JP2000284053A - Radiation detector element - Google Patents

Radiation detector element

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JP2000284053A
JP2000284053A JP2000060707A JP2000060707A JP2000284053A JP 2000284053 A JP2000284053 A JP 2000284053A JP 2000060707 A JP2000060707 A JP 2000060707A JP 2000060707 A JP2000060707 A JP 2000060707A JP 2000284053 A JP2000284053 A JP 2000284053A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detector element having a uniform protective film easy to produce for moisture proof of a scintillator. SOLUTION: The radiation detector element comprises photo detector elements 2 arranged two-dimensionally on a board 1 and a scintillator 7 of CsI columnar crystals deposited on the detector elements 2. A parylene organic film 9 is formed, covering the top and side face of the scintillator 7 and extending to a board 1 part outside it, and the film 9 intrudes into at least top gaps among gaps of the columnar crystals of the scintillator 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、放射線検出素子、
特に、医療用のX線撮影等に用いられる大面積の受光部
を有する放射線検出素子に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a radiation detecting element,
In particular, the present invention relates to a radiation detection element having a large-area light receiving unit used for medical X-ray photography and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】医療、工業用のX線撮影では、従来、X
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、複数の画素を有する
放射線検出素子を用いて放射線による2次元画像データ
を電気信号として取得し、この信号を処理装置により処
理して、モニタ上に表示している。代表的な放射線検出
素子は、1次元あるいは2次元に配列された光検出器上
にシンチレータを配して、入射する放射線をシンチレー
タで光に変換して、検出する仕組みになっている。
2. Description of the Related Art In medical and industrial X-ray photography, conventionally, X-rays are used.
Although a line-sensitive film has been used, a radiation imaging system using a radiation detecting element has become widespread in terms of convenience and preservation of a photographed result. In such a radiation imaging system, two-dimensional image data due to radiation is acquired as an electric signal using a radiation detecting element having a plurality of pixels, and this signal is processed by a processing device and displayed on a monitor. . A typical radiation detecting element has a structure in which a scintillator is arranged on a photodetector arranged one-dimensionally or two-dimensionally, and incident radiation is converted into light by the scintillator and detected.

【0003】典型的なシンチレータ材料であるCsI
は、吸湿性材料であり、空気中の水蒸気(湿気)を吸収
して溶解する。この結果、シンチレータの特性、特に解
像度が劣化するという問題があった。
A typical scintillator material, CsI
Is a hygroscopic material, which absorbs and dissolves water vapor (moisture) in the air. As a result, there is a problem that the characteristics of the scintillator, particularly the resolution, are deteriorated.

【0004】シンチレータを湿気から保護する構造とし
た放射線検出素子としては、特開平5−196742号
公報に開示された技術が知られている。この技術では、
シンチレータ層の上部に水分不透過性の防湿バリヤを形
成することにより、シンチレータを湿気から保護してい
る。
[0004] As a radiation detecting element having a structure for protecting a scintillator from moisture, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-196742 is known. With this technology,
The scintillator is protected from moisture by forming a moisture-impermeable moisture barrier above the scintillator layer.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この技術で
は、シンチレータ層外周部の防湿バリヤを放射線検出素
子の基板に密着させることが難しく、特に、胸部X線撮
影などに用いる大面積の放射線検出素子においては、外
周部の長さが長いため、防湿バリヤがはがれやすくなっ
て、シンチレータ層が完全に密封されず、水分がシンチ
レータ層に侵入してその特性が劣化しやすいという欠点
がある。
However, in this technique, it is difficult to make the moisture-proof barrier on the outer peripheral portion of the scintillator layer adhere to the substrate of the radiation detecting element, and in particular, a large-area radiation detecting element used for chest X-ray photography or the like. However, since the length of the outer peripheral portion is long, the moisture-proof barrier is easily peeled off, so that the scintillator layer is not completely sealed, and moisture penetrates into the scintillator layer to deteriorate its characteristics.

【0006】さらに、この技術では、薄膜層、光反射層
を形成してから水分シール層を形成しているが、薄膜
層、光反射層は上面のみに形成されているので、各層を
形成する工程中におけるシンチレータ側面の防湿につい
て考慮されていない。
Further, in this technique, the moisture seal layer is formed after the thin film layer and the light reflection layer are formed. However, since the thin film layer and the light reflection layer are formed only on the upper surface, each layer is formed. No consideration is given to moisture prevention on the side of the scintillator during the process.

【0007】また、この技術では、防湿バリヤの水分シ
ール層は、シリコーンポッティング材等を液状の状態で
シンチレータ層に塗工するか、放射線検出素子の受光面
側に設置する窓材の内側にこのシリコーンポッティング
材等を塗工した後、水分シール層の乾燥前にこの窓材を
シンチレータ層上に設置することにより、水分シール層
を固定する製造方法が開示されている。この製造方法で
は、水分シール層を表面形状が不規則なシンチレータ層
上に均一に形成することが難しく、密着性が低下する可
能性がある。この点は、特に、大面積の放射線検出素子
で起こりやすい。
In this technique, the moisture sealing layer of the moisture barrier is coated with a silicone potting material or the like in a liquid state on the scintillator layer, or the moisture sealing layer is provided inside a window material provided on the light receiving surface side of the radiation detecting element. A method of fixing the moisture sealing layer by disposing a window material on the scintillator layer after applying a silicone potting material or the like and before drying the moisture sealing layer is disclosed. In this manufacturing method, it is difficult to uniformly form the moisture seal layer on the scintillator layer having an irregular surface shape, and there is a possibility that the adhesiveness is reduced. This point is particularly likely to occur in a radiation detection element having a large area.

【0008】本発明は、上記の問題点に鑑みてシンチレ
ータの防湿用に均一で製造が容易な保護膜を有する放射
線検出素子を提供することを課題とするものである。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a radiation detecting element having a uniform and easy-to-manufacture protective film for moisture prevention of a scintillator.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る放射線検出素子は、(1)複数の受光素
子を基板上に1次元あるいは2次元に配列して受光部を
形成した受光素子アレイと、(2)この受光素子上に柱状
結晶として堆積された放射線を光に変換するシンチレー
タ層と、(3)このシンチレータ層の上部および側面並び
に基板のシンチレータ層外周部を覆い、柱状結晶の少な
くとも上部の隙間に入り込んで形成されている有機膜
と、を備えていることを特徴とする。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, a radiation detecting element according to the present invention has the following features. (1) A plurality of light receiving elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on a substrate to form a light-receiving part. A light-receiving element array, (2) a scintillator layer that converts radiation deposited as columnar crystals on the light-receiving element into light, and (3) an upper part and a side surface of the scintillator layer and an outer peripheral part of the scintillator layer of the substrate, and have a columnar shape. And an organic film formed by penetrating at least the upper gap of the crystal.

【0010】本発明によれば、シンチレータ層の上部お
よび側面から基板のシンチレータ層の外周部までを覆う
ように有機膜が形成されており、この有機膜はシンチレ
ータ層の柱状結晶の上部隙間に入り込んで形成されてい
るので、有機膜がシンチレータ層に密着し、耐久性が確
保される。
According to the present invention, the organic film is formed so as to cover from the upper and side surfaces of the scintillator layer to the outer peripheral portion of the scintillator layer of the substrate, and the organic film enters the upper gap of the columnar crystal of the scintillator layer. The organic film adheres to the scintillator layer, and durability is secured.

【0011】この有機膜はシンチレータ層の外側で基板
に密着固定されていることが好ましい。このようにする
と、有機膜の周辺からの剥がれが好適に防止される。
It is preferable that the organic film is fixedly adhered to the substrate outside the scintillator layer. In this case, peeling from the periphery of the organic film is suitably prevented.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
図面に基づいて説明する。なお、理解を容易にするため
に各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り
同一の参照番号を附し、重複する説明は省略する。ま
た、各図面における寸法、形状は実際のものとは必ずし
も同一ではなく、理解を容易にするため誇張している部
分がある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in order to facilitate understanding, the same components are denoted by the same reference numerals as much as possible in each of the drawings, and redundant description will be omitted. Further, dimensions and shapes in the drawings are not necessarily the same as actual ones, and some parts are exaggerated for easy understanding.

【0013】図1は、本発明の一実施形態の上面図であ
り、図2はその外周辺部のA−A線拡大断面図である。
FIG. 1 is a top view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view taken along line AA of an outer peripheral portion thereof.

【0014】まず、図1、図2を参照して本実施形態の
構成を説明する。絶縁性、例えばガラス製の基板1上
に、光電変換を行う受光素子2が2次元上に配列され
て、受光部を形成している。この受光素子2は、アモル
ファスシリコン製のフォトダイオード(PD)や薄膜ト
ランジスタ(TFT)から構成されている。各行又は各
列の受光素子2の各々は、信号読み出し用の信号線3に
より電気的に接続されている。外部回路(図示していな
い)へ信号を取り出すための複数のボンディングパッド
4は、基板1の外周辺、例えば隣接する2辺、に沿って
配置されており、信号線3を介して対応する複数の受光
素子2に電気的に接続されている。受光素子2及び信号
線3上には、絶縁性のパッシベーション膜5が形成され
ている。このパッシベーション膜5には、窒化シリコ
ン、又は酸化シリコンを用いることが好ましい。一方、
ボンディングパッド4は、外部回路との接続のために露
出されている。以下、この基板及び基板上の回路部分を
受光素子アレイ6と呼ぶ。
First, the configuration of the present embodiment will be described with reference to FIGS. Light receiving elements 2 that perform photoelectric conversion are two-dimensionally arranged on an insulating, for example, glass substrate 1 to form a light receiving section. The light receiving element 2 is composed of a photodiode (PD) and a thin film transistor (TFT) made of amorphous silicon. Each of the light receiving elements 2 in each row or each column is electrically connected by a signal line 3 for signal reading. A plurality of bonding pads 4 for extracting a signal to an external circuit (not shown) are arranged along the outer periphery of the substrate 1, for example, along two adjacent sides, and a plurality of bonding pads 4 are provided via the signal line 3. Are electrically connected to the light receiving element 2. An insulating passivation film 5 is formed on the light receiving element 2 and the signal line 3. This passivation film 5 is preferably made of silicon nitride or silicon oxide. on the other hand,
The bonding pad 4 is exposed for connection with an external circuit. Hereinafter, the substrate and the circuit portion on the substrate are referred to as a light receiving element array 6.

【0015】受光素子アレイ6の受光部上には、入射し
た放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ7
が形成されている。シンチレータ7には、各種の材料を
用いることができるが、発光効率が良いTlドープのC
sI等が好ましい。また、受光素子アレイ6の受光部の
外周を囲み、ボンディングパッドの内側位置には、細長
い枠状に形成された樹脂製の樹脂枠8が配置されてい
る。この樹脂枠8には、シリコン樹脂である信越化学製
のKJR651あるいはKE4897、東芝シリコン製
TSE397、住友3M製DYMAX625T等を用い
ることが好ましい。これらは、半導体素子の機械的、電
気的保護のための表面処理用に広く用いられており、後
述する上部に形成される保護膜12との密着性も高いか
らである。
On the light receiving portion of the light receiving element array 6, a scintillator 7 having a columnar structure for converting incident radiation into visible light is provided.
Are formed. Although various materials can be used for the scintillator 7, Tl-doped C
sI and the like are preferred. In addition, a resin frame 8 made of a resin and formed in an elongated frame shape is arranged at an inner position of the bonding pad, surrounding the outer periphery of the light receiving portion of the light receiving element array 6. The resin frame 8 is preferably made of silicon resin such as KJR651 or KE4897 manufactured by Shin-Etsu Chemical, TSE397 manufactured by Toshiba Silicon, DYMAX625T manufactured by Sumitomo 3M, or the like. These are widely used for surface treatment for mechanical and electrical protection of a semiconductor element, and have high adhesion to a protective film 12 formed on an upper portion described later.

【0016】樹脂枠8の枠内のシンチレータ7上には、
いずれもX線を透過し、水蒸気を遮断する第1の有機膜
9と、無機膜10と、第2の有機膜11とがそれぞれ積
層されて保護膜12を形成している。
On the scintillator 7 in the frame of the resin frame 8,
In each case, a first organic film 9 that transmits X-rays and blocks water vapor, an inorganic film 10, and a second organic film 11 are respectively laminated to form a protective film 12.

【0017】第1の有機膜9と第2の有機膜11には、
ポリパラキシリレン樹脂(スリーボンド社製、商品名パ
リレン)、特にポリパラクロロキシリレン(同社製、商
品名パリレンC)を用いることが好ましい。パリレンに
よるコーティング膜は、水蒸気及びガスの透過が極めて
少なく、撥水性、耐薬品性も高いほか、薄膜でも優れた
電気絶縁性を有し、放射線、可視光線に対して透明であ
るなど有機膜9、11にふさわしい優れた特徴を有して
いる。パリレンによるコーティングの詳細については、
スリーボンド・テクニカルニュース(平成4年9月23
日発行)に記されており、ここでは、その特徴を述べ
る。
The first organic film 9 and the second organic film 11 include:
It is preferable to use a polyparaxylylene resin (trade name: Parylene, manufactured by Three Bond Co., Ltd.), particularly, polyparachloroxylylene (trade name: Parylene C, manufactured by the company). The parylene coating film has very low water vapor and gas permeability, high water repellency, high chemical resistance, has excellent electrical insulation even in a thin film, and is transparent to radiation and visible light. , 11 have excellent characteristics. For more information on parylene coating,
Three Bond Technical News (September 23, 1992
This issue is described here.

【0018】パリレンは、金属の真空蒸着と同様に真空
中で支持体の上に蒸着する化学的蒸着(CVD)法によ
ってコーティングすることができる。これは、原料とな
るジパラキシリレンモノマーを熱分解して、生成物をト
ルエン、ベンゼンなどの有機溶媒中で急冷しダイマーと
呼ばれるジパラキシリレンを得る工程と、このダイマー
を熱分解して、安定したラジカルパラキシリレンガスを
生成させる工程と、発生したガスを素材上に吸着、重合
させて分子量約50万のポリパラキシリレン膜を重合形
成させる工程からなる。
Parylene can be coated by chemical vapor deposition (CVD), which is deposited on a support in a vacuum, similar to vacuum deposition of metals. This is a process of thermally decomposing diparaxylylene monomer as a raw material, rapidly cooling the product in an organic solvent such as toluene and benzene to obtain diparaxylylene called a dimer, and thermally decomposing the dimer to be stable. It comprises a step of generating a radical paraxylylene gas, and a step of polymerizing and forming a polyparaxylylene film having a molecular weight of about 500,000 by adsorbing and polymerizing the generated gas on a material.

【0019】パリレン蒸着と金属の真空蒸着には、2つ
の大きな違いがある。まず、パリレン蒸着時の圧力は、
金属真空蒸着の場合の圧力0.001トールに比べて高
い0.1〜0.2トールであること、そして、パリレン
の蒸着の適応係数が金属蒸着の適応係数1に比べて2桁
から4桁低いことである。このため、蒸着時には、単分
子膜が被着物全体を覆った後、その上にパリレンが蒸着
していく。したがって、0.2μm厚さからの薄膜をピ
ンホールのない状態で均一な厚さに生成することがで
き、液状では不可能だった鋭角部やエッジ部、ミクロン
オーダの狭い隙間へのコーティングも可能である。ま
た、コーティング時に熱処理等を必要とせず、室温に近
い温度でのコーティングが可能なため、硬化に伴う機械
的応力や熱歪みが発生せず、コーティングの安定性にも
優れている。さらに、ほとんどの固体材料へのコーティ
ングが可能である。
There are two major differences between parylene deposition and metal vacuum deposition. First, the pressure during parylene deposition is
The pressure is 0.1 to 0.2 Torr, which is higher than the pressure of 0.001 Torr in the case of metal vacuum deposition, and the adaptation coefficient of parylene deposition is 2 to 4 digits compared to the adaptation coefficient 1 of metal deposition. It is low. For this reason, at the time of vapor deposition, after the monomolecular film covers the entire adherend, parylene is vapor-deposited thereon. Therefore, a thin film with a thickness of 0.2 μm can be formed to a uniform thickness without pinholes, and it is possible to coat sharp corners, edges, and narrow gaps on the order of microns, which were impossible with liquids. It is. Further, since heat treatment or the like is not required at the time of coating and coating can be performed at a temperature close to room temperature, no mechanical stress or thermal distortion due to curing occurs, and the coating has excellent stability. In addition, coatings on most solid materials are possible.

【0020】また、無機膜10にはX線透過性であれ
ば、可視光に対しては、透明、不透明、反射性などの各
種の材料を用いることができ、Si、Ti、Crの酸化
膜や金、銀、アルミなどの金属薄膜が使用できる。特
に、可視光に対して反射性の膜を用いると、シンチレー
タ7で発生した蛍光が外に漏れるのを防ぎ感度を上昇さ
せる効果があるので好ましい。ここでは、成形が容易な
Alを用いた例について説明する。Al自体は空気中で
腐蝕しやすいが、無機膜10は、第1の有機膜9及び第
2の有機膜11で挟まれているため、腐蝕から守られて
いる。
As long as the inorganic film 10 is transparent to X-rays, various materials such as transparent, opaque, and reflective materials can be used for visible light, and oxide films of Si, Ti, and Cr can be used. Metal films such as gold, silver, and aluminum can be used. In particular, it is preferable to use a film that reflects visible light, because it has the effect of preventing the fluorescence generated by the scintillator 7 from leaking outside and increasing the sensitivity. Here, an example using Al which is easy to mold will be described. Al itself is easily corroded in the air, but the inorganic film 10 is protected from corrosion because it is sandwiched between the first organic film 9 and the second organic film 11.

【0021】この保護膜12は、前述したパリレンコー
ティングによって形成されるが、CVD法によって形成
されるため、受光素子アレイ6の表面全体を覆うように
形成される。そのため、ボンディングパッド4を露出さ
せるためには、ボンディングパッド4より内側でパリレ
ンコーティングで形成された保護膜12を切断して、外
部の保護膜12を除去する必要がある。後述するよう
に、樹脂枠8の枠部分の略中心付近で保護膜12を切断
することにより、保護膜12の外周部は樹脂枠8によっ
て固定されるので、保護膜12が外周部からはがれるの
を防止することができる。さらに、この保護膜12の外
周部は、被覆樹脂13によってその下の樹脂枠8ととも
にコーティングされている。被覆樹脂13には、保護膜
12及び樹脂枠8への接着性が良好な樹脂、例えば例え
ばアクリル系接着剤である協立化学産業株式会社製WO
RLD ROCK No.801−SET2(70,0
00cPタイプ)を用いることが好ましい。この樹脂接
着剤は、100mW/cm2の紫外線照射により約20
秒で硬化し、効果皮膜は柔軟かつ十分な強度を有し、耐
湿、耐水、耐電触性、耐マイグレーション性に優れてお
り、各種材料、特にガラス、プラスチック等への接着性
が良好で、被覆樹脂13として好ましい特性を有する。
あるいは、樹脂枠8と同じシリコン樹脂を用いてもよ
い。または、樹脂枠8にこの被覆樹脂13とおなじアク
リル系接着剤を用いてもよい。
The protective film 12 is formed by the above-described parylene coating, but is formed by the CVD method, so that it is formed so as to cover the entire surface of the light receiving element array 6. Therefore, in order to expose the bonding pad 4, it is necessary to cut the protective film 12 formed of the parylene coating inside the bonding pad 4 and remove the external protective film 12. As will be described later, by cutting the protective film 12 near the center of the frame portion of the resin frame 8, the outer peripheral portion of the protective film 12 is fixed by the resin frame 8, so that the protective film 12 comes off from the outer peripheral portion. Can be prevented. Further, the outer peripheral portion of the protective film 12 is coated with a coating resin 13 together with the resin frame 8 thereunder. The coating resin 13 is a resin having good adhesion to the protective film 12 and the resin frame 8, for example, an acrylic adhesive such as WO
RLD ROCK No. 801-SET2 (70,0
00cP type). This resin adhesive is irradiated with ultraviolet rays of 100 mW / cm 2 for about 20 minutes.
Cures in seconds, the effect film is flexible and has sufficient strength, excellent in moisture resistance, water resistance, electric contact resistance, migration resistance, good adhesion to various materials, especially glass, plastic, etc., coating The resin 13 has preferable characteristics.
Alternatively, the same silicon resin as the resin frame 8 may be used. Alternatively, the same acrylic adhesive as that of the coating resin 13 may be used for the resin frame 8.

【0022】次に、図3〜図11を参照して、この実施
形態の製造工程について説明する。図3に示されるよう
な受光素子アレイ6の受光面上に図4に示されるよう
に、TlをドープしたCsIの柱状結晶を蒸着法によっ
て600μmの厚さだけ成長させてシンチレータ7層を
形成する。
Next, the manufacturing process of this embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 4, a columnar crystal of CsI doped with Tl is grown by a vapor deposition method to a thickness of 600 μm on the light receiving surface of the light receiving element array 6 as shown in FIG. 3 to form a scintillator 7 layer. .

【0023】一方、図5に示されるように受光部と受光
素子アレイのそれぞれの外周の間で、ボンディングパッ
ド4の内側のパッシベーション膜5上に受光部の外辺に
沿って樹脂枠8が幅1mm、高さ0.6mmの細長い枠状に
形成される。この枠形成には、例えば、岩下エンジニア
リング製AutoShooter-3型のような自動X−Yコーティ
ング装置を用いるとよい。この時に、上部に形成される
第1の有機膜9との密着性をさらに向上させるため、樹
脂枠8の表面を粗面処理すればより好ましい。粗面処理
としては、筋をいれたり、表面に多数の小さなくぼみを
形成する処理がある。
On the other hand, as shown in FIG. 5, a resin frame 8 is formed on the passivation film 5 inside the bonding pad 4 along the outer periphery of the light receiving portion between the respective outer circumferences of the light receiving portion and the light receiving element array. It is formed in an elongated frame shape of 1 mm and height of 0.6 mm. For this frame formation, for example, an automatic XY coating apparatus such as an AutoShooter-3 type manufactured by Iwashita Engineering may be used. At this time, it is more preferable to roughen the surface of the resin frame 8 in order to further improve the adhesion with the first organic film 9 formed on the upper portion. As the rough surface treatment, there is a treatment for forming a streak or forming many small depressions on the surface.

【0024】シンチレータ7層を形成するCsIは、吸
湿性が高く、露出したままにしておくと空気中の水蒸気
を吸湿して溶解してしまう。そこで、これを防止するた
めに、図6に示されるように、CVD法により厚さ10
μmのパリレンで基板全体を包み込んで第1の有機膜9
を形成する。CsIの柱状結晶には隙間があるが、パリ
レンはこの狭い隙間にある程度入り込むので、第1の有
機膜9は、シンチレータ7層に密着する。さらに、パリ
レンコーティングにより、凹凸のあるシンチレータ7層
表面に均一な厚さの精密薄膜コーティングが得られる。
また、パリレンのCVD形成は、前述したように、金属
蒸着時よりも真空度が低く、常温で行うことができるた
め、加工が容易である。
CsI, which forms the scintillator 7 layer, has high hygroscopicity and, if left exposed, absorbs and dissolves water vapor in the air. Therefore, in order to prevent this, as shown in FIG.
The first organic film 9 is formed by wrapping the entire substrate with
To form Although there is a gap in the columnar crystal of CsI, parylene enters the narrow gap to some extent, so that the first organic film 9 adheres to the scintillator 7 layer. Furthermore, the parylene coating provides a precise thin film coating with a uniform thickness on the surface of the seven-layer scintillator having irregularities.
In addition, as described above, the parylene is formed by CVD at a lower degree of vacuum than at the time of metal deposition and can be performed at room temperature, so that processing is easy.

【0025】さらに、図7に示されるように、入射面側
の第1の有機膜9表面に0.2μm厚さのAl膜を蒸着
法により積層して無機膜10を形成する。そして、再度
CVD法により、パリレンを基板全体の表面に10μm
厚さで被覆して第2の有機膜11を形成する(図8参
照)。この第2の有機膜11には、無機膜10の腐蝕に
よる劣化を防ぐ。
Further, as shown in FIG. 7, an inorganic film 10 is formed by stacking an Al film having a thickness of 0.2 μm on the surface of the first organic film 9 on the incident surface side by a vapor deposition method. Then, parylene was again applied to the surface of the entire substrate by 10 μm by the CVD method.
The second organic film 11 is formed by covering with a thickness (see FIG. 8). The second organic film 11 prevents the inorganic film 10 from being deteriorated by corrosion.

【0026】こうして形成した保護膜12を樹脂枠8の
長手方向に沿ってカッター14で切断する(図9参
照)。樹脂枠8で凸部が形成されているため、切断箇所
の確認が容易なほか、樹脂枠8の厚みの分だけカッター
14を挿入する際の余裕があるため、樹脂枠8の下にあ
る信号線3を傷つけるおそれがなくなり、加工が簡単に
なり、製品の歩留まりが向上する。そして、この切断部
から外側及び入射面裏側の保護膜12を除去して、外部
回路との接続用のボンディングパッド4を露出させる
(図10参照)。その後、保護膜12の外周部と露出し
た樹脂枠8を覆うようにアクリル樹脂からなる被覆樹脂
13でコーティングして紫外線照射により、被覆樹脂1
3を硬化させる(図11参照)。
The protective film 12 thus formed is cut by a cutter 14 along the longitudinal direction of the resin frame 8 (see FIG. 9). Since the convex portion is formed in the resin frame 8, it is easy to confirm the cut portion, and since there is a margin for inserting the cutter 14 by the thickness of the resin frame 8, the signal under the resin frame 8 is provided. There is no danger of damaging the wire 3, processing is simplified, and product yield is improved. Then, the protective film 12 on the outside and the back side of the incident surface is removed from the cut portion to expose the bonding pad 4 for connection to an external circuit (see FIG. 10). Thereafter, a coating resin 13 made of an acrylic resin is coated so as to cover the outer peripheral portion of the protective film 12 and the exposed resin frame 8, and the coating resin 1 is irradiated with ultraviolet rays.
3 is cured (see FIG. 11).

【0027】ここで、一般にパッシベーション膜5と第
1の有機膜9は、密着性が悪い。しかし、本実施形態の
構造によれば、第1の有機膜9とパッシベーション膜5
との間に双方と密着する樹脂枠8を介しているため、第
1の有機膜9が樹脂枠8によりパッシベーション膜5に
密着する。また、被覆樹脂13を設けなくとも、保護膜
12は、樹脂枠8を介して受光素子アレイ12に密着す
るが、被覆樹脂13を形成すれば、第1の有機膜9を含
む保護膜12が樹脂枠8と被覆樹脂13に挟み込まれて
固定されるので、受光素子アレイ6上への保護膜12の
密着性がより一層向上して好ましい。したがって、保護
膜12によりシンチレータ7が密封されるので、シンチ
レータ7への水分の侵入を確実に防ぐことができ、シン
チレータ7の吸湿劣化による素子の解像度低下を防ぐこ
とができる。
Here, the passivation film 5 and the first organic film 9 generally have poor adhesion. However, according to the structure of the present embodiment, the first organic film 9 and the passivation film 5
The first organic film 9 is in close contact with the passivation film 5 by the resin frame 8 because the resin frame 8 is in close contact with both. The protective film 12 adheres to the light receiving element array 12 via the resin frame 8 without providing the coating resin 13. However, if the coating resin 13 is formed, the protective film 12 including the first organic film 9 can be formed. Since it is sandwiched and fixed between the resin frame 8 and the coating resin 13, the adhesion of the protective film 12 to the light receiving element array 6 is further improved, which is preferable. Therefore, since the scintillator 7 is hermetically sealed by the protective film 12, it is possible to reliably prevent moisture from entering the scintillator 7, and to prevent a decrease in the resolution of the element due to deterioration of the scintillator 7 due to moisture absorption.

【0028】続いて、本実施形態の動作を図1、図2に
より、説明する。入射面側から入射したX線(放射線)
は、第1の有機膜9、無機膜10、第2の有機膜11の
全てを透過してシンチレータ7に達する。このX線は、
シンチレータ7で吸収され、X線の光量に比例した可視
光が放射される。放射された可視光のうち、X線の入射
方向に逆行した可視光は、第1の有機膜9を透過して、
無機膜10で反射される。このため、シンチレータ7で
発生した可視光はほとんど全てが、パッシベーション膜
5を経て受光素子2に入射する。このため、効率の良い
高感度の測定が可能となる。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS. X-rays (radiation) incident from the incident surface side
Passes through all of the first organic film 9, the inorganic film 10, and the second organic film 11, and reaches the scintillator 7. This X-ray
Visible light is absorbed by the scintillator 7 and emitted in proportion to the amount of X-rays. Of the emitted visible light, visible light that has traveled in the opposite direction to the X-ray incident direction passes through the first organic film 9 and
The light is reflected by the inorganic film 10. Therefore, almost all of the visible light generated by the scintillator 7 enters the light receiving element 2 via the passivation film 5. Therefore, efficient and highly sensitive measurement can be performed.

【0029】各々の受光素子2では、光電変換により、
この可視光の光量に対応する電気信号が生成されて一定
時間蓄積される。この可視光の光量は入射するX線の光
量に対応しているから、つまり、各々の受光素子2に蓄
積されている電気信号は、入射するX線の光量に対応す
ることになり、X線画像に対応する画像信号が得られ
る。受光素子2に蓄積されたこの画像信号を信号線3を
介してボンディングパッド4から順次読み出すことによ
り、外部に転送し、これを所定の処理回路で処理するこ
とにより、X線像を表示することができる。
Each light receiving element 2 performs photoelectric conversion by:
An electric signal corresponding to the amount of visible light is generated and stored for a certain period of time. Since the amount of visible light corresponds to the amount of incident X-rays, that is, the electric signal accumulated in each light receiving element 2 corresponds to the amount of incident X-rays. An image signal corresponding to the image is obtained. This image signal stored in the light receiving element 2 is sequentially read out from the bonding pad 4 via the signal line 3, transferred to the outside, and processed by a predetermined processing circuit to display an X-ray image. Can be.

【0030】以上の説明では、保護膜12としてパリレ
ン製の第1の有機膜9、11の間に無機膜10を挟み込
んだ構造のものについて説明したが、第1の有機膜9と
第2の有機膜11の材料は異なるものでも良い。また、
無機膜10として腐蝕に強い材料を使用しているような
場合は、第2の有機膜11自体を設けなくてもよい。
In the above description, the structure in which the inorganic film 10 is interposed between the first organic films 9 and 11 made of parylene as the protective film 12 has been described. The material of the organic film 11 may be different. Also,
When a material that is resistant to corrosion is used as the inorganic film 10, the second organic film 11 may not be provided.

【0031】また、ここでは、樹脂枠8と被覆樹脂13
が受光素子アレイ6の受光素子2部分の外側のパッシベ
ーション膜5上に形成されている例を説明したが、受光
素子2とボンディングパッド4が近接している場合に
は、その境界部分に樹脂枠8を形成するのは困難であ
る。ボンディングパッド4を確実に露出させ、かつ保護
膜12の周囲を被覆樹脂13で確実にコーティングする
ためには、樹脂枠8および被覆樹脂13の位置を受光素
子2側にずらすことが好ましい。そのためには、シンチ
レータ7を受光素子2上の全面に形成するのではなく、
ボンディングパッド4近傍の画素を除いた有効画面領域
の受光素子2上に形成する。そして、有効画面領域の外
側、つまり無効画素上に樹脂枠8を形成した上で、形成
したシンチレータ7の層全部を覆い、樹脂枠8に達する
ように保護膜12を形成する。その後、樹脂枠8の長手
方向に沿って保護膜12を切断し、有効画面領域外の保
護膜12を除去し、樹脂枠8に沿って保護膜12の縁を
被覆樹脂13によりコーティングすればよい。この場
合、ボンディングパッド4近傍の画素は樹脂枠8と被覆
樹脂13で覆われるか、前面にシンチレータ7が存在し
ないので、その放射線に対する感度が低下し、結果とし
てこれらの画素は使用できず受光素子2の有効画素数、
有効画面面積が減少することとなるが、受光素子2が大
画面で全画素数が多い場合には、無効画素の比率は少な
く、素子の構成によっては製作が容易になるメリットが
ある。
Here, the resin frame 8 and the coating resin 13 are used.
Is formed on the passivation film 5 outside the light receiving element 2 portion of the light receiving element array 6, but when the light receiving element 2 and the bonding pad 4 are close to each other, a resin frame 8 is difficult to form. In order to surely expose the bonding pad 4 and reliably coat the periphery of the protective film 12 with the coating resin 13, it is preferable to shift the positions of the resin frame 8 and the coating resin 13 toward the light receiving element 2. For this purpose, instead of forming the scintillator 7 on the entire surface of the light receiving element 2,
It is formed on the light receiving element 2 in an effective screen area excluding pixels near the bonding pad 4. Then, after forming the resin frame 8 outside the effective screen area, that is, on the invalid pixels, the protective film 12 is formed so as to cover the entire layer of the formed scintillator 7 and reach the resin frame 8. Thereafter, the protective film 12 is cut along the longitudinal direction of the resin frame 8, the protective film 12 outside the effective screen area is removed, and the edge of the protective film 12 may be coated with the coating resin 13 along the resin frame 8. . In this case, the pixels near the bonding pad 4 are covered with the resin frame 8 and the covering resin 13 or the scintillator 7 does not exist on the front surface, so that the sensitivity to the radiation is reduced. 2 effective pixels,
Although the effective screen area is reduced, when the light receiving element 2 has a large screen and a large number of all pixels, the ratio of invalid pixels is small, and there is an advantage that manufacture is easy depending on the element configuration.

【0032】次に、図12、図13を参照して本発明の
別の実施形態について説明する。図12はこの実施形態
の放射線検出素子の上面図であり、図13はそのB−B
線拡大断面図である。この素子の基本的な構成は、図1
および図2に示される実施形態の素子と同一であり、相
違点のみを以下、説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a top view of the radiation detecting element of this embodiment, and FIG.
It is a line expanded sectional view. The basic configuration of this element is shown in FIG.
2 are the same as those of the embodiment shown in FIG. 2, and only the differences will be described below.

【0033】図12、図13に示されるこの実施形態で
は、保護膜12は受光素子アレイ6の受光面側および裏
面側の前面に形成されており、ボンディングアレイ4部
分のみが露出されている。そして、露出されたボンディ
ングアレイ4部分を囲むように、樹脂枠8が形成されて
おり、この樹脂枠8上で保護膜12の境界(縁)に沿っ
て被覆樹脂13がコーティングされている。本実施形態
でも、ボンディングパッド4部が確実に露出されるとと
もに、保護膜12は樹脂枠8と被覆樹脂13により受光
素子アレイ6に確実に密着されるのでシンチレータ7層
が密封されて、吸湿による劣化を防止することができ
る。
In this embodiment shown in FIGS. 12 and 13, the protective film 12 is formed on the light receiving surface side and the rear surface side of the light receiving element array 6, and only the bonding array 4 is exposed. A resin frame 8 is formed so as to surround the exposed bonding array 4, and a coating resin 13 is coated on the resin frame 8 along a boundary (edge) of the protective film 12. Also in the present embodiment, the bonding pad 4 is reliably exposed, and the protective film 12 is securely adhered to the light receiving element array 6 by the resin frame 8 and the coating resin 13, so that the scintillator 7 layer is hermetically sealed and absorbed by moisture. Deterioration can be prevented.

【0034】これは特にボンディングパッド4部が小さ
いCCDやMOS型の撮像素子の場合に保護膜のはがれ
を引き起こすおそれのある境界部分である縁部分の長さ
を減らすことができ有効である。
This is particularly effective in the case of a CCD or MOS type image pickup device having a small bonding pad 4 because the length of the edge portion which may cause the peeling of the protective film can be reduced.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
吸湿性の高いシンチレータを保護するために、シンチレ
ータを覆ってパリレン等からなる有機膜が形成されてお
り、保護膜の役割を果たす。この有機膜は柱状結晶から
なるシンチレータ層の柱状結晶の上部隙間に入り込んで
形成されているのでシンチレータ層とが密着し、耐湿性
が向上する。そして、シンチレータ層の上部を覆ってい
る有機膜でさらにシンチレータ層の側面も覆っているの
で、次工程で無機膜を形成する場合においても、シンチ
レータ層が好適に防湿され、より放射線検出素子の信頼
性を向上させられる。
As described above, according to the present invention,
In order to protect the highly hygroscopic scintillator, an organic film made of parylene or the like is formed so as to cover the scintillator, and serves as a protective film. Since this organic film is formed by penetrating into the upper gap of the columnar crystal of the scintillator layer made of the columnar crystal, the organic film adheres to the scintillator layer and the moisture resistance is improved. Since the organic film covering the upper portion of the scintillator layer further covers the side surface of the scintillator layer, even when the inorganic film is formed in the next step, the scintillator layer is suitably protected from moisture, and the reliability of the radiation detecting element is improved. Performance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態の上面図である。FIG. 1 is a top view of one embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A線拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】図1の実施形態の製造工程を示す図である。FIG. 3 is a view showing a manufacturing process of the embodiment of FIG. 1;

【図4】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図であ
る。
FIG. 4 is a view showing a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図5】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図であ
る。
FIG. 5 is a view showing a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図6】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図であ
る。
FIG. 6 is a view illustrating a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図7】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図であ
る。
FIG. 7 is a view showing a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図8】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図であ
る。
FIG. 8 is a view showing a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図9】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図であ
る。
FIG. 9 is a view illustrating a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図10】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図で
ある。
FIG. 10 is a view illustrating a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図11】図1の実施形態の製造工程の続きを示す図で
ある。
FIG. 11 is a view illustrating a continuation of the manufacturing process of the embodiment in FIG. 1;

【図12】本発明の別の実施形態の上面図である。FIG. 12 is a top view of another embodiment of the present invention.

【図13】図12のB−B線拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged sectional view taken along line BB of FIG. 12;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…受光素子、3…信号線、4…ボンディン
グパッド、5…パッシベーション膜、6…受光素子アレ
イ、7…シンチレータ、8…樹脂枠、9、11…有機
膜、10…無機膜、12…保護膜。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Light receiving element, 3 ... Signal line, 4 ... Bonding pad, 5 ... Passivation film, 6 ... Light receiving element array, 7 ... Scintillator, 8 ... Resin frame, 9, 11 ... Organic film, 10 ... Inorganic film , 12 ... Protective film.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の受光素子を基板上に1次元あるい
は2次元に配列して受光部を形成した受光素子アレイ
と、 前記受光素子上に柱状結晶として堆積された放射線を光
に変換するシンチレータ層と、 前記シンチレータ層の上部および側面並びに前記基板の
前記シンチレータ層外周部を覆い、前記柱状結晶の少な
くとも上部の隙間に入り込んで形成されている有機膜
と、 を備えている放射線検出素子。
1. A light-receiving element array in which a plurality of light-receiving elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on a substrate to form a light-receiving portion, and a scintillator for converting radiation deposited as columnar crystals on the light-receiving elements into light. A radiation detection element comprising: a layer; and an organic film that covers an upper portion and a side surface of the scintillator layer and an outer peripheral portion of the scintillator layer of the substrate, and is formed to enter at least a gap between the columnar crystals.
【請求項2】 前記有機膜は前記シンチレータ層の外側
で前記基板に密着固定されている請求項1記載の放射線
検出素子。
2. The radiation detecting element according to claim 1, wherein the organic film is fixedly attached to the substrate outside the scintillator layer.
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