JP2000268428A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速回転時でも安定した回転とデータ信頼性
を維持でき、中心穴を有し、中心穴に担持されたハブを
介して回転する光磁気ディスクを提供する。 【解決手段】 基板に熱伝導率10−3〜10−6(cal
/℃・cm・s)の材料を用い、かつ、基板とハブの接触面
積Yと、基盤の投影面積Xの関係をY/X≧0.02と
する。
を維持でき、中心穴を有し、中心穴に担持されたハブを
介して回転する光磁気ディスクを提供する。 【解決手段】 基板に熱伝導率10−3〜10−6(cal
/℃・cm・s)の材料を用い、かつ、基板とハブの接触面
積Yと、基盤の投影面積Xの関係をY/X≧0.02と
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクの
構造に係り、特に、高速回転領域においても、高いデー
タ信頼性と回転安定性とを備えた、光磁気ディスクの構
造に関する。
構造に係り、特に、高速回転領域においても、高いデー
タ信頼性と回転安定性とを備えた、光磁気ディスクの構
造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光磁気ディスクの装着方法とし
て、メカニカルクランプ方式や、マグネチッククランプ
方式が採用されている。マグネチッククランプ方式は、
メカニカルクランプ方式のように光磁気ディスクの固定
装置を必要とせず、第1図に示すように、基板1をスピ
ンドル2の受け面でささえ、基板1の中心部に取り付け
た磁石により吸引可能なハブ3によりスピンドル2のデ
ィスク受け面に押し付ける方法で、メカニカルクランプ
方式に比べ装置を小型化できるメリットがある。しか
し、この方式は、プラスチック基板とハブの熱膨張率の
差から、周囲温度の変化により基板内に歪応力が発生す
るという、リタデーションの問題があった。このリタデ
ーションは、光磁気ディスクの記録再生光の偏光状態を
乱し、記録再生特性の劣化を招く。これに対し、第2図
に示したのは、この欠点を解決する一手段を与えるもの
の基本構成図である。この例の一つは、例えば特開昭6
2−46446号にその構造が詳しく述べられている。
これは、マグネチッククランプ用ハブ3を、ディスク1
に固着せずに、基板1とマグネチッククランプ用のハブ
3を遊離させ、スピンドル2に設置してある磁石4によ
ってマグネチッククランプ用ハブ3を引き寄せ、同時に
マグネチッククランプ用ハブ3を基板1に押し付けてデ
ィスクを回転させている。この方法では、マグネチック
クランプ用ハブと基板を固着していないので、リタデー
ションの問題は発生しない。
て、メカニカルクランプ方式や、マグネチッククランプ
方式が採用されている。マグネチッククランプ方式は、
メカニカルクランプ方式のように光磁気ディスクの固定
装置を必要とせず、第1図に示すように、基板1をスピ
ンドル2の受け面でささえ、基板1の中心部に取り付け
た磁石により吸引可能なハブ3によりスピンドル2のデ
ィスク受け面に押し付ける方法で、メカニカルクランプ
方式に比べ装置を小型化できるメリットがある。しか
し、この方式は、プラスチック基板とハブの熱膨張率の
差から、周囲温度の変化により基板内に歪応力が発生す
るという、リタデーションの問題があった。このリタデ
ーションは、光磁気ディスクの記録再生光の偏光状態を
乱し、記録再生特性の劣化を招く。これに対し、第2図
に示したのは、この欠点を解決する一手段を与えるもの
の基本構成図である。この例の一つは、例えば特開昭6
2−46446号にその構造が詳しく述べられている。
これは、マグネチッククランプ用ハブ3を、ディスク1
に固着せずに、基板1とマグネチッククランプ用のハブ
3を遊離させ、スピンドル2に設置してある磁石4によ
ってマグネチッククランプ用ハブ3を引き寄せ、同時に
マグネチッククランプ用ハブ3を基板1に押し付けてデ
ィスクを回転させている。この方法では、マグネチック
クランプ用ハブと基板を固着していないので、リタデー
ションの問題は発生しない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、実際にこれ
を実施した場合、従来の回転数ではまったく問題がなか
ったが、高速転送レートを実現するために回転を上げて
いったところ、720r.p.m以上の回転数では、記録再
生装置に振動が発生し、トラッキングエラーやデータの
ライト/リードエラーが頻発するという現象を観察し
た。また、この現象は、720r.p.m以下ではまったく
観察されなかったが、それを超えた場合は回転が高速に
なるほど、より顕著であった。この理由は、種種考察の
結果、基板とマグネチッククランプ用ハブの間で働く摩
擦力よりディスクの回転力の方が大きくなるためすべり
が発生し、光磁気ディスクの回転が不安定になり、回転
ムラが発生することが考えられる。さらには、回転ムラ
により生じた面振れや空気の流れの乱れ(乱流)が影響す
るものと考えられる。
を実施した場合、従来の回転数ではまったく問題がなか
ったが、高速転送レートを実現するために回転を上げて
いったところ、720r.p.m以上の回転数では、記録再
生装置に振動が発生し、トラッキングエラーやデータの
ライト/リードエラーが頻発するという現象を観察し
た。また、この現象は、720r.p.m以下ではまったく
観察されなかったが、それを超えた場合は回転が高速に
なるほど、より顕著であった。この理由は、種種考察の
結果、基板とマグネチッククランプ用ハブの間で働く摩
擦力よりディスクの回転力の方が大きくなるためすべり
が発生し、光磁気ディスクの回転が不安定になり、回転
ムラが発生することが考えられる。さらには、回転ムラ
により生じた面振れや空気の流れの乱れ(乱流)が影響す
るものと考えられる。
【0004】また、記録密度向上のために基板の厚みを
薄くしていくと、基板の剛性が低下してしまうため、薄
い基板ほどスピンドルの回転力によって面振れや変形が
発生し、この面振れや変形にによる回転ムラや乱流が発
生することが考えられる。
薄くしていくと、基板の剛性が低下してしまうため、薄
い基板ほどスピンドルの回転力によって面振れや変形が
発生し、この面振れや変形にによる回転ムラや乱流が発
生することが考えられる。
【0005】また、高速な回転ほど、カートリッジの内
部にディスクの回転による乱流が発生し、ディスクの回
転安定性に影響を及ぼすことが考えられる。また、この
乱流により回転ムラや面振れが増大することが考えられ
る。
部にディスクの回転による乱流が発生し、ディスクの回
転安定性に影響を及ぼすことが考えられる。また、この
乱流により回転ムラや面振れが増大することが考えられ
る。
【0006】さらには、高速な回転と回転ムラにより、
スピンドルモータからの発熱量が増大し、基板へ、より
大量の熱が伝達することの影響も考えられる。
スピンドルモータからの発熱量が増大し、基板へ、より
大量の熱が伝達することの影響も考えられる。
【0007】また、薄い基板に、高速回転の条件が付加
することにより、その影響は相乗効果によりさらに大き
くなるものと考えられる。
することにより、その影響は相乗効果によりさらに大き
くなるものと考えられる。
【0008】そこで、本発明者らは、スピンドルの磁石
を磁力の大きなものに変更して、スピンドルとマグネチ
ッククランプ用ハブの吸着力を上げ、上記問題の解決を
試みたが、信号品質が低下してしまうという問題が発生
した。これは、スピンドルの磁石の磁場が、光磁気信号
に影響を与えてしまうためであると考えられる。そこ
で、本発明は、かかる問題を解決するためになされたも
のであって、メカニカルクランプ方式や、リタデーショ
ンの発生のないマグネチッククランプ方式でも、高速で
回転させることが可能な光磁気ディスクを提供すること
にある。
を磁力の大きなものに変更して、スピンドルとマグネチ
ッククランプ用ハブの吸着力を上げ、上記問題の解決を
試みたが、信号品質が低下してしまうという問題が発生
した。これは、スピンドルの磁石の磁場が、光磁気信号
に影響を与えてしまうためであると考えられる。そこ
で、本発明は、かかる問題を解決するためになされたも
のであって、メカニカルクランプ方式や、リタデーショ
ンの発生のないマグネチッククランプ方式でも、高速で
回転させることが可能な光磁気ディスクを提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、この問題
を解決すべく、種々検討を行った結果、スピンドルの受
け面と、基板との接触面積が一定なら、基板とマグネチ
ッククランプ用ハブの接触面積を確保すれば、マグネチ
ッククランプ用ハブと基板の間の摩擦力を大きくするこ
とにより基板の担持力を増大させ、光磁気ディスクの記
録再生時に上記問題の生じないことを見出したのであ
る。さらには熱伝導率が0.05cal/℃・cm・s以上の
ハブを用いることで、基板とマグネチッククランプ用ハ
ブの接触面積を確保することと合わせて、マグネチック
クランプ用のハブを介してスピンドルからの熱を効率的
に放熱ことができることを見出したのである。また、記
録密度向上のために、記録領域の基板厚みを0.7mm以
下とした場合でも、記録領域外の基板厚みを0.7mmよ
り厚くすることや、基板の一部に基板の引張強度以上の
引張強度を有する補強部材を固着することで、基板全体
の剛性を高めることができ、面振れの発生を抑えること
によって、基板とマグネチッククランプ用ハブの接触面
積を確保することとの相乗効果で、回転ムラの発生や乱
流の発生を改善できることを見出したのである。また、
カートリッジケース内面の基板投影面に、ディスク回転
時の空気の流れを調整するための凸部及び凹部の少なく
とも一方を形成し、乱流の発生を抑えることで、基板全
体の剛性を高めることと、基板とマグネチッククランプ
用ハブの接触面積を確保することとの相乗効果で面振れ
の増大や回転性への影響を改善できることを見出したの
である。
を解決すべく、種々検討を行った結果、スピンドルの受
け面と、基板との接触面積が一定なら、基板とマグネチ
ッククランプ用ハブの接触面積を確保すれば、マグネチ
ッククランプ用ハブと基板の間の摩擦力を大きくするこ
とにより基板の担持力を増大させ、光磁気ディスクの記
録再生時に上記問題の生じないことを見出したのであ
る。さらには熱伝導率が0.05cal/℃・cm・s以上の
ハブを用いることで、基板とマグネチッククランプ用ハ
ブの接触面積を確保することと合わせて、マグネチック
クランプ用のハブを介してスピンドルからの熱を効率的
に放熱ことができることを見出したのである。また、記
録密度向上のために、記録領域の基板厚みを0.7mm以
下とした場合でも、記録領域外の基板厚みを0.7mmよ
り厚くすることや、基板の一部に基板の引張強度以上の
引張強度を有する補強部材を固着することで、基板全体
の剛性を高めることができ、面振れの発生を抑えること
によって、基板とマグネチッククランプ用ハブの接触面
積を確保することとの相乗効果で、回転ムラの発生や乱
流の発生を改善できることを見出したのである。また、
カートリッジケース内面の基板投影面に、ディスク回転
時の空気の流れを調整するための凸部及び凹部の少なく
とも一方を形成し、乱流の発生を抑えることで、基板全
体の剛性を高めることと、基板とマグネチッククランプ
用ハブの接触面積を確保することとの相乗効果で面振れ
の増大や回転性への影響を改善できることを見出したの
である。
【0010】すなわち、少なくとも、中心穴を有するプ
ラスチック基板と、該基板上に、少なくとも希土類−遷
移金属からなる記録層を含む層が積層され、該基板の中
心部に、該基板に担持されたハブを具備し、回転可能形
態でカートリッジに収納された状態で、記録再生装置の
スピンドルに装着されて回転しながら、記録再生が行わ
れる光磁気ディスクにおいて、該ハブの該基板との接触
面積Yと、該光磁気デイスクの基板の投影面積Xとの関
係を Y/X≧0.02 とすることで、上記問題を解決するに至ったのである。
ラスチック基板と、該基板上に、少なくとも希土類−遷
移金属からなる記録層を含む層が積層され、該基板の中
心部に、該基板に担持されたハブを具備し、回転可能形
態でカートリッジに収納された状態で、記録再生装置の
スピンドルに装着されて回転しながら、記録再生が行わ
れる光磁気ディスクにおいて、該ハブの該基板との接触
面積Yと、該光磁気デイスクの基板の投影面積Xとの関
係を Y/X≧0.02 とすることで、上記問題を解決するに至ったのである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の目的を達成する
ための手段を具体化した光磁気ディスクについて、図面
を用いて説明する。
ための手段を具体化した光磁気ディスクについて、図面
を用いて説明する。
【0012】図3は、本発明に係る光磁気ディスクを、
記録再生装置のスピンドルに装着した所の断面図の概略
を図示したものである。
記録再生装置のスピンドルに装着した所の断面図の概略
を図示したものである。
【0013】光磁気記録媒体は、射出成形された、片面
にレーザー光をディスク上の目的の位置へ導くための案
内溝が形成された透明基板11上に、真空スパッタ法に
より第1誘電体層12、再生層13、補助磁性層14、
第2誘電体層15、記録層16、磁気キャッピング層1
7、第3誘電体層18、放熱層19の順で成膜し、最上
部に保護層20をスピンコートして作製する。
にレーザー光をディスク上の目的の位置へ導くための案
内溝が形成された透明基板11上に、真空スパッタ法に
より第1誘電体層12、再生層13、補助磁性層14、
第2誘電体層15、記録層16、磁気キャッピング層1
7、第3誘電体層18、放熱層19の順で成膜し、最上
部に保護層20をスピンコートして作製する。
【0014】透明基板11としては、例えば、ポリカー
ボネート樹脂、エポキシ樹脂又はPMMA等のプラスチ
ック材料をもって、ディスク状の所望の形状に形成され
る。透明基板11の熱伝導率はスピンドルモーターから
の熱の伝達を防ぐため、10−3〜×10−6(cal/℃
・cm・s)の材料が望ましく、720r.p.m以上の発熱量の
大きな回転数では、10−4〜5×10−6(cal/℃・c
m・s)の材料が望ましい。アイゾット強度は、基板の面
振れを抑えるため、測定方法ASTM D256で5kg
f・cm/cm以上が望ましく、720r.p.m以上の基板の負
荷が大きな回転数では、5.5kgf・cm/cm以上が望まし
い。
ボネート樹脂、エポキシ樹脂又はPMMA等のプラスチ
ック材料をもって、ディスク状の所望の形状に形成され
る。透明基板11の熱伝導率はスピンドルモーターから
の熱の伝達を防ぐため、10−3〜×10−6(cal/℃
・cm・s)の材料が望ましく、720r.p.m以上の発熱量の
大きな回転数では、10−4〜5×10−6(cal/℃・c
m・s)の材料が望ましい。アイゾット強度は、基板の面
振れを抑えるため、測定方法ASTM D256で5kg
f・cm/cm以上が望ましく、720r.p.m以上の基板の負
荷が大きな回転数では、5.5kgf・cm/cm以上が望まし
い。
【0015】透明基板11の片面には、レーザースポッ
トを案内するための案内溝や、この案内溝に沿って画定
される記録トラックのアドレスなどを表すプリピット列
からなるプリフォーマットパターンが微細な凹凸状に形
成され、トラッキングサーボ信号やプリフォーマット信
号が光学的に読み出せるようになっている。
トを案内するための案内溝や、この案内溝に沿って画定
される記録トラックのアドレスなどを表すプリピット列
からなるプリフォーマットパターンが微細な凹凸状に形
成され、トラッキングサーボ信号やプリフォーマット信
号が光学的に読み出せるようになっている。
【0016】基板形状を図4および図5に基づいて説明
する。図4Aの断面図は、内側領域5aと外側領域6a
の位置及びそれらの領域と記録再生が行われる領域7a
の厚さの差を明瞭にするために誇張して示してある。
する。図4Aの断面図は、内側領域5aと外側領域6a
の位置及びそれらの領域と記録再生が行われる領域7a
の厚さの差を明瞭にするために誇張して示してある。
【0017】図4Bは、図4Aの場合に比べて、外側領
域6bの厚さのみが内側領域5b及び記録再生領域7b
の厚さよりも大きい場合を示す。4Cは、内側領域5c
の厚さが外側領域6c及び記録再生領域7cの領域の厚
さよりも小さい場合を示す。図4Dは、外側領域6dの
厚さが内側領域5d及び記録領域7dの厚さよりも小さ
い場合を示す。図4Eは、外側領域6e及び内側領域5
eの厚さが記録再生領域7eの厚さよりも小さい場合を
示す。
域6bの厚さのみが内側領域5b及び記録再生領域7b
の厚さよりも大きい場合を示す。4Cは、内側領域5c
の厚さが外側領域6c及び記録再生領域7cの領域の厚
さよりも小さい場合を示す。図4Dは、外側領域6dの
厚さが内側領域5d及び記録領域7dの厚さよりも小さ
い場合を示す。図4Eは、外側領域6e及び内側領域5
eの厚さが記録再生領域7eの厚さよりも小さい場合を
示す。
【0018】図4Fは、外側領域6f、内側領域5f及
び記録再生領域7fの厚さがそれぞれ異なる場合を示
す。図4Gも、外側領域6g、内側領域5g及び記録再
生領域7gの厚さがそれぞれ異なる場合を示し、図4F
に対し、厚さの関係が逆となっている。
び記録再生領域7fの厚さがそれぞれ異なる場合を示
す。図4Gも、外側領域6g、内側領域5g及び記録再
生領域7gの厚さがそれぞれ異なる場合を示し、図4F
に対し、厚さの関係が逆となっている。
【0019】図4Hは、従来の光ディスクの断面構造を
示し、ディスクの厚みが均一な場合を示す。図4A〜図
4Gにおいて、各領域間の段差部における傾斜角は5°
〜80°が望ましい。図4A〜図4Gに示した断面構造
を有する基板は、ポリカーボネート等の樹脂をそれらの
断面構造に対応する形状の金型を用いて射出成型するこ
とにより容易に製造することができる。なお、図4A〜
図4Gに示した基板の上面、下面のいずれの面が信号面
を構成してもよく、射出成型の際に、スタンパを用いて
所望の面にプリフォーマットパターンのピット群を形成
する。
示し、ディスクの厚みが均一な場合を示す。図4A〜図
4Gにおいて、各領域間の段差部における傾斜角は5°
〜80°が望ましい。図4A〜図4Gに示した断面構造
を有する基板は、ポリカーボネート等の樹脂をそれらの
断面構造に対応する形状の金型を用いて射出成型するこ
とにより容易に製造することができる。なお、図4A〜
図4Gに示した基板の上面、下面のいずれの面が信号面
を構成してもよく、射出成型の際に、スタンパを用いて
所望の面にプリフォーマットパターンのピット群を形成
する。
【0020】図4A〜図4Hに示した基板について、基
板回転時の面振れ量を測定した。図4A〜図4Gに示し
た本発明に従う光ディスク用基板は記録再生領域の厚み
が0.7mmと薄くても、他の領域の厚みが異なるため
に、基板全面で厚みが均一な従来の基板に比べて基板の
剛性を向上させることができる。従って、本発明の基板
を用いることにより、基板の剛性が高まるため、ディス
ク回転時の基板の変形を低減させ、面振れの発生を抑制
することができる。さらには、面振れによって引き起こ
されるカートリッジケース内での乱流の発生や、回転ム
ラの増大をも抑制することができる。
板回転時の面振れ量を測定した。図4A〜図4Gに示し
た本発明に従う光ディスク用基板は記録再生領域の厚み
が0.7mmと薄くても、他の領域の厚みが異なるため
に、基板全面で厚みが均一な従来の基板に比べて基板の
剛性を向上させることができる。従って、本発明の基板
を用いることにより、基板の剛性が高まるため、ディス
ク回転時の基板の変形を低減させ、面振れの発生を抑制
することができる。さらには、面振れによって引き起こ
されるカートリッジケース内での乱流の発生や、回転ム
ラの増大をも抑制することができる。
【0021】図5に本発明の記録媒体用の基板の別の構
成例を示す。この基板1は、平坦な光ディスク用ポリカ
ーボネート基板の上面の外側領域6に基板1と同心状の
環状の剛性補強部材8aが接着剤等により固着されてな
る。剛性補強部材8aの厚みは、剛性補強部材8aを装
着した部分のディスクの全厚みが所望の厚み程度になる
ように調整することができる。剛性補強部材のディスク
内側の側壁は45°以下の傾斜にすることが望ましい。
剛性補強板の材料としては、ポリカーボネートのような
基板と同一の材料、アルミニウム、鉄、酸化アルミニウ
ム、酸化シリコン、酸化チタン、窒化シリコン、窒化チ
タン、炭化シリコンなどが望ましい。剛性を一層高める
ために、基板の材料よりも引張強度が高い材料を用いる
のが更に望ましい。
成例を示す。この基板1は、平坦な光ディスク用ポリカ
ーボネート基板の上面の外側領域6に基板1と同心状の
環状の剛性補強部材8aが接着剤等により固着されてな
る。剛性補強部材8aの厚みは、剛性補強部材8aを装
着した部分のディスクの全厚みが所望の厚み程度になる
ように調整することができる。剛性補強部材のディスク
内側の側壁は45°以下の傾斜にすることが望ましい。
剛性補強板の材料としては、ポリカーボネートのような
基板と同一の材料、アルミニウム、鉄、酸化アルミニウ
ム、酸化シリコン、酸化チタン、窒化シリコン、窒化チ
タン、炭化シリコンなどが望ましい。剛性を一層高める
ために、基板の材料よりも引張強度が高い材料を用いる
のが更に望ましい。
【0022】図5Bでは、光ディスク用基板1の上面の
内側領域5に基板1と同心状の環状の剛性補強部材8b
を接着剤等により固着する。図5Cでは、光ディスク用
基板1の上面の外側領域6及び内側領域5に基板1と同
心状の環状の剛性補強部材8c及び8c’をそれぞれ接
着剤等により固着する。図5Dでは、光ディスク用基板
1の上面及び下面の外側領域6に基板1と同心状の環状
の剛性補強部材8d及び8d’をそれぞれ接着剤等によ
り固着する。図5Eでは、光ディスク用基板1の上面及
び下面の内側領域6に基板1と同心状の環状の剛性補強
部材8eをそれぞれ接着剤等により固着する。図5Fで
は、光ディスク用基板1の上面及び下面の外側領域6及
び内側領域5に基板1と同心状の環状の剛性補強部材8
f及び8f’をそれぞれ接着剤等により固着する。
内側領域5に基板1と同心状の環状の剛性補強部材8b
を接着剤等により固着する。図5Cでは、光ディスク用
基板1の上面の外側領域6及び内側領域5に基板1と同
心状の環状の剛性補強部材8c及び8c’をそれぞれ接
着剤等により固着する。図5Dでは、光ディスク用基板
1の上面及び下面の外側領域6に基板1と同心状の環状
の剛性補強部材8d及び8d’をそれぞれ接着剤等によ
り固着する。図5Eでは、光ディスク用基板1の上面及
び下面の内側領域6に基板1と同心状の環状の剛性補強
部材8eをそれぞれ接着剤等により固着する。図5Fで
は、光ディスク用基板1の上面及び下面の外側領域6及
び内側領域5に基板1と同心状の環状の剛性補強部材8
f及び8f’をそれぞれ接着剤等により固着する。
【0023】図5Gは、図5Bの基板の最外周部が振動
吸収材9で構成する基板の例を示す。振動吸収材として
は、例えば、ウレタン、シリコーン樹脂、塩化ビニー
ル、ブチルゴムなどのゴム材、各種高分子材料等の弾性
部材から構成することが望ましい。図5Gに示した基板
構造は、後述するカートリッジケースに収容する記録媒
体に有効である。また、振動吸収材は図5A〜Fの各図
に用いた剛性補強部材8や内側領域5等に種々の形状及
び配置で貼り付けることにより、種々の振動モードに対
して防振性を発起させることが可能である。また、基板
の形状として図4の各図のものを選択して振動吸収材の
弾性係数・形状との組合せにより最適な構成を得ること
ができる。
吸収材9で構成する基板の例を示す。振動吸収材として
は、例えば、ウレタン、シリコーン樹脂、塩化ビニー
ル、ブチルゴムなどのゴム材、各種高分子材料等の弾性
部材から構成することが望ましい。図5Gに示した基板
構造は、後述するカートリッジケースに収容する記録媒
体に有効である。また、振動吸収材は図5A〜Fの各図
に用いた剛性補強部材8や内側領域5等に種々の形状及
び配置で貼り付けることにより、種々の振動モードに対
して防振性を発起させることが可能である。また、基板
の形状として図4の各図のものを選択して振動吸収材の
弾性係数・形状との組合せにより最適な構成を得ること
ができる。
【0024】図5B〜図5Gにおいて、補強部材8の材
料及び基板1の材料及び厚みは図5Aの場合と同様であ
る。
料及び基板1の材料及び厚みは図5Aの場合と同様であ
る。
【0025】図5A〜図5Gに示したように、記録及び
再生が行われる領域以外の領域に剛性補強部材8を固着
したことにより、基板1の剛性を向上することができ
る。
再生が行われる領域以外の領域に剛性補強部材8を固着
したことにより、基板1の剛性を向上することができ
る。
【0026】図5A〜図5Gに示した基板について、基
板回転時の面振れ量を測定した。0.7mm厚の従来型の
平坦な基板と比較したところ、図5A〜図5Gの基板は
面振が抑制されていることがわかった。従って、本発明
の基板を用いることにより、基板の剛性が高まるため、
ディスク回転時の基板の変形を低減させ、面振れの発生
を抑制することができる。さらには、面振れによって引
き起こされるカートリッジケース内での乱流の発生や、
回転ムラの増大をも抑制することができる。
板回転時の面振れ量を測定した。0.7mm厚の従来型の
平坦な基板と比較したところ、図5A〜図5Gの基板は
面振が抑制されていることがわかった。従って、本発明
の基板を用いることにより、基板の剛性が高まるため、
ディスク回転時の基板の変形を低減させ、面振れの発生
を抑制することができる。さらには、面振れによって引
き起こされるカートリッジケース内での乱流の発生や、
回転ムラの増大をも抑制することができる。
【0027】図4および図5より選択された形状の基板
上に、図6に示す複数の磁性層が積層される。透明基板
11の片面には、レーザースポットを案内するための案
内溝や、この案内溝に沿って画定される記録トラックの
アドレスなどを表すプリピット列からなるプリフォーマ
ットパターンが微細な凹凸状に形成され、トラッキング
サーボ信号やプリフォーマット信号が光学的に読み出せ
るようになっている。
上に、図6に示す複数の磁性層が積層される。透明基板
11の片面には、レーザースポットを案内するための案
内溝や、この案内溝に沿って画定される記録トラックの
アドレスなどを表すプリピット列からなるプリフォーマ
ットパターンが微細な凹凸状に形成され、トラッキング
サーボ信号やプリフォーマット信号が光学的に読み出せ
るようになっている。
【0028】第1誘電体層12は記録層16と透明基板
11との間で光ビームを多重干渉させ、見掛け上のカー
回転角を大きくするために設けられるものであって、S
i、Al、Zr、Ti、Taの窒化物や酸化物など、屈
折率が前記透明基板11よりも大きな無機誘電体からな
り、200〜1500Åの膜厚に形成される。
11との間で光ビームを多重干渉させ、見掛け上のカー
回転角を大きくするために設けられるものであって、S
i、Al、Zr、Ti、Taの窒化物や酸化物など、屈
折率が前記透明基板11よりも大きな無機誘電体からな
り、200〜1500Åの膜厚に形成される。
【0029】この第1誘電体層12を介して再生層13
が積層される。再生層13としては、例えば、希土類−
遷移金属非晶質合金、例えば、GdFeCo、GdF
e、GdCoなど、もしくはガーネット、あるいは白金
族−鉄族周期構造膜、例えば、PtCo、PdCoなど
からなり、100〜1000Åの膜厚に形成される。
が積層される。再生層13としては、例えば、希土類−
遷移金属非晶質合金、例えば、GdFeCo、GdF
e、GdCoなど、もしくはガーネット、あるいは白金
族−鉄族周期構造膜、例えば、PtCo、PdCoなど
からなり、100〜1000Åの膜厚に形成される。
【0030】この再生層13は室温付近では面内磁化状
態にある。そしてある臨界温度Tcr以上で垂直磁化状態
に変化する。再生時にレーザー光スポットの中央部付近
がTcr以上に昇温するとそのエリアは垂直に磁化する。
この時の磁化方向は記録層16の磁化方向に一致する。
結果としてTcrの等温線の外側が面内磁化によるマスク
部、内側が開口部となり再生分解能を向上することがで
きる(図5)。
態にある。そしてある臨界温度Tcr以上で垂直磁化状態
に変化する。再生時にレーザー光スポットの中央部付近
がTcr以上に昇温するとそのエリアは垂直に磁化する。
この時の磁化方向は記録層16の磁化方向に一致する。
結果としてTcrの等温線の外側が面内磁化によるマスク
部、内側が開口部となり再生分解能を向上することがで
きる(図5)。
【0031】再生層13上にはマスク層としての機能を
持つ補助磁性層14を付加される。補助磁性層14とし
ては、例えば、希土類−遷移金属非晶質合金、例えば、
GdFe、GdFeCo、GdWなど、もしくはガーネ
ット、あるいは白金族−鉄族周期構造膜、例えば、Pt
Co、PdCoなどからなり、50〜500Åの膜厚に
形成される。
持つ補助磁性層14を付加される。補助磁性層14とし
ては、例えば、希土類−遷移金属非晶質合金、例えば、
GdFe、GdFeCo、GdWなど、もしくはガーネ
ット、あるいは白金族−鉄族周期構造膜、例えば、Pt
Co、PdCoなどからなり、50〜500Åの膜厚に
形成される。
【0032】この補助磁性層14はTcr付近にキュリー
温度を有する面内磁化層であり、マスク部と開口部の境
界を明確にしてS/Nを向上させる作用を有する。
温度を有する面内磁化層であり、マスク部と開口部の境
界を明確にしてS/Nを向上させる作用を有する。
【0033】補助磁性層14上には第2誘電体層15が
積層される。第2誘電体層は、Si、Al、Zr、T
i、Taの窒化物や酸化物などの無機誘電体からなり、
10〜500Åの膜厚に形成され、再生層13と記録層
16を静磁結合させる。
積層される。第2誘電体層は、Si、Al、Zr、T
i、Taの窒化物や酸化物などの無機誘電体からなり、
10〜500Åの膜厚に形成され、再生層13と記録層
16を静磁結合させる。
【0034】第2誘電体層15を介して記録層16が積
層される。記録層16としては、垂直磁気異方性が大き
く安定に磁化状態が保持できるもの、例えば希土類−遷
移金属非晶質合金、例えばTbFeCo、DyFeC
o、TbDyFeCoなど、もしくはガーネット、ある
いは白金族−鉄族周期構造膜、例えば、PtCo、Pd
Coなどがからなり、100Å〜2000Åの膜厚に形
成される。
層される。記録層16としては、垂直磁気異方性が大き
く安定に磁化状態が保持できるもの、例えば希土類−遷
移金属非晶質合金、例えばTbFeCo、DyFeC
o、TbDyFeCoなど、もしくはガーネット、ある
いは白金族−鉄族周期構造膜、例えば、PtCo、Pd
Coなどがからなり、100Å〜2000Åの膜厚に形
成される。
【0035】記録層16上には磁気キャッピング層17
が積層される。磁気キャッピング層としては、例えば、
希土類−遷移金属非晶質合金、例えば、GdFeCo、
GdFe、GdCoなど、もしくはガーネット、あるい
は白金族−鉄族周期構造膜、例えば、PtCo、PdC
oなどからなり、10〜200Åの膜厚に形成される。
が積層される。磁気キャッピング層としては、例えば、
希土類−遷移金属非晶質合金、例えば、GdFeCo、
GdFe、GdCoなど、もしくはガーネット、あるい
は白金族−鉄族周期構造膜、例えば、PtCo、PdC
oなどからなり、10〜200Åの膜厚に形成される。
【0036】磁気キャッピング層の磁気特性は外部磁界
の方向に磁化が回転しやすいように、垂直磁気異方性エ
ネルギーと反磁界エネルギーが同等となるように調整す
ることが望ましい。
の方向に磁化が回転しやすいように、垂直磁気異方性エ
ネルギーと反磁界エネルギーが同等となるように調整す
ることが望ましい。
【0037】磁気キャッピング層上には第3誘電体層1
8が積層される。第3誘電体層は、Si、Al、Zr、
Ti、Taの窒化物や酸化物などの無機誘電体からな
り、100〜1000Åの膜厚に形成される。
8が積層される。第3誘電体層は、Si、Al、Zr、
Ti、Taの窒化物や酸化物などの無機誘電体からな
り、100〜1000Åの膜厚に形成される。
【0038】誘電体層18上には放熱層19が積層され
る。放熱層19としては、例えば、Al、AlTi、A
u、Ag、Cu、AuAl、AgAl等の金属、あるい
は金属合金が望ましく、200〜1500Åの膜厚に形
成され、第3誘電体層17とともにレーザー光による熱
分布を制御する役割を担う。
る。放熱層19としては、例えば、Al、AlTi、A
u、Ag、Cu、AuAl、AgAl等の金属、あるい
は金属合金が望ましく、200〜1500Åの膜厚に形
成され、第3誘電体層17とともにレーザー光による熱
分布を制御する役割を担う。
【0039】最後に第1誘電体層12から放熱層18ま
での膜全体を、さらに保護層20で覆い、酸化等の化学
腐食および磁気ヘッドとの接触から保護する。保護層2
0としては、例えば、光硬化性樹脂などの有機材料をも
ってスピンコートによって形成する。
での膜全体を、さらに保護層20で覆い、酸化等の化学
腐食および磁気ヘッドとの接触から保護する。保護層2
0としては、例えば、光硬化性樹脂などの有機材料をも
ってスピンコートによって形成する。
【0040】ハブ3は磁石により吸引可能な材質からな
るマグネチッククランプ用ハブで、基板1とは遊離した
状態で、基板に取り付ける。マグネチッククランプ用ハ
ブの材料としては、Fe、Ni、Coあるいはそれらを
含む合金等の金属磁性体や、プラスチックマグネットが
望ましい。マグネチッククランプ用ハブ3は、スピンド
ル2に取り付けた磁石4により引っぱられる。この引力
は基板1に伝えられ、基板1がスピンドル2のディスク
支持部に吸引されることになる。このときの基板の投影
面積をXとし、基板とマグネチッククランプ用ハブの接
触面積をYとするとき、Y/X≧0.020とすること
で、基板とハブとの摩擦力を確保し、回転により基板と
ハブの間で発生するすべりを防止し、回転ムラを抑制す
ることができる。さらには、回転ムラにより生じる面振
れや、回転によりカートリッジ内で発生する乱流に対し
ても、基板の保持力が大きくなるので、影響を少なくす
る効果が得られる。
るマグネチッククランプ用ハブで、基板1とは遊離した
状態で、基板に取り付ける。マグネチッククランプ用ハ
ブの材料としては、Fe、Ni、Coあるいはそれらを
含む合金等の金属磁性体や、プラスチックマグネットが
望ましい。マグネチッククランプ用ハブ3は、スピンド
ル2に取り付けた磁石4により引っぱられる。この引力
は基板1に伝えられ、基板1がスピンドル2のディスク
支持部に吸引されることになる。このときの基板の投影
面積をXとし、基板とマグネチッククランプ用ハブの接
触面積をYとするとき、Y/X≧0.020とすること
で、基板とハブとの摩擦力を確保し、回転により基板と
ハブの間で発生するすべりを防止し、回転ムラを抑制す
ることができる。さらには、回転ムラにより生じる面振
れや、回転によりカートリッジ内で発生する乱流に対し
ても、基板の保持力が大きくなるので、影響を少なくす
る効果が得られる。
【0041】またハブには熱伝導率0.05(cal/℃・c
m・s)以上の材料を用いることが望ましく、回転ムラに
より発熱量が大きくなったスピンドルモーターからの熱
をハブを介して放熱することができる。
m・s)以上の材料を用いることが望ましく、回転ムラに
より発熱量が大きくなったスピンドルモーターからの熱
をハブを介して放熱することができる。
【0042】このようにして作成した光磁気記録媒体を
外部形状図8、図9、および図10、内部形状図11、
図12、図13および図14に示すカートリッジケース
に収納し光磁気ディスク100を作成すれば良い。
外部形状図8、図9、および図10、内部形状図11、
図12、図13および図14に示すカートリッジケース
に収納し光磁気ディスク100を作成すれば良い。
【0043】ディスクカートリッジは情報信号を記録す
る円盤状のディスク(回転駆動体。この例では、光磁気
記録媒体である。)21と、ディスク21を回転自在な
状態で収容するカートリッジケース本体22とからな
る。ディスク21はディスク本体の片面ないし両面に情
報信号を記録でき、ディスク本体の下面中央にハブを取
りつける。
る円盤状のディスク(回転駆動体。この例では、光磁気
記録媒体である。)21と、ディスク21を回転自在な
状態で収容するカートリッジケース本体22とからな
る。ディスク21はディスク本体の片面ないし両面に情
報信号を記録でき、ディスク本体の下面中央にハブを取
りつける。
【0044】カートリッジケース本体22は、それぞれ
プラスチック成形された上カートリッジケース22aと
下カートリッジケース22bとを接合した、平面視が四
角形のカートリッジケースからなり、上下面の一側寄り
に信号読み書き窓(本発明でいうところの窓)23が開口
している。この窓23はシャッター24でスライド開閉
される。シャッター24は閉じ位置においてロック爪2
5でロック保持され、捻じりコイル形のばね26で閉じ
勝手に移動付勢する。カートリッジケース本体22の上
下面には、シャッター24の開閉領域に対応させて、浅
いスライド凹部27が凹み形成すれば良い。
プラスチック成形された上カートリッジケース22aと
下カートリッジケース22bとを接合した、平面視が四
角形のカートリッジケースからなり、上下面の一側寄り
に信号読み書き窓(本発明でいうところの窓)23が開口
している。この窓23はシャッター24でスライド開閉
される。シャッター24は閉じ位置においてロック爪2
5でロック保持され、捻じりコイル形のばね26で閉じ
勝手に移動付勢する。カートリッジケース本体22の上
下面には、シャッター24の開閉領域に対応させて、浅
いスライド凹部27が凹み形成すれば良い。
【0045】上記のように構成したディスクカートリッ
ジは、カートリッジケース本体22を図8の矢印で示す
向きにディスクドライブに装填することにより、ロック
爪25がロック解除操作され、シャッター24がばね2
6の付勢力に抗してスライド開放されるようにすること
ができる。ディスク21は、カートリッジケース本体2
2の下面中央の駆動穴から進入する駆動軸でハブを介し
て保持固定し、図9において時計回転方向へ回転駆動す
る。このとき、ディスク21の回転駆動に伴って生じる
流動空気を効果的にカートリッジケース外へ逃がし、れ
によりディスク駆動時の空気抵抗を減少するために、開
放口30とこれを開閉する蓋体31とを付加するすれば
良い。
ジは、カートリッジケース本体22を図8の矢印で示す
向きにディスクドライブに装填することにより、ロック
爪25がロック解除操作され、シャッター24がばね2
6の付勢力に抗してスライド開放されるようにすること
ができる。ディスク21は、カートリッジケース本体2
2の下面中央の駆動穴から進入する駆動軸でハブを介し
て保持固定し、図9において時計回転方向へ回転駆動す
る。このとき、ディスク21の回転駆動に伴って生じる
流動空気を効果的にカートリッジケース外へ逃がし、れ
によりディスク駆動時の空気抵抗を減少するために、開
放口30とこれを開閉する蓋体31とを付加するすれば
良い。
【0046】図9に破線群で示すように、開放口30は
信号読み書き窓23の一対の側縁のうち、ディスク21
の回転上手側の側縁23aに連続して切り欠き形成す
る。また、蓋体31はシャッター24の主面壁24aと
一体に形成して、信号読み書き窓23をシャッター24
で閉じた状態において、開放口30を蓋体31で閉止で
きるようにすれば良い。
信号読み書き窓23の一対の側縁のうち、ディスク21
の回転上手側の側縁23aに連続して切り欠き形成す
る。また、蓋体31はシャッター24の主面壁24aと
一体に形成して、信号読み書き窓23をシャッター24
で閉じた状態において、開放口30を蓋体31で閉止で
きるようにすれば良い。
【0047】このとき、信号読み書き窓23の開口縦寸
法aを基準にして、開放口30の開口縦寸法bが先の開
口縦寸法aより小さくなるように設定する。但し、両寸
法a・bは、各開口縁のカートリッジケース中央側の開
口縁を基準にして設定してあり、従ってこの基準縁は一
直線状に連続している。
法aを基準にして、開放口30の開口縦寸法bが先の開
口縦寸法aより小さくなるように設定する。但し、両寸
法a・bは、各開口縁のカートリッジケース中央側の開
口縁を基準にして設定してあり、従ってこの基準縁は一
直線状に連続している。
【0048】図9においてシャッター24は、信号読み
書き窓23を開放し、さらに開放口30を開放する位置
までスライド操作することができる。このとき、蓋体3
1はスライド凹部27からはみ出る。そのため、スライ
ド凹部27の開放端側の周縁壁に、スライド凹部27と
面一状の逃げ凹部32を設け、蓋体31の突端側は逃げ
凹部32を介してカートリッジケース外へスライド変位
できるようにする。
書き窓23を開放し、さらに開放口30を開放する位置
までスライド操作することができる。このとき、蓋体3
1はスライド凹部27からはみ出る。そのため、スライ
ド凹部27の開放端側の周縁壁に、スライド凹部27と
面一状の逃げ凹部32を設け、蓋体31の突端側は逃げ
凹部32を介してカートリッジケース外へスライド変位
できるようにする。
【0049】以上のように信号読み書き窓23とは別に
開放口30を設けてあると、ディスク21の回転駆動に
伴って生じる流動空気やディスク表面に生じる渦流は、
信号読み書き窓23と開放口30とのそれぞれから逃げ
るので、乱流の発生を抑え、ディスク駆動時の空気抵抗
が減少し、その分だけディスク駆動時の回転性を安定化
させることができる。
開放口30を設けてあると、ディスク21の回転駆動に
伴って生じる流動空気やディスク表面に生じる渦流は、
信号読み書き窓23と開放口30とのそれぞれから逃げ
るので、乱流の発生を抑え、ディスク駆動時の空気抵抗
が減少し、その分だけディスク駆動時の回転性を安定化
させることができる。
【0050】開放口30と蓋体31とは、信号読み書き
窓23およびシャッター24とは別の独立した構造とし
て設けることができる。例えば、図10に示すように、
信号読み書き窓23と対向する側のカートリッジケース
側面の上下に、開放口30を開口し、これらを蓋体31
でスライド開閉することができるようにする。蓋体31
はシャッター24と同様に、上下一対の主面壁31a・
31aと、これらを接続する端壁31bとで断面コ字状
に形成する。さらに、専用のロック爪33で閉じ位置に
おいてロック保持できるようにし、捻じりコイル形のば
ね34で閉じ勝手にスライド付勢する。ロック爪33と
してはシャッター24用のロック爪25を流用すること
が可能な形態とする。この場合の蓋体31は、シャッタ
ー24と同様にディスクカートリッジの装填動作を利用
して開放できるようにする。
窓23およびシャッター24とは別の独立した構造とし
て設けることができる。例えば、図10に示すように、
信号読み書き窓23と対向する側のカートリッジケース
側面の上下に、開放口30を開口し、これらを蓋体31
でスライド開閉することができるようにする。蓋体31
はシャッター24と同様に、上下一対の主面壁31a・
31aと、これらを接続する端壁31bとで断面コ字状
に形成する。さらに、専用のロック爪33で閉じ位置に
おいてロック保持できるようにし、捻じりコイル形のば
ね34で閉じ勝手にスライド付勢する。ロック爪33と
してはシャッター24用のロック爪25を流用すること
が可能な形態とする。この場合の蓋体31は、シャッタ
ー24と同様にディスクカートリッジの装填動作を利用
して開放できるようにする。
【0051】カートリッジ内面には凸部または凹部を設
け、ディスク回転時の空気の流れを調整して、調整され
た空気流により記録再生時のディスクの信号記録面を一
定の高さ位置に付勢し、回転を安定化させれば良い。
け、ディスク回転時の空気の流れを調整して、調整され
た空気流により記録再生時のディスクの信号記録面を一
定の高さ位置に付勢し、回転を安定化させれば良い。
【0052】図11Aは、ディスク41を収容したカー
トリッジケース本体42の内面にディスクの中心から放
射状に凸部43aを設けたカートリッジケース本体42
の平面図である。図11Aにおいて、説明の便宜上、カ
ートリッジケース本体42内に収容されたディスク41
の形状及び上カートリッジケース内面の凸部43aは透
視されている。図11AのA−A線でカートリッジケー
ス本体42を切断したカートリッジケース本体断面図を
図11Bに示す。カートリッジケース本体42は上カー
トリッジケース42a及び下カートリッジケース42b
から構成し、図11Aは上カートリッジケース42aの
上方から見た平面図である。上カートリッジケース42
aには、記録再生時に光ヘッドがディスク41にアクセ
スできるように信号読み書き窓44が形成する(シャッ
ターは図示しない)。カートリッジケース本体42には
ディスク41を収納する。
トリッジケース本体42の内面にディスクの中心から放
射状に凸部43aを設けたカートリッジケース本体42
の平面図である。図11Aにおいて、説明の便宜上、カ
ートリッジケース本体42内に収容されたディスク41
の形状及び上カートリッジケース内面の凸部43aは透
視されている。図11AのA−A線でカートリッジケー
ス本体42を切断したカートリッジケース本体断面図を
図11Bに示す。カートリッジケース本体42は上カー
トリッジケース42a及び下カートリッジケース42b
から構成し、図11Aは上カートリッジケース42aの
上方から見た平面図である。上カートリッジケース42
aには、記録再生時に光ヘッドがディスク41にアクセ
スできるように信号読み書き窓44が形成する(シャッ
ターは図示しない)。カートリッジケース本体42には
ディスク41を収納する。
【0053】図11A及び11Bに示したように、カー
トリッジケース本体42の上カートリッジケース42a
及び下カートリッジケース42bの内側面には、それぞ
れ、ディスク中心から放射状に延びた帯状の凸部43a
及び43bがディスク41に対して対称に形成すれば良
い。凸部43a及び43bは半径方向外側に向かうに従
って扇形状にその幅が広がり、凸部43a及び43bの
上カートリッジケース42a及び下カートリッジケース
42bの内面から所望の高さに形成すれば良い。また、
上カートリッジケース42aの凸部43aとディスク4
1の上面との間隔及び下カートリッジケース42b凸部
43bとディスク41の下面との間隔はそれぞれ、基板
厚みの50%〜300%が望ましく、さらに望ましくは
50%〜150%である。凸部43a、43bはディス
ク中心から広がり角が5〜90°となるように形成し、
ディスクの周上に設ければ良い。凸部43a及び43b
は、ディスク41の半径(ハブ用開口部の縁部)の位置か
らのから所望の位置まで延在すれば良い。
トリッジケース本体42の上カートリッジケース42a
及び下カートリッジケース42bの内側面には、それぞ
れ、ディスク中心から放射状に延びた帯状の凸部43a
及び43bがディスク41に対して対称に形成すれば良
い。凸部43a及び43bは半径方向外側に向かうに従
って扇形状にその幅が広がり、凸部43a及び43bの
上カートリッジケース42a及び下カートリッジケース
42bの内面から所望の高さに形成すれば良い。また、
上カートリッジケース42aの凸部43aとディスク4
1の上面との間隔及び下カートリッジケース42b凸部
43bとディスク41の下面との間隔はそれぞれ、基板
厚みの50%〜300%が望ましく、さらに望ましくは
50%〜150%である。凸部43a、43bはディス
ク中心から広がり角が5〜90°となるように形成し、
ディスクの周上に設ければ良い。凸部43a及び43b
は、ディスク41の半径(ハブ用開口部の縁部)の位置か
らのから所望の位置まで延在すれば良い。
【0054】凸部43a、43bをカートリッジ内面に
設けることにより、ディスク回転時に、ディスクの周方
向に向かって発生した空気の流れを径方向に誘導し、デ
ィスク外周部の圧力を上昇させ、上昇した圧力をディス
クの上下面から均等に印加することにより、特に変動の
大きいディスク外周部の面位置と回転性を安定化させる
ことができる。
設けることにより、ディスク回転時に、ディスクの周方
向に向かって発生した空気の流れを径方向に誘導し、デ
ィスク外周部の圧力を上昇させ、上昇した圧力をディス
クの上下面から均等に印加することにより、特に変動の
大きいディスク外周部の面位置と回転性を安定化させる
ことができる。
【0055】図12A及び12Bに、図11A及び11
Bに示したカートリッジの変形例を示す。図12A及び
そのA−A断面図である12Bに示したカートリッジケ
ース本体52は、カートリッジケース本体42と同様に
上カートリッジケース52a及び下カートリッジケース
52bから構成し、カートリッジケース本体52は、デ
ィスク41を収納する。このカートリッジケース本体5
2では、凸部53a、53bが上カートリッジケース5
2a及び下カートリッジケース52bの内側面上に、デ
ィスクの中心から外周に向けて、ディスクの回転方向に
弧55を描くように放射状に形成する。凸部53a、5
3bを区画する弧55は、ディスクの円周上に中心を置
き、描けば良い。弧55の中心をディスクの円周上で1
/16周ごとに設定して総計16個の弧を描けば良い。
弧55により区画された凸部の断面形状は、図12Bに
示したように鋸刃状であり、弧55の位置で突出し、そ
の部分でカートリッジ内面とディスク面との間隔が最小
となり、次の弧まで徐々にその間隔が広がる。即ち、弧
55の位置で隣接する凸部間に段差を生じさせ、凸部5
3間の境界を形成し、その位置での凸部53a、53b
とディスク41の面との間隔は、基板厚みに対して50
%〜300%が望ましい。かかる構造の凸部53a、5
3bをカートリッジケース本体52内面にディスク41
に対して対称に設けて、ディスク41の回転によりディ
スクの周方向に向かって発生した空気の流れを径方向に
誘導し、ディスク外周部の圧力を上昇させ、上昇した圧
力をディスクの上下面から均等に印加することにより、
変動の大きいディスク外周部の面位置と回転性を安定化
させることが可能となる。
Bに示したカートリッジの変形例を示す。図12A及び
そのA−A断面図である12Bに示したカートリッジケ
ース本体52は、カートリッジケース本体42と同様に
上カートリッジケース52a及び下カートリッジケース
52bから構成し、カートリッジケース本体52は、デ
ィスク41を収納する。このカートリッジケース本体5
2では、凸部53a、53bが上カートリッジケース5
2a及び下カートリッジケース52bの内側面上に、デ
ィスクの中心から外周に向けて、ディスクの回転方向に
弧55を描くように放射状に形成する。凸部53a、5
3bを区画する弧55は、ディスクの円周上に中心を置
き、描けば良い。弧55の中心をディスクの円周上で1
/16周ごとに設定して総計16個の弧を描けば良い。
弧55により区画された凸部の断面形状は、図12Bに
示したように鋸刃状であり、弧55の位置で突出し、そ
の部分でカートリッジ内面とディスク面との間隔が最小
となり、次の弧まで徐々にその間隔が広がる。即ち、弧
55の位置で隣接する凸部間に段差を生じさせ、凸部5
3間の境界を形成し、その位置での凸部53a、53b
とディスク41の面との間隔は、基板厚みに対して50
%〜300%が望ましい。かかる構造の凸部53a、5
3bをカートリッジケース本体52内面にディスク41
に対して対称に設けて、ディスク41の回転によりディ
スクの周方向に向かって発生した空気の流れを径方向に
誘導し、ディスク外周部の圧力を上昇させ、上昇した圧
力をディスクの上下面から均等に印加することにより、
変動の大きいディスク外周部の面位置と回転性を安定化
させることが可能となる。
【0056】図13A及び13Bに、図12A及び12
Bに示したカートリッジケース本体の変形例を示す。図
13A及びそのA−A断面図である図13Bに示したカ
ートリッジケース本体62は、カートリッジケース本体
52と同様に、凸部63a及び63bがそれぞれ上カー
トリッジケース62a及び下カートリッジケース62b
の内側面上で、ディスクの中心から外周に向けて、ディ
スクの回転方向に弧を描くように放射状に形成すれば良
い。凸部63aと凸部63bの断面形状はディスク41
に対して互いに対称であるが、図13Bに示すように、
描かれた弧65の部分のみで凸部を形成する。
Bに示したカートリッジケース本体の変形例を示す。図
13A及びそのA−A断面図である図13Bに示したカ
ートリッジケース本体62は、カートリッジケース本体
52と同様に、凸部63a及び63bがそれぞれ上カー
トリッジケース62a及び下カートリッジケース62b
の内側面上で、ディスクの中心から外周に向けて、ディ
スクの回転方向に弧を描くように放射状に形成すれば良
い。凸部63aと凸部63bの断面形状はディスク41
に対して互いに対称であるが、図13Bに示すように、
描かれた弧65の部分のみで凸部を形成する。
【0057】図13C、及び13Dに、図13A及び1
3Bに示したカートリッジケース本体62と同様に、凸
部がカートリッジケース本体の上カートリッジケース及
び下カートリッジケースの内側面上で、ディスクの中心
から外周に向けてディスクの回転方向に弧を描くように
放射状に形成したカートリッジの断面構造を示す。弧の
描き方は、弧により区画される凸部(または凹部)の断面
形状はそれぞれ異なるようにする。図13Cでは、上カ
ートリッジケース62c及び下カートリッジケース62
dにおいてディスク外周部に弧65の中心を1/16周
毎に設定するが、ディスク外周部の1/8周毎に設定し
た弧の中心により描かれた弧の部分が最大高さとなり且
つそれに隣接する弧の部分が最も低くなるように凸部6
3a及び凸部63bを形成すれば良い。図13Dでは、
図13Bの場合とは対照的に、上カートリッジケース6
2e及び下カートリッジケース62fの内側面において
弧65の部分が凹部63a、63bを形成する。カート
リッジ内面の凸部とディスク表面との間隔は、基盤厚み
に対して50%〜300%が望ましく、一層望ましくは
50%〜150%である。
3Bに示したカートリッジケース本体62と同様に、凸
部がカートリッジケース本体の上カートリッジケース及
び下カートリッジケースの内側面上で、ディスクの中心
から外周に向けてディスクの回転方向に弧を描くように
放射状に形成したカートリッジの断面構造を示す。弧の
描き方は、弧により区画される凸部(または凹部)の断面
形状はそれぞれ異なるようにする。図13Cでは、上カ
ートリッジケース62c及び下カートリッジケース62
dにおいてディスク外周部に弧65の中心を1/16周
毎に設定するが、ディスク外周部の1/8周毎に設定し
た弧の中心により描かれた弧の部分が最大高さとなり且
つそれに隣接する弧の部分が最も低くなるように凸部6
3a及び凸部63bを形成すれば良い。図13Dでは、
図13Bの場合とは対照的に、上カートリッジケース6
2e及び下カートリッジケース62fの内側面において
弧65の部分が凹部63a、63bを形成する。カート
リッジ内面の凸部とディスク表面との間隔は、基盤厚み
に対して50%〜300%が望ましく、一層望ましくは
50%〜150%である。
【0058】図13A〜Dに示した構造の凸部または凹
部をカートリッジ内面に設けることによって、ディスク
41の回転によりディスクの周方向に向かって発生した
空気の流れを径方向に誘導し、ディスク外周部の圧力を
上昇させ、上昇した圧力をディスクの上下面から均等に
印加することにより、特に変動の大きいディスク外周部
の面位置と回転性を安定化させることが可能となる。
部をカートリッジ内面に設けることによって、ディスク
41の回転によりディスクの周方向に向かって発生した
空気の流れを径方向に誘導し、ディスク外周部の圧力を
上昇させ、上昇した圧力をディスクの上下面から均等に
印加することにより、特に変動の大きいディスク外周部
の面位置と回転性を安定化させることが可能となる。
【0059】図14A、及び14Bに、凸部がカートリ
ッジケース本体に形成されていないものの構造を示す。
ッジケース本体に形成されていないものの構造を示す。
【0060】次にこの光磁気ディスク100を記録再生
装置71に装着し、360〜7200r.p.mでの光磁気
ディスクの回転安定性とトラッキングエラーおよびライ
ト/リードエラーの発生を調べた。
装置71に装着し、360〜7200r.p.mでの光磁気
ディスクの回転安定性とトラッキングエラーおよびライ
ト/リードエラーの発生を調べた。
【0061】記録再生装置の構成を図15に基づいて説
明する。図15に示した装置71は、光磁気ディスク1
00にコードデータと同期した一定周期でパルス化され
た光を照射するためのレーザ光照射部と、記録再生時に
光磁気ディスク100に制御された磁界を印加する磁界
印加部と、光磁気ディスク100からの信号を検出及ぴ
処理する信号処理系とから主に構成する。レーザ光照射
部において、レーザ72はレーザ駆動回路73双び記録
パルス幅/位相調整回路74(RC−PPA)に接続し、
レーザ駆動回路73は記録パルス幅位相調整回路74か
らの信号を受けてレーザ72のレーザパルス幅及ぴ位相
を制御するようにする。記録パルス幅/位相調整回路7
4はPLL回路75から後述するクロック信号を受けて
記録光の位相及ぴパルス幅を調整するための第1同期信
号を発生させる。
明する。図15に示した装置71は、光磁気ディスク1
00にコードデータと同期した一定周期でパルス化され
た光を照射するためのレーザ光照射部と、記録再生時に
光磁気ディスク100に制御された磁界を印加する磁界
印加部と、光磁気ディスク100からの信号を検出及ぴ
処理する信号処理系とから主に構成する。レーザ光照射
部において、レーザ72はレーザ駆動回路73双び記録
パルス幅/位相調整回路74(RC−PPA)に接続し、
レーザ駆動回路73は記録パルス幅位相調整回路74か
らの信号を受けてレーザ72のレーザパルス幅及ぴ位相
を制御するようにする。記録パルス幅/位相調整回路7
4はPLL回路75から後述するクロック信号を受けて
記録光の位相及ぴパルス幅を調整するための第1同期信
号を発生させる。
【0062】磁界印加部において、磁界を印加する磁気
コイル76は磁気コイル駆動回路(M−DRIVE)77
と接続し、記録時には磁気コイル駆動回路77はデータ
が入力される符号器70から位相調整回路(RE−PA)
78を通じて入力データを受けて磁気コイル76を制御
する。一方、再生時には、PLL回路75から後述する
クロック信号を受けて再生パルス幅・位相調整回路(R
P−PPA)79を通じて位相およびパルス幅を調整す
るための第2同期信号を発生し、第2同期信号に基づい
て磁気コイル76を制御する。磁気コイル駆動回路77
に入力される信号を記録時と再生時で切り換えるため
に、記録再生切換器(RC/RPSW)80を磁気コイル
駆動回路77に接続する。
コイル76は磁気コイル駆動回路(M−DRIVE)77
と接続し、記録時には磁気コイル駆動回路77はデータ
が入力される符号器70から位相調整回路(RE−PA)
78を通じて入力データを受けて磁気コイル76を制御
する。一方、再生時には、PLL回路75から後述する
クロック信号を受けて再生パルス幅・位相調整回路(R
P−PPA)79を通じて位相およびパルス幅を調整す
るための第2同期信号を発生し、第2同期信号に基づい
て磁気コイル76を制御する。磁気コイル駆動回路77
に入力される信号を記録時と再生時で切り換えるため
に、記録再生切換器(RC/RPSW)80を磁気コイル
駆動回路77に接続する。
【0063】信号処理系において、レーザ72と光磁気
ディスク100との間には第1の偏光プリズム81を配
置し、その側方には第2の偏光プリズム82及び検出器
83及び84を配置する。検出器83及び84は、それ
ぞれ、I/V変換器85及び86を介して、共に、減算
器87及び加算器88に接続する。加算器88はクロッ
ク抽出回路(SCC)89を介してPLL回路75に接続
する。減算器87はクロックに同期して信号をホールド
するサンプルホールド(S/H)回路90、同様にクロッ
クと同期してアナログデジタル変換を行うA/D変換回
路91、2値化信号処理回路(BSC)92を介して復号
器93に接続する。
ディスク100との間には第1の偏光プリズム81を配
置し、その側方には第2の偏光プリズム82及び検出器
83及び84を配置する。検出器83及び84は、それ
ぞれ、I/V変換器85及び86を介して、共に、減算
器87及び加算器88に接続する。加算器88はクロッ
ク抽出回路(SCC)89を介してPLL回路75に接続
する。減算器87はクロックに同期して信号をホールド
するサンプルホールド(S/H)回路90、同様にクロッ
クと同期してアナログデジタル変換を行うA/D変換回
路91、2値化信号処理回路(BSC)92を介して復号
器93に接続する。
【0064】上記装置構成において、レーザ72から出
射した光をコリメータレンズ94によって平行光にし、
偏光プリズム25を通って対物レンズ95によって光磁
気ディスク100上に集光する。ディスクからの反射光
は偏光プリズム81によって偏光プリズム82の方向に
向け、1/2波長板96を透過した後、偏光プリズム8
2で二方向に分割する。分割した光はそれぞれ検出レン
ズ97で集光して光検出器98及び99に導く。ここ
で、光磁気ディスク100上にはトラッキングエラー信
号及ぴクロック信号生成用のピットが予め形成しておけ
ば良い。クロック信号生成用ピットからの反射光を示す
信号を検出器83及び84で検出した後、クロック抽出
回路89において抽出する。次いでクロック抽出回路8
9に接続したPLL回路75においてデータチャネルク
ロックを発生させる。
射した光をコリメータレンズ94によって平行光にし、
偏光プリズム25を通って対物レンズ95によって光磁
気ディスク100上に集光する。ディスクからの反射光
は偏光プリズム81によって偏光プリズム82の方向に
向け、1/2波長板96を透過した後、偏光プリズム8
2で二方向に分割する。分割した光はそれぞれ検出レン
ズ97で集光して光検出器98及び99に導く。ここ
で、光磁気ディスク100上にはトラッキングエラー信
号及ぴクロック信号生成用のピットが予め形成しておけ
ば良い。クロック信号生成用ピットからの反射光を示す
信号を検出器83及び84で検出した後、クロック抽出
回路89において抽出する。次いでクロック抽出回路8
9に接続したPLL回路75においてデータチャネルク
ロックを発生させる。
【0065】データ記録の際に、レーザ72はレーザ駆
動回路73によってデータチャネルクロックに同期する
ように一定周波数で変調し、幅の狭い連続したパルス光
を放射し、回転する光磁気ディスク100のデータ記録
エリアを等間隔に局部的に加熱する。また、データチャ
ネルクロックは、磁界印加部の符号器70を制御して、
基準クロック周期のデータ信号を発生させる。データ信
号は位相調整回路78を経て磁気コイル駆動装置47に
送る。磁気コイル駆動装置77は、磁界コイル76を制
御してデータ信号に対応した極性の磁界を光磁気ディス
ク100のデータ記録エリアの加熱部分に印加する。
動回路73によってデータチャネルクロックに同期する
ように一定周波数で変調し、幅の狭い連続したパルス光
を放射し、回転する光磁気ディスク100のデータ記録
エリアを等間隔に局部的に加熱する。また、データチャ
ネルクロックは、磁界印加部の符号器70を制御して、
基準クロック周期のデータ信号を発生させる。データ信
号は位相調整回路78を経て磁気コイル駆動装置47に
送る。磁気コイル駆動装置77は、磁界コイル76を制
御してデータ信号に対応した極性の磁界を光磁気ディス
ク100のデータ記録エリアの加熱部分に印加する。
【0066】記録方式としては光パルス磁界変調方式を
用いる。この方式は印加した記録磁界が十分な大きさに
到達したところでレーザー光をパルス状に照射するた
め、外部磁界の切り換わる領域で記録されるのを省くこ
とができ、その結果微小な磁区を低ノイズで記録するこ
とが可能な技術である。約1μmのレーザースポットを
用いて、光変調記録では不可能な0.2μm以下の磁区
をも三日月状に安定に記録可能である。
用いる。この方式は印加した記録磁界が十分な大きさに
到達したところでレーザー光をパルス状に照射するた
め、外部磁界の切り換わる領域で記録されるのを省くこ
とができ、その結果微小な磁区を低ノイズで記録するこ
とが可能な技術である。約1μmのレーザースポットを
用いて、光変調記録では不可能な0.2μm以下の磁区
をも三日月状に安定に記録可能である。
【0067】再生方式としてはCAD型(Center
Aperture Detection;中央部開口
検出型)の磁気超解像再生方式を用いる。この方式はレ
ーザー光スポット内の温度分布を利用し、再生層の温度
の高い中央部だけに記録層の磁区を転写することにより
分解能を向上させる技術である。
Aperture Detection;中央部開口
検出型)の磁気超解像再生方式を用いる。この方式はレ
ーザー光スポット内の温度分布を利用し、再生層の温度
の高い中央部だけに記録層の磁区を転写することにより
分解能を向上させる技術である。
【0068】
【実施例】以下に、より具体的な実験例と比較例とを示
す。
す。
【0069】(実験例1)この実験例では、図6に示し
た光磁気記録媒体と同様の積層構造を有する。
た光磁気記録媒体と同様の積層構造を有する。
【0070】射出成形された、外径122mm、内径15
mm、記録エリアの基板厚み0.7mm、片面にレーザー光
をディスク上の目的の位置へ導くための案内溝が形成さ
れた透明基板11上に、真空スパッタ法により第1誘電
体層12、再生層13、補助磁性層14、第2誘電体層
15、記録層16、磁気キャッピング層17、第3誘電
体層18、放熱層19の順で成膜し、最上部に保護層2
0をスピンコートして作製した。
mm、記録エリアの基板厚み0.7mm、片面にレーザー光
をディスク上の目的の位置へ導くための案内溝が形成さ
れた透明基板11上に、真空スパッタ法により第1誘電
体層12、再生層13、補助磁性層14、第2誘電体層
15、記録層16、磁気キャッピング層17、第3誘電
体層18、放熱層19の順で成膜し、最上部に保護層2
0をスピンコートして作製した。
【0071】基板11は材料としてポリカーボネイトを
用いた。基板11の熱伝導率は4.6×10−4(cal/
℃・cm・s)、測定方法ASTM D638での引張強度
は600kgf/cm2、測定方法ASTM D256での
アイゾット強度は6kgf・cm/cmで、基板の重量は96.
7g、投影面積Xは115.13cm2である。基板表面
片側には1.2μmピッチで案内溝がスパイラル状に形
成されたいわゆるランド・グルーブ基板を用いた。
用いた。基板11の熱伝導率は4.6×10−4(cal/
℃・cm・s)、測定方法ASTM D638での引張強度
は600kgf/cm2、測定方法ASTM D256での
アイゾット強度は6kgf・cm/cmで、基板の重量は96.
7g、投影面積Xは115.13cm2である。基板表面
片側には1.2μmピッチで案内溝がスパイラル状に形
成されたいわゆるランド・グルーブ基板を用いた。
【0072】基板形状は図4Aを用いた。図4Aの断面
図は、内側領域5aと外側領域6aの位置及びそれらの
領域と記録再生が行われる領域7aの厚さの差を明瞭に
するために誇張して示してある。図4Aにおいて、各領
域間の段差部における傾斜角は20°とした。以上のよ
うに基板の形状を記録再生領域よりも他の領域の厚みを
厚くすることで、記録再生領域の厚みが0.7mmと薄く
ても、基板全面で厚みが均一な従来の基板に比べて基板
の剛性を向上させることができた。従って、本発明の基
板を用いることにより、ディスク回転時の基板の変形を
低減させ、面振れの発生を抑制することができた。さら
には、面振れによって引き起こされるカートリッジケー
ス内での乱流の発生や、回転ムラの増大をも抑制するこ
とができた。
図は、内側領域5aと外側領域6aの位置及びそれらの
領域と記録再生が行われる領域7aの厚さの差を明瞭に
するために誇張して示してある。図4Aにおいて、各領
域間の段差部における傾斜角は20°とした。以上のよ
うに基板の形状を記録再生領域よりも他の領域の厚みを
厚くすることで、記録再生領域の厚みが0.7mmと薄く
ても、基板全面で厚みが均一な従来の基板に比べて基板
の剛性を向上させることができた。従って、本発明の基
板を用いることにより、ディスク回転時の基板の変形を
低減させ、面振れの発生を抑制することができた。さら
には、面振れによって引き起こされるカートリッジケー
ス内での乱流の発生や、回転ムラの増大をも抑制するこ
とができた。
【0073】また、基板に熱伝導率4.6×10−4(c
al/℃・cm・s)のポリカーボネートを用いたことで、基
板厚みが0.7mmの薄い基板でも、スピンドルモーター
で発生した熱の伝達を、記録再生特性に影響しないレベ
ルまで抑制することができた。
al/℃・cm・s)のポリカーボネートを用いたことで、基
板厚みが0.7mmの薄い基板でも、スピンドルモーター
で発生した熱の伝達を、記録再生特性に影響しないレベ
ルまで抑制することができた。
【0074】第1誘電体層12は記録層16と透明基板
11との間で光ビームを多重干渉させ、見掛け上のカー
回転角を大きくするために設けられるものであって、S
iNから成り、膜厚を60nmとした。
11との間で光ビームを多重干渉させ、見掛け上のカー
回転角を大きくするために設けられるものであって、S
iNから成り、膜厚を60nmとした。
【0075】この第1誘電体層12を介して再生層13
を積層した。再生層13は室温で面内磁化を示す希土類
−遷移金属非晶質膜GdFeCoから成り、膜厚は30
nmとした。成膜はGd単体とFe80Co20合金ター
ゲットの同時スパッタ(コスパッタ)で行い、各ターゲッ
トへの投入電力の比によって、磁化容易方向が面内方向
から垂直方向へ変化する臨界温度Tcrが150℃程度、
補償温度およびキュリー温度が共に300℃以上となる
ように組成を調整した。
を積層した。再生層13は室温で面内磁化を示す希土類
−遷移金属非晶質膜GdFeCoから成り、膜厚は30
nmとした。成膜はGd単体とFe80Co20合金ター
ゲットの同時スパッタ(コスパッタ)で行い、各ターゲッ
トへの投入電力の比によって、磁化容易方向が面内方向
から垂直方向へ変化する臨界温度Tcrが150℃程度、
補償温度およびキュリー温度が共に300℃以上となる
ように組成を調整した。
【0076】この再生層13は室温付近では面内磁化状
態にあるように調整した。そして臨界温度Tcr以上で垂
直磁化状態に変化する用に調整した。再生時にレーザー
光スポットの中央部付近がTcr以上に昇温するとそのエ
リアは垂直に磁化する。この時の磁化方向は記録層16
の磁化方向に一致する。結果としてTcrの等温線の外側
が面内磁化によるマスク部、内側が開口部となり再生分
解能を向上することができる(図5)。
態にあるように調整した。そして臨界温度Tcr以上で垂
直磁化状態に変化する用に調整した。再生時にレーザー
光スポットの中央部付近がTcr以上に昇温するとそのエ
リアは垂直に磁化する。この時の磁化方向は記録層16
の磁化方向に一致する。結果としてTcrの等温線の外側
が面内磁化によるマスク部、内側が開口部となり再生分
解能を向上することができる(図5)。
【0077】再生層13上にはマスク層としての機能を
持つ補助磁性層14を付加した。補助磁性層14は室温
で面内磁化を示す希土類−遷移金属非晶質膜GdFeか
ら成り、膜厚を15nmとした。成膜はGd単体とFe単
体のターゲットのコスパッタで行い、そのキュリー温度
が150℃程度になるように組成を調整した。補助磁性
層14は再生層13の磁化方向の面内から垂直への変化
を再生レーザー光による温度勾配に対して急峻にして再
生分解能を向上させる役割を担う。
持つ補助磁性層14を付加した。補助磁性層14は室温
で面内磁化を示す希土類−遷移金属非晶質膜GdFeか
ら成り、膜厚を15nmとした。成膜はGd単体とFe単
体のターゲットのコスパッタで行い、そのキュリー温度
が150℃程度になるように組成を調整した。補助磁性
層14は再生層13の磁化方向の面内から垂直への変化
を再生レーザー光による温度勾配に対して急峻にして再
生分解能を向上させる役割を担う。
【0078】補助磁性層14上には第2誘電体層15を
積層した。第2誘電体層15はSiNから成り、膜厚を
5nmとし、再生層13と記録層16を静磁結合させる。
積層した。第2誘電体層15はSiNから成り、膜厚を
5nmとし、再生層13と記録層16を静磁結合させる。
【0079】第2誘電体層15を介して記録層16が積
層した。記録層16としては、垂直磁化を示す希土類−
遷移金属非晶質膜TbFeCoから成り、膜厚を50nm
とした。成膜はTb単体とFe90Co10合金ターゲ
ットのコスパッタで行い、各ターゲットへの投入電力の
比によって、補償温度が75℃程度、キュリー温度が2
50℃程度となるように組成を調整した。
層した。記録層16としては、垂直磁化を示す希土類−
遷移金属非晶質膜TbFeCoから成り、膜厚を50nm
とした。成膜はTb単体とFe90Co10合金ターゲ
ットのコスパッタで行い、各ターゲットへの投入電力の
比によって、補償温度が75℃程度、キュリー温度が2
50℃程度となるように組成を調整した。
【0080】記録層16上には磁気キャッピング層17
を積層した。磁気キャッピング層17は、室温で面内磁
化を示す希土類−遷移金属非晶質膜GdFeCoから成
り、膜厚を5nmとした。成膜はGd単体とFe80Co
20合金ターゲットのコスパッタで行い、各ターゲット
への投入電力の比によって、キュリー温度が300℃以
上となるように組成を調整した。
を積層した。磁気キャッピング層17は、室温で面内磁
化を示す希土類−遷移金属非晶質膜GdFeCoから成
り、膜厚を5nmとした。成膜はGd単体とFe80Co
20合金ターゲットのコスパッタで行い、各ターゲット
への投入電力の比によって、キュリー温度が300℃以
上となるように組成を調整した。
【0081】磁気キャッピング層の磁気特性は外部磁界
の方向に磁化が回転しやすいように、垂直磁気異方性エ
ネルギーと反磁界エネルギーが同等となるように調整し
た。
の方向に磁化が回転しやすいように、垂直磁気異方性エ
ネルギーと反磁界エネルギーが同等となるように調整し
た。
【0082】磁気キャッピング層上には第3誘電体層1
8を積層した。第3誘電体層18はSiNから成り、膜
厚を20nmとした。
8を積層した。第3誘電体層18はSiNから成り、膜
厚を20nmとした。
【0083】誘電体層18上には放熱層19を積層し
た。放熱層19はAl97Ti3から成り、膜厚を40
nmとし、第3誘電体層18とともにレーザー光による熱
分布を制御する役割を担う。
た。放熱層19はAl97Ti3から成り、膜厚を40
nmとし、第3誘電体層18とともにレーザー光による熱
分布を制御する役割を担う。
【0084】最後に第1誘電体層12から放熱層19ま
での膜全体を、酸化等の化学腐食および磁気ヘッドとの
接触から保護ため、保護層20としてアクリル系の紫外
線硬化型樹脂(UV樹脂)をスピンコートし、紫外線露光
器により硬化させた。
での膜全体を、酸化等の化学腐食および磁気ヘッドとの
接触から保護ため、保護層20としてアクリル系の紫外
線硬化型樹脂(UV樹脂)をスピンコートし、紫外線露光
器により硬化させた。
【0085】ハブ3は磁石により吸引可能な材質からな
るマグネチッククランプ用ハブで、基板1とは遊離した
状態で、基板に取り付けた。マグネチッククランプ用ハ
ブの材料としては、SUS430を用いた。マグネチッ
ククランプ用ハブ3は、スピンドル2に取り付けた磁石
4により引っぱられている。この引力は基板1に伝えら
れ、基板1がスピンドル2のディスク支持部に吸引され
ることになる。このときの基板とマグネチッククランプ
用ハブの接触面積Yは2.30cm2である(Y/X=
0.020)。以上のようにY/X=0.020とする
ことで、基板とハブとの摩擦力を確保し、回転により基
板とハブの間で発生するすべりを防止し、回転ムラを抑
制することができた。さらには、回転ムラにより生じる
面振れや、回転によりカートリッジ内で発生する乱流に
対しても、基板の保持力が大きくなるので、影響を少な
くする効果が得られた。
るマグネチッククランプ用ハブで、基板1とは遊離した
状態で、基板に取り付けた。マグネチッククランプ用ハ
ブの材料としては、SUS430を用いた。マグネチッ
ククランプ用ハブ3は、スピンドル2に取り付けた磁石
4により引っぱられている。この引力は基板1に伝えら
れ、基板1がスピンドル2のディスク支持部に吸引され
ることになる。このときの基板とマグネチッククランプ
用ハブの接触面積Yは2.30cm2である(Y/X=
0.020)。以上のようにY/X=0.020とする
ことで、基板とハブとの摩擦力を確保し、回転により基
板とハブの間で発生するすべりを防止し、回転ムラを抑
制することができた。さらには、回転ムラにより生じる
面振れや、回転によりカートリッジ内で発生する乱流に
対しても、基板の保持力が大きくなるので、影響を少な
くする効果が得られた。
【0086】またハブの材料に熱伝導率0.06(cal/
℃・cm・s)のSUS430を用いることで、回転ムラに
より発熱量が大きくなったスピンドルモーターからの熱
をハブを介して放熱することがでた。
℃・cm・s)のSUS430を用いることで、回転ムラに
より発熱量が大きくなったスピンドルモーターからの熱
をハブを介して放熱することがでた。
【0087】この光磁気記録媒体を外部構造図8および
図9、内部構造図12に示すカートリッジケースに収納
し光磁気ディスク100を作成した。
図9、内部構造図12に示すカートリッジケースに収納
し光磁気ディスク100を作成した。
【0088】光磁気ディスク100は情報信号を記録す
る円盤状のディスク(回転駆動体。この例では、光磁気
記録媒体である。)21と、ディスク21を回転自在な
状態で収容するカートリッジケース本体22とから構成
した。ディスク21はディスク本体の片面ないし両面に
情報信号を記録でき、ディスク本体の下面中央にハブを
取り付けた。
る円盤状のディスク(回転駆動体。この例では、光磁気
記録媒体である。)21と、ディスク21を回転自在な
状態で収容するカートリッジケース本体22とから構成
した。ディスク21はディスク本体の片面ないし両面に
情報信号を記録でき、ディスク本体の下面中央にハブを
取り付けた。
【0089】カートリッジケース本体22は、それぞれ
プラスチック成形された上カートリッジケース22aと
下カートリッジケース22bとを接合した、平面視が四
角形のカートリッジケースから構成し、上下面の一側寄
りに信号読み書き窓(本発明でいうところの窓)23を開
口させた。この窓23はシャッター24でスライド開閉
される。シャッター24は閉じ位置においてロック爪2
5でロック保持され、捻じりコイル形のばね26で閉じ
勝手に移動付勢した。カートリッジケース本体22の上
下面には、シャッター24の開閉領域に対応して、浅い
スライド凹部27が凹み形成た。
プラスチック成形された上カートリッジケース22aと
下カートリッジケース22bとを接合した、平面視が四
角形のカートリッジケースから構成し、上下面の一側寄
りに信号読み書き窓(本発明でいうところの窓)23を開
口させた。この窓23はシャッター24でスライド開閉
される。シャッター24は閉じ位置においてロック爪2
5でロック保持され、捻じりコイル形のばね26で閉じ
勝手に移動付勢した。カートリッジケース本体22の上
下面には、シャッター24の開閉領域に対応して、浅い
スライド凹部27が凹み形成た。
【0090】上記のように構成したディスクカートリッ
ジを、カートリッジケース本体22を図8の矢印で示す
向きにディスクドライブに装填することにより、ロック
爪25がロック解除操作され、シャッター24がばね2
6の付勢力に抗してスライド開放される。ディスク21
は、カートリッジケース本体22の下面中央の駆動穴か
ら進入する駆動軸でハブを介して保持固定し、図9にお
いて時計回転方向へ回転駆動する。このとき、ディスク
21の回転駆動に伴って生じる流動空気を効果的にカー
トリッジケース外へ逃がし、これによりディスク駆動時
の空気抵抗を減少させ、乱流の発生を抑制するために、
開放口30とこれを開閉する蓋体31とを付加した。
ジを、カートリッジケース本体22を図8の矢印で示す
向きにディスクドライブに装填することにより、ロック
爪25がロック解除操作され、シャッター24がばね2
6の付勢力に抗してスライド開放される。ディスク21
は、カートリッジケース本体22の下面中央の駆動穴か
ら進入する駆動軸でハブを介して保持固定し、図9にお
いて時計回転方向へ回転駆動する。このとき、ディスク
21の回転駆動に伴って生じる流動空気を効果的にカー
トリッジケース外へ逃がし、これによりディスク駆動時
の空気抵抗を減少させ、乱流の発生を抑制するために、
開放口30とこれを開閉する蓋体31とを付加した。
【0091】図9に破線群で示すように、開放口30は
信号読み書き窓23の一対の側縁のうち、ディスク21
の回転上手側の側縁23aに連続して切り欠き形成す
る。また、蓋体31はシャッター24の主面壁24aと
一体に形成して、信号読み書き窓23をシャッター24
で閉じた状態において、開放口30を蓋体31で閉止で
きるようにした。
信号読み書き窓23の一対の側縁のうち、ディスク21
の回転上手側の側縁23aに連続して切り欠き形成す
る。また、蓋体31はシャッター24の主面壁24aと
一体に形成して、信号読み書き窓23をシャッター24
で閉じた状態において、開放口30を蓋体31で閉止で
きるようにした。
【0092】このとき、信号読み書き窓23の開口縦寸
法aを基準にして、開放口30の開口縦寸法bが先の開
口縦寸法aより小さくなるように設定した。但し、両寸
法a・bは、各開口縁のカートリッジケース中央側の開
口縁を基準にして設定してあり、従ってこの基準縁は一
直線状に連続している。
法aを基準にして、開放口30の開口縦寸法bが先の開
口縦寸法aより小さくなるように設定した。但し、両寸
法a・bは、各開口縁のカートリッジケース中央側の開
口縁を基準にして設定してあり、従ってこの基準縁は一
直線状に連続している。
【0093】図9においてシャッター24は、信号読み
書き窓23を開放し、さらに開放口30を開放する位置
までスライド操作されるようにした。このとき、蓋体3
1はスライド凹部27からはみ出る。そのため、スライ
ド凹部27の開放端側の周縁壁に、スライド凹部27と
面一状の逃げ凹部32を設け、蓋体31の突端側は逃げ
凹部32を介してカートリッジケース外へスライド変位
できるようにした。
書き窓23を開放し、さらに開放口30を開放する位置
までスライド操作されるようにした。このとき、蓋体3
1はスライド凹部27からはみ出る。そのため、スライ
ド凹部27の開放端側の周縁壁に、スライド凹部27と
面一状の逃げ凹部32を設け、蓋体31の突端側は逃げ
凹部32を介してカートリッジケース外へスライド変位
できるようにした。
【0094】以上のように信号読み書き窓23とは別に
開放口30を設けて、ディスク21の回転駆動に伴って
生じる乱流やディスク表面に生じる渦流を、信号読み書
き窓23と開放口30とのそれぞれから逃がし、ディス
ク駆動時の空気抵抗を減少させて乱流の発生を抑え、そ
の分だけディスク駆動時の回転性を安定化させることが
できた。
開放口30を設けて、ディスク21の回転駆動に伴って
生じる乱流やディスク表面に生じる渦流を、信号読み書
き窓23と開放口30とのそれぞれから逃がし、ディス
ク駆動時の空気抵抗を減少させて乱流の発生を抑え、そ
の分だけディスク駆動時の回転性を安定化させることが
できた。
【0095】カートリッジ内面には凸部または凹部を設
けてディスク回転時の空気の流れを調整し、調整された
空気流により記録再生時のディスクの信号記録面を面振
れを抑えて一定の高さ位置に付勢し、回転を安定化させ
る働きをさせる。
けてディスク回転時の空気の流れを調整し、調整された
空気流により記録再生時のディスクの信号記録面を面振
れを抑えて一定の高さ位置に付勢し、回転を安定化させ
る働きをさせる。
【0096】図12A及びそのA−A断面図である12
Bに示したカートリッジケース本体52は、上カートリ
ッジケース52a及び下カートリッジケース52bから
構成し、カートリッジケース本体52に、ディスク41
を収納する。このカートリッジケース本体52は、凸部
53a、53bが上カートリッジケース52a及び下カ
ートリッジケース52bの内側面上で、ディスクの中心
から外周に向けて、ディスクの回転方向に弧55を描く
ように放射状に形成する。凸部53a、53bを区画す
る弧55は、ディスクの円周(直径122mm)上に中心を
置き、半径61mmで描く。弧55の中心をディスクの円
周上で1/16周ごとに設定して総計16個の弧を描い
た。弧55により区画された凸部の断面形状は、図12
Bに示したように鋸刃状であり、弧55の位置で突出
し、その部分でカートリッジ内面とディスク面との間隔
が最小となり、次の弧まで徐々にその間隔が広がる。即
ち、弧55の位置で隣接する凸部間の段差が生じて、凸
部53間の境界を形成しており、弧の位置での突出高さ
は0.5mmであり、その位置での凸部53a、53bと
ディスク41の面との間隔は0.5mmである。かかる構
造の凸部53a、53bをカートリッジケース本体52
内面にディスク41に対して対称に設けたことによっ
て、ディスク41の回転によりディスクの周方向に向か
って発生した空気の流れを径方向に誘導し、ディスク外
周部の圧力を上昇させ、上昇した圧力をディスクの上下
面から均等に印加することにより、変動の大きいディス
ク外周部の面位置と回転性を安定化させることができ
た。また凹凸により空気の流れ道ができ、回転による乱
流の発生を抑えることができた。
Bに示したカートリッジケース本体52は、上カートリ
ッジケース52a及び下カートリッジケース52bから
構成し、カートリッジケース本体52に、ディスク41
を収納する。このカートリッジケース本体52は、凸部
53a、53bが上カートリッジケース52a及び下カ
ートリッジケース52bの内側面上で、ディスクの中心
から外周に向けて、ディスクの回転方向に弧55を描く
ように放射状に形成する。凸部53a、53bを区画す
る弧55は、ディスクの円周(直径122mm)上に中心を
置き、半径61mmで描く。弧55の中心をディスクの円
周上で1/16周ごとに設定して総計16個の弧を描い
た。弧55により区画された凸部の断面形状は、図12
Bに示したように鋸刃状であり、弧55の位置で突出
し、その部分でカートリッジ内面とディスク面との間隔
が最小となり、次の弧まで徐々にその間隔が広がる。即
ち、弧55の位置で隣接する凸部間の段差が生じて、凸
部53間の境界を形成しており、弧の位置での突出高さ
は0.5mmであり、その位置での凸部53a、53bと
ディスク41の面との間隔は0.5mmである。かかる構
造の凸部53a、53bをカートリッジケース本体52
内面にディスク41に対して対称に設けたことによっ
て、ディスク41の回転によりディスクの周方向に向か
って発生した空気の流れを径方向に誘導し、ディスク外
周部の圧力を上昇させ、上昇した圧力をディスクの上下
面から均等に印加することにより、変動の大きいディス
ク外周部の面位置と回転性を安定化させることができ
た。また凹凸により空気の流れ道ができ、回転による乱
流の発生を抑えることができた。
【0097】次にこの光磁気ディスク100を記録再生
装置71に装着し、360〜7200r.p.mでの光磁気
ディスクの回転安定性とトラッキングエラーおよびライ
ト/リードエラーの発生を調べた。
装置71に装着し、360〜7200r.p.mでの光磁気
ディスクの回転安定性とトラッキングエラーおよびライ
ト/リードエラーの発生を調べた。
【0098】記録再生実験の結果を表1に示す。720
r.p.m以上の回転数では、スピンドルモーター自体の振
動や、スピンドルモーターからの発熱、ディスクの回転
により発生する空気流、回転力による基板の変形は高速
回転ほど大きくなり、回転の安定性や、記録再生はこれ
らの影響をうけるが、本発明の光磁気ディスクは、全て
の回転領域において安定した回転数を保つことができ、
またトラッキングエラーの発生およびライト/リードエ
ラーはなかった。
r.p.m以上の回転数では、スピンドルモーター自体の振
動や、スピンドルモーターからの発熱、ディスクの回転
により発生する空気流、回転力による基板の変形は高速
回転ほど大きくなり、回転の安定性や、記録再生はこれ
らの影響をうけるが、本発明の光磁気ディスクは、全て
の回転領域において安定した回転数を保つことができ、
またトラッキングエラーの発生およびライト/リードエ
ラーはなかった。
【0099】(実験例2)次に、実験例1のうち、基板
とマグネチッククランプ用ハブの接触面積Yを5.76
cm2(Y/X=0.050)としたものを、記録再生装置
71に装着し、回転数を0〜7200r.p.mまで上げて
いき、回転の安定性とトラッキングエラーおよびリード
エラーの発生を調べたところ、全ての回転領域において
安定した回転数を保つことができ、またトラッキングエ
ラーの発生およびライト/リードエラーはなかった。
とマグネチッククランプ用ハブの接触面積Yを5.76
cm2(Y/X=0.050)としたものを、記録再生装置
71に装着し、回転数を0〜7200r.p.mまで上げて
いき、回転の安定性とトラッキングエラーおよびリード
エラーの発生を調べたところ、全ての回転領域において
安定した回転数を保つことができ、またトラッキングエ
ラーの発生およびライト/リードエラーはなかった。
【0100】(比較例1)次に、実験例1のうち、基板
とマグネチッククランプ用ハブの接触面積Yを1.73
cm2(Y/X=0.015)としたものを、記録再生装置
71に装着し、回転数を0〜7200r.p.mまで上げて
いき、回転の安定性とトラッキングエラーおよびリード
エラーの発生を調べたところ、720r.p.m以上の回転
数領域では、回転が不安定になり、回転数を一定に保つ
ことができず、トラッキングエラーおよびリードエラー
が発生した。
とマグネチッククランプ用ハブの接触面積Yを1.73
cm2(Y/X=0.015)としたものを、記録再生装置
71に装着し、回転数を0〜7200r.p.mまで上げて
いき、回転の安定性とトラッキングエラーおよびリード
エラーの発生を調べたところ、720r.p.m以上の回転
数領域では、回転が不安定になり、回転数を一定に保つ
ことができず、トラッキングエラーおよびリードエラー
が発生した。
【0101】
【発明の効果】本発明の光磁気ディスクは、表1に示す
ように、光磁気ディスクを720r.p.m以上で回転させ
ても、トラッキングエラー、ライト/リードエラーの発
生なく、回転を安定に保つことができ、高速回転領域で
回転可能な光磁気ディスクとして極めて好適である。
ように、光磁気ディスクを720r.p.m以上で回転させ
ても、トラッキングエラー、ライト/リードエラーの発
生なく、回転を安定に保つことができ、高速回転領域で
回転可能な光磁気ディスクとして極めて好適である。
【0102】
【表1】
【0103】A;回転数変動が±1%以内(トラッキン
グエラー、ライト/リードエラーなし) B;回転数変動が±3%以内(トラッキングエラー、ラ
イト/リードエラーなし) C;回転数変動が±5%以内(トラッキングエラー、ラ
イト/リードエラー発生) D;回転数変動が±7%以上(トラッキングエラー、ラ
イト/リードエラー発生)
グエラー、ライト/リードエラーなし) B;回転数変動が±3%以内(トラッキングエラー、ラ
イト/リードエラーなし) C;回転数変動が±5%以内(トラッキングエラー、ラ
イト/リードエラー発生) D;回転数変動が±7%以上(トラッキングエラー、ラ
イト/リードエラー発生)
【図1】従来例を示す断面図である。
【図2】他の従来例を示す断面図である。
【図3】本発明の実施例を示す断面図である。
【図4】Aは光ディスクの基板の構造を示す断面図であ
り、B〜Gは光ディスク基板の種々の構造を示す断面図
であり、Hは従来の光ディスク用基板の構造を示す断面
図である。
り、B〜Gは光ディスク基板の種々の構造を示す断面図
であり、Hは従来の光ディスク用基板の構造を示す断面
図である。
【図5】図5A〜Gは、光ディスクの基板のさらに別の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図6】図6は、本発明の光磁気記録媒体の積層構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図7】図7は、CAD型磁気超解像再生の概念図であ
る。
る。
【図8】図8は、カートリッジのシャッターを開いた状
態でのカートリッジケースの平面図である。
態でのカートリッジケースの平面図である。
【図9】図9は、カートリッジのシャッターを閉じた状
態でのカートリッジケースの平面図である。
態でのカートリッジケースの平面図である。
【図10】図10は、カートリッジの別実施例を示すカ
ートリッジケースの平面図である。
ートリッジケースの平面図である。
【図11】図11Aおよび11Bは、それぞれ、カート
リッジの構造を示すカートリッジケースの平面図および
そのA−A線断面図である。
リッジの構造を示すカートリッジケースの平面図および
そのA−A線断面図である。
【図12】図12Aおよび12Bは、それぞれ、カート
リッジの構造を示すカートリッジケースの平面図および
そのA−A線断面図である。
リッジの構造を示すカートリッジケースの平面図および
そのA−A線断面図である。
【図13】図13Aおよび13B〜13Dは、それぞ
れ、カートリッジの構造を示すカートリッジケースの平
面図およびそのA−A線断面図である。
れ、カートリッジの構造を示すカートリッジケースの平
面図およびそのA−A線断面図である。
【図14】図14Aおよび14Bは、それぞれ、カート
リッジの構造を示すカートリッジケースの平面図および
そのA−A線断面図である。
リッジの構造を示すカートリッジケースの平面図および
そのA−A線断面図である。
【図15】図15は、記録再生装置の構成図である。
1 基板 2 スピンドル 3 ハブ 4 磁石 5 内側領域 6 外側領域 7 記録再生領域 8 補強部材 9 振動吸収剤 11 基板 12 第1誘電体膜 13 再生層 14 補助磁性層 15 第2誘電体層 16 記録層 17 磁気キャッピング層 18 第3誘電体層 19 放熱層 20 保護層 21 ディスク 22 カートリッジケース本体 23 信号読み書き窓 24 シャッター 25 ロック爪 26 ばね 30 開放口 31 蓋体 32 逃げ凹部 33 ロック爪 34 ばね 41 ディスク 42 カートリッジケース本体 43 凸部 49 ハブ用開口部 52 カートリッジケース本体 53 凸部 55 弧 62 カートリッジケース本体 63 凸部 65 弧 70 符号器 71 記録再生装置 72 レーザ 73 レーザ駆動回路 74 記録パルス幅/位相調整回路(RC−PPA) 75 PLL回路 76 磁気コイル 77 磁気コイル駆動回路(M−DRIVE) 78 位相調整回路(RE−PA) 79 再生パルス幅・位相調整回路(RP−PPA) 80 記録再生切替器(RC/RP SW) 81 第1偏光プリズム 82 第2偏光プリズム 83 検出器 84 検出器 85 I/V変換器 86 I/V変換器 87 減算器 88 加算器 89 クロック抽出回路(CSS) 90 サンプルホールド(S/H)回路 91 A/D変換回路 92 2値化信号処理回路(BSC) 93 復号器 94 コリメータレンズ 95 対物レンズ 96 1/2波長板 97 検出レンズ 98 光検出器 99 光検出器 100 光磁気ディスク X 基板の投影面積 Y 基板とハブの接着面積
Claims (8)
- 【請求項1】 少なくとも、中心穴を有するプラスチッ
ク基板と、該基板上に、少なくとも希土類−遷移金属か
らなる記録層を含む層が積層され、該基板の中心穴に、
該基板に担持された該基板と異なる材質からなるハブを
具備し、回転可能形態でカートリッジケースに収納され
た状態で、記録再生装置のスピンドルに装着されて回転
しながら、記録再生が行われる光磁気ディスクにおい
て、 該基板は熱伝導率が10−3〜10−6(cal/℃・cm・
s)の材料からなり、かつ、 該ハブの該基板との接触面積Yと、該基板の投影面積X
との関係が Y/X≧0.02 であることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項2】 請求項1記載の光磁気ディスクにおい
て、該カートリッジケースは、該基板に対向する内面部
分それぞれに、該光磁気ディスク回転時の該カートリッ
ジケース内部の空気の流れを調整するための凹凸が形成
されていることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項3】 請求項1記載の光磁気ディスクにおい
て、該基板の中心穴に担持されたハブが、磁石により吸
引可能な材質からなり、該スピンドルに装着されて回転
しながら、記録再生が行われることを特徴とする光磁気
ディスク。 - 【請求項4】 請求項3記載の光磁気ディスクにおい
て、該ハブの材質がFe、Ni、Coあるいはそれらを
含む合金の金属磁性体からなることを特徴とする光磁気
ディスク。 - 【請求項5】 請求項1記載の光磁気ディスクにおい
て、該基板の厚みが0.7mm以下であることを特徴とす
る光磁気ディスク。 - 【請求項6】 請求項1記載の光磁気ディスクにおい
て、720r.p.m以上の回転数で記録再生が行われるこ
とを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項7】 請求項1記載の光磁気ディスクにおい
て、該ハブの該基板との接触面積Yと、該基板の投影面
積Xとの関係が Y/X≧0.05 であることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項8】 請求項7記載の光磁気ディスクにおい
て、2400r.p.m以上の回転数で記録再生が行われる
ことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11074030A JP2000268428A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11074030A JP2000268428A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000268428A true JP2000268428A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13535351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11074030A Withdrawn JP2000268428A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000268428A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002089137A1 (fr) * | 2001-04-23 | 2002-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'information optique et appareil d'enregistrement/reproduction d'information optique |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11074030A patent/JP2000268428A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002089137A1 (fr) * | 2001-04-23 | 2002-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'information optique et appareil d'enregistrement/reproduction d'information optique |
US6941572B2 (en) | 2001-04-23 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and optical information recording/reproduction apparatus |
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Legal Events
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