JP2000286259A - Method for forming insulation film and semiconductor device using the same - Google Patents
Method for forming insulation film and semiconductor device using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁膜の形成方法
とそれを用いた半導体装置に関する。The present invention relates to a method for forming an insulating film and a semiconductor device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効
果トランジスタ）は、今日の最も集積された回路の基で
ある。最終用途に従ってあらゆる半導体ＭＯＳＦＥＴが
装置に用いられているが、シリコンＭＯＳＦＥＴが最も
広く用いられているＭＯＳＦＥＴである。シリコンＭＯ
ＳＦＥＴが広範囲に利用されている主な理由は、シリコ
ン半導体上に良質の界面でＳｉＯ2絶縁膜を成長するこ
とが比較的容易であることである。そのような酸化物
は、シリコン半導体を酸化環境中にて約１０００℃の温
度で加熱することにより機械的に成長する。ドープ剤の
主な拡散はほぼ１０００℃の温度でおこるので、その酸
化過程の好ましくない副作用として半導体中でのドープ
剤プロファイルの再配分がある。よって、その過程の温
度を出来るだけ低くすることが好ましい。また、液晶表
示装置（ＬＣＤ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）も４３０℃以下の温度で形成されるＳｉＯ2膜を使
った金属酸化物半導体（ＭＯＳ）構造を有する、という
のはＬＣＤが用いるガラス基板は４３０℃を超えると歪
むからである。そのような低温度でのシリコン酸化率は
低すぎて実用価値がないために、 蒸着ＳｉＯ2膜はＬＣ
Ｄ用として現在用いられている。2. Description of the Related Art MOSFETs (metal oxide semiconductor field effect transistors) are the basis of today's most integrated circuits. Although any semiconductor MOSFET is used in the device according to the end use, a silicon MOSFET is the most widely used MOSFET. Silicon MO
The main reason why SFETs are widely used is that it is relatively easy to grow a SiO 2 insulating film on a silicon semiconductor at a good quality interface. Such oxides grow mechanically by heating a silicon semiconductor at a temperature of about 1000 ° C. in an oxidizing environment. Since the main diffusion of the dopant takes place at a temperature of approximately 1000 ° C., an undesirable side effect of the oxidation process is the redistribution of the dopant profile in the semiconductor. Therefore, it is preferable to lower the temperature in the process as much as possible. In addition, a thin film transistor (TF) used for a liquid crystal display (LCD)
T) also has a metal oxide semiconductor (MOS) structure using a SiO 2 film formed at a temperature of 430 ° C. or less, because the glass substrate used for LCDs is distorted when the temperature exceeds 430 ° C. Since the silicon oxidation rate at such a low temperature is too low and has no practical value, the deposited SiO 2 film is LC
Currently used for D.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の蒸着酸化物は例えば、誘電強度の低下、漏れ電流の増
加、そして界面の高密度化など熱成長するものよりも劣
った特性を有しており、それによりそれを用いるＴＦＴ
の性質が劣る結果となる。However, these deposited oxides have inferior properties to those grown by heat, such as, for example, a decrease in dielectric strength, an increase in leakage current, and an increase in interface density. , Thereby using TFT
Result in inferior properties.
【０００４】よって、熱酸化処理で得られるものに近い
特性を有する酸化膜を低温度で成長することが好まし
い。Therefore, it is preferable to grow an oxide film having characteristics close to those obtained by the thermal oxidation process at a low temperature.
【０００５】本発明では、およそ１０００℃での熱酸化
処理により得られたものと同等の特性を有する膜を１０
０℃という温度の低さで成長する方法を提供する。According to the present invention, a film having characteristics equivalent to those obtained by a thermal oxidation treatment at about 1000 ° C.
A method for growing at a temperature as low as 0 ° C. is provided.
【０００６】シリコン基板上に成長させる酸化膜として
は、シリコンを酸素またはその過程で用いる酸化剤と反
応させる必要がある。熱酸化処理に一般的に用いられる
酸素分子またはＨ2Ｏから実用率で酸化物を成長するに
は、約１０００℃の温度が必要とされる。その反面、酸
素原子または酸素ラジカルはシリコンと容易に反応し、
ＳｉＯ2膜を形成する。よって、低温度でＳｉＯ2膜を形
成する重要なステップとしては、酸素原子または酸素ラ
ジカルを低温度で生ずることである。As an oxide film to be grown on a silicon substrate, it is necessary to react silicon with oxygen or an oxidizing agent used in the process. A temperature of about 1000 ° C. is required to grow an oxide at a practical rate from molecular oxygen or H 2 O, which is generally used for thermal oxidation. On the other hand, oxygen atoms or oxygen radicals react easily with silicon,
An SiO 2 film is formed. Therefore, an important step in forming a SiO 2 film at a low temperature is to generate oxygen atoms or oxygen radicals at a low temperature.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項１の発明は、希ガスと酸化ガスの混合ガス
を流出し、酸素原子とラジカルを含むプラズマを発生す
るためにＲＦ（無線周波）パワーを加え、それにより酸
素原子とラジカルがシリコンと反応してＳｉＯ2を形成
することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is a method for generating a plasma containing oxygen atoms and radicals by flowing a mixed gas of a rare gas and an oxidizing gas. (Radio frequency) power is applied, whereby oxygen atoms and radicals react with silicon to form SiO 2 .
【０００８】また、請求項２の発明は、希ガスと酸化ガ
スの混合ガスを流出し、酸素原子とラジカルを含むプラ
ズマを発生するためにＲＦ（無線周波）パワーを加え、
それにより酸素原子とラジカルがシリコンと反応してＳ
ｉＯ2を形成し、前記ＳｉＯ2は続いて２００℃から６０
０℃までの炉内アニール、急速熱アニール、またはレー
ザーアニール処理されてその特性をさらに高めることを
特徴とする。According to a second aspect of the present invention, a mixed gas of a rare gas and an oxidizing gas is discharged, and RF (radio frequency) power is applied to generate a plasma containing oxygen atoms and radicals.
As a result, oxygen atoms and radicals react with silicon to form S
iO 2 is formed, the SiO 2 from subsequently 200 ° C. 60
It is characterized in that it is subjected to furnace annealing, rapid thermal annealing or laser annealing up to 0 ° C. to further enhance its characteristics.
【０００９】更に、請求項３の発明は、前記アニール処
理の環境は水素を含むことを特徴とする。Further, the invention of claim 3 is characterized in that the environment of the annealing treatment contains hydrogen.
【００１０】また、請求項４の発明は、前記希ガスがヘ
リウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、ま
たは複数の希ガスの混合ガスであることを特徴とする。The invention of claim 4 is characterized in that the rare gas is helium, argon, neon, krypton, xenon, or a mixed gas of a plurality of rare gases.
【００１１】更に、請求項５の発明は、前記酸化ガスが
酸素であることを特徴とする。Further, the invention of claim 5 is characterized in that the oxidizing gas is oxygen.
【００１２】また、請求項６の発明は、前記酸化ガスが
Ｈ2Ｏであることを特徴とする。Further, the invention of claim 6 is characterized in that the oxidizing gas is H 2 O.
【００１３】更に、請求項７の発明は、前記酸化ガスが
Ｎ2Ｏであることを特徴とする。Furthermore, the invention of claim 7 is characterized in that the oxidizing gas is N 2 O.
【００１４】また、請求項８の発明は、前記酸化ガスが
Ｎ2ＯとＯ2の混合ガス、Ｎ2ＯとＨ2Ｏの混合ガス、Ｈ2
ＯとＯ2の混合ガス、またはＯ2とＨ2ＯとＮ2Ｏの混合ガ
スであることを特徴とする。Further, according to the invention of claim 8, the oxidizing gas is a mixed gas of N 2 O and O 2, a mixed gas of N 2 O and H 2 O, H 2
It is a mixed gas of O and O 2 or a mixed gas of O 2 , H 2 O and N 2 O.
【００１５】また、請求項９の発明は、混合ガス中にお
いての前記酸化ガスの割合が１パーセントから１５パー
セントまでであることを特徴とする。Further, the invention of claim 9 is characterized in that the ratio of the oxidizing gas in the mixed gas is from 1% to 15%.
【００１６】更に、請求項１０の発明は、前記ＲＦ（無
線周波）密度が０.１Ｗ/ｃｍ2から１.５Ｗ/ｃｍ2までで
あることを特徴とする。Furthermore, the invention of claim 10 is characterized in that the RF (radio frequency) density is from 0.1 W / cm 2 to 1.5 W / cm 2 .
【００１７】また、請求項１１の発明は、前記酸化過程
においての温度が室温から６００℃までであることを特
徴とする。Further, the invention of claim 11 is characterized in that the temperature in the oxidation step is from room temperature to 600 ° C.
【００１８】また、請求項１２の発明は、酸化処理中の
好ましい温度が１００℃から４００℃までであることを
特徴とする。A twelfth aspect of the present invention is characterized in that the preferable temperature during the oxidation treatment is from 100 ° C to 400 ° C.
【００１９】また、 請求項１３の発明は、酸化処理中
の圧力が１００ｍトルから４０００ｍトルまでであるこ
とを特徴とする。Further, the invention of claim 13 is characterized in that the pressure during the oxidation treatment is from 100 mTorr to 4000 mTorr.
【００２０】更に、請求項１４の発明は、１０パーセン
ト以下の窒素を混合ガスに加えることを特徴とする。Further, the invention according to claim 14 is characterized in that 10% or less of nitrogen is added to the mixed gas.
【００２１】また、請求項１５の発明は、フッ素を１パ
ーセント以下含む化合物を混合ガスに加えることを特徴
とする。The invention according to claim 15 is characterized in that a compound containing 1% or less of fluorine is added to the mixed gas.
【００２２】また、請求項１６の発明は、１０パーセン
ト以下の窒素と、フッ素を１パーセント以下含む化合物
とを混合ガスに加えることを特徴とする。The invention of claim 16 is characterized in that 10% or less of nitrogen and a compound containing 1% or less of fluorine are added to the mixed gas.
【００２３】また、 請求項１７の発明は、酸化される
物質が、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリ
コン、アモルファスシリコン、または水素添加アモルフ
ァスシリコンであることを特徴とする。The invention according to claim 17 is characterized in that the substance to be oxidized is single crystal silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, amorphous silicon, or hydrogenated amorphous silicon.
【００２４】更に、請求項１８の発明は、前記請求項１
から請求項１７の方法を用いた金属酸化物半導体電界効
果トランジスタデバイスまたは薄膜トランジスタデバイ
スであることを特徴とする。Further, the invention of claim 18 is the invention according to claim 1.
18. A metal oxide semiconductor field effect transistor device or a thin film transistor device using the method according to any one of claims 17 to 17.
【００２５】また、請求項１９の発明は、前記請求項１
から請求項１７の方法において、形成されたＳｉＯ2膜
が金属酸化物半導体電界効果トランジスタデバイスまた
は薄膜トランジスタデバイスのゲート誘電材料、または
そのゲート誘電材料の一部として用いられることを特徴
とする。Further, the invention of claim 19 is the invention according to claim 1.
18. The method according to claim 17, wherein the formed SiO 2 film is used as a gate dielectric material of a metal oxide semiconductor field effect transistor device or a thin film transistor device, or as a part of the gate dielectric material.
【００２６】更に、請求項２０ の発明は、請求項１８
と請求項１に基づいて形成されたＴＦＴを用いる液晶表
示装置であることを特徴とする。Further, the invention of claim 20 is the invention of claim 18
And a liquid crystal display device using a TFT formed according to claim 1.
【００２７】上記の手段によれば、酸素原子および酸素
ラジカルを発生するために、酸素と希ガス（例えば、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）との混合ガスを使った。
その希ガスは、ＲＦ（無線周波）バイアスを加えること
により高エネルギー準位状態に容易に励起できる。この
希ガスの励起状態と基底状態とのエネルギー準位の相違
は、酸素原子と酸素分子とのエネルギー準位の相違より
も大きい。例えば、ヘリウムの励起状態レベルは、その
基底状態レベルよりも１９.８ｅＶ高い。アルゴンの場
合では、この値が１１.６ｅＶである。酸素分子から原
子状態に変化するために必要なエネルギーは、軌道レベ
ルでの配置に従い７ｅＶから１１.６ｅＶまでと多様で
ある。よって、励起した希ガス分子がそのエネルギーを
酸素分子に放出すると、酸素原子およびラジカルを発生
することが出来る。According to the above means, in order to generate oxygen atoms and oxygen radicals, oxygen and a rare gas (for example, H
e, Ne, Ar, Kr, Xe).
The noble gas can be easily excited to a high energy state by applying an RF (radio frequency) bias. The difference in energy level between the excited state and the ground state of the rare gas is larger than the difference in energy level between oxygen atoms and oxygen molecules. For example, the excited state level of helium is 19.8 eV higher than its ground state level. In the case of argon, this value is 11.6 eV. The energy required to change from an oxygen molecule to an atomic state varies from 7 eV to 11.6 eV according to the arrangement at the orbital level. Therefore, when the excited rare gas molecules release their energy to oxygen molecules, oxygen atoms and radicals can be generated.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る絶縁膜の形成
方法の実施形態について説明する。Next, an embodiment of a method for forming an insulating film according to the present invention will be described.
【００２９】上記概念に基づいて、以下に示す方法でシ
リコンの酸化を行なった。酸化させるシリコン基板を入
れた化学蒸着（ＣＶＤ）室に希ガスおよび酸素をあらゆ
る割合で導入した。その混合ガス中の酸素の割合を１％
から１５％に変化させた。全ガス圧力を１００ｍトルか
ら４０００ｍトルに変化させた。ＲＦ（無線周波）パワ
ーを１０００ｃｍ2の総面積に対して１００Ｗから１５
００Ｗに変化させた。温度を１００℃から４００℃に変
化させた。実験中には１００〜４００℃の温度範囲を利
用したが、ある特定の範囲よりも高いまたは低い温度を
利用することが出来る。温度が高いほど上質の酸化ケイ
素膜の形成が期待出来るが、我々の場合ではＣＶＤシス
テムの性能により温度が４００℃に制限された。Based on the above concept, silicon was oxidized by the following method. Noble gases and oxygen were introduced at all rates into a chemical vapor deposition (CVD) chamber containing the silicon substrate to be oxidized. 1% of oxygen in the mixed gas
To 15%. The total gas pressure was changed from 100 mTorr to 4000 mTorr. RF (radio frequency) power from 100 W to 15 for a total area of 1000 cm 2
00W. The temperature was changed from 100 ° C to 400 ° C. While a temperature range of 100-400 ° C. was used during the experiments, higher or lower temperatures than certain ranges can be used. The higher the temperature, the higher the quality of the silicon oxide film can be expected. However, in our case, the temperature was limited to 400 ° C. due to the performance of the CVD system.
【００３０】図１は、上記の条件に基づいてシリコン上
に成長させた酸化膜の典型的Ｃ-Ｖ曲線を示す。そのＣ-
Ｖ曲線はほぼ理想的であり、ヒステリシスがない。図２
は、本方法でＳｉＯ2膜を成長した後、中央ギャップ付
近の界面密度を示している。その界面密度の平均値は、
ほぼ６Ｅ１１/ｃｍ2-ｅＶである。実験により１０００
℃でシリコン膜を熱酸化することにより形成したＳｉＯ
2膜については、界面密度がほぼ２Ｅ１１/ｃｍ2-ｅＶで
あり、それは本発明の方法で形成した膜とかなり近しい
ものである。水銀電極を用いて測定した本発明の方法で
形成した膜の破壊強度は１５ＭＶ/ｃｍ以上であり、そ
れはまた熱酸化したものと類似している。図３は、本発
明の方法で形成した膜のＥＳＣＡ特性を示している。
ＳｉＯ2ピークと（基板の）Ｓｉピークだけがみられ
る。よって、これらの結果は、高い温度での熱酸化によ
り形成した膜に匹敵する特性を有するＳｉＯ2膜を４０
０℃またはそれ以下の温度で形成することが出来ること
を示している。FIG. 1 shows a typical CV curve of an oxide film grown on silicon under the above conditions. That C-
The V-curve is almost ideal and has no hysteresis. FIG.
Shows the interface density near the center gap after growing the SiO 2 film by this method. The average value of the interface density is
It is approximately 6E11 / cm 2 -eV. 1000 by experiment
SiO formed by thermal oxidation of silicon film at ℃
For the two films, the interface density is approximately 2E11 / cm 2 -eV, which is quite close to the film formed by the method of the present invention. The breaking strength of the film formed by the method of the present invention, measured using a mercury electrode, is greater than 15 MV / cm, which is also similar to the thermally oxidized one. FIG. 3 shows the ESCA characteristics of a film formed by the method of the present invention.
Only the SiO 2 peak and the Si peak (of the substrate) are seen. Therefore, these results indicate that a SiO 2 film having properties comparable to a film formed by thermal oxidation
This indicates that the film can be formed at a temperature of 0 ° C. or lower.
【００３１】上記の方法では、酸素が酸化剤として用い
られているが、例えばＮ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、または各種酸化剤
の混合物など他の酸化剤を用いることも出来る。In the above method, oxygen is used as an oxidizing agent, but other oxidizing agents such as N 2 O, H 2 O, or a mixture of various oxidizing agents can be used.
【００３２】本発明の形成方法は酸化剤や希ガスと共に
窒素を加えることにより改善され、成長させた酸化ケイ
素の信頼度を上げる。The forming method of the present invention is improved by adding nitrogen together with an oxidizing agent or a rare gas, and increases the reliability of the grown silicon oxide.
【００３３】本発明の形成方法はまたフッ素を含む化合
物（例えば、ＨＦ、ＮＦ3など）を混合ガスに加えるこ
とにより改善され、酸化特性を一層高める。The formation method of the present invention is also improved by adding a compound containing fluorine (for example, HF, NF 3 or the like) to the mixed gas, and further enhances the oxidation characteristics.
【００３４】また、ＳｉＯ2膜を成長した後、膜の特性
をさらに改善するためにガスアニール処理などアニール
処理を行なうことも出来る。After the growth of the SiO 2 film, an annealing process such as a gas annealing process can be performed to further improve the characteristics of the film.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明によれば、酸化膜を低温度で成長
させることができるので、その酸化過程においてドープ
剤プロファイルの再配分を抑えることができる。According to the present invention, since the oxide film can be grown at a low temperature, the redistribution of the dopant profile in the oxidation process can be suppressed.
【図１】 本発明の形成方法で成長させたＳｉＯ2膜の典
型的Ｃ-Ｖ曲線である。FIG. 1 is a typical CV curve of a SiO 2 film grown by the formation method of the present invention.
【図２】 本発明の形成方法でＳｉＯ2膜を成長させた後
のシリコンギャップエネルギーに対する界面密度（ＤＩ
Ｔ）である。FIG. 2 shows an interface density (DI) with respect to a silicon gap energy after a SiO 2 film is grown by the formation method of the present invention.
T).
【図３】 本発明の形成方法で成長させたＳｉＯ2膜のＥ
ＳＣＡ（化学分析用電子分光法）特性である。FIG. 3 shows the E of the SiO 2 film grown by the formation method of the present invention.
It is an SCA (electron spectroscopy for chemical analysis) characteristic.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３０１Ｇ 29/786 ６１７Ｖ 21/336 Ｆターム(参考） 5F040 DC01 DC08 DC09 5F045 AA08 AB32 AC11 AC16 AC17 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08 AD09 AD10 AE19 AE21 AF03 BB07 DC66 5F058 BA20 BC02 BF07 BF24 BF29 BF30 BF54 BF73 BH01 BH20 BJ01 5F110 BB01 DD02 FF02 FF21 FF23 FF36 GG12 GG13 GG14 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01L 29/78 H01L 29/78 301G 29/786 617V 21/336 F term (Reference) 5F040 DC01 DC08 DC09 5F045 AA08 AB32 AC11 AC16 AC17 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08 AD09 AD10 AE19 AE21 AF03 BB07 DC66 5F058 BA20 BC02 BF07 BF24 BF29 BF30 BF54 BF73 BH01 BH20 BJ01 5F110 BB01 DD02 FF02 FF21 FF23 FF36 GG12 GG13
Claims (20)
素原子とラジカルを含むプラズマを発生するためにＲＦ
（無線周波）パワーを加え、それにより酸素原子とラジ
カルがシリコンと反応してＳｉＯ2を形成することを特
徴とするＳｉＯ2膜の形成方法。An RF gas for discharging a mixed gas of a rare gas and an oxidizing gas to generate a plasma containing oxygen atoms and radicals.
(Radio frequency) power was added, SiO 2 film formation method which is characterized in that it the oxygen atom and the radicals to form the SiO 2 reacts with silicon.
素原子とラジカルを含むプラズマを発生するためにＲＦ
（無線周波）パワーを加え、それにより酸素原子とラジ
カルがシリコンと反応してＳｉＯ2を形成し、前記Ｓｉ
Ｏ2は続いて２００℃から６００℃までの炉内アニー
ル、急速熱アニール、またはレーザーアニール処理され
てその特性をさらに高めることを特徴とするＳｉＯ2膜
の形成方法。2. An RF gas for emitting a mixed gas of a rare gas and an oxidizing gas to generate a plasma containing oxygen atoms and radicals.
(Radio frequency) power is applied, whereby oxygen atoms and radicals react with silicon to form SiO 2 ,
A method of forming a SiO 2 film, characterized in that O 2 is subsequently subjected to furnace annealing, rapid thermal annealing or laser annealing from 200 ° C. to 600 ° C. to further enhance its characteristics.
を特徴とする請求項２に記載の形成方法。3. The method according to claim 2, wherein the environment of the annealing process contains hydrogen.
ン、クリプトン、キセノン、または複数の希ガスの混合
ガスであることを特徴とする請求項１から３に記載の形
成方法。4. The method according to claim 1, wherein the rare gas is helium, argon, neon, krypton, xenon, or a mixed gas of a plurality of rare gases.
る請求項１から４に記載の形成方法。5. The method according to claim 1, wherein the oxidizing gas is oxygen.
する請求項１から４に記載の形成方法。6. The method according to claim 1, wherein said oxidizing gas is H 2 O.
する請求項１から４に記載の形成方法。7. The forming method according to claim 1, wherein said oxidizing gas is N 2 O.
2ＯとＨ2Ｏの混合ガス、Ｈ2ＯとＯ2の混合ガス、または
Ｏ2とＨ2ＯとＮ2Ｏの混合ガスであることを特徴とする
請求項１から４に記載の形成方法。8. The oxidizing gas is a mixed gas of N 2 O and O 2 ,
5. The formation according to claim 1, wherein the mixed gas is a mixed gas of 2 O and H 2 O, a mixed gas of H 2 O and O 2 , or a mixed gas of O 2 , H 2 O and N 2 O. Method.
が１パーセントから１５パーセントまでであることを特
徴とする請求項１から８に記載の形成方法。9. The method according to claim 1, wherein the ratio of the oxidizing gas in the mixed gas is from 1% to 15%.
ｍ2から１.５Ｗ/ｃｍ2までであることを特徴とする請求
項１から９に記載の形成方法。10. The RF (radio frequency) density is 0.1 W / c.
The forming method according to claim 1, wherein the pressure is from m 2 to 1.5 W / cm 2 .
６００℃までであることを特徴とする請求項１から１０
に記載の形成方法。11. The method according to claim 1, wherein the temperature in the oxidation step is from room temperature to 600 ° C.
The forming method according to 1.
ら４００℃までであることを特徴とする請求項１から１
０に記載の形成方法。12. The method according to claim 1, wherein a preferable temperature during the oxidation treatment is from 100 ° C. to 400 ° C.
0. The method according to item 0.
０００ｍトルまでであることを特徴とする請求項１から
１２に記載の形成方法。13. The pressure during the oxidation treatment is from 100 mtorr to 4 mtorr.
13. The forming method according to claim 1, wherein the pressure is up to 000 mTorr.
加えることを特徴とする請求項１から１３に記載の形成
方法。14. The method according to claim 1, wherein 10% or less of nitrogen is added to the mixed gas.
混合ガスに加えることを特徴とする請求項１から１３に
記載の形成方法。15. The method according to claim 1, wherein a compound containing 1% or less of fluorine is added to the mixed gas.
１パーセント以下含む化合物とを混合ガスに加えること
を特徴とする請求項１から１３に記載の形成方法。16. The method according to claim 1, wherein 10% or less of nitrogen and a compound containing 1% or less of fluorine are added to the mixed gas.
結晶シリコン、微結晶シリコン、アモルファスシリコ
ン、または水素添加アモルファスシリコンであることを
特徴とする請求項１から１６に記載の形成方法。17. The method according to claim 1, wherein the substance to be oxidized is single crystal silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, amorphous silicon, or hydrogenated amorphous silicon.
化物半導体電界効果トランジスタデバイスまたは薄膜ト
ランジスタデバイス。18. A metal oxide semiconductor field effect transistor device or a thin film transistor device using the method of claim 1. Description:
体電界効果トランジスタデバイスまたは薄膜トランジス
タデバイスのゲート誘電材料、またはそのゲート誘電材
料の一部として用いられることを特徴とする請求項１か
ら１７に記載の形成方法。19. The method according to claim 1, wherein the formed SiO 2 film is used as a gate dielectric material of a metal oxide semiconductor field effect transistor device or a thin film transistor device, or as a part of the gate dielectric material. The forming method as described above.
ＦＴを用いる液晶表示装置。20. T formed in accordance with claims 18 and 1.
A liquid crystal display device using FT.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11087323A JP2000286259A (en) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | Method for forming insulation film and semiconductor device using the same |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-03-30 JP JP11087323A patent/JP2000286259A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268798A (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Sharp Corp | Method of forming oxide thin film |
| JP2006108492A (en) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Sharp Corp | Forming method of silicon oxide layer |
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