing.

【0008】従って、砥石と円形薄板とが、例えば円形
薄板の回転軸線に沿ったZ方向及びそれに直角なY方向
に相対移動される際には、静圧軸受を含むガイド機構に
より、砥石と円形薄板との相対移動が円滑に行なわれ
る。よって、砥石と円形薄板との相対移動時に振動が発
生するのを防止することができて、円形薄板の研削面の
加工精度を向上させることができる。
Accordingly, when the grindstone and the circular thin plate are relatively moved in, for example, the Z direction along the rotational axis of the circular thin plate and the Y direction perpendicular thereto, the guide mechanism including the hydrostatic bearing causes the grindstone and the circular thin plate to move. The relative movement with the thin plate is performed smoothly. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of vibration during the relative movement between the grindstone and the circular thin plate, and it is possible to improve the processing accuracy of the grinding surface of the circular thin plate.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下に、この発明の一実施形態
を、図面に基づいて詳細に説明する。図1及び図2に示
すように、この実施形態のウエーハの処理装置としての
ウエーハのエッジ研削装置においては、一対の基台2
1,22が結合されている。第1基台21上にはウエー
ハ吸着回転昇降機構部23及びエッジ研削機構部24が
配設され、ウエーハ吸着回転昇降機構部23に吸着保持
された円形薄板としてのウエーハ25の外周縁が、エッ
ジ研削機構部24によって研削されるようになってい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, in a wafer edge grinding apparatus as a wafer processing apparatus according to this embodiment, a pair of bases 2 are provided.
1 and 22 are combined. On the first base 21, a wafer suction rotation elevating mechanism 23 and an edge grinding mechanism 24 are disposed, and the outer peripheral edge of a wafer 25 as a circular thin plate sucked and held by the wafer suction rotation elevating mechanism 23 is an edge. The grinding is performed by the grinding mechanism 24.

【0010】前記第2基台22上にはウエーハ搬入出機
構部29が配設されている。ウエーハ搬入出機構部29
には、第1移動テーブル33がウエーハ吸着回転昇降機
構部23と対応する加工位置P3と、そこから離れた退
避位置P2との間で移動可能に配設されている。また、
第1移動テーブル33上には、第2移動テーブル34が
第1移動テーブル33と一体移動可能及び相対移動可能
に支持されている。そして、第1移動テーブル33によ
りウエーハ吸着回転昇降機構部23に対する未加工のウ
エーハ25の搬入が行われ、第2移動テーブル34によ
りウエーハ吸着回転昇降機構部23からの加工済みのウ
エーハ25の搬出が行われる。
On the second base 22, a wafer loading / unloading mechanism 29 is provided. Wafer loading / unloading mechanism 29
, A first moving table 33 is movably disposed between a processing position P3 corresponding to the wafer suction rotation elevating mechanism 23 and a retreat position P2 distant therefrom. Also,
On the first moving table 33, a second moving table 34 is supported so as to be integrally movable with the first moving table 33 and relatively movable. Then, the unprocessed wafer 25 is loaded into the wafer suction rotation elevating mechanism 23 by the first moving table 33, and the processed wafer 25 is unloaded from the wafer suction rotation elevating mechanism 23 by the second moving table 34. Done.

【0011】前記両基台21,22上にはそれらの上面
の諸機構部を覆うようにカバー35が取り付けられ、そ
のほぼ中間部にはシャッタ36が昇降可能に配設されて
いる。そして、ウエーハ25の研削加工時には、このシ
ャッタ36が閉じられて、第1基台21上の部分と第2
基台22上の部分とが隔離された状態にすることによ
り、クーラント等が基台22の部分に飛散しないように
している。また、ウエーハ搬入出機構部29により、ウ
エーハ25の搬入出が行われる際には、このシャッタ3
6が開かれる。
A cover 35 is mounted on the bases 21 and 22 so as to cover various mechanisms on the upper surfaces thereof, and a shutter 36 is provided at a substantially intermediate portion so as to be able to move up and down. During the grinding of the wafer 25, the shutter 36 is closed, and the portion on the first base 21 and the second
By keeping the portion on the base 22 isolated, the coolant and the like are prevented from scattering on the portion of the base 22. When the wafer loading / unloading mechanism unit 29 loads or unloads the wafer 25, the shutter 3
6 is opened.

【0012】次に、前記ウエーハ吸着回転昇降機構部2
3の構成について詳述する。図1及び図3に示すよう
に、第1基台21上にはフレーム39が配設され、その
上部にはガイド筒40が上下方向(Z方向)へ延びるよ
うに取り付けられている。ガイド筒40内には支持筒4
1が静圧軸受42を介してZ方向へ移動可能に支持さ
れ、その内部には一対の軸受筒43,44が配設されて
いる。両軸受筒43,44には支持軸45が静圧軸受4
6を介して回転可能及び昇降可能に支持され、その中心
にはエア通路45aが形成されており、そのエア通路4
5aはホース45bを介して図示しない真空ポンプに連
結されている。
Next, the wafer suction rotation elevating mechanism 2
The configuration of No. 3 will be described in detail. As shown in FIGS. 1 and 3, a frame 39 is provided on the first base 21, and a guide cylinder 40 is mounted on the first base 21 so as to extend in the vertical direction (Z direction). The support cylinder 4 is provided in the guide cylinder 40.
1 is supported via a hydrostatic bearing 42 so as to be movable in the Z direction, and a pair of bearing cylinders 43 and 44 are disposed therein. A support shaft 45 is provided on each of the two bearing cylinders 43 and 44 by a hydrostatic bearing 4.
6 and rotatably and vertically movable, and an air passage 45a is formed at the center thereof.
5a is connected to a vacuum pump (not shown) via a hose 45b.

【0013】前記支持軸45の下端には図示しないボル
トにより吸着パッド47が固定され、その中心には支持
軸45のエア通路45aに連通するエア通路47aが形
成されるとともに、下面にはエア通路47aに連通する
複数のエア吸引溝47bが形成されている。支持筒41
内には回転用モータ48が配設され、そのステータ48
aが支持筒41に固定されるとともに、ロータ48bが
支持軸45に固定されている。そして、この回転用モー
タ48により、支持軸45を介して吸着パッド47が回
転される。
A suction pad 47 is fixed to the lower end of the support shaft 45 by a bolt (not shown). An air passage 47a communicating with an air passage 45a of the support shaft 45 is formed at the center of the suction pad 47, and an air passage is formed on the lower surface. A plurality of air suction grooves 47b communicating with 47a are formed. Support tube 41
A rotation motor 48 is provided in the inside thereof, and its stator 48
a is fixed to the support cylinder 41, and the rotor 48b is fixed to the support shaft 45. Then, the suction pad 47 is rotated by the rotation motor 48 via the support shaft 45.

【0014】前記フレーム39上には移動用モータ50
が配設され、その下部にはボールネジ51が突設されて
いる。支持筒41の外周には連結腕52が突設され、そ
の先端にはボールネジ51に螺合するナット53が取り
付けられている。そして、移動用モータ50にてボール
ネジ51が回転されことにより、ナット53を介して支
持筒41が上下動されて、吸着パッド47が上下動され
る。
A moving motor 50 is provided on the frame 39.
Is provided, and a ball screw 51 is protruded from a lower portion thereof. A connecting arm 52 protrudes from an outer periphery of the support cylinder 41, and a nut 53 screwed to the ball screw 51 is attached to a tip of the connecting arm 52. When the ball screw 51 is rotated by the moving motor 50, the support cylinder 41 is moved up and down via the nut 53, and the suction pad 47 is moved up and down.

【0015】次に、前記エッジ研削機構部24の構成に
ついて詳述する。図1〜図3及び図5に示すように、前
記第1基台21上にはシフト用支持台60が配設され、
その上面には一対のシフト用ガイドレール61が、水平
面内で左側前方から右側後方へ斜状のシフト方向Sに延
びるように敷設されている。シフト用ガイドレール61
上にはシフト台62がシフト移動可能に支持され、その
上面には水平面内の左右方向(X方向)に延びる一対の
X方向ガイドレール63が敷設されている。
Next, the configuration of the edge grinding mechanism 24 will be described in detail. As shown in FIGS. 1 to 3 and 5, a shift support base 60 is disposed on the first base 21,
A pair of shift guide rails 61 are laid on the upper surface so as to extend in the oblique shift direction S from left front to right rear in a horizontal plane. Shift guide rail 61
A shift table 62 is supported so as to be shiftable on the upper side, and a pair of X-direction guide rails 63 extending in the left-right direction (X direction) in a horizontal plane is laid on the upper surface thereof.

【0016】前記X方向ガイドレール63上には移動台
64が各一対の転がりユニット79(図5参照)を介し
て移動可能に支持され、その上部には水平面内の前後方
向(Y方向)に延びる一対のY方向ガイドロッド65が
配設されている。Y方向ガイドロッド65にはサドル6
6が静圧軸受80を介して移動可能に支持され、その上
部には加工ヘッド67が支軸68を介してモータ76,
ボールネジ83により垂直軸線の周りで旋回可能に支持
されている。加工ヘッド67の両側には一対の回転軸6
9,70が支軸68の軸線と直交する水平方向へ延びる
ように突設され、加工ヘッド67内に収容されたモータ
71により回転される。なお、コストダウンのため、加
工に関係するZ,Y軸のみを静圧軸受とした。
A movable platform 64 is supported on the X-direction guide rail 63 via a pair of rolling units 79 (see FIG. 5) so as to be movable in the front-rear direction (Y direction) in a horizontal plane. A pair of extending Y-direction guide rods 65 are provided. Saddle 6 on Y-direction guide rod 65
6 is movably supported via a hydrostatic bearing 80, and a machining head 67 is mounted on the upper portion thereof via a support shaft 68 via a motor 76,
It is supported by a ball screw 83 so as to be pivotable about a vertical axis. A pair of rotating shafts 6 are provided on both sides of the processing head 67.
9 and 70 are protruded so as to extend in a horizontal direction orthogonal to the axis of the support shaft 68, and are rotated by a motor 71 housed in the processing head 67. In order to reduce the cost, only the Z- and Y-axes related to machining were used as hydrostatic bearings.

【0017】図1〜図3に示すように、前記回転軸69
にはウエーハ25の外周縁を荒研削するための荒研削用
砥石72が取り付けられ、他方の回転軸70にはウエー
ハ25の外周縁を仕上げ研削するための仕上げ研削用砥
石73が取り付けられている。荒研削用砥石72及び仕
上げ研削用砥石73は外周に平面状の研削作用面を有す
る円板状砥石から構成されている。
As shown in FIG. 1 to FIG.
Is provided with a rough grinding wheel 72 for rough grinding the outer peripheral edge of the wafer 25, and the other rotary shaft 70 is provided with a finish grinding wheel 73 for final grinding the outer peripheral edge of the wafer 25. . The grinding wheel 72 for rough grinding and the grinding wheel 73 for finish grinding are each formed of a disk-shaped grinding wheel having a planar grinding action surface on the outer periphery.

【0018】ここで、この本発明の実施形態の目的とす
るガイド機構について詳述する。図6は従来よりウエー
ハのエッジを研削する方法の一例であり、図7は本発明
に使用される実施の形態の説明図である。図6、図7と
も移動させる要素は違うが外周に研削作用面を持つ円板
状砥石72又は73とウエーハ25とを、ウエーハ25
の表裏両面間に於いて相対移動させ、ウエーハ25の外
周エッジ部90を研削するものである。つまり図6では
ウエーハ25を固定し、円板状回転砥石72又は73を
上下のZ方向及び左右のY方向に移動させ、エッジ部9
0の研削を行う。又本発明の実施の形態の場合は、図7
及び図3に示す様に吸着パッド47に固定されたウエー
ハ25は回転しながらウエーハ吸着回転昇降機構部23
によりZ軸方向に上下移動され、一方、円板状回転砥石
72又は73はサドル66に支持された加工ヘッド67
のモータ71により回転させられながらガイドロッド6
5及び静圧軸受80に案内されてY方向に前後移動す
る。このX方向とY方向の移動の組合せにより、ウエー
ハ25のエッジ部90の表裏が研削加工される。
Here, the guide mechanism according to the embodiment of the present invention will be described in detail. FIG. 6 shows an example of a conventional method for grinding an edge of a wafer, and FIG. 7 is an explanatory view of an embodiment used in the present invention. 6 and 7, the elements to be moved are different from each other, but the disk 25 and the disk-shaped grindstone 72 or 73 having a grinding action surface on the outer periphery are combined with the wafer 25.
Is relatively moved between the front and back surfaces of the wafer 25 to grind the outer peripheral edge portion 90 of the wafer 25. That is, in FIG. 6, the wafer 25 is fixed, and the disk-shaped rotary grindstone 72 or 73 is moved in the vertical Z direction and the horizontal Y direction,
0 grinding is performed. In the case of the embodiment of the present invention, FIG.
And the wafer 25 fixed to the suction pad 47 as shown in FIG.
Is moved up and down in the Z-axis direction. On the other hand, the disc-shaped rotary grindstone 72 or 73 is moved by the machining head 67 supported by the saddle 66.
Of the guide rod 6 while being rotated by the motor 71 of FIG.
5 and is guided by the static pressure bearing 80 to move back and forth in the Y direction. By the combination of the movement in the X direction and the movement in the Y direction, the front and back of the edge portion 90 of the wafer 25 are ground.

【0019】次に静圧軸受を使用した場合の効果につい
て説明する。図8(a)は本発明の実施の形態で従来使
用されている転がり案内方式を用いた場合を示す模式図
である。まず、Z軸の場合、ウエーハ25は吸着パッド
47に固定され、ウエーハ回転機構部23bにより回転
され、転がり案内ユニット23cにより支持されながら
ガイドレール23d上をZ方向に上下動させられる。
Next, the effect when the hydrostatic bearing is used will be described. FIG. 8A is a schematic diagram showing a case where a rolling guide system conventionally used in the embodiment of the present invention is used. First, in the case of the Z axis, the wafer 25 is fixed to the suction pad 47, rotated by the wafer rotating mechanism 23b, and vertically moved on the guide rail 23d in the Z direction while being supported by the rolling guide unit 23c.

【0020】次にY軸の場合は円板状回転砥石72又は
73はサドル66bに支持された加工ヘッド67に収容
されたモータ71により回転させられながら転がりユニ
ット66cに支持されガイドレール66d上をY方向に
左右移動させられる。
Next, in the case of the Y axis, the disc-shaped rotary grindstone 72 or 73 is supported by the rolling unit 66c while being rotated by the motor 71 accommodated in the processing head 67 supported by the saddle 66b, and moves on the guide rail 66d. It can be moved left and right in the Y direction.

【0021】図6及び図8(a)に示す様にウエーハ2
5のエッジ部90を加工するためウエーハ25又は円板
状回転砥石72あるいは73を移動させなければならな
い。移動ストロークS1,S2は加工されるウエーハ2
5のエッジ部の通常1mm以下である巾W、厚さTに比
較して非常に長い。
As shown in FIG. 6 and FIG.
In order to machine the edge portion 90 of the wafer 5, the wafer 25 or the disk-shaped rotary grindstone 72 or 73 must be moved. The moving strokes S1 and S2 are the wafer 2 to be machined.
5 is much longer than the width W and thickness T of the edge portion, which are usually 1 mm or less.

【0022】そこでZ軸移動の場合、図8(b)に示す
様に転がり案内方式を用いた場合、前記した様に全移動
ストロークS2にわたって周期の長い振巾であるaの振
動がZ方向に垂直方向に発生する。移動ストロークS2
の間で加工中はウエーハ25と円板状回転砥石72又は
73は常に接触しているから、この振動はウエーハ25
の厚み方向の加工ストロークTにおいて図8(c)に示
す様に振巾aはそのままで、移動ストロークS2が加工
ストロークTに凝縮した形になってウエーハ25の振動
となってあらわれ加工面に転写されることになる。
Therefore, in the case of the Z-axis movement, when the rolling guide method is used as shown in FIG. 8B, as described above, the vibration of the amplitude a having a long cycle over the entire movement stroke S2 is caused in the Z direction. Occurs vertically. Moving stroke S2
Since the wafer 25 and the disk-shaped rotary grindstone 72 or 73 are always in contact during the machining, the vibration is generated by the wafer 25.
8 (c), the moving stroke S2 is condensed into the processing stroke T, and appears as the vibration of the wafer 25, and is transferred to the processing surface. Will be done.

【0023】又、Y軸移動の場合は、図8(d)に示す
様にサドル66bが転がりユニット66cによって案内
されることにより図9(d)に示す様に振巾bの周期の
長い振動が移動ストロークS1にわたって発生し、これ
がZ軸の場合と同様にエッジ部90の巾Wの長さに凝縮
され、加工時のストロークは図8(e)に示す形になり
あらわれる。
In the case of Y-axis movement, the saddle 66b is guided by the rolling unit 66c as shown in FIG. 8 (d), so that the vibration of the amplitude b is long as shown in FIG. 9 (d). Is generated over the movement stroke S1, which is condensed to the width W of the edge portion 90 as in the case of the Z axis, and the stroke at the time of machining appears as shown in FIG.

【0024】この振動は、振巾はかわらないが周期は極
めて短いものとなる為、加工されるウエーハ25のエッ
ジ部90の面粗度に大きな影響を与える。このようにガ
イド機構にころがり案内方式を用いると、前述のように
加工精度に悪い影響を与える減少が発生するが、静圧軸
受を用いることにより転がり案内方式の悪影響が排除さ
れ良好な加工精度が得られ、特にウエーハのエッジを研
削加工する場合は高精度な面の加工が可能である。
This vibration does not vary in amplitude but has a very short cycle, and thus has a great influence on the surface roughness of the edge 90 of the wafer 25 to be processed. As described above, when the rolling guide method is used for the guide mechanism, a decrease that adversely affects the processing accuracy occurs as described above.However, by using the hydrostatic bearing, the adverse effect of the rolling guide method is eliminated, and good processing accuracy is achieved. Obtained, especially when grinding the edge of the wafer, it is possible to process the surface with high precision.

【0025】前記の実施形態によって期待できる効果に
ついて、以下に記載する。・ この実施形態のウエーハ
25のエッジ研削装置においては、外周に平坦状の研削
作用面を有する円板状回転砥石72,73が、ウエーハ
25の回転軸線と直交する軸線の周りで回転可能に配設
されている。そして、この円板状回転砥石72,73と
ウエーハ25とが、円板状回転砥石72,73の回転軸
線を含む平面内のY方向、並びにウエーハ25の回転軸
線に沿ったZ方向に相対移動されて、ウエーハ25の外
周縁が研削されるようになっている。さらに、円板状回
転砥石72,73とウエーハ25とをY方向及びZ方向
に相対移動させる移動構成のうちで、特にZ方向の移動
構成に、静圧軸受42,46を含むガイド機構が設けら
れている。
The effects that can be expected from the above embodiment will be described below. In the edge grinding apparatus for the wafer 25 of this embodiment, the disc-shaped rotary grindstones 72 and 73 having a flat grinding surface on the outer periphery are rotatably arranged around an axis orthogonal to the rotation axis of the wafer 25. Has been established. Then, the disk-shaped rotary grindstones 72 and 73 and the wafer 25 relatively move in the Y direction in a plane including the rotation axis of the disk-shaped rotary grindstones 72 and 73 and in the Z direction along the rotation axis of the wafer 25. Then, the outer peripheral edge of the wafer 25 is ground. Further, among the moving configurations for relatively moving the disk-shaped rotary grindstones 72 and 73 and the wafer 25 in the Y direction and the Z direction, a guide mechanism including the hydrostatic bearings 42 and 46 is provided in the moving configuration in the Z direction. Have been.

【0026】このため、ウエーハ25が少なくともZ方
向に移動される際には、静圧軸受42,46を含むガイ
ド機構により、円板状回転砥石72B,73とウエーハ
25との相対移動が円滑に行われる。よって、転がり軸
受を含むガイド機構を備えた従来構成とは異なって、円
板状回転砥石72,73とウエーハ25との相対移動時
に振動が発生するのを防止することができて、ウエーハ
25の研削面の加工精度を向上させることができる。
Therefore, when the wafer 25 is moved at least in the Z direction, the relative movement between the disc-shaped rotary grindstones 72B and 73 and the wafer 25 is smoothly performed by the guide mechanism including the hydrostatic bearings 42 and 46. Done. Therefore, unlike the conventional configuration including the guide mechanism including the rolling bearing, it is possible to prevent the occurrence of vibration during the relative movement between the disk-shaped rotary grindstones 72 and 73 and the wafer 25, and to prevent the wafer 25 from moving. The processing accuracy of the ground surface can be improved.

【0027】・ 加工ヘッド67のY方向の移動構成に
も、静圧軸受80を含むガイド機構が設けられている。
このため、円板状回転砥石72,73とウエーハ25と
が円板状回転砥石72,73の回転軸線を含む平面内の
Y方向に相対移動される際にも、静圧軸受80を含むガ
イド機構により、円板状回転砥石72,73とウエーハ
25との相対移動が円滑に行われる。よって、円板状回
転砥石72,73とウエーハ25とのY方向の相対移動
時にも振動が発生するのを防止することができて、ウエ
ーハ25の研削面の加工精度を一層向上させることがで
きる。
A guide mechanism including a hydrostatic bearing 80 is also provided in the moving configuration of the processing head 67 in the Y direction.
Therefore, even when the disc-shaped rotary grindstones 72 and 73 and the wafer 25 are relatively moved in the Y direction within a plane including the rotation axis of the disc-shaped rotary grindstones 72 and 73, the guide including the hydrostatic bearing 80 is also provided. By the mechanism, the relative movement between the disc-shaped rotary grindstones 72 and 73 and the wafer 25 is smoothly performed. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of vibration even when the disc-shaped rotary grindstones 72 and 73 and the wafer 25 are relatively moved in the Y direction, and it is possible to further improve the processing accuracy of the ground surface of the wafer 25. .

【0028】・ ウエーハ25の回転を支持する機構に
も、静圧軸受46が設けられている。このため、ウエー
ハ25が円滑に回転されるように支持され、ウエーハ2
5の研削面の加工精度をさらに向上させることができ
る。
A mechanism for supporting the rotation of the wafer 25 is also provided with a hydrostatic bearing 46. For this reason, the wafer 25 is supported so as to be smoothly rotated, and the wafer 2 is supported.
The processing accuracy of the ground surface of No. 5 can be further improved.

【0029】なお、この実施形態は、次のように変更し
て具体化することも可能である。・ 前記実施形態で
は、コストダウンのために、加工に関係する移動軸のみ
静圧軸受を用いたが、円板状回転砥石72,73をX方
向及びS方向に相対移動させる際にも静圧軸受を使用す
ること。
This embodiment can be modified and embodied as follows. In the above embodiment, in order to reduce the cost, the hydrostatic bearing is used only for the moving shaft related to the machining. Use bearings.

【0030】・ この発明をウエーハ以外の円形薄板の
エッジを研削する研削装置に具体化すること。
The present invention is embodied in a grinding apparatus for grinding the edge of a circular thin plate other than a wafer.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上実施形態において例示したように、
この発明においては、円形薄板と円板状回転砥石との間
の相対移動をガイドするためのガイド機構を静圧軸受に
より構成したことにより、砥石とウエーハとのZ方向及
びY方向の相対移動時に振動が発生するのを防止するこ
とができて、研削面の加工精度を向上させることができ
る。
As exemplified in the above embodiment,
In the present invention, the guide mechanism for guiding the relative movement between the circular thin plate and the disk-shaped rotary grindstone is constituted by the hydrostatic bearing, so that the relative movement between the grindstone and the wafer in the Z direction and the Y direction is achieved. Vibration can be prevented from occurring, and the processing accuracy of the ground surface can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明を具体化したエッジ研削装置を示す
正面図。
FIG. 1 is a front view showing an edge grinding device embodying the present invention.

【図2】 同じくエッジ研削装置の平面図。FIG. 2 is a plan view of the edge grinding device.

【図3】 ウエーハの吸着機構部を拡大して示す要部断
面図。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a wafer suction mechanism.

【図4】 一般的は転がりユニットを示し、(a)はそ
の側面図、(b)は振動を示す線図。
FIGS. 4A and 4B generally show a rolling unit, FIG. 4A is a side view thereof, and FIG. 4B is a diagram showing vibration.

【図5】 エッジ研削機構部のX,Y方向の軸受構成を
示す要部断面図。
FIG. 5 is a sectional view of a main part showing a bearing configuration in the X and Y directions of an edge grinding mechanism.

【図6】 荒研削砥石及び仕上げ研削砥石による研削を
示す説明図。
FIG. 6 is an explanatory view showing grinding by a rough grinding wheel and a finish grinding wheel.

【図7】 荒研削砥石及び仕上げ研削砥石による研削を
示す簡略断面図。
FIG. 7 is a simplified sectional view showing grinding by a rough grinding wheel and a finish grinding wheel.

【図8】 実施形態の作用を示し、(a)は加工部を示
す模式図、(b)は転がり案内方式を用いた場合のZ方
向移動における振幅を示す線図、(c)はそれを凝縮し
た線図、(d)は転がり案内方式を用いた場合のY方向
移動における振幅を示す線図、(e)はそれを凝縮した
線図。
8A and 8B show the operation of the embodiment, FIG. 8A is a schematic diagram showing a processing portion, FIG. 8B is a diagram showing amplitude in Z-direction movement when a rolling guide system is used, and FIG. FIG. 4D is a condensed diagram, FIG. 4D is a diagram showing the amplitude in the Y-direction movement when the rolling guide system is used, and FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

23…ウエーハ吸着機構部、24…エッジ研削機構部、
25…円形薄板としてのウエーハ、42…Z方向のガイ
ド機構を構成する静圧軸受、46…Z方向のガイド機構
を構成する静圧軸受、57…静圧軸受、63…X方向ガ
イドレール、64…移動台、65…Y方向ガイドロッ
ド、67…加工ヘッド、81…X方向のガイド機構を構
成する静圧軸受、82…Y方向のガイド機構を構成する
静圧軸受。
23: wafer suction mechanism, 24: edge grinding mechanism,
25: a wafer as a circular thin plate; 42, a static pressure bearing constituting a Z-direction guide mechanism; 46, a static pressure bearing constituting a Z-direction guide mechanism; 57, a static pressure bearing; 63, an X-direction guide rail; ... Moving table, 65... Y-direction guide rod, 67... Machining head, 81... Hydrostatic bearing constituting a guide mechanism in the X direction, 82.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 道浩 富山県東砺波郡福野町100番地 株式会社 日平トヤマ富山工場内 Fターム(参考) 3C049 AA03 AA13 AA16 AA18 AB03 AB06 BB02 BB06 CA01 CB01 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Michihiro Takada 100 Fukuno-cho, Higashi-Tonami-gun, Toyama Prefecture F-term (reference) at Hiyama Toyama Toyama Plant (reference) 3C049 AA03 AA13 AA16 AA18 AB03 AB06 BB02 BB06 CA01 CB01

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 円形薄板を回転させながら、円形薄板と
外周に研削作用面を有する円板状砥石とを、円形薄板の
表裏両面間において相対移動させて、円形薄板のエッジ
を研削するようにしたエッジ研削装置において、 前記加工を行うための相対移動をガイドするようにした
ガイド機構のみを静圧軸受により構成した円形薄板のエ
ッジ研削装置。
1. A method in which a circular thin plate and a disk-shaped grindstone having a grinding surface on an outer periphery are relatively moved between the front and back surfaces of the circular thin plate while rotating the circular thin plate to grind an edge of the circular thin plate. An edge grinding apparatus for a circular thin plate, comprising only a guide mechanism configured to guide relative movement for performing the processing by a hydrostatic bearing.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112338681A (en) * 2020-09-03 2021-02-09 安徽霍山龙鑫金属科技有限公司 Casting is with automatic grinding machanism of rising head
CN112338681B (en) * 2020-09-03 2022-05-03 安徽昕悦铸造科技有限公司 Casting is with automatic grinding machanism of rising head

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