JP2000277540A - Part bonding device - Google Patents

Part bonding device

Info

Publication number
JP2000277540A
JP2000277540A JP11080408A JP8040899A JP2000277540A JP 2000277540 A JP2000277540 A JP 2000277540A JP 11080408 A JP11080408 A JP 11080408A JP 8040899 A JP8040899 A JP 8040899A JP 2000277540 A JP2000277540 A JP 2000277540A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
component
chip
bonding
end surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11080408A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Maeda
弘 前田
Kazuhiro Nishida
和弘 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP11080408A priority Critical patent/JP2000277540A/en
Publication of JP2000277540A publication Critical patent/JP2000277540A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a part bonding device which is capable of very accurately bonding a part to a mounting object at a prescribed position without being affected by the thermal expansion of the mounting object and simplified in structure. SOLUTION: A part bonding device is equipped with a heater 20 which heats a heat sink 16, a bumper 22 which is made to bear against the reference edge face 16a of the heat sink 16 so as to position an LD chip 12 and whose thermal expansion coefficient is lower than that of the heat sink 16, and a spring 24 which bears against the edge face 16b of the heat sink 16 to press the heat sink 16 against the bumper 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、部品を装着対象物
上の所定の位置にボンディングするための部品のボンデ
ィング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a component bonding apparatus for bonding a component to a predetermined position on a mounting object.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体レーザ素子(以下、LD
という)は、発光中の内部発熱が大きくなり、この熱に
よって自己破壊が起こることを阻止するために、一般的
に熱伝導性のよいヒートシンク上にボンディングされた
状態で使用されている。具体的には、図4に示すよう
に、LD1は、ヒートシンク2と、前記ヒートシンク2
上に積層された状態で一体的に結合される半導体レーザ
チップ(以下、LDチップという)3とを備えている。
2. Description of the Related Art For example, a semiconductor laser device (hereinafter, referred to as an LD)
Is generally used in a state of being bonded on a heat sink having good thermal conductivity in order to prevent internal heat generation during light emission and to prevent self-destruction caused by this heat. Specifically, as shown in FIG. 4, the LD 1 includes a heat sink 2 and the heat sink 2.
A semiconductor laser chip (hereinafter, referred to as an LD chip) 3 which is integrally coupled in a state of being stacked thereon.

【0003】その際、LDチップ3の発熱を効率よく吸
収しかつ発生したレーザ光を効率的に取り出すために、
LDチップ3とヒートシンク2の端面同士をずれが発生
しないように、面一にボンディングする必要がある(図
5参照)。ところが、ボンディングは、一般的にろう材
が蒸着されたヒートシンク2をヒータ(加熱手段)で加
熱してLDチップ3と前記ヒートシンク2とをろう付け
しているため、ヒートシンク固定部とその周辺部分にヒ
ータ熱が伝熱し、この部分に熱変形が発生してしまう。
At this time, in order to efficiently absorb the heat generated by the LD chip 3 and efficiently extract the generated laser light,
It is necessary to bond the LD chip 3 and the heat sink 2 so that the end faces thereof do not shift from each other (see FIG. 5). However, in the bonding, since the heat sink 2 on which the brazing material is deposited is generally heated by a heater (heating means) to braze the LD chip 3 and the heat sink 2, the heat sink fixing portion and its peripheral portion are bonded. Heat from the heater is transferred, and thermal deformation occurs in this portion.

【0004】これにより、ヒータ加熱前に位置決めされ
たLDチップ3とヒートシンク2との相対位置がボンデ
ィング中にずれてしまい、放熱性の低下が惹起され、さ
らには、LD1の寿命が短くなるという問題が指摘され
ている。また、ヒータ発熱体自体およびヒートシンク2
自体の熱膨張の影響を排除することが不可能であり、こ
れらの部分に熱変形が発生して、特に、LDチップ3と
ヒートシンク2とのμmオーダの高精度な位置決めが不
可能となるという問題がある。
As a result, the relative position between the LD chip 3 and the heat sink 2 positioned before the heating of the heater is shifted during bonding, causing a reduction in heat radiation and further shortening the life of the LD 1. Has been pointed out. In addition, the heater heating element itself and the heat sink 2
It is impossible to eliminate the influence of thermal expansion itself, and thermal deformation occurs in these parts, and in particular, it becomes impossible to position the LD chip 3 and the heat sink 2 with high precision on the order of μm. There's a problem.

【0005】そこで、特開平5−343502号公報に
開示されているように、ヒートシンクとLDチップとを
ボンディング前に予め加熱昇温しておき、熱変形が安定
化した後に位置決めしてボンディングを行うダイボンデ
ィング装置が知られている。
Therefore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-343502, the heat sink and the LD chip are heated and heated before bonding, and are positioned and bonded after thermal deformation is stabilized. Die bonding apparatuses are known.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、ろう材を高温の液体状態で長時間放置す
るため、このろう材が酸化し易くなり、接着力が低下す
るという不具合が指摘されている。しかも、ろう材が液
体の状態でボンディングを行うため、LDチップの側
面、すなわち、発光面にろう材が付着し易くなり、LD
の性能に悪影響を与えるおそれがある。さらに、ヒート
シンクおよびLDチップ周辺部材を同一温度に至るまで
加熱する必要があり、加熱に長時間を要するとともに、
多大なヒータ能力が要求されてしまう。
However, in the above prior art, since the brazing material is left in a high temperature liquid state for a long time, it is pointed out that the brazing material is easily oxidized and the adhesive strength is reduced. ing. Further, since the bonding is performed in a state where the brazing material is in a liquid state, the brazing material easily adheres to the side surface of the LD chip, that is, the light emitting surface, and the
May adversely affect the performance of the device. Furthermore, it is necessary to heat the heat sink and the peripheral members of the LD chip to the same temperature, which requires a long time for heating,
A large heater capacity is required.

【0007】本発明はこの種の問題を解決するものであ
り、部品を装着対象物上の所定の位置に高精度かつ効率
的にボンディングするとともに、構成の簡素化が容易に
遂行可能な部品のボンディング装置を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves this kind of problem, and provides a highly accurate and efficient bonding of a component to a predetermined position on an object to be mounted, and a component that can be easily simplified in configuration. An object is to provide a bonding apparatus.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る部品のボン
ディング装置では、装着対象物が加熱手段により加熱さ
れる際、突き当て部材がこの装着対象物の基準端面に当
接する一方、前記装着対象物の前記基準面とは反対側の
端面に弾性部材が当接することにより、前記基準端面が
所定の位置に保持される。
In the component bonding apparatus according to the present invention, when the object to be mounted is heated by the heating means, the abutment member abuts on the reference end surface of the object to be mounted, while The reference end surface is held at a predetermined position by an elastic member abutting on the end surface of the object opposite to the reference surface.

【0009】ここで、突き当て部材は、装着対象物より
も低い熱膨張係数、例えば、5×10-6以下の材料で形
成されている。従って、突き当て部材は、加熱手段に影
響されることがなく、その突き当て端面を所定の位置に
維持することが可能になり、装着対象物に熱変形が発生
しても該装着対象物の基準端面を所定の位置に確実に保
持することができる。これにより、装着対象物の所望の
位置に部品を高精度に位置決めしてボンディングするこ
とが可能になる。
Here, the abutment member is formed of a material having a lower coefficient of thermal expansion than the object to be mounted, for example, 5 × 10 −6 or less. Therefore, the abutting member can be maintained at a predetermined position of the abutting end face without being affected by the heating means, and even if thermal deformation occurs in the mounting target, the mounting target can be mounted on the mounting target. The reference end surface can be reliably held at a predetermined position. This makes it possible to position and bond the component at a desired position on the mounting object with high accuracy.

【0010】また、突き当て部材が装着対象物よりも低
い熱伝導率を有しており、装着対象物の熱が前記突き当
て部材から放熱されることを有効に阻止する。このた
め、加熱手段に付与されるエネルギを少なくし、エネル
ギ効率の向上が容易に図られる。さらに、突き当て部材
が設けられた支持部材と加熱手段との間に断熱層が介装
されており、この支持部材は、前記加熱手段による熱か
ら完全に断熱され、基準端面の熱変位の発生が可及的に
阻止される。
Further, the abutting member has a lower thermal conductivity than the mounting object, and effectively prevents the heat of the mounting object from being dissipated from the abutting member. Therefore, the energy applied to the heating means is reduced, and the energy efficiency is easily improved. Further, a heat insulating layer is interposed between the supporting member provided with the abutting member and the heating means, and the supporting member is completely insulated from the heat by the heating means, and generates a thermal displacement of the reference end face. Is prevented as much as possible.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態に係る
部品のボンディング装置10の概略斜視説明図であり、
図2は、前記ボンディング装置10の側面説明図であ
る。
FIG. 1 is a schematic perspective explanatory view of a component bonding apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory side view of the bonding apparatus 10.

【0012】ボンディング装置10は、部品であるLD
(レーザダイオード)チップ12を保持して昇降可能な
部品保持手段14と、ヒートシンク16が配置されるX
−Y−θステージ18と、前記ヒートシンク16を載置
して加熱する加熱手段であるヒータ20と、前記ヒート
シンク16の基準端面16aに当接してこの基準端面1
6aを所定の位置に保持する突き当て部材22と、前記
ヒートシンク16の前記基準端面16aとは反対側の端
面16bに当接し、該ヒートシンク16を前記突き当て
部材22側に加圧するスプリング(弾性部材)24と、
ボンディング位置の上方から前記LDチップ12と前記
ヒートシンク16とを撮像する撮像手段26と、撮像さ
れた前記LDチップ12および前記ヒートシンク16の
相対位置情報に基づいて、該LDチップ12および該ヒ
ートシンク16を相対的に位置補正する制御手段27と
を備える。
The bonding apparatus 10 includes a component LD
(Laser Diode) A component holding means 14 capable of holding and raising and lowering a chip 12 and a heat sink 16
-Y-θ stage 18, a heater 20 serving as a heating means for mounting and heating the heat sink 16, and a reference end surface 1a contacting a reference end surface 16a of the heat sink 16.
A spring (elastic member) which abuts against the abutting member 22 for holding the heat sink 6a at a predetermined position and an end surface 16b of the heat sink 16 opposite to the reference end surface 16a and presses the heat sink 16 against the abutting member 22 ) 24,
Imaging means 26 for imaging the LD chip 12 and the heat sink 16 from above the bonding position, and the LD chip 12 and the heat sink 16 based on the relative position information of the imaged LD chip 12 and the heat sink 16 Control means 27 for relatively correcting the position.

【0013】X−Y−θステージ18には、図示しない
ボールねじ等の駆動手段を介してX軸方向およびY軸方
向に進退自在な可動台28が設けられ、この可動台28
上には、Z軸回りに回転自在なθテーブルである回転テ
ーブル30が配置される。回転テーブル30上に支持部
材34が配置され、この支持部材34上には、断熱層3
2を介してヒータ20が装着される。支持部材34の上
端部には、突き当て部材22が固着されている。
The XY-θ stage 18 is provided with a movable base 28 which can move in the X-axis direction and the Y-axis direction via driving means such as a ball screw (not shown).
A rotary table 30, which is a θ table rotatable around the Z axis, is disposed on the upper side. A support member 34 is disposed on the turntable 30, and the heat insulating layer 3 is provided on the support member 34.
2, the heater 20 is mounted. The butting member 22 is fixed to the upper end of the support member 34.

【0014】突き当て部材22は、ヒートシンク16よ
りも低い熱膨張係数を有しており、5×10-6以下、好
適には、3×10-7以下に設定される。突き当て部材2
2は、さらに、ヒートシンク16よりも低い熱伝導率を
有しており、具体的には、2W/mK以下に設定されて
いる。本実施形態では、突き当て部材22がLiO−A
2 3 −SiO2 系の結晶化ガラスにより構成されて
おり、熱膨張係数が2×10-7で、熱伝導率が2W/m
Kに設定されている。本実施形態において、断熱層32
および支持部材34は、突き当て部材22と同一の材質
で構成されている。
The abutment member 22 has a lower coefficient of thermal expansion than the heat sink 16 and is set to 5 × 10 −6 or less, preferably 3 × 10 −7 or less. Butt member 2
2 further has a lower thermal conductivity than the heat sink 16, and specifically, is set to 2 W / mK or less. In the present embodiment, the butting member 22 is made of LiO-A
l 2 O 3 is constituted by crystallized glass -SiO 2 system, a thermal expansion coefficient of 2 × 10 -7, thermal conductivity of 2W / m
K is set. In the present embodiment, the heat insulating layer 32
The support member 34 is made of the same material as the butting member 22.

【0015】ヒートシンク16の端面16b側に保持板
36が設けられ、この保持板36と前記端面16bとの
間にスプリング24が介装されている。ヒータ20に
は、ヒートシンク16を吸着保持するために、図示しな
い真空発生源に連通する吸引孔38が形成されている
(図2参照)。
A holding plate 36 is provided on the end surface 16b side of the heat sink 16, and the spring 24 is interposed between the holding plate 36 and the end surface 16b. The heater 20 is provided with a suction hole 38 communicating with a vacuum source (not shown) for sucking and holding the heat sink 16 (see FIG. 2).

【0016】部品保持手段14は、コラム40に固定さ
れてZ軸方向に延在するフレーム42を備え、このフレ
ーム42の上端部にモータ44が固定される。モータ4
4の出力軸に連結されてZ軸方向に延在するボールねじ
46は、Z軸可動テーブル48に設けられた図示しない
ナット部材に螺合する。Z軸可動テーブル48に加圧手
段50が固定されるとともに、この加圧手段50に保持
部材52が装着される。保持部材52は、中空状を有し
てその内部が図示しない負圧発生源に連通している。
The component holding means 14 includes a frame 42 fixed to a column 40 and extending in the Z-axis direction. A motor 44 is fixed to an upper end of the frame 42. Motor 4
The ball screw 46 connected to the output shaft 4 and extending in the Z-axis direction is screwed to a nut member (not shown) provided on the Z-axis movable table 48. The pressing means 50 is fixed to the Z-axis movable table 48, and the holding member 52 is attached to the pressing means 50. The holding member 52 has a hollow shape, and the inside thereof communicates with a negative pressure source (not shown).

【0017】撮像手段26は、コラム40の上部に取付
台54を介して装着されており、一あるいは複数のCC
Dカメラ56と光学レンズ系58とを備えている。図2
に示すように、CCDカメラ56は、画像処理部60に
接続されており、この画像処理部60は、前記CCDカ
メラ56により撮像されたLDチップ12およびヒート
シンク16の画像を画像信号として取り込んでそれぞれ
の位置ずれ量を演算する機能を有する。画像処理部60
は、制御手段27に接続されており、この制御手段27
は、前記画像処理部60からの演算結果に基づいてX−
Y−θステージ18を駆動して位置補正を行う機能を有
する。
The image pickup means 26 is mounted on the upper part of the column 40 via a mount 54, and is provided with one or a plurality of CCs.
A D camera 56 and an optical lens system 58 are provided. FIG.
As shown in FIG. 5, the CCD camera 56 is connected to an image processing unit 60, which captures the images of the LD chip 12 and the heat sink 16 captured by the CCD camera 56 as image signals, and respectively. And has a function of calculating the amount of positional deviation. Image processing unit 60
Is connected to the control means 27.
Is based on the calculation result from the image processing unit 60.
It has a function of driving the Y-θ stage 18 to perform position correction.

【0018】このように構成されるボンディング装置1
0の動作について、以下に説明する。
The bonding apparatus 1 configured as described above
The operation of 0 will be described below.

【0019】先ず、ヒータ20上にヒートシンク16が
配置され、このヒータ20に設けられている吸引孔38
から吸引を行うことによって、前記ヒートシンク16が
前記ヒータ20上に吸着保持される。その際、ヒートシ
ンク16のLDチップ12を位置決めするための基準端
面16aが突き当て部材22に当接して位置決めされる
とともに、このヒートシンク16の端面16bにスプリ
ング24が当接している。
First, the heat sink 16 is disposed on the heater 20, and the suction holes 38 provided in the heater 20 are provided.
The heat sink 16 is sucked and held on the heater 20 by sucking the heat. At this time, a reference end surface 16a of the heat sink 16 for positioning the LD chip 12 is in contact with the abutment member 22 to be positioned, and a spring 24 is in contact with the end surface 16b of the heat sink 16.

【0020】一方、部品保持手段14では、保持部材5
2の先端にLDチップ12が吸着保持されており、X−
Y−θステージ18が制御手段27を介して駆動され
る。このため、ヒートシンク16のボンディング位置が
撮像手段26の光軸上に配置される。次いで、モータ4
4の作用下にボールねじ46を介してZ軸可動テーブル
48が下降し、保持部材52に吸着保持されているLD
チップ12が下降して所定の高さ位置に配置される。
On the other hand, in the component holding means 14, the holding member 5
The LD chip 12 is sucked and held at the tip of the X.
The Y-θ stage 18 is driven via the control means 27. For this reason, the bonding position of the heat sink 16 is arranged on the optical axis of the imaging unit 26. Next, the motor 4
The Z-axis movable table 48 is lowered via the ball screw 46 under the action of the
The tip 12 descends and is arranged at a predetermined height position.

【0021】ここで、撮像手段26が駆動され、LDチ
ップ12およびヒートシンク16が撮像される。撮像手
段26を構成するCCDカメラ56により得られた画像
信号は、画像処理部60に送られて画像処理が施され、
LDチップ12とヒートシンク16との相対位置情報に
基づいてそのずれ量が演算される。このずれ量は、制御
手段27に送られてLDチップ12とヒートシンク16
との相対位置補正が一定の時間間隔毎にリアルタイムで
フィードバック制御される。
Here, the imaging means 26 is driven, and the LD chip 12 and the heat sink 16 are imaged. An image signal obtained by the CCD camera 56 constituting the imaging means 26 is sent to an image processing unit 60 and subjected to image processing.
The shift amount is calculated based on the relative position information between the LD chip 12 and the heat sink 16. This deviation amount is sent to the control means 27 and is sent to the LD chip 12 and the heat sink 16.
Is corrected in real time at regular time intervals.

【0022】例えば、図3に示すように、LDチップ1
2のエッジがヒートシンク16の基準端面16aに対し
て補正量△θ(>基準値)だけずれていることが検出さ
れると、X−Y−θステージ18に設けられている回転
テーブル30が補正量△θに対応する角度だけ回転し、
ずれ量の補正が行われる。次いで、X軸方向およびY軸
方向のずれ量が基準値よりも大きい場合には、X−Y−
θステージ18が駆動制御されてヒートシンク16の基
準端面16aがLDチップ12のエッジ位置と一致する
までフィードバック制御が行われる。
For example, as shown in FIG.
When it is detected that the edge of No. 2 is shifted from the reference end face 16a of the heat sink 16 by the correction amount Δθ (> reference value), the rotation table 30 provided on the XY-θ stage 18 corrects the rotation. Rotate by an angle corresponding to the amount △ θ,
The shift amount is corrected. Next, when the shift amount in the X-axis direction and the Y-axis direction is larger than the reference value, XY-
stage 18 is driven and the feedback control is performed until the reference end face 16a of the heat sink 16 matches the edge position of the LD chip 12.

【0023】LDチップ12とヒートシンク16とのず
れ量が許容範囲内に入った後、ヒータ20が所定の温
度、本実施形態では、120℃まで昇温される。そし
て、モータ44が駆動されてZ軸可動テーブル48が下
降し、保持部材52に吸着保持されているLDチップ1
2がヒートシンク16上に当接する。さらに、加圧手段
50を介してLDチップ12をヒートシンク16上に一
定の荷重で加圧保持した状態で、ヒータ20が所定の温
度、本実施形態では、200℃まで昇温される。これに
より、ヒートシンク16の上面に予め設けられているろ
う材が溶融し、所定時間加熱後に冷却することによって
LDチップ12がヒートシンク16上にボンディングさ
れる。
After the amount of deviation between the LD chip 12 and the heat sink 16 falls within the allowable range, the heater 20 is heated to a predetermined temperature, in this embodiment, 120 ° C. Then, the motor 44 is driven to lower the Z-axis movable table 48, and the LD chip 1 sucked and held by the holding member 52.
2 abuts on heat sink 16. Further, the heater 20 is heated to a predetermined temperature, in this embodiment, 200 ° C. in a state where the LD chip 12 is pressed and held on the heat sink 16 with a constant load via the pressing means 50. As a result, the brazing material previously provided on the upper surface of the heat sink 16 is melted, and is cooled after heating for a predetermined time, whereby the LD chip 12 is bonded onto the heat sink 16.

【0024】この場合、本実施形態では、LDチップ1
2を位置決めするために、ヒートシンク16に設定され
た基準端面16aに、このヒートシンク16よりも低い
熱膨張係数を有する突き当て部材22が当接するととも
に、このヒートシンク16の端面16bには、スプリン
グ24が当接して前記ヒートシンク16を前記突き当て
部材22側に加圧している。このため、ヒータ20が駆
動されてヒートシンク16が加熱される際にこのヒート
シンク16が熱変形しても、前記ヒートシンク16の基
準端面16aの位置は、突き当て部材22によって確実
に維持される。
In this case, in this embodiment, the LD chip 1
In order to position the heat sink 2, abutment members 22 having a lower coefficient of thermal expansion than the heat sink 16 abut against a reference end surface 16a set on the heat sink 16, and a spring 24 is attached to an end surface 16b of the heat sink 16. The heat sink 16 is pressed against the abutting member 22 side in contact. For this reason, even if the heat sink 16 is thermally deformed when the heater 20 is driven to heat the heat sink 16, the position of the reference end surface 16 a of the heat sink 16 is reliably maintained by the butting member 22.

【0025】これにより、ヒータ20の加熱前に位置決
めされたLDチップ12とヒートシンク16との相対位
置がボンディング中にずれることがなく、前記LDチッ
プ12を所定の位置に高精度にボンディングすることが
できるという効果が得られる。特に、LDチップ12と
ヒートシンク16との位置決めをμmオーダの高精度で
行う際に、ヒータ20自体の熱膨張やヒートシンク16
自体の熱膨張に影響されることがなく、前記LDチップ
12と前記ヒートシンク16との位置ずれの発生を確実
に阻止することが可能になる。
Thus, the relative position between the LD chip 12 and the heat sink 16 positioned before the heater 20 is heated does not shift during bonding, and the LD chip 12 can be bonded to a predetermined position with high precision. The effect that it can be obtained is obtained. In particular, when positioning the LD chip 12 and the heat sink 16 with high accuracy on the order of μm, the thermal expansion of the heater 20 itself and the heat sink 16
It is possible to reliably prevent the occurrence of displacement between the LD chip 12 and the heat sink 16 without being affected by the thermal expansion of itself.

【0026】本実施形態では、突き当て部材22として
熱膨張係数が2×10-7で、熱伝導率が2W/mKのL
iO−Al2 3 −SiO2 系の結晶化ガラスを用いた
ところ、LDチップ12とヒートシンク16とのずれ量
が1μm以下となった。一方、突き当て部材22を用い
ない場合に、ずれ量が5μm以上となってしまい、この
突き当て部材22を使用することにより、高精度なボン
ディング作業が遂行されるという結果が得られた。
In the present embodiment, the abutting member 22 has a thermal expansion coefficient of 2 × 10 −7 and a thermal conductivity of 2 W / mK.
iO-Al 2 O 3 was used crystallized glass -SiO 2 system, the amount of deviation of the LD chip 12 and the heat sink 16 becomes 1μm or less. On the other hand, when the abutment member 22 was not used, the displacement amount was 5 μm or more, and the use of the abutment member 22 resulted in a high-precision bonding operation.

【0027】しかも、本実施形態では、ヒートシンク1
6のろう材を長時間、高温で液体状態に放置することが
ないため、このろう材が酸化して接着力が低下すること
を阻止するとともに、LDチップ12の側面、すなわ
ち、発光面にろう材が付着してLD性能の低下を惹起す
ることがない。
In this embodiment, the heat sink 1
Since the brazing material No. 6 is not left in a liquid state at a high temperature for a long time, the brazing material is prevented from being oxidized and the adhesive strength is reduced. No deterioration of LD performance is caused by the adhesion of the material.

【0028】さらにまた、本実施形態では、突き当て部
材22の熱伝導率が2W/mK以下に設定されている。
このため、ヒートシンク16が加熱される際にこのヒー
トシンク16に接触する突き当て部材22からの放熱量
を有効に減少させることができ、ヒータ20に付与され
るエネルギが減少してエネルギ効率が向上するという利
点が得られる。
Further, in the present embodiment, the thermal conductivity of the butting member 22 is set to 2 W / mK or less.
Therefore, when the heat sink 16 is heated, the amount of heat radiation from the abutting member 22 that comes into contact with the heat sink 16 can be effectively reduced, and the energy applied to the heater 20 decreases, and the energy efficiency improves. The advantage is obtained.

【0029】また、ヒータ20と支持部材34との間に
は、突き当て部材22と同一材質の断熱層32が設けら
れている。従って、このヒータ20からの熱が支持部材
34に伝わることを確実に阻止することができ、突き当
て部材22の熱変位を一層確実に低減することが可能に
なる。
Further, between the heater 20 and the supporting member 34, a heat insulating layer 32 made of the same material as the abutting member 22 is provided. Therefore, it is possible to reliably prevent the heat from the heater 20 from being transmitted to the support member 34, and it is possible to more reliably reduce the thermal displacement of the abutment member 22.

【0030】なお、本実施形態では、部品としてLDチ
ップ12を用い、装着対象物としてヒートシンク16を
用いているが、例えば、部品として半導体チップを用
い、装着対象物として基板を用いても、同様の効果が得
られることになる。また、ヒートシンク16をX−Y−
θステージ18に配置してこのヒートシンク16をX
軸、Y軸およびθ軸方向に移動可能に構成しているが、
LDチップ12を吸着保持する加圧手段50にX−Yス
テージを設ける一方、ヒートシンク16をθステージに
装着するように構成してもよい。
In the present embodiment, the LD chip 12 is used as a component and the heat sink 16 is used as a mounting object. However, for example, a semiconductor chip may be used as a component and a substrate may be used as a mounting object. The effect of is obtained. Further, the heat sink 16 is connected to the XY-
θ heat sink 16 and
Although it is configured to be movable in the axis, Y axis and θ axis directions,
The XY stage may be provided on the pressing means 50 for sucking and holding the LD chip 12, while the heat sink 16 may be mounted on the θ stage.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明に係る部品のボンディング装置で
は、加熱手段を介して装着対象物が加熱される際、部品
を位置決めするために前記装着対象物に設定された基準
端面に、低熱膨張係数を有する突き当て部材が当接する
ため、前記装着対象物が熱膨張してもその基準端面を所
定の位置に確実に保持し、前記部品を所定の位置に高精
度にボンディングすることができる。特に、構成が有効
に簡素化されるとともに、装着対象物を長時間加熱状態
で放置することがなく、ろう材の酸化等を有効に阻止し
て高精度なボンディング作業が遂行可能になる。
In the component bonding apparatus according to the present invention, when the mounting object is heated via the heating means, the reference end face set on the mounting object for positioning the component has a low thermal expansion coefficient. Since the abutment member having the abutment abuts, even if the mounting object thermally expands, the reference end surface can be reliably held at a predetermined position, and the component can be bonded to the predetermined position with high precision. In particular, the configuration is effectively simplified, and the mounting object is not left in a heated state for a long time, and the oxidation of the brazing material is effectively prevented, so that a highly accurate bonding operation can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る部品のボンディング装
置の概略斜視説明図である。
FIG. 1 is a schematic perspective explanatory view of a component bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】前記ボンディング装置の側面説明図である。FIG. 2 is an explanatory side view of the bonding apparatus.

【図3】前記ボンディング装置を構成する撮像手段によ
る撮像状態の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an image pickup state by an image pickup unit constituting the bonding apparatus.

【図4】一般的なLDの斜視説明図である。FIG. 4 is an explanatory perspective view of a general LD.

【図5】前記LDを構成するLDチップとヒートシンク
とが良好な状態で接合された際の側面説明図である。
FIG. 5 is an explanatory side view when an LD chip constituting the LD and a heat sink are joined in a good state.

【図6】前記LDチップと前記ヒートシンクとがずれた
状態で接合された際の側面説明図である。
FIG. 6 is an explanatory side view when the LD chip and the heat sink are bonded in a shifted state.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ボンディング装置 12…LDチップ 14…部品保持手段 16…ヒートシンク 18…X−Y−θステージ 22…突き当て部材 24…スプリング 26…撮像手段 27…制御手段 30…回転テーブル 32…断熱層 34…支持部材 48…Z軸可動テーブル 52…保持部材 56…CCDカメラ 58…光学レンズ系 60…画像処理部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Bonding apparatus 12 ... LD chip 14 ... Component holding means 16 ... Heat sink 18 ... XY-.theta. Stage 22 ... Butting member 24 ... Spring 26 ... Imaging means 27 ... Control means 30 ... Rotary table 32 ... Heat insulation layer 34 ... Supporting member 48: Z-axis movable table 52: Holding member 56: CCD camera 58: Optical lens system 60: Image processing unit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】部品を装着対象物上の所定の位置にボンデ
ィングするための部品のボンディング装置であって、 前記装着対象物を加熱する加熱手段と、 前記部品を位置決めするために前記装着対象物に設定さ
れた基準端面に当接し、前記基準端面を所定の位置に保
持するとともに、該装着対象物よりも低い熱膨張係数を
有する突き当て部材と、 前記装着対象物の前記基準端面と反対側の端面に当接
し、該装着対象物を前記突き当て部材側に加圧する弾性
部材と、 を備えることを特徴とする部品のボンディング装置。
1. A component bonding apparatus for bonding a component to a predetermined position on a mounting target, comprising: a heating unit for heating the mounting target; and a mounting target for positioning the component. Abuts against the reference end surface set to hold the reference end surface at a predetermined position, and has a lower thermal expansion coefficient than the mounting object; and an abutting member opposite to the reference end surface of the mounting object. And a resilient member that abuts against the end face of (a) and presses the mounting object against the abutting member.
【請求項2】請求項1記載のボンディング装置におい
て、前記突き当て部材は、前記装着対象物よりも低い熱
伝導率を有することを特徴とする部品のボンディング装
置。
2. The component bonding apparatus according to claim 1, wherein the abutting member has a lower thermal conductivity than the mounting object.
【請求項3】請求項1または2記載のボンディング装置
において、前記突き当て部材が設けられた支持部材と前
記加熱手段との間には、断熱層が介装されることを特徴
とする部品のボンディング装置。
3. The bonding apparatus according to claim 1, wherein a heat insulating layer is interposed between the supporting member provided with the abutting member and the heating means. Bonding equipment.
【請求項4】請求項1記載のボンディング装置におい
て、前記部品を保持して昇降可能な部品保持手段と、 ボンディング位置の上方から、前記部品と前記装着対象
物とを撮像する撮像手段と、 撮像された前記部品および前記装着対象物の相対位置情
報に基づいて、該部品および該装着対象物を相対的に位
置補正する制御手段と、 を備えることを特徴とする部品のボンディング装置。
4. A bonding apparatus according to claim 1, wherein said component holding means is capable of holding said component and moving up and down; an imaging means for imaging said component and said mounting object from above a bonding position; Control means for relatively correcting the position of the component and the object to be mounted based on the relative position information of the component and the object to be mounted.
JP11080408A 1999-03-24 1999-03-24 Part bonding device Pending JP2000277540A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11080408A JP2000277540A (en) 1999-03-24 1999-03-24 Part bonding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11080408A JP2000277540A (en) 1999-03-24 1999-03-24 Part bonding device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000277540A true JP2000277540A (en) 2000-10-06

Family

ID=13717477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11080408A Pending JP2000277540A (en) 1999-03-24 1999-03-24 Part bonding device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000277540A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7836597B2 (en) 2002-11-01 2010-11-23 Cooligy Inc. Method of fabricating high surface to volume ratio structures and their integration in microheat exchangers for liquid cooling system
US8602092B2 (en) 2003-07-23 2013-12-10 Cooligy, Inc. Pump and fan control concepts in a cooling system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7836597B2 (en) 2002-11-01 2010-11-23 Cooligy Inc. Method of fabricating high surface to volume ratio structures and their integration in microheat exchangers for liquid cooling system
US8602092B2 (en) 2003-07-23 2013-12-10 Cooligy, Inc. Pump and fan control concepts in a cooling system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11935863B2 (en) Laser reflow apparatus and laser reflow method
EP1962128B1 (en) Aligning apparatus, bonding apparatus and aligning method
TWI681478B (en) Installation device and installation method
US11177157B2 (en) Method for constructing micro-LED display module
WO2001067839A1 (en) Chip-mounting device and method of alignment thereof
WO2021131080A1 (en) Joining method, item to be joined, and joining device
JP2813507B2 (en) Bonding method and bonding apparatus
JP3140994B2 (en) Device for creating a connection between two respective contacting elements by means of laser energy
WO2001020660A1 (en) Method of mounting optical and electrical devices, and mounting structure
JP2000277540A (en) Part bonding device
JP4169938B2 (en) Solid-state image sensor holding block and solid-state image sensor mounting structure
JP5391007B2 (en) Electronic component mounting apparatus and mounting method
JP2009200303A (en) Laminating and bonding apparatus and laminating and bonding method
CN114567142A (en) Memory alloy motor module, assembly system and assembly method
JP4401795B2 (en) Optical axis deviation adjusting method and optical axis adjusting apparatus
JP7148250B2 (en) Substrate mounting stage and mounting device
JP2977338B2 (en) Semiconductor module
WO2019176912A1 (en) Semiconductor module and method of manufacturing same
JP4023278B2 (en) Suction nozzle and die bonding equipment
JP3393483B2 (en) Optical semiconductor module and manufacturing method thereof
CN219093974U (en) Micro-LED laser processing system
JP4083533B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2019016658A (en) Optical module and method for manufacturing the same
JP5861482B2 (en) Optical module manufacturing apparatus and manufacturing method
JPH02162881A (en) Solid-state image pickup device