JP2000277785A - Bypass diode for solar battery module - Google Patents

Bypass diode for solar battery module

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JP2000277785A
JP2000277785A JP11085809A JP8580999A JP2000277785A JP 2000277785 A JP2000277785 A JP 2000277785A JP 11085809 A JP11085809 A JP 11085809A JP 8580999 A JP8580999 A JP 8580999A JP 2000277785 A JP2000277785 A JP 2000277785A
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Japan
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bypass diode
diode
chip
solar cell
thickness
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JP11085809A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Ishihara
賢次 石原
Shigeaki Kitamura
茂明 北村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bypass diode for a solar battery which can protect a diode chip by reducing the pressure from the outside. SOLUTION: A bypass diode is constituted by joining lead terminals 231 and 232 consisting of copper foil each via junction material 220 to the surface and the rear of a diode chip 210. Copper plates are joined to the regions excluding the chip junction parts of the lead terminals 231 and 232, so that the topside and the down side of the bypass diode are substantially flush. The thickness of the copper plate is made substantially the same as the thickness of the diode chip 210 which includes the lead terminal 231 and the junction material 220.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の太陽電池セ
ルを直列接続した太陽電池モジュールに接続し、太陽電
池セルへの逆バイアスをバイパスするための太陽電池モ
ジュール用バイパスダイオードに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bypass diode for a solar cell module for connecting a plurality of solar cells to a solar cell module connected in series and bypassing a reverse bias to the solar cell.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、石油など化石燃料の使用による大
気中のCO2 濃度上昇が問題となっている。CO2 は太
陽光は通過するが地表からの赤外線放射は吸収するた
め、温室効果と呼ばれる現象により、近い将来には地球
温暖化が急速に進むことが懸念されている。このため世
界的にCO2 の排出量削減への取り組みがなされてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, the use of fossil fuels such as petroleum has raised the problem of an increase in atmospheric CO 2 concentration. Since CO 2 transmits sunlight but absorbs infrared radiation from the surface, there is a concern that global warming will rapidly progress in the near future due to a phenomenon called greenhouse effect. For this reason, efforts are being made worldwide to reduce CO 2 emissions.

【0003】CO2 の発生源として、特に火力発電によ
る排出が大きな割合を占めており、これにかわるクリー
ンなエネルギーの実用化が強く要望されている。その中
でも太陽電池による発電は、クリーンエネルギーという
だけにとどまらず安全性も兼ね備え、さらには個人の住
宅などに設置して各家庭や企業で使用する電力を発電で
きるなどの利点から、今後、大幅な需要の拡大が見込ま
れている。
[0003] Emissions from thermal power generation in particular account for a large proportion as a source of CO 2 , and there is a strong demand for practical use of alternative clean energy. Of these, solar power generation is not only a clean energy source, it also has safety features, and it can be installed in private homes to generate power for use in homes and businesses. Demand is expected to grow.

【0004】ビルの屋上や家屋の屋根などに設置し電力
発電のために使用される太陽電池は、1枚の太陽電池セ
ル(以下セルという)だけでは十分な電力を出力するこ
とができないため、複数のセルを直列に接続した太陽電
池モジュールとして使用されている。
A solar cell installed on the roof of a building or a roof of a house and used for power generation cannot output sufficient electric power with only one solar cell (hereinafter, referred to as a cell). It is used as a solar cell module in which a plurality of cells are connected in series.

【0005】しかしながら、このような太陽電池モジュ
ールにおいては、落葉や電柱の影などにより一部のセル
への太陽光が遮光されセルが発電しなくなると、遮光さ
れたセルが逆方向にバイアスされ、この逆バイアスがセ
ルの耐圧を越える値になった場合には、セルが破壊され
太陽電池モジュールとしての発電性能が低下することが
ある。
[0005] However, in such a solar cell module, when the sunlight to some of the cells is blocked by the fallen leaves or the shadow of the utility pole and the cells stop generating power, the shaded cells are biased in the reverse direction. If the reverse bias exceeds the withstand voltage of the cell, the cell may be broken and the power generation performance of the solar cell module may be reduced.

【0006】このため、特開平5−2916029号公
報には直列接続した各太陽電池セルごとにセルの起電力
の方向と逆方向にダイオードを接続し、セルの逆バイア
スをバイパスするバイパスダイオードを用いた構成の太
陽電池モジュールが開示されている。
For this reason, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 5-2916029 discloses a bypass diode for connecting a diode in the direction opposite to the direction of the electromotive force of each solar cell connected in series and bypassing the reverse bias of the cell. A solar cell module having a different configuration is disclosed.

【0007】図3はバイパスダイオード付き太陽電池モ
ジュールの等価回路図である。セル120を4個直列接
続した太陽電池モジュールに対して、各セル120ごと
にバイパスダイオード200を1個ずつ逆方向に並列接
続している。このような構成のため、一部のセルの起電
が止まった場合でもセルが逆方向にバイアスされて破壊
されることがない。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a solar cell module with a bypass diode. For a solar cell module in which four cells 120 are connected in series, one bypass diode 200 is connected in parallel in the reverse direction for each cell 120. With such a configuration, even when the electromotive force of some cells is stopped, the cells are not biased in the reverse direction and are not destroyed.

【0008】図4は従来のバイパスダイオードの概略図
であり、(a)は上面図、(b)は正面図である。ダイ
オードチップ210の表面および裏面にクリームはんだ
などの接合材220を介してリード端子231および2
32が接合されている。リード端子231、232は銅
箔など良電性の箔材からなり、厚みは0.1mm程度、
ダイオードチップ210の厚みは接合材220の厚みも
含めて0.4mm程度であり、バイパスダイオード全体
の厚みtは0.6mm程度である。
FIGS. 4A and 4B are schematic views of a conventional bypass diode. FIG. 4A is a top view and FIG. 4B is a front view. The lead terminals 231 and 2 are provided on the front and back surfaces of the diode chip 210 via a bonding material 220 such as cream solder.
32 are joined. The lead terminals 231 and 232 are made of a foil material having good electrical conductivity such as copper foil, and have a thickness of about 0.1 mm.
The thickness of the diode chip 210 is about 0.4 mm including the thickness of the bonding material 220, and the thickness t of the entire bypass diode is about 0.6 mm.

【0009】図5はバイパスダイオード付き太陽電池モ
ジュールの一部を拡大した正面図である。ステンレスな
ど導電性基板110上に形成されたセル(図示せず)に
隣接してバイパスダイオード200が取り付けられてい
る。ダイオードチップ210の裏面と接合したリード端
子231は導電性基板110上に接合され、セル表面電
極(図示せず)と接続し、ダイオードチップ210の表
面と接合したリード端子232は導電性基板110上に
接触するようフォーミングされ、セル裏面電極(図示せ
ず)と接続している。導電性基板110の上面にはセル
(図示せず)やバイパスダイオード200などを保護す
る透過性樹脂やガラス板などの透過性材料130で覆わ
れている。
FIG. 5 is an enlarged front view of a part of a solar cell module with a bypass diode. A bypass diode 200 is attached adjacent to a cell (not shown) formed on a conductive substrate 110 such as stainless steel. The lead terminal 231 bonded to the back surface of the diode chip 210 is bonded on the conductive substrate 110 and connected to a cell surface electrode (not shown), and the lead terminal 232 bonded to the surface of the diode chip 210 is mounted on the conductive substrate 110. And is connected to a cell back surface electrode (not shown). The upper surface of the conductive substrate 110 is covered with a transparent material 130 such as a transparent resin or a glass plate for protecting cells (not shown), the bypass diode 200 and the like.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記説明した太陽電池
モジュールにおいては、導電性基板上に接合したバイパ
スダイオードのチップ接合部のみが突出しているため、
この上を覆う透過性材料からの圧力をダイオードチップ
が直接受けることでダイオードチップが損傷することが
ある。
In the above-described solar cell module, only the chip junction of the bypass diode joined on the conductive substrate protrudes.
The diode chip may be damaged when the diode chip is directly subjected to the pressure from the permeable material that covers the diode chip.

【0011】また、製造工程中、バイパスダイオードの
リード端子をフォーミングする際に、リード端子が受け
た曲げ応力がチップ接合部に伝わり、ダイオードチップ
がリード端子から剥がれたりダイオードチップそのもの
に損傷を与える恐れがある。
Also, when forming the lead terminal of the bypass diode during the manufacturing process, the bending stress received by the lead terminal is transmitted to the chip bonding portion, and the diode chip may peel off from the lead terminal or damage the diode chip itself. There is.

【0012】本発明は上記問題点を解決するためのもの
であり、外部からバイパスダイオードに加わる圧力を軽
減することにより、ダイオードチップを保護することが
できる太陽電池モジュール用バイパスダイオードを提供
することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a bypass diode for a solar cell module capable of protecting a diode chip by reducing the pressure applied to the bypass diode from the outside. Aim.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、ダイオードチップの表面および裏面に接合
材を介して金属箔材からなるリード端子をそれぞれ接合
した太陽電池モジュール用ダイオードであって、バイパ
スダイオードの上面および下面が略同一平面となるよう
に、リード端子のダイオードチップ接合部を除く領域に
金属材料を接合したものである。金属材料の厚みは、リ
ード端子の厚みと接合材を含むダイオードチップの厚み
を足した厚みとほぼ同一とした。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a diode for a solar cell module in which lead terminals made of a metal foil material are bonded to the front and back surfaces of a diode chip via a bonding material. Then, a metal material is bonded to a region except for a diode chip bonding portion of a lead terminal so that an upper surface and a lower surface of the bypass diode are substantially flush with each other. The thickness of the metal material was substantially the same as the sum of the thickness of the lead terminal and the thickness of the diode chip including the bonding material.

【0014】この本発明によれば、外部からバイパスダ
イオードに加わる圧力を軽減することができるため、バ
イパスダイオードを保護することができる。
According to the present invention, since the pressure applied to the bypass diode from the outside can be reduced, the bypass diode can be protected.

【0015】すなわち、バイパスダイオードの上面およ
び下面をほぼ同一面とすることにより、透過性材料から
の圧力がチップ接合部だけでなくリード端子全面に加わ
ることとなる。このため、チップ接合部に加わる圧力を
軽減することができ、チップ損傷を防ぐことができる。
That is, by making the upper and lower surfaces of the bypass diode substantially the same plane, pressure from the transparent material is applied not only to the chip junction but also to the entire lead terminal. Therefore, the pressure applied to the chip joint can be reduced, and chip damage can be prevented.

【0016】また、金属材料によりチップ接合部以外の
リード端子の厚みを厚くしているため、外部からの圧力
によりリード端子に与える応力の影響を防ぐことができ
る。
Further, since the thickness of the lead terminal other than the chip bonding portion is increased by the metal material, the influence of stress applied to the lead terminal by external pressure can be prevented.

【0017】また、リード端子をフォーミングする必要
もないため、ダイオードチップや接合材に応力が加わる
ことがない。
Further, since it is not necessary to form the lead terminals, no stress is applied to the diode chip and the bonding material.

【0018】また、リード端子に金属板を接合すること
により、電流密度に十分対応できるだけの断面積を確保
できるとともに抵抗損失を小さくすることができる。
Further, by joining the metal plate to the lead terminal, it is possible to secure a cross-sectional area enough to cope with the current density and to reduce the resistance loss.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】図1は本発明の一実施形態によるバイパス
ダイオードの概略図であり、(a)は正面図、(b)は
一部を拡大した同正面図である。
FIGS. 1A and 1B are schematic views of a bypass diode according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a front view, and FIG. 1B is a partially enlarged front view.

【0021】図1(a)に示すように、ダイオードチッ
プ210の表面および裏面に、クリームはんだなど接合
材220を介して銅箔材からなるリード端子231、2
32を接合しバイパスダイオードを構成している。バイ
パスダイオードの上面および下面がほぼ同一平面となる
ように、ダイオードチップ210の裏面に接合したリー
ド端子231の上面およびダイオードチップ210の表
面に接合したリード端子232の下面には、はんだから
なる接合材220を介して銅板240が接合されてい
る。
As shown in FIG. 1A, lead terminals 231 and 2 made of a copper foil material are provided on the front and back surfaces of a diode chip 210 via a bonding material 220 such as cream solder.
32 are joined to form a bypass diode. A bonding material made of solder is provided on the upper surface of the lead terminal 231 bonded to the back surface of the diode chip 210 and the lower surface of the lead terminal 232 bonded to the surface of the diode chip 210 such that the upper surface and the lower surface of the bypass diode are substantially flush. A copper plate 240 is joined via 220.

【0022】図1(b)に示すように、接合材220の
厚みを含めた銅板240の厚みは、接合材220を含め
たダイオードチップ210の厚みとほぼ同一の厚みとな
っている。本実施形態では、接合材220の厚みを含め
た銅板240の厚みaは0.5mm程度、リード端子2
31、232の厚みbは0.1mm程度、接合材220
の厚みを含めたダイオードチップ210の厚みcは0.
4mm程度であり、バイパスダイオード全体の厚みtは
0.6mm程度である。
As shown in FIG. 1B, the thickness of the copper plate 240 including the thickness of the bonding material 220 is substantially the same as the thickness of the diode chip 210 including the bonding material 220. In the present embodiment, the thickness a of the copper plate 240 including the thickness of the bonding material 220 is about 0.5 mm,
31 and 232 have a thickness b of about 0.1 mm;
The thickness “c” of the diode chip 210 including the thickness of “.
The thickness t of the bypass diode is about 0.6 mm.

【0023】図2は本実施形態によるバイパスダイオー
ド付き太陽電池モジュールの一部を拡大した正面図であ
る。ステンレスなど導電性基板110上に形成されたセ
ル(図示せず)に隣接してバイパスダイオード200が
取り付けられている。ダイオードチップ210の下面と
接合したリード端子231は導電性基板110上に接合
され、セル表面電極(図示せず)と接続し、ダイオード
チップ210の上面と接合したリード端子232は導電
性基板110上に接合できるようフォーミングされ、セ
ル裏面電極(図示せず)と接続している。導電性基板1
10の上面はセル(図示せず)やバイパスダイオード2
00などを保護する透過性樹脂やガラス板などの透過性
材料130で覆われている。
FIG. 2 is an enlarged front view of a part of the solar cell module with a bypass diode according to the present embodiment. A bypass diode 200 is attached adjacent to a cell (not shown) formed on a conductive substrate 110 such as stainless steel. The lead terminal 231 joined to the lower surface of the diode chip 210 is joined on the conductive substrate 110, connected to a cell surface electrode (not shown), and the lead terminal 232 joined to the upper surface of the diode chip 210 is attached to the conductive substrate 110. And is connected to a cell back electrode (not shown). Conductive substrate 1
10 has a cell (not shown) and a bypass diode 2
00 and the like are covered with a transparent material 130 such as a transparent resin or a glass plate for protecting the transparent resin.

【0024】バイパスダイオードの上面および下面がほ
ぼ同一平面となっているため、ガラス板などの透過性材
料130からの圧力がチップ接合部だけでなくバイパス
ダイオードの全面にも加わることとなる。このため、チ
ップ接合部へ加わる圧力を軽減することができ、チップ
破損やチップ剥がれを防ぐことができる。
Since the upper and lower surfaces of the bypass diode are substantially flush with each other, pressure from the transparent material 130 such as a glass plate is applied not only to the chip junction but also to the entire surface of the bypass diode. For this reason, the pressure applied to the chip joining portion can be reduced, and chip breakage and chip peeling can be prevented.

【0025】本実施の形態ではリード端子に銅板を接合
したが、金属材料の端部のみを薄く形成した異形材を用
いても同様の効果を得ることができる。
In this embodiment, the copper plate is joined to the lead terminals. However, the same effect can be obtained by using a deformed material in which only the ends of the metal material are formed thin.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
部からダイオードチップに加わる圧力を軽減することが
でき、チップ損傷やチップ剥がれを防止することができ
る。
As described above, according to the present invention, the pressure applied to the diode chip from the outside can be reduced, and chip damage and chip peeling can be prevented.

【0027】また、電流密度に十分対応できるだけのリ
ード端子の断面積を確保することができ、抵抗損失を小
さくすることができる。
Further, it is possible to secure a cross-sectional area of the lead terminal which can sufficiently cope with the current density, and to reduce the resistance loss.

【0028】このため、バイパスダイオードを保護する
ことができ、太陽電池モジュールの発電特性が低下する
ことがない。
Therefore, the bypass diode can be protected, and the power generation characteristics of the solar cell module do not deteriorate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)本発明の一実施形態のバイパスダイオー
ドの正面図 (b)同一部拡大正面図
FIG. 1A is a front view of a bypass diode according to an embodiment of the present invention. FIG.

【図2】本発明の一実施形態の太陽電池モジュールの一
部拡大正面図
FIG. 2 is a partially enlarged front view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.

【図3】太陽電池モジュールの等価回路図FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a solar cell module.

【図4】(a)従来のバイパスダイオードの上面図 (b)同正面図FIG. 4A is a top view of a conventional bypass diode, and FIG.

【図5】従来の太陽電池モジュールの一部拡大正面図FIG. 5 is a partially enlarged front view of a conventional solar cell module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 導電性基板 120 太陽電池セル 130 透過性材料 200 バイパスダイオード 210 ダイオードチップ 220 接合材 231 リード端子 232 リード端子 240 銅板 110 conductive substrate 120 solar cell 130 permeable material 200 bypass diode 210 diode chip 220 bonding material 231 lead terminal 232 lead terminal 240 copper plate

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ダイオードチップの表面および裏面に接
合材を介して金属箔材からなるリード端子をそれぞれ接
合した太陽電池モジュール用バイパスダイオードであっ
て、前記バイパスダイオードの上面および下面が略同一
平面となるように、前記リード端子のダイオードチップ
接合部を除く領域に金属板を接合したことを特徴とする
太陽電池モジュール用バイパスダイオード。
1. A bypass diode for a solar cell module in which lead terminals made of a metal foil material are bonded to the front and back surfaces of a diode chip via a bonding material, respectively, wherein an upper surface and a lower surface of the bypass diode are substantially flush with each other. A bypass diode for a solar cell module, wherein a metal plate is bonded to a region of the lead terminal except for a diode chip bonding portion.
【請求項2】 前記金属板の厚みは、前記リード端子と
前記接合材を含むダイオードチップの厚みとを足した厚
みとほぼ同一である請求項1記載の太陽電池モジュール
用バイパスダイオード。
2. The bypass diode for a solar cell module according to claim 1, wherein the thickness of the metal plate is substantially the same as the sum of the thickness of the lead terminal and the thickness of the diode chip including the bonding material.
【請求項3】 銅箔材からなる前記リード端子のダイオ
ードチップ接合部を除く領域に銅板をはんだを介して接
合した請求項1および2記載の太陽電池モジュール用バ
イパスダイオード。
3. The bypass diode for a solar cell module according to claim 1, wherein a copper plate is joined via solder to a region of the lead terminal made of a copper foil material except for a diode chip joint.
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