JP2000267943A - Data writing management system - Google Patents

Data writing management system

Info

Publication number
JP2000267943A
JP2000267943A JP11073141A JP7314199A JP2000267943A JP 2000267943 A JP2000267943 A JP 2000267943A JP 11073141 A JP11073141 A JP 11073141A JP 7314199 A JP7314199 A JP 7314199A JP 2000267943 A JP2000267943 A JP 2000267943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sector
write
data
time
byte
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11073141A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriko Kubushiro
紀子 久布白
Yuji Sugaya
祐二 菅谷
Kazuhiro Obe
一博 大部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Science Systems Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11073141A priority Critical patent/JP2000267943A/en
Publication of JP2000267943A publication Critical patent/JP2000267943A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an unusable area from being increased by providing sector write time prescribed values by sectors and deciding no time-out error occurrence sector on condition that the write time of data is shorter than the sector write time prescribed value even if it takes a long time to write bytes to some of sectors. SOLUTION: When a host 1 attains data write access through an interface bus 7 and an interface 3, a CPU 2 gains data write access to a flash memory 5 through a connecting circuit 4. When data begin to be written, the CPU 2 starts measuring the write time by its timer to measure the write time of data of one sector. Here, an external storage device is provided with sector write time prescribed values by sectors and even if it takes a long time to write bytes to some of sectors, no time-out error occurrence sector is decided on condition that the write time of the data is shorter than the sector write time prescribed value, so that no write time-out error will be decided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はフラッシュメモリ等
のような、データ書込みに時間のかかるメモリを使用し
た外部記憶装置のデータの書込み方式に係り、データの
書込み時間を管理し、使用可能領域を確保する技術分野
に属する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data writing method for an external storage device using a memory such as a flash memory which takes a long time to write data. Belongs to the technical field to secure.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、書換回数に制限はあるが、電気的
に書換可能な不揮発性メモリとしてフラッシュメモリが
注目されており、携帯用機器や、メモリカード等に使用
されてきている。フラッシュメモリはデータのリードア
クセスは高速なものの、データ書込み時間に時間がかか
り、1バイトあたり8μS〜2msとばらつきがある。
また、フラッシュメモリは消去回数に制限があり、消去
回数が増えることにより劣化が進むとデータ書込み時間
は更に遅くなる。
2. Description of the Related Art Recently, flash memories have been attracting attention as electrically rewritable nonvolatile memories, although the number of times of rewriting is limited, and they have been used for portable devices, memory cards, and the like. The flash memory has a high data read access speed, but takes a long time to write data, and has a variation of 8 μS to 2 ms per byte.
Further, the flash memory has a limit on the number of times of erasing, and when the number of times of erasing is increased and the deterioration proceeds, the data writing time is further reduced.

【0003】そのため、1バイト書込みにおいて規定値
を設け、規定値以上に長い書込み時間がかかる場合には
タイムアウトエラーを設けていた。
For this reason, a specified value is provided in 1-byte writing, and a time-out error is provided when a longer writing time than the specified value is required.

【0004】しかし、フラッシュメモリを外部記憶装置
として使用する場合、ホストはセクタ単位で外部記憶装
置にアクセスを行い、バイト単位ではデータアクセスを
行わない。そのため、1セクタのあるバイトの書込みで
時間がかかった場合、そのセクタはそれ以外の書込みで
は規定書込み時間以内であっても不良発生セクタとして
使用されないセクタとなり、外部記憶装置としての使用
不可能領域が増加する原因となっていた。
However, when a flash memory is used as an external storage device, the host accesses the external storage device in sector units and does not access data in byte units. Therefore, if it takes time to write a certain byte in one sector, the other sector becomes a sector that is not used as a defective sector even if it is within the specified write time, and the unusable area as an external storage device is used. Was causing the increase.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】データ書込みに時間に
ばらつきのあるメモリを使用した外部記憶装置におい
て、ホストがアクセスする単位であるセクタのセクタの
一部のデータの書込み時間が超過しても、セクタ書込み
時間が規定値以内ならば使用可能領域にすることにより
使用不可能領域と判定せず使用可能領域を確保すること
を課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In an external storage device using a memory having a variable time for data writing, even if the writing time of a part of the sector of the sector which is a unit accessed by the host exceeds the writing time. An object of the present invention is to secure a usable area without determining it as an unusable area by setting a usable area if the sector write time is within a specified value.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は上記の問
題点を解消して、フラッシュメモリを使用した外部記憶
装置において、セクタの一部でデータ書込み時間がかか
ってもセクタ全体としてセクタの書込み時間規定値以内
ならば、不良発生セクタと判定しないデータ書込み管理
方式を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and in an external storage device using a flash memory, even if it takes a long time to write data in a part of a sector, the entire sector can be used. An object of the present invention is to provide a data write management method that does not determine a defective sector if the write time is within a specified value.

【0007】そのため、本発明のデータ書込み管理方式
は、ホストとのインタフェースと、実際にデータを記憶
するフラッシュメモリと、CPUと、CPUとフラッシ
ュメモリへのアクセスを制御する制御回路と、ホストと
インタフェースを結ぶインタフェースバスと、インタフ
ェースと制御回路を結ぶ制御用データバスと、制御回路
とCPUを結ぶCPU制御バスと制御信号,制御回路と
フラッシュメモリを結ぶデータバスとメモリ制御線から
構成される。
Therefore, the data write management method of the present invention comprises an interface with a host, a flash memory for actually storing data, a CPU, a control circuit for controlling access to the CPU and the flash memory, an interface between the host and the host. , A control data bus connecting the interface and the control circuit, a CPU control bus connecting the control circuit and the CPU, control signals, a data bus connecting the control circuit and the flash memory, and a memory control line.

【0008】フラッシュメモリへのセクタ書込み時間を
CPU内のタイマで測定し、セクタ単位のデータ書込み
時間がセクタの書込み規定値以内ならば不良セクタと判
定せず、使用可能な領域とみなす。
[0008] The sector write time to the flash memory is measured by a timer in the CPU, and if the data write time in sector units is within the sector write specified value, it is not determined to be a defective sector and is regarded as a usable area.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を参照して
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0010】例として、外部記憶装置はフラッシュメモ
リをメモリとし、セクタサイズは512バイトの仕様の
もので説明する。
As an example, a description will be given on the assumption that a flash memory is used as the external storage device and the sector size is 512 bytes.

【0011】(実施例1)図1はセクタ単位書込みのフ
ローチャート図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a flow chart of sector-based writing.

【0012】データライトアクセスがホストからおきる
と、CPU2内のタイマを起動し、セクタ単位の書込み
時間測定を開始する。CPU2にはセクタ書込み時間規
定値が設定されており、セクタ書込み時間規定値はバイ
ト書込み時間規定値×1セクタ分のバイト数である。
When a data write access occurs from the host, a timer in the CPU 2 is started to start measuring a write time in sector units. A specified sector write time value is set in the CPU 2, and the specified sector write time value is a specified byte write time value × the number of bytes for one sector.

【0013】フラッシュメモリに対し1セクタ分(51
2バイト)のデータライトが終了するとCPU2内のタ
イマを終了して1セクタ分のライトアクセスにかかった
時間を測定する。1セクタ分のライトアクセスにかかっ
た時間が、セクタ書込み時間規定値以内で、書込みタイ
ムアウトエラーが発生しなければ、セクタ単位のライト
アクセスを引き続き指定セクタ分を繰り返し、全てのデ
ータの書込みが終了した時点で処理を終了する。
One sector (51) is stored in the flash memory.
When the data write of (2 bytes) is completed, the timer in the CPU 2 is terminated and the time required for one sector write access is measured. If the time required for the write access for one sector is within the sector write time specified value and no write timeout error occurs, the write access in the sector unit is continuously repeated for the specified sector, and the writing of all data is completed. The process ends at this point.

【0014】セクタの書込み時間がセクタ書込み時間規
定値以上であれば、ホストにはエラー発生報告を行い、
エラーの発生したセクタをエラー登録し、書込みを終了
する。
If the sector write time is equal to or longer than the sector write time prescribed value, an error occurrence report is sent to the host, and
The sector in which the error has occurred is registered as an error, and writing is completed.

【0015】図2は外部記憶装置構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of the external storage device.

【0016】図1を実行するライトアクセス方式を説明
する。ホスト1からインタフェースバス7,インタフェ
ース2を介してデータライトアクセスが来ると、CPU
2は制御回路4を介してフラッシュメモリ5にデータラ
イトアクセスを行う。データライトが始まる時点でCP
U2はCPU2内のタイマで、書込み時間の測定を開始
し1セクタ分のデータ書込み時間を測定する構成であ
る。
A write access method for executing FIG. 1 will be described. When a data write access is received from the host 1 via the interface bus 7 and the interface 2, the CPU 1
2 performs data write access to the flash memory 5 via the control circuit 4. CP at the start of data write
U2 is a timer in the CPU 2 which starts measuring the write time and measures the data write time for one sector.

【0017】図3はデータ書込みにおいて従来案のバイ
ト書込み時間規定値を設けた場合と、本方式によるセク
タ書込み時間規定値を設けた場合のタイムアウトエラー
検出の比較である。
FIG. 3 is a comparison of the timeout error detection between the case where the conventional byte write time prescribed value is provided in the data writing and the case where the sector write time prescribed value is provided by the present method.

【0018】従来提案のデータ書込みにおいてバイト書
込み時間規定値を設けた場合、バイト単位でデータを書
込んでいき、データ一部のあるバイトでバイト書込み時
間規定値を超過した場合、そのセクタは使用不可能な書
込みタイムアウトエラー発生セクタとして登録される。
When a byte write time stipulated value is provided in the conventionally proposed data write, data is written in byte units. If a byte of a part of the data exceeds the byte write time stipulated value, the sector is used. It is registered as an impossible write timeout error occurrence sector.

【0019】本方式による、データ書込みにおいてセク
タ書込み時間規定値を設けた場合では、セクタ1部分の
バイト書込み時間に時間がかかっても、1セクタ分(5
12バイト)のデータ書込み時間が短ければ書込みタイ
ムアウトエラーとして登録されない。
In the case where a sector write time prescribed value is provided in the data write according to the present method, even if the byte write time of the sector 1 part takes a long time, it takes one sector (5 bytes).
If the data write time (12 bytes) is short, it is not registered as a write timeout error.

【0020】即ち、1部のバイト書込みに時間がかかっ
ても、全体として書込み時間規定値以内ならば、エラー
として登録されないので、従来案ならば使用不可能な書
込みタイムアウトエラー発生領域と判定される領域が使
用可能領域となる。
That is, even if it takes time to write one copy of a byte, if it is within the specified write time as a whole, it is not registered as an error, so that it is determined that the write timeout error occurrence area cannot be used in the prior art. The area becomes a usable area.

【0021】セクタの1部のデータでバイト書込み時間
がかかっても、エラーとして登録されないことで、使用
不可能な領域を増やさないことが出来る。
Even if it takes a byte write time for a part of the data of the sector, it is not registered as an error, so that an unusable area can not be increased.

【0022】(実施例2)図4はデータアクセス高速化
時の外部記憶装置構成図である。
(Embodiment 2) FIG. 4 is a configuration diagram of an external storage device at the time of speeding up data access.

【0023】各々のフラッシュメモリ5a〜5dにはメ
モリデータバス13がありメモリデータバス13はデー
タバス11を介して制御回路とアクセスを行う。CPU
2のタイマに設定されるセクタ書込み時間規定値は、バ
イト書込み時間規定値×1セクタ分のバイト数をフラッ
シュメモリに同時にアクセスする個数である4で割った
値に設定する。並列アクセスを行うため、その分セクタ
書込み時間が短くなるためである。
Each of the flash memories 5a to 5d has a memory data bus 13, and the memory data bus 13 accesses the control circuit via the data bus 11. CPU
The specified sector write time set in the timer 2 is set to a value obtained by dividing the specified byte write time × the number of bytes for one sector by 4 which is the number of simultaneous accesses to the flash memory. This is because, since the parallel access is performed, the sector write time is shortened accordingly.

【0024】図5は1セクタのフラッシュメモリへのデ
ータ書込みを示している。
FIG. 5 shows data writing to the flash memory of one sector.

【0025】メモリデータバスが8ビットである時、デ
ータバスは32ビットデータバスとし、4バイト並行で
フラッシュメモリ4個に同時にアクセスを行う。
When the memory data bus is 8 bits, the data bus is a 32-bit data bus, and four bytes of flash memory are accessed simultaneously in parallel with 4 bytes.

【0026】図6はデータアクセス高速化時のデータ書
込みにおいて、従来案のバイト書込み時間規定値を設け
た場合と、本方式によるセクタ書込み時間規定値を設け
た場合のタイムアウト検出の比較である。
FIG. 6 is a comparison between the conventional case where the prescribed value of byte write time is provided and the time out detection in the case where the prescribed value of sector write time is provided by the present method in the data write at the time of speeding up data access.

【0027】データ書込みにおいて、バイト書込み時間
規定値を設けた場合にはフラッシュメモリ5a〜5cの
間でバイト書込み時間規定値にデータ書込み時間が収ま
っても、フラッシュメモリ5dでバイト書込み時間規定
値を超過した場合、フラッシュメモリ5a〜5cの同一
セクタを書込んでいた領域と、5dの書込みタイムアウ
トエラーの発生した領域はエラー発生領域として登録さ
れ、使用不可能領域となる。
In the data writing, when the specified byte write time value is provided, even if the data write time falls within the specified byte write time value between the flash memories 5a to 5c, the specified byte write time value is stored in the flash memory 5d. If it exceeds, the area of the flash memories 5a to 5c in which the same sector has been written and the area in which the write timeout error has occurred in 5d are registered as error areas and become unusable areas.

【0028】データ書込みにおいて、セクタ書込み時間
規定値を設けた場合、フラッシュメモリ5dでデータラ
イトアクセスに時間がかかってもフラッシュメモリ5a
〜5cの間ではデータ待ち時間を設けて、フラッシュメ
モリ5dのデータ書込みが終了するまでを待たせてお
き、フラッシュメモリ5dの書込みが終了したらデータ
バス,フラッシュメモリ5a〜5dのメモリデータバス
を通して新たにフラッシュメモリに32ビットデータの
書込みを続行する。
In the data write, when a sector write time prescribed value is provided, even if it takes time for data write access in the flash memory 5d, the flash memory 5a
A data waiting time is provided between .about.5c so that the writing of data into the flash memory 5d is completed, and when the writing into the flash memory 5d is completed, a new data bus is used through the data bus and the memory data bus of the flash memories 5a to 5d. Then, writing of 32-bit data to the flash memory is continued.

【0029】同時にアクセスするフラッシュメモリ間で
書込み時間にばらつきがあり、例えば一つのフラッシュ
メモリで書込み時間がかかっても、セクタ書込み時間規
定値以内ならばエラーの発生したセクタとして登録され
ないことで、使用不可能な書込みタイムアウトエラー発
生領域となる領域と判定されない。またセクタ書込み時
間規定値を4分の1に設定でき、32ビットでアクセス
することでデータのライトアクセス高速化が可能で、更
に、データ書込みにおいてエラーが発生し、交代セクタ
にデータを待避したい場合においても、待避にかかる時
間は4分の1に設定でき、外部記憶装置全体としてアク
セス時間短縮を図れる構成となる。
There is a variation in the writing time between the flash memories that are simultaneously accessed. For example, even if it takes a writing time in one flash memory, if it is within the sector writing time specified value, it is not registered as a sector in which an error has occurred. The area is not determined to be an impossible write timeout error occurrence area. In addition, the specified value of the sector write time can be set to 、, and data write access can be speeded up by accessing with 32 bits. Further, when an error occurs in data write and data is to be saved in a replacement sector In this case, the evacuation time can be set to 4, so that the access time can be shortened as a whole of the external storage device.

【0030】本方式においてはフラッシュメモリが8ビ
ット、ホストのアクセスを32ビット、セクタサイズを
512バイトで説明したが、フラッシュメモリ,ホスト
のデータ幅,セクタサイズが変わっても、並列アクセス
するフラッシュメモリの数等を変えることによって同様
な方式を取ることができる。
In this method, the flash memory is 8 bits, the host access is 32 bits, and the sector size is 512 bytes. However, even if the flash memory, the data width of the host, and the sector size are changed, the flash memory is accessed in parallel. A similar method can be adopted by changing the number of the symbols.

【0031】[0031]

【発明の効果】セクタ単位にセクタ書込み時間規定値を
設けることでセクタの一部でバイト書込みに時間がかか
っても、データの書込み時間がセクタ書込み時間規定値
以内ならばタイムアウトエラー発生セクタとせず、書込
みタイムアウトエラーと判定せず、不良セクタの増加を
減らすことができる。
According to the present invention, a sector write time specified value is provided for each sector, and even if it takes time to write a byte in a part of the sector, if the data write time is within the sector write time specified value, the sector is not regarded as a timeout error occurring sector. Thus, it is possible to reduce the increase in defective sectors without determining that a write timeout error has occurred.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における外部記憶装置のセクタ単位書込
みフローチャート図である。
FIG. 1 is a flowchart for writing data in a sector unit in an external storage device according to the present invention.

【図2】本発明における外部記憶装置構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of an external storage device according to the present invention.

【図3】本発明と従来例のタイムアウト検出との比較を
示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a comparison between the present invention and a conventional example of timeout detection.

【図4】本発明におけるデータアクセス高速化時の外部
記憶装置構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of an external storage device at the time of speeding up data access according to the present invention.

【図5】本発明におけるデータアクセス高速化時の1セ
クタ分のフラッシュメモリへのデータ書込みを示す図で
ある。
FIG. 5 is a diagram showing data writing to a flash memory for one sector when data access is speeded up in the present invention.

【図6】本発明と従来例のデータアクセス高速化時のタ
イムアウト検出の比較を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a comparison of timeout detection when speeding up data access according to the present invention and a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ホスト、2…CPU、3…インタフェース、4…制
御回路、5…フラッシュメモリ、6…外部記憶装置、7
…インタフェースバス、8…制御用データバス、9…C
PUバス、10…制御信号、11…データバス、12…
メモリ制御線、13…メモリデータバス。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Host, 2 ... CPU, 3 ... Interface, 4 ... Control circuit, 5 ... Flash memory, 6 ... External storage device, 7
... Interface bus, 8 ... Control data bus, 9 ... C
PU bus, 10 ... control signal, 11 ... data bus, 12 ...
Memory control line, 13 ... Memory data bus.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅谷 祐二 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内 (72)発明者 大部 一博 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 Fターム(参考) 5B018 GA01 GA05 HA31 KA01 NA06 QA15 5B060 CB00  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuji Sugaya 882-Chair, Oaza-shi, Hitachinaka-city, Ibaraki Pref. Inside the Measuring Instruments Division, Hitachi, Ltd. F term in Hitachi Science Systems, Ltd. (reference) 5B018 GA01 GA05 HA31 KA01 NA06 QA15 5B060 CB00

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】データのバイト書込み時間がばらついてい
るメモリを媒体とした外部記憶装置で、ホストの読込
み、又は書込み単位が一定のバイト数のセクタ単位であ
る時、バイト書込み時間規定値を設定し、書込みタイム
アウトを設けた場合には、セクタの1部でバイト書込み
時間がかかり書込みタイムアウトエラーとなり不良セク
タとなってしまう場合でも、セクタのバイト数分のデー
タを書込んだ時に、セクタの全部のデータのバイト書込
み時間の和であるセクタ書込み時間が、バイト単位で書
込みエラーを設けた時のバイト書込み時間規定値のセク
タバイト数分の和とするセクタ書込み時間規定値よりも
小さければ、書込みタイムアウトエラーとしないこと
で、セクタの一部でデータ書込み時間がかかる場合で
も、不良セクタと判定しないデータ書込み管理方式。
1. An external storage device using a memory as a medium in which a byte write time of data varies, and when a read or write unit of a host is a sector unit having a fixed number of bytes, a byte write time specified value is set. However, when a write timeout is provided, even when a byte write time is required in one part of the sector and a write timeout error occurs and the sector becomes a bad sector, when the data of the number of bytes of the sector is written, all of the sector is lost. If the sector write time, which is the sum of the byte write times of the data of, is smaller than the sector write time specified value that is the sum of the sector byte number of the specified byte write time when a write error is provided in bytes, By not setting a time-out error, even if it takes time to write data to a part of the sector, it is determined as a bad sector. Have data write management method.
【請求項2】請求項1記載のデータ管理方式において、
データバスを拡張してメモリ複数個に並行にアクセス可
能にし、又、バイト書込み時間規定値のセクタバイト数
分の和を並行にアクセスするフラッシュメモリの個数で
割った値に、セクタ書込み時間規定値を設定し、データ
書込み時には、複数あるフラッシュメモリを並行にアク
セスし、それぞれのフラッシュメモリにデータ書込みを
行い、フラッシュメモリ毎のバイト書込み時間がばらつ
く場合でも一番バイト書込みが遅くなったメモリにあわ
せてセクタのデータの書込みが終了するまでバイト書込
みを繰り返し、ホストとメモリ間の高速アクセスを可能
にするデータ書込み管理方式。
2. The data management method according to claim 1, wherein
Extends the data bus to enable multiple memory accesses in parallel, and divides the sum of the specified byte write time by the number of sector bytes by the number of flash memories that are accessed in parallel to obtain the specified sector write time. When writing data, multiple flash memories are accessed in parallel, data is written to each flash memory, and even if the byte write time for each flash memory varies, it matches the memory with the slowest byte write. A data write management method that enables high-speed access between the host and the memory by repeating byte writing until the writing of sector data is completed.
JP11073141A 1999-03-18 1999-03-18 Data writing management system Pending JP2000267943A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11073141A JP2000267943A (en) 1999-03-18 1999-03-18 Data writing management system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11073141A JP2000267943A (en) 1999-03-18 1999-03-18 Data writing management system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000267943A true JP2000267943A (en) 2000-09-29

Family

ID=13509637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11073141A Pending JP2000267943A (en) 1999-03-18 1999-03-18 Data writing management system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000267943A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011525643A (en) * 2008-12-22 2011-09-22 株式会社日立製作所 Storage device and data verification method in storage device
US11354063B2 (en) 2019-03-19 2022-06-07 Kioxia Corporation Memory system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011525643A (en) * 2008-12-22 2011-09-22 株式会社日立製作所 Storage device and data verification method in storage device
US11354063B2 (en) 2019-03-19 2022-06-07 Kioxia Corporation Memory system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5754567A (en) Write reduction in flash memory systems through ECC usage
US6081878A (en) Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US11243709B2 (en) Data storage apparatus and operating method thereof
US6438665B2 (en) System and method which compares data preread from memory cells to data to be written to the cells
US7424593B2 (en) Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5956743A (en) Transparent management at host interface of flash-memory overhead-bytes using flash-specific DMA having programmable processor-interrupt of high-level operations
US7290198B2 (en) Memory card and memory controller
US7532511B2 (en) Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US20020178338A1 (en) Non-volatile data storage system and data storaging method
JP2003508861A (en) Block configuration in a non-volatile memory unit for effectively reducing sector write operation time
JP3421581B2 (en) Storage device using nonvolatile semiconductor memory
JP3519954B2 (en) Chip enable signal generation circuit and memory device
WO2002075745A1 (en) Storage device, storage device controlling method, and program
US20150081953A1 (en) Ssd (solid state drive) device
US11748022B2 (en) Method and apparatus for controlling different types of storage units
US6173385B1 (en) Address generator for solid state disk drive
US20030084231A1 (en) Nonvolatile semiconductor storage device with interface functions
JP2000267943A (en) Data writing management system
US6898680B2 (en) Minimization of overhead of non-volatile memory operation
WO2018040804A1 (en) Memory block processing method and device, and computer storage medium
KR100538338B1 (en) Method for Uniformly Distributing Memory Blocks of Flash Memory and Data Storage Device Using The Method
JP2003263894A (en) Method for controlling nonvolatile semiconductor memory device
JPS6013360A (en) Storage device
CN114842896A (en) Write-in control method based on write-in behavior prediction, storage device and control circuit
JPH09114598A (en) Disk cache device