JP2000251711A - Sealing method of image display device - Google Patents

Sealing method of image display device

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JP2000251711A
JP2000251711A JP11050713A JP5071399A JP2000251711A JP 2000251711 A JP2000251711 A JP 2000251711A JP 11050713 A JP11050713 A JP 11050713A JP 5071399 A JP5071399 A JP 5071399A JP 2000251711 A JP2000251711 A JP 2000251711A
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JP
Japan
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sealing
temperature
image display
heating
gas
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11050713A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Koyanagi
和夫 小柳
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealing method of an image display device capable of reducing a component pressure of an emitted gas from respective members, retaining an area of an electron radiation source to a relatively low temperature, preventing an oxidation deterioration of a getter material and imparting no thermal damage to the respective member such as an electron-emitting element. SOLUTION: An assembly 19 in which a frame member 9 is assembled to a face plate 1 is retained by an upper hot plate 221 and a rear plate 8 is placed on a lower hot plate 228. A pressure is applied from the above and the below. An inert gas is distributed to an internal space S and the respective constitution members are heated. This heating keeps them to a lower temperature than a temperature at which a frit glass 22 of a sealing member is softened. A laser beam L is scan-radiated to a joining portion by a laser device 23 and is absorbed by the frit glass 22 at the portion and then heating is locally carried out to a sealing temperature. The frit glass is molten and the frame member 9 and the rear plate 8 are fused.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平面型の真空容器
内に電子放射源と画像形成部材(蛍光体)とを対向に配
置し、電子線の照射により画像を形成する画像表示装置
の封着方法に関し、とりわけ、フェイスプレートとリア
プレートとの隙間に枠部材を設けて封止するような画像
表示装置の封着方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sealing device for an image display device in which an electron emission source and an image forming member (phosphor) are arranged opposite to each other in a flat vacuum vessel and an image is formed by irradiation with an electron beam. More particularly, the present invention relates to a sealing method of an image display device in which a frame member is provided in a gap between a face plate and a rear plate and sealed.

【0002】[0002]

【従来の技術】表示デバイスとして、薄い平面型の画像
表示装置は、設置スペースの利用性に優れて軽量化でき
ることから開発が盛んであり、中でも冷陰極型の電子放
出素子,プラズマ発光原理などを用いた自発光型の画像
表示装置は明るい画像が得られて視野角も広くて注目を
集めている。
2. Description of the Related Art As a display device, a thin flat type image display device has been actively developed because of its excellent installation space utilization and light weight. Among them, a cold cathode type electron-emitting device and a plasma light emission principle are used. The self-luminous image display device used has attracted attention because it provides a bright image and has a wide viewing angle.

【0003】冷陰極型の電子放出素子は、いわゆる冷電
子を冷陰極から放出するものであり、電界放出(Fie
ld Emission:FE)型,金属・絶縁層・金
属(Metal Insulator Metal:M
IM)型,表面伝導型などがある。
A cold-cathode-type electron-emitting device emits so-called cold electrons from a cold cathode.
ld Emission (FE) type, metal / insulating layer / metal (Metal Insulator Metal: M)
IM) type and surface conduction type.

【0004】FE型は、例えば、W.P.Dyke&
W.W.Dolan,”Fieldemissio
n”,Advance in Electoron P
hysics,8,89(1956)あるいはC.A.
Spindt,”PHYSICAL Properti
es of thin−film field emi
ssion cathodes with molyb
denium cones”,J.Appl.Phy
s.,47,5248(1976)等に開示されたもの
が知られている。
The FE type is disclosed, for example, in W. P. Dyke &
W. W. Dolan, "Fielddemissio
n ", Advance in Electron P
physics, 8, 89 (1956) or C.I. A.
Spindt, “PHYSICAL Property
es of thin-film field emi
session cathodes with mollyb
denium cones ", J. Appl. Phys.
s. , 47, 5248 (1976).

【0005】MIM型は、例えば、C.A.Mea
d,”Operation of Tunnel‐Em
ission Devices”,J.Apply.P
hys.,32,646(1961)等に開示されたも
のが知られている。
The MIM type is described in, for example, C.I. A. Mea
d, “Operation of Tunnel-Em
issue Devices ", J. Apply. P.
hys. , 32, 646 (1961).

【0006】表面伝導型電子放出素子は、例えば、M.
I.Elinson,Radio・Eng.Elect
ron Phys.,10,1290,(1965)等
に開示されたものが知られている。
A surface conduction electron-emitting device is described in, for example, M.
I. Elinson, Radio Eng. Elect
ron Phys. , 10, 1290, (1965) and the like are known.

【0007】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
した小面積の薄膜面に平行に電流を流すことにより、電
子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝
導型電子放出素子としては、上記エリンソン等によるS
nO2 薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの[G.D
ittmer:”Thin Solid Film
s”,9,317(1972)]、In23 /SnO
2 薄膜によるもの[M.Hartwell and
C.G.Fonstad:”IEEE Trans.E
D Conf.”,519(1975)]、カーボン薄
膜によるもの[荒木久他:真空,第26巻,第1号,2
2頁(1983)]等が報告されている。
The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which an electron is emitted by passing a current in parallel to a small-area thin film surface formed on a substrate. As the surface conduction electron-emitting device, the above-described Sinson et al.
One using an nO 2 thin film, one using an Au thin film [G. D
ittmer: "Thin Solid Film
s ", 9,317 (1972)] , In 2 O 3 / SnO
2 Thin film [M. Hartwell and
C. G. FIG. Fonstad: "IEEE Trans. E
D Conf. , 519 (1975)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, 2]
2 (1983)].

【0008】平面型の画像表示装置には、上記した電子
放出素子を多数配列して電子放射源に構成しており、そ
の電子放射源が放射する電子線により蛍光体を励起して
発光表示を行っている。つまり、リアプレートの上に、
電子放出素子を多数配列して電子放射源に構成してい
て、フェイスプレートには蛍光体の膜層を設け、両プレ
ートを平行に離間させた隙間に枠部材をセットしてフリ
ットガラスにより封着させて真空容器となる本体を形成
している。
In a flat-panel image display device, a large number of the above-described electron-emitting devices are arranged to constitute an electron emission source, and a phosphor is excited by an electron beam emitted by the electron emission source to display light. Is going. In other words, on the rear plate,
A large number of electron-emitting devices are arranged to form an electron emission source, a face plate is provided with a phosphor film layer, and a frame member is set in a gap that separates both plates in parallel and sealed with frit glass. Thus, a main body to be a vacuum container is formed.

【0009】その本体(真空容器)には、真空を維持す
るため放出ガスを吸着するゲッタ材を配設していて、さ
らに、両プレートの隙間を大気圧に耐えて保持するため
のスペーサを配設するようにした構成を採ることもあ
る。
The main body (vacuum container) is provided with a getter material for adsorbing the released gas in order to maintain a vacuum, and further has a spacer for holding the gap between the two plates withstanding the atmospheric pressure. In some cases, a configuration is adopted.

【0010】何れにしても真空容器をなす両プレート,
枠部材はガラス部材から形成し、それらの封着は、ガラ
ス部材の接合部間に封止部材であるフリットガラスを塗
布または載置して、電気炉等の加熱炉に入れ、または加
熱ヒータとなっているホットプレートに載せたり、上下
からホットプレートで挟んだりして、当該組み立て体
(真空容器)を封止部材が軟化する温度に加熱し、融解
した封止部材により接合部間を融着させる封着方法が取
られている。
In any case, both plates forming a vacuum container,
The frame member is formed from a glass member, and their sealing is performed by applying or placing a frit glass serving as a sealing member between joining portions of the glass members, and placing the frit glass in a heating furnace such as an electric furnace, or with a heating heater. The assembly (vacuum container) is heated to a temperature at which the sealing member is softened by placing it on a hot plate or sandwiching the hot plate from above and below, and the joints are fused by the melted sealing member. A sealing method is adopted.

【0011】また、ゲッタ材には蒸発型ゲッタがあり、
封着時の加熱温度が高すぎると、蒸発型ゲッタが酸化し
てしまうことから、その防止対策が様々提案されてい
る。例えば特開平7−037506号公報などには、封
着時に、真空容器内を窒素ガスに置換してしまい、これ
により蒸発型ゲッタの酸化を防止するようにした技術が
開示されている。
Further, there is an evaporable getter as the getter material,
If the heating temperature at the time of sealing is too high, the evaporable getter is oxidized, and various measures have been proposed to prevent it. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-037506 discloses a technique in which the interior of a vacuum vessel is replaced with nitrogen gas at the time of sealing, thereby preventing oxidation of an evaporable getter.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に開示されたような封着技術にあっては、真空容器内
を窒素ガスに置換することによりゲッタ材の保護を図っ
ているものの、封着に際しては高温に加熱するため、真
空容器をなすガラス部材や封止部材のフリットガラス等
から水,一酸化炭素等のガスが放出され、当該容器内の
雰囲気は各ガスの分圧が上昇し、電子放出素子の配列群
(電子放射源)の領域も高温にさらされてしまい、これ
らに起因して電子放出素子の導電性薄膜で凝集等を起こ
すという問題があった。これは、電子放出素子の活性化
処理の際に、凝集部分で電圧降下が生じることから、電
子放出部となる亀裂部分に電圧を所定に印加できなくな
る問題を引き起こし、従って、活性化が不十分になり素
子特性が不良化するので歩留まりの悪化を招く。
However, in the sealing technique disclosed in the above publication, the getter material is protected by replacing the inside of the vacuum vessel with nitrogen gas. In order to heat to high temperature, gas such as water and carbon monoxide is released from the glass member forming the vacuum container or the frit glass of the sealing member, and the atmosphere in the container increases the partial pressure of each gas, The region of the array of electron-emitting devices (electron radiation source) is also exposed to high temperatures, which causes a problem that the conductive thin film of the electron-emitting device causes aggregation or the like. This causes a problem in that a voltage cannot be applied to a crack portion serving as an electron-emitting portion because a voltage drop occurs at the aggregated portion during the activation process of the electron-emitting device. And the device characteristics are degraded, resulting in deterioration of the yield.

【0013】また、封着に際して高温に加熱するため、
真空容器内部を構成する各部材に熱的ダメージを与えて
しまう問題があり、特に、ゲッタ材は加熱によりダメー
ジを受けると、画像を明るく表示できなくなり寿命が低
下してしまうことから改善したい。
Further, in order to heat to a high temperature at the time of sealing,
There is a problem that each member constituting the inside of the vacuum vessel is thermally damaged. In particular, if the getter material is damaged by heating, an image cannot be displayed brightly and its life is shortened.

【0014】そこで、本発明はそうした従来の課題に鑑
みてなされたものであって、平面型の真空容器を形成す
る際に、各部材からの放出ガスの分圧を低減できると共
に、電子放射源の領域を比較的低温に保持することがで
き、ゲッタ材の酸化劣化を防止できて電子放出素子等の
各部材に熱的ダメージを与えない画像表示装置の封着方
法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such a conventional problem, and when forming a flat vacuum vessel, it is possible to reduce the partial pressure of the gas emitted from each member and to obtain an electron emission source. It is an object of the present invention to provide a method of sealing an image display device, which can maintain the region of the image display device at a relatively low temperature, can prevent oxidative deterioration of the getter material, and do not thermally damage each member such as an electron-emitting device. I do.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明の請求項1に示す画像表示装置の封着方法
は、平行に離間させた第一基板と第二基板の隙間に枠部
材を設けて封止した真空容器内に、電子放射源と画像形
成部材を対向に備える画像表示装置の封着方法であっ
て、前記第一基板と前記第二基板と前記枠部材は互いの
接合部所に封止部材を配置して仮に組み付けし、当該組
み立て体を封止のため加熱する際に、その加熱温度を前
記封止部材が軟化する温度よりも低温に保持すると共
に、前記組み立て体の内部空間に不活性ガスを流通さ
せ、この後、前記接合部所にある前記封止部材を局所加
熱手段により局所的に加熱して封止する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for sealing an image display device, comprising the steps of: providing a frame in a gap between a first substrate and a second substrate separated in parallel; A method for sealing an image display device including an electron radiation source and an image forming member facing each other in a vacuum vessel sealed by providing a member, wherein the first substrate, the second substrate, and the frame member are attached to each other. A sealing member is disposed at a joint portion and temporarily assembled, and when the assembly is heated for sealing, the heating temperature is kept lower than a temperature at which the sealing member softens, and the assembly is performed. An inert gas is allowed to flow through the internal space of the body, and thereafter, the sealing member at the joint is locally heated and sealed by local heating means.

【0016】また、請求項2に示す画像表示装置の封着
方法は、前記局所加熱手段を、レーザ等の光学的加熱手
段により、前記接合部所にある前記封止部材へ直接的に
熱を与える直接加熱手段とする。
According to a second aspect of the present invention, in the method for sealing an image display device, the local heating means is directly heated by the optical heating means such as a laser to the sealing member at the joint. And direct heating means.

【0017】そして、請求項3に示す画像表示装置の封
着方法は、前記局所加熱手段を、前記接合部所の近辺に
設けた金属箔もしくは金属膜へ通電することにより、当
該部所にある前記封止部材へ直接的に熱を与える直接加
熱手段とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for sealing an image display device, wherein the local heating means is supplied to a metal foil or a metal film provided in the vicinity of the joining portion by applying a current to the portion. Direct heating means for directly applying heat to the sealing member.

【0018】さらに、請求項4に示す画像表示装置の封
着方法は、前記局所加熱手段を、前記組み立て体を仮に
組むため上下から押える保持部材の対応部所に設けた電
熱ヒータへ通電することにより、前記第一基板あるいは
前記第二基板を介して前記接合部所にある前記封止部材
へ間接的に熱を与える間接加熱手段とする。
Further, in the sealing method for an image display device according to a fourth aspect, the local heating means is energized to an electric heater provided at a corresponding portion of a holding member for holding the assembly from above and below to temporarily assemble the assembly. Thus, an indirect heating means for indirectly applying heat to the sealing member at the joint portion via the first substrate or the second substrate.

【0019】また、請求項5に示す画像表示装置の封着
方法は、前記封止部材を、フリットガラスとする。
According to a fifth aspect of the present invention, the sealing member is made of frit glass.

【0020】以上の工程により請求項1の画像表示装置
の封着方法は、第一基板と第二基板と枠部材は互いの接
合部所に封止部材を配置して仮に組み付けし、当該組み
立て体を封止のため加熱する際に、その加熱温度を封止
部材が軟化する温度よりも低温に保持するので、内部を
構成する各部材は高温にさらされない。そしてこのと
き、組み立て体の内部空間には不活性ガスを流通させる
ので、不活性ガスの雰囲気において封着を援助する予備
加熱となり、各部材からの放出ガスは外部へ排出され
る。
According to the above method, the first substrate, the second substrate, and the frame member are temporarily assembled by disposing a sealing member at a joint portion between the first substrate, the second substrate, and the frame member. When the body is heated for sealing, the heating temperature is kept lower than the temperature at which the sealing member softens, so that the members constituting the interior are not exposed to high temperatures. At this time, an inert gas is circulated in the internal space of the assembly, so that preheating for assisting sealing is performed in an inert gas atmosphere, and gas released from each member is discharged to the outside.

【0021】この後、接合部所にある封止部材を局所加
熱手段により局所的に加熱して封止するので、封止部材
のみを融解させることができ、封着は確実に行える。
Thereafter, the sealing member at the joint is locally heated and sealed by the local heating means, so that only the sealing member can be melted, and the sealing can be performed reliably.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる画像表示装
置の封着方法の実施形態を添付図面に基づいて説明す
る。 (第1実施形態)図1は、本発明の封着方法を適用して
製造した画像表示装置を一部分解して示す斜視図、図2
(a),(b)は、図1に示す電子放射源をなす表面伝
導型電子放出素子の平面図(a)及びその断面図(b)
である。そして、図3は、本発明の第1実施形態を示
し、図1の画像表示装置の封着工程を説明する側面図で
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for sealing an image display device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a partially exploded perspective view showing an image display device manufactured by applying the sealing method of the present invention, and FIG.
(A), (b) is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) of the surface conduction electron-emitting device constituting the electron emission source shown in FIG.
It is. FIG. 3 is a side view showing the first embodiment of the present invention and illustrating a sealing step of the image display device of FIG.

【0023】この画像表示装置は、表面伝導型の電子放
出素子41を多数配列して電子放射源に構成しており、
その電子放射源が放射する電子線により蛍光膜46を励
起して発光表示を行っている。つまり、リアプレート8
上には、電子放出素子41が多数配列されて電子放射源
に構成されていて、フェイスプレート1には蛍光膜46
が形成され、両プレート8,1を平行に離間させた隙間
に枠部材9がセットされ、フリットガラス21,22に
より封着させることにより真空容器となる外囲器20が
形成されている。
In this image display device, a large number of surface conduction electron-emitting devices 41 are arranged to constitute an electron emission source.
The fluorescent film 46 is excited by the electron beam emitted from the electron emission source to perform light emission display. That is, the rear plate 8
On the upper surface, a large number of electron-emitting devices 41 are arranged to constitute an electron emission source.
Is formed, and a frame member 9 is set in a gap which separates both plates 8 and 1 in parallel, and an envelope 20 which becomes a vacuum container is formed by sealing with frit glass 21 and 22.

【0024】リアプレート8には、真空を維持するため
放出ガスを吸着する蒸発型ゲッタ10が配設されてい
る。さらに、両プレート8,1の隙間を大気圧に耐えて
保持するためのスペーサを配設するようにした構成を採
ることもある。
The rear plate 8 is provided with an evaporable getter 10 for adsorbing the released gas to maintain a vacuum. Further, a configuration may be adopted in which a spacer is provided to hold the gap between both plates 8 and 1 withstanding the atmospheric pressure.

【0025】電子放射源をなす電子放出素子41は、リ
アプレート8上にN×M個形成されており、N,Mは表
示画素数に対応して適宜に設定される。そして、N×M
個配列の電子放射源には、各素子の駆動を行うために、
行方向に延びるM本の下配線43と、列方向に延びるN
本の上配線42が付設されており、いわゆる単純マトリ
クス配線が施されている。これら下配線43及び上配線
42の端部には、図示しない駆動系電気回路と接続する
ための外端子Dox1〜Doxm,Doy1〜Doyn
が設けられている。
N × M electron-emitting devices 41 serving as electron-emitting sources are formed on the rear plate 8, and N and M are appropriately set according to the number of display pixels. And N × M
In order to drive each element,
M lower wires 43 extending in the row direction and N lower wires 43 extending in the column direction
A book upper wiring 42 is provided, and a so-called simple matrix wiring is provided. External terminals Dox1 to Doxm, Doy1 to Doyn for connecting to a drive system electric circuit (not shown) are provided at ends of the lower wiring 43 and the upper wiring 42.
Is provided.

【0026】電子放出素子41は、図2に示すように、
基板31(リアプレート8)上に設けた二つの素子電極
32,33の間に、導電性薄膜34を形成した素子構成
を採り、導電性薄膜34にはフォーミングと呼ばれる通
電処理により電子放出部35が形成される。
As shown in FIG. 2, the electron-emitting device 41
An element configuration in which a conductive thin film 34 is formed between two element electrodes 32 and 33 provided on a substrate 31 (rear plate 8) is adopted. Is formed.

【0027】フォーミングとは、真空中において、導電
性薄膜34の両端(素子電極32,33)に電圧を印加
して、その導電性薄膜34を局所的に破壊,変形もしく
は変質させる通電処理であり、これにより電気的に高抵
抗な状態にした電子放出部35を形成している。即ち、
この電子放出部35は、導電性薄膜34の一部に形成し
た亀裂等であり、導電性薄膜34の両端に電圧を印加す
ることで、その亀裂等の付近から電子放出が行われる。
Forming is an energization process in which a voltage is applied to both ends (element electrodes 32, 33) of the conductive thin film 34 in a vacuum to locally destroy, deform or alter the conductive thin film 34. Thus, the electron emission portion 35 in an electrically high resistance state is formed. That is,
The electron emitting portion 35 is a crack or the like formed in a part of the conductive thin film 34. When a voltage is applied to both ends of the conductive thin film 34, electrons are emitted from the vicinity of the crack or the like.

【0028】そして、外囲器20の封着を完了した後
に、電子放出部35の活性化が行われる。これは、排気
管71から排気して外囲器20内の圧力が1×10-3
a以下の真空になったら、当該外囲器20内に導入管7
より活性化ガスとしてアセトンを1Pa程度導入し、素
子電極32,33に電圧パルスを印加する通電処理であ
り、素子に電流を流すことで電子放出特性を改善するも
のである。
After the sealing of the envelope 20 is completed, the activation of the electron emission section 35 is performed. This is because the pressure inside the envelope 20 is reduced to 1 × 10 −3 P
a, the introduction pipe 7 is inserted into the envelope 20.
This is an energization process in which acetone is introduced at about 1 Pa as an activating gas, and a voltage pulse is applied to the device electrodes 32 and 33. The electron emission characteristics are improved by passing a current through the device.

【0029】フェイスプレート1の下面に形成される蛍
光膜46は、白黒表示の場合は蛍光体のみからなるが、
カラー画像を表示する場合は、赤,緑,青の3原色の蛍
光体が塗り分けられてピクセルが形成される。
The fluorescent film 46 formed on the lower surface of the face plate 1 is made of only a phosphor in the case of a monochrome display.
In the case of displaying a color image, phosphors of three primary colors of red, green and blue are separately painted to form pixels.

【0030】そして、蛍光膜46の表面を被覆してメタ
ルバック45が設けられている。このメタルバック45
は、蛍光膜46をフェイスプレート1上に形成した後、
蛍光膜46を平滑化処理し、その上にAlを真空蒸着す
る方法により形成され、フェイスプレート1の外側面に
設けた高圧端子Hvと電気的に接続されていて、図示し
ない高圧電源から高電圧を印加する構成とされている。
即ち、メタルバック45は、蛍光膜46が発する光の一
部を鏡面反射して輝度効率を向上させ、負イオンの衝突
から蛍光膜46を保護する役割を果たす。また、電子線
の加速電圧を印加するアノード電極として機能し、蛍光
膜46を励起した電子を導く導電路としも機能する。
A metal back 45 is provided to cover the surface of the fluorescent film 46. This metal back 45
After the fluorescent film 46 is formed on the face plate 1,
The fluorescent film 46 is formed by a smoothing process, and Al is formed thereon by vacuum deposition, and is electrically connected to a high-voltage terminal Hv provided on the outer surface of the face plate 1. Is applied.
That is, the metal back 45 plays a role of mirror-reflecting a part of the light emitted from the fluorescent film 46 to improve the luminance efficiency and protecting the fluorescent film 46 from the collision of negative ions. Further, it functions as an anode electrode for applying an acceleration voltage of an electron beam, and also functions as a conductive path for guiding electrons that have excited the fluorescent film 46.

【0031】なお、加速電圧を印加するアノード電極や
蛍光膜46の導電性を向上するために、フェイスプレー
ト1と蛍光膜46の間に、例えばITO等の透明導電膜
を設けてもよい。
A transparent conductive film such as ITO may be provided between the face plate 1 and the fluorescent film 46 in order to improve the conductivity of the anode electrode to which the acceleration voltage is applied and the fluorescent film 46.

【0032】この画像表示装置の製造は、以下の工程に
より行う。
The manufacture of this image display device is performed by the following steps.

【0033】(リアプレート8の製作工程) (1)シリコン酸化膜が表面に形成された青板ガラス
(リアプレート)上に下配線43をスクリーン印刷で形
成する。次に、下配線43の上に、上配線42との層間
層となる層間絶縁膜を形成し、さらに上配線42を形成
する。そして、下配線43と上配線42とに接続させて
素子電極32,33を形成する。 (2)続いて、PdOからなる導電性薄膜34を形成
し、パターニングして所定に成形する。 (3)次に、その青板ガラス(リアプレート)を真空装
置内に入れて排気し、圧力が0.1Pa以下になったら
外端子Dox1〜Doxm,Doy1〜Doynを通じ
て各電子放出素子41に電圧を印加し、導電性薄膜34
へフォーミングを行う。 (4)そして、その青板ガラス(リアプレート)上に、
蒸発型ゲッタ10を所定に配設する。
(Manufacturing Process of Rear Plate 8) (1) The lower wiring 43 is formed by screen printing on a soda lime glass (rear plate) having a silicon oxide film formed on the surface. Next, an interlayer insulating film to be an interlayer between the lower wiring 43 and the upper wiring 42 is formed, and the upper wiring 42 is further formed. Then, the device electrodes 32 and 33 are formed by being connected to the lower wiring 43 and the upper wiring 42. (2) Subsequently, a conductive thin film 34 made of PdO is formed, patterned and formed into a predetermined shape. (3) Next, the soda lime glass (rear plate) is put into a vacuum device and evacuated. When the pressure becomes 0.1 Pa or less, a voltage is applied to each electron-emitting device 41 through the external terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn. Apply the conductive thin film 34
Forming is performed. (4) And on the blue plate glass (rear plate)
The evaporable getter 10 is provided in a predetermined manner.

【0034】以上の工程により、青板ガラスには、単純
マトリックス配線が付設された表面伝導型の電子放出素
子41の配列群つまり電子放射源が形成され、リアプレ
ート8を製作することができる。
Through the above steps, an array of surface-conduction type electron-emitting devices 41 provided with a simple matrix wiring, that is, an electron emission source, is formed on the blue plate glass, and the rear plate 8 can be manufactured.

【0035】(フェイスプレート1の製作工程) (1)青板ガラスに、蛍光体の膜層46及び黒色導電体
を形成し、当該蛍光膜46表面の平滑性処理を行い、そ
の後、Alを真空蒸着させてメタルバック45を形成す
る。 (2)そして、その青板ガラスの周部に、枠部材9を固
定するためのフリットガラス21を所定に形成する。
(Manufacturing process of the face plate 1) (1) A film layer 46 of a phosphor and a black conductor are formed on a blue plate glass, and the surface of the phosphor film 46 is subjected to a smoothness treatment. Then, a metal back 45 is formed. (2) Then, a frit glass 21 for fixing the frame member 9 is formed on the periphery of the soda lime glass in a predetermined manner.

【0036】以上の工程により、青板ガラスには、3原
色の蛍光体がストライプ状に配設された蛍光膜46が形
成され、フェイスプレート1を製作することができる。
Through the above steps, the phosphor film 46 in which the phosphors of the three primary colors are arranged in stripes is formed on the blue plate glass, and the face plate 1 can be manufactured.

【0037】(フェイスプレート1側の組付け固着工
程) (1)枠部材9,フェイスプレート1,導入管7,排気
管71を、図示しない固定治具へ正しい位置関係にアラ
イメントさせて固定する。このとき、フリットガラス2
1を、枠部材9とフェイスプレート1との接合部に形成
する。 (2)これを電気炉に入れて焼成し、固着する。これに
より、枠部材9はフェイスプレート1側へ組み付けら
れ、フェイスプレート1側の組み立てが完了となる。 (3)この後、電気炉から組み立て体を取り出し、枠部
材9のリアプレート8側の接合部に、封止部材のフリッ
トガラス22を形成する。
(Step of Assembling and Fixing Faceplate 1) (1) The frame member 9, the faceplate 1, the introduction pipe 7, and the exhaust pipe 71 are fixed to a fixing jig (not shown) so as to be aligned in a correct positional relationship. At this time, the frit glass 2
1 is formed at the joint between the frame member 9 and the face plate 1. (2) This is placed in an electric furnace, fired, and fixed. Thereby, the frame member 9 is assembled on the face plate 1 side, and the assembly on the face plate 1 side is completed. (3) Thereafter, the assembly is taken out of the electric furnace, and frit glass 22 as a sealing member is formed at the joint of the frame member 9 on the rear plate 8 side.

【0038】(局所加熱による外囲器20の製作工程)
ここでは、図3に示すように、後述する局所加熱手段と
してレーザ装置23を用い、接合部所にある封止部材へ
直接的に熱を与えて封着を行う。
(Process of Manufacturing Enclosure 20 by Local Heating)
Here, as shown in FIG. 3, a laser device 23 is used as a local heating means to be described later, and heat is directly applied to a sealing member at a joint portion to perform sealing.

【0039】(工程−1)フェイスプレート1に枠部材
9,導入管7,排気管71を組んだ組み立て体19を、
上部ホットプレート221へ保持させると共に、リアプ
レート8を、下部ホットプレート228上に載置する。
このとき、下部ホットプレート228は、図示しない調
整ステージ上に予め固定しておき、X,Y,θの各軸に
ついて調整可能にしておく。
(Step-1) An assembled body 19 in which the frame member 9, the introduction pipe 7, and the exhaust pipe 71 are assembled on the face plate 1,
The rear plate 8 is placed on the lower hot plate 228 while being held by the upper hot plate 221.
At this time, the lower hot plate 228 is fixed on an adjustment stage (not shown) in advance, and can be adjusted for each of the X, Y, and θ axes.

【0040】導入管7,排気管71にガスフロー系を接
続する。ガスフロー系には、導入管7側に、導入ガスを
加熱制御する導入ガス加熱ヒータ25と、流量を制御す
るマスフローコントローラ26を接続し、排気管71側
にはガスフロー状態をモニタするマスフローメータ27
を接続する。このとき、リアプレート8と組み立て体1
9との位置合わせを調整ステージにより適切に行い、枠
部材9とリアプレート8を接触させて加圧する。
A gas flow system is connected to the introduction pipe 7 and the exhaust pipe 71. The gas flow system is connected to an introduction gas heater 25 for heating and controlling the introduction gas and a mass flow controller 26 for controlling the flow rate on the introduction pipe 7 side, and a mass flow meter for monitoring the gas flow state on the exhaust pipe 71 side. 27
Connect. At this time, the rear plate 8 and the assembly 1
9 is appropriately adjusted by an adjustment stage, and the frame member 9 and the rear plate 8 are brought into contact with each other and pressurized.

【0041】(工程−2)次に、枠部材9とリアプレー
ト8を接触させて形成した内部空間Sへ不活性ガスを流
通させると共に、各構成部材を所定温度に加熱する。つ
まり、マスフローコントローラ26によりガス流量を所
定量に制御し、両ホットプレート228,221により
リアプレート8及び組み立て体19を、封止部材に用い
たフリットガラス22が軟化する温度(封着温度)より
も低温に加熱するものであり、ガラスの熱歪みによる割
れを防止するため、熱分布を抑制する加熱を行う。この
加熱に際しては、導入ガス加熱ヒータ25によりフロー
ガスを加熱するものであり、導入ガスの加熱は両ホット
プレート228,221の温度制御と同期させる。
(Step-2) Next, an inert gas is allowed to flow through the internal space S formed by bringing the frame member 9 into contact with the rear plate 8, and each component is heated to a predetermined temperature. That is, the gas flow rate is controlled to a predetermined amount by the mass flow controller 26, and the rear plate 8 and the assembly 19 are heated by the hot plates 228 and 221 from the temperature at which the frit glass 22 used for the sealing member softens (sealing temperature). Is also heated to a low temperature. In order to prevent cracks due to thermal distortion of the glass, heating for suppressing heat distribution is performed. In this heating, the flow gas is heated by the introduction gas heater 25, and the heating of the introduction gas is synchronized with the temperature control of the hot plates 228 and 221.

【0042】(工程−3)工程−2の加熱制御が平衡し
た後に、枠部材9とリアプレート8との接触部分へレー
ザ装置23によりレーザ光Lをスキャン照射して、当該
部分に形成してあるフリットガラス22に吸収させて封
着温度まで局所的に加熱を行う。
(Step-3) After the heating control in step-2 is equilibrated, the laser device 23 scans and irradiates the contact portion between the frame member 9 and the rear plate 8 with the laser device 23 to form the contact portion. It is absorbed by a certain frit glass 22 and locally heated to a sealing temperature.

【0043】レーザ装置23は、局所的な加熱を行う局
所加熱手段であり、このレーザ装置23としては、発生
するレーザ光Lが、ガラスを透過するが黒色または灰色
のシール材には吸収される波長のものであればよく、半
導体レーザ,炭酸ガスレーザ,YAGレーザ等の何れの
レーザでも使用可能である。
The laser device 23 is a local heating means for performing local heating. As the laser device 23, the generated laser light L passes through the glass but is absorbed by the black or gray sealing material. Any laser having a wavelength can be used, and any laser such as a semiconductor laser, a carbon dioxide laser, and a YAG laser can be used.

【0044】従って、レーザ光Lの照射によりフリット
ガラス22が融解し、枠部材9とリアプレート8とが融
着され、真空容器をなす外囲器20が形成される。
Accordingly, the frit glass 22 is melted by the irradiation of the laser beam L, the frame member 9 and the rear plate 8 are fused, and an envelope 20 forming a vacuum vessel is formed.

【0045】(工程−4)レーザ光Lの照射を、枠部材
9の全周囲についてスキャン照射した後に、両ホットプ
レート228,221の温度を室温まで下げる。このと
き、導入ガスの温度も同期させて低減させる。
(Step-4) After the entire periphery of the frame member 9 is scanned and irradiated with the laser beam L, the temperatures of the hot plates 228 and 221 are lowered to room temperature. At this time, the temperature of the introduced gas is also reduced synchronously.

【0046】(工程−5)外囲器20が室温になったな
らば、ガスの導入フローを停止する。これにより、気密
容器に形成された外囲器20を製作することができる。
(Step-5) When the envelope 20 has reached room temperature, the gas introduction flow is stopped. Thereby, the envelope 20 formed in the airtight container can be manufactured.

【0047】(真空プロセスによる電子放出素子41の
製作工程) (1)以上のように製作した外囲器20の導入管7を封
止し、排気管71を排気系に接続して排気を行い、当該
外囲器20を真空にする。 (2)続いて、外囲器20内の圧力が1×10-3Pa以
下になったら、活性化ガスとしてアセトンを排気管71
を通して内部に1Pa導入し、外端子Dox1〜Dox
m,Doy1〜Doynに所定に電圧を印加して、各電
子放出素子41の活性化処理を行う。
(Manufacturing Step of Electron Emitting Element 41 by Vacuum Process) (1) The introduction pipe 7 of the envelope 20 manufactured as described above is sealed, and the exhaust pipe 71 is connected to an exhaust system to perform exhaust. Then, the envelope 20 is evacuated. (2) Subsequently, when the pressure in the envelope 20 becomes 1 × 10 −3 Pa or less, acetone is used as an activating gas and the exhaust pipe 71 is used.
1Pa is introduced inside through the external terminals Dox1 to Dox
A predetermined voltage is applied to m, Doy1 to Doyn to activate each electron-emitting device 41.

【0048】(外囲器20内の脱ガス工程) (1)次に、外囲器20内の活性化ガスを排気し、活性
化ガスの排気が所定レベルになったなら排気と共に加熱
も開始して温度を300℃とし、これを10時間保持す
るベーキング脱ガス処理を行う。この後、排気管71の
一部を加熱融解して、当該外囲器20を気密に封止し、
いわゆるチップオフする。
(Degassing Step in Envelope 20) (1) Next, the activated gas in the envelope 20 is exhausted, and when the activated gas exhaust reaches a predetermined level, heating is started together with the exhaust. Then, a baking degassing process is performed in which the temperature is set to 300 ° C. and the temperature is maintained for 10 hours. Thereafter, a part of the exhaust pipe 71 is heated and melted, and the envelope 20 is hermetically sealed.
So-called chip off.

【0049】これにより製作が完了となり、画像表示装
置を得ることができる。
Thus, the production is completed, and an image display device can be obtained.

【0050】以上の工程により本実施形態の画像表示装
置の封着方法は、フェイスプレート1,枠部材9の組み
立て体19とリアプレート8とは互いの接合部所に、封
止部材のフリットガラス22を配置して仮に組み付け
し、当該組み立て体を封止のため加熱する際に、その加
熱温度をフリットガラス22が軟化する温度よりも低温
に保持するので、内部を構成する各部材は高温にさらさ
れない。そしてこのとき、組み立て体の内部空間Sには
不活性ガスを流通させるので、不活性ガスの雰囲気にお
いて封着を援助する予備加熱となり、各部材からの放出
ガスは外部へ排出される。
By the above steps, the sealing method of the image display device according to the present embodiment is performed in such a manner that the assembly 19 of the face plate 1 and the frame member 9 and the rear plate 8 are joined to each other at the joint of the frit glass of the sealing member. When the assembly 22 is disposed and temporarily assembled, and the assembly is heated for sealing, the heating temperature is kept lower than the temperature at which the frit glass 22 softens. Not exposed. At this time, since the inert gas is circulated in the internal space S of the assembly, preheating is performed to assist the sealing in the atmosphere of the inert gas, and the gas released from each member is discharged to the outside.

【0051】この後、接合部所にあるフリットガラス2
2を、局所加熱手段のレーザ装置23により局所的に加
熱して封止するので、そのフリットガラス22のみを融
解させることができ、封着は確実に行える。
Then, the frit glass 2 at the joint is
2 is locally heated and sealed by the laser device 23 of the local heating means, so that only the frit glass 22 can be melted, and the sealing can be performed reliably.

【0052】従って、各部材からの放出ガスの分圧を低
減できると共に、接合部所にあるフリットガラス22の
みが局所的に加熱されるので、電子放射源18の領域を
比較的低温に保持することができ、電子放出素子41等
の各部材に熱的ダメージを与えない。そして、不活性ガ
スを流通させる雰囲気において加熱が行われることか
ら、蒸発型ゲッタ10の酸化劣化を防止できる。
Therefore, the partial pressure of the gas emitted from each member can be reduced, and only the frit glass 22 at the joint is locally heated, so that the region of the electron emission source 18 is kept at a relatively low temperature. Therefore, each member such as the electron-emitting device 41 is not thermally damaged. Since the heating is performed in an atmosphere in which the inert gas flows, the oxidative deterioration of the evaporable getter 10 can be prevented.

【0053】その結果、電子放出素子41の導電性薄膜
34での凝集等のダメージを防止することができ、活性
化を良好に行えることになり素子特性の安定化及び歩留
まりの向上を図れる。
As a result, damage such as agglomeration in the conductive thin film 34 of the electron-emitting device 41 can be prevented, the activation can be performed well, and the device characteristics can be stabilized and the yield can be improved.

【0054】(第2実施形態)図4は、本発明の第2実
施形態を示し、画像表示装置の封着工程を説明する側面
図である。
(Second Embodiment) FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention and is a side view for explaining a sealing step of an image display device.

【0055】第2実施形態は、図4に示すように、後述
する局所加熱手段として通電により発熱する加熱配線2
8を用い、接合部所にある封止部材へ直接的に熱を与え
て封着を行う。
In the second embodiment, as shown in FIG. 4, a heating wire 2 which generates heat by energization is used as a local heating means described later.
Using 8, heat is directly applied to the sealing member at the joint to perform sealing.

【0056】加熱配線28は、通電により発熱する金属
膜であり、フェイスプレート1側の組付け固着工程にお
いて、枠部材9のリアプレート8側の接合部に、封止部
材のフリットガラス22と重ねて形成しておく。加熱配
線28の材料としては、例えばNiCr,Ti,Ni等
が挙げられ、線膨張率がガラス部材に近くて対ガラスと
の熱応力が小さく、低電流でも発熱量を大きく得られる
高抵抗のものが好ましい。
The heating wiring 28 is a metal film that generates heat when energized, and is overlapped with the frit glass 22 of the sealing member on the joint of the frame member 9 on the rear plate 8 side in the mounting and fixing step on the face plate 1 side. To be formed. Examples of the material of the heating wiring 28 include NiCr, Ti, and Ni, which have a coefficient of linear expansion close to that of a glass member, have a small thermal stress with glass, and have a high resistance that can generate a large amount of heat even at a low current. Is preferred.

【0057】(工程−1)工程−1は、前述した図3に
示す第1実施形態の場合と同様であり、その説明を省略
する。
(Step-1) Step-1 is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 3 described above, and a description thereof will be omitted.

【0058】(工程−2)工程−2は、前述した図3に
示す第1実施形態の場合と同様であり、その説明を省略
する。
(Step-2) Step-2 is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 3 described above, and the description thereof is omitted.

【0059】(工程−3)工程−2の加熱制御が平衡し
た後に、枠部材9とリアプレート8との接触部分に形成
した加熱配線28に通電して、同じく当該部分に形成し
てあるフリットガラス22を所定温度に加熱する。即
ち、封着温度まで局所的な加熱を行うものであり、これ
によりフリットガラス22が融解し、枠部材9とリアプ
レート8とが融着され、真空容器をなす外囲器20が形
成される。
(Step-3) After the heating control in step-2 is equilibrated, the heating wire 28 formed in the contact portion between the frame member 9 and the rear plate 8 is energized, and the frit formed in that portion is also turned on. The glass 22 is heated to a predetermined temperature. That is, local heating is performed to the sealing temperature, whereby the frit glass 22 is melted, the frame member 9 and the rear plate 8 are fused, and the envelope 20 forming a vacuum vessel is formed. .

【0060】(工程−4)フリットガラス22を融解さ
せた後に、加熱配線28の発熱量を徐々に低減してゆき
投入電力を零まで下げる。この後、両ホットプレート2
28,221の温度を室温まで下げる。このとき、導入
ガスの温度も同期させて低減させる。
(Step-4) After the frit glass 22 is melted, the calorific value of the heating wiring 28 is gradually reduced, and the applied power is reduced to zero. After this, both hot plates 2
The temperature of 28,221 is lowered to room temperature. At this time, the temperature of the introduced gas is also reduced synchronously.

【0061】(工程−5)外囲器20が室温になったな
らば、ガスの導入フローを停止する。これにより、気密
容器に形成された外囲器20を製作することができる。
(Step-5) When the envelope 20 has reached room temperature, the gas introduction flow is stopped. Thereby, the envelope 20 formed in the airtight container can be manufactured.

【0062】この場合も第1実施形態と同様の作用,効
果となり、全体の加熱は、加熱温度をフリットガラス2
2が軟化する温度よりも低温に保持するので、内部を構
成する各部材は高温にさらされなく、不活性ガスを流通
させる雰囲気において封着を援助する予備加熱となり、
各部材からの放出ガスは外部へ排出される。そして、接
合部所にあるフリットガラス22は、局所加熱手段の加
熱配線28により局所的に加熱して封止するので、その
フリットガラス22のみを融解させることができ、封着
は確実に行える。
In this case, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained.
2 is maintained at a temperature lower than the softening temperature, so that the members constituting the interior are not exposed to the high temperature, and are preheated to assist sealing in an atmosphere in which an inert gas flows.
The gas released from each member is discharged to the outside. Since the frit glass 22 at the joint is locally heated and sealed by the heating wiring 28 of the local heating means, only the frit glass 22 can be melted, and the sealing can be reliably performed.

【0063】従って、各部材からの放出ガスの分圧を低
減できると共に、電子放射源18の領域を比較的低温に
保持することができ、電子放出素子41等の各部材に熱
的ダメージを与えなく、蒸発型ゲッタ10の酸化劣化を
防止できる。
Therefore, the partial pressure of the gas emitted from each member can be reduced, and the region of the electron emission source 18 can be kept at a relatively low temperature, so that each member such as the electron-emitting device 41 is thermally damaged. In addition, the oxidative deterioration of the evaporable getter 10 can be prevented.

【0064】その結果、電子放出素子41の導電性薄膜
34での凝集等のダメージを防止することができ、活性
化を良好に行えることになり素子特性の安定化及び歩留
まりの向上を図れる。
As a result, damage such as aggregation in the conductive thin film 34 of the electron-emitting device 41 can be prevented, the activation can be performed well, and the device characteristics can be stabilized and the yield can be improved.

【0065】(第3実施形態)図5は、本発明の第3実
施形態を示し、画像表示装置の封着工程を説明する側面
図である。
(Third Embodiment) FIG. 5 is a side view illustrating a sealing step of an image display device according to a third embodiment of the present invention.

【0066】第3実施形態は、図5に示すように、後述
する局所加熱手段として、上部ホットプレート121,
下部ホットプレート128の対応部所に設けた局所加熱
ヒータ131,138を用い、押さえ込みした両プレー
ト1,8を介して接合部所にある封止部材へ間接的に熱
を与えて封着を行う。
In the third embodiment, as shown in FIG. 5, an upper hot plate 121,
Using the local heaters 131 and 138 provided at the corresponding portions of the lower hot plate 128, heat is applied indirectly to the sealing member at the joint portion via the pressed plates 1 and 8 to perform sealing. .

【0067】局所加熱ヒータ131,138は、電熱ヒ
ータであり、上部ホットプレート121,下部ホットプ
レート128の対応部所に埋め込み状態に配設してお
く。
The local heaters 131 and 138 are electric heaters, and are disposed in the corresponding portions of the upper hot plate 121 and the lower hot plate 128 in an embedded state.

【0068】また、画像表示装置としての構成を一部変
更しており、図6に示すように、リアプレート8の上配
線42上に、スペーサ48を無機系接着剤により固着さ
せる構成が採られ、両プレート1,8の隙間を大気圧に
耐えて保持させる。そして、導入管7,排気管71はリ
アプレート8側へ取り付けるものであり、これに対応し
て下部ホットプレート128には配管するための孔部が
設けられる。
Further, the structure of the image display device is partially changed, and a structure is adopted in which a spacer 48 is fixed on the upper wiring 42 of the rear plate 8 with an inorganic adhesive as shown in FIG. Then, the gap between the plates 1 and 8 is held to withstand the atmospheric pressure. The introduction pipe 7 and the exhaust pipe 71 are attached to the rear plate 8 side. Correspondingly, the lower hot plate 128 is provided with a hole for piping.

【0069】さらにここでは、フェイスプレート1にリ
アプレート9を組み付けておくのではなく、フェイスプ
レート1,枠部材9,リアプレート8を同時に封着させ
る手順を採る。
Further, here, instead of assembling the rear plate 9 to the face plate 1, a procedure is adopted in which the face plate 1, the frame member 9, and the rear plate 8 are simultaneously sealed.

【0070】(工程−1)フェイスプレート1を上部ホ
ットプレート121へ保持させると共に、スペーサ48
を固着させてあるリアプレート8を、下部ホットプレー
ト128上に載置し、そのリアプレート8上には枠部材
9を載置する。なお、この枠部材9の上下二つの接合面
には、前工程でフリットガラス21,22をそれぞれ形
成しておく。そして、下部ホットプレート128は、図
示しない調整ステージ上に予め固定しておき、X,Y,
θの各軸について調整可能にしておく。
(Step-1) The face plate 1 is held on the upper hot plate 121 and the spacer 48 is
Is mounted on the lower hot plate 128, and the frame member 9 is mounted on the rear plate 8. Note that frit glasses 21 and 22 are formed on the upper and lower two joining surfaces of the frame member 9 in a previous step. The lower hot plate 128 is fixed on an adjustment stage (not shown) in advance, and X, Y,
It is possible to adjust each axis of θ.

【0071】リアプレート8側の導入管7,排気管71
にガスフロー系を接続する。ガスフロー系には、導入管
7側に、導入ガスを加熱制御する導入ガス加熱ヒータ2
5と、流量を制御するマスフローコントローラ26を接
続し、排気管71側にはガスフロー状態をモニタするマ
スフローメータ27を接続する。このとき、リアプレー
ト8と枠部材9とフェイスプレート1との位置合わせを
調整ステージにより適切に行い、それら三者を接触させ
て加圧する。
The introduction pipe 7 and the exhaust pipe 71 on the rear plate 8 side
Connect the gas flow system to. In the gas flow system, an introduction gas heater 2 for heating and controlling the introduction gas is provided on the introduction pipe 7 side.
5 and a mass flow controller 26 for controlling the flow rate, and a mass flow meter 27 for monitoring a gas flow state is connected to the exhaust pipe 71 side. At this time, the positioning of the rear plate 8, the frame member 9, and the face plate 1 is appropriately performed by the adjustment stage, and the three members are brought into contact with each other and pressurized.

【0072】(工程−2)次に、フェイスプレート1,
枠部材9,リアプレート8の三者を接触させて形成した
内部空間Sへ不活性ガスを流通させると共に、各構成部
材を所定温度に加熱する。つまり、マスフローコントロ
ーラ26によりガス流量を所定量に制御し、両ホットプ
レート128,121によりリアプレート8,枠部材
9,フェイスプレート1を、封止部材に用いたフリット
ガラス21,22が軟化する温度(封着温度)よりも低
温に加熱するものであり、ガラスの熱歪みによる割れを
防止するため、熱分布を抑制する加熱を行う。と共に、
局所加熱ヒータ138,131も発熱させ、その加熱は
両ホットプレート128,121の温度制御と同期させ
る。そして、この加熱に際しては、導入ガス加熱ヒータ
25によりフローガスを加熱するものであり、導入ガス
の加熱は両ホットプレート128,121の温度制御と
同期させる。
(Step-2) Next, the face plate 1,
An inert gas is allowed to flow through an internal space S formed by bringing the three members of the frame member 9 and the rear plate 8 into contact with each other, and each component is heated to a predetermined temperature. That is, the gas flow rate is controlled to a predetermined amount by the mass flow controller 26, and the rear plate 8, the frame member 9, and the face plate 1 are heated by the hot plates 128 and 121 to a temperature at which the frit glasses 21 and 22 used for the sealing member soften. Heating is performed at a temperature lower than (sealing temperature), and heating for suppressing heat distribution is performed in order to prevent cracks due to thermal distortion of glass. Along with
The local heaters 138 and 131 also generate heat, and the heating is synchronized with the temperature control of the hot plates 128 and 121. In this heating, the flow gas is heated by the introduction gas heater 25, and the heating of the introduction gas is synchronized with the temperature control of the hot plates 128 and 121.

【0073】(工程−3)工程−2の加熱制御が平衡し
た後に、枠部材9とリアプレート8及びフェイスプレー
ト1との接触部分に対応して配設された局所加熱ヒータ
138,131への印加電力を増し、当該部分に形成し
てあるフリットガラス22,21を、リアプレート8及
びフェイスプレート1を介して間接的に所定温度に加熱
する。即ち、封着温度まで局所的な加熱を行うものであ
り、これによりフリットガラス22,21が融解し、枠
部材9とリアプレート8及びフェイスプレート1とが融
着され、真空容器をなす外囲器20が形成される。
(Step-3) After the heating control in step-2 is equilibrated, the local heaters 138 and 131 disposed corresponding to the contact portions of the frame member 9 with the rear plate 8 and the face plate 1 are supplied. The applied power is increased, and the frit glasses 22 and 21 formed in the corresponding portions are indirectly heated to a predetermined temperature via the rear plate 8 and the face plate 1. That is, local heating is performed up to the sealing temperature, whereby the frit glasses 22 and 21 are melted, and the frame member 9 and the rear plate 8 and the face plate 1 are fused to each other to form a vacuum container. A vessel 20 is formed.

【0074】(工程−4)フリットガラス22,21を
融解させた後に、局所加熱ヒータ138,131の発熱
量を徐々に低減してゆき、これを配設してある下部ホッ
トプレート128及び上部ホットプレート121と同一
温度にまで低減させる。この後、両ホットプレート12
8,121の温度を室温まで下げる。このとき、局所加
熱ヒータ138,131の温度も同期させて低減させ、
そして、導入ガスの温度も同期させて低減させる。
(Step-4) After the frit glasses 22 and 21 are melted, the calorific value of the local heaters 138 and 131 is gradually reduced, and the lower hot plate 128 and the upper hot plate on which the heaters 138 and 131 are disposed are gradually reduced. The temperature is reduced to the same temperature as the plate 121. After this, both hot plates 12
The temperature of 8,121 is lowered to room temperature. At this time, the temperatures of the local heaters 138 and 131 are also reduced synchronously,
Then, the temperature of the introduced gas is also reduced synchronously.

【0075】(工程−5)外囲器20が室温になったな
らば、ガスの導入フローを停止する。これにより、気密
容器に形成された外囲器20を製作することができる。
(Step-5) When the envelope 20 has reached room temperature, the gas introduction flow is stopped. Thereby, the envelope 20 formed in the airtight container can be manufactured.

【0076】この場合も第1実施形態と同様の作用,効
果となり、全体の加熱は、加熱温度をフリットガラス2
1,22が軟化する温度よりも低温に保持するので、内
部を構成する各部材は高温にさらされなく、不活性ガス
を流通させる雰囲気において封着を援助する予備加熱と
なり、各部材からの放出ガスは外部へ排出される。そし
て、接合部所にあるフリットガラス21,22は、局所
加熱手段の局所加熱ヒータ131,138により局所的
に加熱して封止するので、そのフリットガラス21,2
2のみを融解させることができ、封着は確実に行える。
In this case, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained.
Since the components 1 and 22 are kept at a temperature lower than the softening temperature, the components constituting the interior are not exposed to the high temperature, and are preheated to assist the sealing in an atmosphere in which an inert gas flows, thereby releasing the components. The gas is exhausted to the outside. Then, the frit glasses 21 and 22 at the joint portion are locally heated and sealed by the local heaters 131 and 138 of the local heating means.
Only 2 can be melted and sealing can be performed reliably.

【0077】従って、各部材からの放出ガスの分圧を低
減できると共に、電子放射源18の領域を比較的低温に
保持することができ、電子放出素子41等の各部材に熱
的ダメージを与えなく、蒸発型ゲッタ10の酸化劣化を
防止できる。
Therefore, the partial pressure of the gas emitted from each member can be reduced, and the region of the electron emission source 18 can be kept at a relatively low temperature. In addition, the oxidative deterioration of the evaporable getter 10 can be prevented.

【0078】その結果、電子放出素子41の導電性薄膜
34での凝集等のダメージを防止することができ、活性
化を良好に行えることになり素子特性の安定化及び歩留
まりの向上を図れる。
As a result, damage such as aggregation in the conductive thin film 34 of the electron-emitting device 41 can be prevented, the activation can be performed well, and the device characteristics can be stabilized and the yield can be improved.

【0079】[0079]

【実施例】以下、本発明にかかる画像表示装置の封着方
法の実施例を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for sealing an image display device according to the present invention will be described below.

【0080】(実施例1)実施例1は、図1に示す構成
の画像表示装置を製作したもので、有効表示エリアを対
角15インチ,縦横比3:4とするカラー画像表示装置
を製作した。
Example 1 In Example 1, an image display device having the structure shown in FIG. 1 was manufactured, and a color image display device having an effective display area of 15 inches diagonally and an aspect ratio of 3: 4 was manufactured. did.

【0081】第1実施形態に準じてリアプレート8及び
フェイスプレート1に枠部材9,導入管7,排気管71
を組んだ組み立て体19を製作した後に、以下の工程に
より、不活性ガスフローの雰囲気において局所加熱によ
る封着を行った。ここでは、図3に示す構成で封着を行
った。また、蒸発型ゲッタ10にはBaを用いた。
According to the first embodiment, the frame member 9, the introduction pipe 7, and the exhaust pipe 71 are provided on the rear plate 8 and the face plate 1.
After the assembly 19 was assembled, sealing by local heating was performed in an inert gas flow atmosphere by the following steps. Here, sealing was performed with the configuration shown in FIG. Ba was used for the evaporable getter 10.

【0082】(工程−1)リアプレート8を、X,Y,
θの調整ステージ(不図示)上の下部ホットプレート2
28上に保持し、上記組み立て体19を上部ホットプレ
ート221に保持した。
(Step-1) The rear plate 8 is connected to X, Y,
Lower hot plate 2 on θ adjustment stage (not shown)
28, and the assembly 19 was held on the upper hot plate 221.

【0083】導入管7,排気管71にガスフロー系を接
続した。本実施例では、導入する不活性ガスとしてAr
ガスを使用した。ガスフロー系には、導入管7側に、導
入ガスを加熱制御する導入ガス加熱ヒータ25及び流量
を制御するマスフローコントロ―ラ26を接続し、排気
管71側にはガスフロー状態をモニターするマスフロー
メータ27を接続した。このとき、リアプレート8と組
み立て体19の位置合わせを、X,Y,θの調整ステー
ジにより行い、枠部材9とリアプレート8を接触させて
加圧した。
A gas flow system was connected to the introduction pipe 7 and the exhaust pipe 71. In this embodiment, the inert gas to be introduced is Ar
Gas was used. In the gas flow system, an introduction gas heater 25 for heating and controlling the introduction gas and a mass flow controller 26 for controlling the flow rate are connected to the introduction pipe 7 side, and a mass flow monitoring the gas flow state to the exhaust pipe 71 side. The meter 27 was connected. At this time, the alignment between the rear plate 8 and the assembly 19 was performed by the X, Y, and θ adjustment stages, and the frame member 9 was brought into contact with the rear plate 8 and pressed.

【0084】(工程−2)次に、内部空間SへArガス
を流入させ、このとき流量が5slmになるようにマス
フローコントローラ26により制御し、組み立て体19
及びリアプレート8を、調整ステージ上の両ホットプレ
ート228,221により毎分20℃の温度上昇で30
0℃まで加熱した。このとき、両ホットプレート22
8,221の加熱と同時に、導入ガス加熱ヒータ25に
よりフローガスを同期させて加熱し、300℃まで制御
した。
(Step-2) Next, Ar gas is caused to flow into the internal space S, and at this time, the flow rate is controlled by the mass flow controller 26 so as to be 5 slm.
And the rear plate 8 is heated at a temperature rise of 20 ° C./minute by the hot plates 228 and 221 on the adjustment stage.
Heated to 0 ° C. At this time, both hot plates 22
At the same time as the heating of 8,221, the flow gas was synchronously heated by the introduction gas heater 25 and controlled to 300 ° C.

【0085】(工程−3)工程−2の加熱制御が300
℃に平衡した後に、レーザ装置23によリレーザ光Lを
スキャン照射して、フリットガラス22に吸収させて封
着温度まで局所的に加熱した。本実施例では、YAGレ
ーザを用い、融解温度が410℃のフリットガラスを用
いた。これにより真空容器をなす外囲器20を封着でき
た。
(Step-3) The heating control in step-2 is 300
After equilibration to ° C., the laser device 23 scan-irradiates the laser beam L, absorbs the laser beam L into the frit glass 22, and locally heats it to the sealing temperature. In this example, a frit glass having a melting temperature of 410 ° C. was used using a YAG laser. As a result, the envelope 20 forming the vacuum vessel could be sealed.

【0086】(工程−4)レーザ光Lの照射を、枠部材
9の全周についてスキャン照射した後に、両ホットプレ
ート228,221の温度を毎分20℃の温度降下で室
温まで下げた。このとき、導入ガスの温度も同期させて
低減させた。
(Step-4) After irradiating the entire surface of the frame member 9 with the laser beam L for scanning, the temperatures of the hot plates 228 and 221 were lowered to room temperature at a temperature drop of 20 ° C. per minute. At this time, the temperature of the introduced gas was also reduced synchronously.

【0087】(工程−5)外囲器20が室温になった段
階で、ガスの導入フローを停止した。
(Step-5) When the envelope 20 reached room temperature, the gas introduction flow was stopped.

【0088】以上の工程により外囲器20を製作した。The envelope 20 was manufactured by the above steps.

【0089】この後、第1実施形態に準じて素子の活性
化処理をアセトンを用いて行った。そして、脱ガスベー
キング処理を300℃で10時間行い、室温にまで温度
降下させた後に、蒸発型ゲッタ10を、外部から高周波
加熱によりフラッシュさせてBa蒸着膜を形成した。
Thereafter, the element was activated using acetone in accordance with the first embodiment. Then, a degassing baking process was performed at 300 ° C. for 10 hours, and after the temperature was lowered to room temperature, the evaporable getter 10 was externally flashed by high-frequency heating to form a Ba deposited film.

【0090】この外囲器20は気密性が十分であり、封
着を確実に行えたことを確認した。そして、画像表示を
良好に行えることを確認した。
It was confirmed that the envelope 20 had sufficient airtightness and was able to seal securely. Then, it was confirmed that image display could be performed well.

【0091】(実施例2)実施例2は、図1に示す構成
の画像表示装置を製作したもので、有効表示エリアを対
角3インチ,縦横比3:4とするカラー画像表示装置を
製作した。
Embodiment 2 In Embodiment 2, an image display device having the structure shown in FIG. 1 is manufactured, and a color image display device having an effective display area of 3 inches diagonally and an aspect ratio of 3: 4 is manufactured. did.

【0092】第1実施形態に準じてリアプレート8及び
フェイスプレート1に枠部材9,導入管7,排気管71
を組んだ組み立て体19を製作した後に、以下の工程に
より、不活性ガスフローの雰囲気において局所加熱によ
る封着を行った。ここでは、図4に示す構成で封着を行
った。また、蒸発型ゲッタ10にはBaを用いた。
According to the first embodiment, the frame member 9, the introduction pipe 7, and the exhaust pipe 71 are mounted on the rear plate 8 and the face plate 1.
After the assembly 19 was assembled, sealing by local heating was performed in an inert gas flow atmosphere by the following steps. Here, sealing was performed with the configuration shown in FIG. Ba was used for the evaporable getter 10.

【0093】(工程−1)リアプレート8を、X,Y,
θの調整ステージ(不図示)上の下部ホットプレート2
28上に保持し、上記組み立て体19を上部ホットプレ
ート221に保持した。
(Step-1) The rear plate 8 is connected to X, Y,
Lower hot plate 2 on θ adjustment stage (not shown)
28, and the assembly 19 was held on the upper hot plate 221.

【0094】導入管7,排気管71にガスフロー系を接
続した。本実施例では、導入する不活性ガスとしてN2
ガスを使用した。ガスフロー系には、導入管7側に、導
入ガスを加熱制御する導入ガス加熱ヒータ25及び流量
を制御するマスフローコントロ―ラ26を接続し、排気
管71側にはガスフロー状態をモニターするマスフロー
メータ27を接続した。このとき、リアプレート8と組
み立て体19の位置合わせを、X,Y,θの調整ステー
ジにより行い、枠部材9とリアプレート8を接触させて
加圧した。
A gas flow system was connected to the introduction pipe 7 and the exhaust pipe 71. In this embodiment, N 2 is used as the inert gas to be introduced.
Gas was used. In the gas flow system, an introduction gas heater 25 for heating and controlling the introduction gas and a mass flow controller 26 for controlling the flow rate are connected to the introduction pipe 7 side, and a mass flow monitoring the gas flow state to the exhaust pipe 71 side. The meter 27 was connected. At this time, the alignment between the rear plate 8 and the assembly 19 was performed by the X, Y, and θ adjustment stages, and the frame member 9 was brought into contact with the rear plate 8 and pressed.

【0095】(工程−2)次に、内部空間SへN2 ガス
を流入させ、このとき流量が1slmになるようにマス
フローコントローラ26により制御し、組み立て体19
及びリアプレート8を、調整ステージ上の両ホットプレ
ート228,221により毎分20℃の温度上昇で30
0℃まで加熱した。このとき、両ホットプレート22
8,221の加熱と同時に、導入ガス加熱ヒータ25に
よりフローガスを同期させて加熱し、300℃まで制御
した。
(Step-2) Next, N 2 gas is caused to flow into the internal space S, and at this time, the flow rate is controlled by the mass flow controller 26 so as to be 1 slm.
And the rear plate 8 is heated at a temperature rise of 20 ° C./minute by the hot plates 228 and 221 on the adjustment stage.
Heated to 0 ° C. At this time, both hot plates 22
At the same time as the heating of 8,221, the flow gas was synchronously heated by the introduction gas heater 25 and controlled to 300 ° C.

【0096】(工程−3)工程−2の加熱制御が300
℃に平衡した後に、加熱配線28の端子部(不図示)か
ら通電して、フリットガラス22を450℃まで局所的
に加熱した。本実施例では融解温度が450℃のフリッ
トガラスを用いた。これにより真空容器をなす外囲器2
0を封着できた。
(Step-3) The heating control in step-2 is 300
After the temperature was equilibrated to ° C., a current was supplied from a terminal portion (not shown) of the heating wiring 28 to locally heat the frit glass 22 to 450 ° C. In this example, frit glass having a melting temperature of 450 ° C. was used. Thereby, the envelope 2 forming a vacuum container
0 could be sealed.

【0097】(工程−4)フリットガラス22を融解さ
せた後に、加熱配線28の発熱量を徐々に低減してゆ
き、温度410℃で10分ホールドして歪みの除去処理
を行った。この後、加熱配線28ヘの投入電力を零まで
下げた。そして、両ホットプレート228,221の温
度を毎分20℃の温度降下で室温まで下げた。このと
き、導入ガスの温度も同期させて低減させた。
(Step-4) After the frit glass 22 was melted, the calorific value of the heating wiring 28 was gradually reduced, and held at a temperature of 410 ° C. for 10 minutes to remove distortion. Thereafter, the electric power supplied to the heating wiring 28 was reduced to zero. Then, the temperature of both hot plates 228 and 221 was lowered to room temperature at a temperature drop of 20 ° C. per minute. At this time, the temperature of the introduced gas was also reduced synchronously.

【0098】(工程−5)外囲器20が室温になった段
階で、ガスの導入フローを停止した。
(Step-5) When the envelope 20 reached room temperature, the gas introduction flow was stopped.

【0099】以上の工程により外囲器20を製作した。The envelope 20 was manufactured by the above steps.

【0100】この後、第1実施形態に準じて素子の活性
化処理をアセトンを用いて行った。そして、脱ガスベー
キング処理を300℃で10時間行い、室温にまで温度
降下させた後に、蒸発型ゲッタ10を、外部から高周波
加熱によりフラッシュさせてBa蒸着膜を形成した。
Thereafter, the device was activated using acetone, according to the first embodiment. Then, a degassing baking process was performed at 300 ° C. for 10 hours, and after the temperature was lowered to room temperature, the evaporable getter 10 was externally flashed by high-frequency heating to form a Ba deposited film.

【0101】この外囲器20は気密性が十分であり、封
着を確実に行えたことを確認した。そして、画像表示を
良好に行えることを確認した。
It was confirmed that the envelope 20 had sufficient airtightness and was able to seal securely. Then, it was confirmed that image display could be performed well.

【0102】(実施例3)実施例3は、第3実施形態の
もの、つまり図6に示す構成の画像表示装置を製作した
もので、両プレート1,8の隙間を大気圧に耐えて保持
するスペーサ48を配設し、有効表示エリアを対角10
インチ,縦横比3:4とするカラー画像表示装置を製作
した。
Example 3 In Example 3, an image display device having the structure shown in FIG. 6 was manufactured according to the third embodiment, and the gap between the plates 1 and 8 was held to withstand the atmospheric pressure. The effective display area is set to a diagonal of 10
A color image display device having an inch and an aspect ratio of 3: 4 was manufactured.

【0103】第1実施形態に準じてリアプレート8を製
作した後に、図6に示すように、リアプレート8の上配
線42上に、スペーサ48を無機系接着剤により固着さ
せた。そして、以下の工程により、不活性ガスフローの
雰囲気において局所加熱による封着を行った。ここで
は、図5に示す構成で封着を行った。また、蒸発型ゲッ
タ10にはBaを用いた。
After manufacturing the rear plate 8 according to the first embodiment, as shown in FIG. 6, a spacer 48 was fixed on the upper wiring 42 of the rear plate 8 with an inorganic adhesive. Then, sealing by local heating was performed in an atmosphere of an inert gas flow by the following steps. Here, sealing was performed with the configuration shown in FIG. Ba was used for the evaporable getter 10.

【0104】(工程−1)リアプレート8を、X,Y,
θの調整ステージ(不図示)上の下部ホットプレート1
28上に保持し、そのリアプレート8上に枠部材9を載
置し、フェイスプレート1は上部ホットプレート121
に保持させた。この枠部材9の上下二つの接合面には、
前工程でフリットガラス21,22をそれぞれ形成して
ある。
(Step-1) The rear plate 8 is connected to X, Y,
Lower hot plate 1 on θ adjustment stage (not shown)
28, the frame member 9 is placed on the rear plate 8, and the face plate 1 is
Was held. On the upper and lower two joining surfaces of the frame member 9,
Frit glasses 21 and 22 are formed in the previous step.

【0105】導入管7,排気管71にガスフロー系を接
続した。本実施例では、導入する不活性ガスとしてAr
ガスを使用した。ガスフロー系には、導入管7側に、導
入ガスを加熱制御する導入ガス加熱ヒータ25及び流量
を制御するマスフローコントロ―ラ26を接続し、排気
管71側にはガスフロー状態をモニターするマスフロー
メータ27を接続した。このとき、リアプレート8と枠
部材9とフェイスプレート1との位置合わせを、X,
Y,θの調整ステージにより行い、それら三者を接触さ
せて加圧した。
A gas flow system was connected to the introduction pipe 7 and the exhaust pipe 71. In this embodiment, the inert gas to be introduced is Ar
Gas was used. In the gas flow system, an introduction gas heater 25 for heating and controlling the introduction gas and a mass flow controller 26 for controlling the flow rate are connected to the introduction pipe 7 side, and a mass flow monitoring the gas flow state to the exhaust pipe 71 side. The meter 27 was connected. At this time, the positions of the rear plate 8, the frame member 9, and the face plate 1 are aligned with X,
The adjustment was performed using Y and θ adjustment stages, and the three members were brought into contact with each other and pressed.

【0106】(工程−2)次に、内部空間SへArガス
を流入させ、このとき流量が2slmになるようにマス
フローコントローラ26により制御し、フェイスプレー
ト1,枠部材9,リアプレート8を、両ホットプレート
121,128により毎分20℃の温度上昇で350℃
まで加熱した。と共に、局所加熱ヒータ131,138
も同期させて350℃まで加熱した。そして、両ホット
プレート121,128の加熱と同時に、導入ガス加熱
ヒータ25によりフローガスを同期させて加熱し、35
0℃まで制御した。
(Step-2) Next, Ar gas is caused to flow into the internal space S, and at this time, the flow rate is controlled by the mass flow controller 26 to be 2 slm, and the face plate 1, the frame member 9, and the rear plate 8 are 350 ° C at a temperature rise of 20 ° C per minute by both hot plates 121 and 128
Until heated. In addition, the local heaters 131 and 138
Was also synchronized and heated to 350 ° C. At the same time as the heating of the hot plates 121 and 128, the flow gas is heated by the introduction gas heater 25 in synchronization with the heating of the hot plates 121 and 128.
Controlled to 0 ° C.

【0107】(工程−3)工程−2の加熱制御が350
℃に平衡した後に、局所加熱ヒータ131,138への
印加電力を増して、フリットガラス21,22を450
℃まで局所的に加熱した。本実施例では融解温度が45
0℃のフリットガラスを用いた。これにより真空容器を
なす外囲器20を封着できた。
(Step-3) The heating control in the step-2 is 350
After equilibration to ° C., the electric power applied to the local heaters 131 and 138 is increased so that the frit glass 21 and 22
Heated locally to ° C. In this embodiment, the melting temperature is 45.
Frit glass at 0 ° C. was used. As a result, the envelope 20 forming a vacuum vessel could be sealed.

【0108】(工程−4)フリットガラス21,22を
融解させた後に、局所加熱ヒータ131,138の発熱
量を徐々に低減してゆき、温度410℃で10分ホール
ドして歪みの除去処理を行った。この後、局所加熱ヒー
タ131,138の温度を、両ホットプレート121,
128と同一温度にまで下げた。そして、両ホットプレ
ート121,128及び局所加熱ヒータ131,138
の温度を、毎分20℃の温度降下に全て同期させて室温
まで下げた。このとき、導入ガスの温度も同期させて低
減させた。
(Step-4) After the frit glasses 21 and 22 are melted, the calorific value of the local heaters 131 and 138 is gradually reduced, and the strain is removed by holding the temperature at 410 ° C. for 10 minutes. went. Thereafter, the temperatures of the local heaters 131 and 138 are increased by the two hot plates 121 and 138.
The temperature was lowered to the same as 128. Then, both the hot plates 121 and 128 and the local heaters 131 and 138
Was lowered to room temperature in synchronism with a temperature drop of 20 ° C. per minute. At this time, the temperature of the introduced gas was also reduced synchronously.

【0109】(工程−5)外囲器20が室温になった段
階で、ガスの導入フローを停止した。
(Step-5) When the envelope 20 reached room temperature, the gas introduction flow was stopped.

【0110】以上の工程により外囲器20を製作した。The envelope 20 was manufactured through the above steps.

【0111】この後、第1実施形態に準じて素子の活性
化処理をアセトンを用いて行った。そして、脱ガスベー
キング処理を300℃で10時間行い、室温にまで温度
降下させた後に、蒸発型ゲッタ10を、外部から高周波
加熱によりフラッシュさせてBa蒸着膜を形成した。
Thereafter, according to the first embodiment, the device was activated using acetone. Then, a degassing baking process was performed at 300 ° C. for 10 hours, and after the temperature was lowered to room temperature, the evaporable getter 10 was externally flashed by high-frequency heating to form a Ba deposited film.

【0112】この外囲器20は気密性が十分であり、封
着を確実に行えたことを確認した。そして、画像表示を
良好に行えることを確認した。
It was confirmed that the envelope 20 had sufficient airtightness and was able to seal securely. Then, it was confirmed that image display could be performed well.

【0113】[0113]

【発明の効果】以上説明したように本発明の画像表示装
置の封着方法は、次に示すような優れた効果を奏する。
As described above, the sealing method of the image display device according to the present invention has the following excellent effects.

【0114】請求項1の画像表示装置の封着方法は、第
一基板と第二基板と枠部材は互いの接合部所に封止部材
を配置して仮に組み付けし、当該組み立て体を封止のた
め加熱する際に、その加熱温度を封止部材が軟化する温
度よりも低温に保持するので、内部を構成する各部材は
高温にさらされない。そしてこのとき、組み立て体の内
部空間には不活性ガスを流通させるので、不活性ガスの
雰囲気において封着を援助する予備加熱となり、各部材
からの放出ガスは外部へ排出される。
According to the first aspect of the present invention, the first substrate, the second substrate, and the frame member are temporarily assembled by disposing a sealing member at a joint portion between the first substrate, the second substrate, and the frame member. Therefore, when heating, the heating temperature is kept lower than the temperature at which the sealing member softens, so that each member constituting the interior is not exposed to high temperature. At this time, an inert gas is circulated in the internal space of the assembly, so that preheating for assisting sealing is performed in an inert gas atmosphere, and gas released from each member is discharged to the outside.

【0115】この後、接合部所にある封止部材を局所加
熱手段により局所的に加熱して封止するので、封止部材
のみを融解させることができ、封着は確実に行える。
Thereafter, the sealing member at the joint is locally heated and sealed by the local heating means, so that only the sealing member can be melted and the sealing can be performed reliably.

【0116】従って、各部材からの放出ガスの分圧を低
減できると共に、接合部所にある封止部材のみが局所的
に加熱されるので、電子放射源の領域を比較的低温に保
持することができ、電子放出素子等の各部材に熱的ダメ
ージを与えない。そして、不活性ガスを流通させる雰囲
気において加熱が行われることから、ゲッタ材の酸化劣
化を防止できる。
Therefore, the partial pressure of the gas released from each member can be reduced, and only the sealing member at the joint is locally heated, so that the region of the electron emission source is kept at a relatively low temperature. And does not thermally damage each member such as the electron-emitting device. Further, since the heating is performed in an atmosphere in which the inert gas flows, the oxidative deterioration of the getter material can be prevented.

【0117】その結果、電子放出素子の導電性薄膜での
凝集等のダメージを防止することができ、活性化を良好
に行えることになり素子特性の安定化及び歩留まりの向
上を図れる。
As a result, damage such as aggregation in the conductive thin film of the electron-emitting device can be prevented, the activation can be performed well, and the device characteristics can be stabilized and the yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の封着方法を適用して製造した画像表示
装置の斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of an image display device manufactured by applying a sealing method of the present invention.

【図2】(a)は図1に示す電子放射源をなす表面伝導
型電子放出素子の平面図、(b)はその断面図である。
2A is a plan view of a surface conduction electron-emitting device constituting the electron emission source shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view thereof.

【図3】本発明の第1実施形態を示し、画像表示装置の
封着工程を説明する側面図である。
FIG. 3 is a side view illustrating the first embodiment of the present invention and illustrating a sealing step of the image display device.

【図4】本発明の第2実施形態を示し、画像表示装置の
封着工程を説明する側面図である。
FIG. 4 is a side view illustrating a second embodiment of the present invention and illustrating a sealing step of the image display device.

【図5】本発明の第3実施形態を示し、画像表示装置の
封着工程を説明する側面図である。
FIG. 5 is a side view illustrating a sealing step of the image display device according to the third embodiment of the present invention.

【図6】図5の画像表示装置のリアプレートを示す断面
図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a rear plate of the image display device of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フェイスプレート(第一基板または第二基板) 7 導入管 8 リアプレート(第二基板または第一基板) 9 枠部材 10 蒸発型ゲッタ 18 電子放射源 19 組み立て体 20 外囲器(真空容器) 21,22 フリットガラス(封止部材) 23 レーザ装置(局所加熱手段) 25 導入ガス加熱ヒータ 26 マスフローコントローラ 27 マスフローメータ 28 加熱配線(局所加熱手段) 31 基板 32,33 素子電極 34 導電性薄膜 35 電子放出部 41 電子放出素子 42 上配線 43 下配線 45 メタルバック 46 蛍光膜(画像形成部材) 48 スペーサ 71 排気管 121,221 上部ホットプレート 128,228 下部ホットプレート 131,138 局所加熱ヒータ(局所加熱手段) S 内部空間 L レーザ光 Reference Signs List 1 face plate (first substrate or second substrate) 7 introduction tube 8 rear plate (second substrate or first substrate) 9 frame member 10 evaporable getter 18 electron radiation source 19 assembly 20 envelope (vacuum container) 21 , 22 frit glass (sealing member) 23 laser device (local heating means) 25 introduction gas heater 26 mass flow controller 27 mass flow meter 28 heating wiring (local heating means) 31 substrate 32, 33 element electrode 34 conductive thin film 35 electron emission Part 41 Electron emission element 42 Upper wiring 43 Lower wiring 45 Metal back 46 Fluorescent film (image forming member) 48 Spacer 71 Exhaust pipe 121, 221 Upper hot plate 128, 228 Lower hot plate 131, 138 Local heater (local heater) S Internal space L Laser beam

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 平行に離間させた第一基板と第二基板の
隙間に枠部材を設けて封止した真空容器内に、電子放射
源と画像形成部材を対向に備える画像表示装置の封着方
法であって、前記第一基板と前記第二基板と前記枠部材
は互いの接合部所に封止部材を配置して仮に組み付け
し、当該組み立て体を封止のため加熱する際に、その加
熱温度を前記封止部材が軟化する温度よりも低温に保持
すると共に、前記組み立て体の内部空間に不活性ガスを
流通させ、この後、前記接合部所にある前記封止部材を
局所加熱手段により局所的に加熱して封止することを特
徴とする画像表示装置の封着方法。
1. An image display apparatus comprising an electron emission source and an image forming member opposed to each other in a vacuum container sealed by providing a frame member in a gap between a first substrate and a second substrate which are separated in parallel. In the method, the first substrate, the second substrate and the frame member are temporarily assembled by arranging a sealing member at a joint portion of each other, when heating the assembly for sealing, While maintaining the heating temperature at a temperature lower than the temperature at which the sealing member softens, an inert gas is allowed to flow through the internal space of the assembly, and thereafter, the sealing member at the joint is locally heated. A method of sealing the image display device, wherein the sealing is performed by locally heating the device.
【請求項2】 前記局所加熱手段を、レーザ等の光学的
加熱手段により、前記接合部所にある前記封止部材へ直
接的に熱を与える直接加熱手段としたことを特徴とする
請求項1に記載の画像表示装置の封着方法。
2. The method according to claim 1, wherein the local heating means is a direct heating means for directly applying heat to the sealing member at the joint by an optical heating means such as a laser. 3. The method for sealing an image display device according to item 1.
【請求項3】 前記局所加熱手段を、前記接合部所の近
辺に設けた金属箔もしくは金属膜へ通電することによ
り、当該部所にある前記封止部材へ直接的に熱を与える
直接加熱手段としたことを特徴とする請求項1に記載の
画像表示装置の封着方法。
3. A direct heating means for applying heat to a metal foil or a metal film provided in the vicinity of the joint portion to directly apply heat to the sealing member at the joint portion. The method for sealing an image display device according to claim 1, wherein:
【請求項4】 前記局所加熱手段を、前記組み立て体を
仮に組むため上下から押える保持部材の対応部所に設け
た電熱ヒータへ通電することにより、前記第一基板ある
いは前記第二基板を介して前記接合部所にある前記封止
部材へ間接的に熱を与える間接加熱手段としたことを特
徴とする請求項1に記載の画像表示装置の封着方法。
4. The local heating means is supplied to an electric heater provided at a corresponding portion of a holding member which is pressed from above and below for temporarily assembling the assembly, and is supplied through the first substrate or the second substrate. The method according to claim 1, wherein the sealing member is an indirect heating unit that indirectly applies heat to the sealing member at the joint.
【請求項5】 前記封止部材を、フリットガラスとした
ことを特徴とする請求項1〜4に記載の画像表示装置の
封着方法。
5. The method according to claim 1, wherein the sealing member is frit glass.
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