JP2000242984A - Optical recording medium and its production - Google Patents

Optical recording medium and its production

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JP2000242984A
JP2000242984A JP11038927A JP3892799A JP2000242984A JP 2000242984 A JP2000242984 A JP 2000242984A JP 11038927 A JP11038927 A JP 11038927A JP 3892799 A JP3892799 A JP 3892799A JP 2000242984 A JP2000242984 A JP 2000242984A
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JP
Japan
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groove
optical recording
stamper
recording medium
pitch
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Application number
JP11038927A
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Japanese (ja)
Inventor
Mutsumi Asano
睦己 浅野
Yuji Kawahara
祐路 河原
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical recording medium having superior recording and reproducing characteristics even in the case of a minute pitch. SOLUTION: The optical recording medium is obtained by using a stamper produced by forming a thin film of a dielectric such as SiO2, Si3N4 or Al2O3 on a photoresist pattern obtained by exposure and development, forming a metallic stamper by electroforming and then removing the thin film. In the optical recording medium, the pitch P of a continuous groove formed on the substrate is 300-450 nm, the depth D of the groove is >=40 nm and the half-width W of the groove satisfies W/P<=0.5.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に、
溝ピッチの小さい媒体において良好な記録再生特性の得
られる光磁気記録媒体とその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium,
The present invention relates to a magneto-optical recording medium capable of obtaining good recording / reproducing characteristics in a medium having a small groove pitch and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】光記録媒体は大容量・高密度記録が可能
な可搬型記録媒体であり、コンピュータの大容量データ
を保存する書き換え型メディアとして需要が急増しつつ
あり、近年のマルチメディア化に伴ない一層の高密度化
が求められている。
2. Description of the Related Art Optical recording media are portable recording media capable of large-capacity, high-density recording. Demand is increasing rapidly as rewritable media for storing large-capacity data in computers. Accordingly, higher densification is required.

【0003】光記録媒体では、通常、レーザービームを
記録再生する場所にトラッキングサーボをするための案
内溝が基板に物理的な形状として設けられ、記録は溝と
溝の間の基板が凸の部分(以後ランドと呼ぶ)に記録さ
れる。従って、ランドが大きい程記録するマーク幅を大
きくすることが可能で、再生信号の強度を大きくでき再
生信号品質を向上させることが可能である。
In an optical recording medium, a guide groove for performing tracking servo is usually provided in a physical shape on a substrate at a position where a laser beam is recorded / reproduced, and recording is performed at a portion where the substrate is convex between the grooves. (Hereinafter referred to as land). Therefore, the larger the land, the larger the mark width to be recorded can be made, and the intensity of the reproduction signal can be increased, and the quality of the reproduction signal can be improved.

【0004】しかし、記録の高密度化のためには、溝と
溝の間隔であるピッチを小さくして記録面積あたりの情
報を大きくする必要がある。例えば、商品化されている
3.5インチ径の光磁気記録媒体のピッチは、記憶容量
が128MBのもので1.6μm、230MBのもので
1.4μm、640MBのもので1.1μmと縮小され
てきている。密度を高めるには更にピッチを縮小する必
要があるが、溝幅が同じままピッチを縮小するとランド
の幅が減少してしまうため、ピッチの縮小には溝を細く
形成することが要求される。
However, in order to increase the recording density, it is necessary to increase the information per recording area by reducing the pitch which is the interval between the grooves. For example, the pitch of a commercially available 3.5-inch diameter magneto-optical recording medium is reduced to 1.6 μm for a storage capacity of 128 MB, 1.4 μm for a storage capacity of 230 MB, and 1.1 μm for a storage capacity of 640 MB. Is coming. To increase the density, it is necessary to further reduce the pitch. However, if the pitch is reduced while the groove width remains the same, the width of the land is reduced. Therefore, to reduce the pitch, a narrow groove is required.

【0005】一方、記録の密度は記録再生装置の光源レ
ーザー波長(λ)と対物レンズの開口数(NA)によっ
て決まるレーザービームスポットサイズ(〜λ/NA)
により制限される。例えば、上記した640MB光磁気
記録媒体用の記録再生装置の場合、波長:680nm、
NA:0.55であり、レーザービームスポットサイズ
は約1240nmとなる。
On the other hand, the recording density is a laser beam spot size (.about..lamda. / NA) determined by the light source laser wavelength (.lambda.) Of the recording / reproducing apparatus and the numerical aperture (NA) of the objective lens.
Is limited by For example, in the case of the above-mentioned recording / reproducing apparatus for a 640 MB magneto-optical recording medium, the wavelength: 680 nm,
NA: 0.55, and the laser beam spot size is about 1240 nm.

【0006】レーザービームスポットサイズを小さくし
高密度化を達成する手段として、光学ヘッドを記録膜に
近付けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が注目
されている(例えば、アプライド・フィジクス・レター
(Appl.Phys.Lett.),vol.68,
p.141(1996))。この記録方法では、Sol
id Immersion Lens(以下「SIL」
と略す)ヘッドを使用し、SILを使用した際の実効的
な開口数を高めることにより、レーザービームスポット
サイズを縮小することにより、超高記録密度の記録再生
が実現できる。
As a means for reducing the laser beam spot size and achieving high density, so-called near-field optical recording, in which an optical head is brought close to a recording film to perform recording and reproduction, has attracted attention (for example, Applied Physics Letter). (Appl. Phys. Lett.), Vol.
p. 141 (1996)). In this recording method, Sol
id Immersion Lens (hereinafter “SIL”)
By using a head and increasing the effective numerical aperture when the SIL is used, the laser beam spot size is reduced, and recording and reproduction at an ultra-high recording density can be realized.

【0007】例えば、波長:650nm、実効NA:
1.4のSILを用いた近接場光記録では、レーザービ
ームスポットサイズは約460nmとなり、先に述べた
従来の640MB光磁気記録媒体用の記録再生装置に使
用されるレーザービームスポットサイズの約37%とな
る。
For example, wavelength: 650 nm, effective NA:
In near-field optical recording using an SIL of 1.4, the laser beam spot size is about 460 nm, which is about 37 nm of the laser beam spot size used in the above-mentioned recording / reproducing apparatus for the conventional 640 MB magneto-optical recording medium. %.

【0008】このようにSILを用いる近接場光記録に
おいて、レーザービームスポットサイズ(約460n
m)に見合った溝ピッチは400nm程度が要求され、
また、信号品質の点からはより細い溝を形成して大きい
ランドを得ることが必要となる。即ち、より微細なパタ
ーン形成が必要となる。
As described above, in near-field optical recording using SIL, a laser beam spot size (about 460 n
The groove pitch corresponding to m) is required to be about 400 nm,
Also, from the viewpoint of signal quality, it is necessary to form a narrower groove to obtain a large land. That is, it is necessary to form a finer pattern.

【0009】光記録媒体上に形成される案内溝は、従
来、大きく分けて次のようなスタンパ製造工程と成
型工程により形成される。
Conventionally, a guide groove formed on an optical recording medium is formed roughly by the following stamper manufacturing process and molding process.

【0010】スタンパ製造工程としては、例えば、以
下のような工程よりなる。
The stamper manufacturing process includes, for example, the following processes.

【0011】(1)ガラス基板にフォトレジストが塗布
されてなるフォトレジスト原盤へのマスタリング装置に
よる露光、 (2)アルカリ現像液を用いた現像によるレジストパタ
ーン形成、 (3)レジストのポストベーク、 (4)スパッタリング法による金属導電膜の形成、 (5)金属の電鋳によるスタンパ形成、 (6)スタンパ裏面の研磨、 (7)フォトレジスト原盤とスタンパとの剥離、 (8)スタンパ表面の残存フォトレジストのアッシング
による除去、 (9)スタンパの内周と外周を射出成型機の金型径にあ
わせるための打抜き加工。
(1) Exposure by a mastering device to a photoresist master obtained by applying a photoresist to a glass substrate; (2) formation of a resist pattern by development using an alkali developing solution; (3) post-baking of the resist; 4) formation of a metal conductive film by a sputtering method; (5) formation of a stamper by electroforming of metal; (6) polishing of the back surface of the stamper; (7) separation of the photoresist master from the stamper; and (8) residual photo on the surface of the stamper. (9) Punching to adjust the inner and outer circumferences of the stamper to the die diameter of the injection molding machine.

【0012】一方、成型工程は、例えば、スタンパを
射出成型機の金型に設置してポリカーボネート樹脂によ
る基板成型を行い、溝を転写する。
On the other hand, in the molding step, for example, a stamper is set in a mold of an injection molding machine, and a substrate is molded with a polycarbonate resin, and a groove is transferred.

【0013】従来の 640MBまでの光磁気記録媒体
のスタンパ製造には波長:454nm、NA:0.9の
光学系を持つマスタリング装置が用いられるのが一般的
であり、この場合の溝の幅は300nm程度が下限であ
った。更に、溝の幅を縮小するために波長:351n
m、NA:0.9のUV光学系を持つマスタリング装置
も実用化されているが、ピッチ400nmでは溝深さの
50%での溝幅(溝半値幅)は210nm程度が下限で
あり、溝深さの50%でのランド幅(ランド半値幅)は
190nmが上限となる。このランド幅ではレーザービ
ームスポット径が460nmの近接場光記録でも十分な
信号品質がえられなかった。
A conventional mastering device having an optical system having a wavelength of 454 nm and an NA of 0.9 is generally used for manufacturing a stamper for a conventional magneto-optical recording medium up to 640 MB. The lower limit was about 300 nm. Further, in order to reduce the width of the groove, the wavelength: 351 n
A mastering device having a UV optical system of m, NA: 0.9 has also been put to practical use. However, at a pitch of 400 nm, the lower limit of the groove width at 50% of the groove depth (half-width at groove) is about 210 nm. The upper limit of the land width (land half width) at 50% of the depth is 190 nm. With this land width, sufficient signal quality could not be obtained even in near-field optical recording with a laser beam spot diameter of 460 nm.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】従来のスタンパ形成方
法により製造したスタンパを使用した光記録媒体では、
SILを用いた近接場光記録のように微少なピッチが要
求される場合に信号を記録するランド幅が小さくなり十
分な信号品質が得られないという問題があった。
In an optical recording medium using a stamper manufactured by a conventional stamper forming method,
When a very small pitch is required as in near-field optical recording using SIL, there is a problem that a land width for recording a signal becomes small and sufficient signal quality cannot be obtained.

【0015】本発明は、新規なスタンパ製造方法を提案
し、微少な溝ピッチにおいてもランド幅を十分確保でき
る光記録媒体を提供し、さらに近接場光記録に適した溝
形状を有した近接場光記録媒体を提供することを目的と
する。
The present invention proposes a novel stamper manufacturing method, provides an optical recording medium capable of sufficiently securing a land width even with a minute groove pitch, and further has a near-field having a groove shape suitable for near-field optical recording. It is an object to provide an optical recording medium.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明者等は上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、微少な溝のピッ
チにおいて十分なランド幅を得るスタンパ製造方法を発
明し、更に近接場光記録において十分な再生信号を得る
ことのできる光記録媒体を発明するに至った。
In view of the above situation, the present inventors have made intensive studies and, as a result, have invented a stamper manufacturing method for obtaining a sufficient land width at a fine groove pitch. The inventors have invented an optical recording medium capable of obtaining a sufficient reproduction signal in field light recording.

【0017】即ち、本発明は、基板上に形成された連続
溝のピッチPが300nm〜450nm、溝の深さDが
40nm以上、溝の半値幅をWとしたとき、 W/Pが
0.5以下であることを特徴とする光記録媒体、および
スタンパを用いて光記録媒体を製造する方法において、
露光・現像して得られるフォトレジストパターン上に誘
電体薄膜を形成し、電鋳により金属スタンパを形成後
に、該薄膜を除去する工程を経て製造されたスタンパを
用いることを特徴とする光記録媒体の製造方法に関す
る。
That is, according to the present invention, when the pitch P of the continuous groove formed on the substrate is 300 nm to 450 nm, the depth D of the groove is 40 nm or more, and the half width of the groove is W, W / P is 0.1. 5 or less, and a method of manufacturing an optical recording medium using a stamper,
An optical recording medium using a stamper manufactured by forming a dielectric thin film on a photoresist pattern obtained by exposure and development, forming a metal stamper by electroforming, and removing the thin film. And a method for producing the same.

【0018】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0019】本発明の光記録媒体は、その基板上に形成
された連続溝のピッチPが300nm〜450nm、溝
の深さDが40nm以上、溝の半値幅をWとしたとき、
W/Pが0.5以下であることを特徴とする。溝の深
さとしては、40〜100nmが、回折効果を利用する
プッシュプル法によるトラッキングサーボの安定化の点
で好ましく、W/Pの値としては、優れた再生信号を得
るため0.5以下が好ましく、充分な回折効果を得るた
めには0.3以上が好ましい。
In the optical recording medium of the present invention, when the pitch P of the continuous groove formed on the substrate is 300 nm to 450 nm, the depth D of the groove is 40 nm or more, and the half width of the groove is W,
W / P is 0.5 or less. The groove depth is preferably from 40 to 100 nm in terms of stabilization of the tracking servo by the push-pull method utilizing the diffraction effect. The value of W / P is 0.5 or less in order to obtain an excellent reproduced signal. It is preferably 0.3 or more in order to obtain a sufficient diffraction effect.

【0020】このような光記録媒体は、例えば、以下の
ような製造方法によって得ることができる。
Such an optical recording medium can be obtained, for example, by the following manufacturing method.

【0021】従来のスタンパの製造方法においては、レ
ジストのポストベークを行った後にスパッタリング法に
より金属導電膜を形成していたが、本発明の製造方法に
よれば、レジストのポストベークを行った後に、誘電体
薄膜をレジストパターン上に形成させる。このような処
理によりランド表面や溝表面に誘電体薄膜が積層される
が、溝の斜面を埋める形で誘電体が積層されるため、も
とのレジストパターンに比べて溝幅はより細くなり、ラ
ンド幅は太くなる。また、溝深さの減少は僅かである。
誘電体膜の形成による溝深さの変化がわずかなため、プ
ッシュプル法によるトラッキングサーボの安定化のため
に好ましい40〜100nmとの溝深さを有する基板を
製造することができる。
In the conventional method of manufacturing a stamper, a metal conductive film is formed by a sputtering method after post-baking a resist. However, according to the manufacturing method of the present invention, after a post-baking of a resist is performed. Then, a dielectric thin film is formed on the resist pattern. By such a process, a dielectric thin film is laminated on the land surface or the groove surface, but since the dielectric is laminated so as to fill the slope of the groove, the groove width is narrower than the original resist pattern, The land width increases. Also, the decrease in the groove depth is slight.
Since the change in the groove depth due to the formation of the dielectric film is small, it is possible to manufacture a substrate having a groove depth of 40 to 100 nm, which is preferable for stabilizing the tracking servo by the push-pull method.

【0022】誘電体薄膜を形成した後に、電鋳のために
Ni導電膜を形成し、Niの電鋳を行う。電鋳の終了し
たスタンパ裏面を研磨してその表面を平滑とした後、フ
ォトレジスト原盤とスタンパとを剥離する。剥離したス
タンパ表面には誘電体薄膜が残存した状態であるため、
この膜をCF4ガス等によるエッチングで除去する。本
製造方法により得られたスタンパは、ランド幅が広く従
来と同じNiで形成されているため従来と同様、射出成
型により溝パターンが転写された基板を製造することが
できる。
After forming the dielectric thin film, a Ni conductive film is formed for electroforming, and Ni is electroformed. After polishing the back surface of the stamper after electroforming to make the surface smooth, the photoresist master and the stamper are separated. Since the dielectric thin film remains on the peeled stamper surface,
This film is removed by etching with CF 4 gas or the like. Since the stamper obtained by this manufacturing method has a wide land width and is formed of the same Ni as the conventional one, it is possible to manufacture a substrate on which the groove pattern has been transferred by injection molding as in the conventional case.

【0023】ここでレジストパターン上に形成する薄膜
としては、エッチングにより除去できる材料であれば、
特に制限なく用いることができ、例えば、 SiO2、S
3N4やAl23等を例示することができるが、スタン
パ材質(Ni)とのエッチング選択性が高い点でSiO
2が好ましい。また、薄膜形成法は、パターンの被覆性
に優れたスパッタリング法が好ましい。剥離したスタン
パ表面に残存する誘電体の除去は、気相エッチングだけ
でなくフッ酸等による液相エッチングで行うことも可能
である。
Here, the thin film formed on the resist pattern may be any material that can be removed by etching.
It can be used without particular limitation, for example, SiO 2 , S
i 3 is N 4, Al 2 O 3, or the like can be exemplified, SiO in terms of high etch selectivity between the stamper material (Ni)
2 is preferred. Further, as the thin film forming method, a sputtering method which is excellent in pattern coverage is preferable. The removal of the dielectric remaining on the surface of the peeled stamper can be performed not only by gas phase etching but also by liquid phase etching using hydrofluoric acid or the like.

【0024】誘電体薄膜の膜厚としては、薄すぎると溝
を細くしランドを太くする効果が小さくなり、厚すぎる
と膜の応力による膜剥離が起こりやすくなるため、10
0〜500nmが好ましく、特に好ましくは、200〜
400nmである。
When the thickness of the dielectric thin film is too small, the effect of narrowing the groove and increasing the land becomes small, and when the thickness is too large, film peeling due to stress of the film is likely to occur.
It is preferably from 0 to 500 nm, particularly preferably from 200 to 500 nm.
400 nm.

【0025】また、電鋳のための導電膜はNiのみに限
定されるものではなくAgやCo等の使用も可能であ
る。
Further, the conductive film for electroforming is not limited to only Ni, but may be Ag or Co.

【0026】[0026]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to only these Examples.

【0027】実施例1〜4 厚さ6mmのガラス基板にポジ型i線用フォトレジスト
(東京応化工業製、商品名「THMR−ip365
0」)を100nm厚で塗布したフォトレジスト原盤を
用い、波長351nmのArレーザー光源とNA0.9
の対物レンズとの光学系を有したマスタリング装置でピ
ッチ350nm(実施例1および3)、400nm(実
施例2および4)で露光し、有機現像液による現像で溝
深さ80nmとなるスパイラル状の溝が形成されたレジ
ストパターンを形成した。
Examples 1-4 A positive type i-line photoresist (trade name "THMR-ip365" manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was formed on a glass substrate having a thickness of 6 mm.
0 ") with a 100 nm-thick photoresist master, and an Ar laser light source having a wavelength of 351 nm and an NA of 0.9.
Exposure is performed at a pitch of 350 nm (Examples 1 and 3) and 400 nm (Examples 2 and 4) using a mastering device having an optical system with an objective lens, and a spiral shape having a groove depth of 80 nm by development with an organic developer. A resist pattern in which a groove was formed was formed.

【0028】フォトレジスト原盤を120℃で30分間
のポストベークを行い、レジストパターン上に高周波ス
パッタリングによりSiO2膜をピッチ400nm、3
50nmのフォトレジスト原盤それぞれに200nm厚
(実施例1および2)、400nm厚(実施例3および
4)で形成した。引き続きSiO2膜上に、Ni膜を1
00nm形成した後、Ni膜に電鋳によりNiを0.3
mm厚で析出させてスタンパを製造した。フォトレジス
ト原盤とスタンパが密着した状態でスタンパ裏面の研磨
を行った後に、機械的にフォトレジスト原盤とスタンパ
を剥離した。剥離後、CF4ガスによる反応性エッチン
グによりスタンパ表面に残存するSiO2を除去した。
更に、スタンパの内周と外周を打ち抜き、射出成型機の
金型にセットして、ポリカーボネイト樹脂を射出成型し
て厚さ2mm直径130mmの基板を製造した。
The photoresist master is post-baked at 120 ° C. for 30 minutes, and a SiO 2 film having a pitch of 400 nm is formed on the resist pattern by high frequency sputtering.
A 50 nm photoresist master was formed to have a thickness of 200 nm (Examples 1 and 2) and a thickness of 400 nm (Examples 3 and 4), respectively. Subsequently, a Ni film is formed on the SiO 2 film.
After forming the Ni film to a thickness of 0.3 nm, the Ni film is
A stamper was manufactured by precipitation with a thickness of mm. After polishing the back surface of the stamper while the photoresist master and the stamper were in close contact with each other, the photoresist master and the stamper were mechanically peeled off. After the peeling, SiO 2 remaining on the stamper surface was removed by reactive etching using CF 4 gas.
Further, the inner and outer peripheries of the stamper were punched out, set in a mold of an injection molding machine, and injection molded with polycarbonate resin to produce a substrate having a thickness of 2 mm and a diameter of 130 mm.

【0029】このようにして製造された基板の溝形状を
原子間力顕微鏡(AFM)により計測した。AFMによ
り計測した溝半値幅、ランド半値幅、溝深さと、溝半値
幅を溝ピッチで除した溝半値幅/溝ピッチ比を表1に示
す。
The groove shape of the substrate thus manufactured was measured by an atomic force microscope (AFM). Table 1 shows the groove half width, land half width, groove depth, and the groove half width / groove pitch ratio obtained by dividing the groove half width by the groove pitch.

【0030】レジストパターン上にSiO2膜を形成す
ると、凸部であるランドを覆うようにSiO2膜が被覆
されランド半値幅が増加する。溝幅が大きいほどランド
半値幅の増加が大きいのは、溝幅が大きいほど斜面への
被覆効率が高いためと考えられる。また、形成するSi
2の膜厚が大きいほうがランド半値幅が大きくなる。
[0030] to form a SiO 2 film on the resist pattern, the land FWHM SiO 2 film is coated so as to cover the land is a convex portion increases. The reason that the larger the groove width is, the larger the increase of the land half-value width is probably because the larger the groove width is, the higher the covering efficiency on the slope is. Also, the Si to be formed
The larger the O 2 film thickness, the larger the land half width.

【0031】[0031]

【表1】 [Table 1]

【0032】これらの基板を用いて、以下に記すように
して、近接場光記録用の光磁記録媒体を製造した。基板
の溝形成面に、反射層としてAl合金膜(膜厚45n
m)をDCスパッタ法により形成し、次にSiNからな
る第1保護層をArとN2との混合雰囲気中でSiター
ゲットを使用した反応性RFスパッタ法で形成した(膜
厚10nm)。次にTb20(Fe90Co1080からなる
光磁気記録層をTbターゲットとFe90Co10ターゲッ
トのDC同時スパッタ法により形成した(膜厚20n
m)。さらにこの上にSiNからなる第2保護層をAr
とN2との混合雰囲気中でSiターゲットを使用した反
応性RFスパッタ法で形成した(膜厚25nm)。この
上にダイアモンドライクカーボン(DLC)層をArと
CH4との混合雰囲気中でCターゲットを使用した反応
性RFスパッタ法で形成した(膜厚15nm)。このD
LC層上に潤滑材として、パーフルオロポリエーテル系
溶媒を使用したピペロニル変性パーフルオロポリエーテ
ルの溶液よりディップ法により0.3nm厚で塗布し
た。
Using these substrates, a magneto-optical recording medium for near-field optical recording was manufactured as described below. On the groove forming surface of the substrate, an Al alloy film (45 nm thick) was used as a reflective layer.
m) was formed by DC sputtering, and then a first protective layer made of SiN was formed by reactive RF sputtering using a Si target in a mixed atmosphere of Ar and N 2 (film thickness: 10 nm). Next, a magneto-optical recording layer made of Tb 20 (Fe 90 Co 10 ) 80 was formed by DC simultaneous sputtering of a Tb target and an Fe 90 Co 10 target (film thickness: 20 n).
m). Further, a second protective layer made of SiN is further formed thereon by Ar
And it was formed by a reactive RF sputtering method using a Si target in a mixed atmosphere of N 2 (film thickness 25 nm). A diamond-like carbon (DLC) layer was formed thereon by a reactive RF sputtering method using a C target in a mixed atmosphere of Ar and CH 4 (film thickness: 15 nm). This D
As a lubricant, a solution of piperonyl-modified perfluoropolyether using a perfluoropolyether solvent was applied as a lubricant to the LC layer to a thickness of 0.3 nm by a dipping method.

【0033】以上のプロセスで製造された近接場光記録
型の光磁気記録媒体を、レーザー波長650nm、実効
NA1.4のSILを浮上スライダーに搭載したSIL
テスターで記録再生特性を評価した。浮上スライダーは
薄膜形成面上を約100nmの高さで浮上し、レーザー
は薄膜側から入射し薄膜側で反射されて再生される。評
価に用いたSILテスターは、プッシュプル法によりト
ラッキングサーボを行い、差動光学系により光磁気信号
を検出する。
The near-field optical recording type magneto-optical recording medium manufactured by the above process is mounted on a flying slider with a SIL having a laser wavelength of 650 nm and an effective NA of 1.4.
The recording and reproduction characteristics were evaluated with a tester. The flying slider flies above the surface on which the thin film is formed at a height of about 100 nm, and the laser is incident from the thin film side and is reflected and reproduced on the thin film side. The SIL tester used for the evaluation performs a tracking servo by a push-pull method, and detects a magneto-optical signal by a differential optical system.

【0034】記録再生特性の評価条件は、回転数240
0rpm、記録半径45mm、で、一度消去した状態に
印可磁界150Oeでレーザー強度を変えながらレーザ
ーパルスを19MHzで変調する光変調方式により約3
00nmのマークを記録した。表1にパワーを変えて記
録した場合に得られた最大の再生信号強度(キャリアレ
ベル)とキャリアレベル対ノイズレベル比(C/N比)
を示す。
The conditions for evaluating the recording / reproducing characteristics are as follows:
0 rpm, a recording radius of 45 mm, and a light modulation method of modulating a laser pulse at 19 MHz while changing the laser intensity with an applied magnetic field of 150 Oe in an erased state.
A 00 nm mark was recorded. Table 1 shows the maximum reproduced signal strength (carrier level) and carrier level to noise level ratio (C / N ratio) obtained when recording was performed with different powers.
Is shown.

【0035】比較例1及び比較例2 実施例1〜4と同様な材料、装置および方法を用いて、
フォトレジスト原盤上に、ピッチ400nm(比較例
1)、または350nm(比較例2)で溝深さ80nm
となるスパイラル状の溝を形成した。
Comparative Examples 1 and 2 Using the same materials, devices and methods as in Examples 1 to 4,
On a photoresist master, a groove depth of 80 nm with a pitch of 400 nm (Comparative Example 1) or 350 nm (Comparative Example 2)
Was formed.

【0036】フォトレジスト原盤を120℃で30分間
のポストベークを行い、レジストパターン上にスパッタ
リングによりNi膜を100nm形成した後、Ni膜に
電鋳によりNiを0.3mm厚で析出させてスタンパを
製造した。フォトレジスト原盤とスタンパが密着した状
態でスタンパ裏面の研磨を行った後に、機械的にフォト
レジスト原盤とスタンパを剥離した。剥離後、スタンパ
の内周と外周を打ち抜き射出成型機の金型にセットして
ポリカーボネイト樹脂を射出成型して厚さ2mm直径1
30mmの基板を製造した。
The photoresist master is post-baked at 120 ° C. for 30 minutes, a Ni film is formed on the resist pattern by sputtering to a thickness of 100 nm, and Ni is deposited to a thickness of 0.3 mm on the Ni film by electroforming to form a stamper. Manufactured. After polishing the back surface of the stamper while the photoresist master and the stamper were in close contact with each other, the photoresist master and the stamper were mechanically peeled off. After peeling, the inner and outer peripheries of the stamper are punched out, set in a mold of an injection molding machine, and injection molded with polycarbonate resin to a thickness of 2 mm and a diameter of 1 mm.
A 30 mm substrate was manufactured.

【0037】このようにして製造した基板の溝形状を原
子間力顕微鏡(AFM)により計測した。AFMにより
計測した溝半値幅、ランド半値幅、溝深さと、溝半値幅
を溝ピッチで除した溝半値幅/溝ピッチ比を表2に示
す。これら既知の方法で製造した場合は、溝半値幅は溝
ピッチの50%以上であった。
The groove shape of the substrate thus manufactured was measured by an atomic force microscope (AFM). Table 2 shows the groove half width, land half width, groove depth, and the groove half width / groove pitch ratio obtained by dividing the groove half width by the groove pitch. When manufactured by these known methods, the half width of the groove was 50% or more of the groove pitch.

【0038】[0038]

【表2】 [Table 2]

【0039】これらの基板を用いて、実施例1から4と
同様の方法で基板上に反射層、第1保護層、光磁気記録
層、第2保護層、 DLC層および潤滑層を有する近接
場光記録用の光磁記録媒体を製造し、実施例1から4と
同様の方法で記録再生特性を評価した結果を表2に示
す。
Using these substrates, a near-field having a reflective layer, a first protective layer, a magneto-optical recording layer, a second protective layer, a DLC layer and a lubricating layer on the substrate in the same manner as in Examples 1 to 4 Table 2 shows the results of manufacturing a magneto-optical recording medium for optical recording and evaluating the recording / reproducing characteristics in the same manner as in Examples 1 to 4.

【0040】比較例1および2より、ランド半値幅の減
少により再生信号強度が大きく低下することがわかる。
一方、実施例で得られた媒体は、比較例1及び2に比べ
て、溝深さが3〜7nm減少しているにもかかわらず、
テスターによるトラッキングサーボについては全く問題
がなっかった。
It can be seen from Comparative Examples 1 and 2 that the reproduction signal intensity is greatly reduced due to the decrease in the land half width.
On the other hand, in the medium obtained in the example, although the groove depth was reduced by 3 to 7 nm as compared with the comparative examples 1 and 2,
There was no problem with the tracking servo by the tester.

【0041】実施例1において、ランド半値幅が比較例
2よりも小さいにもかかわらず、キャリアレベルが高い
のはランドの上部でSiO2膜がレジストの角を緩やか
に被覆するために記録されるマークの幅が実効的に増加
していることによると考えられる。また、実施例すべて
で比較例1および2に比べてノイズレベルが1dBm程
度低くなっているが、これもランドの上部でSiO2
がレジストの角を緩やかに被覆することによると考えら
れるが、これらの予想は、本発明を何ら限定するもので
はない。
In the first embodiment, the carrier level is high even though the half width of the land is smaller than that of the second comparative example because the SiO 2 film covers the corner of the resist gently on the land. This is probably because the width of the mark has been effectively increased. In addition, the noise level in all of the examples is lower than that of Comparative Examples 1 and 2 by about 1 dBm, which is also considered to be due to the SiO 2 film covering the corners of the resist gently above the lands. These expectations do not limit the invention in any way.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明によれば、微細なピッチが要求さ
れる近接場記録型などの光磁気記録媒体において溝半値
幅をピッチの50%以下とすることで優れた記録再生特
性を有する光記録媒体を提供することができる。特に、
溝ピッチ400nmにおいても溝半値幅140nmが得
られ、ランド半値幅は260nmが可能となる。
According to the present invention, in a magneto-optical recording medium such as a near-field recording type which requires a fine pitch, light having excellent recording / reproducing characteristics can be obtained by setting the groove half width to 50% or less of the pitch. A recording medium can be provided. In particular,
Even at a groove pitch of 400 nm, a groove half width of 140 nm is obtained, and a land half width of 260 nm is possible.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成された連続溝のピッチP、
溝の半値幅W、溝の深さDが以下の関係で示されること
を特徴とする光記録媒体。 P:300nm以上450nm以下 W/P:0.5以下 D:40nm以上
A pitch of a continuous groove formed on a substrate;
An optical recording medium, wherein the half width W of the groove and the depth D of the groove are represented by the following relationship. P: 300 nm or more and 450 nm or less W / P: 0.5 or less D: 40 nm or more
【請求項2】 スタンパを用いて光記録媒体を製造する
方法において、露光・現像して得られるフォトレジスト
パターン上に誘電体薄膜を形成し、電鋳により金属スタ
ンパを形成後に、該薄膜を除去する工程を経て製造され
たスタンパを用いることを特徴とする光記録媒体の製造
方法。
2. A method for manufacturing an optical recording medium using a stamper, wherein a dielectric thin film is formed on a photoresist pattern obtained by exposure and development, and after forming a metal stamper by electroforming, the thin film is removed. A method for manufacturing an optical recording medium, comprising using a stamper manufactured through the steps of:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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