JP2000275192A - X-ray diffraction apparatus - Google Patents
X-ray diffraction apparatusInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、X線回折の測定を
任意の分解能で測定することが可能なX線回折装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray diffractometer capable of measuring X-ray diffraction at an arbitrary resolution.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年の種々のデバイス材料が薄膜の形態
で構成されているため、X線回折を利用して薄膜の結晶
構造について調べる方法は、頻繁に用いられている。ま
た、X線回折の手法は、測定雰囲気を自由に制御できる
ことや、非破壊で測定できること、回折強度の定量が比
較的容易であること等が利点である。2. Description of the Related Art Since various device materials in recent years are formed in the form of a thin film, a method of examining the crystal structure of the thin film using X-ray diffraction is frequently used. In addition, the X-ray diffraction method has advantages in that the measurement atmosphere can be freely controlled, non-destructive measurement can be performed, and diffraction intensity can be relatively easily quantified.
【0003】X回折を用いて薄膜の構造評価を行う場
合、薄膜からの回折X線を効率よく検出し、基板からの
バックグラウンドをできるだけ低減させることが重要に
なる。そのために、一般的によく用いられている手法と
して、以下に挙げる2つの方法がある。When evaluating the structure of a thin film using X diffraction, it is important to detect diffracted X-rays from the thin film efficiently and to reduce the background from the substrate as much as possible. For this purpose, the following two methods are generally used.
【0004】(1)斜入射法:X線の試料表面に対する
入射角度を数度以下に限定し、検出器を表面と垂直な面
内で走査させる方法。(1) Oblique incidence method: A method in which the angle of incidence of X-rays on a sample surface is limited to several degrees or less, and a detector is scanned in a plane perpendicular to the surface.
【0005】(2)斜出射法:X線の試料表面に対する
入射角度は比較的大きく設定し、検出器を、試料表面と
垂直な面内で走査させ、X線の検出を、試料表面近傍に
設定する方法。斜入射方法と比べて、一次X線のビーム
の大きさを適宜設定することで、微小領域の測定が可能
になる。(2) Oblique emission method: The incidence angle of X-rays on the sample surface is set relatively large, the detector is scanned in a plane perpendicular to the sample surface, and X-rays are detected near the sample surface. How to set. Compared to the oblique incidence method, by setting the size of the primary X-ray beam appropriately, it becomes possible to measure a minute area.
【0006】いずれの方法においても、代表的なX線の
検出方法としては、シンチレーションカウンター等の0
次元検出器を走査させて測定するのが一般的である。[0006] In any of the methods, a typical method of detecting X-rays is to use a scintillation counter or the like.
In general, measurement is performed by scanning a dimensional detector.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】薄膜材料の構造評価を
X線回折測定にて行う際の分解能は、以下のように決定
される。The resolution at the time of evaluating the structure of a thin film material by X-ray diffraction measurement is determined as follows.
【0008】斜入射法による測定においては、試料で回
折されたX線の回折プロファイルを高分解能で測定を行
うためには、通常、検出器の直前に、薄い箔が、検出器
の走査方向に垂直になるように取り付けられた、いわゆ
るソーラスリットを用いる。ソーラスリットは、厚さが
50μm程度のステンレス箔等を、50枚から100枚
近く100μm程度の間隔に保ちながら、完全に平行に
積み重ねなければならない。分解能を適宜選択して測定
するためには、ソーラスリットの交換を必要とする上、
ある程度以上の分解能を達成するのは、ソーラスリット
の作成の技術上、困難である。通常の実験室系での使用
に当たっては、0.25゜程度の固定分解能で使用され
ている。In the measurement by the grazing incidence method, in order to measure the diffraction profile of the X-ray diffracted by the sample at a high resolution, a thin foil is usually placed immediately before the detector in the scanning direction of the detector. A so-called solar slit mounted so as to be vertical is used. The solar slits must be completely stacked in parallel, keeping stainless steel foil or the like having a thickness of about 50 μm at an interval of about 50 to 100 and close to 100 μm. In order to select and measure the resolution appropriately, it is necessary to replace the solar slit,
Achieving a certain level of resolution or more is difficult from the technical point of view of the solar slit. When used in a normal laboratory system, it is used at a fixed resolution of about 0.25 °.
【0009】一方、斜出射法による測定においては、検
出するX線が、試料表面近傍で出射されてくるほぼ平行
な成分であるるため、通常は、スリット等を用いること
でX線検出の分解能を決定する。従って、分解能は、使
用したスリットの幅で決定され、通常の配置では、0.
05゜程度の分解能である。よって、分解能を適宜選択
するためにはスリットの交換を行う必要が生じるが、可
変スリット等を用いない限り、分解能を適宜設定するこ
とは不可能であった。On the other hand, in the measurement by the oblique emission method, since the X-rays to be detected are almost parallel components emitted near the sample surface, the resolution of the X-ray detection is usually determined by using a slit or the like. To determine. Therefore, the resolution is determined by the width of the slit used, and in a normal arrangement, the resolution is 0.1 mm.
The resolution is about 05 °. Therefore, in order to appropriately select the resolution, it is necessary to exchange the slits, but it is impossible to set the resolution appropriately unless a variable slit or the like is used.
【0010】本発明は上述の問題点を解消するためにな
されたものであって、試料にX線を照射したときに生ず
る回折X線の回折パターンの測定において、分解能を任
意に設定することができるX線回折装置を提供すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and it is possible to arbitrarily set a resolution in measuring a diffraction pattern of a diffraction X-ray generated when a sample is irradiated with an X-ray. It is an object of the present invention to provide an X-ray diffractometer capable of being used.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のX線回折装置は、試料にX線を照射したとき
に、該試料によって回折されて生ずる回折X線を検出す
ることにより、前記試料の構造情報を得るX線回折装置
であって、前記試料の表面に対する照射X線の入射角度
を規定する入射角度規定手段と、前記試料の表面を含む
面に対する前記回折X線の出射角度を計測するためのX
線検出手段と、前記X線検出手段の分解能を変化させる
分解能可変手段とを有することを特徴とする。In order to achieve the above object, an X-ray diffractometer according to the present invention detects a diffracted X-ray generated by diffracting a sample when the sample is irradiated with X-rays. An X-ray diffraction apparatus for obtaining structural information of the sample, comprising: an incident angle defining means for defining an incident angle of irradiation X-rays on a surface of the sample; and an emission angle of the diffracted X-rays on a surface including the surface of the sample. X to measure
It is characterized by having a line detecting means and a resolution changing means for changing the resolution of the X-ray detecting means.
【0012】上記のとおり構成された本発明のX線回折
装置では、試料への入射X線の入射角度を入射角度規定
手段により規定し、試料からの回折X線の出射角度をX
線検出手段で計測することにより、X線の回折プロファ
イルが得られ、これに基づいて試料表面近傍の構造情報
を得ることができる。ここで、本発明では分解能可変手
段を有するので、X線検出手段の分解能は任意に設定さ
れる。In the X-ray diffractometer of the present invention configured as described above, the incident angle of the incident X-ray to the sample is defined by the incident angle defining means, and the output angle of the diffracted X-ray from the sample is set to X-ray.
X-ray diffraction profile is obtained by measuring with the line detecting means, and based on this, structural information near the sample surface can be obtained. Here, in the present invention, the resolution of the X-ray detecting means is arbitrarily set because the resolution changing means is provided.
【0013】X線検出手段としては位置敏感型比例計数
管を用いることができ、この場合、その分解能は、試料
との距離に応じて変化する。従って、分解能可変手段と
して、位置敏感型比例計数管の試料との距離を変化させ
る手段を用いることで、容易に分解能を設定可能であ
る。また、位置敏感型比例計数管による回折X線の検出
をより良好にするために、分解能可変手段は、さらに、
試料に対する角度や、試料との距離を変化させる方向と
垂直な方向の位置を変化させるものであることが好まし
い。As the X-ray detecting means, a position-sensitive proportional counter can be used, and in this case, the resolution changes according to the distance from the sample. Therefore, the resolution can be easily set by using the means for changing the distance between the position-sensitive proportional counter and the sample as the resolution changing means. Further, in order to improve the detection of diffracted X-rays by the position-sensitive proportional counter, the resolution changing means further includes:
It is preferable to change the position in the direction perpendicular to the direction in which the angle to the sample or the distance to the sample is changed.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0015】図1は、本発明を適用した試料測定装置の
一例を示す模式図である。本実施形態では、基板2上に
薄膜1が形成された試料3を測定の対象としている。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a sample measuring apparatus to which the present invention is applied. In this embodiment, the sample 3 in which the thin film 1 is formed on the substrate 2 is an object to be measured.
【0016】図1において、X線源7から放射された単
一波長の一次X線4は、ほぼ平行ビームとなって、基板
2上に形成された薄膜1に照射される。一次X線4を平
行ビームにするための手段として、ソーラスリットや、
4結晶あるいは、2結晶モノクロメーター等を用いるこ
とができる。X線源7としては、各種X線管の他、単色
化されたシンクロトロン放射光を用いることがとができ
る。In FIG. 1, primary X-rays 4 of a single wavelength emitted from an X-ray source 7 are applied to the thin film 1 formed on a substrate 2 as substantially parallel beams. As means for converting the primary X-ray 4 into a parallel beam, a solar slit,
A four-crystal or two-crystal monochromator can be used. As the X-ray source 7, monochromatic synchrotron radiation can be used in addition to various X-ray tubes.
【0017】X線源7と試料3との間には、照射領域制
限手段8が挿入されている。照射領域制限手段8として
は、通常のスリット、1つまたは複数のX線反射集光光
学系、キャピラリー等のX線導管等を用いることが可能
である。一次X線4の、試料3への照射領域の大きさ
は、これらの照射領域制限手段8を適宜使用すること
で、数μm〜数mm程度の範囲で選択が可能である。An irradiation area limiting means 8 is inserted between the X-ray source 7 and the sample 3. As the irradiation area limiting means 8, it is possible to use a normal slit, one or a plurality of X-ray reflection and collection optical systems, an X-ray conduit such as a capillary, or the like. The size of the irradiation area of the primary X-rays 4 on the sample 3 can be selected in the range of several μm to several mm by appropriately using these irradiation area limiting means 8.
【0018】試料3は、試料回転機構が装備されたゴニ
オメーター12上に保持されており、この回転機構を用
いることで、一次X線4の、試料3の表面に対する入射
角度ωを自由に設定できるようになっている。The sample 3 is held on a goniometer 12 equipped with a sample rotating mechanism. By using this rotating mechanism, the incident angle ω of the primary X-ray 4 with respect to the surface of the sample 3 can be freely set. I can do it.
【0019】照射領域制限手段8を透過した一次X線4
は、試料3の表面で回折及び散乱される。この回折/散
乱X線5は、遮蔽体9を透過し、回折/散乱X線5の出
射角度を計測するためのX線検出器である位置敏感型比
例計数管6(PSPC:Position Sensitive Proportio
nal Counter)で検出される。遮蔽体9を設置してある
のは、試料3からの回折/散乱X線5のみを検出するた
めに、余分な領域から散乱されてきたX線等を位置敏感
型比例計数管6に入射させないためである。Primary X-rays 4 transmitted through the irradiation area limiting means 8
Are diffracted and scattered on the surface of the sample 3. The diffracted / scattered X-rays 5 pass through the shield 9 and are position-sensitive proportional counters 6 (PSPCs), which are X-ray detectors for measuring the exit angle of the diffracted / scattered X-rays 5.
nal Counter). In order to detect only the diffracted / scattered X-rays 5 from the sample 3, the shield 9 is installed so that X-rays and the like scattered from an extra area are not made incident on the position-sensitive proportional counter 6. That's why.
【0020】位置敏感型比例計数管6は、試料3の回転
中心から位置敏感型比例計数管6内の芯線10までの距
離Lを規定する方向(Tx方向)、及びそれに直交する
方向(Ty方向)に自由に移動可能とするため、それぞ
れの方向への移動が可能な、本発明でいう分解能可変手
段としての並進ステージ11上に設置されている。例え
ばこの並進ステージ11を外部から制御可能とすれば、
測定に応じた配置を容易に設定することが可能となる。
また、並進ステージ11は、回折/散乱X線5の位置敏
感型比例計数管6に対する入射角度を調整できるように
するために、試料3の回転面と平行な面内で回転可能と
してもよい。The position-sensitive proportional counter 6 has a direction (T x direction) defining a distance L from the center of rotation of the sample 3 to the core wire 10 in the position-sensitive proportional counter 6, and a direction (T x ) perpendicular thereto. In order to be able to move freely in the ( y direction), it is installed on a translation stage 11 as a resolution varying means in the present invention, which can move in each direction. For example, if the translation stage 11 can be controlled from outside,
The arrangement according to the measurement can be easily set.
The translation stage 11 may be rotatable in a plane parallel to the rotation plane of the sample 3 so that the angle of incidence of the diffracted / scattered X-rays 5 on the position-sensitive proportional counter 6 can be adjusted.
【0021】位置敏感型比例計数管6自体は、独立に移
動可能に設定することも可能であるし、試料3の回転中
心を回転軸として回転可能なように設定することも可能
である。The position-sensitive proportional counter 6 itself can be set to be independently movable or can be set to be rotatable about the rotation center of the sample 3 as a rotation axis.
【0022】測定の分解能は、回折X線が発生する領域
が点光源とみなせる場合、試料3の回転中心から位置敏
感型比例計数管6内の芯線10までの距離Lと、位置敏
感型比例計数管6自体が有する固有の分解能Rとによっ
て決定される。よって、試料3の回転中心から位置敏感
型比例計数管6内の芯線10までの距離Lを変化させる
ことで、適宜分解能を決定することができる。When the area where the diffracted X-rays are generated can be regarded as a point light source, the measurement resolution is the distance L from the center of rotation of the sample 3 to the core wire 10 in the position-sensitive proportional counter 6 and the position-sensitive proportional count. It is determined by the inherent resolution R of the tube 6 itself. Therefore, the resolution can be appropriately determined by changing the distance L from the rotation center of the sample 3 to the core wire 10 in the position-sensitive proportional counter 6.
【0023】なお、検出器(位置敏感型比例計数管6)
の両端ではX線が斜入射してくるため、中央付近よりも
分解能は若干低下する。A detector (position-sensitive proportional counter 6)
The X-rays are obliquely incident on both ends of, and the resolution is slightly lower than that near the center.
【0024】また、通常の位置敏感型比例計数管6の使
用にあたっては、その内部をArとCH4の混合ガス等
で置換を行い、測定する。例えば、PRガス(Ar90
%、CH410%の混合ガス)で置換した場合には、検
出の計数効率が、使用する一次X線4のエネルギーによ
って変化する。例えば、エネルギーとしてCuKαを用
いると38%、CrKαを用いると54%程度である。
よって、より効率よく検出を行うためには、CrKα近
傍のエネルギーを用いるのが好ましい。In using the ordinary position-sensitive proportional counter 6, the inside is replaced with a mixed gas of Ar and CH 4 or the like, and the measurement is performed. For example, PR gas (Ar90
%, CH 4 10%), the counting efficiency of detection changes depending on the energy of the primary X-ray 4 used. For example, the energy is about 38% when using CuKα and about 54% when using CrKα.
Therefore, in order to perform detection more efficiently, it is preferable to use energy near CrKα.
【0025】実際の測定に際しては、まず、ゴニオメー
タ12の試料回転機構の駆動により試料3の表面に対す
る一次X線4の入射角度ωを決定し、固定する。その
後、薄膜1の所望のブラッグ角が検出可能な位置に位置
敏感型比例計数管6を設置する。In the actual measurement, first, the incident angle ω of the primary X-ray 4 with respect to the surface of the sample 3 is determined by driving the sample rotating mechanism of the goniometer 12 and fixed. Thereafter, the position-sensitive proportional counter 6 is installed at a position where the desired Bragg angle of the thin film 1 can be detected.
【0026】その後、回折ピークをモニターしながら、
回折ピークが、位置敏感型比例計数管6のほぼ中央に現
れるように、並進ステージ11を駆動して位置敏感型比
例計数管6をTy方向へ移動させる。回折ピークは必ず
しも中央に現れるようにする必要はないが、回折ピーク
をより正確に再現させるためには、中央に現れるように
することが望ましい。Then, while monitoring the diffraction peak,
The translation stage 11 is driven to move the position-sensitive proportional counter 6 in the Ty direction so that the diffraction peak appears substantially at the center of the position-sensitive proportional counter 6. The diffraction peak does not necessarily need to appear at the center, but it is desirable to appear at the center in order to reproduce the diffraction peak more accurately.
【0027】次に、所望の分解能が得られるように、位
置敏感型比例計数管6をTy方向へ移動させ、最適な配
置を決定し、回折ピークの測定を行う。このように、分
解能の設定は、位置敏感型比例計数管6をTx方向に移
動させるだけでよいので、容易に分解能を設定すること
ができる。Next, the position-sensitive proportional counter 6 is moved in the Ty direction so as to obtain a desired resolution, an optimum arrangement is determined, and a diffraction peak is measured. As described above, the resolution can be set easily only by moving the position-sensitive proportional counter 6 in the Tx direction.
【0028】[0028]
【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものをも包含する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to specific examples, but the present invention is not limited to these examples, and each element within a range in which the object of the present invention is achieved. This also includes those in which substitutions or design changes have been made.
【0029】(実施例1)本実施例における実験配置
は、図1と同様である。X線源7としては、Cuを対陰
極とする回転対陰極X線管を使用した。回転対陰極X線
管を、管電圧40kV、管電流200mAで駆動した。
X線焦点はラインフォーカスとした。本実施例の配置で
は実効焦点の幅は、0.05mm、長さは10mmであ
る。(Example 1) The experimental arrangement in this example is the same as that in FIG. As the X-ray source 7, a rotating anti-cathode X-ray tube using Cu as a negative electrode was used. The rotating anti-cathode X-ray tube was driven at a tube voltage of 40 kV and a tube current of 200 mA.
The X-ray focus was a line focus. In the arrangement of the present embodiment, the width of the effective focal point is 0.05 mm and the length is 10 mm.
【0030】照射領域制限手段8としては、幅150μ
mのスリットを、X線源7から100mmの位置に設置
した。X線源7から発生した一次X線4は、照射領域制
限手段8を透過し、照射領域制限手段8から85mmの
位置にある試料3に照射される。本実施例では、基板2
として石英基板を用い、その上に、薄膜1として、真空
蒸着で形成されたパラジウム薄膜を、大気中で加熱し、
酸化したものを試料3とした。試料3の表面に対する一
次X線4の入射角度ωを適宜設定することで、斜出射X
線回折測定を行った。The irradiation area limiting means 8 has a width of 150 μm.
m slit was set at a position 100 mm from the X-ray source 7. The primary X-rays 4 generated from the X-ray source 7 pass through the irradiation area limiting means 8 and are irradiated on the sample 3 at a position 85 mm from the irradiation area limiting means 8. In this embodiment, the substrate 2
A palladium thin film formed by vacuum deposition as a thin film 1 on the quartz substrate is heated in the atmosphere,
The oxidized product was designated as Sample 3. By appropriately setting the incident angle ω of the primary X-ray 4 with respect to the surface of the sample 3, the oblique emission X
A line diffraction measurement was performed.
【0031】初めに、芯線10の有功長sが50mmの
位置敏感型比例計数管6を、試料3の回転中心から20
0mmの位置に固定し、斜出射X線回折測定を行ったと
ころ、2θ=32°〜44°程度までの回折パターンを
測定することができ、金属パラジウムに起因する回折ピ
ークと酸化パラジウムに起因する回折ピークの両方が観
測された。本配置における分解能は、およそ0.06°
であった。First, the position-sensitive proportional counter 6 whose effective length s of the core wire 10 is 50 mm is set at 20 mm from the rotation center of the sample 3.
When fixed at a position of 0 mm and subjected to oblique emission X-ray diffraction measurement, a diffraction pattern of 2θ = about 32 ° to 44 ° can be measured, and a diffraction peak due to metallic palladium and a diffraction peak due to palladium oxide can be measured. Both diffraction peaks were observed. The resolution in this arrangement is approximately 0.06 °
Met.
【0032】さらに、金属パラジウムに関する情報を得
るために、位置敏感型比例計数管6を試料3の回転中心
から500mmの位置まで移動し固定することで、斜出
射X線回折測定を行った。本配置では、2θ=38°〜
43°程度までの回折角度の測定が行え、金属パラジウ
ムに起因する2θ=40.1°近傍のピークが観測され
た。本配置における分解能は、およそ0.02°であっ
た。Further, in order to obtain information on metal palladium, the position-sensitive proportional counter 6 was moved to a position 500 mm from the center of rotation of the sample 3 and fixed to perform oblique emission X-ray diffraction measurement. In this arrangement, 2θ = 38 ° ~
The diffraction angle was measured up to about 43 °, and a peak around 2θ = 40.1 ° due to metallic palladium was observed. The resolution in this arrangement was approximately 0.02 °.
【0033】(実施例2)実験に用いた配置は実施例1
と同様で、測定した試料3は、石英基板上にアルミニウ
ム膜を真空蒸着したものを用いた。この配置で斜出射X
線回折測定を行った。試料3の表面に対する一次X線4
の入射角度ωは、38.0゜とした。芯線10の有功長
sが50mmの位置敏感型比例計数管6を、試料3の回
転中心から300mmの位置に固定し、斜出射X線回折
測定を行った。本配置では、2θ=34°〜43°程度
までの回折パターンを測定することができ、アルミニウ
ムに起因する回折ピークが観測された。本配置における
分解能は、およそ0.04°であった。(Embodiment 2) The arrangement used in the experiment is Embodiment 1.
In the same manner as in the above, for the measured sample 3, an aluminum film was vacuum-deposited on a quartz substrate. Oblique emission X in this arrangement
A line diffraction measurement was performed. Primary X-ray 4 on the surface of sample 3
Was set to 38.0 °. The position-sensitive proportional counter 6 whose effective length s of the core wire 10 was 50 mm was fixed at a position 300 mm from the rotation center of the sample 3, and oblique emission X-ray diffraction measurement was performed. In this arrangement, a diffraction pattern from 2θ = about 34 ° to 43 ° could be measured, and a diffraction peak due to aluminum was observed. The resolution in this arrangement was approximately 0.04 °.
【0034】(実施例3)実験配置及び試料3は実施例
2と同様であるが、X線源7として、Crを対陰極とす
る回転対陰極X線管を使用した。回転対陰極X線管を、
管電圧40kV、管電流200mAで駆動した。X線焦
点はラインフォーカスとした。本実施例の配置では実効
焦点の幅は、0.05mm、長さは10mmである。位
置敏感型比例計数管6の検出効率が、Crの特性X線を
使用したので、Cuの特性X線を用いて測定した実施例
3の場合より、短時間で同等のS/N比のデータを得る
ことができた。(Example 3) The experimental arrangement and sample 3 were the same as in Example 2, except that a rotating anti-cathode X-ray tube using Cr as a negative electrode was used as the X-ray source 7. Rotating anti-cathode X-ray tube,
It was driven at a tube voltage of 40 kV and a tube current of 200 mA. The X-ray focus was a line focus. In the arrangement of this embodiment, the effective focal point has a width of 0.05 mm and a length of 10 mm. Since the detection efficiency of the position-sensitive proportional counter 6 uses the characteristic X-ray of Cr, the data of the S / N ratio is shorter than that of the third embodiment measured using the characteristic X-ray of Cu. Could be obtained.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、試
料からの回折X線の出射角度を計測するためのX線検出
手段の分解能を変化させる分解能可変手段を有するの
で、回折X線の回折プロファイルを得る際の分解能を任
意に設定することができる。特に、X線検出手段を位置
敏感型比例計数管とした場合には、分解能可変手段は、
試料に対する位置敏感型比例計数管の距離を変化させる
ものであればよいので、分解能を容易に設定することが
できる。As described above, according to the present invention, the resolution variable means for changing the resolution of the X-ray detecting means for measuring the angle of emission of the diffracted X-ray from the sample is provided. The resolution for obtaining the diffraction profile can be set arbitrarily. In particular, when the X-ray detecting means is a position-sensitive proportional counter, the resolution varying means
The resolution can be easily set as long as the distance of the position-sensitive proportional counter to the sample is changed.
【図1】本発明を適用した試料測定装置の一例を示す模
式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a sample measuring device to which the present invention is applied.
1 薄膜 2 基板 3 試料 4 一次X線 5 回折/散乱X線 6 位置敏感型比例計数管 7 X線源 8 照射領域制限手段 9 遮蔽体 10 芯線 11 並進ステージ 12 ゴニオメータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin film 2 Substrate 3 Sample 4 Primary X-ray 5 Diffraction / scattered X-ray 6 Position sensitive proportional counter 7 X-ray source 8 Irradiation area limiting means 9 Shield 10 Core wire 11 Translation stage 12 Goniometer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G001 AA01 AA09 BA14 BA18 CA01 DA01 DA02 DA03 DA08 EA09 GA05 GA13 JA06 JA11 JA20 KA08 KA13 MA05 NA06 NA15 NA17 NA21 RA03 SA01 SA02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G001 AA01 AA09 BA14 BA18 CA01 DA01 DA02 DA03 DA08 EA09 GA05 GA13 JA06 JA11 JA20 KA08 KA13 MA05 NA06 NA15 NA17 NA21 RA03 SA01 SA02
Claims (5)
よって回折されて生ずる回折X線を検出することによ
り、前記試料の構造情報を得るX線回折装置であって、 前記試料の表面に対する照射X線の入射角度を規定する
入射角度規定手段と、 前記試料の表面を含む面に対する前記回折X線の出射角
度を計測するためのX線検出手段と、 前記X線検出手段の分解能を変化させる分解能可変手段
とを有することを特徴とするX線回折装置。1. An X-ray diffraction apparatus for obtaining structural information of a sample by irradiating the sample with X-rays and detecting diffracted X-rays generated by diffraction of the sample. Incident angle defining means for defining the incident angle of the irradiated X-ray to the X-ray; X-ray detecting means for measuring the emission angle of the diffracted X-ray with respect to the surface including the surface of the sample; and resolution of the X-ray detecting means. An X-ray diffraction apparatus, comprising: a resolution changing means for changing the resolution.
管である、請求項1に記載のX線回折装置。2. The X-ray diffraction apparatus according to claim 1, wherein said X-ray detection means is a position-sensitive proportional counter.
比例計数管の前記試料との距離を変化させる手段であ
る、請求項2に記載のX線回折装置。3. The X-ray diffraction apparatus according to claim 2, wherein said resolution changing means is means for changing a distance between said position-sensitive proportional counter and said sample.
比例計数管の前記試料に対する角度を変化させる手段で
ある、請求項3に記載のX線回折装置。4. The X-ray diffraction apparatus according to claim 3, wherein said resolution changing means changes an angle of said position-sensitive proportional counter with respect to said sample.
比例計数管の前記試料との距離を変化させる方向と垂直
な方向の位置を変化させる手段である、請求項3または
4に記載のX線回折装置。5. The X according to claim 3, wherein the resolution varying means is means for changing a position of the position-sensitive proportional counter in a direction perpendicular to a direction in which a distance from the sample is changed. Line diffractometer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11081739A JP2000275192A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | X-ray diffraction apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11081739A JP2000275192A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | X-ray diffraction apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2000275192A true JP2000275192A (en) | 2000-10-06 |
Family
ID=13754818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11081739A Pending JP2000275192A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | X-ray diffraction apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2000275192A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003014895A (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Rigaku Corp | X-ray analyzer and x-ray supplier |
JP2018028470A (en) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社リガク | X-ray diffraction device |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11081739A patent/JP2000275192A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003014895A (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Rigaku Corp | X-ray analyzer and x-ray supplier |
JP2018028470A (en) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社リガク | X-ray diffraction device |
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