JP2000243988A - Photoelectric conversion element - Google Patents

Photoelectric conversion element

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JP2000243988A
JP2000243988A JP11039394A JP3939499A JP2000243988A JP 2000243988 A JP2000243988 A JP 2000243988A JP 11039394 A JP11039394 A JP 11039394A JP 3939499 A JP3939499 A JP 3939499A JP 2000243988 A JP2000243988 A JP 2000243988A
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JP
Japan
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group
bis
photoelectric conversion
hydroxyphenyl
polyarylate
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Pending
Application number
JP11039394A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsunobu Sato
光伸 佐藤
Masaaki Fujiwara
正明 藤原
Tomohiro Hamada
知宏 濱田
Akihiko Hasegawa
明彦 長谷川
Shinya Takagi
伸哉 高木
Takamasa Akizuki
隆昌 秋月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unitika Ltd
Original Assignee
Unitika Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JP2000243988A publication Critical patent/JP2000243988A/en
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a photoelectric conversion element in which the size of a substrate can be made large and which prevents a drop in conversion efficiency due to a heat cycle and a wet heat cycle by a method wherein a polyarylate comprises a structure unit expressed by a specific formula and a specific residual monomer amount are provided on a polyarylate film. SOLUTION: In this photoelectric conversion element, a photoelectric conversion layer having one p-n junction or one pin junction is provided on a polyarylate film via a conductive layer. Polyarylate comprises a structure unit expressed by a formula (in the formula, R1 to R8 represent independently hydrogen atoms, halogen atoms, a 1 to 5C alkyl group, an aryl group, a phenyl group and a nitro group, and X is selected from a single bond, oxygen atoms, sulfur atoms, an alkylene group, an alkyliden group, a soxoalkylden group, a halo- substitution alkylene group, a halo-substitution alkylene group, a phenyl alkyliden group and the like), a residual monomer amount in the polyarylate film is set at 2000 ppm or lower, and a light transmission amount is set at 50% or higher at 550 nm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリアリレートフ
ィルムを用いた光電変換素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion element using a polyarylate film.

【0002】[0002]

【従来の技術】地球温暖化防止のため、化石燃料の使用
削減が叫ばれている近年、光電変換素子の性能向上は、
全世界で切望されている。わが国においても、通産省に
よる一般住宅への太陽光発電装置の購入補助制度や、電
力会社による余剰電力買い取り制度により、光電変換素
子の需要が高まり、一層の性能向上と価格の低下が望ま
れている。特に、フレキシブルな基板を用いたアモルフ
ァスシリコン光電変換素子は、曲面を持つ屋根や外壁へ
取り付け可能である、シリコンウエハーを用いないため
に大面化が可能になり、軽量でかつ比較的安価に製造で
きる、といった特長を持っている。
2. Description of the Related Art In recent years, the use of fossil fuels has been reduced in order to prevent global warming.
Coveted all over the world. In Japan, too, the demand for photoelectric conversion elements has increased due to the system for subsidizing the purchase of photovoltaic power generators for ordinary houses by the Ministry of International Trade and Industry, and the system for purchasing surplus power by electric power companies, and further improvements in performance and price reductions are desired. . In particular, an amorphous silicon photoelectric conversion element using a flexible substrate can be attached to a roof or outer wall having a curved surface. It has the feature of being able to.

【0003】このような光電変換素子に用いられるフレ
キシブルなプラスチック基板としては、アモルファスシ
リコン層などを形成する際の温度変化に耐える耐熱性
と、十分な表面平滑性を必要とするため、現在、キャス
トフィルム法で製造したポリイミドフィルムが広く用い
られている。しかしながら、ポリイミドフィルムを基板
として用いた光電変換素子は、その吸湿率が高いため、
製造時や使用時のヒートサイクル、湿熱サイクルなどに
より変換効率が低下するといった問題を有する。
A flexible plastic substrate used for such a photoelectric conversion element requires heat resistance to withstand temperature changes when an amorphous silicon layer or the like is formed and sufficient surface smoothness. A polyimide film manufactured by a film method is widely used. However, a photoelectric conversion element using a polyimide film as a substrate has a high moisture absorption rate,
There is a problem that the conversion efficiency is reduced due to a heat cycle, a wet heat cycle, or the like during manufacture or use.

【0004】このような問題を解決するため、例えば特
公昭61−58989号公報には、特定の構造を持った
ポリアリレートフィルムを基板として用いた光電変換素
子が開示されている。該公報に開示されているポリアリ
レートフィルムは、その化学構造から、いわゆる液晶ポ
リマーのフィルムである。このフィルムは、吸湿率、熱
収縮率ともポリイミドフィルムと比較して格段に小さい
ため、湿熱サイクルによる変換効率の低下は防ぐことが
できる。
In order to solve such a problem, for example, Japanese Patent Publication No. 61-58989 discloses a photoelectric conversion element using a polyarylate film having a specific structure as a substrate. The polyarylate film disclosed in this publication is a so-called liquid crystal polymer film because of its chemical structure. Since this film has much smaller moisture absorption and heat shrinkage than the polyimide film, it is possible to prevent a decrease in conversion efficiency due to a wet heat cycle.

【0005】しかしながら、このフィルムを用いた場合
でも、湿熱サイクルにより変換効率が徐々に低下してい
くといった問題が有り、さらに、液晶ポリマーは、殆ど
の汎用溶媒に不溶であるため、キャスティング法による
フィルム製造は不可能であり、溶融押出法によりフィル
ムを製造する必要があるが、ポリマー自身の溶融粘度が
高く、成形性に乏しいため、充分な表面平滑性を持つフ
ィルムを得ることは難しく、また、液晶ポリマーでは不
透明なフィルムしか得られないため、受光部分への適用
は不可能であった。
However, even when this film is used, there is a problem that the conversion efficiency gradually decreases due to the wet heat cycle, and the liquid crystal polymer is insoluble in most general-purpose solvents. Production is impossible, and it is necessary to produce a film by a melt extrusion method.However, since the melt viscosity of the polymer itself is high and the moldability is poor, it is difficult to obtain a film having sufficient surface smoothness, Since only an opaque film can be obtained with a liquid crystal polymer, application to a light receiving portion was impossible.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このような状況に鑑
み、本発明の課題は、ポリアリレートフィルムを基板と
して用い、大面化が可能で、曲面を持つ屋根や外壁へ取
り付け可能であり、光電変換素子の製造時や使用時のヒ
ートサイクル、湿熱サイクルなどにより変換効率が低下
することが少ない光電変換素子を提供することにある。
In view of such circumstances, an object of the present invention is to use a polyarylate film as a substrate, make it possible to enlarge the surface, attach it to a curved roof or outer wall, An object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element in which conversion efficiency is less likely to decrease due to a heat cycle, a wet heat cycle, and the like during the manufacture and use of the conversion element.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、このよう
な問題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、ポリイ
ミド基板や液晶ポリマーから得られたフィルム基板を用
いて作製された光電変換素子における変換効率の低下
が、単に吸湿性や熱収縮性の違いだけではなく、これら
フィルム表面の低分子化合物成分、特には、残留モノマ
ーや溶媒、水分が大きく係わっていることをつきとめ、
さらなる検討の結果、後述する特定の構造を有するポリ
アリレートを用いてキャスティング法で製造したフィル
ムを用い、かつ、ポリアリレートフィルム中の残留モノ
マー量、すなわち残留フェノール量と残留フタル酸量を
2000ppm以下まで減少させたものは、上記課題を
解決するものであることを見いだし、本発明に到達し
た。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve such problems, and as a result, a photoelectric conversion device manufactured using a polyimide substrate or a film substrate obtained from a liquid crystal polymer has been developed. The decrease in the conversion efficiency of the device, not only the difference in hygroscopicity and heat shrinkage, but also the low molecular weight compound components on these film surfaces, in particular, residual monomers, solvents, and moisture
As a result of further study, using a film produced by casting method using a polyarylate having a specific structure described below, and the residual monomer content in the polyarylate film, that is, the residual phenol content and the residual phthalic acid content to 2000 ppm or less. The inventors have found that the object of the present invention is to solve the above problems, and have reached the present invention.

【0008】すなわち、本発明の要旨は、ポリアリレー
トフィルム上に導電層を介して少なくとも1つのpn接
合又はpin接合を持つ光電変換層を有する光電変換素
子において、前記ポリアリレートが式(1)で示す構造
単位を有し、ポリアリレートフィルムにおける残留モノ
マー量が2000ppm以下であり、光線透過率が55
0nmで50%以上であることを特徴とする光電変換素
子である。
That is, the gist of the present invention resides in a photoelectric conversion element having at least one pn junction or pin junction on a polyarylate film via a conductive layer, wherein the polyarylate is represented by the formula (1). Having the following structural unit, the amount of residual monomer in the polyarylate film is 2,000 ppm or less, and the light transmittance is 55%.
It is a photoelectric conversion element characterized by being 50% or more at 0 nm.

【0009】[0009]

【化2】 Embedded image

【0010】〔式中R1 〜R8 は、各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、アリル
基、フェニル基、ニトロ基を示し、Xは、単結合、酸素
原子、硫黄原子、アルキレン基、アルキリデン基、シク
ロアルキリデン基、ハロ置換アルキレン基、ハロ置換ア
ルキリデン基、フェニルアルキリデン基、置換フェニル
アルキリデン基、カルボニル基、スルフォニル基、カル
ボキシルアルキレン基、カルボキシルアルキリデン基、
アルコキシカルボニルアルキレン基、フルオレン基、置
換フルオレン基、イサチン基、アルキルシラン基、ジア
ルキルシラン基からなる群から選ばれる。〕
Wherein R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an allyl group, a phenyl group or a nitro group, and X represents a single bond, an oxygen atom A sulfur atom, an alkylene group, an alkylidene group, a cycloalkylidene group, a halo-substituted alkylene group, a halo-substituted alkylidene group, a phenylalkylidene group, a substituted phenylalkylidene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a carboxylalkylene group, a carboxylalkylidene group,
It is selected from the group consisting of an alkoxycarbonylalkylene group, a fluorene group, a substituted fluorene group, an isatin group, an alkylsilane group, and a dialkylsilane group. ]

【0011】そして、上記光電変換素子において、さら
に、ポリアリレートフィルムのカルボキシル価が30モ
ル/トン以下である光電変換素子、ポリアリレートフィ
ルムの残留触媒量が1000ppm以下、残留アルカリ
金属量が30ppm以下である光電変換素子、ポリアリ
レートフィルムに残留している溶媒及び水分の量が、常
温、常圧でそれぞれ2000ppm以下である光電変換
素子はより好ましい態様のものとして挙げられる。
In the above-mentioned photoelectric conversion element, the polyarylate film has a carboxyl value of 30 mol / ton or less, the polyallylate film has a residual catalyst amount of 1000 ppm or less, and a residual alkali metal amount of 30 ppm or less. A photoelectric conversion element in which the amount of a solvent and moisture remaining in a certain photoelectric conversion element and a polyarylate film is 2000 ppm or less at normal temperature and normal pressure, respectively, is mentioned as a more preferable embodiment.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明で用いられるポリアリレートは、二価フェノール
成分と二価カルボン酸成分から得られ、一般式(1)で
示される構造単位を有している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.
The polyarylate used in the present invention is obtained from a dihydric phenol component and a dihydric carboxylic acid component, and has a structural unit represented by the general formula (1).

【0013】本発明で用いられるポリアリレートを構成
する二価フェノールとしては例えば次に述べるものが挙
げられる。すなわち、2−メチル−4,4’−ジヒドロ
キシビフェニル、3−メチル−4,4’−ジヒドロキシ
ビフェニル、2−クロロ−4,4’−ジヒドロキシビフ
ェニル、3−クロロ−4,4’−ジヒドロキシビフェニ
ル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジヒドロキシビフ
ェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジヒドロキシ
ビフェニル、2,3’−ジメチル−4,4’−ジヒドロ
キシビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジヒ
ドロキシビフェニル、 3,3’−ジ−tert−ブチル
−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジメ
トキシ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、2,2−
ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン(テトラメチルビスフェノールA)、9,9−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビ
スクレゾールフルオレン、9,9−ビス(3,5−ジメ
チル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、3,
3’, 5,5’−テトラメチル−4,4’−ジヒドロキ
シビフェニル、3,3’, 5,5’−テトラ−tert
−ブチル−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、3,
3’, 5,5’−テトラクロロ−4,4’−ジヒドロキ
シビフェニル、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジ
メチルビフェニル、3,3’−ジフルオロ−4,4’−
ビフェノール、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’,
5,5’−テトラメチルビフェニル、
Examples of the dihydric phenol constituting the polyarylate used in the present invention include the following. That is, 2-methyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, 3-methyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, 2-chloro-4,4'-dihydroxybiphenyl, 3-chloro-4,4'-dihydroxybiphenyl, 3,3′-dimethyl-4,4′-dihydroxybiphenyl, 2,2′-dimethyl-4,4′-dihydroxybiphenyl, 2,3′-dimethyl-4,4′-dihydroxybiphenyl, 3,3′- Dichloro-4,4'-dihydroxybiphenyl, 3,3'-di-tert-butyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2-
Bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane (tetramethylbisphenol A), 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-biscresolfluorene, 9,9-bis (3 5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) fluorene, 3,
3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-dihydroxybiphenyl, 3,3 ′, 5,5′-tetra-tert
-Butyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, 3,
3 ', 5,5'-tetrachloro-4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-dihydroxy-3,3'-dimethylbiphenyl, 3,3'-difluoro-4,4'-
Biphenol, 2,2'-dihydroxy-3,3 ',
5,5′-tetramethylbiphenyl,

【0014】3,3’, 5,5’−テトラフルオロ−
4,4’−ビフェノール、2,2’, 3,3’, 5,
5’−ヘキサメチル−4,4’−ビフェノール、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(4−メチル−2
−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−メチルペンタ
ン、2, 2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−2−エチルヘキサン、
2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−2−メチルプロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)フェニルメタン、
3,3 ', 5,5'-tetrafluoro-
4,4′-biphenol, 2,2 ′, 3,3 ′, 5
5'-hexamethyl-4,4'-biphenol, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4
-Hydroxyphenyl) ethane, bis (4-methyl-2)
-Hydroxyphenyl) methane, bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-
Bis (4-hydroxyphenyl) -4-methylpentane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3 , 5-dimethyl-4-
Hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -2-ethylhexane,
2,2-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) propane, bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 1,1-bis (4 -Hydroxyphenyl)
-2-methylpropane, bis (4-hydroxyphenyl) phenylmethane,

【0015】2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
オクタン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(3−アリル
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−sec−
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−
ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブ
チルフェニル)−2−メチルプロパン、4,4’−
〔1,4−フェニレン−ビス(1−メチルエチリデ
ン)〕ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)、
1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)
メタン、2,4’−メチレンビスフェノール、ビス(3
−メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビ
ス(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)エタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチル
−ブタン、ビス(2−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロペンタン、1,1−ビス(3−メチル−4−
ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、3,3−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、3,3−ビス
(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、
2,2-bis (4-hydroxyphenyl)
Octane, 1,1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-bis (3-allyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-isopropyl-4-hydroxyphenyl) ) Propane, 2,2-bis (3-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-sec-
Butyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-
Bis (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) -2-methylpropane, 4,4'-
[1,4-phenylene-bis (1-methylethylidene)] bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl),
1,1-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, bis (2-hydroxyphenyl)
Methane, 2,4'-methylenebisphenol, bis (3
-Methyl-4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-
Bis (4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (2-hydroxy-5-methylphenyl) ethane,
1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3-methyl-butane, bis (2-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclopentane, 1,1 -Bis (3-methyl-4-
(Hydroxyphenyl) cyclopentane, 3,3-bis (4-hydroxyphenyl) pentane, 3,3-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) pentane,

【0016】3,3−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)ペンタン、2,2−ビス(2−ヒド
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ノナン、1,1−ビ
ス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−1 −フェ
ニルエタン、1,1−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)デカン、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)デカン、1,1−ビス(2−ヒドロ
キシ−3−tert−ブチル−5−メチルフェニル)メ
タン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタ
ン、テルペンジフェノール、1,1−ビス(3−ter
t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−
tert−ブチルフェニル)−2−メチルプロパン、
2, 2−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、ビス(3,5−ジ−tert−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3,5−
ジ−sec−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキ
シフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(2−ヒド
ロキシ−3,5−ジ−tert−ブチルフェニル)エタ
ン、1,1−ビス(3−ノニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、
3,3-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) pentane, 2,2-bis (2-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2
-Bis (4-hydroxyphenyl) nonane, 1,1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,1-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-bis (4
-Hydroxyphenyl) decane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) decane, 1,1-bis (2-hydroxy-3-tert-butyl-5-methylphenyl) methane, bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane , Terpene diphenol, 1,1-bis (3-ter
t-butyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 1,1-bis (2-methyl-4-hydroxy-5-
tert-butylphenyl) -2-methylpropane;
2,2-bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) propane, bis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) methane, bis (3,5-
Di-sec-butyl-4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 1,1-bis (2-hydroxy-3,5-di-tert-butylphenyl) ) Ethane, 1,1-bis (3-nonyl-4-hydroxyphenyl) methane,

【0017】2,2−ビス(3,5−ジ−tert−ブ
チル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビ
ス(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ブチル−
6−メチルフェニル)メタン、1,1−ビス(3−フェ
ニル−4−ヒドロキシフェニル)−1 −フェニルエタ
ン、α,α' −ビス(4−ヒドロキシフェニル)酢酸ブ
チルエステル、1,1−ビス(3−フルオロ−4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシ−5−
フルオロフェニル)メタン、2,2−ビス(3−フルオ
ロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス
(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)−1−フェ
ニルメタン、1,1−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロ
キシフェニル)−1−(p−フルオロフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1 −p
−フルオロフェニル)メタン、2,2−ビス(3−クロ
ロ−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(3−クロロ−4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(3,5−ジ
ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、 2,2−ビ
ス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジメ
チルシラン、
2,2-bis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (2-hydroxy-3,5-di-tert-butyl-
6-methylphenyl) methane, 1,1-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, α, α′-bis (4-hydroxyphenyl) acetic acid butyl ester, 1,1-bis ( 3-fluoro-4-hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxy-5-
Fluorophenyl) methane, 2,2-bis (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) -1-phenylmethane, 1,1-bis (3 -Fluoro-4-hydroxyphenyl) -1- (p-fluorophenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-p
-Fluorophenyl) methane, 2,2-bis (3-chloro-4-hydroxy-5-methylphenyl) propane,
2,2-bis (3,5-dichloro-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-chloro-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (3,5-dibromo-4- (Hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-nitro-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-hydroxyphenyl) dimethylsilane ,

【0018】ビス(2,3,5−トリメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)−1−フェニルメタン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ドデカン、2,2−ビス
(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)ドデカン、
2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)ドデカン、1,1−ビス(3−tert−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)−1 −フェニルエタン、
1,1−ビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビ
ス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシル
フェニル)−2−メチルプロパン、1,1−ビス(2−
ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ブチルフェニル)
エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン酸メチルエステル、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン酸エチルエステル、2,2’, 3,
3’, 5,5’−ヘキサメチル−4,4’−ビフェノー
ル、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、2,4’
−メチレンビスフェノール、1,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)エタン、2−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−2−(2−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(2−ヒドロキシ−3−アリルフェニル)メタン、1,
1−ビス(2−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニ
ル)−2−メチルプロパン、1,1−ビス(2−ヒドロ
キシ−5−tert−ブチルフェニル)エタン、ビス
(2−ヒドロキシ−5−フェニルフェニル)メタン、
1,1−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5 −te
rt−ブチルフェニル)ブタン、ビス(2−メチル−4
−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)メタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタデカ
ン、
Bis (2,3,5-trimethyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylmethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) dodecane, 2,2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) Phenyl) dodecane,
2,2-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) dodecane, 1,1-bis (3-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane,
1,1-bis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,1-bis (2-methyl-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl) -2-methyl Propane, 1,1-bis (2-
Hydroxy-3,5-di-tert-butylphenyl)
Ethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propanoic acid methyl ester, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propanoic acid ethyl ester, 2,2 ′, 3
3 ', 5,5'-hexamethyl-4,4'-biphenol, bis (2-hydroxyphenyl) methane, 2,4'
-Methylenebisphenol, 1,2-bis (4-hydroxyphenyl) ethane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (2-hydroxyphenyl) propane, bis (2-hydroxy-3-allylphenyl) methane, ,
1-bis (2-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -2-methylpropane, 1,1-bis (2-hydroxy-5-tert-butylphenyl) ethane, bis (2-hydroxy-5-phenylphenyl) )methane,
1,1-bis (2-methyl-4-hydroxy-5-te
rt-butylphenyl) butane, bis (2-methyl-4)
-Hydroxy-5-cyclohexylphenyl) methane,
2,2-bis (4-hydroxyphenyl) pentadecane,

【0019】2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキ
シフェニル)ペンタデカン、2,2 −ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)ペンタデカン、1,
2−ビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシフェニル)エタン、ビス(2−ヒドロキシ−3,5
−ジ−tert−ブチルフェニル)メタン、 2,2−ビ
ス(3−スチリル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1 −
(p−ニトロフェニル)エタン、ビス(3,5−ジフル
オロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3,5
−ジフルオロ−4−ヒドロキシフェニル)−1 −フェニ
ルメタン、ビス(3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキシ
フェニル)ジフェニルメタン、ビス(3−フルオロ−4
−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビ
ス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3−ジ
メチル−5−メチル−シクロヘキサン、 1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−3,3−ジメチル−5,
5−ジメチル−シクロヘキサン、 1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−3,3−ジメチル−4−メチル−
シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−3,3−ジメチル−5−エチル−シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3
−ジメチル−5−メチル−シクロペンタン、1,1−ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−
3,3−ジメチル−5−メチル−シクロヘキサン、1,
1−ビス(3,5−ジフェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)−3,3−ジメチル−5−メチル−シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)−3,3−ジメチル−5−メチル−シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−3,3−ジメチル−5−メチル−シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシ
フェニル)−3,3−ジメチル−5−メチル−シクロヘ
キサン、1,1−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロ
キシフェニル)−3,3−ジメチル−5−メチル−シク
ロヘキサンなどのジフェノール類が挙げられ、これらの
中から1種類以上を選ぶことができる。
2,2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) pentadecane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) pentadecane,
2-bis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) ethane, bis (2-hydroxy-3,5
-Di-tert-butylphenyl) methane, 2,2-bis (3-styryl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-
(P-nitrophenyl) ethane, bis (3,5-difluoro-4-hydroxyphenyl) methane, bis (3,5
-Difluoro-4-hydroxyphenyl) -1-phenylmethane, bis (3,5-difluoro-4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, bis (3-fluoro-4
-Hydroxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (3-chloro-4-hydroxyphenyl) propane,
1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl-5-methyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl-5,
5-dimethyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl-4-methyl-
Cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl-5-ethyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3
-Dimethyl-5-methyl-cyclopentane, 1,1-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-
3,3-dimethyl-5-methyl-cyclohexane, 1,
1-bis (3,5-diphenyl-4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl-5-methyl-cyclohexane, 1,1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl- 5-methyl-cyclohexane, 1,1-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl-5-methyl-cyclohexane, 1,1-bis (3,5-dichloro-4-hydroxyphenyl) ) Diphenols such as -3,3-dimethyl-5-methyl-cyclohexane and 1,1-bis (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethyl-5-methyl-cyclohexane. And one or more of these can be selected.

【0020】特に好ましい二価フェノールとしては、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(ビ
スフェノールA)、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン(ビスフェノールC)、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサ
ン(ビスフェノールZ)、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−フェニルエタン(ビスフェノールA
P)、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロパン(テトラメチルビスフェノール
A)、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオ
レン、9,9−ビスクレゾールフルオレン、9,9−ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)フル
オレンが挙げられる。
Particularly preferred dihydric phenols include:
2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (bisphenol A), 2,2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) propane (bisphenol C),
1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane (bisphenol Z), 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane (bisphenol A
P), 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane (tetramethylbisphenol A), 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-biscresolfluorene, 9 , 9-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) fluorene.

【0021】また、本発明で用いるポリアリレートを構
成する二価のカルボン酸としては、テレフタル酸、イソ
フタル酸、フタル酸及びこれらの混合物が用いられ、テ
レフタル酸が10〜90モル%とイソフタル酸90〜1
0モル%からなる混合物が好ましく、特に好ましくは、
テレフタル酸とイソフタル酸の等量混合物である。実際
の製造には、これらの誘導体、例えばフタル酸クロライ
ドやフタル酸酸ブロマイドのような二価カルボン酸ハラ
イドが、コスト的要因により好ましく用いられる。
As the divalent carboxylic acid constituting the polyarylate used in the present invention, terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid and a mixture thereof are used, and 10 to 90 mol% of terephthalic acid and 90% of isophthalic acid are used. ~ 1
A mixture consisting of 0 mol% is preferred, and particularly preferred is
It is an equal mixture of terephthalic acid and isophthalic acid. In the actual production, these derivatives, for example, divalent carboxylic acid halides such as phthalic chloride and phthalic bromide are preferably used due to cost factors.

【0022】またポリアリレートの末端は一価のフェノ
ール類や一価のカルボン酸などで封止されていてもよ
い。一価のフェノール類としては、フェノール、クレゾ
ール、p−tert−ブチルフェノール、o−フェニル
フェノールなどが挙げられ、一価のカルボン酸として
は、安息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライ
ド、フェニルクロロホルメートなどの一価の酸クロライ
ド類、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イ
ソプロパノール、n−ブタノール、2−ブタノール、ペ
ンタノール、ヘキサノール、ドデシルアルコール、ステ
アリルアルコール、ベンジルアルコール、フェネチルア
ルコールなどの一価のアルコール類、酢酸、プロピオン
酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香
酸、トルイル酸、フェニル酢酸、p−tert−ブチル
安息香酸、p−メトキシフェニル酢酸などが挙げられ
る。
The terminal of the polyarylate may be blocked with a monovalent phenol or a monovalent carboxylic acid. Monovalent phenols include phenol, cresol, p-tert-butylphenol, o-phenylphenol and the like. Monovalent carboxylic acids include benzoic acid chloride, methanesulfonyl chloride, phenylchloroformate and the like. Trivalent acid chlorides, monohydric alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, 2-butanol, pentanol, hexanol, dodecyl alcohol, stearyl alcohol, benzyl alcohol, phenethyl alcohol, acetic acid, Examples include propionic acid, octanoic acid, cyclohexanecarboxylic acid, benzoic acid, toluic acid, phenylacetic acid, p-tert-butylbenzoic acid, and p-methoxyphenylacetic acid.

【0023】本発明で用いるポリアリレートは常法にし
たがって製造することができるが、水と相溶しない有機
溶剤に溶解させた二価のフタル酸ハライドとアルカリ水
溶液に溶解させた二価のフェノールとを混合して製造す
る界面重合法(W.M.Eareckson J.Poly.Sci.XL399 1959
年、特公昭40−1959号公報)が好適に採用され
る。界面重合法は、溶液重合法と比較して反応が速く、
そのためフタル酸ハライドの加水分解を最小限に抑える
ことが可能である。しかしながら、フタル酸の副生を完
全に抑えることはできない。また、特に後述する重合触
媒を選ぶことにより高分子量のポリマーを得ることはで
きるが、その分子量分布は時として高分子量領域と低分
子量領域とに分かれるなど、オリゴマーが発生しやすい
ことは良く知られている。
The polyarylate used in the present invention can be produced according to a conventional method. The polyarylate can be prepared by mixing a divalent phthalic halide dissolved in an organic solvent incompatible with water with a divalent phenol dissolved in an aqueous alkali solution. Polymerization method (WMEareckson J. Poly. Sci. XL399 1959
(Japanese Patent Publication No. 40-1959). Interfacial polymerization is faster than solution polymerization,
Therefore, it is possible to minimize the hydrolysis of phthalic acid halide. However, phthalic acid by-products cannot be completely suppressed. In addition, a high molecular weight polymer can be obtained by selecting a polymerization catalyst, which will be described later, but it is well known that oligomers are liable to be generated such that the molecular weight distribution is sometimes divided into a high molecular weight region and a low molecular weight region. ing.

【0024】界面重合法での製造方法をさらに詳細に説
明すると、二価フェノールのアルカリ水溶液を調製し、
続いて重合触媒を添加する。重合触媒としては、分子量
が高いポリマーが得られるものであれば特に限定はされ
ないが、トリブチルベンジルアンモニウムハライド、テ
トラブチルアンモニウムハライド、テトラブチルホスホ
ニウムハライド、トリブチルベンジルホスホニウムハラ
イドが高分子量でカルボキシル価の低いポリマーを与え
る点で好ましい。第4級アンモニウム塩のアルキル鎖の
短いトリメチルベンジルアンモニウムハライド、トリエ
チルベンジルアンモニウムハライド等では、重合する二
価フェノールの種類によっては高分子量のポリマーを得
ることができないので好ましくない。
The production method by the interfacial polymerization method will be described in more detail. An alkaline aqueous solution of a dihydric phenol is prepared,
Subsequently, a polymerization catalyst is added. The polymerization catalyst is not particularly limited as long as a polymer having a high molecular weight can be obtained, but tributylbenzylammonium halide, tetrabutylammonium halide, tetrabutylphosphonium halide, and tributylbenzylphosphonium halide are polymers having a high molecular weight and a low carboxyl number. Is preferred. Trimethylbenzylammonium halide, triethylbenzylammonium halide or the like having a short alkyl chain of a quaternary ammonium salt is not preferable because a high molecular weight polymer cannot be obtained depending on the kind of dihydric phenol to be polymerized.

【0025】一方、水と相溶せず、かつポリアリレート
を溶解するような溶媒、例えば塩化メチレン、1,2−
ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベ
ンゼン、1,1, 2,2−テトラクロロエタン、1,
1,1−トリクロロエタン、oo−、m−、p−ジクロ
ロベンゼンなどの塩素系溶媒、トルエン、ベンゼン、キ
シレンなどの芳香族系炭化水素などに二価のカルボン酸
ハライドを溶解させた溶液を先のアルカリ溶液に添加
し、25℃以下の温度で1〜5時間撹拌しながら反応を
行うことによってポリアリレートを得ることができる。
ここで用いることができるアルカリには、水酸化ナトリ
ウムや水酸化カリウム等がある。
On the other hand, a solvent which is incompatible with water and dissolves polyarylate, for example, methylene chloride, 1,2-
Dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, chlorobenzene, 1,1,2,2-tetrachloroethane, 1,
A solution obtained by dissolving a divalent carboxylic acid halide in a chlorinated solvent such as 1,1-trichloroethane, oo-, m-, or p-dichlorobenzene, or an aromatic hydrocarbon such as toluene, benzene, or xylene is used. A polyarylate can be obtained by adding to an alkali solution and performing a reaction while stirring at a temperature of 25 ° C. or lower for 1 to 5 hours.
Examples of the alkali that can be used here include sodium hydroxide and potassium hydroxide.

【0026】ポリアリレート中に残留するモノマー、オ
リゴマー、触媒、アルカリ金属量を低減させる方法とし
ては、再沈法、遠心分離法とニーダー法の組み合わせ、
遠心分離法と温水造粒法との組み合わせなどが採られ
る。特に特願平9−219147号公報などに示されて
いるような温水造粒法は、界面重合で得られるポリアリ
レート樹脂から残留モノマーとオリゴマーを除くのに有
用である。一般にポリマー成形体中に残留モノマーやオ
リゴマーが多く存在する場合、これらは成形体と空気と
の界面、すなわち、成形体の表面に集中して存在するこ
とが、すでに報告されている(T. Kajiyama, et. al.,
Macromolecule, 28 巻, 3482〜3484ページ, 1995年な
ど)。残留モノマーやオリゴマー、特に残留モノマーは
成膜時にフィルム表面に移行し、光電変換素子を製造す
る際には、これらは形成される導電層と接触することに
なる。したがって、ポリアリレートフィルム上に、n型
アモルファスシリコン層(n層)、p型アモルファスシ
リコン層(p層)、さらには、必要に応じてノンドープ
アモルファスシリコン層(i層)や他の酸化物層などを
形成させる際の熱により、この残留モノマーは、フィル
ム上に形成された導電層に悪影響を及ぼす。すなわち、
ここで、導電層の導電性が落ちるため、pn接合又はp
in接合を持つ光電変換層自体の光電変換効率が低下し
なくとも、素子全体において光電変換効率が低下したよ
うな現象が見られる。このような現象が見られるのは、
ポリアリレートフィルムにおいて残留モノマー量が20
00ppmより多い場合である。したがって、本発明に
おいては、残留モノマー量は2000ppm以下、好ま
しくは500ppm以下とする。
Methods for reducing the amount of monomers, oligomers, catalysts and alkali metals remaining in the polyarylate include reprecipitation, a combination of centrifugation and kneader,
A combination of a centrifugal separation method and a hot water granulation method is employed. In particular, a warm water granulation method as disclosed in Japanese Patent Application No. 9-219147 is useful for removing residual monomers and oligomers from a polyarylate resin obtained by interfacial polymerization. In general, it has been reported that, when a large amount of residual monomers and oligomers are present in a polymer molded product, these are concentrated on the interface between the molded product and air, that is, on the surface of the molded product (T. Kajiyama). , et. al.,
Macromolecule, 28, 3482-3484, 1995). Residual monomers and oligomers, particularly residual monomers, migrate to the film surface at the time of film formation and come into contact with the conductive layer to be formed when the photoelectric conversion element is manufactured. Therefore, on the polyarylate film, an n-type amorphous silicon layer (n-layer), a p-type amorphous silicon layer (p-layer), and if necessary, a non-doped amorphous silicon layer (i-layer) and other oxide layers This residual monomer has an adverse effect on the conductive layer formed on the film due to heat at the time of forming. That is,
Here, since the conductivity of the conductive layer decreases, the pn junction or p
Even if the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion layer itself having the in-junction does not decrease, a phenomenon that the photoelectric conversion efficiency decreases in the entire device is observed. This phenomenon can be seen
20 residual monomer content in polyarylate film
This is the case when it is more than 00 ppm. Therefore, in the present invention, the amount of the residual monomer is 2,000 ppm or less, preferably 500 ppm or less.

【0027】本発明においてポリアリレートの製造に用
いる触媒は、界面活性剤の1種であり、これらがポリア
リレートフィルム中に多く存在すると、吸湿によるフィ
ルム寸法変化などに悪影響を与える。したがって、残留
触媒量は1000ppm以下であることが好ましく、4
00ppm以下であることがより好ましい。
The catalyst used in the production of polyarylate in the present invention is one of surfactants. If these are present in a large amount in the polyarylate film, it adversely affects the change in film dimensions due to moisture absorption. Therefore, the amount of the residual catalyst is preferably 1000 ppm or less,
More preferably, it is not more than 00 ppm.

【0028】また、ポリアリレートの残留アルカリ金属
量は30ppm以下であることが好ましい。ポリアリレ
ートを製造する界面重合法は可逆反応であり、十分な水
分とアルカリ、さらに熱があると解重合反応を引き起こ
し、樹脂中の残留モノマー量を増大させる。ポリアリレ
ートの残留アルカリ金属量は30ppmを超えるとフィ
ルムの性能劣化が無視できなくなることがある。この点
を考慮してポリアリレートフィルム中の残留アルカリ金
属量は30ppm以下とする。
It is preferable that the residual alkali metal content of the polyarylate is 30 ppm or less. The interfacial polymerization method for producing a polyarylate is a reversible reaction, and when sufficient moisture and alkali, and further heat, a depolymerization reaction is caused to increase the amount of residual monomers in the resin. If the amount of the residual alkali metal in the polyarylate exceeds 30 ppm, the performance degradation of the film may not be ignored. Considering this point, the amount of the residual alkali metal in the polyarylate film is set to 30 ppm or less.

【0029】また、本発明で用いられるポリアリレート
の分子量は、前述した末端封止材料の添加量によってコ
ントロールすることができ、テトラクロロエタンを粘度
測定溶媒に用い、25℃における1g/dl溶液のイン
ヘレント粘度が0.7以上が好ましく、より好ましくは
0.8〜2.5である。インヘレント粘度が0.7未満
であると耐熱安定性が不十分なことがあり、また後述す
るようなキャスティング法でフィルムを製造する場合、
ポリマードープ液に十分な粘度を与えることができず、
成膜性に劣る。一方2.5を超えると該ドープ液の粘度
が上がりすぎてドープ液の吐出が困難になることがあ
る。このドープ液には、耐熱性をさらに改良するために
その特性を損なわない範囲で、ヒンダードフェノール
系、ヒンダードアミン系、チオエーテル系、燐系等各種
酸化防止剤を添加することができる。
The molecular weight of the polyarylate used in the present invention can be controlled by the addition amount of the above-mentioned end-capping material, and tetrachloroethane is used as a solvent for viscosity measurement, and the inherent viscosity of a 1 g / dl solution at 25 ° C. The viscosity is preferably 0.7 or more, more preferably 0.8 to 2.5. When the inherent viscosity is less than 0.7, the heat stability may be insufficient, and when a film is produced by a casting method as described below,
Insufficient viscosity cannot be given to the polymer dope,
Poor in film formability. On the other hand, if it exceeds 2.5, the viscosity of the dope solution may be too high, and it may be difficult to discharge the dope solution. To this dope solution, various antioxidants such as hindered phenol-based, hindered amine-based, thioether-based, and phosphorus-based agents can be added as long as the properties are not impaired in order to further improve the heat resistance.

【0030】また、本発明で用いるポリアリレートフィ
ルムは、カルボキシル価が30モル/トン以下であるこ
とが好ましい。カルボキシル価が30モル/トンを超え
ると、湿熱時にフィルム寸法の変化が著しくなる場合が
あり、光電導電膜の割れ、ひびにつながる。カルボキシ
ル価はポリアリレート製造時に使用するフタル酸ハライ
ドと二価フェノールのモル比や反応時間を制御すること
によって調整することができる。
Further, the polyarylate film used in the present invention preferably has a carboxyl value of 30 mol / ton or less. If the carboxyl number exceeds 30 mol / ton, the film dimensions may significantly change during moist heat, leading to cracks and cracks in the photoconductive film. The carboxyl number can be adjusted by controlling the molar ratio of phthalic acid halide and dihydric phenol used in the production of polyarylate and the reaction time.

【0031】本発明で用いる式(1)で示す構造単位を
有するポリアリレートは透明性に優れる樹脂であるの
で、これから得られるポリアリレートフィルムの光線透
過率は、550nmで50%以上である。
Since the polyarylate having the structural unit represented by the formula (1) used in the present invention is a resin having excellent transparency, the light transmittance of the polyarylate film obtained therefrom is at least 50% at 550 nm.

【0032】本発明で用いられるポリアリレートは、塩
化メチレンやクロロホルムなどのようなハロゲン系溶
媒、テトラヒドロフラン、トルエン等の汎用溶媒への高
い溶解性を有している。したがって、ポリアリレートフ
ィルムの製造方法としては、このような性質を応用した
キャスティング法が好適に用いられる。キャスティング
法とは、ポリアリレートを溶媒に溶解させてドープ液を
作り、これをスチールベルトや、ポリアリレートを溶解
させた溶媒に侵されないポリマーフィルム、もしくは硝
子上に展開させ、溶媒を除去してフィルムを得るという
方法である。
The polyarylate used in the present invention has high solubility in halogen-based solvents such as methylene chloride and chloroform, and general-purpose solvents such as tetrahydrofuran and toluene. Therefore, as a method for producing a polyarylate film, a casting method utilizing such properties is suitably used. With the casting method, polyarylate is dissolved in a solvent to make a dope solution, and this is spread on a steel belt, a polymer film that is not attacked by the solvent in which the polyarylate is dissolved, or glass, and the solvent is removed to remove the film. It is a method of obtaining.

【0033】ポリアリレートフィルム中に残留している
溶媒及び水分の量は、できるだけ少ないように制御すべ
きであることは、導電層を構築する際のアウトガスによ
る蒸着抜けを抑制するためにも重要である。その量は、
常温、常圧で2000ppm以下にすることが好まし
く、1000ppm以下にすることがより好ましい。残
留溶媒や水分がそれぞれ2000ppmより多いと、こ
の導電層が十分な導電率を示さない。ポリアリレートフ
ィルム中に残留している溶媒及び水分の量は、乾燥条件
により大きく作用される。通常、常圧以下の圧力下で、
用いた溶媒の沸点より高い温度で1〜24時間乾燥する
ことが好ましい。
It is important to control the amounts of the solvent and water remaining in the polyarylate film to be as small as possible, in order to prevent deposition loss due to outgas when constructing the conductive layer. is there. The amount is
It is preferably at most 2,000 ppm at room temperature and pressure, more preferably at most 1,000 ppm. If each of the residual solvent and the water content is more than 2000 ppm, this conductive layer does not show sufficient conductivity. The amount of solvent and water remaining in the polyarylate film is greatly affected by the drying conditions. Usually, under pressures below normal pressure,
It is preferable to dry at a temperature higher than the boiling point of the solvent used for 1 to 24 hours.

【0034】本発明で用いるポリアリレートフィルムの
厚さは、1〜1000μmであることが好ましく、5〜
500μmであることがより好ましい。1μm未満では
得られるフィルムの強度が十分でない場合が多く、10
00μmを超えるとフィルム乾燥時に、一様に脱溶媒し
にくいため、乾燥ムラや無視できない大きさの表面凹凸
が生じる傾向がある。
The thickness of the polyarylate film used in the present invention is preferably from 1 to 1000 μm,
More preferably, it is 500 μm. If the thickness is less than 1 μm, the strength of the obtained film is often insufficient.
If it exceeds 00 μm, it is difficult to uniformly remove the solvent when the film is dried, so that drying unevenness and surface irregularities of a size that cannot be ignored tend to occur.

【0035】導電層としては、ステンレス薄膜、鉄薄
膜、クロム薄膜、ニッケル薄膜、ジルコニウム薄膜、ニ
オブ薄膜、銀薄膜、酸化インジュウムスズ薄膜(IT
O)、酸化亜鉛薄膜(ZnO)、酸化スズ薄膜(SnO
2 )及びこれらの合金などを、スパッタリング法、真空
蒸着法、CVD(化学蒸着)法、ゾルゲル法、分子線エ
ピタキシー法、プラズマガンによる成膜などの成膜方法
を用いて形成される。特に、DCマグネトロンスパッタ
リング法、デュアルマグネトロンスパッタリング法など
が、得られる導電膜の密度が高く、また基板であるポリ
アリレートフィルムとの密着性に優れ、成膜速度が高い
ので、好適に用いられる。これら導電層のうち、透明な
ものは透明導電層として用いられる。
As the conductive layer, a stainless thin film, iron thin film, chromium thin film, nickel thin film, zirconium thin film, niobium thin film, silver thin film, indium tin oxide thin film (IT
O), zinc oxide thin film (ZnO), tin oxide thin film (SnO)
2 ) and alloys thereof are formed by a film forming method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a sol-gel method, a molecular beam epitaxy method, and a film formation by a plasma gun. In particular, a DC magnetron sputtering method, a dual magnetron sputtering method, or the like is preferably used because the obtained conductive film has a high density, has excellent adhesion to a polyarylate film as a substrate, and has a high film formation rate. Of these conductive layers, a transparent one is used as a transparent conductive layer.

【0036】導電層又は透明導電層の厚さは、通常5〜
750nm、好ましくは10〜500nmである。導電
層又は透明導電層の厚さが5nm未満であると、導電性
が悪くなる傾向がある。逆に厚みが750nmを超える
と、導電層又は透明導電層が、割れ、ひびを引き起こし
やすくなり、その結果、導電性に悪影響を及ぼす。本発
明が解決しようとしている課題は、pn層又はpin層
に由来する光電変換効率ではなく、フィルム中の残留低
分子量化合物等の不純物による導電薄膜の劣化に基づく
光電変換効率の低下をいかに解消するかである。このこ
とから、pn接合又はpin接合を持つ光電変換素子に
用いられている全ての組み合わせに使用可能であり、本
発明における光電変換素子の構造例の断面図を図1〜図
3に示す。図1〜図3において、1はポリアリレートフ
ィルム、2は導電層、3はn層、4はp層、5は透明導
電層、6はグリット電極、7は取り出し電極、8はi層
を示す。本発明で用いるポリアリレートフィルムは透明
性が高いので、図1又図2に示すように光電変換素子の
基板として用いる以外に、図3に示すように透明導電層
5上の受光面側に用いることもできる。
The thickness of the conductive layer or the transparent conductive layer is usually from 5 to
It is 750 nm, preferably 10 to 500 nm. When the thickness of the conductive layer or the transparent conductive layer is less than 5 nm, the conductivity tends to deteriorate. Conversely, if the thickness exceeds 750 nm, the conductive layer or the transparent conductive layer is liable to cause cracks and cracks, and as a result, adversely affects the conductivity. The problem to be solved by the present invention is not a photoelectric conversion efficiency derived from a pn layer or a pin layer, but a method for eliminating a decrease in photoelectric conversion efficiency based on deterioration of a conductive thin film due to impurities such as residual low molecular weight compounds in a film. Is. For this reason, the present invention can be used for all combinations used for photoelectric conversion elements having a pn junction or a pin junction, and FIGS. 1 to 3 show cross-sectional views of structural examples of the photoelectric conversion element in the present invention. 1 to 3, reference numeral 1 denotes a polyarylate film, 2 denotes a conductive layer, 3 denotes an n layer, 4 denotes a p layer, 5 denotes a transparent conductive layer, 6 denotes a grid electrode, 7 denotes an extraction electrode, and 8 denotes an i layer. . Since the polyarylate film used in the present invention has high transparency, it is used not only as a substrate of a photoelectric conversion element as shown in FIG. 1 or FIG. 2 but also on a light receiving surface side on a transparent conductive layer 5 as shown in FIG. You can also.

【0037】さらに、本発明においては、導電層とプラ
スチックフィルムの界面(中間層)、もしくは導電層を
形成しないフィルム面(外面)に、ガスバリア性や接着
性、光線反射性を向上させるため、金属酸化物膜層や窒
化物層、炭化物層、ダイヤモンド薄膜層、高分子薄膜
層、有機物薄膜層、無機物微粒子層、有機物微粒子層の
うちの少なくとも一層を構築することは、この工程によ
り本発明の効果を損なわない範囲においてとりうる態様
である。
Further, according to the present invention, a metal barrier is provided on the interface (intermediate layer) between the conductive layer and the plastic film, or on the film surface (outer surface) on which the conductive layer is not formed, in order to improve gas barrier properties, adhesiveness, and light reflectivity. The formation of at least one of an oxide film layer, a nitride layer, a carbide layer, a diamond thin film layer, a polymer thin film layer, an organic thin film layer, an inorganic fine particle layer, and an organic fine particle layer is an effect of the present invention by this step. This is a possible mode within a range that does not impair.

【0038】[0038]

【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例によって具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の変形及
び応用が可能である。キャストフィルムの製造条件は、
用いるポリアリレートの種類や製造するポリアリレート
フィルムの厚さにより変化する。スパッタリングの条件
も同様である。したがって、ここでは、一般的な条件を
示した
EXAMPLES Next, the present invention will be described specifically with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these, and various modifications and applications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible. The production conditions for the cast film are as follows:
It varies depending on the type of polyarylate used and the thickness of the polyarylate film to be produced. The same applies to the sputtering conditions. Therefore, here are the general conditions

【0039】ポリアリレート樹脂、及びそれより得られ
たポリアリレートフィルムについては、以下のような方
法でその特性値を測定した。 (1)溶液粘度 溶媒として、1,1, 2,2−テトラクロロエタンを用
い、温度25℃、濃度1g/dLの条件で測定した。 (2)カルボキシル価 試験管にポリアリレートフィルム0.15gを精秤し、
ベンジルアルコール5mlを加えて加熱溶解させ、これ
をクロロホルム10mlと混合して試験サンプルとし
た。フェノールレッドを指示薬として用い、撹拌下、
0.1NのKOHベンジルアルコール溶液で中和適定を
行い、カルボキシル価を求めた。
The characteristic values of the polyarylate resin and the polyarylate film obtained therefrom were measured by the following methods. (1) Solution viscosity Using 1,1,2,2-tetrachloroethane as a solvent, the viscosity was measured at a temperature of 25 ° C. and a concentration of 1 g / dL. (2) Carboxyl number 0.15 g of polyarylate film was precisely weighed in a test tube,
5 ml of benzyl alcohol was added and dissolved by heating, and this was mixed with 10 ml of chloroform to prepare a test sample. Using phenol red as an indicator, under stirring,
Neutralization titration was performed with a 0.1 N KOH benzyl alcohol solution, and the carboxyl value was determined.

【0040】(3)残留モノマー量 ポリアリレートフィルム10gを100mLのn−ヘキ
サンで12時間、ソックスレー抽出を行い、n−ヘキサ
ンを抽出し、濃縮して、これをH−NMRにより定量分
析することにより、残留モノマー量である残留フェノー
ル量と残留フタル酸量を決定した。 (4)残留触媒量 ポリアリレートフィルム5gをクロロホルム100ml
に溶解させた後、これを5Lのメタノールに滴下して樹
脂を沈殿させた。次に、樹脂を分離してメタノールを濃
縮し、この中に存在する触媒の量をガスクロマトグラフ
ィー(ヒューレットパッカード社製 HP−5890
SeriesII)にて以下の条件で定量し、樹脂中の残
量とした。 測定条件 カラム:メチルシリコンキャピラリー(5m×i.d.
0.53mm) カラム温度:250℃ キャリアガス:He 検出器:FID
(3) Amount of Residual Monomer 10 g of the polyarylate film was subjected to Soxhlet extraction with 100 mL of n-hexane for 12 hours, n-hexane was extracted, concentrated, and quantitatively analyzed by H-NMR. The amount of residual phenol and the amount of residual phthalic acid, which are residual monomer amounts, were determined. (4) Amount of residual catalyst 5 g of polyarylate film was added to 100 ml of chloroform.
After that, the solution was added dropwise to 5 L of methanol to precipitate the resin. Next, the resin was separated and methanol was concentrated, and the amount of the catalyst present therein was measured by gas chromatography (HP-5890 manufactured by Hewlett-Packard Company).
The amount was quantified in Series II) under the following conditions, and was determined as the remaining amount in the resin. Measurement conditions Column: methyl silicon capillary (5m × id.
0.53mm) Column temperature: 250 ° C Carrier gas: He Detector: FID

【0041】(5)残留アルカリ金属量 ポリアリレートフィルムを原子吸光法により測定した。 (6)光線透過率 光線透過率は、厚さ100μmのポリアリレートフィル
ムを用い、日立製作所社製U−4000分光光度計を用
いて測定した。本発明において用いているポリアリレー
トフィルムにおいては、550nmにおける光線透過率
は、その種類に係わらず75〜95%であった。 (7)光電変換効率 光電変換効率は、短絡電流JSC=10(mA/cm
2 )、開放電圧VOC=700(mV)、曲線因子FF
=0.55にて測定した。
(5) Amount of residual alkali metal The polyarylate film was measured by an atomic absorption method. (6) Light transmittance The light transmittance was measured using a polyarylate film having a thickness of 100 μm and a U-4000 spectrophotometer manufactured by Hitachi, Ltd. In the polyarylate film used in the present invention, the light transmittance at 550 nm was 75 to 95% regardless of the type. (7) Photoelectric conversion efficiency The photoelectric conversion efficiency is determined by the short-circuit current JSC = 10 (mA / cm
2 ), open circuit voltage VOC = 700 (mV), fill factor FF
= 0.55.

【0042】実施例1〜6 撹拌装置を備えた反応容器中に、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン(ビスフェノールA)、
2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン(ビスフェノールC)もしくは2,2−ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン(TMBPA)などの二価フェノールモノマーに対し
て、水を30〜50重量倍、1.7モルパーセントのp
−tert−ブチルフェノール(PTBPと略す)、水
酸化ナトリウムを210〜400モルパーセント、重合
触媒であるトリ−n−ブチルベンジルアンモニウムクロ
ライドを1モルパーセント仕込んだ(水相)。これとは
別に、二価フェノールモノマーと当モルのテレフタル酸
クロライド/イソフタル酸クロライド=1/1混合物
(MPCと略す)を、MPCに対して15〜30重量倍
の塩化メチレンに溶解させた有機相を調製し、先の水相
中に強撹拌下で添加して、20℃で3時間重合反応を行
った。この後、反応溶液が弱酸性となるように酢酸を添
加して反応を停止し、水相と有機相を分離した。これ
を、有機相が中性となるまで水洗を繰り返し、その後、
メタノールを再沈溶媒とした再沈法を用いてポリアリレ
ート樹脂を得た。この樹脂を、塩化メチレンもしくはク
ロロホルムに溶解させ、50〜200μmのキャストフ
ィルムを製造した。
Examples 1 to 6 In a reaction vessel equipped with a stirrer, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (bisphenol A),
2,2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl)
Water is 30 to 50 times the weight of 1.7 mole percent of dihydric phenol monomer such as propane (bisphenol C) or 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane (TMBPA). P
-Tert-butylphenol (abbreviated as PTBP), 210 to 400 mol% of sodium hydroxide, and 1 mol% of tri-n-butylbenzylammonium chloride as a polymerization catalyst (aqueous phase). Separately from this, an organic phase obtained by dissolving a dihydric phenol monomer and an equimolar terephthalic acid chloride / isophthalic acid chloride 1/1 mixture (abbreviated as MPC) in 15 to 30 times by weight of methylene chloride with respect to MPC. Was added to the previous aqueous phase under vigorous stirring to carry out a polymerization reaction at 20 ° C. for 3 hours. Thereafter, acetic acid was added so that the reaction solution became weakly acidic to stop the reaction, and the aqueous phase and the organic phase were separated. This is repeatedly washed with water until the organic phase becomes neutral, and then
A polyarylate resin was obtained by a reprecipitation method using methanol as a reprecipitation solvent. This resin was dissolved in methylene chloride or chloroform to produce a cast film of 50 to 200 μm.

【0043】得られたポリアリレートフィルムを用い、
次に述べるようにして図1の断面図に示すような光電変
換素子を作成した。すなわち、ポリアリレートフィルム
1上にスパッタリング法により200nmの銀薄膜より
なる導電層2を形成し、引き続きプラズマCVD法によ
りn型アモルファスシリコン層3、ノンドープアモルフ
ァスシリコン層すなわちi型アモルファスシリコン層
8、p型アモルファスシリコン層4を形成した。このp
型アモルファスシリコン層4上に、酸化インジウムスズ
層(ITO層)からなる透明導電層5を形成し、さらに
銀薄膜をスパッタリングにより構築してグリット電極6
と取り出し電極7を形成した。このようにして得られた
光電変換素子を、大気下で100又は150℃で24時
間熱処理して、光電変換効率の変化を測定した。
Using the obtained polyarylate film,
As described below, a photoelectric conversion element as shown in the sectional view of FIG. 1 was prepared. That is, a conductive layer 2 made of a silver thin film of 200 nm is formed on a polyarylate film 1 by a sputtering method, and subsequently an n-type amorphous silicon layer 3, a non-doped amorphous silicon layer, that is, an i-type amorphous silicon layer 8, a p-type amorphous silicon layer 8 are formed by a plasma CVD method. An amorphous silicon layer 4 was formed. This p
A transparent conductive layer 5 made of an indium tin oxide layer (ITO layer) is formed on the amorphous silicon layer 4, and a silver thin film is formed by sputtering to form a grid electrode 6.
And an extraction electrode 7 were formed. The thus-obtained photoelectric conversion element was heat-treated at 100 or 150 ° C. for 24 hours in the air, and the change in photoelectric conversion efficiency was measured.

【0044】実施例7、8 撹拌装置を備えた反応容器中に、9,9−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)フルオレン(BPF)、9,9−ビ
スクレゾールフルオレン(BCF)に対し、水を30〜
50重量倍、1.7モルパーセントのPTBP、水酸化
ナトリウムを250〜400モルパーセント、重合触媒
であるトリ−n−ブチルベンジルアンモニウムクロライ
ドを1モルパーセント仕込んだ(水相)。これとは別
に、二価フェノールモノマーと当モルのMPCを、MP
Cに対して15〜30重量倍の塩化メチレンに溶解させ
た有機相を調製し、先の水相中に強撹拌下で添加して、
20℃で3時間重合反応を行った。この後、反応溶液が
弱酸性となるように酢酸を添加して反応を停止し、水相
と有機相を分離した。これを、有機相が中性となるまで
水洗を繰り返し、その後、温水造粒法を用いてポリアリ
レート樹脂を得た。この樹脂を用いて実施例1〜6と同
様の方法により光電変換素子を作製し、大気下で100
又は150℃に24時間加熱し、光電変換効率の変化を
測定した。
Examples 7 and 8 In a reaction vessel equipped with a stirrer, 30 parts of water were added to 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene (BPF) and 9,9-biscresolfluorene (BCF). ~
PTBP, 50 mol times, 1.7 mol% of PTBP, 250 to 400 mol% of sodium hydroxide, and 1 mol% of tri-n-butylbenzylammonium chloride as a polymerization catalyst were charged (aqueous phase). Separately from this, MPC equivalent to a dihydric phenol monomer is added to MPC.
An organic phase dissolved in 15 to 30 times by weight of methylene chloride with respect to C was prepared, and added to the previous aqueous phase with vigorous stirring.
The polymerization reaction was performed at 20 ° C. for 3 hours. Thereafter, acetic acid was added so that the reaction solution became weakly acidic to stop the reaction, and the aqueous phase and the organic phase were separated. This was repeatedly washed with water until the organic phase became neutral, and thereafter, a polyarylate resin was obtained by using a warm water granulation method. Using this resin, a photoelectric conversion element was produced in the same manner as in Examples 1 to 6,
Alternatively, it was heated to 150 ° C. for 24 hours, and the change in photoelectric conversion efficiency was measured.

【0045】実施例9、10 撹拌装置を備えた反応容器中に2,2−ビス(3,5−
ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(テトラ
メチルビスフェノールA)30モルパーセントと9,9
−ビスクレゾールフルオレン(BCF)70モルパーセ
ントの混合物を用い、この全量に対して水を30〜50
重量倍、1.7モルパーセントのPTBP、水酸化ナト
リウムを250〜400モルパーセント、重合触媒であ
るトリ−n−ブチルベンジルアンモニウムクロライドを
1モルパーセント仕込んだ(水相)。これとは別に、二
価フェノールモノマーと当モルのMPCを、MPCに対
して15〜30重量倍の塩化メチレンに溶解させた有機
相を調製し、先の水相中に強撹拌下で添加して、20℃
で3時間重合反応を行った。この後、反応溶液が弱酸性
となるように酢酸を添加して反応を停止し、水相と有機
相を分離した。これを、有機相が中性となるまで水洗を
繰り返し、その後、メタノールを再沈溶媒とした再沈法
を用いてポリアリレート樹脂を得た。この樹脂を用いて
実施例1〜6と同様の方法により光電変換素子を作製
し、大気下で。100又は150℃に24時間加熱し、
光電変換効率の変化を測定した。
Examples 9 and 10 In a reaction vessel equipped with a stirrer, 2,2-bis (3,5-
Dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane (tetramethylbisphenol A) 30 mole percent and 9.9
Using a mixture of 70 mole percent biscresol fluorene (BCF), with water
1.7 mol% of PTBP, 250 to 400 mol% of sodium hydroxide, and 1 mol% of tri-n-butylbenzylammonium chloride as a polymerization catalyst were charged (aqueous phase). Separately, an organic phase was prepared by dissolving MPC equivalent to the dihydric phenol monomer in an equimolar amount to methylene chloride at 15 to 30 times the weight of MPC, and added to the above aqueous phase with vigorous stirring. And 20 ° C
For 3 hours. Thereafter, acetic acid was added so that the reaction solution became weakly acidic to stop the reaction, and the aqueous phase and the organic phase were separated. This was repeatedly washed with water until the organic phase became neutral. Thereafter, a polyarylate resin was obtained by a reprecipitation method using methanol as a reprecipitation solvent. Using this resin, a photoelectric conversion element was produced in the same manner as in Examples 1 to 6, and under air. Heated to 100 or 150 ° C. for 24 hours,
The change in photoelectric conversion efficiency was measured.

【0046】比較例1〜10 実施例1〜10と同様の方法で重合して得たポリマー
を、有機相を中性となるまで洗浄し、そのまま有機層を
分離、乾燥して樹脂を得た。これらの樹脂を用いて実施
例1〜6と同様の方法により光電変換素子を作製し、大
気下で100又は150℃に24時間加熱し、光電変換
効率の変化を測定した。
Comparative Examples 1 to 10 A polymer obtained by polymerization in the same manner as in Examples 1 to 10 was washed until the organic phase became neutral, and the organic layer was separated and dried to obtain a resin. . Using these resins, photoelectric conversion elements were prepared in the same manner as in Examples 1 to 6, heated at 100 or 150 ° C. for 24 hours in the atmosphere, and the change in photoelectric conversion efficiency was measured.

【0047】比較例11〜15 実施例1〜10で用いたモノマーより数種を選び、これ
を用い、MPCを1.1〜1.25等量用いる以外は、
実施例と同様の方法により光電変換素子を作製し、大気
下で100又は150℃に24時間加熱し、光電変換効
率の変化を測定した。
Comparative Examples 11 to 15 Several kinds of monomers were selected from the monomers used in Examples 1 to 10, and these were used and 1.1 to 1.25 equivalents of MPC were used.
A photoelectric conversion element was produced in the same manner as in the example, heated at 100 or 150 ° C. for 24 hours in the atmosphere, and a change in photoelectric conversion efficiency was measured.

【0048】比較例16〜20 実施例1〜10で用いたモノマーより数種を選び、キャ
ストフィルムの乾燥時間を実施例の1/10〜1/2と
した以外は、実施例と同様の方法により光電変換素子を
作製し、大気下で100又は150℃に24時間加熱
し、光電変換効率の変化を測定した。上記、実施例1〜
10と比較例1〜20の結果を表1に示す。
Comparative Examples 16 to 20 The same method as in the examples except that several kinds were selected from the monomers used in the examples 1 to 10 and the drying time of the cast film was changed to 1/10 to 1/2 of the examples. Was prepared and heated at 100 or 150 ° C. in the atmosphere for 24 hours, and the change in photoelectric conversion efficiency was measured. Example 1
Table 1 shows the results of No. 10 and Comparative Examples 1 to 20.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】[0050]

【発明の効果】以上のように、本発明の光電変換素子
は、基板としてキャスティング法で製造され、かつ、残
留不純物が少ないポリアリレートフィルムを用いている
ので、大面化が可能で、曲面を持つ屋根や外壁への取り
付けが可能であり、また、光電変換層の形成時や使用時
のヒートサイクル、湿熱サイクルなどによる変換効率の
低下が少ないものとすることができる。また、ポリアリ
レートフィルムは透明性に優れているので、光電変換素
子の受光部分にこのフィルムを用いたものを作ることが
できる。
As described above, the photoelectric conversion element of the present invention is manufactured by the casting method as a substrate and uses a polyarylate film having a small amount of residual impurities. It can be attached to a roof or an outer wall, and a reduction in conversion efficiency due to a heat cycle, a wet heat cycle, or the like during formation or use of the photoelectric conversion layer can be reduced. Further, since the polyarylate film is excellent in transparency, a film using this film for the light receiving portion of the photoelectric conversion element can be produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による光電変換素子の構造の一例を示す
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of the structure of a photoelectric conversion element according to the present invention.

【図2】本発明による光電変換素子の構造の一例を示す
断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of the structure of the photoelectric conversion element according to the present invention.

【図3】本発明による光電変換素子の構造の一例を示す
断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing an example of the structure of the photoelectric conversion element according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ポリアリレートフィルム 2 導電層 3 n型アモルファスシリコン層(n層) 4 p型アモルファスシリコン層(p層) 5 透明導電層 6 グリット電極 7 取り出し電極 8 i型アモルファスシリコン層(i層) REFERENCE SIGNS LIST 1 polyarylate film 2 conductive layer 3 n-type amorphous silicon layer (n-layer) 4 p-type amorphous silicon layer (p-layer) 5 transparent conductive layer 6 grit electrode 7 extraction electrode 8 i-type amorphous silicon layer (i-layer)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 明彦 京都府宇治市宇治小桜23番地 ユニチカ株 式会社中央研究所内 (72)発明者 高木 伸哉 京都府宇治市宇治小桜23番地 ユニチカ株 式会社中央研究所内 (72)発明者 秋月 隆昌 京都府宇治市宇治小桜23番地 ユニチカ株 式会社中央研究所内 Fターム(参考) 5F051 AA05 BA03 BA12 BA18 CA02 CA03 CA04 CA15 DA03 DA04 FA03 FA04 FA06 GA05  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Akihiko Hasegawa 23 Uji Kozakura, Uji-city, Kyoto Prefecture Unitika Central Research Laboratory (72) Inventor Shinya Takagi 23 Uji Kozakura, Uji-city, Kyoto Unitika Central Research, Ltd. In-house (72) Inventor Takamasa Akizuki 23 Uji Kozakura, Uji City, Kyoto Prefecture Unitika Central Research Laboratories F-term (reference)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ポリアリレートフィルム上に導電層を介
して少なくとも1つのpn接合又はpin接合を持つ光
電変換層を有する光電変換素子において、前記ポリアリ
レートが式(1)で示す構造単位を有し、ポリアリレー
トフィルムにおける残留モノマー量が2000ppm以
下であり、ポリアリレートフィルムの光線透過率が55
0nmで50%以上であることを特徴とする光電変換素
子。 【化1】 〔式中R1 〜R8 は、各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、炭素数1〜5のアルキル基、アリル基、フェニル
基、ニトロ基を示し、Xは、単結合、酸素原子、硫黄原
子、アルキレン基、アルキリデン基、シクロアルキリデ
ン基、ハロ置換アルキレン基、ハロ置換アルキリデン
基、フェニルアルキリデン基、置換フェニルアルキリデ
ン基、カルボニル基、スルフォニル基、カルボキシルア
ルキレン基、カルボキシルアルキリデン基、アルコキシ
カルボニルアルキレン基、フルオレン基、置換フルオレ
ン基、イサチン基、アルキルシラン基、ジアルキルシラ
ン基からなる群から選ばれる。〕
1. A photoelectric conversion device having a photoelectric conversion layer having at least one pn junction or pin junction on a polyarylate film via a conductive layer, wherein the polyarylate has a structural unit represented by the formula (1). The amount of residual monomer in the polyarylate film is 2,000 ppm or less, and the light transmittance of the polyarylate film is 55
A photoelectric conversion element characterized by being 50% or more at 0 nm. Embedded image [Wherein R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an allyl group, a phenyl group, or a nitro group, and X represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom. , Alkylene group, alkylidene group, cycloalkylidene group, halo-substituted alkylene group, halo-substituted alkylidene group, phenylalkylidene group, substituted phenylalkylidene group, carbonyl group, sulfonyl group, carboxylalkylene group, carboxylalkylidene group, alkoxycarbonylalkylene group, fluorene Group, substituted fluorene group, isatin group, alkylsilane group, dialkylsilane group. ]
【請求項2】 ポリアリレートフィルムのカルボキシル
価が30モル/トン以下であることを特徴とする請求項
1記載の光電変換素子。
2. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the carboxyl number of the polyarylate film is 30 mol / ton or less.
【請求項3】 ポリアリレートフィルム中の残留触媒量
が1000ppm以下、残留アルカリ金属量が30pp
m以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の光
電変換素子。
3. The amount of the residual catalyst in the polyarylate film is 1000 ppm or less, and the amount of the residual alkali metal is 30 pp.
The photoelectric conversion element according to claim 1 or 2, wherein m is equal to or less than m.
【請求項4】 ポリアリレートフィルムに残留している
溶媒及び水分の量が、常温、常圧でそれぞれ2000p
pm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれ
かに記載の光電変換素子。
4. The amount of solvent and water remaining in the polyarylate film is 2000 p each at normal temperature and normal pressure.
The photoelectric conversion element according to any one of claims 1 to 3, which is not more than pm.
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