JP2000243743A - Organic molecular film removal device using ultraviolet rays and removal thereof - Google Patents

Organic molecular film removal device using ultraviolet rays and removal thereof

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JP2000243743A
JP2000243743A JP31434599A JP31434599A JP2000243743A JP 2000243743 A JP2000243743 A JP 2000243743A JP 31434599 A JP31434599 A JP 31434599A JP 31434599 A JP31434599 A JP 31434599A JP 2000243743 A JP2000243743 A JP 2000243743A
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Japan
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substrate
film
wavelength
irradiation
tft array
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JP31434599A
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Japanese (ja)
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Kazuo Terada
和夫 寺田
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Original Assignee
International Business Machines Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a simple method for completely removing an organic molecular film on a substrate. SOLUTION: An organic high-molecular film to be removed on a substrate is exposed to ultraviolet rays of a wavelength of 180 nm or shorter, whereby the film is completely decomposed and can be removed. Moreover, since the ultraviolet rays of the wavelength of 180 nm or shorter are hardly transmitted to a transparent conductive oxide, such as an ITO(indium-tin oxide), the rays can be used for removing a polyimide orientation film having defects, such as a defective printing, on a TFT array board with an ITO transparent electrode pattern formed on the surface of the structure of a TFT. By having the polyimide orientation film on the TFT array board irradiated with the rays of wavelength of 180 nm or shorter, the defect orientation film on the TFT array board can be completely removed, without giving adverse effects to the characteristics of the TFT. After that, the defective orientation film is again sent to an orientation film forming process. Similarly, by having the TFT array board irradiated with the rays of the wavelength of 180 nm or shorter prior to an adhesion of an orientation film to the TFT array board, impurities in the TFT array board can be also removed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機分子膜の除去
方法に関し、特に、液晶表示装置のカラーフィルター基
板の製造における、配向膜としてのポリイミド膜を完全
に除去する簡便な方法に関する。ポリイミド膜の完全な
除去は、カラーフィルター基板の再生(rework)には必
須である。また、本発明は、アレイ基板上の有機分子膜
の除去方法に関する。
The present invention relates to a method for removing an organic molecular film, and more particularly to a simple method for completely removing a polyimide film as an alignment film in manufacturing a color filter substrate of a liquid crystal display device. Complete removal of the polyimide film is essential for reworking the color filter substrate. The present invention also relates to a method for removing an organic molecular film on an array substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置セルの製造工程では、基板
上にカラーフィルター構造やアレイ構造を形成した後、
液晶分子を配向させる有機高分子膜を形成する工程があ
る。ここで、有機高分子膜としてポリイミド樹脂(P
I)やポリビニルアルコール(PVA)などの膜が用いら
れ、印刷あるいはスピンコートにより基板上に全面付着
される。その後、焼成されラビングなどの配向処理が施
されて、配向膜が形成される。しかし、ここで形成され
た有機高分子配向膜に欠陥があった場合、基板全体が不
良基板として廃棄されていた。表示装置の高密度高精細
化のために、非常に高度な製造技術を要して作られたカ
ラーフィルター構造やアレイ構造を含む基板を、みすみ
す廃棄してしまうことは、製造コストを増加させる。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a liquid crystal display device cell, after a color filter structure or an array structure is formed on a substrate,
There is a step of forming an organic polymer film for aligning liquid crystal molecules. Here, a polyimide resin (P
A film such as I) or polyvinyl alcohol (PVA) is used, and is adhered to the entire surface of the substrate by printing or spin coating. Then, it is baked and subjected to an alignment treatment such as rubbing to form an alignment film. However, when the organic polymer alignment film formed here has a defect, the entire substrate has been discarded as a defective substrate. Discarding and discarding a substrate including a color filter structure and an array structure manufactured by using a very advanced manufacturing technique for high density and high definition of a display device increases manufacturing cost.

【0003】そこで、欠陥のある有機高分子配向膜をい
ったん剥離し、改めて成膜して再生することが試みられ
ている。有機高分子膜の剥離には、現在半導体製造工程
などでフォトレジストを除去する技術が応用されてい
る。たとえば、ウエットエッチング法として、溶剤によ
り溶解除去する方法がある。ポリイミド膜の場合、溶剤
としてγ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン(N
MP)などがあるが、このような溶剤を用いても完全に
ポリイミドを除去することができず、基板表面に10〜
100Å程度のポリイミドが残ってしまう。また、ドラ
イエッチング法として、プラズマエッチング法やオゾン
アッシング法がある。これらの手法により、ポリイミド
の完全な除去が期待できるが、そのためには真空装置
や、専用のオゾン発生器を必要とし、他の手法に比べて
比較的高額で複雑な装置及び工程を要するので、実用化
に至っていない。また、基板を回転させたり揺動させた
りする必要があり、いろいろなサイズの基板、特に60
0×720mmのような大型基板に対応することが難し
いといった欠点もある。
[0003] Therefore, attempts have been made to peel off the defective organic polymer alignment film once, form a new film, and regenerate the film. At present, a technique for removing a photoresist in a semiconductor manufacturing process or the like is applied to the peeling of the organic polymer film. For example, as a wet etching method, there is a method of dissolving and removing with a solvent. In the case of a polyimide film, γ-butyrolactone and N-methylpyrrolidone (N
MP) and the like, but polyimide cannot be completely removed even by using such a solvent, and 10 to 10
About 100 ° of polyimide remains. As a dry etching method, there are a plasma etching method and an ozone ashing method. With these methods, complete removal of polyimide can be expected, but for that, a vacuum device and a dedicated ozone generator are required, and relatively expensive and complicated devices and processes are required as compared with other methods, It has not been put to practical use. Further, it is necessary to rotate or swing the substrate, and substrates of various sizes, in particular, 60
There is also a disadvantage that it is difficult to cope with a large substrate such as 0 × 720 mm.

【0004】特開平6−202111号は、ポリイミド
液晶配向膜の除去方法として、波長が230〜300n
mの紫外線を照射した後、極性溶媒またはアルカリ溶剤
などに浸漬することが記載されている。しかし、波長2
30〜300nmの紫外線は、下層のITO(Indium-T
in-Oxide)透明導電膜を、わずか数%程度だが、透過し
て、その下のカラーフィルターの色素に褪色などのダメ
ージを与えることがわかった。また、波長230〜30
0nmの紫外線の照射だけでは、ポリイミド膜を完全に
除去できないことがわかった。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-202111 discloses a method of removing a polyimide liquid crystal alignment film having a wavelength of 230 to 300 nm.
It describes that after irradiating m ultraviolet rays, it is immersed in a polar solvent or an alkaline solvent. However, wavelength 2
Ultraviolet light of 30 to 300 nm is irradiated with ITO (Indium-T
In-Oxide) It was found that only a few percent of the transparent conductive film was transmitted, causing damage such as fading to the dye of the color filter thereunder. In addition, the wavelength 230 to 30
It was found that the polyimide film could not be completely removed only by the irradiation of 0 nm ultraviolet rays.

【0005】上述したように、従来は、液晶表示装置セ
ル用基板上の有機高分子膜の印刷不良やラビングなどの
配向処理中の損傷などによる欠陥をリワークすべく、該
有機高分子膜を完全に除去する適当な方法がなかった。
液晶表示装置の製造歩留まりを向上させ、製造コストを
低くするためには、基板上に付着されたポリイミドなど
の有機高分子膜を、完全に除去する安価で簡便な方法が
希求されている。
As described above, conventionally, the organic polymer film on the liquid crystal display cell substrate is completely reworked in order to rework defects such as defective printing or damage during alignment treatment such as rubbing. There was no suitable method for removal.
In order to improve the production yield of the liquid crystal display device and reduce the production cost, there is a need for an inexpensive and simple method for completely removing the organic polymer film such as polyimide adhered to the substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
上の有機高分子膜を完全に除去する簡便な方法を提供す
ることである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a simple method for completely removing an organic polymer film on a substrate.

【0007】本発明の他の目的は、液晶表示装置の製造
における、配向膜としてのポリイミド膜を完全に除去す
る簡便な方法を提供することである。ポリイミド膜の完
全な除去は、基板の再生(rework)には必須である。従
って、本発明のもう1つの目的は、液晶表示装置セルの
製造歩留まりを向上させる方法を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a simple method for completely removing a polyimide film as an alignment film in manufacturing a liquid crystal display device. Complete removal of the polyimide film is essential for substrate rework. Accordingly, another object of the present invention is to provide a method for improving the manufacturing yield of a liquid crystal display device cell.

【0008】本発明の他の目的は、基板上の有機高分子
膜をも完全に除去する簡便な装置を提供することであ
る。
Another object of the present invention is to provide a simple apparatus for completely removing an organic polymer film on a substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
の除去すべき有機高分子膜を、波長が180nm以下の
紫外線に露出することで、分解除去することができる。
このような除去方法は、たとえば、液晶表示装置の製造
における、ポリイミドなどの有機高分子よりなる配向膜
を、再生のために除去する際に有用である。
According to the present invention, an organic polymer film to be removed on a substrate can be decomposed and removed by exposing it to ultraviolet light having a wavelength of 180 nm or less.
Such a removing method is useful, for example, when removing an alignment film made of an organic polymer such as polyimide in the production of a liquid crystal display device for reproduction.

【0010】そのメカニズムは、図1に示されるよう
に、照射された紫外線のエネルギーによる有機分子の各
結合の切断作用、及び、紫外線エネルギーによって励起
された雰囲気中の酸素による酸化作用とが考えられる。
一般に有機分子に含まれる主な各原子間の結合エネルギ
ー(eV/分子)は、C−N結合(3.02)、C−C
結合(3.60)、C−H結合(4.29)、C=C結
合(6.29)などである。従来の出力波長254nm
の低圧水銀灯からの紫外線のエネルギー E=hc/eλ (ただし、hはプランク定数(6.626×10
-34[J・sec])、cは光速(2.998×10
8[m/sec])、eは電子1個のエネルギー(1.
602×10-19[J/eV])、λは光の波長[m]
である。)は、4.88eVであり、C=C結合の結合
エネルギーより低い。つまり、波長が254nmの紫外
線照射では、C=C結合が切断されないことがわかる。
これでは、たとえば、あるポリイミド構造
As shown in FIG. 1, the mechanism is considered to be the breaking action of each bond of the organic molecule by the energy of the irradiated ultraviolet light, and the oxidizing action by oxygen in the atmosphere excited by the ultraviolet energy. .
Generally, the bond energy (eV / molecule) between main atoms contained in an organic molecule is represented by a C—N bond (3.02), a C—C
Bond (3.60), CH bond (4.29), C 、 C bond (6.29) and the like. Conventional output wavelength 254nm
E = hc / eλ where h is the Planck constant (6.626 × 10
-34 [Jsec]), c is the speed of light (2.998 × 10
8 [m / sec]), and e is the energy of one electron (1.
602 × 10 -19 [J / eV]), and λ is the wavelength of light [m].
It is. ) Is 4.88 eV, which is lower than the binding energy of the C = C bond. In other words, it can be seen that the C = C bond is not broken by irradiation with ultraviolet light having a wavelength of 254 nm.
So, for example, a polyimide structure

【化1】 における、ピロメリット酸部分や、縮合環部分は分解さ
れずに残ってしまう。一方、波長が180nmの紫外線
は、C=C結合を切断するのに十分な、6.89eVの
エネルギーを与えることができる。従って、ほとんどの
有機分子に含まれる原子間結合を切断し、分解すること
ができる。
Embedded image In the above, the pyromellitic acid portion and the condensed ring portion remain without being decomposed. On the other hand, ultraviolet light having a wavelength of 180 nm can provide energy of 6.89 eV, which is sufficient to break the C = C bond. Therefore, it is possible to break and decompose interatomic bonds contained in most organic molecules.

【0011】また、紫外線照射された雰囲気中の酸素
は、
The oxygen in the atmosphere irradiated with ultraviolet rays is

【化2】 で示されるように、励起酸素原子O*を生成する。この
励起酸素原子O*は、紫外線で切断された各原子あるい
は原子団と容易に反応し、たとえば、C、N、及びHの
各原子を、それぞれ、CO2、NOx、及びH2O分子と
する。これらは、気体分子として、基板から雰囲気中へ
移動するので、排気によって容易に除去される。あるい
は、励起酸素原子が直接、有機分子を攻撃し、酸化し
て、同様の酸化物気体分子を生成することも考えられ
る。
Embedded image As shown in the above, an excited oxygen atom O * is generated. This excited oxygen atom O * easily reacts with each atom or atomic group cut by ultraviolet rays, for example, by converting C, N, and H atoms into CO 2 , NO x , and H 2 O molecules, respectively. And Since these move from the substrate to the atmosphere as gas molecules, they are easily removed by evacuation. Alternatively, it is conceivable that an excited oxygen atom directly attacks an organic molecule and oxidizes it to generate a similar oxide gas molecule.

【0012】しかし、波長が180nmより短い紫外線
は、その高いエネルギーのために、除去すべき有機高分
子膜の下の構造に含まれる、必要な材料をも分解するな
どの損傷を与えるおそれがある。たとえば、液晶表示装
置におけるカラーフィルター基板では、その色素部が直
接紫外線に露出されると、褪色などのダメージを被る。
ところが、通常、カラーフィルター基板は、色素部の表
面にITOやIZO(Indium-Zinc-Oxide)の透明電極
パターンが形成されており、これらの材料は、180n
m以下の波長の紫外線をほとんど透過せず、色素部の保
護膜となることがわかった。従って、本発明の方法によ
れば、従来は困難だった、カラーフィルター構造を含む
基板上のポリイミド配向膜の除去も、容易に実施でき
る。
However, ultraviolet rays having a wavelength shorter than 180 nm may cause damage such as decomposition of necessary materials contained in the structure below the organic polymer film to be removed due to its high energy. . For example, in a color filter substrate of a liquid crystal display device, if the dye portion is directly exposed to ultraviolet rays, the dye portion suffers damage such as fading.
However, usually, a color filter substrate has a transparent electrode pattern of ITO or IZO (Indium-Zinc-Oxide) formed on the surface of a dye portion, and these materials have a thickness of 180 nm.
It was found that almost no ultraviolet light having a wavelength of less than m was transmitted, and the film formed a protective film for the dye portion. Therefore, according to the method of the present invention, the removal of the polyimide alignment film on the substrate including the color filter structure, which was conventionally difficult, can be easily performed.

【0013】一方、液晶表示装置における典型的なアレ
イ基板(図4(a))では、その半導体層が直接紫外線
に露出されると、トランジスタ特性に悪影響が生じた
り、そのゲート絶縁膜では、電荷がチャージされるなど
の不都合が生じる。例えば、TFT特性は、ゲートしき
い値電圧Vthが低くシフトし、ドレインオフ電流Io
ffが上昇するといった傾向の特性変化が生じる。その
結果、保持した電荷のリークが大きくなり、液晶表示装
置においては輝点(画素の常時白表示)など表示品質不
良の原因となる。しかし、図4(b)に示す有機膜付き
アレイ基板構造においては、TFT素子部最表面をIT
OやIZOで覆う構造によって、下層の半導体層が保護
されることがわかった。この有機膜付きアレイ構造は、
TFT素子を備えたアクティブマトリックス基板の開口
率を向上すべく、TFT構造上に有機絶縁膜を介して透
明電極を設ける構造となっている。従って、この有機膜
付きアレイ基板構造を含む基板上のポリイミド配向膜の
除去も、容易に実施できる。
On the other hand, in a typical array substrate of a liquid crystal display device (FIG. 4A), when the semiconductor layer is directly exposed to ultraviolet rays, the transistor characteristics are adversely affected, and the gate insulating film has an electric charge. Inconveniences such as charging are caused. For example, in the TFT characteristics, the gate threshold voltage Vth shifts low and the drain off current Io
A characteristic change in which ff rises occurs. As a result, the leakage of the retained charges increases, which causes display quality defects such as bright spots (always white display of pixels) in the liquid crystal display device. However, in the array substrate structure with an organic film shown in FIG.
It was found that the lower semiconductor layer was protected by the structure covered with O or IZO. This array structure with an organic film
In order to improve the aperture ratio of an active matrix substrate having a TFT element, a transparent electrode is provided on the TFT structure via an organic insulating film. Therefore, removal of the polyimide alignment film on the substrate including the array substrate structure with the organic film can be easily performed.

【0014】これら基板上に形成されているITOまた
はIZOの透明導電性膜の厚さは、可視光領域の高い透
過率を維持するために、通常1500Å程度であるが、
180nm以下の紫外線を遮蔽するには十分である。
The thickness of the transparent conductive film of ITO or IZO formed on these substrates is usually about 1500 ° in order to maintain a high transmittance in the visible light region.
It is enough to shield ultraviolet rays of 180 nm or less.

【0015】さらに、上述のメカニズムに鑑みれば、分
解、除去される対象は、有機高分子膜に限らず、様々な
有機分子に及ぶことが容易に理解されよう。そのような
有機分子には、製造工程中に基板に付着する不純物も含
まれる。従って、本願発明の除去装置及び方法は、例え
ば、液晶表示装置だけでなく、半導体装置などマイクロ
エレクトロニクス製品の製造プロセスにおけるレジスト
残さの除去、洗浄残さの除去、表面不純物の洗浄などに
も有用に適用できる。
Further, in view of the above mechanism, it can be easily understood that the object to be decomposed and removed is not limited to the organic polymer film but extends to various organic molecules. Such organic molecules also include impurities that adhere to the substrate during the manufacturing process. Therefore, the removal apparatus and method of the present invention are usefully applied to, for example, removal of resist residues, removal of cleaning residues, cleaning of surface impurities, and the like in a manufacturing process of microelectronic products such as semiconductor devices as well as liquid crystal display devices. it can.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本願発明は、基板上の除去すべき
有機高分子膜を、波長が180nm以下の紫外線に露出
することで、分解除去するものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, an organic polymer film to be removed on a substrate is decomposed and removed by exposing it to ultraviolet light having a wavelength of 180 nm or less.

【0017】図2は、本願発明を実施するのに適した除
去装置を模式的に示す。この除去装置100は、チャン
バ101内に、紫外線照射装置110と、基板50を載
置し照射位置に設定する照射ステージ120と、紫外線
照射に伴って発生するオゾンO3を安全に除去するため
のオゾン・フィルタ130及びオゾン・センサ140と
を備えた構造になっている。さらに、チャンバ101内
に、除去すべき有機高分子膜など有機分子を有する基板
を搬入する搬入コンベア150、及び有機高分子膜など
有機分子が除去された基板を搬出するための搬出コンベ
ア160を備えていることが望ましい。さらに、必要に
応じて、除去すべき有機高分子膜など有機分子が完全に
除去されたことをモニタする手段170を備えることが
望ましい。
FIG. 2 schematically shows a removing apparatus suitable for carrying out the present invention. The removal apparatus 100 includes an ultraviolet irradiation apparatus 110, an irradiation stage 120 on which the substrate 50 is placed and set at an irradiation position, and an ozone O 3 generated by the irradiation of the ultraviolet light. The structure includes an ozone filter 130 and an ozone sensor 140. The chamber 101 further includes a carry-in conveyor 150 for carrying a substrate having organic molecules such as an organic polymer film to be removed and a carry-out conveyor 160 for carrying out a substrate from which organic molecules such as an organic polymer film have been removed. Is desirable. Further, if necessary, it is desirable to provide a means 170 for monitoring that organic molecules such as an organic polymer film to be removed are completely removed.

【0018】本発明に有用な紫外線照射装置110は、
180nm以下の波長を主として出力するものである。
その出力は、除去する有機高分子膜など有機分子の種類
及び膜厚によって異なるが、少なくとも、約4mW/c
2、好ましくは、約8mW/cm2以上であることが望
ましい。そのような紫外線照射装置としては、たとえば
ウシオ電機株式会社(東京都千代田区大手町2−6−
1)やホ−ヤショット株式会社(東京都新宿区新宿3−
23−7)から入手することができるエキシマランプ
(商品名)がある。このエキシマランプは、172nm
の波長で、4〜30mW/cm2の紫外線を出力するこ
とができる。この他に、D2ランプ(重水素ランプ)
や、アルゴン・ランプ、クリプトン・ランプなどがあ
る。
The ultraviolet irradiation device 110 useful for the present invention is:
It mainly outputs a wavelength of 180 nm or less.
The output depends on the type and thickness of organic molecules such as an organic polymer film to be removed, but at least about 4 mW / c
m 2 , preferably about 8 mW / cm 2 or more. As such an ultraviolet irradiation device, for example, USHIO Inc. (2-6 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo)
1) Heya Shot Co., Ltd. (Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 3-
There is an excimer lamp (trade name) available from 23-7). This excimer lamp is 172 nm
At a wavelength of 4 to 30 mW / cm 2 . In addition, D2 lamp (deuterium lamp)
And argon lamps and krypton lamps.

【0019】前記化学式2で示したように、チャンバ雰
囲気中の酸素は、紫外線が照射されることで、励起酸素
原子と共にオゾンを生成する。本願発明で使用する波長
が180nm以下の紫外線は、高いエネルギーを備えて
おり、通常の環境内で照射すると、紫外線照射装置直下
で1000ppmを越える濃度のオゾンまたは励起酸素
原子が生成されることがわかっている。この濃度は、通
常の有機分子を除去するのに十分であり、従って、追加
のオゾン発生装置を備える必要はない。オゾンは周知の
ように、毒作用が強く、人体に有害なので、必ずチャン
バ内で分解し、安全な物質に変換した後でなければ、チ
ャンバ外に排気してはならない。従って、チャンバ内の
オゾン濃度を監視するオゾン・センサ140と、オゾン
を安全に除去するためのオゾン・フィルタ130が必要
である。これらは、周知慣用の装置を利用することがで
きる。また、オゾンがチャンバ101外に漏洩しないよ
う、チャンバ101は十分シールされていなければなら
ない。しかしその一方で、除去すべき有機高分子膜など
有機分子の除去中に、チャンバ雰囲気中では、酸素が消
費され、CO2、NOx、H2Oなどの分解生成物が増加
するので、チャンバ内を一定の雰囲気に保つため、適切
な吸排気の手段(図示せず)を備えていることが望まし
い。
As shown in the chemical formula 2, oxygen in the chamber atmosphere generates ozone together with excited oxygen atoms when irradiated with ultraviolet rays. The ultraviolet light having a wavelength of 180 nm or less used in the present invention has high energy, and it can be seen that when irradiated in a normal environment, ozone or excited oxygen atoms having a concentration exceeding 1000 ppm are generated directly under the ultraviolet irradiation device. ing. This concentration is sufficient to remove normal organic molecules, and therefore does not require an additional ozone generator. As is well known, ozone has a strong poisoning effect and is harmful to the human body, so it must be decomposed in the chamber and exhausted to the outside of the chamber only after being converted into a safe substance. Therefore, an ozone sensor 140 for monitoring the ozone concentration in the chamber and an ozone filter 130 for safely removing ozone are required. These can utilize the well-known and usual apparatus. The chamber 101 must be sufficiently sealed so that ozone does not leak out of the chamber 101. However, on the other hand, during the removal of the organic molecules such as the organic polymer film to be removed, oxygen is consumed in the chamber atmosphere, and decomposition products such as CO 2 , NO x , and H 2 O increase. In order to maintain the inside of the inside at a constant atmosphere, it is desirable to provide appropriate intake and exhaust means (not shown).

【0020】基板を運搬、支持するための照射ステージ
120、並びに搬入コンベア150及び搬出コンベア1
60は、当業者には周知のものである。照射ステージ1
20は、照射位置を設定するために水平及び垂直方向に
可動でかつ適当な位置で固定できるものとして、X−Y
ステージ及びZステージがある。
An irradiation stage 120 for transporting and supporting a substrate, and a carry-in conveyor 150 and a carry-out conveyor 1
60 is well known to those skilled in the art. Irradiation stage 1
Reference numeral 20 denotes an X-Y as movable in the horizontal and vertical directions for setting the irradiation position and can be fixed at an appropriate position.
There is a stage and a Z stage.

【0021】また、任意で、基板を加熱する手段を備え
ることもできる。例えば、基板温度を100〜120℃
とすることで、有機分子の除去される速度が3倍程度速
くなる。基板を加熱する手段としては、照射ステージ表
面の温度が調節できるように、照射ステージにヒータを
組み込んでもよく、あるいはチャンバ全体の温度を調節
するように、温度調節装置のついたチャンバを用いても
よい。
Optionally, means for heating the substrate may be provided. For example, a substrate temperature of 100 to 120 ° C.
By doing so, the speed at which the organic molecules are removed is increased about three times. As a means for heating the substrate, a heater may be incorporated in the irradiation stage so that the temperature of the irradiation stage surface can be adjusted, or a chamber equipped with a temperature control device may be used to adjust the temperature of the entire chamber. Good.

【0022】除去すべき有機高分子膜など有機分子が完
全に除去されたことをモニタする手段170としては、
基板表面に、赤外線などの電磁放射波を照射し、その反
射波または散乱波のスペクトルなどにより、基板表面の
情報を得るものや、有機分子に紫外線が照射されて分解
生成したCO2、NOxなどの物質のチャンバ内濃度を測
定するものが考えられる。必要以上の紫外線を基板に照
射することは、基板に望ましくない損傷を与えかねない
ので、除去すべき有機高分子膜など有機分子が完全に除
去された時点で、照射を終了することが望ましい。その
ために、モニタ手段170が除去の終了を感知したら、
照射装置110に照射を終了するよう信号を送るような
構成を備えることもできる。
The means 170 for monitoring the complete removal of organic molecules such as the organic polymer film to be removed includes:
The substrate surface is irradiated with electromagnetic radiation such as infrared rays, and information on the substrate surface is obtained by the spectrum of reflected or scattered waves, or CO 2 and NO x generated by decomposition when organic molecules are irradiated with ultraviolet rays. It is conceivable to measure the concentration of such a substance in the chamber. Irradiating the substrate with unnecessarily more ultraviolet light may cause undesired damage to the substrate. Therefore, it is desirable to terminate the irradiation when organic molecules such as an organic polymer film to be removed are completely removed. Therefore, when the monitoring means 170 detects the end of the removal,
A configuration that sends a signal to the irradiation device 110 to end irradiation may be provided.

【0023】代替案として、紫外線照射装置からの出力
をモニタする照度計を備えることもできる。この場合、
紫外線の照射量に基づいて、照射時間を決定する。
As an alternative, an illuminometer for monitoring the output from the ultraviolet irradiation device can be provided. in this case,
The irradiation time is determined based on the irradiation amount of the ultraviolet rays.

【0024】本願発明は、特に、従来は困難だった、液
晶表示装置を形成する各基板上のポリイミド配向膜の除
去を伴う再生に有用である。ここでは、このカラーフィ
ルター基板の製造を例として説明するが、当業者には、
本願発明が他の基板上の有機高分子膜の除去にも適用可
能であることが容易に理解されよう。
The invention of the present application is particularly useful for reproduction involving removal of a polyimide alignment film on each substrate forming a liquid crystal display, which has been difficult in the past. Here, the manufacture of this color filter substrate will be described as an example.
It will be easily understood that the present invention is applicable to removal of the organic polymer film on another substrate.

【0025】通常の液晶表示装置用カラーフィルター基
板は、図3に示すような構造を有する。カラーフィルタ
ー基板は、透明基板の上に、ブラックマトリックスのパ
ターン及び色素部を含む構造が形成されている。色素部
の上に透明電極として、ITO、IZOなどの透明導電
性酸化物の層が形成される。透明導電性酸化物の層は、
カラーフィルター基板に要求される導電率および透過率
などのパラメータに依存するが、少なくとも、数100
Å、通常は約1300〜約1700Åの厚みを有する。
A typical color filter substrate for a liquid crystal display has a structure as shown in FIG. The color filter substrate has a structure including a black matrix pattern and a dye portion formed on a transparent substrate. A layer of a transparent conductive oxide such as ITO or IZO is formed as a transparent electrode on the dye portion. The transparent conductive oxide layer is
It depends on parameters such as conductivity and transmittance required for the color filter substrate.
Å, usually about 1300 to about 1700Å.

【0026】カラーフィルター基板上に配向膜が形成さ
れる。配向膜として、ポリイミド樹脂などの有機高分子
膜が用いられ、印刷あるいはスピンコートにより基板上
に全面付着される。有機高分子膜は、約1000Åまで
の、通常は約600〜約800Åの厚みを有する。有機
高分子膜は、付着後、焼成され、ラビングやエネルギー
線照射などの配向処理が施されて配向膜が完成する。得
られた配向膜は目視検査または自動光学検査機により検
査され、印刷不良、異物付着、傷や剥がれなどの欠陥が
検出されたものは、カラーフィルター基板ごと不良基板
として再生工程に供される。再生工程は、欠陥のある配
向膜をカラーフィルター基板から除去する工程と、再度
配向膜を形成する工程とを含む。
An alignment film is formed on the color filter substrate. As the alignment film, an organic polymer film such as a polyimide resin is used, and is attached to the entire surface of the substrate by printing or spin coating. The organic polymer membrane has a thickness of up to about 1000 °, usually about 600 to about 800 °. After attachment, the organic polymer film is baked and subjected to an alignment treatment such as rubbing or energy beam irradiation to complete an alignment film. The obtained alignment film is inspected by a visual inspection or an automatic optical inspection machine, and when a defect such as printing failure, foreign matter adhesion, scratch or peeling is detected, the color filter substrate together with the color filter substrate is subjected to a regeneration process as a defective substrate. The regeneration step includes a step of removing the defective alignment film from the color filter substrate and a step of forming the alignment film again.

【0027】本願発明の有機高分子膜除去装置100を
用いて、欠陥配向膜をカラーフィルター基板から除去す
る。まず、不良基板50をチャンバ101に搬入する。
搬入には、搬入コンベア150を用いてもよい。搬入さ
れた基板50は、チャンバ内の照射ステージ120に固
定され、次いで、適正な照射範囲に入るように水平位置
が決められる。さらに、適正な照射距離(約5mm以
下、好ましくは約1〜約2mm)に置かれるように垂直
位置が決められる。基板50が適正な照射位置に設定さ
れるよう、水平及び垂直位置の微調整が行われた後、基
板50の位置が固定される。
The defect alignment film is removed from the color filter substrate using the organic polymer film removing device 100 of the present invention. First, the defective substrate 50 is carried into the chamber 101.
The carry-in conveyor 150 may be used for carrying in. The loaded substrate 50 is fixed to the irradiation stage 120 in the chamber, and then the horizontal position is determined so as to enter an appropriate irradiation range. Further, the vertical position is determined so as to be placed at a proper irradiation distance (about 5 mm or less, preferably about 1 to about 2 mm). After fine adjustment of the horizontal and vertical positions is performed so that the substrate 50 is set at an appropriate irradiation position, the position of the substrate 50 is fixed.

【0028】次に、紫外線照射装置110から波長18
0nm以下の紫外線が放射され、不良基板50上の除去
すべき有機高分子膜60であるポリイミド配向膜は、紫
外線に露出される。基板50への照射は、経験的に決め
られた時間だけ行ってもよく、また、前述したモニタ手
段170によって、膜60が完全に基板50上から除去
されたことが確認された時点で終了してもよい。照射時
間は、除去する有機高分子膜の種類及び膜厚、並びに照
射する紫外線の波長や出力などのパラメータによって異
なるが、通常数分〜数10分のオーダである。たとえ
ば、約700Åのポリイミド樹脂配向膜の場合、波長が
172nmの紫外線(光源照度8mW/cm2)が、約
10〜約30分照射される。紫外線の照射中に発生した
オゾンは、オゾン・センサで監視され、オゾン・フィル
タによって処理される。また、有機高分子膜からの分解
生成物は、適当な方法で排出される。
Next, a wavelength of 18
Ultraviolet rays of 0 nm or less are emitted, and the polyimide alignment film, which is the organic polymer film 60 to be removed, on the defective substrate 50 is exposed to the ultraviolet rays. Irradiation to the substrate 50 may be performed only for an empirically determined time, and is terminated when the monitoring means 170 confirms that the film 60 has been completely removed from the substrate 50. You may. The irradiation time varies depending on parameters such as the type and thickness of the organic polymer film to be removed and the wavelength and output of the irradiated ultraviolet light, but is usually on the order of several minutes to several tens of minutes. For example, in the case of a polyimide resin alignment film of about 700 °, ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm (illuminance of light source: 8 mW / cm 2 ) are irradiated for about 10 to about 30 minutes. Ozone generated during the irradiation of ultraviolet rays is monitored by an ozone sensor and processed by an ozone filter. Decomposition products from the organic polymer film are discharged by an appropriate method.

【0029】基板上から除去すべき有機高分子膜である
欠陥配向膜が除去されて、紫外線の照射が停止された
後、照射ステージに固定されていた基板50は、固定を
解除され、たとえば搬出コンベア160によって、チャ
ンバ101から搬出される。紫外線照射後のカラーフィ
ルター基板は、完全にポリイミド配向膜が除去され、さ
らなる洗浄をする必要はない。また、色素部はITO透
明導電膜またはIZO透明電極で保護されているので、
褪色などのダメージはなく、カラーフィルター基板は劣
化することなく再生され得る。
After the defect alignment film, which is the organic polymer film to be removed, is removed from the substrate and the irradiation of the ultraviolet rays is stopped, the substrate 50 fixed to the irradiation stage is released, and the substrate 50 is unloaded. It is carried out of the chamber 101 by the conveyor 160. The polyimide alignment film is completely removed from the color filter substrate after the irradiation with the ultraviolet light, and there is no need for further cleaning. In addition, since the dye portion is protected by the ITO transparent conductive film or the IZO transparent electrode,
There is no damage such as fading, and the color filter substrate can be reproduced without deterioration.

【0030】欠陥配向膜が完全に除去されたカラーフィ
ルター基板は、改めて、配向膜形成工程を経ることによ
って再生されることができる。
The color filter substrate from which the defective alignment film has been completely removed can be regenerated by performing an alignment film forming step again.

【0031】[0031]

【実施例1】透明電極として約1500Åの厚さのIT
O膜を有するカラーフィルター基板を用意し、その上に
約700Åの厚さのポリイミド樹脂を付着したものをサ
ンプル基板として用意した。サンプル基板を、波長が1
72nmの紫外線(光源照度:7.8mW/cm2
に、30分間露出した。
[Example 1] As a transparent electrode, an about 1500 mm thick IT
A color filter substrate having an O film was prepared, and a polyimide resin having a thickness of about 700 ° was adhered thereon to prepare a sample substrate. When the sample substrate is
72 nm ultraviolet light (light source illuminance: 7.8 mW / cm 2 )
For 30 minutes.

【0032】紫外線照射前後のサンプル基板の表面を、
X線光電子分光法(XPS)で測定した結果を、図5に
示す。図5(a)に示されるように、照射前のサンプル
基板表面には、C,N,及びOの各原子の存在が確認さ
れ、よって、ポリイミド樹脂が基板表面を覆っているこ
とがわかる。一方、図5(b)に示されるように、照射
後のサンプル基板表面には、Nが存在せず、Oの存在、
及び新たに、In、Snの存在が確認された。これは、
紫外線照射によって、ポリイミド樹脂が実質的に完全に
除去され、その下層にあったITO膜が表面に表れたこ
とを意味すると考えられる。なお、図5(b)に見られ
るCに帰属されるシグナルは、通常のベースレベルのも
のであって、ポリイミド樹脂の残存を示すものではな
い。AFM(Atomic Force Microscopy)で照射後のサ
ンプル基板表面を観察したが、ポリイミド樹脂の存在は
認められなかった。
The surface of the sample substrate before and after the ultraviolet irradiation is
The result measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is shown in FIG. As shown in FIG. 5A, the presence of each of C, N, and O atoms was confirmed on the sample substrate surface before irradiation, and thus it was found that the polyimide resin covered the substrate surface. On the other hand, as shown in FIG. 5B, N is not present on the surface of the sample substrate after irradiation, and O is present on the surface of the sample substrate.
And the presence of In and Sn was newly confirmed. this is,
This is considered to mean that the polyimide resin was substantially completely removed by the ultraviolet irradiation, and the underlying ITO film appeared on the surface. The signal attributable to C shown in FIG. 5 (b) is at a normal base level and does not indicate the remaining polyimide resin. The surface of the sample substrate after irradiation was observed by AFM (Atomic Force Microscopy), but no polyimide resin was found.

【0033】紫外線照射前後のサンプル基板の、カラー
フィルターとしての光学的特性を調べた。透過率、色度
共に、照射前後で変化は全く見られなかった。
The optical characteristics as a color filter of the sample substrate before and after the ultraviolet irradiation were examined. No change was observed in both transmittance and chromaticity before and after irradiation.

【0034】[0034]

【比較例1】実施例1と同様のサンプル基板を、波長が
254nmの紫外線に、30分間露出した。しかし、波
長が254nmの紫外線に照射した後のサンプル基板上
には、ポリイミド樹脂が残っていることが、目視検査で
確認され、さらに色素部の変色が観察された。
Comparative Example 1 The same sample substrate as in Example 1 was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 254 nm for 30 minutes. However, it was confirmed by visual inspection that the polyimide resin remained on the sample substrate after being irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 254 nm, and further, discoloration of the dye portion was observed.

【0035】[0035]

【実施例2】実施例1で得られた紫外線照射後のサンプ
ル基板の上に、実施例1と同様にして、新たにポリイミ
ド樹脂を印刷し、リワーク基板を得た。新たに付着され
たポリイミド樹脂の膜が、紫外線照射後のサンプル基板
の表面ではじかれるなどの印刷不良を生じることはなか
った。
Example 2 On the sample substrate after irradiation with ultraviolet light obtained in Example 1, a new polyimide resin was printed in the same manner as in Example 1 to obtain a rework substrate. The newly-adhered polyimide resin film did not cause printing defects such as being repelled on the surface of the sample substrate after the ultraviolet irradiation.

【0036】[0036]

【実施例3】実施例2で得られたリワーク基板を使用
し、液晶表示装置を組み立てた。また、その液晶表示装
置を、70℃、80%RHの条件下に置き、300時間
の高温高湿動作試験(THB)を行った。試験前後の表
示特性(表示品位、輝度、階調、コントラスト、視野な
ど)は、リワーク基板ではない良品のサンプル基板を用
いた液晶表示装置の特性と同等であった。
Example 3 A liquid crystal display device was assembled using the rework substrate obtained in Example 2. Further, the liquid crystal display device was placed under the conditions of 70 ° C. and 80% RH, and a high-temperature and high-humidity operation test (THB) was performed for 300 hours. The display characteristics before and after the test (display quality, luminance, gradation, contrast, visual field, etc.) were equivalent to those of a liquid crystal display device using a good sample substrate which was not a rework substrate.

【0037】[0037]

【実施例4】実施例1と同様のサンプル基板を、基板表
面が約110℃になるよう加熱しながら、波長が172
nmの紫外線(光源照度:7.8mW/cm2)に、1
0分間露出した。紫外線照射後のサンプル基板の表面を
観察したが、ポリイミド樹脂の存在は認められなかっ
た。
Embodiment 4 A sample substrate similar to that of Embodiment 1 was heated at a wavelength of 172 while heating the substrate surface to about 110 ° C.
ultraviolet light (light source illuminance: 7.8 mW / cm 2 )
It was exposed for 0 minutes. Observation of the surface of the sample substrate after ultraviolet irradiation revealed that no polyimide resin was present.

【実施例5】透明電極として約1500Åの厚さのIT
O膜を有する有機膜付きアレイ基板を、サンプル基板と
して用意した。このサンプル基板を、波長が172nm
の紫外線(光源照度:7.8mW/cm2)に、1分間
露出した。
Embodiment 5 As a transparent electrode, an about 1500 mm thick IT
An array substrate with an organic film having an O film was prepared as a sample substrate. This sample substrate was set at a wavelength of 172 nm.
(Illuminance of light source: 7.8 mW / cm 2 ) for 1 minute.

【0038】紫外線照射前後のサンプル基板におけるT
FTの特性を、ゲート電圧とドレイン電流間の関係を測
定して調べた。その結果を、図6(a)に示す。照射前
後で特性の変化は見られなかった。
T on the sample substrate before and after UV irradiation
FT characteristics were investigated by measuring the relationship between gate voltage and drain current. The result is shown in FIG. No change in characteristics was observed before and after irradiation.

【0039】[0039]

【比較例2】有機膜及びITO膜を有さない他は、実施
例5と同じ構造のアレイ基板を、同様にして、波長が1
72nmの紫外線に、1分間露出した。紫外線照射前後
のITO膜なしアレイ基板におけるTFTの特性を、ゲ
ート電圧とドレイン電流間の関係を測定して調べた。図
6(b)に示されるように、照射後は、照射前に比べ
て、ゲートしきい値電圧が低い方にシフトし、ドレイン
オフ電流が著しく上昇する変化が観測された。
Comparative Example 2 An array substrate having the same structure as that of Example 5 except that it did not have an organic film and an ITO film was manufactured in the same manner as in Example 5 except that the wavelength was 1
It was exposed to ultraviolet light of 72 nm for 1 minute. The characteristics of the TFT on the array substrate without the ITO film before and after the ultraviolet irradiation were examined by measuring the relationship between the gate voltage and the drain current. As shown in FIG. 6B, after the irradiation, a change was observed in which the gate threshold voltage shifted to a lower level and the drain off current increased significantly as compared to before the irradiation.

【0040】[0040]

【実施例6】透明電極として約1500Åの厚さのIT
O膜を有する有機膜付きアレイ基板上に、約700Åの
厚さのポリイミド樹脂を付着したものを、サンプル基板
として用意した。このサンプル基板を、波長が172n
mの紫外線(光源照度:7.8mW/cm2)に、30
分間露出した。紫外線照射前後のサンプル基板の表面を
観察したが、ポリイミド樹脂の存在は認められなかっ
た。また、紫外線照射前後のTFT特性を実施例5と同
様にして測定したが、特性の変化は観測されなかった。
[Embodiment 6] An IT having a thickness of about 1500 mm was used as a transparent electrode.
An array substrate with an organic film having an O film on which a polyimide resin having a thickness of about 700 ° was adhered was prepared as a sample substrate. This sample substrate was set to a wavelength of 172n.
m UV (light source illuminance: 7.8 mW / cm 2 )
Exposure for a minute. Observation of the surface of the sample substrate before and after ultraviolet irradiation revealed that no polyimide resin was present. The TFT characteristics before and after the irradiation of the ultraviolet rays were measured in the same manner as in Example 5, but no change in the characteristics was observed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明の原理を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram showing the principle of the present invention.

【図2】本願発明を実施するのに適した除去装置を示す
模式図である。
FIG. 2 is a schematic view showing a removing apparatus suitable for carrying out the present invention.

【図3】カラーフィルター基板の構造を示す断面概略図
である。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a structure of a color filter substrate.

【図4】アレイ基板の構造を示す断面概略図である。
(a)は、これまで典型的に用いられてきた有機膜及び
透明電極のないTFTアレイ基板構造を示し、(b)
は、有機膜付きアレイ基板構造を示す。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing the structure of an array substrate.
(A) shows the structure of a TFT array substrate without an organic film and a transparent electrode typically used so far, and (b)
Shows an array substrate structure with an organic film.

【図5】本願発明に従って、除去処理を実施したカラー
フィルター基板の、紫外線照射前(a)及び紫外線照射
後(b)の表面XPS分析結果を示すスペクトルであ
る。
FIG. 5 is a spectrum showing the results of surface XPS analysis of a color filter substrate which has been subjected to a removal treatment according to the present invention before (a) and after (b) ultraviolet irradiation.

【図6】ITO膜及び有機膜付きアレイ基板構造
(a)、並びにITO膜及び有機膜なしアレイ基板構造
(b)を、それぞれ、172nmの紫外線を照射した前
後のTFT特性の変化を示す、ゲート電圧−ドレイン電
流曲線である。
FIG. 6 shows a change in TFT characteristics of an array substrate structure with an ITO film and an organic film (a) and an array substrate structure without an ITO film and an organic film (b) before and after irradiation with ultraviolet light of 172 nm, respectively. It is a voltage-drain current curve.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面に透明導電性膜が形成されたTFTア
レイ基板を用意するステップと、 前記基板を波長が180nm以下の紫外線に露出するス
テップとを含む、TFTアレイ基板上の有機物を除去す
る方法。
An organic substance on a TFT array substrate is removed, comprising: preparing a TFT array substrate having a transparent conductive film formed on a surface thereof; and exposing the substrate to ultraviolet light having a wavelength of 180 nm or less. Method.
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US09/464,824 US6468599B1 (en) 1998-12-25 1999-12-17 Method for removing organic compound by ultraviolet radiation
GB9930159A GB2345152B (en) 1998-12-25 1999-12-22 Method for removing a layer of an organic compound from a substrate
KR10-2000-0001658A KR100369214B1 (en) 1999-10-29 2000-01-14 Method for removing organic compound by ultraviolet radiation and apparatus therefor
TW089101387A TWI309743B (en) 1999-10-29 2000-01-27 Method for removing organic compound by ultraviolet radiation and apparatus therefor
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100425859B1 (en) * 2001-05-31 2004-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Repair method for badness of semiconductor layer patten in tft-lcd

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